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'패키징'통합검색 결과 입니다. (221건)

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한화정밀기계, '세미콘 타이완'서 차세대 TC본더 첫 공개

한화그룹의 반도체 첨단 패키징 장비 및 제조 솔루션 기업 한화정밀기계는 4일부터 6일까지 대만에서 열리는 '세미콘 타이완 2024' 전시회에 참가한다고 5일 밝혔다. 세미콘 타이완은 국제반도체장비재료협회(SEMI)가 주최하는 대만 최대 규모 반도체 산업 전시회로 43개국 700여개 제조사가 참가하는 업계 주요 전시회다. 이번 전시회에서 한화정밀기계는 어드밴스드 패키징 기술 구현이 가능한 3D 적층 In-Line 솔루션을 비롯, 최근 각광받고 있는 인공지능(AI) 반도체 HBM(고대역폭메모리)의 핵심 공정 장비인 TC본더(열압착본더) 'SFM5-Expert'를 처음 선보였다. 3D 적층은 여러 개의 다이(Die)를 수직으로 적층하고, 전도성 물질을 이용하여 다이를 전기적으로 연결하는 패키징 기술로 반도체 칩을 더 작게 만들 수 있어, 고성능 반도체 제작을 위한 필수 공정에 속한 속한다. 또한 소품종 대량생산에 적합한 'SFM5'와 다품종 소량생산에 최적화된 'SFM3-FA'플립칩본더를 출품하여 글로벌 종합 반도체 기업(IDM)과 패키징 기업(OSAT)의 요구사항을 유연하게 대응할 수 있는 전방위 반도체 장비 라인업을 선보였다. 이성수 한화정밀기계 대표이사는 “반도체 후공정 장비로 두차례 장영실상을 수상했을 만큼, 오랜 기간 축적해 온 반도체 기술 역량을 기반으로 사업을 확장하고 있다”며 “지속적인 기술 개발을 통해 글로벌 반도체 고객사에 맞춤형 솔루션을 제공하여 시장을 선도하는 반도체 종합 제조 솔루션 제공사로 자리매김하겠다”고 밝혔다. 한화정밀기계는 올해 1월'반도체 전공정' 사업을 인수해 기존 SMT, 공작기계 사업과 더불어 반도체 전·후 공정을 아우르는 전방위 반도체 장비 제조 솔루션 기업으로 변화하고 있다.

2024.09.05 14:52장경윤

SK하이닉스, 이달 말부터 'HBM3E 12단' 제품 양산 시작

SK하이닉스가 최선단 HBM(고대역폭메모리) 양산을 차질없이 진행한다. 올해 초 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 공급한 데 이어, 이달 말부터 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입할 예정이다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra 담당)은 4일 '세미콘 타이완'에서 'AI 메모리 기술의 새로운 가능성을 열다'를 주제로 키노트를 진행했다. 이날 김 사장은 AI 산업 발전에 대응하기 위한 메모리 반도체의 중대한 요소로 전력 문제를 짚었다. 오는 2028년에는 데이터센터가 현재 소비하는 전력의 최소 두 배 이상을 사용할 것으로 추정되며, 충분한 전력 공급을 위해 소형모듈원전 같은 새로운 형태의 에너지가 필요할 수도 있다. 또한 데이터센터에서 더 많은 전력이 사용되면 비례해서 발생하는 열도 늘어나는 만큼, 효과적인 방열 솔루션을 찾아야 한다. 이를 위해 SK하이닉스는 파트너들과 함께 고용량, 고성능에도 전력 사용량을 최소화해 열 발생을 줄일 수 있는 고효율 AI 메모리 개발을 시도하고 있다. 김 사장은 "AI 구현에 적합한 초고성능 메모리 수요가 증가하고 있다"며 "챗GPT가 도입되기 전까지 대역폭과 관련된 문제는 그다지 중요하지 않았으나, AI 기술이 발전할수록 메모리 대역폭 향상에 대한 요구가 점점 더 커지고 있다"고 설명했다. 이런 장애물들을 극복하기 위해 SK하이닉스는 현재 HBM3E, 고용량 서버 DIMM, QLC 기반 고용량 eSSD와 LPDDR5T를 시장에 공급하고 있다. SK하이닉스는 올해 초부터 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 공급 중이며, 이번달 말부터 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입할 계획이다. 한편 일반 서버와 비교해 AI 서버는 4배 이상의 메모리 용량이 필요한데, 이를 위해 회사는 TSV 기술 기반 서버용 256GB DIMM을 공급 중이다. 또한 SK하이닉스는 QLC 기반 고용량 eSSD를 양산하는 유일한 공급업체로, 향후 전력 효율과 공간 최적화에 크게 기여할 120TB 모델을 선보일 계획이다. 마지막으로 LPDDR5T는 초당 9.6기가비트의 속도로 데이터를 처리하는 온디바이스 AI에 최적화된 제품이다. 미래를 위한 제품과 기술 개발도 순조롭게 진행하고 있다. SK하이닉스는 HBM4를 고객 요구에 맞춰 적기에 공급할 수 있도록 순조롭게 개발 중이다. 베이스다이에 로직 기술을 처음으로 적용하는 HBM4는 TSMC와 협업을 통해 생산할 예정이다. 낸드 분야에서도 SK하이닉스는 최첨단 제품을 지속 개발할 예정이다. 또한 SK하이닉스는 최대 40Gbps를 지원하는 업계 최고 성능의 GDDR7을 양산할 준비가 마무리 단계에 들어섰으며, 혁신적인 대역폭과 전력을 갖춘 LPDDR6도 개발하고 있다. 제품, 기술 개발을 위한 R&D 투자뿐만 아니라 인프라 투자도 계획대로 진행할 예정이다. 김 사장은 "SK하이닉스는 부지조성 공사가 순조롭게 진행 중인 용인 반도체 클러스터에 최첨단 생산시설을 구축할 예정으로, 이곳을 기반으로 글로벌 여러 파트너들과 긴밀한 협력을 나누게 될 것"이라며 "SK하이닉스는 2028년 양산을 목표로 미국 인디애나에 첨단 패키지 공장과 R&D 시설을 건설할 계획으로, 주요 고객 및 파트너들과의 협력을 강화하는데 도움이 될 것"이라고 밝혔다.

2024.09.04 17:30장경윤

한미반도체, 세미콘 타이완서 '7세대 마이크로 쏘' 장비 첫 공개

한미반도체는 오늘(4일)부터 대만 타이페이에서 열리는 '2024 세미콘 타이완'에서 '7세대 뉴 마이크로 쏘 & 비전 플레이스먼트 6.0 그리핀'을 처음으로 선보인다고 4일 밝혔다. 7년여의 연구 끝에 개발된 7세대 뉴 마이크로 쏘 & 비전 플레이스먼트는 인공지능 반도체 HBM용 TC 본더와 함께 한미반도체를 대표하는 핵심 장비다. 1998년 출시한 1세대 모델부터 현재까지 세계 유수의 반도체 회사에 납품되며 많은 신뢰를 받고 있고, 2004년부터 작년까지 20년 연속 세계 시장점유율 1위를 자랑하는 월드 베스트 제품으로 알려져 있다. 한미반도체 관계자는 “총 270건의 특허가 적용된 첨단기술의 집약체인 7세대 뉴 마이크로 쏘 & 비전 플레이스먼트는 이전 모델에 비해 생산성과 정밀도 향상은 물론이고, 사용자 편의와 장비 무인 자동화 기술 '블레이드 체인지 마스터'와 '오토 키트 체인지', 그리고 '완전 자율 장비 셋업'이 새롭게 추가됐다"며 "장비 운용에 따른 관리 비용과 부담을 획기적으로 절감했다”고 강조했다. 한미반도체는 고객사로부터 수주 받은 HBM용 TC 본더가 이번 3분기부터 본격적인 납품이 시작돼 2024년 매출 목표인 6천500억원을 전망하고 있다. 또한 지난 7월 말 확보한 연면적 1만평의 공장 설립 부지에 2025년 말 신규 공장증설이 완공되면 2026년 매출 목표인 2조원 달성은 한층 가능성이 높아질 것으로 내다보고 있다.

