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DB하이텍, 'GaN 전력반도체' 초기 사업 착수…"고객사 관심 많아"

DB하이텍이 신사업 진출에 대한 적극적인 의지를 드러냈다. 지난해까지 GaN(질화갈륨)·SiC(탄화규소) 등 차세대 전력반도체 초도 양산을 위한 시생산(파일럿)라인을 구축해 올해 GaN을 중심으로 초도 양산에 나설 계획이다. 12인치 파운드리 사업도 현재 정부와 투자 논의를 진행 중이다. 55나노미터(nm) 등 전력반도체 분야가 주요 타겟이 될 전망이다. 20일 조기석 DB하이텍 대표는 경기 부천 본사에서 열린 '제72기 정기주주총회'에서 회사의 향후 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. DB하이텍은 8인치 파운드리 전문기업이다. 반도체 레거시(성숙) 공정을 기반으로 한 PMIC(전력관리반도체), DDI(디스플레이구동칩), CIS(CMOS 이미지센서) 등을 주로 생산한다. 자회사 DB글로벌칩을 통해 팹리스 사업도 영위하고 있다. DB하이텍의 지난해 연 매출은 1조1천310억원, 영업이익이 1천950억원으로 집계됐다. 영업이익률은 17%다. 전년 대비 매출은 2%, 영업이익은 28% 감소했으나, 8인치 파운드리가 지난해 업황이 부진했다는 점을 감안하면 견조한 실적이다. 조 대표는 "국내외 정세의 불확실성이 높은 상황에서도 당사는 오래 쌓아온 기술 경쟁력을 바탕으로 가동률 하락을 최소화하고, 경쟁사 대비 높은 영업이익률을 기록했다"며 "2025년 현재 당사의 가동률은 90%를 상회하고 있어 매출과 영업이익의 회복 또한 기대되고 있다"고 말했다. 미래 성장동력 확보를 위한 12인치 파운드리, GaN(질화갈륨)·SiC(탄화규소) 화합물반도체 등 신사업 진출도 지속 추진할 계획이다. 조 대표는 "현재 정부와 12인치 파운드리 투자와 관련해 심도 깊게 논의하고 있다"며 "당사의 강점이 BCD 전력반도체기 때문에, 55나노 BCD 등을 목표로 개발을 진행할 것"이라고 설명했다. GaN·SiC 화합물반도체 사업을 위한 시생산(파일럿) 라인 구축도 지난해 완료했다. 올해 2·3분기께 초도 양산을 시작할 것으로 관측된다. 조 대표는 "기존 전력반도체 사업을 진행하다보니 관련 고객사들이 GaN·SiC 반도체에도 많은 관심을 보내고 있다"며 "GaN은 올해 초기 비즈니스에 착수할 수 있을 것으로 보이고, 내년도 말이나 내후년에는 SiC 관련 비즈니스도 진행될 수 있을 것으로 판단된다"고 말했다.

2025.03.20 10:48장경윤

머크, 유니티SC 인수 추진…"AI 반도체 제품군 강화"

