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SK키파운드리, 4세대 0.18㎛ BCD 공정 출시...모바일·차량용 전력반도체 지원

반도체 파운드리(위탁생산) 기업 SK키파운드리가 4세대 0.18㎛ BCD 공정을 출시한다고 11일 밝혔다. 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 기존 3세대 대비 성능이 약 20% 향상돼 모바일 및 차량용 전력 반도체 성능 향상을 지원한다. SK키파운드리의 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 3.3V, 5V, 18V 등 다양한 전력 소자 게이트 입력단을 포함한 40V급까지의 전력 소자들을 제공한다. 이런 특징으로 서버 및 노트북용 전력 반도체(PMIC), DDR5 메모리용 PMIC, 모바일 충전, 오디오 앰프, 차량용 게이트 드라이버 등 다양한 응용 분야에서 사용될 수 있다. 또한 트리밍용 MTP(Multi-Time Programmable), OTP(One-Time Programmable) 메모리, S램 메모리 등을 옵션으로 제공해 고객의 제품 설계를 용이하게 한다. 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 자동차용 전력 반도체에서도 사용할 수 있다. 125℃ 고온 환경에서 IC 동작을 보장하는 자동차 품질 규격 AEC-Q100 Grade1을 갖췄다. 또 Thick IMD(Inter Metal Dielectric) 옵션 제공을 통해 15000V 이상 고전압을 견디는 자동차용 아이솔레이터 제품 설계 또한 가능하다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "새로운 4세대 0.18㎛ BCD 공정을 고객에게 제공하게 된 것을 기쁘게 생각한다"며 "SK키파운드리는 전력용 반도체 공정 기술 경쟁력을 지속 강화하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 AI 서버용 PMIC, DDR5 PMIC, 자동차용 게이트 드라이버 IC 등 향후 높은 성장이 기대되는 다양한 응용 분야로 사업을 확대해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.09.11 08:47이나리

"반도체 쉽지 않네"...日 라피더스, 1천억엔 조달 추가 추진

일본 반도체 연합 라피더스가 반도체 생산시설 투자를 위해 신주를 발행해 기존 및 신규 투자자로부터 1천억 엔(약 9천441억원) 조달에 나선다. 10일(현지시간) 블룸버그통신에 따르면 라피더스가 도요타, 소니, 소프트뱅크, MUFG은행을 포함한 기존 주주들로부터 총 800억 엔에 달하는 투자를 요청하고 있다. 또한 미즈호 은행과 스미모토 은행으로 부터 각각 50억 엔, 일본개발은행으로부터 100억 엔을 추가로 요구하고 있다. 라피더스는 주주와 잠재적 투자자들에게 이번 달 말까지 답변을 요청한 상태다. 라피더스는 조달한 추가 투자금을 북부 훗카이도에 위치한 반도체 공장 건설에 사용할 예정이다. 라피더스는 2027년 최첨단 2나노미터(㎚) 반도체를 대량 양산하는 것을 목표로 하고 있으며, 미국 IBM과 협력해 반도체 기술을 공동 개발하고 있다. 라피더스는 2022년 11월 토요타, 소니, 키오시아, NTT, 소프트뱅크, NEC, 덴소, 미쓰비시UFJ은행 등 8개사가 출자해 설립한 반도체 회사다. 당시 이들 기업은 각각 10억 엔(약 94억원)을 출자했다. 또 일본 정부도 3년간 총 9천200억 엔(약 8조2천억 원)의 보조금을 약속했다. 일본은 라피더스를 통해 일본 내 반도체 생산 비중을 높이고 TSMC와 삼성전자 등 글로벌 반도체 기업들과 경쟁하는 것을 목표로 한다. 그러나 현재까지 유치한 투자액으로는 대규모 양산 시설을 갖추는 것이 불가능하다는 분석이 나온다. 라피더스 또한 2025년까지 2나노 칩의 시험 생산에 2조 엔이 필요하고 2027년까지 대량 생산을 위해서는 추가로 3조 엔이 필요할 것으로 추정하고 있다. 블룸버그는 한 소식통을 인용해 "라피더스가 1천억 엔 규모의 은행 대출을 추가로 신청할 계획이었으나, 스타트업이 칩을 상용화까지 시간이 많이 필요하다는 점을 고려해 대규모 대출보다는 투자를 신청하기로 결정했다"고 말했다. 라피더스는 블룸버그의 질문에 "현재 다양한 자금 조달 방안을 검토 중이다"라고 답했다.

2024.09.11 08:36이나리

2Q 세계 반도체 장비 청구액 268억弗…전년比 4% 증가

글로벌 반도체 산업 관련 협회 SEMI는 2024년 2분기 반도체 장비 청구액이 268억 달러로 전년동기 대비 4%, 전분기 대비 1% 증가했다고 10일 밝혔다. 국가별로는 중국이 약 120억 달러로 전 세계에서 가장 많은 설비를 도입한 것으로 나타났다. 전년동기 대비로는 62% 증가했으나, 전분기 대비로는 2% 감소했다. 한국은 약 45억 달러 규모로 2위를 차지했다. 다만 전년동기 대비 20%, 전분기 대비 13% 감소하면서 장비 도입 비중은 다소 줄어들었다. 대만은 39억 달러로 3위를 기록했다. 아짓 마노차 SEMI 최고경영자(CEO)는 “2024년 상반기 전 세계 반도체 장비 청구액은 총 532억 달러로 양호한 실적을 보여줬다”며 “반도체 장비 시장은 첨단 기술의 수요 증가와 여러 국가의 반도체 제조 생태계를 구성하려는 전략적 투자로 인해 성장세로 돌아서고 있다”고 밝혔다. 한편 SEMI 회원사와 일본 반도체 장비 협회(SEAJ)가 제출한 데이터를 바탕으로 작성된 전 세계 반도체 장비 시장 통계 리포트는 글로벌 반도체 장비 산업의 월간 청구액을 자세히 보여준다.

2024.09.10 10:37장경윤

퀄리타스반도체, '세계 최초' 2나노 MIPI 솔루션 美 고객사에 공급

국내 반도체 IP(설계자산) 기업 퀄리타스반도체는 2나노미터(nm) 공정에서 게이트올어라운드(GAAFET) 기반의 MIPI DCPHY IP 솔루션을 미국 팹리스 업체에 공급한다고 9일 밝혔다. 이는 세계에서 가장 앞선 파운드리 공정 중 하나인 2나노와 차세대 트랜지스터 구조인 GAAFET을 활용한 IP 개발 뿐만아니라, 글로벌 고객사와 계약을 체결하고 양산까지 이어지는 중요한 성과다. 2나노 공정은 높은 기술적 난이도로 인해 전 세계적으로 소수의 업체만이 파운드리와 협력해 개발할 수 있으며, 현재 이 공정을 활용하는 IP 개발 기업으로는 연 매출 40억 달러 이상의 글로벌 기업인 시높시스와 케이던스가 대표적이다. 퀄리타스반도체는 국내 기업으로는 유일하게 2나노 공정에서의 IP를 수주하며 이들 대열에 합류했다. 이러한 성과는 과감한 투자와 선제적인 기술 개발 덕분에 가능했다. 올해 PCIe 4.0 IP 솔루션 계약과 PCIe 6.0 IP 개발 성공에 이어 이번 계약까지 성공시키며 퀄리타스반도체는 글로벌 기술 경쟁력을 입증하며 현존하는 최선단 공정에서의 양산 이력까지 확보하게 됐다. GAAFET 공정은 기존의 FinFET 공정보다 트랜지스터의 전류 접촉면을 4개로 확장해 성능을 대폭 개선한 차세대 기술로 평가받는다. 모든 면이 게이트와 접촉하는 구조를 통해 전류량이 증가하며, 이를 통해 반도체 칩의 소형화와 전력 효율성 면에서 뛰어난 성과를 낼 수 있다. 김두호 퀄리타스반도체 대표는 “이번 2나노 GAAFET 공정 기반의 IP 솔루션 개발과 공급은 퀄리타스반도체의 기술적 성과를 전 세계적으로 인정받는 중요한 계기"라며 "앞으로도 시장을 선도하는 혁신적인 기술을 지속적으로 개발해 글로벌 고객사와의 협력을 더욱 강화해 나갈 것”이라고 말했다. 퀄리타스반도체의 MIPI IP 솔루션은 모바일, AI, IoT, 자율주행 등 다양한 응용 분야에서 사용될 수 있으며, 가장 많은 양산 실적을 보유하고 있다. 최첨단 공정에서 IP 개발 역량을 입증한 퀄리타스 반도체의 향후 행보가 주목된다.

