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'트랜지스터'통합검색 결과 입니다. (9건)

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AMAT, 2나노 한계 넘는 '몰리브덴 ALD' 공개…"AI칩 저항 15% 줄여"

글로벌 반도체 장비 기업 어플라이드 머티어리얼즈가 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 이하 공정 및 옹스트롬(Angstrom) 노드 시대의 핵심 난제인 '전기 저항'을 해결할 '몰리브덴 ALD' 기술을 전면에 내세웠다. 어플라이드 머티어리얼즈는 12일 서울 조선 팰리스 호텔에서 기자 간담회를 열고, 차세대 GAA(게이트올어라운드) 트랜지스터 및 배선 구조의 에너지 효율을 극대화하는 신규 시스템들을 대거 공개했다. "텅스텐은 이제 한계"…몰리브덴으로 저항 15% 이상 낮춰 이날 발표의 핵심은 트랜지스터와 구리 배선을 연결하는 미세 금속 콘택트의 재료를 기존 텅스텐에서 몰리브덴으로 전환하는 '센트리스 스펙트럴 몰리브덴 ALD' 시스템이었다. 반도체 공정이 2나노 이하로 미세화되면서, 칩 내부의 수 많은 트랜지스터와 이를 잇는 배선 사이의 콘택트 부위는 점점 얇아지고 있다. 이 과정에서 기존에 사용되던 텅스텐 재료는 나노 크기에서 전기 저항이 급격히 증가해, 칩 전체의 성능 발휘를 방해하고 전력 소모를 늘리는 고질적인 병목 현상을 일으켜 왔다. 어플라이드가 선보인 몰리브덴 ALD 기술은 이 문제를 정면으로 돌파한다. 몰리브덴은 텅스텐보다 얇은 두께에서도 전자 전도 효율이 뛰어나 저항을 대폭 낮출 수 있는 차세대 소재다. 마이클 추지크 어플라이드 머티어리얼즈 반도체 기술 총괄 부사장은 "센트리스 스펙트럴 시스템은 단결정 몰리브덴을 선택적으로 증착해, 어플라이드의 기존 선택적 텅스텐 기술 대비 핵심 콘택트 저항을 약 15% 개선한다"며 "이는 옹스트롬 노드에서 더 빠르고 효율적인 AI 칩을 구현하는 데 결정적인 역할을 할 것"이라고 강조했다. 14A 로직 공정 이미 도입…메모리 분야로도 확산 몰리브덴은 소재 특성상 고체 전구체를 기화하고 제어하는 공정이 매우 까다롭지만, 어플라이드는 25년 이상 축적된 ALD(원자층 증착) 기술력을 바탕으로 이를 상용화 수준까지 끌어올렸다. 추지크 부사장은 상용화 시점에 대한 질문에 "이미 14A 로직 노드 공정에 도입되어 구현 중"이라고 밝혔다. 14A는 인텔에서 부르는 반도체 공정 명칭으로, 1.4나노 수준의 초미세 공정이다. 이 기술의 파급력은 로직 칩에만 국한되지 않는다. 3D 낸드플래시의 적층 구조가 고도화됨에 따라 발생하는 저항 이슈와 D램의 저전력 게이트 구현 등 메모리 반도체 분야에서도 몰리브덴으로의 재료 전환이 가속화될 전망이다. 옹스트롬 시대를 위한 '트리플 혁신' 이날 어플라이드는 몰리브덴 ALD 외에도 2나노 이하 공정 최적화를 위한 두 가지 핵심 툴을 함께 소개했다. 먼저 '비바(VIVA) 초순수 라디칼 처리 시스템'은 GAA 트랜지스터의 실리콘 나노시트 표면을 원자 수준에서 매끄럽게 다듬어 성능과 수율을 높여준다. 또한 '심3 Z 매그넘(Sym3™ Z Magnum™) 식각 시스템'은 옹스트롬 수준의 정밀도로 3D 트렌치 프로파일을 제어해 로직은 물론 HBM(고대역폭메모리) 생산 공정에도 혁신을 가져올 것으로 평가받는다. 어플라이드 머티어리얼즈 관계자는 "전 세계 데이터 센터의 전력 소모량이 급증하는 상황에서 반도체 업계는 15년 전보다 1만 배 이상의 에너지 효율 개선을 이뤄내야 한다"며 "재료 공학 차원의 이번 혁신 기술들이 AI 시대를 지탱하는 지속 가능한 반도체 생태계의 밑거름이 될 것"이라고 말했다.

