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'코어 울트라 시리즈3'통합검색 결과 입니다. (2건)

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인텔, 고개구율 EUV 상용화 선점...TSMC·삼성보다 앞서

미국 종합반도체기업(IDM) 인텔이 네덜란드 반도체 노광장비업체 ASML의 고개구율(High-NA) 극자외선(EUV)를 활용해 첫 상용 생산에 돌입했다. 연구개발(R&D)과 시험 생산에 머물던 고개구율 EUV가 실제 판매 제품에 적용된 것은 이번이 처음이다. ASML은 15일(현지시간) 2분기 실적발표에서 "인텔이 코어 울트라 시리즈3(팬서레이크) 생산에 고개구율 EUV를 활용하고 있으며 양산에 필요한 수율과 생산 안정성도 확보했다"고 밝혔다. 인텔은 지난 해 말까지 "1.8나노급 인텔 18A 공정에 고개구율 EUV를 적용하지 않는다"고 밝힌 바 있다. 그러나 인텔 18A 공정에서 생산되는 실제 제품에 고개구율 EUV를 활용해 인텔 기존 전략이 일부 수정됐음을 보여준다. 공정 미세화 달성 핵심 기술 '고개구율 EUV' 고개구율 EUV는 현재 0.33 수준인 EUV 개구수(NA)를 0.55까지 높여 더 미세한 회로를 구현할 수 있는 차세대 노광기술이다. 회로를 여러 번 그려 겹치는 멀티 패터닝 과정이 줄어드는 것은 물론 같은 회로를 더 적은 공정으로 구현해 효율을 높일 수 있다. 대만 TSMC와 삼성전자는 일정 부분 위험을 감수하고 EUV를 선택한 반면 인텔은 과거 기술인 심자외선(DUV)에 머물렀다. 그러나 이 선택 때문에 2010년대 이후 10나노 이하 공정에서 경쟁사에 우위를 내주기 시작했다. 인텔은 2021년 팻 겔싱어 전 CEO 취임 이후 TSMC와 격차를 따라잡기 위해 고개구율 EUV를 승부수로 삼았다. 2023년 12월 세계 최초로 ASML 고개구율 EUV를 미국 오리건주 힐스보로에 설치했다. 이후 2024년 4월 장비 설치와 초기 가동을 완료하고 시험 웨이퍼 노광을 시작했다. 작년 12월에는 2세대 장비인 '트윈스캔 EXE:5200B'를 인수했다. "인텔 18A에는 안 쓴다"던 전략 변화, 공정 검증 앞당겨 인텔은 당초 1.8나노급 '인텔 18A' 공정에는 기존 0.33NA EUV를 유지하고, 고개구율 EUV는 후속 공정인 1.4나노급 '인텔 14A'부터 본격 활용한다는 계획을 가지고 있었다. 또 고개구율 EUV의 경제성과 생산성을 충분히 검증한 뒤 차세대 공정에 적용하는 것이 합리적이라는 입장을 유지해 왔다. 작년 인텔은 "인텔 18A는 이미 설계를 마친 상태였기 때문에 새로운 노광 기술을 적용하기에는 개발 일정과 공정 안정성 측면에서 부담이 크다"고 밝힌 바 있다. 그러나 고개구율 EUV의 공정 검증이 예상보다 빠르게 진척되며 이런 전략에도 변화가 생긴 것으로 보인다. 팬서레이크 일부 레이어에 적용…"듀얼 인증" 완료 ASML은 15일 "고개구율 EUV가 노트북용 프로세서인 인텔 코어 울트라 시리즈3(팬서레이크)를 구성하는 일부 핵심 레이어에 활용되고 있다"고 밝혔다. 이 계층을 제외한 나머지 레이어는 여전히 기존 0.33NA EUV 장비로 생산된다. 즉 인텔 18A로 생산되는 CPU 타일 전체에 고개구율 EUV를 적용하는 대신 비용 대비 효과가 큰 공정부터 단계적으로 적용해 위험을 줄이고 있는 것이다. ASML에 따르면 인텔이 고개구율 EUV로 생산한 레이어는 기존 0.33NA EUV와 같은 수준의 수율을 확보했고, 0.33/0.55NA EUV 장비에서 모두 생산이 가능한 '듀얼 인증(Dual Qualification)'도 완료했다. 듀얼 인증은 생산량 변화나 장비 유지보수 상황에 따라 기존 EUV와 고개구율 EUV를 자유롭게 전환할 수 있다는 의미다. 특정 장비에 생산이 묶이지 않기 때문에 양산 안정성과 공급 유연성을 동시에 확보할 수 있다. 인텔, 고개구율 EUV 선 도입으로 시행착오 줄여 TSMC와 삼성전자도 고개구율 EUV 장비를 도입하고 이를 실제 공정에 투입할 예정이다. 그러나 실제 고객사에 공급하는 상용 반도체 생산에 적용한 사례는 아직 공개되지 않았다. 인텔 역시 당초 2027년 말부터 리스크 생산에 들어갈 1.4나노급 인텔 14A 공정부터 고개구율 EUV를 활용할 예정이었다. 그러나 고개구율 EUV를 타사 대비 빨리 도입하면서 시행착오를 줄이고 이를 인텔 18A에도 적용하는 데 성공했다. 이를 통해 인텔 14A 양산 이전부터 실제 생산 데이터를 확보하고 장비 운용 경험을 축적할 수 있게 됐다. 이는 향후 인텔 14A 공정의 수율 안정화와 생산성 향상에도 도움이 될 것으로 전망된다.

