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'패키징'통합검색 결과 입니다. (174건)

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한화세미텍, FO-PLP 장비 상용화 순항…美 우주항공 기업 고객사로 확보

한화세미텍이 올 하반기 첨단 패키징용 '팬아웃-패널레벨패키징(FO-PLP)' 장비를 공급할 계획인 것으로 파악됐다. 해당 장비는 싱가포르 소재 패키징 외주업체 팹에 도입돼, 미국 우주·항공업체 스페이스X의 네트워크용 칩을 양산하는 데 쓰인다. 12일 업계에 따르면 한화세미텍은 최근 해외 고객사와 FO-PLP 본더 공급계약을 체결했다. FO-PLP는 데이터 전송통로인 입출력(I/O) 단자를 칩 밖으로 빼내, 반도체 성능과 집적도를 높이는 첨단 패키징 기술이다. 동시에 기존 웨이퍼(직경 300mm) 단에서 패키징을 진행하는 웨이퍼레벨패키징(WLP) 대비 면적이 넓은 사각형 패널을 사용해 생산효율이 높다. 한화세미텍은 복수 협력사와 FO-PLP용 다이 본더를 개발해, 국내외 주요 외주반도체패키징테스트(OSAT) 기업들과 제품 공급을 논의해 왔다. 이에 대한 성과로, 한화세미텍은 올 상반기 싱가포르에 본사를 둔 OSAT 기업으로부터 양산용 FO-PLP 본더를 수주했다. 초도 계약 규모만 수백억원에 이르는 것으로 관측된다. 이르면 올 3분기부터 본격 납품이 예상된다. 앞서 한화세미텍은 올 1분기 실적발표 자료에서 "FO-PLP 장비에 대한 신규 고객사 및 오더를 확보했다"고 밝힌 바 있다. 반도체 장비업계 한 관계자는 "한화세미텍이 이번 싱가포르 OSAT로부터 발주받은 장비 물량이 50대 이상인 것으로 안다"며 "해당 OSAT의 주요 임원진들이 한국인이기 때문에, 한화세미텍이 유리한 입지를 점한 것도 있다"고 설명했다. 한화세미텍의 FO-PLP 본더는 미국 저궤도 인공위성 기업 스페이스X의 네트워크용 칩을 양산하는 데 쓰일 예정이다. 스페이스X는 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO) 주도로 설립된 회사로, 우주 발사체 양산을 확대하고 있다. 또다른 업계 관계자는 "해외 경쟁사는 납기 문제 등이 있어 한화세미텍이 주요 FO-PLP 공급사 지위를 획득한 것으로 안다"며 "저궤도 위성 통신 서비스 성장성이 유망한 만큼, 한화세미텍이 해당 시장에 진출했다는 것 자체만으로도 의미가 있다"고 말했다.

2026.05.12 10:19장경윤 기자

SK하이닉스, 인텔과 2.5D 패키징 협력 추진…AI칩 공급망 변동 예고

SK하이닉스가 인텔과 최첨단 패키징 분야에서 협력 도모에 나서 주목된다. 현재 인텔로부터 2.5D 패키징 기술을 도입해 고대역폭메모리(HBM) 및 시스템반도체를 집적하는 테스트를 진행 중인 것으로 파악됐다. 2.5D 패키징 업계 선두주자인 대만 TSMC가 최근 극심한 공급난을 겪는 가운데, AI 가속기용 2.5D 패키징 공급망이 다변화될 수 있다는 기대가 나온다. 11일 업계에 따르면 SK하이닉스는 인텔과 2.5D 패키징 기술에 대한 연구개발(R&D)을 진행하고 있다. 2.5D 패키징은 반도체와 기판 사이에 얇은 막 형태의 인터포저를 삽입해, 칩 성능을 향상시키는 기술이다. 대표적인 적용처로는 엔비디아·AMD 등 글로벌 빅테크가 개발하는 AI 가속기가 있다. AI 가속기는 GPU 등 각종 고성능 시스템반도체와 HBM을 2.5D 패키징으로 결합해 만들어진다. 현재 글로벌 빅테크의 2.5D 패키징 공급망은 대만 주요 파운드리인 TSMC가 사실상 독점하고 있다. SK하이닉스 역시 TSMC와 긴밀한 협력관계를 맺고, HBM 및 2.5D 패키징과 관련한 연구개발을 함께 진행해 왔다. 나아가 SK하이닉스는 인텔의 2.5D 패키징 기술인 '임베디드 멀티-다이 인터커넥트 브릿지(EMIB)' 도입을 검토하고 있다. 인텔로부터 EMIB 내장 기판을 공급받아 HBM 및 시스템반도체를 결합하는 테스트를 진행 중인 것으로 파악됐다. 사안에 정통한 관계자는 "아직은 초기 연구개발 단계이긴 하나, SK하이닉스가 인텔 EMIB로 2.5D 패키징을 구현하는 테스트를 적극적으로 진행하고 있다"며 "실제 양산 적용에 필요한 소재·부품 후보도 물색하고 있는 상황"이라고 밝혔다. SK하이닉스와 인텔 간 협력 논의는 양사 간 이해관계가 잘 맞물려 있는 것으로 풀이된다. TSMC의 2.5D 패키징 기술인 '칩-온-웨이퍼-온-서브스트레이트(CoWoS)'는 최근 AI 반도체 호황으로 극심한 공급난을 겪고 있다. 때문에 여러 빅테크 기업들은 인텔 EMIB를 CoWoS의 유망한 대체재로서 주목하고 있다. SK하이닉스 입장에서도 인텔 EMIB에 대한 선제적인 연구개발이 필요하다. SK하이닉스가 2.5D 패키징을 직접 양산하지는 않지만, 2.5D 패키징의 구조 및 특성을 고려해 HBM을 개발하면 수율 및 안정성을 높이는 데 유리하기 때문이다. 실제로 SK하이닉스는 국내에 2.5D 패키징을 연구개발하기 위한 소규모 라인을 가동하고 있다. 또한 양사 협력을 통해 인텔은 자사 최첨단 패키징 사업을 크게 확장할 수 있을 것으로 기대된다. 인텔 EMIB는 넓게 펼쳐진 인터포저 대신 소형 실리콘 브릿지로 칩과 칩을 연결한다. 칩 간 연결이 필요한 부분에만 브릿지를 배치하면 되므로, 더 유연하고 효율적으로 칩을 배치할 수 있다. 반도체 업계 관계자는 "현재 인텔이 SK하이닉스와 주요 OSAT를 대상으로 EMIB 기술을 적극 프로모션하고 있다"며 "중장기적으로는 AI 가속기용 2.5D 패키징 공급망에 인텔 EMIB가 추가될 것으로 예상된다"고 설명했다.

2026.05.11 15:02장경윤 기자

레이저쎌 면 레이저 본딩, 글로벌 CPO 제조사 뚫었다…"양산용 첫 수주"

