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'패키징'통합검색 결과 입니다. (221건)

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롯데알미늄, 이차전지소재·패키징 사업 떼내 신설법인 출범

롯데알미늄이 사업 경쟁력 강화를 위해 '롯데인프라셀'과 '롯데패키징솔루션즈'를 공식 출범했다. 롯데알미늄은 2일 기존 사업을 물적 분할해 이차전지소재 전문기업 롯데인프라셀과 패키징 특화 기업 롯데패키징솔루션즈를 신설하고, 존속회사 최연수 대표가 신설법인 두곳 대표도 겸직한다고 밝혔다. 롯데알미늄의 양극박과 일반박 사업을 영위하던 BM사업본부는 롯데인프라셀이라는 신설법인으로 캔, 연포장, 골판지, 생활용품, PET병 사업을 영위하던 PM사업본부는 롯데패키징솔루션즈라는 신설법인으로 각각 분할됐다. 롯데인프라셀은 이차전지소재 기술을 바탕으로 배터리 생태계의 근간이 되는 기업이 되겠다는 의지를 담았다. 이차전지 배터리 소재를 바탕으로 유럽과 북미 등 글로벌 공급 체계를 구축하고 친환경 배터리 소재 전문회사로 발전시켜 고객과 함께 발전해 나갈 계획이다. 롯데패키징솔루션즈는 패키징 기술력을 통해 삶의 질을 개선하고, 편리한 삶을 위해 다양한 솔루션을 제공하겠다는 의미를 담고 있다. 패키징 전문성을 더욱 강화하고, 친환경 아이템과 차별화 제품을 확대해 시장을 선도할 계획이다. 최연수 대표는 “회사분할에 따라 전문 사업분야에 집중할 수 있고, 경영 효율성도 한층 증대되어 기업가치를 한단계 끌어올릴 수 있을 것으로 기대한다”고 밝혔다. 롯데알미늄은 2022년 롯데케미칼과 함께 미국내 친환경 전기차 배터리 소재 시장 선점을 위해 현지 합작사 '롯데알미늄 머티리얼즈 USA'를 미국 켄터키주 엘리자베스타운 근처에 설립했다. 롯데알미늄 머티리얼즈는 미국에 세워지는 최초의 양극박 생산 기지로 그룹내 화학군 2개 핵심 계열사가 미래 시장 선점을 위한 협력을 진행했다는데 의미가 있다. 2022년 유럽 양극박 시장수요를 선점하기 위하여 헝가리 터터바녀 산업단지에 생산공장을 성공적으로 완공한 이후 현재 2단계 추가 투자를 진행 중이며, 올해 가동을 계획하고 있다.

2024.04.03 09:37류은주

ISC, 美 CPU사 양산 검증 통과...대면적용 신규 소켓 사업 순항

아이에스시(ISC)가 고성능 시스템반도체용 테스트 소켓 사업 확장에 추진력을 얻고 있다. 지난해 개발한 대면적용 소켓으로 주요 고객사와 검증에 돌입해, 최근 양산 적용에 대한 승인을 받은 것으로 파악됐다. 2일 업계에 따르면 ISC는 올 1분기 북미 CPU 고객사로부터 신규 테스트 소켓에 대한 퀄(품질) 테스트를 완료했다. ISC가 이번에 승인을 받은 제품은 대면적 시스템반도체용 실리콘 러버 소켓이다. 모델명은 WiDER2로, ISC가 지난해 개발한 제품이다. 이전 세대(WiDER) 대비 작동 범위 및 대응력을 높였다. 테스트 소켓은 패키징 공정이 끝난 칩의 양품 여부를 최종적으로 검사하는 데 쓰인다. 테스트 방식에 따라 포고핀(Pogo pin)과 러버(Rubber)로 나뉜다. 이 중 러버 소켓은 칩에 손상을 줄 가능성이 낮고 미세공정에 적합하다. ISC는 지난해 북미 CPU 고객사에 WiDER2를 공급해 R&D(연구개발) 영역에서 테스트를 거쳐 왔다. 이후 올 1분기에는 양산 적용에 대한 퀄 테스트를 통과했다. 이르면 올 2분기부터 발주가 진행될 예정으로, 실제 공급 규모는 시장 상황에 따라 가변적일 것으로 관측된다. 업계가 ISC의 WiDER 사업에 주목하는 이유는 반도체 산업의 트렌드에 있다. 최근 CPU·GPU 등 시스템반도체 시장은 AI 산업의 발전에 대응하고자 데이터 처리 성능을 급격히 끌어올리고 있다. 특히 서버용 반도체의 경우, 핵심 칩과 각종 고성능 메모리·인터페이스 칩을 함께 집적하는 방식으로 진화하고 있다. 이 같은 반도체의 고성능화는 필연적으로 칩 면적의 확장을 촉진한다. 반도체 후공정 소부장 기업들 역시 점차 커지는 칩 면적에 대응하기 위한 신규 장비, 부품 등을 적극 개발해 왔다. 반도체 업계 관계자는 "칩 사이즈를 최대한 줄이려던 모바일 시대와 달리, AI 시대에서는 성능의 극대화를 위해 칩 사이즈를 키우는 방향으로 나아가고 있다"며 "부품 업계도 칩 면적 확대와 함께 높아지는 기술적 난이도에 잘 대응한다면 글로벌 경쟁력을 확보할 수 있을 것"이라고 설명했다. 한편 ISC는 이와 관련해 "구체적으로 말씀드릴 수 있는 사안은 없다"고 밝혔다.

2024.04.02 11:08장경윤

한미반도체, HBM 제조용 '듀얼 TC 본더 타이거' 출시

한미반도체는 AI 반도체용 HBM(고대역폭메모리)의 필수 공정 장비인 '듀얼 TC 본더 타이거(DUAL TC BONDER TIGER)'를 출시했다고 1일 밝혔다. 듀얼 TC 본더 타이거는 글로벌 반도체 고객 사양에 맞춰 최신 기술이 적용된 모델로, TSV 공법으로 제작된 반도체 칩을 웨이퍼에 적층하는 본딩 장비다. 곽동신 한미반도체 부회장은 "현재 AI 반도체 핵심인 HBM 생산용 듀얼 TC 본더는 하이퍼 모델인 그리핀과 프리미엄 모델인 드래곤이 고객의 니즈와 사양에 맞춰 판매되고 있다"며 "이번 엑스트라 모델인 타이거의 추가로 올해 매출이 더욱 크게 증가할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 한미반도체는 2002년 지적재산부를 창설한 후 현재 10여 명의 전문인력으로 구성된 전담부서를 통해 지적재산권 보호와 강화에 주력하고 있다. 지금까지 총 110건 이상의 HBM 장비 특허를 출원했다. 한미반도체는 "관련 특허를 바탕으로 독보적인 기술력과 내구성으로 우위를 점하고 장비의 경쟁력이 한층 높아질 것으로 전망된다"고 밝혔다.

