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TI, 데이터센터·전기차용 고성능 절연 전원 모듈 공개

텍사스 인스트루먼트(TI)는 데이터센터·전기차 등에서 전력 밀도, 효율성 및 안전성을 향상시킬 수 있는 새로운 절연 전원 모듈을 공개했다고 24일 밝혔다. UCC34141-Q1 및 UCC33420 절연 전원 모듈은 절연 전원 설계에서 개별 솔루션 대비 최대 세 배 더 높은 전력 밀도를 구현하는 TI의 독자적인 멀티칩 패키징 기술인 '아이소쉴드(IsoShield)'를 적용했다. TI의 독자적인 아이소쉴드 기술이 적용된 새로운 절연 전원 모듈은 더 작은 공간에 더 많은 전력을 집적해 면적, 비용 및 무게를 줄여준다. TI는 3월 23일부터 26일까지 미국 텍사스주 샌안토니오에서 열리는 2026 APEC(Applied Power Electronics Conference)에서 이러한 혁신 기술을 선보인다. 카난 사운다라판디안 TI 고전압 제품 사업부 부사장 겸 총괄은 “패키징 혁신은 전력 산업에 큰 변화를 가져오고 있으며, 전원 모듈이 이러한 변화의 중심에 있다”며 “TI의 새로운 아이소쉴드 기술은 전력 설계 엔지니어들이 가장 필요로 하는 더 작고 효율적이며 신뢰성 높은 솔루션을 빠르게 시장에 선보일 수 있도록 지원한다. 이는 공학적 과제를 해결하기 위한 TI 전력 반도체 기술 혁신의 또 하나의 사례”라고 말했다. 전력 엔지니어들은 그동안 보드 공간을 절약하고 설계를 단순화하기 위해 전원 모듈을 활용해 왔다. 하지만 칩 크기가 물리적 한계에 가까워지고 소형화에 대한 요구가 높아지면서 패키징 기술의 발전은 성능과 효율성 향상을 이끄는 핵심 요소로 부상하고 있다. TI의 아이소쉴드 기술은 고성능 평면 변압기와 절연 전력계를 하나의 패키지에 통합해 기능 절연, 기본 절연 및 강화 절연을 지원한다. 또한 분산 전력 아키텍처를 구현해 단일 지점 오류(single point of failure)를 방지함으로써 제조업체가 기능 안전 요구사항을 충족하도록 지원한다. 그 결과 자동차, 산업, 데이터센터 등 강화된 절연이 요구되는 다양한 애플리케이션에서 소형이면서도 고성능과 높은 신뢰성을 갖춘 전력 설계를 구현할 수 있다. 또한 이 기술은 최대 2W의 전력을 공급하면서도 솔루션 크기를 최대 70%까지 줄일 수 있다. 오늘날 빠르게 변화하는 데이터센터와 차량용 설계 환경에서 전력 밀도 혁신의 중요성은 그 어느 때보다 커지고 있다. 이러한 애플리케이션의 설계 요구사항을 충족하려면 더 지능적이고 효율적인 작동을 지원하는 핵심 부품인 첨단 아날로그 반도체가 필수적이다. 전 세계 데이터센터가 증가하는 수요에 대응해 지속적으로 확장됨에 따라, 고성능 전력 모듈은 더 작은 공간에 더 많은 전력을 집적해야 한다. TI의 아이소쉴드 패키징 기술을 활용하면 엔지니어는 소형 폼팩터에서도 더 높은 전력 밀도를 구현할 수 있어 글로벌 디지털 인프라의 안정성과 신뢰성을 높이는 데 기여한다. 또한 이 기술로 향상된 전력 밀도는 더 가볍고 효율적인 전기차 설계를 가능하게 해 주행 거리 향상과 성능 개선에도 기여한다. 수십 년 동안 TI는 전력 관리 기술에 전략적으로 투자해 왔으며, 최근에는 변압기와 인덕터를 모두 통합한 전원 모듈을 개발했다. 아이소쉴드 및 패키징(MagPack) 기술과 같은 독자적인 패키징 솔루션과 최적화된 패키지를 갖춘 350종 이상의 전원 모듈 포트폴리오를 통해 TI의 반도체는 엔지니어가 다양한 전력 설계 및 애플리케이션에서 성능을 극대화할 수 있도록 지원한다.

2026.03.24 11:14장경윤 기자

삼성전자, GTC서 'HBM4E' 최초 공개…엔비디아와 AI 동맹 강화

삼성전자가 핵심 고객사인 엔비디아와의 협력을 강화한다. 엔비디아 연례 행사에서 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E 실물을 첫 공개할 계획이다. 해당 칩은 핀당 속도 16Gbps·대역폭 4TB/s을 지원한다. 삼성전자는 3월 16일부터 19일까지(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가한다고 16일 밝혔다. 삼성전자는 이번 전시에서 차세대 HBM4E(7세대 고대역폭메모리) 기술력과 베라 루빈(Vera Rubin) 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션을 유일하게 공급할 수 있는 역량을 앞세운다. 먼저 삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 히어로 월(Hero Wall)'을 통해 HBM4부터 핵심 경쟁력으로 떠오른 메모리, 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 종합반도체 기업(IDM)만의 강점을 부각했다. '엔비디아 갤러리(Nvidia Gallery)'를 통해서는 AI 플랫폼을 함께 완성해 나가는 양사의 전략적 파트너십을 강조했다. 이 외에도 삼성전자는 전시 공간을 AI 팩토리(AI 데이터센터), 로컬 AI(온-디바이스 AI), 피지컬 AI 세 개의 존으로 구성해 기술력을 공식적으로 인정받은 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 삼성 메모리 아키텍처를 소개했다. 한편 행사 둘째 날인 3월 17일(현지시간)에는 엔비디아의 특별 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나서 AI 인프라 혁신을 이끌 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시한다. 이를 통해 양사의 협력이 단순한 기술 협력을 넘어 AI 인프라 전반으로 확대되고 있음을 보여줄 예정이다. 차세대 HBM4E 칩 및 코어 다이 웨이퍼 최초 공개 삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 히어로 월'을 마련해 삼성의 HBM 기술 리더십을 가장 먼저 조명할 수 있도록 전시 동선을 구성했다. 삼성전자는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속화하고 있으며, HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다. 삼성전자 HBM4E는 메모리, 자체 Foundry와 로직 설계 역량, 그리고 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다. 또한 삼성전자는 영상을 통해 TCB(열압착본딩) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(하이브리드 본딩) 기술을 공개하며, 차세대 HBM을 위한 삼성전자의 패키징 기술 경쟁력을 강조했다. 하이브리드 본딩은 구리(Copper) 접합을 기반으로 칩을 직접 연결하는 차세대 패키징 기술로, 열 저항을 낮추고 고적층 HBM 구현에 유리하다. 한편 삼성전자는 베라 루빈 플랫폼에 탑재될 HBM4 칩과 파운드리 4나노 베이스 다이 웨이퍼를 전면에 배치해, 차세대 칩을 구현하는 삼성의 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 전시를 구성했다. 삼성전자는 종합반도체 기업(IDM)만의 토털 솔루션을 통해 개발 효율을 강화해 고성능 HBM 시대에서도 성능과 품질을 압도하는 기술 선순환 구조를 구축할 계획이다. 삼성전자 "베라 루빈 플랫폼용 모든 메모리 솔루션 공급" 특히 삼성전자는 이번 전시를 통해 전 세계에서 유일하게 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 부각했다. 삼성전자는 'Nvidia Gallery'를 별도로 구성해 ▲Rubin GPU용 HBM4 ▲Vera CPU용 SOCAMM2 ▲스토리지 PM1763을 Vera Rubin 플랫폼과 함께 전시해, 양사의 협력을 강조했다. 삼성전자 SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다. 삼성전자 PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 베라 루빈 플랫폼의 메인 스토리지로, 삼성전자는 부스 내에서 PM1763이 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연해 사양 소개를 넘어 업계 최고 수준의 성능을 현장에서 체감할 수 있도록 했다. SCADA는 GPU가 CPU 병목 현상을 우회해 스토리지 I/O를 직접 시작하고 제어할 수 있어 AI 워크로드 성능을 극대화할 수 있도록 설계된 기술이다. 뿐만 아니라 삼성전자는 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 베라 루빈 플랫폼에 새롭게 도입된 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼에 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이며, 부스 내 AI 팩토리 존에서 제품을 확인할 수 있다.

2026.03.17 05:30장경윤 기자

삼성디스플레이, '글래스 인터포저' 시장 진출 시사…"내부 점검 중"

삼성디스플레이가 최첨단 반도체 소재로 꼽히는 '글래스(유리) 인터포저' 시장 진출 가능성을 공식적으로 언급했다. 이청 삼성디스플레이 사장은 12일 서울 잠실 롯데호텔 월드에서 열린 '한국디스플레이산업협회 정기총회'를 앞두고 기자들과 만나 "글래스 인터포저는 매우 중요한 기술"이라며 "내부적으로 기술을 점검하고 있다"고 말했다. 인터포저는 최첨단 반도체 제조에 쓰이는 2.5D 패키징용 소재다. 2.5D 패키징은 칩과 기판 사이에서 얇은 막 형태 인터포저를 삽입해, 칩 성능을 끌어올리는 기술이다. 글래스 인터포저는 기존 실리콘 소재 대비 표면이 매끄럽기 때문에 세밀한 회로 구현이 가능하다. 고온에 대한 내구성과 전력효율성도 뛰어나, 패키징 공정 안정성도 높일 수 있다. 글래스 인터포저는 AI 가속기 등 고성능 칩에서 수요가 증가할 수 있다. 삼성디스플레이는 패널 업체로서 유리기판 관련 기술력을 축적했다. 그룹 계열사인 삼성전자·삼성전기도 반도체 패키징 관련 사업을 진행하고 있어, 그룹 차원의 시너지 효과도 도모할 수 있다. 올해 사업 전망은 다소 불확실성이 많을 것으로 내다봤다. 메모리 반도체 가격의 급격한 상승이 세트 수요에 영향을 미치고 있고, 최근 발발된 미국-이란 전쟁으로 원재료 수급·물류비 상승 등이 예상되기 때문이다. 이 사장은 "디스플레이는 석유 기반 소재를 많이 활용하기 떄문에 전쟁이 장기화되면 영향이 커질 것"이라며 "극복 방법은 사실상 없기 때문에, 원가구조 혁신과 협력사와 노력으로 경쟁력을 끌어올려야할 것"이라고 말했다. 올해 양산이 본격화되는 8.6세대 IT 유기발광다이오드(OLED)에 대해서는 "전체적으로 잘 진행되고 있고, 생산도 정상적으로 될 것이라고 생각한다"며 "IT 시장이 다시 한 번 붐을 일으키는 것이 중요할 것"이라고 밝혔다. 협회 차원에서 국내 디스플레이 업계 기술 유출 방지 중요성도 강조했다. 이 사장은 "기술 하나가 유출되면 산업에 어마어마한 타격을 입힐 수 있다"며 "간첩죄 수준 법안이 상정돼 있는 것으로 알고 있고, 협회 차원에서도 정책 보완을 위해 노력할 것"이라고 말했다.

