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롯데 화학군 3개 계열사, 학대피해아동 가정에 생필품 전달

롯데그룹 화학군 계열사들이 가정의 달을 맞아 학대피해아동 가정에 생필품을 전달했다. 롯데알미늄·롯데인프라셀·롯데패키징솔루션즈는 임직원 30여 명이 24일 꾸러미 만들기 행사에 직접 참여해 학대 피해 아동 가정 50가구에 식료품과 생필품을 전달하는 사회공헌활동을 진행했다고 27일 밝혔다. 꾸러미 만들기 행사는 롯데알미늄이 학대피해아동들과 그 가정에 실질적인 도움을 제공하고자 마련한 사회공헌활동의 일환으로 지난해 처음 진행됐다. 활동에 참여한 임직원은 “우리 주변엔 어려운 환경에 처해 있는 아이들이 많이 있다”며 “미래를 이끌어갈 아이들에게 보다 나은 환경을 만들어 주기 위해 앞으로도 다양한 활동을 통해 최선을 다하겠다”고 말했다.

2024.05.27 09:20류은주

삼성전자 HBM3E '공급 난항설'…좀더 지켜봐야 하는 이유

삼성전자의 엔비디아향 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 공급 여부가 최근 연일 화두에 오르고 있다. 24일 엔비디와의 퀄테스트가 실패했다는 외신 보도에 대해 삼성전자는 "테스트가 순조롭게 진행되고 있다"며 즉각 반박하고 나섰다. 양측에 상반된 주장에 대해 업계는 유보적인 입장을 취하고 있다. 삼성전자의 HBM 사업이 난항을 겪고 있는 것은 업계 내에서 대부분 인지하고 있는 사실이나, 시기상 HBM3E의 테스트 결과를 단순히 실패로 표현하거나 단정짓기에는 아직 이르다는 지적이 제기된다. 이날 로이터통신은 익명의 소식통을 인용해 "삼성전자는 지난해부터 HBM3 및 HBM3E에 대한 엔비디아향 테스트를 통과하려고 노력했다"며 "그러나 지난 4월 삼성전자의 8단 및 12단 HBM3E에 대한 테스트 실패 결과가 나왔다"고 밝혔다. 이에 삼성전자는 입장문을 통해 "다양한 글로벌 파트너들과 HBM 공급을 위한 테스트를 순조롭게 진행 중"이라며 "현재 다수의 업체와 긴밀하게 협력해 지속적으로 기술과 성능을 테스트하고 있다"고 맞섰다. 해당 보도 이전에도 삼성전자 HBM이 성능 부족으로 테스트에 난항을 겪고 있다는 업계 관계자들의 증언은 꾸준히 제기돼 왔다. 대표적으로 삼성전자는 지난해부터 엔비디아에 4세대 HBM인 HBM3 공급을 추진 중이지만, 아직까지 샘플 공급을 넘어 실제 양산 공급을 최종 확정하지 못한 상황이다. 또한 삼성전자는 AMD, 브로드컴 등 또 다른 주요 팹리스 기업과 HBM3E에 대한 테스트를 진행하고 있다. 특히 브로드컴은 올해 초부터 삼성전자·SK하이닉스·마이크론의 8단 적층 HBM3E을 동시에 테스트하고 있다. 여기에서도 삼성전자의 HBM은 경쟁사 대비 성능 면에서 우위에 서지 못하고 있다는 평가다. SK하이닉스·마이크론이 HBM3E에 1b D램(10나노급 5세대 D램)을 적용한 반면, 삼성전자는 이보다 한 세대 뒤쳐진 1a D램(10나노급 4세대 D램)을 활용한 것이 주요 원인으로 지목된다. 이 같은 관점에서 삼성전자의 엔비디아향 HBM3E 테스트도 당초 예상보다 많은 시간이 소요될 것이라는 관측이 우세했다. 다만 이번 외신 보도처럼 삼성전자 HBM3E의 엔비디아향 테스트를 '실패(Fail)'로 표현하는 것은 적절치 않다는 의견도 나온다. 통상 신규 반도체 칩을 공급하기 위해서는 무수히 많은 공정 조율과 개선을 거치기 때문이다. 삼성전자는 지난해 하반기부터 엔비디아와 8단 HBM3E에 대한 테스트를 진행해 왔다. 올해 상반기 내로 테스트를 통과하는 것이 최상의 시나리오이기는 하나, 테스트 시기 상 올 하반기까지 성능을 개선할 여지는 여전히 남아 있다. 익명을 요구한 반도체 업계 관계자는 "삼성 내부에서는 엔비디아향 8단 HBM3E 양산 공급 여부를 10월에 판가름할 수 있을 것으로 전망하고 있다"며 "테스트가 시간이 걸리고 부진한 것은 맞으나 동시에 기회 역시 남아있다"고 밝혔다. 12단 HBM3E는 지난 3월부터 엔비디아에 샘플 공급이 시작된 것으로 파악된다. 테스트가 극 초기 단계인 만큼 벌써부터 통과 판정을 받기란 사실상 불가능에 가깝다는 게 업계의 중론이다. 또 다른 관계자는 "사실상 삼성전자는 HBM3E에서 8단이 아닌 12단을 전략 제품으로 내세우고 있고, 이제야 테스트가 진행되는 수순"이라며 "물론 삼성전자가 대외적으로 삼은 목표에 도달하기 위해서는 일정이 상당히 빠듯한 것이 사실"이라고 설명했다. 김영건 미래에셋증권 연구원도 이날 보고서를 통해 "HBM 테스트 과정에서 일부 결점이 발견될 수는 있으나, 이는 상호간 협의의 영역으로 계약 조건에 따라 상황이 변할 수 있다"며 "12단 HBM3E에 대한 수급난이 예상되는 상황에서 아직 기한이 남은 시점에 퀄테스트를 조기졸업 시키는 경우는 상식적이지 않다"고 지적했다.