2026.02.12 15:04전화평 기자

인피니언, 업계 최초 자동차 등 100V GaN 트랜지스터 출시

인피니언 테크놀로지스는 AEC(자동차용 전자부품협회) 표준 인증을 받은 업계 최초의 자동차 등급 GaN (질화갈륨) 트랜지스터 제품군을 출시했다고 16일 밝혔다. 인피니언은 GaN 및 차량용 반도체 리더로서의 입지를 더욱 강화하고 있다. 인피니언은 CoolGaN 자동차용 트랜지스터 100V G1 제품군의 양산을 시작했으며, 고전압(HV) CoolGaN 자동차용 트랜지스터와 양방향 스위치를 포함한 AEC-Q101 인증을 받은 시제품의 샘플 공급을 시작했다. 인피니언은 저전압 인포테인먼트 시스템부터 온보드 충전기 및 트랙션 인버터의 HV 솔루션에 이르기까지, 자동차 산업의 변화하는 요구를 충족하는 혁신적인 솔루션을 제공하기 위해 노력하고 있다. 요하네스 쇼이스볼 인피니언 GaN 사업부 책임자는 "인피니언은 성장하는 소프트웨어 정의 차량 (SDV) 및 전기차 시장에 GaN 전력 기술을 도입해, 차량용 반도체 솔루션 분야의 리더로서의 입지를 더욱 공고히 할 것"이라며 "인피니언의 100V GaN 차량용 트랜지스터 솔루션과 고전압 범위로의 포트폴리오 확장은 자동차 애플리케이션을 위한 에너지 효율적이고 신뢰성 높은 전력 트랜지스터 개발에 있어 중요한 이정표"라고 말했다. 첨단 운전자 보조 시스템(ADAS), 새로운 공조 및 인포테인먼트 시스템과 같은 자동차 기능은 배터리 부담을 최소화하면서 더 높은 전력과 더 효율적인 전력 변환 솔루션을 필요로 한다. 따라서 반도체 소재인 GaN을 활용한 소형의 효율적인 전원 공급 솔루션에 대한 수요가 증가하고 있다. GaN 전력 소자는 기존 실리콘 기반 부품에 비해 더 작은 폼팩터에서 더 높은 에너지 효율을 제공하고 시스템 비용도 낮춘다. 특히 소프트웨어 정의 차량에서 12V에서 48V 시스템으로 전환됨에 따라, GaN 기반 전력 변환 시스템은 성능 향상은 물론, 스티어 바이 와이어(steer-by-wire)와 실시간 섀시 제어와 같은 고급 기능을 구현해 승차감과 핸들링을 향상시킨다. 공간 절약형 크기에 높은 효율을 제공하는 인피니언의 새로운 100V CoolGaN 트랜지스터 제품군은 존(zone) 제어 및 메인 DC-DC 컨버터, 고성능 보조 시스템, 클래스 D 오디오 엠프와 같은 애플리케이션에 이상적이다.