2026.03.12 10:57장경윤 기자

다이가 다르다...삼성·SK, 차세대 HBM '두뇌' 로직다이서 엇갈린 전략

차세대 고대역폭메모리 HBM4 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스 간 주도권 경쟁이 치열합니다. AI 시대의 핵심 인프라로 성장한 HBM4는 글로벌 메모리 1위 자리를 놓고 벌이는 삼성과 SK의 자존심이 걸린 한판 승부이자 대한민국 경제의 미래이기도 합니다. HBM4 시장을 기점으로 차세대 메모리 기술은 물론 공급망까지 두 회사의 미래 AI 비전이 완전히 다른 양상으로 흘러갈 수 있기 때문입니다. 지디넷코리아가 창과 방패의 싸움에 비유되는 삼성과 SK 간 치밀한 AI 메모리 전략을 4회에 걸쳐 진단해 봅니다. (편집자주) 삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 고대역폭메모리(HBM)용 로직(베이스) 다이(Die) 공정을 고도화하는 가운데, 다소 상이한 입장 차이를 보이고 있다. 삼성전자는 성능을 최우선으로 초미세 공정을 적극 채용할 계획이다. SK하이닉스 역시 고객사 요구에 맞춰 공정 미세화를 추진하고 있지만 기본적으로 비용 효율화에 무게를 두는 전략을 구사하고 있다. 양 사의 전략적 기술 판단이 향후 어떤 시장 판도 변화나 결과를 초래할지 관심이 쏠린다. 11일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 HBM용 로직 다이 공정 개발에서 다른 전략을 취하고 있다. ■ 삼성전자, 로직 다이 공정 고도화 '전념'…2나노까지 설계 로직 다이는 HBM의 컨트롤러 기능을 담당하는 칩이다. 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 코어 다이 아래에 위치해 있다. HBM과 GPU 등 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결해, 데이터를 고속으로 주고받을 수 있도록 만든다. HBM에서 로직 다이가 차지하는 중요도는 점차 높아지는 추세다. HBM 세대가 진화할수록 핀 당 처리 속도 향상, D램 적층 수 증가 등으로 로직 다이에 요구되는 성능도 올라가야 하기 때문이다. 이에 삼성전자·SK하이닉스는 HBM4부터 로직 다이를 기존 D램 공정에서 더 미세화된 파운드리 공정으로 옮겨 제조하고 있다. 로직 다이에서 선단 공정을 가장 적극적으로 채택하고 있는 기업은 삼성전자다. 앞서 삼성전자는 지난 2023년께 HBM4에 적용될 로직 다이 공정을 당초 8나노미터(nm)에서 4나노로 상향 조정한 바 있다. 나아가 삼성전자는 HBM4E부터 본격화될 커스텀 HBM 시대를 준비하기 위해, 로직 다이를 4나노에서 최대 2나노로 설계하고 있다. 2나노는 지난해 하반기부터 양산이 시작된 최첨단 파운드리 공정이다. 현재 시스템LSI사업부 내 커스텀SoC 팀에서 각 고객사에 최적화된 칩 개발을 진행 중인 것으로 파악됐다. 해당 사안에 정통한 관계자는 "HBM 고객사들은 차세대 제품에 더 낮은 전력과 더 높은 대역폭을 동시에 달성하기 원하는데, 삼성전자 내부에서는 이에 대한 근원적 해법을 로직 다이 공정 고도화로 보고 있다"며 "올해 해당 연구개발에 대한 구체적인 성과가 나올 것"이라고 강조했다. ■ SK하이닉스, 미세 공정 준비하면서도 '비용 최적화'에 무게 SK하이닉스는 대만 주요 파운드리 TSMC를 통해 로직 다이를 양산하고 있다. HBM4에는 12나노 공정을 적용했다. SK하이닉스 역시 HBM4E에서는 최대 3나노 공정을 적용할 계획이다. 당초에는 최대 4나노 공정을 채택할 계획이었지만, 고객사 요구 및 성능 향상 등을 이유로 최근 상향 조정한 것으로 알려졌다. 다만 고객사 요구가 크게 반영되지 않는 HBM4E 제품은 기존 HBM4와 마찬가지로 12나노 공정을 채택할 계획이다. 최근 HBM4에서 주요 경쟁사인 삼성전자 대비 로직 다이 성능이 뒤떨어진다는 지적이 제기돼 왔음에도 기존 공정을 고수하기로 했다. 업계는 SK하이닉스가 로직 다이의 무조건적인 성능 향상보다는 비용 최적화에 무게를 둔 것으로 해석하고 있다. 실제로 회사 안팎의 이야기를 종합하면, SK하이닉스는 HBM4E용 로직다이 공정 고도화에 다소 보수적인 입장을 취하고 있다. 그보다는 신규 패키징 공법 등 다른 분야에서 기술적 진보를 이뤄내겠다는 전략이다. 해당 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스는 현재의 로직 다이 공정으로도 HBM4E 대응이 충분히 가능하다고 판단하고 있다. 성능에 심각한 문제가 있다고 인지했다면 공정에 변화를 줬을 것"이라며 "경쟁사와 달리 로직 다이 공정의 급격한 고도화가 효용이 떨어진다고 보고 있다"고 말했다.

2026.03.11 15:35장경윤 기자

美어플라이드-SK하이닉스, AI 최적화 차세대 D램·HBM 개발 장기 협력

미국 반도체 장비기업 어플라이드머티어리얼즈(이하 어플라이드)는 SK하이닉스와 AI 및 고성능 컴퓨팅에 필수적인 차세대 D램과 HBM(고대역폭메모리)의 개발 및 도입을 가속화하기 위한 장기 협력 계약을 체결했다고 11일 밝혔다. 이번 협력에 따라 양사 엔지니어들은 실리콘밸리에 위치한 어플라이드 EPIC(Equipment and Process Innovation and Commercialization) 센터에서 직접 협업한다. 메모리 아키텍처가 현재의 양산 공정을 넘어 차세대 노드로 발전함에 따라 재료 혁신과 공정 통합, 3D 첨단 패키징 전반에서 혁신을 추진할 계획이다. 게리 디커슨 어플라이드 회장 겸 최고경영자(CEO)는 "어플라이드 머티어리얼즈와 SK하이닉스는 재료공학 혁신을 통해 첨단 메모리 칩의 에너지 효율 성능을 개선해 온 오랜 협력의 역사를 공유하고 있다"며 "SK하이닉스를 EPIC 센터의 창립 파트너로 맞이하게 되어 기쁘며, AI 시대를 위한 차세대 D램과 HBM 기술의 상용화를 앞당기는 의미 있는 혁신을 함께 만들어가길 기대한다"고 말했다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장(CEO)은 "AI 시스템의 지속적인 확장은 에너지 효율적인 메모리 기술에 대한 전례 없는 수요를 만들어내고 있다"며 "AI 발전의 가장 큰 과제는 메모리 속도와 프로세서 성능 간 격차가 점점 벌어지고 있다는 점”이라고 밝혔다. 그는 이어 “이러한 한계를 극복하기 위해 SK하이닉스의 첨단 메모리 기술은 더 빠르고 에너지 효율적인 데이터 처리를 가능하게 하고 있으며, 새로운 EPIC 센터에서 어플라이드 머티어리얼즈와의 협력을 통해 AI에 최적화된 차세대 메모리 솔루션을 구현할 혁신 로드맵을 제시할 수 있기를 기대한다"고 덧붙였다. 어플라이드와 SK하이닉스는 차세대 메모리를 위한 장기 반도체 R&D(연구개발) 과제를 공동으로 해결하기 위해 포괄적인 기술 개발 계약을 체결했다. 초기 공동 혁신 프로그램은 신소재 탐색, 복합 공정 통합 방식, HBM급 첨단 패키징 구현에 초점을 맞추며, 이를 통해 미래 메모리 아키텍처의 성능과 양산성을 동시에 향상시키는 것을 목표로 한다. 이번 협력은 EPIC 센터의 '고속 공동 혁신(High-velocity co-innovation)' 모델을 기반으로 진행된다. SK하이닉스 엔지니어들은 어플라이드 기술진과 함께 직접 협업하며 신기술 개발을 가속할 예정이다. 또한 SK하이닉스는 싱가포르에 위치한 업계 선도적인 어플라이드의 첨단 패키징 R&D 역량을 활용해 디바이스 수준의 혁신과 이종 집적(Heterogeneous integration)을 연계하며 3D 첨단 패키징 분야의 새로운 과제에 대응할 계획이다. 프라부 라자 어플라이드 머티어리얼즈 반도체 제품 그룹 사장은 "메모리 기술의 지속적인 발전은 디바이스와 패키징 전반에 걸친 재료공학 혁신에 점점 더 의존하고 있다"며 "실리콘밸리 EPIC 센터와 싱가포르의 첨단 패키징 역량을 결합함으로써 SK하이닉스와의 협력은 전체 기술 스택을 공동 최적화하고 양산이 가능한 메모리 혁신으로 가는 길을 더욱 빠르게 열어줄 것"이라고 말했다. 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(CTO)은 "AI 시대 메모리 기술 발전을 위해서는 웨이퍼 팹 장비 개발에 대한 새로운 접근이 필요하다"며 "어플라이드 머티어리얼즈와의 공동 혁신 프로그램은 디바이스 엔지니어링과 첨단 패키징 전반에 걸쳐 신소재, 공정 통합, 열 관리 기술에 초점을 맞출 계획이다. EPIC 센터에서 어플라이드 엔지니어들과 작업함으로써 더 빠른 학습 주기와 양산 수준의 기술 검증을 통해 차세대 AI 메모리 개발을 앞당길 것"이라고 설명했다. 올해 가동을 앞둔 EPIC 센터에 업계 주요 기업들의 참여가 이어지고 있으며, SK하이닉스는 창립 파트너로 합류한다. 어플라이드의 신규 EPIC 센터는 50억 달러 규모로 미국 내 역대 최대 첨단 반도체 장비 R&D 투자다. 초기 연구 단계부터 대규모 양산에 이르기까지 혁신 기술의 상용화 기간을 획기적으로 단축하도록 설계됐으며, 칩 제조사들은 어플라이드의 R&D 포트폴리오에 보다 이른 시점부터 접근하고 빠른 학습 주기를 확보해 차세대 기술의 양산 전환을 앞당길 수 있다. EPIC 센터의 공동 혁신 프로그램은 어플라이드에 멀티 노드 관점의 가시성을 제공해 R&D 투자 방향을 정교화하고 R&D 생산성과 가치 창출을 동시에 높이는 역할을 한다.

