삼성전자, 1나노부터 고개구율 EUV 기술 적용
삼성전자가 이르면 오는 2030년께 상용화될 1나노미터(nm) 공정부터 노광 기술 혁신에 나선다. 차세대 극자외선(EUV) 기술인 '고개구율(High-NA) EUV'를 1나노에 양산 적용할 계획으로, 현재 상용화를 위한 기술 개발에 집중하고 있다. 박창민 삼성전자 마스터는 11일 경기 수원컨벤션센터에서 열린 '2026 차세대 리소그래피+패터닝 학술대회(NGL 2026)'에서 회사의 노광 기술 로드맵에 대해 이같이 밝혔다. 노광은 반도체 웨이퍼에 회로를 새기는 공정을 뜻한다. 삼성전자는 8나노 이하의 첨단 파운드리 공정부터 EUV를 양산 적용해 왔다. EUV는 기존 반도체 노광 공정 소재인 불화아르곤(ArF) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준(13.5나노미터)으로 짧다. 덕분에 ArF로 여러 번 노광(멀티 패터닝)해야 하는 초미세 공정을 더 적은, 혹은 단일(싱글 패터닝) 공정으로 구현할 수 있다. 패터닝 수가 줄면 제조비용 저감 및 생산성 향상에 유리하다. 삼성전자는 차세대 EUV 기술인 High-NA EUV 개발에도 매진하고 있다. 본격적인 양산 적용 목표는 1나노(A10; A는 0.1나노 단위인 옹스트롬) 공정으로 보고 있다. 박 마스터는 "2나노, 1.4나노 등에서 High-NA EUV를 양산 적용하고 싶었으나 아직은 기술적 보완이 필요한 상황"이라며 "A10 이하부터 High-NA EUV가 필요할 것으로 보고, 다양한 협력사들과 공동 개발을 진행하고 있다"고 설명했다. 이를 고려한 삼성전자의 High-NA EUV 양산 적용 시점은 오는 2030년께로 관측된다. 삼성전자는 현재 2나노 공정까지 상용화에 성공해, 오는 2029년 1.4나노(SF1.4) 공정을 양산할 계획이다. 2030년에는 1.4나노의 개선 버전인 SF1.4+과 1나노 공정 양산에 나설 것으로 알려졌다. High-NA EUV는 렌즈의 개구수(NA)를 기존 0.33에서 0.55로 끌어올린 기술이다. 개구수는 빛을 모으는 집광 능력을 뜻한다. 해당 수치가 높을수록 해상력이 향상돼, 더 미세한 회로를 구현하는 데 용이하다. High-NA를 활용하면 기존 EUV로도 멀티 패터닝을 진행해야 했던 초미세 공정을 싱글 패터닝으로 구현할 수 있게 된다. 덕분에 비용 효율성이 높아지는 효과를 얻을 수 있다. 단 한번만 패터닝을 진행하므로 회로 설계도 더 자유롭게 진행할 수 있다. 다만 High-NA EUV는 기술적 난이도가 매우 높고, 설비 역시 매우 고가에 속한다. 마스크, 펠리클 등 관련 소재 기술도 고도화돼야 한다. 때문에 업계는 향후 공정에서 EUV 멀티 패터닝과 High-NA EUV 싱글 패터닝이 혼용될 것으로 보고 있다. 박 마스터는 "1.4나노 및 1나노 공정까지는 0.33 NA EUV 기반의 멀티 패터닝이 메인 스트림이 될 것"이라며 "이후의 차세대 공정은 High-NA 패터닝이 메인이 될 것이라고 생각한다"고 말했다.