2024.04.01 13:59장경윤

권언오 SK하이닉스 부사장 "차세대 HBM, 전문화·맞춤화될 것"

"앞으로 HBM(고대역폭메모리)은 전문화, 맞춤화 성격이 강해질 것이다. 이를 위해 차세대 HBM은 기능적 우수함은 물론 고객별로 차별화한 스페셜티 역량과 메모리 이상의 역할을 할 수 있는 형태로 진화돼야 한다." SK하이닉스 HBM 개발을 담당하는 권언오 부사장이 28일 자사 공식 뉴스룸을 통해 차세대 HBM의 진화 방향에 대해 이같이 공개했다. 앞서 SK하이닉스는 지난 연말 시행한 2024년 조직개편 및 임원인사에서 AI 인프라 시장 경쟁력 강화를 위해 'AI Infra' 조직을 신설했으며, 산하에 HBM(고대역폭메모리) PI담당 신임 임원으로 권언오 부사장을 선임한 바 있다. 권 부사장은 D램 개발 연구위원으로 있던 2022년 세계 최초로 모바일용 D램인 LPDDR에 HKMG(고유전율 메탈게이트) 공정을 도입했으며, 초고속·초저전력 특성을 동시에 구현한 LPDDR5X와 LPDDR5T 개발을 성공적으로 이끌었다. 이러한 공로를 인정받아 지난해 SUPEX 추구상을 수상하기도 했다. SK하이닉스는 지난 연말 HBM 개발부터 제품화, 사업화까지 전 과정에 걸쳐 효율성과 완성도를 높이기 위해, 부문별로 흩어져 있던 기능을 한데 모아 'HBM 비즈니스' 조직을 신설했다. 제품을 중심으로 조직을 구성하는 것은 흔치 않은 사례로, HBM 선도 기업 지위를 지키겠다는 회사의 의지가 담겨 있다. 권 부사장은 HBM 비즈니스 조직의 가장 큰 강점으로 높은 효율성을 꼽았다. 개발 초기 의사결정 과정을 단축해 빠른 조율과 실행이 가능하며, 개발 단계에서부터 직접 고객의 목소리를 듣고 고객이 원하는 가치를 반영할 수 있다는 시각에서다. 권 부사장은 "HBM이라는 하나의 목표를 공유하는 HBM 비즈니스 조직이 구성된 덕분에 기술 역량을 집중해서 발휘할 수 있는 환경이 마련됐다"며 "저 역시도 사업 관점에서 기술에 필요한 흐름을 읽을 수 있게 됐고, 이를 통해 더 많은 부분에 기여할 수 있을 거라 기대한다"고 밝혔다. 앞으로의 HBM 시장에 대해서는 "고객이 원하는 가치를 담은 제품으로 전문화(Specialized)되고, 고객 맞춤화(Customized)될 것"이라고 예측했다. 또한 권 부사장은 차세대 HBM이 기능적 우수함은 기본이고, 고객별로 차별화한 스페셜티(Specialty) 역량과 메모리 이상의 역할을 할 수 있는 형태로 진화돼야 한다고 강조했다. 권 부사장은 “AI 시대에 들어서며 변화를 예측하고 유연하게 대응하는 것이 무엇보다 중요해졌다"며 "AI 시대를 선도하고 1등 기술력을 이어가기 위해 HBM PI 조직 역시 요소 기술의 혁신과 빠른 제품화를 위한 기술 개발에 힘쓰고 있으며, 고객 및 외부 파트너와 적극적으로 소통하며 협업을 진행하고 있다"고 말했다. 그는 이어 "향후 AI용 메모리는 현재와 같은 데이터센터향(向) 외에도 특정 목적에 맞춰 성능과 효율성을 높인 ASIC(주문형반도체) 형태나 고객의 제품에 최적화한 온디바이스(On Device) 형태로 확대될 것"이라며 "HBM뿐만 아니라 다양한 종류의 D램이 AI용 메모리로 사용될 것이고, 전통적인 특성 외 다양한 조건으로 특화된 소자 개발이 필요할 것"이라고 덧붙였다.

2024.03.29 14:17장경윤

[단독] 한미반도체, 美 마이크론에 HBM TC본더 공급 임박

한미반도체가 미국 주요 D램 제조업체 마이크론을 신규 고객사로 확보한 것으로 파악됐다. 구체적인 장비 발주는 올 2분기 공급 가능성이 유력하다. 27일 업계에 따르면 한미반도체는 최근 마이크론과 TC본더 장비 공급에 대한 협의를 맺었다. 양사는 올 2분기 중으로 장비 발주를 진행할 예정이다. 구체적인 PO(구매주문)는 확인되지 않았으나, 마이크론이 초도 계약부터 물량 확보에 적극 나설 것으로 알려졌다. 현재 업계가 추산하는 올해 전체 수주 규모는 1천억원 대 이상이다. TC본더는 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 반도체 후공정 장비다. 특히 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM(고대역폭메모리)을 제조하는 데 필수적으로 쓰인다. 기존 마이크론은 일본 신카와, 도레이 등의 TC본더를 활용해 온 것으로 알려져 있다. 두 기업 모두 TC본더 업계의 전통적인 강자다. 한미반도체는 이번 마이크론향 공급으로 주요 경쟁사들의 시장 점유율을 흡수할 수 있게 됐다. 또한 고객사 다변화 측면에서도 의미가 있다는 평가다. 마이크론도 한미반도체와의 거래로 HBM 생산능력 확대에 속도를 낼 수 있을 것으로 관측된다. 마이크론은 지난달 27일 삼성전자·SK하이닉스에 한 발 앞서 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E(5세대 HBM)의 양산을 공식화한 바 있다. 그러나 마이크론은 국내 주요 경쟁사 대비 생산능력이 미흡하다는 지적을 받아 왔다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 기업별 HBM 생산능력은 삼성전자가 최대 월 13만장, SK하이닉스가 월 12만5천장, 마이크론이 월 2만장 수준이다. 이와 관련해 한미반도체 측은 "확인해 줄 수 없다"고 밝혔다.

2024.03.27 14:40장경윤

SK하이닉스 "올해 D램 내 HBM 판매 비중, 두 자릿 수 돌파"

SK하이닉스가 올해 HBM(고대역폭메모리) 출하량 확대에 따른 수익성 개선에 대한 의지를 드러냈다. 27일 SK하이닉스는 온·오프라인 형식으로 제76기 정기주주총회를 열고 주주들과의 질의응답 시간을 가졌다. 이날 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 "지난해 당사의 전체 D램 판매량 중 HBM의 비트(bit) 비중은 한 자릿 수였다"며 "다만 올해에는 HBM의 비중이 두 자릿 수로 올라오기 때문에, 상대적으로 수익성 측면에서 도움이 될 것"이라고 말했다. 수요에 대해서도 긍정적인 전망을 내비쳤다. 앞서 SK하이닉스는 지난달 공식 뉴스룸을 통해 올해 HBM이 이미 전량 판매 완료됐음을 밝힌 바 있다. 곽 사장은 "고객사와 소통한 결과, 내년에도 HBM 수요가 굉장히 타이트하다고 말씀드릴 수 있다"며 "다만 구체적인 수치들은 말씀드리기 어렵다"고 설명했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. 기존 D램 대비 고용량·고효율 데이터 처리에 특화돼 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하는 추세다. SK하이닉스는 지난해 4월 업계 최초로 12단 HBM3(4세대 HBM)를 개발했으며, 8월에는 세계 최고 사양의 HBM3E를 개발해 고객사에 샘플을 제공했다. 이러한 결과로 SK하이닉스의 지난해 HBM3 매출액은 전년 대비 5배 이상 성장한 것으로 알려졌다.