반도체 후공정 장비기업 레이저쎌이 차세대 패키징 기술 '공동패키징형광학(CPO)' 분야에서 성과를 올렸다. 최근 글로벌 톱 CPO 모듈 제조사로부터 레이저 본딩 장비 '양산 1호기' 발주를 받았다. 추가 수주도 논의 중이다. CPO는 차세대 AI 데이터센터를 구현하기 위한 핵심 기술로 평가받는다. 현재 엔비디아·브로드컴·시스코 등 글로벌 빅테크가 앞다퉈 CPO 상용화를 추진 중이다. 레이저쎌도 관련 시장에서 매출 발생을 기대하고 있다. 안건준 레이저쎌 대표는 최근 경기 화성 본사에서 기자와 만나 회사 핵심 사업전략과 전망을 이같이 밝혔다. 지난 2015년 설립한 레이저쎌은 자체 레이저 기술을 토대로 반도체·디스플레이·배터리 등 산업에 필요한 후공정 장비를 개발하고 있다. 지난 2022년 기술특례상장으로 코스닥 시장에 입성했다. 레이저쎌 핵심 기술은 '면광원 레이저'다. 면광원 에어리어 레이저는 레이저의 점(Spot) 광원을 면 형태로 전환해 넓은 면적에도 균일한 레이저 빔을 조사하는 기술이다. 안 대표는 "레이저쎌의 빔 균일도는 90% 이상으로, 80%대인 경쟁사보다 높다"고 자평했다. 그는 "레이저 빔을 수입하는 경쟁사와 달리, 레이저쎌은 면레이저 원천 설계기술과 관련 광학 시스템을 모두 자체 개발했다는 점에서 차별홛점을 가진다"며 "해당 기술들은 모두 특허로 보유 중"이라고 덧붙였ㄷ. LSR 장비로 글로벌 톱 CPO 모듈 제조사서 양산 1호기 수주 레이저쎌은 최첨단 패키징 시장을 공략하고 있다. 특히 레이저 셀렉티브 리플로우(LSR) 장비에서 최근 성과가 있었다. LSR은 원하는 부위에만 레이저를 짧게 조사할 수 있는 면레이저 본딩 장비다. 본딩 부위 외 열적 손상이 없어, 패키지 전체에 열을 가하는 기존 매스리플로우(MR) 본딩 대비 반도체 파손 및 워피지(휨) 현상이 적다. 레이저쎌은 올 1분기 글로벌 톱 CPO 모듈 제조사로부터 LSR 장비를 수주했다. 해당 고객사와 약 2년간 협업과 테스트를 거쳐, 실제 양산용으로 장비를 처음 도입한다는 점에서 의미가 크다. 현재 데이터센터는 외부의 장거리 및 고속 전송 구간에서 매우 빠른 광(빛) 신호를 사용하고, 칩 내부에서 전기 신호로 데이터를 처리한다. 빛과 전기 신호를 바꾸기 위해서는 광 송수신 모듈(트랜시버)을 사용한다. CPO는 광 트랜시버에서 광 송수신 기능을 분리해 초소형 모듈 형태 광 엔진으로 구현하고, 이를 반도체 패키지 인근에 통합하는 기술이다. 칩과 광 모듈간 거리가 좁혀진 만큼 데이터를 더 빠르고 효율적으로 주고받을 수 있다. 엔비디아와 브로드컴, 마벨, 시스코 등 주요 빅테크가 앞다퉈 CPO 개발에 뛰어든 이유다. 또한 CPO는 기술 난도가 높아, 올해 들어서야 본격 상용화 움직임을 보이고 있다. 레이저쎌 입장에서는 CPO용 본딩 시장을 초기에 선점할 기회를 잡은 셈이다. 이번 레이저쎌의 고객사는 복수의 엔드 유저(End-User)로부터 의뢰를 받아 CPO 모듈을 제조하는 일종의 파운드리 기업이다. CPO 시장 확대 시 본딩 장비에 본격 투자할 것으로 관측된다. 추가 수주도 논의…"CPO서 면레이저 본딩 외 대안 없을 것" 레이저쎌은 해당 고객사와 추가 수주를 논의 중이다. LSR 장비 후속 발주, 면레이저 본딩에 압착 기능을 더한 레이저 압착 본더(LCB) 신규 발주 등 검토가 이뤄지고 있다. 안 대표는 "최근 레이저쎌의 면레이저 본딩 장비가 고객사의 CPO 모듈향으로 '양산 1호기' 발주가 나왔다"며 "올 하반기와 내년에 본격적인 발주 확대를 기대 중이고, CPO를 개발 중인 복수 기업들이 장비 구매 의향을 내비치고 있다"고 강조했다. 면레이저 본딩이 CPO 시장에서 주목받는 이유는 기술 특성에 있다. 광 엔진 내부는 다양한 유리 소재로 구성된다. 유리는 압력과 고온에 민감할 뿐만 아니라, 실리콘 기반 칩과 물성이 다르다. 때문에 고온·고압을 활용하는 열압착(TC) 본딩, MR 본딩 등 기존 방식으로는 접합이 까다롭다. 반면 레이저쎌의 면레이저 기술은 필요한 부위에 선택적으로, 각 특성에 맞춰 레이저를 조사하므로 광 엔진 접합에 유리하다. 안 대표는 "실리콘과 유리가 동시에 집적되는 CPO 모듈을 구현하려면 LSR 본딩 외에는 대안이 없다고 본다"며 "주요 고객사들이 CPO 개발 단계에서부터 레이저쎌과 긴밀히 협력해 온 이유도 여기에 있다"고 강조했다. 생산능력 향후 '5배'까지 확장…최첨단 패키징 시장 다방면 공략 비단 CPO 뿐만이 아니다. 레이저쎌은 면레이저 본딩 기술을 기반으로 고성능 반도체 패키지 기판인 플립칩-볼그레이드어레이(FC-BGA), 첨단 패키징 일종인 시스템인패키지(SiP), 패널레벨패키징(FOPLP) 등 여러 시장을 동시 공략하고 있다. 레이저쎌은 본사 장비 생산능력을 연 600억원 수준에서 1200억원 수준으로 확장하기 위한 공사를 진행 중이다. 안 대표는 "회사 성장성과 고객사 수요를 고려해 생산능력을 기존 대비 2배 늘리는 공사를 진행 중이고, 향후에는 부지 확장으로 생산능력을 3000억원까지 끌어올릴 계획"이라며 "CPO를 포함한 여러 최첨단 반도체 패키징 사업에서 성과를 낼 것"이라고 말했다.

2026.05.07 09:00장경윤 기자

한미반도체, '세미콘 동남아시아' 참가...2.5D 패키징용 TC 본더 소개

한미반도체가 오는 5일부터 7일까지 말레이시아 쿠알라룸푸르 국제 무역 전시 센터 (MITEC)에서 열리는 '2026 세미콘 동남아시아' 전시회에 참가한다고 4일 밝혔다. 한미반도체는 이번 전시회에서 올해 출시 예정인 신규 장비 '2.5D TC 본더 40'과 '2.5D TC 본더 120'를 소개하며 AI 반도체 패키징 시장 공략을 강화할 계획이다. 2.5D TC 본더 시리즈는 실리콘 인터포저(Interposer) 위에 GPU, CPU, HBM 등 여러 칩을 하나의 패키지로 통합하는 AI 첨단 패키징 장비다. 이번 신제품은 한미반도체가 HBM 생산용 TC 본더 이외에 고부가가치 AI 반도체 2.5D 패키징 시장으로 영역을 확대한다는 점에서 의미가 있다. 한미반도체 '2.5D TC 본더 40'은 40mm x 40mm 크기의 칩과 웨이퍼 본딩이 가능하고, '2.5D TC본더 120'은 웨이퍼와 기판(Substrates)과 같은 보다 넓은 크기의 대형 인터포저 패키징까지 지원한다. 대표적인 2.5D 패키징 기술로는 TSMC의 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)가 꼽힌다. CoWoS는 AI 반도체 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야의 핵심 기술로, 엔비디아, AMD 등 글로벌 AI 반도체 기업들이 적극 채택하고 있으며 향후 CoPoS (Chip on Panel on Substrate), 3D SoIC (Sytem on Integrated Chips)로 진화하고 있다. 글로벌 시장조사업체 욜그룹에 따르면 2.5D·3D이 포함된 어드밴스드 패키징 시장은 2024년 460억 달러(약 67조6476억원)에서 2030년 794억 달러(약 110조1479억원)로 연평균 9.5% 성장할 것으로 전망된다. 한미반도체는 전시회에서 7세대 '마이크로 쏘 비전 플레이스먼트(MSVP) 6.0 그리핀' 등 주력 장비도 함께 선보인다. 7세대 MSVP는 207개 이상의 특허와 무인 자동화 기술을 집약해 생산성이 대폭 향상된 점이 특징이다. 한미반도체는 1998년 MSVP 1세대를 출시한 이후 2004년부터 23년 연속 세계 1위를 기록하고 있다. MSVP는 반도체 패키지를 절단·세척·건조·검사·선별·적재까지 수행하는 반도체 생산 필수 장비로, D램·낸드플래시·HBM·시스템반도체 등 여러 공정에서 사용되고 있다. 최근 AI 반도체 성장으로 반도체 기업들의 시설투자가 확대되면서 MSVP 수요도 동반 확대되고 있다. 한편 국제반도체장비재료협회(SEMI)가 주관하는 '2026 세미콘 동남아시아' 전시회는, 동남아시아 최대 반도체 산업 전시회다. 올해는 마이크론, 샌디스크, 어플라이드머티리얼즈, 램리서치, 글로벌파운드리, 도쿄일렉트론, KLA 등 글로벌 반도체 기업들이 대거 참가한다. 한미반도체는 오는 6월 대만 '컴퓨텍스', 9월 '세미콘 타이완' 전시회에도 참가하며 글로벌 마케팅을 지속 확대해 나갈 계획이다.