2024.09.09 11:09장경윤

TSMC 독주 속 삼성 파운드리 투자 '안갯속'

삼성전자가 진행 중인 신규 파운드리 공장 건설 계획이 더뎌지고 있다. 현재 국내 제4 평택캠퍼스(P4)는 파운드리 라인을 생략하는 방안이 유력하며, 미국 테일러 파운드리 팹 역시 설비투자 일정이 또 다시 연기될 가능성이 높은 것으로 파악됐다. 최선단 공정에서 핵심 고객사의 주문을 확보하기가 어렵기 때문으로, 선두업체인 TSMC의 '승자독식' 구조가 지속될 수 있다는 우려가 제기된다. 9일 업계에 따르면 삼성전자의 국내외 파운드리 설비투자가 당초 예상보다 지연될 수 있다는 전망이 나오고 있다. 현재 삼성전자가 투자를 계획한 신규 파운드리 생산거점은 국내 P4와 미국 텍사스주 테일러시 두 곳이다. 두 팹 모두 4나노미터(nm) 및 그 이하의 3·2나노 등 업계 최첨단 공정의 양산을 담당할 것으로 알려졌다. ■ P4 파운드리 라인 생략…테일러 팹 추가 지연 가능성도 다만 삼성전자의 파운드리향 설비투자는 지연되고 축소되는 추세다. P4는 지난 2022년부터 착공에 들어간 삼성전자의 신규 팹으로, P3와 동일하게 복합동으로 설계됐다. 세부 구축 순서에 따라 페이즈(Ph)1은 낸드, 페이즈2는 파운드리, 페이즈3·4는 D램 제조라인으로 할당됐다. 그러나 이후 삼성전자는 P4의 구축 순서를 낸드·D램 등 메모리반도체 라인을 우선하는 방향으로 바꿨으며, 최근에는 아예 파운드리 라인을 D램으로 전환하는 논의를 진행 중이다. 업계 관계자는 "P4 파운드리 라인은 최선단 D램과 HBM(고대역폭메모리) 양산용으로 변경되는 방안이 거의 확실시되는 분위기"라며 "고객사 확보가 불확실한 상황에서 선제적인 투자가 부담스럽다는 판단이 작용하고 있다"고 설명했다. 테일러 파운드리 팹도 상황은 비슷하다. 당초 삼성전자 는 테일러 파운드리 팹 페이즈1에서 올해 말 4나노 공정을 주력 양산할 예정이었으나, 이를 위한 투자 규모를 대폭 축소했다. 지난해 하반기 진행된 장비 발주는 생산능력 기준 월 5천장으로 파일럿(시생산) 라인에 해당한다. 대신 삼성전자는 테일러 파운드리 팹의 본격적인 양산 시기를 2026년으로 미루고, 4나노 대신 2나노 공정 투자를 진행하기로 했다. 이를 위한 설비투자는 내년 1분기 클린룸 설치, 2분기 초기 인프라 장비 도입 등으로 예정돼 있었다. 그러나 최근 업계에서는 테일러 파운드리 팹 투자 일정이 또 다시 늦춰질 수 있다는 관측이 제기되고 있다. 지연 기간은 길지는 않지만 1개 분기 정도다. 또 다른 업계 관계자는 "내년 상반기 테일러 파운드리 팹 투자를 집행하려면, 삼성전자가 이미 관련 계획을 협력사에 어느 정도 설명했어야 한다"며 "그러나 현재까지 논의된 내용이 없어, 두세달 정도 투자 계획이 밀릴 가능성이 높아진 상황"이라고 밝혔다. ■ 인텔도 파운드리 난항…TSMC 최선단 공정 '독식' 한편 삼성전자의 주요 경쟁사였던 인텔도 최근 파운드리 사업에서 부침을 겪고 있다. 앞서 인텔은 지난 2021년 파운드리 재진출을 선언하고, 막대한 투자금을 통한 최선단 공정 연구개발(R&D) 및 양산을 추진해 왔다. 그러나 인텔 파운드리 사업부는 지난해에만 영업손실 70억 달러(한화 약 9조5천억원)를 기록했다. 올 상반기 적자 규모도 이미 53억 달러를 기록했다. 이에 미국 주요 은행인 씨티그룹은 최근 "인텔이 파운드리 사업을 중단하는 방안을 적극 추진해야 한다"는 권고를 보내기도 했다. 반면 파운드리 선두업체인 대만 TSMC는 AI 수요에 따른 호황을 맞고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 TSMC의 올 2분기 매출은 208억 2천만 달러로 전분기 대비 10.5% 증가했다. 주요 고객사인 애플의 재고 보충과 AI 서버용 고성능 칩의 강력한 수요 덕분으로, 시장 점유율 또한 62.3%로 전분기(61.7%) 대비 0.6%p 증가했다. 이에 TSMC는 올 2분기 실적발표와 동시에 올해 연간 실적 전망치를 상향 조정했다. 당초 TSMC는 올해 연 매출이 전년 대비 20% 초중반대 상향될 것으로 내다봤으나, 이를 "20% 중반"으로 변경했다.

2024.09.09 11:08장경윤

TSMC, 美 애리조나 팹 '시범생산 수율' 대만 팹 수준으로 달성

대만 반도체 파운드리(위탁생산) 업체 TSMC 미국 애리조나 공장에서 진행한 시범생산에서 대만 본토 공장과 동등한 수준의 생산 수율을 달성한 것으로 알려졌다. 이로써 TSMC의 애리조나 팹은 내년 본격적인 양산을 위한 준비가 순조롭게 진행중인 것으로 파악된다. 대만 언론 중국시보와 경제일보, 블룸버그통신 등은 소식통을 인용해 TSMC가 내년 상반기 4㎚(나노미터, 10억분의 1m) 공정 제품을 양산할 예정인 미국 애리조나주 피닉스 1공장의 시범 생산 수율이 대만 타이난 과학단지에 위치한 공장과 유사한 수준을 달성했다고 밝혔다. TSMC 애리조나 1공장은 지난 4월부터 4나노 공정 기술로 시범생산을 시작했다. 1공장은 올해 안으로 양산 준비를 완료해 내년 상반기를 목표로 했던 양산 계획을 앞당겨 달성할 수 있을 것으로 내다봤다. 블룸버그는 "TSMC의 미국 프로젝트가 목표 달성을 위한 궤도에 올랐다는 초기 지표다"라고 평가했다. 반도체 수율은 제조된 칩 중 정상적으로 작동하는 비율을 의미하며, 생산 효율성과 품질을 평가하는 중요한 지표다. 수율이 높을수록 수익성에도 긍정적인 영향을 미친다. TSMC는 "애리조나 프로젝트가 계획대로 순조롭게 진행되고 있다"고 밝혔다. TSMC는 수율에 대해 공개하지 않지만 투자자들은 회사가 꾸준한 마진을 유지할 수 있을 것으로 기대고 있다. TSMC는 장기적으로 총 마진율을 53% 이상으로 유지할 것을 밝혔으며, 지난 4년 동안 순이익을 36% 이상으로 안정적으로 유지해 왔다. 다만, 애리조나 팹 건설 비용과 대만에서 파견된 인적 비용이 대만 보다 각각 2~4배, 2배 높아 부담으로 여겨지고 있다. 이런 이유로 애니조나 1공장의 양산 일정은 원래 2024년에서 내년으로 미뤄졌다. TSMC 애리조나 1공장에서 애플, 엔비디아 칩을 생산할 예정이다. 한편, 미국 상무부는 반도체법의 일환으로 TSMC의 3개 공장에 대해 66억 달러의 보조금과 최대 50억 달러의 대출을 지원할 계획이다.