2024.09.04 14:37장경윤

박문필 SK하이닉스 부사장 "HBM 1등 사수...백엔드 미래 기술 확보"

"SK하이닉스는 내부 검증 절차를 통해 HBM3E의 완성도를 높인 후, 고객 테스트를 단 한 번의 문제도 없이 통과한 바 있다. 나아가 새로운 HBM 시대에 대비해 백엔드 미래 기술을 확보하는 데도 집중할 것이다." 박문필 SK하이닉스 HBM PE 담당 부사장은 4일 회사 공식 뉴스룸과의 인터뷰를 통해 이같이 밝혔다. SK하이닉스는 올 초 전사적으로 HBM 경쟁력을 강화하기 위해 관련 역량과 기능을 결집한 'HBM 비즈니스' 조직을 신설했다. 산하 조직인 HBM PE 조직 역시 ▲HBM 제품 테스트 및 검증을 통해 품질 관리를 담당하는 프로덕트 엔지니어링(Product Engineering)팀 ▲시스템 레벨에서 제품을 평가하는 어플리케이션 엔지니어링(application Engineering)팀 ▲제품 적기 개발 및 사업화 추진을 위해 고객과 회사간 협업을 주도하는 프로젝트 매니지먼트(Project Management)팀을 산하에 배치해 전문성을 강화했다. 박 부사장은 'HBM 1등' 리더십을 수성하기 위해 가장 중요한 것으로 '적기(適期)'를 꼽으며 "제품을 적시에 개발하고 품질을 확보해 고객에게 전달하는 것이 가장 중요하다"고 설명했다. 또한 그는 “HBM PE 조직은 품질 경쟁력뿐만 아니라 제품 생산성까지 극대화하는 데 많은 노력을 기울이고 있다”고 덧붙였다. HBM은 적층되는 칩의 수가 많은 만큼 여러 품질 문제가 발생할 수 있다. 또한 GPU와 결합하는 SiP(시스템 인 패키지) 등 다양한 조건에서 성능을 종합적으로 확인해야 하기에 테스트 과정이 오래 걸릴 수밖에 없다. 때문에 제품을 빠르게 검증하고, 고품질을 확보할 수 있는 테스트 베이스라인을 만드는 것이 중요하다. 박 부사장은 "HBM PE 조직은 제품의 개선점을 빠르게 찾아 양산 역량까지 확보할 수 있는 기술 노하우를 보유하고 있다"며 "대표적으로 내부 검증 절차를 통해 HBM3E의 완성도를 높인 후 고객 테스트를 단 한 번의 문제도 없이 통과한 사례가 이를 입증한다"고 설명했다. 고객의 목소리에 귀 기울여 HBM의 품질을 더 높이고, 신제품 기획 및 개발 일정을 조율하는 것 또한 HBM PE 조직의 주요 임무다. 이를 위해 박 부사장은 HBM 주요 고객사를 위한 오픈랩(Open Lab)을 운영 중이며, 이 랩은 대내외 소통 창구 역할을 하며 주어진 과제에 기민하게 대응하고 있다. 박 부사장은 입사 후 약 15년간 D램 설계 직무를 수행한 후 2018년 D램 PE 직무로 전환했다. 당시 4명의 소수 구성원으로 출발했던 팀은 5년여 만에 70여 명의 조직으로 성장했다. PE 업무에 자신이 보유한 D램 설계 노하우를 접목시키며 혁신을 불어넣은 박 부사장의 노력 덕분이었다. 그동안 사내 SKMS 실천상을 4번이나 수상하며 능력을 인정받았던 박 부사장은 가장 난이도가 높았던 제품으로 HBM을 꼽았다. 박 부사장은 "지난 2022년 쉽지 않았던 HBM3 고객 인증을 잘 해결해냈던 일이 기억에 남는다"며 "고객 시스템 레벨에서 적용할 수 있는 솔루션까지 확보하며 대응 역량의 수준을 한층 높이는 성과도 얻었다"고 밝혔다. 박 부사장의 다음 목표는 12단 HBM3E와 HBM 6세대 제품인 HBM4의 성공적인 사업화다. 그는 "객관적인 데이터를 바탕으로 우리 제품의 압도적인 성능과 경쟁력을 고객이 이해할 수 있도록 기술 협업 및 신뢰 관계를 잘 구축해 나가겠다"며 "특히 새로운 HBM 시대에 대비해 백엔드 미래 기술을 확보하는 데도 집중할 것"이라고 강조했다. 마지막으로 박 부사장은 "HBM이 고객별 맞춤형 커스텀(Custom) 제품으로 다양하게 변모하면서, 새로운 제품 설계 방식이 도입되고 테스트 관점에서도 기존 패러다임의 전환이 이루어질 것으로 예측하고 있다"며 "HBM PE 조직은 이에 대비해 다양한 이해관계자들과 협업 프로세스를 구축하며 관련 인프라를 확충하고, 이 분야 인재들을 발굴·육성하기 위해 노력할 것"이라고 강조했다.

2024.09.04 09:51장경윤

SK하이닉스, "16단 HBM에도 '어드밴스드 MR-MUF' 적용 가능성 확인"

"오는 2025년 양산 예정인 HBM4는 이전 세대 대비 성능 및 에너지 효율이 높을 것으로 기대하고 있다. 특히 16단 제품의 경우, 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 기술의 적용 가능성을 확인했다." SK하이닉스 이강욱 부사장(PKG개발 담당)은 3일 '세미콘 타이완'에서 회사의 HBM 경쟁력에 대해 이같이 말했다. 이날 'AI 시대를 대비하는 HBM과 어드밴스드 패키징 기술'을 주제로 세션 발표를 진행한 이 부사장은 HBM 시장의 가파른 성장세를 예견했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리로, 기존 D램에 비해 데이터 처리 성능이 뛰어나다. HBM은 현재 5세대 제품인 HBM3E까지 상용화에 성공했다. 8단, 12단 HBM3E는 초당 1.18TB 이상의 데이터를 처리하며 최대 36GB 용량을 지원한다. HBM4는 12, 16단으로 공급되며 용량은 최대 48GB까지, 데이터 처리 속도는 초당 1.65TB 이상으로 성능이 발전한다. HBM4부터는 베이스 다이에 로직 공정을 적용함으로써, 성능 및 에너지 효율 향상을 기대하고 있다. 이와 같은 시장 성장세에 맞춰 HBM 분야 리더인 SK하이닉스는 2015년 업계 최초로 HBM 제품을 양산한 후, 연이어 최고 성능의 HBM 제품들을 세계 최초로 출시하면서 업계를 선도하고 있다. 오는 2025년에는 HBM4 12단 제품도 출시할 예정이다. 특히 SK하이닉스는 독자적으로 개발한 혁신적인 패키징 기술을 통해 HBM 제품의 에너지 효율 및 열 방출(방열 성능) 측면에서 경쟁력을 갖추고 있다. SK하이닉스가 HBM 제품에 적용한 MR-MUF 패키징 기술은 낮은 본딩(칩 접합) 압력, 온도 적용과 일괄 열처리가 가능해 생산성과 신뢰성 측면에서 다른 공정보다 유리하다. 또한 높은 열전도 특성을 갖는 Gap-Fill 물질(빈 공간을 채우는 물질) 및 높은 밀도의 메탈 범프 형성이 가능해. 타 공정 대비 열 방출 면에서 30% 이상의 성능 장점을 가진다. SK하이닉스는 HBM3와 3E 8단 제품에 MR-MUF, 12단 제품에 Advanced MR-MUF기술을 적용해 양산을 하고 있으며, 내년 하반기 출하 예정인 HBM4 12단 제품에도 Advanced MR-MUF를 적용해 양산할 계획이다. 16단 제품을 위해서는 Advanced MR-MUF와 하이브리드 본딩 방식 모두에 대한 준비를 하고 있으며, 고객 니즈에 부합하는 최적의 방식을 선택할 계획이다. 특히 SK하이닉스는 16단 제품 대응을 위한 기술을 개발 중인데, 최근 연구에서 16단 제품에 대한 Advanced MR-MUF 기술 적용 가능성을 확인했다. 하이브리드 본딩 기술을 적용할 경우 제품 성능, 용량 증가 및 열 방출 측면에서 장점이 있으나, 기술 완성도 및 양산 인프라 준비 측면에서 해결해야 할 여러 선결 과제들이 있다. 두 가지 방식에 대한 기술 완성도를 빠르게 높여, 메모리 고용량화에 대한 고객 니즈에 선제적으로 대응하겠다는 전략으로 풀이된다. SK하이닉스는 HBM4 및 이후 세대 제품 개발을 준비하고 있으며, 대역폭, 용량, 에너지 효율 측면에서의 기술적 난제들을 해결하기 위해 2.5D 및 3D SiP(시스템 인 패키지) 패키징 등을 포함 다양한 대응 방안을 검토하고 있다. 또한 HBM4E 부터는 커스텀(Custom) 성격이 강해질 것으로 예상돼, SK하이닉스는 다양한 고객 요구에 효율적으로 대응하기 위한 생태계 구축 관점에서도 글로벌 파트너들과의 협력을 강화해 가고 있다.

2024.09.03 14:36장경윤

삼성전기, 퀄컴 '2024 올해의 공급 업체 부품상' 수상

삼성전기는 미국 샌디에이고에서 열린 퀄컴 공급 업체 써밋에서 '2024 올해의 공급 업체 부품상'을 수상했다고 2일 밝혔다. 삼성전기는 품질이 뛰어난 제품을 개발하고 공급해 온 공로를 인정받아 이번 2024 올해의 공급 업체 부품상을 수상했다. 퀄컴 공급 업체 써밋은 전 부분에 걸쳐 전세계 15개국 약 130여개 공급 업체를 대상으로 종합평가해 8개 부문 별 최고 공급 업체에 '올해의 공급 업체상'을 수여한다. 이번에 수상한 공급 업체들은 퀄컴이 자동차, 컴퓨터, XR, 산업용 IoT 등 산업 전반으로 비즈니스를 다각화하는데 핵심적인 파트너다. 삼성전기는 국내 최대 반도체기판 업체로 BGA, FCBGA등 반도체기판 분야에서 차별화된 기술력으로 세계 유수의 기업들로 제품을 공급하며 기판업계를 이끌고 있다. 특히, 최고사양 모바일 AP용 반도체기판은 점유율과 기술력으로 독보적인 1위를 차지하고 있다. 또한 반도체기판 중 가장 기술 난도가 높은 서버용 반도체기판을 국내 최초로 양산하고, 높은 신뢰성을 요구하는 전장용 반도체기판을 양산하는 등 기판 분야에서 세계 최고 기술력을 보유하고 있다. 장덕현 삼성전기 대표이사 사장은 “이번 수상을 통해 BGA, FCBGA 등 반도체기판 분야에서 업계 최고 수준의 반도체기판 기술력을 인정받았다"며 "삼성전기는 차별화된 품질과 혁신적인 기술개발을 통해 고객 가치를 더욱 높이도록 최선을 다할 것“이라고 말했다. 로아웬 첸 퀄컴 CSCOO(Chief Supply Chain & Operations officer)는 "삼성전기에 '2024 올해의 공급 업체 부품상'을 수여하게 되어 기쁘다"며 "퀄컴이 산업 전반으로 사업을 다각화하는데 우리의 공급 업체들은 필수적인 파트너"라고 밝혔다.

