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DB하이텍, 2분기 영업익 57.8%↓…"고부가 제품 확대"

DB하이텍은 올해 2분기 연결기준 매출액 3천88억원, 영업이익 899억원을 기록했다고 4일 잠정실적 공시를 통해 밝혔다. 영업이익률은 29%다. 2분기 매출과 영업이익은 전년동기 대비 각각 29.13%, 57.82% 감소한 수치다. 다만 전분기 대비로는 각각 3.57%, 8.37% 증가했다. DB하이텍 관계자는 "전력반도체 분야에서의 기술경쟁력과 300개 이상 고객을 기반으로 한 안정적인 포트폴리오 등을 바탕으로 실적 둔화를 최소화할 수 있었다"며 "향후 자동차·산업 분야 고부가 제품 비중을 늘려 수익성을 제고할 계획"이라고 설명했다. 자회사인 DB글로벌칩을 제외한 DB하이텍의 2분기 경영실적은 매출액 2천783억원, 영업이익 797억원 규모이다. DB글로벌칩은 디스플레이용 반도체 설계 전문 회사다. 본래 DB하이텍에 속한 사업부문이었으나, 파운드리(위탁생산)와 팹리스(설계) 사업 각각의 경쟁력을 강화한다는 목적하에 지난 5월 2일을 기점으로 분사했다. 한편 DB하이텍은 8월 7일부터 9일까지 국내 기관 투자자를 대상으로 2분기 기업설명회를 개최할 예정이다.

2023.08.04 16:58장경윤

반도체 불황에도 올해 기업 R&D 투자 역대 최대치 전망

기업들이 반도체 시장의 침체 속에서도 첨단 기술력 확보를 위한 고삐를 바짝 죄고 있는 것으로 나타났다. 4일 업계 및 시장조사기관 테크인사이츠에 따르면 올해 세계 주요 반도체 업체들의 연구개발 투자 규모는 943억 달러(한화 약 122조원)로 역대 최대치를 경신할 전망이다. 현재 반도체 시장은 거시경제 악화, IT 수요 부진 등으로 침체를 이어가고 있다. 시장조사업체 가트너에 따르면 올해 전체 반도체 매출 규모는 5천320억 달러로 전년 대비 11.2% 수준의 감소세가 예상된다. 삼성전자 DS 부문, SK하이닉스 등 국내 업체들도 분기마다 수 조원 단위의 적자를 기록하는 실정이다. 반도체 업체들의 실적 악화는 설비투자 축소로 직결된다. SEMI(국제반도체장비재료협회)는 올해 전 세계 반도체 장비 매출액이 전년 대비 18.6% 감소한 874억 달러로 예상했다. 반면 첨단 반도체 기술력 확보를 위한 연구개발은 시황과 관계없이 활발하게 진행될 것으로 관측된다. 테크인사이츠는 올해 세계 반도체 업계의 연구개발 투자 규모가 전년 대비 4% 증가한 943억 달러를 기록할 것으로 분석했다. 연간 기준 역대 최대치에 해당한다. 나아가 오는 2027년까지도 연구개발 투자 규모는 매년 꾸준히 증가할 것으로 전망된다. 테크인사이츠는 "전체 매출 대비 연구개발비 비중도 올해가 과거 평균 대비 높은 수준을 나타낼 것"이라며 "특히 미국과 대만, 한국, 중국 소재의 기업들이 반도체 연구개발 투자 규모 확대를 주도하고 있다"고 설명했다. 일례로 삼성전자는 올 1분기 6조5천800억원의 연구개발비 지출로 역대 최대치를 기록한 데 이어, 2분기에는 7조2천억원을 들여 투자 규모를 더 확대했다. 대만 TSMC는 지난달 대만 신주 과학단지에 위치한 신규 R&D 센터를 열었다. 해당 센터는 2나노미터(nm) 등 최선단 파운드리 공정 연구를 주 목적으로, 약 7천명의 연구원이 배치될 예정이다.

2023.08.04 13:43장경윤

삼성전자, GaN 전력반도체 투자 시동…獨 엑시트론 CEO 만나

삼성전자, DB하이텍, 키파운드리 등이 GaN(질화갈륨) 파운드리 시장 진출을 선언한 가운데 최근 독일 반도체 장비업체 엑시트론의 최고경영자(CEO)가 비밀리에 한국을 방문해 관련 업체들과 접촉한 것으로 파악됐다. 엑시트론은 GaN 공정 양산의 핵심 장비를 제조하는 회사다. 압도적인 기술력과 시장 점유율을 보유하고 있어, 국내 기업들도 이 회사의 장비 도입을 적극 검토하고 있는 상황이다. 특히 삼성전자의 경우 이번 엑시트론과의 만남에서 최소 7천~8천억원에 이르는 설비 투자를 논의한 것으로 알려졌다. 1일 업계에 따르면 펠릭스 그라베르트(Felix Grawert) 엑시트론 CEO는 지난달 중순 방한해 국내 파운드리 업체들과 만남을 가졌다. 엑시트론은 GaN 웨이퍼 제조의 핵심 장비인 MOCVD(유기금속화학증착) 장비를 제조하고 있다. GaN 웨이퍼는 Si(실리콘), 혹은 SiC(탄화규소) 기판 위에 GaN 박막이 올려진 구조로 이뤄져 있다. MOCVD는 금속 유기 원료를 활용해 GaN 박막을 성장시키는 데 쓰인다. 현재 엑시트론은 GaN 및 SiC용 MOCVD 시장에서 독보적인 입지를 다지고 있다. 시장조사업체 가트너에 따르면 2021년 기준 전체 MOCVD 시장에서 엑시트론이 차지하는 시장 점유율은 75%에 이른다. 주요 경쟁사인 미국 비코(Veeco)의 점유율은 11% 수준이다. 삼성전자, DB하이텍, 키파운드리 등 국내 주요 업체들도 엑시트론의 장비 도입을 적극 검토 중인 것으로 알려졌다. 이들 업체는 오는 2025년~2026년경을 기점으로 8인치 GaN 파운드리 사업을 진행하겠다는 목표를 가지고 있다. 현재까지는 개발 및 시제품 생산을 위한 소량의 장비 활용으로도 충분하나, 향후 양산 체재를 갖추기 위해서는 대규모의 설비투자가 필요한 상황이다. 엑시트론 역시 국내 GaN 파운드리 시장의 확대 움직임이 뚜렷해지는 상황에 적극 대응하고 있다. 지난달 중순 펠릭스 그라베르트 엑시트론 CEO가 한국을 방한해 삼성전자, DB하이텍, 키파운드리 등과 장비 투자에 대한 논의를 진행한 것으로 파악됐다. 특히 이번 논의에서 삼성전자가 엑시트론의 최신 GaN·SiC MOCVD 장비를 최소 7천억~8천억원 규모로 도입하기로 했다는 게 업계 전언이다. 삼성전자는 올해 초에도 8인치 GaN 및 SiC 관련 설비 투자에 1~2천억원을 투입한 바 있다. 도합 조 단위의 투자로 삼성전자가 GaN 파운드리 시장 진출에 대한 준비에 적극 나서고 있다는 평가가 나온다. 업계 관계자는 "현재 GaN, SiC 파운드리 사업을 위해서는 엑시트론의 장비에 사실상 대부분을 의존해야 하는 상황"이라며 "장비 가격이 대당 200억원에 이를 정도로 고가임에도 국내 파운드리 기업들이 투자에 적극적으로 임하고 있다"고 밝혔다. GaN은 기존 실리콘 반도체 대비 고온·고압 내구성, 전력 효율성 등이 높아 IT·통신·자동차 등 산업 전반에서 수요가 빠르게 증가할 것으로 전망되는 차세대 전력반도체 소재다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전세계 GaN 시장 규모는 지난해 2억9천200만 달러에서 2026년 17억6천800만 달러로 연평균 57%의 성장세가 예견된다.

