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삼성전기, AI·서버·전장용 첨단 반도체 패키지기판 공개

삼성전기는 3일부터 5일까지 인천 송도 컨벤시아에서 열리는 'KPCA Show 2025'(국제 첨단 반도체 기판 및 패키징 산업전)에 참가해, AI·서버·전장용 반도체 패키지기판과 글라스코어 패키지기판 등 차세대 패키지 기술을 선보인다고 3일 밝혔다. 'KPCA Show'는 국내외 기판, 소재, 설비 기업들이 참가하는 국내 최대 규모의 PCB·반도체 패키징 전시회로, 전자회로 산업의 최신 기술 동향을 공유하는 자리다. 반도체 패키지기판(FCBGA)은 고집적 반도체 칩과 메인보드를 연결하여 전기적 신호와 전력을 전달하는 제품이다. 서버, AI, 클라우드, 전장 등 산업 패러다임 변화에 따라 반도체 패키지기판이 반도체 성능 차별화의 핵심이 되고 있으며, 반도체 고성능화에 따라 반도체 패키지기판도 내부 층수 증가, 미세회로 구현, 층간 미세 정합, 두께 슬림화 등 고난도 기술이 요구되고 있다. 삼성전기는 국내 최대 반도체 패키지기판 기업으로, 이번 전시회에서 ▲어드밴스드 패키지기판존 ▲AI & 전장 패키지기판존 두 개의 테마로 부스를 운영한다. 전시 부스 중앙에는 반도체 패키지기판이 적용된 제품분해도를 배치해 관람객들의 이해도를 높인다. 어드밴스드 패키지기판존에서는 현재 양산중인 하이엔드급 AI·서버용 FCBGA의 핵심 기술을 선보인다. 해당 제품은 일반 FCBGA 대비 면적이 10배 이상, 내부 층수는 3배 이상 구현된 최고난도 사양으로, 삼성전기는 국내 유일 서버용 FCBGA 양산 기업으로 업계 최고 수준의 기술력을 보유하고 있다. 또한 반도체 고성능화에 대응해 ▲ 실리콘 인터포저 없이 반도체와 반도체를 직접 연결하는 2.1D 패키지기판 기술▲ SoC(system on Chip)와 메모리를 하나의 기판에 통합한 Co-Package 기판 등을 선보인다. 특히 삼성전기는 차세대 기판으로 주목받고 있는 글라스코어 패키지기판을 소개한다. 글라스코어 패키지기판은 기존 기판 대비 두께를 약 40% 줄이고, 대면적 기판에서 발생하는 휨 특성과 신호 특성을 개선한 제품이다. 삼성전기는 핵심기술 확보와 고객사 협력을 강화해 향후 시장을 선도한다는 계획이다. AI & 전장 패키지기판존에서는 ▲ 글로벌 시장점유율 1위를 자랑하는 AI 스마트폰 AP용 FCCSP(Flip Chip Chip Scale Package) ▲ 자동차용 고신뢰성 FCBGA ▲ AI 노트북용 박형 UTC(Ultra Thin Core) 기판 ▲ 수동소자 내장 임베디드 기판 등을 전시한다. 김응수 삼성전기 부사장(패키지솔루션사업부장)은 “삼성전기는 AI, 자율주행, 서버 등 하이엔드 반도체 패키지기판 시장에서 차별화된 기술을 지속적으로 확보하고 있다”며 “고성능 반도체 패키지기판 기술력을 기반으로 글로벌 고객사와 협력을 확대해 미래 성장 시장을 집중 공략하겠다”고 밝혔다. 삼성전기는 2022년 10월 국내 최초로 AI·서버용 FCBGA 양산에 성공하며 업계 최고 수준의 기술력을 인정받았다. 삼성전기는 고성능 서버 및 네트워크, 자율주행 등 하이엔드 반도체 패키지기판 시장에서 초대면적·초고다층·초미세회로 구현 및 글라스 소재 활용 기술 확보에 역량을 집중하고 있다.

2025.09.03 09:57장경윤

LG이노텍, 대면적 FC-BGA·유리기판 등 차세대 기판 기술 공개

LG이노텍은 3일부터 5일까지 인천 송도 컨벤시아에서 열리는 'KPCA show 2025(국제PCB 및 반도체패키징산업전)'에 참가해 차세대 기판 기술 및 제품을 전시한다고 3일 밝혔다. 올해로 22회째인 KPCA show는 한국PCB 및 반도체패키징산업협회 (KPCA)가 주최하는 국내 최대 규모 PCB 및 반도체패키징 전문 전시회다. 국내외 240여개 업체가 참가해, 최신 기술 동향을 공유한다. LG이노텍은 차세대 모바일용 반도체 기판 기술인 '코퍼 포스트(Cu-Post, 구리기둥)' 기술을 비롯해 고부가 반도체용 기판인 '플립칩 볼그리드 어레이(FC-BGA)', 시장을 선도하고 있는 '패키지 서브스트레이트', '테이프 서브스트레이트' 분야 혁신 제품과 기술을 전시한다. LG이노텍은 전시 부스 가장 앞부분에 하이라이트존을 마련하고, 세계 최초로 개발에 성공한 코퍼 포스트 기술을 선보인다. 코퍼 포스트 기술은 반도체 기판에 작은 구리 기둥을 세우고, 그 위에 납땜용 구슬인 솔더볼(Solder Ball)을 얹어 기판과 메인보드를 연결하는 기술이다. 이 기술은 솔더볼을 기판에 직접 부착하는 기존 방식보다 솔더볼의 면적과 크기를 최소화할 수 있어, 기존 대비 더 많은 회로를 반도체 기판에 배치할 수 있고 기판의 크기도 최대 20%가량 줄일 수 있다. 이뿐 아니라, 납 대비 열전도율이 7배 이상 높은 구리를 활용하며 발열을 개선했다. 고사양화 및 소형화가 필요한 무선주파수 시스템인패키지(RF-SiP) 등 스마트폰용 반도체 기판에 최적화된 기술로 주목받는 이유다. 이와 함께 LG이노텍의 차세대 반도체용 부품 성장동력인 FC-BGA도 하이라이트존에서 확인할 수 있다. 미세 패터닝, 초소형 비아(Via·회로연결구멍) 가공기술 등 독자 기술이 적용된 FC-BGA는 고집적 반도체 칩과 메인보드를 연결해주는 고성능 기판이다. LG이노텍은 이번 전시에서 FC-BGA 내부 구조를 확인할 수 있는 모형과 함께 118mm x 115mm 크기의 AI∙데이터센터용 대면적 FC-BGA 샘플을 최초로 공개한다. 차세대 기판 혁신 기술 존에서는 멀티레이어 코어(Multi Layer Core, MLC) 기판 기술, 유리기판(Glass Core) 기술 등 FC-BGA의 주요 핵심 기술을 소개한다. AI∙데이터센터용 FC-BGA 등 차세대 고부가 기판 제품의 경우 PC용 제품 대비 면적이 확대되고 층수도 많아진다. 이를 위해서는 기판의 뼈대 역할을 하는 코어(Core)층의 '휨 현상(기판이 휘는 현상)' 방지를 위해 기판이 두꺼워질 수밖에 없다. 반도체 칩의 신호 전달을 안정적으로 지원하는 기술 또한 중요하다. 이에 LG이노텍은 코어층 위아래로 여러 개의 절연층을 쌓아올려 다층 구조로 설계한 MLC기술을 적용했다. 이를 통해 코어층이 한층 단단해져 휨 현상을 방지하면서도, 미세 패턴이 가능해져 신호 효율을 높일 수 있다. 아울러 유리기판 기술 확보도 활발히 진행 중이다. 이 기술은 휨 현상 방지 및 회로 왜곡 최소화를 위해 코어층의 소재를 유리 소재로 대체하는 기술이다. LG이노텍은 2027~2028년 양산을 목표로, 올 연말 유리기판 시제품 생산 준비에 속도를 내고 있다. 이 밖에도 세계 시장점유율 1위를 차지하고 있는 무선주파수 시스템인패키지(RF-SiP), 플립칩 칩 스케일 패키지(FC-CSP) 등 모바일용 반도체 기판과 칩온필름(COF), 2메탈COF 등 디스플레이용 기판을 LG이노텍 부스에서 만나볼 수 있다. 강민석 기판소재사업부장(부사장)은 “이번 KPCA Show에서 선보이는 코퍼 포스트를 비롯한 LG이노텍의 혁신 기판 기술과 제품을 통해 고객에게 차별적 고객가치를 제공하며 글로벌 시장을 선도해 나갈 것”이라고 말했다.