2024.09.02 09:33장경윤

첨단 패키징 장비 시장, 올해 10% 이상 성장…"AI 수요 덕분"

최첨단 패키징 장비 시장이 올해와 내년 높은 성장률을 기록할 것이라는 분석이 나왔다. TSMC, 인텔, 삼성전자, SK하이닉스 등이 AI 반도체 성장에 힘입어 관련 설비투자를 적극 진행하는 데 따른 영향이다. 31일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 첨단 패키징용 장비 시장은 올해 10%, 내년 20% 이상 성장할 전망이다. 첨단 패키징은 AI 반도체 등 고성능 칩 제조의 핵심 요소로 주목받고 있다. 기존 전공정에서 이뤄지던 회로 미세화가 점차 한계에 다다르고 있기 때문으로, 첨단 패키징을 활용하면 반도체 성능을 획기적으로 향상시킬 수 있다. 대표적으로 대만 주요 파운드리 TSMC는 자체 개발한 'CoWoS' 패키징을 통해 엔비디아, AMD, 애플 등 글로벌 팹리스의 고성능 반도체를 패키징하고 있다. CoWoS는 '칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트'의 준말이다. 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입해, 패키징 면적을 줄이고 칩 간 연결성을 높이는 2.5D 패키징 기술을 뜻한다. 특히 AI 서버용 칩에서 수요가 높아 지속적인 공급부족 현상이 일어나고 있다. 트렌드포스는 "TSMC는 대만 주난, 타이중 등 각지에서 첨단 패키징 용량을 늘리고 있고, 인텔도 미국과 말레이시아 등에서 패키징 사업을 준비 중"이라며 "한편 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등은 HBM 패키징 설비투자에 주력하고 있다"고 설명했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. 제조가 완료된 D램을 높은 집적도로 쌓아야 하기 때문에, 고성능의 본딩 기술 등이 요구된다. 첨단 패키징 장비에는 전기도금장비, 다이 본더, 씨닝 장비, 다이싱 장비 등 다양한 분야가 포함된다. 트렌드포스는 "첨단 패키징 장비 시장은 일부 국가가 주도하는 전공정 장비와 달리 기술적 진입 장벽이 낮다"며 "TSMC도 비용 감소 및 공급망 강화 전략으로 대만 현지 패키징 장비 업체의 육성을 촉진하고 있다"고 설명했다.

2024.09.01 09:32장경윤

'12단 HBM3E' 수급 다급해진 엔비디아…삼성·SK 대응 분주

엔비디아가 최근 생산 차질 논란이 불거진 최신형 AI 반도체 '블랙웰'을 당초 일정대로 양산하겠다고 밝혔다. 칩 재설계를 통한 대체품을 내놓는 것으로, HBM(고대역폭메모리) 역시 더 높은 용량의 제품을 탑재하기로 했다. 이에 따라 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 기업도 최선단 HBM의 인증을 서두르기 위한 대응에 나선 것으로 파악됐다. 29일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 제조업체는 엔비디아의 최신 GPU '블랙웰' 칩 설계 변경에 따라 HBM3E 12단 인증을 서두르고 있다. 블랙웰은 엔비디아가 지난 3월 공개한 최신형 AI 반도체다. TSMC의 4나노미터(nm) 공정을 기반으로, 총 2천80억개의 트랜지스터를 집적했다. 이는 기존 GPU 대비 2배가량 많은 것으로, 2개의 GPU 다이(Die)를 10TB(테라바이트)/s의 빠른 데이터 전송 속도로 연결했기 때문에 가능한 수치다. 세부적으로 블랙웰 GPU는 전력소모량에 따라 700W급인 B100, 최대 1200W급인 B200으로 나뉜다. 당초 엔비디아는 B100 GPU 2개와 '그레이스' CPU 1개를 결합한 구조의 AI 가속기 'GB200'을 회사 회계연도 기준 2025년 4분기(2024년 11월~2025년 1월) 출시할 예정이었다. ■ SoC 재설계로 HBM3E도 8단→ 12단 변경 그러나 최근 GB200의 양산 일정에 차질이 생겼다. 업계에서 분석하는 원인은 크게 두 가지다. 하나는 B100 칩 설계의 문제, 또 하나는 GB200에 필요한 TSMC의 최첨단 패키징 'CoWoS-L'의 용량 부족이다. CoWoS는 엔비디아가 자체 개발한 2.5D 패키징 기술로, 로직반도체와 HBM을 SiP(시스템 인 패키지) 형태로 묶는 것을 뜻한다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 활용되는 소재에 따라 종류가 나뉘며, CoWoS-L의 경우 로컬실리콘인터커넥트(LSI)라는 소형 인터포저를 채용한다. 이에 엔비디아는 즉각 대응책을 수립했다. 기존 B100을 개량한 'B102'를 대체품으로 재설계하고, 이를 기반으로 'GB200A'를 제작하기로 했다. A는 공랭(Air Cooling)의 의미다. 패키징 구조 역시 변경된다. GB200은 GPU 2개를 묶어 한 칩처럼 동작하게 하고, 주변에 HBM3E 8단(24GB)을 8개 집적하는 형태다. 반면 GB200A는 GPU를 묶지 않고 B102 칩 하나에 HBM3E 12단(36GB)를 4개 집적한다. 내장된 GPU 2개가 총 HBM 8개를 운용하는 것보다 효율이 떨어지기 때문에, 단일 HBM의 용량을 높이고자 12단을 채용한 것으로 분석된다. 엔비디아는 이 같은 칩 재설계를 통해 어제(29일 한국시간) 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "당초 계획대로 블랙웰 GPU 양산 공급을 연말에 진행하겠다"는 뜻을 밝혔다. ■ HBM3E 12단 공급 빨라져야…삼성·SK 대응 분주 엔비디아가 블랙웰 GPU의 양산 일정을 고수하면서, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 메모리 제조업체들의 대응 또한 분주해지고 있다. 당초보다 빨리 HBM3E 12단 제품을 엔비디아에 공급해야 하는 상황에 놓였기 때문이다. HBM3E는 5세대 HBM으로, 올해 상반기 8단 제품부터 상용화에 들어갔다. 더 많은 D램을 적층하는 12단 제품은 주요 메모리 3사 모두 고객사와의 퀄(품질) 테스트를 거치고 있으며, 아직까지 공식 승인을 받은 기업은 없다. 이에 엔비디아도 주요 메모리 제조사에 HBM3E 12단 승인을 앞당기기 위한 논의를 진행한 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "엔비디아의 요청에 따라 메모리 제조사들도 HBM3E 12단 물량을 급하게 늘리려는 움직임을 보이고 있다"며 "HBM3E 12단의 수율이 상대적으로 낮고, 긴급한 주문이기 때문에 메모리 제조사 입장에서도 더 높은 가격을 책정받을 수 있다는 이점을 누릴 수 있다"고 설명했다.