2024.09.09 11:07이나리

인텔의 위기…모빌아이·설계·파운드리 줄줄이 매각 검토

'반도체 거인'이라고 불리던 인텔이 창사 이래 최대 위기에 직면했다. 인텔은 수익성 개선을 위해 자회사인 FPGA(프로그래머블반도체) 업체 알테라와 자율주행 시스템 업체 모빌아이 지분을 매각, 설계 사업 매각 등의 방안을 검토 중이다. 더불어 파운드리(반도체 위탁 생산) 사업의 매각도 고려 중인 것으로 알려졌다. ■ 모빌아이·알테라 매각 검토 중…퀄컴, 설계사업 인수에 관심 6일(현지시간) 블룸버그통신은 정통한 소식통을 인용해 인텔이 자율주행 기술 업체 모빌아이의 모빌아이 지분 88% 중 일부를 공개 매각하거나 제3자에게 매각하는 방안을 고려하고 있다고 보도했다. 앞서 인텔은 지난해에도 모빌아이의 일부 지분을 매각해 15억 달러(약 1조9천922억원)의 자금을 조달한 바 있다. 모빌아이는 이달 말 뉴욕에서 열릴 이사회에서 이 계획을 논의할 예정이다. 인텔은 2017년 모빌아이를 153억 달러(약 20조4천억 원)에 인수해 5년 후인 2022년 나스닥 시장에 상장시켰다. 그러나 코로나19 팬데믹 이후 자동차 업계가 잇따라 생산량을 감축하면서 모빌아이는 최근 2년 연속 연간 손실을 기록했고, 올해도 적자자 예상된다. 모빌아이의 주가는 올해에만 70.87% 추락했고, 시가총액은 102억달러로 인텔의 인수액(153억 달러)보다도 적은 상태다. 인텔은 또 다른 자회사 알테라의 매각도 검토 중이다. 알테라는 2015년 167억 달러(약 22조원)에 인수한 FPGA 전문 기업으로, 올해 초 인텔로부터 분리되어 자회사로 설립됐다. FPGA는 제조 후에도 다시 프로그래밍할 수 있는 반도체로, 인텔은 이를 통해 반도체 시장에서 경쟁력을 유지해왔다. 인텔은 컴퓨터·통신네트워크 사용 칩 제조 기업 네트워킹 부문 매각도 고려 중인 것으로 알려졌다. '네트워크·에지(Network and Edge)' 사업 부문의 지난해 매출은 58억 달러로 전년 대비 약 3분의 1로 줄었다. 이처럼 인텔이 사업을 정리한다는 전망이 나오고 있는 가운데 미국 모바일 칩 제조업체 퀄컴이 인텔의 설계 사업 부문 일부 지분을 인수하는 방안을 모색 중이라는 관측이 나왔다. 로이터통신은 6일(현지시간) 소식통을 인용해 "퀄컴 경영진이 인텔의 설계 사업부 전체를 들여다보고 있으며, 특히 클라이언트 PC 설계사업에 큰 관심을 보이고 있다"고 전했다. 다만 퀄컴 경영진은 서버 부문 등 인텔의 다른 사업 부문 인수는 고려하지 않는 것으로 알려졌다. ■ 파운드리 사업 매각설까지 나와…글로벌 2위 목표 물거품되나 인텔의 파운드리 사업 매각 가능성도 제기되고 있다. 블룸버그는 지난 30일 인텔이 파운드리 분사, 제조시설 확장 프로젝트 중단 등 다양한 구조조정 방안을 검토 중이라고 보도했다. 인텔과 오랫동안 거래해온 투자은행 모건스탠리와 골드만삭스가 매각 관련 내용을 조언하고 있다는 전언이다. 다만, 인텔이 파운드리 부분을 매각할 가능성은 낮을 것이란 전망이 우세하다. 독일 신규 파운드리 팹도 전면 백지화할 가능성이 크다. 인텔은 독일 마그데부르크에 170억 유로(약 25조2천억원)을 투자해 건설 중이다. 2021년 파운드리 사업 재진출을 선언한 인텔은 삼성전자를 제치고 글로벌 2위로 도약하겠다는 목표를 세우면서 'TSMC-삼성-인텔' 삼각구도가 형성되기도 했다. 하지만 최근 여러 사업 매각설이 나오면서 해당 계획이 차질을 빚을 것으로 보인다. 한편, 인텔은 올 2분기에만 2조원 넘는 손실을 내면서 수익성 악화로 올해 4분기부터 배당을 중단하고, 연내 전체 직원의 15%에 해당되는 1만5천명을 감축하기로 결정했다. 또 인텔은 지난 4일 투자자 컨퍼런스에서 오는 4분기부터 가동 예정이었던 인텔 20A(2나노급) 공정 양산을 백지화하고, 대신 내년부터 가동될 인텔 18A(1.8나노급) 공정에 집중하겠다고 밝혔다. 여기에 최근 인텔 주가가 60% 가까이 급락하면서 다우존스지수에서 제외될 가능성까지 제기되고 있다. 인텔은 최근 주가가 60% 가까이 떨어지며 올해 다우지수 편입 종목 중 가장 부진한 성적을 거둔 영향이다.

2024.09.08 08:36이나리

TSMC, 2분기도 삼성 파운드리와 격차 유지…"AI 수요 강력"

2분기 파운드리 시장이 신규 스마트폰 출시, AI 서버용 칩 주문 확대에 따라 견조한 성장세를 기록했다. 삼성전자는 주요 경쟁사인 TSMC와의 점유율 격차를 줄이지 못한 것으로 나타났다. 2일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 2분기 전 세계 상위 10대 파운드리 기업 매출액은 약 320억 달러로 전분기 대비 9.6% 증가했다. 기업별로는 TSMC가 매출 208억2천만 달러로 전분기 대비 10.5% 증가했다. 주요 고객사인 애플의 재고 보충과 AI 서버용 고성능 칩의 강력한 수요 덕분이다. 해당 분기 시장 점유율은 62.3%로 전분기(61.7%) 대비 0.6%p 증가했다. 삼성 파운드리 매출은 38억3천만 달러로 전분기 대비 14.2% 증가했다. 애플 및 퀄컴의 5G 모뎀 칩, OLED DDI(디스플레이구동칩) 등 시스템반도체의 주문이 증가한 데 따른 효과다. 시장 점유율은 11.5%로 전분기(11.0%)보다 0.5%p 증가했으나, TSMC와의 격차를 좁히지는 못했다. 파운드리 사업(IFS)의 진출을 추진해 온 인텔은 올 1분기와 2분기 각각 44억, 43억 달러 매출을 올렸다. 그러나 영업손실률이 각각 57%, 66%에 달할 만큼 수익성이 좋지 못하고, 대부분의 매출이 내부에서 발생한 상황이다. 트렌드포스는 "인텔 IFS의 내부 매출이 98~99%에 달하기 때문에, IFS의 외부 수익만을 고려하면 결국 이번 분기 상위 10대 파운드리에 진입하지 못했다"고 설명했다. 한편 파운드리 시장은 올 하반기에도 견조한 성장세를 지록할 것으로 전망된다. 3분기가 고객사의 재고 축적이 일어나는 전통적인 성수기에 해당하고, 신규 스마트폰과 주변 집적회로의 매출 발생이 활발히 일어나기 때문이다. 또한 AI 서버용 고성능 칩 수요도 지속될 것으로 관측된다. 트렌드포스는 "일부 고급 공정 주문은 이미 내년까지 가시성을 확보했다"며 "상위 10대 파운드리 매출은 올 3분기 더 증가할 가능성이 높고, 성장률은 2분기와 유사할 것"이라고 내다봤다.

2024.09.03 10:04장경윤

TSMC '1.6나노' 공정, 애플 이어 오픈AI도 선제 주문

대만 주요 파운드리 TSMC의 최선단 공정인 'A16' 공정이 애플, 오픈AI 등 주요 기업들로부터 수주했다고 대만 연합보 등이 지난 2일 보도했다. A는 옹스트롬으로, 원자 수준인 0.1나노미터(nm)를 뜻한다. A16은 1.6나노 공정에 해당한다. TSMC는 오는 2026년 하반기 A16 공정을 양산하는 것을 목표로 두고 있다. 연합보는 "애플이 TSMC의 A16 공정의 1차 물량을 예약했고, 오픈AI도 자체 개발 칩의 장기적 수요를 고려해 A16 공정을 예약했다"며 "AI칩이 TSMC의 주문 가시성을 높이는 중요한 요인이 되고 있다"고 밝혔다. 오픈AI는 AI 챗봇인 '챗GPT'의 개발사로, 브로드컴·마벨 등 미국 기업과 협력해 자체 주문형반도체(ASIC)를 개발해 왔다. 또한 TSMC 등과 전용 웨이퍼 공장 구축을 논의하기도 했으나, 이 같은 계획은 보류하기로 했다. 한편 TSMC의 A16 공정은 선폭 미세화 외에도 GAAFET(게이트-올-어라운드), BSPDN(후면전력공급) 등 첨단 기술이 적용된다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 모두 감싸는 기술이다. 기존 3개면을 감싸는 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 속도, 전력 효율성 등을 높일 수 있다. BSPDN은 기존 웨이퍼 전면에 배치하던 전류 배선층을 후면으로 보내, 전력 공급의 효율성을 높이고 신호간 간섭을 줄이는 기술이다.