2026.07.16 14:35권봉석 기자

[르포] 인텔 1.8나노 공정의 현장, 애리조나 주 '팹52'에 가다

[애리조나(미국)=권봉석 기자] 인텔은 2021년 팻 겔싱어 전임 최고경영자(CEO) 취임 이후 '4년 동안 5개 공정 실현'(5N4Y) 로드맵 아래 각종 첨단 공정 리빌딩에 들어갔다. 그간 도입하지 않았던 극자외선(EUV) 기반 4나노급 공정 '인텔 4'(Intel 4), 이를 개선한 '인텔 3'(Intel 3)에 이어 올 하반기부터는 1.8나노급 '인텔 18A'(Intel 18A) 공정을 가동중이다. 인텔 18A 공정은 EUV를 활용하는 인텔 세 번째 공정이며(상용화 기준) 차세대 트랜지스터 구조 '리본펫'(RibbonFET), 반도체 후면 전력 전달 기술(BSPDN) '파워비아'(PowerVia)를 모두 투입한다. 인텔은 지난 9월 28일부터 30일까지 3일간 진행된 연례 기술행사 '테크투어' 기간 중 인텔 18A로 각종 제품을 생산하는 미국 애리조나 주 오코틸로 소재 '팹52' 일부를 글로벌 기자단과 애널리스트에 공개하는 행사를 진행했다. 인텔, 1979년 이후 애리조나에 70조 투자 인텔은 1979년 애리조나에서 사업을 시작한 이후 이 지역에만 500억 달러(약 70조 1150억 원) 이상을 투자했다. 1990년대 초 2.83 제곱킬로미터(700에이커) 규모 농지를 매입해 반도체 생산 시설을 건립한 뒤 팹12가 가동을 시작했고 1996년 팹22, 2000년대 초 팹32가 완공됐다. 팹52는 2021년 말에 착공돼 2년 뒤에 완공됐다. 새 건물을 올리기 위해 올림픽 규격 수영장 400개를 채울 수 있는 흙과 바위를 파냈고 60만 입방미터의 콘크리트와 7만 5천 톤의 철근, 900만 미터에 달하는 배관과 케이블 등 설비 라인을 설치했다. 팹52 옆에는 시설 확장을 위한 새로운 시설인 '팹62'의 기초 공사가 한창이었다. 향후 인텔 18A 공정의 수요가 늘어나면 이 부지에도 새로운 건물을 세우고 장비가 반입될 예정이다. 팹52와 팹62를 만드는 데 드는 비용은 총 320억 달러(약 44조 9천억 원) 가량이다. 막대한 시설투자에 따른 부담을 줄이기 위해 챈들러 소재 2개 반도체 생산시설 지분 중 49%를 캐나다 소재 투자그룹인 브룩필드자산운용에 넘기기도 했다. 인텔 18A, 애리조나와 오레곤 주서 가동 인텔은 첨단 공정을 미국 오레곤 주 힐스보로에서 먼저 개발한 다음 이를 전세계 생산시설에 그대로 옮기는 방식으로 사업을 진행한다. 인텔 18A 역시 미국 오레곤 주와 애리조나 주 두 곳에서 가동된다. 인텔 18A 공정은 인텔 자체 제품과 외부 고객사 제품에 활용된다. 또 향후 인텔 파운드리의 자립 여부를 가늠할 수 있는 매우 중요한 공정이다. 이 공정의 가장 큰 고객사는 모바일(노트북)용 프로세서 '코어 울트라 시리즈3'(팬서레이크), E코어 제온6+(클리어워터 포레스트)를 생산하는 인텔 프로덕트 그룹이다. 아마존과 마이크로소프트, 미국 국방부, Arm 등 일부 외부 고객사도 소량 확보했다. 부지 내 주요 교차로마다 특이한 표지판 눈길 지난 9월 30일 오후, '인텔 테크투어 US' 행사장에서 약 35킬로미터(22마일) 떨어진 애리조나 주 오코틸로 소재 인텔 사업장으로 향했다. 애리조나는 사막이라 한 낮 기온이 40도를 넘는 일도 곧잘 벌어진다. 야외 주차장에는 직사광선으로 자동차 내 온도가 오르는 것을 막는 용도로 태양광 발전을 겸한 차단막을 설치했다. 시설 안 주요 교차로마다 인텔이 생산하는 제품에 걸맞는 '혁신로', '프로세서 길' 같은 특이한 표지판이 눈길을 끈다. 30마일 통로 돌아다니며 웨이퍼 자동 운송 팹52는 사무동인 'OC43' 건물을 거쳐 들어간다. 