2025.10.16 09:23장경윤 기자

ST, 고전력 가전제품용 첨단 1600V IGBT 출시

ST마이크로일렉트로닉스(ST)는 1600V 항복 전압과 우수한 열 성능의 STGWA30IH160DF2 IGBT를 출시했다고 23일 밝혔다. 새로운 디바이스는 소프트 스위칭 토폴로지의 효율성을 높이고 병렬 연결을 간소화하면서 인덕션 히터, 조리기, 전자레인지, 전기밥솥 등의 고전력 가전제품에 적용할 수 있다. STGWA30IH160DF2는 최대 접합 온도 175°C와 낮은 열 저항으로 효율적인 발열을 지원할 뿐만 아니라, 30A의 정격 전류를 제공하며 혹독한 환경에서도 장기적으로 제품 신뢰성을 보장한다. 이 디바이스는 ST의 STPOWER 포트폴리오를 확장한 ST의 새로운 IH2 세대 첫 1600V IGBT이다. 첨단 TGFS(Trench Gate Field-Stop) 기술이 적용돼 높은 항복 전압 성능과 낮은 포화 전압(VCEsat)으로 전도 손실을 최소화한다. STGWA30IH160DF2의 VCEsat는 1.77V(정격 전류 시 평균)에 불과하며, TGFS 기술은 테일 전류(Tail Current)를 최소화해 턴오프 에너지를 낮춘다. 또한 역병렬 다이오드로 낮은 순방향 전압과 소프트 역회복 특성을 제공하며, 이는 메인 트랜지스터의 스위칭 성능과 결합돼 공진형 및 소프트 스위칭 토폴로지에서 높은 효율성을 보장한다. STGWA30IH160DF2는 이러한 특성 덕분에 16kHz에서 60kHz에 이르는 넓은 스위칭 주파수 범위에서 단일 스위치 유사공진 컨버터에 사용할 수 있다. 높은 항복 전압과 우수한 열 효율로 큰 전압 서지와 스파이크를 견딜 수 있으며, 외부 보호 부품에 대한 의존도를 줄임으로써 부품원가(BOM)도 절감할 수 있다. 이 IGBT를 탑재한 가전제품은 부품원가 절감 효과를 통해 가격에 민감한 시장에서 경쟁력을 높이는 것은 물론, 높은 효율성으로 새로운 제품 설계 시 우수한 에너지 등급을 달성할 수 있다. STGWA30IH160DF2는 촘촘한 파라미터 분포와 양(+)의 VCE(sat) 온도 계수도 갖춰 고전력 애플리케이션에서 여러 디바이스를 병렬로 연결해 전류를 공유할 수 있다.

2025.06.23 09:32장경윤 기자

SK하이닉스, 10나노급 이하 D램 미래 기술 로드맵 공개

SK하이닉스가 일본 교토에서 8일부터 12일까지 진행되는 'IEEE VLSI 심포지엄 2025'을 열고 향후 회사의 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵을 공식 발표했다고 10일 밝혔다. IEEE VLSI 심포지엄은 반도체 회로 및 공정 기술 분야에서 세계 최고 권위를 인정받는 학술대회다. 매년 미국과 일본에서 번갈아 개최되며 차세대 반도체, AI 칩, 메모리, 패키징 등 최첨단 연구 성과가 발표된다. 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(CTO)은 10일 행사 3일차 기조연설에서 '지속가능한 미래를 위한 D램 기술의 혁신 주도(Driving Innovation in DRAM Technology: Towards a Sustainable Future)'를 주제로 발표를 진행했다. 차 CTO는 "현재 테크 플랫폼을 적용한 미세 공정은 점차 성능과 용량을 개선하기 어려운 국면에 접어들고 있다"며 "이를 극복하기 위해 10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 4F 스퀘어 VG(수직 게이트) 플랫폼과 3D D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다"고 밝혔다. 4F 스퀘어 VG 플랫폼은 D램의 셀 면적을 최소화하고, 수직 게이트(Gate) 구조를 통해 고집적·고속·저전력 D램 구현을 가능하게 하는 차세대 메모리 기술이다. 기존 D램은 단일 셀의 면적이 6F(2F x 3F)였으나, 4F(2F x 2F)는 이보다 작은 면적으로 집적도 향상에 유리하다. VG는 D램에서 트랜지스터의 스위치 역할을 하는 게이트(Gate)를 수직으로 세우고 그 주위를 채널이 감싸고 있는 구조다. 기존에는 게이트가 채널 위에 수평으로 눕혀져 있는 평면구조였다. 차 CTO는 4F 스퀘어 VG와 함께 3D D램도 차세대 D램 기술의 핵심 축으로 제시했다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 기술이다. 업계에서는 이 기술의 제조 비용이 적층 수에 비례해 증가할 수 있다는 관측이 있지만, SK하이닉스는 기술 혁신을 통해 이를 극복하고 경쟁력을 확보하겠다는 방침이다. 또한 회사는 핵심 소재와 D램 구성 요소 전반에 대한 기술 고도화를 추진해 새로운 성장 동력을 확보하고, 이를 통해 향후 30년간 D램 기술 진화를 지속할 수 있는 기반을 구축하겠다는 계획도 공개했다. 차 CTO는 “2010년 전후만 하더라도 D램 기술은 20나노가 한계라는 전망이 많았으나 지속적인 기술 혁신을 통해 현재에 이르게 됐다"며 “앞으로 D램 기술 개발에 참여할 젊은 엔지니어들의 이정표가 될 중장기 기술 혁신 비전을 제시하고, 업계와 함께 협력해 D램의 미래를 현실로 만들어 가겠다”고 밝혔다. 한편 행사 마지막 날인 12일에는 박주동 SK하이닉스 부사장(차세대D램 TF 담당)이 발표자로 나선다. 이 자리에서 VG와 웨이퍼 본딩 기술을 적용해 D램의 전기적 특성을 확인한 최신 연구 결과도 공개할 예정이다.

