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차세대 2나노 첨단공정 개발에 'W2W' 웨이퍼 본딩 기술 뜬다

최첨단 패키징 기술인 W2W 하이브리드 본딩이 미래 반도체 시장의 핵심 요소로 떠오를 전망이다. 특히 2나노미터(nm) 이하에서 상용화될 BSPDN, CFET 등이 유력한 적용처로 떠오르고 있다. 한국EV그룹(EVG)는 13일 코트야드 메리어트 서울 판교에서 'EVG 테크놀로지 데이'를 열고 최첨단 본딩 기술의 시장 전망에 대해 밝혔다. 오스트리아에 본사를 둔 EVG는 반도체 및 디스플레이 후공정용 장비를 전문으로 개발하는 업체다. 웨이퍼 본딩장비 및 나노임프린트(NIL), 얼라이너, 코터, 적외선(IR) 계측 시스템 등을 개발해 왔다. 특히 EVG는 W2W 등 첨단 하이브리드 본딩 시장에 주력하고 있다. 하이브리드 본딩은 두 반도체 칩을 구리 배선은 구리 배선끼리, 절연 물질은 절연 물질끼리 각각 접합하는 기술이다. 기존 칩 연결에 쓰이던 솔더볼·범프 등을 쓰지 않아 패키지 두께를 줄이고, 전기적 특성 및 방열 특성을 높일 수 있다. 하이브리드 본딩은 패키징을 웨이퍼, 혹은 개별 다이(Die)에서 수행하는지에 따라 W2W(웨이퍼-투-웨이퍼), D2D(다이-투-다이), D2W(다이-투-웨이퍼) 등으로 나뉜다. 이 중 W2W는 웨이퍼끼리의 연결로 생산성이 높다는 장점이 있다. EVG가 전망하는 W2W 하이브리드의 유망한 적용처는 BSPDN(Back Side Power Delivery Network), CFET(Complementary FET) 등 첨단 반도체 공정이다. BSPDN은 웨이퍼 전면에 모두 배치되던 신호처리와 전력 영역을 분리해, 웨이퍼 후면에 전력 영역을 배치하는 기술이다. 삼성전자가 내년 양산 예정인 2나노 공정에 BSPDN을 첫 적용하기로 하는 등 주요 반도체 기업들로부터 많은 주목을 받고 있다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술이다. 향후 1나노급 공정에서 적용될 것으로 점쳐진다. 기존 트랜지스터 내부에는 +극을 인가하면 전류를 발생시키는 p형 반도체(pMOS)와 -극을 인가하면 전류를 발생시키는 n형 반도체(nMOS)가 수평적으로 집적돼 있다. 반면 CFET은 이 nMOS와 pMOS를 수직으로 적층한다. GAA 트랜지스터가 위로 겹겹이 적층되는 셈이다. 토스튼 마티아스 EVG 아시아태평양 세일즈 총괄은 "BSPDN 혹은 새로운 트랜지스터 구조를 구현하려면 첨단 웨이퍼 본딩 공정이 단일, 혹은 복수로 적용돼야 한다"며 "EVG는 이러한 솔루션을 위한 본딩 장비를 적용처별로 보유하고 있다"고 설명했다.

2024.06.13 15:16장경윤

코아시아, 삼성 파운드리 포럼서 'AI 반도체 패키징 솔루션' 소개

시스템 반도체 설계 전문기업 코아시아가 삼성 파운드리 포럼(SFF)과 삼성 SAFE Forum 2024에 참가해 MDI(Multi-Die Integration) 솔루션 등 최신 기술을 알린다. 삼성 파운드리 포럼(SFF)과 삼성 SAFE 포럼은 미국 산호세에서 이달 12일과 13일(현지시간) 개최되며, 한국에서는 7월 9일 서울코엑스에서 개최된다. 삼성 SAFE 포럼은 삼성 공식 파트너사들이 한 자리에 모여 글로벌 파트너사들과의 협력을 강화하고 생태계 구축과 발전을 위해 혁신 기술을 공유하는 자리다. 코아시아는 이번 포럼에서 오프라인 부스를 운영하며 삼성 파운드리 협력사로서의 최첨단 AI(인공지능) 솔루션 기술을 소개하고 글로벌 고객 및 파트너사들과의 네트워크를 공고히 할 계획이다. 또 코아시아는 테크세션에서 'Co-design and Analysis Solution for MDI(Multi-Die Integration)'이란 주제로 AI, HPC(고성능컴퓨팅) 고객을 위한 최신 디자인 솔루션을 발표할 예정이다. 또 메인 및 서브 다이 디자인, 인터포저 디자인, 멀티 다이 패키징 디자인 솔루션을 소개한다. AI 반도체 칩 제조를 위한 첨단 패키징 설계에 있어 설계 오류를 최소화 하고, 개발 기간을 단축할 수 있는 코아시아의 차별화된 기술 역량을 선보일 예정이다. 신동수 코아시아 반도체부문장 사장은 "생성형 AI의 급속한 발전으로 AI 반도체 칩의 개발 및 제조에 있어 파운드리 미세공정의 중요성이 커지고 특히 첨단 패키징 기술이 AI 반도체 경쟁력의 핵심으로 떠오르고 있다"라며 "이번 코아시아의 차별화된 첨단 패키징 및 인터포저 솔루션 기술 소개는 글로벌 잠재 고객사들의 주목을 받을 것으로 기대한다"고 전했다.