2024.09.03 08:25장경윤

로이터 "인텔, 9월 이사회서 알테라 매각 결의 가능성"

인텔이 이달 중순 예정된 이사회에서 알테라 등 일부 자회사 매각을 포함한 자구책을 검토할 예정이다. 로이터가 1일(미국 현지시각) 소식통을 인용해 이같이 보도했다. 로이터는 "팻 겔싱어 인텔 CEO가 인텔 자회사인 알테라 매각이나 기업공개(IPO), 신규 시설 투자 연기·취소를 포함한 실적 개선 방안을 이사회에 제시할 예정"이라고 설명했다. 팻 겔싱어 CEO는 최근 도이체방크가 주최한 투자자 대상 컨퍼런스에서 "최근 몇 주간 어려움을 겪었으며 문제를 해결하기 위해 많은 노력을 기울였다. 투자자의 우려를 진지하게 받아들이고 있으며 회복 계획 2단계에 집중하고 있다"고 밝히기도 했다. ■ 인텔 파운드리 부문, 올 상반기 7.9조 적자 인텔은 지난 8월 2분기 실적 발표를 통해 매출 128억 달러(약 17조 5천488억원), 영업이익은 16억 1천만 달러(약 2조 2천73억원) 적자를 기록했다고 밝혔다. 또 배당금 지급 일시 중단과 조기퇴직, 구조조정 등을 시행할 것이라고 밝힌 바 있다. 블룸버그는 지난 30일 익명의 소식통을 인용해 "인텔이 파운드리(반도체 제조 부문) 분사나 매각 이외에 신규 반도체 시설 투자 중단 등 다양한 방안을 강구하고 있다"고 보도하기도 했다. 올 상반기 인텔 파운드리 부문은 매출 87억 달러(약 11조 6천519억원), 적자 53억 달러(약 7조 982억원)를 기록했다. 인텔 내부 제품 생산과 외부 고객사 제품 생산 등으로 올린 매출 이상을 시설 투자 등에 쓰고 있다는 의미다. ■ 인텔, 2월 파운드리·프로덕트 그룹 이미 분할 그러나 로이터는 "최근 블룸버그 등이 제기한 파운드리 부문(반도체 생산시설) 매각은 현 시점에서 개선 방안에 포함되지 않았다"고 설명했다. 인텔은 2월 초 이미 사업 조직 분할을 마쳤다. '인텔 파운드리 서비스'를 '인텔 파운드리 그룹'으로 격상하는 한편 제품 개발과 설계를 담당하는 조직을 '인텔 프로덕트 그룹'으로 통합했다. 현재 양대 그룹은 서로 분리됐으며 외부 파운드리 고객사의 영업비밀 등이 이를 넘을 수 없도록 차단됐다. 팻 겔싱어 인텔 CEO는 당시 "파운드리·프로덕트 그룹 사이에는 분명한 선이 있다"고 밝히기도 했다. 미국 시장조사업체인 무어 인사이트&스트래티지의 패트릭 무어헤드 CEO는 최근 X(구 트위터)에 "인텔 파운드리 분사로 얻을 수 있는 유일한 이득은 AMD와 퀄컴 등 회사를 고객사로 확보할 확률이 조금 높아지는 것 뿐"이라고 지적하기도 했다. ■ "인텔 경영진, 올 2월 분사한 알테라 매각·IPO도 검토" 로이터는 "팻 겔싱어 CEO 등 주요 경영진은 올 초 분사한 자회사 알테라(Altera) 완전 매각이나 상장, 또는 신규 반도체 생산 시설 투자 연기나 중단 등을 고려하고 있다"고 밝혔다. 인텔은 2015년 167억 달러(약 18조 6천억원)에 알테라를 인수하고 이를 FPGA(프로그래머블반도체) 부문으로 흡수했지만 지난 2월 말 이를 다시 인텔 조직에서 분리해 자회사로 만들었다. 당시 산드라 리베라 CEO는 "인텔에서 회계와 인사 등 법적인 절차를 분리하는 작업이 진행중이며 3년 안에 재상장을 염두에 두고 있다"고 밝히기도 했다. 로이터는 소식통을 인용해 "인텔이 알테라 완전 매각을 추진할 경우 각종 컨트롤러를 생산하는 반도체 업체인 마밸이 잠재적인 업체가 될 것"이라고 보도했다. ■ "독일 마그데부르크 신규 생산시설 취소·연기 가능성" 로이터는 "팻 겔싱어 CEO를 포함한 주요 경영진들이 현재 미국과 유럽 등에서 진행하고 있는 반도체 생산 시설 확장 계획도 일부 연기하거나 축소할 수 있다"고 보도했다. 인텔은 지난 2022년 3월 독일 마그데부르크에 총 170억 유로(약 23조 2천800억원)를 들여 새로운 반도체 생산시설을 설립할 것이라고 밝힌 바 있다. 지난 해 6월에는 독일 연방 정부와 보조금 협상에도 합의했다. 독일 언론 하이제는 지난 8월 중순 "마그데부르크를 관할하는 작센안할트 주 정부는 인텔 반도체 생산시설 건립이 무산될 가능성이 매우 낮다. 만약 무산될 경우 해당 부지를 다른 공업·상업시설로 넘기는 방안을 검토중"이라고 보도하기도 했다. 인텔 관계자는 블룸버그와 로이터 보도 관련 내용 지디넷코리아 질의에 "시장의 루머에는 답변하지 않는다"고 회신했다.

2024.09.02 16:29권봉석

삼성전자, 차세대 'GaN 전력칩' 초도생산 준비…설비 도입

삼성전자가 질화갈륨(GaN) 파운드리 시장 진출을 위한 설비투자를 지난 2분기 진행했다. 다만 도입한 장비 규모는 매우 적은 수준으로, '초도 생산'을 위한 최소한의 준비를 진행한 것으로 관측된다. 대규모 양산 투자는 향후 고객사 확보 및 시장 성장세에 따라 윤곽이 드러날 전망이다. 2일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 2분기 GaN 전력반도체 양산을 위한 설비를 소량 도입했다. GaN은 실리콘 대비 고온·고압 내구성, 전력 효율성 등이 높은 차세대 전력반도체 소재다. 이 같은 장점 덕분에 IT·통신·자동차 등 산업 전반에서 수요가 증가하고 있다. 삼성전자 역시 GaN 전력반도체 산업의 성장성에 주목해 시장 진출을 추진해왔다. 지난해 6월 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2023'에서는 "컨슈머, 데이터센터, 오토모티브 향으로 2025년 8인치 GaN 전력반도체 파운드리 서비스를 시작하겠다"고 공식 발표한 바 있다. 이에 따라 삼성전자는 지난 2분기 기흥 공장에 독일 엑시트론의 유기금속화학증착(MOCVD) 장비를 도입했다. 기흥은 삼성전자의 8인치 파운드리 양산을 담당하는 곳으로, 현재 GaN 전력반도체 공정은 8인치가 주류를 이루고 있다. 삼성전자가 GaN 연구개발(R&D)을 위해 기투자한 설비도 이곳에 위치해 있다. MOCVD는 금속 유기 원료를 이용해 박막을 성장시키는 기술이다. 실리콘 혹은 탄화규소(SiC) 웨이퍼 위에 GaN 물질을 올리는 GaN 웨이퍼를 만드는 데 핵심적인 역할을 담당한다. 현재 GaN 웨이퍼용 MOCVD 장비는 엑시트론, 미국 비코 두 기업이 사실상 독점하고 있다. 특히 엑시트론의 점유율이 압도적인 상황으로, 삼성전자는 지난해 펠릭스 그라베르트 엑시트론 최고경영자(CEO)와 만나 장비 공급을 논의하기도 했다. 당시 거론된 투자 규모만 30~40대 수준이었던 것으로 알려졌다. 다만 삼성전자가 이번에 진행한 투자는 엑시트론의 최신형 MOCVD 장비를 1~2대 들인 수준에 불과한 것으로 파악됐다. 아직 대형 고객사를 확보하지 못했고, 회사의 설비투자가 HBM(고대역폭메모리) 등 일부 분야에 집중된 만큼 투자 속도를 조절하려는 전략으로 풀이된다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자는 이미 기흥에 GaN 관련 연구개발 설비를 투자했던 상황으로, 올해 중반에도 소량 장비를 도입했다"며 "다만 삼성전자가 당초 예상됐던 대규모 양산 투자에는 다소 신중하게 접근하는 분위기"라고 설명했다. 한편 DB하이텍과 SK키파운드리 등도 GaN 파운드리 사업을 준비 중이다. DB하이텍은 지난해 말 GaN 관련 설비투자를 진행해, 내년 초도 양산을 진행할 계획이다. 본격적인 양산 투자는 2027년에 집행하는 것을 목표로 삼고 있다. SK키파운드리는 기존 설비를 활용한 GaN 초도 양산을 이르면 내년 시작할 것으로 알려졌다.