2024.03.27 13:26장경윤

수퍼빈, 삼양패키징에 재생원료 공급 MOU

순환경제 스타트업 수퍼빈은 삼양그룹의 패키징 계열사 삼양패키징과 '식품용기 재생원료 사용 및 확대를 위한 업무협약(MOU)'을 체결했다고 23일 밝혔다. 수퍼빈은 직접 생산한 고품질의 재생원료를 삼양패키징에 공급한다. 삼양패키징은 수퍼빈에서 공급받은 재생원료를 사용해 페트(PET)병을 생산하고 연구한다. 삼양패키징은 국내 아셉틱·PET용기 선두기업이다. 재활용 플라스틱 시장 진출에도 박차를 가하고 있다. 지난 2022년에는 재활용 사업 부문을 물적 분할해 삼양에코테크를 설립하고, 지난해 리사이클 페트칩 생산 설비 구축을 마쳤다. 김정빈 수퍼빈 대표는 "국내 재생원료 시장을 활성화하기 위해 여러 협력이 필요하다"며 "각자의 역량을 모아 시너지를 낸다면, 높아지는 재생원료 사용 의무화 비율에 발맞춰 국내 재생원료 시장의 발전을 함께 도모할 수 있을 것"이라고 말했다. 김재홍 삼양패키징 대표는 "재생원료를 활용한 페트병 생산에 속도를 높이고 앞으로 양사 간 협력을 확대할 계획"이라고 밝혔다. 한편 수퍼빈은 ICT기술을 활용해 직접 PET병을 수거하고 고품질 재생원료를 생산하고 있다. 또 폐플라스틱 순환경제 사업모델을 해외로 수출하기 위해 프로젝트를 수주하고 있다.

2024.03.23 12:46신영빈

한미반도체, HBM용 TC본더 '그리핀'으로 SK하이닉스 수주 2천억원 돌파

한미반도체가 인공지능 반도체 HBM(고대역폭메모리) 3세대 하이퍼 모델인 '듀얼 TC 본더 그리핀 (DUAL TC BONDER GRIFFIN)' 장비에 대해 SK하이닉스로부터 215억 원 규모의 수주를 공시했다고 22일 밝혔다. 이로서 한미반도체는 SK하이닉스로부터 HBM용 듀얼 TC 본더로만 작년 하반기 수주분 1천12억 원에 이어 올해 2월 860억 원, 그리고 이번에 215억 원의 수주를 받으며 누적 2천억 원이 넘는 창사 최대 수주를 기록했다. 곽동신 한미반도체 대표이사 부회장은 "2024년은 인공지능 HBM 필수 공정 장비인 듀얼 TC 본더가 본격적으로 매출에 기여하는 원년이 되는 해"라며 "한미반도체는 지금까지 109건의 본딩 장비 특허를 출원했고 이러한 독보적인 기술력과 노하우를 바탕으로 듀얼 TC 본더를 생산하고 있다"고 밝혔다. 곽 부회장은 이어 "현재 인공지능 반도체 시장에서 최고 사양의 HBM을 생산하는 한미반도체 듀얼 TC 본더는 하이퍼 모델인 그리핀과 프리미엄 모델인 드래곤이 고객의 니즈와 사양에 맞춰 판매되고 있다"며 "올해 한미반도체가 목표한 4천500억 원의 매출은 무난히 달성할 것으로 전망한다"고 덧붙였다.

2024.03.23 07:59장경윤

엘비세미콘, DDI 가동률 90%대 회복세…아이패드 효과

국내 OSAT(외주 반도체 패키징·테스트) 기업 엘비세미콘이 주력 사업인 DDI(디스플레이구동칩) 분야에서 기력을 회복하고 있다. 올해 초부터 본격화된 OLED 아이패드의 양산이 긍정적인 영향을 미친 것으로 풀이된다. 21일 업계에 따르면 엘비세미콘의 DDI 라인 가동률은 지난해 말 60%대에서 올해 1분기 90%대로 상승했다. DDI는 디지털 신호를 빛 에너지로 변환해 디스플레이가 화면을 출력하도록 만드는 시스템반도체다. 스마트폰, 태블릿·노트북, TV 등 IT 산업 내에서 두루 쓰인다. 엘비세미콘은 국내 OSAT 기업으로서 파운드리로부터 제조가 끝난 칩을 받아 범핑·테스트·패키징 등의 후공정을 수행한다. DDI 외에도 모바일 AP(애플리케이션프로세서)·CIS(CMOS 이미지센서)·PMIC(전력관리반도체) 등을 담당하고 있다. 특히 엘비세미콘의 전체 매출에서 DDI가 차지하는 비중은 지난해 기준 70%에 달할 정도로 높다. 때문에 전방산업인 IT 시장의 업황에 따라 실적에 비교적 큰 영향을 받고 있다. 엘비세미콘의 DDI 라인 가동률은 코로나19의 특수효과가 발생했을 당시 높은 수준을 유지했으나, 지난해에는 거시경제 악화, IT 수요 감소 등으로 부진한 흐름을 보여 왔다. 지난해 4분기 기준 가동률도 60%대에 머물렀다. 다만 올해 1분기에는 가동률이 90%대로 상승한 것으로 알려졌다. 구체적인 제품별 수주 현황은 공개되지 않았으나, 업계는 OLED 아이패드향 DDI 출하량의 급격한 증가가 영향을 미쳤을 것으로 보고 있다. 실제로 국내 주요 디스플레이 제조업체들은 올 1분기부터 OLED 아이패드용 패널 생산에 돌입했다. 현재 추산되는 제품 출하량은 900만~1천만대다. DDI의 전통적 수요처인 스마트폰에 비하면 절대적인 규모는 작지만, 제품 생산이 본격적으로 이뤄지고 있는 만큼 패키징 업계에도 큰 영향을 미칠 것으로 관측된다. 이와 관련해 엘비세미콘 관계자는 "IT 수요에 대한 적기 대응으로 가동률 향상에 적극 나서고 있는 것은 사실이나, 구체적인 고객사 현황에 대해서는 언급할 수 없다"고 밝혔다.