2024.06.12 15:04이나리

한미반도체, SK하이닉스로부터 HBM용 TC본더 1500억 수주

한미반도체 대표이사 곽동신 부회장은 SK하이닉스로부터 인공지능 반도체 고대역폭메모리(HBM) 3세대 하이퍼 모델인 '듀얼 TC본더 그리핀'을 1천500억원 규모로 수주했다고 7일 밝혔다. 이로써 한미반도체는 SK하이닉스로부터 HBM용 듀얼 TC 본더로만 지난해 하반기 1천12억원, 올해 1분기 1천76억원, 그리고 이번 1천500억원 규모의 수주를 더해 누적 3천587억원으로 창사 최대 수주를 또 다시 갱신했다. 한미반도체는 "이번 수주로 한미반도체가 SK하이닉스 HBM 생산 라인에 가장 중요한 TC 본더 장비 공급사로 다시 한번 입증 됐다"며 "회사 매출은 2025년 1조원을 달성할 것으로 전망된다"고 밝혔다. 곽동신 부회장은 "이번 대만에서 열린 '컴퓨텍스 2024'에서 엔비디아 최고 경영자인 젠슨 황이 언급한 바와 같이, 향후 차세대 GPU인 루빈과 루빈울트라 칩의 HBM 탑재 수량이 늘어날 것으로 밝혔다"며 "HBM 수요 증가 대비와 원활한 TC 본더 공급을 위해 올해 상반기 여섯 번째 공장을 추가 확보하며 고객 만족 향상에 전력을 다하고 있다”고 말했다. 한미반도체는 2002년 지적재산부 창설 후 10여 명의 전문인력을 통해 지적재산권 보호와 강화에도 주력하고 있다. 지금까지 총 111건의 특허 포함 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 출원했으며, 이를 바탕으로 독보적인 기술력과 내구성으로 우위를 점하고 장비의 경쟁력이 한층 높아질 것으로 보여진다. 지난 달 글로벌 반도체 리서치 전문기관인 테크인사이츠로부터 국내 기업 중 유일하게 세계 10대 장비 기업으로 선정된 한미반도체는 코리아 디스카운트를 돌파한 대한민국 대표 반도체 장비 기업으로 평가받고 있다. 최근 3년간 1천500억원 규모의 자사주 신탁 계약을 통해 주주가치 제고와 향상에도 적극적으로 대응하고 있다.

2024.06.07 10:37장경윤

네패스, 세계 최초 8 레이어 RDL 인터포저 기술 공개

네패스는 지난달 28일부터 31일(현지 시각)까지 미국 콜로라도주 덴버에서 열린 제74회 전자부품기술학회(ECTC)에서 팬아웃 기반 RDL 인터포저 기술을 선보였다고 3일 밝혔다. 네패스는 행사 이튿날인 29일, 미래 패키지 재료 기술의 열기계적 응력 및 신뢰성 분석 세션 에서 '팬아웃 RDL 인터포저와 실리콘 브릿지 기술을 기반으로 한 싱글 및 멀티 NPU 칩렛 이종 접합 패키징'이라는 주제의 논문과 함께 첨단 패키징 기술 현황을 공유했다. 해당 기술은 인터포저 위에 여러 칩을 수직∙수평으로 연결하는 칩렛 패키징을 실리콘(Si) 인터포저 대신 팬아웃 공정 기반의 재배선(RDL) 인터포저로 구현한 것이 특징이다. 인공지능 반도체 수요 증가에 따라 칩렛 패키징 기술이 주요 화두인 가운데 우수한 전기적 특성 및 생산 효율성, 제조 비용 절감 등의 장점으로 현장 참가자들의 높은 관심을 받았다. 특히 이번 ECTC에서는 세계적으로 6 레이어 RDL 인터포저 기술이 일반적인 상황에서 기존보다 2 레이어를 더 쌓은 8 레이어 RDL 인터포저 기술을 개발 및 공유했다. 이는 과거 기판(Substrate)이 필요한 구조에서 기판이 필요 없는 구조가 됐다는 점에서 의미가 있다. 즉 기존의 경우 RDL 인터포저 제작 및 칩 접착과 몰딩 등의 공정 이후에 기판(Substrate) 위에 추가적으로 플립칩 공정을 진행해야 한다. 그러나 8 레이어 공정은 기판 위에 플립칩 공정이 필요 없어지면서 별도 기판없이 패키징이 가능해 전체 패키지 사이즈를 줄일 수 있다. 또한 공정이 간소화되면서 공정 효율성이 높아지고 복잡했던 기판과의 전기적 연결이 간결해지면서 우수한 전기적 특성 구현이 가능하게 되었다. 네패스 관계자는 “RDL 인터포저는 다양한 칩들을 연결하는데 적합한 솔루션으로 앞으로 시장 성장 잠재력이 매우 큰 추론용 인공지능의 엣지 컴퓨팅 분야 등에서 폭넓게 활용될 것으로 예상된다”며 “향후 네트워크 강화 및 고객사 기술 협력을 통해 상용화에 적극 나서 글로벌 반도체 패키지 경쟁력을 확보해 나갈 계획”이라고 밝혔다.

2024.06.03 15:31장경윤

이강욱 SK하이닉스 부사장, 국내 최초 IEEE EPS 어워드 수상

SK하이닉스는 이강욱 부사장(PKG개발 담당)이 30일(미국시간) 콜로라도주 덴버에서 진행된 '전기전자공학자협회(IEEE) 전자패키징학회(EPS) 어워드 2024'에서 한국인 최초로 '전자제조기술상'을 수상했다고 31일 밝혔다. 해당 시상식은 국제 전기·전자공학 분야에서 가장 권위 있는 기구인 전기전자공학자협회 산하의 전자패키징학회가 주관하는 연례행사다. 전자제조기술상은 전자 및 반도체 패키징 분야에서 탁월한 업적을 이룬 사람에게 주어지는 상이다. 1996년 첫 수상자가 나온 이래, 올해 한국인 최초로 이강욱 부사장이 수상자로 선정됐다. 전자패키징학회(EPS)는 이 부사장이 20년 넘게 글로벌 학계 및 업계에서 3차원 패키징 및 집적회로 분야에 대한 연구개발 활동을 하면서 AI 메모리인 HBM(고대역폭 메모리) 개발 및 제조 기술 발전을 이끌어 온 공로가 크다는 점을 선정 이유로 밝혔다. 반도체 패키징 기술 전문가인 이 부사장은 2000년 일본 도호쿠대학에서 '집적화 마이크로 시스템 구현을 위한 3차원 집적 기술' 분야로 박사학위를 받았다. 이후 미국 렌슬리어 공과대학 박사후과정 연구원, 일본 도호쿠대학 교수를 거쳐 2018년부터 SK하이닉스에서 WLP(웨이퍼 레벨 패키지) 개발 담당으로 HBM 제품에 필요한 패키징 기술 개발을 주도해 왔다. 특히 이 부사장은 2019년 HBM(고대역폭메모리) 3세대 제품인 HBM2E 개발 당시 MR-MUF(매스 리플로우 몰디드 언더필)라는 패키징 혁신 기술을 성공적으로 도입해 SK하이닉스가 HBM 시장 우위를 선점하고 글로벌 AI 메모리 리더로 도약하는 데 중요한 역할을 했다. 이 부사장은 “이번 수상을 통해 HBM 분야에서 SK하이닉스가 이룬 탁월한 성과를 공식적으로 인정받은 것 같아서 매우 기쁘다”며 “AI 시대가 본격화되면서 패키징의 역할이 더욱 중요해지고 있는 만큼, 앞으로도 기술 혁신을 위해 최선의 노력을 다하겠다”고 말했다.

