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삼성전자 "2나노 가속기 수주...국내 DSP와 협력 강화"

삼성전자가 팹리스 업체들이 HPCㆍAI 분야에서 영향력을 빠르게 확대해 나갈 수 있도록 디자인 솔루션 파트너(DSP)들과 협력해 적극적으로 지원한다. 삼성전자는 9일 코엑스에서 '삼성 파운드리 포럼'과 '세이프 포럼(SAFE) 2024'를 개최하고 AI를 주제로 국내 시스템반도체 생태계 강화 성과와 향후 지원 계획을 공개했다. 최시영 삼성전자 파운드리 사업부 사장은 이날 기조연설에서 "삼성전자는 국내 팹리스 고객들과 협력을 위해 선단공정 외에도 다양한 스페셜티 공정기술을 지원하고 있다"며 "삼성은 AI 전력효율을 높이는 BCD, 엣지 디바이스의 정확도를 높여주는 고감도 센서 기술 등 스페셜티 솔루션을 융합해 나가며 고객에게 가장 필요한 AI 솔루션을 제공해 나갈 것"이라고 말했다. 스페셜티 공정 기술은 임베디드 메모리, 이미지센서, RF 등 특정한 기능을 구현하기 위한 공정이다. BCD 공정은 주로 전력반도체 생산에 활용된다. ■ 'AI 솔루션 턴키' 서비스가 차별점...日 PFN 2나노 AI 가속기 수주 삼성전자는 이번 포럼에서 파운드리와 메모리, 패키지 역량을 모두 보유한 종합 반도체 기업의 강점을 바탕으로 고객 요구에 맞춘 통합 AI 솔루션 턴키(Turn Key, 일괄 생산) 서비스 등의 차별화 전략을 제시했다. 이에 일환으로 삼성전자는 국내 DSP 업체인 가온칩스와 협력으로 일본 프리퍼드네트웍스(PFN)의 2나노(SF2) 기반 AI 가속기 반도체를 2.5차원(I-Cube S) 첨단 패키지를 통해 양산할 계획을 밝혔다. 앞서 삼성전자가 2나노 칩 수주에 대해 컨콜에서 언급한적은 있지만, 공식적으로 파트너사 및 고객사명을 언급한 것은 이번이 처음이다. 프리퍼드네트웍스는 일본 인공지능 기업으로 딥러닝 분야에 특화해 칩부터 슈퍼컴퓨터, 생성형AI 기반 모델까지AI 밸류체인을 수직적으로 통합해 첨단 소프트웨어 및 하드웨어 기술을 개발한다. 삼성전자는 2022년 세계 최초로 3나노 GAA(게이트 올 어라운드) 구조 기반 파운드리 양산을 성공한데 이어, 안정된 성능과 수율을 기반으로 3나노 2세대 공정 역시 계획대로 순항중이다. 삼성은 국내 고객들이 최신 공정기술을 활용할 수 있도록 기술지원을 제공하고 있으며 시제품 생산을 위한 MPW(Multi Project Wafer) 서비스 횟수를 점차 늘린다고 밝혔다. MPW 서비스를 활용하는 고객은 단일 웨이퍼에 여러 종류의 설계를 배치하여 테스트하는 등 제조 비용을 절감하고 더욱 완성도 높은 반도체를 개발할 수 있다. 삼성전자의 올해 MPW 서비스 총 횟수는 4나노 공정부터 고성능 전력반도체를 생산하는 BCD 130나노 공정까지32회로 작년 대비 약 10% 증가했으며, 2025년에는 35회까지 확대한다. 국내 팹리스와 DSP의 수요가 많은 4나노의 경우, 내년 MPW 서비스를 올해보다 1회 더 추가 운영해 HPC, AI 분야 국내 첨단 반도체 생태계 확대를 적극 지원할 계획이다. ■ 텔레칩스·어보브·리벨리온 주요 팹리스와 협력 성과 발표 삼성전자는 파트너사 간 네트워킹 기회를 제공하고 혁신을 위한 협력 강화 방안을 논의했다. 특히, 텔레칩스, 어보브, 리벨리온 3사는 삼성 파운드리 포럼 세션 발표를 통해 삼성 파운드리와의 성공적인 협력 성과와 비전 그리고 팹리스 업계 트렌드 등을 공유했다. 이장규 텔레칩스 대표는 "350나노부터 5나노 공정에 이르기까지 삼성 파운드리와 함께 만들어온 칩이 43개에 이른다"라며 "삼성은 차량용 인포테인먼트(IVI) 시장에서 텔레칩스의 성장을 지원해준 오랜 파트너다"라고 전했다. 박호진 어보브반도체 부사장은 "비휘발성 메모리(NVM)는 MCU의 핵심 부품 중 하나로 NVM을 지원하는 삼성의 65나노 공정으로 제품을 생산한다"라며 "올해는 28나노까지 협력을 확대해, MCU 시장 경쟁력을 더욱 강화할 계획이다"고 말했다. 오진욱 리벨리온 CTO는 "삼성 파운드리 5나노에 이어 4나노 공정으로 차세대 AI 가속기 '리벨'을 개발 중"이라며 "대한민국 시스템 반도체가 세계적인 경쟁력을 갖췄다는 것을 보여주겠다"고 밝혔다. 또한, 세이프 포럼에서 삼성전자와 국내외 파트너들은 2.5D/3D 칩렛 설계 기술, IP 포트폴리오, 설계를 검증하고 최적화하는 방법론 등 AI 반도체 설계 인프라를 집중 소개했다. 삼성전자는 지난달 실리콘밸리 미국 파운드리 포럼 행사에서 개최한 최첨단 패키지 협의체(Multi-Die Integration Alliance) 첫 워크숍 결과를 파트너사들과 공유하며, 첨단 공정기술과 설계 인프라, 패키지 기술을 활용한 차세대 고성능ㆍ고대역폭 반도체의 높은 구현 가능성을 강조했다. 이날 포럼에서는 디자인솔루션(DSP), 설계자산(IP), 설계자동화툴(EDA), 테스트∙패키징 (OSAT) 분야 총 35개 파트너사가 부스를 마련해 삼성의 파운드리 고객들을 지원하는 솔루션을 선보였다. 삼성전자는 지난 6월 12일(현지시간) "Empowering the AI Revolution"을 주제로 미국 실리콘 밸리에서 파운드리 포럼과 세이프 포럼을 개최한 바 있으며, 올해 하반기에는 일본과 유럽 지역에서도 행사를 개최할 계획이다.

2024.07.09 14:00이나리

[단독] 현대차, 車반도체 개발 3나노까지 검토...삼성·TSMC 저울질

현대자동차가 차량용 반도체 자체 개발에 착수하면서 반도체 설계 및 파운드리 업체 선정에 본격 나섰다. 최첨단 차량용 반도체 개발을 계획하고 있는 현대차는 5나노미터(nm) 공정 또는 3나노 공정까지 검토하고 있는 것으로 파악된다. 8일 업계에 따르면 현대차는 지난달 말 반도체 설계를 맡기기 위해 디자인솔루션파트너(DSP) 업체를 대상으로 입찰(비딩)을 진행했다. 비딩은 DSP 업체들이 해당 프로젝트를 수주하기 위해 자사의 설계 기술 등을 발표하는 자리다. 업체별로 시간을 달리해서 하루동안 발표한 것으로 알려졌다. 이번 비딩에는 에이디테크놀로지, 가온칩스, 세미파이브, 코아시아 등 삼성전자 파운드리 DSP 파트너와 에이직랜드, 알파웨이브 등 TSMC 밸류체인얼라이언스(VCA) DSP 업체들이 대거 참여했다. 업계 관계자는 “현대차는 반도체 개발에 5나노 공정부터 3나노 공정까지 가능성을 열어두고 여러 칩 개발을 검토 중이다”고 말했다. DSP 업체는 팹리스(반도체 설계기업)가 설계한 반도체를 파운드리(위탁생산) 공정에 맞게 디자인해주는 역할로 팹리스-파운드리 간의 가교역할을 한다. 삼성전자의 DSP 파트너 업체는 삼성전자 파운드리 공정 설계만 담당하고, TSMC의 DSP 업체는 TSMC의 설계만 담당하는 방식이다. 현대차가 설계를 맡기는 DSP 및 파운드리 업체는 빠르면 3개월 내에 결과가 나올 것으로 관측된다. 반도체 업계는 통상적으로 후보 DSP 업체를 두세 곳으로 압축한 뒤 마지막 비딩을 통해 최종 결정한다. 차량용 반도체 공정은 일반 공정과 로드맵이 다르다. 삼성전자는 지난 6월 파운드리 포럼에서 지난해 차량용 반도체용으로 5나노(SF5A) 공정을 개시했고, 내년에 4나노(SF4A) 공정, 2027년 2나노(SF2A) 공정을 시작한다고 밝혔다. TSMC 또한 현재 5나노(N5A) 공정을 제공하고 있으며, 올해 3나노(N3AE)를 시범으로 시작한 다음 2026년 본격적으로 3나노(N3A)로 차량용 칩을 생산한다는 목표다. 현대차는 SDV(소프트웨어중심자동차)을 지원하는 차량용 반도체를 개발한다는 방침이다. SDV는 하드웨어 중심의 내연기관 차량과 달리 소프트웨어(SW)로 차량을 제어하는 미래 혁신 분야로 자동차의 주행 성능, 편의 기능, 안전 기능까지 포함된다. 현대차는 내년까지 SDV 기술 개발을 마치고 2026년부터는 그룹 전 차종에 이를 적용할 계획이다. 현대차의 차량용 반도체 개발 총괄은 송창현 AVP(첨단차 플랫폼) 본부장 겸 포티투닷 사장이 맡고 있다. 현대자동차그룹은 올해 1월 현대 기아차의 모빌리티 연구개발(R&D) 역량과 소프트웨어(SW) 기술 개발을 통합하기 위해 AVP 본부를 신설했다. 포티투닷은 현대차그룹 SDV 전환의 핵심 역할을 맡은 글로벌 소프트웨어센터다. 앞서 지난해 6월 현대차는 반도체 개발실을 신설하면서 삼성전자 시스템LSI 사업부에서 차량용 시스템온칩(SOC) 엑시노스 오토를 연구해 온 김종선 상무를 영입한 바 있다. 현대차는 지난 5월 판교 테크윈타워에 SDV 연구거점을 만들고 반도체 및 소프트웨어 개발인력 모았다. 이 곳에서는 판교에 근무하던 반도체개발실 인력과 화성에서 근무하던 자율주행사업부, 현대차그룹의 글로벌 소프트웨어센터인 포티투닷 인력, 현대모비스 반도체 개발 인력 등이 근무한다. 업계에 따르면 현대차 AVP 본부 내 시스템반도체 설계 개발자는 현재 약 60~70명 정도로, 현대차는 반도체 개발자 인력을 추가로 충원 중이다. 업계 관계자는 “NPU 칩 개발에만 설계 인력이 최소 100명 이상이 필요하듯이, 현대차가 첨단 공정으로 반도체를 개발하려면 200여명 이상의 인력이 필요할 것”이라고 말했다. 이와 관련 현대차는 "반도체 개발 관련 다양한 방안을 검토 중에 있으며, 구체적 개발 방향이나 업체 선정 관련 아직 정해진 바 없다"고 밝혔다.