2024.08.30 10:04장경윤

DMS, 세정장비 사업 'OLEDoS·유리기판'으로 보폭 넓힌다

국내 디스플레이 장비업체 디엠에스(DMS)가 사업 영역을 확장한다. 기존 사업과 기술적 관련성이 높은 OLEDoS·반도체 유리기판용 세정장비 사업이 주 타겟으로, 현재 중화권 고객사와의 협의가 진행되고 있다. OLEDoS의 경우 이르면 올 하반기에도 구체적인 성과가 나올 수 있을 것으로 전망된다. 김기영 DMS 부사장은 지난 28일 경기 용인 본사에서 열린 기자간담회에서 회사의 성장 전략에 대해 이같이 말했다. ■ 하반기 OLED 투자 본격화…8.6G IT OLED도 기대 DMS는 국내 디스플레이 장비 전문업체로, 신재생에너지와 헬스케어 사업도 함께 영위하고 있다. 주력 장비는 디스플레이 패널의 각종 물질을 씻어내는 습식 세정장비다. 지난 2022년 기준, 관련 시장에서 전 세계 49%의 시장 점유율을 확보하고 있다. 올해 상반기 매출은 849억 원, 영업이익은 159억 원으로 각각 전년동기 대비 한 자릿 수 증가했다. LG디스플레이 등 국내 주요 고객사의 투자가 지난해부터 부진한 상황이나, 중국 BOE·티엔마 등으로부터 견조한 수요가 발생한 덕분이다. 올 하반기에도 DMS는 견조한 실적을 올릴 수 있을 것으로 관측된다. 올 하반기 회사의 예상 수주액은 1천억 원으로, 올 상반기 기준 수주잔고인 650억 원 대비 350억 원가량 많다. 김 부사장은 "상반기는 LCD 분야 투자가 주를 이뤘으나, 하반기는 한국 및 중국 고객사의 신규 OLED 투자에 따른 수주 증대가 예상된다"며 "IT용 OLED 투자가 올해 및 내년 본격화된다는 점도 기대 요소"라고 설명했다. 앞서 BOE는 지난해 말 11조원 이상의 금액을 들여 청두 지역에 8.6세대 IT용 OLED 라인인 'B16'을 짓기로 하고, 현재 투자를 진행 중이다. 티엔마, 비전옥스 등도 8.6세대 IT용 OLED 투자를 계획하고 있다. 김 부사장은 "중화권 고객사들과 8.6세대 IT용 OLED 장비 투자에 대한 시점을 지속 협의하고 있는 상태"로 "올 4분기 정도가 되면 실제 수주에 대한 구체적인 결정이 날 것으로 본다"고 말했다. ■ OLEDoS·유리기판 등으로 사업 보폭 확장 나아가 DMS는 습식 세정장비의 사업 영역을 OLEDoS, 유리기판 등으로 확대할 예정이다. 두 분야 모두 현재 중화권 등 해외 시장을 중심으로 장비 공급을 위한 협의를 진행하고 있다. OLEDoS는 픽셀(화소) 크기를 기존 OLED 대비 10분의 1 수준인 4~20마이크로미터(㎛)로 구현한 디스플레이다. 유리기판 대신 반도체에 쓰이는 실리콘 웨이퍼 위에 OLED 소자를 증착하는 구조다. 김 부사장은 "OLEDoS의 시장 확대 조짐이 있어 올해 하반기에는 장비 공급을 가시화할 수 있을 것"이라며 "초기 투자 부분은 크지 않겠지만, 잠재 고객사들이 R&D 팹 구축을 계획하고 있어 수혜를 볼 수 있을 것"이라고 밝혔다. 유리기판은 기존 PCB(인쇄회로기판) 대비 표면이 매끄럽고 가공성이 우수해 첨단 반도체 제조에 용이하다. 때문에 삼성전자. TSMC, 인텔 등 주요 반도체 기업이 앞다퉈 상용화를 추진하고 있다. 유리기판은 전자가 이동하기 위한 미세한 홀(구멍)을 뚫는 TGV(유리관통전극) 공정을 거친다. TSV 공정에는 식각가스 등이 쓰이는 데, 이를 제거하기 위해선 세정장비가 필요하다. 김 부사장은 "첨단 패키징의 영역인 유리기판 세정은 기존 디스플레이 공정과의 유사성이 높아 이 부분에 주목하고 있다"며 "중국, 대만 등을 중심으로 시장 진출을 추진하고 있고, 향후에는 반도체 시장으로의 진입도 준비할 것"이라고 말했다. ■ '日 독점' 中 코터 장비 시장 도전 이외에도 DMS는 디스플레이 코터 사업에 뛰어든다. 코터는 디스플레이 패널에 특정 물질을 도포하는 장비다. DMS는 세정 외에도 필름 코팅·식각·박리 등 다양한 공정 기술을 이미 보유하고 있다. 현재 중국 내 코터 시장은 일본 DNS(다이니폰스크린)·TEL(도쿄일렉트론) 두 기업이 99%의 점유율로 사실상 독점 체제를 이뤄 왔다. 다만 일본 기업들이 주력 산업인 반도체 분야에 집중하고 있고, 중국의 고객사 다변화 전략으로 시장 진입 기회가 충분하다는 게 DMS의 설명이다. 김 부사장은 "일본에 너무 높은 의존도를 가지고 있다 보니, 중국 시장에서도 새로운 업체를 발굴하고 싶다는 니즈가 있다"며 "기존 코터에서 성능을 개선한 신규 장비를 연구개발하면서 고객사와 논의를 구체화하고 있다"고 강조했다.

2024.08.29 12:00장경윤

AI칩 각광에 패키징 소재도 첨단화…日 레조낙 개발 선도

엔비디아·AMD 등의 주도로 고성능·고집적 반도체가 지속 출시되면서, 반도체 소재 업계도 첨단 제품 개발에 열을 올리고 있다. 올해에는 일본 레조낙이 기존 대비 뛰어난 특성을 갖춘 패키징 소재를 개발해, AI 반도체 향으로 본격적인 양산에 나섰다. 이광주 LG화학 연구위원은 28일 한양대학교 'SSA(Smart Semiconductor Academy)'에서 AI 반도체향 첨단 패키징 시장 동향에 대해 이같이 발표했다. 현재 LG화학은 반도체 후면연마(BGT), 부착(DAF)등 반도체 후공정 분야에 필요한 소재를 양산 중이다. PCB(인쇄회로기판)의 핵심 소재인 동반적층판(CCL)용 소재 사업도 영위하고 있다. 이 연구원은 "AI, HPC(고성능컴퓨팅) 등을 위한 고성능 반도체 개발로 이전에 없던 다양한 패키징 소재들이 연구되고 있다"며 "상용화를 위해서는 방열 특성을 좋게하거나 소재의 두께를 얇게 하는 등, 여러 가지 기술적 과제들을 해결해야 한다"고 설명했다. 특히 고성능 AI 반도체를 위한 차세대 소재 개발 경쟁이 치열한 것으로 전해진다. 현재 엔비디아의 블렉웰 시리즈, AMD MI300 시리즈 등 방대한 양의 데이터 처리를 위한 AI 서버용 칩이 지속 출시되고 있다. 여기에 중요한 소재 중 하나가 TIM(열계면물질)이다. TIM은 반도체 칩에 방열판을 접착시키기 위해 사용되는 고분자 재료다. 칩에서 나오는 열을 방열판으로 잘 전달해줘야 하기 때문에 높은 열전도율을 갖춰야 하며, 동시에 접착성이나 안정성도 뛰어나야 한다. TIM에 주로 사용되는 물질은 폴리머, 그라파이트(흑연), 메탈 등으로 나뉜다. 각 물성에 따라 적용처가 다르다. 후자로 갈수록 열전도율이 높아 방열처리가 유리하기 때문에, 업계는 고성능 AI 반도체 향으로 그라파이트, 메탈 기반의 TIM을 개발해 왔다. 다만 메탈 TIM은 소재 두께를 얇게하거나 뛰어난 유연성을 구현하기 어렵다는 단점이 있다. 이로 인해 AI 반도체 시장에서는 올해부터 그라파이트 TIM이 메탈 TIM에 앞서 선제적으로 양산에 적용됐다. 일본의 주요 소재 기업인 레조낙이 상용화에 성공한 것으로 알려졌다. 이광주 연구원은 "메탈 TIM이 방열 특성이 좋기는 하지만 아직 기술적으로 완성되지는 않았다"며 "국내외에서 많은 기업들이 고방열 특성의 TIM을 개발하고 있고, 현재는 레조낙이 가장 제일 앞서나가는 형국"이라고 설명했다.

2024.08.28 15:41장경윤

'韓 반도체' 미래기술 로드맵 나왔다…CFET·3D 메모리 주목

국내 반도체 산업의 경쟁력 강화를 위한 전략이 한층 고도화된다. 기존 선정된 45개 연구주제에 더해, CFET과 3D 적층 등 14개 핵심기술이 추가 과제로 선정됐다. 27일 '2024 반도체 미래기술 로드맵 발표회'가 양재 엘타워에서 진행됐다. 앞서 정부는 지난해 5월 반도체 초격차 기술 확보를 위한 반도체 미래기술 로드맵을 발표한 바 있다. 해당 로드맵에는 고집적 메모리·AI 반도체·첨단 패키징 및 소부장 등이 포함됐다. 추진 전략은 크게 설계 소자·설계·공정 등 세 가지로 나뉜다. 세부적으로는 ▲D램·낸드 신소자 메모리 및 차세대 소자 개발 ▲AI·6G·전력·차량용 반도체 설계 분야 원천기술 선점 ▲전·후공정 분야 핵심기술 확보로 소재·장비·공정 자립화 등이다. 이번 발표회에서는 지난해 추진 전략을 고도화한 신규 로드맵이 발표됐다. 반도체 기술이 나노미터(nm)를 넘어 옹스트롬(0.1nm)으로 넘어가는 추세에 선제 대응하기 위해, 연구주제를 기존 45개에서 59개로 총 14개 추가한 것이 주 골자다. 새롭게 추가된 주요 과제로는 CFET과 3D 메모리 등이 있다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술로, GAA를 수직으로 쌓아 올리는 구조다. 3D 메모리는 기존 수평으로 집적하던 셀(Cell)을 수직으로 적층하는 기술을 뜻한다. 정부 역시 반도체 분야 R&D 투자에 더 많은 지원을 펼치고 있다. 정부의 예산 투자 규모는 지난해 5천635억원에서 올해 6천361억원으로 12.8% 증가했다. 김형준 차세대지능형반도체사업단 단장은 "AI 반도체 시장이 부흥하고 있는 만큼 국내에서도 1페타바이트 급의 NPU(신경망처리장치) 개발을 추진할 것"이라며 "하이브리드 본딩과 고방열 소재, 광패키징 등 최첨단 패키징 분야도 새롭게 로드맵에 추가했다"고 밝혔다.