2025.09.03 09:54장경윤

TSMC, 美 첨단 패키징 선점 속도…삼성전자는 투자 부담 '신중'

미국 정부가 자국 내 반도체 공급망 강화 전략에 열을 올리고 있는 가운데 대만 주요 파운드리 TSMC는 현지 최첨단 파운드리 및 패키징 팹 구축에 적극 나서고 있다. 반면 삼성전자 역시 첨단 파운드리 팹을 건설 중이나, 패키징 투자에는 부담을 느끼는 것으로 알려져 향후 두 회사의 행보에 관심이 쏠린다. 29일 업계에 따르면 TSMC는 미국 내 최첨단 패키징 생산능력 확보를 위한 설비투자에 적극적으로 나서고 있다. TSMC, 美 첨단 패키징 팹 2곳 신설…글로벌 빅테크 대응 준비 앞서 TSMC는 지난 3월 미국 내 첨단 반도체 설비투자에 1천억 달러(한화 약 138조원)의 신규 투자 프로젝트를 발표한 바 있다. 구체적으로 신규 파운드리 팹 3곳, 첨단 패키징 팹 2곳, 대규모 R&D(연구개발) 팹 등이 건설될 계획이다. 이 중 TSMC의 첨단 패키징 팹 2곳은 모두 애리조나주에 부지를 조성할 것으로 알려졌다. 명칭은 AP1·AP2로, 내년 하반기부터 착공에 돌입해 오는 2028년 양산이 시작될 전망이다. 대만 현지 언론에 따르면 AP1은 SoIC(system-on-Integrated-Chips)를 주력으로 양산한다. SoIC는 각 칩을 수직으로 적층하는 3D 패키징의 일종으로, 기존 칩 연결에 필요한 작은 돌기인 범프(Bump)를 쓰지 않는다. 덕분에 칩 간 간격을 줄여, 데이터 송수신 속도 및 전력효율성이 대폭 개선된다. AP2는 CoPoS(Chip-on-Panel-on-Substrate) 기술을 주력으로 담당할 예정이다. CoPoS는 칩과 기판 사이에 얇은 막을 삽입하는 2.5D 패키징을 바탕으로 한다. 기존 2.5D 패키징은 원형 모양의 웨이퍼에서 진행됐으나, CoPoS는 이를 직사각형 패널 상에서 수행한다. 패널의 면적이 웨이퍼 보다 넓고, 인터포저를 더 효율적으로 배치할 수 있어 생산성 향상 및 대면적 칩 제조에 유리하다. 이처럼 TSMC가 미국 내 최첨단 반도체 패키징 생산능력을 확보하려는 배경에는 공급망 문제가 영향을 미치고 있다는 평가다. 최근 미국 정부는 자국 내 반도체 산업 강화를 위해 보조금 지급, 관세 압박 등 다양한 전략을 펼치고 있다. 이에 글로벌 빅테크 기업들은 자사 칩의 양산 및 패키징을 미국 내에서 진행하는 구조를 선호하고 있다. 삼성전자, 2나노 양산에 역량 집중…첨단 패키징 투자에 부담 삼성전자 파운드리 역시 대형 고객사 확보를 위해서는 미국 내 최첨단 패키징 생산능력을 미리 갖춰야 할 것으로 관측된다. 다만 삼성전자는 이러한 투자에 부담을 느끼고 있는 것으로 알려졌다. 확실한 수요가 담보되지 않은 상황에서 선제적으로 투자를 확대하기 어렵고, 최첨단 파운드리 공정 개발 및 미국 내 신규 팹 구축에 이미 상당한 자원을 투자하고 있어서다. 현재 삼성전자는 총 370억 달러를 들여 미국 텍사스주에 2나노미터(nm) 등 최첨단 파운드리 팹을 구축하고 있다. 해당 팹은 올 연말부터 양산라인을 구축할 계획으로, 추후 지난달 약 22조원의 반도체 위탁생산 계약을 맺은 테슬라의 첨단 반도체 'AI6'를 양산하는 것이 목표다. AI6는 플립칩 본딩(칩 패드 위에 범프를 형성해 칩과 기판을 연결하는 기술) 등 기존 레거시 패키징 기술이 쓰인다. 다수의 AI6 칩을 대형 모듈로 제조하는 데에는 최첨단 패키징이 필요하지만, 현재 해당 영역은 인텔의 수주가 유력하다. 때문에 삼성전자 입장에서는 당장 미국에 최첨단 패키징 생산능력을 확보할 요인이 부족한 상황이다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 테슬라 2나노 칩을 성공적으로 양산하는 데만 해도 많은 과제를 떠안고 있고, 실패 시 되돌아올 리스크가 매우 크다"며 "이러한 상황에서 최첨단 패키징 분야까지 막대한 자원을 투자하기에는 여러 측면에서 무리가 있을 것"이라고 설명했다.

2025.08.29 14:08장경윤

SK하이닉스, 신소재 기반 '고방열' 모바일 D램 공급 개시

SK하이닉스가 업계 최초로 'High-K EMC' 소재를 적용한 고방열 모바일 D램 제품을 개발해 고객사들에 공급을 개시했다고 28일 밝혔다. EMC(에폭시 몰딩 컴파운드)는 수분, 열, 충격, 전하 등 다양한 외부 환경으로부터 반도체를 밀봉해 보호하고 열을 방출하는 통로 역할도 하는 반도체 후공정 필수 재료다. High-K EMC는 열전도 계수(K)가 높은 물질을 EMC에 사용해 열전도도를 높인 것을 뜻한다. 열 전도도는 물질이 열을 얼마나 잘 전달하는지를 나타내는 물리적 특성으로, 단위 시간 동안 특정 물질을 통해 얼마나 많은 열이 이동하는지를 뜻한다. 회사 측은 "온디바이스(On-Device) AI 구현을 위한 데이터 고속 처리 시 발생하는 발열이 스마트폰 성능 저하의 주요 원인이 되고 있다"며 "이번 제품으로 고사양 플래그십(Flagship) 스마트폰의 발열 문제를 해결해 글로벌 고객사들로부터 높은 평가를 받고 있다"고 밝혔다. 최신 플래그십 스마트폰은 모바일 AP(애플리케이션 프로세서) 위에 D램을 적층하는 PoP(패키지온패키지) 방식을 적용하고 있다. PoP는 각각 다른 종류의 반도체 패키지를 위아래로 쌓아 공간 효율, 성능 향상, 조합 유연성을 꾀하는 방식이다. 이 구조는 한정된 공간을 효율적으로 활용하고 데이터 처리 속도를 향상시키는 장점을 제공한다. 하지만 모바일 AP에서 발생한 열이 D램 내부에 누적되면서 전체적인 스마트폰 성능 저하도 함께 야기한다. SK하이닉스는 이 문제를 해결하기 위해 D램 패키지를 감싸는 핵심 소재인 EMC의 열전도 성능 향상에 주력했다. 기존에 EMC의 소재로 사용하던 실리카(Silica)에 알루미나(Alumina)를 혼합 적용한 신소재인 High-K EMC를 개발한 것이다. 이를 통해 열전도도를 기존 대비 3.5배 수준으로 대폭 향상시켰으며, 그 결과 열이 수직으로 이동하는 경로의 열 저항을 47% 개선하는 성과를 거뒀다. 향상된 방열 성능은 스마트폰의 성능 개선과 소비전력 절감을 통해 배터리 지속시간, 제품 수명 연장에도 기여한다. 이러한 효과로 모바일 업계에서 이 제품에 대한 관심과 수요가 높아질 것으로 전망된다. 이규제 SK하이닉스 부사장(PKG제품개발 담당)은 “이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어, 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 불편 해소에 기여한다는 점에서 큰 의미가 있다”며 “소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 구축해 나가겠다”고 강조했다.

2025.08.28 09:21장경윤

삼성·SK, 美 반도체 추가 투자는?…신중 기조 유지

25일(현지시간) 열린 한미 정상회담을 계기로 양국의 반도체 공급망 협력이 어떠한 방향로 전개될 지 귀추가 주목된다. 이날 삼성전자, SK하이닉스 등은 대미 투자 확대에 대한 구체적인 계획을 밝히지 않았으나, 현지 팹 구축에 적극 나서고 있다. HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리의 핵심 고객사인 엔비디아와의 협력 강화도 기대되는 대목이다. 이날 정상회담 직후 열린 비즈니스 라운드테이블에서는 이재용 삼성전자 회장, 최태원 SK 회장이 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 만나 이야기를 나누는 여러 장면이 포착됐다. 이날 워싱턴 D.C. 소재 윌러드 호텔에서는 한미 양국 대표 경제인과 정부 인사가 참석한 '한미 비즈니스 라운드테이블: 제조업 르네상스 파트너십'이 개최됐다. 양국 주요 인사들은 AI·반도체·바이오 등 첨단 산업은 물론 제철·자동차·조선·원자력 등 주요 산업에 대해서도 폭넓은 논의를 이어간 것으로 알려졌다. 한국 기업들이 계획한 대미 투자 규모는 약 1천500억 달러(약 208조7000억원)에 이른다. 특히 삼성전자·SK하이닉스의 대미 투자 향방이 주요 관심사로 거론돼 왔다. 현재 미국은 반도체 공급망 강화를 위해, 반도체 및 과학법(칩스법)을 토대로 자국 내 투자 기업들에게 보조금을 지급하고 있다. 또 트럼프 행정부에 들어서는 높은 관세율을 내세워 추가 투자를 종용하고 있다. 최근에는 미국 정부가 현지 반도체 기업 인텔에 89억 달러를 투자해, 9.9%의 지분을 확보하고 1대 주주 자리에 올라서기도 했다. 이에 국내 반도체 기업들도 미국 내 투자 확대에 대한 압박을 받아 왔다. 다만 이번 한미 정상회담과 비즈니스 라운드테이블에서 이들 기업의 구체적인 추가 투자 계획은 발표되지 않았다. 확실한 수요가 담보되지 않은 상황에서 선제적인 투자 발표에 신중할 수밖에 없다는 관측이 제기된다. 현재 삼성전자는 총 370억 달러를 들여 미국 텍사스주에 2나노미터(nm) 등 최첨단 파운드리 팹을 구축하고 있다. 현재 1공장에 대한 투자가 활발히 진행되고 있는 상황으로, 연내 본격적인 설비투자가 시작된다. SK하이닉스도 인디애나주에 38억7천만 달러를 들여 첨단 패키징 생산능력을 확충하기로 했다. 연내 착공이 진행될 예정이다. 물론 양국간 회담이 별다른 문제 없이 마무리됐고, 공급망에 대한 주요 기업들 간의 협업이 갈수록 중요해지고 있다는 점에서 향후 투자 확대의 가능성은 여전히 열려있다는 평가가 나온다. 특히 삼성전자는 미국 내 최첨단 패키징 생산능력을 아직 구비하지 않은 상태다. 지난달 테슬라로부터 수주한 2나노 기반 칩은 최첨단 패키징이 요구되지는 않지만, 향후 협력 확대 및 글로벌 빅테크 추가 확보를 위해서는 최첨단 패키징에 대한 투자가 필요하다.

