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SK하이닉스, 커스텀 HBM 수율향상 집중…"TSMC·엔비디아 협력 필수"

"고객사가 HBM에 요구하는 불량품 검출 수는 일반 D램의 10분의 1, 20분의 1에 달할 정도로 매우 높다. 이를 만족하기 위해 SK하이닉스는 뛰어난 기술 개발력과 안정적인 양산 경험을 쌓아 왔다. 또한 커스텀 HBM은 SK하이닉스·TSMC만 잘 해선 안되기 때문에, 고객사를 포함한 3자 협업 관계가 중요하다." 5일 박문필 SK하이닉스 HBM PE 담당 부사장은 5일 오전 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024'에서 이같이 밝혔다. '새 국면에 접어든 HBM 시장에 대한 SK하이닉스의 준비 현황 및 방향'에 대해 발표한 박 부사장은 향후 HBM 시장에서 안정적인 양산이 중요하다고 강조했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 전송 통로인 입출력단자(I/O) 수를 크게 늘린 차세대 메모리다. 5세대 제품인 HBM3E까지는 I/O 수가 1024개다. 내년 양산될 HBM4에서는 I/O 수가 2배로 늘어난 2048개가 된다. 이러한 기술적 진보에서 가장 중요한 요소는 '수율'이다. 수율은 투입한 웨이퍼에서 양품이 나오는 비율이다. HBM의 경우 여러 개 D램 중 하나라도 불량이 나선 안되고, 이후 HBM과 GPU 등 시스템 반도체를 결합하는 SiP(시스템인패키지) 단의 수율도 고려해야 하기 때문에 수율 확보가 어렵다. 박 부사장은 "고객사가 요구하는 HBM 물량을 충족하기 위해선 결국 수율을 끌어올리는 것이 중요하다"며 "dppm(100만 개당 결함 부품 수)을 기준으로 하면 HBM에 요구되는 수준은 기존 D램 대비 10분의 1에서 20분의 1 정도로 매우 까다롭다"고 밝혔다. 그러면서도 박 부사장은 "SK하이닉스는 선단 D램 및 패키징 기술, 정밀한 계측, 선도적인 양산 경험을 토대로 안정적인 개발 및 양산을 진행하고 있다"며 "개발 앞단에서 문제를 최대한 빨리 잡아 내, 개발 기간을 단축하는 체계를 잘 구축한 것도 SK하이닉스의 장점"이라고 덧붙였다. 특히 HBM4에서부터는 HBM의 고객사에 맞춰 사양을 일부 변경하는 '커스텀 HBM'이 각광을 받을 것으로 전망된다. 로직다이란 HBM을 적층한 코어다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 다이다. HBM과 GPU 등 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결해 데이터를 고속으로 연결한다. 박 부사장은 "커스텀 HBM 시대에서는 기존 SK하이닉스의 IP(설계자산) 외에도 고객사의 IP가 함께 쓰이게 된다"며 "이를 위해 SK하이닉스는 TSMC, 엔비디아와 공고한 '커스텀 메모리 플랫폼'을 구축하고 있다"고 밝혔다. 예를 들어 SK하이닉스는 테스트 과정을 미리 상정한 디자인 설계(DFT), 각 공정을 구분해 문제 요소를 빠르게 특정할 수 있는 시스템, 파운드리·고객사와 원팀 체제로 디자인 단부터 협업을 진행하는 구조 등을 주요 과제로 삼고 있다.

2024.11.05 13:51장경윤

TSMC, 내년 반도체 CoWoS 패키징 가격 인상…엔비디아, 수긍

세계 1위 반도체 파운드리(위탁생산) 회사 대만 TSMC가 내년 첨단 패키징 기술 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate) 가격을 인상하는 데 엔비디아가 받아들였다고 대만 시장조사업체 트렌드포스가 4일(현지시간) 보도했다. 엔비디아는 세계 인공지능(AI) 반도체 1위 업체다. 제조 물량을 모두 TSMC에 맡기는 것으로 알려졌다. 트렌드포스는 미국 투자은행(IB) 모건스탠리 보고서를 인용해 TSMC가 CoWoS 패키징 가격 10~20% 인상을 검토 중이며, 엔비디아로부터 내년 가격 인상을 승인받았다고 전했다. 모리스 창 TSMC 창업자는 최근 3분기 실적을 발표하며 “CoWoS 수요가 공급을 훨씬 앞지른다”고 밝힌 바 있다. TSMC가 올해 CoWoS 생산량을 지난해보다 2배 이상 늘릴 계획임에도 불구하고 여전히 공급이 부족하다는 설명이다. TSMC는 공급망을 안정하기 위해 패키징·테스트 회사와 손잡고 생산 능력을 확대하고 있다. CNA가 인용한 업계 소식통에 따르면 ASE와 그 자회사 스필(SPIL)이 백엔드 CoWoS-S oS(on-Substrate) 공정에서 TSMC와 협력하고 있다. ASE는 내년까지 TSMC의 CoWoS-S oS 패키징 물량의 40~50%를 처리할 전망이다. ASE그룹은 고급 패키징에 투자하며 TSMC와 발 맞추고 있다. ASE는 2026년 10월 완공 예정인 대만 가오슝 K28 공장에서 CoWoS 생산량을 늘릴 것이라고 지난달 발표했다. SPIL은 센트럴타이완사이언스파크 부지에 4억1천900만 대만 달러(약 181억원)를 투자해 CoWoS 제조 역량을 키웠다. 추가 부지를 확보하는 데 필요한 37억2천만 대만 달러도 배정했다. 다음 달 미국 공장 완공을 앞둔 TSMC는 InFO 및 CoWoS 패키징 용량을 확장하기 위해 현지 후공정 업체 앰코와도 업무협약을 맺었다. CNA는 업계 소식통을 통해 미국 애플이 TSMC 애리조나 4나노미터(1㎚=10억분의 1m) 공정에서 애플리케이션 프로세서(AP)를 위탁생산하면, 앰코의 CoWoS 물량을 활용할 수 있다고 전했다. TSMC 공장에서 주문형반도체(ASIC)와 그래픽처리장치(GPU)를 만드는 다른 미국 인공지능(AI) 반도체 기업도 앰코의 CoWoS 패키징을 사용할 것으로 예상된다.

2024.11.05 13:22유혜진

SK하이닉스 "HBM3E 16단 샘플, 내년 초 공급"...엔비디아 협력 가속화

SK하이닉스가 최선단 HBM(고대역폭메모리) 기술력을 고도화하고 있다. 최근 HBM3E(5세대) 12단 양산에 이어, 16단 샘플을 내년 초 공급할 예정이다. 이를 통해 엔비디아 등 주요 고객사와의 협력을 강화할 것으로 기대된다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 4일 오전 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 이날 '차세대 AI 메모리의 새로운 여정, 하드웨어를 넘어 일상으로'를 주제로 내건 곽 사장은 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 처리 성능을 끌어 올린 차세대 메모리다. 방대한 양의 데이터를 처리해야 하는 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 덕분에 SK하이닉스의 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중이 지난 2분기 20%에서 3분기 30%로 빠르게 성장했다. 4분기에는 40%에 육박할 것으로 전망된다. 특히 올 연말부터 가장 최신 세대인 HBM3E(5세대 HBM) 12단 제품의 양산이 본격화될 계획이다. 나아가 SK하이닉스는 미래 AI 메모리 솔루션으로 HBM3E 16단 제품을 개발하고 있다. 16단의 경우 기존 12단 제품에 비해 LLM(거대언어모델) 학습에서는 18%, 추론에서는 32% 더 뛰어난 성능을 보였다. SK하이닉스는 HBM3E 16단을 통해 주요 고객사인 엔비디아와의 협력 강화가 기대된다. 곽 사장은 "HBM3E 16단은 내년 초 샘플을 제공할 예정"이라며 "패키징은 12단 제품에서 양산성이 검증된 어드밴스드 MR-MUF를 적용하고, 백업 공정으로 하이브리드 본딩도 함께 개발하고 있다"고 밝혔다.

