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'12인치'통합검색 결과 입니다. (5건)

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DB하이텍, 'GaN 전력반도체' 초기 사업 착수…"고객사 관심 많아"

DB하이텍이 신사업 진출에 대한 적극적인 의지를 드러냈다. 지난해까지 GaN(질화갈륨)·SiC(탄화규소) 등 차세대 전력반도체 초도 양산을 위한 시생산(파일럿)라인을 구축해 올해 GaN을 중심으로 초도 양산에 나설 계획이다. 12인치 파운드리 사업도 현재 정부와 투자 논의를 진행 중이다. 55나노미터(nm) 등 전력반도체 분야가 주요 타겟이 될 전망이다. 20일 조기석 DB하이텍 대표는 경기 부천 본사에서 열린 '제72기 정기주주총회'에서 회사의 향후 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. DB하이텍은 8인치 파운드리 전문기업이다. 반도체 레거시(성숙) 공정을 기반으로 한 PMIC(전력관리반도체), DDI(디스플레이구동칩), CIS(CMOS 이미지센서) 등을 주로 생산한다. 자회사 DB글로벌칩을 통해 팹리스 사업도 영위하고 있다. DB하이텍의 지난해 연 매출은 1조1천310억원, 영업이익이 1천950억원으로 집계됐다. 영업이익률은 17%다. 전년 대비 매출은 2%, 영업이익은 28% 감소했으나, 8인치 파운드리가 지난해 업황이 부진했다는 점을 감안하면 견조한 실적이다. 조 대표는 "국내외 정세의 불확실성이 높은 상황에서도 당사는 오래 쌓아온 기술 경쟁력을 바탕으로 가동률 하락을 최소화하고, 경쟁사 대비 높은 영업이익률을 기록했다"며 "2025년 현재 당사의 가동률은 90%를 상회하고 있어 매출과 영업이익의 회복 또한 기대되고 있다"고 말했다. 미래 성장동력 확보를 위한 12인치 파운드리, GaN(질화갈륨)·SiC(탄화규소) 화합물반도체 등 신사업 진출도 지속 추진할 계획이다. 조 대표는 "현재 정부와 12인치 파운드리 투자와 관련해 심도 깊게 논의하고 있다"며 "당사의 강점이 BCD 전력반도체기 때문에, 55나노 BCD 등을 목표로 개발을 진행할 것"이라고 설명했다. GaN·SiC 화합물반도체 사업을 위한 시생산(파일럿) 라인 구축도 지난해 완료했다. 올해 2·3분기께 초도 양산을 시작할 것으로 관측된다. 조 대표는 "기존 전력반도체 사업을 진행하다보니 관련 고객사들이 GaN·SiC 반도체에도 많은 관심을 보내고 있다"며 "GaN은 올해 초기 비즈니스에 착수할 수 있을 것으로 보이고, 내년도 말이나 내후년에는 SiC 관련 비즈니스도 진행될 수 있을 것으로 판단된다"고 말했다.