2026.05.04 09:52장경윤 기자

기계연, 대면적 FPCB 제조 연속 공정 확보

1m가 넘는 유연회로기판(FPCB)을 연속 생산할 수 있는 제조 공정이 개발됐다. 한국기계연구원은 한준세 나노융합연구본부 나노리소그래피연구센터 선임연구원 연구팀이 롤투롤 기반 다이렉트 롤 라미네이션 공정 기술을 개발했다고 30일 밝혔다. 사이즈는 길이로 1m가 넘고, 폭은 25cm정도 된다. 한준세 선임연구원은 전화통화에서 "업계에서도 길고, 넓은 FPCB를 개발 중이지만, 이 기술은 패키징할 때 회로 사이에 들어가는 접착 소재 충진 특성을 개선하는데 초점이 맞춰져 있다"고 설명했다. 연구팀은 반경화 상태인 접착 필름이 회로 사이를 어떻게 채우고 퍼지는 지를 공정 속도, 압력 등 여러 조건에 따라 정량적으로 분석했다. 이를 통해 연속 제조 환경에서도 안정적으로 접착이 이루어질 수 있는 조건을 규명했다. 특히 접착 소재 '충진 거동'을 공정 변수 기준으로 체계화해, 데이터 기반 공정 최적화를 만들어냈다. 한준세 선임은 "이 기술을 차세대 모빌리티용 유연 센싱 케이블 제조에 활용될 수 있다"며 "전기자동차 무게를 줄이고 생산 효율을 높일 기반 기술"이라고 설명했다. 한 선임은 "반도체, 디스플레이, 확장현실(XR) 기기 등 대면적 전자소자 패키징 공정으로 확장도 가능하다"고 부연설명했다. 연구팀은 앞으로 공정 모니터링 및 비파괴 검사 기술을 연계, 지능형 및 자율형 공정 기술로 확장해 나갈 계획이다. 현재 연구팀은 국내특허 출원 및 등록 절차를 진행중이다. 연구성과는 미국화학회에서 발행하는 국제학술지 'ACS 어플라이드 머티리얼즈앤 인터페이시즈' 내지 커버로 게재됐다.

2026.04.30 14:31박희범 기자

세미나허브, CPO 기술·상용화 전략 세미나 개최

세미나허브는 오는 6월 26일 서울 여의도 FKI타워 컨퍼런스센터에서 'AI 시대 광통신 기반 공동패키징형광학(CPO; Co-Packaged Optics) 기술과 상용화 전략 세미나'를 개최한다고 30일 밝혔다. CPO는 반도체 칩과 광 인터페이스를 하나의 패키지로 통합하는 구조다. 데이터 전송 경로를 줄여 전력 효율을 높이고 대역폭 확장이 가능한 방식으로, 차세대 인터커넥트 기술로 언급된다. 글로벌 반도체·네트워크 기업들도 관련 기술 개발과 적용 검토를 이어가고 있다. 이와 함께 실리콘 포토닉스와 첨단 패키징 기술도 주요 기술로 언급된다. 데이터센터 환경에서 광통신 기반 인터커넥트 적용을 둘러싼 논의가 이어지는 흐름이다. 이번 세미나는 CPO 구현에 필요한 광모듈, 실리콘 포토닉스, 첨단 패키징 기술을 중심으로 관련 흐름을 짚는 자리다. 프로그램은 ▲CPO Echo system과 부품 포지셔닝 전략 ▲AI 데이터센터 시대, CPO 도입 가속화와 글로벌 빅테크 전략 ▲CPO 와 하이브리드 본딩 : EIC와 PIC 광칩렛 이종 집적 첨단패키징 ▲차세대 광통신 인터커넥트와 CPO 전환 전략 ▲ELSFP 중심으로 살펴본 데이터센터 용 광모듈 및 레이저 광원 기술 ▲CPO 상용화를 위한 접합 기술 ▲최근 CPO 기술 현황 및 실리콘 포토닉스 기술 소개 ▲AI 반도체 시대를 선도하는 광패키징 혁신과 CPO 핵심 기술 전략 ▲기업별 CPO 개발 전략과 공급망 분석 등으로 구성된다. 세미나허브 관계자는 “AI 데이터센터 환경 변화에 따라 광통신 기반 기술에 대한 논의가 이어지고 있다”며 “관련 기술 흐름을 공유하는 자리가 될 것”이라고 말했다.

2026.04.30 14:08장경윤 기자

ISC, 1분기 영업익 236억원…전년比 237% 증가

반도체 테스트 플랫폼 기업 아이에스시(ISC)는 2026년 1분기 매출 683억원, 영업이익 236억원(영업이익률 35%)의 경영실적을 기록했다고 27일 밝혔다. 전년 동기 대비 매출은 115%, 영업이익은 237% 증가하며 AI 수요 확대에 따른 실적 성장과 수익성 개선이 동시에 나타났다. 1분기는 계절적 비수기임에도 불구하고 AI GPU, ASIC, 하이엔드 메모리 수요 증가에 힘입어 역대 분기 최대 영업이익을 달성했다. 회사는 이를 단기 회복이 아닌 구조적 성장 국면에 본격 진입한 신호로 판단하고 있다. 사업 부문별로는 AI 반도체 테스트 소켓(GPU·ASIC) 매출이 전년 대비 191% 성장했으며, 시스템레벨테스트(SLT) 비중이 60%를 상회하면서 고부가 중심의 수익 구조 전환이 가속화되고 있다. 메모리 부문 역시 HBM 중심으로 소켓과 장비·소재 간 시너지가 확대되며 159% 성장했다. 어플리케이션별로는 AI 데이터센터향 매출이 221% 증가했으며, 글로벌 ASIC 신규 고객을 확보하며 고객 및 제품 포트폴리오 다변화도 지속되고 있다. 회사는 AI 확산에 따라 반도체 테스트가 단순 기능 검증을 넘어 시스템 기반·고신뢰성 테스트 중심으로 전환되고 있으며, 이에 따라 시스템레벨테스트 수요가 구조적으로 확대될 것으로 전망했다. 이에 아이에스시는 대면적·고주파 환경에 최적화된 테스트 솔루션 경쟁력을 기반으로 HBM 후속 기술 및 CPO(Co-Packaged Optics) 등 차세대 영역으로 사업을 확장할 계획이다. 한편, 아이에스시는 증가하는 수요에 대응하기 위해 CAPEX 투자를 확대한다. 베트남 1공장 증설을 조기 완료해 10월부터 본격 가동하고 베트남 2공장 신설을 연내 완료해 생산능력을 극대화한다는 계획이다. 아울러 국내 생산 통합 및 제조 AX 적용을 통해 생산성과 운영 효율을 동시에 강화할 방침이다. 김정렬 아이에스시 대표는 “AI 중심 시장 재편 속에서 당사의 기술력과 전략이 실적으로 입증되고 있다”며 “테스트 소켓을 넘어 AI 인프라 핵심 테스트 플랫폼 기업으로 도약해 지속적인 성장과 주주가치 제고를 실현하겠다”고 밝혔다.

2026.04.27 11:15장경윤 기자

한미반도체 곽동신 회장, 자사주 30억 취득

한미반도체는 곽동신 회장이 사재로 30억원 규모 자사주를 취득했다고 27일 공시했다. 이번 매입은 지난달 30일 공시한 자사주 취득 계획 이행이다. 취득 단가는 31만5407원으로 총 30억원 규모다. 곽동신 회장은 지난 2023년부터 총 565억원 규모 자사주를 취득했다. 곽 회장의 한미반도체 지분율은 33.57%로 높아졌다. 한미반도체는 "곽 회장의 잇따른 자사주 취득은 글로벌 고대역폭메모리(HBM) 장비 시장에서 열압착(TC) 본더 기술력과 성장에 대한 확신과 자신감을 시장에 전달하기 위한 것"이라고 설명했다. 한미반도체는 글로벌 HBM 생산용 TC 본더 시장 점유율 1위다. 한미반도체는 "HBM4 양산이 본격화된 올해 글로벌 제조사에 TC 본더 4 공급을 선도하며 시장 주도권을 이어가고 있다"고 자평했다. 올해 말에는 와이드 TC 본더를 출시해 차세대 HBM 생산을 지원할 계획이다. 와이드 TC 본더는 기존 HBM 대비 다이 면적을 확장한 차세대 HBM 생산에 특화한 장비다. 메모리 용량과 대역폭 요구가 높아지는 차세대 인공지능(AI) 인프라 수요에 대응하는 제품이다. 또한 2029년 본격 양산 적용이 전망되는 하이브리드 본딩 시장을 겨냥해 '2세대 하이브리드 본더' 프로토타입을 연내 출시할 계획이다. 내년 상반기에는 '하이브리드 본더 팩토리' 가동을 본격 시작하고, 차세대 반도체 패키징 시장 주도권을 확보할 예정이다. 한미반도체 관계자는 "자사주 취득은 책임경영을 실천하겠다는 곽동신 회장의 의지 표명"이라며 "글로벌 반도체 장비 산업 '퍼스트 무버'로서 지속 가능한 성장을 지속하겠다"고 밝혔다.