2025.06.10 10:02장경윤 기자

자율주행·로봇 인식 정확도 "지금보다 2배 개선 가능"

사람의 뇌 신경 전달 원리(시냅스)를 그대로 모사한 로봇 비전 센서가 개발됐다. 자율주행이나 드론, 로봇 등에서 주변 환경 인식이 더 빠르고, 정확해질 전망이다. 다만, 기술 성숙도 측면에서는 2차원 재료 사용으로 기초 단계고, 대신 실리콘 반도체로 상용화를 추진 중이라고 KIST 연구팀은 설명했다. UNIST 신소재공학과 최문기 교수팀은 한국과학기술연구원(KIST) 최창순 박사팀, 서울대학교 김대형 교수팀과의 공동으로 시냅스 모방 로봇 비전 센서를 개발했다고 4일 밝혔다. 비전 센서는 기계의 눈 역할을 하는 부품이다. 센서가 감지한 정보는 뇌의 역할을 하는 프로세서로 전달된다. 정보가 여과 없이 전달되면 전송 데이터가 늘어나 처리 속도가 느려지고, 불필요한 정보로 인해 인식 정확도도 떨어진다. 조명이 급격히 바뀌거나 밝고 어두운 영역이 뒤섞인 상황에서는 이 같은 현상이 더 두드러지게 나타난다. 연구팀은 뇌 시냅스에서 일어나는 도파민-글루타메이트 신호 전달 경로를 모방해 윤곽선처럼 명암 대비가 큰 시각 정보만을 골라낼 수 있는 비전 센서를 개발했다. 뇌에서 도파민이라는 신경전달물질이 글루타메이트 신호의 반응을 조절해 신호 세기를 조절하는 생리 현상을 본떠, 이를 빛에 반응하는 반도체 소자(시냅스 모사 광트랜지스터)에 구현했다. 최문기 교수는 “눈 자체에 뇌의 일부 기능을 부여한 인-센서 컴퓨팅(in-sensor computing) 기술을 적용해 영상 데이터의 밝기와 대비를 스스로 조절하고, 불필요한 정보는 걸러낸다”며“초당 수십 기가비트에 달하는 영상 데이터를 처리해야 하는 로봇 비전 시스템 부담을 근본적으로 줄일 수 있다”고 설명했다. 기존에는 모든 영상 데이터를 CPU나 GPU 같은 외부 프로세서로 전송해 처리하지만, 이 기술은 센서가 내부에서 직접 이미지 밝기와 대비를 최적화하고 중요한 정보만 선별해 남기는 방식이다. 실제 실험 결과, 이 비전 센서는 영상 데이터 전송량을 기존 대비 약 91.8% 줄이면서도, 객체 인식 시뮬레이션의 정확도는 약 86.7%까지 끌어올릴 수 있는 것으로 확인됐다. 이 센서는 게이트 전압에 따라 전류 반응이 바뀌는 광트랜지스터로 이루어져 있다. 게이트 전압은 뇌의 도파민처럼 반응 강도를 조절하는 역할을 하며, 광트랜지스터에서 나오는 전류는 글루타메이트 신호에 해당하는 자극 전달을 모사한다. 게이트 전압을 조절하면 빛에 민감해지기 때문에 어두운 환경에서도 또렷하게 윤곽 정보를 감지할 수 있다. 또 빛의 절대 밝기뿐 아니라 주변과의 밝기 차이에 따라 출력 전류가 달라지도록 설계돼 밝기 변화가 큰 경계면, 즉 윤곽선은 더 강하게 반응하고 밝기가 일정한 배경은 억제된다. 최창순 KIST 박사는 “이번 기술은 로봇·자율주행 자동차·드론·IoT 기기 등 다양한 비전 기반 시스템에 폭넓게 적용할 수 있다”며 “데이터 처리 속도와 에너지 효율을 동시에 높일 수 있어, 차세대 인공지능 비전 기술의 핵심 솔루션으로 활용될 수 있을 것”이라고 기대했다. 최 박사는 "현재 이 기술을 실리콘 반도체 분야에서 이용하는 방안도 함께 모색 중"이라며 "상용화가 이루어진다면, 실리콘 분야에서 먼저 이루어질 것"이라고 부연 설명했다. 최문기 교수는 "별도의 복잡한 연산 장치도 필요없다"며 "이 같은 기술이 실시간 반응성과 에너지 효율이 중요한 차세대 인공지능 비전 기술 핵심 해법으로 주목받고 있는 이유"라고 덧붙였다. 연구는 한국연구재단 우수신진사업, KIST 미래원천반도체기술개발사업, 기초과학연구원 지원을 받았다. 연구 결과는 국제학술지 사이언스 어드밴시스(Science Advances)에 온라인으로 5월2일 게재됐다.

