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KAIST, 삼성·구글· 인텔 등과 국제학회 '최우수논문상'

인텔이나 엔비디아, 구글, AMD 등 글로벌 빅테크 기업 연구원과 엔지니어 등이 대거 참여하는 국제 학회서 국내 연구진이 최우수논문상을 수상, 관심을 끌었다. KAIST 테라랩(지도교수 김정호 전기및전자공학부 교수)은 신태인 박사(28)가 미국 실리콘밸리에서 열린 국제학회 '디자인콘(DesignCon) 2025'에서 최우수 논문상을 수상했다고 3일 밝혔다. 신 박사의 이번 수상은 지난 2022년 열린 디자인콘에서의 최우수논문상에 이어 두 번째다. 지난 2022년에는, 전체 8명에게만 주어자는 최우수 논문상을 KAIST 테라랩 소속 연구원 4명( 신태인·김성국·최성욱·김혜연)이 휩쓸어 관심을 끌었다. '디자인콘'은 반도체 및 패키지 설계 분야에서 권위를 인정받는 국제학회다. 올해 대회에서는 KAIST 외에 삼성, 구글, 인텔, AMD, 키사이트, 케이던스, 샘텍 등에서 8명이 이 상을 수상했다. 신태인 박사는 지난 해 말 접수, 채택된 전체 100여 편의 논문 중 해당 분야 기술혁신에 기여한 점을 인정받았다. 신 박사는 이 학회에서 고대역폭 메모리(HBM) 패키지의 전력 무결성 설계를 위해 시간 정보가 포함된 전력 잡음 지터(jitter)에 영향을 주는 설계 요소를 AI로 설계, 최적화하는 방법론을 제시했다. 신태인 박사는 “HBM 기반 패키지 시스템 설계가 갈수록 고도화 되고 있다"며 "이번 방법론이 반도체 신호 및 전력 무결성 설계의 토대를 마련하는 계기가 될 것"으로 기대했다. 한편, 김정호 교수 연구실에는 3월 기준 석사과정 17명, 박사과정 10명 등 모두 27명이 소속돼 있다. 이들은 반도체 전·후공정에 들어가는 다양한 패키지와 인터커넥션 설계를 강화·모방 학습과 같은 인공지능(AI) 머신러닝(ML)을 활용해 최적화하고 있다. 또 대규모 인공지능(AI) 구현을 위한 HBM 기반 컴퓨팅 아키텍트와 관련한 연구도 함께 진행 중이다.

2025.03.03 13:30박희범

TI, 美 반도체법 보조금 2.1조·세액공제 10조 받는다

미국 종합반도체 기업 텍사스인스트루먼트(TI)가 미국 정부로부터 반도체 보조금 최대 16억 달러(약 2조1천억원)를 받게됐다. TI는 17일(현지시간) 신규 3개 반도체 공장 건설과 관련해 미국 상무부로부터 16억 달러의 직접 보조금을 받는 예비거래각서(PMT, Preliminary Memorandum of Terms)에 서명했다고 밝혔다. TI는 추가로 미국 재무부로부터 약 60억~80억 달러(8조1천억원~10조8천억원)의 세액 공제와 인력 개발을 위한 1000만 달러의 자금을 제공받을 것으로 예상했다. TI는 2019년까지 180억 달러(24조3천억원)를 투자해 텍사스주 셔먼에 2곳(SM1, SM2), 유타주 리하이에 1곳(LFAB2) 총 3개 300mm 웨이퍼 공장을 건설 중이다. 이 프로젝트는 2000개의 제조 일자리를 창출할 것으로 예상된다. 하비브 일란 TI 최고경영자(CEO)는 "이번 투자로 제조 및 기술 분야에서 경쟁 우위를 더욱 강화할 계획"이라며 "2030년까지 내부 제조를 95% 이상으로 늘리고, 300mm 용량을 대규모로 구축해 고객이 앞으로 수년간 필요로 하는 아날로그 및 임베디드 프로세싱 칩을 제공하겠다"고 밝혔다. 그렉 애벗 텍사스 주지사는 "TI는 텍사스 에서 90년 이상 반도체를 제조 하고 있는 기업이다"라며 "TI와 협력해 셔먼에 새로운 반도체 공장을 건설하고 텍사스를 반도체 분야에서 최고의 주로 자리매김하게 되어 자랑스럽다"고 전했다. TI가 미국 정부로 부터 받는 반도체 보조금은 미국 반도체산업지원법(칩스법)의 일환이다. 2022년 제정된 반도체법은 미국 내 반도체 투자를 장려하기 위해 5년간 생산 보조금(390억 달러)과 연구개발(R&D) 지원금(132억 달러) 등 총 527억달러(75조5천억원)를 지원하는 내용이다. 삼성전자와 SK하이닉스도 총 9조4천억원 규모의 반도체법 보조금을 받는 것이 확정됐다. 지난 4월 삼성전자는 텍사스주 테일러시에 건설 중인 파운드리 공장에 대해 64억 달러(약 8조8505억원)의 지원금을 받게 됐다. 지난 7월 SK하이닉스는 인디애나주 반도체 패키징 시설 투자에 4억5천만 달러(약 6천200억원)의 직접 보조금과 5억 달러의 대출 지원을 받는다고 밝혔다. 그 밖에 미국 상무부는 ▲지난해 12월 F-35 등 미군 전투기용 반도체를 만드는 영국 방산업체 BAE시스템스에 3500만 달러 ▲올해 1월 미국 반도체업체인 마이크로칩 테크놀로지에 1억6200만 달러 ▲2월 미국 파운드리 업체 글로벌파운드리에 15억 달러 ▲3월 미국 인텔에 85억 달러와 최대 110억 달러의 대출 지원 ▲4월 대만 TSMC에 66억 달러의 보조금과 50억 달러 최대 대출 50억 달러 ▲4월 마이크론에 61억달러 등 총 12개 기업의 반도체 지원금을 발표했다.