2023.08.01 14:31장경윤

TSMC, 축구장 42개 크기 R&D센터 개소...2나노 공정 연구

대만 파운드리 업체 TSMC가 지난 28일 대만 북부 지역에 2나노미터(mn) 공정 등 최첨단 반도체를 연구하는 신규 R&D 센터를 개소했다. 웨이저자 최고경영자(CEO)는 개소식에서 "R&D 센터가 대만에 뿌리를 유지하고자 하는 회사의 굳은 의지"라며 "고객의 요청에 따라 글로벌 입지를 강화하면서도 본국에 대한 TSMC의 투자는 중단되지 않을 것"이라고 강조했다. 2018년 경영 일선에 물러난 모리스 창 TSMC 창업자도 개소식에 참석해 메세지의 의미를 증폭시켰다. 그는 직원들에게 "기술적 자율성은 기술 회사에 필수적이며 TSMC가 관련성을 유지하기 위해 연구 개발은 운영과 일치해야 한다"고 전했다. TSMC 신규 R&D 센터는 대만 북부 신주 과학 단지에 위치하며, 축구장 42개에 해당하는 30만 제곱미터의 면적에 달한다. TSMC 에 따르면 신규 R&D센터에서는 2나노 공정을 포함한 첨단 반도체 기술 개발과 신소재 연구를 위해 오는 9월까지 약 7천명의 연구원이 배치될 예정이다. TSMC는 2025년 2나노 공정 대량 양산을 목표로 한다. 최근 TSMC는 AI 반도체 수요에 대응하기 위해 반도체 첨단 패키징에도 적극적인 투자를 하고 있다. 앞서 TSMC는 지난 25일 대만에 900억 대만달러(약 3조6600억원)를 들여 첨단 반도체 패키징 공장을 짓는다고 발표했다. 새 공장은 대만 북부 퉁뤄과학단지에 들어서며, 이번 투자로 현지에 1500명개의 일자리가 창출될 것으로 기대된다. 또 지난 6월에는 대만 주난 지역에 신규 반도체 패키징 공장 '어드밴스드 백엔드 팹 6(이하 AP6)'을 개장했다. AP6는 연간 100만개 이상의 12인치 웨이퍼에 해당하는 첨단 패키징 기술인 '3D 패브릭 공정'을 양산할 수 있다. 지난해 6월 TSMC는 일본 이바라키현 쓰쿠바에 패키징 기술을 개발하는 연구센터를 열었다.

2023.07.31 10:53이나리

'AI 시대' 준비하는 삼성 반도체…차세대 HBM·D램 잇따라 출시 예고

삼성전자가 올 2분기 반도체(DS) 부문에서 매출 14조7천300억원, 영업손실 4조3천600억원을 기록했다. 전년동기 대비 매출은 48.4% 감소했고, 영업손익은 적자전환했다. 그럼에도 삼성전자는 올 하반기부터 반도체 사업이 반등세에 접어들 것으로 보고 있다. 최근 고객사의 메모리 재고 수준이 정점을 기록한 뒤 감소하기 시작했고, 주요 업체들의 감산에 따른 효과도 본격화될 전망이기 때문이다. 특히 생성형 AI 산업의 발전이 최첨단 메모리, 시스템 반도체의 성장을 견인할 것으로 기대된다. 이에 삼성전자는 차세대 HBM(고대역폭메모리) 기술력 및 생산능력 확보에 집중하는 한편, 고부가 메모리 신제품을 잇따라 출시할 계획이다. ■ 메모리 시장 '피크아웃'…낸드 중심 감산도 지속 거시경제 악화로 지난 2021년 하반기부터 시작된 메모리반도체 시장의 침체기는 올해 상반기까지도 지속되는 흐름을 보였다. 이에 올 2분기에도 D램과 낸드의 가격 하락세가 이어졌다. 그러나 삼성전자는 "지난 5월부터 고객사 재고 수준이 피크아웃(정점 후 하락)에 진입한 것으로 확인된다"며 하반기부터 메모리반도체 시장의 수요가 되살아날 것으로 내다봤다. 특히 모바일과 PC용 제품이 재고 수준 정상화, 신제품 출시에 따른 효과로 일반 서버 대비 빠른 회복세를 보일 것으로 관측된다. 실제로 삼성전자는 3분기 D램 시장의 수요 비트그로스(비트 단위 출하량 증가율)를 10% 중반 성장으로 제시했다. 낸드는 한 자릿수 중후반 성장할 것으로 분석했다. 감산 역시 하반기 메모리 시장의 주요 변수다. 전 세계 주요 메모리 업체들은 빠르면 지난해 4분기부터 메모리 시장의 빠른 안정화를 위한 감산을 진행 중이다. 삼성전자의 경우 올 1분기에 감산 계획을 공식화했다. 삼성전자는 올 하반기에도 메모리 감산 기조를 이어가기로 했다. 특히 D램보다 회복세가 더딘 낸드에 초점을 맞출 계획이다. 삼성전자는 "하반기에도 생산량 하향 조정을 지속할 예정"이라며 "D램과 낸드 모두 재고 정상화 가속을 위해 추가적으로 생산 조정을 하겠으나, 특히 낸드 위주의 생산량 하향 조정폭을 크게 진행할 것"이라고 밝혔다. ■ "HBM 성장세 폭발적"…관련 기술력·생산능력 확보 주력 반면 삼성전자는 DDR5, HBM 등 고부가 제품의 비중은 확대할 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리 제품이다. 생성형 AI와 같이 고성능 데이터 처리를 요구하는 산업에서 수요가 급증하는 추세다. 삼성전자는 "외부 기관의 전망을 보면 HBM 수요는 향후 5년간 연평균 30% 중후반의 성장세가 예상된다"며 "특히 단기적으로는 서버 고객사들의 경쟁적인 AI 서비스 투자로 올해와 내년은 가파른 수요 성장이 기대된다"고 밝혔다. 이에 삼성전자는 HBM 시장에서의 경쟁력 강화를 위한 투자에 적극 나서고 있다. 내년 HBM 생산능력을 올해 대비 최소 2배 이상 확보할 계획이며, 향후 수요 변화에 따른 추가 증설의 가능성도 남겨뒀다. 삼성전자는 "업계 최고 수준의 성능 및 용량을 갖춘 HBM3를 통해 고객사와 테스트를 진행 중"이며 "이미 8단 16GB(기가바이트)와 12단 24GB 제품을 주요 AI, SoC 업체와 클라우드 업체에 출하하기 시작했다"고 설명했다. 향후 계획에 대해서는 "다음 세대인 HBM3P 제품은 24GB 기반으로 하반기 출시 예정"이라며 "HBM용 첨단 소재 개발도 적극적으로 개발하고 있다"고 강조했다. ■ 첨단 메모리 개발, 신시장 개척에도 적극 나서 이외에도 삼성전자는 생성형 AI 시장 확대를 위한 다양한 메모리 신제품도 개발하고 있다. 대표적으로 AI 서버에 필요한 고용량 모듈 수요에 대비하기 위해, 32Gb(기가비트) DDR5를 연내 출시할 예정이다. 온-디바이스 AI에 특화된 'LLW(저지연 와이드 IO) D램도 개발 중이다. 삼성전자는 "효율성, 보안 등을 이유로 AI를 기기 자체에서 구현하는 온-디바이스 AI 기술에 대한 수요가 증가하고 있다"며 "LLW D램은 저전력 특성과 함께 기존 LPDDR 대비 고대역폭 특성을 갖춰 온-디바이스 AI에 적합하다"고 밝혔다. LLW D램의 양산 목표 시점은 2024년 말이다. 향후 고성장이 예견되는 신시장으로는 차량용 반도체를 거론했다. 삼성전자에 따르면 차량용 메모리 시장은 금액 기준 향후 5년간 연평균 30% 중후반대의 성장세가 예상된다. 삼성전자는 "8년간 차량용 반도체 사업을 진행해오며 단 한 번의 공급 이슈 없이 주요 고객과 신뢰를 쌓았다"며 "그 결과 현재 메이저 OEM과 티어원 업체에 모두 진입을 완료한 상황"이라고 밝혔다. 최첨단 파운드리 시장에 대해서는 "현재 GAA(게이트-올-어라운드) 3나노미터 공정을 적용한 세 번째 제품을 양산 중에 있다"며 "2나노 GAA 기술 개발도 순조로워 2025년 대량 생산이 예정돼 있다"고 강조했다.

