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TSMC, 다음주부터 중국에 7나노 이하 칩 출하 중단

대만 파운드리 업체 TSMC가 오는 11일부터 중국에 7나노미터 이하 공정 칩 출하를 중단한다. 지난달 TSMC가 7나노 공정으로 제작한 칩이 고객사를 통해 우회적으로 중국 화웨이 제품에 사용된 사실이 확인되면서 파장이 일어난 바 있다. 시장조사업체 테크인사이트가 화웨이의 첨단 AI 칩셋 '어센드 910B'을 분해한 결과 TSMC 프로세서를 발견하고 이를 TSMC 측에 알렸으며 TSMC도 이를 미국 상무부에 통보하면서 알려졌다. 이에 따라 TSMC는 중국에 첨단 기술 공급 차단을 더욱 강화한다. 중국 기술 전문 매체 지웨이에 따르면 TSMC가 중국 AI와 GPU 반도체 고객사에 공식 이메일을 보내 11일부터 7나노 이하 공정 칩 출하를 중단하겠다고 통보했다. 매체는 "TSMC의 중국 매출이 일시적으로 감소할 수 있지만 장기적으로 미국 규정을 준수함으로써 미국 시장에서 더 많은 기회를 얻을 수 있다"고 전망했다. 도날드 트럼프 당선인은 최근 선거활동에서 "TSMC가 보호 수수료를 내야 한다"고 주장하면서, 미국 투자하는 TSMC 등의 글로벌 기업에 높은 관세를 부과해야 한다고 주장한 바 있다. 따라서 TSMC가 미국 정부로부터 반도체 보조금 등의 혜택을 받기 위해서는 중국과 거래를 중단하는 것이 유리하다는 해석이 나온다. TSMC는 애리조나주에 반도체 제조공장 3개를 건설하고 있다. 미국 상무부는 TSMC에 반도체법 보조금 66억 달러, 대출 최대 50억 달러를 지원하는 예비 협상을 지난 4월에 체결했다. 7일 블룸버그통신은 트럼프 전 대통령이 재당선되자, TSMC는 반도체 보조금을 확정 짓기 위해 최근 최종 계약을 서둘러 체결했다고 보도했다. TSMC는 현재 미국 정부의 최종 서명을 기다리고 있다. TSMC의 이번 조치에 따라 중국 AI 및 GPU 기업은 첨단 제품 개발에 비용이 증가하고 제품 출시 기간이 길어질 것으로 전망된다. 세계 3위 파운드리 업체인 중국 SMIC는 극자외선(EUV) 대신 심자외선(DUV) 리소그래피를 사용해 5나노 칩을 생산하고 있다. SMIC의 5나노 및 7나노 공정 가격은 TSMC 보다 40~50% 더 높은 반면 수율은 TSMC의 3분의 1도 안된다.

2024.11.09 10:11이나리

트럼프 2기…TSMC 서둘러 반도체 보조금 최종 계약, 삼성·SK는?

도널드 트럼프 전 미국 대통령 당선이 확정되면서 반도체 업계엔 긴장감이 돈다. 미국 정부가 자국 내 반도체 제조시설을 투자하는 기업에 보조금을 지급하는 '반도체과학법(CHIPS Act)' 지원 규모나 세제 혜택이 축소될 수 있다는 우려가 커지고 있기 때문이다. 도널드 트럼프 미국 대통령 당선인은 지난달 25일 칩스법을 겨냥해 "나쁜 거래"라고 비판적인 견해를 내놓은 바 있다. 이로 인해 미국 내 대규모 투자를 결정한 삼성전자와 SK하이닉스가 영향을 받게 될 가능성이 제기된다. 삼성전자는 반도체 보조금 64억 달러(약 8조8천505억원), SK하이닉스는 보조금 4억5천만 달러(약 6천200억원)와 5억 달러의 대출, 최대 25% 세제혜택을 지원받는 것이 예비 협상을 통해 결정됐지만, 아직 최종 계약은 체결되지 않았다. 권석준 성균관대 화학공학과 교수는 "미국 반도체 패권을 위한 공화당의 대외정책은 동맹국 클러스터 중심이 아닌 자국 중심"이라며, "트럼프 행정부는 중국 압박과 자국 투자 확대를 위해 반도체법 상 가드레일 조항 및 보조금 수령을 위한 동맹국 투자 요건을 강화할 가능성이 높다"고 예상했다. 권 교수는 이어 "특히 한국, 대만, 일본, 유럽 반도체 기업들에 대해서는 투자에 대한 인센티브가 아닌, 투자를 하지 않을 경우에 대한 페널티를 부과하는 정책이 구성될 가능성이 높다"고 덧붙였다. 한편, 대만 파운드리 업체 TSMC와 미국 파운드리 업체 글로벌파운드리는 트럼프 전 대통령이 당선이 유력해지자 반도체법 보조금 최종 계약을 서둘렀다. 내년 트럼프 재정권이 출범하면 반도체 보조금이 축소될 수 있다는 우려 때문이다. 7일 블룸버그통신은 "TSMC와 글로벌파운드리가 보조금과 대출 관련 최종 계약 협상을 마무리했다"라며 "이는 바이든 행정부의 임기가 1월에 끝나기 전에 반도체법 예산 집행을 서두르기 위해서다"고 전했다. 양사는 현재 미국 정부의 최종 서명을 기다리고 있으며, 계약이 완료 시점은 아직 알려지지 않았다. 블룸버그는 소식통을 인용해 "TSMC와 글로벌파운드리가 최종 협상에서 신청한 금액은 예비 협상과 거의 일치한다"고 밝혔다. 앞서 미국 상무부는 TSMC에 보조금 66억 달러, 대출 50억 달러, 글로벌파운드리에 보조금 15억 달러, 대출 16억 달러를 약속한 바 있다. 아울러 로이터통신은 TSMC가 "미국에 대한 투자 계획은 변함이 없다"고 이메일 성명을 통해 밝히며 미국 정부의 신뢰를 확보하려는 움직임을 보였다고 전했다. 반면, 국내 삼성전자와 SK하이닉스는 트럼프 전 대통령 당선 이후 반도체법에 대해 아직까지 공식적인 입장을 내놓지 않은 상태다. 2022년 제정된 반도체법은 미국 내 반도체 투자를 장려하기 위해 5년간 생산 보조금(390억 달러)과 연구개발(R&D) 지원금(132억 달러) 등 총 527억달러(75조5천억원)를 지원하는 내용이다. 이를 통해 미국은 2030년까지 전 세계 최첨단 반도체 생산량의 20% 차지하는 것을 목표로 한다.

2024.11.08 13:38이나리

TSMC, 美 반도체보조금 확정…"트럼프 오기 전 빨리"

세계 1위 반도체 파운드리(위탁생산) 기업 대만 TSMC가 미국 반도체·과학법(CHIPS and Science Act)에 따라 공장 건설 보조금과 대출 수십억 달러를 받기로 미국 정부와 확정했다. 미국 블룸버그통신은 6일(현지시간) TSMC가 미국 상무부와 반도체 공장 건설 보조금·대출에 대한 구속력 있는 계약 협상을 마쳤다고 보도했다. 블룸버그는 TSMC가 조 바이든 행정부 임기가 끝나기 전 반도체법 예산을 받고자 서둘렀다고 분석했다. 도널드 트럼프 대통령 당선인이 반도체법에 적대적이기 때문이다. 트럼프 당선인은 대통령 선거 후보이던 지난달 25일 한 인터뷰에서 반도체법을 “정말 나쁜 거래”라고 깎아내렸다. 이어 “기업에 보조금 주는 대신 관세를 부과해 미국에 공장 짓게 만들어야 한다”고 말했다. 그러면서 애플·엔비디아 칩을 만드는 TSMC와 한국 삼성전자를 언급했다. 삼성전자는 미국 텍사스, TSMC는 애리조나에 반도체 공장을 짓는다. 트럼프 당선인은 지난 7월 “대만이 미국 반도체 산업의 100%를 가져갔으니 미국에 돈을 내야 한다”며 직접 쏘아 붙이기도 했다. 블룸버그는 익명 소식통을 인용해 TSMC와 상무부가 언제 공식적으로 합의했는지 분명하지 않다고 전했다. 보조금은 예비 협정에서 정한 금액과 비슷한 것으로 알려졌다. 지난 4월 TSMC는 미국에 공장 3곳을 짓는 데 보조금 66억 달러(약 9조2천억원)를 받기로 상무부와 잠정 합의했다. 대출 금액은 50억 달러다. TSMC는 이를 포함해 미국에 600억 달러 투자하기로 했다. 블룸버그는 내년 트럼프 대통령이 취임하면 일부 자금이 TSMC에 집행될 가능성이 크다고 내다봤다. 사업별로 나눠 지급될 것으로 예상했다. 블룸버그는 미국 파운드리 기업 글로벌파운드리도 상무부와 구속력 있는 협상을 마쳤다고 밝혔다. 글로벌파운드리는 뉴욕에 새 공장을 짓고 기존 시설과 버몬트 공장 규모를 키우는 데 필요한 보조금 15억 달러와 대출 16억 달러를 받기로 했다. 바이든 행정부에서 제정된 반도체법은 미국에 투자하는 반도체 기업에 반도체 생산 보조금 390억 달러와 연구개발(R&D) 지원금 132억 달러 등 5년간 총 527억 달러를 지원하는 내용을 담았다. 20개 이상 반도체 회사가 이를 받기 위해 대기하고 있다. TSMC와 글로벌파운드리, 상무부는 블룸버그에 논평을 거부했다.

