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'캐패시터'통합검색 결과 입니다. (4건)

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MLCC, AI·전장서 수요 급증…삼성전기, '더블 A' 전략 선언

"AI 서버, 첨단운전자보조시스템(ADAS) 산업 발달에 따라 요구되는 적층세라믹캐패시터(MLCC) 수량 및 정전용량도 급증하고 있습니다. 이에 삼성전기는 각 산업의 앞 글자를 따 두 시장을 동시 공략하는 '더블 A' 전략을 추진하고 있으며, 휴머노이드 등 신시장 역시 대응을 준비 중입니다." 이민곤 삼성전기 상무는 14일 삼성전자 기자실에서 세미나를 열고 회사의 MLCC 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. MLCC는 회로에 전류가 일정하게 흐르도록 조절하고, 부품 간 전자파 간섭현상을 막아주는 전자부품이다. 스마트폰, PC 등 가전제품과 서버, 자동차 등 산업 전반에서 필수적으로 활용되고 있다. AI 서버·ADAS서 MLCC 수요 '급증'…"더블 A 전략 추진" 특히 MLCC는 AI 서버에서 수요가 증가하는 추세다. AI 서버는 일반 서버 대비 전력 소모량이 5~10배가량 높다. 때문에 서버 당 필요한 MLCC 수량도 2만8천개로 일반 서버(2천200개) 대비 13배 많다. 또한 AI 서버는 데이터 처리량이 높아, MLCC도 소형화 및 초고용량, 고온에 대한 신뢰성 등이 요구된다. 이에 삼성전기는 지난 5월 0402 인치 사이즈의 AI 서버용 고성능 MLCC 신제품을 개발하는 등, 시장 공략에 주력하고 있다. 올해 1분기 기준 AI 서버용 MLCC 시장 점유율은 약 40%에 이른다. 전장용 MLCC 역시 자율주행 시장을 중심으로 가파른 성장세가 예상된다. 전장용 MLCC는 고온(125도 이상)·저온(영하 55도) 환경 및 습도, 외부 충격 등에도 안정적인 작동이 요구된다. 대신 IT 제품 대비 가격이 3배 이상 비쌀 정도로 고부가 제품에 해당한다. 전장 시장은 ADAS(첨단운전자보조시스템) 고도화로 더 많은 고성능 센서를 탑재해야 한다. 이에 맞춰 소형 및 고용량 전장용 MLCC도 탑재량이 늘어날 전망이다. 일례로 자율주행 레벨 2단계에서는 전장용 MLCC가 5천개 정도 사용되며, 레벨 3단계에서는 6천개로 증가할 것으로 관측된다. 이 상무는 "삼성전기 내부적으로는 AI 서버와 ADAS의 앞 글자를 따서 '더블 A'에 집중해야 한다는 전략을 가지고 움직이고 있는 상황"이라며 "특히 가장 높은 성능의 AI 서버용 MLCC는 삼성전기를 포함해 3개사 정도만이 대응 가능한 것으로 안다"고 설명했다. 휴머노이드 등 차세대 성장동력도 주목 한편 삼성전기는 차세대 산업으로 주목받는 휴머노이드 로봇 분야에서도 MLCC 시장 진출을 추진한다. 기존 AI 서버, 전장용 MLCC에서 확보한 고신뢰성 및 고성능 기술을 적극 활용할 계획이다. 이 상무는 "그간 삼성전기가 산업별로 필요한 MLCC 제품을 준비해 온 만큼, 다양한 기능의 휴머노이드 로봇 시장에도 대응할 수 있을 것이라고 생각한다"고 말했다. 인쇄회로기판(PCB) 안에 MLCC를 내장하는 임베디드(Embedded) MLCC 기술도 향후 AI 서버에서 주목받을 것으로 전망된다. 내장형 MLCC는 PCB의 공간 효율성을 높이고, 집적도를 높여 노이즈 억제 및 고주파 특성이 우수하다. 이 상무는 "임베디드 MLCC는 AI 서버 시장에서 고객사의 요구가 있어서 함께 개발을 시작해보는 단계"라며 "다만 제품이 언제쯤 양산될 지 등은 구체적으로 정해지지 않았다"고 밝혔다.