2024.07.08 16:16이나리

지멘스, 3D IC 열 설계검증 솔루션 '캘리버 3D 써멀' 출시

지멘스 디지털 인더스트리 소프트웨어, 지멘스 EDA 사업부는 오늘 3D 집적 회로(3D-IC)의 열 분석, 설계 검증 및 디버깅 솔루션인 캘리버 3D써멀(Calibre 3DThermal)을 출시했다고 8일 밝혔다. 캘리버 3D써멀은 지멘스의 캘리버 검증 소프트웨어와 캘리버 3D스택 소프트웨어의 요소를 지멘스의 CAD 임베디드 전산 유체 역학(CFD) 툴인 심센터 플로썸 소프트웨어 솔버 엔진과 통합했다. 이를 통해 칩 설계자가 초기 단계 칩 및 패키지 내부 탐색부터 설계 사인오프까지 설계에서 열 효과를 신속하게 모델링, 시각화 및 완화할 수 있게 지원한다. 캘리버 3D써멀은 전기 시뮬레이션에서 열 영향을 고려하는 데 필요한 출력을 제공한다. 또한 경계조건을 입력으로 사용할 수 있을 뿐만 아니라 심센터 플로썸에 출력을 제공할 수 있다. 캘리버 3D써멀은 열 방출 제어가 핵심 요구 사항인 3D-IC 아키텍처의 문제를 해결하기 위해 개발됐다. 복잡한 열 문제를 식별하고 신속하게 해결하기 위한 빠르고 정확하며 강력하고 포괄적인 접근 방식을 제공한다. 캘리버 3D써멀은 최소한의 입력으로 초기 타당성 분석을 시작할 수 있는 유연성을 제공하며, 이후 더 자세한 정보가 입수되면 금속화 세부 사항과 열 고려 사항에 미치는 영향을 고려하여 더 자세한 분석을 수행할 수 있다. 이러한 점진적인 접근 방식을 통해 설계자는 분석을 개선하고 평면 배치 기법(floorplan)변경, 스택형 비아(stacked vias) 또는 TSV 추가 등의 수정 사항을 적용해 열 핫스팟을 피하거나 열을 더 효과적으로 방출할 수 있다. 이 반복적인 프로세스는 최종 조립이 완료될 때까지 계속되므로 최종 테이프 아웃 시 성능, 신뢰성 및 제조 문제의 위험을 크게 줄일 수 있다. 고급 수준의 열 해석을 수행하려면 3D-IC 어셈블리에 대한 완전한 이해가 필요하다. 어셈블리가 완성될 때까지 기다렸다가 오류를 식별하고 수정하면 설계 일정에 심각한 차질을 빚을 수 있지만, 캘리버 3D써멀은 자동화와 통합을 통해 이러한 위험을 완화해 설계자가 작업 중인 설계 단계에서 열 분석을 반복할 수 있도록 지원한다. 캘리버 3D써멀은 업계에서 신뢰받는 지멘스의 심센터 플로썸 소프트웨어 솔버 엔진의 맞춤형 버전을 내장해 전체 3DIC 어셈블리의 정적(static) 또는 동적(dynamic) 시뮬레이션을 위한 정밀한 칩렛 레벨의 열 모델을 생성한다. 디버깅은 이미 다양한 IC 설계 툴에 통합되어 있는 결과 리뷰 소프트웨어인 Calibre RVE를 통해 간소화된다. 이러한 강력한 툴의 통합으로 3DIC 설계자의 특정 요구 사항에 맞춘 효율적인 열 분석 솔루션이 탄생했다. 모든 캘리버 제품과 마찬가지로 캘리버 3D써멀은 타사의 다양한 주요 설계 툴은 물론 새로 발표된 Innovator3D IC 소프트웨어를 포함한 지멘스의 소프트웨어와도 원활하게 통합된다. 모든 설계 흐름에서 캘리버 3D써멀은 전체 설계 라이프사이클(design Lifecycle) 동안 열 데이터를 캡처하고 분석한다. 한편 지멘스는 대만 UMC와 협력해 캘리버 3D써멀로 구동되는 혁신적인 열 분석 플로우를 UMC 고객을 위해 배포했다. 이 최첨단 소프트웨어는 UMC의 웨이퍼 온 웨이퍼(wafer-on-wafer) 및 3D-IC 기술을 위해 특별히 맞춤화됐으며, 검증을 거쳐 곧 UMC의 글로벌 고객들에게 제공될 예정이다.

2024.07.08 10:35장경윤

삼성전자, 2분기 영업익 8조원대 예상…메모리 수요 상승 덕분

삼성전자가 AI 반도체 수요 중심의 메모리 업황 개선에 힘입어 2분기 매출이 1분기에 이어 70조원대를 유지하고 영업이익은 8조원대로 회복한다는 전망이 우세하다. 지난해 반도체를 담당하는 DS부문에서 15조원대의 적자를 기록한 삼성전자는 올해 1분기 흑자전환에 성공한데 이어 2분기에도 실적 개선을 이루면서 하반기에 상승세를 이어갈 전망이다. 삼성전자는 오는 5일 잠정실적 발표를 앞두고 있다. 2일 증권사 실적 전망(컨센서스)에 따르면 삼성전자는 2분기 매출 73조6천598억원, 영업이익 8조2천613억원을 기록하며 전년 보다 각각 22.7% 증가, 1135.7% 증가할 전망이다. 이는 삼성전자의 분기 영업이익이 10조원 밑으로 떨어진 2022년 4분기 이후 처음으로 8조원대 회복이라는 점에서 주목된다. 증권가에서는 삼성전자의 2분기 영업이익을 지난 4월 6조원대, 5월 7조원대로 예상했지만, 최근 8조원대로 상향했다. ■ 메모리 업황 회복세...수요 늘고, 가격 상승 삼성전자의 이 같은 실적 호조는 반도체 업황의 회복에 따른 영향이 크다. 메모리 수요가 증가하면서 가격이 상승으로 이어졌고, 특히 서버향 메모리에 대한 수요가 예상치를 넘어선 것으로 집계된다. 그 결과 삼성전자 DS 부문 2분기 실적은 매출이 27조3천억원, 영업이익이 4조5천억 원~5조원을 기록할 전망이다. 대신증권에 따르면 메모리에서 D램 영업이익은 3조9천억원, 낸드 1조원, 비메모리(시스템LSI, 파운드리)는 4천800억원이 예상된다. 증권가에 따르면 2분기 D램은 비트그로스가 4%, 평균판매가격(ASP)이 16% 상승했다. 낸드의 경우 비트그로스가 1% 상승, ASP가 18% 상승하며 수익성이 개선됐다. KB증권 연구원은 "D램과 낸드의 평균판매가격(ASP) 상승으로 2분기 영업이익은 전분기대비 2.3배 증가가 전망된다"고 말했다. 최근 시장조사업체인 트렌드포스는 2분기 D램 평균판매가격이 13~18% 증가했고, 3분기에는 5~-10% 상승한다고 전망했다. 그 중 고대역폭메모리(HBM)은 3분기 8~13% 오를 전망이다. 또 낸드는 2분기 평균판매가격이 15~20%, 3분기에는 5~10% 인상된다고 예상했다. 디스플레이 실적 개선도 눈에 띈다. 2분기 삼성디스플레이 영업이익은 6천210억원으로 전분기(3천400억원) 보다 82% 증가가 예상된다. 삼성디스플레이는 고객사인 삼성전자가 7월 출시하는 폴더블폰 갤럭시Z6 시리즈에 패널 공급했고, 아이폰15 판매 호조에 따라 가동률이 증가한 것으로 전해진다. 그 밖에 모바일과 네트워크를 담당하는 MX사업부의 2분기 영업이익은 2조1천억원으로 전분기 (3조5천100억원) 보다 감소할 전망이다. 정통적인 비수기인 2분기에 스마트폰 판매량이 줄어든 탓이다. 가전과 TV를 담당하는 VD가전사업부의 2분기 영업이익은 4천억원으로 전분기 보다 20% 감소할 전망이다. 에어컨 성수기 효과에도 불구하고 TV 판매량이 당초 예상치를 하회하면서 실적 부진을 보였다. ■ 연간 영업이익 40조원 전망...HBM3E 공급 가능성에 주목 삼성전자의 영업이익은 상반기 38%(14조7천억원) 하반기 62% (24조5천억원) 비중으로 연간 39조2천억원을 기록할 전망이다. 일부 증권사는 연간 영업이익을 40조원 이상으로 전망하기도 한다. 연간 매출 전망치는 309조6천474억원이다. 삼성전자는 고객사 엔비디아로부터 올 하반기 5세대 고대역폭메모리(HBM) HBM3E 제품 승인을 이루면서 실적 상승을 기대하고 있다. 박유학 키움증권 연구원은 "엔비디향 HBM3E에 대한 제품 승인이 가시화되면서 그 동안 상대적으로 눌려왔던 주가의 상승 탄력이 강해질 수 있을 것"이라며 "올 하반기 삼성전자는 9세대 V낸드를 양산하며 QLC 기반의 eSSD 판매를 본격화하고, 1b나노 D램을 양산하며 128GB 서버 DIMM의 판매를 확대할 전망이다"라고 말했다. 박강호 대신증권 연구원은 "하반기 메모리 가격 상승은 상반기 대비 축소될 것으로 예상하나 여전히 강한 수준이다"라며 "삼성전자는 AI 시대에서 HBM3E 공급 타임라인이 지연되며 소외되는 모습이나, 12단 HBM3E 공급에 대한 모멘텀은 여전히 존재한다"고 밝혔다. 노근창 현대차증권 리서치센터장은 "삼성전자가 엔비디아에 HBM3을 공급하지 않고도 (2분기) 이 정도의 영업이익을 창출할 수 있는 경쟁력에 대한 재평가가 필요해 보인다"며 "엔비디아에 HBM3을 납품하지 못한 것이 주가에 노이즈였다면 이제부터는 현재 실적에 추가될 수 있는 '+α'로 접근하는 전략이 유효할 것"이라고 했다. 그 밖에 MX사업부는 이달 10일 프랑스 파리에서 열리는 갤럭시 언팩에서 차세대 폴더블폰 갤럭시Z6 시리즈를 비롯해 갤럭시워치7, 갤럭시버즈, 새로운 폼팩터 갤럭시링 등을 출시함에 따라 하반기 실적 개선을 이룰 전망이다. 삼성디스플레이는 하반기 삼성전자 뿐 아니라 아이폰16 시리즈에 패널 공급을 앞두고 있다.