2024.11.04 12:12장경윤

젠슨 황 "HBM4 더 빨리 달라"…최태원 "6개월 당겨 공급"

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 SK하이닉스와의 HBM(고대역폭메모리) 분야 협력 강화를 강조했다. SK하이닉스 역시 엔비디아의 요구에 발맞춰 차세대 HBM 적기 공급에 속도를 낼 것으로 관측된다. 최태원 SK그룹 회장은 4일 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋' 기조연설에서 "엔비디아의 요청에 따라 HBM4(6세대 HBM) 공급을 6개월 앞당길 수 있도록 노력해보겠다"는 뜻을 밝혔다. 이날 SK AI 서밋의 영상 인터뷰에 출연한 젠슨 황 CEO는 "머신러닝 기술 발전에 따라 메모리 대역폭을 늘리고 전력 효율성을 높이는 일이 중요해졌다"며 "이에 SK하이닉스와 협력해 무어의 법칙을 뛰어넘는 진보를 할 수 있었고, 앞으로도 SK하이닉스의 HBM이 더 필요하다"고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 대역폭을 크게 확장한 메모리다. 메모리 대역폭이 확장되면 데이터를 더 많이 주고받을 수 있어, AI와 같은 방대한 양의 데이터 처리에 유리하다. SK하이닉스는 엔비디아에 최선단 HBM을 공급하고 있다. 5세대인 HBM3E까지 상용화에 성공했으며, 다음 세대인 HBM4는 내년 하반기 중에 양산 공급하는 것이 목표다. 당초 2026년 양산을 계획하고 있었으나, SK하이닉스는 엔비디아의 요청에 따라 개발 일정에 속도를 내고 있다. 최태원 SK그룹 회장은 "젠슨 황 CEO가 HBM4의 공급 일정을 6개월 당겨달라고 요청했다"며 "곽노정 SK하이닉스 사장에게 이에 대해 물어봤는데, '한 번 해보겠다'고 대답하더라"고 밝혔다. 최 회장은 이어 "당초 HBM4를 얼마나 당겨달라는 건지 젠슨 황 CEO에게 물어봤는데, 얼마나 당길 수 있는지를 반문할 정도로 의지가 상당했다"고 덧붙였다.

2024.11.04 11:04장경윤

삼성 HBM '유의미한 진전'의 속뜻…엔비디아 공략 '투 트랙' 가동

삼성전자가 엔비디아에 HBM(고대역폭메모리)을 공급하기 위한 방안으로 '투 트랙' 전략을 구사한다. HBM3E 8단 제품의 경우 소량이라도 빠르게 공급하는 한편, 12단 제품은 경쟁력을 더 높여 내년 재진입을 시도하기로 했다. 1일 업계에 따르면 삼성전자는 이달 엔비디아향 HBM3E 8단 제품 공급을 확정하기 위한 준비에 나서고 있다. HBM3E 8단 공략 속도전…관건은 '공급 규모' 앞서 삼성전자는 지난달 31일 올 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "예상 대비 주요 고객사향 HBM3E 사업화가 지연됐으나, 현재 주요 고객사 퀄 과정상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했다"며 "이에 4분기 중 판매 확대가 가능할 것으로 전망된다"고 밝힌 바 있다. 사안에 정통한 복수의 관계자에 따르면, 해당 발언은 HBM3E 8단 제품을 엔비디아의 AI칩 '호퍼(Hopper) 시리즈'에 공급하는 건과 관련돼 있다. 삼성전자는 지난 9월 평택에서 엔비디아와 HBM3E 8단에 대한 실사(Audit)를 마무리하는 등, 사업 진출을 지속 추진해 왔다. 다만 실제 수주를 위해서는 HBM 자체에 대한 사용 승인 뿐만이 아니라 GPU 등 시스템반도체와 연결하는 패키징 단에서의 퀄(품질) 등도 전부 거쳐야 한다. 삼성전자는 해당 공급 건에서 '조건부' 승인을 단 것으로 파악됐다. 양산을 위한 최종 퀄 테스트의 통과를 전제로, 제품을 소량 납품하는 게 주 골자다. 삼성전자 내부에서는 최종 퀄을 이르면 이달 마무리짓는 것을 목표로 잡았다. 중요한 변수는 공급 물량이다. 엔비디아 수주가 조건부로 이뤄지는 점, 적용처가 엔비디아의 최신 AI칩(그레이스 시리즈)이 아닌 점 등을 고려하면, 실제 공급 규모는 일반적인 양산에는 미치지 못할 것이라는 게 업계 중론이다. 또한 삼성전자 HBM3E 8단은 타 경쟁사 대비 전력소모량 측면에서 성능이 뒤쳐진다는 평가를 받고 있다. 삼성전자가 컨퍼런스콜에서 '양산 공급', '퀄 승인' 등 명확한 용어를 사용하지 못한 배경에도 이러한 요인들이 작용한 것으로 풀이된다. 개선 제품은 HBM3E 12단에 초점…투트랙 전략 물론 삼성전자가 엔비디아향 HBM 공략에 있어 진전을 이뤘다는 점에서는 의미가 있다. 또한 삼성전자는 HBM3E 12단에 대해, '개선 제품'을 만들어 엔비디아 공급망에 대한 재진입을 노릴 계획이다. 삼성전자는 컨퍼런스콜에서 "주요 고객사들의 차세대 GPU 과제에 맞춰 최적화된 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 개선 제품을 추가적으로 준비하고 있다"며 "내년 상반기 내에 해당 개선 제품의 양산화를 위해 고객사들과 일정을 협의하고 있다"고 밝혔다. 삼서전자의 HBM3E 제품은 5세대 10나노급 1a D램을 채용하고 있다. SK하이닉스, 마이크론 등 경쟁사는 이보다 한 세대 진보된 1b D램을 채택한다. HBM이 D램을 기반으로 제작되는 만큼, D램 자체의 성능도 HBM에 큰 영향을 미친다. 이에 삼성전자는 1a D램의 일부 회로를 재설계하고, 이를 기반으로 HBM3E 12단 개선 제품을 만들 계획이다. 엔비디아의 퀄을 받는 시기는 내년 2분기 중을 목표로 두고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 소량으로라도 엔비디아에 HBM3E 8단 공급을 시작하고, 12단은 내년 2분기 중에 재진입을 시도하는 투 트랙 전략을 구상하고 있다"며 "삼성전자가 올 4분기 HBM3E 비중을 50%까지 공격적으로 늘리겠다고 발표한 만큼, AMD 및 엔비디아 관련 공급 현황을 면밀히 봐야할 것"이라고 설명했다.