2025.07.15 08:55장경윤

POSTECH "쓸수록 성능 떨어지는 '강유전체 메모리' 문제 해결"

강유전체 메모리는 빠른 속도와 비휘발성을 동시에 갖춘 차세대 기술이다. 그러나 반복적인 작동은 메모리 '피로현상'을 일으키며 기능 저하를 초래한다. 이 때문에 강유전체 메모리가 미래 반도체 대안으로 불리지만, 상용화는 어려웠다. 국내 연구진이 이 같은 '피로현상'의 핵심 열쇠를 찾아, 해결 방안을 제시해 관심이다. POSTECH(포항공과대학교)은 반도체공학과 이장식 교수, 도현서 연구생(학부 3년) 연구팀이 오랜 사용으로 성능이 저하되는 '피로현상'을 겪는 반도체 부품을 다시 원래 상태로 되돌리는 혁신적인 기술을 개발했다고 11일 밝혔다. 이 연구결과는 'IEEE 전자 소자 학회 저널(IEEE Journal of the Electron Devices Society)' 최근호에 게재됐다. 연구팀은 반도체의 핵심 부품인 '강유전체 커패시터(전기를 저장하는 장치)'에서 일어나는 미세한 변화에 주목했다. 이 부품 안에는 원자 수준의 작은 '산소 빈자리'가 있는데, 이것이 반도체 피로현상의 핵심 요인이라는 것을 확인했다. 산소 빈자리는 양(+)전하를 띠고 있어 반도체를 오래 사용하면 이들이 중앙으로 몰리게 된다는 것. 마치 사람이 피곤할 때 특정 부위에 통증이 몰리듯 산소 빈자리가 한곳에 뭉치면 반도체 성능이 점차 떨어졌다. 이장식 교수는 "주목할 점은 이 '피로 상태'에 있는 반도체에 순간적으로 높은 전압을 걸어주면 반도체 내부 구조가 재정렬된다는 것"이라며 "산소 빈자리가 다시 중성 상태로 바뀌고 고르게 분산된다"고 설명했다. 이 과정을 통해 반도체는 마치 새것처럼 성능을 회복하게 되는데, 연구팀은 이러한 현상을 '회복(recovery)' 상태라고 명명했다. 이 교수는 "이 기술을 활용하면 반도체 소자를 더 오래 쓰면서도 안정적인 성능을 유지할 수 있게 된다"며 "특히 빠른 동작 속도와 신뢰성이 생명인 인공지능, 자율주행차, 사물인터넷 기기 등 첨단 기술 분야에서 더욱 중요한 역할을 할 것"으로 기대했다. 이 교수는 또 “이번 성과가 강유전체 소재를 이용한 차세대 반도체 개발에 중요한 이정표가 될 것”이라고 덧붙였다. POSTECH 반도체공학과 3+3 학사·석박사 연계 집중교육과정을 이수 중인 제1저자 도현서 연구생은 “반도체 분야에서 실질적인 변화를 이끄는 연구자로 성장하고 싶다”라는 포부를 밝혔다. 연구는 과학기술정보통신부(한국연구재단) 차세대지능형반도체 기술개발사업과 삼성전자 지원으로 수행됐다.

