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태성, 글라스기판용 TGV 식각장비 공급 개시

인쇄회로기판(PCB) 및 반도체 기판용 습식 장비 전문기업 태성은 지난 6일 안산 본사에서 국내 최초로 개발한 글라스 기판용 TGV(유리관통전극) 알칼리 에칭 장비 1호기의 출하식을 개최했다고 8일 밝혔다. 이날 출하식에는 회사 임직원들이 참석한 가운데, 김종학 대표가 1호기 개발, 생산에 참여한 직원들의 노고를 격려하고 글로벌 탑티어 장비메이커로의 성장 비전을 제시했다. 이번에 출하된 장비는 태성이 독자 개발한 알칼리 기반 정밀 습식 식각기술을 적용해, 미세 TGV 가공 시 매우 작은 테이퍼 각도와 낮은 측벽 거칠기, 그리고 우수한 치수 정밀도를 구현 가능하도록 하는 것이 특징이다. 이는 고밀도·고종횡비 TGV 설계에 필수적인 요소로, 메탈라이징 등 후공정과의 정합성 에서도 높은 신뢰성을 제공한다. 글라스 기판은 최근 고성능 컴퓨팅(HPC), AI 칩셋, 5G/6G RF 모듈, 팬아웃 패널 레벨 패키징(FOPLP) 등의 분야에서 핵심 인터포저 및 코어 소재로 주목받고 있다. 태성은 해당 시장에서 국내 유일의 TGV 전 공정 습식 장비 개발사로서, 기술 차별화 및 글로벌 경쟁력을 기반으로 관련 시장 선점을 준비하고 있다. 이번 에칭 장비 공급 이전에도 TGV 초기 세정 장비를 이미 고객사에 공급한 바 있으며, 하반기에는 TGV 도금 설비 양산을 목표로 개발 중이다. 연내 세정-에칭-도금에 이르는 TGV 전체 습식 공정 라인업을 완성하게 되면 태성은 고객사 맞춤형 통합 대응이 가능한 원스톱 솔루션 제공 역량을 한층 높여 나갈 수 있게 된다. 태성 관계자는 “이번 공급은 회사가 보유한 습식 화학 식각기술의 경쟁력을 상용화 수준으로 끌러올린 결과”라며 “향후 국내외 반도체 및 패키징 시장의 TGV 공정 수요에 대응하기 위해 글라스 기판 기반의 전 공정 장비 라인업을 지속 확장해 나갈 계획”이라고 밝혔다. 이어 “급변하는 기술트렌드에 맞춰 연구개발, 설계, 솔루션영업, 품질, 제조 인력자원에 대한 투자를 지속하고 있다”며 “내년 준공될 천안신공장에서 기존 사업인 PCB 장비 외에 글라스 기판 및 복합동박 장비 등 고부가가치 제품믹스를 추가하여 성장성과 수익성을 동시에 실현할 계획”이라고 덧붙였다.

2025.08.08 15:47장경윤

[단독] 테슬라, 슈퍼컴 '도조' 공급망 삼성·인텔 낙점

테슬라가 자사 슈퍼컴퓨팅 시스템인 '도조(Dojo)'의 공급망에 삼성전자와 인텔을 낙점하고 대대적인 변화를 시도한다. 테슬라가 기존 TSMC에 공정 전체를 일임하던 구조에서 벗어나, 삼성전자·인텔 양사에 각각 특정 공정을 맡기는 이원화된 방안을 추진 중으로 파악돼 향후 공급망에 큰 변화도 예상된다. 도조용 칩 제조는 삼성전자 파운드리가, 모듈 제작을 위한 특수 패키징 기술은 인텔이 각각 담당하는 구조다. 그동안 삼성전자·인텔은 첨단 파운드리 및 패키징 산업에서 오랜시간 경쟁 구도를 형성해 왔다. 하지만 테슬라를 필두로 AI 반도체 업계에 새로운 협력 구조와 공급망 체제가 결성될 수 있을 지 귀추가 주목된다. 7일 지디넷코리아 취재를 종합하면 테슬라는 3세대 도조 양산에 삼성전자·인텔을 동시 활용하는 방안을 두고 각 사와 논의 중이다. 삼성 파운드리·인텔 OSAT 활용 추진…"전례 없는 협력 구조" 테슬라는 완전자율주행(FSD)과 관련한 데이터를 AI 모델로 학습시키기 위한 슈퍼컴퓨팅 시스템 도조를 자체 개발해 왔다. 도조에는 테슬라의 맞춤형 AI 반도체인 'D 시리즈' 칩이 다수 집적된다. 예를 들어, 1세대 도조는 D1 칩을 25개 패키징한 모듈로 구성돼 있다. 도조 1·2는 모두 대만 주요 파운드리인 TSMC가 양산을 전담한 것으로 알려져 있다. 그러나 도조3부터는 공급망이 전면적으로 바뀔 예정이다. 현재 테슬라는 도조3용 'D3' 칩의 전공정을 삼성전자에, 모듈용 패키징 공정을 인텔에 맡기는 방안을 추진 중인 것으로 파악됐다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "테슬라가 도조3 공급망 논의에서 칩 양산과 모듈용 패키징을 분리하는 계획을 제안하고 있다"며 "이 같은 계획을 토대로 협력사와 구체적인 계약 체결을 논의 중"이라고 설명했다. 계약이 최종 합의되는 경우, 테슬라의 주도로 삼성전자 파운드리 사업과 인텔 OSAT(외주반도체패키징테스트) 사업간의 협업이 업계 최초로 이뤄질 예정이다. 양사 모두 파운드리와 패키징 사업을 운영중이지만, 이 같은 협력 구조가 공식적으로 성사된 사례는 아직까지 확인된 바 없다. 우선 도조3용 칩 양산은 삼성전자의 수주가 사실상 확실시되고 있다. 앞서 삼성전자는 지난달 28일 테슬라와 22조7천600억원 규모의 반도체위탁생산 계약을 체결했다. 당시 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 "삼성전자가 미국 신규 파운드리 팹에서 AI6 칩 양산에 전념하게 될 것"이라고 밝혔다. AI6는 테슬라의 차세대 FSD(Full Self-Driving), 로봇, 데이터센터 등에 활용될 수 있는 반도체로, 2나노 공정을 채택한 것으로 알려졌다. 또한 테슬라는 도조3에 탑재할 칩을 별도로 설계하지 않고, AI6와 도조3용 칩을 단일 아키텍처로 통합하겠다고 밝힌 바 있다. 일론 머스크 CEO는 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "도조3와 AI6 칩을 기본적으로 동일하게 사용하는 방향을 생각하고 있다"며 "예를 들어 자동차나 휴머노이드에는 칩을 2개 사용하고, 서버에는 512개를 사용하는 방식"이라고 말했다. 도조, 초대형 반도체 위한 특수 패키징 필요 테슬라가 도조3용 칩과 패키징 협력사를 이원화하려는 배경에는 기술과 공급망 요소가 모두 작용하고 있다는 분석이다. 테슬라의 도조는 일반적인 시스템반도체와 달리, 패키징 과정에서 매우 큰 사이즈로 제작된다. 때문에 테슬라는 TSMC의 SoW(시스템-온-웨이퍼) 패키징 기술을 채택한 바 있다. SoW는 기존 패키징 공정에서 쓰이던 기판(PCB) 등을 사용하지 않고, 메모리 및 시스템반도체를 웨이퍼 상에서 직접 연결하는 기술이다. 각 칩의 연결은 칩 하단에 형성된 미세한 구리 재배선층(RDL)이 담당한다. 웨이퍼 전체를 사용하기 때문에 초대형 반도체에도 대응 가능하다. D1의 경우 TSMC 7나노미터(nm) 공정 기반의 654제곱밀리미터(mm²) 단일 칩을 활용한다. 이를 웨이퍼에 5x5 배열로 총 25개 배치한 뒤, 각 칩을 전기적으로 연결해 하나의 모듈로 만든다. 웨이퍼 전체를 일종의 기판처럼 사용하는 방식이다. 다만 SoW는 초대형 반도체를 타겟으로 한 특수 패키징으로, 양산되는 칩의 수량이 비교적 적다. 당장의 매출 규모가 크지 않은 만큼 전공정·후공정 모두 TSMC 측의 적극적인 지원을 받기가 힘든 상황이다. 반면 삼성전자·인텔은 대형 고객사 확보가 절실한 상황으로, 각각 테슬라에 우호적인 조건을 제시했을 가능성이 크다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자 역시 초대형 반도체에 대응할 수 있는 첨단 패키징 기술을 고도화하고 있는 것으로 안다"며 "도조3 모듈 패키징은 인텔이 선제 진입할 예정이나, 기술 개발 상황에 따라 향후 삼성전자도 공급망 진입이 가능할 것으로 예상한다"고 밝혔다. 인텔, EMIB 기반으로 테슬라 대응 유력 한편 테슬라는 도조3에서 인텔의 임베디드 멀티-다이 인터커넥트 브릿지(EMIB) 기술을 활용하려는 것으로 알려졌다. EMIB는 인텔의 독자적인 2.5D 패키징 기술이다. 2.5D 패키징은 칩과 기판 사이에 '실리콘 인터포저'라는 얇은 막을 삽입해 각 칩을 연결하는 방식을 뜻한다. EMIB는 기존 2.5D 패키징처럼 칩 아래에 인터포저를 넓게 까는 대신, 기판 내부에 삽입된 소형 실리콘 브릿지로 칩과 칩을 연결한다. 칩 간 연결이 필요한 부분에만 브릿지를 배치하면 되므로, 더 유연하고 효율적으로 칩을 배치할 수 있다. 인터포저 크기에 따라 다이 사이즈 확장에 제약을 받는 2.5D 패키징과 달리, 더 넓은 면적에 걸쳐 다이를 구성하는 데에도 유리하다. 다만 EMIB도 현재 상용화된 기술 수준으로는 웨이퍼 수준의 초대형 칩 제작이 어렵다는 평가를 받는다. 때문에 업계는 인텔이 도조 3를 위한 새로운 EMIB 기술 및 설비투자 등을 검토하고 있을 것으로 보고 있다.

