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"파운드리 넘어 플랫폼으로"...삼성, 2나노 앞세워 AI 생태계 키운다

삼성전자가 차세대 2nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정과 설계·공정 동시 최적화(DTCO) 기술, 고성능 S램 로드맵을 공개했다. 정부 '제조 AI 전환(M.AX) 얼라이언스'와 연계해 온디바이스 인공지능(AI) 칩을 개발하는 등 국내 시스템반도체 플랫폼 역할을 강화할 계획이다. 삼성전자는 1일 서울 서초사옥에서 파운드리 생태계 프로그램 '세이프(SAFE, Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼 2026'을 열고, 국내 AI 반도체 생태계 협력 확대 방안과 차세대 파운드리 기술 전략을 공개했다. 신종신 삼성전자 파운드리사업부 디자인플랫폼(DP) 개발실장은 기조연설에서 "삼성전자는 AI 수요 대응 역량을 높이는 동시에 SAFE 포럼을 활용해 고객·파트너사와 적극 소통하겠다"며 "고객사와 협력을 본격화하는 한편, 파운드리 생산을 넘어 국내 시스템반도체 산업의 플랫폼 역할을 강화하겠다"고 밝혔다. 국내 대표 AI 팹리스 리벨리온의 박성현 최고경영자(CEO)는 "삼성전자 4나노 파운드리 공정과 첨단 패키징을 기반으로 '리벨100' 신경망처리장치(NPU)를 개발했다"며 "향후 AI 반도체 영역에서 협력하며 소버린 AI를 구축하겠다"고 말했다. 글로벌 전자설계자동화(EDA) 기업 지멘스 EDA의 진 마리 브루넷 수석 부사장 역시 삼성의 선단 공정을 활용한 AI·고성능컴퓨팅(HPC) 반도체의 고속 구현 지원 방안을 소개했다. 삼성전자는 반도체 생태계 협력과 더불어 AI 반도체 수요에 대응하기 위한 맞춤형 공정 로드맵도 공개했다. 설계와 공정 기술을 동시에 최적화해 칩 성능을 극대화하는 DTCO(Design Technology Co-Optimization) 기술, 차세대 2나노 공정 기술과 고성능 S램 경쟁력 강화 방안 등을 소개했다. 전력·성능·면적(PPA) 경쟁력을 높일 계획이다. 삼성전자는 정부·학계와 공조해 국내 시스템반도체 생태계 인프라 확대에도 속도를 내고 있다. 산업통상부가 추진하는 '제조 AI 전환(M.AX) 얼라이언스'에 참여해 자동차·가전·로봇·방산용 저전력·고성능 온디바이스 AI 반도체 개발을 추진 중이다. 국내 팹리스의 초기 시제품 제작 부담을 낮추는 멀티 프로젝트 웨이퍼(MPW) 프로그램 지원을 지속하는 한편, 석·박사급 인재 양성 사업 'K-CHIPS' 사업에도 동참하고 있다. '실리콘 인텔리전스의 연결점'을 주제로 열린 이번 행사에는 글로벌 고객사와 파트너사 관계자 400여 명이 참석했다. 전자설계자동화(EDA), 설계자산(IP), 디자인솔루션(DSP), 가상설계(VDP), 첨단패키징(MDI) 분야 21개 파트너사가 부스에서 솔루션을 선보였다. 삼성전자 관계자는 "최근 AI 반도체 시장이 확대됨에 따라 첨단 공정 기술뿐만 아니라 생태계 구축 역량이 핵심 경쟁력으로 부상했다"며 "국내 시스템반도체 생태계 발전과 파운드리 경쟁력 강화를 위해 SAFE와 MPW 프로그램을 중심으로 고객, 파트너, 정부와 협력을 이어가겠다"고 말했다.