2024.05.31 11:00장경윤

TSMC, 첨단 패키징 생산능력 내년까지 폭증…수요 절반이 엔비디아

대만 주요 파운드리 TSMC의 최첨단 패키징 생산능력이 첨단 AI 반도체 호황으로 내년까지 큰 성장세를 나타낼 것으로 예상된다. 31일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 TSMC의 CoWoS 생산능력은 올해 150%, 내년 70% 이상 증가할 전망이다. CoWoS는 TSMC가 자체 개발한 2.5D 패키징이다. 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입해, 패키징 면적을 줄이고 칩 간 연결성을 높인 것이 특징이다. 현재 CoWoS와 같은 2.5D 패키징이 가장 각광받는 산업은 AI다. AI 가속기에는 고성능 시스템반도체와 HBM(고대역폭메모리)를 함께 집적해야 하는데, 여기에 2.5D 패키징이 쓰인다. 트렌드포스는 "엔비디아 블랙웰 플랫폼의 칩 다이(Die) 크기는 이전 세대 대비 2배"라며 "블랙웰이 주력 제품으로 떠오르면서 엔비디아가 TSMC의 CoWoS 수요의 거의 절반을 차지할 것"이라고 밝혔다. 블랙웰은 TSMC의 4나노 공정 기반의 최신형 고성능 GPU다. 반도체 다이 2개를 연결해 2천80억 개의 트랜지스터를 집적했다. 블랙웰은 올해 3분기 출시를 시작해 4분기부터 본격적으로 출하량이 확대될 것으로 예상된다. HBM 시장 역시 올해 큰 변곡점을 앞두고 있다. 현재 엔비디아 GPU 시리즈의 주류인 H100은 주로 80GB(기가바이트)의 HBM3(4세대 HBM)을 탑재한다. 반면 블랙웰은 288GB의 HBM3E(5세대 HBM)을 채택해, 용량을 이전 대비 3~4배가량 늘렸다. 트렌드포스는 "삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리3사의 계획에 따르면 HBM 생산량은 내년까지 2배로 늘어날 것으로 예상된다"고 설명했다.

2024.05.31 09:04장경윤

SK하이닉스, HBM 고삐 죈다..."내년 공급 계획도 이미 논의 중"

"빅테크 고객들이 AI 시장 주도권을 확보하기 위해 신제품 출시 시점을 앞당기고 있다. 이에 SK하이닉스는 차세대 HBM(고대역폭메모리)를 적기에 공급할 수 있도록 올해에 이어 내년까지 계획을 미리 논의하는 중이다." 30일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 신임 임원들과 첨단 메모리 기술력을 논의하는 좌담회를 열었다. 이번 좌담회에는 SK하이닉스 뉴스룸의 2024 임원 인터뷰 시리즈에 함께한 권언오 부사장(HBM PI), 길덕신 부사장(소재개발), 김기태 부사장(HBM S&M), 손호영 부사장(Adv. PKG개발), 오해순 부사장(낸드 Advanced PI), 이동훈 부사장(321단 낸드 PnR), 이재연 부사장(Global RTC)이 참석했다. 좌담회 사회는 원정호 부사장(Global PR)이 맡았다. SK하이닉스는 지난 3월부터 AI 메모리인 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)를 세계 최초로 양산한 바 있다. 또한 회사는 다음 세대 제품인 HBM4의 양산 시점을 내년으로 앞당기고 글로벌 투자와 기업간 협력을 통해 차세대 기술력을 확보해 나가는 등 AI 메모리 업계 위상을 강화하고 있다. 권언오 부사장은 "시장이 열리기 전부터 오랜 시간 동안 끈질기게 이어져 온 AI 메모리에 대한 투자와 연구가 회사 성장의 밑거름이 됐다"며 "이를 바탕으로 우리는 AI 인프라에 필수적인 HBM과 함께, 다양한 분야에서 쓰이게 될 고성능 메모리를 개발하는 등 탄탄하게 경쟁력을 축적해 올 수 있었다"고 밝혔다. 손호영 부사장은 "HBM의 성공은 고객과의 협력은 물론, 내부 부서간 협업 과정에서도 이전보다 열린 방식으로 일해왔기에 가능했던 일"이라며 "앞으로 더 다양해질 시장의 요구에 부응하려면 고객과 한 차원 더 높은 협력 관계를 맺고, 메모리와 시스템, 전공정과 후공정의 경계가 허물어지는 이종간 융합을 위한 협업을 준비해야 한다"고 말했다. AI 메모리가 이처럼 각광을 받게 된 데 대해 임원들은 HBM, CXL, eSSD, PIM 등 고성능 솔루션들이 기존 메모리의 데이터 병목 현상을 해결하고, AI의 동작 속도를 높여주고 있기 때문이라고 진단했다. 또한 이들은 미래 산업과 기술 변화상에 대해 선제적으로 대응하기 위해 회사가 주목해야 할 부분에 대해서도 다양한 의견을 제시했다. 김기태 부사장은 “현재 시장 상황을 보면, 빅테크 고객들이 AI 시장 주도권을 확보하기 위해 신제품 출시 시점을 앞당기고 있다"며 "이에 맞춰 우리는 차세대 HBM 제품 등을 적기에 공급할 수 있도록 올해에 이어 내년까지의 계획을 미리 논의하는 중”이라고 밝혔다. 이재연 부사장은 "MRAM, RRAM, PCM 외에도 우리는 초고속·고용량·저전력 특성을 동시에 지닌 SOM(Selector Only Memory), Spin Memory, Synaptic Memory 등 이머징 메모리에 주목하고 있으며, 앞으로도 다양한 미래 기술에 대한 연구개발을 지속 강화할 필요가 있다"고 강조했다.