2024.09.02 10:40장경윤

OCI, SK하이닉스 반도체 '인산' 공급사 진입…첫 출하 완료

핵심소재 기업 OCI는 국내 인산 제조사 최초로 SK하이닉스의 반도체 인산 공급자로 선정됐다고 2일 밝혔다. OCI는 금번 SK하이닉스 수주를 통해 반도체 인산 국내 시장점유율(M/S) 1위 기업으로서의 지위를 더욱 공고히 하고, 반도체 소재 기업으로의 입지를 강화해 나갈 방침이다. OCI는 SK하이닉스의 강도 높은 품질 테스트를 거쳐 반도체 인산 제품 공급에 대한 승인을 획득하고, 지난달 21일 군산공장에서 초도품 출하 기념식을 진행했다. 이번에 OCI가 SK하이닉스에 공급하는 반도체 인산은 반도체 생산에 필요한 핵심소재 중 하나로, 반도체 웨이퍼의 식각 공정에 사용된다. OCI의 반도체 인산은 D램과 낸드플래시, 파운드리까지 모든 반도체 공정에 사용되는 범용 소재로 HBM의 성장 및 반도체 시황 회복에 따라 그 수요가 꾸준히 증가할 것으로 기대되고 있다. OCI는 2007년 반도체 인산 사업에 진출한 이후, 현재 연간 2만5천 톤 규모의 생산능력을 보유하고 있다. 삼성전자, SK키파운드리, DB하이텍 등 국내 주요 반도체 업체를 대상으로 지난 17년간 반도체 인산을 안정적으로 공급하며 국내 M/S 1위를 유지하고 있다. OCI는 이번에 SK하이닉스를 신규 고객사로 추가함으로써 국내 모든 반도체 제조사에 인산을 공급하는 유일한 업체가 됐다. OCI는 신규 고객사 확보 및 기존 고객사의 수요 증가에 따라 단계적으로 반도체 인산 생산능력을 증설할 계획이며, 반도체 소재의 국산화 및 공급망 안정화에 기여해 나갈 예정이다. 한편 OCI는 반도체 생산 과정 중에 세정 공정을 위해 필수적으로 사용되는 과산화수소 제품에서도 향후 매출 성장이 이뤄질 것으로 전망하고 있다. OCI는 1979년부터 과산화수소를 생산해 온 업체로 연산 7만 5000톤의 생산능력을 보유하고 있으며, 오랜 업력과 기술력을 바탕으로 경쟁력을 확보하고 있다. 올해 반도체 업황이 회복세에 접어들면서 삼성전자와 SK하이닉스가 다시 증설을 계획하고 있는 만큼 업계에서는 이에 맞춰 전자급 과산화수소에 대한 수요 또한 지속해서 증가할 것으로 전망한다. 이밖에도 OCI는 반도체급 과산화수소를 일본 낸드플래시 기업 키옥시아에 직접 공급 중에 있는데, 지난 7월 키옥시아가 이와테현에 월 2만 5000개의 웨이퍼를 생산할 수 있는 신규 공장을 완공함에 따라 OCI의 추가적인 수주가 기대되는 상황이다. OCI는 최근 피앤오케미칼의 지분을 인수하기로 결정하면서 연산 5만톤 규모의 과산화수소 생산 능력이 증대될 것으로, 고객사 증설에 따른 수요 증가에 선제적으로 대응할 수 있게 되었다. 김유신 OCI 사장은 “국내 M/S 1위의 기술력을 바탕으로 품질 테스트를 무사히 통과하고, 국내 인산 제조사 중 최초로 SK하이닉스에 반도체 인산을 공급하게 되어 매우 고무적”이라며 “앞으로도 OCI는 반도체 수요 증가에 발맞춰 반도체 소재 사업을 성공적으로 확대하고 경쟁력을 강화하여, 반도체 소재 기업으로서 입지를 강화해 나갈 것”이라고 밝혔다.

2024.09.02 09:33장경윤

'韓 반도체' 미래기술 로드맵 나왔다…CFET·3D 메모리 주목

국내 반도체 산업의 경쟁력 강화를 위한 전략이 한층 고도화된다. 기존 선정된 45개 연구주제에 더해, CFET과 3D 적층 등 14개 핵심기술이 추가 과제로 선정됐다. 27일 '2024 반도체 미래기술 로드맵 발표회'가 양재 엘타워에서 진행됐다. 앞서 정부는 지난해 5월 반도체 초격차 기술 확보를 위한 반도체 미래기술 로드맵을 발표한 바 있다. 해당 로드맵에는 고집적 메모리·AI 반도체·첨단 패키징 및 소부장 등이 포함됐다. 추진 전략은 크게 설계 소자·설계·공정 등 세 가지로 나뉜다. 세부적으로는 ▲D램·낸드 신소자 메모리 및 차세대 소자 개발 ▲AI·6G·전력·차량용 반도체 설계 분야 원천기술 선점 ▲전·후공정 분야 핵심기술 확보로 소재·장비·공정 자립화 등이다. 이번 발표회에서는 지난해 추진 전략을 고도화한 신규 로드맵이 발표됐다. 반도체 기술이 나노미터(nm)를 넘어 옹스트롬(0.1nm)으로 넘어가는 추세에 선제 대응하기 위해, 연구주제를 기존 45개에서 59개로 총 14개 추가한 것이 주 골자다. 새롭게 추가된 주요 과제로는 CFET과 3D 메모리 등이 있다. CFET은 가장 최근 상용화된 트랜지스터 구조인 GAA(게이트-올-어라운드)를 또 한번 뛰어넘는 기술로, GAA를 수직으로 쌓아 올리는 구조다. 3D 메모리는 기존 수평으로 집적하던 셀(Cell)을 수직으로 적층하는 기술을 뜻한다. 정부 역시 반도체 분야 R&D 투자에 더 많은 지원을 펼치고 있다. 정부의 예산 투자 규모는 지난해 5천635억원에서 올해 6천361억원으로 12.8% 증가했다. 김형준 차세대지능형반도체사업단 단장은 "AI 반도체 시장이 부흥하고 있는 만큼 국내에서도 1페타바이트 급의 NPU(신경망처리장치) 개발을 추진할 것"이라며 "하이브리드 본딩과 고방열 소재, 광패키징 등 최첨단 패키징 분야도 새롭게 로드맵에 추가했다"고 밝혔다.

