'하이 NA EUV 장비' 2027년 국내 온다...삼성 1.4나노 생산

삼성전자와 네덜란드 장비업체 ASML이 공동으로 투자하는 반도체 첨단공정 연구개발(R&D) 센터에 2027년부터 하이(High) NA EUV(극자외선) 장비가 반입될 예정이다. 이를 통해 삼성전자 파운드리는 1.4나노 공정부터 하이 NA EUV 장비를 적용할 것으로 보인다. 삼성전자는 2025년 2나노 공정, 2027년에는 1.4나노 공정으로 칩을 양산한다는 계획을 공식적으로 밝힌 바 있다. 이우경 ASML 코리아 사장은 31일 서울 인터콘티넨탈 파르나스 호텔에서 열린 '세미콘코리아 인터스트리 리더십 디너'에서 기자들을 만나 "EUV R&D 센터에 장비 반입이 2027년에 될 것 같다"며 "장비를 빨리 들여오는 것이 목표다. 인허가 받는 과정이 있기 때문에 빠르면 올해 12월에 (R&D 센터를) 착공하거나 내년에 시작할 것으로 보인다"고 말했다. 그는 이어 "EUV R&D센터 건립을 위해 AMSL 화성 뉴캠퍼스 바로 앞에 부지를 구입했다. 신규 센터를 지을 때 전력 등 인허가가 나기까지 보통 3개월 소요되는데, 이번 건은 빠르게 진행되면서 다음주 또는 구정 후에 결과를 받을 것 같다. R&D 센터 건물만 4천500억원, 장비만 해도 1조원 규모"라며 "이런 인프라가 한국에 있다는 것만 해도 큰 가치(밸류)일 것"이라고 덧붙였다. EUV R&D 센터는 지난해 12월 한국과 네덜란드의 반도체 동맹을 계기로 삼성전자와 ASML이 공동으로 1조원을 투자해 국내에 짓는 센터다. 이 곳에서는 ASML의 EVU 장비를 삼성전자의 공정에 최적화하는 기술을 연구할 계획이다. 양사의 공동 R&D 센터 건립 체결 당시 이재용 삼성전자 회장과 경계현 삼성전자 DS부문 사장이 직접 참석해 주목받기도 했다. 파운드리 업계에서 초미세 공정 기술 경쟁이 갈수록 심화되는 가운데 삼성전자는 ASML과 협력을 통해 경쟁력을 미리 확보할 것으로 기대된다. ASML은 반도체 미세공정을 위한 EUV를 전 세계에서 유일하게 생산하는 장비 업체로 '슈퍼 을(乙)'로 불린다. 삼성전자와 ASML의 공동 R&D 센터에 반입되는 하이 NA EUV 장비(트윈스EXE:5000)는 2나노 이하의 공정에서 반드시 필요하다. 하이 NA EUV 장비는 이전 장비(NXE 시스템) 보다 1.7배 더 작은 트랜지스터를 인쇄할 수 있다. ASML은 지난해 12월 인텔에 처음으로 하이 NA EUV 장비를 공급했으며, 대량 양산은 2025~2026년을 목표로 하고 있다. 인텔 또한 하이-NA EUV 장비로 18A(1.8나노급) 반도체를 양산할 계획이다. 삼성전자를 비롯해 TSMC 또한 하이 NA EUV 장비를 발주했다. 삼성전자는 ASML과 반도체 공동연구소를 통해 EUV 기술 선점에 경쟁 우위를 갖을 것으로 기대한다. 지난해 12월 경계현 사장은 ASML과 협력체결 후 공항에 입국하면서 기자들에게 "앞으로 하이 NA EUV 장비에 대한 기술적 우선권을 삼성이 갖게 될 것 같다. 장비를 빨리 들여온다는 관점보다는 ASML와 삼성의 엔지니어가 같이 공동연구를 하는 것"이라며 "삼성이 하이 NA EUV를 더 잘 쓸 수 있는 협력관계를 맺어가는 것이 중요하다"고 말했다.