2024.03.21 09:29장경윤

삼성전자 "올 하반기 2.5D 패키징 본격 상용화"

삼성전자가 첨단 패키징 기술인 2.5D를 본격 상용화할 계획이다. 2.5D 패키징은 AI 반도체 제조의 핵심 요소 중 하나로, 삼성전자는 올 하반기 해당 사업에서 1천300억 원 이상의 매출을 올릴 수 있을 것으로 내다봤다. 20일 삼성전자는 경기 수원 컨벤션센터에서 '제55기 정기주주총회'를 열고 사업부문별 올해 경영전략에 대해 설명했다. 이날 경계현 삼성전자 DS부문 대표이사 사장은 첨단 패키징 사업과 관련한 질문에 대해 "삼성전자는 지난해 처음으로 AVP(어드밴스드 패키징) 사업팀을 만들어 운영을 시작했다"며 "투자 결과가 본격적으로 나오면서 올 하반기 2.5D 패키징에서 1억 달러 이상의 매출이 일어날 것"이라고 답했다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저 위에 반도체 다이(Die)를 수평 배치하는 기술이다. 기판만을 활용하는 기존 2D 패키징에 비해 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있어, AI 가속기나 HPC(고성능컴퓨팅) 구현에 유리하다. 삼성전자는 이 2.5D 패키징에 '큐브'라는 자체 브랜드명을 붙이고 관련 기술을 개발해 왔다. 이외에도 삼성전자는 2.3D, 2.1D, 3D와 같은 첨단 패키징 기술도 개발하고 있다. AI 시대를 대비한 패널레벨패키지(PLP) 기술도 적용을 고려하고 있다. PLP는 원형 모양의 기존 웨이퍼보다 넓은 사각형 패널을 사용하는 기술이다. 더 넓은 다이의 칩을 생산하거나, 동일한 크기의 칩을 더 많이 생산하는 데 유리하다. 경계현 사장은 "AI 반도체 다이가 보통 600mm x 600mm이나 800mm x 800mm으로 크기 때문에, 패널레벨패키지와 같은 기술이 필요할 것이라고 생각하고 있다"며 "삼성전자도 개발 중이고, 고객사들과 협력도 하고 있다"고 설명했다.

2024.03.20 12:52장경윤

삼성電 올해 화두는 AI·HBM 주도권 회복

삼성전자가 올해 DX(세트)부문과 DS(반도체)부문의 사업전략을 공개했다. DX부문에서는 업계 최대 화두로 떠오른 AI를 스마트폰, 폴더블폰, 액세서리 XR 등 갤럭시 전 제품에 확대 적용할 계획이다. DS부문은 12단 적층 HBM3·HBM3E의 시장 주도권을 되찾는 한편 D1c D램, 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정 개발에 주력할 계획이다. 파운드리 분야는 2나노미터(nm)와 같은 최선단 공정 양산을 차질없이 준비할 방침이다. 신사업 진출에 대한 로드맵도 밝혔다. 삼성전자는 올해 말까지 2.5D 패키징 사업의 상용화를 추진해, 1천억 달러 이상의 매출을 올릴 것으로 내다봤다. 삼성전자는 20일 경기도 수원시 수원컨벤션센터에서 열린 '제55기 정기 주주총회'에서 각 사업부문별 경영전략에 대해 설명했다. 발표는 DX부문장 한종희 부회장과 DS부문장 경계현 사장이 맡았다. 먼저 DX 부문에서는 '삼성 AI'를 통해 개인화된 디바이스 인텔리전스를 추진한다. 삼성전자는 모든 디바이스에 AI를 본격적으로 적용해, 고객에게 생성형 AI와 온디바이스 AI가 펼쳐갈 새로운 경험을 제공할 방침이다. 구체적으로는 ▲스마트폰, 폴더블, 액세서리, XR 등 갤럭시 전제품에 AI 적용을 확대하고 ▲차세대 스크린 경험을 위해 AI 기반 화질·음질 고도화, 한 차원 높은 개인화된 콘텐츠 추천 등을 전개해 나가며 ▲올인원 세탁·건조기 비스포크 AI 콤보를 통해 일반 가전제품을 지능형 홈가전으로 업그레이드할 계획이다. 삼성전자는 전사적 AI 역량을 고도화해 차세대 전장, 로봇, 디지털 헬스 등 신사업 육성을 적극 추진할 계획이다. ■ 기존에 없던 최고의 멀티 디바이스 경험 추진 홈·모바일·오피스를 망라한 삼성의 다양한 디바이스는 많이 연결하고 자주 사용할수록 더욱 똑똑해지고 고객을 잘 이해해 더 큰 가치와 새로운 라이프스타일 경험을 제공한다. 예를 들어 ▲집안에서는 갤럭시폰이 리모콘이 되어 모든 기기를 편리하게 제어하고 ▲스마트 가전 및 IoT 솔루션을 통해 최적의 수면 환경을 제공하며 ▲기기 사용 패턴 및 알림을 통해 가족의 응급 상황도 손쉽게 확인할 수 있으며 ▲기기 안의 AI로 절약과 절전 모드를 최적화해 최대 20%까지 에너지 절약이 가능하다. ■ 개인 정보 보호 및 보안 최우선으로 추진 삼성전자는 초연결 AI시대를 맞아 가장 안전하고 가치있고 지능화된 디바이스 경험을 제공하기 위해 대표 보안 솔루션 '녹스'를 기반으로 개인 정보 보호와 보안을 최우선으로 추진할 방침이다. 스마트홈 생태계를 안전하게 보호해 주는 '녹스 매트릭스'는 다양한 삼성 기기를 프라이빗 블록체인 시스템으로 구성해 데이터를 안전하게 보호하고 외부 보안 공격을 사전에 차단할 수 있다. 녹스 볼트는 칩에 내장되는 보안 솔루션으로 홍채나 지문 인식, 암호와 같은 디바이스 안의 중요 데이터를 격리 저장하여 물리적인 침입에도 안전하다. ■ HBM 시장 주도 등 강건한 사업 경쟁력 확보 DS부문에서는 메모리, 파운드리, 시스템LSI 등 반도체 사업 전반의 근원적인 경쟁력 제고를 강조했다. 우선 메모리는 12나노급 32Gb(기가비트) DDR5 D램를 활용한 128GB(기가바이트) 대용량 모듈 개발로 시장을 선도하고, 12단 적층 HBM 선행을 통해 HBM3/HBM3E 시장의 주도권을 찾을 계획이다. 또한 D1c D램, 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 다시 업계를 선도하고 첨단공정 비중 확대 및 제조 능력 극대화를 통해 원가 경쟁력을 확보할 방침이다. 파운드리는 업계 최초 GAA 3나노 공정으로 모바일 AP 제품의 안정적인 양산을 시작하고 2025년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 계획이다. 또 오토모티브, RF(무선주파수) 등 특수공정의 완성도를 향상하고 4/5/8/14나노 공정의 성숙도를 높여 고객 포트폴리오를 확대할 방침이다. 시스템LSI사업부의 SoC(system on Chip)사업은 플래그십 SoC의 경쟁력을 더욱 높이고 오토모티브 신사업 확대 등 사업구조를 고도화 할 계획이다. 이미지센서는 일관 개발/생산 체계를 구축하고 픽셀 경쟁력을 강화한 차별화 제품으로 다양한 시장 진출을 추진할 계획이다. LSI는 DDI(디스플레이구동칩), PMIC(전력관리반도체) 사업 구조를 개선하고 SCM 효율을 높여 원가 경쟁력을 개선할 방침이다. ■ 차세대 전력반도체, 패키징 등 신사업 진출 박차 또한 삼성전자는 미래를 위한 다양한 신사업을 준비할 계획이다. 2023년 시작한 어드밴스드 패키지 사업은 올해 2.5D 제품으로 1억 달러 이상 매출을 올릴 것으로 예상된다. 나아가 2.xD, 3.xD, Panel Level 등 업계가 필요로 하는 기술을 고객과 함께 개발하여 사업을 성장시킬 계획이다. 또한 SiC(실리콘카바이드)/GaN(질화갈륨) 등 차세대 전력 반도체와 AR 글래스를 위한 마이크로 LED 기술 등을 적극 개발해 2027년부터 시장에 적극 참여할 방침이다. ■ 기흥 R&D단지 20조원 투자 등 초일류 기술 리더십 강화 삼성전자 DS부문은 V낸드, 로직 FinFET, GAA 등 초일류 기술을 통해 미세화의 한계를 극복하고 업계 내 독보적 경쟁력을 갖추어 왔으며, 앞으로도 새로운 기술을 선행해서 도전적으로 개발할 계획이다. 이를 위해 2030년까지 기흥 R&D 단지에 20조원을 투입하는 등 연구개발에 과감한 투자를 아끼지 않을 방침이다. 반도체연구소를 양적·질적 측면에서 두배로 키울 계획이며, 연구 인력과 R&D 웨이퍼 투입을 지속적으로 늘려 첨단 기술 개발의 결과가 양산 제품에 빠르게 적용되도록 할 계획이다. R&D 투자를 통해 얻어진 기술 우위를 바탕으로 효율적인 투자 및 체질 개선 활동을 강화하고, 이를 통해 확보된 재원을 연구개발에 재투자하여 성장기반을 강화하는 선순환구조를 구축해 나갈 방침이다. 2024년은 삼성이 반도체 사업을 시작한지 50년이 되는 해로, 본격 회복을 알리는 '재도약'과 DS의 '미래 반세기를 개막하는 성장의 한해'가 될 것이며, 2∼3년 안에 반도체 세계 1위 자리를 되찾을 계획이다.