2025.08.26 13:43장경윤

AI가속기 붐에 CCL 몸값 '고공행진'…두산 전자BG, 설비투자 확대

글로벌 빅테크의 자체 AI 가속기 개발이 가속화되면서, 핵심 부품인 CCL(동반적층판)의 수요도 증가할 전망이다. 이에 맞춰 두산도 고부가 CCL 시장 선점을 위한 설비투자에 적극 나서고 있다. 22일 업계에 따르면 두산 전자BG는 올해 CCL용 설비투자에 전년 대비 2배 이상 증가한 864억원을 투입할 예정이다. CCL은 반도체 PCB(인쇄회로기판)의 핵심 소재로, 수지·유리섬유·충진재·기타 화학물질로 구성된 절연층에 동박을 적층해 만들어진다. 현재 반도체 패키징·전자기기·통신 등 다양한 산업에 쓰이고 있다. 특히 CCL은 AI 반도체 산업에서 주목받는 추세다. 엔비디아·AMD 등 거대 팹리스와 구글·AWS·메타 등 CSP(클라우드서비스제공자) 기업들이 AI 반도체 개발 경쟁을 치열하게 벌인 덕분이다. AI 반도체가 방대한 양의 데이터를 처리해야 하는 만큼, CCL도 더 뛰어난 고주파·고속·저손실을 갖춘 제품이 필요하다. 두산 전자BG의 경우 지난 2023년부터 엔비디아에 납품을 시작해, 지난해 'B100' 등 주요 제품의 핵심 공급망으로 자리잡는 등의 성과를 거뒀다. 나아가 엔비디아의 차세대 AI 가속기인 '루빈' 칩에서도 상당한 공급 비중을 차지할 수 있을 것으로 관측된다. 덕분에 두산 전자BG의 CCL 가격은 꾸준히 상승하고 있다. 정기보고서에 따르면 이 회사의 CCL 평균판매가격은 2023년 4만7천308원에서 지난해 5만1천22원으로 7% 이상 상승했다. 올해 상반기는 5만8천794원으로 전년 연간평균 대비 15%가량 상승했다. 부품 업계 관계자는 "엔비디아 루빈 칩의 경우 대만 EMC도 컴퓨팅 트레이(GPU 연결 기판)용 CCL 공급망에 진입할 예정이나, 두산도 점유율 방어를 위해 만전을 기울이는 중"이라며 "나아가 두산은 아마존 등 다른 빅테크 기업들에게도 CCL을 공급하기 위한 준비에 나서고 있다"고 설명했다. 이에 따라 두산 전자BG는 올해 CCL 생산능력 확대에 적극 나설 계획이다. 이 회사가 CCL에 집행한 연간 설비투자 규모는 2023년 418억원, 지난해 386억원 수준이다. 올해에는 이를 864억원으로 대폭 늘릴 예정이다.

2025.08.22 10:17장경윤

세메스, HBM용 TC본더 최고 권위 'IR52 장영실상' 수상

반도체 장비업체인 세메스는 HBM(고대역폭메모리) 제조에 핵심인 TC 본더를 본격 양산 개발해 과학기술정보통신부가 주최하고 산업기술진흥협회가 주관하는 'IR52 장영실상'을 수상한다고 21일 밝혔다. 국내 최고 권위의 산업기술상인 이 상은 산업기술혁신 풍토 조성을 위해 1991년부터 우수 신기술제품 및 연구조직에 시상해 오고 있다. 세메스가 현재 양산하고 있는 HBM TC 본더는 첨단 실리콘관통전극(TSV) 공법으로 제작된 반도체 칩을 웨이퍼에 수직으로 적층하는 장비다. 이 장비는 최근 HBM의 트렌드인 인아웃 피치의 미세화에 따른 마이크로 범프의 증가에 최적으로 대응할 수 있는 기능과 성능을 갖추고 있다. 삼성전자가 HBM용 본딩 공법으로 채택하고 있는 TC-NCF 공정에서 세메스는 여러 세대를 걸쳐 지속적으로 경쟁력 있는 설비를 공급해 오고 있다. 특히 위치정렬과 열, 압력조절 등을 통해 고하중에도 업계 최고 수준인 1㎛ 이하의 높은 적층 정밀도를 구현했다고 회사측은 설명했다. 세메스는 HBM4 이후에 초미세 공정을 대비해별도의 연결 단자없이 칩을 고단 정밀 적층으로 연결할 수 있는 차세대 하이브리드 본더의 양산 개발도 서두르고 있다. 세계 최고 수준의 다층 본딩 기술과 웨이퍼 레벨 본딩 기술을 개발함으로써 글로벌 AI 및 HPC(고성능 컴퓨팅) 시장에서 요구되는 초고속·저전력 차세대 패키징 기술의 핵심 기반을 선제적으로 확보한다는 전략이다. 최병갑 세메스 TP팀장은 “현재 500㎚ 이하의 고정밀 위치 제어와 고생산성을 동시에 구현할 수 있는 HBM 하이브리드 본더를 개발해 데모평가가 진행 중"이라며 "설비 품질과 신뢰성 확보에 나서고 있다”고 말했다. 세메스는 지난 2022년 고집적화된 HBM용 TC 본더를 첫 양산 개발한 이래 지금까지 5천억원 이상의 장비 매출을 기록하고 있다.

2025.08.21 10:32장경윤

AP시스템, 창사 첫 자사주 23만주 소각…40억원 규모

디스플레이 및 반도체 제조장비 전문기업 AP시스템은 올해 취득한 자기주식을 전량 소각한다고 14일 밝혔다. 이번 결정은 지난 3월 28일 선임된 유호선 신임 대표이사의 적극적인 주주가치 제고 경영 방침에 따른 것으로 평가된다. 14일 AP시스템은 이사회 결의를 통해 주가 안정 및 주주가치 제고를 위해 올해 40억원 규모로 취득한 자기주식 23만600주를 소각하기로 결정했다. 이는 전체 발행주식의 약 1.5%에 해당하는 규모다. 주식 소각예정일은 8월 22일이며, 배당가능 이익 범위내에서 취득한 자기주식 소각이기 때문에 자본금 감소는 없다. 이번 소각은 3개년 주주환원 정책 실천의 일환이다. AP시스템은 올 초 주주환원 정책을 발표하며 2024년부터 2026년까지 연결 잉여현금흐름(FCF)와 순이익의 30%를 주주환원 재원으로 사용하겠다고 공시한바 있다. 소각을 통해 ROE와 PBR 상승효과도 기대해 볼 수 있을 뿐만 아니라 자기주식 의무소각 법안이 발의되어 있는 현 상황에 맞춘 선제적 조치로 평가된다. 유호선 AP시스템 대표이사는 "레이저 응용기술과 열처리 기술을 바탕으로 HBM과 유리기판, 인터포저 를 포함한 차세대 패키징 사업 확장을 통해 신사업 영역으로 진출할 계획"이라며 "AP시스템이 진정한 기술 선도 회사로서 새로운 시장을 창출하고 이를 바탕으로 지속가능한 주주환원을 실현하겠다"고 강조했다. AP시스템은 향후에도 적극적인 주주환원을 기반으로 주주중심의 경영 체계를 더욱 확고히 해 나갈 방침이다.

2025.08.14 17:54장경윤

곽동신 한미반도체 회장, 독립유공자 후손으로 청와대 오찬 참석

곽동신 한미반도체 회장이 독립유공자 후손의 자격으로 14일 청와대에서 개최된 '광복 80주년, 대통령의 초대' 행사에 참석했다. 이재명 대통령은 광복 80주년을 기념해 독립 유공자 후손과 유해봉환 대상 유족 등 80여 명을 청와대 영빈관으로 초청해 오찬을 함께했다. 곽동신 회장은 독립유공자 곽한소 선생의 증손자 자격으로 이번 행사에 초청 받았다. 곽한소 선생은 1882년 충청남도 출생으로 을사조약 체결에 분노하여 의병활동에 참여한 독립운동가로, 2015년 건국포장을 받은 독립유공자다. 곽동신 회장은 선조의 정신을 현대에 계승하는 노력을 지속해왔다. 2024년에는 일본인 소장자로부터 안중근 의사의 미공개 유묵 '인심조석변 산색고금동(人心朝夕變山色古今同)'을 한미반도체가 경매에서 낙찰 받아 환수했다. 보물로 지정된 후 국가에 기증 할 예정이다. 또한 곽한소 지사 관련 기록물을 독립기념관에 기증하여 역사 보존에 기여했다. 한미반도체는 1980년 설립된 반도체 장비 기업으로 전세계 320여개 고객사를 보유하고 있으며, HBM3E TC 본더 시장에서 전세계 90% 점유율을 차지하고 있다. 특히 주물생산부터 설계, 부품가공, 소프트웨어, 조립, 검사, 판매까지 연결한 수직 통합 (Vertical Integration) 시스템을 통해 AI 반도체 시장 변화에 신속히 대응하고 고객의 요청에 빠르게 응대하며 차별화된 경쟁력을 보유하고 있다.