2024.08.27 17:35장경윤

'삼성 2나노' 고객사 日 PFN, 현지서 대규모 투자 받는다

일본 주요 금융그룹 SBI홀딩스가 현지 AI 반도체 스타트업 PFN(Preferred Networks)에 100억 엔(한화 약 920억원)을 투자하고, AI 반도체를 협력 설계할 계획이라고 닛케이아시아가 27일 보도했다. PFN은 일본 기업 10개사를 중심으로 투자를 유치하고 있다. SBI는 해당 라운드에서 주도적인 역할을 담당할 것으로 예상되며, 이전 PFN에 투자한 도요타와 함께 PFN의 최대 투자자 중 하나가 될 계획이다. 2014년 설립된 PFN은 일본의 주요 AI 딥러닝 전문 개발업체다. 일본의 유니콘 기업 중 하나로, 기업 가치는 약 3천억 엔 수준으로 평가받고 있다. PFN은 자체 개발한 딥러닝 프레임워크인 '체이너(Chainer)'를 기반으로 다양한 산업에 AI 솔루션을 공급하고 있으며, 슈퍼컴퓨터용 AI 칩도 자체적으로 개발해 왔다. 특히 PFN은 올해 초 삼성전자에 2나노미터(nm) 공정 양산을 의뢰했다. 2나노는 삼성전자·TSMC 등 주요 파운드리가 오는 2025년부터 양산화를 목표로 하고 있는 최선단 기술에 해당한다. 이전 PFN은 자사 AI 칩인 'MN-코어' 제조를 TSMC에 의뢰한 바 있으나, 2나노 공정서에는 삼성전자와 삼성전자 DSP(디자인솔루션파트너)인 가온칩스를 채택했다. 제조 공정 변경에 신중할 수 밖에 없는 팹리스가 파운드리 공급망을 변경했다는 점에서 업계의 주목을 받았다. 닛케이아시아는 "SBI가 데이터센터 등의 성장에 대응하고자 PFN과 협력해 차세대 AI 반도체에 대한 연구를 수행할 계획"이라며 "중기적으로 SBI는 패키징, 테스트와 같은 백엔드 공정을 포함해 일본 반도체 공급망을 구축하기 위한 다른 분야에도 투자할 계획"이라고 밝혔다.

2024.08.27 09:59장경윤

SK하이닉스, 10월 HBM4 '테이프아웃'…엔비디아 공략 고삐

SK하이닉스의 HBM4(6세대 HBM) 상용화 계획이 가시권에 접어들었다. 핵심 고객사인 엔비디아향 HBM4 설계가 마무리 단계에 접어들어, 4분기 초에 설계 도면을 제조 공정에 넘기는 '테이프아웃'을 진행할 것으로 파악됐다. 26일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 10월 엔비디아향 HBM4에 대한 '테이프아웃'을 완료할 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. 현재 5세대 제품인 HBM3E까지 상용화된 상태로, 다음 세대인 HBM4는 내년 하반기부터 양산이 시작될 것으로 전망된다. HBM4는 데이터 전송 통로인 I/O(입출력 단자) 수를 이전 세대 대비 2배 많은 2048개 집적한 것이 특징이다. D램 적층 수는 제품 개발 순서에 따라 12단·16단으로 나뉜다. 엔비디아의 경우 2026년 출시 예정인 차세대 고성능 GPU '루빈(Rubin)' 시리즈에 12단 적층 HBM4를 채용할 것으로 관측된다. 이에 SK하이닉스는 엔비디아향 HBM4를 공급하기 위한 개발팀을 꾸리고 설계를 진행해 왔다. 최근에는 설계가 마무리 단계에 접어들어, 오는 10월 테이프아웃 일정을 확정했다. 테이프아웃이란 연구소 수준에서 진행되던 반도체 설계를 완료하고, 도면을 제조 공정에 보내는 것을 뜻한다. 실제 제조 환경에서 양산용 개발이 이뤄지기 때문에, 칩 상용화를 위한 핵심 과정으로 꼽힌다. 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스는 주요 고객사인 엔비디아와 AMD를 위한 HBM4 개발팀을 각각 꾸려 제품을 개발해 왔다"며 "엔비디아향 HBM4 테이프아웃은 10월에 진행될 예정이며, AMD향 테이프아웃은 연말이 목표"라고 설명했다. 한편 SK하이닉스는 HBM4의 코어다이로 1b D램(10나노급 5세대 D램)을 활용한다. HBM은 D램을 집적한 코어다이와 코어다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 로직다이로 나뉜다. 앞서 SK하이닉스는 올해 상용화를 시작한 HBM3E에도 1b D램을 적용한 바 있다. 주요 경쟁사인 삼성전자는 HBM4에 1c D램(10나노급 6세대 D램) 적용을 추진하는 등 기술적 변혁을 시도하고 있으나, SK하이닉스는 안정성에 무게를 둔 것으로 풀이된다. 로직다이의 경우 주요 파운드리인 TSMC의 공정을 통해 양산한다. 현재 SK하이닉스가 채택한 TSMC의 공정은 12나노미터(nm)와 5나노급 공정으로 알려져 있다.

2024.08.26 14:23장경윤

삼성, 구글과 협력...'픽셀9·폴드'에 부품 다수 공급

구글이 하반기 출시한 플래그십 스마트폰 '픽셀9' 시리즈와 '픽셀9 프로폴드'는 전작과 마찬가지로 삼성전자의 부품이 다수 탑재됐다. 구글은 첫 스마트폰 출시 시점부터 삼성전자의 부품이 큰 비중을 차지하며 협력을 이어 나가고 있다. 구글은 지난 13일 미국 캘리포니아주 마운틴뷰 본사에서 신제품 공개 행사 '메이드 바이 구글 2024'를 열고 신제품 스마트폰 ▲픽셀9 ▲픽셀9 프로 ▲ 픽셀9 XL ▲ 픽셀9 프로 폴드 4종을 공개했다. 이번 신제품은 자사의 인공지능(AI) 모델 '제미나이'가 탑재된 구글의 첫 AI 스마트폰이란 점에서 큰 주목을 받았다. 구글은 2021년부터 삼성 시스템LSI 협업으로 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) '텐서'를 개발하고, 그 칩을 삼성전자 파운드리에서 생산해 오고 있다. 모바일 AP는 스마트폰의 두뇌 역할을 한다. 이번 픽셀9 시리즈 4종에는 '텐서 G4'가 탑재됐으며, 삼성전자 파운드리 4나노미터(nm) 공정에서 생산됐다. 지난해 출시된 픽셀8 시리즈도 삼성전자 4나노 공정에서 생산된 '텐서G3' AP가 탑재된 바 있다. 앞서 구글이 2022년 출시한 '픽셀7'과 보급형 스마트폰 '픽셀7a'에는 삼성전자 파운드리 5나노 공정에서 생산된 '텐서G2' AP가 탑재됐다. 구글은 디스플레이 부분에서도 삼성디스플레이와 협력을 지속하고 있다. 픽셀9, 픽셀9 프로, 픽셀9 XL, 픽셀9 프로 폴드에는 모두 삼성디스플레이의 OLED 패널이 사용됐다. 이 중 픽셀9 프로와 XL, 프로 폴드 모델은 주로 프리미엄 스마트폰에 탑재되는 LTPO(저온다결정산화물) OLED이 탑재돼 차별화를 뒀다. LTPO OLED는 저전력이 특징이다. 최근 스마트폰에서 AI 기능 사용 증가로 전력 소모가 중요해짐에 따라 최근 AI 기능으로 스마트폰에서 전력 소모가 중요해지면서 스마트폰 시장은 현재 탑재비중이 높은 저온다결정실리콘(LTPS) OLED에서 LTPO OLED로 대체되는 추세다. 삼성전자도 올해 초 갤럭시S24 시리즈 전 모델에 LTPO OLED를 적용했고, 애플은 오는 9월에 출시하는 아이폰16 프로·프로맥스 모델에 LTPO OLED를 탑재할 계획이다. 구글은 지난해 첫 폴더블폰을 출시하면서 삼성디스플레이로부터 폴더블 패널도 추가로 공급받고 있다. 시장조사업체 DSCC에 따르면 올해 2분기 폴더블 스마트폰 디스플레이 시장에서 삼성디스플레이는 53% 점유율로 1위, 중국 BOE는 27%를 차지했다. 구글 픽셀9 시리즈는 삼성전자로부터 CMOS 이미지센서도 공급받는다. 픽셀9, 픽셀9 프로, 픽셀9 XL에는 작년 모델과 동일한 삼성전자 이미지센서 '아이소셀 GNK'가 탑재돼 있으며, 이 센서는 5천만 화소, F/1.7을 지원한다. 지난해 11월 출시된 아이소셀 GNK는 2021년 9월 출시된 '아이소셀 GN5'의 후속 모델로, 출시 2년 2개월만에 신제품이 공개됐다. 삼성전자는 2021년, 2022년 출시된 구글 픽셀6 시리즈와 픽셀7 시리즈에도 '아이소셀 GN1'을 공급한 바 있다. 한편, 업계에 따르면 구글이 내년에 출시하는 스마트폰 픽셀 10시리즈에는 '텐서 G5' AP가 탑재될 예정이며, 이 칩은 삼성전자가 아닌 대만 TSMC 3나노 공정에서 제조될 예정이다. 이에 구글과 삼성전자의 협력이 축소될 가능성에 대한 우려가 제기된다.