2025.06.04 08:00박희범 기자

잉크처럼 재료 뿌려 만드는 '만능 전자소자' 나왔다

필요에 따라 기능을 자유자재로 바꿀 수 있는 만능 전자소자가 개발됐다. 한국연구재단(이사장 홍원화)은 연세대학교 강주훈 교수 연구팀이 잉크처럼 뿌려 만드는 2차원 나노재료로 트랜지스터와 다이오드, 그리고 광센서 기능을 자유롭게 바꿀 수 있는 재구성형 소자 기술을 개발했다고 8일 밝혔다. 재구성형 소자는 구조가 복잡, 정교한 장비 등이 필요하다. 전극 설계도 복잡해 산업응용에 한계가 있었다. 연구팀은 용액공정 기반 2차원 나노 재료를 기판 전체에 균일하게 뿌리는 방법을 고안했다. 이 방법으로 하나의 게이트 전극만으로도 트랜지스터 또는 다이오드처럼 작동하도록 설계했다. 먼저 연구팀은 2차원 반도체인 이황화지르코늄(ZrS2)를 산화시켜 형성한 산화지르코늄(ZrO2-x) 절연층 위에 반도체 재료인 몰리브덴 다이설파이드(MoS2)를 수직으로 쌓은 이종접합 소자를 제작했다. 전기적 기능이 상이한 두 재료를 수직으로 적층한 간단한 소자 구조지만, 다양한 기능을 구현할 수 있다. 또, 산화지르코늄 절연층의 산소결함을 활용해 빛에 반응하는 속도 조절에도 성공, 빠른 감응 속도와 장기 기억 특성을 모두 갖춘 새로운 방식의 광센서를 구현했다. 강주훈 교수는 "고속 영상처리, 인지형 센서 등에 활용 가능한 재구성형 광소자 플랫폼으로 확장될 수 있는 기반이 마련될 수 있을 것"이라며 "기기 내부에 높은 밀도로 집적하는 인공지능 하드웨어 기술에 적용할 수 있을 것"으로 기대했다. 연구결과는 국제학술지 '네이처 일렉트로닉스'에 5월 6일 온라인으로 게재됐다.