2026.03.11 09:18장경윤 기자

차세대 HBM '두께 완화' 본격화…삼성·SK 본딩 기술 향방은

차세대 고대역폭메모리 HBM4 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스 간 주도권 경쟁이 치열합니다. AI 시대의 핵심 인프라로 성장한 HBM4는 글로벌 메모리 1위 자리를 놓고 벌이는 삼성과 SK의 자존심이 걸린 한판 승부이자 대한민국 경제의 미래이기도 합니다. HBM4 시장을 기점으로 차세대 메모리 기술은 물론 공급망까지 두 회사의 미래 AI 비전이 완전히 다른 양상으로 흘러갈 수 있기 때문입니다. 지디넷코리아가 창과 방패의 싸움에 비유되는 삼성과 SK 간 치밀한 AI 메모리 전략을 4회에 걸쳐 진단해 봅니다. (편집자주) 주요 반도체 기업들이 20단 적층이 필요한 차세대 고대역폭메모리(HBM) 두께 표준을 완화하는 방안을 논의 중인 것으로 파악됐다. 올해 본격 상용화되는 HBM4(6세대 HBM)의 두께인 775마이크로미터(μm)를 넘어, 825~900마이크로미터 수준까지 거론되고 있는 상황이다. 6일 지디넷코리아 취재를 종합하면 국제반도체표준화기구(JEDEC) 참여사들은 차세대 HBM의 두께를 기존 대비 크게 완화하는 방안을 논의 중이다. 차세대 HBM 두께 표준, 825~900μm 이상 논의 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 각 D램 사이를 미세한 범프로 연결한 차세대 메모리다. 앞서 HBM 표준은 HBM3E까지 두께가 720마이크로미터였으나, HBM4에 들어서며 775마이크로미터로 상향된 바 있다. HBM4의 D램 적층 수가 12단·16단으로 이전 세대(8단·12단) 대비 더 많아진 것이 주된 영향을 미쳤다. 나아가 업계는 HBM4E·HBM5 등 D램을 20단 적층하는 차세대 HBM의 표준 두께 완화를 논의하고 있다. 현재 거론되고 있는 두께는 825마이크로미터에서부터 900마이크로미터 이상이다. 900마이크로미터 이상으로 표준이 제정되는 경우, 이전 상승폭을 크게 상회하게 될 전망이다. 반도체 업계 관계자는 "JEDEC에서는 제품이 상용화되기 1년~1년 반 전에 중요한 표준을 제정해야 하기 때문에, 현재 차세대 HBM 두께에 대한 논의가 활발히 진행되고 있다"며 "벌써 900마이크로미터 이상의 두께까지 거론되는 상황"이라고 말했다. JEDEC은 반도체 제품의 규격을 정하는 국제반도체표준화기구다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 기업은 물론 인텔, TSMC, 엔비디아, AMD 등 전세계 주요 반도체 기업들이 참여하고 있다. 당초 업계는 HBM의 두께 상승을 매우 엄격히 제한해 왔다. HBM이 무한정 두꺼워질 경우, 함께 수평으로 집적되는 GPU 등 시스템반도체와의 두께를 동일하게 맞추기 어려워진다. D램 간 간격이 너무 멀어지면 데이터 전송 통로가 길어져, 성능 및 효율이 저하되는 문제도 발생한다. 때문에 메모리 기업들은 HBM 두께를 완화하기 위한 갖가지 기술을 시도해 왔다. 코어 다이인 D램의 뒷면을 얇게 갈아내는 씨닝 공정, D램 간 간격을 줄이기 위한 본딩 기술 등이 대표적이다. 메모리·파운드리 모두 HBM 두께 표준 완화 원해 그럼에도 반도체 업계가 차세대 HBM의 두께 완화를 적극 논의하는 데에는 크게 두 가지 이유가 있다. 우선 차세대 HBM이 20단으로 적층되기 때문이다. 기존 업계에서 채용해 온 씨닝 공정, D램 간 간격을 줄이는 본딩 기술 등으로는 HBM을 더 얇게 만드는 데 한계를 보이고 있다. 주요 파운드리 기업인 TSMC의 신규 패키징 공정도 영향을 미치고 있다는 분석이다. 현재 TSMC는 HBM과 GPU를 단일 AI 가속기로 패키징하는 2.5D 공정(CoWoS)을 사실상 독점으로 수행하고 있다. 2.5D란, 칩과 기판 사이에 넓다란 인터포저를 삽입해 패키징 성능을 높이는 기술이다. TSMC가 구상 중인 2.5D 패키징의 다음 세대는 'SoIC(system-on-Integrated Chips)'다. SoIC는 시스템반도체를 매우 미세한 간격으로 수직(3D) 적층한다. AI 가속기에 적용되는 TSMC-SoIC의 경우 적층된 시스템반도체와 HBM을 결합하는 구조다. TSMC-SoIC가 적용되면 시스템반도체의 두께는 기존 775마이크로미터에서 수십 마이크로미터 이상 두꺼워지게 된다. HBM의 두께 표준도 자연스럽게 완화될 수밖에 없는 구조다. 현재 엔비디아·아마존웹서비스(AWS) 등이 TSMC-SoIC 채택을 계획 중인 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "단순히 메모리 공급사만이 아닌, 파운드리 기업 입장에서도 차세대 HBM 두께 완화에 대한 니즈가 있다"며 "실제 채택 가능성을 확언할 수는 없는 단계이지만, 주요 기업들 사이에서 논의가 오가는 것은 사실"이라고 설명했다. 업계 "하이브리드 본딩 수요 낮아질 수 있어" 업계는 해당 논의가 하이브리드 본딩과 같은 신규 본딩 공정의 도입 속도를 늦추는 요인이 될 것으로 해석하고 있다. 본딩은 HBM 내부의 각 D램을 접합하는 공정으로, 현재는 열과 압착을 이용한 TC 본딩이 주류를 이루고 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 기술이다. D램 사이사이에 범프를 쓰지 않아 D램간 간격이 사실상 '0'에 수렴한다. HBM 전체 패키지 두께를 줄이는 데 매우 유리한 셈이다. 다만 하이브리드 본딩은 기술적 난이도가 매우 높다. ▲각 칩을 공백없이 접합하기 위해서는 칩 표면의 미세한 오염물질을 모두 제거해야 하고 ▲칩 표면을 완벽히 매끄럽게 만드는 CMP(화학기계연마) 공정 ▲각 구리 패드를 정확히 맞물리게 하는 높은 정렬도를 갖춰야 한다. 20개에 달하는 칩을 모두 접합하는 과정에서 수율도 급격히 하락할 수 있다. 때문에 주요 메모리 기업들은 하이브리드 본딩을 지속 연구개발해왔으나, 아직까지 HBM 제조 공정에 양산 적용하지는 않고 있다. 하이브리드 본딩을 가장 적극적으로 개발 중인 삼성전자도 빨라야 HBM4E 16단에서 해당 기술을 일부 적용할 것으로 전망된다. 이러한 상황에서 차세대 HBM의 두께 표준이 완화되면 메모리 기업들은 TC 본더를 통한 HBM 양산을 지속할 가능성이 크다. 반도체 업계 관계자는 "업계에서는 HBM 두께가 50마이크로미터 이상만 완화돼도 20단 적층 HBM을 구현할 수 있다는 의견도 나오고 있는 상황"이라며 "하이브리드 본딩이 도입되더라도 기존 설비를 전면 교체할 수 없고, 투자에 막대한 비용이 드는 만큼 메모리 기업들이 차세대 HBM 두께 완화에 우호적인 것으로 안다"고 말했다.

2026.03.06 10:41장경윤 기자

유니테스트, SK하이닉스 HBM4용 '번인 테스터' 양산 검증 완료

반도체 검사장비 전문기업 유니테스트가 SK하이닉스 HBM4(6세대 고대역폭메모리)용 번인 테스터(Burn-in Tester) 공급망에 합류한 것으로 파악됐다. 5일 업계에 따르면 유니테스트는 지난달 SK하이닉스와의 HBM4용 번인 테스터 양산 퀄(품질) 테스트를 완료했다. 번인 테스터는 반도체에 극한의 고온·고전압 환경을 가하고, 이후 제품의 불량 여부를 판별하는 장비다. HBM4는 이전 세대 대비 데이터 처리 속도 상승, D램 적층 수 증가해 이에 대응하는 신규 테스트가 필요하다. 이에 SK하이닉스는 국내 복수의 후공정 장비기업들로부터 HBM4용 번인 테스터 검증을 진행해 왔다. 유니테스트의 경우 지난해 데모 장비로 성능 평가를 통과해, 지난달 양산용 퀄테스트까지 성공적으로 마무리한 것으로 파악됐다. 회사가 HBM 공급망 진입하는 것은 이번이 처음이다. 관건은 실제 수주량이다. SK하이닉스는 올해부터 HBM4 양산을 본격적으로 확대할 계획으로, 지난해 말부터 HBM4 번인 테스터에 대한 초도 발주에 나섰다. 청주 P&T(패키징&테스트), M15X 등 팹 투자도 적극 진행하고 있어, 연간으로 지속적인 투자가 진행될 것으로 예상된다. 다만 SK하이닉스 HBM4용 번인 테스터 공급망은 또 다른 장비기업인 디아이가 자회사 디지털프론티어를 통해 지난해 말 선제적으로 진입한 바 있다. 유니테스트는 세컨 벤더의 지위다. 반도체 업계 관계자는 "최근 유니테스트가 HBM4 공급망에 합류한 만큼, 조만간 가시적인 수주 성과가 나타날 가능성이 있다"며 "물론 이미 경쟁사가 진입해 있기 때문에 공급 비중을 최대한 빠르게 확보해야할 것"이라고 말했다.