글로벌 과학기술 기업 머크가 유니티SC(Unity-SC)를 인수할 예정이라고 23일 밝혔다. 프랑스에 본사를 둔 유니티SC는 반도체 업계를 위한 계측 및 결함 검사 장비 공급업체다. 인수 금액은 1억5천500만 유로다. 향후 성과에 따라 지급액이 추가될 수 있다. 머크와 유니티SC의 기술 결합으로 글로벌 반도체 디바이스 제조를 위한 고부가가치 솔루션의 탄생이 예상된다. 인공지능(AI), 고성능 컴퓨팅(HPC), 고대역폭메모리(HBM)와 화합물 반도체의 안정성, 품질 및 비용을 개선하고 제조수율을 높이기 위해서는 계측 및 검사 솔루션이 필요하다. 계측학은 물리적 특성을 정확히 파악하기 위해 필요한 요소를 정밀하게 측정하는 과학 분야다. 계측 및 검사 솔루션은 반도체 제조의 핵심 단계며, 특히 이종 3D 최첨단 패키징 디바이스의 제조에서 매우 중요하다. 프랑스 그르노블의 몽보노 생마르탱에 본사를 둔 유니티SC는 총 직원 수는 160명으로, 그 중 70명이 연구개발직이다. 벨렌 가리호 머크 이사회 회장 겸 머크 CEO는 “유니티SC 는 차세대 반도체를 개발하는 고객을 위한 통합적 솔루션 공급업체"라며 "이번 인수를 통해 머크는 반도체 산업에서 과학 및 기술 기반 포트폴리오를 보완하고, 향후 인공지능으로 창출된 성장 기회를 활용하는 능력을 강화할 것”이라고 설명했다. 카이 베크만 머크 이사회 멤버 겸 머크 일렉트로닉스 CEO는 “제조도구 설계 및 계측이 생명과학 산업을 견인했던 것처럼, 머크에서는 3D 계측 도구가 반도체 소재 산업을 이끌 것으로 기대하고 있다"며 "우리 고객이 첨단 노드와 이종집적이라는 양쪽 기술을 통해 무어의 법칙이 계속 가능하도록 지원이 가능해질 것”이라고 강조했다. 인공지능 산업 부흥에 따라 급증하는 데이터량에 대응하기 위해, 미래의 반도체는 더 빠르고 강력하며 에너지 효율적이어야 한다. 인공지능에는 더 높은 트랜지스터 및 배선 밀도와 지연시간 단축이 요구되기에 전례없는 수준의 소재 및 아키텍처 혁신이 필요하다. 유니티SC는 첨단 패키징, 이종집적, 하이브리드 본딩, 화합물 반도체 애플리케이션 분야의 혁신기업이며, 배선 검사와 대량제조에 대한 계측을 위한 3D 광학 계측 솔루션을 제공할 수 있는 몇 안 되는 기업 중 하나다. 실제로, 대량제조 시 수율을 개선하려면 칩렛과 디바이스 등 각각의 요소에 대해 빠른 속도로 측정 및 검사가 가능해야 한다. 현재 예정되어 있는 유니티SC의 인수를 위해서는 프랑스에 위치한 작업장 평의회의 회의 및 자문이 필요하며, 규제당국의 승인 및 인수 종결 조건의 문제가 아직 남아 있다. 관련 요건을 충족할 때 올해 말까지 인수 계약이 완료될 것으로 예상된다.

2024.07.23 08:51장경윤

韓 최초 GaN 전력반도체 양산 앞둔 칩스케이…"2026년 IPO 추진"

"칩스케이는 650V급 8A 및 15A GaN(질화갈륨) 전력반도체를 개발해냈습니다. GaN 전력반도체는 그간 전량 수입에 의존해 온 제품이죠. 올 하반기 본격적인 양산에 돌입하게 되면, 차세대 전력반도체를 국산화하는 첫 사례가 됩니다" 곽철호 칩스케이 대표는 최근 경기 안양시 소재의 본사에서 기자들과 만나 올해 회사의 핵심 사업 전략에 대해 이같이 설명했다. GaN은 기존 반도체 소재인 실리콘 대비 밴드갭(전기전도도)이 넓은 'WBG(와이드밴드갭)' 소재다. 밴드갭이 넓어질수록 전자의 움직임이 자유로워져, 고전압 및 고온, 고주파수 환경에서의 동작이 유리하다. 전기의 흐름을 제어하는 스위칭 속도도 빠르다. 다만 GaN은 설계 및 제조공정 면에서 기술적 진입장벽이 높다. 때문에 GaN 전력반도체는 인피니언 등 해외 기업들로부터 전량 수입에 의존할 수밖에 없었다. 곽철호 대표와 차호영 최고기술책임자(CTO)는 GaN 전력반도체 국산화를 목표로 지난 2017년 칩스케이를 공동 설립했다. 곽철호 대표는 20년 이상 아날로그 회로 및 화합물 반도체 설계를 맡아 왔다. 홍익대학교 전자전기공학부 교수로도 재임 중인 차호영 CTO는 GaN 소자 관련 최고의 권위자로 꼽힌다. 곽 대표는 "GaN 전력반도체는 초기 시장 형성 단계이기 때문에 빠른 시장 선점이 필요한데, 중국 등에 비해 국내 업계의 투자가 많이 부족한 상황"이라며 "칩스케이는 자체 GaN 소자 설계 기술을 바탕으로 국내는 물론, 해외 시장에 진출할 예정"이라고 밝혔다. 칩스케이는 이를 위해 GaN 소자 제품군을 확장 개발하고 있다. 회사 설립 후 5G·6G 등 무선통신을 위한 RF(무선주파수) 트랜지스터 개발을 완료했으며, 지난 달에는 650V급 8A 및 15A GaN 전력반도체 개발에 성공했다. 해당 GaN 전력반도체는 고속충전기용으로 올해 하반기 상용화를 앞두고 있다. 국내 팹리스 이미지스와 지난해 공급계약을 체결하는 등 여러 업체들과의 공급 논의도 이미 활발히 진행되고 있다. 나아가 칩스케이는 데이터센터용 기술 개발을 위한 100V급 제품과 전기차 온보드충전기를 위한 650V 이상의 고전압 제품을 개발하고 있다. 상용화 목표 시기는 각각 2025년, 2027년이다. 이외에도 구동회로가 패키지에 일체화된 SiP(시스템인패키지), GaN 기반의 SoC(시스템온칩) 등을 출시할 예정이다. 차 CTO는 "칩스케이는 GaN과 관련한 차별화된 IP(설계자산)와 특허를 다수 보유하고 있다"며 "전력소자의 핵심인 발열에 대한 전문성 있는 설계, 경쟁사 대비 칩을 소형으로 구현할 수 있다는 점도 칩스케이의 경쟁력"이라고 설명했다. 칩스케이는 이 같은 기술력과 사업 전략을 기반으로 회사의 매출 성장세를 자신했다. 칩스케이의 지난해 매출은 77억원으로, 대부분 RF 트랜지스터 분야에서 발생했다. 올해에는 GaN 전력반도체 초도 물량 공급으로 매출이 128억원으로 성장할 것으로 관측된다. 2026년에는 매출을 380억원까지 끌어올리는 것이 목표다. IPO(기업공개)에 대한 밑그림도 그리고 있다. 2026년 말에 기술특례상장으로 코스닥 시장에 입성하는 방안이 가장 유력하다. 곽 대표는 "칩스케이는 지속적인 기술개발에 대한 성과를 인정받아 지금까지 105억 원의 투자를 유치했고, 앞으로도 GaN 전력반도체를 중심으로 성장세를 이룰 것"이라며 "또한 국내 GaN 공급망 강화를 위해 향후 삼성전자, DB하이텍, SK키파운드리 등 국내 파운드리를 활용하는 방안도 추진할 것"이라고 강조했다.