2024.11.07 17:16유혜진

전략 제품 '코어 울트라 200V' 원가 상승에 골치 앓는 인텔

인텔이 지난 9월 IFA 기간 중 출시한 코어 울트라 200V(루나레이크) 프로세서가 생산 과정의 문제로 원가 상승 문제를 겪고 있는 것으로 보인다. 코어 울트라 200V는 설계 초기부터 대만 TSMC의 3나노급(N3B) 공정 생산을 염두에 뒀다. 또 처리 속도를 높이기 위해 프로세서 다이(Die) 위에 LPDDR5X 메모리를 직접 통합한 후 PC 제조사에 공급된다. 그러나 이런 문제로 코어 울트라 200V의 생산 원가도 상승했다. 일각에서는 "메모리 통합이 PC 제조사의 부품 선택권을 해쳤다"고 지적했다. 인텔 역시 "향후 출시할 제품은 구성 요소 중 상당수를 내부에서 생산하고 메모리 통합도 중단할 것"이라고 밝혔다. 코어 울트라 200V, TSMC N3B 생산 목표로 개발 반도체 설계부터 양산까지 최소 2년에서 2년 반 이상이 걸리는 것을 감안하면 코어 울트라 200V는 2021년 경부터 대만 TSMC 생산을 염두에 두고 개발된 제품이 맞다. 2021년 7월 팻 겔싱어 인텔 CEO가 '4년 내 5개 공정'(5N4Y) 로드맵을 발표했지만 당시만 해도 EUV(극자외선) 도입 공정인 '인텔 4'(Intel 4) 이후 공정의 진척도를 장담할 수 없었다. 인텔 관계자 역시 "2023년 9월 인텔 이노베이션 행사에서 시연된 루나레이크 역시 TSMC에서 생산한 것"이라고 확인했다. LPDDR5X 메모리 통합으로 원가 상승 인텔 코어 울트라 200V의 원가를 상승시키는 것은 또 있다. 프로세서 다이 위에 올라가는 LPDDR5X 메모리다. 지연시간을 낮추고 전력소모를 줄이는 효과가 있지만 원가는 그만큼 비싸진다. 궈밍치 홍콩 텐펑증권 애널리스트는 5일 자신이 운영하는 소셜미디어 '미디엄'에 "인텔이 LPDDR5X 메모리를 공급받는 비용은 애플 대비 비쌌을 것"이라고 추측했다. 인텔은 NPU를 탑재한 AI PC를 올 연말까지 누적 4천만 대, 내년 말까지 1억 대 출하한다는 목표를 세우고 있다. 이런 목표를 감안하면 최대한 판매 대수를 늘리는 것이 좋지만 출하량을 늘려도 매출 증대에는 큰 도움을 주지 못한다는 딜레마가 생긴다. 팻 겔싱어 "팬서레이크, 내부 제조 비중 높인다" 지난 주 3분기 실적 발표에서 팻 겔싱어 인텔 CEO는 "내년 출시할 PC용 프로세서 '팬서레이크'는 전체 면적의 70% 이상을 자체 제조할 것"이라고 밝혔다. 이는 핵심인 컴퓨트 타일(CPU) 뿐만 아니라 입·출력을 담당하는 I/O 타일, SOC 타일 등 프로세서를 구성하는 대부분의 반도체 조각을 인텔 4(Intel 4) 등 자체 공정으로 해결하겠다는 것이다. 아울러 "(메모리를 통합한) 코어 울트라 200V는 일시적(one-off) 제품이며 향후 출시될 제품에는 메모리를 통합하지 않을 것"이라고 설명했다. 실제로 지난 달 레노버 테크월드 행사에 참석한 팻 겔싱어 CEO가 양위안칭 레노버 CEO에게 건넨 팬서레이크 시제품은 2023년 인텔이 출시한 코어 울트라 시리즈1(메테오레이크)과 비슷한 형태다. 궈밍치 "인텔의 근본 문제 아직 해결되지 않았다" 궈밍치는 5일 자신이 운영하는 소셜미디어 '미디엄'에 "인텔은 코어 울트라 200V에 탑재하는 메모리로 원가가 상승해 좋지 않은 영향을 미쳤다고 주장했지만 실제로는 다르다"고 반박했다. 그는 "코어 울트라 200V는 메모리를 통합하며 PC 제조사의 부품 선택 유연성을 잃었고 소비자들도 아직 미성숙한 AI에는 큰 관심을 보이지 않았다"고 반박했다. 이어 "코어 울트라 200V에서 보이듯이 인텔의 도전 과제는 공정 기술 뿐만 아니라 제품 기획에도 남아 있다. 인텔의 근본적인 문제는 조직에 있고 이 때문에 제품 관련 잘못된 결정을 내리고 있다"고 지적했다.

2024.11.05 16:23권봉석

정연욱 성균관대 교수 "양자컴, '꿈의 기술' 아닌 '어려운 기술'일뿐…표준화는 아직 일러"

양자컴퓨터 분야에서 표준은 아직 이릅니다. 2개 표준이 경쟁하려면 방식에 따른 결과물이 같아야 하는데, 현재는 자전거와 배가 제각각 나오는 식입니다. 기술수준이나 타깃도 업체나 방식마다 서로 다르죠." 과기정통부와 특허청 주최로 5일 엘타워에서 열린 글로벌ICT표준컨퍼런스 세션2에서 '양자컴퓨팅 시대의 미래선점 전략: 연구개발과 특허정보'를 주제로 발표에 나선 정연욱 성균관대학교 나노공학과 교수(양자정보연구지원센터장)는 "양자는 이제 꿈의 기술이 아니라, 비싸고 큰 결과를 낼 수 있는 어려운 기술이 됐다"며 이같이 설명했다. 정 교수는 "표준이 이르긴 하지만, IPO(지적재산권)는 다른 문제"라고 선을 그었다. 각 나라 및 기업 경쟁이 갈수록 치열해지는 상황이라는 것. "양자는 난이도가 높고, 국방이나 우주 분야와 관련이 높습니다. 따라서 어느 한 회사가 혼자 다 할 수 있는 범위를 이미 넘어 섰습니다. 국가 차원에서도 한 나라가 다 할 수 없습니다." 정 교수는 유난히 양자 분야가 국가나 기업 차원의 컨소시엄이나 협력이 활발한 이유에 대해 이 같이 설명했다. "무어의 법칙이 반도체 집적도가 2년에 두 배씩 증가한다는 법칙인데, 초전도 큐비트는 결맞음 시간이 3년에 10배씩 증가하고 있습니다." 양자컴퓨터 기술 개발 속도가 엄청나다는 얘기와 함께 후 양자 미래에 대해 조심스런 전망을 내놨다. "양자컴퓨터는 아직 오류 보정을 하지 못합니다. 따라서 양자컴은 기존 컴퓨터의 보조적 역할을 할 것으로 예상합니다. 대체제가 아니라 HPC(고성능 컴퓨팅)와 양자컴퓨터가 조합된 하이브리드 형으로 갈 것으로 예상합니다." 양자컴퓨터에는 메모리가 없다는 설명도 이어갔다. 다만, 양자컴의 문제는 계산은 잘하는데, 아직 결과 검증이 없다는 것. 그러나 오류가 10%이상 있더라도 무방한 화학분야나 배터리 전극 계산 등에서 활용 가능성이 높다고 지적했다. 일단 양자컴으로 가능성을 먼저 타진한 뒤 슈퍼컴퓨터로 정교하게 다시 계산하는 식이다. "양자 계산 공간이 커질수록 나오는 오류를 고쳐야 하는데, 최근 구글이 100개 큐비트 중 1개만 계산에 쓰고, 나머지 99개는 오류 정정에 활용하는 방안이 제시되기도 했습니다." 양자분야 '끼리끼리'론도 폈다. 국방과 우주 분야 전략 기술이다 보니, 규제도 많습니다. 지난해부터는 자기들끼리 헤게모니 싸움도 심한 상황입니다. 다행히 우리나라도 14개 국가가 참여하는 컨소시엄에 들어갔습니다." 정 교수는 이와 함께 "삼성이나 TSMC 반도체 파운드리처럼 양자분야에서도 파운드리가 만들어지고 있다"고 지적했다.