2026.03.05 10:29장경윤 기자

인텔 "올 하반기 EMIB 패키징 고객사 확보 예상"

인텔이 4일(현지시간) 모건스탠리 테크 컨퍼런스에서 "이르면 올 하반기에 수십억 달러 규모 패키징 고객사를 확보할 가능성이 있다"고 밝혔다. 인텔은 서로 다른 공정에서 생산된 반도체를 2.5차원 평면으로 연결하는 패키징 기술인 'EMIB'를 가지고 있다. EMIB 기술을 이용해 생산된 반도체는 지난 해 9월 기준 2천만 개 이상 출하됐지만 주로 인텔 자체 생산 제품에만 적용됐다. 데이브 진스너 인텔 최고재무책임자(CFO)는 "수십 억 달러 매출을 실현할 EMIB, EMIB-T 패키징 고객사 확보가 이르면 올 하반기에도 가능할 것"이라고 설명했다. 실제로 지난 1월 말에는 대만 공급망 중심으로 엔비디아가 차세대 GPU '파인만' 생산 중 패키징 분야에서 인텔과 협력할 수 있다는 관측이 나오기도 했다. 데이브 진스너 CFO는 또 "인텔 18A(1.8나노급)와 인텔 14A(1.4나노급) 공정이 외부 고객 수요를 이끌어낼 핵심 요소"라고 밝혔다. 이어 "인텔 18A 파생 공정인 인텔 18A-P는 전력 효율 및 커스터마이즈 가능성 덕분에 외부 기업의 관심이 확대되고 있다"고 설명했다. 이날 데이브 진스너 CFO는 1.4나노급 인텔 14A 공정 일정도 재확인했다. 그는 "현재 인텔 14A 공정 잠재 고객사와 협업하고 있으며 내년 리스크 생산 진입, 2029년 본격 양산할 것"이라고 설명했다. 데이브 진스너의 발언 이후 인텔 주가는 전날 대비 5.75% 오른 45.58달러로 마감했다. 이후 장외 시장에서도 약 0.6% 오른 45.81달러로 오름세를 지속중이다.

2026.03.05 09:54권봉석 기자

한미반도체, 주당 800원 총 760억원 배당 결정…창사 이래 최대 규모

한미반도체가 2025년 회계년도 현금배당으로 주당 800원, 총 약 760억원의 창사 최대 규모의 배당을 지급한다고 4일 밝혔다. 이는 기존 최대인 2024년 배당 총액(약 683억원, 주당 720원)를 뛰어넘는 규모다. 배당을 받고자 하는 주주들은 2026년 3월 7일까지 한미반도체 주식을 보유하고 있어야 한다. 인천 서구 주안국가산업단지에 총 9만2867m2(2만8092평), 7개 공장의 반도체 장비 생산 클러스터를 보유한 한미반도체는 주물생산부터 설계, 부품가공, 소프트웨어, 조립 그리고 검사공정까지 외주 가공없이 모두 직접 진행하는 '수직 통합 제조 (Vertical Integration)'을 통해 지난해 창사 최대 매출 5767억원, 영업이익률 43.6%로 업계 최고 수준의 수익성을 기록했다. 생산하는 모든 장비에 슈퍼 아이언 캐스팅 공법으로 제작한 '원 프레임 바디(One FRAME Body)'를 적용해 진동을 최소화하고 경쟁사 대비 월등히 높은 정밀도와 생산성을 실현하는 점은 한미반도체만이 갖고있는 특징이다. TC본더 시장에서 71.2% 점유율로 글로벌 1위를 차지하며 시장을 주도하고 있는 한미반도체는 지난해 HBM4 생산용 'TC 본더4'를 출시한데 이어, 올해 하반기에 HBM5·HBM6 생산용 '와이드 TC 본더'를 출시할 계획이다. 와이드 HBM은 기술적 난제로 상용화가 지연되고 있는 HBM 양산용 하이브리드본더(HB)의 공백을 보완할 새로운 타입의 TC 본더로 주목받고 있다. 이와 동시에 한미반도체는 2020년 이미 개발한 HBM 하이브리드 본더 원천 기술을 기반으로, 2029년경으로 예상되는 16단 이상 HBM 양산 시점에 맞춰 차세대 첨단 하이브리드 본더 출시를 위해 글로벌 고객사와 긴밀히 소통하고 있다. 부가가치가 높은 AI 패키징 분야에서도 신규 장비를 선보였다. 지난주 세계 최초로 BOC(Board On Chip)와 COB(Chip On Board)공정을 한 대의 장비에서 생산 가능한 'BOC COB 본더'를 출시했다. 고성능 적층형 GDDR과 적층형 낸드플래쉬칩 생산 필수 공정 장비로 글로벌 메모리 고객사 인도 구자라트 공장에 공급했다. 또한 올해 '빅다이 FC 본더'를 시작으로 '빅다이 TC 본더', '다이 본더' 등 라인업을 지속 확대하며 중국과 대만의 파운드리, OSAT 기업에 공급을 확대할 계획이다. 한미반도체 관계자는 “이번 760억원의 창사 최대 배당을 시작으로 앞으로 배당 성향을 계속 확대할 계획이며, 주주 환원과 기업 가치 제고를 위해 더욱 노력하겠다”고 밝혔다. 한편 한미반도체는 지난달 28일 인도 구자라트주 사난드에서 개최된 마이크론 테크놀로지 인도 최초 반도체 공장 오픈식에 참석하며, 마이크론 인도 공장의 가장 중요한 장비 공급사의 위상을 다시 한번 확인했다.

2026.03.04 09:52장경윤 기자

SK하이닉스, HBM4 '성능 점프' 비책 짰다…新패키징 기술 도입 추진

차세대 고대역폭메모리 HBM4 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스 간 주도권 경쟁이 치열합니다. AI 시대의 핵심 인프라로 성장한 HBM4는 글로벌 메모리 1위 자리를 놓고 벌이는 삼성과 SK의 자존심이 걸린 한판 승부이자 대한민국 경제의 미래이기도 합니다. HBM4 시장을 기점으로 차세대 메모리 기술은 물론 공급망까지 두 회사의 미래 AI 비전이 완전히 다른 양상으로 흘러갈 수 있기 때문입니다. 지디넷코리아가 창과 방패의 싸움에 비유되는 삼성과 SK 간 치밀한 AI 메모리 전략을 4회에 걸쳐 진단해 봅니다. (편집자주) SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)용 패키징 기술 변혁을 꾀한다. 대대적인 공정 전환 없이 HBM의 안정성과 성능을 강화할 수 있는 기술을 고안해, 현재 검증을 진행 중인 것으로 파악됐다. 실제 상용화가 이뤄지는 경우, 엔비디아가 요구하는 HBM4(6세대)의 최고 성능 달성은 물론 차세대 제품에서의 성능 강화도 한층 수월해질 것으로 예상된다. 이에 해당 기술의 성패에 업계의 이목이 쏠린다. 3일 지디넷코리아 취재를 종합하면 SK하이닉스는 HBM 성능 강화를 위한 새로운 패키징 기술 적용을 추진하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, 실리콘관통전극(TSV)를 뚫어 연결한 메모리다. 각 D램은 미세한 돌기의 마이크로 범프를 접합해 붙인다. HBM4의 경우 12단 적층 제품부터 상용화된다. SK하이닉스는 현재 HBM4의 초도 양산을 시작했다. HBM4의 리드타임(제품 양산, 공급에 필요한 전체 시간)이 6개월 내외인 만큼, 엔비디아와의 공식적인 퀄(품질) 테스트 마무리에 앞서 선제적으로 제품을 양산하는 개념이다. HBM4 공급은 문제 없지만…최고 성능 구현 고심 그간 업계에서는 SK하이닉스 HBM4의 성능 및 안정성 저하를 우려해 왔다. 엔비디아가 HBM4의 최대 성능(핀 당 속도)을 당초 제품 표준인 8Gbps를 크게 상회하는 11.7Gbps까지 요구하면서, 개발 난이도가 급격히 상승한 탓이다. 실제로 SK하이닉스 HBM4는 AI 가속기를 결합하는 2.5D 패키징 테스트 과정에서 최고 성능 도달에 어려움을 겪어, 올해 초까지 일부 회로의 개선 작업을 거쳐 왔다. 이에 따라 본격적인 램프업(대량 양산) 시점도 당초 업계 예상보다 일정이 늦춰진 상황이다. 다만 업계 이야기를 종합하면, SK하이닉스가 엔비디아향 HBM4 공급에 큰 차질을 겪을 가능성은 현재로선 매우 낮은 수준이다. 주요 배경은 공급망에 있다. 엔비디아가 HBM4에 높은 사양을 요구하고 있긴 하지만, 이를 고집하는 경우 올 하반기 최신형 AI 가속기 '루빈'을 충분히 공급하는 데 제약이 생길 수 있다. 현재 HBM4에서 가장 좋은 피드백을 받고 있는 삼성전자도 수율, 1c D램 투자 현황 등을 고려하면 당장 공급량을 확대하기 어렵다. 때문에 업계는 엔비디아가 초기 수급하는 HBM4의 성능 조건을 10Gbps대로 완화할 가능성이 유력하다고 보고 있다. 반도체 전문 분석기관 세미애널리시스는 최근 보고서를 통해 "엔비디아가 루빈 칩의 총 대역폭을 당초 22TB/s로 목표했으나, 메모리 공급사들은 엔비디아의 요구 사항을 충족하는 데 어려움을 겪고 있는 것으로 파악된다"며 "초기 출하량은 이보다 낮은 20TB/s(역산하면 HBM4 핀 당 속도가 10Gbps급)에 가까울 것으로 예상한다"고 밝혔다. 반도체 업계 관계자는 "HBM 공급망은 단순 속도가 아니라 수율·공급망 안정성 등 어려 요소가 고려돼야 하기 때문에, SK하이닉스가 가장 많은 물량을 공급할 것이라는 전망은 여전히 유효하다"며 "다만 최고 성능 도달을 위한 개선 작업도 지속적으로 병행하는 등 기술적으로 안주할 수 없는 상황"이라고 말했다. HBM 성능 한계 돌파할 '신무기' 준비…현재 검증 단계 이와 관련, 현재 SK하이닉스는 HBM4 및 차세대 제품에 적용하는 것을 목표로 새로운 패키징 공법 도입을 시도하고 있다. 업계가 지목하는 HBM4 성능 제약의 가장 큰 요인은 입출력단자(I/O) 수의 확장이다. I/O는 데이터 송수신 통로로, HBM4의 경우 이전 세대 대비 2배 증가한 2048개가 구현된다. 그런데 I/O 수가 2배로 늘면 밀집된 I/O끼리 간섭 현상이 발생할 수 있다. 또한 전압 문제로 하부층의 로직 다이(HBM 밑에서 컨트롤러 역할을 담당하는 칩)에서 가장 높은 상부층까지 전력이 충분히 전달되기가 어렵다. 특히 SK하이닉스는 주요 경쟁사인 삼성전자 대비 한 세대 이전의 1b(5세대 10나노급) D램을 채용한다. 로직 다이도 TSMC의 12나노미터(nm) 공정으로, 삼성전자(삼성 파운드리 4나노) 대비 집적도가 낮다. 때문에 기술적으로 I/O 수 증가에 따른 문제에 취약하다. 대대적 공정 전환 없이 HBM 성능·안정성 향상…상용화 여부 주목 이에 SK하이닉스는 새로운 패키징 공법으로 새로운 비책을 마련하고 있는 것으로 파악됐다. 핵심은 ▲코어 다이 두께 향상, 그리고 ▲D램 간 간격(Gap) 축소다. 우선 일부 상부층 D램의 두께를 이전보다 두껍게 만든다. 기존엔 HBM4의 패키징 규격(높이 775마이크로미터)을 맞추기 위해 D램의 뒷면을 얇게 갈아내는 씨닝 공정이 적용된다. 다만 D램이 너무 얇아지면 칩 성능이 저하되거나 외부 충격에 쉽게 손상을 받을 수 있다. 때문에 SK하이닉스는 D램의 두께 향상으로 HBM4의 안정성을 강화하려는 것으로 풀이된다. 또한 D램 간 간격을 더 줄여, 전체 패키징 두께가 늘어나지 않도록 하는 동시에 전력 효율성을 높였다. 각 D램의 거리가 가까워지면 데이터가 더 빠르게 도달하게 되고, D램 최상층으로 전력이 도달하는 데 필요한 전력이 줄어들게 된다. 관건은 구현 난이도다. D램 간 간격이 줄어들면 MUF(몰디드언더필) 소재를 틈에 안정적으로 주입하기 힘들어진다. MUF는 D램의 보호재·절연체 등의 역할을 담당하는 소재로, 고르게 도포되지 않고 공백(Void)가 생기면 칩의 불량을 야기할 수 있다. SK하이닉스는 이를 해결할 수 있는 새로운 패키징 기술을 고안해냈다. 구체적인 사안은 밝혀지지 않았으나, 대대적인 공정 및 설비 변화 없이 D램 간격을 안정적인 수율로 줄일 수 있는 것이 주 골자다. 최근 진행된 내부 테스트 결과 역시 긍정적인 것으로 알려졌다. 만약 SK하이닉스가 해당 기술을 빠르게 상용화하는 경우, HBM4 및 차세대 제품에서 D램 간격을 효과적으로 줄일 수 있을 것으로 예상된다. 반대로 해당 기술이 양산 적용에 난항을 겪을 가능성도 남아 있다. 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스가 기존 HBM의 한계를 극복하기 위한 새로운 패키징 공법을 고안해, 현재 검증 작업을 활발히 거치고 있다"며 "대규모 설비투자 없이 HBM 성능을 개선할 수 있기 때문에 상용화 시에는 파급 효과가 적지 않을 것"이라고 설명했다.