2024.05.24 15:40장경윤

삼성전자 "HBM 테스트 순조롭게 진행"…엔비디아 공급 실패 보도 반박

엔비디아와의 HBM(고대역폭메모리) 퀄테스트가 실패했다는 외신 보도에 삼성전자가 정면 반박했다. 24일 삼성전자는 입장문을 통해 "삼성전자는 다양한 글로벌 파트너들과 HBM 공급을 위한 테스트를 순조롭게 진행 중"이라며 "현재 다수의 업체와 긴밀하게 협력하며 지속적으로 기술과 성능을 테스트하고 있다"고 밝혔다. 또한 "HBM의 품질과 성능을 철저하게 검증하기 위해 다양한 테스트를 수행하고 있다"고도 덧붙였다. 앞서 이날 로이터통신은 익명의 소식통을 인용해 "삼성전자가 엔비디아와 진행한 HBM3E 8단 및 12단 제품에 대한 퀄테스트에서 4월 실패 결과가 나왔다"고 보도한 바 있다. 삼성전자는 "모든 제품에 대해 지속적인 품질 개선과 신뢰성 강화를 위해 노력하고 있으며, 이를 통해 고객들에게 최상의 솔루션을 제공할 예정"이라고 말했다.

2024.05.24 09:42장경윤

한미반도체, 한화정밀기계 이직한 前 연구원 '부정경쟁행위금지' 최종 승소

한미반도체는 한화정밀기계로 이직한 전 직원 A씨를 대상으로 청구한 부정경쟁행위금지 소송에서 1심과 2심 모두 승소하며 최종 승소했다고 23일 밝혔다. 한미반도체 전 직원인 A씨는 2021년 TC 본더, 플립칩 본더 등 핵심 장비 연구개발부서에서 근무하다가 한화정밀기계로 이직했다. 이에 한미반도체가 부정경쟁행위금지 소송을 제기해 2023년 8월 23일 1심에서 승소했다. 2024년 5월 2일에는 2심 법원인 수원고등법원 재판부에서도 A씨가 한화정밀기계에서 한미반도체의 기술정보를 사용, 공개하는 행위를 금지하도록 최종 판결을 내렸다. 한미반도체 관계자는 “인공지능 반도체용 HBM(고대역폭메모리) 필수 공정 장비이자 세계 시장 점유율 1위인 한미반도체 TC 본더의 핵심 기술을 담당하던 직원의 한화정밀기계 취업은 전직금지는 물론이고, 영업비밀보호의무위반 등의 소지가 높아 부정경쟁행위금지 소송을 제기하게 됐다"고 밝혔다. 그는 이어 "이번 법원의 판결을 계기로 반도체 강국인 한국에서 첨단기술 기업이 보유한 기술과 노하우를 소중히 여기는 공정한 경쟁 문화가 산업 전반에 확고히 자리 잡기를 희망한다"고 덧붙였다. 한편 한화정밀기계는 이 같은 보도에 대해 "해당 소송은 한미반도체의 전 직원 개인에 대한 소송으로, 한화정밀기계에 대한 소송이 아니다"며 "직원 개인이 한미반도체 재직 중 습득한 기술정보를 다른 곳에 제공하지 못하게 하는 취지"라고 설명했다. 회사는 이어 "상기 직원은 정상적인 공개채용의 절차를 거쳐 합법적으로 채용한 인력"이라며 "이직 당시 4년차 사원으로 한미반도체 측의 중요한 정보를 취급했을 가능성이 매우 희박하다"고 강조했다.

2024.05.23 16:20장경윤

SK하이닉스 "HBM3E 수율 80% 근접"…업계 예상 뛰어넘어

SK하이닉스의 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 수율이 80%에 근접한 것으로 나타났다. 22일 파이낸셜타임스에 따르면, 권재순 SK하이닉스 수율 담당임원은 매체와의 인터뷰를 통해 "HBM3E 생산에 필요한 시간을 50% 단축할 수 있었다"며 "해당 칩이 목표 수율인 80%에 거의 도달했다"고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. HBM3E는 5세대 HBM으로, 올해부터 본격적으로 상용화 궤도에 올랐다. HBM은 높은 기술적 난이도로 인해, 수율을 높이는 것이 주요 메모리 기업들의 과제로 지목돼 왔다. 수율은 반도체 웨이퍼 투입량 대비 양품이 얼마나 나오는 지를 나타내는 수치다. 100개의 칩 중 양품이 60개라면, 수율은 60%가 된다. 그동안 업계는 SK하이닉스의 HBM3E 수율을 60~70% 내외로 추정해 왔다. 그러나 SK하이닉스는 외신과의 인터뷰에서 수율이 이보다 높은 80%에 근접했음을 공식적으로 밝혔다. SK하이닉스는 견조한 수율을 토대로 최선단 HBM 사업의 경쟁력 유지에 적극 나설 것으로 관측된다. 현재 SK하이닉스는 AI 반도체 시장의 강자인 엔비디아에 HBM3E를 양산 공급하고 있다. 권재순 담당임원은 "올해 고객사들이 가장 원하는 제품은 8단 적층 HBM3E로, 회사도 이 제품 생산에 주력하고 있다"며 "AI 시대를 앞서가기 위해서는 수율 향상이 더 중요해지고 있다"고 말했다.