2025.08.07 15:14장경윤

LB세미콘, ASE코리아와 반도체 패키징 협력 위한 MOU 체결

반도체 후공정 전문기업 LB세미콘은 세계 최대 반도체 패키징 및 테스트 기업 ASE 그룹의 한국 법인 ASE코리아와 전략적 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다고 7일 밝혔다. 이번 협약은 양사가 보유한 고유의 기술력과 생산 인프라를 바탕으로 글로벌 고객 대상 공동 마케팅 및 프로모션 활동을 강화하고, 고성능·고집적 반도체 패키지 수요 증가에 선제 대응하기 위해 추진됐다. 양사는 이번 협약을 통해 공정별 역할을 분담하고, 상호 보완적인 협업 체계를 구축한다. LB세미콘은 범핑 공정 및 웨이퍼 테스트를, ASE코리아는 패키징 공정을 각각 전담함으로써, 고객사에게 통합형 턴키(Turn-key) 후공정 솔루션을 제공할 수 있게 된다. 이를 통해 생산 효율성 및 품질 안정성 향상은 물론, 고객 맞춤형 대응 체계도 보다 견고해질 것으로 기대된다. MOU 체결식은 이날 경기도 파주 ASE코리아 본사에서 진행됐으며, 양사 주요 경영진이 참석한 가운데 협력 강화에 대한 강한 의지를 표명했다. 김남석 LB세미콘 대표는 "ASE코리아와의 협력을 통해 글로벌 시장에서의 경쟁력을 한층 강화하고, 첨단 패키징 기술을 고도화함으로써 새로운 고객을 확보하는 전환점이 될 것"이라고 밝혔다. 이기철 ASE코리아 대표는 “국내 후공정 분야의 핵심 기업인 LB세미콘과의 파트너십을 통해, 한국을 포함한 글로벌 시장 내 입지를 강화하고 고객에게 통합적이고 차별화된 서비스를 제공할 수 있을 것으로 기대한다”고 말했다. 양사는 이번 협약을 시작으로 ▲고성능 반도체 패키지 공동 개발 ▲기술 정보 교류 ▲글로벌 고객 응대 체계 구축 ▲산업별 전용 패키지 솔루션 공동 제안 등 다양한 분야에서 협력을 확대해 나갈 계획이다. 업계는 이번 협력이 국내 후공정 산업의 경쟁력 제고는 물론, 글로벌 고객 수요에 효과적으로 대응할 수 있는 공급망 안정화에 기여할 것으로 기대하고 있다.

2025.08.07 08:40장경윤

한미반도체 "국내외 HBM4 본더 장비도 전량 수주 자신"

ㄲ한미반도체가 향후 경쟁이 치열해질 것으로 예상되는 HBM4(6세대 고대역폭메모리)용 TC 본더 시장에서도 독점적인 지위를 차지할 것으로 자신했다. 또한 주요 고객사로부터 차세대 장비인 플럭스리스 본더를 주문 받아, 올 하반기 납품을 시작할 예정이다. 30일 한미반도체는 여의도 포스트타워에서 '2025년 2분기 잠정실적 리뷰 설명회'를 열고 회사의 주요 사업 현황 및 향후 기술 로드맵에 대해 이같이 밝혔다. "주요 고객사 HBM4용 TC본더, 전량 수주 자신" 한미반도체는 국내 주요 반도체 후공정 장비업체다. 특히 열·압착을 통해 칩과 웨이퍼를 붙이는 TC본더 분야에 주력하고 있다. TC본더는 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는 HBM(고대역폭메모리) 제조에 필수적으로 활용된다. 현재 한미반도체는 HBM 분야에서 SK하이닉스는 물론, 북미 주요 메모리 기업을 고객사로 확보한 상태다. 한미반도체는 올 2분기 매출 1천800억원, 영업이익 863억원을 기록했다. 전년동기 대비 매출은 45.8%, 영업이익은 55.7% 증가했다. 영업이익률은 47.9%다. 하반기 실적을 포함하면 연간으로 8천억원~1조1천억원의 매출을 기록할 것으로 내다봤다. 하반기 HBM4용 설비투자가 본격화되는 시점에도 시장 선점을 자신했다. 김정영 한미반도체 부사장은 "한미반도체는 주요 HBM 고객사와 오랜 시간 협업해오며 양산 경험을 쌓아온 기업으로, 하루아침에 이 지형이 바뀌지 않을 것으로 보고 있다"며 "주요 고객사의 모든 HBM4용 TC본더를 당사가 수주할 것이라고 자신한다"고 강조했다. 특히 해외 시장의 경우, 한미반도체 TC본더 마진이 국내 대비 30~40%가량 높은 것으로 알려졌다. 이에 한미반도체는 TC본더를 비롯한 전체 사업에서 해외 매출 비중 확대를 적극 추진 중이다. 해외 또 다른 고객사의 HBM용 TC본더 수요도 향후 발생할 것으로 기대하고 있다. 김 부사장은 "올해 해외 고객사로부터 대규모 주문이 들어올 것으로 예상하고 있고, 논의도 그러한 방향으로 진행하고 있다"며 "올해와 내년에 걸쳐 작년 주문량의 2배 증가를 상정하고 이를 충족하기 위한 생산능력 확충을 진행 중"이라고 밝혔다. 플럭스리스 본더, 올해 납품 예정…하이브리드 본더도 개발 중 향후 기술 로드맵에 대해서는 HBM4·4E부터 플럭스리스 본딩이 적용될 것으로 전망했다. 플럭스는 기존 TC본딩에서 접합을 도와주기 위해 쓰이던 소재다. 이 플럭스를 쓰지 않는 대신, 접합 간격을 더 줄여 HBM 패키지 두께를 얇게 하는 데 유리한 기술이 플럭스리스 본딩이다. 김 부사장은 "주요 고객사로부터 이미 플럭스리스 본더를 주문 받아, 올해 납품을 준비 중"이라며 "플럭스리스 본더를 개발 중인 해외 경쟁사들도 있지만, 당사 장비는 기존 TC본더 투자분에 대해 업그레이드가 가능해 시장 지배력을 지속할 수 있을 것"이라고 밝혔다. 이후 차세대 HBM에 적용될 하이브리드 본더 시장도 대응하고 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼 구리 배선을 직접 붙이는 기술로, 기존 TC 본더와 달리 범프(Bump)를 쓰지 않는다. 덕분에 HBM 패키지 두께를 더 줄이고 방열 특성을 높일 수 있다. 이에 한미반도체는 테스 등 국내 장비기업과의 기술 협력으로 하이브리드 본더를 개발하고 있다. 하이브리드 본더 등 차세대 제품 생산을 위한 신규 공장에도 1천억원을 투자하기로 했다. 한미반도체의 하이브리드 본더 출시 시기는 2027년으로 전망된다. 이를 통해 HBM과 최첨단 시스템반도체 시장을 순차적으로 공략할 계획이다.

