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삼성전자, 4세대 4나노 공정 양산 개시…파운드리 반등 초석 다진다

삼성전자가 첨단 파운드리 공정을 지속적으로 고도화 시키고 있다. 지난해 말 4세대 4나노미터(nm) 공정의 양산을 시작한 것으로 확인됐다. 해당 공정이 AI 등 고성능컴퓨팅(HPC) 분야에 초점을 두고 있는 만큼, 향후 삼성 파운드리 사업 회복의 핵심 역할을 할 것으로 기대된다. 11일 삼성전자 사업보고서에 따르면 삼성 파운드리사업부는 지난해 11월 4세대 4나노 공정의 양산을 시작했다. 삼성전자의 4세대 4나노 공정은 AI 등을 지원하는 HPC용 기술이다. 공정명은 'SF4X'로 알려져 있다. 1세대 4나노가 양산된 시점은 지난 2021년이다. 해당 공정은 이전 세대 대비 개선된 후속 배선 공정(BEOL)과 고속 동작 트랜지스터 등을 추가했다. 이를 통해 RC 지연(신호 전파 속도가 느려지는 정도)를 감소시킨 것이 특징이다. 또한 2.5D, 3D 등 차세대 패키징 기술을 지원한다. 근래 삼성전자는 첨단 파운드리 시장에서 퀄컴·엔비디아·애플 등 대형 고객사 확보에 실패하면서, AI 산업 발전에 따른 수혜를 제대로 보지 못하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 대만 파운드리 TSMC의 지난해 4분기 매출은 286억5천만 달러로, 전분기 대비 14.1% 증가했다. 시장 점유율은 전분기 64.7%에서 해당 분기 67.1%로 증가했다. 반면 삼성전자는 전분기 대비 1.4% 감소한 32억6천만 달러의 매출을 기록했다. 시장 점유율은 8.1%로 전분기(9.1%) 대비 줄었다. 이러한 상황에서 SF4X는 삼성전자 파운드리 사업 확대의 핵심 무기가 될 것으로 관측된다. 삼성전자의 4나노 공정의 수율이 비교적 안정화됐고, AI 반도체를 개발하는 국내외 팹리스로부터 견조한 수요를 보이고 있어서다. 일례로 미국 AI 반도체 스타트업 그로크는 지난 2023년 하반기 삼성전자와 SF4X 공정 양산을 체결한 바 있다. 국내 LLM(거대언어모델)용 특화 반도체를 개발하는 하이퍼엑셀도 SF4X 공정을 채택한 것으로 알려졌다. 내년 1분기 양산이 목표다. 반도체 업계 관계자는 "SF4X는 삼성전자의 핀펫(FinFET) 공정 중 가장 고도화된 노드"라며 "삼성전자 역시 전 세계 팹리스들을 대상으로 4나노 공정 영업에 열을 올리고 있는 것으로 안다"고 설명했다. 한편 삼성전자는 차세대 공정인 3나노부터 GAA(게이트-올-어라운드)를 업계 최초로 적용하고 있다. GAA는 전류가 흐르는 채널을 3면으로 활용하던 핀펫과 달리, 4면을 활용해 성능 및 전력효율성이 높다.

2025.03.11 18:51장경윤

40년 삼성 반도체 역사 쓴 정은승 "AI-반도체, 상호 진화…AI 적용 후 생산성 ↑"