2024.05.30 13:23장경윤

'모래시계 모형' 세계 테크 생태계와 삼성전자

지금 세계 테크 시장을 '모래시계 모형'이라 불러보고 싶습니다. 모래시계는 원뿔 2개를 꼭짓점끼리 붙여 놓은 형상이죠. 위 원뿔에 담긴 모래가 꼭짓점 둘이 맞붙는 개미허리를 통해 아래 원뿔로 내려갑니다. 모래가 내려가는 것을 통해 시간을 계산합니다. 시간은 모래알과 개미허리 크기에 따라 결정되겠습니다. '모래시계 모형'의 테크 시장에서는 개미허리가 시간이 아니라 돈을 결정합니다. 세계 테크 시장의 모래시계 모형에서 개미허리는 미국의 AI 반도체 업체인 엔비디아에 해당됩니다. 위 원뿔 상단에는 챗GPT라는 생성형 AI모델로 세계 테크 시장을 송두리째 흔들어버린 오픈AI를 비롯해 이 회사에 대한 최대 투자사이자 협력사인 마이크로소프트(MS) 그리고 이들과 치열하게 경쟁하는 구글, 아마존, 메타 등이 있습니다. 아래 원뿔은 TSMC, SK하이니스 등 반도체 기업의 자리죠. 엔비디아는 이 모형에서 개미허리에 위치하며 위와 아래를 연결하는 조율자 역할을 합니다. 무기는 AI 반도체죠. 이 AI 반도체는 엔비디아 그래픽처리장치(GPU)와 이른바 고대역폭메모리(HBM)을 조합해 만듭니다. 엔비디아는 AI 반도체 납품으로 위 생태계의 경쟁을 부추기고 AI 반도체를 만들면서 아래 생태계를 지휘합니다. 그러니 모양은 개미허리지만 사실상 위아래를 잇는 키 플레이어죠. 세계 테크 시장의 '모래시계 모형'이 커지면서 주목하지 않을 수 없는 것은 모바일 시대 리더그룹이었던 애플과 삼성전자의 입지가 왜소해졌다는 사실입니다. 두 회사 모두 이 모형의 설계자도 주도자도 아니기 때문에 개미허리를 차지할 수는 없고 위든 아래든 위치해야 하겠지만 자리가 옹색한 상황입니다. 종전 주력 사업이 아니거나 주력사업이었더라도 주도권을 빼앗겼기 때문으로 보입니다. 위 원뿔 속 플레이어는 출발지는 다 다르지만 결국 클라우드에 강점을 가진 기업들입니다. 대규모 데이터 센터를 바탕으로 기업과 개인에게 인터넷 서비스를 제공하는 회사들이죠. 기존 모든 서비스에 AI를 입히는 것이 경쟁 포인트입니다. 삼성은 제조 중심이어서 애초 위 원뿔 속 플레이어는 될 수 없고, 애플은 앱스토어로 위력적인 서비스를 만들었지만 아직 위 원뿔 속에서 잘 안 보입니다. 아래 원뿔 속 플레이어는 AI 반도체 관련 기업들입니다. 여러 도전자가 있지만 개미허리를 차지한 엔비디아 밑으로 대만의 파운드리 업체인 TSMC와 우리나라 메모리 업체인 SK하이닉스가 핵심 생태계를 구성하고 있습니다. 애플은 애초부터 이곳에서 역할이 없었습니다. 자사 제품용 반도체를 개발하기는 하지만 전문업체는 아니니까요. 삼성은 다릅니다. 큰 역할을 차지했어야 마땅한 기업이죠. 아래 원뿔에서 넓은 영역을 차지했어야 할 삼성이 설 자리조차 옹색한 상황이 된 이유를 한 마디로 압축해보라고 한다면 '초격차의 함정'에 빠진 탓이라고 말하고 싶습니다. 달리 표현하면 '무어의 법칙 종말 시대'를 제대로 대비하지 못한 것입니다. 무어의 법칙은 '반도체 용량이 2년마다 2배로 증가한다'는 것입니다. 하지만 공정의 미세화가 극단으로 가면서 기술적으로 한계에 봉착하게 됐지요. 반도체 제작 과정에서 전공정 미세화의 고도화만으로는 용량과 속도에 대한 고객의 요구를 충족시키기 쉽지 않게 된 거죠. 다른 혁신이 필요했던 상황입니다. 칩을 쌓고 배치를 효율화하는 패키징 후공정 기술 개발이 더 중요해진 거죠. 이 과정은 원래 메모리 업체보다 팹리스나 파운드리 기업에 더 강점이 있어왔습니다. 이 기술을 최적화한 게 엔비디아-TSMC-SK하이닉스 연합군인 셈이겠습니다. 삼성도 이 추세를 모르지 않았지만 메모리 공정 고도화라는 관성을 극복하지 못했습니다. 삼성은 '모래시계 모형' 구도가 짜일 것으로 생각하지 않았던 듯합니다. AI 시대에도 모래시계 모형보다, 위에 원통이 있고 밑에 꼭짓점이 아래로 향한 원뿔이 결합된 모형을 예상한 듯합니다. 원통 윗면에서 AI 업체가 경쟁하고 접착된 원뿔 윗면에서 AI반도체 업체가 경쟁하며 자신은 꼭짓점이 되는 구도이죠. 모든 AI 반도체 기업이 초미세 공정 최강자인 삼성 메모리를 쓸 수밖에 없는 구도 말이죠. 구도가 다시 변할 수도 있을 겁니다. 서버용 AI 가속기 시장이 한 바탕 시장을 휩쓸고 간 뒤 단말이나 자동차 혹은 가전기기용 반도체가 핵심으로 떠오르며 시장이 분화될 때가 올 테니까요. 온디바이스 AI가 대표적이겠지요. 그런데 AI반도체 첫 고지를 뺏긴 상황에서 그때가 온다고 꼭 유리하기만 할까요? 기술을 무시하면 안 되지만 삼성에겐 구도를 바꿀 혁신이 절실한 상황입니다.

2024.05.27 12:43이균성

롯데 화학군 3개 계열사, 학대피해아동 가정에 생필품 전달

롯데그룹 화학군 계열사들이 가정의 달을 맞아 학대피해아동 가정에 생필품을 전달했다. 롯데알미늄·롯데인프라셀·롯데패키징솔루션즈는 임직원 30여 명이 24일 꾸러미 만들기 행사에 직접 참여해 학대 피해 아동 가정 50가구에 식료품과 생필품을 전달하는 사회공헌활동을 진행했다고 27일 밝혔다. 꾸러미 만들기 행사는 롯데알미늄이 학대피해아동들과 그 가정에 실질적인 도움을 제공하고자 마련한 사회공헌활동의 일환으로 지난해 처음 진행됐다. 활동에 참여한 임직원은 “우리 주변엔 어려운 환경에 처해 있는 아이들이 많이 있다”며 “미래를 이끌어갈 아이들에게 보다 나은 환경을 만들어 주기 위해 앞으로도 다양한 활동을 통해 최선을 다하겠다”고 말했다.