2025.07.30 15:50장경윤

ISC, 2분기 매출 517억원…전분기 대비 63% 증가

글로벌 반도체 테스트 솔루션 전문기업 아이에스시(ISC)는 2025년 2분기 연결기준 매출 517억원, 영업이익 137억원을 기록했다고 30일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 4%, 전분기 대비 63% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 8% 하락했으나, 전분기 대비로는 96% 증가했다. 아이에스시는 "2분기 실적 호조는 ▲AI 데이터센터향 고속·고신뢰성 테스트 소켓 수요 급증, ▲비메모리 고객 대상 양산 수요 확대에 따른 주문 증가에 기인한다"며 "특히 고속 인터페이스와 열 신뢰성이 요구되는 하이엔드 테스트 소켓의 평균판매단가(ASP)와 출하 물량이 모두 동반 성장하며 실적 성장을 견인했다"고 설명했다. 3분기에는 사상 최대 실적 경신이 유력하다고 내다봤다. AI 가속기 및 고성능 GPU 수요 확산과 더불어 자회사 아이세미가 공급하는 하이스피드 번인 테스터 및 모듈 테스터의 본격 출하가 예정돼 있기 때문이다. 또한 국내 주요 파운드리 고객사와의 견고한 협력 관계를 바탕으로 자율주행 및 차량용, 휴머노이드 칩 테스트 영역에서도 수혜가 기대된다. 또한 아이에스시는 기존 테스트 소켓 중심에서 벗어나, 장비·소켓을 아우르는 수직 통합형 테스트 플랫폼 기업으로의 전환을 본격화하고 있다. 자회사 아이세미는 글로벌 메모리 고객사와 공동 개발한 차세대 메모리용 하이스피드 번인테스터를 3분기 중 첫 출하할 예정이며, AI 반도체 실장 테스트용 장비 공급도 동시에 진행된다. 이를 통해 고객사는 테스트 효율성과 부품 호환성, 장비 전환 속도 등의 측면에서 최적화된 운영이 가능해지며, 아이에스시는 가격경쟁에서 벗어난 고수익 구조로의 전환 기반을 마련하게 될 전망이다. 아이에스시 관계자는 “AI 반도체, 고대역폭 메모리(HBM), 고성능 GPU 등 고부가 테스트 시장이 빠르게 확대되는 가운데, 아이에스시는 장비-소켓 간 통합 솔루션을 통해 고객 밀착도를 강화하고 있다”며 “3분기에는 장비 및 소켓 동시 출하가 본격화되며, 창사 이래 최대 분기 실적 달성이 기대된다”고 밝혔다. 관계자는 이어 “최근 글로벌 고객사의 자율주행 칩 수주와 같은 글로벌 공급망 변화는 아이에스시에 새로운 기회를 제공하고 있다”며 “엔드-투-엔드(End-to-End) 테스트 플랫폼 전략과 기술우위를 바탕으로, 차세대 반도체 테스트 시장의 주도권을 강화해 나가겠다”고 덧붙였다.

2025.07.30 11:21장경윤

삼성전자, 차세대 엑시노스 발열 잡을 '신기술' 쓴다

삼성전자가 차세대 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)에 새로운 첨단 패키징 기술을 도입할 계획인 것으로 파악됐다. 반도체 패키지 내부에 방열 소재를 삽입하는 것이 골자로 내년 '갤럭시S26' 스마트폰의 성능 향상을 이끌어낼 것으로 기대된다. 29일 업계에 따르면 삼성전자는 '엑시노스 2600'에 히트패스블록(HPB)을 처음 적용하기 위한 연구개발을 진행하고 있다. 엑시노스 2600은 삼성전자가 자체 개발 중인 2나노미터(nm) 공정 기반의 모바일 AP다. AP는 CPU·GPU·NPU 등 각종 시스템반도체를 하나의 반도체에 집적한 SoC(시스템온칩)다. 삼성전자가 내년 출시할 플래그십 스마트폰 갤럭시S26 시리즈에 탑재되는 것을 목표로 하고 있다. 삼성전자는 엑시노스 2600의 성능 강화를 위해, 패키지 내부에 HPB를 처음 적용하기로 했다. HPB는 구리 소재 기반의 방열판이다. 기존 엑시노스는 AP 위에 D램을 얹은 PoP(패키지-온-패키지) 구조로 돼 있는데, HPB는 D램과 함께 AP 위에 집적된다. 이를 통해 AP에서 나오는 열을 흡수하는 역할을 맡게 된다. 삼성전자는 이 같은 기술을 적용한 엑시노스 2600의 퀄(품질) 테스트를 오는 10월까지 마무리할 계획이다. 개발이 성공적으로 진행될 경우, 갤럭시S26 시리즈부터 곧바로 양산 적용이 가능할 것으로 전망된다. 최근 삼성전자는 모바일 AP의 방열 특성 강화를 위한 패키징 기술 고도화에 주력해 왔다. 모바일 AP의 성능이 급격히 올라가면서, 반도체에서 발생하는 열 또한 심화되고 있어서다. 일례로 삼성전자는 엑시노스 2400부터 FOWLP(팬아웃 웨이퍼레벨패키징) 등 첨단 패키징 기술을 도입한 바 있다. FOWLP는 반도체 칩 외부에 입출력단자(I/O)를 배치시키는 기술로, 기존 PCB(인쇄회로기판)가 아닌 실리콘 웨이퍼에 칩을 집적한다. 덕분에 실리콘 층을 두껍게 만들 수 있어 방열 특성 강화에 유리하다. 이번 엑시노스 2600 역시 FOWLP 기술로 제작된다. 또한 삼성전자 파운드리 사업부는 1.4나노미터(nm) 등 차세대 공정 개발을 당초 계획보다 최소 2년 지연시킬 계획이다. 삼성 파운드리의 최선단 공정 로드맵을 따르는 엑시노스 입장에서는 당분간 2나노 공정 유지가 불가피하다. 이에 따라 모바일 AP의 성능 강화도 전공정 보다는 후공정 기술의 중요성이 더욱 중요해질 것으로 관측된다.

