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티씨케이, 반도체 식각 SiC 포커스링 특허 정정...디에스테크노 상대 분쟁

반도체 소재·부품업체 티씨케이가 실리콘카바이드(SiC) 포커스링 특허 1건을 정정했다. 일반적으로 특허 무효화 가능성이 있을 때 특허권자는 특허 권리범위를 좁혀 정정한다. SiC 포커스링은 반도체 식각 공정에 사용하는 소모성 부품이다. 티씨케이는 지난 2019년 디에스테크노를 상대로 서울중앙지방법원에 특허침해소송을 제기했다. 디에스테크노는 대응 차원에서 티씨케이 특허 4건을 상대로 특허심판원에 여러 심판을 청구했다. 특허 3건에 대한 특허성 판단은 끝났고, 나머지 특허 1건 특허성 판단은 진행 중이다. 10일 업계에 따르면 특허심판원은 지난 7일 티씨케이의 '화학기상증착(CVD) 방식으로 형성된 SiC 구조체' 특허(등록번호 2117888, 아래 '888 특허) 정정 청구를 받아들였다. 일반적으로 특허가 정정되면 권리범위가 좁아지기 때문에 향후 분쟁에서 특허가 살아남을 가능성은 커지지만, 특허 침해를 입증하기는 어려워진다. 디에스테크노는 티씨케이의 '888 특허가 무효라고 주장하지만, 2025년 7월 특허심판원은 유효라고 판단(심결)했다. 이에 앞서 특허심판원은 2023년 11월 '888 특허는 무효라고 심결했지만, 특허법원이 2024년 10월 해당 심결을 취소하고 사건을 특허심판원으로 돌려보낸 바 있다. 특허심판원이 무효심판 환송사건에서 2025년 7월 유효라고 판단한 것인데, 디에스테크노는 이에 불복하고 2025년 8월 특허법원에 심결취소소송을 제기했다. 심결취소소송은 아직 본격 심리가 열리지 않았다. 특허심판원이 지난 7일 티씨케이의 '888 특허 정정 청구를 인용했기 때문에, 특허법원에 올라간 '888 특허 무효 심결취소소송 변론도 곧 열릴 것으로 예상된다. 디에스테크노는 티씨케이가 특허침해소송을 제기한 2019년부터 티씨케이의 특허 4건을 상대로 특허심판원에 무효심판, 소극적 권리범위확인심판(소극심판) 등을 청구했다. 소극심판은 상대 특허를 침해하지 않았다는 판단을 구하는 분쟁이다. 디에스테크노는 티씨케이의 'SiC 소재 및 SiC 복합소재' 특허(등록번호 1866869, 아래 '869 특허)에 대해선 2022년 1월 무효라는 판단을 받았다. 티씨케이는 '869 특허에 대해서도 정정을 시도했지만 무산됐다. 디에스테크노가 티씨케이의 또 다른 특허 '투과도가 다른 복수 개의 층을 갖는 SiC 반도체 제조용 부품 및 그 제조방법'(등록번호 1914289, 아래 '289 특허)을 상대로 청구한 무효심판에선 일부유효·일부무효 판단이 나왔다. 특허법원과 대법원 판단도 같았다. 디에스테크노가 '289 특허를 상대로 특허심판원에 청구한 소극심판에서는 침해하지 않았다는 판단을 받았다. 침해소송을 심리하는 서울중앙지법 판단은 다를 수 있다. 디에스테크노가 티씨케이의 '투과도가 다른 복수 개의 층을 갖는 SiC 반도체 제조용 부품 및 그 제조방법' 특허(등록번호 2208252, 아래 '252 특허)를 상대로 특허심판원에 청구한 무효심판에선 유효 판단이 나왔다. 디에스테크노는 특허심판원 판단에 불복하고 특허법원에 심결취소소송을 제기했지만 취하했다. 종합하면 티씨케이 특허 4건 중 '869 특허는 무효라는 결론이 나왔고, '289 특허에 대해선 일부유효·일부무효 판단과 함께 디에스테크노가 침해하지 않았다는 결론이 나왔다. '252 특허에 대해선 유효라는 결론이 도출됐다. 이번에 티씨케이가 정정한 '888 특허도 유효라는 판단을 받았는데, 아직 확정되진 않았다. 한편, 티씨케이는 지난 2020년 와이엠씨와 와이컴을 상대로 서울중앙지법에 특허침해소송을 제기했고, 2025년 분쟁을 합의 종결했다. 서울중앙지법은 2024년 11월 와이엠씨와 와이컴이 티씨케이 특허 2건을 침해했다고 판결한 바 있다. 분쟁 과정에서 와이엠씨와 와이컴은 티씨케이 특허 2건에 무효심판을 청구했지만 특허심판원은 모두 유효라고 판단했다.