2024.05.22 13:52장경윤

HBM 시장 '쑥쑥'..."올해 웨이퍼 투입량서 35% 차지"

HBM(고대역폭메모리)가 주요 메모리 기업들의 생산능력 및 수요 증가로 전체 메모리에서 차지하는 비중이 확대되고 있다. 이에 따라 일반 D램 제품 공급이 부족해질 것이라는 전망도 제기된다. 21일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 HBM이 올해 말까지 전체 선단 메모리 공정용 웨이퍼 투입량에서 차지하는 비중은 35%에 이를 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 고성능 메모리다. 고용량·고효율 데이터 처리가 필요한 AI 산업에서 수요가 증가하면서, 주요 메모리 기업들은 HBM 생산능력 확대에 적극적으로 나서고 있다. 동시에 HBM은 높은 기술적 난이도로 인해 현재 50~60%대의 수율에 머물러 있다. 또한 칩 면적이 커 더 많은 웨이퍼 투입이 필요하다. 이에 따라 각 메모리 기업의 TSV 생산능력 기준 올해 말까지 HBM은 선단 공정용 웨이퍼 투입량의 35%를 차지할 전망이다. 나머지 웨이퍼 용량은 DDR5와 LPDDR5(저전력 D램)급 제품에 할당될 것으로 예상된다. 또한 1a나노미터 이상의 D램 공정에 대한 웨이퍼 투입량도 연말까지 전체 D램 웨이퍼 투입량의 40%를 차지할 것으로 관측된다. 1a는 10나노급 4세대 D램으로, 현재 다음 세대인 1b D램까지 상용화에 이르렀다. HBM은 5세대 제품인 HBM3E의 출하량이 올해 하반기 집중적으로 증가할 전망이다. 현재 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 기업들이 제품 양산을 시작했거나 양산을 추진 중이다. 트렌드포스는 "HBM3E에 1b D램을 활용한 SK하이닉스와 마이크론은 엔비디아에 제품을 공급하기로 했다"며 "1a D램을 활용하는 삼성전자는 올 2분기에 검증을 완료하고 올해 중반에 납품을 시작할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 한편 HBM의 웨이퍼 투입 비중 확대로 일반 D램은 출하량 증가에 어려움을 겪고 있다. 주요 메모리 기업들의 설비투자 속도에 따라 공급부족 현상이 발생할 가능성도 제기된다. 트렌드포스는 "삼성전자는 P4 공장을 내년 완공하며, 화성 15라인의 1y D램 설비는 1b D램 공정 전환을 거치게 된다"며 "SK하이닉스는 M16 공장을 내년 증설할 것으로 예상되고, M15X도 내년 완공해 다음해 말 양산을 시작할 예정"이라고 설명했다. 마이크론의 경우 대만 공장은 내년 풀가동 상태로 회복되며, 향후 생산능력 확장은 미국을 중심으로 이뤄질 전망이다.

2024.05.21 09:50장경윤

네패스, AI 반도체용 패키징 기술 'PoP' 상용화 추진

네패스는 인공지능(AI) 및 첨단 반도체에 필요한 차세대 패키징 기술 PoP(Package on Package)를 국내외 칩 제조사들과의 협력으로 개발하고 있다고 20일 밝혔다. 최근 AI용 패키지 시장은 대만 기업들의 과점으로 공급이 여유롭지 않은 상황이다. 네패스는 2.5D 패키징의 기반 기술인 PoP 기술을 자사의 강점인 재배선(RDL) 기술을 활용해 상용화를 추진하고 있다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 매치하는 기술이다. AI 반도체와 HBM(고대역폭메모리)을 하나의 패키지로 집적하는데 주로 사용된다. 네패스가 개발 중인 2.5D 패키징은 고가의 실리콘(Si) 인터포저 대신, 팬아웃 공정을 활용한 재배선(RDL) 인터포저를 구현했다. 이를 통해 가격 경쟁력과 소형화에 강점을 가지고 있다. 특히 이번에 개발한 PoP 기술은 반도체 소자 내장 기술, 양면 재배선(RDL)기술, 수직신호연결 등의 요소 기술을 포함하고 있다. 스마트폰 및 자동차용 AP(애플리케이션프로세서), 웨어러블 센서, AI 반도체 등으로 사용처를 확장해 나갈 수 있는 첨단 패키징의 기본 플랫폼 기술이다. 김종헌 네패스 최고기술책임자(CTO)는 "자율주행 자동차 핵심기술인 라이다(LiDAR) 센서 제조업체인 일본의 글로벌 반도체 업체로부터 우수한 성능을 인증받아 제품 적용을 협의중에 있다"며 "미국 및 유럽 고객의 의료 장비 및 보청기용으로도 사업화를 활발하게 논의 중"이라고 말했다. 그는 이어 "이번에 개발한 PoP 기술을 기반으로 AI 반도체용 2.5D 패키징 기술에 집중해 내년 상반기에는 고객과 함께 개발을 완료하고, 같은해 하반기부터는 양산을 목표로 하고 있다고 밝혔다.

