삼성전자, 화성 '엔드팹' 가동 준비…D램 출하량 확대 탄력
삼성전자가 최첨단 D램 생산능력 확대를 위해 라인을 재편한다. 최근 화성 내 구형 낸드 팹 가동 중단 및 설비 이전 작업을 마무리했다. 이르면 올 하반기부터 D램 출하량 확대에 기여할 것으로 전망된다. 28일 업계에 따르면 삼성전자는 이달 화성 12라인의 '엔드팹(End-fab)' 운영을 위한 준비 단계에 돌입했다. 화성 12라인은 기존 2D 낸드를 양산해 온 팹이다. 2D 낸드는 업계 내 비주류에 속하는 구형 메모리로, 삼성전자의 경우 올해 내 제품 출하를 중단키로 한 바 있다. 이에 맞춰 화성 12라인도 지난해 중반께 전환 투자가 결정됐다. 삼성전자는 해당 라인을 화성 15라인의 백엔드(BEOL:Back-End Of Line) 공정용으로 활용할 계획이다. 화성 15라인은 1b(5세대 10나노급)·1c(6세대 10나노급) D램 등 업계 최첨단 D램 양산을 맡고 있다. 라인 전환은 지난해 하반기부터 진행돼, 이달 작업이 마무리된 것으로 알려졌다. 이르면 하반기부터 백엔드 공정 수행이 가능할 것으로 전망된다. 반도체 업계 한 관계자는 "삼성전자가 화성 12라인 내 설비 전환 작업을 순차적으로 진행해, 이달 2D 낸드 생산능력이 완전히 제로(0)가 됐다"며 "이달 EOL(End of Life: 생산중단)에 들어갔으므로, 올 하반기 15라인과 연계해 활용할 수 있을 것"이라고 설명했다. 이번 화성 12라인 전환으로 삼성전자의 D램 생산량 확대에 속도가 붙을 전망이다. 기존 화성 12라인은 월 10만장 수준의 2D 낸드 생산능력을 갖췄던 곳으로, 엔드팹 전환 시 D램 생산능력 증가에 큰 도움이 될 것이라는 기대가 나온다. 백엔드 공정은 트랜지스터 등 이미 형성된 소자를 금속 배선으로 연결하는 공정이다. 전공정 중 가장 후반 작업에 해당된다. 통상 백엔드 공정은 이전 공정들에 비해 처리 시간이 길어, 별도로 생산라인 마련 시 전체 전공정 내 병목현상을 완화할 수 있다. 현재 반도체 업계에서 최첨단 D램은 극심한 공급난에 시달리고 있다. 글로벌 빅테크의 인공지능(AI) 인프라 투자로 서버용 D램, 고대역폭메모리(HBM) 등 고부가 메모리 수요가 급증했기 때문이다. 근래에는 엣지 AI 산업 발달로 전력효율이 높은 LPDDR도 수요가 커졌다.