2024.05.27 09:20류은주

삼성전자 HBM3E '공급 난항설'…좀더 지켜봐야 하는 이유

삼성전자의 엔비디아향 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 공급 여부가 최근 연일 화두에 오르고 있다. 24일 엔비디와의 퀄테스트가 실패했다는 외신 보도에 대해 삼성전자는 "테스트가 순조롭게 진행되고 있다"며 즉각 반박하고 나섰다. 양측에 상반된 주장에 대해 업계는 유보적인 입장을 취하고 있다. 삼성전자의 HBM 사업이 난항을 겪고 있는 것은 업계 내에서 대부분 인지하고 있는 사실이나, 시기상 HBM3E의 테스트 결과를 단순히 실패로 표현하거나 단정짓기에는 아직 이르다는 지적이 제기된다. 이날 로이터통신은 익명의 소식통을 인용해 "삼성전자는 지난해부터 HBM3 및 HBM3E에 대한 엔비디아향 테스트를 통과하려고 노력했다"며 "그러나 지난 4월 삼성전자의 8단 및 12단 HBM3E에 대한 테스트 실패 결과가 나왔다"고 밝혔다. 이에 삼성전자는 입장문을 통해 "다양한 글로벌 파트너들과 HBM 공급을 위한 테스트를 순조롭게 진행 중"이라며 "현재 다수의 업체와 긴밀하게 협력해 지속적으로 기술과 성능을 테스트하고 있다"고 맞섰다. 해당 보도 이전에도 삼성전자 HBM이 성능 부족으로 테스트에 난항을 겪고 있다는 업계 관계자들의 증언은 꾸준히 제기돼 왔다. 대표적으로 삼성전자는 지난해부터 엔비디아에 4세대 HBM인 HBM3 공급을 추진 중이지만, 아직까지 샘플 공급을 넘어 실제 양산 공급을 최종 확정하지 못한 상황이다. 또한 삼성전자는 AMD, 브로드컴 등 또 다른 주요 팹리스 기업과 HBM3E에 대한 테스트를 진행하고 있다. 특히 브로드컴은 올해 초부터 삼성전자·SK하이닉스·마이크론의 8단 적층 HBM3E을 동시에 테스트하고 있다. 여기에서도 삼성전자의 HBM은 경쟁사 대비 성능 면에서 우위에 서지 못하고 있다는 평가다. SK하이닉스·마이크론이 HBM3E에 1b D램(10나노급 5세대 D램)을 적용한 반면, 삼성전자는 이보다 한 세대 뒤쳐진 1a D램(10나노급 4세대 D램)을 활용한 것이 주요 원인으로 지목된다. 이 같은 관점에서 삼성전자의 엔비디아향 HBM3E 테스트도 당초 예상보다 많은 시간이 소요될 것이라는 관측이 우세했다. 다만 이번 외신 보도처럼 삼성전자 HBM3E의 엔비디아향 테스트를 '실패(Fail)'로 표현하는 것은 적절치 않다는 의견도 나온다. 통상 신규 반도체 칩을 공급하기 위해서는 무수히 많은 공정 조율과 개선을 거치기 때문이다. 삼성전자는 지난해 하반기부터 엔비디아와 8단 HBM3E에 대한 테스트를 진행해 왔다. 올해 상반기 내로 테스트를 통과하는 것이 최상의 시나리오이기는 하나, 테스트 시기 상 올 하반기까지 성능을 개선할 여지는 여전히 남아 있다. 익명을 요구한 반도체 업계 관계자는 "삼성 내부에서는 엔비디아향 8단 HBM3E 양산 공급 여부를 10월에 판가름할 수 있을 것으로 전망하고 있다"며 "테스트가 시간이 걸리고 부진한 것은 맞으나 동시에 기회 역시 남아있다"고 밝혔다. 12단 HBM3E는 지난 3월부터 엔비디아에 샘플 공급이 시작된 것으로 파악된다. 테스트가 극 초기 단계인 만큼 벌써부터 통과 판정을 받기란 사실상 불가능에 가깝다는 게 업계의 중론이다. 또 다른 관계자는 "사실상 삼성전자는 HBM3E에서 8단이 아닌 12단을 전략 제품으로 내세우고 있고, 이제야 테스트가 진행되는 수순"이라며 "물론 삼성전자가 대외적으로 삼은 목표에 도달하기 위해서는 일정이 상당히 빠듯한 것이 사실"이라고 설명했다. 김영건 미래에셋증권 연구원도 이날 보고서를 통해 "HBM 테스트 과정에서 일부 결점이 발견될 수는 있으나, 이는 상호간 협의의 영역으로 계약 조건에 따라 상황이 변할 수 있다"며 "12단 HBM3E에 대한 수급난이 예상되는 상황에서 아직 기한이 남은 시점에 퀄테스트를 조기졸업 시키는 경우는 상식적이지 않다"고 지적했다.

2024.05.24 15:40장경윤

삼성전자 "HBM 테스트 순조롭게 진행"…엔비디아 공급 실패 보도 반박

엔비디아와의 HBM(고대역폭메모리) 퀄테스트가 실패했다는 외신 보도에 삼성전자가 정면 반박했다. 24일 삼성전자는 입장문을 통해 "삼성전자는 다양한 글로벌 파트너들과 HBM 공급을 위한 테스트를 순조롭게 진행 중"이라며 "현재 다수의 업체와 긴밀하게 협력하며 지속적으로 기술과 성능을 테스트하고 있다"고 밝혔다. 또한 "HBM의 품질과 성능을 철저하게 검증하기 위해 다양한 테스트를 수행하고 있다"고도 덧붙였다. 앞서 이날 로이터통신은 익명의 소식통을 인용해 "삼성전자가 엔비디아와 진행한 HBM3E 8단 및 12단 제품에 대한 퀄테스트에서 4월 실패 결과가 나왔다"고 보도한 바 있다. 삼성전자는 "모든 제품에 대해 지속적인 품질 개선과 신뢰성 강화를 위해 노력하고 있으며, 이를 통해 고객들에게 최상의 솔루션을 제공할 예정"이라고 말했다.