2024.11.01 11:38장경윤

과기정통부, 30일 반도체 패키징 기술 교류회

과학기술정보통신부는 30일 제주에서 '반도체 첨단 패키징 기술교류회'를 개최했다. 이 행사에는 올해 착수한 반도체 첨단패키징 핵심원천기술 개발, 연구인프라 구축, 인력양성사업 등에 참여 중인 연구책임자들과 산·학·연 전문가들이 참여했다. 반도체 첨단패키징은 복수의 반도체 칩을 통합, 하나의 패키지로 만들어 성능과 경제성을 동시에 달성할 수 있는 기술이다. 과기정통부는 첨단패키징 관련 소재, 고방열 설계, 차세대 인터포저 및 초미세기판 등의 핵심원천기술 확보와 첨단패키징 연구인프라 구축, 전문인력양성 사업에 올해부터 향후 7년간 3천억 원을 투입할 계획이다. 권현준 기초원천연구정책관은 “지난해 4월 제시한 '반도체 미래기술 로드맵'을 바탕으로 체계적이고 전략적인 R&D와 인력양성을 지속 추진할 것”이라고 말했다.

2024.10.29 20:59박희범

SK하이닉스 HBM 개발 주역 "반도체 패키징, 이젠 덧셈 아닌 곱셈 법칙"

"이전 패키징 기술은 덧셈의 개념이었다. 때문에 패키징을 못해도 앞단의 공정과 디자인에 큰 문제를 주지는 않았다. 그러나 이제는 패키징이 곱셈의 법칙이 됐다. 공정과 디자인을 아무리 잘해도, 패키징을 잘 못하면 사업의 기회조차 얻을 수 없게 됐다." 이강욱 SK하이닉스 부사장은 24일 서울 코엑스에서 열린 '반도체 대전(SEDEX 2024)' 기조연설에서 이같이 밝혔다. 이 부사장은 SK하이닉스에서 패키징 개발을 담당하고 있다. SK하이닉스의 HBM 성공 신화를 이끈 주역 중 한 명으로, '전기전자공학자협회(IEEE) 전자패키징학회(EPS) 어워드 2024'에서 한국인 최초로 '전자제조기술상'을 수상하기도 했다. ■ 패키징, 이제는 '곱셈의 법칙' 적용 이날 'AI 시대의 반도체 패키징의 역할'을 주제로 발표를 진행한 이 부사장은 첨단 패키징 기술이 반도체 산업에서 차지하는 위치가 완전히 변화됐음을 강조했다. 이 부사장은 "이전 패키징은 '덧셈'과도 같아 기술이 미흡해도 공정, 디자인 등에 큰 영향을 주지 않았다"며 "이제는 아무리 반도체 공정과 디자인을 잘해도, 패키징이 받쳐주지 않으면 사업의 진출 기회가 아예 없는(결과값이 0인) '곱셈의 법칙'이 적용된다고 생각한다"고 밝혔다. 특히 패키징 산업은 HBM 시장의 급격한 성장세에 따라 더 많은 주목을 받고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. 데이터의 전송 통로 역할인 대역폭이 일반 D램 대비 수십배 넓어, 방대한 양의 데이터 처리에 적합하다. 이 HBM를 GPU 등 고성능 시스템과 2.5D SiP(시스템 인 패키지)로 연결하면, 엔비디아가 공개한 '블랙웰' 시리즈와 같은 AI 가속기가 된다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 기판만을 활용하는 기존 2D 패키징에 비해 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있다. ■ 패키징 주도하는 TSMC…다양한 차세대 기술 준비 중 현재 2.5D 패키징을 선도하고 있는 기업은 대만 TSMC다. TSMC는 자체 2.5D 패키징 기술인 'CoWoS(칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트)'를 통해 SK하이닉스와 엔비디아 GPU를 접합하고 있다. 특히 SK하이닉스가 최근 상용화한 HBM3E(5세대 HBM)의 경우, TSMC는 이전 CoWoS-S에서 한발 더 나아간 CoWoS-L를 적용했다. CoWoS-L은 로컬실리콘인터커넥트(LSI)라는 소형 인터포저를 활용해 비용 효율성을 높이는 기술이다. 이 부사장은 "나아가 TSMC는 광학 소자를 활용하는 'CPO 패키징'이나 GPU와 메모리를 수직으로 직접 연결하는 '3D SiP', 웨이퍼에 직접 칩을 연결하는 '시스템 온 웨이퍼' 등을 향후의 패키징 로드맵으로 제시하고 준비하고 있다"고 밝혔다. ■ 하이브리드 본딩 열심히 개발…설비투자는 '아직' 한편 SK하이닉스는 내년 하반기 양산할 계획인 HBM4(6세대 HBM)에 기존 본딩 기술과 하이브리드 본딩을 적용하는 방안을 모두 고려하고 있다. 두 기술을 동시에 고도화해, 고객사의 요구에 맞춰 적절한 솔루션을 제공하겠다는 전략이다. 하이브리드 본딩이란 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 차세대 패키징 공법이다. 기존 본딩은 작은 돌기 형태의 범프(Bump)를 통해 칩을 붙인다. 하이브리드 본딩은 이 범프를 사용하지 않아 전체 칩 두께를 줄이는 데 유리하다. 다만 SK하이닉스가 하이브리드 본딩 분야에 당장 투자를 진행할 가능성은 낮은 것으로 관측된다. 내년 설비투자 규모를 올해(10조원 중후반대) 대비 늘리기는 하나, 인프라 및 연구개발(R&D), 후공정 분야에 고루 할당하기 때문이다. 이 부사장은 하이브리드 본딩용 설비 투자 계획과 관련한 기자의 질문에 "아직은 개발 단계"라며 "여러 가지를 검토하고 있다"고 답변했다.

2024.10.24 17:19장경윤

LG이노텍, 3분기 영업익 1304억원…전년比 28.9% 감소

LG이노텍은 올 3분기 한국채택 국제회계기준(K-IFRS)으로 매출 5조6천851억원, 영업이익 1천304억원을 기록했다고 23일 밝혔다. 이번 실적은 전년동기 대비 매출은 19.3% 증가, 영업이익은 28.9% 감소한 수치다. LG이노텍 관계자는 “고객사 신모델 양산으로 고부가 카메라 모듈 공급이 확대되고, 반도체 기판, 차량용 통신 모듈의 매출이 늘었다"며 "다만 원∙달러 환율 하락, 전기차∙디스플레이 등 전방 산업의 수요 부진, 광학 사업의 공급 경쟁 심화로 영업이익은 전년 동기 대비 감소했다”고 설명했다. 다만 LG이노텍은 차량 카메라, 통신 모듈, 조명 등 핵심 사업으로 육성 중인 차량용 부품의 매출이 매년 증가하고, 전장 사업의 수주잔고 역시 12조원에 이르는 등 사업구조 고도화 성과를 이뤄내고 있다. LG이노텍 관계자는 “선행기술∙제품 선제안 확대로 시장 선도 지위를 강화하는 동시에, AI∙디지털 트윈을 활용한 원가 경쟁력 제고, 전략적 생산지 재편 등을 통해 수익성을 지속 개선해 나갈 것”이라고 말했다. 사업부문별로는 광학솔루션사업이 전년 동기 대비 24% 증가한 4조8천369억원의 매출을 기록했다. 고객사 신모델 출시에 따른 모바일용 고부가 카메라 모듈 양산이 본격화했고, 차량용 카메라 모듈 공급도 늘었다. 전분기 대비로는 31% 증가했다. 기판소재사업은 전년 동기 대비 13% 증가한 3천703억원의 매출을 기록했다. 전분기 대비는 2% 감소했다. 고객사 신제품 출시로 RF-SiP(라디오 주파수-시스템 인 패키지) 등 반도체 기판의 공급은 증가했으나, COF(칩 온 필름)와 같은 디스플레이용 제품군은 TV 등 전방 산업의 수요 부진으로 약세를 보였다. 전장부품사업은 전년 동기 대비 9%, 전분기 대비 4% 감소한 4천779억원의 매출을 기록했다. 전기차 시장 성장세 둔화로 판매 실적이 감소했다. 반면, 자율주행용 차량 통신 모듈의 매출은 꾸준히 늘어나고 있으며, 수주잔고 역시 매년 증가해 올 3분기 기준 11조9천억원을 기록했다.