2026.04.27 10:42장경윤 기자

SK하이닉스, HBM 생산기지 P&T7 착공..."AI 메모리 리더십 완결"

SK하이닉스는 이병기 양산총괄을 비롯한 임직원 125명 및 구성원 가족 40명과 공사를 맡은 SK에코플랜트 임직원 20명이 참석한 가운데 'P&T7 착공식'을 개최했다고 22일 밝혔다. 이날 착공식은 공장 건설 경과보고를 시작으로, 안전을 다짐하는 퍼포먼스와 기공을 알리는 터치버튼 세리니가 뒤이어 진행됐다. 참가자들은 예기치 않은 안전사고 없이 공사가 순조롭게 진행되기를 기원하며 열렬한 박수와 환호를 보냈다. P&T7은 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리 제조에 필수적인 어드밴스드 패키징 전용 팹(FAB)이다. 수조 원을 들여 청주 테크노폴리스 산업단지 내 약 23만㎡(7만 평) 규모로 조성될 예정이며, 웨이퍼레벨패키지(WLP) 공정 라인 3개 층 약 6만㎡(약 1만8000 평)와 웨이퍼테스트(WT) 공정 라인 7개 층 약 9만㎡(약 2만8000 평)을 합치면, 클린룸 면적만 약 15만㎡(4만6000 평)에 달한다. 착공 후 2027년 10월에는 WT 라인을 준공하고, 2028년 2월에는 WLP 라인까지 순차적으로 준공하는 것을 목표로 공사가 진행된다. 최근 WLP와 같이 미세화 한계를 뛰어넘을 핵심 기술들이 속속 개발되면서, 후공정은 개발된 제품의 신뢰성을 확보하고 패키징을 완료하는 기존 역할에서 한발 더 나아가, AI 반도체의 성능을 결정짓는 핵심 변수로 부상했다. 이에 첨단 공정 기술이 집약될 P&T7은 완공 이후 급증하는 글로벌 AI 메모리 수요에 선제적으로 대응하고 현재의 기술 초격차를 유지하기 위한 전략적 요충지가 될 전망이다. SK하이닉스 이병기 양산총괄은 인사말을 통해 “P&T7은 SK하이닉스의 AI 메모리 리더십을 완결 짓는 핵심 생산기지”라며 “이곳에서 생산될 첨단 제품들이 글로벌 AI 인프라의 표준이 될 수 있도록 제조 역량을 집중하는 한편, 지역 사회와 긴밀히 소통하며 국가 산업 경쟁력 강화와 지역 상생이라는 두 마리 토끼를 모두 잡는 성공적인 사업 모델을 완성하겠다”고 말했다. SK하이닉스는 P&T7 부지 선정 단계부터 지역 균형 성장의 중요성과 산업 생태계 전반에 미칠 영향을 깊이 고민해 청주를 최종 선택했다. 중장기적으로 국가 산업 기반을 강화하고 수도권에 쏠린 무게추를 지방으로 옮겨, 수도권과 지방이 함께 성장하는 선순환을 이뤄내겠다는 전략적인 판단이었다. P&T7는 M11, M12, M15, 그리고 M15X에 이어 SK하이닉스가 청주에 건설하는 다섯 번째 생산시설이기도 하다. 완공 후 본격적으로 인접 생산 거점과 시너지를 내기 시작하면, 청주는 명실상부한 SK하이닉스의 새로운 AI 메모리 핵심 거점으로 자리매김하게 된다. 지역 사회에 미칠 긍정적인 파급 효과도 클 것으로 전망된다. 우선 공사 기간 동안 현장에 일평균 320명, 최대 9000명에 달하는 인력이 투입돼, 지역 경제에 활기를 불어넣을 것으로 기대된다. 완공 이후에도 P&T7 운영을 위해 약 3000명의 사내 인력이 근무할 예정이라, 지역 경제에 미칠 긍정적인 영향력은 지속될 전망이다. 이와 함께 대규모 산업단지가 활성화되면 교통망을 비롯한 인근 인프라가 확충돼, 지역 주민들의 정주 여건도 크게 개선될 것으로 예상된다. 또한 청주 지역 내 협력사가 늘어나는 만큼, SK하이닉스는 기존 운영 중인 동반성장 프로그램(기술 개발, 경영컨설팅, 금융 지원 등)도 더욱 확대할 방침이다. 이를 통해 지역 산업 생태계 전반의 경쟁력을 높이고, 강화된 협력사의 기술력이 SK하이닉스의 제품 경쟁력에 즉각적으로 반영되는 선순환 구조를 공고히 한다는 구상이다. SK하이닉스는 “P&T7은 생산시설을 증설하는 의미를 넘어, 지역과 기업이 함께 쌓아온 신뢰의 결실로써 지역 균형 성장을 이끌어 나갈 핵심 축이 될 것”이라며 “앞으로도 지역 사회와의 상생 협력에 진심을 다해 국가 균형 발전을 위해 성공적인 이정표를 세우겠다”고 말했다. 한편 SK하이닉스는 AI 수요 대응을 위한 후공정 팹의 추가 확충을 고려 시, 지역 균형 발전에 기여할 수 있는 국내 거점 다변화 방안을 지속적으로 검토해 나간다는 계획이다.

2026.04.22 14:33장경윤 기자

中 D램 업체, HBM3 개발 난항…韓 추격 아직 '시기 상조'

중국 창신메모리(CXMT)가 4세대 고대역폭메모리(HBM3) 상용화 시기를 늦출 가능성이 높아지고 있다. 당초 올 상반기 상용화에 나서는 것이 목표였지만, 아직까지 관련 소재·부품 협력사에 양산 수준의 발주를 진행하지 못한 것으로 파악된다. 20일 업계에 따르면 CXMT는 당초 올해 상반기를 목표로 했던 HBM3 양산 일정에 차질을 빚고 있다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체다. 전세계 기준 D램 시장 점유율은 권외 수준이지만, DDR5·LPDDR5X 등 최신 규격의 D램 상용화에 성공했을 정도로 기술을 빠르게 고도화했다는 평가를 받고 있다. CXMT는 AI 데이터센터용 고성능 D램인 HBM 시장에도 문을 두드리고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 실리콘관통전극(TSV)을 뚫어 연결한 메모리 반도체다. 전공정·후공정 모두 매우 높은 수준의 기술을 요구한다. CXMT가 중점적으로 개발 중인 제품은 HBM3다. HBM 중 4세대에 해당하는 제품으로, 비교적 성숙(레거시) 공정에 속한다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 기업들은 올해 HBM4의 본격적인 양산에 돌입하고 있다. 다만 CXMT의 HBM3는 아직 테스트 단계에 머물러 있다는 게 업계의 평가다. 당초 이르면 올해 상반기에 양산에 나서는 것이 목표였으나, 사실상 일정이 지속 연기되고 있다. 현재 HBM3에 필요한 소재·부품 발주량이 샘플 제조 수준에 머무르고 있는 것으로 파악된다. 반도체 업계 관계자는 "CXMT의 기술적 진보는 빠른 수준이나, HBM3 양산 일정은 계속 미뤄지고 있다"며 "개발 진척 상황을 보면 연내 양산은 어려울 것으로 관측된다"고 설명했다. 한편 CXMT는 HBM3의 코어 다이로 G4(16나노미터급) D램을 채용했다. 지난해 양산이 본격화된 D램으로, CXMT 기준으로는 최신 공정에 해당한다. D램을 층층이 이어붙이는 후공정 기술로는 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF)을 채택했다. MR-MUF는 D램을 하나씩 쌓을 때마다 열로 임시 접합한 다음, 완전히 적층된 형태에서 열을 가해(리플로우) 접합을 마무리하는 기술이다. 이후 액체 형태의 'EMC(에폭시 고분자와 무기 실리카를 혼합한 몰딩 소재)'를 도포한다. 현재 SK하이닉스가 MR-MUF 공정을 활용하고 있다.

