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한화세미텍, 첨단 패키징장비 개발센터 신설…차세대 HBM 시장 공략

한화세미텍이 차세대 반도체 장비 개발 역량을 강화하기 위한 조직 개편을 단행했다고 1일 밝혔다. 이번 개편으로 반도체 장비 신기술 개발에 속도가 붙을 전망이다. 한화세미텍은 차세대 반도체 장비 개발 전담 조직인 '첨단 패키징장비 개발센터'를 신설하고 기술 인력을 대폭 늘렸다. 신설된 개발센터는 하이브리드본딩 등 신기술 개발에 집중할 계획이다. 앞서 한화세미텍은 3월 420억원 규모의 TC본더 양산에 성공하며 '엔비디아 공급 체인'에 합류했다. 이번 조직 개편은 급증하는 TC본더 수요 대응과 함께 향후 글로벌 시장을 선도할 수 있는 차세대 기술 개발에 대한 의지가 담겼다. 향후 포스트 TC본딩으로 손꼽히는 '플럭스리스(Fluxless)'와 하이브리드본딩 부문에서도 가시적인 성과를 낼 것으로 기대된다. 한화세미텍 관계자는 “이번 조직개편으로 차세대 HBM 반도체 장비 시장을 선도하기 위한 새로운 동력이 확보 됐다”며 “연구개발(R&D) 투자를 지속 확대해 기술 혁신을 이어갈 것”이라고 말했다.

2025.05.01 10:03장경윤

美 마이크론, HBM용 '플럭스리스 본딩' 도입 준비…TC본더 업계 격돌 예고

미국 메모리업체 마이크론이 차세대 HBM(고대역폭메모리) 본딩 기술인 '플럭스리스'(Fluxless) 도입을 검토 중이다. 해당 기술은 주요 경쟁사인 삼성전자도 올 1분기부터 평가에 들어간 기술이다. 국내 및 해외 주요 본더들과 두루 평가를 거칠 예정으로, 본더 기업 간 치열한 수주전이 펼쳐질 것으로 전망된다. 16일 업계에 따르면 마이크론은 올 2분기부터 주요 후공정 장비업체와 플럭스리스 장비에 대한 품질(퀄) 테스트에 돌입한다. 현재 마이크론은 HBM 제조에 NCF(비전도성 접착 필름) 공법을 활용하고 있다. 이 공법은 각 D램을 쌓을 때마다 NCF라는 물질을 넣은 뒤, TC 본더로 열압착을 가해 연결한다. NCF가 열에 의해 녹으면서 D램 사이의 범프와 범프를 이어주고, 칩 전체를 고정해주는 원리다. 그러나 마이크론이 내년부터 양산할 예정인 HBM4(6세대)에서는 플럭스리스 본딩을 적용할 가능성이 높아지고 있다. 올 2~3분기께 플럭스리스 본더를 도입해, 퀄 테스트에 들어갈 것으로 파악됐다. 해당 테스트에는 세계 각국의 주요 본더 업체들이 참여할 계획이다. 국내 한미반도체를 비롯해 미국과 싱가포르에 본사를 둔 쿨리케앤소파(K&S), 싱가포르에 본사를 둔 ASMPT 등이 대응에 나선 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "마이크론은 최대한 다양한 공급망을 염두에 두는 기업으로, 이번 플럭스리스 본더도 각 협력사별로 순차적인 테스트가 진행될 예정"이라며 "NCF 기술이 HBM4에서 여러 기술적인 한계에 부딪히고 있어 교체 수요가 있는 것으로 안다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "HBM 적층 수가 12단으로 증가하게 되면, NCF를 D램 사이의 좁은 틈으로 완벽히 도포할 수 없거나 압착 시 NCF 소재가 D램 가장자리로 삐져나오는 등의 과제가 발생하게 된다"며 "HBM4, HBM4E 등에서 플럭스리스가 유력한 대안으로 떠오른 이유"라고 말했다. 현재 플럭스리스는 MR-MUF(매스리플로우-몰디드언더필) 공법 중 가장 진보된 기술이다. MR-MUF는 각 D램을 임시 접합한 뒤, D램이 모두 적층된 상태에서 열을 가해(리플로우) 완전히 접합하는 방식을 뜻한다. 이후 필름이 아닌 액체 형태의 'EMC(에폭시 고분자와 무기 실리카를 혼합한 몰딩 소재)'를 활용해 D램 사이를 채워준다. 기존 MR-MUF는 각 D램을 접합할 때 플럭스라는 물질을 사용한 뒤 씻어내는 과정을 거쳤다. D램 사이의 범프에 묻을 수 있는 산화막을 제거하기 위해서다. 그러나 HBM의 입출력단자(I/O) 수가 HBM4에서 이전 대비 2배인 2024개로 늘어나고, D램의 적층 수가 많아지면 범프 사이의 간격도 줄어들게 된다. 이 경우 플럭스가 제대로 세정되지 않아 칩 신뢰성에 손상이 갈 수 있다. 이에 반도체 업계는 플럭스를 쓰지 않고 범프의 산화막을 제거하는 플럭스리스 본더를 개발해 왔다. 장비 업체에 따라 플라즈마, 포름산 등 다양한 공법을 활용하고 있다. 삼성전자 역시 지난 1분기 해외 주요 장비기업들과 플럭스리스 본딩에 대한 테스트에 들어갔다. 마이크론과 마찬가지로 HBM4 적용이 목표인데, 이르면 올 연말까지 평가를 마무리할 예정이다. 다만 삼성전자는 기존 NCF와 차세대 본딩 기술인 '하이브리드 본딩' 등 다각적인 방안을 모두 검토 중인 것으로 알려졌다.

