삼성전자, 2028년 메모리 최초 '하이 NA EUV' 도입... ASML과 포토마스크 개발 협력

삼성전자가 네덜란드 반도체 노광장비 기업 ASML과 손잡고 차세대 12인치 포토마스크 개발에 착수한다. 2028년까지 업계 최초로 첨단 메모리 공정에 차세대 노광장비 '하이 NA EUV(극자외선)'를 도입하기로 했다. 삼성전자는 ASML이 주도하는 '대형 마스크 컨소시엄'에 공식 참여해 12인치 포토마스크 공동 개발과 표준화에 나선다고 8일 밝혔다. 포토마스크는 웨이퍼 위에 미세회로 패턴을 빛으로 전사하는 핵심 틀이다. 그간 반도체 업계는 6인치 마스크를 표준으로 사용해왔으나, 회로가 극도로 미세화되면서 패턴을 분할해 새긴 뒤 이어 붙이는 '스티칭(Stitching)' 공정 한계가 대두됐다. 마스크 크기를 12인치로 전환하면 스티칭 제약을 해소해 하이 NA EUV 성능을 극대화할 수 있고, 팹 생산성을 높여 제조비용을 크게 절감할 수 있다. 삼성전자는 메모리와 파운드리 전반에서 축적한 오랜 EUV 운용 노하우를 바탕으로 12인치 마스크 표준 전환에 핵심 역할을 수행할 방침이다. 양사는 2028년까지 첨단 D램 양산라인에 하이 NA EUV 장비를 업계 최초로 적용하기 위한 협력을 가속한다. 하이 NA EUV는 렌즈 개구수를 기존 0.33에서 0.55로 끌어올려 초미세회로를 단일 노광으로 구현하는 차세대 장비다. 이를 통해 삼성전자는 D램 미세화 한계를 돌파하고 공정 단순화와 생산성을 동시에 확보할 계획이다. 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 "삼성전자는 오랜 기간 ASML의 가장 중요한 혁신 파트너 중 하나로 그동안 현대 반도체 제조 기반이 되는 기술을 함께 발전시켜 왔다"며 "인공지능(AI)이 이끄는 새로운 시대를 맞아 삼성전자와 함께 차세대 반도체 제조를 위한 혁신을 이끌어가기를 기대한다"고 말했다. 전영현 삼성전자 대표이사 부회장은 "AI 시대 도래는 반도체 산업 패러다임을 바꾸고 있으며 밸류체인 전반에서 기술 혁신 중요성을 높이고 있다"며 "삼성전자는 혁신 기술과 강한 파트너십을 바탕으로 파운드리와 메모리를 포함한 첨단 반도체 제조 리더십을 이어가고 ASML과 협력을 강화해 '넥스트(Next) AI'를 위한 기술 기반을 마련하겠다"고 밝혔다.