2026.03.03 14:29장경윤 기자

한미반도체, 마이크론 印 반도체 공장 오픈식 참석...핵심 협력사 지위 굳건

한미반도체는 지난달 28일 인도 구자라트주 사난드에서 개최된 마이크론 테크놀로지 인도 최초 반도체 공장 오픈식에 참석했다고 3일 밝혔다. 이번 마이크론 인도 공장 오픈식에는 나렌드라 모디 인도 총리가 참석해 기념사를 발표했으며, 인도 정부 관계자, 마이크론 산자이 메로트라 회장과 주요 임원진 등이 대거 참석했다. 한미반도체는 마이크론 인도 공장의 가장 중요한 장비 공급사로 초청받으며 핵심 협력사의 위상을 확립했다. 마이크론 인도 공장은 총 27억5000만 달러(약 4조원)가 투자된 첨단 패키징 공장이다. 인도 반도체 산업 육성을 위해 인도 정부가 50%, 구자라트주가 20%의 보조금을 각각 지원하며 국가 전략 프로젝트로 추진됐다. 50만 평방피트(약 1만4000평)에 달하는 세계 최대 규모의 단일층 클린룸을 갖추고 있으며, 이는 축구장 7개 규모에 달하는 면적이다. 앞으로 적층형 GDDR(그래픽 D램)과 기업용 eSSD(기업용 SSD) 등 고성능 AI 메모리의 테스트, 패키징 거점으로 운영될 계획이다. 현재 인도 구자라트에서 생산하고 있는 DDR5 D램은 마이크론 최첨단 D램 공정이 적용된 최신의 1감마 공정 제품으로 올해 수천만 개의 칩을 패키징·테스트를 시작하고 내년에는 수억 개로 생산량을 확대할 계획이라고 밝혔다. 이에 따라 AI 메모리 반도체칩을 적층 생산하는 TC본더와 같은 첨단 반도체 패키징 장비에 약 1조원에서 2조원이 투자될 예정이다. 인도 반도체 미션의 승인을 받은 첫 번째 프로젝트이자 인도 최초의 반도체 공장이라는 역사적 의미도 지닌다. 이는 인도가 글로벌 반도체 공급망에서 핵심 제조 거점으로 도약하는 중요한 이정표로 평가받는다. 인도 정부는 '세미콘 인디아' 정책을 통해 약 100억 달러(약 14조5000억원) 규모의 보조금을 가동하며 글로벌 반도체 제조 허브로 도약을 추진하고 있다. 신규 공장의 안정적 가동을 위해서는 첨단 정밀 본딩 기술과 신속한 기술 지원이 필수적이다. 한미반도체는 마이크론의 핵심 협력사로서 인도 현지에 엔지니어를 파견해 밀착형 기술을 지원하고, 교육 프로그램을 운영하는 등 장기적 협력을 이어나갈 방침이다. 지난해 한미반도체는 마이크론으로부터 '탑 서플라이어'상을 수상하며 최우수 협력사로 선정된 바 있다. 한미반도체 관계자는 “마이크론의 인도 공장 오픈식과 라운드 테이블 참석은 한미반도체가 글로벌 반도체 공급망의 핵심 협력사로서 위상을 다시 한번 인정받는 계기”라며 “인도 현지에 엔지니어를 파견하고 적극적인 기술을 지원으로 고객 만족을 위해 노력하겠다”고 밝혔다.

2026.03.03 08:51장경윤 기자

삼성 HBM4 자신감의 근원 '1c D램'…다음 목표는 수율 개선

차세대 고대역폭메모리 HBM4 시장을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스 간 주도권 경쟁이 치열합니다. AI 시대의 핵심 인프라로 성장한 HBM4는 글로벌 메모리 1위 자리를 놓고 벌이는 삼성과 SK의 자존심이 걸린 한판 승부이자 대한민국 경제의 미래이기도 합니다. HBM4 시장을 기점으로 차세대 메모리 기술은 물론 공급망까지 두 회사의 미래 AI 비전이 완전히 다른 양상으로 흘러갈 수 있기 때문입니다. 지디넷코리아가 창과 방패의 싸움에 비유되는 삼성과 SK 간 치밀한 AI 메모리 전략을 4회에 걸쳐 진단해 봅니다. (편집자주) 삼성전자가 AI 산업 인프라의 핵심 메모리인 6세대 HBM4(고대역폭메모리) 시장 경쟁에서 강한 자신감을 내보이고 있다. HBM의 핵심 기술요소에 경쟁사 대비 진일보된 공정을 사용하면서, 최대 고객사인 엔비디아(NVIDIA)가 요구하는 최고 성능을 가장 최적으로 달성했다는 평가가 나오고 있다. 특히 삼성전자는 코어 다이인 1c(6세대 10나노급) D램의 칩 사이즈를 키우는 결단을 내린 바 있다. 칩 사이즈가 커지면 D램 및 HBM4의 안정성을 동시에 높일 수 있다. 반면 이 같은 결정은 웨이퍼 당 생산 가능한 칩 수량을 줄어들기 때문에 수익성 측면에서는 불리하게 작용한다. 또한 1c D램의 수율이 아직 60% 내외인 만큼, 삼성전자가 최대한 빠르게 공정 고도화에 나서야 한다는 의견도 제기된다. 27일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 엔비디아향 HBM4 선제 양산 출하와 더불어 1c D램 수율 고도화에 집중하고 있다. HBM4는 올해 본격적인 상용화가 예상되는 차세대 HBM이다. 엔비디아의 최신형 AI 가속기인 '루빈' 칩에 본격 채용되며, 이전 세대 대비 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수가 2배 증가한 2048개로 성능을 크게 높였다. 특히 엔비디아는 메모리 공급사에 HBM4에 요구되는 성능 기준을 꾸준히 높일 것을 요청해 왔다. 당초 국제반도체표준화기구(JEDEC)의 HBM4 성능 표준은 8Gbps 급이었으나, 최근 메모리 공급사는 이를 11.7Gbps까지 높여 엔비디아와 테스트를 진행한 바 있다. 삼성 HBM4 자신감의 근원 1c D램…"칩 사이즈 키워 안정화" 아직 정식 퀄테스트 일정이 최종적으로 완료된 것은 아니지만, 삼성전자는 내부적으로 HBM4 상용화에 강한 자신감을 보이고 있다. 지난 12일 HBM4 양산 출하식을 선제적으로 진행한 것이 대표적인 예시다. 당시 삼성전자는 "HBM4 개발 착수 단계부터 JEDEC 기준을 상회하는 성능 목표를 설정했다"며 "재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다"고 강조했다. 이같은 자신감의 근간은 HBM4에 적용된 최선단 공정이다. 삼성전자는 HBM4 코어 다이에 경쟁사 대비 한 세대 앞선 1c D램을 채용했다. 또한 HBM의 컨트롤러 역할을 담당하는 베이스(로직) 다이를 자사 파운드리의 4나노미터(nm) 공정으로 양산했다. TSMC의 12나노 공정을 적용한 SK하이닉스 대비 상당히 미세화된 공정이다. 당초 업계는 삼성전자의 이같은 기술 승부수에 적잖은 우려를 나타냈다. HBM3E와 동일한 코어 다이(1b D램)를 HBM4에 탑재한 SK하이닉스·마이크론 대비, 수율 측면에서 안정성이 크게 떨어질 수 있어서다. 실제로 삼성전자는 1c D램 개발 초기 단계에서 수율 저조로 문제를 겪은 바 있다. 삼성전자의 돌파구는 1c D램의 '칩 사이즈 확대'였다. 삼성전자는 지난 2024년 말께 1c D램의 설계 일부를 수정하기로 결정했다. 핵심 회로의 선폭은 유지하되, 주변부 회로의 선폭 기준은 일부 완화해 양산 난이도를 낮춘 것이 주 골자다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면, 1c D램 사이즈 확대는 크게 두 가지 효과를 거뒀다. 먼저 1c D램의 수율 향상이다. 주변부 회로의 구현이 이전 대비 수월해지면서, 삼성전자의 1c D램 수율은 비교적 견조한 속도로 개선되고 있다. 업계가 추산하는 삼성전자의 HBM4용 1c D램 수율은 이달 기준 50~60%대다. 또한 칩 사이즈 확대로 HBM 제조에 필수적인 TSV(실리콘관통전극) 공정에서 안정성을 확보했다는 평가다. HBM4는 이전 대비 I/O 수가 늘어나면서 D램에 TSV 홀(구멍)을 더 많이 뚫어야 한다. 삼성전자 1c D램은 가용 면적이 넓어 TSV를 비교적 여유롭게 배치할 수 있는데, 이 경우 TSV 밀도를 완화해 열 관리와 신뢰성 확보에 용이하다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM4의 적기 상용화를 위해 1c D램 칩 사이즈 확대 등 여러 안전 장치를 마련해 온 것으로 안다"며 "덕분에 내부적으로도, 고객사 기준으로도 HBM4에 대한 평가가 좋은 상황"이라고 설명했다. 수익성 측면은 다소 불리…수율 고도화 필요 다만 삼성전자 HBM4의 수익성이 경쟁사 대비 부족하다는 평가도 나온다. 통상 D램 공정이 고도화되면 칩 사이즈가 줄어들어, 동일한 웨이퍼에서 생산량이 더 많아진다. 그러나 삼성전자의 HBM4용 1c D램은 당초 계획 대비 칩 사이즈가 커져 수익성 측면에서 불리하다. 수율 역시 현재 기준으로는 HBM3E와 동일한 코어 다이를 활용하는 경쟁사 대비 낮을 수 밖에 없다. 여기에 각 D램을 쌓고 연결하는 패키징(TC-NCF; 열압착-비전도성 접착 필름)공정 적용 시 수율은 구조적으로 낮아지게 된다. 삼성전자가 HBM4에 적용한 4나노 공정의 가격도 TSMC 12나노 공정 대비 단가가 비싸다. 업계 관계자는 "삼성전자 HBM4에 적용된 코어 다이 및 베이스 다이의 원가 모두 경쟁사보다는 높기 때문에, 빠르게 수율을 높이는 것이 관건"이라고 말했다. 맥쿼리 증권도 최근 리포트를 통해 "삼성전자의 HBM 영업이익률은 낸드보다 낮은 50% 미만으로, 불리한 거래 조건과 낮은 생산 수율, 작은 생산규모로 인한 것"이라며 "추가적인 가격 인상과 수율, 규모 개선을 통해 HBM 마진을 높일 필요가 있다"고 평가했다.