2024.07.02 15:47이나리

화합물 전력반도체 韓 점유율 2%...삼성·SK도 뛰어든다

새로운 먹거리로 떠오른 화합물 전력반도체 시장에서 글로벌 경쟁이 가열되고 있는 가운데 우리 정부와 기업도 시장 선점을 위해 뛰어들었다. 글로벌 기업에 비해 후발주자에 속하는 국내 기업은 정부와 함께 생태계를 구축해 기술 개발에 총력을 기울인다는 목표다. 업계에서는 한국이 현대·기아차, 삼성전자, LG전자 등 글로벌 자동차 및 가전 기업을 보유하고 있다는 점에서 전력반도체 시장에서 승산이 있을 것으로 전망한다. 전력반도체는 전자제품에 필수적으로 들어가는 칩이다. 최근 전기차, 태양광 인버터 시장이 확대되면서 기존 실리콘(si) 소재로 만든 전력반도체보다 전력 효율이 높고 내구성이 뛰어난 실리콘카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN) 등 화합물 전력반도체에 대한 수요가 커지고 있다. ■ 민관, 화합물 전력반도체 R&D에 1384.6억원 투입 그동안 우리나라는 화합물 전력반도체 수요 대부분을 수입에 의존해 왔다. 국가별 화합물 전력반도체 시장 점유율은 유럽(54%), 미국(28%), 일본(13%) 순으로 차지하며 이들 국가의 합산 점유율은 95%에 달한다. 반면 한국은 1~2% 점유율로 미비하다. 이 분야의 강자는 스위스 ST마이크로일렉트로닉스, 독일 인피니언, 미국 온세미와 울프스피드, 일본 로옴 등이 대표적이다. 정부는 국내 화합물 전력반도체 기술 고도화를 위해 올해부터 2028년까지 4년간 총 1천384억원을 투입하기로 결정했다. 개발비는 민간 445억8천만원과 국비 938억8천만 원으로 구성된다. 이와 관련해 지난 20일 화합물 전력반도체 관련 소재-소자-IC(집적회로)-모듈 등 기업은 국내 화합물 전력반도체 생태계 구축을 위한 업무협력 양해각서(MOU)를 체결하며 본격적으로 기술을 협력하기로 했다. 협력에는 웨이퍼를 생산하는 SK실트론(소재분야), 칩을 생산하는 DB하이텍(파운드리), 어보브반도체(팹리스) 등이 참여한다. 반도체 업계 관계자는 “화합물 젼력반도체 시장에서 한국은 후발주자이지만, 파운드리와 뛰어난 설계 기술을 보유하고 있기 때문에 정부의 지원이 더해지면 경쟁력을 갖출 것으로 기대된다”고 말했다. 글로벌 1위 SiC 반도체 업체인 ST마이크로일렉트로닉스 수장인 프란체스코 무저리 부사장은 “한국 기업이 글로벌 기업과 경쟁이 가능하다”고 진단했다. 그는 “한국은 전세계에 자동차를 수출하는 현대자동차와 삼성전자, LG전자 등 글로벌 가전업체를 보유하고 있는데, 여기에는 고성능 전력 반도체가 반드시 필요하다. 수요 업체와 공급업체가 파트너십을 맺는다면 성공하지 못할 이유는 없다”라며 “IP(설계자산) 특허 부분에서는 어려움이 따를 수 있지만, 한국은 혁신적인 국가이고, 우수한 인재가 많아서 장점이다”고 덧붙였다. ■ "수익성 3배 이상"…SK·삼성·DB하이텍부터 팹리스까지 총력 SK그룹은 전력반도체 개발에 많은 관심을 보이고 있다. SK실트론은 2020년 미국 듀폰의 SiC 웨이퍼 사업부를 4억5천만 달러로 인수해 현지에 SK실트론CSS라는 자회사를 설립했다. SK실트론CSS는 SiC에 수년간 6억 달러 투자를 계획하고 있으며, 1차 투자 격인 미국 베이시티 공장을 2022년에 완공해 6인치(150㎜) SiC 웨이퍼를 연간 12만장을 생산한다. SK실트론CSS는 2022년 11월 미국 RF 반도체 업체 코보와 올해 1월 독일 인피니언과 SiC 웨이퍼 장기 공급 계약을 체결하기도 했다. 파운드리 업체 SK키파운드리는 GaN 전력 반도체 생산에 주력하고 있다. 2022년 정식 GaN 개발팀을 구성하고, 최근 650V GaN HEMT(고전자 이동도 트랜지스터) 소자 특성을 확보해 생산 준비를 마쳤다. SK키파운드리는 올 하반기부터 청주 팹에서 GaN 반도체를 생산하며, 향후 SiC까지 라인업을 넓혀 전력 반도체 전문 파운드리로 변화한다는 목표다. SiC 전력반도체에 주력하는 SK파워텍은 SK가 2022년 예스파워테크닉스 지분 95.8%를 1천200억원에 인수한 업체다. SK는 2023년 사명을 SK파워텍으로 바꾸면서 기존 포항 공장을 부산으로 이전하며 사업을 확장했다. 삼성전자 파운드리도 전력반도체 생산 준비에 한창이다. 삼성전자는 컨슈머, 데이터센터, 오토모티브 향으로 2025년 8인치 GaN 전력반도체 파운드리 서비스를 시작한다고 밝혔다. DB하이텍도 수익성이 높은 화합물 전력반도체 생산업체로 체질개선에 나선다. DB하이텍은 2022년 말부터 8인치 GaN 공정을 개발에 들어가 올해 말에 생산에 들어갈 예정이다. 또 SiC 전력반도체 생산을 위해 충북 음성 상우공장에 핵심 장비를 도입하며 생산을 위한 준비 작업도 진행 중이다. 아울러 회사는 GaN 전문 팹리스 에이프로세미콘과 기술협력을 통해 파운드리 공정 특성을 향상시키고 있다. 파운드리 업체가 전력 반도체로 전환하는 이유는 수익성이 더 높기 때문이다. 업계 관계자는 "SiC 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼보다 5~10배 더 비싸서, 같은 용량을 생산하더라도 더 높은 이익을 낼 수 있다"고 말했다. 그 밖에 어보브반도체, 아이큐랩, 칩스케이, 파워큐브세미, 쎄닉 등도 화합물 전력반도체 공급 기업으로 주목받고 있다. 한편, 시장조사업체 올디벨롭먼트에 따르면 SiC 반도체는 2021년 10억 달러에서 2027년 62억 달러로 연평균 34% 성장할 전망이다. GaN 반도체는 2021년 1억2천만 달러에서 2027년 20억 달러로 연평균 59% 성장할 것으로 예상된다.