2026.04.21 10:55장경윤 기자

'첨단 패키징' 역량 키우는 삼성 파운드리 생태계…2.5D 공정서 성과

삼성전자 디자인솔루션파트너(DSP) 기업 가온칩스가 최첨단 패키징 기술인 2.5D 기반 칩 샘플을 만들었다. 해당 샘플은 단일 주문형반도체(ASIC)와 4개의 고대역폭메모리(HBM)을 집적한 구조로 돼 있다. DSP는 삼성 파운드리와 팹리스 고객사를 이어주는 '가교' 역할을 담당한다. DSP 기업들이 최첨단 패키징 기술을 고도화하면, 삼성 파운드리도 고객사 저변을 확대할 수 있다. 18일 가온칩스에 따르면 이 회사는 최근 2.5D 패키징을 활용한 고성능 인공지능(AI) 반도체 칩 샘플을 제작했다. 2.5D 패키징은 반도체와 기판 사이에 '인터포저(Interposer)'라는 얇은 막을 삽입하는 기술이다. 기판만 사용하는 기존 패키징 대비 회로를 더 밀도있게 연결할 수 있어, 고성능컴퓨팅(HPC) 분야에서 수요가 증가하고 있다. 2.5D 패키징은 삼성전자·SK하이닉스 등이 주도하는 HBM과 관련이 깊다. 현재 엔비디아·AMD·구글 등 빅테크 기업들은 시스템반도체와 HBM을 단일 패키지에 집적하기 위해 2.5D 패키징 기술을 활용하고 있다. 가온칩스는 실리콘 인터포저 위에 단일 시스템반도체와 4개의 HBM을 집적해, 2.5D 패키징을 구현했다. 칩의 실제 작동성과 안정성 여부를 판별하기 위한 테스트 샘플(DCTV:Daisy Chain Test Vehicle) 제조에 성공했다. 가온칩스는 다음 단계 샘플도 만들고 있다. 오는 6~7월께 2.5D 패키징 상용화 준비를 마치는 것이 목표다. 가온칩스의 이번 성과는 삼성 파운드리 생태계 측면에서도 의미가 크다. 가온칩스는 삼성전자의 주요 DSP 기업 중 하나로, 삼성 파운드리와 팹리스 간 칩 개발과 양산을 돕는다. DSP 기업은 고객사의 고성능 반도체 양산을 수주하기 위해 최첨단 패키징 기술을 선제 확보해야 한다. 이번 2.5D 패키징 기술 개발도 삼성 파운드리와 협력으로 이뤄졌다. 현재 삼성전자는 '큐브(Cube)'라는 자체 브랜드명으로 2.5D 패키징 기술을 개발 중이다. 또 다른 삼성 DSP인 에이디테크놀로지, 세미파이브 등도 최첨단 패키징 역량 확보에 열중하고 있다. 에이디테크놀로지는 2나노 공정과 Arm의 '네오버스(Neoverse) V3' 아키텍처를 결합하고, 2.5D 패키징을 지원하는 차세대 중앙처리장치(CPU) 플랫폼 'ADP 620'을 개발하고 있다. 세미파이브는 반도체를 수직 적층하는 '3D IC' 플랫폼을 개발 중이다.

2026.04.18 08:00장경윤 기자

TEL, 첨단 패키징용 개별 칩 검사장비 '프렉사 SDP' 출시

도쿄일렉트론(TEL)코리아는 개별 칩(웨이퍼에서 다이 단위로 분리된 칩) 테스트 수요에 대응하는 반도체 검사장비인 신형 프로버 '프렉사(Prexa) SDP'를 출시했다고 17일 밝혔다. 최근 인공지능(AI)과 고성능 컴퓨팅(HPC) 성능에 대한 수요가 급증하면서 여러 개의 칩을 하나로 통합하는 2.5D·3D 패키징 기술에 대한 관심이 커졌다. 이들 제품 최종 수율을 높이려면 패키징 조립 전 단계에서 결함이 없는 완벽한 우량 칩(이하 KGD)을 선별하는 과정이 필수다. 첨단 KGD 선별 테스트 주요 과제는 테스트 중 극심한 열을 효과적으로 흡수하고 발열을 정밀 제어하는 것이다. 이에 따라 기존 웨이퍼 단위 검사를 넘어, 개별 칩 단위의 고정밀 테스트 장비에 대한 중요성이 커지고 있다. 이번에 출시한 프렉사 SDP는 이미 검증된 도쿄일렉트론의 프렉사 웨이퍼 프로버 플랫폼을 기반으로 하며, 고발열 반도체를 위한 독자 발열 제어 기술을 탑재해 개별 칩 테스트에 최적화했다. 신규 시스템은 그래픽 사용자 인터페이스(GUI)를 비롯해, 기존 웨이퍼 프로버가 갖춘 고정밀 콘택트, 웨이퍼 핸들링 및 프로브 마크 검사 기술을 계승했다. 여기에 고발열 칩 처리를 위한 뛰어난 열 흡수 능력과 고정밀 능동형 발열 제어(Active Thermal Control) 기술을 갖춘 서멀 헤드를 장착해, 안정적인 칩 핸들링과 정확한 우량 칩(KGD) 선별을 보장한다. 사토 요헤이 도쿄일렉트론 ATS 사업부총괄(GM)은 "첨단 패키징이 적용된 반도체 제품 최종 수율 향상을 위한 테스트 공정 중요성 커졌다"며 "새로운 프렉사 SDP는 축적된 프로버 기술과 독자 발열 제어 기술을 결합해 첨단 패키징 공정에 필수인 테스트 품질과 시스템 신뢰성을 제공한다"고 말했다.

2026.04.17 15:16장경윤 기자

SK하이닉스, 올해 HBM4 물량 하향 조정...HBM3E 등 확대

SK하이닉스가 올해 엔비디아향 6세대 고대역폭메모리(HBM) 출하량을 당초 계획 대비 20~30% 가량 줄이는 방안을 추진 중인 것으로 파악됐다. 엔비디아가 차세대 AI 가속기 '베라 루빈(Vera Rubin)' 양산 확대에 어려움을 겪으면서 발생한 영향으로 풀이된다. 다만 줄어드는 SK하이닉스의 HBM4 물량은 이전 세대인 HBM3E와 서버용 D램 등으로 수요가 대체될 전망이다. 각 제품별로 마진율이 상이한 만큼, 올해 사업 실적에 미칠 영향은 더 지켜봐야 한다는게 업계의 전언이다. 14일 지디넷코리아 취재에 따르면 SK하이닉스는 올해 할당했던 엔비디아향 HBM4 출하량 중 일부를 HBM3E 및 서버용 D램 물량으로 변경할 계획이다. HBM4는 올해 본격적으로 상용화되는 최신 HBM이다. 글로벌 빅테크인 엔비디아가 올 하반기 출시를 목표로 하고 있는 AI 반도체 '베라 루빈'에 첫 탑재된다. 이에 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 기업들이 모두 엔비디아향 HBM4 공급에 총력을 기울이고 있다. 다만 업계는 올해 루빈 시리즈의 출하량이 당초 계획보다 줄어들 것으로 보고 있다. 루빈 플랫폼을 구성하는 여러 구성 요소의 최적화가 아직 완벽히 이뤄지지 않았다는 분석에서다. 대표적으로, 엔비디아는 HBM4의 데이터 처리 성능을 업계 표준에서 크게 높인 11Gbps대로 요구한 바 있다. 시장조사업체 트렌드포스는 최근 발간한 보고서에서 "HBM4 검증에 필요한 시간 외에도 네트워크 인터커넥트 전환과 전력 소비량 증가, 더 고도화된 액체 냉각 솔루션 최적화 등 여러 과제가 남아있다"며 "결과적으로 엔비디아의 고성능 GPU 출하량에서 루빈 시리즈가 차지하는 비중은 기존 29%에서 22%로 감소할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 반면 엔비디아가 현재 가장 주력으로 양산 중인 '블랙웰(Blackwell)' 시리즈의 출하량 비중은 기존 61%에서 71%로 크게 늘어날 전망이다. 블랙웰은 HBM3E를 탑재한다. 이에 국내 메모리 업계도 HBM 사업 전략을 수정 중인 것으로 파악됐다. 특히 SK하이닉스의 사업 변동성이 가장 큰 폭으로 나타나고 있다. SK하이닉스가 HBM 시장의 지배적 사업자로서 엔비디아향 HBM4 및 HBM3E에서 가장 많은 출하량 비중을 차지하고 있기 때문이다. 사안에 정통한 관계자는 "올해 출하되는 루빈 시리즈 자체의 양이 줄어들면서 SK하이닉스의 HBM4 출하량 계획도 수정이 불가피한 상황"이라며 "대신 해당 물량이 HBM3E나 다른 서버용 LPDDR(저전력 D램) 쪽으로 이관되기 때문에, 메모리 수요 총량이 줄어드는 것은 아니다"고 설명했다. 당초 SK하이닉스는 올해 엔비디아향으로 60억Gb(기가비트) 수준의 HBM4 출하를 계획했었다. 현재 논의되고 있는 물량은 이보다 20~30% 적은 수준이다. 감소되는 물량의 일부가 블랙웰 시리즈용으로 전환됨에 따라, HBM3E 물량도 당초 전망치인 80억Gb를 상회할 것으로 관측된다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 내부적으로 HBM4의 물량 일부를 HBM3E 및 서버용 LPDDR로 전환하는 방안을 논의 중"이라며 "실제로 HBM4 양산을 위한 소재·부품 발주량도 당초 예상보다 더디게 증가하고 있다"고 말했다.