2024.08.27 17:35장경윤

ACM리서치, FOPLP 패키징용 신형 도금장비 출시

ACM리서치는 팬아웃-패널레벨패키징(FOPLP)용 신형 '울트라(Ultra) ECP ap‐p' 패널 전기화학 도금 장비를 출시했다고 27일 밝혔다. 이 장비는 ACM 리서치가 자체적으로 개발한 수평식 도금 방식을 적용해 전체 패널에 걸쳐 우수한 균일성과 정밀도를 확보했다. 데이비드 왕 ACM 사장 겸 CEO는 "FOPLP는 높은 대역폭과 높은 밀도의 칩 간 상호연결을 제공할 수 있어 발전 잠재력이 더 크다"며 "Ultra ECP ap-p 장비는 패널 레벨 애플리케이션용 수평식 도금 방식을 채택한 최초의 장비 중 하나"라고 설명했다. 그는 이어 "이번 장비는 ACM이 전통적인 첨단 패키징의 웨이퍼 레벨 도금 및 구리 공정에서 축적해 온 풍부한 기술을 활용하고 있다"며 "GPU와 고밀도 고대역폭메모리(HBM)에도 적용될 수 있을 것이라 믿는다”고 덧붙였다. ACM 리서치의 Ultra ECP ap‐p 장비는 515mm x 510mm의 패널을 가공할 수 있으며, 옵션으로 600mm x 600mm 버전도 제공된다. 이 장비는 유기 재료와 유리 재료를 겸용할 수 있으며 실리콘 관통 전극(TSV) 충전, 구리 기둥, 니켈(Ni), 주석-은(SnAg) 도금, 솔더 범핑에 대한 지원 능력도 포함한다. 또한 새로운 장비는 구리, 니켈, 주석-은과 금 도금을 필요로 하는 고밀도 팬아웃(HDFO) 제품에 사용할 수 있다. Ultra ECP ap‐p 장비는 ACM 리서치가 자체적으로 개발한 기술을 적용하여 전체 패널의 전기장을 정확하게 제어할 수 있다. 이 기술은 다양한 제조 공정에 적용되어 전체 패널의 일치한 진공 세정 효과를 확보하고 나아가 패널 내부와 패널 사이의 우수한 균일성을 확보한다. 또한 Ultra ECP ap‐p 장비는 수평(평면) 진공 세정 방식을 적용해 패널 전송 과정에 발생하는 홈통간 오염을 통제하고 다른 진공 세정액 간의 교차 오염을 효과적으로 감소할 수 있어 서브미크론 RDL(redistribution layer)과 마이크로 컬럼을 갖춘 대형 패널의 이상적인 선택이 될 수 있다. 이외에도 해당 장비는 탁월한 자동화와 로봇팔 기술까지 적용해 전체 공정 과정에서 패널이 고효율적이고 고품질적으로 전송될 수 있게 했다. 자동화 프로세스는 전통적 웨이퍼 처리 과정과 유사하지만, 더 크고 더 무거운 패널을 처리하기 위해 패널 턴 유닛을 별도로 추가했다. 이를 통해 정확하게 위치를 정하고 패널을 전이시켜 하향 도금 등을 편리하게 지원하며, 처리 정확성과 고효율성을 확보했다.

2024.08.27 10:13장경윤

"HBM용 하이브리드 본딩은 아직 미완성"…기술적 난제는

"차세대 HBM에 하이브리드 본딩을 적용하면 여러 이점이 있으나, 이 기술은 아직 완성되지 않아 시간이 더 필요하다. 현재로선 CMP와 파티클이라는 두 가지 문제가 가장 큰 허들로 작용하고 있다." 문기일 SK하이닉스 부사장은 지난 26일 한양대학교 'SSA(Smart Semiconductor Academy)'에서 HBM용 하이브리드 본딩 기술에 대해 이같이 말했다. 이날 '어드밴드스 패키징 기술과 미래 전망'을 주제로 발표를 진행한 문 부사장은 "AI 산업 발전에 따라 메모리 패키징 기술도 제품의 성능과 용량을 극대화하는 방식으로 발전해 왔다"며 "HBM도 현재 범프를 쓰고 있으나 결국 하이브리드 본딩으로 나아가기는 할 것"이라고 설명했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)으로 연결한 차세대 메모리다. 각각의 D램은 수십 마이크로미터(㎛) 수준의 작은 마이크로 범프를 통해 전기적으로 연결된다. 이 때 층마다 형성되는 범프의 수는 20만개에 달한다. 다만 기존 본딩 기술은 HBM 분야에서 점차 한계에 직면하고 있다. HBM의 D램 적층 수가 8단, 12단, 16단 순으로 점차 많아지는 반면, HBM 패키지의 두께는 크게 늘어나고 있지 않기 때문이다. 내년 양산될 HBM4의 두께가 775마이크로미터로 이전 세대(720마이크로미터) 대비 늘어날 예정이기는 하나, 임시 방편의 성격이 강하다. 때문에 업계는 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 하이브리드 본딩을 대안 기술로 개발해 왔다. 해당 기술은 범프를 쓰지 않기 때문에, HBM의 패키지 두께를 크게 줄일 수 있다는 이점이 있다. TSV의 간격을 줄일 수 있어 칩 사이즈 축소에도 유리하다. 당초 업계는 HBM4에 하이브리드 본딩 기술이 적용될 것이라고 예상해 왔다. 그러나 HBM4 패키지 두께 완화, 하이브리드 본딩 기술의 미성숙 등으로 여전히 기존 본딩 기술이 채택될 가능성이 높은 상황이다. 문 부사장은 "칩과 칩을 직접 붙이기 위해서는 표면이 굉장히 평평해야 하기 때문에 CMP(화학·기계적 연마) 공정을 거친다"며 "일반 제조 환경에서 요구하는 CMP의 평탄함 정도가 수십 나노미터(nm)인 데 반해, 하이브리드 본딩에서는 수 나노의 미세한 수준을 요구한다"고 설명했다. 그는 이어 "표면이 무작정 평탄해서도 안되고, 어떤 경우에는 디싱(오목하게 들어간 부분)을 고의적으로 수 나노 수준으로 형성하기도 한다"며 "웨이퍼 공정 이후의 패키징 공정에서 발생하는 파티클(미세오염)도 큰 문제"라고 덧붙였다. 패키징은 웨이퍼 상의 칩을 개별 다이(Die)로 분리하는 다이싱(Dicing) 공정을 거친다. 이 때 표면이 갈려나가면서 작은 파티클이 형성되는데, 이는 반도체 수율을 떨어뜨리는 악영향을 미친다. 문 부사장은 "기계적인 다이싱 공정에서는 기존 패키징 단에서는 상상도 할 수 없는 파티클이 발생하게 된다"며 "미세한 파티클을 계측하고, 이를 제거할 수 있는 기술이 필요해 공정적으로 수율 확보가 어려운 상황"이라고 밝혔다.

2024.08.27 09:00장경윤

SK하이닉스, 10월 HBM4 '테이프아웃'…엔비디아 공략 고삐

SK하이닉스의 HBM4(6세대 HBM) 상용화 계획이 가시권에 접어들었다. 핵심 고객사인 엔비디아향 HBM4 설계가 마무리 단계에 접어들어, 4분기 초에 설계 도면을 제조 공정에 넘기는 '테이프아웃'을 진행할 것으로 파악됐다. 26일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 10월 엔비디아향 HBM4에 대한 '테이프아웃'을 완료할 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. 현재 5세대 제품인 HBM3E까지 상용화된 상태로, 다음 세대인 HBM4는 내년 하반기부터 양산이 시작될 것으로 전망된다. HBM4는 데이터 전송 통로인 I/O(입출력 단자) 수를 이전 세대 대비 2배 많은 2048개 집적한 것이 특징이다. D램 적층 수는 제품 개발 순서에 따라 12단·16단으로 나뉜다. 엔비디아의 경우 2026년 출시 예정인 차세대 고성능 GPU '루빈(Rubin)' 시리즈에 12단 적층 HBM4를 채용할 것으로 관측된다. 이에 SK하이닉스는 엔비디아향 HBM4를 공급하기 위한 개발팀을 꾸리고 설계를 진행해 왔다. 최근에는 설계가 마무리 단계에 접어들어, 오는 10월 테이프아웃 일정을 확정했다. 테이프아웃이란 연구소 수준에서 진행되던 반도체 설계를 완료하고, 도면을 제조 공정에 보내는 것을 뜻한다. 실제 제조 환경에서 양산용 개발이 이뤄지기 때문에, 칩 상용화를 위한 핵심 과정으로 꼽힌다. 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스는 주요 고객사인 엔비디아와 AMD를 위한 HBM4 개발팀을 각각 꾸려 제품을 개발해 왔다"며 "엔비디아향 HBM4 테이프아웃은 10월에 진행될 예정이며, AMD향 테이프아웃은 연말이 목표"라고 설명했다. 한편 SK하이닉스는 HBM4의 코어다이로 1b D램(10나노급 5세대 D램)을 활용한다. HBM은 D램을 집적한 코어다이와 코어다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 로직다이로 나뉜다. 앞서 SK하이닉스는 올해 상용화를 시작한 HBM3E에도 1b D램을 적용한 바 있다. 주요 경쟁사인 삼성전자는 HBM4에 1c D램(10나노급 6세대 D램) 적용을 추진하는 등 기술적 변혁을 시도하고 있으나, SK하이닉스는 안정성에 무게를 둔 것으로 풀이된다. 로직다이의 경우 주요 파운드리인 TSMC의 공정을 통해 양산한다. 현재 SK하이닉스가 채택한 TSMC의 공정은 12나노미터(nm)와 5나노급 공정으로 알려져 있다.