2024.05.20 09:00장경윤

삼성·SK, 차세대 HBM4 경쟁력 승부처 '1c D램' 주목

이르면 내년부터 양산이 시작되는 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 대한 기술 경쟁이 뜨겁다. 삼성전자가 최근 HBM4에 탑재될 D램을 한 세대 진화된 제품으로 변경하는 방안을 검토 중인 가운데, SK하이닉스도 시황에 따라 유동적인 전략을 펼칠 것으로 관측된다. 17일 업계에 따르면 삼성전자는 HBM4에 1c D램을 적용하는 방안을 검토하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 메모리다. 때문에 D램 완제품의 성능이 HBM의 성능에 직접적인 영향을 끼친다. 당초 삼성전자는 내년부터 양산화되는 HBM4에 10나노급 5세대 D램인 1b D램을 적용하려고 했었다. 1b D램은 선폭이 12나노 수준으로, 삼성전자가 지난해 5월 첫 양산에 나선 제품이다. 삼성전자가 올해 양산에 나서는 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)의 경우 1a D램이 적용됐다. 그러나 삼성전자는 최근 내부적으로 HBM4에 탑재될 D램을 1c D램으로 변경하는 방안을 수립했다. SK하이닉스, 마이크론 등 주요 경쟁사가 HBM3E에 1b D램을 적용했던 만큼, HBM4는 전공정 영역에서부터 앞서 나가겠다는 전략으로 풀이된다. 사안에 정통한 관계자는 "현재 HBM4는 12단, 16단 적층에 관계없이 1c D램으로 가는 방향"이라며 "한 세대 뒤쳐진 D램으로 전력사용량 문제가 발생한다는 우려가 많아 개발에 속도를 더하고 싶은 것으로 안다"고 밝혔다. 다만 삼성전자가 실제로 해당 방안을 실현할 지에 대해서는 아직 지켜봐야 한다는 관측도 나온다. 삼성전자가 1c D램의 초도 양산라인을 구축하는 시점은 올해 연말로, 생산능력은 월 3천장 수준으로 추산된다. 목표로 한 HBM4 양산 시점과 차이가 크지 않다. 통상 메모리 업계는 최선단 D램을 컴퓨팅·모바일용으로 순차적으로 개발하고, 이후 안정성을 확보한 뒤에 HBM에 적용하는 과정을 거쳐 왔다. 이를 고려하면 HBM4 양산 시점에 1c D램에 대한 수율을 담보하기 어려울 수 있다. 또 다른 관계자는 "삼성전자 임원진 및 실무단에서 HBM4에 1c D램을 적용하고, 양산 목표 시점 역시 내년 말에서 내년 중후반으로 앞당기는 등의 논의가 오가고 있다"며 "다만 수율이 받쳐줘야 하기 때문에 확정된 사안이 아닌, 계획 단계로 봐야한다"고 밝혔다. 한편 SK하이닉스는 삼성전자의 초기 전략과 마찬가지로 HBM4에는 1b D램을, HBM4E부터는 1c D램을 적용하는 계획을 세운 바 있다. 다만 SK하이닉스도 시황에 따라 적용 기술을 유동적으로 변경할 여지를 여전히 남겨두고 있는 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 "삼성전자 HBM4에 적용되는 D램을 앞당기는 경우, 현재 업계 선두인 SK하이닉스 입장에서도 위기의식을 느낄 수 밖에 없다"며 "SK하이닉스도 로드맵은 세워 둔 상황이나 내부적으로 변경에 대한 여지를 계속 남겨두고 있는 것으로 안다"고 밝혔다.

2024.05.17 14:56장경윤

한미반도체, '세계 10대 반도체 장비기업' 선정

한미반도체는 반도체 전문 분석기관인 테크인사이츠가 주관하는 '2024년 테크인사이츠 고객만족도 조사'에서 국내 반도체 장비기업 중 유일하게 '세계 10대 베스트 반도체 장비기업'에 선정됐다고 16일 밝혔다. 한미반도체는 올해 초 테크인사이츠가 전세계 반도체 장비 고객사 대상 설문조사에서 핵심 반도체 장비기업 부문 '10대 반도체 장비기업'에 선정됐다. 아울러 반도체 공정 분야별로 선정하는 조립테스트장비부문 '베스트 반도체 장비기업'에도 이름을 올리게 됐다. 한미반도체 관계자는 "2024 테크인사이츠 고객만족도 조사에서 ASML, 램리서치, 어플라이드 머티리얼즈 등 세계적인 반도체 장비기업과 함께 대한민국 반도체 장비기업 중 유일하게 선정돼 기쁘고 자랑스럽다"며 "앞으로도 고객 만족을 위해 변함없이 노력하겠다"고 밝혔다. 테크인사이츠는 캐나다 오타와에 위치한 글로벌 반도체 첨단기술과 지적재산권 분석 전문기관으로 1989년 설립됐다. 특허기술 조사와 분석에서 탁월한 전문성을 확보해 전세계 하이테크 기업들과 정부기관의 신뢰를 받고있다.

2024.05.16 10:58장경윤

中, HBM 자립화 속도…"샘플 개발 성공"

중국의 반도체 제조업체 2곳이 HBM(고대역폭메모리) 생산 초기 단계에 진입했다고 로이터통신이 15일 보도했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 현재 AI 산업에서 고성능 시스템반도체와 결합돼 사용되고 있다. 다만 기술적 난이도가 높아 현재 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 3개 업체만이 상용화에 성공했다. 로이터가 인용한 소식통에 따르면, 중국 최대의 D램 제조업체인 CXMT(창신메모리)는 현지 OSAT(외주반도체패키징테스트) 기업 통푸마이크로일렉트로닉스(Tongfu Microelectronics)와 협력해 HBM 샘플을 개발했다. 현재 해당 칩을 고객사에 시연하는 단계다. 또한 중국 최대 낸드플래시 업체인 YMTC(양쯔메모리테크놀로지)의 자회사 XMC(우한신신)은 HBM용 12인치 웨이퍼를 월 3천장 생산할 수 있는 공장을 신설하고 있다. 해당 공장은 올해 2월 착공에 들어간 것으로 알려졌다. 로이터통신은 익명의 소식통을 인용해 "중국 반도체 기업들도 HBM 개발에 필요한 장비 구매를 위해 한국, 일본 장비업체와 정기적인 미팅을 갖고 있다"며 "중국의 HBM 개발은 미국의 첨단 반도체 수출 규제 속에서 외산 의존도를 줄이려는 중요한 진전을 의미한다"고 밝혔다. 한편 중국의 또 다른 주요 IT 기업인 화웨이도 HBM을 개발하기 위한 노력을 지속하고 있다. 오는 2026년까지 HBM2(2세대 HBM)을 생산하는 것이 목표다.