2026.04.14 14:23장경윤 기자

한미반도체, 김민현 사장 부회장으로 승진

한미반도체는 14일 김민현 사장을 부회장으로 승진 인사를 단행했다고 밝혔다. 김민현 부회장은 1996년 한미반도체에 입사해 2011년 부사장, 2014년 사장을 거쳐 이번에 부회장으로 승진하며 30년간 회사의 핵심 사업을 총괄해 왔다. 한미반도체 이전에는 1986년 삼성전자 해외영업부를 시작으로 반도체 산업에 첫발을 내딛었으며, 1992년 로얄소브린 코리아 지사장을 역임했다. 한미반도체는 AI 반도체 시장의 핵심인 HBM(고대역폭메모리)용 TC 본더 시장에서 글로벌 1위를 기록하고 있으며, 2002년부터 지적재산권 강화에 주력해 현재 출원예정을 포함한 HBM 장비 관련 특허 163건을 확보했다. 또한 반도체 후공정 핵심 장비인 '마이크로 쏘 & 비전 플레이스먼트(MSVP)' 시장에서도 2004년부터 23연속 글로벌 1위를 차지하고 있다. 한미반도체는 "이번 인사를 계기로 경영 리더십을 더욱 강화하고, 차세대 반도체 패키징 장비 분야에서 글로벌 선도 기업으로서의 위상을 더욱 공고히 해나갈 계획"이라고 밝혔다.

2026.04.14 08:47장경윤 기자

삼성전자, ASMPT와 HBM TC본더 평가...공급망 다변화 지속

삼성전자가 고대역폭메모리(HBM)의 핵심인 열압착(TC) 본딩 장비 공급망 다변화를 지속 추진하고 있다. 최근 해외 반도체 장비기업 ASMPT와 HBM용 TC 본더에 대한 데모 테스트를 마무리하고, 다음 협력 단계를 추진하기로 한 것으로 파악됐다. 13일 업계에 따르면 삼성전자는 싱가포르에 본사를 둔 ASMPT와 HBM용 TC본더에 대해 JEP(Joint evaluation Project 공동평가프로젝트)를 진행할 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 실리콘관통전극(TSV)을 뚫어 연결한 메모리다. 삼성전자의 경우 각 D램 사이에 비전도성 접착 필름(NCF)를 넣고, 열압착을 가해 붙이는 공정을 채택하고 있다. 이 접합 과정에서 쓰이는 장비가 TC본더다. 삼성전자의 HBM용 TC본더는 자회사인 세메스가 주력으로 공급해 왔다. 그러나 지난해부터는 국내외 후공정 장비업체들을 추가로 공급망에 편입하는 조치를 추진해 왔다. 이 중 ASMPT는 삼성전자와 올 1분기까지 HBM용 TC본더에 대한 초기 테스트를 진행해 왔다. 해당 테스트는 연구소 단계에서 데모 장비를 시연해보는 수준이다. 나아가 양사는 최근 TC본더에 대한 JEP를 추진하기로 합의한 것으로 파악된다. JEP는 이미 개발된 장비를 고객사의 양산 라인에 설치해, 장비의 성능 및 신뢰성 등을 검증하는 프로젝트다. 장비의 실제 적용 가능성을 평가하는 단계로 볼 수 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM용 TC본더 공급망 다변화를 지속적으로 검토해 왔다"며 "ASMPT와의 JEP도 이러한 전략의 일환으로, 양사 간 테스트가 점차 진전을 보이고 있다는 움직임"이라고 설명했다. 물론 삼성전자가 ASMPT의 HBM용 TC본더를 실제 양산 공정에 도입할 지는 아직 확신할 수 없다. 양산 공정에서 장비 성능이 만족스럽지 못하거나, 가격 협상이 잘 이뤄지지 않는 등 상용화까지 많은 변수가 남아있기 때문이다. 삼성전자의 하이브리드 본딩 장비 도입 시점도 TC본더 공급망 다변화에 많은 영향을 끼칠 것으로 보인다. 하이브리드 본딩은 기존 D램과 D램 사이의 마이크로 범프를 쓰지 않고, 칩을 직접 연결하는 기술이다. TC본딩 대비 칩 성능 강화에 유리해 차세대 HBM용 본딩 공정으로 주목받고 있다. 다만 하이브리드 본딩은 기술적 난이도가 높아, HBM용 본딩 분야에서 아직 상용화된 전례가 없다. 또한 국제반도체표준화기구(JEDEC)에서 차세대 HBM의 두께 기준을 완화하는 방안을 추진 중이다. 두께가 더 두꺼워지면 기존 TC본딩 기술을 유지하는 데 용이하다. 또 다른 업계 관계자는 "아직 하이브리드 본딩 기술이 완성되지 않았고, 실제 도입 시에도 일부 층에만 적용하는 등 제한된 방안이 논의되고 있어 TC본딩 기술이 예상 대비 더 성장할 가능성이 있다"며 "이러한 상황에서 삼성전자도 TC본더 공급망 다변화에 더 큰 수요를 느끼게 될 것"이라고 말했다.

2026.04.13 14:32장경윤 기자

한미반도체, 2세대 하이브리드 본더 연내 출시

한미반도체는 2029년 본격 양산적용되는 하이브리드 본딩 수요에 발맞춰 선제적으로 대응한다고 9일 밝혔다. 한미반도체는 차세대 HBM 생산을 위한 '2세대 하이브리드 본더' 프로토타입을 연내 출시하고, 고객사와 협업에 나선다. 아울러 내년 상반기 하이브리드 본더 팩토리 가동을 앞두고 있다. 앞서 한미반도체는 경쟁사보다 먼저 2020년 '1세대 HBM 생산용 하이브리드 본더'를 출시하며 핵심 기술과 검증 노하우를 축적한 바 있다. 2세대 장비는 1세대 개발 경험과 원천 기술을 집약해 나노미터 단위의 정밀도, 공정 안정성, 수율 등 완성도를 한층 높여 개발됐다. 또한 한미반도체는 하이브리드 본딩과 관련해 국내 여러 반도체 장비 기업과 플라즈마, 클리닝, 증착 기술에서 긴밀히 협력하고 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리(Cu) 배선을 직접 접합하는 기술이다. 기존 솔더 범프(Solder Bump)를 제거해 패키지 두께를 줄이면서도 방열 성능과 데이터 전송 속도를 높일 수 있어, 20단 이상의 고적층 HBM에서 필요로 하고 있다. 한미반도체는 차세대 장비 생산을 위한 인프라 구축에도 속도를 내고 있다. 인천광역시 서구 주안국가산업단지에 총 1000억원을 투자해 연면적 4415평(1만4570.84m2), 지상 2층 규모로 하이브리드 본더 팩토리를 지난해부터 건립 중이며, 내년 상반기 완공을 목표로 한다. 팩토리 내에는 반도체 전공정에 준하는 최고 수준의 '100 클래스(Class 100)' 클린룸이 구축될 예정이다. 해당 클린룸은 공기 중 먼지를 상단에서 바닥으로 밀어내고 벽면과 바닥에서 즉시 흡입하는 첨단 공조 기술을 적용해 나노미터 단위 초정밀 공정에 걸맞은 청정 환경을 구현한다. 한미반도체는 업계 1위인 TC 본더 공급도 공고히 할 계획이다. 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 HBM 패키지 높이 기준을 기존 775㎛에서 900㎛ 수준으로 완화하는 방안을 검토함에 따라, 하이브리드 본딩의 본격적인 양산 도입 시점은 2029~2030년경이 예상된다. 그 전까지 한미반도체는 HBM 다이 면적을 넓힌 '와이드 TC 본더'를 올해 하반기 출시해 시장 수요에 대응할 계획이다. '와이드 TC 본더'는 TSV(실리콘관통전극) 수와 I/O(입출력 인터페이스) 수를 안정적으로 늘릴 수 있어 이전 기술 대비 메모리 용량과 대역폭을 확장할 수 있다. 이와 함께 한미반도체는 TC 본더로 안정적인 수익을 유지함과 동시에 하이브리드 본더의 완성도를 높이는 '투트랙' 전략을 구사한다는 계획이다. 한미반도체 관계자는 “HBM용 TC 본더 1위 노하우를 HBM용 하이브리드 본더 기술에 적용했다”며 “고객사가 차세대 HBM 양산에 돌입하는 시점에 완성도 높은 장비를 적기에 공급하겠다"고 밝혔다.