2025.03.20 10:48장경윤

TI, 최소형 MCU 개발…소형 웨어러블·IT 기기 시장 공략

텍사스인스트루먼트(TI)가 기기의 소형화 추세에 대응하기 위한 신규 MCU(마이크로컨트롤러유닛)를 선보였다. 기존 MCU 대비 크기가 최대 38% 작은 것이 특징으로, 이를 통해 소형 웨어러블 기기, 스마트폰용 카메라모듈 등 시장을 공략하겠다는 계획이다. TI코리아는 13일 서울 삼성동 오피스에서 기자간담회를 열고 자사의 신규 'MSPM0C114' MCU를 공개했다. 해당 반도체는 TI의 Arm Cortex-M0+ 기반 'MSPM0' MCU 제품군 중 하나다. 업계에서 가장 작은 WCSP(웨이퍼칩스케일패키지) MCU(8핀 기준, 1.38제곱미터)로, 기존 MCU 대비 크기가 최대 38% 작다. 크기는 작아졌으나, 성능은 이전 MCU와 동일한 수준이라는 게 TI의 설명이다. MSPM0C114는 16KB 메모리, 3개의 채널을 갖춘 12비트 아날로그-디지털 컨버터, 6개의 범용 입출력 핀(GPIO) 등을 탑재했다. 또한 표준 통신 인터페이스와의 호환성을 지원한다. 목표로 하는 시장은 의료용 웨어러블 및 개인용 전자 기기와 같은 초소형 어플리케이션이다. 또한 스마트폰용 카메라 사용되는 OIS(광학식 손떨림 방지기능)에 함께 집적되는 MCU에도 활용될 수 있다. 허정혁 TI 이사는 "이어버즈나 스타일러스 펜 등 현재 소형 IT 기기에 탑재된 MCU는 대부분 2x2mm 수준"이라며 "TI의 신규 MCU는 이보다 PCB(인쇄회로기판) 사이즈를 더 줄일 수 있기 때문에, 디바이스를 소형화하거나 배터리 용량을 늘리는 등 여러 장점을 구현할 수 있다"고 설명했다. MSPM0C114는 65나노미터(nm) 공정을 기반으로, TI의 12인치 웨이퍼 팹에서 생산된다. 자체 생산능력을 바탕으로 안정적인 공급을 추진한다는 전략이다. 나아가 TI는 MSPM0 MCU 제품군의 영역을 에지 AI 등으로도 확장하는 계획을 구상 중이다. 허 이사는 "TI는 업계 최초로 NPU를 내장한 MCU를 출시해 양산에 들어간 바 있다"며 "산업에서 AI 기능에 대한 요구가 확장되고 있어, 향후 MSPM0 제품군에도 에지 AI를 지원하는 기능이 추가될 수 있을 것으로 예상한다"고 말했다.

2025.03.13 13:05장경윤

中, 12인치 'SiC 웨이퍼' 최초 공개…기술력·시장 급성장