2024.10.23 16:34장경윤

엔비디아, '블랙웰' AI칩 브랜드 정비…첨단 패키징·HBM 수요 촉진

엔비디아가 출시를 앞둔 고성능 GPU의 라인업을 재정비하고, AI 데이터센터 시장을 적극 공략할 계획이다. 이에 따라 대만 주요 파운드리인 TSMC의 첨단 패키징 수요도 크게 늘어날 것으로 전망된다. 22일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 엔비디아는 최근 '블랙웰' 울트라 제품을 'B300' 시리즈로 브랜드를 변경했다. 블랙웰은 엔비디아가 지난 3월 공개한 최신형 AI 반도체다. TSMC의 4나노미터(nm) 공정 및 첨단 패키징을 기반으로, 이전 세대(H100) 대비 데이터 연산 속도를 2.5배가량 높였다. 블랙웰 시리즈는 전력 소모량에 따라 B100, B200 등의 모델로 나뉜다. 두 모델은 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 8단 제품이 탑재된다. 나아가 엔비디아는 상위 모델인 B200 울트라를 설계하고, 여기에 HBM3E 12단을 적용하기로 한 바 있다. 이번 리브랜딩에 따라, B200 울트라는 B300으로 이름이 바뀌었다. '그레이스' CPU와 결합된 'GB200 울트라' 모델은 'GB300'으로 불린다. 기존 AI 반도체에서 성능을 일부 하향 조정한 'B200A 울트라'와 'GB200A 울트라' 역시 각각 'B300A', 'GB300A'로 변경됐다. B300 시리즈는 내년 2분기와 3분기 사이에 출시될 것으로 예상된다. 기존 B200과 GB200 등은 올 4분기부터 내년 1분기 사이 양산이 시작될 전망이다. 트렌드포스는 "엔비디아는 당초 서버 고객사를 위해 B200A를 출시할 계획이었으나, 설계 과정에서 B300A로 전환해 성능을 하향 조정한 GPU의 수요가 예상보다 약하다는 것을 나타냈다"며 "또한 GB200A에서 GB300A로 전환하는 기업의 경우 초기 비용이 증가할 수 있다"고 설명했다. 또한 엔비디아의 고성능 GPU 출시는 TSMC의 'CoWoS' 패키징 수요를 크게 촉진할 것으로 분석된다. CoWoS는 TSMC가 자체 개발한 2.5D 패키징이다. 칩과 기판 사이에 인터포저라는 얇은 막을 삽입해, 패키징 면적을 줄이고 칩 간 연결성을 높인 것이 특징이다. 트렌드포스에 따르면 올해 CoWoS 수요는 전년 대비 10% 이상 증가할 것으로 예상된다. 트렌드포스는 "최근 변화에 비춰볼 때 엔비디아는 CoWoS-L 기술을 활용하는 북미 서버 고객사에 B300 및 GB300 제품을 공급하는 데 집중할 가능성이 높다"고 밝혔다. CoWoS-L는 로컬실리콘인터커넥트(LSI)라는 소형 인터포저를 활용하는 기술이다.

2024.10.23 10:01장경윤

삼성 HBM4 희망 불씨...'1c D램' 성과에 달렸다

삼성전자를 둘러싼 위기론이 또 다시 고개를 들고 있습니다. 위기의 근원지로는 대체로 반도체로 모아지는 듯합니다. 그중에서도 HBM 사업을 중심으로한 메모리 경쟁력 회복과 지지부진한 파운드리가 지목되고 있습니다. 신뢰와 소통의 조직문화 재건도 관건입니다. 이에 지디넷코리아는 삼성 위기설에 대한 근원적인 문제를 살펴보고 재도약의 기회를 함께 모색해 보고자 합니다. [편집자주] 삼성전자가 개발 중인 1c D램(6세대 10나노급 D램)이 반도체 업계 최대 화두로 떠오르고 있다. 1c D램은 삼성전자, SK하이닉스 등이 내년 양산을 본격화할 것으로 예상되는 차세대 메모리다. 삼성전자의 경우 1c D램의 초도 양산라인을 올해 연말 구축할 계획이다. 1c D램이 삼성전자에게 중요한 이유는 반도체 시장 성장을 이끌고 있는 HBM(고대역폭메모리) 때문이다. 삼성전자는 내년 말 출시를 앞둔 6세대 HBM, HBM4의 코어 다이(core die)로 1c D램을 채용하기로 했다. 삼성전자는 이전 세대인 HBM3, HBM3E 등에서 주요 고객사인 엔비디아향 양산이 지연되는 등 차질을 빚어 왔다. HBM3E에 경쟁사가 1b D램을 채용한 것과 달리, 한 세대 낮은 1a D램을 활용한 것이 성능 부진의 주된 요소로 지목된다. 반대로 HBM4에는 삼성전자가 1c D램을, SK하이닉스·마이크론이 1b D램을 채택했다. 삼성전자가 경쟁사보다 집적도를 높인 D램 채용으로 그동안 탈많은 HBM의 경쟁력을 빠르게 끌어올리겠다는 전략이다. ■ "관례 뒤집는 승부수"…삼성 1c D램 성능 안정성 여부 의문 다만 삼성전자의 HBM 로드맵에 업계의 우려 섞인 시선도 적지 않다. 그간 D램 및 HBM이 개발돼 온 기술적인 절차와 관례를 삼성전자가 이번 HBM4부터 뒤집을 가능성이 높기 때문이다. 이유는 이렇다. HBM은 범용 D램을 기반으로 만들어지기 때문에, 범용 D램의 성능을 안정적으로 확보하는 것이 중요하다. 이에 업계는 먼저 컴퓨팅과 모바일 등으로 D램 제품을 개발하고, 이후 이를 HBM에 적용하는 과정을 거쳐 왔다. 그러나 현재 삼성전자의 행보를 봤을때 이러한 과정을 생략하거나 축소할 가능성이 크다. 삼성전자는 당초 연내 1c D램의 초도 양산을 시작하겠다는 계획을 세운 바 있다. 설비투자 시점을 고려하면 본격적인 양산은 빨라도 내년 상반기에나 가능하다. 이 경우, HBM4의 목표 양산 시점과의 간격이 1년도 채 되지 않는다. 메모리 반도체 업계 고위 관계자는 "통상 D램은 컴퓨팅을 코어로 개발하고 모바일, HBM 등으로 파생되는 순서를 거쳐야 안정적"이라며 "반면 삼성전자는 양산 일정을 고려하면 HBM이 사실상 신규 D램의 가장 빠른 주 적용처가 되는 것으로, 이례적인 시도"라고 설명했다. 실제로 SK하이닉스는 지난 8월 세계 최초로 1c 공정 기반의 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했으나, HBM4에는 적용하지 않는다. 시장 상황을 고려해 성능 향상 보다는 안정성에 무게를 두는 판단이 작용한 것으로 알려졌다. ■ '희망 불씨' 봤다지만…확실한 성과 보여줘야 이달 삼성전자는 1c D램 개발 과정에서 처음으로 '굿 다이'(Good die)를 확보했다. 굿 다이란 제대로 작동하는 반도체 칩을 뜻하는 단어다. 이에 회사 내부에서는 "희망이 생겼다"는 긍정적인 평가가 나오기도 한 것으로 전해졌다. 다만 삼성전자가 1c D램을 안정적으로 양산하기 위해선 아직 많은 준비와 절차가 필요하다는 지적이 제기된다. 이번 개발 과정에서 삼성전자가 확보한 굿 다이의 수는 웨이퍼 투입량 대비 매우 적은 수준이다. 수율로 환산하면 10%를 밑도는 것으로 산출된다. 또한 반도체 공정은 굿 다이 확보 이후 해당 칩을 패키징까지 완료하는 엔지니어링 샘플(ES), 고객사향 품질 인증을 마치기 위한 커스터머 샘플(CS) 등 상용화를 위한 여러 과정을 거쳐야 한다. 업계 관계자는 "삼성전자가 빠른 시일 내에 1c D램에서 수율과 성능 안정성 등 두 마리 토끼를 모두 잡아야 하는 상황"이라며 "최근 성과가 무의미한 것은 아니나, HBM의 경쟁력을 크게 끌어올리기 위해서는 더 많은 진전을 이뤄야 한다"고 설명했다.