2024.08.23 14:42이나리

리벨리온, 차세대 AI칩 '리벨-쿼드' 양산 앞당긴다…"삼성 지원 덕분"

"회사의 최신 NPU 아톰은 중동 아람코 등 주요 잠재 고객사와의 긴밀한 협의로 올해 4분기 매출 성장을 기대하고 있습니다. 이 칩은 경쟁사 대비 성능과 전력 효율성을 모두 높인 것이 장점이죠. 다음 세대 칩인 '리벨-쿼드'도 삼성전자의 많은 지원 덕분에 생산 일정을 올해 말에서 내년 초 정도로 앞당길 수 있을 것으로 보입니다." 오진욱 리벨리온 CTO는 최근 경기 성남시 소재 사무실에서 기자들과 만나 회사의 AI 반도체 개발 및 상용화 로드맵에 대해 이같이 말했다. 리벨리온은 지난 2020년 설립된 국내 AI 반도체 스타트업이다. 올해 상반기에는 회사의 2번째 NPU(신경망처리장치) 칩인 '아톰(ATOM)'의 양산을 시작했다. 아톰은 5나노미터(nm) 공정을 기반으로, 128TOPS(1초 당 128조번의 정수 연산) 및 32TFLOPS(1초 당 32조번의 부동소수점 연산)의 성능을 갖췄다. 특히 전력 소모량이 보편적인 GPU 대비 5분의 1에 불과한 것이 특징이다. ■ 칩 넘어 '랙 솔루션' 준비…아람코에 4분기 공급 목표 리벨리온이 아톰을 통해 거둔 가장 최근의 성과는 지난달 사우디아라비아 국영 석유그룹 아람코로부터 200억원 규모의 투자를 유치한 것이다. 이를 통해 리벨리온은 사우디에 현지 법인을 설립하고, 사우디 정부가 추진하는 소버린(주권) AI 인프라와 서비스 구축을 지원할 예정이다. 오진욱 CTO는 "중동은 공급망 및 보안 이슈로 자체 LLM(거대언어모델) 구축을 원하고 있는데, 데이터센터에 리벨리온의 NPU를 랙(복수의 서버를 저장할 수 있는 특수 프레임) 형태로 도입하는 방안을 논의 중"이라며 "카드 형태는 소량 발주됐으며, 랙 단위로는 올 4분기 매출을 발생시키는 게 목표"라고 설명했다. 이를 위해 리벨리온은 HP, 델, 레노버, 슈퍼마이크로 등 서버 OEM 업체들과도 적극적으로 협력하고 있다. 리벨리온이 자사 NPU를 고객사에 실제 공급하기 위해선 칩에 여러 인터페이스 기능을 추가한 카드나, 이 카드를 여러 개 모은 서버·랙 등의 형태로 제작해야 하기 때문이다. 오진욱 CTO는 "NPU 자체도 중요하지만, 이를 기반으로 한 서버 랙 역시 데이터센터의 발열, 성능 등에 영향을 미치기 때문에 매우 중요하다"며 "아톰 칩은 저전력 설계로 서버 하나에 칩을 240~250개가량 집적할 수 있어, 고성능 서버 구축을 원하는 중동 고객사에게 수요가 있다"고 밝혔다. ■ 소프트웨어 기술력도 강점…'RSD'가 핵심 무기 현재 서버용 AI 가속기 시장에서는 HBM(고대역폭메모리)가 각광받고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 일반 D램 대비 대역폭을 수십 배 끌어올린 메모리다. 대역폭은 데이터가 송수신되는 통로로, 넓으면 넓을수록 데이터를 빠르게 처리할 수 있다. 반면 아톰은 HBM이 아닌 GDDR(그래픽 D램)을 채용했다. 그럼에도 리벨리온이 아람코 등에서 협업을 얻어낼 수 있었던 이유는, GDDR로도 저전력·고효율 데이터 처리 성능을 구현할 수 있는 자체 소프트웨어 기술을 갖추고 있었기 때문이다. 오진욱 CTO는 "GDDR을 여러 개 붙여 HBM과 비슷한 대역폭을 구현하는 동시에, 전력 소모량은 HBM보다 적도록 메모리 컴포넌트 등의 기술력을 확보했다"며 "또한 각 칩을 효율적으로 운용할 수 있도록 만드는 RSD 기술력도 중요하다"고 말했다. RSD는 'Rebellions Scalable Design'로, 리벨리온이 자체 개발한 분산 컴퓨팅용 소프트웨어 스택이다. 방대한 데이터 처리가 필요한 LLM은 140~180GB(기가바이트)에 달하는 메모리 용량이 필요하다. 이는 일반적인 AI 가속기 카드 하나로는 수용하기 어려운 용량인데, 결과적으로 이를 여러 카드에 나눠 데이터를 처리해야 한다. 이 여러 개의 카드가 단일 카드처럼 잘 작동하도록 만드는 기술이 RSD다. 오진욱 CTO는 "여러 개의 카드를 구동하는 데 필요한 컴파일러, 인터페이스 등을 가장 효율적으로 사용하는 방식을 파악해내는 게 RSD의 핵심"이라며 "이를 위해 메모리 제조사나 엔비디아 등 거대 기업을 제외하면 PCIe 5.0(고속 데이터 전송용 표준)을 제일 빨리 도입하기도 했다"고 강조했다. ■ "차세대 '리벨-쿼드' 양산, 삼성 협업으로 일정 앞당길 것" 나아가 리벨리온은 성능을 더 높인 차세대 NPU '리벨'을 이르면 올 연말 출시한다. 리벨은 삼성전자 파운드리 4나노미터(nm) 공정을 기반으로, 삼성전자의 36GB HBM3E 12단(5세대 고대역폭메모리)을 처음으로 탑재한다. 리벨 개발이 완료되는 경우, 리벨리온은 리벨 칩 4개를 칩렛 구조로 집적한 '리벨-쿼드'를 실제 제품으로 상용화할 계획이었다. 리벨-쿼드는 총 4개의 HBM3E을 탑재하기 때문에 메모리 용량이 144GB로 확장되며, 대역폭을 4.8TB/s까지 구현할 수 있을 것으로 예상된다. 칩렛은 기능별로 각 칩을 제작한 뒤 단일 칩에 붙이는 최첨단 패키징 기술이다. 특정 용도에 맞춰 칩을 이종집적하기 때문에 설계 유연성이 높고, 고속 인터커넥트를 활용하면 전체 시스템의 성능을 높일 수 있어 단일 칩 제작보다 성능을 강화할 수도 있다. 당초 리벨-쿼드는 2026년을 전후로 개발이 완료될 것으로 예상됐으나, 최근 일정이 앞당겨졌다. 이르면 올해 말이나 내년 초에 제작이 가능해질 전망이다. 오진욱 CTO는 "삼성전자의 적극적인 지원으로, 리벨 싱글 제품과 같은 일정으로 쿼드 제품을 출시하는 것이 가능해질 것으로 판단한다"며 "설계 유연성이 높은 칩렛 기술을 적용했기 때문에 다양한 서버 고객사의 요구에 부응할 수 있을 것"이라고 말했다. ■ "사피온과의 합병, 시너지 효과 구상 중" 앞서 리벨리온은 이달 18일 국내 또다른 AI 반도체 기업 사피온코리아와의 합병을 위한 본계약을 체결한 바 있다. 합병 후 존속법인은 '사피온코리아'로 하고, 리벨리온 경영진이 합병법인을 이끌기로 하면서 새 회사의 사명은 '리벨리온'으로 결정됐다. 박성현 리벨리온 대표가 합병법인의 경영을 맡게 될 예정이다. 이와 관련해 오진욱 CTO는 "사피온은 당사와 동일한 NPU 개발사이나, 지금까지 주력하는 사업 모델들과 파트너사들이 달랐기 때문에 서로 다른 시각을 가진 부분이 있다"며 "이러한 부분들을 종합하고 각자의 장점을 채택해서 더 좋은 솔루션을 개발할 수 있을 것"이라고 설명했다. 합병 이후 파운드리 이원화 가능성에 대해서는 유보적인 입장을 취했다. 현재 리벨리온은 삼성전자와, 사피온은 대만 주요 파운드리 TSMC에 칩 제작을 의뢰하고 있다. 오진욱 CTO는 "삼성전자와 리벨 칩 개발에 집중하고 있기 때문에 현재로선 이원화는 고려하고 있지 않다고 보는 게 맞다"며 "삼성전자가 메모리부터 파운드리, 패키징에 이르는 다양한 공정을 턴키 서비스로 제공할 수 있기 때문에 많은 이점이 있다고 생각한다"고 밝혔다.