2024.06.19 13:55장경윤

RF머트리얼즈, 국내 최초 초고주파용 CQFN 패키지 개발

화합물 반도체용 소재 전문기업 RF머트리얼즈는 국내 최초로 최대 40GHz까지 사용 가능한 CQFN(Ceramic-Quad Flat No-lead) 패키지 개발에 성공했다고 30일 밝혔다. RF머트리얼즈는 화합물 반도체 패키지 사업 확대의 일환으로 이번 패키지 연구개발을 추진해왔다. 기존 회사가 보유한 HTCC(High Temperature Co-Fired Ceramic) 적층 세라믹 기술을 활용해 CQFN 패키지를 개발했다. CQFN 패키지는 기존 플라스틱 패키지 및 글라스 세라믹(Glass Ceramic) 패키지 대비 우수한 방열 성능과 고주파 특성을 지니고 있으며, 소형 경량화에 특화됐다. 또한 CQFN 패키지는 반도체에 치명적인 습기로부터 완전히 밀폐된(Hermetic) 구조를 갖추고 있어, 높은 신뢰성이 요구되는 자동차 전장부품과 방산, 항공우주부품, 산업용 전력 반도체 부품 등에 활용이 될 수 있을 것으로 예상된다. 특히 RF머트리얼즈는 CQFN의 개발과 동시에 이스라엘 대표 방위업체 엘타 시스템즈(Elta systems)의 위상배열 레이더 시스템에 해당 패키지 적용을 위한 적격성 평가를 진행하고 있다. RF머트리얼즈 관계자는 “국내에서 QFN 패키지를 개발 및 공급하는 기업은 다수 존재하나 CQFN 패키지 개발에 성공한 기업은 동사가 유일하다”며 “군사용 레이더 시스템 분야의 세계적인 선도기업 엘타 시스템즈와 진행하고 있는 적격성 평가가 긍정적으로 마무리 된다면 해당 패키지를 통한 신규 매출 창출이 가능할 것으로 기대하고 있다”고 말했다. 이어 “CQFN은 글로벌 시장에서 높은 관심을 보이고 있어 향후에도 주파수, 출력 등 고객의 요구에 충족하는 다양한 규격의 CQFN 제품을 개발함으로써 글로벌 업체와의 차별성을 강화해 나갈 계획”이라고 밝혔다.

2024.04.30 10:15장경윤