2024.10.21 14:43장경윤

LB세미콘, 계열사 LB루셈 흡수합병 결정…"시너지 효과 도모"

국내 OSAT(외주반도체패키징테스트) 기업 LB세미콘이 반도체 패키지 계열사인 '주식회사 LB루셈'와의 합병을 통해 사업간 시너지를 제고하고 경쟁력 강화에 나선다. LB세미콘은 18일에 열린 이사회에서 LB루셈을 흡수합병하기로 결의했다고 공시를 통해 밝혔다. 합병비율은 1대 1.1347948로, LB세미콘은 포합주식을 제외한 LB루셈의 발행주식에 대해 합병 비율로 신주를 배정할 예정이다. 합병 기일은 2025년 2월 1일로 예정돼 있으며, 합병 후 존속회사의 상호는 LB세미콘으로 유지된다. 대표집행임원 역시 현재 LB세미콘을 이끌고 있는 김남석 대표이사가 변동 없이 맡게 된다. LB세미콘은 공시를 통해 LB루셈와의 합병 목적에 대해 ▲통합 후공정 서비스로 사업 경쟁력 확보하여 시장 확대 ▲기술·개발 등의 인력 효율성 확보 ▲재무 건전성 확보 및 자금 조달 능력 강화 ▲ 지분구조 개선 및 중장기 지속 성장으로 주주가치 제고라고 밝혔다. 실제로 LB세미콘과 LB루셈은 본 합병을 통해 상당한 시너지 효과를 거둘 것으로 기대된다. 그동안 LB세미콘에서 주력해 왔던 200mm, 300mm 범핑, WLP(웨이퍼레벨패키지)·FO(팬아웃)WLP, 웨이퍼 테스트, DPS(다이 프로레스 서비스)에, DDI(디스플레이구동칩) COF 패키지, Power Transistor(MOSFET, IGBT)까지 성장 동력으로 가세하며 반도체 후공정 분야에서 전반위적으로 경쟁력을 확보할 뿐만 아니라, 재무, 관리, R&D 등 중복 기능의 부서를 통합하고 관리를 일원화해 비용과 운영의 효율성도 도모할 수 있게 된다. 또한 LB루셈의 전력용반도체 사업의 경우 LB세미콘의 브랜드와 인프라, 글로벌 영업네트워크를 적극 활용할 수 있게 되어 신규고객과 매출확대에 박차를 가할 수 있을 것으로 보인다. LB세미콘 관계자는 “LB세미콘이 지속 가능한 성장성과 경쟁력을 확보하기 위해서는, 각 사에서 제공하는 서비스를 하나로 통합돼 시너지를 내야 한다고 판단했다”며 “수익성 개선 및 안정선 재무 흐름에서 긍정적인 영향을 줄 것”이라고 말했다. 덧붙여 “두 회사가 보유하고 있는 기술과 노하우, 인적 네트워크를 유기적으로 결합시켜 윈윈(win-win)의 결과를 만들어내 향후 글로벌 TOP 10 OSAT 기업으로 도약하는 발판을 마련할 것”이라고 덧붙였다. LB루셈은 평판디스플레이 핵심부품인 드라이버 IC와 파워 IC 등에 후공정 서비스를 제공하는 전문기업으로, 2024년 2분기 기준 매출액 495억원, 영업이익 13억원을 기록한 LB세미콘의 주요 계열사다.

2024.10.18 16:05장경윤

한미반도체, 3Q 창사 최대 '분기 실적' 달성…HBM용 TC본더 공급 영향

한미반도체는 3분기 매출 2천85억원, 영업이익 993억원으로 창사 최대 분기 실적을 달성했다고 17일 밝혔다. 올해 누적 매출은 4천93억원, 누적 영업이익은 1천834억원이다. 한미반도체는 올해 3분기부터 시작된 인공지능 반도체의 핵심인 HBM용 TC 본더의 본격 납품과 2025년 말 완공 목표로 추진 중인 HBM TC 본더 전용 신규 공장 증설로 향후 지속적인 매출 성장이 전망된다. 곽동신 한미반도체 대표이사 부회장은 "현재 한미반도체는 HBM용 TC 본더 세계 시장 점유율 1위"라며 "이러한 배경에는 1980년 설립 이후 45년 축적된 업력과 노하우를 바탕으로, 한미 인천 본사에서는 SK하이닉스 전담 A/S을 창설했고 한미차이나와 한미타이완에서는 마이크론테크놀러지 대만 공장 전담 A/S팀을 창설해 고객만족을 위한 끊임없는 노력이 더해졌기에 가능하다"고 밝혔다. 그는 이어 "영국에 '못 하나가 없어서' 라는 속담이 있다. 못 하나가 없어서 말 발굽을 사용하지 못하고 이로 인해 결국 전쟁에서 진다는 이야기"라며 "인공지능 반도체의 핵심인 HBM 생산에서 TC 본더가 아주 중요한 핵심 공정 장비라고 생각한다"고 말했다. 회사의 경쟁력에 대해서는 "한미반도체와 경쟁하고 있는 ASMPT는 중국 선전, 청두 공장에서 장비를 생산하고 있어, 조립 품질과 장비의 성능면에서 메이드인 코리아인 한미반도체에는 확연히 뒤쳐지고 있다"고 설명했다. 미국 빅테크(M7) 기업의 AI 전용칩(HBM) 개발 수요가 지속적으로 증가할 것으로 보고 있기에, AI 반도체 시장의 주요 고객으로 부상할 미국 현지 고객 밀착 서비스를 위해 미국 법인 설립과 미국 현지 고객사에 A/S 제공이 가능한 에이전트를 선별 중에 있다고 밝혔다. 한미반도체는 지난달 주주가치 제고와 인공지능 반도체 시장에 대한 미래 가치 자신감을 바탕으로 400억원 규모의 자사주 취득 신탁계약을 체결하며 최근 3년동안 총 2천400억 원 규모의 자사주 취득 신탁 계약을 체결했다. 대표이사 곽동신 부회장 역시 2023년부터 현재까지 개인적으로 353억 원 규모의 자사주를 매수했다. 한편 한미반도체는 올해 상반기부터 글로벌 반도체 제조사의 요청으로 6세대 HBM4 생산용 마일드 하이브리드 본더를 개발하고 있다.