2026.02.27 14:42장경윤 기자

한미반도체, 신규 메모리 패키징 장비 출시…글로벌 고객사 공급

한미반도체는 세계 최초로 'BOC COB 본더'를 출시하고 글로벌 메모리 고객사 인도 구자라트 공장에 공급한다고 27일 밝혔다. 'BOC COB 본더'는 BOC(Board On Chip) 공정과 COB(Chip On Board) 공정을 한 대의 장비에서 생산 가능한 세계 최초의 '투인원 (Two-in-One)' 본딩 장비다. HBM TC 본더 시장을 선도해온 한미반도체는 이번 'BOC COB 본더'를 통해 적층형 GDDR(그래픽 D램)과 eSSD(기업용 SSD) 등 AI 반도체에 적용되는 고성능 메모리 영역으로도 주도권을 확장하며 게임 체인저로서의 입지를 한층 공고히 했다. BOC는 칩을 뒤집어서 붙이는 '플립(Flip)' 기술이 핵심이며 고속신호 전달이 필수적인 D램 제품에 주로 적용된다. COB는 기존 방식인 '논플립(Non-flip)' 기술이 사용되며, 고용량 낸드플래시에 활용되는 공정이다. 그동안 반도체 기업들은 두 공정을 처리하기 위해 각각의 전용 장비를 사용해야 했다. 그러나 한미반도체는 한대의 장비로 두 공정을 처리할 수 있는 '투인원(Two-in-One)' 본딩 장비를 개발함에 따라 기술 경쟁력을 확보했다. 이에 따라 고객사는 제품 설계 변경 시 장비 교체 없이 즉각적인 대응이 가능하다. 또한 장비 한대로 두가지 공장이 가능해진 만큼 고객사는 반도체 생산 공장에서 공간을 효율적으로 활용할 수 있고 설비투자 비용(CAPEX)을 크게 절감할 수 있다. 'BOC COB 본더'에는 한미반도체가 글로벌 1위를 차지하고 있는 TC 본더 설계 노하우가 반영됐다. 특히 반도체 수율의 핵심인 열 관리를 위해 척 테이블(Chuck Table)과 본딩 헤드(Bonding Head)에 첨단 정밀 시스템을 탑재해 다양한 공정 조건에서도 안정적인 온도 제어가 가능하다. 'BOC COB 본더는 고성능 적층형 GDDR과 eSSD 생산에 사용될 예정이다. AI와 데이터센터 확산에 따른 고성능 메모리 수요 급증과 맞물려 신규 장비의 시장 수요가 빠르게 확대될 것으로 기대된다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 글로벌 메모리 시장 규모는 AI 서버 수요 폭발에 힘입어 2026년 5516억 달러(약 799조원)로 전년보다 134% 증가하고, 2027년에는 8427억 달러(약 1221조원)로 전년 보다 53% 증가하며 역대 최대치를 경신할 전망이다. 한미반도체 관계자는 “BOC COB 본더는 BOC와 COB 공정을 모두 지원하는 공정 유연성과 생산 효율성이 핵심 경쟁력”이라며 “글로벌 고객사 공급을 시작으로 올해 실적 향상에 큰 기여를 할 예정이며, 고성능 메모리 시장에서 경쟁 우위를 이어 나가겠다”고 밝혔다. 한편 한미반도체는 2025년 HBM4 생산용 'TC 본더4' 출시에 이어, 올해 하반기 HBM5·HBM6 생산용 '와이드 TC 본더'를 출시할 계획이다. AI 패키징 분야에서는 '빅다이 FC 본더'를 시작으로 '빅다이 TC 본더', '다이 본더' 등 라인업을 지속 확대하며 파운드리, OSAT(반도체 후공정 업체) 기업에 공급을 확대할 예정이다.

2026.02.27 09:34장경윤 기자

한화세미텍, 2세대 하이브리드 본더 개발…상반기 고객사 인도

한화세미텍이 차세대 반도체 패키징 시장의 핵심 기술로 손꼽히는 '하이브리드 본더(Hybrid Bonder)' 개발에 성공했다. 2022년 1세대 하이브리드 본더를 고객사에 납품한 이후 4년 만에 이룬 성과로 향후 차세대 반도체 시장의 큰 변화가 예상된다. 한화세미텍은 개발을 마친 2세대 하이브리드본더 'SHB2 Nano(사진)'를 올 상반기(1~6월) 중 고객사에 인도해 성능 테스트를 진행할 예정이라고 25일 밝혔다. 최근 잇따른 성과를 내고 있는 TC(열압착)본더에 이어 하이브리드 본딩 기술을 통해 차세대 반도체 시장까지 선점한다는 계획이다. 하이브리드 본더는 인공지능(AI) 반도체 고대역폭 메모리(HBM)의 성능과 생산 효율을 획기적으로 끌어올릴 차세대 기술로 주목받고 있다. 칩과 칩을 구리(Cu) 표면에 직접 접합하는 기술로, 16~20단의 고적층 HBM도 얇은 두께로 제조가 가능하다. 칩과 칩 사이 범프(Bump·납과 같은 전도성 돌기)가 없어 기존 제품 대비 데이터 전송 속도가 빠르고 전력 소모도 적다. 한화세미텍의 'SHB2 Nano'에는 위치 오차범위 0.1μm(마이크로미터) 단위의 초정밀 정렬 기술이 적용됐다. 0.1 μm는 머리카락 굵기의 약 1/1000 수준이다. 2022년 1세대 하이브리드 본더를 고객사에 공급한 데 이어 2세대 개발까지 성공한 만큼, 빠른 시일 내에 양산용 장비를 시장에 선보인다는 계획이다. 한화세미텍 관계자는 “첨단 기술 개발에 대한 지속적인 투자로 하이브리드 본딩의 기술적 난제를 풀고 마침내 제품을 시장의 본궤도에 올릴 수 있게 됐다”며 “이번 신기술 개발로 첨단 패키징 시장을 선도할 수 있는 또 다른 발판이 마련됐다”고 말했다. 하이브리드 본더 개발과 함께 TC본더 시장에서의 입지도 더욱 강화한다는 방침이다. 한화세미텍은 작년 한 해 TC본더 'SFM5 Expert(사진)'로 900억원 이상의 매출을 올렸으며, 올해만 1·2월 연달아 두 차례의 공급 계약이 성사됐다. 한화세미텍의 작년 4분기(10~12월) 실적은 반도체 부문 성과에 힘입어 흑자 전환했다. 지난해 3월 처음으로 TC본더를 고객사에 공식 납품한 이후 약 1년 만에 이뤄낸 성과다. 차세대 HBM 장비 시장 공략을 위한 2세대 TC본더도 개발하고 있다. 올해는 본딩 헤드(head) 크기를 키운 TC본더와 칩과 칩 사이 간격을 줄인 플럭스리스(Fluxless) TC본더 등을 잇달아 선보일 계획이다. 한화세미텍은 신기술 개발을 위한 R&D 투자를 지속적으로 강화해 나간다는 방침이다. 실제 지난해 반도체 관련 R&D 비용은 전년 대비 50% 이상 큰 폭으로 증가했다. 특히 현재 한화그룹이 추진 중인 인적 분할을 통해 향후 테크 솔루션 부문이 신설 지주사 아래 편입되면, 보다 활발한 R&D 투자와 계열사 간 시너지가 생길 것으로 기대 된다. 한화세미텍 관계자는 “첨단 반도체 시장의 빠른 변화에 맞춰 선제적 기술 개발에 역량을 집중하고 있다”며 “미래 기술에 대한 지속적인 R&D 투자와 혁신을 통해 독보적 기술력을 갖춘 첨단 반도체 솔루션 기업으로 도약할 것”이라고 말했다.