2025.08.14 17:21장경윤

내년 HBM '완판' 자신한 마이크론…성과급 갈등 빚는 SK하이닉스

미국 마이크론이 내년 최첨단 HBM(고대역폭메모리) 공급물량의 완판 가능성을 언급해 주목된다. 글로벌 메모리 빅3 기업 중에선 처음으로 HBM 수율 개선과 고객사 협의에 강한 자신감을 내비친 셈이다. 반면 성과급 한도를 놓고 노사 갈등을 빚고 있는 SK하이닉스, 여전히 엔비디아에 HBM3E 공급 시점을 잡지 못하고 있는 삼성전자 등 국내 기업이 자칫 협상 선점에서 실기할 수 있어 시장 대응에 속도를 내야 한다는 목소리가 나온다. 13일 업계에 따르면 주요 메모리 공급업체들은 내년 주요 고객사용 HBM 공급 규모를 확정하기 위한 협의를 적극 진행하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 내년에는 현재 상용화된 가장 최신 제품인 HBM3E(5세대 HBM) 12단과 이르면 올 하반기부터 양산되는 HBM4(6세대 HBM) 12단이 주력으로 떠오를 전망된다. 특히 AI 반도체 시장을 선도하는 엔비디아가 HBM 핵심 고객사로서의 지위를 유지하고 있는 만큼, 엔비디아와의 내년 공급량 협의가 반도체 빅3에게는 향후 사업을 좌지우지할 매우 중대한 사안으로 떠오르고 있다. 마이크론은 지난 11일(현지시간) 미국 키뱅크가 주최한 기술 리더십 포럼에서 이와 관련한 질문에 "내년 HBM 물량에 대해 고객들과 논의를 진행해 왔으며, 지난 몇달 간 상당한 진전을 이뤘다"며 "이를 바탕으로 내년 HBM 물량을 모두 판매할 수 있을 것으로 확신한다"고 강조했다. 내년 전체 HBM 물량의 판매 가능성을 언급한 건 사실상 마이크론이 처음이다. 이어 HBM3E 12단 수율 역시 상당히 개선됐다고 자평했다. 마이크론은 "HBM3E 12단 수율의 램프업(ramp-up)은 이전 HBM3E 8단보다 훨씬 빠르게 진행됐다"며 "이미 HBM3E 12단 수율이 8단을 넘어섰다"고 밝혔다. 마이크론의 이같은 공격적인 HBM 사업 확장세는 국내 메모리 업계에 경계해야할 위험 요소로 다가온다. 특히 기존 엔비디아에 HBM을 주력으로 공급해 온 SK하이닉스가 가장 많은 영향을 받을 것으로 전망된다. 앞서 SK하이닉스는 지난달 2025년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "내년 HBM 공급에 대한 가시성이 확보됐다"고 밝혔으나, 구체적인 현황에 대해서는 말을 아꼈다. 지난해 상반기 "내년 HBM 물량이 이미 솔드아웃(완판) 됐다"고 공언한 것과는 대조적이다. 실제로 SK하이닉스는 당초 올해 중반까지 엔비디아와의 내년 HBM 공급량을 확정짓는 것을 목표로 했으나, 이달까지도 협상이 지연되고 있다. 양사 간 주요 임원진이 수 차례 만남을 가졌음에도 물량 담보와 HBM4 가격 등에서 좀처럼 이견을 좁히지 못하는 것으로 알려졌다. 더구나 이 같은 와중에 SK하이닉스 노사가 성과급 한도와 방식을 놓고 이견을 좁히지 못하고 있는 것도 불안 요소다. 노사는 지난 5월부터 총 10차례에 걸쳐 임금 교섭을 벌이고 있지만 합의점을 찾지 못하고 있다. 사측은 지난달말 성과급 지급률 기준을 1천%에서 1천700%로 상향하고 지급 뒤에도 남은 영업이익 10%의 재원 중 50%를 구성원들의 PS 재원으로 활용하는 방안을 제안했다. 나머지 절반은 미래 투자 등에 사용한다는 방침이다. 그러나 노조는 영업이익 10%를 전액 성과급으로 지급해야 한다며 총파업 투쟁 결의대회를 이어가고 있다. 내년 주력 제품으로 떠오를 HBM4는 이전 세대 대비 I/O(입출력단자) 수가 2배 증가하고, 코어 다이 면적 증가, 베이스(로직) 다이의 TSMC 외주화 등으로 제조 비용이 크게 상승할 전망이다. 때문에 업계는 HBM4 가격이 HBM3E 12단 대비 약 30% 증가한 500달러 수준을 형성해야 한다고 보고 있다.

2025.08.13 10:31장경윤

삼성전자, 초대형 반도체 패키징 시장 겨냥 'SoP' 상용화 추진

삼성전자가 최첨단 패키징 기술의 일종인 'SoP(시스템온패널)'를 개발하고 있는 것으로 파악됐다. SoP는 초대형 패널 위에 반도체를 집적하기 때문에, 기존 반도체 대비 상당히 큰 모듈을 제작할 수 있다는 장점이 있다. SoP 기술이 빠르게 고도화되는 경우, 삼성전자는 테슬라의 차세대 '도조(Dojo)' 패키징 공급망에 진입할 수 있을 것으로 기대된다. 현재 테슬라는 도조에 탑재될 'AI6' 칩을 삼성전자 파운드리에, 패키징을 인텔에 맡기는 방안을 추진 중이다. 12일 지디넷코리아 취재를 종합하면 삼성전자는 초대형 반도체 패키징 모듈을 위한 SoP의 상용화를 추진하고 있다. 패널 상에서 초대형 모듈 패키징…TSMC SoW 대항마 SoP는 기존 패키징 공정에서 쓰이던 기판(PCB)나 실리콘 인터포저(칩과 기판 사이에 삽입되는 얇은 막)를 사용하지 않고, 사각형 패널 위에서 여러 반도체를 직접 이어붙이는 기술이다. 각 칩의 연결은 칩 하단에 형성된 미세한 구리 재배선층(RDL)이 담당한다. 삼성전자는 기존 FOPLP 등 패널 레벨 패키징에서 쌓아온 기술력을 토대로, 현재 415 x 510mm 크기의 SoP를 연구 개발하고 있다. SoP에 대응하는 가장 대표적인 패키징 기술은 TSMC의 SoW(시스템온웨이퍼)다. 전반적인 구조는 SoP와 유사하나, 패널이 아닌 웨이퍼 상에서 패키징을 진행한다는 점이 다르다. 테슬라·세레브라스 등이 SoW 기술을 통해 슈퍼컴퓨팅용 반도체를 양산한 바 있다. 또한 TSMC는 지난 4월 SoW의 차세대 기술인 'SoW-X'를 공개한 바 있다. TSMC가 발표한 자료에 따르면, SoW-X는 최대 16개의 고성능 컴퓨팅 칩과 80개의 HBM4 모듈을 집적할 수 있다. 양산 목표 시점은 오는 2027년이다. 반면 삼성전자는 패널이 지닌 장점에 주목하고 있다. 첨단 반도체 제조에 주로 쓰이는 웨이퍼는 300mm로, 내부에 가장 큰 직사각형 모듈을 구현할 시 크기가 210 x 210mm 수준이다. 반면 415 x 510mm의 패널에서는 한쪽 면이 210mm을 넘어가는 모듈도 제작이 가능하다. 예컨데 240 x 240mm 급의 초대형 반도체 모듈은 SoW로 양산이 불가능하지만, SoP에서는 2개까지 제작이 가능하다. 다만 SoP를 상용화하기 위해서는 해결해야 할 과제들이 많다는 지적도 나온다. 패널 크기가 매우 큰 만큼, 한 번에 집적된 수 많은 칩들을 안정적으로 연결하거나 평탄화하는 데 어려움이 있기 때문이다. 또한 SoP와 같은 초대형 반도체 모듈 패키징은 반도체 업계에서 아직 수요가 적은 '니치 마켓'에 속한다. 고객사 확보를 통한 레퍼런스 확보가 어렵다는 뜻이다. 테슬라, 전용 칩 대신 '패키징'으로 도조 구현…삼성전자에 중장기 기회 그럼에도 삼성전자가 SoP를 개발하는 이유는 해당 기술의 성장 잠재력에 있다. AI 산업이 고도화로 요구되는 데이터 처리량이 기하급수적으로 늘어나면서, 일부 기업들은 고성능 AI 반도체를 수십 개까지 집적하는 초대형 반도체 모듈을 개발하고 있다. 대표적인 사례가 테슬라다. 앞서 삼성전자는 지난달 28일 테슬라와 22조7천600억원 규모의 반도체위탁생산 계약을 체결했다. 당시 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 "삼성전자가 미국 신규 파운드리 팹에서 AI6 칩 양산에 전념하게 될 것"이라고 밝혔다. AI6는 테슬라의 차세대 FSD(Full Self-Driving), 로봇 등에 활용될 수 있는 반도체다. 또한 테슬라의 독자적인 슈퍼컴퓨팅 도조 시스템에도 탑재된다. 당초 테슬라는 'D1' 등 도조용 칩을 자체 개발했으나, 최근 관련 프로젝트 팀을 해체하고 향후 출시될 AI6와 3세대 도조를 통합하기로 했다. 두 칩의 아키텍처를 통일해 개발 효율성을 높이기 위한 선택으로 풀이된다. 이와 관련해 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 X(구 트위터)에 "모든 경로가 AI6에 수렴한다는 것이 분명해진 후, 도조 2가 진화의 막다른 길에 도달했기 때문에 프로젝트 철회 및 몇 가지 어려운 인사 결정을 해야 했다"며 "도조 3는 단일 보드에 많은 수에 AI6 칩을 탑재한 형태로 계속 사용될 것"이라고 밝혔다. 결과적으로 테슬라는 최첨단 패키징을 통해 자율주행과 로봇, 데이터센터 등에 필요한 AI 반도체를 차별화할 계획이다. 이에 따라 주요 반도체 기업들의 초대형 반도체 모듈용 패키징 기술 수요가 증가할 것으로 기대된다. 실제로 테슬라는 도조 3에서 인텔의 임베디드 멀티-다이 인터커넥트 브릿지(EMIB) 기술을 활용하려는 것으로 파악됐다. EMIB는 기판 내부에 삽입된 소형 실리콘 브릿지로 칩과 칩을 연결하는 인텔의 자체 2.5D 패키징 기술이다. 이 같은 계약이 성사되는 경우, 테슬라의 주도로 삼성전자 파운드리와 인텔 OSAT(외주반도체패키징테스트)가 결합되는 전례없는 공급망이 구성될 전망이다. 삼성전자 역시 SoP 개발을 통해 차세대 도조용 패키징 공급망 진입을 추진하고 있는 것으로 알려졌다. 사안에 정통한 관계자는 "결정권을 쥔 테슬라가 당장은 인텔의 패키징을 선호하고는 있으나, 삼성전자도 SoP의 수율 개선을 위해 다양한 기술 변혁을 시도하고 있는 것으로 안다"며 "SoP 기술이 얼마나 빨리 고도화되느냐에 따라 도조용 패키징 공급망 진입의 판도가 달라지게 될 것"이라고 설명했다.