2024.06.26 17:24이나리

삼성 파운드리 웨이퍼 결함 논란…'사고'로 봐야할까

최근 삼성전자의 최선단 파운드리 공정이 결함 발생이라는 논란에 휩싸였다. 다만 실제 피해 규모는 소문과 달리 적을 가능성이 높아, 업계나 시장에서 주목할 특기할 만한 사고가 아닌 일반적인 '공정 관리'로 봐야한다는 주장이 제기된다. 26일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리 사업부는 지난 주 공정에서 발생한 오류로 일부 웨이퍼 손상이 발생했다. 사안에 정통한 복수의 관계자에 따르면, 이번 사고는 삼성전자의 2세대 3나노 공정(SF3)에서 발생했다. 전산 오류로 공정에 투입된 웨이퍼가 잘못된 장소에 보관되면서, 웨이퍼 상에 도포된 소재가 문제를 일으킨 것으로 알려졌다. 다만 이번 사고의 원인이 근본적인 설계 오류나 소재의 특성 문제는 아닌 보관상의 실수로 파악된다. 손상된 웨이퍼를 처리하면 곧바로 공정 정상화가 가능한 수준이다. 관건은 피해 규모다. 사고 발생 직후 업계 및 증권가에서는 "웨이퍼 5만7천장 수준의 피해가 발생했다", "웨이퍼 20만장을 폐기하는 방안을 검토 중" 등의 확인되지 않은 소문이 돌았다. 다만 이번 사고의 실제 피해 규모는 그리 크지 않을 것이라는 게 업계의 시각이다. 삼성전자의 SF3 공정이 본격적인 상용화 궤도에 오르지 않았다는 점도 이 같은 분석에 무게를 더한다. 삼성전자 역시 이같은 소문에 대해 "사실무근"이라고 반박했다. 결과적으로 이번 사고는 피해 규모에 따라 의미가 극명히 갈릴 전망이다. 통상 반도체 제조 공정은 노광·식각·세정·연마 등 수 많은 공정을 거치며, 이 과정에서 적잖은 결함이 검출된다. 장비 에러나 일시적 정전 등 예기치 못한 변수도 발생한다. 피해 규모가 미미한 수준이라면, 이번 사고 역시 반도체 제조 공정에서 중대 결함이 아닌 일반적으로 발생하는 사례 중 하나로 볼 수 있다. 삼성전자 SF3 공정의 주요 적용처가 될 모바일 AP(어플리케이션 프로세서) '엑시노스 2500' 개발에도 별다른 영향은 없을 전망이다. 엑시노스 2500은 삼성전자가 내년 출시할 플래그십 스마트폰 '갤럭시S25' 시리즈용으로 설계된 칩셋이다. 업계 관계자는 "이번 결함은 일시적인 현상으로 웨이퍼를 추가 투입하기만 하면 개발 과정에 별다른 문제는 생기지 않을 것으로 분석된다"며 "일부 비용적 문제만 발생할 것"이라고 설명했다.

2024.06.26 10:51장경윤

中 바이트댄스, 美 브로드컴 손잡고 고성능 AI칩 개발

동영상 공유플랫폼 '틱톡'을 서비스 중인 중국 IT 기업 바이트댄스가 미국 팹리스 브로드컴과 고성능 AI 반도체 개발과 관련해 협력하고 있다고 로이터통신이 24일 보도했다. 양사가 개발 중인 반도체는 선단 공정인 5나노미터(nm) 기반의 주문형반도체(ASIC)다. 칩 제조는 대만 주요 파운드리인 TSMC가 담당하는 것으로 알려졌다 이번 양사의 협업은 미국이 중국의 AI 및 최첨단 반도체 공급망 자립화를 견제하는 가운데 드러났다는 점에서 주목받는다. 지난 2022년 미국이 대중(對中) 반도체 수출 규제를 시행한 이래로, 5나노 이하의 첨단 반도체 기술과 관련해 미국과 중국 기업 간의 협력이 공개적으로 발표된 사례는 없었다. 로이터통신은 익명의 소식통을 인용해 "바이트댄스가 미중 간의 긴장 속에서 고성능 AI 반도체를 충분히 확보하기 위한 움직임에 나서고 있다"며 "이전부터 협력 관계를 맺어 온 브로드컴과 제휴하면 조달 비용을 절감하고, 안정적인 공급망을 구축하는 데 도움이 될 것"이라고 밝혔다. 다만 바이트댄스의 5나노 AI 반도체가 실제 양산될 수 있을 지는 아직 미지수다. 현재 해당 칩은 개발 단계로, 설계를 마치고 파운드리에 제조를 의뢰하는 '테이프 아웃' 단계까지는 다다르지 못한 것으로 알려졌다. 한편 중국의 또 다른 주요 IT 기업 화웨이도 미국의 규제 속에서 자체 AI 반도체 개발에 열을 올리고 있다. 지난해에는 현지 파운드리 SMIC를 통해 7나노 기반의 AI 반도체 '어센드910B'를 상용화하는 데 성공했다. 해당 칩은 출시 직후 바이두로부터 대량 주문을 받은 바 있다.

2024.06.25 08:06장경윤

SEMI "세계 반도체 생산능력, 올해 6%·내년 7% 성장할 것"

SEMI(국제반도체장비재료협회)는 최근 보고서를 통해 전 세계 반도체 업계 생산능력은 올해 6%, 내년 7% 성장해 내년 기준 월 3천370만 장(8인치 웨이퍼 환산)에 도달할 것이라고 24일 밝혔다. 5나노미터(nm) 이하의 첨단 공정에 대한 생산능력은 AI를 위한 칩의 수요를 맞추기 위해 올해 13% 증가할 것으로 예상된다. 특히 인텔, 삼성전자, TSMC를 포함한 주요 공급사들은 특히 반도체의 전력 효율성을 높이기 위해 2nm 공정에서 GAA(게이트-올-어라운드)를 도입하고 있다. 이에 따라 내년에는 첨단 반도체 분야에 대한 생산능력이 17% 증가할 것으로 예상된다. 아짓 마노차 SEMI 최고경영자(CEO)는 “클라우드 컴퓨팅에서 엣지 디바이스에 이르기까지 AI의 확산은 고성능 칩 개발 경쟁을 촉진하고 글로벌 반도체 제조 역량의 확장을 주도하고 있다”며 "이는 결국 AI가 더 많은 반도체 수요를 이끌어내어 반도체 산업에 투자를 장려하고, 다시 이 투자가 더 발전된 AI 칩을 만들 수 있는 선순환 구조를 창출하고 있다”고 말했다. 지역별로는 중국이 올해 15%, 내년 14% 성장해 내년 1천10만 장까지 생산능력을 확보할 것으로 전망된다. 과잉 공급의 잠재적 위험에도 불구하고, 중국 제조사들은 지속적으로 생산능력 확대에 투자하고 있다. 특히 화홍그룹, 넥스칩, 시엔, SMIC, CXMT 등이 이러한 흐름을 주도하고 있다. 대부분의 다른 지역은 내년 5% 이하의 생산 능력 증가세를 보일 것으로 예상된다. 대만은 내년에 4% 성장한 월 580만 장으로 2위를 차지할 것으로 예상되며, 한국은 올해 처음으로 월 5백만 장을 넘긴 후 내년 7% 성장한 월 540만 장으로 3위를 차지할 것으로 보인다. 산업별로는 파운드리 부문의 생산능력이 올해 11%, 내년 10% 성장한 뒤, 2026년에는 월 1천270만 장에 이를 것으로 예상된다. 메모리 부문은 AI 서버의 증가세에 따라 고대역폭 메모리(HBM) 등에서 대규모 투자가 발생하고 있다. 이에 따라 D램은 올해와 내년 모두 9%의 성장세를 보이겠다. 반면 3D낸드의 시장 회복세는 아직 저조해 올해에는 생산능력 증가는 없으며, 내년에는 5% 성장할 것으로 예상된다.

2024.06.24 11:34장경윤

인텔, VLSI 심포지엄서 인텔 3 공정 개선 사항 공개

인텔은 최근 미국 하와이에서 진행된 연례 글로벌 반도체 학회 'VLSI 심포지엄'에서 최근 본격 가동에 들어간 '인텔 3'(Intel 3) 공정의 개선 사항을 공개했다고 밝혔다. 인텔 3 공정은 EUV(극자외선)을 활용하는 인텔 두 번째 공정이며 2021년 팻 겔싱어 CEO 취임 이후 공개된 '4년 내 5개 공정'(5N4Y) 로드맵의 세 번째 단계에 있다. 인텔 3 공정은 지난 해 하반기부터 대량생산 단계(HVM)에 돌입한 인텔 4(Intel 4) 공정의 트랜지스터와 메탈 커넥트 등을 개선했다. 전체 프로세서 코어에서 동일 전력 공급시 인텔 4 공정 대비 최대 18% 더 나은 성능을 내며 같은 면적에서 최대 10% 더 많은 트랜지스터를 집적했다. 인텔 3 공정은 미국 오레곤과 아일랜드 레익슬립 소재 시설에서 가동중이다. 오는 3분기부터 시장에 공급될 제온6 6700E 프로세서 등 인텔 내부 제품은 물론 외부 고객사 반도체 위탁 생산에도 활용된다. 인텔은 올 하반기부터 인텔 3 공정을 다양한 고객사의 요구사항에 맞게 확장 예정이다. 컴퓨트 노드와 메모리 등 3차원 적층을 위한 인텔 3-T 공정, I/O 세트를 추가한 인텔 3-E 공정, 9나노미터급 TSV와 하이브리드 본딩 등을 적용하고 성능을 개선한 인텔 3-PT 공정 등이 내부/외부 파운드리 고객사를 위해 가동 예정이다.