2023.07.27 14:58장경윤

삼성전자, 하반기 실적 개선 기대감↑...반도체 신규 수주·첨단 제품 확대

삼성전자가 올 2분기 반도체 사업에서 영업손실 4조3천600억원이라는 저조한 성적표를 받은 가운데, 올 하반기에는 글로벌 수요 회복과 함께 실적 회복이 기대된다고 밝혔다. 반도체를 담당하는 DS(디바이스 솔루션) 부문은 하반기 시황과 연계된 유연한 공급 운영을 바탕으로 메모리 포트폴리오를 고부가가치·고용량 제품 중심으로 최적화할 예정이다. 특히 고성능 서버와 프리미엄 모바일 제품 분야에서 ▲DDR5 ▲LPDDR5x ▲HBM 등 D램 첨단 제품의 비중을 더욱 확대하고 V7, V8 등 낸드 첨단 공정 비중을 확대할 계획이다. 시스템LSI는 모바일 SoC(system on Chip) 분야에서 플래그십 모델용 제품 성능을 확보하고, 스마트폰 외 신사업 솔루션을 확장하기 위해 고객사와의 협력을 강화할 계획이다. 또 차량용 SoC에서 유럽 OEM 과제 수주에 집중해 응용처 다변화를 지속 추진할 예정이다. 파운드리는 PPA(Power:소비전력, Performance:성능, Area:면적)가 개선된 3나노 및 2나노의 GAA 공정 개발 완성도 향상과 대형 고객사 수주 확대를 통해 미래 성장 기반을 마련할 방침이다. 또 8나노 eMRAM 개발 진행 등 레거시(Legacy) 공정 개발을 지속하고 8인치 오토모티브용 기술 개발 등 제품 포트폴리오를 확대할 계획이다. DX(디바이스 경험)부문에서 MX는 플래그십 중심으로 판매를 확대하고 업셀링(Upselling, 상위 모델 판매) 전략을 통해 매출을 확대할 방침이다. 특히 제품 완성도를 높이고 차별화 경험을 강화한 갤럭시 Z플립5, 갤럭시 Z폴드5를 성공적으로 출시해 글로벌 폴더블 스마트폰 시장 리더십을 더욱 공고히 할 계획이다. 네트워크는 신규 수주 노력을 지속하는 가운데 매출 성장을 추진하고 5G 핵심칩, SW 기반 가상화 기지국 등 기술 리더십을 강화할 예정이다. VD는 ▲Neo QLED ▲OLED ▲라이프스타일 등 전략제품 중심으로 판매를 확대해 성수기 수요를 선점할 방침이다. 또 ▲98형 초대형 TV ▲마이크로 LED TV ▲세계 최초 대형 OLED 게이밍 모니터 등 혁신 제품을 통해 프리미엄 시장을 지속 선도해 나갈 계획이다. 생활가전은 스마트싱스 기반 에너지 절감 등 친환경, 에너지 고효율 제품 판매를 확대하면서 비스포크 가전의 글로벌 확산과 운영 효율화를 추진할 예정이다. 하만은 소비자 오디오 분야에서 성수기 판매를 확대하고, 재료비와 물류비 등 제반 비용 효율화를 통해 수익성이 더욱 개선될 전망이다. 삼성디스플레이는 중소형의 경우 스마트폰 주요 고객사의 신제품 출시 대응을 통해 실적이 개선될 것으로 예상된다. 대형은 초대형 패널 증량 등으로 연말 성수기에 적극 대응할 예정이다.

2023.07.27 10:04이나리

獨, 반도체 보조금 28조원 투입…인텔·TSMC '방긋'

독일 정부가 현지 반도체 공급망 강화를 위해 200억 유로(한화 약 28조원)를 지원할 예정이라고 블룸버그통신이 24일(현지시간) 보도했다. 보도에 따르면 전체 보조금 중 75%가량은 주요 반도체 기업인 인텔, TSMC의 투자에 투입된다. 앞서 인텔은 지난달 독일 정부와 총 300억 유로를 들여 독일 마그데부르크에 첨단 반도체 공장 2곳을 신설하는 프로젝트에 서명했다. 당초 인텔은 약 170억 유로를 투자해 독일 정부로부터 68억 유로의 보조금을 받으려 했으나, 협의 과정을 거쳐 투자 및 보조금 규모를 모두 확대했다. TSMC는 독일 드레스덴 지역에 22~28나노미터(nm) 공정 중심의 반도체 공장을 건설하기로 했다. 투자 규모는 100억 유로로 예상된다. 이에 독일 정부는 최대 50억 유로의 보조금을 지급할 전망이다. 이외에도 드레스덴에 반도체 공장을 건설하는 인피니언이 10억 유로를, SiC(탄화규소) 반도체 제조능력 확장에 나서는 울프스피드·ZF가 7억5천만 유로를 지원받는다. 독일 정부는 막대한 규모의 보조금을 2027년까지 기업에 분배할 예정이다. 예산을 초과하는 일부 금액은 기존 기후변화와 관련한 예산에서 끌어올 것이라고 블룸버그통신이 설명했다.

2023.07.25 09:54장경윤

인텔 파운드리, 車·항공 반도체용 22나노 공정 개선 강화

인텔 내 파운드리 사업부인 IFS(인텔 파운드리 서비스)가 비용 효율적인 반도체 생산에 적합한 '인텔 16'(Intel 16) 공정 기반 고객사 확보에 나섰다. 인텔 16 공정은 2011년부터 상용화된 22nm(나노미터)급 공정을 개선한 것이며 장기간 개선을 거쳐 생산 비용이나 수율 등에서 효율적이다. 미세 공정이 반드시 필요하지 않은 자동차 등 반도체나 통신 영역에 적합하다. IFS는 지난 해 대만 미디어텍과 통신 관련 반도체 생산 협업 계약을 체결한 데 이어 최근에는 시놉시스, 케이던스 등 주요 EDA(전자설계자동화) 소프트웨어 업체와 협력해 인텔 16 공정을 이들 소프트웨어에 탑재했다. ■ 22nm 공정 개선한 '인텔 16' 인텔 16 공정은 2011년 2세대 코어 프로세서(샌디브리지), 2012년 3세대 코어 프로세서(아이비브리지) 생산에 쓰였던 22nm 공정을 개선한 것이다. 공정 이름의 숫자와 실제 선폭이 일치하지 않는 최근 반도체 업계 추세에 따라 '인텔 16'이라는 이름이 붙었다. 인텔 역시 "2011년 당시 22nm급 공정과 인텔 16 공정은 많은 차이가 있다"고 설명하고 있다. 인텔 관계자는 "인텔 16 공정은 22nm급 IFS 출범 이후 성능과 전력 소모, 집적도를 향상시키며 관련 업계가 요구하는 RF(무선주파수) 지원 기능 등을 추가했다. 또 더 적은 마스크와 단순한 백엔드 디자인으로 16nm급 성능을 제공한다"고 설명했다. ■ 지난 해 7월 미디어텍과 인텔 16 공정 협의 인텔은 지난 해 7월 대만 미디어텍이 설계한 스마트 엣지 디바이스용 칩을 인텔 16 공정에서 올해부터 생산할 것이라고 밝혔다. 올 3월 인텔이 PC용 5G 모뎀칩 사업을 완전히 정리했지만 IFS를 통한 생산은 변동 없이 그대로 진행될 예정이다. 단 이 당시만 해도 반도체 회로 설계와 시뮬레이션, 오류 검증 등에 쓰이는 EDA(전자설계자동화) 소프트웨어는 인텔 16 공정을 지원하지 않았다. 미디어텍이 중간 단계까지 구현한 반도체 설계도를 바탕으로 인텔이 인텔 16 공정에 맞도록 재설계해야 했다. 또 인텔 반도체 생산 시설 활용을 원하는 외부 업체도 테이프아웃(설계 완료)부터 실제 양산까지 걸리는 시간을 단축할 방법이 없었다. ■ 외부 EDA 업체들, 이달 일제히 '인텔 16' 인증 마쳐 시놉시스, 지멘스EDA, 케이던스, 앤시스 등 주요 EDA 솔루션 업체는 이달 중순 일제히 "자사 EDA 소프트웨어가 IFS의 인텔 16 공정 인증을 마치고 호환성을 확보했다"고 밝혔다. 인텔 관계자 역시 "IFS 고객사가 인텔 16 공정을 쉽게 활용할 수 있도록 제3자 EDA·IP 생태계를 구축했다"고 밝혔다. 이를 통해 미디어텍 뿐만 아니라 다른 회사 역시 업계 보편화된 소프트웨어를 이용해 반도체를 설계한 다음 이를 인텔 16 공정에 맞게 최적화하는 것이 가능해졌다. IFS도 EDA로 설계한 결과물을 이용해 생산 시작 시기를 단축할 수 있다. 케이던스는 이미 PCI 익스프레스 5.0. 2.5Gbps 이더넷, USB 3.2, LPDDR5 메모리 등을 지원할 수 있는 반도체 IP(지적재산권) 블록을 인텔 16 공정에 맞게 구현한 상태다. ■ "3차원 핀펫 구조로 웨이퍼 수 절감·설계 단순화 가능" 인텔 16 공정은 첫 양산 이후 12년 이상 지나 수율(yield)에 영향을 미치는 요인이 거의 완벽히 제거되었다. 원가 절감과 대량 생산을 모두 만족해야 하는 자동차나 통신 분야 반도체 생산에는 여전히 경쟁력을 지니고 있다. 인텔 관계자는 "기존 자동차나 항공우주, 전력 제어 등 반도체는 평면 구조 트랜지스터에 의존하고 있지만 이를 3차원 구조로 전환하면서 웨이퍼 수 감소, 설계 단순화 등 이점을 얻게 될 것"이라고 설명했다. 인텔 16 공정 최초 고객사는 미디어텍이다. 인텔은 미디어텍 이외 고객사와 첫 제품 출하 시기 등 지디넷코리아 질의에 "현재까지 공개된 미디어텍 등 고객사 이외에 추가로 공개할 내용은 없다"고 답변했다.