2025.08.12 14:31장경윤

태성, 글라스기판용 TGV 식각장비 공급 개시

인쇄회로기판(PCB) 및 반도체 기판용 습식 장비 전문기업 태성은 지난 6일 안산 본사에서 국내 최초로 개발한 글라스 기판용 TGV(유리관통전극) 알칼리 에칭 장비 1호기의 출하식을 개최했다고 8일 밝혔다. 이날 출하식에는 회사 임직원들이 참석한 가운데, 김종학 대표가 1호기 개발, 생산에 참여한 직원들의 노고를 격려하고 글로벌 탑티어 장비메이커로의 성장 비전을 제시했다. 이번에 출하된 장비는 태성이 독자 개발한 알칼리 기반 정밀 습식 식각기술을 적용해, 미세 TGV 가공 시 매우 작은 테이퍼 각도와 낮은 측벽 거칠기, 그리고 우수한 치수 정밀도를 구현 가능하도록 하는 것이 특징이다. 이는 고밀도·고종횡비 TGV 설계에 필수적인 요소로, 메탈라이징 등 후공정과의 정합성 에서도 높은 신뢰성을 제공한다. 글라스 기판은 최근 고성능 컴퓨팅(HPC), AI 칩셋, 5G/6G RF 모듈, 팬아웃 패널 레벨 패키징(FOPLP) 등의 분야에서 핵심 인터포저 및 코어 소재로 주목받고 있다. 태성은 해당 시장에서 국내 유일의 TGV 전 공정 습식 장비 개발사로서, 기술 차별화 및 글로벌 경쟁력을 기반으로 관련 시장 선점을 준비하고 있다. 이번 에칭 장비 공급 이전에도 TGV 초기 세정 장비를 이미 고객사에 공급한 바 있으며, 하반기에는 TGV 도금 설비 양산을 목표로 개발 중이다. 연내 세정-에칭-도금에 이르는 TGV 전체 습식 공정 라인업을 완성하게 되면 태성은 고객사 맞춤형 통합 대응이 가능한 원스톱 솔루션 제공 역량을 한층 높여 나갈 수 있게 된다. 태성 관계자는 “이번 공급은 회사가 보유한 습식 화학 식각기술의 경쟁력을 상용화 수준으로 끌러올린 결과”라며 “향후 국내외 반도체 및 패키징 시장의 TGV 공정 수요에 대응하기 위해 글라스 기판 기반의 전 공정 장비 라인업을 지속 확장해 나갈 계획”이라고 밝혔다. 이어 “급변하는 기술트렌드에 맞춰 연구개발, 설계, 솔루션영업, 품질, 제조 인력자원에 대한 투자를 지속하고 있다”며 “내년 준공될 천안신공장에서 기존 사업인 PCB 장비 외에 글라스 기판 및 복합동박 장비 등 고부가가치 제품믹스를 추가하여 성장성과 수익성을 동시에 실현할 계획”이라고 덧붙였다.

2025.08.08 15:47장경윤

[단독] 테슬라, 슈퍼컴 '도조' 공급망 삼성·인텔 낙점

테슬라가 자사 슈퍼컴퓨팅 시스템인 '도조(Dojo)'의 공급망에 삼성전자와 인텔을 낙점하고 대대적인 변화를 시도한다. 테슬라가 기존 TSMC에 공정 전체를 일임하던 구조에서 벗어나, 삼성전자·인텔 양사에 각각 특정 공정을 맡기는 이원화된 방안을 추진 중으로 파악돼 향후 공급망에 큰 변화도 예상된다. 도조용 칩 제조는 삼성전자 파운드리가, 모듈 제작을 위한 특수 패키징 기술은 인텔이 각각 담당하는 구조다. 그동안 삼성전자·인텔은 첨단 파운드리 및 패키징 산업에서 오랜시간 경쟁 구도를 형성해 왔다. 하지만 테슬라를 필두로 AI 반도체 업계에 새로운 협력 구조와 공급망 체제가 결성될 수 있을 지 귀추가 주목된다. 7일 지디넷코리아 취재를 종합하면 테슬라는 3세대 도조 양산에 삼성전자·인텔을 동시 활용하는 방안을 두고 각 사와 논의 중이다. 삼성 파운드리·인텔 OSAT 활용 추진…"전례 없는 협력 구조" 테슬라는 완전자율주행(FSD)과 관련한 데이터를 AI 모델로 학습시키기 위한 슈퍼컴퓨팅 시스템 도조를 자체 개발해 왔다. 도조에는 테슬라의 맞춤형 AI 반도체인 'D 시리즈' 칩이 다수 집적된다. 예를 들어, 1세대 도조는 D1 칩을 25개 패키징한 모듈로 구성돼 있다. 도조 1·2는 모두 대만 주요 파운드리인 TSMC가 양산을 전담한 것으로 알려져 있다. 그러나 도조3부터는 공급망이 전면적으로 바뀔 예정이다. 현재 테슬라는 도조3용 'D3' 칩의 전공정을 삼성전자에, 모듈용 패키징 공정을 인텔에 맡기는 방안을 추진 중인 것으로 파악됐다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "테슬라가 도조3 공급망 논의에서 칩 양산과 모듈용 패키징을 분리하는 계획을 제안하고 있다"며 "이 같은 계획을 토대로 협력사와 구체적인 계약 체결을 논의 중"이라고 설명했다. 계약이 최종 합의되는 경우, 테슬라의 주도로 삼성전자 파운드리 사업과 인텔 OSAT(외주반도체패키징테스트) 사업간의 협업이 업계 최초로 이뤄질 예정이다. 양사 모두 파운드리와 패키징 사업을 운영중이지만, 이 같은 협력 구조가 공식적으로 성사된 사례는 아직까지 확인된 바 없다. 우선 도조3용 칩 양산은 삼성전자의 수주가 사실상 확실시되고 있다. 앞서 삼성전자는 지난달 28일 테슬라와 22조7천600억원 규모의 반도체위탁생산 계약을 체결했다. 당시 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 "삼성전자가 미국 신규 파운드리 팹에서 AI6 칩 양산에 전념하게 될 것"이라고 밝혔다. AI6는 테슬라의 차세대 FSD(Full Self-Driving), 로봇, 데이터센터 등에 활용될 수 있는 반도체로, 2나노 공정을 채택한 것으로 알려졌다. 또한 테슬라는 도조3에 탑재할 칩을 별도로 설계하지 않고, AI6와 도조3용 칩을 단일 아키텍처로 통합하겠다고 밝힌 바 있다. 일론 머스크 CEO는 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "도조3와 AI6 칩을 기본적으로 동일하게 사용하는 방향을 생각하고 있다"며 "예를 들어 자동차나 휴머노이드에는 칩을 2개 사용하고, 서버에는 512개를 사용하는 방식"이라고 말했다. 도조, 초대형 반도체 위한 특수 패키징 필요 테슬라가 도조3용 칩과 패키징 협력사를 이원화하려는 배경에는 기술과 공급망 요소가 모두 작용하고 있다는 분석이다. 테슬라의 도조는 일반적인 시스템반도체와 달리, 패키징 과정에서 매우 큰 사이즈로 제작된다. 때문에 테슬라는 TSMC의 SoW(시스템-온-웨이퍼) 패키징 기술을 채택한 바 있다. SoW는 기존 패키징 공정에서 쓰이던 기판(PCB) 등을 사용하지 않고, 메모리 및 시스템반도체를 웨이퍼 상에서 직접 연결하는 기술이다. 각 칩의 연결은 칩 하단에 형성된 미세한 구리 재배선층(RDL)이 담당한다. 웨이퍼 전체를 사용하기 때문에 초대형 반도체에도 대응 가능하다. D1의 경우 TSMC 7나노미터(nm) 공정 기반의 654제곱밀리미터(mm²) 단일 칩을 활용한다. 이를 웨이퍼에 5x5 배열로 총 25개 배치한 뒤, 각 칩을 전기적으로 연결해 하나의 모듈로 만든다. 웨이퍼 전체를 일종의 기판처럼 사용하는 방식이다. 다만 SoW는 초대형 반도체를 타겟으로 한 특수 패키징으로, 양산되는 칩의 수량이 비교적 적다. 당장의 매출 규모가 크지 않은 만큼 전공정·후공정 모두 TSMC 측의 적극적인 지원을 받기가 힘든 상황이다. 반면 삼성전자·인텔은 대형 고객사 확보가 절실한 상황으로, 각각 테슬라에 우호적인 조건을 제시했을 가능성이 크다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자 역시 초대형 반도체에 대응할 수 있는 첨단 패키징 기술을 고도화하고 있는 것으로 안다"며 "도조3 모듈 패키징은 인텔이 선제 진입할 예정이나, 기술 개발 상황에 따라 향후 삼성전자도 공급망 진입이 가능할 것으로 예상한다"고 밝혔다. 인텔, EMIB 기반으로 테슬라 대응 유력 한편 테슬라는 도조3에서 인텔의 임베디드 멀티-다이 인터커넥트 브릿지(EMIB) 기술을 활용하려는 것으로 알려졌다. EMIB는 인텔의 독자적인 2.5D 패키징 기술이다. 2.5D 패키징은 칩과 기판 사이에 '실리콘 인터포저'라는 얇은 막을 삽입해 각 칩을 연결하는 방식을 뜻한다. EMIB는 기존 2.5D 패키징처럼 칩 아래에 인터포저를 넓게 까는 대신, 기판 내부에 삽입된 소형 실리콘 브릿지로 칩과 칩을 연결한다. 칩 간 연결이 필요한 부분에만 브릿지를 배치하면 되므로, 더 유연하고 효율적으로 칩을 배치할 수 있다. 인터포저 크기에 따라 다이 사이즈 확장에 제약을 받는 2.5D 패키징과 달리, 더 넓은 면적에 걸쳐 다이를 구성하는 데에도 유리하다. 다만 EMIB도 현재 상용화된 기술 수준으로는 웨이퍼 수준의 초대형 칩 제작이 어렵다는 평가를 받는다. 때문에 업계는 인텔이 도조 3를 위한 새로운 EMIB 기술 및 설비투자 등을 검토하고 있을 것으로 보고 있다.