2025.07.29 14:03장경윤

삼성 파운드리 반등 '신호탄'...2나노 대형 고객사 확보

삼성전자가 28일 오전 23조원(22조7천647억6천416만원) 규모의 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정의 대량 반도체위탁 생산물량 수주 소식을 알리면서 파운드리 사업부문 반등의 신호탄을 쏘아올렸다. 이번 물량의 계약 기간은 2025년 7월 24일부터 2033년 12월 31일까지로, 총 8년 5개월의 장기계약에 해당한다. 계약 상대는 경영상 비밀유지를 이유로 명시하지 않았다. 다만 업계에서는 계약 규모를 통해 글로벌 대형 기업에 해당할 것으로 예상하고 있다. 공정은 AI, HPC(고성능컴퓨팅) 등에 활용되는 최첨단 공정인 2나노를 채택한 것으로 알려졌다. 2나노는 올 하반기 본격적으로 상용화되는 공정으로, 기술적 난이도가 높아 소수의 파운드리 기업만이 양산 가능하다. 초미세공정서 고객사 유치…IP 확장 기회 최근 삼성전자 파운드리는 주요 경쟁사인 TSMC와의 격차가 확대되는 추세였다. 첨단 공정의 저조한 수율, IP(설계자산) 등 관련 생태계 확보 미흡 등이 주요 약점으로 꼽혔다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 삼성전자의 올 1분기 파운드리 시장 점유율은 7.7%로 전분기 8.1% 대비 0.4%p 하락했다. 같은 기간 주요 경쟁사인 대만 TSMC는 67.1%에서 67.6%로 0.5%p 증가한 것으로 나타났다. 이번 수주로 삼성전자 파운드리는 반등의 기회를 마련할 수 있게 됐다. 당초 삼성전자 파운드리의 약점은 레퍼런스로 꼽혔다. 대형 고객사로부터 기술 검증이 되지 않아 찾는 고객이 적었던 것이다. 디자인하우스 관계자는 “삼성전자 파운드리의 공정 자체 기술력은 TSMC랑 견줄만 하다는 이야기들이 많은데 IP(설계자산), 패키징 기술 등이 검증되지 않았기 때문에 고객들이 불안해서 많이 못쓰고 있었다”고 설명했다. 삼성 파운드리를 중심으로 하는 생태계 전반이 확장될 것이라는 의견도 제언된다. 시스템 반도체 생태계는 파운드리(제조)를 축으로 IP, 디자인하우스, 후공정 등 다양한 협력사로 이뤄졌다. 대형 고객사의 등장이 반도체 업계 전반을 활성화시킬 수 있는 셈이다. 익명을 요청한 반도체 업계 관계자는 “글로벌 기업이 고객사로 들어오면서 생태계 자체가 갖춰지게 될 것"이라며 "특히 IP가 의미가 있다. 칩 난이도가 높은 글로벌 빅테크 기업들은 최신 기술의 IP가 많이 들어가는데 이번 수주로 인해서 2나노 공정이 준비가 되는 것이기 때문에, 다음에 2나노를 쓸 고객에게 굉장히 큰 도움이 된다”고 말했다. 고객사 '올인' 전략…주요 경영진 글로벌 행보도 기대 삼성전자는 최근 고객사 확보에 '올인'하는 방향으로 전략을 선회했다. 당초 오는 2027년 양산을 목표로 한 차세대 공정인 1.4나노 개발을 2~3년 뒤로 미루고, 대신 2나노미터 이하의 기존 공정을 고도화하기로 한 것이 대표적인 사례다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자 파운드리가 최근 협력사들에게 실질적으로 기존 공정을 안정화하는 데 초점을 두겠다고 얘기하고 있다"며 "특히 삼성전자가 내년 양산을 준비 중인 2세대 2나노(SF2P)의 성능 및 수율에 강한 자신감을 보이고 있다"고 설명했다. 삼성전자 반도체 사업을 이끄는 주요 경영진의 행보도 기대 요소다. 앞서 이재용 삼성전자 회장은 지난 17일 제일모직·삼성물산 합병 과정에서 발생한 부당합병·회계부정 혐의 상고심에서 최종 무죄를 판결 받은 바 있다. 10년 가까이 지속된 '사법 리스크'가 해소된 것으로, 향후 이 회장의 글로벌 경영 행보가 가속화될 전망이다. 실제로 이 회장은 지난 2월 샘 올트먼 오픈AI CEO, 손정의 소프트뱅크 회장과 3자 회동을 열고 AI 분야에 대한 협력을 논의했다. 바로 다음달에는 10년만에 중국을 방문해 시진핑 국가주석과 만났으며, 글로벌 기업 CEO 30여명과 함께 자리했다. 이달에는 미국 선밸리 컨퍼런스에 참석해, 복수의 글로벌 빅테크 기업 인사와도 만난 것으로 전해진다. 전영현 삼성전자 부회장도 올해 수 차례 미국 출장길에 오르는 등, 고객사와의 소통 강화에 매진하고 있다. 이곳에서 전 부회장은 엔비디아를 비롯한 주요 빅테크들을 순차적으로 만나 메모리·파운드리 등 다양한 논의를 거친 것으로 알려졌다.

2025.07.28 11:42전화평

삼성전자, IBM 차세대 프로세서에 '3D 패키징' 양산 공급

삼성전자가 첨단 패키징 기술로 IBM과의 협력을 강화한다. IBM이 최근 출시한 차세대 프로세서에 3D 적층 기술을 성공적으로 양산 공급한 것으로 파악됐다. 27일 업계에 따르면 IBM은 삼성전자 7나노미터(nm) 공정 및 3D 패키징을 적용한 'Power11(P11)' 칩을 이달 공식 출시했다. P11은 IBM의 자체 아키텍처를 기반으로 한 서버용 CPU다. 654mm² 면적에 총 300억개의 트랜지스터를 집적했다. 이전 세대인 P10 대비 클럭 속도가 향상됐으며, 프로세서 당 최대 25% 더 많은 코어를 추가할 수 있도록 설계됐다. IBM 자료에 따르면 P11은 삼성전자 파운드리 7나노 공정을 채택했다. 이전 P10과 같은 공정이지만, 삼성전자의 3D 패키징 기술을 통해 'ISC(Integrated Stack Capacitor; 통합형 적층 커패시터)'를 도입해 차별점을 뒀다. 커패시터는 전하를 일시적으로 저장할 수 있는 전자부품이다. 회로에 전류가 일정하게 흐르도록 조절하고 부품 간 전자파 간섭현상을 막아준다. 기존 커패시터는 PCB(인쇄회로기판)나 첨단 패키징에서 중간 기판 역할을 담당하는 인터포저 위에 부착돼 왔다. 반면 ISC는 커패시터를 패키지 내부로 끌어들여, 칩 아래에 직접 배치한다. 커패시터와 칩간 거리가 가까워지면서 더 많은 전력을 빠르게, 그리고 안정적으로 보낼 수 있게 된다. 삼성전자는 ISC를 3D 패키징을 통해 집적했다. 웨이퍼 상에 ISC를 만들고 그 위에 IBM의 프로세서를 올린 뒤, TSV(실리콘관통전극)로 연결해 TC(열압착) 본딩을 진행하는 방식이다. IBM은 이를 2.5D 패키징으로 기술했으나, 삼성전자는 ISC와 칩을 수직 적층했다는 점에서 3D 패키징으로 정의하고 있는 것으로 알려졌다. 이로써 IBM은 전공정 변화 없이도 최첨단 패키징 기술 도입을 통해 프로세서 성능을 한 단계 끌어올리게 됐다. 삼성전자 역시 3D 패키징 적용으로 자사 파운드리 기술력을 강화했다는 점에서 의미가 있다. 반도체 업계 관계자는 "제품 특성 상 P11의 출하량이 많지는 않을 것으로 보이나, 삼성전자 입장에서는 3D 패키징을 안정적으로 양산 공급했다는 점에서 긍정적"이라며 "첨단 패키징의 중요성이 대두되고 있는 만큼 고객사 확장에 도움이 될 것"이라고 설명했다.