2024.05.16 08:18장경윤

한미반도체, HBM용 TC본더 라인 증설…98.8억 규모 유형자산 취득

한미반도체가 주력 사업인 TC본더의 생산능력 확대를 위한 준비에 나선다. 한미반도체는 98억8천만원 규모의 인천 서구 가좌동 소재의 토지 및 건물을 취득한다고 14일 공시를 통해 밝혔다. 이번에 한미반도체가 취득하는 유형자산은 인천 서구 가좌동 552-31번지에 위치해 있다. 한미반도체 본사와 거리가 매우 가깝다. 토지 면적은 852평, 건물 면적은 707평이다. 한미반도체는 취득 목적에 대해 "HBM용 TC본더 생산 라인 증설"이라고 설명했다. 취득예정일자는 오는 6월 10일이다. 한미반도체는 반도체 후공정에서 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 TC본더를 주력으로 개발하고 있다. 특히 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM(고대역폭메모리)을 제조하는 데 필수적으로 쓰인다. 현재 HBM 시장이 빠르게 성장하는 만큼, 한미반도체는 TC본더 생산능력을 적극적으로 확대해 왔다. 지난달에는 인천 서구 주안국가산업단지에 6번째 공장을 개소해, 연 1조원 규모의 생산능력을 갖췄다. 또한 한미반도체는 최근 기존 SK하이닉스에 이어 미국 마이크론을 신규 고객사로 확보하는 성과를 거두기도 했다. 지난달 11일 한미반도체는 미국 마이크론으로부터 약 226억원 규모의 HBM 제조용 '듀얼 TC본더 타이거'를 수주했다고 공시한 바 있다.

2024.05.14 15:46장경윤

삼성·SK·마이크론 'HBM3E' 경쟁, 브로드컴으로 확전

삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 기업 간 HBM3E(5세대 HBM) 경쟁이 엔비디아에 이어 브로드컴으로 확전되면서 귀추가 주목되고 있다. 현재 3사의 8단 샘플에 대한 테스트가 진행 중인 것으로 알려졌다. 9일 업계에 따르면 브로드컴은 올 1분기부터 메모리 3사의 HBM3E 8단 샘플에 대한 테스트를 진행 중이다. 브로드컴은 매출 기준 전 세계 3위에 해당하는 주요 팹리스다. 통신용 반도체와 데이터센터용 네트워크 및 스토리지 솔루션을 주력으로 개발하고 있다. 특히 AI 산업에서는 자체 보유한 반도체 설계 역량을 바탕으로, 구글·메타 등 AI 반도체를 탑재한 맞춤형 서버 인프라를 제공해왔다. 브로드컴은 올해 구글의 최신 TPU(텐서처리장치)를 기반으로 한 AI 서버 구축에 8단 HBM3E를 활용할 계획이다. 이를 위해 올 1분기부터 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 메모리 제조업체로부터 샘플을 공급받기 시작했다. 해당 샘플은 초기 버전으로, 현재 각 사 제품 성능에 대한 평가가 어느 정도 드러난 것으로 알려졌다. 나아가 삼성전자·SK하이닉스는 올 2분기 성능을 개선한 후속 샘플도 지속적으로 제출하고 있다. 브로드컴이 이들 메모리 3사의 샘플을 동시에 테스트 중인 만큼, 각 기업은 자사의 HBM3E 경쟁력 입증을 위한 경쟁을 더 치열하게 벌일 것으로 관측된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 획기적으로 끌어올린 고부가 메모리다. HBM3E의 경우 5세대 제품에 해당한다. 이전 세대인 HBM3의 경우에는 SK하이닉스가 주요 AI 반도체 기업인 엔비디아에 제품을 독점 공급하며 시장을 주도했으나, HBM3E의 경우 삼성전자·마이크론도 각각 개발 성과를 적극적으로 공개하며 추격 의지를 불태우고 있다. 삼성전자는 최근 열린 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM3E 사업은 고객사의 타임라인에 맞춰 순조롭게 진행 중"이라며 "8단 제품은 이미 초기 양산을 개시했고, 빠르면 2분기 말부터 매출이 발생할 것"이라고 자신감을 내비췄다. SK하이닉스도 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM3E는 올해 고객 수요에 맞춰 공급량을 확대해 나갈 것이고, 작년 대비 증가한 공급 능력을 활용할 계획"이라며 "올해 고객이 원하는 HBM3E 제품은 주로 8단"이라고 밝힌 바 있다.

2024.05.09 15:57장경윤

"내년 D램서 HBM 매출비중 30% 돌파...가격도 오른다"

AI 산업에서 강력한 수요를 보이고 있는 HBM(고대역폭메모리) 시장이 내년에도 성장세를 지속할 것으로 관측된다. 6일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중은 내년 30%를 넘어설 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)으로 연결해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리 반도체다. 고용량·고효율 데이터 처리 성능을 요구하는 AI 산업에서 수요가 폭발적으로 증가하는 추세다. 트렌드포스의 예측에 따르면 HBM 수요 연간성장률은 올해 200%, 내년 100% 수준이다. 첨단 제품에 해당하는 만큼 HBM의 가격은 기존 D램(DDR5) 대비 약 5배 가량 비싸다. 나아가 HBM의 공급부족 현상이 지속되면서, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 제조업체들은 최근 내년도 HBM의 가격을 5~10% 가량 인상한 것으로 알려졌다. 이에 따라 전체 D램 매출 비중에서 HBM이 차지하는 비중은 지난해 8%에서 올해 21%, 내년 30% 이상으로 급증할 것으로 예상된다. 전체 D램 비트 출하량 내 HBM 비중도 지난해 2%에서 올해 5%, 내년 10% 이상으로 높아질 전망이다. 트렌드포스가 진단한 HBM의 가격 상승의 주 원인은 크게 세 가지다. 먼저 수요 측면에서는 구매자들이 AI 수요에 대해 높은 전망치를 유지하면서, 가격 인상을 충분히 수용하고 있다. 공급 측면에서는 수율이 핵심 요소로 떠오르고 있다. 트렌드포스가 추산한 HBM3E의 TSV 공정 수율은 현재 40~60%대에 불과하다. 나아가 모든 공급업체가 HBM3E의 양산 승인을 받지 않은 상황이기 때문에, HBM3E 가격에 프리미엄이 붙고 있는 상황이다. 또한 주요 제조업체의 신뢰성, 생산능력에 따라 Gb(기가비트)당 메모리 가격이 달라질 수 있다는 점도 변수다. 트렌드포스는 "HBM 시장이 높은 가격 프리미엄과 AI 반도체에 대한 용량 요구 증가로 인해 강력한 성장을 이룰 준비가 됐다"며 "특히 내년에는 HBM 시장이 12단 HBM3E로의 전환이 가속화될 것"이라고 설명했다.