2025.04.16 13:50장경윤

삼성·TSMC가 주목한 CPO 패키징…'플럭스리스 본딩' 적용 기대

삼성전자·TSMC 등 주요 파운드리 기업들이 차세대 반도체 기술인 '실리콘 포토닉스' 상용화를 준비하고 있다. 이에 따라 관련 장비·소재 시장 역시 직접적인 변화를 맞을 전망으로, 후공정 영역에서는 '플럭스리스(Fluxless)' 기술이 특히 주목받고 있다. 10일 업계에 따르면 주요 파운드리 기업들은 실리콘 포토닉스 기반의 '공동패키징형광학(Co-Packaged Optics, CPO)' 기술 상용화를 위한 연구개발(R&D)을 진행 중이다. 실리콘 포토닉스는 반도체의 신호 전달 방식을 전기에서 전자·빛으로 구현한 광자(Photon)로 바꾼 기술이다. 기존 대비 데이터 처리 속도 및 효율성 등을 크게 끌어올릴 수 있다. CPO는 이 실리콘 포토닉스와 첨단 패키징 기술을 결합하는 개념이다. 실리콘 포토닉스 칩과 각종 반도체를 하나의 패키지 안에 통합해, 광 신호로 데이터를 주고받을 수 있게 만든다. 구리 배선을 활용하던 기존 패키징에 비해 AI 등 고성능 컴퓨팅 구현에 용이하다. 이에 TSMC와 삼성전자 등 주요 반도체 기업들도 CPO 기술의 도입을 준비 중이다. TSMC는 올해 자사의 최첨단 패키징에 CPO 기술을 접목한 샘플을 출시해, 이르면 하반기 본격적인 양산을 시작할 계획이다. 주요 고객사는 브로드컴, 엔비디아 등이 될 것으로 관측된다. 특히 엔비디아의 경우, 올 하반기 출시될 AI 가속기 'GB300'과 차세대 제품인 '루빈' 등에 CPO를 적용할 것으로 알려졌다. 삼성전자 또한 오는 2027년 상용화를 목표로 CPO 기술을 개발하고 있다. 파운드리, 메모리, 패키징 등 각 사업부문별 역량을 집중해 턴키(Turn-Key) AI 반도체 솔루션을 공급하겠다는 구상이다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 파운드리 사업의 회복을 위해 CPO를 비롯해 여러 첨단 패키징 기술을 개발하고자 하는 의지가 높아졌다"며 "개발에 집중하기 위한 조직 개편 등도 고려하고 있는 것으로 안다"고 설명했다. CPO 기술의 발전은 플럭스리스 본더 시장에 새로운 기회로 떠오르고 있다. 반도체 패키지 내부에는 칩과 기판을 연결해주는 무수한 범프(Bump)들이 존재한다. 기존에는 범프 부근의 산화막을 제거하기 위해 플럭스라는 소재를 사용했다. 반면 플럭스리스는 플럭스를 쓰지 않고 산화막을 제거하는 기술이다. CPO에서 플럭스를 배제하려는 이유는 흄(Fume; 미세한 오염입자) 때문이다. 플럭스는 범프 접합 후에 말끔하게 세정돼야 하는데, 잔여물이 남게 되면 CPO 내 광통신을 방해하게 된다. 이에 세계 주요 반도체 장비 기업들은 CPO에 적용 가능한 플럭스리스 본더를 개발해 왔다. 일부 기업의 경우 미국 등 주요 시장에서 테스트를 테스트를 거치고 있는 것으로 알려졌다. 다만 또다른 차세대 패키징 기술인 하이브리드 본딩도 CPO의 적용처로 거론되고 있어, 기술 개발 동향을 더 면밀히 살펴봐야 한다는 지적도 제기된다. 하이브리드 본딩이란 범프를 쓰지 않고 칩 혹은 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 방식이다. 반도체 업계 관계자는 "실리콘 포토닉스에서는 기존처럼 플럭스를 쓸 수 없어, 향후 플럭스리스와 하이브리드 본딩이 경쟁하는 체제가 될 것"이라며 "하이브리드 본딩이 성능 향상에는 더 유리하나, 상용화를 위한 기술적 난제들이 아직 남아있어 향방을 더 지켜봐야할 것"이라고 설명했다.