2023.07.24 15:56권봉석

하반기 회복? 낙관론 금물...반도체 기업들 보수적 전망 여전

TSMC·ASML 등 반도체 시장 주요 업체들이 당초 예상을 웃도는 2분기 실적을 기록했다. 이에 반도체 시장이 하반기부터 본격적인 회복세에 접어들 것이라는 기대감이 나온다. 하지만 동시에 과도한 낙관론 역시 경계해야 한다는 보수적 의견도 존재한다. 21일 업계에 따르면 전세계 주요 반도체 업체들은 올 하반기 주력 사업 분야의 부진이 지속될 수 있다는 전망을 내놓고 있다. 최근 세계 파운드리 1위인 대만 TSMC, 반도체 노광장비 1위업체 네덜란드 ASML은 예상치를 뛰어넘는 2분기 실적을 발표했다. TSMC는 올 2분기 매출 4천80억 대만달러, 순이익 1천818억 대만달러를 기록했다. 각각 전년동기 대비 13.7%, 23% 감소한 수치지만, 증권가의 컨센서스를 소폭 웃돌았다. 증권가는 TSMC가 매출 4천790억 대만달러, 순이익 1천730억 대만달러를 올릴 것으로 예상한 바 있다. ASML은 2분기 순매출 69억 유로, 순이익 19억 유로로 전년동기 대비 각각 27.7%, 35.7% 증가했다. 증권가 컨센서스(순매출 67억4천만 유로, 순이익 18억2천만 유로) 역시 상회했다. 업계는 이들 업체가 하반기에도 견조한 실적을 올릴 것으로 기대하고 있다. 상반기 불황에 따른 기저효과와 더불어, 높은 수준을 유지하던 고객사 재고가 감소하는 움직임을 보이고 있기 때문이다. HPC(고성능컴퓨팅)·AI(인공지능) 수요 증가, 첨단 파운드리 공정 확대 등도 반도체 산업의 중장기적인 성장을 촉진하는 요소다. 다만 하반기 반도체 시장의 회복세가 예상보다 더딜 수 있다는 지적도 나오고 있어 예의주시된다. TSMC는 2분기 실적발표 후 열린 컨퍼런스 콜에서 올해 연 매출이 10% 감소할 것으로 내다봤다. 당초 전망치인 한 자릿 수 감소에서 더 보수적인 입장을 취했다. TSMC는 "거시경제 악화가 지속되고 있고, 중국 시장의 수요 회복세가 예상보다 더뎌 올 4분기까지도 고객사의 재고 조정이 강하게 일어날 가능성이 있다"고 밝혔다. AI 수요가 두드러지기는 하나, 이 역시 시장 전반의 수요 감소를 완전히 상쇄하지는 못할 것이라는 입장이다. 현재 TSMC의 매출에서 서버향 AI반도체가 차지하는 비중은 6% 수준으로, TSMC는 5년 뒤 이 비중을 10%까지 늘릴 수 있을 것으로 전망하고 있다. ASML은 올해 연 매출 성장률을 당초 25%에서 30%로 상향했다. 그러나 이는 ASML의 핵심 사업인 EUV(극자외선) 노광장비가 아닌, DUV(극자외선) 노광장비 수요 증가에 따른 영향이 크다. EUV는 기존 노광장비에 쓰여 온 DUV 대비 빛의 파장이 짧아 미세회로 구현에 용이하다. 그만큼 기술 개발 난이도도 높아, 현재 EUV 노광장비를 생산할 수 있는 기업은 전 세계에서 ASML이 유일하다. 문준호 삼성증권 연구원은 "ASML의 이번 2분기 호실적은 오는 9월 발효될 첨단 DUV 장비 수출 규제를 앞두고 중국향 매출액이 전분기 대비 3배가량 급증했기 때문"이라며 "규제 뒤 중국으로의 수출길이 막힌다는 점에서 지속 가능성을 충분히 걱정해 볼 수 있다"고 지적했다. 실제로 ASML의 전체 매출액에서 EUV 장비가 차지하는 비중은 지난 1분기 54%에서 2분기 37%로 급감했다. 임지용 NH투자증권 연구원은 "고객사 수요 시기 조정 및 공급망 문제 등으로 ASML의 올해 EUV 장비 출하량 증가율은 당초 예상치인 40%가 아닌 25% 수준으로 예상된다"며 "물론 EUV로의 전환 추세는 중강기적으로 명확하기 때문에 과도한 우려는 불필요하다"고 설명했다.

2023.07.21 10:42장경윤

TSMC, 2분기 매출·순이익 모두 부진…"하반기 3나노에 기대"

대만 주요 파운드리 TSMC의 2분기 매출 및 영업이익이 전년동기 대비 모두 크게 감소했다. 다만 올 하반기에는 첨단 파운드리 공정의 확장으로 시장 침체의 영향을 일부 상쇄할 수 있을 것으로 전망된다. 20일 TSMC는 2분기 실적발표 컨퍼런스 콜을 통해 매출액 157억 달러, 순이익 66억 달러를 기록했다고 밝혔다. 이번 TSMC의 2분기 매출액과 순이익은 전년동기 대비 각각 13.7%, 23% 감소했다. TSMC의 당기순이익이 감소한 것은 2019년 2분기 이후 약 4년만에 처음이다. TSMC는 이에 대해 "거시경제의 영향으로 시장 전반의 수요가 약화되면서 고객사의 재고 고정 기조가 지속됐다"고 설명했다. 다만 증권가 컨센서스 대비로는 실적이 소폭 상회한 것으로 나타났다. 증권가는 TSMC의 2분기 매출액을 154억 달러로 전망한 바 있다. 2분기 영업이익률도 42.0%로 증권가 컨센서스인 41.6%보다 0.4%p 높았다. 3분기 실적 전망에 대해서는 매출액 167억~175억 달러를 제시했다. 평균치의 경우 전분기 대비 9% 증가한 수준이다. 영업이익률은 38~40%로 전망했다. 웬델 황 TSMC CFO(최고재무책임자)는 "올 3분기에는 3나노미터(nm) 공정의 본격화로 고객사의 재고 조정에 따른 부진을 일부 상쇄할 것"이라고 말했다. 이에 대해 미국 CNBC는 "TSMC가 애플의 차세대 스마트폰인 아이폰15의 3나노 기반 프로세서를 양산한다는 소문이 나오고 있다"며 "애플이 통상 9월에 신형 스마트폰을 출시하므로, 3분기에 TSMC에서 칩을 주문할 가능성이 높다"고 평가했다.