"반도체와 인공지능(AI)은 상호진화하는 관계로, 생산성 극대화를 위해선 AI가 필수적입니다. 반도체가 어떻게 진화하느냐에 따라 AI가 진화될 것이고, AI가 요구하는 방향에 따라 반도체가 진화할 것입니다." 정은승 삼성전자 DS(반도체) 부문 상근고문이 향후 반도체가 AI 산업 발전에 맞춰 패키지와 소프트웨어(SW)가 결합된 융복합 형태로 진화해 나갈 것으로 전망했다. 이 과정에서 삼성전자가 그간 기술 변곡점을 만드는 도전을 꾸준히 해 왔던 만큼, 향후에도 AI 기술 발전에 맞춰 반도체 시장을 이끌어 갈 수 있을 것이라고 자신했다. 정 고문은 13일 오후 2시 서울시 중구 앰배서더 풀만 호텔에서 진행된 'AI의 도전과 인간지성 대응 세미나'에 강연자로 참여해 이처럼 강조했다. 정 고문은 1985년 삼성전자 반도체연구소에 입사해 40년 동안 반도체 분야에서 일한 전문가다. 삼성전자 반도체연구소장과 파운드리사업부 사업부장, DS부문 최고기술책임자(CTO)를 거치며 반도체 사업을 진두지휘한 인물이다. 이날 '인공지능 어디까지 갈 것인가'를 주제로 발표한 정 고문은 'AI 칩' 시장 강자로 떠오른 엔비디아를 사례로 들며 AI가 ▲AI 컴퓨터 ▲로봇 ▲자율주행 등과 접목해 더 빠르게 진화할 것으로 예측했다. 또 엔비디아의 최신 AI 칩인 '블랙웰'을 소개한 후 AI가 버추얼에서 피지컬 시대로 접어 든 만큼 반도체도 이에 맞춰 진화할 것으로 전망했다. 정 고문은 "반도체는 AI 시대에 맞춰 앞으로 에코 시스템을 만들어 가야 한다"며 "패블리스(주문생산반도체)는 아키텍처 및 설계를, 반도체 제조사는 웨이퍼 가공, 패키징, 테스트로 이어지는 일련의 과정을 나눠 수행해야 할 것"이라고 말했다. 이어 "더블데이터레이트(DDR)는 고대역폭메모리(HBM)로 전환되고, 공정은 GPU(그래픽처리장치)의 발전에 맞춰 핀펫(FinFET, 4나노 이상), GAA(Gate-All-Around, 3나노 이하) 등으로 진화될 것"이라며 "이에 맞춰 이종 집적으로 고성능, 고용량, 저전력, 소형화를 구현한 어드밴스드 패키지(Adv PKG)가 결합되면서 고객이 원하는 가치를 구현할 수 있어야 한다"고 강조했다. 이날 정 고문은 삼성전자가 이미 AI를 반도체 생산 과정에 도입해 생산성을 높이고 있다고도 설명했다. 공장 1개를 건설할 경우 30조~40조원이 투입되는 반도체 산업에서 개발 제품을 완벽하게 양산하고 생산 효율을 극대화하기 위해선 AI가 필수라고 강조했다. 정 고문은 "칩 복잡도 증가에 따라 반도체 설계 및 생산 설비 신축 비용은 크게 증가한다"며 "반도체 수율은 파티클(미세이물질) 개수에 반비례하고, 수익에 영향을 준다는 점에서 철저한 관리가 필요하다"고 말했다. 이어 "파티클이나 잘못된 공정조건의 원인을 찾는 방법으로 그동안 학습을 통해 패턴을 찾거나, 빅데이터를 활용하는 수준에서 AI의 등장 이후 진화하기 시작했다"며 "삼성전자도 최근 빅데이터 등으로도 해결이 안된다고 보고 AI를 도입했다"고 설명했다. 정 고문에 따르면 삼성전자는 설비, 계측, 생산, EDS 테스트(완성 칩 양·불량 테스트 데이터) 등 대부분의 반도체 공정에 AI를 적용시켰다. 센서, 계측, 설비 로그, 보관기간 증가 등에 따른 생산 라인이 2배 증가할 때 반도체 데이터가 10배씩 증가하자, 이를 감당하기 어려워진 탓이다. 이에 삼성전자는 3~6개월가량 소요되는 1천 개 이상의 생산 과정에 'AI 모니터링 모델'을 도입해 품질 이슈 조기 탐지로 운영 비용 절감 및 열화 웨이퍼 수량을 최소화 할 수 있었다. 또 이전 데이터로 AI 모델을 훈련, 개선시켜 공정 최적화도 실현시켰다. 정 고문은 "제조 공정의 디지털 트윈 구축을 통해 수율 예측, 불량 원인을 확인하는 데도 AI를 적용하고 있다"며 "그 결과 개발 사이클 및 수율 램프업(가동률 향상) 가속화를 이룰 수 있었다"고 밝혔다. 그러면서 "AI의 발전은 인간의 두뇌를 모방한 반도체 없이는 불가능하다"며 "그동안 사업·기술 변곡점에 편승하는 것이 아닌 변곡점을 만들어 가며 진화하는 반도체를 선보인 삼성전자가 4차 산업 혁명 속에 필요한 메모리, 시스템 LSI, 파운드리, 패키지를 한 곳에서 만드는 종합 반도체 회사로 발전해 왔던 만큼 향후 시장을 이끌 수 있을 것"이라고 덧붙였다. 또 그는 "반도체가 HBM을 개발하지 못했다면 AI도 현재의 모습으로 발전할 수 없었을 것"이라면서도 "미국, 중국 등이 적극적으로 AI 시장에서 경쟁을 벌이는 상황에서 국내 반도체 산업이 더 발전하기 위해선 정부의 적극적인 지원이 반드시 필요하다"고 강조했다.