2024.08.18 12:00이나리

TI, 'GaN 반도체' 시장 공략 가속화

텍사스인스투르먼트(TI)가 차세대 화합물반도체인 GaN(질화갈륨) 시장을 적극 공략한다. 경쟁사 대비 뛰어난 성능의 신규 제품군을 지속 출시하는 한편, 생산성을 높이기 위한 설비투자를 미국, 일본 등에서 진행하고 있다. 5일 TI코리아는 서울 인터컨티넨탈호텔에서 미디어 브리핑을 열고 전력 변환장치 2종을 소개했다. 이번 TI의 100V GaN 전력계 'LMG2100R044·LMG3100R017'는 열적으로 향상된 양면 냉각 패키지 기술을 적용했다. 이를 통해 열 설계를 간소화하고, 중전압 애플리케이션에서 1.5kW/in³(세제곱인치 당 킬로와트) 이상의 최고 전력 밀도를 달성할 수 있다. 엔지니어는 이를 활용해 중전압 애플리케이션의 전원 공급 장치 크기를 40% 이상 축소하는 것이 가능해진다. 또한 기존 실리콘 기반 제품 대비 스위칭 전력 손실을 50% 저감해 에너지 효율성을 높인다. 예를 들어 태양광 인버터 시스템에서 전력 밀도 및 전력 효율이 높아지는 경우, 동일한 패널로 더 많은 전력을 저장하고 생산하는 동시에 전체 인버터 시스템 크기를 줄일 수 있다. 신주용 TI코리아 이사는 "이번 신규 100V 통합 GaN 전력계 제품군은 이미 여러 고객사들이 적용 검토를 적극적으 시작한 제품"이라며 "벅 컨버터, 부스트 컨버터 등에서 활발히 사용될 것으로 보인다"고 설명했다. TI는 전력계 외에도 다양한 GaN 제품을 보유하고 있다. 650V급의 GaN FET(전계 효과 트랜지스터), 100~200V급 하프 브리지 게이트 드라이버 및 FET 등이 대표적이다. GaN 제품의 경쟁력 강화를 위한 설비투자에도 적극 나서고 있다. 현재 TI는 미국 텍사스 댈러스, 일본 아이주와카마추 등에서 생산능력 확대를 꾀하고 있다. 신 이사는 "모든 증설이 완료되면 현재보다 훨씬 저렴한 가격에 솔루션을 제공할 수 있을 것"이라며 "제품 성능도 자사 및 경쟁사 제품을 내부 분석한 결과, 자사 제품이 압도적인 것으로 보고 있다"고 밝혔다. TI는 이번 미디어 브리핑에서 차량 및 산업 시스템용 신규 1.5W 절연 DC/DC 모듈 'UCC33420-Q1·UCC33420'도 공개했다. 해당 모듈은 바이어스 전원 공급 장치 설계에서 외부 변압기가 필요 없는 TI의 차세대 통합 변압기 기술을 적용했다. 엔지니어는 이를 활용해 솔루션 크기를 89% 이상 축소하고 높이를 최대 75%까지 줄이면서, 개별 솔루션 대비 재료 사양서를 절반으로 줄일 수 있다. 안병남 TI코리아 상무는 "해당 모듈은 4mmx5mm 사이즈로, 유사한 크기의 경쟁사 제품 대비 출력 전압이 높아 여러 솔루션에 활용될 수 있다"며 "전력 밀도 역시 3배 이상"이라고 강조했다.

2024.03.05 13:07장경윤