2023.07.20 20:32장경윤

ASML, 2분기 실적 예상치 상회…연매출 성장률도 높였다

세계 유일의 EUV(극자외선) 노광장비 제조업체 ASML이 2분기 기존 예상치를 뛰어넘는 호실적을 거뒀다. 19일 ASML은 올 2분기 순매출 69억 유로(한화 약 9조8천억원), 당기순이익 19억 유로(약 2조 7천억원)을 기록했다고 밝혔다. 매출총이익률은 51.3%다. 전년동기와 비교하면 매출은 27.7%, 순이익은 35.7% 증가했다. 증권가 컨센서스(매출 67억4천만 유로, 순이익 18억2천만 유로)도 상회했다. 2분기 예약 매출 45억 유로로 기록됐다. 이 중 16억 유로는 EUV(극자외선) 장비가 차지했다. 전분기 예약 매출액인 37억5천만 유로보다는 높지만, 전년동기의 85억 유로와 비교하면 절반가량 감소했다. ASML은 3분기 전망에 대해서는 순매출 65억~70억 유로, 매출총이익률 50%를 기록할 것으로 내다봤다. 올해 연 순매출의 전년 대비 성장률은 30%를 제시했다. 이전 예상치인 25%에서 5%p 높였다. 피터 베닝크 ASML 최고경영자(CEO)는 "올 2분기 추가적인 DUV(심자외선) 이머전 장비 매출액으로 전망치를 상회하는 실적을 기록했다"며 "거시경제의 불확실성이 확대됐지만, ASML은 견실한 DUV 매출을 토대로 2023년에도 강력한 성장을 이룰 것으로 예상한다"고 밝혔다. 노광장비는 반도체 칩에 회로를 새기기 위해 필요한 장비다. DUV의 경우 EUV보다 기술적 수준이 한 단계 낮다. 그러나 최선단 공정에서만 활용되는 EUV와 달리, DUV는 선단 및 레거시 공정에서 두루 쓰이고 있다.

2023.07.19 16:08장경윤

삼성 첨단 파운드리의 자존심 '3nm GAA' 상용칩 실체 첫 확인

삼성전자 파운드리 3나노미터(nm) 공정이 처음 적용된 반도체가 최근 상용화에 도달한 것으로 확인됐다. 3nm는 현재 양산이 가능한 공정 중 가장 최선단에 속하는 영역으로, 삼성전자의 미래 파운드리 시장 경쟁력을 좌우할 핵심 지표로 꼽힌다. 18일(현지시간) 반도체 전문 조사기관 테크인사이츠는 삼성전자 3nm GAA(게이트-올-어라운드) 공정이 적용된 반도체의 내부를 분석한 자료를 발간했다. 앞서 삼성전자는 지난해 6월 말 세계 최초로 3nm GAA 공정을 양산한다고 밝힌 바 있다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 모두 감싸는 기술이다. 기존 3개면을 감싸는 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 속도, 전력 효율성 등을 높일 수 있다. 동시에 삼성전자는 채널을 얇고 넓은 모양의 나노시트(Nanosheet) 형태로 구현한 'MBCFET' GAA 구조도 적용했다. 나노시트를 활용하면 기존에 쓰이던 나노와이어 대비 채널·게이트 간 접합면을 넓힐 수 있어, 전류를 더 세밀하게 조절할 수 있게 된다. 당시 삼성전자는 3nm GAA 공정이 적용될 첫 제품과 고객사에 대해서는 밝히지 않았다. 다만 업계는 삼성전자가 중국 소재의 암호화폐 채굴용 시스템반도체 업체로부터 첫 수주를 받은 것으로 파악한 바 있다. 테크인사이츠 역시 이번에 발간한 자료에서 "중국 시스템반도체 업체의 최신 칩으로부터 삼성전자의 3nm GAA 상용화 사례를 첫 확인했다"고 밝혔다. 해당 제품은 마이크로BT가 올해 5월 공개한 '왓츠마이너(Whatsminer) M56S++'의 내부 칩셋다. 마이크로BT는 중국 주요 암호화폐 채굴 전문업체 중 하나로, 채굴용 칩을 개발하는 판세미(Pansemi) 등을 자회사로 두고 있다. 3nm GAA 공정은 삼성전자의 첨단 파운드리 경쟁력을 가늠하는 핵심 요소로 꼽힌다. 주요 경쟁사인 대만 TSMC는 삼성전자보다 6개월가량 늦은 지난해 말부터 3nm 공정 양산에 나섰다. TSMC는 해당 공정에서 여전히 핀펫 구조를 고수했다. TSMC가 GAA 공정을 적용하는 것은 2025년 양산을 앞둔 2nm부터다. 때문에 업계는 삼성전자가 GAA에 대한 '선행 학습'을 먼저 거쳐, 3nm 이하 첨단 파운드리 분야에서의 기술력을 빠르게 안정화할 수 있을 것으로 기대하고 있다. 삼성전자도 올 1분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "3nm GAA 공정을 안정적인 수율로 양산하고 있고, 2세대 공정 역시 1세대 경험을 토대로 차질 없이 개발 중"이라고 자신감을 드러낸 바 있다. 삼성전자의 2세대 3nm GAA 공정 양산 목표 시점은 2024년이다. 2025년에는 TSMC와 마찬가지로 2nm 공정 양산에도 진입할 예정이다.

2023.07.19 13:18장경윤

美 실리콘밸리 개발자가 반도체 IP '불모지' 한국에 창업한 이유

"국내 IP(설계자산) 생태계는 매우 약하다는 평가를 받고 있습니다. 그러나 자세히 보면 한국은 IP 산업 성장성이 매우 유망한 시장입니다. 차세대 가전기기와 이를 위한 반도체가 활발히 개발되고 있고, 삼성 파운드리와도 긴밀한 협업이 가능하죠. 이게 제가 미국 실리콘밸리를 떠나 한국에 토종 IP 기업을 세운 이유입니다." 김욱 알파솔루션즈 대표는 최근 경기 성남시에 위치한 본사에서 기자와 만나 국내 반도체 IP 시장의 성장 가능성에 대해 이 같이 말했다. 알파솔루션즈는 지난 2010년 김욱 대표가 설립한 스마트파이가 전신이다. 칩 간 고속 데이터 통신을 가능케하는 인터페이스 IP를 전문으로 개발한다. IP는 반도체 설계에 필요한 특정 기능을 미리 정의한 블록을 뜻한다. 현재 알파솔루션즈는 삼성전자의 파운드리 생태계인 'SAFE' 파트너로서 최고 4nm 수준의 고성능 IP를 공급하고 있다. 알파솔루션즈의 주력 IP는 총 세 분야로 나뉜다. 고해상도 디스플레이를 연결하는 HDMI·디스플레이포트, 모바일 기기 내 카메라 및 디스플레이를 저전력으로 연결하는 MIPI, 차량 내 디스플레이를 위한 LVDS 등이다. 특히 최근에는 단일 IP로 HDMI와 디스플레이포트 표준을 동시에 지원하는 IP를 발표했다. 현재 가전기기는 제조사에 따라 HDMI, 디스플레이포트를 선택해 활용하고 있다. 이에 팹리스 업체들은 각 제품에 따라 IP를 따로 적용해야 한다는 불편함이 있었다. 김욱 대표는 알파솔루션 설립 전 미국 실리콘밸리에 위치한 실리콘이미지(현 아날로그 디바이스)에서 IP를 개발해왔다. 실리콘이미지는 전자기기에서 활발히 쓰이고 있는 HDMI 표준을 설립한 회사 중 하나이기도 하다. 이곳에서 10년간 업력을 쌓은 김욱 대표는 국내 토종 반도체 IP 기업을 세우고자 한국에 돌아왔다. 한국은 이전부터 반도체 IP 분야에서 불모지나 다름 없다는 평가를 받아왔다. Arm, 시높시스, 케이던스 등 업계의 주요 IP 업체들은 모두 미국, 유럽 등에 포진해 있다. 그럼에도 김욱 대표는 국내 인터페이스 IP 시장의 성장 가능성을 발견했다. 김욱 대표는 "가전기기에 주로 쓰이는 HDMI IP의 개발은 삼성전자·LG전자 등 주요 가전업체가 위치한 한국이 미국 실리콘밸리보다 더 발전 가능성이 높다"며 "한국이 일반 가전기기를 넘어 AR, VR 등 차세대 제품을 적극 개발하고 있다는 점도 IP 기업에겐 좋은 기회"라고 설명했다. 그는 이어 "IP를 성공적으로 적용하기 위해서는 파운드리 및 고객사로부터 꾸준한 피드백을 받고 업데이트를 진행하는 유연성이 필요하다"며 "이러한 관점에서 국내 IP 기업들은 해외 기업보다 삼성 파운드리와 지리적·시간적·문화적으로 더 활발한 소통이 가능하다"고 덧붙였다. 김욱 대표가 강조하는 회사의 강점 역시 IP의 유연한 설계다. 알파솔루션즈는 고객사의 칩 설계 과정에서 발생하는 각종 데이터를 시각적으로 구현하는 '스마트뷰' 프로그램을 개발해 제공하고 있다. 해당 프로그램을 활용하면 고객사는 특정 어플리케이션에 맞춰 칩의 성능을 높이는 방안을 찾을 수 있고, 알파솔루션즈는 이에 최적화된 IP를 개발할 수 있게 된다. 김욱 대표는 "알파솔루션즈의 독창적이고 유연한 IP 설계로 고객사 칩의 PPA(전력·성능·면적) 향상에 도움이 될 수 있도록 할 것"이라며 "향후에는 AI(인공지능) 산업의 수요 증가를 고려해 AI반도체용 고속 인터페이스 IP로 사업 영역을 확장할 계획"이라고 말했다.