2026.04.09 09:24장경윤 기자

TI, 데이터센터·전기차용 고성능 절연 전원 모듈 공개

텍사스 인스트루먼트(TI)는 데이터센터·전기차 등에서 전력 밀도, 효율성 및 안전성을 향상시킬 수 있는 새로운 절연 전원 모듈을 공개했다고 24일 밝혔다. UCC34141-Q1 및 UCC33420 절연 전원 모듈은 절연 전원 설계에서 개별 솔루션 대비 최대 세 배 더 높은 전력 밀도를 구현하는 TI의 독자적인 멀티칩 패키징 기술인 '아이소쉴드(IsoShield)'를 적용했다. TI의 독자적인 아이소쉴드 기술이 적용된 새로운 절연 전원 모듈은 더 작은 공간에 더 많은 전력을 집적해 면적, 비용 및 무게를 줄여준다. TI는 3월 23일부터 26일까지 미국 텍사스주 샌안토니오에서 열리는 2026 APEC(Applied Power Electronics Conference)에서 이러한 혁신 기술을 선보인다. 카난 사운다라판디안 TI 고전압 제품 사업부 부사장 겸 총괄은 “패키징 혁신은 전력 산업에 큰 변화를 가져오고 있으며, 전원 모듈이 이러한 변화의 중심에 있다”며 “TI의 새로운 아이소쉴드 기술은 전력 설계 엔지니어들이 가장 필요로 하는 더 작고 효율적이며 신뢰성 높은 솔루션을 빠르게 시장에 선보일 수 있도록 지원한다. 이는 공학적 과제를 해결하기 위한 TI 전력 반도체 기술 혁신의 또 하나의 사례”라고 말했다. 전력 엔지니어들은 그동안 보드 공간을 절약하고 설계를 단순화하기 위해 전원 모듈을 활용해 왔다. 하지만 칩 크기가 물리적 한계에 가까워지고 소형화에 대한 요구가 높아지면서 패키징 기술의 발전은 성능과 효율성 향상을 이끄는 핵심 요소로 부상하고 있다. TI의 아이소쉴드 기술은 고성능 평면 변압기와 절연 전력계를 하나의 패키지에 통합해 기능 절연, 기본 절연 및 강화 절연을 지원한다. 또한 분산 전력 아키텍처를 구현해 단일 지점 오류(single point of failure)를 방지함으로써 제조업체가 기능 안전 요구사항을 충족하도록 지원한다. 그 결과 자동차, 산업, 데이터센터 등 강화된 절연이 요구되는 다양한 애플리케이션에서 소형이면서도 고성능과 높은 신뢰성을 갖춘 전력 설계를 구현할 수 있다. 또한 이 기술은 최대 2W의 전력을 공급하면서도 솔루션 크기를 최대 70%까지 줄일 수 있다. 오늘날 빠르게 변화하는 데이터센터와 차량용 설계 환경에서 전력 밀도 혁신의 중요성은 그 어느 때보다 커지고 있다. 이러한 애플리케이션의 설계 요구사항을 충족하려면 더 지능적이고 효율적인 작동을 지원하는 핵심 부품인 첨단 아날로그 반도체가 필수적이다. 전 세계 데이터센터가 증가하는 수요에 대응해 지속적으로 확장됨에 따라, 고성능 전력 모듈은 더 작은 공간에 더 많은 전력을 집적해야 한다. TI의 아이소쉴드 패키징 기술을 활용하면 엔지니어는 소형 폼팩터에서도 더 높은 전력 밀도를 구현할 수 있어 글로벌 디지털 인프라의 안정성과 신뢰성을 높이는 데 기여한다. 또한 이 기술로 향상된 전력 밀도는 더 가볍고 효율적인 전기차 설계를 가능하게 해 주행 거리 향상과 성능 개선에도 기여한다. 수십 년 동안 TI는 전력 관리 기술에 전략적으로 투자해 왔으며, 최근에는 변압기와 인덕터를 모두 통합한 전원 모듈을 개발했다. 아이소쉴드 및 패키징(MagPack) 기술과 같은 독자적인 패키징 솔루션과 최적화된 패키지를 갖춘 350종 이상의 전원 모듈 포트폴리오를 통해 TI의 반도체는 엔지니어가 다양한 전력 설계 및 애플리케이션에서 성능을 극대화할 수 있도록 지원한다.

2026.03.24 11:14장경윤 기자

삼성전자, GTC서 'HBM4E' 최초 공개…엔비디아와 AI 동맹 강화

삼성전자가 핵심 고객사인 엔비디아와의 협력을 강화한다. 엔비디아 연례 행사에서 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E 실물을 첫 공개할 계획이다. 해당 칩은 핀당 속도 16Gbps·대역폭 4TB/s을 지원한다. 삼성전자는 3월 16일부터 19일까지(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가한다고 16일 밝혔다. 삼성전자는 이번 전시에서 차세대 HBM4E(7세대 고대역폭메모리) 기술력과 베라 루빈(Vera Rubin) 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션을 유일하게 공급할 수 있는 역량을 앞세운다. 먼저 삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 히어로 월(Hero Wall)'을 통해 HBM4부터 핵심 경쟁력으로 떠오른 메모리, 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 종합반도체 기업(IDM)만의 강점을 부각했다. '엔비디아 갤러리(Nvidia Gallery)'를 통해서는 AI 플랫폼을 함께 완성해 나가는 양사의 전략적 파트너십을 강조했다. 이 외에도 삼성전자는 전시 공간을 AI 팩토리(AI 데이터센터), 로컬 AI(온-디바이스 AI), 피지컬 AI 세 개의 존으로 구성해 기술력을 공식적으로 인정받은 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 삼성 메모리 아키텍처를 소개했다. 한편 행사 둘째 날인 3월 17일(현지시간)에는 엔비디아의 특별 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나서 AI 인프라 혁신을 이끌 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시한다. 이를 통해 양사의 협력이 단순한 기술 협력을 넘어 AI 인프라 전반으로 확대되고 있음을 보여줄 예정이다. 차세대 HBM4E 칩 및 코어 다이 웨이퍼 최초 공개 삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 히어로 월'을 마련해 삼성의 HBM 기술 리더십을 가장 먼저 조명할 수 있도록 전시 동선을 구성했다. 삼성전자는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속화하고 있으며, HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다. 삼성전자 HBM4E는 메모리, 자체 Foundry와 로직 설계 역량, 그리고 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다. 또한 삼성전자는 영상을 통해 TCB(열압착본딩) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(하이브리드 본딩) 기술을 공개하며, 차세대 HBM을 위한 삼성전자의 패키징 기술 경쟁력을 강조했다. 하이브리드 본딩은 구리(Copper) 접합을 기반으로 칩을 직접 연결하는 차세대 패키징 기술로, 열 저항을 낮추고 고적층 HBM 구현에 유리하다. 한편 삼성전자는 베라 루빈 플랫폼에 탑재될 HBM4 칩과 파운드리 4나노 베이스 다이 웨이퍼를 전면에 배치해, 차세대 칩을 구현하는 삼성의 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 전시를 구성했다. 삼성전자는 종합반도체 기업(IDM)만의 토털 솔루션을 통해 개발 효율을 강화해 고성능 HBM 시대에서도 성능과 품질을 압도하는 기술 선순환 구조를 구축할 계획이다. 삼성전자 "베라 루빈 플랫폼용 모든 메모리 솔루션 공급" 특히 삼성전자는 이번 전시를 통해 전 세계에서 유일하게 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 부각했다. 삼성전자는 'Nvidia Gallery'를 별도로 구성해 ▲Rubin GPU용 HBM4 ▲Vera CPU용 SOCAMM2 ▲스토리지 PM1763을 Vera Rubin 플랫폼과 함께 전시해, 양사의 협력을 강조했다. 삼성전자 SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다. 삼성전자 PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 베라 루빈 플랫폼의 메인 스토리지로, 삼성전자는 부스 내에서 PM1763이 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연해 사양 소개를 넘어 업계 최고 수준의 성능을 현장에서 체감할 수 있도록 했다. SCADA는 GPU가 CPU 병목 현상을 우회해 스토리지 I/O를 직접 시작하고 제어할 수 있어 AI 워크로드 성능을 극대화할 수 있도록 설계된 기술이다. 뿐만 아니라 삼성전자는 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 베라 루빈 플랫폼에 새롭게 도입된 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼에 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이며, 부스 내 AI 팩토리 존에서 제품을 확인할 수 있다.