2024.06.21 19:41권봉석

삼성전자, '엑시노스 2500' 수율 개선 총력…하반기 '갤S25' 명운 갈린다

삼성전자가 내년 출시할 갤럭시S25 시리즈용 모바일 AP(어플리케이션 프로세서) 개발에 총력을 기울이고 있다. 연말 본격적인 양산 여부를 결정하기 위해 수율 개선을 위한 방안 마련에 분주한 것으로 알려졌다. 20일 업계에 따르면 삼성전자 시스템LSI사업부는 올 하반기까지 엑시노스 2500의 수율 향상에 주력할 계획이다. 엑시노스 2500은 삼성전자가 개발 중인 차세대 모바일 AP다. 모바일 AP는 스마트폰의 성능을 좌우하는 핵심 칩셋으로, CPU와 GPU 등이 집적된 SoC(시스템온칩)다. 삼성전자는 엑시노스 2500을 삼성 파운드리 2세대 3나노 공정(SF3) 기반으로 개발해 왔다. SF3는 삼성전자가 업계 최초로 상용화한 GAA(게이트-올-어라운드)를 기반으로 한다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 모두 감싸는 기술이다. 기존 3개면을 감싸는 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 속도, 전력 효율성 등을 높일 수 있다. 삼성전자는 이 같은 장점을 무기로, 엑시노스 2500을 내년 출시할 신규 플래그십 스마트폰 갤럭시S25 시리즈에 탑재하기 위한 개발을 지속해 왔다. 프로젝트명은 '솔로몬'이다. 동시에 올해 출시되는 갤럭시 워치7용 칩셋인 엑시노스 W1000(프로젝트명 사파이어)도 개발해 왔다. 다만 삼성전자의 엑시노스 2500 개발은 그간 순탄치 않았다는 게 업계 전언이다. 실제로 엑시노스 2500의 수율은 올 1분기까지 한 자릿 수에 머물러, 2월까지 엔지니어링 샘플(ES)를 공급하는 초기 프로젝트가 연기된 바 있다. 이후 삼성전자는 엑시노스 2500의 수율 향상에 집중해, 2분기 기준 엑시노스 2500의 수율을 20%에 조금 못 미치는 수준까지 끌어올린 것으로 파악됐다. 다만 여전히 양산에 이르기에는 모자란 수치로, 통상 수율을 60% 이상으로 높여야 양산에 무리가 없다. 때문에 일각에서는 엑시노스 2500이 갤럭시S25에 탑재되지 않을 것이라는 주장도 제기됐다. 궈밍치 대만 TF인터내셔널증권 연구원은 최근 SNS를 통해 "예상보다 낮은 엑시노스 2500의 수율로 퀄컴이 갤럭시 S25 시리즈의 유일한 모바일 AP 공급처가 될 수 있다"고 언급했다. 다만 엑시노스 2500의 갤럭시S25 탑재 여부를 확정하기에는 아직 이르다는 평가다. 삼성전자가 목표로 하는 엑시노스 2500의 양산 시점은 올해 말부터다. 이를 고려하면 삼성전자는 오는 9~10월 경까지 수율을 개선할 수 있는 기간이 남아있기 때문이다. 업계 관계자는 "칩 개발을 맡은 삼성전자 시스템LSI사업부도 현재 상황이 녹록지 않다는 점을 인지하고 수율 개선에 총력을 기울이고 있는 것으로 안다"며 "갤럭시S23에서 엑시노스 칩이 탑재되지 않은 전례가 있었던 만큼, 실수를 되풀이하지 않고자 다양한 방안을 강구 중"이라고 설명했다. 또 다른 관계자는 "엑시노스 2500의 개발 성숙도에 따라 지역에 따른 선별 탑재 등이 정해질 것으로 전망된다"며 "MX사업부와의 논의가 가장 큰 변수로, 하반기까지는 상황을 지켜봐야한다"고 밝혔다.

2024.06.21 11:23장경윤

SK키파운드리, 차세대 전력반도체 GaN 소자 특성 확보...연내 개발 완료

8인치 파운드리 기업 SK키파운드리는 차세대 전력반도체 GaN(질화갈륨)의 주요 소자 특성을 확보하고, 연내 개발을 완료할 계획이라고 19일 밝혔다. 앞서 SK키파운드리는 GaN 전력 반도체의 시장성과 잠재력에 주목해 지난 2022년 정식 팀을 구성한 바 있다. GaN은 고속 스위칭 및 낮은 ON저항 특성을 가지고 있어, 기존 실리콘 기반의 반도체보다 저손실, 고효율, 소형화가 가능한 차세대 전력반도체로 불린다. SK키파운드리는 최근 650V GaN HEMT(고전자 이동도 트랜지스터) 소자 특성을 확보했다. 650V GaN HEMT는 전력 효율이 높아, 실리콘 기반 제품 대비 방열 기구의 비용을 감소시킨다. 이 같은 장점 덕분에 고속 충전 어댑터, LED 조명, 데이터센터와 ESS, 태양광 마이크로 인버터 등 다양한 제품 개발에 활용될 것으로 기대된다. SK키파운드리는 신규 고객 발굴과 함께 650V GaN HEMT에 깊은 관심을 보이는 다수의 고객에게 프로모션을 적극 진행한다는 방침이다. 또한 회사는 650V GaN HEMT를 기반으로, 다양한 전압의 GaN HEMT와 GaN IC까지 제공할 수 있는 GaN 포트폴리오를 구축해 나갈 계획이다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "SK키파운드리의 강점인 고전압 BCD와 더불어 차세대 전력반도체를 준비 중"이라며 "GaN 뿐만 아니라 향후 SiC까지 전력 반도체 라인업을 넓혀 전력 반도체 전문 파운드리로 자리매김하겠다"고 밝혔다. 한편 시장조사기관 옴디아에 따르면 GaN 전력 반도체 시장은 2023년 5억 달러에서 2032년 64억 달러까지 연평균 33% 성장할 것으로 전망된다.

2024.06.19 09:07장경윤

삼성전자, 텔레칩스·어보브와 파운드리 협업 강화

삼성전자가 미국에 이어 국내에서 파운드리 포럼을 개최하고 국내 팹리스 기업 텔레칩스, 어보브반도체, 리벨리온 등과 협업을 알린다. 삼성전자는 내달 9일 서울 삼성동 코엑스에서 '삼성 파운드리 포럼(SFF) 2024'와 'SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼'을 같은날 개최한다. 삼성 파운드리 포럼은 고객사를 대상으로 최신 반도체 공정 기술과 향후 로드맵을 소개하는 연례 행사다. 또 파트너사와 고객사도 참석해 삼성전자와 협업을 소개한다. 앞서 삼성전자는 이달 12일, 13일 양일간 미국 실리콘밸리에서 미국 고객사를 대상으로 해당 행사를 개최했다. 이번 행사에서는 텔레칩스 이장규 대표, 어보브반도체 박호진 부사장, 리벨리온 오진욱 CTO 등이 연사로 나서서 삼성전자와 협업을 발표할 예정이다. 국내 대표적인 차량용 반도체 기업인 텔레칩스는 삼성전자 파운드리의 오랜 고객사다. 텔레칩스는 현대모비스, 콘티넨탈과 같은 티어1 업체를 통해 현대기아차, 포르쉐, 혼다 에 차량용 MCU(마이크로컨트롤러유닛), AP(애플리케이션프로세서) 등을 공급 중이다. 텔레칩스는 차량용 인포테인먼트(IVI) AP '돌핀3(삼성전자 14나노 공정)'을 지난해부터 완성차에 공급 중이고, 첨단운전자지원시스템(ADAS)용 '돌핀5'(삼성전자 8나노 공정)를 내년 하반기 공급할 예정이다. 또 돌핀7(삼성전자 4나노 공정)은 2026년 말 또는 2027년 출시를 목표로 개발 중이다. 어보브반도체는 가전제품용 반도체 팹리스 기업으로 삼성전자의 고객사이자 파트너사다. 어보브의 대다수 칩은 삼성전자 파운드리에서 생산되고, 삼성전자, LG전자 등 가전제품 세탁기, 냉장고, 전자기기에 공급되고 있다. 대표적으로 삼성전자가 올해 초 출시한 올인원 세탁기 '비스포크 AI 콤보'에는 어보브의 MCU가 탑재됐다. 최근 어보브반도체는 AI 가전용 스마트 MCU 개발에 주력하고 있어, 앞으로 삼성전자와 협업이 더 확대될 전망이다. AI 반도체 스타트업 리벨리온은 지난주 경쟁사 사피온과 합병을 발표해 주목받은 업체다. 리벨리온은 삼성전자 파운드리와 메모리 지원을 받으며 AI 반도체를 개발하고 있다. 또 지난해 아톰(삼성전자 5나노 공정) 출시에 이어 올해 말 차세대 칩 리벨(삼성전자 4나노 공정) 출시를 앞두고 있다. 리벨은 삼성전자 HBM3E(고대역폭메모리)가 탑재되고, 디자인설계업체(DSP)가 아닌 삼성전자 인하우스에서 직접 칩 설계를 지원해준 다는 점에서 파트너십의 의미가 크다. 삼성전자는 반도체 IP(설계자산) 및 EDA(설계자동화) 업체 시놉시스와 협업도 발표할 예정이다. 이달 미국에서 열린 포럼에서는 Arm, 지멘스EDA, 셀레스트리얼와의 파트너십이 소개된 바 있다. 삼성전자에서는 최시영 파운드리 사업부장(사장)이 기조연설을 발표한다. 최 사장은 지난 12일 미국 파운드리 포럼 기조연설에서 "삼성전자는 AI 반도체에 최적화된 GAA(Gate-All-Around) 공정 기술과 적은 전력 소비로도 고속 데이터 처리가 가능한 광학 소자 기술 등을 통해 AI 시대에 고객들이 필요로 하는 원스톱(One-Stop) AI 솔루션을 제공할 것"이라고 말했다. 이날 삼성전자는 2027년 SF2Z(2나노), 2025년 SF4U(4나노)를 공정 로드맵에 추가한다고 밝혔다. 또 계획대로 2027년 1.4나노 공정을 양산하고, 올해 하반기에 2세대 3나노 공정 양산을 시작할 예정이다.