2023.07.18 13:30장경윤

TSMC, 가오슝 공장서도 '2나노 반도체' 생산

대만 파운드리 업체 TSMC가 가오슝에 건설 중인 반도체 공장에서 당초 28나노미터(nm) 칩 생산을 계획했지만, 2나노 공정 제품 생산으로 변경하기로 결정했다. 이는 인공지능(AI) 반도체 수요에 대처하기 위해서다. 17일 연합보, 타이완뉴스 등 대만 언론에 따르면 TSMC가 북부 신주과학단지 바오산 지역의 '20 팹(반도체 생산공장)' 외에 남부 가오슝 공장에도 2나노 공정을 구축해 2나노 제품을 동시 생산할 계획이라고 보도했다. 소식통은 "가오슝 공장은 내년 하반기 시범 생산을 거쳐 2025년 양산을 목표로 한다"며 "TSMC는 오는 20일 2분기 실적설명회에서 관련 내용을 밝힐 가능성이 있다"고 내다봤다. 이와 관련해 TSMC는 가오슝시 정부 등에 2나노 생산을 위한 전력·공업용수 공급 관련 협조를 요청한 것으로 알려졌다. 2나노 공정은 3나노 공정에 비해 더 많은 전력과 집약적인 극자외선(EUV) 노광 장비를 필요로 한다. 따라서 TSMC의 가오슝 공장에서 2나노 생산 결정은 환경 영향에 대한 재검사가 요구된다. TSMC는 2025년 2나노 공정 칩 생산을 목표로 한다. TSMC가 28나노 공정 생산을 2나노로 대체하는 결정은 향후 AI 반도체 수요 증가에 전략적으로 대응하기 위한 것으로 해석된다. TSMC는 2나노 공정 고객사로 엔비디아와 애플을 확보한 것으로 알려졌다. 또 TSMC는 2나노 공정 시제품 생산을 내년 초로 계획했지만, 이를 앞당겨 올해 소량 생산에 들어갈 계획이다. 첨단 파운드리 시장에서 삼성전자에 이어 인텔까지 가세하자, 이를 견제해 2나노 공정 시범 생산 조기 착수를 통해 고객사를 경쟁사 보다 먼저 선점한다는 목표다.

2023.07.17 22:03이나리

[단독] 中 BOE, 차세대 전력반도체 韓 엔지니어 빼가기 포착

중국 최대 디스플레이 업체인 BOE(징둥팡)가 국내 차세대 전력반도체 인력을 스카웃하기 위해 고액의 인센티브를 제안하고 나선 정황이 포착됐다. 이 회사는 중국 주요 디스플레이 업체로 익히 알려져 있으나, 자회사 등을 통해 SiC(탄화규소)·GaN(질화갈륨) 개발에도 적극 나서고 있다. BOE가 이전에도 삼성디스플레이·LG디스플레이 등에서 인력을 다수 흡수해 온 만큼, 차세대 전력반도체 시장에서도 인력 방어 대책이 절실하다는 우려의 목소리가 나온다. 17일 지디넷코리아 취재에 따르면 최근 BOE는 국내 복수의 SiC·GaN 개발 인력에 이직 제의를 위한 메일을 보낸 것으로 확인됐다. 국내 반도체 기업에서 GaN 관련 기술을 개발하는 임원 A씨는 "2~3주 전 메일을 통해 BOE로부터 스카웃 제의를 받았다"며 "10명 내외로 관련 인력을 구성해 중국으로 함께 올 경우 더 큰 인센티브를 주겠다는 내용도 있었다"고 밝혔다. 국내 SiC 소재 관련 업체에서 근무하는 B씨도 "비슷한 내용의 메일을 받았다"며 "BOE가 차세대 전력반도체 제조의 핵심인 CVD(화학기상증착) 엔지니어를 국내에서 섭외하기 위해 적극적으로 나서는 분위기"라고 설명했다. SiC·GaN은 차세대 전력반도체 소재다. 기존 실리콘 소재 대비 고온·고전압 내구성이 높고, 전력효율성이 뛰어나다는 장점이 있다. 자동차·통신 등 여러 산업에서 쓰이고 있으며, SiC의 경우 반도체 전공정용 부품으로도 활용된다. BOE는 중국 주요 디스플레이 제조업체로 익히 알려져 있다. 그러나 최근 일부 자회사 등을 통해 SiC, GaN 등 차세대 전력반도체 사업 개발에도 적극 나서고 있다는 게 업계의 설명이다. 지난 2021년에는 화찬세미텍(华灿光电)의 최대 주주로도 올라서기도 했다. 화찬세미텍은 LED 웨이퍼 및 반도체, GaN 전력반도체 등을 전문으로 개발하는 업체다. 통상적으로 LED 웨이퍼는 MOCVD(유기금속화학증착) 장비를 통해 실리콘 위에 GaN 등을 성장시켜서 만든다. SiC·GaN 웨이퍼 역시 비슷한 방식으로 제작되기 때문에, 두 사업 간 엔지니어나 설비 등을 혼용해서 사용하기가 용이하다. 실제로 중국 화안증권이 지난해 5월 발간한 보고서에 따르면, 중국 3세대반도체(SiC·GaN 등을 이르는 말) 소자 특허 출원 상위 10대 기관 중 BOE는 신청 648건, 등록 362건으로 5위를 기록했다. BOE 등 중국 기업의 국내 SiC, GaN R&D 인력 빼돌리기 시도가 지속될 경우 미래 국내 반도체 시장의 경쟁력과 입지가 크게 흔들릴 수 있다는 우려가 제기된다. 현재 삼성전자, DB하이텍, SK하이닉스 자회사 키파운드리 등은 SiC·GaN 파운드리 시장 진출을 목표로 관련 기술을 개발하고 있다. 김양팽 산업연구원 전문연구원은 "중국 기업들이 국내 반도체 및 디스플레이 인력을 빼가기 위해 여러 수단을 동원하는 사례는 지속적으로 포착되고 있다"며 "특히 전력반도체 분야는 중국이 가장 강력하게 힘을 키우는 분야로, 최근 갈륨 등의 수출 통제를 선언한 점도 이와 무관치 않다"고 설명했다. 한편 BOE는 그동안 국내 디스플레이 업계와도 인력, 기술 유출 등의 문제로 갈등을 일으켜왔다. 지난해 6월 일본 닛케이아시아는 소식통을 인용해 삼성디스플레이와 LG디스플레이의 국내 인력 100명 이상이 BOE로 넘어갔다고 보도한 바 있다. 이달 초에는 삼성디스플레이가 중국 BOE를 상대로 미국 텍사스주 동부 지방법원에 특허 침해 소송을 제기했다. 삼성디스플레이는 BOE가 아이폰 12 이후 사용된 모든 OLED 디스플레이 특허 4종을 침해했다고 보고 있다.