2026.07.01 10:41전화평 기자

삼성, 10년간 국내 2655조 투자...호남 팹에 425조원 신규 투자

삼성그룹이 대한민국을 글로벌 최첨단 산업 클러스터로 도약시키기 위해 향후 10년간 총 2655조원을 투자한다고 29일 밝혔다. 특히 그간 개발 소외 지역으로 꼽혔던 호남에만 425조원을 쏟아부으며, 국가 균형 발전과 AI 산업 혁명의 '새로운 엔진'으로 삼겠다는 구상이다. 이번 투자 발표에서 가장 눈에 띄는 대목은 호남 지역에 대한 대규모 전략적 투자다. 삼성은 ▲글로벌 최첨단 반도체 클러스터 ▲AI 데이터센터 ▲무탄소 미래 에너지 육성을 위해 호남에만 총 425조원을 투자할 계획이다. 호남에 425조 투입…이재용 "서남권 신규 팹으로 수요 대응" 핵심은 반도체다. 삼성전자는 광주에 신규 반도체 팹(Fab)을 건설하고, 디지털 트윈 기반의 혁신 허브를 구축한다. 이는 기흥·화성, 평택, 용인으로 이어지는 기존 클러스터가 한계에 다다른 상황에서, 폭발적인 반도체 수요에 대응하기 위한 선제적 조치다. 광주 클러스터가 구축되면 수도권과 함께 대한민국 반도체 산업을 지탱하는 '양대 핵심 거점'으로 자리 잡게 된다. 이재용 삼성전자 회장은 이날 '대한민국 대도약 3대 메가프로젝트' 국민보고회에서 이같은 계획을 직접 밝히며, 이번 투자가 단순한 외형 확장이 아닌 글로벌 AI 반도체 수요에 대응하기 위한 생존 전략임을 강조했다. 이 회장은 "AI로 인해 기술 패러다임이 상상하지 못할 속도로 변화하고 있어, 적극적인 투자에도 불구하고 폭발적인 수요에 대응하기엔 부족하다는 것이 시장의 시각"이라고 현 상황을 진단했다. 이어 "대통령 말씀대로 지금은 속도전이다. 기흥, 화성, 평택에 이어 용인 국가산단 투자 일정이 많이 빨라졌고, 새로운 단지를 준비할 시점도 앞당겨졌다"고 밝혔다. 소버린 AI 인프라 확보에도 속도를 낸다. 삼성SDS 주도 컨소시엄은 해남 솔라시도에 AI 데이터센터를 건립한다. 이는 해외 빅테크 의존 없이 국가가 주체적으로 AI 생태계를 통제하는 '독립형 AI' 전략의 핵심이다. 해당 센터는 국방·금융·공공서비스의 AX(AI 전환) 지원은 물론, 산업용 피지컬 AI의 거점 역할을 할 예정이다. 에너지와 물류 인프라도 호남에 집중된다. 삼성물산은 호남 지역에 태양광 발전, 원전 기반 수소 생산시설, 그린수소 실증단지를 조성해 무탄소 미래 에너지 시대를 앞당긴다. 또한, 전북 고창에는 최첨단 글로벌 물류 센터를 건설해 물류 혁신을 이끈다. 용인·충청·영남 등 기존 거점도 투자 가속 호남 신규 투자와 더불어 삼성은 기존 지역 투자 계획도 대폭 앞당기거나 강화한다. 삼성은 총 2655조원 중 2030조원을 용인·평택 등 반도체 클러스터 육성에 집중하며 미래 경쟁력을 강화한다. 충청권에는 총 140조원이 투자된다. 삼성전자는 천안·온양에 최첨단 HBM(고대역폭메모리) 팹을 구축하고, 삼성디스플레이는 아산에 XR 기기의 핵심 부품인 마이크로 디스플레이 생산 기지를 건설한다. 삼성SDI와 삼성전기는 각각 천안·세종에 차세대 배터리 마더 팩토리와 AI 서버용 패키지 기판 라인을 구축해 산업 포트폴리오를 고도화한다. 영남권에는 60조원을 투입해 기존 제조업에 AX(AI 전환)와 RX(로봇 전환)를 접목한다. 구미에는 삼성전자의 스마트폰 마더 팩토리와 피지컬 AI·로봇 양산 라인이 들어서며, 부산에는 차세대 IT·전장용 MLCC 거점이 조성된다. 울산에는 삼성SDI의 차세대 배터리 생산 시설이, 거제에는 삼성중공업의 고부가가치 선박 건조 거점이 각각 강화된다. 이재용 회장은 발표회에서 투자 내용을 발표하며 경영 의지를 다졌다. 이 회장은 "항상 위기의식을 갖고 기업인의 본분인 고객 중심, 품질 중시, 최첨단 기술 혁신과 우수 인재 양성에 매진하겠다"고 말했다. 이어 "기업과 정부, 지자체가 함께 힘을 모으면 대통령께서 말씀하시는 '대체 불가능한 대한민국'을 만들 수 있다고 확신한다"며, "글로벌 경쟁에서 초격차로 앞설 수 있도록 최선을 다하겠다"는 의지를 덧붙였다.