2024.10.17 10:01장경윤

"아이폰18, '2나노 A20' 칩 사용...램은 12GB"

애플이 내후년 출시할 아이폰에 새로운 패키징 방식의 2나노미터(nm) 공정 프로세서를 장착할 것이란 예측이 제기됐다. 16일 중국 언론 IT즈자는 IT 팁스터(@서우지징폔다런)를 인용해 "2026년 애플의 아이폰이 채용할 A20 칩은 새로운 WMCM 패키징 방식을 쓰고 램도 12GB로 업그레이드 될 것"이라고 보도했다. 그에 따르면, 2026년 애플의 아이폰 프로세서인 2nm 프로세서 'A20'은 첨단패키징기술서비스(APTS)가 통합팬아웃(InFo)에서 웨이퍼레벨멀티칩모듈(WMCM) 패키징 방식으로 변경된다. 메모리도 12GB로 업그레이드 된다. 중국 언론 세븐테크에 따르면 InFo 방식은 부품을 칩 패키징에 통합시킬 수 있으며 메모리 등 요소를 칩 패키징에 직접 추가할 수 있다. 이 경우 칩 패키징이 작아지면서 단일 칩에 중앙처리장치(CPU), 그래픽처리장치(GPU), 뉴럴 엔진을 놓고 그 위에 메모리를 설치할 수 있다. 하지만 패키징에 서로 다른 CPU와 GPU 조합을 포함시키려면, 다른 칩을 생산해야하기 때문에 비용이 많이 든다. 반면 WMCM을 적용하면 여러 칩을 조합해 패키징하면서, CPU 혹은 GPU를 함께 조립할 수 있다. 전체 패키징 크기가 매우 작으면서도 촘촘한 칩 배열로 성능 저하가 없다. 이에 애플의 경우 WMCM으로 전환하면 다양한 금형을 결합해 여러 패키징 설계를 자유롭게 할 수 있으며, 금형 제작비 역시 크게 증가하지 않을 것이라는 게 중국 언론의 예측이다. TSMC는 내년 연말 2nm 공정을 양산할 계획으로, 애플은 이미 TSMC의 2nm 공정 양산 초기 물량을 확보한 것으로 전해진다. 아이폰18 시리즈가 2nm 공정 칩을 사용하면서, 3nm 공정 대비 성능을 10~15% 높이고 전력 소모는 최대 30% 줄일 것이라고 매체는 전했다.

2024.10.17 08:34유효정

TSMC, 앰코와 손잡고 美 파운드리 사업 힘준다

대만 주요 파운드리 TSMC가 미국 파운드리 시장 공략에 속도를 낸다. 미국 주요 OSAT(외주반도체패키지테스트) 기업 앰코와 협력해 고성능 칩 제조를 위한 첨단 패키징 기술을 강화할 예정이다. 6일 업계에 따르면 TSMC는 앰코와 첨단 패키징 분야 협력을 위한 업무협약(MOU)을 체결했다. 이번 협약에 따라 TSMC는 미국 애리조나주 팹에 앰코가 피오리아에 건설 중인 첨단 패키징 및 테스트 서비스를 적용할 계획이다. 이를 통해 파운드리 사업 전반에 필요한 전공정·후공정 기술을 동시에 강화하겠다는 게 TSMC의 전략이다. 특히 양사 협업은 TSMC의 팬아웃 기술인 'InFO', 'CoWoS(칩-온-웨이퍼)' 등에 초점을 맞춘다. 팬아웃은 데이터를 주고받는 입출력단자(I/O)를 칩 외부로 빼는 기술이다. 기존 방식 대비 더 많은 I/O를 배치할 수 있고, 반도체와 기판 사이의 배선 길이가 줄어들어 칩의 성능 및 효율을 높일 수 있다. CoWoS는 TSMC의 2.5D 패키징 기술 브랜드명이다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술로, 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있다. 현재 IT 업계에서 각광받는 AI 가속기도 시스템반도체와 HBM(고대역폭메모리)를 2.5D 패키징으로 엮어 만든다. 앰코는 "이번 협약은 전공정 및 후공정에서 고객사의 요구 사항을 지원하고 미국 내 포괄적인 반도체 제조 생태계를 조성하기 위한 것"이라고 밝혔다. TSMC는 "고객사들은 AI, 모바일, 고성능 컴퓨팅 분야에서 점점 더 많이 첨단 패키징 기술에 의존하고 있다"며 "앰코와의 협력으로 TSMC 파운드리 팹의 가치를 극대화하고, 미국 내 고객사에게 더 넓은 서비스를 제공할 수 있기를 기대한다"고 강조했다. 한편 TSMC는 미국 애리조나주 피닉스에 약 400억 달러를 들여 첨단 파운드리 공장 2곳을 건설하고 있다. 또한 2나노미터(nm) 이하의 최선단 파운드리 공장도 추가로 지을 계획이다. 이에 미국 정부는 TSMC에 66억달러 규모의 보조금을 지원하고, 50억달러 규모의 저리 대출을 제공하기로 하는 등 막대한 지원책을 펼치고 있다.

2024.10.06 09:28장경윤

삼성전자, 엔비디아향 HBM3E 공급 '칠전팔기'…평택서 실사 마무리

삼성전자와 엔비디아가 최근 진행된 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 관련 실사(Audit)를 차질없이 마무리한 것으로 파악됐다. 제품의 양산 공급이 당초 예상보다 늦어지는 가운데, 기존 제기된 품질 문제를 해결했다는 점에서 긍정적인 평가가 나온다. 다만 이번 실사는 HBM 공급을 위한 중간 과정으로, 최종적인 퀄(품질) 테스트로 직결되는 사안은 아니다. 때문에 양사 간 HBM3E 사업 전망에 대해서는 조금 더 지켜봐야 한다는 의견도 적지 않다. 2일 업계에 따르면 엔비디아는 지난달 말 삼성전자 평택캠퍼스를 찾아 HBM에 대한 실사를 진행했다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "엔비디아가 최근 평택캠퍼스를 방문해 8단 HBM3E에 대한 실사를 진행했다"며 "최근 대두됐던 HBM 품질 문제는 이번 실사에서 해결이 된 것으로 가닥이 잡혔다"고 설명했다. HBM3E는 상용화된 가장 최신 세대의 HBM이다. 삼성전자의 경우 8단 및 12단 제품을 엔비디아에 공급하기 위한 퀄 테스트를 지속해 왔다. 당초 업계에서는 8단 제품이 8~9월 결과가 나올 것으로 예상해 왔으나, 공식적인 퀄 승인은 아직 나오지 않은 상황이다. 주로 전력(파워) 미흡이 발목을 잡은 것으로 알려졌다. 실사는 고객사가 제조사의 팹을 방문해 양산 라인 및 제품 등을 점검하는 행위다. 업계에서는 퀄 테스트 통과 이전에 거쳐야 하는 관례적인 수순으로 본다. 이번 실사로 삼성전자는 8단 HBM3E에 대한 내부적인 양산 준비를 차질없이 완료할 수 있을 것으로 관측된다. 다만 실사는 엔비디아향 퀄 테스트 결과와는 무관하다. 퀄 테스트에서는 HBM 자체만이 아니라 시스템반도체와 결합되는 패키징 단계에서의 수율·성능 등을 추가로 검증해야 한다. 때문에 삼성전자 HBM3E가 엔비디아의 고성능 AI 가속기인 'H200'·'B100' 등에 곧바로 대량 공급될 가능성은 현재까지 조금 더 두고 봐야한다는 분석된다. 이보다는 저가형 커스터머 칩 등 비(非) 주력 제품에 먼저 적용되는 방안이 유력하다는 게 업계 전언이다. 실제로 삼성전자는 엔비디아가 중국 시장을 겨냥해 H200에서 성능을 낮춘 'H20' 칩에 올해 HBM3를 공급한 바 있다. 업계 한 관계자는 "가장 최근 진행된 실사에서 HBM3E의 품질 문제를 해결한 것은 긍정적인 신호"라면서도 "본격적인 양산 공급을 위한 최종 퀄 테스트 통과는 지속 연기돼 온 만큼, 실제 영향은 조금 더 지켜봐야 한다"고 설명했다.