2024.06.18 16:01이나리

차세대 2나노 첨단공정 개발에 'W2W' 웨이퍼 본딩 기술 뜬다

최첨단 패키징 기술인 W2W 하이브리드 본딩이 미래 반도체 시장의 핵심 요소로 떠오를 전망이다. 특히 2나노미터(nm) 이하에서 상용화될 BSPDN, CFET 등이 유력한 적용처로 떠오르고 있다. 한국EV그룹(EVG)는 13일 코트야드 메리어트 서울 판교에서 'EVG 테크놀로지 데이'를 열고 최첨단 본딩 기술의 시장 전망에 대해 밝혔다. 오스트리아에 본사를 둔 EVG는 반도체 및 디스플레이 후공정용 장비를 전문으로 개발하는 업체다. 웨이퍼 본딩장비 및 나노임프린트(NIL), 얼라이너, 코터, 적외선(IR) 계측 시스템 등을 개발해 왔다. 특히 EVG는 W2W 등 첨단 하이브리드 본딩 시장에 주력하고 있다. 하이브리드 본딩은 두 반도체 칩을 구리 배선은 구리 배선끼리, 절연 물질은 절연 물질끼리 각각 접합하는 기술이다. 기존 칩 연결에 쓰이던 솔더볼·범프 등을 쓰지 않아 패키지 두께를 줄이고, 전기적 특성 및 방열 특성을 높일 수 있다. 하이브리드 본딩은 패키징을 웨이퍼, 혹은 개별 다이(Die)에서 수행하는지에 따라 W2W(웨이퍼-투-웨이퍼), D2D(다이-투-다이), D2W(다이-투-웨이퍼) 등으로 나뉜다. 이 중 W2W는 웨이퍼끼리의 연결로 생산성이 높다는 장점이 있다. EVG가 전망하는 W2W 하이브리드의 유망한 적용처는 BSPDN(Back Side Power Delivery Network), CFET(Complementary FET) 등 첨단 반도체 공정이다. BSPDN은 웨이퍼 전면에 모두 배치되던 신호처리와 전력 영역을 분리해, 웨이퍼 후면에 전력 영역을 배치하는 기술이다. 삼성전자가 내년 양산 예정인 2나노 공정에 BSPDN을 첫 적용하기로 하는 등 주요 반도체 기업들로부터 많은 주목을 받고 있다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술이다. 향후 1나노급 공정에서 적용될 것으로 점쳐진다. 기존 트랜지스터 내부에는 +극을 인가하면 전류를 발생시키는 p형 반도체(pMOS)와 -극을 인가하면 전류를 발생시키는 n형 반도체(nMOS)가 수평적으로 집적돼 있다. 반면 CFET은 이 nMOS와 pMOS를 수직으로 적층한다. GAA 트랜지스터가 위로 겹겹이 적층되는 셈이다. 토스튼 마티아스 EVG 아시아태평양 세일즈 총괄은 "BSPDN 혹은 새로운 트랜지스터 구조를 구현하려면 첨단 웨이퍼 본딩 공정이 단일, 혹은 복수로 적용돼야 한다"며 "EVG는 이러한 솔루션을 위한 본딩 장비를 적용처별로 보유하고 있다"고 설명했다.

2024.06.13 15:16장경윤

美 텍사스 테일러 팹에 '삼성 고속도로' 완공

미국 텍사스주 테일러에 삼성 고속도로(Samsung Highway)가 약 2년간 공사를 걸쳐 완공됐다. 삼성 고속도로는 삼성전자가 테일러에 건설 중인 반도체 공장(팹)을 잊는 도로다. 텍사스주에 따르면 지난 7일 삼성 고속도로 완공을 축하하는 행사를 열고 커팅식을 진행했다. 이날 행사에는 그렉 애벗 텍사스주 시장, 빌 그라벨 미국 텍사스주 윌리엄슨 카운티장, 박찬훈 삼성전자 부사장 등이 참석했다. 그렉 애벗 텍사스주 시장은 자신의 SNS에 "삼성고속도로가 완공됐다"라며 "삼성 고속도로는 텍사스에서 가장 큰 외국인 직접 투자 프로젝트의 관문이 될 것"이라고 전했다. 삼성전자는 2021년 11월 테일러에 파운드리 공장을 설립한다고 밝혔고, 같은해 12월 테일러시가 속해 있는 윌리엄스 카운티는 삼성 고속도로 건설계획을 발표했다. 2022년 1월에는 삼성전자의 이름을 따서 고속도로 이름을 지었다. 당시 삼성 반도체 수장이었던 경계현(현 미래사업기획단장 겸 삼성종합기술원 원장) DS부문 사장은 공사 현장에 방문해 빌 그라벨 카운티 장으로부터 '삼성 고속도로 표지판'을 선물로 받기도 했다. 윌리엄슨카운티의 도로 표지판 선물은 삼성전자의 초대형 설비 투자에 감사함을 표한 것이다. 텍사주에 따르면 '삼성 고속도로' 공사에는 총 1천660만 달러가 투입됐다. 삼성전자는 테일러에 400억 달러(약 54조7천억 원) 이상을 투자해 반도체 시설을 구축하고 있다. 미국 정부는 지난 4월 반도체법(칩스법·Chips Act)에 따른 보조금으로 삼성전자에 64억 달러(약 8조7천억원)를 지원한다고 발표했다. 삼성전자는 당초 4나노 공정 파운드리 팹 건설을 계획했지만, 보조금 확보에 따라 2나노 공정 칩을 생산하는 2공장을 추가로 건설하고, 첨단 패키징(조립) 시설 및 반도체 연구·개발(R&D) 센터도 만들기로 결정했다. 파운드리 팹은 2026년부터 생산되며, 첨단 패키징 시설 및 R&D 센터 등을 2027년 가동을 목표로 한다.

2024.06.13 10:20이나리

삼성전자, 1Q 파운드리 점유율 11%…TSMC와 격차 벌어져

전 세계 파운드리 시장이 AI향 수요의 약진 속에서도 1분기 소폭 하락했다. 다만 업계 1위 TSMC는 상대적으로 견조한 실적을 거두면서, 2위 삼성전자와의 점유율 격차를 확대했다. 12일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난 1분기 상위 10개 파운드리 매출액은 전분기 대비 4.3% 감소한 291억7천200만 달러로 집계됐다. 1분기 파운드리 시장 규모의 축소는 계절적 비수기에 따라 고객사의 재고 확보 기조가 부진했기 때문으로 풀이된다. 다만 현재 급속도로 발전하고 있는 AI 서버향 수요는 1분기 내내 견조했던 것으로 나타났다. 기업별로는 TSMC가 전분기 대비 4.1% 감소한 188억4천700만 달러의 매출을 올렸다. AI와 관련한 HPC(고성능컴퓨팅) 수요 강세에도 불구하고 스마트폰, 노트북 등 소비자 가전 시장이 부진했던 탓이다. 다만 경쟁사들의 매출 감소세가 더 두드러지면서, 시장 점유율은 전분기 61.2%에서 1분기 61.7%로 소폭 증가했다. 삼성전자는 전분기 대비 7.2% 감소한 33억5천700만 달러의 매출을 기록했다. 시장 점유율도 11.3%에서 11.0%로 감소하면서, 1위 TSMC와의 점유율 격차가 전분기 대비 0.8%p 확대됐다. 트렌드포스는 "스마트폰 고객사의 과도한 재고 조절, 5·4나노미터(nm) 및 3나노 공정에 대한 대형 고객사 부족 등으로 삼성 파운드리의 전반적 운영이 제한될 수 있다"며 "2분기에도 매출이 동일하거나 소폭 상승에 그칠 것"이라고 밝혔다. 중국 SMIC는 TSMC, 삼성전자와 달리 매출이 17억5천만 달러로 전분기 대비 4.3% 증가했다. 중국 정부의 반도체 공급망 자립화에 따라 현지 신규 스마트폰용 DDI(디스플레이 구동칩), CIS(CMOS 이미지센서) 등 주문이 증가한 데 따른 효과다. 시장 점유율도 전분기 5.2%에서 1분기 5.7%로 소폭 상승했다. 이에 따라 SMIC는 1분기 17억3천700만 달러의 매출을 올린 대만 UMC를 제치고 파운드리 시장 3위에 올라서게 됐다. 한편 세계 파운드리 시장은 2분기에 소폭 회복하는 모습을 보일 전망이다. 트렌드포스는 "2분기 파운드리 시장은 전분기 대비 한 자릿 수 초반의 성장을 기록할 것"이라며 "IT를 비롯한 시장 불황 속에서도 AI에 대한 수요가 지속 호조세를 보이고 있다"고 설명했다.