2025.03.10 16:45장경윤

TSMC, CoWoS에 '플럭스리스 본딩' 적용 추진…AI칩 대형화에 대응

대만 주요 파운드리 TSMC가 첨단 패키징 기술인 '플럭스리스(Fluxless)' 본딩을 적용하는 방안을 추진 중이다. 지난해부터 관련 장비를 도입해 평가를 진행해 온 것으로 파악됐다. AI 산업의 발달로 패키징 크기가 점차 확대되면서, 기술 전환의 필요성이 높아졌다는 분석이 제기된다. 6일 업계에 따르면 TSMC는 2.5D 패키징에 플럭스리스 본딩을 적용하기 위한 공정 평가를 진행하고 있다. 그간 TSMC는 2.5D 패키징을 'CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)'라는 브랜드명으로 자체 개발해 왔다. TSMC는 지난해 2곳 이상의 해외 주요 반도체 장비업체로부터 플럭스리스 본딩 장비를 들여와, CoWos에 양산 적용하기 위한 평가를 진행하고 있다. 나아가 올 상반기에도 또 다른 협력사와 추가적인 평가를 시작할 예정인 것으로 파악됐다. 2.5D 패키징은 칩과 기판 사이에 넓다란 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 기판만을 활용하는 기존 2D 패키징에 비해 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있다. 특히 HBM과 고성능 GPU를 연결하는 데이터센터용 AI 가속기 분야에서 CoWoS에 대한 수요가 높다. TSMC는 그간 CoWoS에 플럭스(Flux)를 활용해 왔다. 플럭스는 칩과 인터포저를 연결하는 미세한 범프의 접착력을 높이고, 접합 품질을 떨어트리는 산화막을 방지하는 역할을 맡고 있다. 그러나 CoWoS는 점차 플럭스를 쓰기 어려워지는 환경으로 진화하고 있다. 플럭스는 범프의 접합이 끝난 뒤 제거(세정)돼야 하는데, 인터포저 크기가 커지면 가운데에 묻은 플럭스를 완전히 제거하기가 어렵기 때문이다. 플럭스가 잔존하면 칩 신뢰성이 저해될 수 있다. 실제로 TSMC의 CoWoS 패키징 내 인터포저 크기는 지난 2023년 기준 80x80mm 수준이었다. 레티클(포토마스크; 반도체 회로를 새기기 위한 원판) 대비 약 3.3배 크다. TSMC는 이를 오는 2026년 100x100mm(레티클 대비 5.5배)까지 확대할 계획이다. 2027년에는 120x120mm(레티클 대비 8배) 수준으로 커진다. AI 가속기에 요구되는 컴퓨팅 성능이 높아질수록 더 많은 칩을 내장해야 하기 때문에, 인터포저의 크기도 덩달아 커지는 추세다. 플럭스리스 본딩은 이 문제를 해결할 수 있는 대안으로 꼽힌다. 플럭스리스는 플럭스를 사용하지 않고 범프의 산화막을 제거하는 기술이다. 때문에 해외 주요 반도체 장비기업들이 관련 기술 개발에 주력하고 있다. TSMC도 향후 CoWoS에 플럭스리스 본딩을 적용하는 방안을 적극 검토하는 분위기다. 특히 TSMC는 지난해 CoWoS 수율 향상에 난항을 겪은 바 있어, 플럭스리스를 비롯한 대안 기술에 관심을 기울일 수 밖에 없다는 게 업계의 전언이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 TSMC는 플럭스리스 본더를 소량 들여와 연구개발(R&D) 단계에서 평가를 진행하는 중"이라며 "올해까지 테스트가 마무리 될 것으로 보고 있다"고 설명했다.