2024.11.05 15:37박희범

SK하이닉스, 커스텀 HBM 수율향상 집중…"TSMC·엔비디아 협력 필수"

"고객사가 HBM에 요구하는 불량품 검출 수는 일반 D램의 10분의 1, 20분의 1에 달할 정도로 매우 높다. 이를 만족하기 위해 SK하이닉스는 뛰어난 기술 개발력과 안정적인 양산 경험을 쌓아 왔다. 또한 커스텀 HBM은 SK하이닉스·TSMC만 잘 해선 안되기 때문에, 고객사를 포함한 3자 협업 관계가 중요하다." 5일 박문필 SK하이닉스 HBM PE 담당 부사장은 5일 오전 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024'에서 이같이 밝혔다. '새 국면에 접어든 HBM 시장에 대한 SK하이닉스의 준비 현황 및 방향'에 대해 발표한 박 부사장은 향후 HBM 시장에서 안정적인 양산이 중요하다고 강조했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 데이터 전송 통로인 입출력단자(I/O) 수를 크게 늘린 차세대 메모리다. 5세대 제품인 HBM3E까지는 I/O 수가 1024개다. 내년 양산될 HBM4에서는 I/O 수가 2배로 늘어난 2048개가 된다. 이러한 기술적 진보에서 가장 중요한 요소는 '수율'이다. 수율은 투입한 웨이퍼에서 양품이 나오는 비율이다. HBM의 경우 여러 개 D램 중 하나라도 불량이 나선 안되고, 이후 HBM과 GPU 등 시스템 반도체를 결합하는 SiP(시스템인패키지) 단의 수율도 고려해야 하기 때문에 수율 확보가 어렵다. 박 부사장은 "고객사가 요구하는 HBM 물량을 충족하기 위해선 결국 수율을 끌어올리는 것이 중요하다"며 "dppm(100만 개당 결함 부품 수)을 기준으로 하면 HBM에 요구되는 수준은 기존 D램 대비 10분의 1에서 20분의 1 정도로 매우 까다롭다"고 밝혔다. 그러면서도 박 부사장은 "SK하이닉스는 선단 D램 및 패키징 기술, 정밀한 계측, 선도적인 양산 경험을 토대로 안정적인 개발 및 양산을 진행하고 있다"며 "개발 앞단에서 문제를 최대한 빨리 잡아 내, 개발 기간을 단축하는 체계를 잘 구축한 것도 SK하이닉스의 장점"이라고 덧붙였다. 특히 HBM4에서부터는 HBM의 고객사에 맞춰 사양을 일부 변경하는 '커스텀 HBM'이 각광을 받을 것으로 전망된다. 로직다이란 HBM을 적층한 코어다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 다이다. HBM과 GPU 등 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결해 데이터를 고속으로 연결한다. 박 부사장은 "커스텀 HBM 시대에서는 기존 SK하이닉스의 IP(설계자산) 외에도 고객사의 IP가 함께 쓰이게 된다"며 "이를 위해 SK하이닉스는 TSMC, 엔비디아와 공고한 '커스텀 메모리 플랫폼'을 구축하고 있다"고 밝혔다. 예를 들어 SK하이닉스는 테스트 과정을 미리 상정한 디자인 설계(DFT), 각 공정을 구분해 문제 요소를 빠르게 특정할 수 있는 시스템, 파운드리·고객사와 원팀 체제로 디자인 단부터 협업을 진행하는 구조 등을 주요 과제로 삼고 있다.

2024.11.05 13:51장경윤

TSMC, 내년 반도체 CoWoS 패키징 가격 인상…엔비디아, 수긍

세계 1위 반도체 파운드리(위탁생산) 회사 대만 TSMC가 내년 첨단 패키징 기술 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate) 가격을 인상하는 데 엔비디아가 받아들였다고 대만 시장조사업체 트렌드포스가 4일(현지시간) 보도했다. 엔비디아는 세계 인공지능(AI) 반도체 1위 업체다. 제조 물량을 모두 TSMC에 맡기는 것으로 알려졌다. 트렌드포스는 미국 투자은행(IB) 모건스탠리 보고서를 인용해 TSMC가 CoWoS 패키징 가격 10~20% 인상을 검토 중이며, 엔비디아로부터 내년 가격 인상을 승인받았다고 전했다. 모리스 창 TSMC 창업자는 최근 3분기 실적을 발표하며 “CoWoS 수요가 공급을 훨씬 앞지른다”고 밝힌 바 있다. TSMC가 올해 CoWoS 생산량을 지난해보다 2배 이상 늘릴 계획임에도 불구하고 여전히 공급이 부족하다는 설명이다. TSMC는 공급망을 안정하기 위해 패키징·테스트 회사와 손잡고 생산 능력을 확대하고 있다. CNA가 인용한 업계 소식통에 따르면 ASE와 그 자회사 스필(SPIL)이 백엔드 CoWoS-S oS(on-Substrate) 공정에서 TSMC와 협력하고 있다. ASE는 내년까지 TSMC의 CoWoS-S oS 패키징 물량의 40~50%를 처리할 전망이다. ASE그룹은 고급 패키징에 투자하며 TSMC와 발 맞추고 있다. ASE는 2026년 10월 완공 예정인 대만 가오슝 K28 공장에서 CoWoS 생산량을 늘릴 것이라고 지난달 발표했다. SPIL은 센트럴타이완사이언스파크 부지에 4억1천900만 대만 달러(약 181억원)를 투자해 CoWoS 제조 역량을 키웠다. 추가 부지를 확보하는 데 필요한 37억2천만 대만 달러도 배정했다. 다음 달 미국 공장 완공을 앞둔 TSMC는 InFO 및 CoWoS 패키징 용량을 확장하기 위해 현지 후공정 업체 앰코와도 업무협약을 맺었다. CNA는 업계 소식통을 통해 미국 애플이 TSMC 애리조나 4나노미터(1㎚=10억분의 1m) 공정에서 애플리케이션 프로세서(AP)를 위탁생산하면, 앰코의 CoWoS 물량을 활용할 수 있다고 전했다. TSMC 공장에서 주문형반도체(ASIC)와 그래픽처리장치(GPU)를 만드는 다른 미국 인공지능(AI) 반도체 기업도 앰코의 CoWoS 패키징을 사용할 것으로 예상된다.