2024.05.24 09:42장경윤

한미반도체, 한화정밀기계 이직한 前 연구원 '부정경쟁행위금지' 최종 승소

한미반도체는 한화정밀기계로 이직한 전 직원 A씨를 대상으로 청구한 부정경쟁행위금지 소송에서 1심과 2심 모두 승소하며 최종 승소했다고 23일 밝혔다. 한미반도체 전 직원인 A씨는 2021년 TC 본더, 플립칩 본더 등 핵심 장비 연구개발부서에서 근무하다가 한화정밀기계로 이직했다. 이에 한미반도체가 부정경쟁행위금지 소송을 제기해 2023년 8월 23일 1심에서 승소했다. 2024년 5월 2일에는 2심 법원인 수원고등법원 재판부에서도 A씨가 한화정밀기계에서 한미반도체의 기술정보를 사용, 공개하는 행위를 금지하도록 최종 판결을 내렸다. 한미반도체 관계자는 “인공지능 반도체용 HBM(고대역폭메모리) 필수 공정 장비이자 세계 시장 점유율 1위인 한미반도체 TC 본더의 핵심 기술을 담당하던 직원의 한화정밀기계 취업은 전직금지는 물론이고, 영업비밀보호의무위반 등의 소지가 높아 부정경쟁행위금지 소송을 제기하게 됐다"고 밝혔다. 그는 이어 "이번 법원의 판결을 계기로 반도체 강국인 한국에서 첨단기술 기업이 보유한 기술과 노하우를 소중히 여기는 공정한 경쟁 문화가 산업 전반에 확고히 자리 잡기를 희망한다"고 덧붙였다. 한편 한화정밀기계는 이 같은 보도에 대해 "해당 소송은 한미반도체의 전 직원 개인에 대한 소송으로, 한화정밀기계에 대한 소송이 아니다"며 "직원 개인이 한미반도체 재직 중 습득한 기술정보를 다른 곳에 제공하지 못하게 하는 취지"라고 설명했다. 회사는 이어 "상기 직원은 정상적인 공개채용의 절차를 거쳐 합법적으로 채용한 인력"이라며 "이직 당시 4년차 사원으로 한미반도체 측의 중요한 정보를 취급했을 가능성이 매우 희박하다"고 강조했다.

2024.05.23 16:20장경윤

SK하이닉스 "HBM3E 수율 80% 근접"…업계 예상 뛰어넘어

SK하이닉스의 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 수율이 80%에 근접한 것으로 나타났다. 22일 파이낸셜타임스에 따르면, 권재순 SK하이닉스 수율 담당임원은 매체와의 인터뷰를 통해 "HBM3E 생산에 필요한 시간을 50% 단축할 수 있었다"며 "해당 칩이 목표 수율인 80%에 거의 도달했다"고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. HBM3E는 5세대 HBM으로, 올해부터 본격적으로 상용화 궤도에 올랐다. HBM은 높은 기술적 난이도로 인해, 수율을 높이는 것이 주요 메모리 기업들의 과제로 지목돼 왔다. 수율은 반도체 웨이퍼 투입량 대비 양품이 얼마나 나오는 지를 나타내는 수치다. 100개의 칩 중 양품이 60개라면, 수율은 60%가 된다. 그동안 업계는 SK하이닉스의 HBM3E 수율을 60~70% 내외로 추정해 왔다. 그러나 SK하이닉스는 외신과의 인터뷰에서 수율이 이보다 높은 80%에 근접했음을 공식적으로 밝혔다. SK하이닉스는 견조한 수율을 토대로 최선단 HBM 사업의 경쟁력 유지에 적극 나설 것으로 관측된다. 현재 SK하이닉스는 AI 반도체 시장의 강자인 엔비디아에 HBM3E를 양산 공급하고 있다. 권재순 담당임원은 "올해 고객사들이 가장 원하는 제품은 8단 적층 HBM3E로, 회사도 이 제품 생산에 주력하고 있다"며 "AI 시대를 앞서가기 위해서는 수율 향상이 더 중요해지고 있다"고 말했다.

2024.05.22 13:52장경윤

HBM 시장 '쑥쑥'..."올해 웨이퍼 투입량서 35% 차지"

HBM(고대역폭메모리)가 주요 메모리 기업들의 생산능력 및 수요 증가로 전체 메모리에서 차지하는 비중이 확대되고 있다. 이에 따라 일반 D램 제품 공급이 부족해질 것이라는 전망도 제기된다. 21일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 HBM이 올해 말까지 전체 선단 메모리 공정용 웨이퍼 투입량에서 차지하는 비중은 35%에 이를 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 고성능 메모리다. 고용량·고효율 데이터 처리가 필요한 AI 산업에서 수요가 증가하면서, 주요 메모리 기업들은 HBM 생산능력 확대에 적극적으로 나서고 있다. 동시에 HBM은 높은 기술적 난이도로 인해 현재 50~60%대의 수율에 머물러 있다. 또한 칩 면적이 커 더 많은 웨이퍼 투입이 필요하다. 이에 따라 각 메모리 기업의 TSV 생산능력 기준 올해 말까지 HBM은 선단 공정용 웨이퍼 투입량의 35%를 차지할 전망이다. 나머지 웨이퍼 용량은 DDR5와 LPDDR5(저전력 D램)급 제품에 할당될 것으로 예상된다. 또한 1a나노미터 이상의 D램 공정에 대한 웨이퍼 투입량도 연말까지 전체 D램 웨이퍼 투입량의 40%를 차지할 것으로 관측된다. 1a는 10나노급 4세대 D램으로, 현재 다음 세대인 1b D램까지 상용화에 이르렀다. HBM은 5세대 제품인 HBM3E의 출하량이 올해 하반기 집중적으로 증가할 전망이다. 현재 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 기업들이 제품 양산을 시작했거나 양산을 추진 중이다. 트렌드포스는 "HBM3E에 1b D램을 활용한 SK하이닉스와 마이크론은 엔비디아에 제품을 공급하기로 했다"며 "1a D램을 활용하는 삼성전자는 올 2분기에 검증을 완료하고 올해 중반에 납품을 시작할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 한편 HBM의 웨이퍼 투입 비중 확대로 일반 D램은 출하량 증가에 어려움을 겪고 있다. 주요 메모리 기업들의 설비투자 속도에 따라 공급부족 현상이 발생할 가능성도 제기된다. 트렌드포스는 "삼성전자는 P4 공장을 내년 완공하며, 화성 15라인의 1y D램 설비는 1b D램 공정 전환을 거치게 된다"며 "SK하이닉스는 M16 공장을 내년 증설할 것으로 예상되고, M15X도 내년 완공해 다음해 말 양산을 시작할 예정"이라고 설명했다. 마이크론의 경우 대만 공장은 내년 풀가동 상태로 회복되며, 향후 생산능력 확장은 미국을 중심으로 이뤄질 전망이다.