2025.03.06 14:16장경윤

차세대 HBM용 본딩 고민하는 삼성전자, '플럭스리스' 평가 돌입

삼성전자가 고적층 HBM(고대역폭메모리)을 위한 새로운 본딩 기술로 '플럭스리스(Fluxless)'에 주목하고 있다. 최근 주요 협력사와 관련 장비에 대한 데모 테스트에 돌입한 것으로 파악됐다. '플럭스리스' 기술이 아직은 연구개발(R&D) 수준으로 평가되는 단계지만, 업계에선 차세대 HBM용 본딩 기술의 잠재적 후보로서 진지한 고민이 이뤄지고 있다는 평가가 나온다. 4일 업계에 따르면 삼성전자는 차세대 HBM용 본딩 기술로 플럭스리스를 비롯한 다양한 방안을 검토하고 있다. 이를 위해 삼성전자는 올해 초부터 해외 주요 협력사와 플럭스리스 본딩에 대한 초기 평가 작업을 시작했다. 적용처는 HBM4(6세대)로, 올 연말까지 평가를 마무리하는 것이 목표다. 플럭스리스 본딩, 고적층·고밀도 HBM 구현에 용이 현재 삼성전자는 HBM 제조를 위한 후공정 기술로 'NCF(비전도성 접착 필름)'를 채택하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 높이는 메모리반도체다. TSV(실리콘관통전극)를 통해 각 D램에 미세한 구멍을 뚫고, 이를 전기적으로 연결하는 구조다. 각 D램을 연결하기 위해서는 작은 돌기 형태의 마이크로 범프가 쓰인다. 삼성전자는 층층이 쌓인 각 D램 사이에 NCF를 집어넣고, 위에서부터 열압착을 가하는 TC 본딩 공정을 진행해 왔다. NCF가 고온에 의해 녹으면서 범프와 범프를 연결하고 칩 사이를 고정하는 역할을 맡는다. 반면 플럭스리스는 MR-MUF(매스리플로우-몰디드언더필)에 주로 적용되는 기술이다. MR-MUF는 필름을 사용하지 않고 액체 형태의 'EMC(에폭시 고분자와 무기 실리카를 혼합한 몰딩 소재)'를 활용한다. MR-MUF는 D램을 하나씩 쌓을 때마다 열로 임시 접합한 다음, 완전히 적층된 형태에서 열을 가해(리플로우) 접합을 마무리하는 과정을 거친다. 이후 각 칩 사이에 EMC를 빈틈없이 주입한다. EMC는 각 칩을 지지하는 '언더필(Underfill)'과 외부 오염 방지 등의 역할을 수행한다. 기존 MR-MUF에는 범프에 잔존하는 산화막을 제거하기 위해 플럭스라는 물질을 도포한 뒤 씻어냈다. 그런데 HBM의 입출력단자(I/O) 수가 HBM4에서 이전 대비 2배인 2024개로 늘어나고, D램의 적층 수가 많아지면 범프 사이의 간격도 줄어들게 된다. 이 경우 플럭스가 제대로 세정되지 않아 칩 신뢰성에 손상이 갈 수 있다. 이에 반도체 업계는 플럭스리스 본딩을 고안해냈다. 장비업체에 따라 플럭스리스에 대한 기술적 방식은 다르나, 플럭스를 쓰지 않고 범프 주변의 산화막을 제거하는 것이 핵심이다. 삼성전자, 차세대 HBM용 본딩 다방면 검토…"고민 깊을 것" 삼성전자 역시 이 같은 장점에 주목해 플럭스리스 본딩 적용을 면밀히 검토해 온 것으로 알려졌다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자가 당초 로직 반도체에 플럭스리스 본딩을 첫 도입하려 했으나, 메모리에 투자를 집중하면서 먼저 HBM4향으로 적용 평가에 들어간 것으로 안다"며 "올해 말까지 양산 인증을 받는 것이 목표"라고 설명했다. 삼성전자가 실제로 차세대 HBM 본딩 공정에 플럭스리스 기술을 적용할 지는 아직 미지수다. 현재 삼성전자는 기존 본딩인 NCF 기술 고도화는 물론, 차세대 본딩 기술인 '하이브리드 본딩'에 대한 연구개발도 병행하고 있다. 하이브리드 본딩은 범프 없이 구리 배선을 직접 붙이기 때문에 HBM의 두께를 줄이는 데 유리하다. 때문에 업계는 삼성전자가 HBM4용 본딩 기술로 ▲NCF ▲플럭스리스 ▲하이브리드 본딩 등 크게 세 가지의 가능성을 모두 고려하면서 향후 기술 전략을 짤 것으로 보고 있다. 또 다른 관계자는 "NCF는 범프 수와 D램 적층 수가 많아질수록 신뢰성 및 방열 특성을 제대로 구현하기 어렵고, 하이브리드 본딩도 기술적 성숙도가 부족한 상황"이라며 "때문에 플럭스리스를 하나의 대안으로서 고려 중이나, 이 역시 장비 인프라를 다 변경해야 하는 부담으로 삼성전자의 고민이 깊을 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스도 플럭스리스에 관심 지속 한편 SK하이닉스도 HBM4에 플럭스리스 본딩을 적용하는 방안을 고려 중이다. SK하이닉스의 경우 MR-MUF를 적용해 왔기 때문에, 플럭스리스 기술에 대한 접근성이 더 높다. 다만 SK하이닉스가 플럭스리스를 적용하려는 시기는 빨라야 HBM4 16단 수준으로 알려졌다. 그간 MR-MUF 기술을 지속적으로 다뤄오면서, 플럭스 세정에 대한 기술적 노하우가 상당히 쌓였다는 평가다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스는 HBM4 16단을 목표로 기존 기술과 플럭스리스를 병행 개발하고 있다"며 "현재는 어드밴스드 MR-MUF로도 충분히 대응할 수 있지만, D램 적층 수가 올라가 칩 사이 간격이 더 줄어들게 되면 플럭스리스를 쓸 수 밖에 없는 상황"이라고 말했다.