기자단을 안내한 입사 19년차 한인 엔지니어는 "오늘 들어갈 시설은 실제로 상품화될 반도체가 생산될 시설이니 어떤 장비든 함부로 손을 대면 안된다"고 설명했다. 덧신과 두건, 보안경과 장갑을 쓰는 복잡한 절차 끝에 들어선 생산 시설은 웨이퍼에 영향을 적게 주는 노란색 조명을 시작으로 머리 위를 부지런히 돌아다니는 FOUP(풉, 전면개방통합포드), 반도체 생산을 위한 고가 장비가 돌아가는 소리로 어수선하다. FOUP은 애리조나 반도체 생산시설에 마련된 30마일(약 48.28km) 길이 통로를 따라 돌아다니며 반도체 웨이퍼 20-40장을 각 공정마다 실어나른다. 각 팹 사이 통로는 약 1마일(약 1.6km) 가량이다. 분당 6번 먼지 걸러내..."코로나도 못 버텨" 반도체 생산 공정은 미세한 입자가 불량률에 큰 영향을 미친다. 반도체 다이 한 조각이 손상되면 이를 공급받는 고객사는 적게는 수백 달러, 많게는 수천 달러까지 손해를 본다. 인텔은 일정 전 기자단에 "미세한 입자가 날릴 수 있는 화장이나 헤어 스프레이 사용도 불가능하다"고 설명했다. 취재에 필요한 메모도 먼지가 날리지 않도록 만들어진 특수 노트와 전용 펜으로만 가능했다. 내부 공조 기기는 10초당 한 번, 분당 여섯 번씩 공기를 순환시키며 먼지를 제거한다. 인텔 시설은 클래스10 등급으로 입방피트당 10개 이하의 먼지만 허용한다. 한인 엔지니어는 "이런 환기 시설 때문에 코로나19 바이러스조차 살아남을 수 없다"고 말했다. EUV 장비 부지런히 가동되는 팹52 팹42 연결 통로를 거쳐 들어선 팹52는 2022년 둘러봤던 이스라엘 키르얏 갓 소재 14나노급 반도체 생산시설 '팹28' 대비 훨씬 층고가 높았다. 한인 엔지니어는 "극자외선(EUV) 없이는 새로운 트랜지스터 구조인 '리본펫'도 존재할 수 없다"며 "EUV 장비의 덩치가 큰 데다 진동 등에 민감하게 반응하기 때문에 이에 맞는 건물을 새로 울려야 했다"고 설명했다. 노란색 조명 역시 다른 공정 대비 훨씬 짙었다. 공정이 미세할 수록 주위 빛에 더 민감하게 반응하기 때문에 영향을 최대한 줄이기 위한 조치라는 것이 엔지니어 설명이다. 내부에서는 대당 3억 달러(약 4천248억원)짜리 EUV 노광장비 여러 대를 비롯해 다양한 회사들의 장비를 볼 수 있었다. 인텔은 영업 비밀을 이유로 여러 장비의 제조사나 모델명 확인이나 공개를 거부했지만, 현재 EUV 노광장비 시장에서 두각을 드러내는 회사는 단 한 곳 뿐이다. 팹52를 둘러볼 수 있는 시간은 극히 제한적이었다. 첨단 공정인 만큼 정보 노출을 최대한으로 줄이기 위한 의도로 읽혔다. 멀리 보이는 여러 장비에는 더 이상 다가가지 못하고 발길을 돌려야 했다. 물 재활용 후 자연에 환원 '워터 포지티브' 실현 팹52가 들어선 애리조나 지역은 물이 부족한 사막이다. 인텔은 애리조나 사업장 안에 물 처리 및 재활용 시설을 세우고 하루 최대 900만 갤런의 물을 재활용한다. 28일 진행된 브리핑에서 지빗 카츠-차메레트 인텔 파운드리 제조 및 공급망, 팩토리 매니저는 "인텔은 애리조나 시설 운영 과정에서 단순히 물을 절약하는 것 뿐만 아니라 깨끗한 물을 자연으로 돌려보내는 '워터 포지티브' 경영을 실천하고 있다"고 설명했다. 이어 "운영 과정에서 물을 절약하고 지역 사회 기반 물 복원 프로젝트를 지원해, 2023년 한 해에만 11억 갤런의 물을 자연에 환원했다"고 덧붙였다.

2025.10.12 12:00권봉석 기자

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