2025.08.07 15:14장경윤

LB세미콘, ASE코리아와 반도체 패키징 협력 위한 MOU 체결

반도체 후공정 전문기업 LB세미콘은 세계 최대 반도체 패키징 및 테스트 기업 ASE 그룹의 한국 법인 ASE코리아와 전략적 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다고 7일 밝혔다. 이번 협약은 양사가 보유한 고유의 기술력과 생산 인프라를 바탕으로 글로벌 고객 대상 공동 마케팅 및 프로모션 활동을 강화하고, 고성능·고집적 반도체 패키지 수요 증가에 선제 대응하기 위해 추진됐다. 양사는 이번 협약을 통해 공정별 역할을 분담하고, 상호 보완적인 협업 체계를 구축한다. LB세미콘은 범핑 공정 및 웨이퍼 테스트를, ASE코리아는 패키징 공정을 각각 전담함으로써, 고객사에게 통합형 턴키(Turn-key) 후공정 솔루션을 제공할 수 있게 된다. 이를 통해 생산 효율성 및 품질 안정성 향상은 물론, 고객 맞춤형 대응 체계도 보다 견고해질 것으로 기대된다. MOU 체결식은 이날 경기도 파주 ASE코리아 본사에서 진행됐으며, 양사 주요 경영진이 참석한 가운데 협력 강화에 대한 강한 의지를 표명했다. 김남석 LB세미콘 대표는 "ASE코리아와의 협력을 통해 글로벌 시장에서의 경쟁력을 한층 강화하고, 첨단 패키징 기술을 고도화함으로써 새로운 고객을 확보하는 전환점이 될 것"이라고 밝혔다. 이기철 ASE코리아 대표는 “국내 후공정 분야의 핵심 기업인 LB세미콘과의 파트너십을 통해, 한국을 포함한 글로벌 시장 내 입지를 강화하고 고객에게 통합적이고 차별화된 서비스를 제공할 수 있을 것으로 기대한다”고 말했다. 양사는 이번 협약을 시작으로 ▲고성능 반도체 패키지 공동 개발 ▲기술 정보 교류 ▲글로벌 고객 응대 체계 구축 ▲산업별 전용 패키지 솔루션 공동 제안 등 다양한 분야에서 협력을 확대해 나갈 계획이다. 업계는 이번 협력이 국내 후공정 산업의 경쟁력 제고는 물론, 글로벌 고객 수요에 효과적으로 대응할 수 있는 공급망 안정화에 기여할 것으로 기대하고 있다.

2025.08.07 08:40장경윤

한미반도체 "국내외 HBM4 본더 장비도 전량 수주 자신"

ㄲ한미반도체가 향후 경쟁이 치열해질 것으로 예상되는 HBM4(6세대 고대역폭메모리)용 TC 본더 시장에서도 독점적인 지위를 차지할 것으로 자신했다. 또한 주요 고객사로부터 차세대 장비인 플럭스리스 본더를 주문 받아, 올 하반기 납품을 시작할 예정이다. 30일 한미반도체는 여의도 포스트타워에서 '2025년 2분기 잠정실적 리뷰 설명회'를 열고 회사의 주요 사업 현황 및 향후 기술 로드맵에 대해 이같이 밝혔다. "주요 고객사 HBM4용 TC본더, 전량 수주 자신" 한미반도체는 국내 주요 반도체 후공정 장비업체다. 특히 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 TC본더 분야에 주력하고 있다. TC본더는 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM(고대역폭메모리) 제조에 필수적으로 활용된다. 현재 한미반도체는 HBM 분야에서 SK하이닉스는 물론, 북미 주요 메모리 기업을 고객사로 확보한 상태다. 한미반도체는 올 2분기 매출 1천800억원, 영업이익 863억원을 기록했다. 전년동기 대비 매출은 45.8%, 영업이익은 55.7% 증가했다. 영업이익률은 47.9%다. 하반기 실적을 포함하면 연간으로 8천억원~1조1천억원의 매출을 기록할 것으로 내다봤다. 하반기 HBM4용 설비투자가 본격화되는 시점에도 시장 선점을 자신했다. 김정영 한미반도체 부사장은 "한미반도체는 주요 HBM 고객사와 오랜 시간 협업해오며 양산 경험을 쌓아온 기업으로, 하루아침에 이 지형이 바뀌지 않을 것으로 보고 있다"며 "주요 고객사의 모든 HBM4용 TC본더를 당사가 수주할 것이라고 자신한다"고 강조했다. 특히 해외 시장의 경우, 한미반도체 TC본더 마진이 국내 대비 30~40%가량 높은 것으로 알려졌다. 이에 한미반도체는 TC본더를 비롯한 전체 사업에서 해외 매출 비중 확대를 적극 추진 중이다. 해외 또 다른 고객사의 HBM용 TC본더 수요도 향후 발생할 것으로 기대하고 있다. 김 부사장은 "올해 해외 고객사로부터 대규모 주문이 들어올 것으로 예상하고 있고, 논의도 그러한 방향으로 진행하고 있다"며 "올해와 내년에 걸쳐 작년 주문량의 2배 증가를 상정하고 이를 충족하기 위한 생산능력 확충을 진행 중"이라고 밝혔다. 플럭스리스 본더, 올해 납품 예정…하이브리드 본더도 개발 중 향후 기술 로드맵에 대해서는 HBM4·4E부터 플럭스리스 본딩이 적용될 것으로 전망했다. 플럭스는 기존 TC본딩에서 접합을 도와주기 위해 쓰이던 소재다. 이 플럭스를 쓰지 않는 대신, 접합 간격을 더 줄여 HBM 패키지 두께를 얇게 하는 데 유리한 기술이 플럭스리스 본딩이다. 김 부사장은 "주요 고객사로부터 이미 플럭스리스 본더를 주문 받아, 올해 납품을 준비 중"이라며 "플럭스리스 본더를 개발 중인 해외 경쟁사들도 있지만, 당사 장비는 기존 TC본더 투자분에 대해 업그레이드가 가능해 시장 지배력을 지속할 수 있을 것"이라고 밝혔다. 이후 차세대 HBM에 적용될 하이브리드 본더 시장도 대응하고 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼 구리 배선을 직접 붙이는 기술로, 기존 TC 본더와 달리 범프(Bump)를 쓰지 않는다. 덕분에 HBM 패키지 두께를 더 줄이고 방열 특성을 높일 수 있다. 이에 한미반도체는 테스 등 국내 장비기업과의 기술 협력으로 하이브리드 본더를 개발하고 있다. 하이브리드 본더 등 차세대 제품 생산을 위한 신규 공장에도 1천억원을 투자하기로 했다. 한미반도체의 하이브리드 본더 출시 시기는 2027년으로 전망된다. 이를 통해 HBM과 최첨단 시스템반도체 시장을 순차적으로 공략할 계획이다.