2025.02.13 18:06장유미

2040년 파운드리 공정 '0.3나노' 도달…삼성·TSMC 소자 구조 3D 진화

초미세 파운드리 공정이 오는 2040년 0.3나노미터(nm) 수준까지 도달할 전망이다. 이에 따라 삼성전자, TSMC 등도 반도체 내부 구조를 기존 2D에서 3D로 바꾸는 등 대대적인 변화를 시도할 것으로 예상된다. 반도체공학회는 11일 서울 파르나스 호텔에서 '반도체 기술 로드맵 포럼'을 열고 차세대 반도체 기술의 발전 동향 및 전망을 제시했다. ■ 첨단 파운드리 공정, 2040년 0.3나노미터 도달 반도체공학회가 주최한 이번 포럼은 국내 반도체 산업의 기술 발전 로드맵 및 비전을 수립하고자 마련됐다. 현재 반도체 산업에 대한 분석은 최대 10년 후의 단기, 혹은 중기적 전망에만 초점을 두고 있다는 한계가 있다. 이에 학회는 보다 장기적인 관점에서 15년 후의 미래 반도체 산업을 예측하기 위한 로드맵을 수립해 왔다. 로드맵은 기술 분야에 따라 ▲소자 및 공정기술 ▲인공지능반도체 ▲무선연결반도체 ▲광연결반도체 등 네 가지로 나뉜다. 먼저 소자 및 공정기술 분야에서는 오는 2040년 개발될 것으로 예상되는 0.3나노미터급 공정을 위한 차세대 기술을 다룬다. 현재 반도체 트랜지스터 구조는 핀펫(FinFET)에서 GAA(게이트-올-어라운드)로 진화하는 과정을 거치고 있다. GAA는 전류가 흐르는 채널을 3면으로 활용하던 핀펫과 달리, 4면을 활용해 성능 및 전력효율성이 높다. 향후에는 이 구조가 'CFET'으로 발전할 것으로 전망된다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술로, GAA를 수직(3D)으로 쌓아 올리는 구조다. 양준모 나노종합기술원 책임연구원은 "삼성전자가 3나노에 GAA를 선제적으로 도입했으나, 사실상 TSMC와 마찬가지로 2나노에서부터 GAA를 본격적으로 적용할 것"이라며 "2040년에는 0.3나노 공정까지 도달하기 위해 CFET 및 3D 집적화 기술을 기반으로 하는 회로 기술이 개발돼야 한다"고 설명했다. ■ D램서도 내부 구조, 핵심 소재 대대적 변화 메모리 산업에서는 D램의 선폭이 내년 12나노급에서 2040년 7나노급으로 발전할 것으로 예상된다. 또한 11나노급 D램부터는 트랜지스터 구조가 'VCT(수직 채널 트랜지스터)'로 변경될 것으로 보인다. VCT는 트랜지스터를 수직으로 배치해, 데이터를 저장하는 셀 면적을 크게 줄이는 기술이다. D램의 핵심 구성 요소인 커패시터(전하를 일시적으로 저장하는 소자)용 물질도 변화가 예상된다. 기존 커패시터에는 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 알루미늄(Al) 등이 쓰였다. 다만 3D D램에서는 페로브스카이트(Perovskite), 스트론튬타이타늄산화막(STO) 등 대체재로 개발되고 있다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 D램으로, 2031년 이후에나 상용화에 도달할 것으로 전망되는 차세대 기술이다. 인공지능 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 10 TOPS/W에서 2040년 학습용 프로세서는 1천TOPS/W, 추론용 반도체는 100 TOPS/W 까지 발전할 전망이다. 광연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 레인 당 100Gbps에서 2040년까지 PAM4 변조 방식을 기반으로 800Gbps으로 발전할 것이다. 나아가 시스템 간 연결을 위해서는 8레인 통합을 통해 6천400Gbps까지 데이터 전송율이 증가할 전망이다. 무선연결 반도체 기술 분야에서는 2025년 현재 7Gbps 수준의 데이터 전송율이 밀리미터파 및 배열안테나의 적용 등을 통해 1천Gbps까지 발전할 전망이다.