2025.05.08 16:37박희범 기자

인텔, 맞춤형 트랜지스터 '터보 셀' 기술 공개

인텔이 29일(현지시간) 오는 2027년부터 리스크 생산에 들어갈 1.4나노급 미세공정 '인텔 14A'(Intel 14A)에 도입될 새로운 트랜지스터 적층 구조 '터보 셀'(Turbo Cell)을 투입할 예정이다. 인텔 14A 공정은 2세대 반도체 후면 전력 전달 기술(BSPDN)인 '파워다이렉트'를 이용해 인텔 18A 대비 와트 당 성능을 최대 20% 향상시키고 같은 면적에 넣을 수 있는 트랜지스터 수를 최대 1.3배 높였다. 30일 미국 IT 매체 톰스하드웨어에 따르면, 인텔은 미국 캘리포니아 주 새너제이에서 진행한 '인텔 파운드리 다이렉트 커넥트 2025' 행사에서 전력 소모와 성능을 최소화할 수 있는 새로운 트랜지스터 구조인 '터보 셀'을 공개했다. 인텔 14A 공정은 반도체 설계시 ▲ 고주파수 작동에 최적화됐지만 전력 소모가 큰 '톨'(Tall), ▲ 와트 당 성능에 최적화된 '중간'(mid-size), ▲ 면적과 전력 소모를 줄인 '숏'(Short) 등 전자설계자동화(EDA) 소프트웨어에서 활용할 수 있는 셀 라이브러리를 3개 제공한다. 이 중 숏 라이브러리는 전력 소모 최적화와 트랜지스터 수 확보가 필요한 CPU와 GPU 설계에 주로 활용된다. 인텔은 숏 라이브러리에 터보 셀을 투입해 전력 소모와 성능 최적화를 구현할 예정이다. 터보셀 기술은 반도체 안에서 성능이 중요한 부분에는 고성능 트랜지스터를, 전력 소모를 줄여야 하는 트랜지스터에는 고효율 트랜지스터를 배치하는 맞춤형 설계가 가능하다. 이를 통해 CPU와 GPU의 작동 성능은 높이면서 전력 소모와 발열은 최소화한 설게를 구현할 수 있다. 반도체 성능 평가에 흔히 쓰이는 지표인 전력·성능·면적(PPA)의 균형을 찾아 같은 트랜지스터 수에서 더 우수한 제품을 만들 수 있다. 인텔은 인텔 14A 공정의 파생 공정인 '인텔 14A-E'에 터보 셀을 적용할 예정이다. 공정 뒤에 붙은 알파벳 'E'는 '기능 확장'을 의미한다. 인텔은 인텔 14A 공정의 PPA를 향상시키기 위해 고개구율(High-NA) 극자외선(EUV) 공정 활용도 검토하고 있다. 지난 29일 '인텔 파운드리 다이렉트 커넥트 2025' 기조연설에서 나가 찬드라세카란 인텔 COO는 "인텔 14A 공정에 기존 EUV나 고개구율 EUV 기술 중 어느 쪽이나 활용할 수 있으며 적절한 시점에 활용을 검토 중"이라고 말했다.

2025.05.01 15:32권봉석 기자

장태수 SK하이닉스 부사장, '1c D램' 개발 공로 대통령 표창

SK하이닉스는 장태수 부사장이 지난 19일 서울 중구 대한상공회의소에서 열린 '제52회 상공의 날' 기념 행사에서 대통령 표창을 받았다고 20일 밝혔다. 상공의 날은 산업 및 경제 발전을 이끈 상공업자의 노고를 기리고, 기업 경쟁력을 높이기 위해 제정된 기념일로, 매년 상공업 발전에 기여한 기업인·근로자·단체 등을 대상으로 시상식이 열린다. 이날 장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 10나노(nm)급 6세대(1c) 미세공정 기술이 적용된 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발해 국내 반도체 산업 경쟁력을 높인 공로로 대통령 표창을 수상했다. 장 부사장은 20년간 메모리 선행 기술 및 소자 연구에 매진한 전문가로, 44나노부터 10나노까지 10세대에 걸쳐 핵심 기술 개발에 참여했다. 특히 그는 기존 소자의 미세화 한계를 극복하기 위해 말 안장(Saddle) 모양의 FinFET인 Saddle-Fin 구조를 개발, D램 셀(Cell) 트랜지스터에 성공적으로 적용해 44나노 D램을 세계 최초로 양산하는 데 기여했다. 훗날 이 기술은 모든 D램 제조사로 확산되며 업계 표준으로 자리 잡았다. '1c D램 개발 TF'에서 소자 총괄 리더로 참여한 이후 장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 1c DDR5 D램을 개발하는 성과를 냈다. 1c 공정 기술은 메모리 성능을 높이고 전력 소비를 줄이는 첨단 선행 기술로 HPC(고성능 컴퓨팅) 및 AI 성장의 필수 기술로 여겨진다. 수상 소감을 묻는 최수현 앰버서더의 질문에 장 부사장은 "모두가 함께 이룬 성과"라며 구성원들에게 공을 돌렸다. 그는 “선배님들이 다져놓은 튼튼한 뼈대 위에 구성원이 힘을 합쳐 이룬 성과입니다. 제가 모두를 대신해서 상을 받았다고 생각한다"며 "이번 수상을 위해 물심양면 지원해 주신 선후배 구성원과 가족들에게 감사 인사를 전한다"고 말했다. 이번 성과가 의미 있는 이유를 방승현 앰버서더가 묻자 장 부사장은 “세계 최초, 최단 기간 내 개발을 통해 SK하이닉스가 가장 먼저 기술 주도권을 확보했기 때문”이라고 설명했다. 그는 “메모리의 최소 회로 선폭을 먼저 개발했다는 것은 초고속·저전력 제품을 선제적으로 고객들에게 공급하고, 프리미엄 시장에 빠르게 진입해 초기 수요를 선점한다는 점에서 의미가 있다"며 "이번 1c DDR5 D램 개발로 SK하이닉스는 기술 리더십을 더욱 공고히 할 것”이라고 강조했다. 아울러 장 부사장은 이번에 개발한 기술이 HBM 성능을 높이는 데에도 기여할 것으로 내다봤다. D램 셀 크기를 줄이면, 동일 규격의 실리콘 안에 더 많은 D램 셀을 배치할 수 있다. 이를 통해 규격이 정해진 HBM의 칩 크기 및 높이를 유지하면서 용량을 높일 수 있게 된다. 또한 셀 크기가 작아져 여유 공간이 생기므로 HBM 내부에 다양한 설계를 시도해 여러 기능을 추가할 수도 있다. 아울러 장 부사장은 미세공정 혁신에 더욱 속도를 내겠다는 포부도 밝혔다. 그는 “데이터 저장을 담당하는 캐패시터의 면적을 확보하기 위해 고유전율 소재 및 새로운 구조의 캐패시터 개발에 주력하고 있다"며 "또한 데이터 입출력을 담당하는 셀 트랜지스터의 누설 전류를 최소화하고자 구조 혁신에도 힘쓰는 중"이라고 설명했다.