2024.08.26 14:23장경윤

네패스 "2.5D 첨단 패키징으로 AI 반도체 시장 공략"

지디넷코리아가 한국경제의 든든한 버팀목인 소·부·장(소재·부품·장비), 반도체·디스플레이, 배터리 등 핵심 기반 산업을 이끄는 [소부장반디배] 기업 탐방 시리즈를 새롭게 시작합니다. 유망 기업들의 정확하고 깊이 있는 정보를 전달해 드리겠습니다. [편집자주] “2.5D 패키징 기술로 AI 반도체 시장을 겨냥할 계획입니다. 내년 차세대 패키징 기술인 PoP(Package on Package) 본격 양산을 통해 AI 반도체 시장에서 경쟁력을 확보하게 될 것으로 기대됩니다.” 네패스 오창 사업장에서 만난 김종헌 네패스 반도체부문 최고기술책임자(CTO) 부사장은 패키징 기술 리더십에 대한 강한 자신감을 보였다. 올해 스마트폰 시장 회복과 AI 반도체 시장 성장에 힘입어 네패스는 기존 물량 회복과 신시장 확대에 대한 기대감이 커지고 있다. 1990년 설립된 네패스는 시스템반도체 패키징과 전자재료 사업에 주력하는 업체다. 국내 대다수 후공정(OSAT) 업체들이 메모리 패키징 사업에 집중하는 것과 달리 네패스는 비메모리 후공정에 주력하며 차별화를 이뤘다. 네패스는 2000년 WLP(웨이퍼 레벨 패키징) 양산 이후, 국내 최초로 FO-WLP(팬아웃-웨이퍼 레벨 패키징) 양산 기술을 먼저 확보하며 경쟁력을 입증했다. 현재 네패스 매출에서 글로벌 1위 스마트폰용 PMIC(전력관리반도체)가 큰 비중을 차지한다. 김 부사장은 “네패스는 규모로 경쟁하기 보다는 첨단 패키징에 특화하자는 전략을 세웠다”며 “예전에는 전공정(프론트엔드) 다음에 단순 어셈블리 패키지를 후공정(백엔드)라고 했지만, 네패스는 전공정 기술에 해당하는 범핑과 WLP, FOWLP 기술로 패키징을 하는 어드밴스드 패키징 파운드리 컴퍼니(Advanced packaging foundry company)를 지향하고 있다”고 설명했다. 김종헌 부사장은 27년간 경력을 쌓아온 반도체 패키징 전문가다. 그는 LG반도체, 현대전자(현, SK하이닉스)를 거쳐 네패스에서만 24년을 근무하며 첨단 패키징 기술 개발의 선도적인 역할을 해왔다. ■ RDL 인터포저 기반 AI 반도체용 2.5D 패키징 개발 추진 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 매칭하는 방식으로 여러 반도체를 하나의 패키지로 집적하는 기술이다. AI 반도체와 HBM을 하나의 패키지로 집적하는 데 주로 사용된다. 김종헌 부사장은 “네패스가 추진 중인 2.5D 패키지 기술은 두 가지 부분에서 성과가 나오고 있다”며, “현재 AI 반도체 국내외 고객들과 개발을 추진 중이며 대형 국책과제도 진행 중이다”고 전했다. 실제로 네패스는 지난 6월 미국 덴버에서 열린 '제74회 전자부품기술학회(ECTC)'에서 세계 최초로 개발한 8 레이어 RDL 인터포저 기술을 처음으로 공개됐다. 지금까지 업계에서 6레이어 RDL 기술은 사용돼 왔지만, 8레이어를 구현한 것은 네패스가 처음이다. 김 부사장은 “인터포저는 2.5D 패키징의 핵심 부품으로, 8레이더 RDL 구현은 고객에게 선택권을 더 다양하게 줄 수 있다는 점에서 의미가 있다”며 “실리콘 브릿지 기술을 적용하면 8레이어를 4대 1로 줄일 수 있어서 원가절감 측면에서 도움이 된다”고 설명했다. 네패스는 고가의 실리콘(Si) 인터포저 대신 팬아웃 공정을 활용한 재배선(RDL) 기술을 인터포저에 적용하면서 소형화와 가격 경쟁력을 확보할 것으로 기대한다. ■ 2.5D 기술과 첨단 PoP 플랫폼으로 신시장 공략 네패스가 새롭게 추진하는 또 다른 분야는 팬아웃 기술 기반의 PoP(Package on Package)이다. 김 부사장은 “네패스는 현재 개발 중인 2.5D 기술의 확장 플랫폼으로 첨단 PoP의 상용화를 추진 중이다.”고 말했다. 그 일환으로 네패스는 자율주행차용 라이다(LiDAR)와 헬스케어 시장도 공략한다. 김 부사장은 “현재 라이다 센서 제조업체와 PoP 품질 인증 중이고, 미국의 보청기, 엑스레이용 센서 업체와도 PoP 개발 공급을 긍정적으로 논의하고 있다”고 밝혔다. 또한 네패스는 스마트폰 애플리케이션 프로세서(AP) 시장에서 PoP 공급에 공격적으로 나설 예정이다. 연간 13~14억대의 출하량을 기록하는 스마트폰 시장은 규모가 큰 만큼 매출 측면에서 기대감도 크다. PoP 구조는 패키지 안에 여러 종류의 칩을 적층해서 모듈처럼 만들 수 있는 것이 장점이다. 이런 특징 때문에 아이폰의 AP에 적용됐다. TSMC는 PoP 구조를 FO-WLP(팬아웃- 웨이퍼레벨패키지)' 공법으로 개발해, 2015년 '인포(Integrated FO)-WLP'라는 자체 브랜드로 상용화했다. 애플이 TSMC에만 AP 제조를 전적으로 맡기는 이유 중 하나도 FO-WLP의 중요성 때문이다. 삼성전자도 갤럭시S24에 탑재된 '엑시노스 2400' AP에 FO-WLP를 도입하면서 패키징 방식에 변화를 줬다. FO-WLP은 플래그십용 AP에 적용된 데 이어 향후 미들레인지, 엔트리 AP로 확대될 것으로 예상되기에, 네패스에 새로운 기회가 될 것으로 보인다. ■ 기존 고객 물량 회복, 차세대 동력 확보…내년 실적 반등 원년 될 것 증권가에서는 네패스가 긴 터널을 지나 내년 실적 반등의 원년이 될 것이라고 전망한다. 실제로 네패스의 상반기 개별 영업실적은 전년 동기대비 흑자전환한 125억원을 기록하며 꾸준히 회복세를 보인다. 네패스는 앞서 언급한 고객사 외에도 미국 전력 반도체 전문 팹리스사로부터 AI 서버용 저전력 PMIC 패키징을 수주하면서 최근 양산을 시작했고, 내년에는 물량이 더 늘어날 것으로 전망한다. 네패스는 AI용 PMIC 양산 라인을 8인치는 올해 월 2만장까지, 12인치는 내년 1만 5천장까지 늘려나갈 계획이다. 김 부사장은 “올해 스마트폰 시장이 서서히 회복세를 보이고 있고, AI의 성장으로 반도체 시장이 좋아지고 있는 분위기”라며 “신규 고객사의 물량이 본격적으로 늘어나면 내년 실적에 긍정적인 영향을 미칠 것”이라고 말했다.