2024.11.05 13:22유혜진

박준규 에이디테크놀로지 대표 "AI·HPC 칩렛 플랫폼 혁신 이끌겠다"

에이디테크놀로지가 AI(인공지능), HPC(고성능컴퓨팅) 반도체 개발 지원을 위해 혁신적인 칩렛(chiplet) 플랫폼을 제공하겠다고 밝혔다. 아울러 2나노 공정 기반의 HPC 플랫폼 'ADP620'을 활용한 칩 개발도 시작했다. 박준규 에이디테크놀로지 대표이사는 1일 서울 그랜드하얏트에서 열린 'Arm 테크 심포지아'에서 기조연설에서 이 같이 밝혔다. 이날 박 대표는 '액셀러레이팅 이노베이션 위즈 에이티디테크놀로지&Arm: AI·HPC, 칩렛 너머(Accelerating Innovation with ADTechnology & Arm: HPC/AI, Chiplets, and Beyond)'라는 주제로 발표했다. 박 대표는 "향상된 AI 솔루션을 만들기 위해서는 머신러닝용 가속기, CPU를 계속 업그레이드 하는 것 외에도 칩렛 기술이 해답이다"라며 "칩과 칩을 연결하는 사이에 전력손실이 발생되는데, 칩렛이 이를 개선할 수 있다"고 설명했다. 이어서 "고성능과 저전력 소자들을 효율적으로 조합할 수 있어 전체적인 제조 비용을 절감할 수 있고, 원하는 기능에 따라 다양한 칩을 선택적으로 조합할 수 있어, 맞춤형 솔루션 개발이 가능하다"고 설명했다. 칩렛은 각기 다른 기능을 가진 반도체를 제조하고 하나의 칩으로 이어붙이는 첨단 패키징 기술이다. 이 기술은 칩 설계와 제조 비용을 줄이는 동시에 생산성을 높일 수 있어 각광받고 있다. 시장조사업체 가트너에 따르면 AI 반도체 시장은 2023년 530억 달러에서 연평균 24.3% 성장해 2028년 1천590억 달러에 이를 전망이다. 같은 기간 칩렛 시장은 2023년 65억 달러에서 2028년 1천480억 달러로 연평균 80% 성장률로 폭발적인 성장이 예상된다. 앞서 에이디테크놀로지는 지난해 Arm과 네오버스 CSS의 반도체 설계자산(IP) 라이선스 계약을 체결하며 HPC, AI 등 고성능 칩 만드는 교두보를 마련했다. 이와 함께 에이디테크놀로지는 칩렛 설계 기술력을 인정받아 리벨리온, 삼성전자, Arm과 함께 'AI CPU 칩렛 플랫폼' 개발에 참여하고 있다. 에이디테크놀로지가 Arm의 '네오버스 컴퓨팅 서브 시스템(CSS) V3'를 기반으로 CPU 칩렛을 설계하고, 리벨리온 AI 가속기 '리벨(REBEL)'과 에이디테크놀로지가 설계한 CPU 칩렛을 통합한다. CPU 칩렛은 삼성전자 파운드리 최첨단 2나노 공정 기술에서 생산되는 방식이다. 에이디테크놀로지는 HPC, 엣지서버, AI 시장을 타겟으로 'ADP' 6 시리즈 플랫폼을 만들어 공략하고 있다. 이날 박 대표는 ADP600과 ADP620을 소개했다. ADP600은 14나노 공정 기반으로 DPU, 스마트NIC 시장을 공략하고 ADP620는 최첨단 2나노 공정 기반으로 HPC, AI 클라우드 플랫폼 시장을 타겟한다. 박 대표는 "ADP600은 Arm 네오버스 N2 코어 베이스로 되어 있다면, ADP620은 네오버스 V3 코어로 되어있다"며 "ADP620은 현재 RT를 받아서 열심히 일하고 있고, 내년 세션에서 좀 더 구체적인 내용을 공유할 수 있을 것"이라고 전했다. 삼성전자 파운드리는 내년 2나노 공정 반도체를 양산할 계획이다. 이어 그는 "칩렛 기술을 통해 AI 데이터센터 제품뿐 아니라 고성능 네트워킹 제품으로 확장할 수 있다"며, "파운데이션 라이브러리와 메모리를 경쟁력 있게 개발해 칩렛 솔루션의 컴퓨팅 기능을 강화하고, 고객의 실리콘에 경쟁력을 더할 것"이라고 덧붙였다.

2024.11.02 13:33이나리

Arm, CSS으로 삼성 2나노 'AI CPU 칩렛 플랫폼' 개발 지원

반도체 IP(설계자산) 업체 Arm이 'Arm 컴퓨팅 서브 시스템(CSS)'과 'Arm 토탈 디자인 서비스'가 AI 데이터센터를 위한 반도체 개발을 적극 지원하고 있다고 밝혔다. 대표적으로 Arm은 삼성전자 파운드리, 에이디테크놀로지, 리벨리온과 협력해 AI CPU 칩렛 플랫폼을 개발하고 있다. Arm은 1일 서울 그랜드하얏트에서 열린 'Arm 테크 심포지아'에서 "출시 1년을 맞이한 Arm 토탈 디자인 서비스는 글로벌 협업으로 촉진해 생성형 AI(Gen AI) 컴퓨팅을 위한 실제 CSS 기반 솔루션으로 이어졌다"고 강조했다. AI CPU 칩렛 플랫폼은 에이디테크놀로지의 네오버스 CSS V3 기반 컴퓨팅을 칩렛으로 구축하고 리벨리온의 '리벨' AI 가속기를 해당 컴퓨팅 칩렛과 결합한다. CPU 제조는 삼성 파운드리의 2나노 게이트올어라운드(GAA) 첨단 공정 기술로 구현된다. 이 플랫폼은 생성형 AI 워크로드(Llama3.1 405B 파라미터 LLMs)에 대해 약 2~3배의 효율성을 제공할 것으로 예상된다. 이를 통해 리벨리온은 클라우드, HPC, AI/ML 학습 및 추론 워크로드 시장 공급을 목표로 하고 있다. 송태중 삼성전자 파운드리 사업부 비즈니스 개발팀 상무는 "AI, HPC 설계에는 최고의 성능, 높은 트랜지스터 밀도, 에너지 효율을 제공하는 기술 솔루션이 필요하다"며 "삼성 파운드리의 2나노 GAA 공정은 가장 엄격한 HPC 및 AI 설계 요구 사항을 충족하도록 정밀하게 설계됐다"고 설명했다. AI 워크로드가 빠르게 성장하면서 전체 AI 스택을 지원하기 위해서는 긴밀하게 결합된 CPU 컴퓨팅이 필수적이다. Arm 네오버스 기반 CPU는 데이터 전처리, 오케스트레이션, 검색 증강 생성(RAG)과 같은 데이터베이스 증강 기술 등에서 이점을 제공한다. 에디 라미레즈(Eddie Ramirez) Arm 인프라 사업부의 시장 진입 전략 부사장은 “AI 컴퓨팅 수요가 증가함에 따라 개발자는 컴퓨팅 플랫폼에서 성능과 전력이 최적화되고 접근성이 뛰어난 방식으로 혁신을 쉽게 실행하는 것이 중요하다"며 "Arm 컴퓨팅 서브 시스템(CSS)과 Arm 토탈 디자인은 에코시스템 AI 개발을 가속화한다"고 말했다. Arm 토탈 디자인을 이용하면 주문형반도체(ASIC) 설계 회사부터 파운드리, 펌웨어 개발자까지 네오버스 CSS 기반 시스템 개발이 더욱 빨라지고 간편해 진다. 최근 Arm 토탈 디자인은 네오버스 N 시리즈 또는 V 시리즈 CSS로 구동되는 Arm 기반 테스트 칩 및 칩렛 제품 개발에 박차를 가하고 있다. 아울러 알파웨이브, 케이던스 등 파트너사들 첨단 노드에서 CSS를 사용해 써드파티 IP 제품을 검증하고 있다. Arm은 토탈 디자인에 설계부터 파운드리 제조에 이르기까지 약 30개 기업이 참여하고 있다고 밝혔다. 최근에는 에코시스템에 알코마이크로(Alcor Micro), 이지스(Egis), PUF시큐리티, 세미파이브가 새롭게 합류했다.