2024.03.20 12:31장경윤

SK하이닉스, 세계 최초 'HBM3E' 본격 양산 …고객사 납품 시작

SK하이닉스가 5세대 HBM인 'HBM3E'를 본격 양산해 고객사에 납품하기 시작했다. SK하이닉스는 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM3E를 세계 최초로 양산해 3월 말부터 제품 공급을 시작한다고 19일 밝혔다. 이는 회사가 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만에 이룬 성과다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 메모리다. HBM3E는 HBM3의 확장(Extended) 버전으로, 5세대 제품에 해당한다. SK하이닉스는 “당사는 HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객에 공급하게 됐다”며 “HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서의 경쟁우위를 이어 가겠다”고 밝혔다. 엄청난 양의 데이터를 빠르게 처리해야 하는 AI 시스템을 구현하기 위해서는 수많은 AI 프로세서와 메모리를 다중 연결(Multi-connection)하는 식으로 반도체 패키지가 구성돼야 한다. 따라서 AI에 투자를 늘리고 있는 글로벌 빅테크 기업들은 AI 반도체 성능에 대한 요구 수준을 계속 높여가고 있으며, HBM3E는 이를 충족시켜줄 현존 최적의 제품이 될 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다. HBM3E는 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다고 회사는 강조했다. 이 제품은 초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리하며, 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 또한 AI 메모리는 극도로 빠른 속도로 작동해야 하는 만큼 효과적인 발열 제어가 관건이다. 회사는 이를 위해 신제품에 어드밴스드 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 공정을 적용해, 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상시켰다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받고 있다. 특히 SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 휨 현상 제어도 향상해 HBM 공급 생태계 내에서 안정적인 양산성을 확보하는 데 핵심이 되고 있다. 류성수 SK하이닉스 부사장(HBM Business담당)은 “당사는 세계 최초 HBM3E 양산을 통해 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 한층 강화했다”며 “그동안 축적해온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객관계를 탄탄히 하면서 '토털(Total) AI 메모리 프로바이더(Provider)'로서의 위상을 굳혀 나가겠다”고 말했다.

2024.03.19 10:26장경윤

"D램 내 HBM 매출 비중 급성장...올해 말 20% 넘길 듯"

AI 산업의 핵심 요소인 HBM(고대역폭메모리)의 올해 공급량이 크게 늘어날 전망이다. 이에 따라 전체 D램에서 차지하는 매출 비중도 지난해 8.4%에서 올해 말 20.1%로 급격히 성장할 것으로 보인다. 18일 시장조사업체 트렌드포스는 올해 HBM의 연간 비트(용량) 증가율은 약 260%에 달할 것으로 내다봤다. 이에 따라 D램 내에서 HBM이 차지하는 매출 비중도 지난해 약 8.4%에서 올해 말에는 20.1%까지 증가할 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)를 통해 연결한 메모리다. 기존 D램 대비 데이터 처리 성능이 뛰어나 고용량·고효율 연산이 필요한 AI 산업에서 수요가 급격히 증가하는 추세다. 다만 HBM은 높은 기술적 난이도로 국내 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론만이 양산 가능하다. 이들 기업의 제한적인 생산능력으로 HBM은 현재 공급부족 상태에 놓여 있다. 트렌드포스는 "HBM은 동일한 용량의 DDR5 대비 다이(기판) 사이즈가 35~45% 더 크다"며 "수율도 DDR5 대비 약 20~30% 낮고, 생산주기도 1.5~2개월 더 길다"고 설명했다. 이에 HBM 공급사들은 올해 말까지 공격적인 생산능력 확대를 계획하고 있다. 트렌드포스가 추산한 삼성전자의 올 연말 HBM 생산능력은 약 13만개다. SK하이닉스는 12만개지만, 고객사와의 테스트 및 주문에 따라 해당 수치에 변동이 생길 가능성이 있다. 트렌드포스는 "현재 시장의 주류인 HBM3(4세대 HBM) 시장에서 SK하이닉스는 90% 이상의 점유율을 기록하고 있다"며 "삼성전자는 향후 몇 분기에 걸쳐 AMD의 MI300 칩에 대응할 것으로 예상된다"고 밝혔다.