2026.06.29 16:46전화평 기자

글로벌 화학기업 獨 헨켈이 한국에 '원스톱 허브' 구축한 이유

선단 공정 경쟁과 차세대 고대역폭메모리(HBM)의 성장으로 반도체 생태계의 전장이 후공정(패키징)으로 이동하고 있다. 미세화가 한계에 다다르면서 칩을 어떻게 적층하고 내부 열을 제어하느냐가 생존을 좌우하기 때문이다. 이러한 전환기 속에 글로벌 화학 기업 독일 헨켈(Henkel)이 차세대 반도체 후공정 소재 시장을 겨냥한 기술 리더십을 선언했다. 헨켈코리아는 16일 서울 마포 본사에서 기자간담회를 개최하고, AI 반도체 시장을 정조준한 첨단 전자재료 포트폴리오와 한국 시장을 아시아 생산 거점으로 삼기 위한 중장기 전략을 공개했다. 차세대 HBM 겨냥… 하이브리드 본딩 우려 불식 AI 가속기 시장의 폭발로 2.5D/3D 패키징, HBM 적층 기술이 후공정의 주류가 됐다. 단수가 높아질수록 열팽창 스트레스로 인한 칩의 '휨 현상'과 '발열 문제'가 동반된다. 헨켈은 이번 간담회에서 후공정 시장 공략의 핵심 카드로 액상 언더필(Underfill), 고신뢰성 인캡슐레이션(봉지재), 방열 소재인 열계면소재(TIM) 라인업을 제시했다. 해당 기술들을 통해 HBM5 등 차세대 메모리 패키징 시장을 선점하겠다는 것이다. 이형희 헨켈코리아 전자재료 사업부 이사는 "HBM 제너레이션이 진화할수록 복잡성이 늘어나고 요구 특성이 달라진다"며 "미세 피치 환경을 안전하게 커버하기 위해 인캡슐레이션 및 언더필, 서멀 소재 기술을 고도화하고 있다"고 밝혔다. 향후 접착제 공간을 없애는 '하이브리드 본딩'이 주류가 될 경우 헨켈의 입지가 줄어든다는 지적에 대해서도 해답을 내놨다. 하이브리드 본딩이 도입되더라도 완료된 모듈 전체를 보호하기 위한 '리퀴드 타입 몰딩 재료(액상 봉지재)'의 수요는 오히려 증가한다는 설명이다. 이 이사는 "최근 웨이퍼 레벨 몰딩을 위해 리퀴드 타입으로 빠르게 바뀌고 있으며 헨켈은 이미 관련 포트폴리오를 보유했다"며 유리전이온도(Tg)를 높이고 열팽창계수(CTE)를 낮춰 하이브리드 본딩 이후 공정에 최적화된 솔루션을 확보했음을 강조했다. 글로벌 소부장 중 유일… 한국 내 'R&D부터 양산까지' 원스톱 체제 확보 장호준 헨켈 접착제 및 전자재료 사업부 대표는 글로벌 화학사들과 차별화되는 무기로 한국 내 자체 완결형 밸류체인 인프라를 꼽았다. 헨켈은 가산 R&D 센터에서 고객 맞춤형 기술을 개발하고, 이를 인천 송도 첨단 전자재료 공장에서 즉시 시험 생산 및 양산할 수 있는 시스템을 구축했다. 2022년 준공한 송도 공장은 아시아 전자재료 비즈니스의 생산 허브다. 반도체 소재 특성상 영하 20도~40도의 초저온 보관과 항공 배송이 필수적인데, 인천공항과 30분 거리에 위치해 물류 효율을 극대화했으며 국내 IDM과 글로벌 OSAT 기업이 인접해 대응 속도를 단축시켰다. 장 대표는 "한국에서 R&D부터 시험 생산을 거쳐 최종 양산까지 원스톱 프로세스를 수행할 수 있는 글로벌 경쟁사는 우리가 유일하다"며 "본사 차원에서도 한국을 글로벌 전자재료의 메카로 인정하고 전폭적인 투자를 이어가고 있다"고 강조했다. 글로벌 규제 선제 대응 및 미래 수요 대비 유휴 부지 확보 환경 규제에 대한 선제적 대응 전략도 명확히 했다. 헨켈은 환경 규제에 맞춘 화합물로 전환하는 로드맵을 실행 중이다. 아울러 태양광 패널 발전 및 빗물 재활용 시스템을 완비한 송도 공장은 국제 친환경 건축 인증인 'LEED 골드' 등급을 획득했다. 한편, 헨켈은 현재 송도 공장의 생산 시설 중 약 30%를 비워둔 상태라고 밝혔다. 이는 급변하는 AI 반도체 시장의 수요 폭발과 고객사들의 대규모 증산 및 긴급 퀄 테스트 요청에 대응하기 위한 '성장 전략 공간'으로, 향후 첨단 장비를 순차 채워 넣어 2030년까지 캐파를 완전히 활성화할 계획이다. 장 대표는 "한국 법인은 아시아 시장에서 일본을 제치고 두 번째로 큰 비즈니스 규모를 자랑할 만큼 성장했다"며 "단순 소재 공급업체를 넘어 파트너사들과 미래 기술 트렌드를 함께 설계하는 핵심 솔루션 프로바이더 역할을 공고히 하겠다"고 포부를 밝혔다.