2025.07.30 15:50장경윤

ISC, 2분기 매출 517억원…전분기 대비 63% 증가

글로벌 반도체 테스트 솔루션 전문기업 아이에스시(ISC)는 2025년 2분기 연결기준 매출 517억원, 영업이익 137억원을 기록했다고 30일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 4%, 전분기 대비 63% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 8% 하락했으나, 전분기 대비로는 96% 증가했다. 아이에스시는 "2분기 실적 호조는 ▲AI 데이터센터향 고속·고신뢰성 테스트 소켓 수요 급증, ▲비메모리 고객 대상 양산 수요 확대에 따른 주문 증가에 기인한다"며 "특히 고속 인터페이스와 열 신뢰성이 요구되는 하이엔드 테스트 소켓의 평균판매단가(ASP)와 출하 물량이 모두 동반 성장하며 실적 성장을 견인했다"고 설명했다. 3분기에는 사상 최대 실적 경신이 유력하다고 내다봤다. AI 가속기 및 고성능 GPU 수요 확산과 더불어 자회사 아이세미가 공급하는 하이스피드 번인 테스터 및 모듈 테스터의 본격 출하가 예정돼 있기 때문이다. 또한 국내 주요 파운드리 고객사와의 견고한 협력 관계를 바탕으로 자율주행 및 차량용, 휴머노이드 칩 테스트 영역에서도 수혜가 기대된다. 또한 아이에스시는 기존 테스트 소켓 중심에서 벗어나, 장비·소켓을 아우르는 수직 통합형 테스트 플랫폼 기업으로의 전환을 본격화하고 있다. 자회사 아이세미는 글로벌 메모리 고객사와 공동 개발한 차세대 메모리용 하이스피드 번인테스터를 3분기 중 첫 출하할 예정이며, AI 반도체 실장 테스트용 장비 공급도 동시에 진행된다. 이를 통해 고객사는 테스트 효율성과 부품 호환성, 장비 전환 속도 등의 측면에서 최적화된 운영이 가능해지며, 아이에스시는 가격경쟁에서 벗어난 고수익 구조로의 전환 기반을 마련하게 될 전망이다. 아이에스시 관계자는 “AI 반도체, 고대역폭 메모리(HBM), 고성능 GPU 등 고부가 테스트 시장이 빠르게 확대되는 가운데, 아이에스시는 장비-소켓 간 통합 솔루션을 통해 고객 밀착도를 강화하고 있다”며 “3분기에는 장비 및 소켓 동시 출하가 본격화되며, 창사 이래 최대 분기 실적 달성이 기대된다”고 밝혔다. 관계자는 이어 “최근 글로벌 고객사의 자율주행 칩 수주와 같은 글로벌 공급망 변화는 아이에스시에 새로운 기회를 제공하고 있다”며 “엔드-투-엔드(End-to-End) 테스트 플랫폼 전략과 기술우위를 바탕으로, 차세대 반도체 테스트 시장의 주도권을 강화해 나가겠다”고 덧붙였다.

2025.07.30 11:21장경윤

삼성전자, 차세대 엑시노스 발열 잡을 '신기술' 쓴다

삼성전자가 차세대 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)에 새로운 첨단 패키징 기술을 도입할 계획인 것으로 파악됐다. 반도체 패키지 내부에 방열 소재를 삽입하는 것이 골자로 내년 '갤럭시S26' 스마트폰의 성능 향상을 이끌어낼 것으로 기대된다. 29일 업계에 따르면 삼성전자는 '엑시노스 2600'에 히트패스블록(HPB)을 처음 적용하기 위한 연구개발을 진행하고 있다. 엑시노스 2600은 삼성전자가 자체 개발 중인 2나노미터(nm) 공정 기반의 모바일 AP다. AP는 CPU·GPU·NPU 등 각종 시스템반도체를 하나의 반도체에 집적한 SoC(시스템온칩)다. 삼성전자가 내년 출시할 플래그십 스마트폰 갤럭시S26 시리즈에 탑재되는 것을 목표로 하고 있다. 삼성전자는 엑시노스 2600의 성능 강화를 위해, 패키지 내부에 HPB를 처음 적용하기로 했다. HPB는 구리 소재 기반의 방열판이다. 기존 엑시노스는 AP 위에 D램을 얹은 PoP(패키지-온-패키지) 구조로 돼 있는데, HPB는 D램과 함께 AP 위에 집적된다. 이를 통해 AP에서 나오는 열을 흡수하는 역할을 맡게 된다. 삼성전자는 이 같은 기술을 적용한 엑시노스 2600의 퀄(품질) 테스트를 오는 10월까지 마무리할 계획이다. 개발이 성공적으로 진행될 경우, 갤럭시S26 시리즈부터 곧바로 양산 적용이 가능할 것으로 전망된다. 최근 삼성전자는 모바일 AP의 방열 특성 강화를 위한 패키징 기술 고도화에 주력해 왔다. 모바일 AP의 성능이 급격히 올라가면서, 반도체에서 발생하는 열 또한 심화되고 있어서다. 일례로 삼성전자는 엑시노스 2400부터 FOWLP(팬아웃 웨이퍼레벨패키징) 등 첨단 패키징 기술을 도입한 바 있다. FOWLP는 반도체 칩 외부에 입출력단자(I/O)를 배치시키는 기술로, 기존 PCB(인쇄회로기판)가 아닌 실리콘 웨이퍼에 칩을 집적한다. 덕분에 실리콘 층을 두껍게 만들 수 있어 방열 특성 강화에 유리하다. 이번 엑시노스 2600 역시 FOWLP 기술로 제작된다. 또한 삼성전자 파운드리 사업부는 1.4나노미터(nm) 등 차세대 공정 개발을 당초 계획보다 최소 2년 지연시킬 계획이다. 삼성 파운드리의 최선단 공정 로드맵을 따르는 엑시노스 입장에서는 당분간 2나노 공정 유지가 불가피하다. 이에 따라 모바일 AP의 성능 강화도 전공정 보다는 후공정 기술의 중요성이 더욱 중요해질 것으로 관측된다.