2025.07.27 10:09장경윤

차세대 HBM용 하이브리드 본더 시장 커진다

해외 주요 반도체 장비업체들이 HBM(고대역폭메모리)용 하이브리드 본더 매출 확대에 나설 전망이다. 베시(BESI)는 올 하반기 HBM4용 장비 수주 확대를, ASMPT는 올 3분기 신규 장비의 고객사 출하를 앞두고 있다. HBM용 하이브리드 본딩은 아직 연구개발(R&D) 단계에 있는 기술로, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 메모리 기업이 모두 시제품 제작을 진행하고 있다. 이에 국내 한미반도체·한화세미텍 등도 제품 개발에 적극 나서는 추세다. 25일 업계에 따르면 세계 주요 반도체 후공정 장비기업들은 올 하반기 HBM용 하이브리드 본딩 장비 사업을 확대할 것으로 예상된다. 네덜란드 장비 기업 베시는 지난 24일(현지시간) 2025년 2분기 실적발표를 통해 올 하반기 하이브리드 본딩 등 첨단 패키징 장비의 견조한 수요로 실적이 개선될 것으로 내다봤다. 베시는 "고객사들이 2026~2027년 신제품 출시를 위한 기술 로드맵을 추진하면서, 고급 로직 및 HBM4 응용 분야에서 하이브리드 본딩 시스템 수주가 전년 동기 및 전반기 대비 크게 증가할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 싱가포르에 본사를 둔 ASMPT도 지난 23일 2분기 실적발표에서 차세대 제품 상용화 계획이 순조롭게 진행되고 있음을 시사했다. ASMPT는 "당사의 2세대 하이브리드 본더는 정밀도, 설치 면적, 시간당 처리량 측면에서 경쟁력 있는 성능을 제공한다"며 "올 3분기 중 HBM 고객사에 이 2세대 장비를 출하할 예정"이라고 밝혔다. 앞서 ASMPT는 지난해 HBM용 하이브리드 본더를 첫 수주해, 올해 중반 납품할 예정이라고 공지한 바 있다. 이들 기업이 HBM용 하이브리드 본더 공급을 확대할 수 있는 배경은 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 메모리 기업들의 적극적인 연구개발(R&D) 덕분이다. 현재 HBM은 각 D램 사이에 미세한 범프(Bump)를 집어넣어 열압착(TC) 방식으로 연결하는 방식이 주류를 이루고 있다. 다만 HBM의 D램 적층 수가 16단·20단 등으로 점점 많아질수록 기존 TC 본딩도 적용이 어려워질 것으로 관측된다. HBM 패키지 두께가 최대 775마이크로미터(μm)로 제한돼 있기 때문이다. 때문에 업계는 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 하이브리드 본딩을 대안 기술로 개발해 왔다. 해당 기술은 범프를 쓰지 않기 때문에, HBM의 패키지 두께를 크게 줄일 수 있다는 이점이 있다. I/O(입출력단자)를 더 밀도 있게 집적하고, 방열 특성도 높일 수 있다. 하이브리드 본딩은 이르면 HBM4E나 HBM5 등에서 본격적으로 적용될 것으로 보인다. 특히 삼성전자의 하이브리드 본딩 도입 의지가 가장 뚜렷한 것으로 관측된다. 한편 국내 장비업체인 한미반도체·한화세미텍도 하이브리드 본더를 개발하고 있다. 한미반도체는 최근 국내 또다른 장비기업 테스와 관련 장비 개발을 위한 협약을 체결했다. 한화세미텍은 올해 말 2세대 하이브리드 본더를 개발할 것으로 예상된다.

2025.07.25 10:31장경윤

SK하이닉스, 올 하반기 차세대 '1c D램' 전환투자 개시

SK하이닉스가 차세대 D램에 대한 전환투자를 올 하반기부터 시작해 내년 본격화할 계획이다. SK하이닉스는 24일 2025년 2분기 실적발표를 통해 1c(6세대 10나노급) D램의 전환투자를 올 하반기부터 진행한다고 밝혔다. 1c D램은 현재 상용화된 가장 최신 세대의 D램인 1b D램의 차세대 제품이다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 세계 최초로 1c 공정 기반의 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 밝힌 바 있다. 당시 SK하이닉스는 "이미 입증된 1b D램 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술 한계를 돌파해 냈다”며 “2024년 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것”이라고 강조했다. 다만 SK하이닉스의 이 같은 계획은 당초 예상 대비 지연돼 왔다. SK하이닉스가 올해 출시를 목표로 한 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에서도 이전 세대와 같은 1b D램 채용을 유지하는 등 1c D램에 대한 수요가 크지 않았기 때문이다. 그러나 올 하반기부터는 1c D램의 양산 준비가 구체화될 것으로 전망된다. SK하이닉스는 "1c D램의 전환투자는 올 하반기부터 시작돼 내년 본격적으로 진행될 것"이라며 "현재 경영 계획을 수립하고 있어 추후 구체적인 계획이 확정되면 공유할 것"이라고 밝혔다.

2025.07.24 10:04장경윤

한미반도체, 테스와 HBM 하이브리드 본더 개발 협약 체결

한미반도체는 인천 본사에서 테스와 하이브리드 본더 장비 개발을 위한 협약을 체결했다고 23일 밝혔다. 양사 협약은 한미반도체가 주관하고 테스가 협력사로 참여하는 방식이다. 세계 시장 점유율 1위인 한미반도체 HBM용 본더 기술과 테스의 플라즈마, 박막 증착, 클리닝 기술을 결합해 경쟁력이 한층 강화될 것으로 기대된다. 하이브리드 본딩은 기존 범프 방식과 달리 구리-구리(Cu-Cu) 직접 연결을 통해 입출력(I/O) 성능을 극대화하고 대역폭 향상과 20단 이상의 고적층을 지원하는 차세대 패키징 기술이다. 이 기술은 반도체 웨이퍼 단계에서 서로 다른 칩을 직접 접합하는 전공정 기술이 요구된다. 주요 글로벌 HBM 제조기업들은 차세대 고적층 HBM 생산을 위해 하이브리드 본딩 기술을 도입할 것으로 전망돼 관련 장비 시장의 성장이 예상되고 있다. 한미반도체는 1980년 설립된 반도체 장비 기업으로, 전세계 320여개 고객사를 보유하고 있다. 특히 HBM3E TC 본더 시장에서 전세계 90% 점유율을 차지하며 독보적인 기술력을 인정받고 있다. 한미반도체는 2002년 지적재산부를 신설한 이후 HBM 관련 장비 분야에서만 약 120건의 특허를 출원했다. 테스는 2002년 설립된 코스닥 상장기업으로 반도체 장비 기업으로 전공정 핵심인 박막 증착장비 PECVD(플라즈마 화학기상 증착)와 건식식각장비 글로벌 경쟁력을 갖춘 기업이다. 김민현 한미반도체 사장은 “이번 하이브리드 본더 개발을 기점으로 한미반도체는 전공정 장비 기업으로 도약하며 2030년 글로벌 Top 10 반도체 장비 기업 진입을 목표로 하고 있다"며 "테스와의 전략적 파트너십을 통해 하이브리드 본더 장비 분야에서 기술적 우위를 확보하고, 글로벌 시장에서의 경쟁력을 더욱 강화할 것"이라고 말했다. 이재호 테스 사장은 “한미반도체와 하이브리드 본더 개발에 당사의 플라즈마와 클리닝 기술 협력을 통해 새로운 기술 혁신과 신시장을 창출함으로써, 명실상부한 글로벌 반도체 기업으로 성장하겠다”고 밝혔다.

2025.07.23 13:40장경윤

삼성전자, 'HBM4E 16단'서 하이브리드 본딩 도입 검토…샘플 평가 中

삼성전자가 이르면 HBM4E(7세대 고대역폭메모리) 16단부터 하이브리드 본딩 기술을 적용하겠다는 계획을 밝혔다. 이를 위해 샘플 테스트를 진행 중인 상황으로, 사업성과 투자 비용 등이 상용화의 주요 관건이 될 것으로 관측된다. 김대우 삼성전자 상무는 22일 '2025 상용반도체개발 기술워크숍'에서 차세대 반도체를 위한 패키징 기술 로드맵에 대해 소개했다. HBM은 복수의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)으로 연결해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 기존 HBM 제조에는 각 D램 사이에 미세한 범프(Bump)를 집어넣어 열압착(TC) 방식으로 연결하는 방식이 사용됐다. 다만 HBM의 D램 적층 수가 16단·20단 등으로 점점 많아질수록 기존 TC 본딩도 적용이 어려워질 것으로 관측된다. HBM 패키지 두께가 최대 775마이크로미터(μm)로 제한돼 있기 때문이다. 각 D램을 더 얇게 갈아내거나, D램 사이를 좁히는 대응법도 한계가 있다는 분석이다. 때문에 업계는 칩과 웨이퍼의 구리 배선을 직접 붙이는 하이브리드 본딩을 대안 기술로 개발해 왔다. 해당 기술은 범프를 쓰지 않기 때문에, HBM의 패키지 두께를 크게 줄일 수 있다는 이점이 있다. I/O(입출력단자)를 더 밀도 있게 집적하고, 방열 특성도 높일 수 있다. 다만 하이브리드 본딩은 높은 기술적 난이도, 기존 TC본딩에서의 전환 투자에 따른 비용 상승 압박 등을 이유로 도입 시점이 불투명했다. 삼성전자 역시 하이브리드 본딩의 구체적인 도입 시점을 확정하지 않고 상당한 고심을 거듭하고 있는 것으로 알려졌다. 이날 공개된 로드맵에 따르면, 삼성전자는 이르면 HBM4E(7세대)부터 하이브리드 본딩을 도입할 계획이다. 이를 위해 삼성전자는 하이브리드 본딩 기반의 16단 HBM 샘플을 개발해 평가를 거치고 있는 것으로 알려졌다. 김 상무는 "HBM이 16단 적층만 돼도 발열을 잡기가 어려워, 여기에서부터 하이브리드 본딩을 조금씩 써보려는 준비를 하고 있다"며 "HBM4E에서 하이브리드 본딩이 상용화될 지는 시장적인 부분과 투자비 등을 생각해야 된다"고 설명했다. 차후 수요가 증가할 것으로 예상되는 커스텀(맞춤형) HBM 사업도 준비하고 있다. 현재 구글, 엔비디아, AMD 등 복수의 글로벌 빅테크 기업들은 자신들의 AI 반도체에 특화된 성능을 갖춘 HBM을 요구하고 있다. 김 상무는 "커스텀 HBM에 대한 문의가 많이 오고 있어, 베이스 다이에 연산 기능을 집어넣는 등 삼성전자만의 특별한 커스텀 HBM을 만들기 위한 준비를 하고 있다"고 말했다.