2026.06.16 17:27전화평 기자

젠슨 황 "SK하이닉스는 최대 파트너...미래도 변함 없을 것"

글로벌 인공지능(AI) 반도체 시장을 독점 중인 엔비디아와 SK그룹이 단순 부품 공급 관계를 넘어 향후 AI 인프라 시장을 공동 설계하는 '초밀착 혈맹'을 선포했다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 최태원 SK그룹 회장은 8일 서울시 중구 SK서린빌딩에서 전방위적 장기 파트너십 체결을 골자로 한 공동 기자간담회에서 이 같은 내용을 밝혔다. 이번 계약은 최소 2년 이상 유지되는 다년 계약이다. 양사는 연간 수십억 달러 규모 기존 협력체계를 한 단계 더 격상하고, 향후 협력 규모를 큰 폭으로 키우기로 합의했다. 젠슨 황 "SK하이닉스, 최대 메모리 파트너...미래에도 변함 없을 것" 이날 SK하이닉스는 엔비디아의 제1공급업체 지위를 확인했다. 황 CEO는 'SK하이닉스가 엔비디아의 제1공급업체냐'는 질문에 “SK하이닉스는 과거에도 우리의 최대 메모리 파트너였으고, 미래에도 변함없이 최대 파트너로 남을 것”이라고 밝혔다. 이어 "SK하이닉스가 없었다면 오늘날 AI 산업은 이토록 아름답게 성장하지 못했을 것"이라며 강력한 신뢰를 표명했다. 최 회장은 "SK하이닉스가 엔비디아의 최대 메모리 공급처인 동시에 엔비디아 역시 SK하이닉스의 가장 큰 고객"이라며 "우리는 엔비디아의 가치사슬에 완전히 헌신(Dedicated)하고 있다"고 강조했다. 이어 "양사가 미래 기술 로드맵을 완벽히 공유하여 글로벌 AI 영토를 가장 효율적이고 빠르게 넓혀나갈 것"이라고 말했다. 최 회장은 다년 계약 체결 배경으로 글로벌 AI 생태계가 직면한 공급 한계를 꼽았다. 그는 "현재 AI 시장은 자원 희소성 문제에 부딪혔다"며 "장기 파트너십을 통해 시장 진입자들과 고객들에게 안정적인 자원 공급이라는 편안함을 제공하고 에코시스템 전체를 안정화하는 것이 핵심 목표"라고 설명했다. 아울러 SK텔레콤 역량을 결합해 한국에 대규모 'AI 팩토리(AIDC)' 인프라를 우선 구축하고 이를 글로벌 시장으로 확장하겠다는 구상도 구체화했다. 내년 매출 1조달러 생태계 주도…서버 넘어 차세대 라인업 전면 탑재 황 CEO는 내년 출시 예정인 차세대 플랫폼 그레이스 블랙웰과 베라 루빈을 통해 내년 한 해에만 1조 달러(약 1549조원) 규모 매출을 올릴 것이라고 예고했다. 이어 거대한 매출 생태계 중추 역할을 SK하이닉스가 담당한다고 밝혔다. 1조 달러 규모 인프라 구축에 필요한 메모리 물량을 SK하이닉스가 주도적으로 공급한다는 의미다. 이번 장기 파트너십에 따라 양사 협력 영역은 기존 AI 서버용 고대역폭메모리(HBM)를 넘어 엔비디아의 차세대 라인업 전체로 다변화된다. 황 CEO는 ▲차세대 AI 슈퍼컴퓨터인 그레이스 블랙웰과 베라 루빈 ▲차세대 고성능 중앙처리장치(CPU) 베라 ▲온디바이스 AI PC 플랫폼 RTX 스파크 ▲차세대 로보틱스 프로세서 토르 등 4대 핵심 하드웨어 아키텍처 전체에 SK하이닉스의 고성능 메모리가 전면 탑재된다고 밝혔다. 일각에서 제기되는 AI 가치사슬 우려와 주가 변동성에 대해서도 황 CEO는 강력한 자신감을 피력했다. 황 CEO는 "우리는 이제 겨우 AI 인프라 구축 1년 차에 와 있을 뿐이며 앞으로 최소 10년 이상 글로벌 인프라 빌드아웃이 지속될 것"이라고 전망했다. 그는 "AI는 이미 기업들에 막대한 수익을 안겨주고 있어 인프라 수요는 결코 멈추지 않는다"며 "최근의 시장 조정은 오히려 주식을 싸게 살 수 있는 기회(할인)"라고 덧붙였다.