2026.02.25 10:13장경윤 기자

과기정통부, 반도체 장비 고도화 통해 패키징 전문인력 매년 80명 양성

과학기술정보통신부가 인공지능(AI) 반도체 시대를 선도할 핵심 기술인 반도체 첨단패키징 분야 전문 인력 양성을 국가 인프라 고도화와 연계, 본격 추진한다. 이를 위해 공공 반도체 팹인 나노종합기술원(NNFC, 원장 박흥수)은 한국마이크로전자및패키징학회(회장 주영창)와 첨단 패키징 전문인력양성을 위한 전략적 업무협약(MOU)을 체결하고, 장비구축 등에 관한 기술 협력에 나선다. 업무협약 핵심은 NNFC가 보유한 첨단패키징 인프라와 패키징학회 인적 전문역량 결합이다. 이를 통해 장비 활용과 전문가를 양성에 적극 나설 계획이다. 과기정통부는 국내 첨단패키징 생태계 강화를 위해 지난 2024년부터 총 495억 원을 투입해 TSV(실리콘 관통 전극), RDL(재배선), 인터포져 등 차세대 반도체 성능을 결정짓는 핵심 공정을 지원하기 위한 첨단패키징 장비와 공정기술 구축을 지원 중이다. 과기정통부는 NNFC와 패키징학회를 통해 수요자 중심 교육과정을 운영할 계획이다. 배출 연력 규모는 연간 총 80여 명이다. 교육과정은 이공계 졸업생 대상 14주 장기 과정과 재직자 및 연구자 대상 5일 심화 과정으로 이원화했다. 실습 비중을 이론대비 80% 이상으로 높여 교육수요 해결과 함께 연구·산업 현장에 즉시 투입 가능한 실무형 엔지니어를 육성하는 데 방점을 두기로 했다. 이강우 과기정통부 원천기술과장은 “정부 투자로 구축된 첨단패키징 테스트베드 인프라 기반 위에 패키징학회 인적 전문성이 결합된 이번 협업 모델은, 한국이 반도체 후공정 분야에서 글로벌 경쟁력을 강화하는데 중요한 역할을 할 것”이라고 밝혔다. 박흥수 NNFC원장은 “AI 반도체 시대를 맞아 첨단패키징은 국가 반도체 주권을 결정짓는 승부처”라며, “검증된 교육 모델을 지속 고도화하는 등 대한민국 차세대 반도체 산업 생태계를 견인할 실무형 인재를 양성하는 데 최선을 다할 것"이라고 강조했다.

2026.02.11 14:46박희범 기자

한미반도체, 세미콘 코리아서 차세대 HBM용 '와이드 TC 본더' 공개

한미반도체는 이달 11일부터 13일까지 서울 삼성동 코엑스에서 열리는 '2026 세미콘 코리아' 전시회에 공식 스폰서로 참가하며 HBM5 · HBM6 생산용 '와이드 TC 본더 (Wide TC BONDER)'를 첫 공개한다고 11일 밝혔다. '와이드 TC 본더'는 올해 하반기 출시를 앞둔 차세대 HBM 생산 장비로 기술적 난제로 상용화가 지연되고 있는 HBM 양산용 하이브리드본더(HB)의 공백을 보완할 새로운 타입의 TC 본더로 주목받고 있다. '와이드 TC 본더'는 첨단 정밀 본딩 기술을 적용해 HBM 생산 수율을 높이고, HBM 품질과 완성도를 동시에 향상시킬 수 있는 차세대 장비다. HBM의 다이 면적이 넓어지면 TSV(실리콘관통전극) 수와 I/O(입출력 인터페이스) 수를 안정적으로 늘릴 수 있다. 또한 D램 다이와 인터포저를 연결하는 마이크로 범프(Micro Bump) 수도 증가해 메모리 용량과 대역폭을 확보하면서, 고적층 방식 대비 전력 효율도 개선할 수 있다. 한미반도체 '와이드 TC 본더'는 플럭스리스 본딩 기능을 옵션으로 추가할 수 있다. 플럭스리스 본딩은 플럭스 없이 칩 표면의 산화막을 감소시킴에 따라 접합 강도를 높이면서도 HBM 두께를 줄일 수 있어 장점이다. 한미반도체는 '와이드 TC 본더' 디자인에 한국 고려청자에서 영감을 받은 '세라돈 그린' 색상을 적용했다. 글로벌 HBM 생산 기업들은 올해 HBM4를 본격 양산한데 이어 HBM5, HBM6 개발을 앞두고 있어, 이에 적합한 새로운 TC 본더 수요가 본격화 될 전망이다. 시장조사업체 테크인사이츠에 따르면 HBM용 TC 본더 시장이 2025년부터 2030년까지 연평균 13.0% 증가한다고 전망했다. 한미반도체는 TC본더 시장에서 71.2% 점유율로 글로벌 1위를 차지하며 시장을 주도하고 있다. 한미반도체는 이번 전시회에서 '와이드 TC 본더 행렬도' 아트워크와 팝아티스트 필립 콜버트(Philip Colbert)와 협업한 아트워크를 함께 선보이며 브랜드 차별화를 강화한다. 한미반도체는 세미콘 코리아 전시회에 공식 스폰서로 참가한다. 이어서 3월 세미콘 차이나, 5월 세미콘 동남아시아(말레이시아), 9월 세미콘 타이완 전시회에도 공식 스폰서로 참여하며 지속적인 글로벌 마케팅을 전개할 계획이다. 2026 세미콘 코리아 전시회는 국제반도체장비재료협회 (SEMI)가 주관하는 국내 최대 규모의 반도체 전시회로 도쿄일렉트론, KLA 등 550개 기업이 2400여개 부스로 참가했다.

2026.02.11 10:18장경윤 기자

한미반도체, 지난해 매출 5767억원…창사 이래 최대

한미반도체는 지난해 연간 매출 5767억원(연결재무제표 기준)을 기록하며 1980년 창사 이래 최대 매출 실적을 달성했다고 9일 밝혔다. 영업이익률은 43.6%를 기록하며 업계 최고 수준의 수익성을 유지했다. 2024년에 이어 2년 연속 창사 최대 매출을 경신한 배경은 반도체 시장에서 기술 경쟁력을 인정받은 결과로 분석된다. 특히 AI 반도체의 핵심 부품인 HBM(고대역폭메모리) TC 본더가 71.2% 점유율로 글로벌 1위를 차지하며 매출 성장을 견인했다. 올해 역시 글로벌 AI 반도체 시장은 하이엔드 HBM 수요 급증으로 글로벌 메모리 기업들의 설비투자가 전년 대비 크게 증가할 것으로 예상된다. 최근 시장조사업체 테크인사이츠는 TC 본더 시장이 2025년부터 2030년까지 연평균 약 13.0% 증가한다고 전망했다. 실제로 글로벌 HBM 생산 기업들은 올해 HBM4를 본격 양산하고, 올해 말과 내년 초 HBM4E 양산 준비를 앞두고 있어 이에 적합한 새로운 TC 본더 수요가 크게 확대될 전망이다. 그 중심에는 삼성전자, SK하이닉스,마이크론, 중국 업체들이 있다. 특히 마이크론은 2025년 12월 실적 발표를 통해 2026년 총 설비투자액을 기존 180억 달러(약 26조4000억원)에서 200억 달러(약 29조3000억원)로 상향 조정하고 HBM 생산 능력을 대폭 확대하겠다는 계획을 밝힌 바 있다. 실제로 마이크론은 2024년 8월 대만 AUO의 디스플레이 팹을 인수한데 이어, 2025년부터 싱가포르 우드랜즈지역에 D램, 낸드 첨단 웨이퍼 제조공장 건설에 착수했다. 이와 함께 일본 히로시마에 증설 확대, 미국에 축구장 800개 규모의 메가팩토리 증설 계획을 연이어 발표했다. 특히 싱가포르를 AI 반도체(HBM,HBF) 생산거점으로 구축하며, 향후 5년간 글로벌 AI 반도체 주도권 확보를 위한 공격적인 행보를 이어 나가고 있다. 이 같은 마이크론의 공격적인 HBM 생산설비 투자 확대는 지난해 마이크론으로부터 최우수 협력사로 인정 받으며 '탑 서플라이어(Top Supplier)'상을 수상한 한미반도체 TC 본더의 매출 증가에 크게 영향을 미칠 것으로 전망된다. 한미반도체는 2025년 HBM4 생산용 'TC 본더4'를 출시한데 이어, 올해 하반기에 HBM5·HBM6 생산용 '와이드 TC 본더'를 출시할 계획이다. 와이드 HBM은 기술적 난제로 상용화가 지연되고 있는 HBM 양산용 하이브리드본더(HB)의 공백을 보완할 새로운 타입의 TC 본더로 주목받고 있다. 이와 동시에 한미반도체는 2020년 이미 개발한 HBM 하이브리드 본더 원천 기술을 기반으로, 2029년경으로 예상되는 16단 이상 HBM 양산 시점에 맞춰 차세대 첨단 하이브리드 본더 출시를 위해 고객사와 소통하고 있다. 한미반도체는 올해 AI 시스템반도체 분야에서도 신규 장비 출시를 예고했다. 이는 부가가치가 높은 AI 패키지 분야에 채택되는 다양한 본딩 장비로 HBM 코어다이, 베이스다이 그리고 GPU·CPU를 통합하는 AI 반도체 패키지와 CPO(Co Packaged Optics) 패키징 분야에 활용되는 핵심 장비(빅다이 TC 본더, 빅다이 FC 본더, 다이 본더)이며, 중국과 대만의 파운드리, OSAT 기업에 공급할 계획이다. 한미반도체는 글로벌 우주항공 분야 핵심 장비 판매에도 적극 나서고 있다. EMI 쉴드 장비는 우주탐사용 로켓, 저궤도 위성통신(LEO), 방산용 드론에 적용되는 필수장비다. 한미반도체는 2016년 EMI 쉴드 장비를 처음 선보인 이후 해당 시장에서 점유율 1위를 계속 유지하고 있으며, 최근 4년 연속 글로벌 항공우주 업체에 EMI 쉴드 장비 라인를 독점 공급하며 기술 경쟁력을 입증했다. 한미반도체 관계자는 “AI 반도체 시장의 지속적인 성장과 글로벌 반도체 기업의 적극적인 투자 확대로 HBM 수요는 그 어느 때보다 높을 것으로 예상하고 있다. 이에 힘입어 한미반도체는 2026년과 2027년에도 창사 최고 실적을 경신할 것으로 전망한다”며 “차세대 제품 개발과 생산능력 확충을 통해 글로벌 반도체 장비 시장에서 리더십을 더욱 강화해 나갈 것” 이라고 밝혔다.