중국이 메모리, 파운드리에 이어 차세대 전력반도체 핵심 소재인 SiC(실리콘카바이드) 웨이퍼 산업에서도 두각을 나타내고 있다. 지난해 급격한 매출 성장세를 기록한 것은 물론, 최근 기술력 면에서도 의미있는 성과를 거뒀다. SiC 웨이퍼는 SK실트론 등 국내 기업들도 사업 확대를 노리는 분야로, 중국의 공세에 미리 대응해야 한다는 목소리가 제기된다. 22일 업계에 따르면 중국 SiC 웨이퍼 전문기업 SICC는 최근 유럽에서 열린 '세미콘 유럽 2024'에서 업계 최초로 300mm(12인치) SiC 웨이퍼를 발표했다. SiC는 기존 실리콘(Si)을 대체할 차세대 전력반도체 소재다. 실리콘 대비 고온·고압에 대한 내구성이 높고, 전력 효율성이 뛰어나다. 덕분에 전기자동차 산업을 중심으로 수요가 꾸준히 증가하고 있다. 다만 SiC 웨이퍼는 기술적 난이도가 매우 높은 분야로 평가 받는다. 현재 실리콘 웨이퍼가 대부분 8·12인치용으로 제작되는 반면, SiC 웨이퍼는 6인치가 주류를 이루고 있다. 8인치는 울프스피드, 인피니언 등 해외 소수 기업만이 초도 생산을 시작한 상태다. 이러한 상황에서 중국 SICC의 12인치 SiC 웨이퍼의 개발 소식은 업계의 주목을 받고 있다. 반도체 업계 관계자는 "현재 SiC 반도체 시장이 8인치로 전환되는 과정에 있기 때문에, 당장 12인치 웨이퍼가 시장성을 가진 것은 아니다"면서도 "그러나 중국 웨이퍼 제조업체가 기술 리더십을 선점했다는 측면에서는 무시할 수 없는 행보"라고 설명했다. 실제로 중국은 SiC 웨이퍼 시장에서 상당한 입지를 굳히고 있다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면, 지난해 기준 전 세계 SiC 웨이퍼 제조기업의 매출 순위에서 중국 기업은 2위(Tankeblue), 4위(SICC), 6위(semiSiC)에 올랐다. 이들 기업은 2022년만 해도 매출 순위가 그리 높지 않았으나, 1년만에 급격한 매출 성장세를 기록했다. 특히 SICC의 경우 매출이 804%나 증가하면서, 기술력과 시장성 측면에서 모두 유의미한 성과를 얻었다. 중국이 이처럼 SiC 산업에서 두각을 드러낼 수 있었던 주요 배경 중 하나는 정부의 적극적인 지원 정책이다. 중국은 SiC와 GaN(질화갈륨) 등 차세대 전력반도체 소자를 '3세대 반도체'로 규정하고, 관련 산업에 투자하는 기업에 보조금을 지급해 왔다. 2017년 시행된 13차 5개년 규획, 2021년 14차 5개년 규획 등에 이 같은 내용이 모두 포함돼 있다. 또 다른 관계자는 "중국 SiC 웨이퍼 기업들은 탄탄한 내수 전기자동차 시장을 등에 업고 성장할 수 있어, 산업적으로 유리한 위치를 점하고 있다"며 "공급량을 확대하면 SiC 웨이퍼 수익성이 하락하는 등 부수적인 여파까지 미칠 수 있다"고 강조했다. 한편 국내에서는 SK실트론이 미국 듀폰의 SiC 사업부를 인수해 관련 사업을 진행하고 있다. 쎄닉, 아르케 등 스타트업들도 SiC 웨이퍼 양산을 위한 준비에 매진하고 있다.