2024.11.01 15:37이나리

리벨리온 "삼성과 협력한 AI CPU 칩렛 플랫폼, 최대 10배 향상 목표"

오진욱 리벨리온 최고기술책임자(CTO)가 "AI 인프라 시장을 지원하기 위해 신규로 개발하는 'AI CPU 칩렛 플랫폼'이 기존 시장에 출시된 AI 컴퓨트 플랫폼 보다 최소 3배, 최대 10배 성능 및 에너지 효율 향상 목표로 한다"고 밝혔다. AI 반도체 스타트업 리벨리온은 1일 서울 그랜드하얏트에서 열린 'Arm 테크 심포지아'에서 AI CPU 칩렛 플랫폼 개발에 대해 소개했다. 발표는 황선욱 Arm코리아 사장과 대담식으로 진행됐다. 앞서 리벨리온은 지난 15일 미국 실리콘밸리에서 개최된 'OCP 글로벌 서밋'에서 Arm, 삼성전자 파운드리 사업부, 에이디테크놀로지와 협력해 AI CPU 칩렛 플랫폼을 개발하고 있다고 밝혔다. 리벨리온은 자사 AI 반도체 '리벨(REBEL)'에 DSP 업체인 에이디테크놀로지가 설계한 CPU 칩렛을 통합하고, 삼성전자 파운드리는 최첨단 2나노 공정 기술을 활용해 CPU 칩렛을 생산한다. 이 CPU 칩렛은 Arm의 '네오버스 컴퓨팅 서브 시스템 V3'를 기반으로 설계된다. 칩렛(chiplet)은 각기 다른 기능을 가진 반도체를 제조하고 하나의 칩으로 이어붙이는 첨단 패키징 기술이다. 리벨리온은 선도적으로 칩렛 기술을 활용한 AI 플랫폼으로 데이터센터와 HPC(고성능컴퓨팅) 영역에서 입지를 강화한다는 목표다. 이날 오 CTO는 "리벨리온은 기존에 머신러닝 칩렛을 저희 제품을 위해 독립적으로 만들어 왔는데, 그동안 축적한 노하우를 본 플랫폼에 적용하고 더 다양한 시장에 고성능 AI 솔루션을 공급하기 위해 삼성, 에이디테크놀로지, Arm과 협력하게 됐다"고 말했다. 이어서 그는 "AI 가속기 회사가 가속기 하나만 잘 만들어서 고객에게 어필해야 하는 시대는 지났다"라며 "AI 가속기가 시장에 나온 지 한 10여 년 됐고 엔비디아라는 대형 기업이 고객들의 기대치를 굉장히 높게 세팅을 해놨기 때문에 우리도 AI 컴퓨팅 플랫폼을 재정리해서 고객들한테 공급하려고 한다"고 덧붙였다. 리벨리온은 지난 4년간 하드웨어 중심으로 성장했다면, 앞으로는 소프트웨어 기술 개발에 주력해 AI 경쟁력을 강화한다는 방침이다. 오 CTO는 "저희 제품을 사용하는 엔지니어들은 이미 좋은 LLM(거대언어모델) 또는 컴퓨터 비전 애플리케이션을 만든 경험이 있기에 그들이 편하게 사용할 수 있는 소프트웨어 스펙들이 필요하다"라며 "이런 솔루션을 준비해서 플랫폼 레벨에서 대응하는 것이 리벨리온의 AI 전략이다. 앞으로 소프트웨어에서 폭발적인 성장을 할 수 있도록 투자하고 노력하겠다"고 말했다.

2024.11.01 14:39이나리

삼성전자, 다시 뛴다...HBM3E 개선하고 TSMC와 협력

3분기 실망스러운 성적표를 써낸 삼성전자가 다시 뛴다. 선택과 집중은 대내외적으로 위기설이 돌고 있는 반도체 부문에 모아질 전망이다. 삼성전자는 위기 돌파를 위해 기술 개발과 시설투자 계획을 변경했다. 5세대 HBM(고대역폭메모리) HBM3E를 엔비디아에 공급하기 위해 개선품을 만들어 다시 공략하고, 6세대 HBM인 HBM4에서는 파운드리 경쟁사인 TSMC와 협력 가능성을 내비쳤다. 시설투자는 증설보다 전환에 초점을 맞춘다. 적자를 지속한 파운드리 시설투자는 축소한다는 방침이다. ■ HBM3E 개선품 만들어 엔비디아 공급 공략…HBM4, TSMC와 협력 삼성전자는 31일 3분기 컨퍼런스콜에서 HBM3E 사업이 순항 중이라고 재차 강조하며, 엔비디아에 공급 가능성을 내비쳤다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “현재 HBM3E 8단과 12단 모두 양산 판매 중”이라며 “주요 고객사 퀄(품질 테스트) 과정상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했고 4분기 중 판매 확대가 가능할 전망”이라고 밝혔다. 이어 “전체 HBM 3분기 매출은 전 분기 대비 70% 이상 성장했고, HBM3E의 매출 비중은 3분기에 10% 초중반 수준까지 증가했다. 4분기 HBM3E 비중은 50%로 예상된다”고 덧붙였다. 삼성전자는 AMD 등에 HBM3E를 공급하고 있지만 AI 반도체 큰 손인 엔비디아에게는 HBM3E 퀄티스트가 지연되고 있다. SK하이닉스·마이크론 등 경쟁사가 HBM에 1b(5세대 10나노급 D램)을 활용한 것과 달리, 삼성전자는 이전 세대인 1a D램을 채택한 것이 주요 원인으로 지목되고 있다. 이에 따라 삼성은 HBM3E 개선 제품을 만들어 엔비디아 공급을 확정 짓는다는 목표다. 김재준 부사장은 “주요 고객사들의 차세대 GPU 과제에 맞춰 최적화된 HBM3E 개선 제품을 추가적으로 준비하고 있다”며 “내년 상반기 내에 해당 개선 제품의 과제 양산화를 위해 고객사들과 일정을 협의하고 있다”고 밝혔다. HBM4에서는 삼성 파운드리 외에도 경쟁사인 TSMC와 협력하는 방향으로 계획을 바꿨다. 그동안 삼성전자는 메모리-파운드리-패키징을 모두 갖춘 종합반도체기업(IDM)이란 장점을 살려 HBM 턴키 솔루션을 제공한다는 계획이었으나 경쟁력 확보를 위해 과감한 결정을 내린 것이다. 이날 삼성전자는 컨콜에서 “베이스 다이 제조와 관련해 파운드리 파트너 선정은 내외부와 관계없이 고객 요구에 맞춰 대응하고 있다”고 말했다. HBM4는 내년 하반기 양산을 목표로 한다. HBM은 여러 개의 메모리 반도체를 실리콘관통전극(TSV) 기술을 통해 수직으로 쌓아서 만든 제품인데, HBM의 받침대 역할을 하는 1층을 '베이스 다이'라고 부른다. HBM3E까지는 메모리 업체가 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 성능과 효율을 끌어올리기 위해 파운드리 업체와 협력을 통해 만들어야 한다. 앞서 SK하이닉스는 지난 5월 HBM4에서 TSMC와 로직 다이 협력을 공식 발표하며 '원팀'을 강조해 왔다. ■ 내년 반도체 시설투자, 증설보다 전환에 집중…파운드리 축소 시설투자 계획도 전면 수정했다. 적자를 보이는 파운드리 대신 고부가 메모리 제품에 적극 투자한다는 방침이다. 삼성전자는 “내년 반도체 시설투자는 올해와 유사한 수준의 캐픽스(Capex·자본적지출)를 고려 중이다"라며 "설비 투자의 경우에는 증설보다는 전환 투자에 초점을 두고, 기존 라인에 대해 1b나노 D램 및 V8, V9 낸드로 전환을 가속화해서 수요 모멘텀이 강한 선단 공정 기반 고부가가치 시장에 집중할 계획이다"고 말했다. 파운드리는 시황과 투자 효율성을 고려해 투자 규모를 축소하지만, 2나노 공정에는 집중할 계획이다. 회사는 “내년 파운드리는 이미 보유한 생산 인프라 가동 극대화를 통해 선단 레거시 노드의 고객 주문을 적기에 대응할 계획이며, 최선단 R&D 준비의 신규 캐파 투자는 가동률 및 수익성을 고려해 신중하고 효율적으로 추진할 계획이다”고 말했다. 이어 “내년 시장은 고객사의 재고 조정에 대한 우려가 남아 있으나 선단 노드를 중심으로 두 자릿수 성장이 전망된다”며 “4·4분기 중 2나노 GAA 양산성 확보와 또한 추가적인 경쟁력 있는 공정 및 설계 인프라 개발을 통해 고객 확보에 더욱 주력하도록 하겠다”고 덧붙였다. 삼성전자는 올해 반도체 시설투자에 47조9천억원이 예상된다고 밝혔다. 지난해 반도체 시설투자 비용은 48조4천억원이었다. 한편 3분기 실적발표에 따르면 삼성전자 전사 영업이익은 9조1천834억원을 기록하며 시장 전망치(10조원대)를 밑도는 실적을 냈다. 이는 전분기 대비 1조2천600억원 감소한 실적이다. 3분기 전사 매출은 79조987억원으로 전년 보다 17.3%, 전기 보다 6.7% 각각 증가하며 역대 최대 분기 매출을 기록했다. 기존 최대는 2022년 1분기 77조7천800억원이다. 반도체를 담당하는 DS(디바이스 솔루션) 부문 매출은 29조2천700억원으로 전년 대비 78%, 전분기 대비 3% 각각 증가했다. DS부문 영업이익은 3조8천600억원으로 지난 2분기 영업이익(6조4천500억원) 보다 2조5천900억원이 줄었다. 증권가에 따르면 메모리 사업부 영업이익은 7조원이며, 파운드리·시스템LSI사업부의 적자는 2조원에 육박할 것으로 추정된다. 따라서 일회성 비용과 파운드리·시스템LSI사업부 적자를 감안하면 DS부문 영업이익은 5조원 수준이 예상된다.