2026.02.09 10:00장경윤 기자

한미반도체, 청주 오피스 오픈…SK하이닉스 협력 강화

한미반도체는 충청북도 청주에 신규 오피스를 오픈한다고 4일 밝혔다. 한미반도체는 이번 청주 오피스를 확장 오픈함으로써 고객사에 대응하는 CS 인력과 장비 운영, 유지보수 전반에 걸친 지원 역량을 강화할 방침이다. 앞서 한미반도체는 2025년 경기도 이천 오피스를 SK하이닉스 생산시설 인근에 오픈하며 서비스를 강화한 바 있다. 또한 SK하이닉스의 기술 요청에 신속히 대응하기 위해 50여명의 숙련된 반도체 장비 전문인력들과 친환경 하이브리드 자동차 30대로 구성된 TC 본더 4 전담팀 '실버피닉스'를 출범해 운영하고 있다. 한미반도체 관계자는 “SK하이닉스 생산시설 인근에 위치한 이천 오피스와 청주 오피스를 통해 고객사와 기술 파트너십을 더욱 공고히 하고, 첨단 반도체 생산 현장의 요구에 선제적으로 대응하겠다”고 밝혔다. 한미반도체 뿌리는 창립자인 곽노권 선대회장이 1967년부터 미국 모토로라 반도체에서 쌓은 기술 역량에서 시작되었다. 한미반도체는 전세계 320여개 고객사를 보유하고 있으며, AI 반도체의 핵심 부품인 HBM TC 본더 시장에서 71% 점유율로 전세계 1위, 마이크로 쏘 비전 플레이스먼트(MSVP) 시장에서도 1위를 차지하고 있다.

2026.02.04 12:59장경윤 기자

ISC, 2025년 매출 2202억원…역대 최대 실적

글로벌 반도체 테스트 플랫폼 기업 아이에스시는 2025년 매출 2202억원, 영업이익 601억원의 경영실적을 기록했다고 4일 밝혔다. 매출은 전년 대비 26%, 영업이익은 34% 증가해 역대 최대 연간 실적을 새로 기록했다. 4분기 성장세는 더욱 두드러졌다. 4분기에는 AI GPU뿐만 아니라 ASIC과 하이엔드 메모리 수요도 증가하였고 이에 적극 대응한 결과 분기 기준 사상 최대 실적을 다시 경신했다. 전분기 대비 매출은 12% 증가한 723억원, 영업이익은 26% 증가한 219억원, 영업이익률은 30%를 기록하며 세 지표 모두 증가했다. 전년 동기로는 매출은 84%, 영업이익은 192% 증가해 기술 경쟁력과 양산 경쟁력을 확보했음을 입증했다. 아이에스시는 “AI 중심으로 재편되는 수요에 맞춰 기술 경쟁력 강화와 고부가 제품 비중을 확대, 테스트 장비·소재로 포트폴리오를 다변화해 수익성과 성장성을 동시에 확보한 전략적 대응의 결과”라고 강조했다. 구체적으로 살펴보면 비메모리 분야에서는 AI GPU와 ASIC을 포함한 AI 반도체 테스트 소켓 매출이 전년 대비 115% 성장해 역대 최대 실적 달성에 기여했다. 일반 비메모리도 고객사를 다양화하고 비메모리 양산 테스트 중 고부가로 평가받는 시스템레벨 테스트 비중이 전체 양산 매출의 50%를 넘어서면서 경쟁력을 입증했다. 메모리는 HBM 테스트 솔루션 개발을 하반기에 완료하고, 고부가 하이엔드 메모리 중심으로 글로벌 고객사 수요에 대응하며 매출 성장세를 이어가고 있다. 어플리케이션 측면에서는 AI데이터센터향 테스트 소켓 매출이 전년대비 88% 성장했고, 분기 스마트폰 분야에서도 글로벌 고객사들의 양산 테스트 시장 점유율을 확대해가고 있다. 또한 자율주행, 로보틱스 분야에서도 신규 고객사를 확보해 포트폴리오 다변화에도 힘쓰고 있다고 강조했다. 나아가 아이에스시는 대면적, 고주파 테스트에 최적화된 테스트 소켓을 안정적으로 공급할 수 있는 기업으로서 확보된 고객신뢰를 바탕으로 기술 차별화는 물론 우수한 품질과 양산 역량을 강화한다는 방침이다. AI반도체 테스트 소켓 시장에서 지속적인 리더십을 확보하는 것은 물론 고객사 협력 체계를 강화해 차세대 HBM으로 평가받는 고대역폭플래시(HBF)와 데이터 전송 속도를 높이고 전력 소비 및 발열을 획기적으로 줄여 AI 데이터센터의 고대역폭 요구를 충족시키는 차세대 기술로 평가받는 CPO(Co-Packaged Optics)에서도 최적의 제품을 공급한다는 계획이다. 아울러, SOCAMM2와 GDDR7 등 하이엔드 메모리 시장 내 점유율을 확대할 방침이다. 비메모리에서는 데이터센터 외에 스마트폰, 차량용, 로보틱스 등 어플리케이션을 다변화해 실적 성장을 견인한다는 계획이다. 한편 아이에스시는 사상 최대 실적을 통해 확보한 견고한 현금 창출력을 바탕으로, 대규모 선제적 CAPEX 투자와 주주환원을 병행하는 균형 잡힌 자본배분 전략을 명확히 했다. CAPEX는 고객 수요 충족을 최우선으로 고려해 베트남 1기팹의 양산 역량을 강화하고 1기팹 대비 3배 규모인 2기팹 신설을 연내 완료해 중장기 생산 기반을 안정적으로 확충한다는 방침이다. 또한 이원화된 국내 생산 사이트 통합과 제조 AX 적용으로 경영 효율성을 최적화시켜 고객 수요 변화에 유연하게 대응할 계획이다. 회사는 2025년 결산 배당으로 총 174억원 규모, 주당 850원의 현금배당을 결정했다. 이는 배당성향 32% 수준으로 전년 대비 2%p 상승한 규모이며 역대 최대 CAPEX 투자 집행 국면에서도 주주환원 기조를 한 단계 상향한 결정이다. 김정렬 아이에스시 대표이사는 “아이에스시는 차별화된 기술 경쟁력을 기반으로 실적의 질적 성장을 이어가는 동시에, 미래 성장을 위한 투자와 주주가치 제고를 병행하는 기업”이라며 "단기 실적을 넘어 지속 가능한 현금창출 구조를 토대로 한 안정적 주주환원 정책을 통해 시장의 신뢰에 보답하겠다”고 밝혔다. 김 대표는 이어 “단순한 테스트 소켓 공급자를 넘어, AI 인프라 구축에 필수적인 핵심 테스트 솔루션 플랫폼 기업으로 진화하고 있으며, 이러한 구조적 성장의 성과를 공유해 나갈 것”이라고 강조했다.

2026.02.04 09:25장경윤 기자

한미반도체, 브랜드 아이덴티티 담은 굿즈 스토어 오픈

한미반도체는 기업 브랜드 이미지 제고와 대중과 소통 강화를 위해 굿즈 스토어를 오픈한다고 2일 밝혔다. 한미반도체는 네이버 스토어 내에 공식 굿즈 스토어를 개설하고 이달 2일부터 본격적인 판매를 개시한다. 이번 굿즈 스토어 오픈은 B2B 기업 이미지를 넘어, 보다 친근하고 감각적인 기업 브랜드로 일반 대중에게 다가가기 위한 새로운 마케팅 전략의 일환이다. 굿즈 스토어에는 한미반도체 브랜드 아이덴티티를 반영한 다이어리, 후드티, 머그컵, 핸드크림, 모자 등 다양한 라이프스타일 제품들을 판매하고 있으며, 순차적으로 제품군을 확대할 계획이다. 한미반도체 스마트 스토어는 공식 홈페이지 내 바로가기 배너를 통해 접속할 수 있다. 이번 굿즈 라인업에는 세계적인 팝 아티스트 필립 콜버트(Philip Colbert)와 협업을 통해 제작된 아트워크가 적용됐다. 영국 스코틀랜드 출신인 필립 콜버트는 강렬한 색채와 만화적 요소를 결합한 독창적인 작품으로 '차세대 앤디 워홀'이라는 평가를 받는다. 그의 대표적인 시그니처인 빨간색 '랍스터' 캐릭터는 현대 사회와 예술을 유쾌하게 재해석한 상징으로 알려져 있다. 한미반도체는 스토어에서 올해 말 출시를 앞둔 차세대 반도체 장비 '와이드 TC 본더'를 모티브로 한 옥스포드 블록 굿즈도 선보인다. 실제 장비의 특징을 반영한 블록은 반도체 장비 기업으로서의 기술 정체성을 직관적으로 전달하기 위한 상징적 아이템으로 기획됐다. 한미반도체 관계자는 “굿즈 스토어 오픈은 브랜드 가치를 보다 친근하게 전달하기 위한 새로운 커뮤니케이션 방식”이라며 “앞으로도 다양한 마케팅 활동을 통해 한미반도체만의 브랜드 이미지를 지속적으로 강화해 나가겠다”고 말했다. 한미반도체 뿌리는 설립자인 곽노권 선대회장이 1967년부터 미국 모토로라 반도체에서 쌓은 기술 역량에서 시작되었다. 한미반도체는 전세계 320여개 고객사를 보유하고 있으며, AI 반도체의 핵심 부품인 HBM TC 본더 시장에서 71% 점유율로 전세계 1위, 마이크로 쏘 비전 플레이스먼트(MSVP) 시장에서도 1위를 차지하고 있다.

2026.02.02 09:42장경윤 기자

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