2023.07.17 15:46장경윤

코아시아, 美 암바렐라와 '차량용 AI칩' 디자인 서비스 협력

시스템반도체 설계 전문기업 코아시아는 엣지(Edge) AI 반도체 전문기업 '암바렐라'와 AI 비전 프로세서 디자인 서비스 제공 계약을 체결했다고 17일 밝혔다. 코아시아가 이번 협력에서 제공한 반도체 피지컬 디자인 서비스는 암바렐라의 최신 'CVflow' 차량용 AI SoC(시스템온칩)다. 삼성 파운드리 5nm(나노미터) 공정에서 양산될 예정이다. 신동수 코아시아 반도체부문장 사장은 "이번 암바렐라와의 협력은 최첨단 차량용 시스템 반도체 분야에서 코아시아의 전문 역량을 입증한 것"이라고 말했다. 챈 리(Chan Lee) 암바렐라 COO(최고운영책임자)는 "코아시아와의 초기 협력은 매우 성공적이었다"며 "코아시아가 보유한 초미세공정에서의 광범위한 디자인 서비스 경험과 글로벌 R&D센터의 역량을 매우 높이 평가한다"고 말했다. 한편 코아시아는 암바렐라와 작년 초부터 삼성 파운드리 5나노미터 공정의 다양한 시스템 반도체 분야에서 협력을 지속해 오고 있다. 양사는 이번 AI 비전 프로세서 협력 이후에도 추가 협력을 이어가기 위한 다양한 옵션을 모색하고 있다.

2023.07.17 08:49장경윤

화합물 전력반도체 기술강국 도약 시동...국내 유망 기업은

정부가 화합물 전력반도체 기술 강국 도약을 목표로 향후 5년간 연구개발(R&D)에 총 1천384억원에 달하는 자금을 지원한다. 이에 힘입어 국내 화합물 전력반도체 기업의 기술 개발에 가속도가 붙을 전망이다. 더불어 삼성전자, DB하이텍 등 파운드리 업계에서도 화합물 전력반도체 생산을 지원해 향후 시너지가 기대된다. 화합물 전력반도체 R&D에 1384.6억원 지원 산업통상자원부는 지난 13일 국가연구개발사업평가 총괄위원회에서 '화합물 전력반도체 고도화 기술개발사업' 예비타당성 조사를 통과 시켰다. 지난해 10월 예타 대상으로 선정된 지 약 8개월 만에 이뤄진 것이다. 이에 따라 내년부터 2028년까지 기업 연구개발(R&D) 과제에 1384억6천만원을 지원하며, 여기에는 국비 938억8천만원이 포함된다. 전력반도체는 전자제품에 필수적으로 들어가는 칩이다. 최근 전기차 시장이 확대되면서 기존 실리콘(si) 소재로 만든 전력반도체보다 전력 효율이 높고 내구성이 뛰어난 화합물 전력반도체에 대한 수요가 커지고 있다. 화합물 전력 반도체는 실리콘카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN) 등이 대표적이다. 실리콘 반도체의 최대 동작 온도가 150도라면 SiC 반도체는 400도, GaN 반도체는 800도에서도 역할을 수행할 수 있다. 이런 장점으로 화합물 전력반도체 시장은 2030년까지 연평균 7%의 성장이 예상된다. 하지만 우리나라는 화합물 전력반도체 기술력 부족과 해외 기업의 특허 선점 등으로 수요 대부분을 수입에 의존하고 있는 실정이다. 국가별 화합물 전력반도체 시장 점유율은 유럽(54%), 미국(28%), 일본(13%) 순으로 차지하며 이들 국가의 합산 점유율은 95%에 달한다. 반면 한국은 1~2% 점유율로 미비하다. 이 분야의 강자는 스위스 ST마이크로일렉트로닉스, 독일 인피니언, 미국 크리, 온세미컨덕터, 일본 로옴 등이 대표적이다. 이번 기술개발사업의 궁극적인 목표는 전력반도체 혁신기술을 확보하고, 공급망 내재화를 위한 전력반도체 밸류체인 전반(소재-소자-IC-모듈)의 역량 강화다. 산업부는 “전력반도체 핵심기술을 확보해 국내 기업의 글로벌 시장진출을 촉진하고, 국내 공급망 안정성을 강화하는데 기여할 것으로 기대된다”고 전했다. SK·LX세미콘 등 전력반도체 개발…삼성전자·DB하이텍 파운드리 지원 이번 기술개발사업 발표로 국내 화합물 전력반도체 기술을 개발하고 있는 국내 기업이 주목된다. SK그룹은 전력반도체 개발에 많은 관심을 보이고 있다. SK실트론은 2020년 미국 듀폰의 SiC 웨이퍼 사업부를 4억5천만 달러로 인수해 현지에 SK실트론CSS라는 자회사를 설립했다. SK실트론CSS는 SiC에 수년간 6억 달러 투자를 계획하고 있으며, 1차 투자 격인 미국 베이시티 공장을 작년에 완공해 6인치(150㎜) SiC 웨이퍼를 연간 12만장을 생산한다. 또 SK그룹은 지난해 4월 1천200억원으로 국내 SiC 전력반도체 기업 예스파워테크닉스 지분 95.8%를 인수하며 사업 영역을 넓혔다. 예스파워테크닉스는 지난 3월 'SK파워텍'으로 사명을 변경함과 동시에 기존 포항 공장을 부산으로 이전하고 지난 4월부터 신규 공장에서 상업 생산을 시작했다. SK파워텍의 연간 생산량은 2만9천장이다. 이 밖에 LX세미콘, 파워큐브세미, KEC 등도 SiC 전력반도체를 공급한다. LX세미콘은 2021년 10월 LG이노텍이 보유하고 있던 SiC 웨이퍼 제조 관련 특허 60건과 생산 설비를 양수받으며 사업영역 확대에 나섰다. 파워큐브세미는 1700V 실리SiC 전력반도체(트렌치 MOSFET)를 개발 완료했으며, 2025년부터 양산할 계획이다. KEC는 2019년 SiC 전력반도체 시제품 개발을 완료해 현재 프리미엄 TV향 소량 SiC 제품을 공급한다. GaN 전력반도체와 관련해서 아모센스, 에이프로세미콘이 대표적이다. 국내 파운드리 분야에서도 화합물 전력반도체 생산을 지원할 계획이다. 삼성전자는 지난달 '삼성 파운드리 포럼'에서 컨슈머, 데이터센터, 오토모티브 향으로 2025년 8인치 GaN 전력반도체 파운드리 서비스를 시작한다고 밝혔다. DB하이텍은 지난해 말부터 8인치 GaN 공정을 개발에 들어가 2025년 파운드리 서비스 개시를 목표로 한다. SK하이닉스가 지난해 인수한 키파운드리 또한 8인치 GaN 파운드리 공정 개발에 들어선 것으로 알려졌다.