2025.07.22 14:55장경윤

곽동신 한미반도체 회장 "HBM4·5도 TC본더로 간다…하이브리드 본더 더 비싸"

한미반도체는 곽동신 회장이 하이브리드 본더 체제로 전환을 검토한다는 일각의 견해를 일축했다고 15일 밝혔다. 곽 회장은 "HBM4, HBM5 생산에서 하이브리드 본더 도입은 우도할계(牛刀割鷄)"라고 강조했다. 우도할계는 '소 잡는 칼로 닭을 잡는다'는 뜻으로, 작은 일에 어울리지 않게 큰 도구를 쓴다는 의미다. 곽 회장은 “하이브리드 본더는 대당 100억원 이상으로 TC 본더의 2배가 넘는 고가 장비”라며 “JEDEC에서 지난 4월 AI 패키징 두께 기준을 775μm로 완화하면서 HBM4와 HBM5 모두 한미반도체 TC 본더로 제조가 가능해 고객들이 가격이 두배가 넘는 하이브리드 본더를 선택하지 않을 것으로 본다”고 언급했다. 곽 회장은 또 “한미반도체는 전세계 HBM TC 본더 시장점유율 1위로 2024년부터 현재까지 엔비디아향 HBM3E용 시장에서 90% 점유율을 차지하고 있다"며 "2027년 말까지 HBM4, HBM5 시장에서도 95% 점유율을 목표로 한다”고 밝혔다. 한미반체는 2027년 말 출시를 목표로 HBM6용 하이브리드 본더를 개발해 시장에 선제적으로 대비할 계획이다. 플럭스리스 본더 또한 로드맵에 따라 빠르면 연내 출시할 예정이다. 곽 회장은 “당사는 NCF와 MR-MUF 타입 등 모든 HBM 생산용 열압착 본딩기술을 보유하고 있고, 이 분야에서 전세계 최고의 기술을 가지고 있다"고 자신감을 표했다. 또한 한미반도체는 수직계열 생산시스템(In-house system)의 장점을 부각했다. 곽 회장은 “한미반도체는 설계부터 부품 가공, 소프트웨어, 조립, 검사에 이르기까지 전 과정을 내부에서 통합 관리함으로써 기술 혁신, 생산 최적화, 비용 관리 측면에서 다른 장비업체들이 쉽게 따라올 수 없는 차별화된 경쟁력을 확보하고 있다”고 설명했다. 글로벌 시장에서 포지션과 고객 대응 전략도 명확히 제시했다. “글로벌 AI 시장 성장과 HBM 수요 증가와 함께 HBM 생산용 고사양 본더 수요가 크게 증가할 것으로 확신한다”며 “이러한 수요 증가에 대응하기 위해 기술 개발과 생산 능력 확대에 적극 투자하고 있다”고 덧붙였다. 1980년 설립된 한미반도체는 전 세계 약 320여개의 고객사를 보유한 글로벌 반도체 장비 기업이다. 2002년 지적재산부 설립 이후 지적재산권 보호와 강화에도 주력하며 현재까지 총 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 출원했다.

2025.07.15 09:49장경윤

SK키파운드리, LB세미콘과 '다이렉트 RDL' 공동 개발

SK키파운드리는 LB세미콘과 8인치 기반의 반도체 패키징 핵심 기술 Direct RDL(재배선)을 공동 개발하고, 신뢰성 평가까지 성공적으로 마쳤다고 15일 밝혔다. 이로써 회사는 본격적인 차세대 반도체 패키징 기술 고도화와 차량용 반도체 제품 경쟁력을 강화하게 됐다. RDL은 반도체 칩 위에 전기적 연결을 위한 금속 와이어와 절연층을 형성하는 것으로, 주로 WLP(웨이퍼레벨패키징) 및 FOWLP(팬아웃-웨이퍼레벨패키징) 공정에 적용해 칩과 기판 간의 연결성을 높이고 신호 간섭을 최소화하는 역할을 한다. 이번에 SK키파운드리가 LB세미콘과 함께 개발한 Direct RDL은 모바일이나 산업용 뿐 아니라 차량용으로도 적용 가능한 경쟁사 대비 높은 전류 용량의 전력 반도체에 적합한 수준인 15um까지의 배선 두께와 칩면적 70%까지의 배선 밀도를 확보했다. 또한 혹독한 환경에서 작동 신뢰성을 평가하는 AEC-Q100 차량용 반도체 국제 품질 표준 등급을 만족하는 –40℃부터 +125℃ 동작 온도 범위의 Auto grade-1 등급을 충족해 경쟁사와 달리 차량용 제품 지원도 가능하다. 이와 함께, 디자인 가이드 및 개발킷 제공을 통해 고객이 필요로 하는 작은 칩 크기, 낮은 소비 전력 및 저렴한 패키징 비용 특성을 갖춘 공정 솔루션을 지원한다. 반도체 패키징 및 테스트 전문 기업 LB세미콘은 SK키파운드리의 반도체 공정 전반에 걸친 이해와 숙련된 제조 역량 활용을 통해 개발 기간을 크게 단축할 수 있었다. LB세미콘의 후공정과 SK키파운드리의 파운드리 공정 기술 결합을 통한 최적화된 웨이퍼 레벨의 Direct RDL 형성을 통해 생산 효율성 극대화가 기대된다. 김남석 LB세미콘 대표는 “Direct RDL 공동 개발을 통해, SK키파운드리와 LB세미콘 간의 기술 경쟁력을 높이는 중요한 계기가 됐다"며 "양사 간 긴밀한 협력을 통해, 차세대 반도체 패키징 시장에서 높은 신뢰성을 바탕으로 주도권을 확보해 나갈 계획”이라고 밝혔다. 이동재 SK키파운드리 대표는 “반도체 패키징 전문기업 LB세미콘과의 공동 개발은 회사의 반도체 공정 전반에 걸친 고도화된 제조 역량을 첨단 반도체 패키징 공정 개발에 접목해 냈다는 점에서 큰 의미가 있다”며 “SK키파운드리는 반도체 전문기업인 LB세미콘과의 지속적인 협업을 통해, 반도체 시장에서 명실상부한 전력반도체 명품 파운드리 달성을 위해 거듭 발전해 나갈 계획”이라고 밝혔다.