2024.10.31 15:39이나리

삼성전자 'HBM4서 TSMC와 협력 가능성' 내비쳐

삼성전자가 6세대 HBM(고대역폭메모리) HBM4에서 파운드리 업체 TSMC와 협력 가능성을 내비쳤다. 파운드리 사업부를 운영하고 있는 삼성전자가 경쟁 파운드리 업체와 협력하는 것은 이례적인 행보다. 삼성전자는 31일 3분기 실적 컨퍼런스에서 "베이스 다이 제조와 관련해 파운드리 파트너 선정은 내외부와 관계없이 고객 요구에 맞춰 대응하고 있다"고 말했다. 삼성전자는 내년 하반기 HBM4 양산을 목표로 한다. HBM은 여러 개의 메모리 반도체를 실리콘관통전극(TSV) 기술을 통해 수직으로 쌓아서 만든 제품인데, HBM의 받침대 역할을 하는 1층을 '베이스 다이'라고 부른다. HBM3E까지는 메모리 업체가 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 성능과 효율을 끌어올리기 위해 파운드리 업체와 협력을 통해 만들어야 한다. 삼성전자는 그간 HBM4부터 베이스 다이에서 파운드리 공정을 활용할 것이라고 발표한 바 있다. 또 삼성전자는 메모리-파운드리 사업간 턴키 솔루션 강점을 활용해 HBM 제품을 생산할 예정이라고 강조해 왔다. 하지만 주요 HBM 고객사인 엔비디아가 AI 가속기 생산에서 TSMC와 협력을 공고히 함에 따라 삼성전자 메모리 사업부는 TSMC와 협력의 가능성을 열은 것으로 해석된다. 그동안 삼성전자 파운드리 사업부는 수율이 시장 기대에 못 미친다는 평가를 받아왔다. 반면 TSMC는 공정 수율과 더불어 차세대 패키징 기술인 '칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트(CoWoS)'에서 높은 평가를 받아와 주요 고객사를 확보할 수 있었다. 이에 따라 삼성전자 또한 SK하이닉스와 마찬가지로 HBM에서 TSMC와 협력을 맺을 가능성이 높다. 앞서 SK하이닉스는 지난 5월 HBM4에서 TSMC와 로직 다이 협력을 공식 발표하며 '원팀'을 강조해 왔다. 한편, 적자를 지속하고 있는 삼성전자 파운드리는 자사의 메모리 사업부가 HBM에서 경쟁사와 협력을 발표함에 따라 실적 개선에 좋지 않은 영향을 미칠 것으로 보인다.

2024.10.31 13:02이나리

삼성전자 "내년 반도체 시설투자, 증설보다 전환에 집중"

삼성전자가 내년 반도체 시설투자 규모를 올해와 비슷하게 집행하되, 증설 보다는 전환에 집중할 계획이라고 밝혔다. 삼성전자는 31일 2024년 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 내년 반도체 시설투자는 올해와 유사한 수준의 캐픽스(Capex·자본적지출)를 고려 중이다"라며 "설비 투자의 경우에는 증설보다는 전환 투자에 초점을 두고, 기존 라인에 대해 1b나노 D램 및 V8, V9 낸드로 전환을 가속화해서 수요 모멘텀이 강한 선단 공정 기반 고부가가치 시장에 집중할 계획이다"고 말했다. 삼성전자는 올해 반도체 시설투자에 47조9천억원이 예상된다고 밝혔다. 지난해 반도체 시설투자 비용은 48조4천억원이었다. 삼성전자는 "차세대 반도체 R&D 단지 건설, HBM 후공정 투자, 중장기 클린룸 선 확보 차원의 투자 등에 우선순위를 부여하고 미래 경쟁력 강화에 집중할 예정이다"고 설명했다. 반면 적자를 지속하고 있는 파운드리는 시황과 투자 효율성을 고려해 투자 규모를 축소할 계획이다. 증권가에 따르면 시스템LSI와 파운드리 사업의 3분기 영업손실은 2조원으로 추정된다. 삼성전자는 "올해 파운드리 투자는 모바일, HPC 고객 수요 중심 투자가 이루어졌지만, 시황 및 투자 효율성을 고려해 기존 라인 전환 활용의 우선순위를 두고 투자 운영 중이어서 금년 시설투자 집행 규모는 감소할 전망이다"라고 말했다. 이어 "내년 파운드리는 이미 보유한 생산 인프라 가동 극대화를 통해 선단 레거시 노드의 고객 주문을 적기에 대응할 계획이며, 최선단 R&D 준비의 신규 캐파 투자는 가동률 및 수익성을 고려해 신중하고 효율적으로 추진할 계획이다"고 덧붙였다.