2026.03.17 05:30장경윤 기자

삼성디스플레이, '글래스 인터포저' 시장 진출 시사…"내부 점검 중"

삼성디스플레이가 최첨단 반도체 소재로 꼽히는 '글래스(유리) 인터포저' 시장 진출 가능성을 공식적으로 언급했다. 이청 삼성디스플레이 사장은 12일 서울 잠실 롯데호텔 월드에서 열린 '한국디스플레이산업협회 정기총회'를 앞두고 기자들과 만나 "글래스 인터포저는 매우 중요한 기술"이라며 "내부적으로 기술을 점검하고 있다"고 말했다. 인터포저는 최첨단 반도체 제조에 쓰이는 2.5D 패키징용 소재다. 2.5D 패키징은 칩과 기판 사이에서 얇은 막 형태 인터포저를 삽입해, 칩 성능을 끌어올리는 기술이다. 글래스 인터포저는 기존 실리콘 소재 대비 표면이 매끄럽기 때문에 세밀한 회로 구현이 가능하다. 고온에 대한 내구성과 전력효율성도 뛰어나, 패키징 공정 안정성도 높일 수 있다. 글래스 인터포저는 AI 가속기 등 고성능 칩에서 수요가 증가할 수 있다. 삼성디스플레이는 패널 업체로서 유리기판 관련 기술력을 축적했다. 그룹 계열사인 삼성전자·삼성전기도 반도체 패키징 관련 사업을 진행하고 있어, 그룹 차원의 시너지 효과도 도모할 수 있다. 올해 사업 전망은 다소 불확실성이 많을 것으로 내다봤다. 메모리 반도체 가격의 급격한 상승이 세트 수요에 영향을 미치고 있고, 최근 발발된 미국-이란 전쟁으로 원재료 수급·물류비 상승 등이 예상되기 때문이다. 이 사장은 "디스플레이는 석유 기반 소재를 많이 활용하기 떄문에 전쟁이 장기화되면 영향이 커질 것"이라며 "극복 방법은 사실상 없기 때문에, 원가구조 혁신과 협력사와 노력으로 경쟁력을 끌어올려야할 것"이라고 말했다. 올해 양산이 본격화되는 8.6세대 IT 유기발광다이오드(OLED)에 대해서는 "전체적으로 잘 진행되고 있고, 생산도 정상적으로 될 것이라고 생각한다"며 "IT 시장이 다시 한 번 붐을 일으키는 것이 중요할 것"이라고 밝혔다. 협회 차원에서 국내 디스플레이 업계 기술 유출 방지 중요성도 강조했다. 이 사장은 "기술 하나가 유출되면 산업에 어마어마한 타격을 입힐 수 있다"며 "간첩죄 수준 법안이 상정돼 있는 것으로 알고 있고, 협회 차원에서도 정책 보완을 위해 노력할 것"이라고 말했다.

2026.03.12 10:57장경윤 기자

다이가 다르다...삼성·SK, 차세대 HBM '두뇌' 로직다이서 엇갈린 전략

차세대 고대역폭메모리 HBM4 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스 간 주도권 경쟁이 치열합니다. AI 시대의 핵심 인프라로 성장한 HBM4는 글로벌 메모리 1위 자리를 놓고 벌이는 삼성과 SK의 자존심이 걸린 한판 승부이자 대한민국 경제의 미래이기도 합니다. HBM4 시장을 기점으로 차세대 메모리 기술은 물론 공급망까지 두 회사의 미래 AI 비전이 완전히 다른 양상으로 흘러갈 수 있기 때문입니다. 지디넷코리아가 창과 방패의 싸움에 비유되는 삼성과 SK 간 치밀한 AI 메모리 전략을 4회에 걸쳐 진단해 봅니다. (편집자주) 삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 고대역폭메모리(HBM)용 로직(베이스) 다이(Die) 공정을 고도화하는 가운데, 다소 상이한 입장 차이를 보이고 있다. 삼성전자는 성능을 최우선으로 초미세 공정을 적극 채용할 계획이다. SK하이닉스 역시 고객사 요구에 맞춰 공정 미세화를 추진하고 있지만 기본적으로 비용 효율화에 무게를 두는 전략을 구사하고 있다. 양 사의 전략적 기술 판단이 향후 어떤 시장 판도 변화나 결과를 초래할지 관심이 쏠린다. 11일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 HBM용 로직 다이 공정 개발에서 다른 전략을 취하고 있다. ■ 삼성전자, 로직 다이 공정 고도화 '전념'…2나노까지 설계 로직 다이는 HBM의 컨트롤러 기능을 담당하는 칩이다. 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 코어 다이 아래에 위치해 있다. HBM과 GPU 등 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결해, 데이터를 고속으로 주고받을 수 있도록 만든다. HBM에서 로직 다이가 차지하는 중요도는 점차 높아지는 추세다. HBM 세대가 진화할수록 핀 당 처리 속도 향상, D램 적층 수 증가 등으로 로직 다이에 요구되는 성능도 올라가야 하기 때문이다. 이에 삼성전자·SK하이닉스는 HBM4부터 로직 다이를 기존 D램 공정에서 더 미세화된 파운드리 공정으로 옮겨 제조하고 있다. 로직 다이에서 선단 공정을 가장 적극적으로 채택하고 있는 기업은 삼성전자다. 앞서 삼성전자는 지난 2023년께 HBM4에 적용될 로직 다이 공정을 당초 8나노미터(nm)에서 4나노로 상향 조정한 바 있다. 나아가 삼성전자는 HBM4E부터 본격화될 커스텀 HBM 시대를 준비하기 위해, 로직 다이를 4나노에서 최대 2나노로 설계하고 있다. 2나노는 지난해 하반기부터 양산이 시작된 최첨단 파운드리 공정이다. 현재 시스템LSI사업부 내 커스텀SoC 팀에서 각 고객사에 최적화된 칩 개발을 진행 중인 것으로 파악됐다. 해당 사안에 정통한 관계자는 "HBM 고객사들은 차세대 제품에 더 낮은 전력과 더 높은 대역폭을 동시에 달성하기 원하는데, 삼성전자 내부에서는 이에 대한 근원적 해법을 로직 다이 공정 고도화로 보고 있다"며 "올해 해당 연구개발에 대한 구체적인 성과가 나올 것"이라고 강조했다. ■ SK하이닉스, 미세 공정 준비하면서도 '비용 최적화'에 무게 SK하이닉스는 대만 주요 파운드리 TSMC를 통해 로직 다이를 양산하고 있다. HBM4에는 12나노 공정을 적용했다. SK하이닉스 역시 HBM4E에서는 최대 3나노 공정을 적용할 계획이다. 당초에는 최대 4나노 공정을 채택할 계획이었지만, 고객사 요구 및 성능 향상 등을 이유로 최근 상향 조정한 것으로 알려졌다. 다만 고객사 요구가 크게 반영되지 않는 HBM4E 제품은 기존 HBM4와 마찬가지로 12나노 공정을 채택할 계획이다. 최근 HBM4에서 주요 경쟁사인 삼성전자 대비 로직 다이 성능이 뒤떨어진다는 지적이 제기돼 왔음에도 기존 공정을 고수하기로 했다. 업계는 SK하이닉스가 로직 다이의 무조건적인 성능 향상보다는 비용 최적화에 무게를 둔 것으로 해석하고 있다. 실제로 회사 안팎의 이야기를 종합하면, SK하이닉스는 HBM4E용 로직다이 공정 고도화에 다소 보수적인 입장을 취하고 있다. 그보다는 신규 패키징 공법 등 다른 분야에서 기술적 진보를 이뤄내겠다는 전략이다. 해당 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스는 현재의 로직 다이 공정으로도 HBM4E 대응이 충분히 가능하다고 판단하고 있다. 성능에 심각한 문제가 있다고 인지했다면 공정에 변화를 줬을 것"이라며 "경쟁사와 달리 로직 다이 공정의 급격한 고도화가 효용이 떨어진다고 보고 있다"고 말했다.

2026.03.11 15:35장경윤 기자

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