2025.07.15 08:55장경윤

日, 반도체 패키징 경쟁력 확보 시동…30여개 기업 손 잡았다

일본 OSAT(반도체외주패키징테스트) 기업들이 시장 경쟁력 강화를 위해 뜻을 모았다. 데이터 공유, 보조금 확보 등을 공동으로 추진해 반도체 패키징 시장의 경쟁력을 빠르게 끌어 올리겠다는 전략이다. 11일 닛케이아시아는 일본 후공정 업계 최초로 결성된 'J-OSAT' 연합회에 약 30여개의 기업이 참여하고 있다고 보도했다. OSAT는 반도체 후공정을 담당하는 기업이다. 종합반도체기업(IDM), 파운드리 등이 전공정 처리를 끝낸 반도체를 수주받아 패키징, 테스트 등을 대신 수행해주는 업무를 맡고 있다. 후공정은 반도체 업계에서 점차 중요성이 높아지는 추세다. 기존 업계는 전공정 영역에서 회로의 선폭을 줄여 반도체 성능을 끌여 올렸으나, 선폭이 10나노미터(nm) 이하까지 좁아지면서 기술적 진보에 많은 어려움을 겪어 왔다. 후공정은 이를 대신해 칩 성능을 높일 기술로 각광받고 있다. 2.5D나 3D 패키징, 칩렛 등 최첨단 패키징이 대표적인 사례다. 다만 OSAT 업계는 미국 앰코(Amkor), 중국 JCET, 대만 ASE 3개 기업이 사실상 시장을 주도하고 있다. 일본 기업은 상위 10대 기업 중 한 곳도 없다. 이에 일본 산업계는 지난 4월 J-OSAT 협회를 결성하고, 약 30여개 회원사와 본격적인 협업을 추진하기 시작했다. 닛케아시아는 "J-OSAT 설립 이전에는 정보 공유의 장이 없어, 관련 기업의 80%가 중소기업인 일본 후공정 업계에 대한 기본적인 정보가 알려지지 않았다"며 "이제 일본 후공정 생산능력이 월 11억 대를 넘는다는 것이 명확해졌고, 공급량의 40%는 자동차, 40%는 기계산업, 20%는 소비재 부문이 차지하고 있다"고 설명했다. J-OSAT는 자동화, 생산 데이터 공유, 인력 개발 등 총 5개 분야에 초점을 맞춰 활동을 펼칠 계획이다. 또한 고성능 장비 교체를 위해 일본 정부에 보조금을 요청하는 방안도 고려하고 있다. J-OSAT의 초대 회장인 마코토 스미타는 "반도체 전공정에는 약 1조엔(한화 약 9조3천억원)의 투자가 필요하지만, 후공정에는 100억엔 혹은 200억엔으로도 많은 것을 할 수 있다"며 "일본 기업들이 최첨단 장비를 도입하면 생산비용을 20%까지 절감할 수 있다"고 말했다.

2025.07.12 14:52장경윤

한미반도체, 직원 복지 위해 아난티와 120억원 규모 멤버쉽 체결

한미반도체는 럭셔리 호텔 & 리조트 아난티와 프리미엄 멤버쉽을 체결하며 직원 복지를 강화한다고 10일 밝혔다. 양사는 지난 9일 한미반도체 본사에서 120억원 규모의 프리미엄 멤버쉽을 체결했다. 이번 제휴로 한미반도체 모든 임직원은 내부 규정에 따라 아난티 리조트를 무료로 이용할 수 있게 됐다. 또한 아난티 리조트의 스파, 골프, 수영, 테니스, 레스토랑 등 부대시설도 특별한 혜택으로 이용할 수 있다. 아난티는 코스닥 상장 기업으로 국내 대표 럭셔리 호텔·리조트 브랜드다. 강남, 부산, 제주, 남해, 가평, 청평, 진천 등 전국 주요 지역에서 프라이빗하고 이국적인 감성의 최고급 리조트 시설을 운영하고 있다. 한미반도체는 이번 아난티 리조트 멤버십 외에도 임직원을 위해 다양한 복지 제도를 도입해 '일하고 싶은 회사' 만들기에 노력하고 있다. 최근 새로 선정한 전문 케이터링 업체인 신세계푸드를 통해 중식과 석식을 스타벅스 커피와 함께 무료로 제공하고 있다. 그 밖에 연차와 별도로 청원유급휴가 제공, 자녀 수와 상관없이 고등학생·대학생 자녀에게 학자금 지원, 1인 1실 기숙사 무상 제공, 신한카드와 만든 복지신용카드 제공, 생일·출산 등 각종 경조사를 지원하고 있다. 또한 장기근속자 포상, 발전공로상, 지적재산포상 등 다양한 포상제도를 운영 중이다. 한미반도체 관계자는 “최고급 럭셔리 리조트인 아난티와 제휴를 맺게 되어 기쁘다. 직원들이 워라밸(일과 삶의 균형)에 대한 관심이 높아진 만큼, 질 높은 휴식 문화를 제공하기위해 노력하고 있다"며 "앞으로 임직원들이 재충전하고 업무 효율성을 높일 수 있도록 직원 복지를 지속적으로 확대해 나가겠다"고 말했다. 아난티 관계자는 "한미반도체와 같은 우수 기업과의 제휴를 통해 더 많은 분들이 아난티만의 프리미엄 서비스를 경험할 수 있게 되어 기쁘다"며 "앞으로도 기업 복지 향상에 기여할 수 있는 다양한 프로그램을 개발해 나가겠다"고 전했다. 1980년 설립된 한미반도체는 전 세계 약 320여개의 고객사를 보유한 글로벌 반도체 장비 기업이다. 2002년 지적재산부 설립 이후 지적재산권 보호와 강화에도 주력하며 현재까지 총 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 출원했다. 한미반도체는 HBM3E 12단 생산용 TC 본더 시장에서 90% 이상의 점유율을 차지하며 독보적인 기술력을 입증하고 있다.

2025.07.10 10:34장경윤

하나기술, 반도체 유리기판용 TGV 기술 개발완료

첨단 제조장비 전문기업 하나기술은 반도체 유리기판의 핵심기술인 TGV(유리관통전극) 가공기술 개발에 성공했다고 7일 밝혔다. 하나기술은 자체 기술시연회를 통해 이번에 개발한 반도체 유리기판 솔루션을 선보였다. 반도체 유리 기판의 시작 공정인 원장 가공부터 TGV 가공, 유리 가공 공정까지의 토탈 솔루션을 독자적 기술로 개발함으로써 차세대 반도체 유리기판 시장 진입을 본격화 했다는데 의미가 있다고 회사측은 설명했다. 반도체 유리 기판은 기존의 유기 기판이나 실리콘 인터포저에 비해 평탄도 및 미세 배선 구현, 열 안전성, 집적도 등이 우수한 소재로 인공지능(AI) 반도체, 고성능 컴퓨팅, 5G통신과 같은 차세대 반도체 분야에서 핵심적인 역할을 할 것으로 평가되고 있다. 유리기판을 반도체에 적용하기 위해서는 칩 간에 연결을 위한 미세 관통 홀을 형성하는 TGV 기술이 중요하다. 과거 기술적 완성도가 고객사 요구 대비 부족했던 반면, 하나기술은 자체 광학설계를 기반으로 레이저 융합기술과 열면취 기술을 접목시켜 반도체 유리기판 가공 토탈 솔루션을 개발했다고 설명했다. 현재 하나기술은 1.1mm 두께의 유리 기판에 대해 80μm 수준의 미세홀 가공을 구현하고 있으며, 고객사가 요구하는 홀 품질 요건인 TGV 직경 편차, 테이퍼율, 단면 조도 등에 부합하는 공정 능력을 갖췄다. 레이저 공정과 유리 식각 공정의 메칭 최적화 및 가공 후 크랙 발생으로 인한 불량 이슈도 해결했다. 하나기술은 현재 국내 주요 웨이퍼 및 패키징 기업들과 공정 평가를 진행하고 있으며, 일부 고객사와는 장비 도입 논의가 이어지고 있다고 밝혔다. 또한 미국 주요 IT 및 반도체 기업들과 NDA를 체결해 TGV 기술의 글로벌 시장 적용 가능성을 긍정적으로 확인하는 등 내년 상반기 중 첫 장비 납품이 이뤄질 수 있을 것으로 기대하고 있다고 전했다. 하나기술 관계자는 “TGV 장비시장은 인공지능, 5G 및 고성능 반도체 수요 급증으로 2030년 초반까지 매년 약 34%의 높은 성장율(CAGR)이 전망되고 있다”며 “이번 하나기술의 반도체 유리기판 솔루션 개발은 이차전지 장비를 기반으로 성장해 온 하나기술의 또 다른 성장모멘텀이 될 것”이라고 말했다.