2024.05.21 09:50장경윤

네패스, AI 반도체용 패키징 기술 'PoP' 상용화 추진

네패스는 인공지능(AI) 및 첨단 반도체에 필요한 차세대 패키징 기술 PoP(Package on Package)를 국내외 칩 제조사들과의 협력으로 개발하고 있다고 20일 밝혔다. 최근 AI용 패키지 시장은 대만 기업들의 과점으로 공급이 여유롭지 않은 상황이다. 네패스는 2.5D 패키징의 기반 기술인 PoP 기술을 자사의 강점인 재배선(RDL) 기술을 활용해 상용화를 추진하고 있다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 매치하는 기술이다. AI 반도체와 HBM(고대역폭메모리)을 하나의 패키지로 집적하는데 주로 사용된다. 네패스가 개발 중인 2.5D 패키징은 고가의 실리콘(Si) 인터포저 대신, 팬아웃 공정을 활용한 재배선(RDL) 인터포저를 구현했다. 이를 통해 가격 경쟁력과 소형화에 강점을 가지고 있다. 특히 이번에 개발한 PoP 기술은 반도체 소자 내장 기술, 양면 재배선(RDL)기술, 수직신호연결 등의 요소 기술을 포함하고 있다. 스마트폰 및 자동차용 AP(애플리케이션프로세서), 웨어러블 센서, AI 반도체 등으로 사용처를 확장해 나갈 수 있는 첨단 패키징의 기본 플랫폼 기술이다. 김종헌 네패스 최고기술책임자(CTO)는 "자율주행 자동차 핵심기술인 라이다(LiDAR) 센서 제조업체인 일본의 글로벌 반도체 업체로부터 우수한 성능을 인증받아 제품 적용을 협의중에 있다"며 "미국 및 유럽 고객의 의료 장비 및 보청기용으로도 사업화를 활발하게 논의 중"이라고 말했다. 그는 이어 "이번에 개발한 PoP 기술을 기반으로 AI 반도체용 2.5D 패키징 기술에 집중해 내년 상반기에는 고객과 함께 개발을 완료하고, 같은해 하반기부터는 양산을 목표로 하고 있다고 밝혔다.

2024.05.20 09:00장경윤

삼성·SK, 차세대 HBM4 경쟁력 승부처 '1c D램' 주목

이르면 내년부터 양산이 시작되는 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 대한 기술 경쟁이 뜨겁다. 삼성전자가 최근 HBM4에 탑재될 D램을 한 세대 진화된 제품으로 변경하는 방안을 검토 중인 가운데, SK하이닉스도 시황에 따라 유동적인 전략을 펼칠 것으로 관측된다. 17일 업계에 따르면 삼성전자는 HBM4에 1c D램을 적용하는 방안을 검토하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 메모리다. 때문에 D램 완제품의 성능이 HBM의 성능에 직접적인 영향을 끼친다. 당초 삼성전자는 내년부터 양산화되는 HBM4에 10나노급 5세대 D램인 1b D램을 적용하려고 했었다. 1b D램은 선폭이 12나노 수준으로, 삼성전자가 지난해 5월 첫 양산에 나선 제품이다. 삼성전자가 올해 양산에 나서는 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)의 경우 1a D램이 적용됐다. 그러나 삼성전자는 최근 내부적으로 HBM4에 탑재될 D램을 1c D램으로 변경하는 방안을 수립했다. SK하이닉스, 마이크론 등 주요 경쟁사가 HBM3E에 1b D램을 적용했던 만큼, HBM4는 전공정 영역에서부터 앞서 나가겠다는 전략으로 풀이된다. 사안에 정통한 관계자는 "현재 HBM4는 12단, 16단 적층에 관계없이 1c D램으로 가는 방향"이라며 "한 세대 뒤쳐진 D램으로 전력사용량 문제가 발생한다는 우려가 많아 개발에 속도를 더하고 싶은 것으로 안다"고 밝혔다. 다만 삼성전자가 실제로 해당 방안을 실현할 지에 대해서는 아직 지켜봐야 한다는 관측도 나온다. 삼성전자가 1c D램의 초도 양산라인을 구축하는 시점은 올해 연말로, 생산능력은 월 3천장 수준으로 추산된다. 목표로 한 HBM4 양산 시점과 차이가 크지 않다. 통상 메모리 업계는 최선단 D램을 컴퓨팅·모바일용으로 순차적으로 개발하고, 이후 안정성을 확보한 뒤에 HBM에 적용하는 과정을 거쳐 왔다. 이를 고려하면 HBM4 양산 시점에 1c D램에 대한 수율을 담보하기 어려울 수 있다. 또 다른 관계자는 "삼성전자 임원진 및 실무단에서 HBM4에 1c D램을 적용하고, 양산 목표 시점 역시 내년 말에서 내년 중후반으로 앞당기는 등의 논의가 오가고 있다"며 "다만 수율이 받쳐줘야 하기 때문에 확정된 사안이 아닌, 계획 단계로 봐야한다"고 밝혔다. 한편 SK하이닉스는 삼성전자의 초기 전략과 마찬가지로 HBM4에는 1b D램을, HBM4E부터는 1c D램을 적용하는 계획을 세운 바 있다. 다만 SK하이닉스도 시황에 따라 적용 기술을 유동적으로 변경할 여지를 여전히 남겨두고 있는 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 "삼성전자 HBM4에 적용되는 D램을 앞당기는 경우, 현재 업계 선두인 SK하이닉스 입장에서도 위기의식을 느낄 수 밖에 없다"며 "SK하이닉스도 로드맵은 세워 둔 상황이나 내부적으로 변경에 대한 여지를 계속 남겨두고 있는 것으로 안다"고 밝혔다.

2024.05.17 14:56장경윤

한미반도체, '세계 10대 반도체 장비기업' 선정

한미반도체는 반도체 전문 분석기관인 테크인사이츠가 주관하는 '2024년 테크인사이츠 고객만족도 조사'에서 국내 반도체 장비기업 중 유일하게 '세계 10대 베스트 반도체 장비기업'에 선정됐다고 16일 밝혔다. 한미반도체는 올해 초 테크인사이츠가 전세계 반도체 장비 고객사 대상 설문조사에서 핵심 반도체 장비기업 부문 '10대 반도체 장비기업'에 선정됐다. 아울러 반도체 공정 분야별로 선정하는 조립테스트장비부문 '베스트 반도체 장비기업'에도 이름을 올리게 됐다. 한미반도체 관계자는 "2024 테크인사이츠 고객만족도 조사에서 ASML, 램리서치, 어플라이드 머티리얼즈 등 세계적인 반도체 장비기업과 함께 대한민국 반도체 장비기업 중 유일하게 선정돼 기쁘고 자랑스럽다"며 "앞으로도 고객 만족을 위해 변함없이 노력하겠다"고 밝혔다. 테크인사이츠는 캐나다 오타와에 위치한 글로벌 반도체 첨단기술과 지적재산권 분석 전문기관으로 1989년 설립됐다. 특허기술 조사와 분석에서 탁월한 전문성을 확보해 전세계 하이테크 기업들과 정부기관의 신뢰를 받고있다.