2024.03.19 09:41장경윤

"TSMC, 日에 첨단 반도체 패키징 공정 도입 검토 중"

대만 파운드리 업체 TSMC가 일본 팹에 첨단 패키징 공정 도입을 검토 중이라는 소식이 전해졌다. 18일 로이터통신은 두 명의 소식통을 인용해 "TSMC가 일본에서는 첨단 패키징 역량을 구축하는 방안을 검토하고 있다"며 "해당 건은 심의가 초기 단계에 있으며, 아직 잠재적인 투자 규모나 일정에 대한 결정이 내려지지 않았다"고 보도했다. 또 소식통 중 한 명은 TSMC가 고려하고 있는 한 가지 옵션은 CoWoS(칩 온 웨이퍼 기판) 패키징 기술을 일본에 구축하는 것이라고 밝혔다. 패키징은 끝난 실리콘 웨이퍼에서 자른 칩을 포장하는 작업이다. TSMC의 첨단 패키징 기술 중 하나인 CoWoS는 칩을 서로 쌓아서 처리 능력을 높이는 동시에 공간을 절약하고 전력 소비를 줄이는 고정밀 기술이다. 현재 TSMC의 CoWoS 생산 능력은 모두 대만에 위치한다. 최근 전 세계적으로 인공지능 붐과 함께 첨단 반도체 패키징에 대한 수요가 급증하면서 TSMC, 삼성전자, 인텔 등 반도체 제조사들도 패키징 기술 개발에 박차를 가하고 있다. 웨이저자 TSMC CEO는 지난 1월 컨퍼런스콜에서 회사가 올해 CoWos 생산량을 두 배로 늘리고 2025년에는 추가 생산량을 늘릴 계획을 밝힌 바 있다. TSMC의 일본에 첨단 패키징을 위한 역량 구축은 일본 내 반도체 제조시설과 시너지를 낼 것으로 보인다. TSMC는 2021년 일본 소니, 덴소 등과 합작사 'JASM'을 설립하고, 지난 2월 제1 반도체 공장 운영을 시작했다. 이곳에서는 12∼28나노미터(nm) 공정에서 반도체를 생산한다. TSMC는 올해 말 1공장보다 진보된 6, 7나노 공정을 주력으로 생산하는 제2공장도 착공할 계획이다. 두 곳 모두 칩 제조 허브인 구마모토현에 위치한다. 트렌드포스의 조앤 차오 애널리스트는 "TSMC가 일본에서 고급 포장 용량을 구축한다면 규모에 제한이 있을 것으로 예상한다"며 "일본 내에서 CoWoS 패키징에 대한 수요가 얼마나 될지는 아직 명확하지 않으며 TSMC의 현재 CoWoS 고객 대부분은 미국에 있다"고 말했다. 지금까지 TSMC의 일본 투자는 일본 정부의 넉넉한 보조금으로 뒷받침돼 왔다. 일본 정부는 한국과 대만에 빼앗긴 반도체 제조 허브의 위상을 되찾기 위해 글로벌 기업에 적극적인 지원을 하고 있다. 삼성전자 또한 일본 정부의 지원을 받아 도쿄 남서부 요코하마에 첨단 패키징 연구 시설을 설립하고 있다. 주요 소식통에 따르면 인텔 또한 현지 칩 공급망 회사와의 관계를 강화하기 위해 일본에 첨단 패키징 연구 시설을 설립하는 방안을 검토 중인 것으로 전해진다. 일본 산업부 고위 관계자는 "반도체 첨단 패키징 기술은 반도체 생태계를 뒷받침할 수 있기에 일본에서 환영받을 것"이라고 말했다. 로이터는 해당 내용에 대해 TSMC와 인텔이 논평을 거부했다고 밝혔다.

2024.03.18 14:44이나리

삼성전자, HBM용 MUF 기술 도입설에..."사실 아냐" 반박

삼성전자가 HBM(고대역폭메모리)에 MUF(몰디드 언더필) 공정을 도입할 예정이라는 보도에 대해 "사실이 아니다"며 반박했다. 13일 로이터통신은 복수의 소식통을 인용해 "삼성전자가 MUF 기술을 최신형 HBM 제조에 활용할 것"이라며 "해당 기술은 경쟁사인 SK하이닉스가 처음 사용한 기술로, 삼성전자로서는 다소 자존심이 상하는 일"이라고 보도했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)을 통해 연결한다. 이 때 삼성전자는 D램 사이사이에 NCF(비전도성 접착 필름)을 집어넣고 열압착을 가하는 공정을 활용해 왔다. 반면 SK하이닉스는 HBM 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 기술을 채택하고 있다. MR-MUF 기술은 NCF 공정 대비 열이 골고루 가해져 신뢰성이 높고, 생산 효율성이 높다는 평가를 받고 있다. 로이터통신은 이 같은 이유로 삼성전자가 MUF 공정을 도입할 준비를 진행 중이라고 밝혔다. 최근 MUF 관련 장비에 대한 주문을 진행했으며, 일본 나가세 등 소재 업체와도 협의 중이라는 점을 근거로 들었다. 로이터통신은 "여러 분석가에 따르면 삼성전자의 HBM3(4세대 HBM) 칩 생산 수율이 약 10~20%인 반면, SK하이닉스는 수율을 약 60~70%까지 확보했다"며 "삼성전자가 최신 HBM 칩에 NCF와 MUF 기술을 모두 사용할 계획"이라고 전했다. 다만 이와 관련해 삼성전자는 "사실이 아니다"고 반박했다. 업계에서도 삼성전자가 HBM에 MUF 기술을 도입할 가능성을 낮게 보고 있다. 삼성전자가 MUF 기술의 도입을 추진하는 것 자체는 맞지만, 해당 기술을 HBM이 아닌 256GB(기가바이트) 등 서버용 고용량 D램에 활용하려는 의도로 알려졌다. 또한 삼성전자는 HBM용 NCF 기술 고도화 및 생산능력 확대에 상당한 투자를 진행해 왔다. 이러한 상황에서 삼성전자가 MUF 공정 전환을 위한 추가 투자에 나서기에는 비용적으로 부담이 너무 크다는 의견이 제기된다.

2024.03.13 11:18장경윤

SK 반도체 계열사, 올해도 '신사업' 진출 사활

SK그룹이 반도체 사업 영역 확장에 속도를 낸다. 최근 반도체 소재를 담당하는 여러 계열사에 원천 기술이나 기존 사업과의 시너지 효과를 낼 수 있는 기술 확보를 주문한 것으로 파악됐다. 11일 업계에 따르면 SK그룹 내 반도체 계열사들은 신규 사업 진출을 위한 M&A 및 협업을 적극 검토하고 있다. SK그룹은 주요 메모리 기업인 SK하이닉스를 비롯해 SKC·SK머티리얼즈·SK실트론 등 반도체 소재 기업을 보유하고 있다. 근래에도 SK하이닉스가 키파운드리(8인치 파운드리)를, SKC가 아이에스시(후공정 부품)를, SK(주)가 에버텍(패키징용 특수접착소재)을 인수하는 등 반도체 사업 영역 확장에 적극적으로 나서 왔다. SK그룹의 이 같은 전략은 올해에도 지속 유지될 것으로 관측된다. 반도체 업계 관계자는 "현재 SK그룹이 6~7개의 신사업 후보를 선정해, 이 중 몇 가지를 신사업으로 추진할 방침을 세운 것으로 안다"며 "해당 방침에 따라 관련 계열사들이 분주히 움직이고 있는 상황"이라고 설명했다. 일례로 SK실트론은 올 1분기 국내 전력반도체 소재 관련 기업과 협업 관계를 수립하기 위한 논의에 들어간 것으로 파악됐다. SK실트론은 기존 주력 사업인 실리콘 웨이퍼 외에도 SiC(탄화규소) 웨이퍼 등 차세대 전력반도체 소재를 개발하고 있다. 이번 논의는 SiC와 마찬가지로 차세대 전력반도체 소재로 각광받는 GaN(질화갈륨) 분야에 초점을 맞춘 것으로 전해진다. SiC와 GaN은 실리콘 기반의 반도체 대비 고온·고전압 내구성, 전력효율성 등이 높다. 특히 SiC는 고온·고전압 내구성이, GaN은 스위칭(전기 신호의 온오프 전환) 특성이 뛰어나 각 용도에 따라 시장 수요가 증가하는 추세다. 지난해 10월 SKC에 인수된 아이에스시도 현재 기존 후공정 부품 사업과 연계할 수 있는 기업의 인수를 검토 중이다. 구체적인 사업 분야 및 후보 기업은 공개되지 않았으나, 이르면 올 하반기에 인수합병이 성사될 것으로 알려졌다. 또 다른 반도체 업계 관계자는 "이 같은 계열사들의 최근 움직임에는 반도체 분야 생태계를 폭넓게 구축하려는 SK그룹의 의지가 반영된 것"이라며 "시너지 효과를 창출할 수 있는 분야나 원천기술 확보에 중점을 두고 있다"고 밝혔다.