2024.05.07 13:11장경윤

ISC, 1분기 매출 351억…전분기比 40% 증가

반도체 테스트 솔루션 기업 아이에스시(ISC)는 올해 1분기 매출 351억원, 영업이익 86억원(영업이익률 25%)을 기록했다고 밝혔다. 전분기 대비 매출액은 40%, 영업이익은 220% 증가했다. 아이에스시는 실적 호전의 주요 요인으로 지난해부터 꾸준한 성장세를 보이고 있는 비메모리 반도체용 제품의 매출 상승을 꼽았다. 특히 데이터센터용 AI 서버 CPU·GPU 소켓과 온디바이스(On-Device) AI 반도체 테스트 소켓 등 AI 반도체 관련 매출이 전사 매출의 25%를 넘는 등 고부가가치 제품의 매출 증가가 수익성 증가의 주요인이라는 분석이다. 아이에스시 관계자는 “반도체 업황 회복과 함께 확대되고 있는 비메모리 반도체 및 AI 반도체 관련 수요에 힘입어 지난해 4분기부터 성장세를 이어나갈 수 있었다”며 “반도체 경기 회복이 본격화되는 2분기부터는 매출, 영업이익 모두 큰 폭의 성장세가 예상된다”고 말했다. 한편 아이에스시는 올해 '선택과 집중'을 성장 방향성으로 잡고 'ISC 2.0' 프로젝트를 공개했다. 주력 사업인 테스트 소켓에 더욱 집중할 기반을 만들고 차세대 먹거리인 AI 반도체 수요에 대응하는 전략으로 회사의 밸류에이션을 높여 주주가치를 증진시키는 데 의의가 있다.

2024.05.03 11:29장경윤

삼성전기 "베트남 신공장 2분기부터 매출 발생…AI·PC용 기판 시장 정조준"

삼성전기는 베트남 신공장이 올 2분기부터 본격 가동과 동시에 매출이 발생한다고 밝혔다. 올해 시설투자는 전년과 비슷하나 전장용 MLCC와 글라스 기판에 주력할 계획이다. 삼성전기는 29일 2024년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "베트남 신공장은 올해 초 제품 양산을 위한 고객사 승인을 완료해, 2분기부터 가동 시작과 함께 매출이 발생할 예정"이라며 "고객사 수요와 연계해 대응하고 있다"고 설명했다. 삼성전기는 1조3천억 원을 들여 베트남 생산법인 내 FC-BGA 라인 증설을 추진해 왔다. FC-BGA는 시스템반도체를 메인 기판과 연결해주는 고밀도 회로 기판이다. 서버, PC 등 IT 산업 전반에 필수적으로 활용되고 있다. FC-BGA 시장은 PC, 일반 서버 등 주요 시장의 재고 조정과 계절적 비수기 영향으로 과잉공급이 지속되고 있다. 그러나 올 하반기에는 AI PC 확대와 일반 PC의 교체 수요, 신규 서버 교체 등으로 업황이 개선될 전망이다. 올해 전사 투자에 대해서는 전년과 비슷한 수준을 계획하고 있다. 삼성전기는 "올해는 지속 성장이 예상되는 전장용 MLCC 수요 대응을 위한 증설 투자가 확대될 예정"이라며 "신사업 관련해서는 글라스 기판의 파일럿 라인 확보 등 핵심 기술 확보와 사업기반 구축을 위한 투자가 진행될 것"이라고 밝혔다.

2024.04.29 15:17장경윤

삼성전기, "올해 AI서버용 MLCC·FC-BGA 시장, 전년比 2배 성장"

삼성전기는 AI 서버용 MLCC와 FC-BGA의 올해 시장 규모가 전년 대비 각각 2배 이상 성장한다고 전망했다. 삼성전기는 29일 2024년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "AI 산업에서 초소형 및 고용량 MLCC와 고다층 대면적 패키지 기판 수요가 증가할 것"이라며 "특히 AI 서버용 MLCC와 FC-BGA의 올해 시장 규모는 전년 대비 각각 2배 이상 성장한다"고 밝혔다. 이에 따라 삼성전기는 AI 서버용 MLCC의 경우 초고용량 제품을 중심으로 고객사 확대를 진행하고 있다. FC-BGA는 대면적 고다층 제품을 중심으로 공급 확대 및 고객사 다변화를 추진 중이다. 삼성전기는 "자사 제품의 채용을 계획하고 있는 CSP(클라우드서비스제공자) 업체가 늘어나고 있어 이들과 기술 개발 및 프로모션을 진행 중"이라며 "AI 관련 매출을 매년 2배 이상 성장시키는 것을 목포료 고객사 다변화 등을 적극 추진할 계획"이라고 강조했다. MLCC는 전자제품의 회로에 전류가 일정하고 안정적으로 흐르도록 제어하는 부품이다. FCBGA는 시스템반도체를 메인 기판과 연결해주는 고밀도 회로 기판을 뜻한다. 두 부품 모두 AI를 비롯해 IT 산업 전반에서 활용되고 있다.