2024.06.13 08:58장경윤

삼성전자, 2027년 2나노 신공정 추가..."AI 시대 원스톱 솔루션 제공"

삼성전자가 AI 시대를 주도하기 위해 기존 파운드리 공정 로드맵에 2027년 SF2Z(2나노), 2025년 SF4U(4나노)를 추가한다. 또 이전 계획대로 2027년 1.4나노 공정을 양산하고, 올해 하반기에 2세대 3나노 공정 양산을 시작할 예정이다. 삼성전자가 미국 실리콘밸리에서 12일(현지시간) '삼성 파운드리 포럼 2024(Samsung Foundry Forum 2024)'를 개최하고 이 같은 파운드리 기술 전략을 공개했다. 이번 행사는 "Empowering the AI Revolution"을 주제로, 고객의 인공지능(AI) 아이디어 구현을 위해 삼성전자의 최선단 파운드리 기술은 물론, 메모리와 어드밴스드 패키지(Advanced Package) 분야와의 협력을 통한 시너지 창출 등 삼성만의 차별화 전략을 제시했다. 최시영 삼성전자 파운드리 사업부 사장은 이날 기조연설에서 "AI를 중심으로 모든 기술이 혁명적으로 변하는 시점에서 가장 중요한 건 AI 구현을 가능하게 하는 고성능ㆍ저전력 반도체"라며 "삼성전자는 AI 반도체에 최적화된 GAA(Gate-All-Around) 공정 기술과 적은 전력 소비로도 고속 데이터 처리가 가능한 광학 소자 기술 등을 통해 AI 시대에 고객들이 필요로 하는 원스톱(One-Stop) AI 솔루션을 제공할 것"이라고 말했다. ■ 2027년 SF2Z 2025년 SF4U 공정 추가...팹리스 수요 적극 지원 올해 행사에는 기존 파운드리 공정 로드맵에서 SF2Z, SF4U를 추가로 공개했다. 이를 통해 반도체 응용처가 확대되며 다변화되는 고객 수요에 대응하기 위해 AI와 HPC, 전장, 엣지컴퓨팅 등 주요 응용처별 특화 공정을 제공한다는 방침이다. 삼성전자는 BSPDN(후면전력공급 기술, Back Side Power Delivery Network) 기술을 적용한 2나노 공정(SF2Z)을 2027년까지 준비할 계획이다. BSPDN은 전류 배선층을 웨이퍼 후면에 배치해 전력과 신호 라인의 병목 현상을 개선하는 기술이다. SF2Z는 기존 2나노 공정 대비 PPA 개선 효과뿐 아니라, 전류의 흐름을 불안정하게 만드는 '전압강하' 현상을 대폭 줄일 수 있어 고성능 컴퓨팅 설계 성능을 향상시킬 수 있다. PPA는Power(소비전력), Performance(성능), Area(면적)의 약자로, 공정을 평가하는데 있어서 주요한 3가지 지표다. 또한, 이번에 발표한 또 다른 신규 공정인 4나노 SF4U는 기존 4나노 공정 대비 광학적 축소(optical shrink)를 통해 PPA 경쟁력이 추가 향상되며, 2025년 양산 예정이다. 삼성전자는 2027년 1.4나노 공정 양산을 계획하고 있으며, 목표한 성능과 수율을 확보하고 있다고 밝혔다. '비욘드 무어(Beyond Moore)' 시대에 경쟁력을 갖추기 위해 소재와 구조의 혁신을 통해 1.4나노를 넘어 미래 기술 혁신을 주도하고 있다. 삼성전자는 3나노 공정에 GAA 트랜지스터 기술을 최초로 적용해 2022년부터 양산중이며, 올해 하반기에 2세대 3나노 공정 양산을 시작할 계획이다. 삼성은 GAA 양산 경험을 누적해 경쟁력을 갖췄으며, 2나노에도 지속 적용할 예정이다. 삼성의 GAA 공정 양산 규모는 2022년 대비 꾸준히 증가하고 있으며, 선단공정 수요 성장으로 인해 향후 지속 큰 폭으로 확대될 전망이다. ■ 메모리, AVP와 원팀 협력해 'AI 솔루션 턴키 서비스' 제공 삼성전자는 파운드리와 메모리, 어드밴스드 패키지 사업을 모두 보유해 AI 시대에 필요한 사양과 고객의 요구에 맞춘 커스텀 솔루션 제공을 위한 협력에 유리하다. 삼성전자는 세 개 사업 분야간 협력을 통해 고성능·저전력·고대역폭 강점을 갖춘 통합 AI 솔루션을 선보여 고객의 공급망을 단순화하는 데 기여하는 등 편의를 제공하고 제품의 시장 출시를 가속화한다. 삼성의 통합 AI 솔루션을 활용하는 팹리스 고객은 파운드리, 메모리, 패키지 업체를 각각 사용할 경우 대비 칩 개발부터 생산에 걸리는 시간을 약 20% 단축할 수 있다. 나아가 2027년에는 AI 솔루션에 광학 소자까지 통합한다는 계획이다. 이를 통해 AI 시대에 고객들이 필요로 하는 '원스톱 AI 솔루션' 제공이 가능할 것으로 기대된다. □ 올해 AI 제품 수주 전년比 80% 증가...포트폴리오 다변화 삼성전자는 파운드리 사업부의 사업 경쟁력 강화를 위해 고객과 응용처별 포트폴리오를 다변화한다. 급격히 성장하고 있는 AI 분야에서 고객 협력을 강화하여 올해 AI 제품 수주 규모는 작년 대비 80% 이상 성장했다. 8인치 파운드리와 성숙 공정에서도 PPA와 가격경쟁력을 개선한 공정 포트폴리오를 제공해 다양한 고객 니즈에 대응하고 있다. 한편, 이번 파운드리 포럼은 미국 실리콘밸리 새너제이에 위치한 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 사옥에서 개최됐으며, 르네 하스(Rene Haas) Arm CEO와 조나단 로스(Jonathan Ross) Groq CEO 등 업계 주요 전문가들이 참석했다. 포럼 참석자들은 삼성전자의 기술과 사업 현황뿐 아니라 30여 개 파트너사가 마련한 부스를 통해 다양한 반도체 기술과 솔루션, 협력 방안을 활발하게 공유했다. 삼성전자는 13일(현지시간) 'SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼 2024'를 개최한다. 올해 주제는 "AI: Exploring Possibilities and Future"로, 삼성전자는 파트너사들과 AI 시대 고객 맞춤형 기술과 솔루션을 함께 공유하고 제시하는 장을 마련한다. 특히, 마이크 엘로우(Mike Ellow) Siemens CEO, 빌 은(Bill En) AMD VP, 데이비드 라조브스키(David Lazovsky) 셀레스티얼 AI CEO 등이 참석해 AI 시대에 요구되는 칩과 시스템 설계 기술의 발전 방향을 논의한다. 이번 포럼에서는 작년 출범한 첨단 패키지 협의체인 'MDI 얼라이언스 (Multi-Die Integration Alliance)'의 첫 워크숍이 진행된다. 삼성전자와 MDI 파트너사들은 이번 워크숍에서 구체적인 협력 방안을 심도있게 논의하는 등 파트너십을 더욱 강화하고, 2.5D와 3D 반도체 설계에 대한 종합적인 솔루션을 구체화할 예정이다.

2024.06.13 07:28이나리

코아시아, 삼성 파운드리 포럼서 'AI 반도체 패키징 솔루션' 소개

시스템 반도체 설계 전문기업 코아시아가 삼성 파운드리 포럼(SFF)과 삼성 SAFE Forum 2024에 참가해 MDI(Multi-Die Integration) 솔루션 등 최신 기술을 알린다. 삼성 파운드리 포럼(SFF)과 삼성 SAFE 포럼은 미국 산호세에서 이달 12일과 13일(현지시간) 개최되며, 한국에서는 7월 9일 서울코엑스에서 개최된다. 삼성 SAFE 포럼은 삼성 공식 파트너사들이 한 자리에 모여 글로벌 파트너사들과의 협력을 강화하고 생태계 구축과 발전을 위해 혁신 기술을 공유하는 자리다. 코아시아는 이번 포럼에서 오프라인 부스를 운영하며 삼성 파운드리 협력사로서의 최첨단 AI(인공지능) 솔루션 기술을 소개하고 글로벌 고객 및 파트너사들과의 네트워크를 공고히 할 계획이다. 또 코아시아는 테크세션에서 'Co-design and Analysis Solution for MDI(Multi-Die Integration)'이란 주제로 AI, HPC(고성능컴퓨팅) 고객을 위한 최신 디자인 솔루션을 발표할 예정이다. 또 메인 및 서브 다이 디자인, 인터포저 디자인, 멀티 다이 패키징 디자인 솔루션을 소개한다. AI 반도체 칩 제조를 위한 첨단 패키징 설계에 있어 설계 오류를 최소화 하고, 개발 기간을 단축할 수 있는 코아시아의 차별화된 기술 역량을 선보일 예정이다. 신동수 코아시아 반도체부문장 사장은 "생성형 AI의 급속한 발전으로 AI 반도체 칩의 개발 및 제조에 있어 파운드리 미세공정의 중요성이 커지고 특히 첨단 패키징 기술이 AI 반도체 경쟁력의 핵심으로 떠오르고 있다"라며 "이번 코아시아의 차별화된 첨단 패키징 및 인터포저 솔루션 기술 소개는 글로벌 잠재 고객사들의 주목을 받을 것으로 기대한다"고 전했다.