2024.10.31 11:42이나리

삼성전자, 내년 HBM4·2나노 집중해 돌파구 찾는다

삼성전자가 올 3분기 반도체 부문서 에상보다 부진한 수익성을 거뒀다. 이에 회사는 내년 하반기 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 개발 및 양산, 2나노 양산 성공을 통한 고객 수요 확보 등 첨단공정 분야에 주력할 계획이다. 삼성전자는 올 3분기 연결 기준으로 매출 79조1천억원, 영업이익 9조1천800억원을 기록했다고 31일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 17.35%, 전분기 대비 6.79% 증가했다. 역대 최대 분기 매출에 해당한다. 영업이익은 전년동기 대비 277.37% 증가했으나, 직전분기 대비 12.07% 감소했다. 주력 사업인 반도체(DS)의 경우 매출 29조1천700억원, 영업이익 3조8천600억원으로 집계됐다. 직전분기 실적(매출 28조5천600억원, 영업이익 6조4천500억원) 대비 수익성이 크게 줄었다. 시장의 예상치도 하회했다. 삼성전자는 "매출 총이익은 30조원으로 MX의 플래그십 중심 매출 확대로 전분기 대비 소폭 증가했다. 영업이익은 DS부문의 인센티브 충당 등 일회성 비용 영향 등으로 전분기 대비 1조2천600억원 감소했다"고 밝혔다. 4분기 고용량 메모리, 엑시노스 2400 등 공급 확대 추진 4분기는 반도체 부문의 성장에도 불구하고 세트 사업의 약세로 성장폭은 제한적일 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 DS부문에서 고부가 제품 판매 확대 및 기술 리더십 확보에 집중하는 한편, DX부문은 프리미엄 제품 판매 확대에 주력하고 AI 전략 강화를 통해 수익성 개선에 주력할 계획이다. D램의 경우 HBM 판매를 지속 확대하고 서버용 DDR5는 1b(5세대 10나노급 D램) 나노 전환 가속화를 통해 32Gb(기가비트) DDR5 기반 고용량 서버 수요에 적극 대응할 방침이다. 낸드의 경우 8세대 V낸드 기반 PCIe 5.0 판매를 더욱 확대하고, 고용량 QLC(쿼드 레벨 셀) 양산 판매를 통해 시장 리더십을 강화할 계획이다. 시스템LSI는 SoC(시스템온칩)의 경우 '엑시노스 2400' 공급을 확대하고, DDI(디스플레이구동칩)는 IT용 OLED 확대 지원 및 모바일 OLED T(터치)DDI 제품 상용화에 집중할 계획이다. 파운드리는 주요 응용처 시황 반등이 지연되면서 고객 수요 약세가 전망되는 가운데, 다양한 응용처를 확대해 실적 개선을 추진하고 2나노 GAA(게이트-올-어라운드) 양산성 확보 등을 통해 고객 확보에 주력할 방침이다. 내년 HBM4 개발 및 양산…2나노 고객 수요 확보 주력 삼성전자는 내년 DS부문 사업 계획에 대해 "첨단공정 기반 제품과 HBM, 서버용 SSD 등 고부가 제품 수요 대응을 통해 수익성 있는 포트폴리오 구축에 주력할 방침"이라고 밝혔다. 메모리에서는 HBM3E 판매를 더욱 확대하는 한편, HBM4는 하반기에 개발 및 양산을 진행할 예정이다. 또한 서버용 128GB 이상 DDR5 및 모바일∙PC∙서버용 LPDDR5X 등 고사양 제품 판매를 적극 확대할 예정이다. 8세대 V낸드로의 공정 전환을 본격화하고, QLC 기반 고용량 수요에도 적극 대응할 방침이다. 시스템LSI는 주요 고객사 플래그십 제품에 SoC 공급을 집중하는 한편, 차세대 2나노 제품 준비에 집중할 계획이다. 이미지 센서는 기능 차별화를 통한 신규 제품 공급을 확대하고, DDI는 패널 디스플레이구동칩(PDDI)과 타이밍 콘트롤러(T-CON)를 통합한 솔루션 개발 등을 통해 제품 차별화를 추진할 방침이다. 파운드리는 첨단공정 양산성 확보를 통해 매출 확대를 추진하고 2025년 2나노 양산 성공을 통해 주요 고객 수요를 확보할 계획이다. 또한 메모리 사업부와 협력해 HBM 버퍼 다이(Buffer Die) 솔루션을 개발해 신규 고객 확보를 추진할 방침이다.

2024.10.31 10:14장경윤

삼성전자, 올해 시설 투자 56.7조원..."파운드리 부문 축소"

삼성전자는 올해 시설투자 금액이 총 56조7천억원으로 예상된다고 31일 공시를 통해 밝혔다. 사업별로는 반도체(DS) 부문이 47조9천억원, 디스플레이(SDC) 부문이 5조6천원 수준이다. 반도체의 경우 고부가가치 제품 대응을 위한 전환투자 및 연구개발(R&D), 후공정 투자에 투자가 집중된다. 디스플레이는 중소형 OLED 디스플레이 증설 투자에 주력한다. 삼성전자는 기대 효과에 대해 "부품 사업 중심의 기술 리더십 강화를 통한 사업 역량 제고"라고 설명했다. 삼성전자는 지난해 시설투자로 총 53조1천억원을 투입한 바 있다. 반도체가 48조4천억원, 디스플레이가 2조4천억원 수준이었다. 이를 고려하면 올해 시설투자 규모는 반도체가 1%가량 줄었다. 반면 디스플레이는 133%가량 늘었다. 한편 올 3분기 시설투자는 전분기 대비 3천억원 증가한 12조4천억원으로, 사업별로는 반도체가 10조7천억원, 디스플레이가 1조원 수준이다. 3분기 누계로는 35조8천억원이 집행됐다. 반도체가 30조3천억원, 디스플레이가 3조9천억원 수준이다. 삼성전자는 "메모리는 시황과 연계된 탄력적 설비 투자 기조를 유지하면서 HBM과 DDR5 등 고부가가치 제품 전환에 중점을 둘 예정"이라며 "파운드리는 시황 및 투자 효율성을 고려해 투자 규모 축소가 전망된다"고 밝혔다. 디스플레이는 경쟁력 우위 유지를 위해 중소형 디스플레이 신규 팹(Fab)과 제조라인 보완에 적극적으로 투자할 계획이다.

2024.10.31 09:27장경윤

TSMC, '화웨이 사태' 이후 中 팹리스에 칩 출하 중단

대만 주요 파운드리 TSMC가 화웨이향 AI 반도체 논란 이후 중국 팹리스에 대한 칩 출하를 중단했다고 로이터통신이 지난 26일 보도했다. 앞서 기술전문 시장조사업체 테크인사이트는 화웨이의 AI 반도체 '어센드 910B'를 분해해, TSMC가 만든 프로세서가 사용됐음을 확인했다. 어센드 910B는 화웨이가 지난해 출시한 제품으로, 자체 기술력을 기반으로 뛰어난 성능을 구현했다고 평가받는다. 현재 화웨이는 AI 등 첨단 산업용 반도체의 수입이 제한돼 있다. 2019년 미국이 국가 안보를 이유로 화웨이를 무역 블랙리스트 명단에 추가했기 때문이다. 사실을 인지한 TSMC는 미국 상무부에 즉각 관련 내용을 전달했다. 이후 TSMC는 중국의 고성능컴퓨팅(HPC) 전문 팹리스 '소프고(Sophgo)'에도 프로세서 수출을 중단하기로 했다. 해당 프로세서는 어센드 910B에서 발견된 것과 동일한 제품으로 알려졌다. 소프고 측은 웹사이트에 올린 성명에서 "모든 법률을 준수하고 화웨이와 어떠한 사업 관계도 맺은 적이 없다"며 "이를 증명하기 위해 TSMC에 상세한 내용을 담은 보고서를 제공했다"고 밝혔다.

2024.10.28 09:51장경윤

파운드리 분리 두고 의견 엇갈린 인텔 전 임원들

전직 인텔 임원들이 파운드리 분사를 두고 찬성과 반대 의견을 내는 기고문을 미국 경제지 포춘에 기고했다. 크레이그 배럿(Craig Barrett)은 1998년부터 2005년까지 CEO로, 2005년부터 2009년까지 이사회 회장으로 인텔에 재직했던 인사다. 그는 26일(미국 현지시각) 포춘에 "파운드리 분사 후 매각 과정은 미국 반도체 경쟁력에 악영향을 줄 것"이라며 반대 의견을 펼쳤다. 크레이그 배럿은 "인텔의 IDM(종합반도체기업)은 반도체 기술의 발전과 안정성을 보장해왔다고 주장하며, 파운드리 분사 후 매각은 AMD가 글로벌파운드리에서 보여준 것처럼 기술 열세로 이어질 있다"고 우려했다. 크레이그 배럿은 "대규모 투자가 필요한 파운드리 산업에서 TSMC나 삼성전자 등과 경쟁하려면 통합된 기업 구조가 필수적이며, 이를 통해 일관된 연구 개발과 생산이 가능하다"고 주장했다. 반면 인텔 전 이사 네 명은 같은 날 포춘 기고문에서 "파운드리 부문 분리는 인텔 생존을 위한 필수 전략"이라고 주장했다. 미국 정부는 인텔이 제조와 설계 부문을 서로 다른 회사로 분리하게 만들어야 하며 이는 인텔 파운드리의 경쟁력 확보는 물론, 한국을 포함한 미국, 일본, 유럽 반도체 업체들이 TSMC 대신 선택할 수 있는 차선책이 될 것"이라고 주장했다. 그러나 인텔이 파운드리 부문을 완전히 분리한 뒤에 경쟁력 확보가 가능한지는 미지수다. 이미 2008년 AMD에서 분사한 글로벌파운드리의 전례가 있기 때문이다. AMD는 2012년 글로벌파운드리 지분을 모두 매각해 두 회사는 현재 전혀 관계 없는 회사가 됐다. 이후 글로벌파운드리는 2014년 삼성전자에서 14나노급 핀펫(FinFET) 공정 라이선스를 제공받아 이를 12나노 공정으로 개정했다. 그러나 10나노급 이하 초미세공정 독자 개발에는 사실상 실패했다. 현재 AMD는 모든 제품을 TSMC에서 생산중이며 글로벌파운드리는 공장 가동률 저하로 골치를 앓고 있다.