2026.06.08 10:39전화평 기자

"캐패시터 없는 DRAM으로 데이터 1천초 유지"

국내 연구진이 인공지능(AI) 연산에 유용한 저전력·고집적 메모리 구조를 제시했다. 별도 캐패시터 없이도 데이터를 안정적으로 저장할 수 있다. 한국전자통신연구원(ETRI)은 산화물 반도체 트랜지스터(TFT)를 적용한 '2T0C(2-트랜지스터-0-캐패시터)' DRAM 구조를 만들었다고 14일 밝혔다. 연구결과는 국제학술지 어드벤스드 사이언스에 온라인으로 게재됐다. 이 기술은 '캐패시터리스 DRAM'이라 불리는 차세대 메모리 방식이다. 현재 쓰이는 DRAM은 1T1C 구조다. 트랜지스터 1개와 캐패시터 1개가 함께 작동해 데이터를 저장한다. 이때 캐패시터는 전기를 저장하는 공간 역할을 한다. 그러나 반도체가 작아질수록 이 캐패시터를 만드는 과정이 어려워지고, 전력 소모도 커지는 문제가 있다. 연구팀은 '산화물 반도체'라는 소재에 주목했다. 알루미늄이 첨가된 인듐-주석-아연 산화물(ITZO) 소재를 사용해 트랜지스터를 만들고, 아산화질소(N2O) 플라즈마 공정을 통해 내부 결함을 정밀하게 조절했다. 산화물 반도체는 전기가 새 나가는 양인 누설 전류가 적고, 전하를 안정적으로 유지할 수 있다. 데이터를 읽는 트랜지스터 채널 비율(W/L)을 최적화해 저장된 전하가 쉽게 사라지지 않도록 설계했다. 그 결과, 1,000초 이상 데이터를 유지하는데 성공했다. 데이터를 '0'과 '1'로 명확하게 구분할 수 있는 범위인 메모리 윈도우도 약 13배 향상됐다. 남수지 플렉시블전자소자연구실 박사는 "산화물 반도체 기술이 차세대 메모리 소자에도 적용될 수 있음을 확인했다. 앞으로 3차원 반도체 집적 기술과 저전력 컴퓨팅 시스템 구현에 중요한 역할을 할 것으로 기대된다”고 밝혔다. 연구는 양차환 UST 과학기술연합대학원대학교 ETRI 캠퍼스 석사과정생이 제1저자로 진행했다.

2026.04.14 08:53박희범 기자

GIST, 가짜 단결정 찾는 차세대 비파괴 검사 기술 개발..."웨이퍼 공정 바로 적용 가능"