2024.06.12 15:04이나리

프랙틸리아, EUV 공정 안정성 높이기 위한 'FAME OPC' 출시

스토캐스틱 기반 분석 및 제어 솔루션 전문기업 Fractilia(프랙틸리아)는 'FAME OPC'라는 신제품을 출시한다고 12일 밝혔다. 프랙틸리아의 FAME OPC는 첨단 패터닝 공정에 사용되는 필수 기법인 광 근접 보정(OPC) 모델링 향상에 결정적인 OPC 측정 및 분석 기능들을 제공한다. FAME OPC는 모든 주사전자현미경(SEM) 장비회사의 모든 SEM 장비 모델과 호환되고, 어떠한 OPC 데이터 플로우에도 삽입할 수 있으며, 단독 제품으로 사용하거나 또는 사용자가 기존에 보유하고 있는 프랙틸리아 프레임워크에 추가 기능으로 사용할 수 있다. 프랙틸리아의 FAME 및 MetroLER 제품은 회사의 특허 기술인 FILM(Fractilia Inverse Linescan Model) 기술과 진정한 연산 계측(true computational metrology)을 결합했다. 첨단 노드에서 패터닝 오류의 가장 중요한 원인인 모든 주요 스토캐스틱 효과를 고도로 정확하고도 정밀하게 측정하는 유일하게 검증된 팹 솔루션이다. 현재 프랙틸리아는 주요 선두 칩 제조사들과 자사의 새로운 FAME OPC 제품을 활용해 OPC 데이터를 측정 및 분석하는 방안에 대해 협의 중이다. OPC는 반도체 제조에 있어서 포토마스크에 미세 에지 편차(tiny edge deviation) 및 SRAF(sub-resolution assist feature)를 사용해 웨이퍼 상에 원하는 칩 패턴의 인쇄 적성을 향상시키는 패터닝 향상 기법이다. 각각의 OPC 모델들은 게이지(gauge)라고 하는 수만 개의 피처들을 사용해서 보정된다. 이 게이지들이 정확하고도 정밀하게 측정되지 않으면 프로세스 윈도우와 수율에 부정적인 영향을 미칠 수 있다. OPC 모델을 보정하기 위해, 칩 제조사들은 테스트 마스크를 사용해 웨이퍼를 프린트한 다음, 게이지가 프린트한 것과 자신들이 설계한 것의 차이를 분석한다. 과거에는 고객들이 임계 선폭(CD)만 측정한 다음, 이를 OPC 모델에 포함시켜서 모델을 보정했다. 그러나 칩 피처 크기가 계속해서 축소되고 EUV 패터닝 도입으로 스토캐스틱 변이(stochastic variability)가 증가함에 따라, OPC 모델 보정 및 검증을 위해서 CD 측정은 더 이상 충분하지 않게 됐다. 라인 에지 거칠기(LER), 라인 폭 거칠기(LWR), 국부적 에지 배치 오차(LEPE), 국부적 CD 균일성(LCDU), 그리고 CD 측정을 모두 고려해야 한다. 미세 공정 노드가 2나노미터(nm) 이하로 내려가면서 high-NA EUV(0.55 NA EUV) 리소그래피로 이전이 예상됨에 따라 스토캐스틱 변이의 위험성은 더욱 높아졌다. 프랙틸리아의 FAME 솔루션 포트폴리오는 독자적이고 고유한 물리학에 기반한 SEM 모델링 및 데이터 분석 접근법을 사용한다. 이를 통해 SEM 이미지로부터 무작위 오차와 시스템 오차를 측정하고 제거함으로써 이미지 상에 보이는 것이 아니라 실제 웨이퍼 모습을 정확하게 측정한다. FAME은 LER, LWR, LCDU, LEPE, 스토캐스틱 결함을 포함한 모든 주요 스토캐스틱 효과를 동시에 측정할 수 있을 뿐 아니라, CD와 그 밖에 다른 거리 측정도 제공한다. FAME은 업계 최고 수준의 신호 대 잡음 에지 검출(경쟁 솔루션 대비 최대 5배에 달하는 신호 대 잡음비(SNR)) 성능을 제공하며, 각 SEM 이미지로부터 30배 이상 더 많은 데이터를 추출한다. FAME은 모든 SEM 장비회사의 모든 SEM 장비 모델과 호환된다. FAME OPC를 통해, 프랙틸리아는 OPC 모델링에 FAME의 고도로 정확한 측정 및 분석 기능을 제공하게 됐다. 사용자는 모든 측정된 게이지의 '마스터 시트'를 생성한 다음, 이를 모든 SEM 이미지 및 GDS/OASIS 파일 같은 설계 패턴과 함께 FAME OPC에 전달한다. 그러면 FAME OPC가 SEM 장비 측정에 대해서 CD 측정을 자동으로 보정하고, 각각의 프랙틸리아 '레시피' 파일을 생성하며, 각각의 게이지에 대해서 해당 SEM 이미지를 측정한 다음, 결과들을 취합해서 극히 정확한 측정과 신속한 분석을 제공한다. FAME OPC는 이 모든 과정을 완벽하게 자동화된 프로세스로 처리함으로써 엔지니어링 워크로드를 크게 줄이고, 결과를 얻고 최적화된 OPC 처치를 결정하기까지 걸리는 시간을 수십 배 단축한다.

2024.06.12 14:52장경윤

美, 中에 'GAA·HBM' 등 AI반도체 기술 수출 규제 논의

미국 정부가 최첨단 반도체 기술인 GAA(게이트-올-어라운드)에 대한 중국의 접근을 막는 추가 조치를 고려하고 있다고 블룸버그통신이 11일 보도했다. 블룸버그통신은 익명의 소식통을 인용해 "미국 상무부 산업보안국(BIS)이 최근 GAA 기술과 관련된 규제 초안을 업계 전문가로 구성된 기술 자문위원회에 보냈다"며 "다만 규제는 아직 확정된 사안이 아니고, 업계 관계자들은 초안의 규제가 지나치게 광범위하다고 비판했다"고 설명했다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 모두 감싸는 기술이다. 3개면을 감싸는 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 속도, 전력 효율성 등을 높일 수 있다. 현재 GAA는 최첨단 파운드리 공정을 중심으로 상용화가 진행되고 있다. 대표적으로 삼성전자가 지난 2022년 6월 세계 최초로 GAA 공정 기반의 3나노미터(nm) 칩 양산을 시작한 바 있다. 주요 파운드리 TSMC도 내년 양산 예정인 2나노 공정에 GAA를 첫 적용하기로 했다. 미국의 GAA 관련 규제 논의는 중국의 인공지능(AI) 산업 발전을 견제하기 위한 수단으로 풀이된다. 엔비디아와 AMD, 인텔 등 주요 반도체 기업들은 향후 GAA를 적용한 AI 반도체를 양산할 계획이다. 블룸버그통신은 "미국의 목표는 중국이 AI 모델을 구축하고 운영하는 데 필요한 정교한 컴퓨팅 시스템을 조립하는 것을 더 어렵게 만드는 것"이라며 "기술이 상용화 초기에 이른 지금, 중국의 굴기를 사전에 차단하려고 하고 있다"고 밝혔다. GAA 만큼 진전된 것은 아니지만, HBM(고대역폭메모리)의 중국향 수출을 제한하는 방안도 초기 단계에서 논의되고 있는 것으로 알려졌다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 방대한 양의 데이터 처리가 필요한 AI 산업에서 빠르게 수요가 증가하는 추세로, 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 소수의 기업만이 양산에 성공했다.

2024.06.12 10:06장경윤

세미파이브, Arm '네오버스' 기반 HPC 플랫폼 개발한다

세미파이브는 Arm 토탈 디자인에 합류해 새로운 고성능컴퓨팅(HPC) 플랫폼 개발에 착수한다고 12일 밝혔다. 해당 HPC 플랫폼은 Arm 네오버스(Neoverse) 컴퓨팅 서브시스템(CSS)과 최첨단 LPDDR6 메모리 인터페이스를 활용할 예정이다. 세미파이브의 HPC 플랫폼은 비용 절감, 성능 최적화, 개발 유연성을 제공한다. 이를 통해 반도체 산업의 혁신을 가속화하고, 에코시스템 전반에 걸쳐 새로운 비즈니스 모델과 협력의 기회를 창출할 것으로 기대된다. Arm 토탈 디자인은 파트너사에게 빠르게 성장하는 에코시스템의 전문 지식 및 지원과 Arm 네오버스 CSS에 우선적 액세스 권한을 제공해 리스크를 줄이고 시장 출시 기간을 단축하는 맞춤형 실리콘 개발을 가능하게 한다. 세미파이브는 SoC 플랫폼 및 ASIC 설계 솔루션 전문 회사로서 AI 칩에 특화된 SoC 설계 플랫폼을 개발한다. 현재까지 3개의 SoC 설계 플랫폼을 개발했으며, 이를 활용한 3개의 제품이 양산에 돌입했다. 세미파이브는 네오버스 기술의 고성능 및 전력 효율성 이점을 활용해 다양한 AI SoC 시장의 수요를 충족하는 HPC 플랫폼을 구축 및 확장할 계획이다. 조명현 세미파이브 대표는 “Arm 토탈 디자인에 합류하게 되어 기쁘다”며 “Arm과의 강력한 파트너십을 통해 반도체 업계에 진정한 확장형 설계 솔루션을 제공할 계획”이라고 말했다. 이어 “이기종 HPC 하드웨어의 기반이 되는 Arm 네오버스 기술을 통해 네오버스 CSS 기반 HPC 플랫폼은 커스텀 칩 설계에 대한 접근 방식에 중요한 이정표가 될 것”이라고 덧붙였다. 황선욱 Arm코리아 사장은 “Arm 토탈 디자인 에코시스템에 합류한 세미파이브가 네오버스 컴퓨팅 서브시스템(CSS)의 전력 효율성 이점을 활용해 비용과 시장 출시 기간을 단축하면서 차세대 HPC 솔루션을 개발할 수 있을 것으로 기대한다”고 밝혔다. 송태중 삼성전자 파운드리사업부 Business Development팀 상무는 “AI 애플리케이션을 위한 멀티 다이 인티그레이션(MDI)은 삼성 파운드리 사업의 핵심 성장 분야이자 주력 분야”라며 "세미파이브의 네오버스 HPC 플랫폼 개발을 위해 삼성 파운드리의 첨단 4나노 공정(SF4X) 기술을 제공하게 돼 기쁘다"고 말했다. 세미파이브는 이달 12일부터 13일까지 캘리포니아 산호세에서 열리는 삼성 파운드리 포럼(SFF) 및 SAFETM 포럼 행사에 파트너사로 참가하여 AI 애플리케이션용 첨단 SoC 설계 솔루션을 선보일 예정이다.

2024.06.12 09:36장경윤

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