2025.03.04 17:16장경윤

"韓 고객사 관심 많다"…K&S, HBM4용 '플럭스리스' TC 본더 장비 파란 예고

차세대 HBM(고대역폭메모리) 제조용으로 플럭스리스(Fluxless) TC(열압착) 본딩이 각광받는 가운데, 글로벌 장비 기업 쿨리케앤소파(K&S)가 한국 메모리 시장을 공략한다. 업계 최초로 도입한 '포름산' 기반의 플럭스리스 본딩이 무기다. 해당 기술은 본딩과 동시에 세정을 진행한다. 덕분에 주요 경쟁사들이 채택한 플라즈마 방식에 비해 생산성 및 신뢰성이 높다는 게 쿨리케앤소파의 설명이다. 국내 두 잠재 고객사들의 반응에 대해서도 "관심이 굉장히 높다. 양사 모두 당사의 기술력을 인지한 바 있고, 전 세계적으로 플럭스리스 TC 본딩에 대한 레퍼런스가 쌓이고 있어 많은 관심을 두고 있다"고 자신했다. 찬핀 총 쿨리케앤소파 총괄부사장은 지난 18일 서울 잠실 시그니엘에서 기자와 만나 회사의 차세대 주력 사업인 플럭스리스 TC 본더에 대해 소개했다. ■ 차세대 HBM 시장 겨냥해 '플럭스리스' 본딩 선제 개발 쿨리케앤소파는 미국과 싱가포르에 본사를 둔 반도체·디스플레이 장비기업이다. 반도체 분야에서는 기존 전통적인 패키징 방식인 와이어 본딩에 주력해 왔으나, 최근에는 웨이퍼 레벨 패키지(WLP), 열압착 본딩(TCB) 등 첨단 패키징 영역으로도 시장을 적극 확대하고 있다. 특히 쿨리케앤소파가 주목하는 기술은 플럭스리스 본딩이다. 국내외 주요 메모리 기업들을 중심으로 차세대 HBM에 플럭스리스 본딩 기술을 적용하는 방안이 활발히 논의되고 있기 때문이다. 현재 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 미세한 솔더 범프로 연결하는 과정을 거친다. 이 때 범프에 산화막이 남게 되면 접합 품질에 문제가 생긴다. 산화막을 제거하기 위해서는 플럭스라는 물질을 도포한 뒤 씻어내야 한다. 그러나 HBM이 HBM4, 16단 등으로 나아가게 되면 플럭스 사용에 한계가 생긴다. D램 사이의 간격이 줄어들고, I/O(입출력단자) 수가 2배로 늘어 범프가 더 촘촘히 들어서기 때문이다. 이 경우, 세정 후에도 범프에 플럭스 잔여물이 남아 HBM의 신뢰성을 떨어뜨릴 가능성이 높아진다. 이에 쿨리케앤소파는 플럭스를 사용하지 않고도 산화막을 제거하는 플럭스리스 본딩 장비를 선제 개발했다. 찬핀 총 부사장은 "회사는 플럭스리스 TC 본더 장비를 로직 반도체 분야에 상용화한 바 있고, 이를 기반으로 HBM 시장에도 진출을 추진하고 있다"며 "한국을 비롯한 여러 메모리 제조사에 독보적인 가치를 제안할 수 있을 것"이라고 밝혔다. ■ 韓 고객사 관심 높아…업계 최초 '포름산' 기반 본딩이 핵심 쿨리케앤소파가 개발한 플럭스리스 TC 본딩의 핵심 요소는 포름산이다. 