2024.10.02 15:13장경윤

韓 AI칩 팹리스, 최첨단 패키징 '칩렛' 도입 본격화

기존 글로벌 빅테크의 전유물처럼 여겨지던 첨단 패키징 기술인 '칩렛' 분야에 국내 팹리스들도 본격적으로 발을 디딘다. AI 반도체 스타트업 리벨리온을 시작으로, 넥스트칩과 퓨리오사AI 등이 차세대 칩 성능 강화를 위해 칩렛 도입을 추진 중인 것으로 알려졌다. 30일 업계에 따르면 국내 팹리스 기업들은 차세대 반도체 제작에 칩렛 기술을 적용하는 방안을 적극 검토하고 있다. 칩렛은 각기 다른 기능을 가진 반도체를 제조하고 하나의 칩으로 이어붙이는 최첨단 패키징 기술이다. 한 번에 칩 전체를 만드는 기존 모놀리식 방식 대비 수율 향상에 유리하며, 복잡한 구성의 칩을 보다 효율적으로 제조할 수 있게 만든다. 기존 칩렛의 수요처는 엔비디아·AMD·인텔 등 해외 거대 팹리스가 주류를 차지해 왔다. 칩렛의 기술적 난이도가 매우 높고, 최선단 공정 기반의 칩에만 적용되고 있기 때문이다. 다만 국내 팹리스 기업들도 최근 들어 칩렛 적용 계획을 구체화하고 있다. 차량용 ADAS(첨단운전자보조시스템) AP(애플리케이션 프로세서)인 '아파치' 시리즈를 개발하는 넥스트칩은 차세대 제품에 칩렛을 적용하는 방안을 적극 검토 중이다. 김경수 넥스트칩 대표는 최근 기자와 만나 "다음 세대인 '아파치7'는 아파치6 대비 10배 정도 강화된 컴퓨팅 성능을 구현하는 것으로 방향을 잡았다"며 "이를 위해서는 칩 사이즈가 커지는데, NPU(신경망처리장치)·GPU(그래픽처리장치) 등을 각각 따로 만들어 집적하는 칩렛 기술이 필요하다"고 설명했다. 국내 데이터센터용 AI 반도체 스타트업 리벨리온은 이르면 올해 칩렛 기술을 적용한 차세대 칩을 선보일 계획이다. 리벨리온은 올 연말 차세대 NPU인 '리벨'을 출시하고, 이를 기반으로 리벨 칩 4개를 칩렛 구조로 묶은 '리벨-쿼드'를 상용화하기로 했다. 리벨은 삼성 파운드리 4나노미터(nm) 공정을 기반으로 12단 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)를 탑재한다. 리벨-쿼드의 경우 총 4개의 HBM3E가 연결돼 메모리 용량이 144GB, 대역폭이 4.8TB/s까지 확장된다. 또 다른 스타트업 퓨리오사AI도 올해 출시하는 2세대 NPU '레니게이드'의 다음 제품에 칩렛을 적용하겠다고 밝힌 바 있다. 3나노 공정, HBM4 등 최선단 기술을 채용한 것이 또 다른 특징이다. 국내 시스템반도체 업계 관계자는 "기존에는 높은 비용과 한정된 적용처로 국내 팹리스가 칩렛을 고려하지 않았으나, 최근에는 데이터센터와 자율주행을 중심으로 일부 기업들이 도입을 준비하는 분위기"라며 "칩렛을 위한 각종 표준 및 IP(설계자산)도 어느 정도 준비가 된 상황"이라고 설명했다.

2024.09.30 13:40장경윤

SK하이닉스, 12단 HBM3E 세계 첫 양산…엔비디아 공략 속도

SK하이닉스가 현존 HBM(고대역폭메모리) 최대 용량인 36GB(기가바이트)를 구현한 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 메모리다. HBM3E는 5세대 제품에 해당된다. 기존 HBM3E의 최대 용량은 3GB D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 24GB였다. 회사는 양산 제품을 연내 고객사에 공급할 예정이다. 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 고객에게 납품한지 6개월만에 또 한번 괄목할 만한 성과를 거뒀다. SK하이닉스는 “당사는 2013년 세계 최초로 HBM 1세대(HBM1)를 출시한데 이어HBM3E까지 전 세대 라인업을 개발해 시장에 공급해온 유일한 기업”이라며 "높아지고 있는 AI 기업들의 눈높이에 맞춘 12단 신제품도 가장 먼저 양산에 성공해 AI 메모리 시장에서 독보적인 지위를 이어가고 있다”고 강조했다. 회사는 HBM3E 12단 제품이 AI 메모리에 필수적인 속도, 용량, 안정성 등 모든 부문에서 세계 최고 수준을 충족시켰다고 설명했다. 우선 회사는 이번 제품의 동작 속도를 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 높였다. 이는 이번 제품 4개를 탑재한 단일 GPU로 거대언어모델(LLM)인 '라마 3 70B'를 구동할 경우 700억 개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 수준이다. 회사는 또 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다. 이를 위해 D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 TSV(실리콘관통전극) 기술을 활용해 수직으로 쌓았다. 여기에 얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다. 회사는 자사 핵심 기술인 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 이번 제품에 적용해 전 세대보다 방열 성능을 10% 높였으며, 강화된 휨 현상 제어를 통해 제품의 안정성과 신뢰성을 확보했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 기술이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받고 있다. 특히 SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 휨 현상 제어도 우수해 안정적인 HBM 양산성을 확보하는 데 핵심이 되고 있다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 “당사는 다시 한번 기술 한계를 돌파하며 시대를 선도하는 독보적인 AI 메모리 리더로서의 면모를 입증했다”며 “앞으로도 AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비해 '글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더(Provider)'로서의 위상을 이어가겠다”고 말했다.