2025.07.29 14:03장경윤

삼성 파운드리 반등 '신호탄'...2나노 대형 고객사 확보

삼성전자가 28일 오전 23조원(22조7천647억6천416만원) 규모의 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정의 대량 반도체위탁 생산물량 수주 소식을 알리면서 파운드리 사업부문 반등의 신호탄을 쏘아올렸다. 이번 물량의 계약 기간은 2025년 7월 24일부터 2033년 12월 31일까지로, 총 8년 5개월의 장기계약에 해당한다. 계약 상대는 경영상 비밀유지를 이유로 명시하지 않았다. 다만 업계에서는 계약 규모를 통해 글로벌 대형 기업에 해당할 것으로 예상하고 있다. 공정은 AI, HPC(고성능컴퓨팅) 등에 활용되는 최첨단 공정인 2나노를 채택한 것으로 알려졌다. 2나노는 올 하반기 본격적으로 상용화되는 공정으로, 기술적 난이도가 높아 소수의 파운드리 기업만이 양산 가능하다. 초미세공정서 고객사 유치…IP 확장 기회 최근 삼성전자 파운드리는 주요 경쟁사인 TSMC와의 격차가 확대되는 추세였다. 첨단 공정의 저조한 수율, IP(설계자산) 등 관련 생태계 확보 미흡 등이 주요 약점으로 꼽혔다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 삼성전자의 올 1분기 파운드리 시장 점유율은 7.7%로 전분기 8.1% 대비 0.4%p 하락했다. 같은 기간 주요 경쟁사인 대만 TSMC는 67.1%에서 67.6%로 0.5%p 증가한 것으로 나타났다. 이번 수주로 삼성전자 파운드리는 반등의 기회를 마련할 수 있게 됐다. 당초 삼성전자 파운드리의 약점은 레퍼런스로 꼽혔다. 대형 고객사로부터 기술 검증이 되지 않아 찾는 고객이 적었던 것이다. 디자인하우스 관계자는 “삼성전자 파운드리의 공정 자체 기술력은 TSMC랑 견줄만 하다는 이야기들이 많은데 IP(설계자산), 패키징 기술 등이 검증되지 않았기 때문에 고객들이 불안해서 많이 못쓰고 있었다”고 설명했다. 삼성 파운드리를 중심으로 하는 생태계 전반이 확장될 것이라는 의견도 제언된다. 시스템 반도체 생태계는 파운드리(제조)를 축으로 IP, 디자인하우스, 후공정 등 다양한 협력사로 이뤄졌다. 대형 고객사의 등장이 반도체 업계 전반을 활성화시킬 수 있는 셈이다. 익명을 요청한 반도체 업계 관계자는 “글로벌 기업이 고객사로 들어오면서 생태계 자체가 갖춰지게 될 것"이라며 "특히 IP가 의미가 있다. 칩 난이도가 높은 글로벌 빅테크 기업들은 최신 기술의 IP가 많이 들어가는데 이번 수주로 인해서 2나노 공정이 준비가 되는 것이기 때문에, 다음에 2나노를 쓸 고객에게 굉장히 큰 도움이 된다”고 말했다. 고객사 '올인' 전략…주요 경영진 글로벌 행보도 기대 삼성전자는 최근 고객사 확보에 '올인'하는 방향으로 전략을 선회했다. 당초 오는 2027년 양산을 목표로 한 차세대 공정인 1.4나노 개발을 2~3년 뒤로 미루고, 대신 2나노미터 이하의 기존 공정을 고도화하기로 한 것이 대표적인 사례다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자 파운드리가 최근 협력사들에게 실질적으로 기존 공정을 안정화하는 데 초점을 두겠다고 얘기하고 있다"며 "특히 삼성전자가 내년 양산을 준비 중인 2세대 2나노(SF2P)의 성능 및 수율에 강한 자신감을 보이고 있다"고 설명했다. 삼성전자 반도체 사업을 이끄는 주요 경영진의 행보도 기대 요소다. 앞서 이재용 삼성전자 회장은 지난 17일 제일모직·삼성물산 합병 과정에서 발생한 부당합병·회계부정 혐의 상고심에서 최종 무죄를 판결 받은 바 있다. 10년 가까이 지속된 '사법 리스크'가 해소된 것으로, 향후 이 회장의 글로벌 경영 행보가 가속화될 전망이다. 실제로 이 회장은 지난 2월 샘 올트먼 오픈AI CEO, 손정의 소프트뱅크 회장과 3자 회동을 열고 AI 분야에 대한 협력을 논의했다. 바로 다음달에는 10년만에 중국을 방문해 시진핑 국가주석과 만났으며, 글로벌 기업 CEO 30여명과 함께 자리했다. 이달에는 미국 선밸리 컨퍼런스에 참석해, 복수의 글로벌 빅테크 기업 인사와도 만난 것으로 전해진다. 전영현 삼성전자 부회장도 올해 수 차례 미국 출장길에 오르는 등, 고객사와의 소통 강화에 매진하고 있다. 이곳에서 전 부회장은 엔비디아를 비롯한 주요 빅테크들을 순차적으로 만나 메모리·파운드리 등 다양한 논의를 거친 것으로 알려졌다.

2025.07.28 11:42전화평

삼성전자, IBM 차세대 프로세서에 '3D 패키징' 양산 공급

삼성전자가 첨단 패키징 기술로 IBM과의 협력을 강화한다. IBM이 최근 출시한 차세대 프로세서에 3D 적층 기술을 성공적으로 양산 공급한 것으로 파악됐다. 27일 업계에 따르면 IBM은 삼성전자 7나노미터(nm) 공정 및 3D 패키징을 적용한 'Power11(P11)' 칩을 이달 공식 출시했다. P11은 IBM의 자체 아키텍처를 기반으로 한 서버용 CPU다. 654mm² 면적에 총 300억개의 트랜지스터를 집적했다. 이전 세대인 P10 대비 클럭 속도가 향상됐으며, 프로세서 당 최대 25% 더 많은 코어를 추가할 수 있도록 설계됐다. IBM 자료에 따르면 P11은 삼성전자 파운드리 7나노 공정을 채택했다. 이전 P10과 같은 공정이지만, 삼성전자의 3D 패키징 기술을 통해 'ISC(Integrated Stack Capacitor; 통합형 적층 커패시터)'를 도입해 차별점을 뒀다. 커패시터는 전하를 일시적으로 저장할 수 있는 전자부품이다. 회로에 전류가 일정하게 흐르도록 조절하고 부품 간 전자파 간섭현상을 막아준다. 기존 커패시터는 PCB(인쇄회로기판)나 첨단 패키징에서 중간 기판 역할을 담당하는 인터포저 위에 부착돼 왔다. 반면 ISC는 커패시터를 패키지 내부로 끌어들여, 칩 아래에 직접 배치한다. 커패시터와 칩간 거리가 가까워지면서 더 많은 전력을 빠르게, 그리고 안정적으로 보낼 수 있게 된다. 삼성전자는 ISC를 3D 패키징을 통해 집적했다. 웨이퍼 상에 ISC를 만들고 그 위에 IBM의 프로세서를 올린 뒤, TSV(실리콘관통전극)로 연결해 TC(열압착) 본딩을 진행하는 방식이다. IBM은 이를 2.5D 패키징으로 기술했으나, 삼성전자는 ISC와 칩을 수직 적층했다는 점에서 3D 패키징으로 정의하고 있는 것으로 알려졌다. 이로써 IBM은 전공정 변화 없이도 최첨단 패키징 기술 도입을 통해 프로세서 성능을 한 단계 끌어올리게 됐다. 삼성전자 역시 3D 패키징 적용으로 자사 파운드리 기술력을 강화했다는 점에서 의미가 있다. 반도체 업계 관계자는 "제품 특성 상 P11의 출하량이 많지는 않을 것으로 보이나, 삼성전자 입장에서는 3D 패키징을 안정적으로 양산 공급했다는 점에서 긍정적"이라며 "첨단 패키징의 중요성이 대두되고 있는 만큼 고객사 확장에 도움이 될 것"이라고 설명했다.

2025.07.27 10:09장경윤

차세대 HBM용 하이브리드 본더 시장 커진다

해외 주요 반도체 장비업체들이 HBM(고대역폭메모리)용 하이브리드 본더 매출 확대에 나설 전망이다. 베시(BESI)는 올 하반기 HBM4용 장비 수주 확대를, ASMPT는 올 3분기 신규 장비의 고객사 출하를 앞두고 있다. HBM용 하이브리드 본딩은 아직 연구개발(R&D) 단계에 있는 기술로, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 메모리 기업이 모두 시제품 제작을 진행하고 있다. 이에 국내 한미반도체·한화세미텍 등도 제품 개발에 적극 나서는 추세다. 25일 업계에 따르면 세계 주요 반도체 후공정 장비기업들은 올 하반기 HBM용 하이브리드 본딩 장비 사업을 확대할 것으로 예상된다. 네덜란드 장비 기업 베시는 지난 24일(현지시간) 2025년 2분기 실적발표를 통해 올 하반기 하이브리드 본딩 등 첨단 패키징 장비의 견조한 수요로 실적이 개선될 것으로 내다봤다. 베시는 "고객사들이 2026~2027년 신제품 출시를 위한 기술 로드맵을 추진하면서, 고급 로직 및 HBM4 응용 분야에서 하이브리드 본딩 시스템 수주가 전년 동기 및 전반기 대비 크게 증가할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 싱가포르에 본사를 둔 ASMPT도 지난 23일 2분기 실적발표에서 차세대 제품 상용화 계획이 순조롭게 진행되고 있음을 시사했다. ASMPT는 "당사의 2세대 하이브리드 본더는 정밀도, 설치 면적, 시간당 처리량 측면에서 경쟁력 있는 성능을 제공한다"며 "올 3분기 중 HBM 고객사에 이 2세대 장비를 출하할 예정"이라고 밝혔다. 앞서 ASMPT는 지난해 HBM용 하이브리드 본더를 첫 수주해, 올해 중반 납품할 예정이라고 공지한 바 있다. 이들 기업이 HBM용 하이브리드 본더 공급을 확대할 수 있는 배경은 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 메모리 기업들의 적극적인 연구개발(R&D) 덕분이다. 현재 HBM은 각 D램 사이에 미세한 범프(Bump)를 집어넣어 열압착(TC) 방식으로 연결하는 방식이 주류를 이루고 있다. 다만 HBM의 D램 적층 수가 16단·20단 등으로 점점 많아질수록 기존 TC 본딩도 적용이 어려워질 것으로 관측된다. HBM 패키지 두께가 최대 775마이크로미터(μm)로 제한돼 있기 때문이다. 때문에 업계는 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 하이브리드 본딩을 대안 기술로 개발해 왔다. 해당 기술은 범프를 쓰지 않기 때문에, HBM의 패키지 두께를 크게 줄일 수 있다는 이점이 있다. I/O(입출력단자)를 더 밀도 있게 집적하고, 방열 특성도 높일 수 있다. 하이브리드 본딩은 이르면 HBM4E나 HBM5 등에서 본격적으로 적용될 것으로 보인다. 특히 삼성전자의 하이브리드 본딩 도입 의지가 가장 뚜렷한 것으로 관측된다. 한편 국내 장비업체인 한미반도체·한화세미텍도 하이브리드 본더를 개발하고 있다. 한미반도체는 최근 국내 또다른 장비기업 테스와 관련 장비 개발을 위한 협약을 체결했다. 한화세미텍은 올해 말 2세대 하이브리드 본더를 개발할 것으로 예상된다.

2025.07.25 10:31장경윤

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