2024.03.11 10:57장경윤

HBM4 두께 표준 '완화' 합의…삼성·SK, 하이브리드 본딩 도입 미루나

오는 2026년 상용화를 앞둔 12단·16단 D램 적층 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 표준이 정해졌다. 최근 진행된 논의에서 관련 기업들이 이전 세대인 720마이크로미터(μm) 보다 두꺼운 775마이크로미터로 패키지 두께 기준을 완화하기로 한 것으로 파악됐다. 이번 합의는 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 제조업체들의 향후 패키징 투자 기조에 큰 영향을 줄 것으로 관측된다. 이들 기업은 HBM4의 패키지 두께가 720마이크로미터로 제한될 가능성을 염두에 두고, 신규 패키징 기술인 하이브리드 본딩을 준비해 왔다. 그러나 패키지 두께가 775마이크로미터로 완화되는 경우, 기존 본딩 기술로도 16단 D램 적층 HBM4을 충분히 구현할 수 있다. 하이브리드 본딩에 대한 투자 비용이 막대하다는 점을 고려하면, 메모리 업체들은 기존 본딩 기술을 고도화하는 방향에 집중할 가능성이 크다. 8일 업계에 따르면 국제반도체표준화기구(제덱, JEDEC) 주요 참여사들은 최근 HBM4 제품의 규격을 775마이크로미터로 결정하는 데 합의했다. 제덱은 국제반도체표준화기구로, 오는 2026년 상용화를 앞둔 HBM4의 규격에 대해 협의해 왔다. HBM3E(5세대 HBM) 등 이전 세대와 동일한 720마이크로미터, 혹은 이보다 두꺼워진 775마이크로미터 중 하나를 채택하는 게 주 골자다. 협의에는 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 HBM을 양산할 수 있는 메모리 제조사와, 엔비디아·AMD·인텔 등 주요 시스템반도체 기업들이 다수 참여한다. 이들 기업은 1차와 2차 협의에서는 결과를 도출하지 못했다. 일부 참여사들이 HBM4 표준을 775마이크로미터로 완화하는 데 반대 의견을 보여왔기 때문이다. 그러나 최근 진행된 3차 협의에서는 12단 적층 HBM4, 16단 적층 HBM4 모두 775마이크로미터를 적용하기로 최종 합의했다. 메모리사들이 기존 720마이크로미터 두께 유지가 한계에 다다랐다는 주장을 적극 피력한 덕분이다. 엔비디아, AMD 등도 메모리 3사로부터 HBM을 원활히 수급받기 위해 해당 안을 긍정적으로 수용한 것으로 전해진다. ■ HBM4 표준이 중요한 이유…패키징 향방 '갈림길' 이번 제덱의 표준 규격 합의는 메모리, AI반도체 및 패키징 업계 전반에 적잖은 영향을 미칠 것으로 전망된다. HBM4 패키지 두께가 얼마나 되느냐에 따라 향후 첨단 패키징의 투자 기조가 뒤바뀌기 때문이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)으로 연결한 고부가 메모리다. HBM4는 오는 2026년 상용화를 앞두고 있다. HBM4는 이전 세대 제품들과 달리, 정보를 주고받는 통로인 입출력단자(I/O)를 2배 많은 2024개 집적하는 것이 특징이다. 또한 적층 D램 수도 최대 16개로 이전 세대(최대 12개)보다 4개 많다. 다만 D램 적층 수가 늘어나는 만큼, 패키징 기술이 한계에 직면했다는 지적이 주를 이뤄왔다. 기존 HBM은 D램에 TSV 통로를 만들고, 작은 돌기 형태의 마이크로 범프를 통해 전기적으로 연결하는 TC(열압착) 본딩 기술을 적용해 왔다. 삼성전자와 하이닉스의 경우 세부적인 방식은 다르지만 범프를 사용한다는 점에서는 궤를 같이한다. 그런데 당초 고객사들은 D램을 최대 16단으로 적층하면서도, HBM4의 최종 패키지 두께를 이전 세대들과 동일한 720마이크로미터로 요구해 왔다. 기존 본딩으로는 16단 D램 적층 HBM4를 720마이크로미터로 구현하기에는 사실상 무리가 있다는 의견이 지배적이다. ■ 삼성·SK, 기존 본딩 기술 유지할 가능성 커져 이에 업계가 주목한 대안이 하이브리드 본딩이다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술이다. D램 사이사이에 범프를 쓰지 않아, 패키지 두께를 줄이는 데 훨씬 용이하다. 삼성전자·SK하이닉스 역시 공식 행사 등을 통해 HBM4에 하이브리드 본딩을 적용하는 방안을 고려 중이라고 언급한 바 있다. 양사 모두 어플라이드머티어리얼즈, 베시, ASMPT, 한화정밀기계 등 관련 협력사들과 관련 장비·소재를 개발 및 테스트 중이기도 하다. 그러나 하이브리드 본딩 장비는 기존 TC본더 대비 가격이 4배가량 비싸다는 단점이 있다. 공정 변경에 따른 초기 수율 조정이 필요하다는 점도 메모리 제조사들에겐 부담이다. 또한 하이브리드 본딩은 핵심 공정이 아직까지 완성 단계에 이르지 못할 정도로 기술적 난이도가 높다. 때문에 삼성전자·SK하이닉스는 하이브리드 본딩과 기존 TC 본딩을 병행 개발해 왔다. HBM4 패키지 규격이 변동되지 읺는다면 막대한 비용을 지불해서라도 하이브리드 본딩을 적용하되, 규격이 완화된다면 기존 본딩을 고수하겠다는 전략이 깔려 있었다. 이 같은 관점에서, 이번 제덱의 HBM4 규격 합의는 메모리 제조사들이 기존 본딩 기술을 이어갈 수 있는 명분을 제공한다. 반도체 업계 관계자는 "주요 메모리 3사 모두 기존 TC본딩으로 775마이크로미터 두께의 16단 적층 HBM4를 구현하는 데에 무리가 없는 것으로 관측된다"며 "하이브리드 본딩 활용시 제조비용이 크게 상승하기 때문에, 리스크를 굳이 먼저 짊어지려는 시도는 하지 않을 것"이라고 설명했다.