2024.04.29 15:12장경윤

차세대 패키징 시장, 2.5D가 핵심…SK하이닉스도 "HBM 위해 공부 중"

"차세대 패키징 시장에서는 융복합 기술이 핵심 요소가 될 것이라고 생각한다. 메모리와 로직, 컨트롤러 등이 하나의 패키지로 연결되는 2.5D, 3D 패키징 등이 대표적이다. SK하이닉스도 HBM을 보다 잘 만들기 위해 내부적으로 공부를 하고 있다." 문기일 SK하이닉스 부사장은 26일 서울 코엑스에서 열린 '첨단 전자실장 기술 및 시장 세미나'에서 SK하이닉스의 HBM용 패키징 기술 동향에 대해 이같이 밝혔다. 이날 문 부사장은 "2010년대까지 패키징 기술은 얼마나 칩을 많이 쌓아 메모리 밀도를 높일 수 있는지(스태킹)에만 주력했다"며 "이제는 어떠한 패키징을 적용하느냐에 따라 칩의 특성이 바뀔 수 있다는 퍼포먼스 관점으로 나아가고 있다"고 설명했다. 그는 이어 "차세대 패키징 기술은 2.5D와 같이 메모리와 로직·컨트롤러 등이 융복합되는 방향으로 나아가고 있어 우리나라도 차근차근 기술을 확보해나가야 한다"며 "SK하이닉스도 HBM을 더 강건하게 만들기 위해 이러한 기술을 내부적으로 공부하고 있다"고 덧붙였다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 기판만을 활용하는 기존 2D 패키징에 비해 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있다. 대표적으로 대만 주요 파운드리 TSMC는 자사의 2.5D 패키징에 'CoWoS'라는 브랜드를 붙이고, AI반도체와 HBM을 하나의 칩에 집적하는 공정을 수행하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 처리 성능을 기존 D램 대비 크게 끌어올린 차세대 메모리다. 각 D램을 연결하기 위해서는 칩에 미세한 구멍을 뚫은 뒤, 수천 개의 TSV(실리콘관통전극)를 통해 상하단의 구멍을 연결하는 공정이 활용된다. TSV는 기존 칩을 연결하는 와이어 본딩 대비 데이터 처리 속도와 소비전력을 향상시키는 데 유리하다. 문 부사장은 "HBM은 매우 고속으로 작동하기 때문에 서멀(열)을 얼마나 잘 배출하는 지가 패키징에서 가장 중요한 요소가 될 것"이라며 "이에 SK하이닉스는 HBM2E부터 MR-MUF 공법을 적용하고 있다"고 설명했다. MR-MUF는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 공정이다. 또 다른 본딩 기술인 NCF 대비 열이 골고루 가해져 신뢰성이 높고, 생산 효율성이 높다는 평가를 받고 있다. 다만 MR-MUF는 웨이퍼의 끝단이 휘는 워피지 현상에 취약하다는 단점이 있다. 특정 영역에서 보호재가 골고루 발리지 않는 보이드 현상도 MR-MUF의 신뢰성에 악영향을 미치고 있다. 문 부사장은 "다행히 HBM 개발 초창기보다 워피지 현상을 줄이는 데 성공했고, 현재도 이를 극복하기 위한 기술을 개발 중"이라며 "보이드를 줄이는 것도 SK하이닉스의 기술적인 당면 과제"라고 설명했다.

2024.04.26 13:35장경윤

SK하이닉스, TSMC 테크 행사서 'HBM·패키징 협력 관계' 강조

SK하이닉스는 24일(미국시간) 미국 캘리포니아 주 산타클라라에서 열린 'TSMC 2024 테크놀로지 심포지엄'에 참가했다고 25일 밝혔다. SK하이닉스는 이번 행사에서 AI 메모리인 HBM(고대역폭메모리)의 선도적인 경쟁력을 알리고, TSMC의 첨단 패키지 공정인 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate) 협업 현황 등을 공개했다. CoWoS는 칩들을 실리콘 기반의 인터포저 위에 올려 한꺼번에 패키징하는 기술이다. TSMC 2024 테크놀로지 심포지엄은 TSMC가 매년 주요 파트너사들을 초청해 각 사의 신제품 및 신기술을 공유하는 자리다. SK하이닉스는 이 행사에서 'Memory, The Power of AI'라는 슬로건을 걸고 업계 최고 성능인 HBM3E를 선보여 많은 관심을 끌었다. 이 제품은 최근 AI 시스템에 탑재해 평가했을 때 I/O(입출력 통로)당 최대 10Gb/s(기가비트/초)의 데이터 전송 속도를 기록하는 등 업계 최고 수준을 보인 것으로 알려졌다. 또한 SK하이닉스는 TSMC와 협력존을 열고 회사가 HBM 리더십을 확보하는 데 CoWoS 분야에서의 협력이 중요했다고 강조하며, 차세대 HBM 등 신기술을 개발하기 위해 양사가 더 긴밀하게 협업해 나갈 계획이라고 밝혔다. 이 밖에도 SK하이닉스는 AI 산업을 지원할 다양한 고성능 제품군을 선보였다. 인터페이스를 하나로 통합한 CXL 메모리, 서버용 메모리 모듈인 MCRDIMM 및 3DS RDIMM, 온디바이스 AI에 최적화된 LPCAMM2 및 LPDDR5T, 그리고 차세대 그래픽 D램인 GDDR7 등 다양한 라인업을 공개했다. 본 행사에 앞서 22일(미국시간) 진행된 워크숍에서는 권언오 SK하이닉스 부사장(HBM PI 담당), 이재식 부사장(PKG Engineering 담당)이 'HBM과 이종 집적 기술' 등에 관해 발표를 진행했다. SK하이닉스는 AI 메모리 선도 경쟁력을 강화하기 위해 기술, 비즈니스, 트렌드 등 다방면에서 파트너와의 협력 관계를 지속해 나간다는 계획이다.