2023.07.14 17:11이나리

삼성 경계현 "美 테일러 팹, 내년 말 4나노 양산 출하"

삼성전자가 미국 테일러 파운드리 신공장에서 내년 말부터 4나노미터(nm) 공정으로 반도체를 양산할 예정이다. 경계현 삼성전자 반도체(DS)부문 대표이사 사장은 14일 자신의 사회관계망서비스(SNS)에 테일러 파운드리 공장 건설 현장을 담은 사진을 올리면서 "팹 공사가 한창"이라고 밝혔다. 이어 그는 "첫번째 공장의 외관 골조가 완성되고, 내장 공사가 시작되고 있다. 내년말이면 여기서 4나노부터 양산 제품의 출하가 시작될 것"이라며 "자신들의 주요 제품이 자기네 땅에서 생산되기를 기대하고 있는 미국의 주요 고객들은 자신들의 제품이 이곳에서 생산되기를 기대한다"고 말했다. 삼성전자는 2021년 11월 170억 달러(약 21조원) 규모의 테일러에 파운드리 공장 설립을 발표하고, 지난해 상반기 공장 착공에 돌입했다. 테일러 공장 부지는 약 500만㎡(150만평) 규모이며, 삼성 텍사스 공장 보다 약 4배 크다. 테일러 팹은 최첨단 공정을 활용해 5세대(5G) 이동통신, 고성능컴퓨팅(HPC), 인공지능(AI) 등 시스템 반도체를 생산할 계획이다. 경계현 사장이 테일러 공장 건설 진행사항을 밝힌 건 처음이 아니다. 앞서 지난 1월 경 사장은 SNS에 "미국 테일러시 반도체 공장 건설 공사가 순조롭게 진행되고 있으며, 연내 완공될 예정"이라고 밝히며 "테일러시가 속해 있는 윌리엄슨 카운티의 빌 그라벨(Judge Bill Gravell) 카운티 장께서 부지앞 도로를 삼성 고속도로(Samsung Highway)로 명명하고 도로 표지판을 선물로 주셨다"고 언급했다. 윌리엄슨카운티의 도로 표지판 선물은 삼성전자의 초대형 설비 투자에 대한 감사를 표한 것으로 해석된다. 윌리엄슨카운티는 지난해 12월 2천200만 달러 규모 도로 건설 계획을 발표했으며, 삼성은 전체 도로 건설 비용 중 290만 달러를 부담한다. 경 사장은 SNS에서 AI 중요성도 강조했다. 그는 "AI 열풍은 여전하다. 클라우드에서 생성형(Generative) AI에서 출발해서 엣지(edge)에서의 온디바이스(on device) AI 논의도 활발히 진행되고 있다"며 "여전히 칩온웨이퍼온서브스트레이트(CoWos), 인터포저(Interposer), 고대역폭메모리(HBM) 등 서플라이 체인(공급망)의 숏티지(부족)로 하드웨어(HW) 공급은 당분간 원할하지 않겠지만, 모두들 미래를 위한 투자에 열심이다"고 말했다. 그는 또 "칩, 패키지, 시스템, 솔루션의 다양한 단계에서 가치를 높히는 개발이 한창이다. 부품 공급자로서 고객의 요구에 조금이라도 더 부합하기 위해 최선의 노력을 다하면서도, 미래를 위해 AI 판에서 우리가 가치 창출과 가치 획득을 위해 무엇을 더 해야할지 진지하게 고민할 때가 됐다"고 덧붙였다.

2023.07.14 15:22이나리

TSMC, 내년에 日 파운드리 2공장 건설 착수

대만 파운드리 업체 TSMC가 일본 구마모토현에 두번째 반도체 공장(팹) 건설을 내년 4월에 시작한다는 전망이 나왔다. 대만 타이완뉴스는 일본 일간공업신문(Nikkan Kogyo Shimbun) 보도를 인용해 “TSMC가 일본 구마모토현에 두번째 파운드리 공장을 내년 4월 착공하고, 2026년 12나노미터(nm) 공정 칩을 생산할 계획이다”고 전했다. 이와 관련해 TSMC가 논평을 거부했다고 타이완뉴스는 밝혔다. 앞서 마크 리우 TSMC 회장은 지난 6월 초 주주총회에서 “구마모토현이 두 번째 일본 팹 건설을 위한 이상적인 위치지만, 아직 공장 건설을 위한 충분한 부지를 확보하지 못했다”고 언급한 바 있다. 한편, TSMC는 구마모토현 키쿠요에 12, 16, 22, 28나노미터(nm) 기반의 첫 번째 파운드리 팹을 건설 중이다. 첫번째 공장은 12인치 웨이퍼로 월 5만5천장을 생산할 수 있는 제조시설로, 올 10월부터 반도체 장비를 반입하고 내년 12월에 양산을 시작할 예정이다.

2023.07.14 11:29이나리

삼성, 갤럭시폰 생산 목표치 5천만대 낮췄다…엑시노스 반등 '먹구름'

삼성전자가 갤럭시 스마트폰에 대한 실적 전망치를 낮췄다. 당초 올해 생산량을 총 2억9천100만대로 잡았지만, 최근 이를 2억3천500만대로 하향 조정한 것으로 확인됐다. 올 하반기에도 보수적인 생산 기조가 지속되면서 자체 모바일 AP인 '엑시노스'의 반등 가능성 역시 불확실성이 높아졌다. 13일 업계에 따르면 삼성전자 MX사업부는 이달 갤럭시 스마트폰 생산량에 대한 내부 전망치를 당초 계획 대비 5천만대 이상 줄였다. 앞서 삼성전자는 지난해 말 올해 스마트폰 생산량 목표를 2억9천100만대로 설정한 바 있다. 주력 플래그십 스마트폰인 갤럭시S 시리즈, 중저가형인 갤럭시 A·M, 폴더블폰인 갤럭시Z 시리즈 등을 모두 포함한 수치다. 갤럭시 탭으로 대표되는 태블릿의 경우 2천800만대를 목표로 잡았다. 그러나 전 세계 스마트폰 수요가 예상보다 더딘 회복세를 보이면서, 삼성전자도 관련 시장에 대해 보수적인 입장으로 선회한 것으로 관측된다. 이달 삼성전자는 스마트폰 생산량 전망치를 2억3천500만대로 이전 전망치에서 19% 낮췄다. 대당 개수로는 5천600만대가 줄어든 셈이다. 이로써 삼성전자는 올 하반기 생산 계획도 상반기와 비슷한 기조를 유지할 것으로 보인다. 삼성전자는 올 상반기 약 1억1900만대의 스마트폰을 생산한 것으로 추산된다. 하반기에는 1억1600만대를 생산할 예정이다. 태블릿 역시 상황은 비슷하다. 태블릿 생산량 전망치는 기존 2천800만대에서 2천500만대로 10%가량 줄어들었다. 전 세계 스마트폰 시장은 지난해부터 거시경제 및 IT 시장의 악화로 침체기에 빠져 있다. 올해 시장 전망은 각 기관에 따라 소폭 상승·하락 등으로 엇갈리고 있으나, 올 상반기까지의 업황은 예상보다 좋지 않다는 점은 대체로 명확해 보인다. 시장조사업체 IDC는 올해 스마트폰 시장 감소세를 1.1%에서 최근 3.2%로 확대하기도 했다. 삼성전자의 생산량 감소는 최신형 폴더블폰을 제외한 전 분야에 영향을 미칠 것으로 분석된다. 삼성전자는 올 3분기 차세대 폴더블폰 시리즈인 갤럭시Z 폴드·플립 5의 출시를 앞두고 있다. 부품업계 관계자는 "삼성전자가 올해 초 판매에 적극 나선 갤럭시S23 시리즈는 전체적으로 전작과 비슷한 생산량을 보일 것으로 전망된다"며 "다만 폴더블폰은 전년보다 생산량을 다소 늘리는 분위기"라고 밝혔다. 이에 삼성전자 시스템LSI사업부가 자체 설계하는 모바일 AP(어플리케이션프로세서) 엑시노스 사업도 악영향은 불가피하다. 삼성전자의 올해 주력 제품인 갤럭시S23 시리즈, 갤럭시Z 폴드·플립 5에는 엑시노스가 아닌 퀄컴의 스냅드래곤이 채택됐다. 엑시노스는 주로 중저가형인 갤럭시A에 탑재되는 추세다. 이 분야에서는 대만 미디어텍과 경쟁을 벌이고 있다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 삼성전자 모바일 AP 시장 점유율은 지난해 2~4분기 8% 수준에서 올해 1분기 4%로 절반이나 감소했다. 2분기에는 엑시노스 1330을 탑재한 갤럭시A14, 갤럭시 M14 등의 출시 효과를 기대할 수 있으나, 생산량 감소 및 시장 전반의 부진이 이를 상쇄할 가능성이 있다. 물론 중장기적으로 엑시노스가 반등에 성공할 기회가 없는 것은 아니다. 삼성전자는 내년 출시 예정인 갤럭시S24 시리즈부터 다시 최신형 AP인 '엑시노스 2400'을 퀄컴 스냅드래곤과 병행 탑재하는 방안을 고려 중인 것으로 알려졌다.

2023.07.13 15:29장경윤

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