2024.03.08 13:49장경윤

SK하이닉스, HBM 등 첨단 패키징에 올해 1.3조원 이상 투자

이강욱 SK하이닉스 부사장이 7일 블룸버그통신과의 인터뷰에서 올해 HBM(고대역폭메모리)에 10억 달러(한화 약 1조3천억 원) 이상을 투자하겠다고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 높인 차세대 메모리다. 고용량·고효율 데이터 처리를 요구하는 AI 산업에서 수요가 증가하는 추세다. SK하이닉스는 올해 설비투자 예산을 구체적으로 공개하지 않았다. 다만 블룸버그통신은 "증권가가 추산한 SK하이닉스의 올해 투자 규모는 14조원으로, 이강욱 부사장은 이 중 10분의 1 이상을 최첨단 패키징에 투자하는 것을 시사했다"고 밝혔다. 이 부사장은 인터뷰에서 "AI 산업의 발달로 데이터 반도체 산업의 지난 50년은 전공정 분야에 집중했으나, 향후 50년은 패키징이 대두될 것"이라고 강조했다. SK하이닉스는 세계 AI 반도체 시장을 주도하고 있는 엔비디아에 최선단 HBM 제품을 공급하고 있다. HBM3(4세대 HBM)를 엔비디아에 독점 공급하는 등 기술력이 뛰어다나는 평가를 받는다. 특히 SK하이닉스는 HBM 제조의 핵심인 본딩(접합) 공정에서 메모리 기업 중 유일하게 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 공정을 도입하고 있다. MR-MUF는 내부 공간 전체에 열을 가해 납땜을 진행하고, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 넣어 공백을 채우는 기술이다. 열이 골고루 가해져 신뢰성이 높고, 생산 효율성이 높다는 장점이 있다.

2024.03.07 16:15장경윤

네패스, 칩렛 기반 AI반도체 개발에 지멘스 솔루션 도입

지멘스EDA 사업부는 국내 OSAT(반도체외주패키징테스트) 기업인 네패스가 첨단 3D-IC 패키지 개발과 관련한 자사의 솔루션을 활용했다고 7일 밝혔다. 네패스는 과학기술정통부 국책과제인 '칩렛 이종 집적 초고성능 인공지능(AI) 반도체 개발'을 위해 AI반도체 설계기업 사피온 등과 컨소시엄을 구성해 개발을 추진하고 있다. 사피온이 AI용 신경망처리장치(NPU)를 개발하고 다수 소자를 네패스가 칩렛 패키지로 구현한다. 서웅 사피온코리아 부사장은 "네패스는 가장 포괄적인 반도체 패키징 설계 및 제조 서비스 포트폴리오를 제공해 고성능과 소형 폼팩터가 중요한 시장에서 혁신과 성공을 이룰 수 있도록 최선을 다하고 있다"며 "네패스가 첨단 패키징을 위한 지멘스의 EDA 기술 도입과 사용을 확대함으로써 성장에 필요한 혁신적인 기술을 확보할 수 있을 것"이라고 말했다. 네패스는 지멘스의 '캘리버' 3DSTACK 소프트웨어, 전기적인 룰 검증을 위한 PCB 설계 검증 솔루션 '하이퍼링스' 소프트웨어 등 지멘스EDA의 광범위한 첨단 기술을 활용해 패키징 혁신을 주도하고 있다. 이러한 지멘스의 기술을 활용해 네패스는 급증하는 글로벌 IC 고객을 위한 2.5D/3D 기반 칩렛 설계를 포함한 빠르고 안정적인 설계 서비스를 제공할 수 있게 됐다.

2024.03.07 15:21장경윤

[단독] SK하이닉스, 지난달 엔비디아에 '12단 HBM3E' 샘플 공급

SK하이닉스가 최선단 HBM(고대역폭메모리)인 12단 D램 적층 HBM3E(5세대 HBM)의 초기 샘플을 지난달 엔비디아에 공급한 것으로 파악됐다. 지난해 8월 8단 제품의 샘플 공급에 이은 성과로, 주요 고객사와의 AI 반도체 협업을 보다 공고히할 수 있을 것으로 전망된다. 6일 업계에 따르면 SK하이닉스는 지난달 엔비디아에 12단 D램 적층 HBM3E의 초기 샘플을 제공했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. 현재 4세대 제품인 HBM3까지 상용화 궤도에 올랐으며, 다음 세대인 HBM3E는 올 상반기 상용화가 예상된다. HBM3E는 D램을 몇 개 적층하느냐에 따라 8단(24GB)과 12단(36GB) 제품으로 나뉜다. SK하이닉스의 경우 8단 HBM3E는 지난해 하반기에 샘플을 공급해 최근 테스트를 통과했다. 공식적인 일정을 밝히지는 않고 있으나, 이르면 이달부터 양산이 시작될 예정이다. 나아가 SK하이닉스는 지난달 엔비디아에 12단 HBM3E 샘플을 공급했다. 해당 샘플은 극 초창기 버전으로, 주로 신규 제품의 표준 및 특성을 확립하기 위해 활용된다. SK하이닉스는 이를 UTV(유니버셜 테스트 비하이클)이라는 명칭으로 부른다. 이미 하이닉스가 8단 HBM3E의 성능 검증을 마무리한 만큼, 12단 HBM3E 테스트에는 많은 시간이 소모되지 않을 것으로 관측된다. D램의 적층 수가 늘어난 데 따른 일부 디바이스 특성과 신뢰성 검증만 해결하면 될 것으로 업계는 보고 있다. 한편 세계 메모리 업계는 AI 반도체 시장의 급격한 성장세에 발맞춰, 엔비디아·AMD에 최선단 HBM 제품을 공급하기 위한 경쟁을 치열하게 전개하고 있다. 삼성전자는 지난달 27일 12단 HBM3E 개발에 성공했다고 밝혔다. 삼성전자는 해당 제품에 어드밴스드 TC NCF(열압착 비전도성 접착 필름)를 적용해, D램 사이사이의 간격을 7마이크로미터(um)까지 줄이는 데 성공했다. 마이크론 지난달 26일(현지시간) 8단 HBM3E의 대량 생산을 시작했다고 밝혔다. 최선단 10나노급(1b) D램을 적용한 것이 특징으로, 마이크론은 "자사의 8단 HBM3E가 경쟁사 대비 전력 효율이 30% 우수하다"고 강조한 바 있다. SK하이닉스는 12단 HBM3E 샘플 공급과 관련한 질문에 "고객사와 관련한 내용은 어떠한 것도 확인해줄 수 없다"고 전했다.

2024.03.06 13:32장경윤

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