2024.05.16 10:58장경윤

中, HBM 자립화 속도…"샘플 개발 성공"

중국의 반도체 제조업체 2곳이 HBM(고대역폭메모리) 생산 초기 단계에 진입했다고 로이터통신이 15일 보도했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 현재 AI 산업에서 고성능 시스템반도체와 결합돼 사용되고 있다. 다만 기술적 난이도가 높아 현재 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 3개 업체만이 상용화에 성공했다. 로이터가 인용한 소식통에 따르면, 중국 최대의 D램 제조업체인 CXMT(창신메모리)는 현지 OSAT(외주반도체패키징테스트) 기업 통푸마이크로일렉트로닉스(Tongfu Microelectronics)와 협력해 HBM 샘플을 개발했다. 현재 해당 칩을 고객사에 시연하는 단계다. 또한 중국 최대 낸드플래시 업체인 YMTC(양쯔메모리테크놀로지)의 자회사 XMC(우한신신)은 HBM용 12인치 웨이퍼를 월 3천장 생산할 수 있는 공장을 신설하고 있다. 해당 공장은 올해 2월 착공에 들어간 것으로 알려졌다. 로이터통신은 익명의 소식통을 인용해 "중국 반도체 기업들도 HBM 개발에 필요한 장비 구매를 위해 한국, 일본 장비업체와 정기적인 미팅을 갖고 있다"며 "중국의 HBM 개발은 미국의 첨단 반도체 수출 규제 속에서 외산 의존도를 줄이려는 중요한 진전을 의미한다"고 밝혔다. 한편 중국의 또 다른 주요 IT 기업인 화웨이도 HBM을 개발하기 위한 노력을 지속하고 있다. 오는 2026년까지 HBM2(2세대 HBM)을 생산하는 것이 목표다.

2024.05.16 08:18장경윤

한미반도체, HBM용 TC본더 라인 증설…98.8억 규모 유형자산 취득

한미반도체가 주력 사업인 TC본더의 생산능력 확대를 위한 준비에 나선다. 한미반도체는 98억8천만원 규모의 인천 서구 가좌동 소재의 토지 및 건물을 취득한다고 14일 공시를 통해 밝혔다. 이번에 한미반도체가 취득하는 유형자산은 인천 서구 가좌동 552-31번지에 위치해 있다. 한미반도체 본사와 거리가 매우 가깝다. 토지 면적은 852평, 건물 면적은 707평이다. 한미반도체는 취득 목적에 대해 "HBM용 TC본더 생산 라인 증설"이라고 설명했다. 취득예정일자는 오는 6월 10일이다. 한미반도체는 반도체 후공정에서 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 TC본더를 주력으로 개발하고 있다. 특히 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM(고대역폭메모리)을 제조하는 데 필수적으로 쓰인다. 현재 HBM 시장이 빠르게 성장하는 만큼, 한미반도체는 TC본더 생산능력을 적극적으로 확대해 왔다. 지난달에는 인천 서구 주안국가산업단지에 6번째 공장을 개소해, 연 1조원 규모의 생산능력을 갖췄다. 또한 한미반도체는 최근 기존 SK하이닉스에 이어 미국 마이크론을 신규 고객사로 확보하는 성과를 거두기도 했다. 지난달 11일 한미반도체는 미국 마이크론으로부터 약 226억원 규모의 HBM 제조용 '듀얼 TC본더 타이거'를 수주했다고 공시한 바 있다.

2024.05.14 15:46장경윤

삼성·SK·마이크론 'HBM3E' 경쟁, 브로드컴으로 확전

삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 기업 간 HBM3E(5세대 HBM) 경쟁이 엔비디아에 이어 브로드컴으로 확전되면서 귀추가 주목되고 있다. 현재 3사의 8단 샘플에 대한 테스트가 진행 중인 것으로 알려졌다. 9일 업계에 따르면 브로드컴은 올 1분기부터 메모리 3사의 HBM3E 8단 샘플에 대한 테스트를 진행 중이다. 브로드컴은 매출 기준 전 세계 3위에 해당하는 주요 팹리스다. 통신용 반도체와 데이터센터용 네트워크 및 스토리지 솔루션을 주력으로 개발하고 있다. 특히 AI 산업에서는 자체 보유한 반도체 설계 역량을 바탕으로, 구글·메타 등 AI 반도체를 탑재한 맞춤형 서버 인프라를 제공해왔다. 브로드컴은 올해 구글의 최신 TPU(텐서처리장치)를 기반으로 한 AI 서버 구축에 8단 HBM3E를 활용할 계획이다. 이를 위해 올 1분기부터 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 메모리 제조업체로부터 샘플을 공급받기 시작했다. 해당 샘플은 초기 버전으로, 현재 각 사 제품 성능에 대한 평가가 어느 정도 드러난 것으로 알려졌다. 나아가 삼성전자·SK하이닉스는 올 2분기 성능을 개선한 후속 샘플도 지속적으로 제출하고 있다. 브로드컴이 이들 메모리 3사의 샘플을 동시에 테스트 중인 만큼, 각 기업은 자사의 HBM3E 경쟁력 입증을 위한 경쟁을 더 치열하게 벌일 것으로 관측된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 획기적으로 끌어올린 고부가 메모리다. HBM3E의 경우 5세대 제품에 해당한다. 이전 세대인 HBM3의 경우에는 SK하이닉스가 주요 AI 반도체 기업인 엔비디아에 제품을 독점 공급하며 시장을 주도했으나, HBM3E의 경우 삼성전자·마이크론도 각각 개발 성과를 적극적으로 공개하며 추격 의지를 불태우고 있다. 삼성전자는 최근 열린 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM3E 사업은 고객사의 타임라인에 맞춰 순조롭게 진행 중"이라며 "8단 제품은 이미 초기 양산을 개시했고, 빠르면 2분기 말부터 매출이 발생할 것"이라고 자신감을 내비췄다. SK하이닉스도 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM3E는 올해 고객 수요에 맞춰 공급량을 확대해 나갈 것이고, 작년 대비 증가한 공급 능력을 활용할 계획"이라며 "올해 고객이 원하는 HBM3E 제품은 주로 8단"이라고 밝힌 바 있다.

2024.05.09 15:57장경윤

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