2024.11.22 13:07장경윤

나노종기원 창립 20년…"180㎚-300㎜ 서비스 플랫폼으로 전환"

나노종합기술원(원장 박흥수)이 창립 20주년을 맞아 변신을 시도한다. 산학연 연구자 중심의 개방형 융복합 플랫폼 기관으로 거듭나기 위해서다. 나노종기원은 나노팹이 지향해야할 방향으로 산업체에 대응해 ▲12인치 소부장 성능평가, 패턴 웨이퍼 등 테스트베드 서비스 확대 ▲8인치 일괄공정 라인 기반 디스플레이, 바이오, 전고체 전지 등 융합기술 개발 ▲스케일-업 상용화 지원을 강화한다. 또 대학과 연구계에 대응해서는 ▲8인치 기반 신소자 검증과 집적공정 플랫폼 등 융복합 특화공정 개발 ▲인재양성 등 개방·활용성 고도화에 적극 나선다. 나노반도체 R&D 서비스 플랫폼 구축 기본 방향도 전환한다. 180㎚ CMOS를 기반으로 300㎜ 테스트베트, 차세대 패키징, 차세대 지능형반도체, 나노반도체 융복합 플랫폼 등으로 서비스를 확장한다. 소부장 테스트베드 양산평가 시스템 고도화도 추진한다. 단계적으로 대기업 유휴장비를 이전 받고, 정부 출연금과 자체 재원을 확보해 모듈1~5까지 단계별 제품 프로토타입 제작 등 풀 프로세스 서비스에도 나선다. 이와함께 ▲300㎜ 첨단 패키징 인프라 고도화 ▲130~180㎚ 기반 차세대 지능형 반도체(FeRAM,ReRAM,PCRAM 등) 소자 개발 및 실증평가 지원 강화 ▲양자 MEMS 및 광집적화 플랫폼 서비스 ▲6k PPI급 OLED 초고해상도 디스플레이 구현을 위한 CMOS 플랫폼 서비스 ▲디지털 인터페이싱 플랫폼 서비스 ▲3D 마이크로 박막 배터리 소자 및 소재 개발 제조공정 및 분석 플랫폼 서비스를 추진한다. 나노종기원은 또 국제협력 강화를 위해 올해만 반도체 글로벌 첨단팹과 연계한 국제협력에 25억 2천만원을 투입한다. 오는 2028년까지 국제협력 분야에 485억 원을 투입한다. 한편 지난 10일 대전컨벤션센터에서 개최한 나노종합기술원 설립 20주년 기념식 및 나노반도체 국제포럼에는 이창윤 과기정통부 1차관을 비롯한 국내외 관계자 300여 명이 참석했다. 이날 시상 코너에서는 ▲과기정통부 장관 표창에 삼성전자(DS부문) 김재순 부장, 나노종합기술원 임성규 본부장 ▲대전광역시장 표창에 이상익 디엔에프 전무와 배우호 나노종기원 책임기술원 ▲나노종기원장 표창은 서용석 KAIST 책임기술원과 장병주 UST 처장, 이석재 나노종기원 본부장이 각각 받았다. 또한 김정호 KAIST 교수, 하정환 에스케이머티리얼즈퍼포먼스(SKMP) 대표, 에바올슨 샬머스대 교수(노벨상 물리학위원장), 그레그 뉴욕 알바니대 교수 등이 주제 발표자로 나서 반도체 미래에 대해 조망했다. 나노종합기술원은 우리나라 나노기술의 시작과 함께 구축되어 반도체 분야의 공정‧분석 서비스까지 제공하는 종합 팹 시설로 자리매김하였으며, 앞으로 12인치(300mm) 웨이퍼 크기의 반도체 소부장 테스트베드를 고도화하고 첨단 패키징 R&D 플랫폼과 지능형 반도체 집적공정 플랫폼을 구축함으로써 국내를 대표하고 세계적인 수준의 첨단 팹과도 협력할 계획이다. 박흥수 원장은 "나노종기원은 우리나라 나노기술의 시작과 함께 구축돼 현재 반도체 분야 공정‧분석 서비스까지 제공하는 종합 팹 시설로 자리매김했다"며 "앞으로 12인치 웨이퍼 크기의 반도체 소부장 테스트베드를 고도화하는 등 우리나라를 대표하는 서비스 기관으로 거듭날 것"이라고 말했다.

2024.05.12 19:54박희범

네패스, 美 고객사 'AI반도체용 PMIC' 대량 수주

네패스는 미국 시에틀에 본사를 둔 전력 반도체 전문 팹리스사로부터 AI 서버용 저전력 PMIC(전력관리반도체)를 대량 수주해 공급을 확대한다고 밝혔다. 8인치는 현재 월 3천장에서 2분기부터 2만장 규모로 늘리고, 12인치는 금년까지 월 1만 장 규모의 생산능력을 확보 후 내년까지 월 1만 5000장으로 확대할 계획이다. 총 투자규모는 내년 말까지 약 600억~700억 원으로 추산된다. 특히 12인치 제품은 주로 미국 최대 AI반도체회사 서버 시스템에 공급 될 예정으로, 시스템 한 대당 최대 3천개의 PMIC가 들어가게 된다. 네패스는 "자사 반도체 사업부는 기존의 휴대폰용 PMIC 물량도 AI폰 성장에 힘입어 괄목할 만한 성장을 이어 가고 있고, 휴대폰 및 차량용 전장 제품에 OLED 채용이 늘어남에 따라 기존 사업도 견조한 성장세를 이어가고 있다"고 밝혔다. 현재 네패스는 반도체 사업부와 전자재료 사업부를 두고 있다. 반도체 사업부는 AI반도체 성장에 힘입어 올해 매출 3천500억 원에서 2026년에는 5천200억 원 이상의 매출을, 전자재료 사업부는 올해 매출 950억원에서 2026년 1천900억원 이상의 매출을 예상하고 있다.

2024.04.15 08:33장경윤

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