2024.08.23 10:10이나리

새로운 마그네틱 패키징 기술이 '전원 모듈'의 미래를 바꾸는 방법

글로벌 반도체 기업인 텍사스인스트루먼트(TI)는 이달 초 세계 최초로 첨단 소재인 매그팩(MagPack)과 마그네틱 패키징 기술을 활용해 업계 '초소형 전력 모듈' 출시하며 주목을 받았다. TI의 매그팩 전력 모듈은 경쟁 모듈에 비해 크기를 최대 23%까지 줄어들고, TI의 이전 세대 제품 대비 50% 축소됐다는 점이 특징이다. 이 같은 성과를 내기 위해 TI의 전세계 설계 디자이너, 연구원, 제조업체팀은 많은 시간과 노력을 기울였다. 매그팩 전력 모듈 개발에 참여한 안톤 윙클러(Anton Winkler) TI 독일 지사 시스템 엔지니어는 "새로운 기술을 개발하는 것은 마라톤과도 같은 과정이었다"라며 "여러 과정을 차례 겪으면서 이전보다 더 높은 전력 밀도, 더 높은 효율, 더 낮은 시스템 비용을 제공하는 전력 모듈용 통합 마그네틱 패키징 '매그팩' 개발에 성공했다"고 말했다. 그는 이어 "매그팩 전력 모듈은 산업, 엔터프라이즈, 통신 애플리케이션 설계자들에게 이전에는 달성할 수 없었던 성능을 제공한다"고 강조했다. ■ 효율성 향상의 필요성 전력 모듈은 현대 기술에서 필수적인 요소다. 여러 전자 부품을 단일 패키지로 통합한 전력 모듈은 설계자가 개발에 소요되는 시간을 단축할 수 있도록 돕는다. 최근 전 세계적으로 전력 소비가 증가하고 애플리케이션이 점점 더 작아짐에 따라 디지털 펜과 같은 소형 기기에 적합한 크기와 효율성을 갖춘 전력 모듈의 필요성이 대두된다. 안톤 윙클러 엔지니어는 "전력 모듈 성능 개선을 위해 고민해 왔고, 현장에서의 작업은 지와 장기적인 협업으로 이어졌다"라며 "여러 팀이 협력해 전력 모듈 기술 개발을 진행했다"고 말했다. ■ 간단한 설계 원칙, 까다로운 구현 전력 설계에서는 크기가 중요하다. 설계자는 더 작은 공간에 더 많은 전력을 집적해야 하며, 이는 부품을 촘촘히 배치하고 단락 없이 다양한 전압을 처리하는 과정에서 상당한 도전 과제로 여겨진다. 이 때 부하에 적절한 양의 에너지가 흐르도록 해야 한다. 그렇지 않으면 부하가 제대로 작동하지 않아서 손상될 수 있다. 전력 모듈에는 일반적으로 기판에 부착된 반도체와 마그네틱장에 에너지를 저장하고 전기의 흐름을 원활하게 하는 별도의 인덕터가 포함된다. 그러나 인덕터는 효율성에 병목 현상을 일으킬 수 있으며, 보드에서 많은 공간을 차지할 수 있다. 적절한 인덕터를 선택하는 것 역시 설계자에게는 시간이 많이 소요되는 과정이다. 이런 문제를 해결하기 위해 연구팀은 인덕터와 집적 회로를 결합해 부피를 절약하고 전력 밀도를 높이는 방법을 고안했다. 설계 원리는 간단했지만 구현 과정은 복잡했다. 연구팀은 신경망 기반 접근 방식을 사용해 인덕터를 최적화했으며, 3D 패키지 성형 공정을 통해 새롭게 설계된 독점적인 재료로 최적화된 전력 인덕터를 포함하는 '매그팩' 패키지의 공간을 최대한 활용했다. 안톤 엔지니어는 "이 과정에는 기계적, 전기적, 화학적 공정이 모두 포함됐다"라며 "여러 분야의 전문가들이 참여한 프로젝트였다"고 설명했다. 새로운 전력 모듈은 설계자에게 크기 또는 성능 측면에서 다양한 옵션을 제공한다. 이를 통해 엔지니어는 전력 솔루션 크기를 절반으로 줄이고 전력 밀도를 두 배로 높일 수 있다. 예를 들어, 광학 모듈 설계자는 매그팩 기술이 적용된 전력 모듈을 사용해 기존 폼 팩터를 유지하면서 전력 밀도를 두 배로 높일 수 있다. 이는 데이터 센터와 같이 막대한 전력을 소비하는 애플리케이션에서 특히 중요하다. 이 기술은 또한 시스템 손실을 최소화하고 모듈의 온도를 낮추며 마그네틱 간섭을 줄이는 데 도움된다. 또한 기술 개발에 노력을 기울이고 협력하면 궁극적으로 설계자는 전력 설계에 소요되는 시간을 45%까지 절약할 수 있다. ■ 현상 유지에 대한 도전 프로토타입이 준비된 후, 다음 과제는 산업 규모로 전력 모듈을 생산하는 것이다. 패키징 팀은 제조 공정을 정의하고, 재료를 조달하며, 부품 생산을 위한 새로운 툴을 준비했다. 당시 제조 작업을 총괄한 카를로 몰리나(John Carlo Molina) 패키징 엔지니어링 매니저는 "흥미진진하면서도 엄청난 부담감을 느꼈다"고 소감을 말하며 "우리는 기존의 틀을 깨고 새로운 패키지 구성을 도입하는 획기적인 작업을 했다. 하지만 단지 독창성만으로 성공을 판단할 수 없다는 것도 알고 있었다"고 전했다. 이어서 그는 "처음부터 우리는 대량 생산을 지원할 수 있는 공정을 사용해 안정적이고 고품질의 제품을 개발하는 데 중점을 뒀다. 첫 번째 테스트용 샘플을 배송했을 때, 안도감과 함께 다음 단계에 대한 큰 동기부여가 됐다"고 밝혔다. 개발자들은 매그팩 전력 모듈이 환자 모니터링 및 진단, 계측, 항공우주 및 방위, 데이터 센터 등 다양한 애플리케이션에 적용될 수 있을 것으로 기대하고 있다. 안톤 엔지니어는 "개인적인 목표는 우리가 공략할 수 있는 시장을 계속 확장하고, 궁극적으로 차량용 등급 인증 기술이 되기 위해 필요한 업계 표준을 충족하는 것"이라며 "모든 시장과 애플리케이션에서 전력 수요가 기하급수적으로 증가함에 따라, 새로운 매그팩 통합 마그네틱 패키징 기술은 전력 설계의 미래를 재편하고 있다. 또 엔지니어들이 이전보다 더 작은 공간에 더 많은 전력을 공급할 수 있도록 지원할 것이다"고 전했다. * 이 글의 작성자 겐지 가와노(Kenji Kawano) 전력 담당 선임 매니저는 TI 일본 지사 혁신 연구소 '킬비 랩(Kilby Labs)'에서 근무하고 있으며, TI 매그팩 전력 모듈 개발에 참여했다.

2024.08.22 17:09겐지 가와노

자이스, 차세대 반도체 패키징 산업전서 '3D X-ray 웨이퍼 검사 기술' 공개

글로벌 광학기업 자이스 코리아가 오는 28일부터 30일까지 수원컨벤션센터에서 열리는 제18회 차세대 반도체 패키징 장비재료 산업전(ASPS 2024)에 참가해 '3D X-ray 웨이퍼 검사 기술'을 선보인다. 자이스 그룹은 설립자인 칼 자이스의 현미경으로부터 시작되어 175년 이상의 역사를 가진 독일 대표 광학기업이다. 자이스 코리아는 이번 전시에서 X-레이 현미경인 ZEISS 엑스라디아(Xradia) 630 베르사(Versa), ZEISS 엑스라디아 810 울트라, ZEISS 크로스빔(Crossbeam) 550 f/s 레이저를 중심으로 반도체 패키징 첨단 기술을 공개할 예정이다. 특히, 엑스라디아 630 베르사와 엑스라디아 810 울트라는 고해상도 이미징과 깊이 있는 분석을 통해 반도체 패키징 과정에서 발생할 수 있는 다양한 불량 문제를 효과적으로 발견하고 해결할 수 있도록 지원한다. 자이스의 X-ray 현미경(XRM) 솔루션은 3D 비파괴 분석을 통해 웨이퍼 내부 결함과 구조를 정밀하게 검사할 수 있으며, 반도체 생산의 효율성을 대폭 향상시킬 수 있다. 자이스의 솔루션은 다양한 검사 환경에서 유연하게 활용될 수 있도록 설계되어 있어 반도체 공정 내 워크플로우 개선에도 기여할 수 있다. 자이스는 ASPS 2024에서 패키징 관련 기술 세미나도 함께 진행한다. 세미나에는 자이스 그룹 본사 반도체 사업부의 패키징 솔루션 전문가인 모세 프라일(Moshe Preil) 시니어 기술 매니저가 참석해 '어드밴스드 패키징에서 3D X-ray를 이용한 신속한 웨이퍼 내부 검사 기법'이란 주제로 자이스가 현재 연구·개발 중인 패키징 솔루션에 대해 설명할 예정이다. 본 내용은 한국에서 최초로 발표되는 내용으로 28일 오후 3시부터 4시까지 전시장 내 세미나장에서 진행된다. 자이스 코리아 현미경 사업부를 총괄하는 최욱 상무는 "이번 ASPS 2024 전시회는 현재 업계 화두인 반도체 패키징 분야에 자이스 솔루션이 어떠한 가치를 더할 수 있는지 확인할 수 있는 자리가 될 것"이라며 "자이스의 기술 노하우와 전문성을 통해 한국 반도체 패키징 분야에서 자이스가 연구개발과 기술 발전을 위한 기술 파트너로 인식될 수 있기를 바란다"고 전했다.