2024.09.26 09:57장경윤

정부, 내년 반도체 R&D 예산 12% 증액…업계 "성장동력 기대"

정부가 내년 반도체 연구개발(R&D) 예산을 올해보다 12% 늘리며 시스템반도체와 첨단 패키징 등을 집중 지원할 방침이다. 이는 다른 분야와 비교해 높은 예산 증가율로, 반도체 업계는 이번 R&D 예산 증액이 반도체 경쟁력 강화에 성장동력이 될 것이라고 평가했다. 정부는 지난달 28일 2025년 R&D 예산을 올해보다 3조2천억원(11.8%) 늘어난 29조7천억원으로 역대 최대 규모로 책정했다. 올해 R&D 예산(26조5천억원)은 작년(29조3천억원) 보다 큰 폭으로 줄어든 바 있다. 이번 예산 증액은 정부가 반도체를 비롯해 디스플레이, 이차전지, AI, 첨단바이오, 양자 분야 등 초격차 기술을 적극적으로 육성하려는 의지가 반영된 것이다. 지디넷코리아 취재에 따르면 2025년 R&D 예산에서 반도체 부문은 2천억원 중반으로 전년 보다 약 12% 증가했다. 특히 정부는 시스템반도체와 팹리스 기업을 적극 육성한다는 목표로 시스템반도체 기술 개발에 집중 지원하기로 했으며, 반도체 인재 양성에도 지원을 확대하기로 결정했다. 작년과 비교해 R&D 예산 규모가 늘어난 사업은 ▲시스템반도체 수요연계 온라인플랫폼 지원 ▲시스템반도체 IP(설계자산) 뱅크 플랫폼 구축 ▲팹리스 기업 첨단 장비 공동 이용 지원 ▲첨단 반도체 양산연계형 미니팹 기반구축 ▲고신뢰 반도체 상용화 위한 팹리스 검사검증지원 등이 대표적이다. 그 중 시스템반도체 수요 연계 온라인플랫폼 지원 사업인 '콤파스(COMPAS)'는 시스템반도체 분야 수요가 있는 기업과 기술을 가진 반도체 공급 기업을 매칭하고, 상용화를 위한 시제품 개발에 필요한 사업비를 지원해주는 사업이다. 내년 콤파스 R&D 예산이 늘어남에 따라 수요와 공급(팹리스, IP, 디자인하우스, 패키징, 파운드리)의 시스템반도체 생태계 조성에 기여할 것으로 기대된다. 또한 미래 먹거리로 꼽히는 화합물 전력반도체와 첨단 패키징은 시스템반도체 강국을 위해 반드시 필요한 기술로, 정부가 본격적으로 육성하는 신사업이다. 지난 6월 출범한 화합물 전력반도체 고도화 기술개발 사업은 올해부터 2028년까지 총 1384억6천만원(국비 938억8천만원, 민간 445억8천만원)이 투입된다. 반도체 첨단패키징 선도 기술개발 사업은 내년부터 2031년까지 2천744억원을 지원할 예정이다. 안기현 반도체산업협회 전무는 "반도체는 대한민국 산업의 기반이 되는 핵심 사업으로, R&D를 통해서 경쟁력을 확보하는 것이 중요하다"며 "글로벌 경쟁이 치열한 반도체 산업에서 이번 예산 증액은 업계에 매우 긍정적인 소식으로, 새로운 성장동력이 될 것으로 기대된다"고 말했다.

2024.09.12 17:48이나리

ACM 리서치, 첨단 패키징용 'Ultra C bev-p' 베벨 에칭 장비 출시

반도체 장비기업 ACM리서치는 팬아웃 패널 레벨 패키징(FOPLP) 애플리케이션을 위한 'Ultra C bev-p' 패널 베벨 에칭 장비를 출시한다고 11일 밝혔다. 이번 신규 장비는 구리 관련 공정의 베벨 에칭 및 세정용으로 특별히 설계된 것으로, 단일 시스템 내에서 패널 베벨 에칭의 앞면과 뒷면을 모두 처리할 수 있어 공정 효율성과 제품 신뢰성을 향상시킨다. 데이비드 왕 ACM 사장 겸 최고경영자(CEO)는 "FOPLP는 집적도, 비용 효율성 및 설계 유연성 면에서 이점을 제공하기 때문에 향후 크게 각광을 받을 것”이라며 “우리는 새로운 Ultra C bev-p 장비가 수평 패널 애플리케이션에 양면 베벨 에칭을 사용하는 최초의 장비들 중 하나라고 생각한다”고 말했다. Ultra C bev-p 장비는 FOPLP 공정의 핵심 요소이며, 베벨 에칭 및 구리 잔류물 제거를 위해 특별히 설계된 습식 에칭 기술을 활용한다. 이 공정은 전기적 단락을 방지하고, 오염 위험을 최소화하며, 후속 처리 단계의 무결성을 유지해 디바이스의 장기적인 신뢰성을 보장하는 데 있어서 매우 중요하다. 이 장비의 효율성의 핵심은 정사각형 패널 기판의 고유한 문제를 해결하는 ACM의 특허 기술이다. 기존 원형 웨이퍼와 달리, ACM의 혁신적인 설계는 휘어진 패널에서도 베벨 영역에 국한된 정밀한 베벨 제거 공정을 보장한다. 이러한 기술적 진보는 에칭 공정의 무결성을 유지하고 첨단 반도체 기술이 요구하는 높은 성능과 신뢰성을 달성하는 데 필수적이다. 또한 이 시스템은 ±0.2 밀리미터의 베벨 제어 정확도와 0~20 밀리미터의 독보적인 제어 범위를 제공한다. 또한 평균 무고장 시간(MTBF) 500시간, 가동 시간 95%로 설계되어 탁월한 신뢰성과 일관된 성능, 운영 효율성을 보장한다.

2024.09.11 15:35장경윤

정부, 반도체 첨단패키징 키운다...7년간 2744억원 지원

정부가 반도체 강국을 위해 첨단 패키징 기술에 7년간 2천744억원 지원에 나선다. 산업통상자원부는 반도체 첨단패키징 산업 생태계 강화를 위한 반도체 첨단패키징 산업 협력체계 구축을 위해 11일 오후 2시 서울 엘타워에서 업무 협약식을 개최했다. 이번 행사는 반도체 후공정 분야 최초로 예비타당성 조사를 통과한 '반도체 첨단패키징 선도 기술개발 사업'의 성공적인 추진을 위한 자리다. 정부는 반도체 첨단패키징 선도 기술개발 사업은 내년부터 2031년까지 2천744억원을 지원하기로 결정했다. 이날 삼성전자, SK하이닉스, LG화학, 하나마이크론, 한미반도체 등 반도체 후공정(OSAT), 소부장, 팹리스 등 10개 기업이 참여해 업무협약을 체결했다. 이를 통해 OSAT, 소부장 기업들은 첨단패키징 기술개발에 필요한 성능평가, 기술자문, 테스트웨이퍼 등을 칩 제조기업으로 제공 받아 수요기업 연계형 기술개발을 추진할 예정이다. 첨단패키징은 반도체 공정 미세화 한계 및 AI 기술 발전에 따른 고성능·다기능·저전력 반도체 수요증가에 따라 개별 칩들의 단일 패키지화 필요 증대로 핵심 기술로 부상했다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면 첨단 패키징 시장은 2022년 443억 달러에서 2028년 786억 달러로 연평균 10% 성장할 전망이다. 산업부는 우리 기업이 취약한 첨단패키징 기술을 선점해 글로벌 반도체 공급망내 기술 경쟁 우위를 확보하기 위해 해외 기술 선도기관과 연계한 연구개발(R&D) 사업을 추진 중이다. 또 예비타당성 통과 사업을 통해 첨단패키징 초격차 선도 기술개발, 소부장, OSAT 기업의 핵심 기술 확보, 차세대 기술 선점을 위한 해외 반도체 전문 연구기관과의 협력 체계 구축 등을 추진 할 계획이다. 이와 함께 첨단패키징 기술개발에 필요한 인력양성 등 후공정 산업 육성을 위한 지원을 지속 추진할 예정이다. 이승렬 산업정책실장은 "글로벌 반도체 첨단패키징 기술 경쟁력 확보를 위해 우리 기업들의 적극적인 기술개발 협력을 요청한다"고 당부하며 "정부도 업계의 노력에 발맞춰 반도체 후공정의 견고한 선순환적 생태계 조성을 위해 필요한 모든 지원을 아끼지 않겠다"고 밝혔다.

2024.09.11 14:50이나리

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