2024.04.25 18:21장경윤

SK하이닉스, "16단 HBM4도 MR-MUF 유지할 것"

SK하이닉스가 차세대 HBM(고대역폭메모리)에도 첨단 패키징 기술인 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필)를 고수할 예정이다. 대안격으로 떠올랐던 하이브리드 본딩 기술은 HBM의 표준 완화에 따라 도입 속도가 늦춰질 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 25일 2024년 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "차세대 HBM 패키징의 높이 기준이 완화되면 하이브리드 본딩 적용 시점이 다소 늦어질 것으로 예상된다"고 밝혔다. 회사는 이어 "하이브리드 본딩 초기 도입 시점에는 생산성과 품질 리스크가 존재할 가능성이 있다"며 "기술 성숙도를 높인 뒤 적용하는 것이 원가 및 경쟁력 측면에서 유리할 것"이라고 덧붙였다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)을 통해 연결한 차세대 메모리다. HBM3E(5세대 HBM)까지 상용화가 완료됐다. 적층된 D램 개수는 현재 8단이 최대이며, 12단 HBM3E에 대한 고객사 검증이 진행되고 있다. 오는 2026년 상용화 예정인 HBM4(6세대 HBM)는 12단, 16단 적층 제품으로 개발이 진행 중이다. 그간 업계가 주목해 온 HBM4의 최대 화두는 '패키징' 기술이다. 삼성전자·SK하이닉스는 적층된 각 D램을 작은 돌기 형태의 마이크로 범프를 통해 전기적으로 연결하는 TC(열압착) 본딩 기술을 HBM3E 제품까지 적용해 왔다. 기업별로 세부적인 본딩 방식은 다르지만(삼성전자: NCF, SK하이닉스: MR-MUF), 범프를 사용한다는 점은 동일하다. 그러나 HBM4에서는 TC 본딩의 유지가 불가능할 것이라는 의견이 제기된 바 있다. 12단 적층까지는 국제반도체표준화기구(제덱, JEDEC)가 정한 HBM의 높이 표준인 720마이크로미터(μm)로 구현할 수 있으나, 16단 적층은 패키징이 너무 두꺼워져 표준을 충족하기가 매우 어렵다. 때문에 메모리 기업들은 기존 TC 본딩과 더불어 하이브리드 본딩 기술을 병행 개발해 왔다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술로, 범프를 쓰지 않아 패키지 두께를 줄이는 데 훨씬 용이하다. 다만 하이브리드 본딩은 관련 소재·장비 기술력이 안정화되지 않아 아직 상용화 단계에 이르지 못하고 있다. 또한 하이브리드 본딩 도입 시 막대한 설비투자를 진행해야 하고, 초기 수율 안정화에도 상당한 비용이 든다는 문제점이 있다. 이러한 기업들의 고민은 최근 제덱 회원사들이 HBM4의 패키징 두께를 기존보다 높은 775마이크로미터로 합의하면서 상당 부분 해소됐다. 775마이크로미터가 표준으로 제정되면, 기존 TC 본딩으로도 16단 제품을 충분히 구현할 수 있다는 게 업계의 지배적인 시각이다. SK하이닉스 역시 이날 컨퍼런스콜에서 "경쟁력이 입증된 어드밴스드 MR-MUF 공정을 16단 HBM에도 적용할 예정"이라며 "생산 효율성이 높고 경쟁력 있는 제품 공급을 지속해 나갈 수 있을 것"이라고 강조했다. MR-MUF는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 공정이다. MR-MUF는 칩이 휘어지는 워피지 현상이 발생할 수 있으나, SK하이닉스는 이를 칩 제어 기술과 신규 보호재 적용으로 신뢰성을 높인 어드밴스드 MR-MUF 기술로 대응하고 있다.

2024.04.25 11:52장경윤

한미반도체, '한국전쟁 참전용사의 친구' 라미현 작가에 1억원 후원

한미반도체가 한국전쟁 참전용사에게 감사를 전하고 그들의 자부심을 사진과 영상으로 기록하는 사단법인 프로젝트 솔져 라미 현(한국명 현효제) 작가에게 1억원을 후원했다. 곽동신 한미반도체 대표이사 부회장은 "한국전쟁 참전용사 기념관에 새겨진 '자유는 거저 주어지는 것이 아니다'라는 문구를 보고 대한민국의 자유와 평화를 위해 희생하신 유엔군 참전용사들에게 존경과 감사의 마음을 갖고 있었다"며 "최근 그들의 자부심을 사진과 영상으로 기록하고 그 가치와 헌신을 다음 세대에 전달하는 프로젝트 솔져 라미 현 작가를 알게돼 도움이 되고자 후원을 결심했다"고 밝혔다. 프로젝트 솔져는 지난 2013년부터 국내는 물론 미국, 영국 등 6·25 참전국을 직접 찾아다니며 참전용사의 사진과 영상을 담아내고 그들의 신념과 봉사 그리고 희생의 가치를 기록하고 다음 세대에 전달함을 목적으로 하고 있다. 1980년 설립된 한미반도체는 최근 10년 동안 매출액 대비 수출 비중이 평균 77%를 기록했으며, 현재 전 세계에서 약 320개의 고객사를 보유하고 있다. 특히 2002년 지적재산부 창설 후 현재 10여 명의 전문인력으로 구성된 전담부서를 통해 현재까지 총 111건의 특허 포함 120여건에 달하는 인공지능 반도체용 HBM(고대역폭메모리) 장비 특허를 출원했다.

2024.04.25 09:05장경윤

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