2025.07.11 11:29박희범

장태수 SK하이닉스 부사장, '1c D램' 개발 공로 대통령 표창

SK하이닉스는 장태수 부사장이 지난 19일 서울 중구 대한상공회의소에서 열린 '제52회 상공의 날' 기념 행사에서 대통령 표창을 받았다고 20일 밝혔다. 상공의 날은 산업 및 경제 발전을 이끈 상공업자의 노고를 기리고, 기업 경쟁력을 높이기 위해 제정된 기념일로, 매년 상공업 발전에 기여한 기업인·근로자·단체 등을 대상으로 시상식이 열린다. 이날 장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 10나노(nm)급 6세대(1c) 미세공정 기술이 적용된 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발해 국내 반도체 산업 경쟁력을 높인 공로로 대통령 표창을 수상했다. 장 부사장은 20년간 메모리 선행 기술 및 소자 연구에 매진한 전문가로, 44나노부터 10나노까지 10세대에 걸쳐 핵심 기술 개발에 참여했다. 특히 그는 기존 소자의 미세화 한계를 극복하기 위해 말 안장(Saddle) 모양의 FinFET인 Saddle-Fin 구조를 개발, D램 셀(Cell) 트랜지스터에 성공적으로 적용해 44나노 D램을 세계 최초로 양산하는 데 기여했다. 훗날 이 기술은 모든 D램 제조사로 확산되며 업계 표준으로 자리 잡았다. '1c D램 개발 TF'에서 소자 총괄 리더로 참여한 이후 장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 1c DDR5 D램을 개발하는 성과를 냈다. 1c 공정 기술은 메모리 성능을 높이고 전력 소비를 줄이는 첨단 선행 기술로 HPC(고성능 컴퓨팅) 및 AI 성장의 필수 기술로 여겨진다. 수상 소감을 묻는 최수현 앰버서더의 질문에 장 부사장은 "모두가 함께 이룬 성과"라며 구성원들에게 공을 돌렸다. 그는 “선배님들이 다져놓은 튼튼한 뼈대 위에 구성원이 힘을 합쳐 이룬 성과입니다. 제가 모두를 대신해서 상을 받았다고 생각한다"며 "이번 수상을 위해 물심양면 지원해 주신 선후배 구성원과 가족들에게 감사 인사를 전한다"고 말했다. 이번 성과가 의미 있는 이유를 방승현 앰버서더가 묻자 장 부사장은 “세계 최초, 최단 기간 내 개발을 통해 SK하이닉스가 가장 먼저 기술 주도권을 확보했기 때문”이라고 설명했다. 그는 “메모리의 최소 회로 선폭을 먼저 개발했다는 것은 초고속·저전력 제품을 선제적으로 고객들에게 공급하고, 프리미엄 시장에 빠르게 진입해 초기 수요를 선점한다는 점에서 의미가 있다"며 "이번 1c DDR5 D램 개발로 SK하이닉스는 기술 리더십을 더욱 공고히 할 것”이라고 강조했다. 아울러 장 부사장은 이번에 개발한 기술이 HBM 성능을 높이는 데에도 기여할 것으로 내다봤다. D램 셀 크기를 줄이면, 동일 규격의 실리콘 안에 더 많은 D램 셀을 배치할 수 있다. 이를 통해 규격이 정해진 HBM의 칩 크기 및 높이를 유지하면서 용량을 높일 수 있게 된다. 또한 셀 크기가 작아져 여유 공간이 생기므로 HBM 내부에 다양한 설계를 시도해 여러 기능을 추가할 수도 있다. 아울러 장 부사장은 미세공정 혁신에 더욱 속도를 내겠다는 포부도 밝혔다. 그는 “데이터 저장을 담당하는 캐패시터의 면적을 확보하기 위해 고유전율 소재 및 새로운 구조의 캐패시터 개발에 주력하고 있다"며 "또한 데이터 입출력을 담당하는 셀 트랜지스터의 누설 전류를 최소화하고자 구조 혁신에도 힘쓰는 중"이라고 설명했다.

2025.03.20 15:29장경윤

삼성전기 "실리콘 캐패시터 올해 말 양산...라인업 확대"

삼성전기가 신사업인 실리콘 캐패시터를 빠르면 올해 말에 양산할 계획이라고 밝혔다. 삼성전기는 31일 2023년 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "실리콘 캐패시터는 빠르면 올해 말 또는 2025년에 고성능 컴퓨팅 패키지용 기판에 양산 적용하고 라인업을 확대할 것"이라며 "전장 기술력 강화를 위해 하이브리드 렌즈도 2025년 양산을 목표로 진행 중"이라고 밝혔다. 이어서 "글래스 기판과 모바일용 소형 전고체 전지와 수전해지(SOEC)도 2026년 양산을 목표로 개발 중"이라며 "미래 성장 동력 확보를 위한 신사업 발굴을 지속할 것"이라고 덧붙였다. 실리콘 캐패시터는 급속도로 발전하는 AI 구현을 위한 첨단 반도체 패키지 기술에 대응하기 위한 차세대 캐패시터다. 장덕현 삼성전기 사장은 이달 초 미국 라스베이거스에서 개최된 CES 2024 간담회에서도 "실리콘 캐패시터를 빠르면 올해 말 또는 내년 초에 고성능 컴퓨팅 패키지기판에 양산하고, 향후 서버·네트워크, 자동차 등으로 라인업을 확대할 계획이다"고 밝힌 바 있다.

2024.01.31 16:29이나리

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