2026.10.10 21:54이기종 기자

티씨케이, 와이엠씨·와이컴과 SiC링 특허소송 '종결' 상호 합의

반도체 소재·부품기업 티씨케이가 와이엠씨·와이컴을 상대로 제기한 특허침해 및 손해배상 청구의 소를 최근 취하하면서, 지난 2020년 말부터 4년 넘게 이어온 특허 소송이 2025년 7월부로 공식 종결됐다. 14일 업계에 따르면 티씨케이와 와이엠씨·와이컴은 최근 양사 소송 건을 종결하기로 최종 합의했다. 이번 분쟁은 티씨케이가 와이엠씨·와이컴의 실리콘카바이드링(SiC링) 재생 및 판매 행위 등이 티씨케이 보유 특허권을 침해한다는 이유로 특허침해금지와 손해배상청구 소송을 제기하면서 시작됐다. 반도체 식각 공정의 제조비용 및 수율과 밀접한 연관이 있는 핵심 소모품인 SiC링과 관련한 티씨케이와 와이엠씨·와이컴 사이의 특허소송은 반도체 산업 분야에서의 중요 소송으로 주목받아 왔다. 와이엠씨·와이컴 측은 티씨케이 보유 특허 2건에 대해 무효심판을 청구하면서 다퉜는데, 특허법원, 대법원은 모두 티씨케이 보유 특허들의 유효성을 공식 인정했다. 티씨케이 보유 특허들의 유효성이 특허법원, 대법원에서 모두 인정받음에 따라, 이후의 특허침해금지와 손해배상청구 소송에서도 티씨케이가 유리한 입장으로 평가됐다. 특허침해금지와 손해배상청구 소송 1심 판결은 2024년 11월에 선고됐는데, 서울중앙지방법원은 와이엠씨와 와이컴이 티씨케이 보유 특허 2건을 침해했다고 판단했다. 이후 와이엠씨·와이컴 측이 항소를 제기하며 2심 소송이 이어졌지만, 이번 합의가 성사되며 소송은 상호간에 원만하게 종결됐다. 디에스테크노와의 특허침해소송은 진행 중…3자 대응도 예고 티씨케이는 자사 보유 특허들의 유효성과 제3자의 침해 등을 인정받음에 따라 향후 특허 침해 대응에 더욱 속도를 낼 것으로 보인다. 디에스테크노를 상대로 하는 SiC링 제조 관련 특허침해금지 소송은 이미 오래 전에 제기돼 현재 진행이 되고 있다. 최근에 특허심판원이 디에스테크노가 제기한 티씨케이의 '열팽창계수 특허' 무효심판청구를 기각함에 따라, 티씨케이는 SiC 소재 제조의 핵심기술인 'Layer 특허'의 유효성과 더불어 SiC 소재의 물성에 대한 '열팽창계수 특허'의 유효성까지 공식적으로 인정받았다. 이에 따라 티씨케이는 특허침해소송에서도 한층 유리한 입지를 확보한 것으로 평가된다. 또한 티씨케이는 자사 원천기술을 무단 활용했을 가능성이 있는 제3의 기업들에 대해서도 법적 검토를 진행하고, 필요 시 순차적 대응에 나설 방침인 것으로 알려졌다. 티씨케이 관계자는 "시장 내 유사 기술을 사용하는 기업에 대해서도 정밀하게 모니터링하고, 지식재산권 침해 행위에 대해서는 법적 조치를 단행할 것"이라며 "고유 기술의 가치를 정당하게 인정받는 문화와 건전한 기술 생태계 조성을 위해 올바른 선례를 남기겠다"고 강조했다.

2025.07.14 11:11장경윤 기자

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