2024.12.11 14:35장경윤

삼성 vs TSMC, 새해 '2세대 3나노 공정' 진검승부...수율이 관건

삼성전자와 대만 TSMC가 연내에 2세대 3나노미터(mn) 공정 양산을 시작하며 경쟁에 돌입할 예정이다. 두 회사는 2022년 1세대 3나노 공정에 이어 약 2년 만에 차세대 공정에서 칩을 생산한다는 점에서 주목된다. 2세대 3나노 공정은 성능뿐 아니라 수율 향상 여부에 따라 대형 고객사 확보에 영향을 미칠 것으로 보인다. 삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 3나노(SF3E) 공정 양산을 시작한데 이어 올해 2세대 3나노(SF3) 공정 양산을 앞두고 있다. 앞서 삼성전자가 지난해 5월 일본 도쿄에서 개최된 글로벌 반도체 학회 'VLSI 심포지엄'에서 공개한 정보에 따르면 2세대 3나노 공정은 1세대(SF3E) 보다 향상된 게이트올어라운드(GAA) 공정을 적용했다. 그 결과 2세대 3나노 공정은 삼성전자의 이전 4나노 핀펫(FinFET) 공정 대비 성능이 22% 빨라지고, 전력 효율은 34% 향상됐으며, 로직 면적은 21% 더 작은 크기를 제공한다. 삼성전자는 2세대 3나노 공정에서 글로벌 서버향 업체를 고객사로 확보한 것으로 알려졌다. TSMC 또한 2022년 12월 3나노(N3) 공정 양산에 이어 올해 상반기 2세대 3나노(N3E) 공정을, 하반기에 고급 공정인 3나노(N3P)에서 칩 양산을 시작할 계획이다. TSMC에 따르면 1세대 3나노(N3) 공정이 5나노 공정(N5) 보다 성능이 10~15% 증가하고 전력소비가 25~30% 감소했다면, 2세대 3나노(N3E) 공정은 성능이 18% 증가하고 전력소비 32% 감소하며 업그레이드됐다. 또 N3P 공정은 N3E 보다 성능이 5% 향상, 전력소비가 5~10% 감소, 칩 밀도가 1.04배 증가했다. TSMC는 2세대 3나노 공정 고객사로 애플, 미디어텍, AMD, 엔비디아, 퀄컴 등을 확보한 것으로 알려져 있다. N3E 공정에서 생산되는 칩은 하반기에 출시되는 아이폰16용 모바일 프로세서(AP) 'A18 프로'가 대표적이다. 삼성 3나노부터 GAA 선제적 도입, TSMC 핀펫 유지…수율 확보 중요 3나노 공정은 삼성전자가 차세대 트랜지스터 구조인 GAA를 채택했고, TSMC는 기존 공정인 핀펫(FinFET) 구조를 유지하고 있다는 점에서 차이가 있다. GAA는 채널의 3개 면을 감싸는 기존 핀펫구조와 비교해, 게이트의 면적이 넓어지며 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 기술로 꼽힌다. TSMC는 2나노 공정부터 GAA 구조를 적용할 계획이다. 삼성전자 파운드리 사업에 정통한 업계 관계자는 "삼성전자가 GAA를 일찍 도입한 결과 2세대 3나노 성능이 1세대 보다 안정화됐다"라며 "첨단 공정이 궁극적으로 GAA 구조로 가고 있는 만큼, 먼저 노하우를 쌓은 삼성전자가 유리할 수 있다"고 말했다. 이 관계자는 또 "삼성전자가 2세대 3나노 공정에서 수율을 높인다면, '반격'의 계기를 마련해 TSMC와 진검승부를 할 것"이라고 덧붙였다. TSMC도 2세대 3나노 공정에서 수율 확보가 절실한 상황이다. 그동안 TSMC는 수율이 70%를 넘어야 애플로부터 웨이퍼의 제값을 받아 왔는데, 1세대 3나노 공정 수율이 70%에 도달하지 못하자, 동작하는 칩(KGD·known good die)만 판매하기로 계약한 바 있다. TSMC 입장에서는 손해를 보더라도 애플과 같은 대형 고객사를 유지하는 것이 낫다고 판단했기 때문이라는 해석이다. 업계 관계자는 "작년에 TSMC가 3나노의 낮은 수율 때문에 투입된 웨이퍼 단위로 가격을 받지 않고, 양품의 칩만을 애플에 청구하는 방식으로 계약한 것은 이례적인 케이스"라며 "TSMC도 2세대 3나노 공정 수율을 높여 애플 외에 여러 고객사를 확보하는 것을 목표로 할 것이다"고 말했다. 한편, 삼성전자와 TSMC는 내년부터 2나노 공정 기반으로 칩 양산을 목표로 한다. 삼성전자는 오는 2025년 모바일 향 중심으로 2나노 공정(SF2)을 양산하고, 2026년 고성능 컴퓨팅(HPC)향 공정, 2027년 오토모티브향 공정으로 확대할 계획이다. 1.4나노 공정은 2027년 양산을 목표로 하고 있다. TSMC는 내년에 2나노 공정(N2), 2026년에는 업그레이드된 2나노 공정 N2P와 N2X를 각각 선보일 예정이다. 아울러 인텔도 가세해 올해 하반기에 인텔 20A(2나노급) 공정, 내년에 인텔 18A(1.8나노급) 공정으로 양산을 목표로 세웠다.

2024.01.03 13:09이나리

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