2024.10.27 09:25권봉석

TSMC "美 팹 수율, 대만 팹보다 4%p 높다"

대만 파운드리 업체 TSMC가 미국 신규 팹이 수율이 향상돼 대만 내 공장보다 4%포인트(p) 높게 나타났다고 밝혔다. TSMC는 안정적인 수율 확보를 통해 미국에서 파운드리 사업을 본격적으로 확대할 것으로 기대하고 있다. 25일(현지시간) 블룸버그통신에 따르면 릭 캐시디 TSMC 미국 사업부 사장이 지난 23일 웨비나에서 "TSMC 피닉스 공장에서 제조된 칩 중 사용 가능한 비율은 대만의 비슷한 시설 보다 약 4%P 더 높다고"고 밝혔다. 반도체 수율은 제조된 칩 중 정상적으로 작동하는 비율을 의미하며, 생산 효율성과 품질을 평가하는 중요한 지표다. 수율이 높을수록 수익성에도 긍정적인 영향을 미친다. 앞서 지난 17일 TSMC 3분기 실적 컨퍼런스콜에서 웨이저자(C.C.Wei) CEO는 1공장은 지난 4월 4나노미터(nm) 공정 기술로 엔지니어링 웨이퍼 생산에 들어갔고, 그 결과는 매우 만족스럽고 수율은 매우 좋다"며 "이것은 TSMC 고객에게 중요한 이정표이고, TSMC의 강력한 제조 역량을 보여주는 것"이라고 발표한 바 있다. TSMC는 미국 제조시설 건설 초기에 건설비 증가, 노동자들의 투쟁, 숙련 건설 노동자 부족 등의 문제로 어려움을 겪으며, 올해 가동을 시작하려던 계획을 내년으로 연기한 바 있다. 또한 2공장의 양산 시점도 당초 2026년에서 2028년으로 늦췄다. 이에 따라 업계에서는 TSMC가 대만에서와 같은 수준으로 미국에서 효율적으로 칩을 생산할 수 있을지에 대한 우려가 제기됐다. 그러나 최근 TSMC가 미국 공장의 수율 향상에 성공하면서, 현지 시장 진출이 순조롭게 진행될 것이라는 기대감이 높아졌다. TSMC는 미국 애리조나주 피닉스에 위치한 1공장이 내년 상반기부터 본격 가동에 들어갈 예정이며, 애플과 AMD를 주요 고객사로 확보했다. 또한, TSMC는 3공장 건설 계획도 추진 중으로 2020년대 말부터 2나노미터 또는 그보다 진보된 공정의 칩을 생산할 계획이다. TSMC는 미국 진출에 대해 미국 상무부로부터 반도체 공장 설립 보조금 66억 달러(약 8조9000억원)와 미국 정부 대출로 최대 50억 달러(약 6조8000억원)를 지원받는다.

2024.10.25 14:23이나리

SK하이닉스 "HBM4 내년 하반기 고객 출하...TSMC와 원팀"

SK하이닉스는 HBM(고대역폭메모리) 6세대 제품인 'HBM4'를 예정대로 내년 하반기 고객에 출하를 목표로 한다고 밝혔다. 아울러 HBM4에서는 파운드리업체 TSMC와 협력을 강화할 예정이다. SK하이닉스는 24일 3분기 컨퍼런스콜에서 "HBM4에서는 IO 개수가 2배로 늘어나고, 저전력 성능을 위해서 새로운 스킨이 적용되고, 처음으로 로직 파운드리를 활용하는 등 기술적으로 많은 변화가 예상된다"고 말했다. 이어 "기존의 테스트 범위를 넘어서 훨씬 더 (파운드리 업체와) 깊이 있는 기술 교류가 필요하다. 이에 따라서 당사와 파운드리 파트너사 간 원팀 체계를 구축해서 협업을 진행하고 있다"고 강조했다. SK하이닉스의 파트너사인 TSMC는 파운드리 시장에서 60% 이상 점유율로 1위이며, 고객사로 엔비디아를 확보하고 있다. D램과 달리 HBM은 고객의 수요에 기반해서 생산 규모를 결정하기 때문에 선단 공정을 통해 칩 사이즈 줄여서 원가를 절감하는 것보다 고객이 원하는 제품을 적기에 안정적으로 공급하는 것이 중요하다. SK하이닉스는 "HBM 칩 구조상 셀 영역에 해당하는 면적이 상대적으로 적기 때문에 칩 사이즈를 줄이는 것에 대한 베네핏이 제한 적이다. 이미 안정성과 양산성이 검증된 1b나노, 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용해 준비 중"이라며 "예정대로 2025년 하반기 고객 출하를 목표로 하고 있다"고 말했다. SK하이닉스의 HBM 기술 강점으로 MR-MUF 패키징이 꼽힌다. MR-MUF는 과거 SK하이닉스 공정 대비 칩 적층 압력을 6% 수준까지 낮추고, 공정시간을 줄여 생산성을 4배로 높이며, 열 방출도 45% 향상시킨 기술이다. 최근 도입한 어드밴스드(Advanced) MR-MUF는 MR-MUF의 장점을 그대로 유지하는 가운데 신규 보호재를 적용해 방열 특성을 10% 더 개선했다.

2024.10.24 11:01이나리

SK키파운드리, HVIC 공정 기술 출시…고전압 파운드리 서비스 확대

파운드리 기업 SK키파운드리(대표이사 이동재)는 HVIC(고전압집적회로) 공정 기술 출시를 통해 자사 고전압 파운드리 서비스 포트폴리오를 확대했다고 24일 밝혔다. SK키파운드리 HVIC 공정은 5V급 로직, 25V급 고전압 소자, 650V 이상의 nLDMOS(Lateral Double diffused MOS), 650V 이상의 부트스트랩 다이오드(Bootstrap Diode) 등을 하나의 공정에 구현해 고객이 한 개의 칩에 외장 소자를 줄이고 다양한 고전압 기능을 설계할 수 있다. 여기 포함된 25V 고전압 소자 및 650V nLDMOS 소자의 경우 높은 전류 성능을 확보해 고객 제품 경쟁력 향상에 기여할 것으로 기대된다. 또한 비휘발성 메모리 소자인 MTP(멀티 타임 프로그램) IP와 OTP(원 타임 프로그램) IP를 옵션으로 함께 제공해 고객이 하나의 디자인에서 다양한 제품 스펙 변경이 가능하다. SK키파운드리는 이번 HVIC 공정 개발을 통해 기존 고전압 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정의 200V 이하 제품과 Thick IMD(Inter Metal Dielectric) 옵션을 통한 1천500V 이상 초고전압 제품 라인업에 더해, 650V~1천200V 수준의 게이트 드라이버 제품까지 고전압 라인업을 확대하게 됐다. 특히 이번 공정은 자동차용 품질 규격 AEC-Q100 1급을 만족해 자동차용 모터 드라이버 및 전기 자동차용 OBC에 적합할 뿐 아니라, 태양광용 인버터 등 향후 수요 증가가 예상되는 다양한 응용 분야로의 사업 확장이 기대되고 있다. HVIC 공정을 사용하는 주요 제품에는 MCU(마이크로 컨트롤러 유닛)에서 제어 신호를 받아 고전압 MOSFET 또는 IGBT 등의 게이트를 직접 구동하는 고전압용 게이트 드라이버 IC 등이 있다. 이는 대형 백색 가전용 모터 드라이브, 데이터 서버용 전압 변환기, 자동차용 모터 드라이브 및 OBC(On Board Charger), 산업용 모터 드라이브 등 다양한 전력용 제품에 사용되고 있다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "HVIC 공정 기술 출시로 대형 가전과 차량용 모터 시장에서 SK키파운드리 경쟁력을 강화하게 되어 의미 있게 생각한다"며 "지속적인 HVIC 포트폴리오 확대를 통해, 차세대 전력 반도체 고전압 소자용 게이트 드라이버 IC 등 다양한 응용 분야에 적용 가능토록 기술 우위를 확보해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.10.24 09:01장경윤

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