2025.03.20 15:29장경윤 기자

로옴, 방사 강도 뛰어난 소형·면실장 근적외선 LED 개발

로옴은 면실장 타입의 근적외선(NIR) LED로 소형 탑 뷰 타입 제품 라인업을 새롭게 구비했다고 13일 밝혔다. 신제품은 3개의 패키지 구성으로 6기종을 전개한다. 초소형(1.0×0.6mm) 및 초박형 (0.2mm) PICOLED(피코레드) 시리즈로 'SML-P14RW'와 'SML-P14R3W'의 2기종, 업계 표준 사이즈(1.6×0.8mm)로 좁은 지향각 특성을 지닌 원형 렌즈 타입 'CSL0902RT'와 'CSL0902R3T', 넓은 범위에 빛을 방사하는 플랫 렌즈 타입 'CSL1002RT'와 'CSL1002R3T'의 4기종을 구비했다. 패키지에 따라 850nm(SML-P14RW는 860nm)와 940nm의 파장을 구비해 용도에 따라 선택 가능하다. 850nm는 포토 트랜지스터 및 카메라 수광 소자와의 밸런스가 우수해, VR·AR의 시선 추적이나 물체 검출 등 고감도가 요구되는 용도에 최적이다. 반면에 940nm는 태양광의 영향을 잘 받지 않아, 발광 시에 적색으로 보이지 않기 때문에 인체 감지 센서 등에 적합하다. 또한 펄스 옥시미터와 같은 생체 센싱 용도에서는 혈류 및 산소 포화도 (SpO2)의 계측에도 이용된다. 광원에는 자사 제조에서 축적해온 독자적인 기술을 활용하여 발광층 구조를 최적화한 NIR 소자를 탑재했다. 이러한 기술을 통해 소형 패키지로는 실현이 어려웠던 업계 최고 수준의 방사 강도를 실현했다. 예를 들어 'SML-P14RW'와 동일한 1006 사이즈의 일반품을 비교하면, 동일한 전류치로 약 1.4배의 방사 강도를 달성했다. 또한 동일한 방사 강도일 경우 약 30%의 소비전력 삭감이 가능하다. 이에 따라 센싱 정밀도의 향상 및 세트 전체의 저전력화를 실현할 수 있다. 신제품은 월 100만개의 생산 체제로 양산을 개시했다. 인터넷 판매도 개시해 온라인 부품 유통 사이트에서 구입 가능하다. 로옴은 "앞으로도 로옴은 차세대 센싱 기술을 서포트하는 혁신적인 광원 솔루션을 제공해 VR·AR 시장 및 산업기기 시장에서의 새로운 가치를 창조함과 동시에 지속 가능한 사회의 실현을 위해 노력해 나갈 것"이라고 말했다.

2025.03.13 15:44장경윤 기자

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