2024.08.21 13:50이나리

TI, 세계 최초 마그네틱 패키징 적용 '초소형 전력모듈' 출시

글로벌 반도체 기업인 텍사스인스트루먼트(TI)가 세계 최초로 매그팩(MagPack) 통합 마그네틱 패키징 기술을 적용한 '초소형 전력 모듈' 6종을 6일 글로벌 출시했다. 통합 마그네틱 패키징 기술은 TI가 10여년에 걸쳐 개발한 첨단 소재 기술이다. 이를 통해 TI의 신제품 전력 모듈은 경쟁 모듈에 비해 크기가 최대 23%까지 작고, TI의 이전 세대 제품 대비 50% 축소됐다. 또 크기는 작아졌지만 제품 성능은 이전 제품 대비 효율성이 2% 향상됐다. 징 지(Jing Ji) 시스템 및 애플리케이션 부문 매니저는 6일 기자 간담회에서 "마그네틱 패키징 기술을 적용한 전력 모듈은 전력밀도를 2배 높이면서 전자기간섭(EMI)은 8dB 줄어들어서 장점이다"고 강조했다. 그는 또 "이런 특징으로 신제품 전력모듈은 메디컬·옵티컬 장비, 무선인프라 장비와 기차 같은 교통수단 등 고압·고전력을 사용하는 애플리케이션을 타겟한다"며 "특히 전기를 많이 사용하는 메디컬 장비는 크기가 스마트폰 보다 작은 경우가 많은데, 이런 특수한 장비의 디자인 및 설계에서 TI의 전력 모듈의 활용도가 높을 것"이라고 설명했다. 신제품 6종은 ▲TPSM82866A(2.4V~5.5V) ▲TPSM82866C(2.4V~5.5V) ▲TPSM828303(2.25V~5.5V) ▲TPSM82816(2.7V~6V) ▲TPSM82813(2.75V~6V) ▲TPSM81033(1.8V~5.5V)으로 구성된다. 이 중에서 TPSM82866A, TPSM82866C 및 TPSM82816 3가지 제품은 업계에서 가장 작은 6A 전력 모듈로, 1㎟ 면적당 약 1A의 업계 최고 수준의 전력 밀도를 제공한다. 전력 설계에서 크기는 매우 중요한 요소다. 전력 모듈은 전력 칩과 변압기 또는 인덕터를 하나의 패키지에 결합해 전력 설계를 간소화하고 보드 공간을 절약해준다. TI의 3D 패키지 성형 공정을 활용한 매그팩 패키징 기술은 전력 모듈의 높이, 너비, 깊이를 최대화해주고 더 작은 공간에서 더 많은 전력을 공급할 수 있다. 매그팩 마그네틱 패키징 기술에는 TI가 새롭게 설계된 독점적인 소재의 통합형 전력 인덕터가 포함된다. 엔지니어는 동급 최고의 전력 밀도를 달성하고 온도와 복사 방출을 줄이면서 보드 공간과 시스템 전력 손실을 모두 최소화할 수 있다. 징 지 매니저는 "파워모듈은 매그틱 소재로 만들었다는 점이 핵심"이라며 "이 소재는 기존보다 더 많은 에너지를 저장할 수 있고, 이런 소재로 제품 공급하는 것은 현재 TI가 유일하다"고 강조했다. 이어 "모듈 소형화에는 칩셋, 트랜지스터 등 여러가지 한계가 있는데, 우리는 이 한계 뛰어넘기 위해 혁신 소재, 패키징을 적용했다"라며 "이 제품은 TI 자체 팹에서 생산하고 있기에 고객들에게 적기에 안정적으로 공급할 수 있다"고 덧붙였다. TI는 이번 신제품 전력 모듈과 평가 모듈 공급과 판매를 시작했다고 밝혔다.

2024.08.06 13:07이나리

이규제 SK하이닉스 부사장 "차세대 패키징으로 HBM 1등 이어간다"

SK하이닉스가 차세대 패키징 기술로 HBM 1등을 이어간다는 목표를 밝혔다. 이규제 PKG제품개발 담당 부사장은 SK하이닉스의 뉴스룸 인터뷰를 통해 "자사의 HBM(고대역폭메모리)이 전 세계 1등 리더십을 구축한 배경은 TSV(실리콘 관통전극), MR-MUF 등 주요 첨단 패키징 기술을 준비해온 혜안이 있었다"라며 "지속해서 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획이다"고 전했다. 이 부사장은 HBM 개발 공적으로 지난 6월 회사의 HBM 핵심 기술진과 함께 SK그룹 최고 영예인 '2024 SUPEX추구대상'을 수상한 인물이다. SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 개발한 1세대 HBM 제품에 TSV 기술을 적용했다. TSV는 이미 20여 년 전부터 기존 메모리의 성능 한계를 극복해 줄 차세대 기술로 주목받았지만, 곧바로 상업화된 기술로 부상하지는 못했다. 인프라 구축의 어려움과 투자비 회수 불확실성 등 난제로 누구도 선뜻 개발에 나서지 못했기 때문이다. TSV는 여러 개의 D램 칩에 수천 개의 구멍을 뚫고 이를 수직 관통 전극으로 연결해 HBM의 초고속 성능을 구현해 주는 핵심 기술이다. 이 부사장은 "SK하이닉스도 처음에는 망설이는 회사들 중 하나였지만, 미래 시장에 대비하기 위해서는 고성능과 고용량을 동시에 구현할 수 있는 TSV 기술과 적층(Stacking)을 포함한 WLP(웨이퍼 레벨 패키지) 기술을 동시에 확보해야 한다고 판단하고, 2000년대 초반부터 적극적인 연구에 들어갔다"고 말했다. SK하이닉스가 처음으로 HBM 시대를 열긴 했지만, 본격적으로 시장이 열리고 회사가 주도권을 잡게 된 시점은 3세대 제품인 HBM2E 개발에 성공한 2019년부터다. 이 부사장은 "당시 신속한 고객 대응을 위해 유관 부서의 리더들이 빠르게 기술 관련 데이터와 시뮬레이션 결과를 분석해 MR-MUF의 안정성을 검증해 냈고, 경영진과 고객을 설득해 적기에 이 기술을 3세대 HBM2E에 적용할 수 있었다"고 전했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고, 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받는다. SK하이닉스는 HBM2E를 시작으로 지난해 4세대 12단 HBM3와 5세대 HBM3E 개발에 연이어 성공했다. 성공의 1등 공신은 MR-MUF 기술을 한 번 더 고도화한 '어드밴스드(Advanced) MR-MUF'라고 이 부사장과 기술진은 첫손에 꼽는다. 이 부사장은 "12단 HBM3부터는 기존보다 칩의 적층을 늘렸기 때문에, 방열 성능을 더욱 강화해야 했다"라며 "어드밴스드 MR-MUF 기술을 개발을 통해 지난해 세계 최초로 12단 HBM3 개발 및 양산에 성공했으며, 이어 올해 3월 세계 최고 성능의 HBM3E를 양산했다. 이 기술은 하반기부터 AI 빅테크 기업들에 공급될 12단 HBM3E에도 적용되고 있다"고 말했다. 이어서 그는 "표준 규격에 따라 제품 두께는 유지하면서도 성능과 용량을 높이기 위한 칩 고단 적층의 방편으로 최근 하이브리드 본딩 등 차세대 패키징 기술이 주목받고 있다"라며 "SK하이닉스도 방열 성능이 우수한 기존 어드밴스드 MR-MUF를 지속적으로 고도화하는 한편, 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획이다" 밝혔다.

2024.08.05 10:01이나리

美 정부, 앰코 '패키징 공장'에 반도체 보조금 4억 달러 지급

미국 상무부는 27일(현지시간) 미국 후공정 업체 앰코테크놀로지에 반도체 보조금으로 최대 4억 달러(약 5천542억원)를 지원하겠다고 밝혔다. 미국 정부가 반도체 후공정 분야에서 기업에 보조금 지원금 발표는 이번이 처음이다. 국내 SK하이닉스 또한 미국에 첨단 패키징 팹 투자를 결정한데 따라 미국 정부의 보조금 규모가 조만간 발표될 것으로 기대된다. 앰코는 미국 애리조나에 20억 달러(2조7천710억원) 규모의 첨단 반도체 패키징 팹을 건설할 계획이며, 3년 이내에 생산준비가 완료될 예정이라고 밝혔다. 미국 상무부는 4억 달러의 보조금과 함께 2억 달러 규모의 정부 대출을 제공할 계획다. 또 이 프로젝트는 최대 25%의 투자 세액 공제 혜택을 받는다. 앰코의 공장은 미국 내에서 가장 큰 규모의 패키징 공장이 될 예정이다. 완전 가동되면 자율주행차, 5G/6G, 데이터 센터를 위한 수백만 개의 칩을 패키징하고 테스트하게 된다. 고급 패키징은 다양한 기능을 가진 여러 개의 칩을 밀접하게 상호 연결시키는 방식이다. 반도체 미세 공정에 따라 첨단 패키징에 대한 수요 또한 높아지고 있다. 지나 러몬도 미국 상무부 장관은 "이번 패키징 분야 지원이 AI 칩에 대한 수요 증가를 충족하는 데 도움이 될 것"이라며 "앰코가 패키징할 칩은 향후 수십 년간 글로벌 경제와 국가 안보를 정의할 미래 기술의 기초가 될 것"이라고 말했다. 상무부는 지난해 반도체법의 일환으로 첨단 패키징에 30억 달러를 지출할 계획이라고 밝혔다. 미국 정부가 2022년에 만든 반도체법은 미국 내 반도체 투자를 장려하기 위해 생산 보조금(390억 달러)과 연구개발(R&D) 지원금(132억 달러) 등 5년간 총 527억달러(75조5000억원)를 지원하는 내용이다. 이를 통해 미국은 2030년까지 전 세계 최첨단 반도체 생산량의 20% 차지를 목표로 한다. 앞서 미국 정부는 지난 4월 한국 삼성전자 미국 텍사스주 공장에 반도체 설립 보조금으로 64억 달러(약 8조8505억원)를 지원한다고 발표했다. 그 밖에 ▲지난해 12월 F-35 등 미군 전투기용 반도체를 만드는 영국 방산업체 BAE시스템스에 3500만 달러 ▲올해 1월 미국 반도체업체인 마이크로칩 테크놀로지에 1억6200만 달러 ▲2월 미국 파운드리 업체 글로벌파운드리에 15억 달러 ▲3월 미국 인텔에 85억 달러와 최대 110억 달러의 대출 지원 ▲4월 대만 TSMC에 66억 달러의 보조금과 50억 달러 최대 대출 50억 달러 ▲4월 미국 메모리 업체 마이크론에 61억4000만 달러 등의 반도체 보조금 지원을 발표한 바 있다. SK하이닉스도 지난 4월 2028년 가동을 목표로 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 38억7천만 달러(약 5조 4천억원)를 투자해 최첨단 패키징 공장을 짓겠다고 발표했으며, 미국 정부의 보조금 발표를 기다리고 있다.

2024.07.28 15:31이나리

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