본딩 헤드 주변에 포름산을 증기 형태로 분사해 산화막을 제거하는 원리로, 본딩과 동시에 산화막을 제거할 수 있다는 장점이 있다. 때문에 쿨리케앤소파에서는 이를 '인 시츄(In-Situ)' 방식이라고 부른다. TC 본딩에 포름산을 적용한 사례는 쿨리케앤소파가 유일한 것으로 알려져 있다. 전세계 주요 경쟁사들은 현재 플라즈마 기반의 플럭스리스 본딩을 주로 채택하고 있다. 플라즈마 방식은 가스 물질을 사용하지 않고도 플럭스를 제거하지만, 본딩과 세정을 동시에 진행할 수 없다. 찬핀 총 부사장은 "포름산 기반의 플럭스리스 본딩은 쿨리케앤소파가 지난 2017년부터 개발하기 시작한 기술로, 경쟁사들도 발을 들일 수는 있으나 결코 쉽지 않을 것"이라며 "본딩과 세정을 같이 진행하기 때문에 플라즈마 대비 생산성이 뛰어나고, 재산화(산화막이 다시 생겨나는 현상) 방지 측면에서도 유리하다"고 강조했다. 쿨리케앤소파는 이러한 장점을 무기로 국내외 주요 메모리 제조사에 HBM용 플럭스리스 본더 공급을 추진하고 있다. 찬핀 총 부사장은 "HBM 시장에서 플럭스리스 본더가 언제 테스트가 진행될 수 있을 지 정확히 말씀드릴 수는 없으나 곧 이뤄질 것"이라며 "국내 잠재 고객사들도 분명히 쿨리케앤소파의 기술력을 인지하고 있고, 관심이 굉장히 높다"고 말했다. ■ "2.5D·CPO 등 첨단 패키징 외연 넓힐 것" 플럭스리스 TC 본딩은 AI 반도체 수요 확대로 각광받는 2.5D 패키징에도 용이하다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 대만 주요 파운드리 TSMC가 'CoWoS'라는 브랜드로 시장을 선도하고 있다. 다만 2.5D 패키징은 세대를 거듭할수록 다이(Die) 크기가 커지고 있어, 여러 문제점을 일으키고 있다. 다이가 커지면 내부 깊은 곳까지 세정이 불가능해 플럭스를 제대로 제거하기 어렵다. 이로 인해 2.5D 패키징 시장에서도 플럭스리스가 대안점으로 떠오르고 있다. CPO(광모듈 패키징) 기술도 이와 비슷하다. CPO는 데이터 통신에 쓰이던 별도의 광트랜시버를 칩 내부에 설치해, 데이터 처리 성능 및 효율을 크게 끌어올리는 차세대 반도체 기술이다. 찬핀 총 부사장은 "CPO를 구현하려면 정밀한 온도 조절이 필요하고, 플럭스 잔류물 문제가 없어야 하기 때문에 플럭스리스가 필요해질 것"이라며 "쿨리케앤소파는 이미 관련 기술을 6년 전 개발 완료해 미국 등에서 평가를 받았다. 시장이 개화하게 되면 빠르게 진출할 수 있을 것"이라고 말했다.

2025.02.23 08:49장경윤