2024.08.22 09:00장경윤

인텍플러스, '전세계 1위' 파운드리와 기판 검사장비 공급계약 체결

반도체 외관검사장비 전문업체인 인텍플러스는 FC-BGA(플립칩볼그리드어레이) 기판 검사장비인 'ISIS-NTV'에 대한 공급계약을 대만 글로벌 파운드리 업체와 체결했다고 20일 밝혔다. 해당 업체는 대만 신주시에 본사를 둔 글로벌 파운드리 업체로, 세계 파운드리 점유율 60%를 보유하고 있다. 또한 세계 530여개의 기업을 위해 1만2천여개 이상의 반도체를 제조하고 있다. 인텍플러스는 동사와 지난 2023년 연구 개발을 시작으로 지속적인 파트너쉽을 유지하였고, 그 결실로 이번 검사 장비를 공급 체결을 이뤄낸 것으로 보고 있다. 직접적인 장비 도입은 처음이며, 이로서 인텍플러스는 글로벌 IDM뿐만 아니라 글로벌 파운드리 업체에도 진입하게 됐다. 또한 대만 파운드리 업체에 레퍼런스 장비로 등록이 된 후, 관련 고객사로 납품을 할 수 있는 기회가 확대될 것으로 예상된다. 최첨단 반도체 발전에 따라 반도체가 고도화되면서 더 효율적이고 대면적의 기판의 채택이 증가하고 있어, 미세한 불량을 검출할 수 있는 하이엔드 검사장비가 필수적이다. FC-BGA는 서버, 네트웍 장비, 고성능 GPU 등과 같은 첨단 IT 제품들의 비메모리 반도체에 적용되고 있으며, 인텍플러스는 모든 불량 이슈들에 대응을 하고 있다. 인텍플러스는 반도체 후공정 패키징 외관검사분야, 플립칩 외관 검사분야, 디스플레이 및 차전지 외관검사장비 제조를 주력사업으로 영위하며, 3D측정 원천기술, 머신비전 2D 검사기술, 실시간 영상 획득 및 처리기술, 핸들러 설계 및 제작기술 등 주력사업과 관련한 핵심기술을 보유하고 있다.

2024.08.20 16:28장경윤

SK실트론, '2나노'용 공정 기술 개발…웨이퍼 업계도 '초미세' 대응

SK실트론이 최근 초미세 파운드리 공정에 해당하는 2나노미터(nm)급 EPI(에피) 기술을 개발했다. 삼성전자, TSMC 등 주요 반도체 기업들이 내년 2나노 공정 상용화를 앞다퉈 추진 중인 상황에 대응하기 위한 준비다. 20일 SK실트론의 반기보고서에 따르면 이 회사는 지난 6월 '300mm(12인치) 로직용 2나노급 EPI'를 개발했다. SK실트론은 주요 반도체 제조 기업의 요청에 의해 해당 기술을 연구개발(R&D) 해온 것으로 알려졌다. 현재 2나노 수준의 초미세 파운드리 공정을 다루는 기업은 전 세계적으로 삼성전자, TSMC, 인텔 등 3곳에 불과하다. EPI는 공정은 연마가 끝난 실리콘 웨이퍼(폴리시드 웨이퍼) 위에 화학기상증착법(CVD)으로 초고순도의 단결정 실리콘 레이어를 성장시키는 기술이다. 이 과정을 거친 웨이퍼를 에피 웨이퍼라 부른다. 에피 웨이퍼는 폴리시드 웨이퍼 대비 표면에 존재하는 미세 결함이 적으며, 특정 용도에 맞춰 유연하게 특성을 변경할 수 있다는 장점이 있다. 때문에 에피 웨이퍼는 주로 CPU, GPU 등 로직 반도체 제조에 활용돼 왔다. SK실트론이 이번에 2나노급 EPI 공정을 개발한 이유는 곧 다가올 초미세 공정 시대에 대응하기 위한 준비로 풀이된다. 웨이퍼 제조기업은 반도체 최후방산업에 속하는 업계 특성 상, 고객사와의 긴밀한 협의를 거쳐 차세대 제품을 선제 개발해야 한다. 대표적으로 삼성전자는 일본 팹리스 PFN(Preferred Networks)로부터 처음으로 2나노 공정 기반의 AI 가속기 칩을 수주한 바 있다. 이에 따라 삼성전자는 내년부터 2나노 공정 양산을 본격화할 계획이다. TSMC 역시 2025년 2나노 공정 양산을 공식화한 상황이다. 한편 SK실트론은 국내 유일의 실리콘 반도체 웨이퍼 전문 제조기업이다. 올 2분기 매출은 5천30억 원, 영업이익은 700억 원을 기록했다. 전분기 대비 각각 5.6%, 66.8% 증가했다. 전년동기 대비로는 매출은 2.2% 증가했으며, 영업이익은 동일한 수준이다.

2024.08.20 10:20장경윤

TSMC, 독일 '新공장' 착공…2027년 가동 목표

대만 주요 파운드리 TSMC가 독일 신규 공장 기공식을 진행할 예정이라고 대만 연합보가 19일 보도했다. 해당 공장은 TSMC의 첫 유럽 지역 내 공장으로, 독일 드레스덴에 위치해 있다. 신규 공장은 28·22나노미터(nm) CMOS 공정과 16·12나노 핀펫(FinFET) 공정을 주력으로 양산할 것으로 예상되며, 생산능력은 12인치 웨이퍼 기준 월 4만장 수준이다. TSMC는 20일(현지시간) 드레스덴 공장 기공식을 진행할 예정이다. 앞서 TSMC는 독일 공장 설립을 위해 인피니언·보쉬·NXP 등과 합작 법인 'ESMC'를 설립했다. TSMC는 ESMC에 총 100억 유로(약 14조7천억 원)를 투자하고, EU와 독일 정부가 여기에 50억 유로를 지원하기로 했다. TSMC의 계획에 따르면 독일 신규 공장은 오는 2027년 말부터 가동을 시작할 예정이다. TSMC의 주요 협력사들도 이를 위한 준비에 나섰다. 대만 엔지니어링 기업 MIC는 지난해 현지에 사무실을 설립하고 직원들을 파견했다. 또한 대만 반도체 소재 유통기업 토프코 사이언티픽도 드레스덴 인근에 사업장을 세우기로 했다. 한편 TSMC는 독일 외에도 일본 구마모토 지역에 신규 공장을 세우고 있다. 제1공장은 올해 말 생산을 시작할 예정이며, 28~12나노 공정을 주력으로 생산할 것으로 알려졌다. 제2공장은 올해 말 건설을 시작해 오는 2027년 말 가동을 시작할 계획이다. 제2공장의 주력 생산 공정은 제1공장보다 진보된 7·6나노 공정이다. 두 공장을 가동하는 경우 TSMC는 12인치 웨이퍼 기준 연 10만장의 생산능력을 추가로 확보할 수 있을 것으로 전망된다. 이외에도 TSMC는 미국에 신규 공장을 짓기로 했다. 이에 따라 미국 정부는 TSMC에 66억달러(약 8조9천억원) 규모의 보조금을 지원하고, 50억달러 규모의 저금리 대출을 지원할 예정이다.

2024.08.20 08:43장경윤

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