2025.07.07 11:05장경윤

SFA, HBM 제조라인에 스마트 물류시스템 공급

국내 종합장비회사 에스에프에이는 국내 고객사의 HBM 제조라인에 스마트 물류시스템을 공급한다고 7일 밝혔다. 에스에프에이는 그간 국내외 고객사의 반도체 제조라인에 OHT(Overhead Hoist Transport) 시스템과 스탁커(Stocker) 및 리프터(Lifter) 등 스마트 물류시스템 전반을 공급해 왔다. 나아가 이번 수주로 급격하게 설비투자가 확장되고 있는 HBM 분야로도 사업을 확장하게 됐다. 에스에프에이 관계자는 "경쟁사 대비 약 40% 저감된 진동 스펙 달성을 통해 반도체 품질의 안정성을 확보했다"며 "웨이퍼 이송 효율 제고를 위한 최적경로 선정 스마트 기술 및 무중단을 구현하는 예지정비(PdM) 솔루션 등의 적용을 통해 확보한 OHT 시스템의 차별화된 경쟁력을 인정받았기 때문에 가능했다"고 설명했다. 관계자는 이어 "이와 같은 차별화된 기술경쟁력을 기반으로 해외 제조장비업체가 전통적으로 상대적 경쟁우위를 가지고 있던 반도체 물류시스템 제조장비 시장을 본격적으로 공략해 나갈 계획"이라고 덧붙였다. 한편 에스에프에이는 반도체사업의 중장기 성장 기반을 더욱 확고하게 다지기 위해 첨단 패키징 관련 제조장비 개발에 집중하고 있다. 대표적으로 HBM 관련 정밀 패턴 인쇄를 위한 비접촉 3D 배선장비, 유리기판 패키징 관련 TGV·싱귤레이션·진공 라미네이터 등이 있다. 또한 HBM 및 유리기판 PKG 모두에 적용가능한 최첨단 검사·측정 장비군도 개발하고 있다. 인-라인 3D CT장비, FIB-SEM장비, 백색광 간섭계 측정장비 등이 대표적인 사례다. 특히 유리기판 패키징의 경우, 유리기판 제조공정에서의 크랙(crack)이 양산 수율에 지대한 영향을 미침에 따라 유리기판을 다루는 기술이 매우 중요하다. 이와 관련해 회사 관계자는 "이미 오랜 기간에 걸쳐 성숙된 디스플레이용 원판 유리 제조기술은 물론, 충분하게 검증받은 레이저·진공·라미네이션 등 디스플레이용 유리기판 패널 제조 기술을 충분하게 확보하고 있다"며 "유리기판 패키징 양산 제조라인 설비투자가 본격화되는 시점에는 반도체사업의 성장 속도가 더욱 가속화될 것으로 전망하고 있다"고 강조했다.

2025.07.07 10:19장경윤

한미반도체, HBM4용 'TC 본더 4' 양산 개시

한미반도체가 차세대 AI 반도체 핵심 메모리인 HBM4 전용 장비 'TC 본더 4(TC BONDER 4)' 생산을 시작했다고 4일 밝혔다. 'TC 본더 4'는 지난 5월 프로토 타입(prototype)으로 출시된 새로운 장비로 올해 하반기부터 본격적인 공급에 나선다. 글로벌 HBM 제조 기업들은 올해 하반기 HBM4 양산을 앞두고 있다. 한미반도체 'TC 본더 4'는 고도의 정밀도를 요구하는 HBM4 특성에 맞춰 이전 제품 대비 정밀도가 대폭 향상됨과 동시에 적층된 HBM의 구조적인 안정성을 높이는데 핵심적인 역할을 한다. 또한 소프트웨어 기능도 업그레이드 돼 사용자의 편의성도 크게 개선됐다. 업계 일각에선 HBM4 생산을 위해서는 차세대 본딩 기술이 필요하다는 시각이 있었다. 그러나 한미반도체는 기존의 TC 본더의 성능을 대폭 업그레이드하고 새로운 본딩 기술을 적용해 HBM4 생산이 가능하도록 개발하는데 성공했다. 또한 TC 본더 4 장비는 고객사 입장에서 플럭스리스와 하이브리드 본더 대비 구매단가를 낮출 수 있어 글로벌 HBM 제조 기업들의 우선적인 선택을 받을 것으로 예상된다. 6세대 고대역폭 메모리인 HBM4는 기존 5세대(HBM3E) 대비 속도가 60% 향상되고 전력소모량은 70% 수준으로 낮아져 혁신적인 성능 개선을 구현했다. 최대 16단까지 적층 가능하며, D램 당 용량도 24Gb에서 32Gb로 확장됐다. 데이터 전송 통로인 실리콘관통전극(TSV) 인터페이스 수도 이전 세대 대비 2배인 2048개로 증가해 프로세서와 메모리 간 데이터 전송 속도가 크게 향상됐다. 한미반도체 관계자는 "당사는 'TC 본더 4'가 글로벌 메모리 기업들의 HBM4 양산 계획에 차질 없이 대응할 수 있도록 대량 생산 시스템을 구축했다"며 "이번 HBM4 전용 장비 공급을 통해 글로벌 AI 반도체 시장에서 선도적 지위를 유지하고, '고객만족'과 '고객 평등'이라는 정책을 기준으로 고객사 만족에 최선을 다하겠다”고 말했다. 1980년 설립된 한미반도체는 전 세계 약 320여개의 고객사를 보유한 글로벌 반도체 장비 기업이다. 2002년 지적재산부 설립 이후 지적재산권 보호와 강화에도 주력하며 현재까지 총 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 출원했다. 한미반도체는 HBM3E 12단 생산용 TC 본더 시장에서 90% 이상의 점유율을 차지하며 독보적인 기술력을 입증하고 있다.

2025.07.04 10:50장경윤

삼성전자, 브로드컴과 HBM3E 12단 공급 추진…ASIC서 기회 포착

삼성전자가 브로드컴에 5세대 고대역폭메모리(HBM3E) 12단을 공급하는 방안을 논의 것으로 파악됐다. 현재 구체적인 물량 협의를 거쳐, 내년까지 제품을 공급하는 방안을 추진 중이다. 글로벌 빅테크의 자체 주문형반도체(ASIC) 개발이 확대되고 있는 만큼, 엔비디아향 HBM 공급 지연 영향을 일부 만회할 수 있을 것이라는 기대감이 나온다. 3일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 브로드컴과 HBM3E 12단 퀄(품질) 테스트를 마무리하고 제품을 양산 공급하기 위한 협의에 나섰다. 현재 양사가 논의한 공급량은 용량 기준으로 10억Gb(기가비트)대 초중반 수준으로 추산된다. 양산 시기는 이르면 올 하반기부터 내년까지 이뤄질 전망이다. 연간 HBM 시장 대비 큰 물량은 아니지만, HBM 수요 확보가 절실한 삼성전자 입장에서는 의미 있는 규모다. 삼성전자는 올해 HBM 총 공급량을 전년 대비 2배 확대한, 80억~90Gb 수준까지 늘리겠다는 목표를 세운 바 있다. 해당 HBM은 글로벌 빅테크의 차세대 AI반도체에 탑재될 예정이다. 현재 브로드컴은 자체 보유한 반도체 설계 역량을 바탕으로 구글의 7세대 TPU(텐서처리장치)인 '아이언우드'.메타의 자체 AI 칩인 'MTIA v3' 등을 제조하고 있다. 또한 삼성전자는 아마존웹서비스(AWS)에도 HBM3E 12단 공급을 추진 중이다. 최근 평택캠퍼스에서 실사(Audit)를 진행하는 등, 논의가 적극 진행되고 있는 것으로 알려졌다. AWS 역시 HBM3E 12단을 탑재한 차세대 AI 반도체 '트레이니엄 3'를 내년 양산할 계획이다. 이 같은 글로벌 빅테크의 자체 ASIC 개발 열풍은 삼성전자의 HBM 사업 부진을 만회할 기회 요소로 작용한다. 당초 삼성전자는 지난해 하반기 엔비디아에 HBM3E 12단을 납품하는 것이 목표였으나, 성능 및 안정성 문제로 양산화에 차질을 빚어 왔다. 이후 코어 다이인 1a(4세대 10나노급) D램을 재설계해 재공급을 추진해 왔으나, 올해 6월까지 공급을 성사시키겠다는 계획도 현재로선 불가능해졌다. 업계는 빨라야 오는 9월께 공급이 가능해질 것으로 보고 있다. 때문에 삼성전자는 올 2분기 말 P1·P3 내 HBM3E 12단 양산라인의 가동률을 낮추고 있는 상황이다. 올 하반기 엔비디아향 공급 성사, ASIC 고객사 추가 확보 등을 이뤄내야 HBM 사업에 대한 불확실성을 거둘 수 있을 것이라는 평가가 나온다.

2025.07.03 15:39장경윤

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