단결정을 깨뜨리지 않고, 진짜와 가짜를 쉽게 구별할 수 있는 기술이 개발됐다. 광주과학기술원(GIST)은 화학과 임현섭 교수 연구팀이 차세대 반도체 소재 합성 정도를 시료 손상없이 정확히 판별할 수 있는 차세대 비파괴 분석 기술을 개발했다고 22일 밝혔다. 현재 반도체 주력 소재인 실리콘(Si)은 칩이 작아질수록 성능과 효율이 점점 떨어진다. 전력 소모 증가 등으로 성능 향상에 물리적인 제약도 있다. 이에 따라 주목받는 소재가 원자 한 층 두께에서도 우수한 전기적·광학적 특성을 구현할 수 있는 이차원 반도체 물질이다. 그 가운데서도 특히, 이황화몰리브덴(MoS₂)이 눈길을 끈다. 종이 한 장보다 훨씬 얇은 원자 한 층 두께의 초박막 구조를 지니고 있기 때문이다. 그러나 이 물질을 반도체 칩으로 활용하기 위해서는 모든 원자가 한 방향으로 정렬된 '완벽한 단결정' 상태를 유지해야 한다. 이유는 단결정과 그렇지 않은 결정들이 공존할 경우 경계면에서 전자 흐름이 방해받아 반도체 성능이 급격히 저하되고, 소자 신뢰성이 떨어지기 때문이다. 그래서 필요한 기술이 이차원 반도체 소재의 단결정 여부를 정확하게 가리는 평가 기술이다. 그런데 이 기술 구현이 생각만큼 쉽지 않다. 합성된 시료 원자가 겉으로는 질서정연하게 정렬된 완벽한 결정, 즉 '단결정'처럼 보여도, 실제는 원자 배열이 180도 뒤집힌 '가짜 결정(domain)'이 섞여 있는 경우가 종종 있다. 이를 정확히 파악하기 위해서 기존에는 시료를 절단했다. 또 시료 손상을 주지 않는 비파괴 검사는 얇은 원판 형태 재료를 가공하는 '웨이퍼 공정'에 적용하는 데 한계가 있었다. 웨이퍼 공정은 '전면 균일성'을 요구하는데, 비파괴 광학 기법은 국소 측정에 강해 대면적을 고속·고정밀로 스캔할수록 해석 오차와 시간이 급증한다. 연구팀은 이러한 한계 극복을 위해 '저에너지 전자회절(LEED) 기법에 주목했다. 이는 물질 표면에 낮은 에너지 전자빔을 조사하고, 전자가 원자 배열에 의해 회절되는 패턴을 분석해 표면 결정 구조와 배열 상태를 파악하는 분석 기법이다. 연구팀은 전자빔 에너지를 단계적으로 변화시키며 전자들이 원자 배열에 부딪혀 만들어내는 회절 패턴 강도 변화(회절 신호의 세기 변화)를 정밀 분석했다. 그 결과, 시료를 전혀 파괴하지 않고도 모든 결정이 한 방향으로 정렬된 '진짜 단결정'과 방향이 뒤섞인 결정이 포함된 시료를 명확히 구분하는 데 성공했다. 임현섭 화학과 교수는 "전자는 물질 가장 바깥 원자층에 민감하게 반응하기 때문에, LEED는 특히 원자 한 층 두께의 이차원 반도체와 같은 초박막 소재의 결정성 평가에 적합하다"고 설명했다. 임 교수는 또 "단층 이차원 반도체의 구조적 특성과 전자의 다중 산란 효과를 함께 고려해 결정이 얼마나 잘 정렬돼 있는지를 정량적으로 판단할 수 있는 방법(새로운 전자회절 해석 기준)을 제시, 단순한 이미지 관찰을 넘어 신뢰도 높은 단결정 판별 방법을 확립했다는 점에서 의미가 크다"고 말했다. GIST 기술사업화센터 문희곤 실장은 "새로운 분석 기법 제시에 그치지 않고, 산업 현장 적용 가능성을 함께 제시했다는 점에서도 주목된다"며 "아무리 우수한 반도체 소재가 개발되더라도, 이를 빠르고 정확하게 검사할 수 있는 기술이 없다면 대량 생산이 불가능하다"고 언급했다. 문 실장은 또 "이번에 공개한 분석법은 마치 엑스레이로 촬영하듯 웨이퍼 전체 단결정 품질을 한눈에 확인할 수 있어, 차세대 이차원 반도체 대량 생산 과정에서 정상 제품 비율, 즉 수율을 획기적으로 높일 핵심 기술로 기대된다"며 "차세대 반도체 공정 전반의 품질 관리 표준 기술로 확장될 가능성이 크다"고 덧붙였다. 임현섭 교수는 "실험실 수준에 머물던 이차원 반도체 연구를 산업 현장의 웨이퍼 공정으로 연결하는 중요한 가교 역할을 할 것”으로 기대했다. 연구는 GIST 화학과 임현섭 교수(교신저자)와 김도훈 석·박사통합과정생(논문 제1저자)이 수행했다. 과학기술정보통신부·한국연구재단 기초연구사업, 과학기술정보통신부 이노코어(InnoCORE) 사업으로부터 지원 받았다. 연구 결과는 국제학술지 '나노 레터스'에 온라인으로 공개됐다.

2026.01.22 17:44박희범 기자

삼성-KAIST, 센서·연산·저장 통합한 AI반도체 첫 공개…"전력난 해소 큰 도움"

인공지능(AI)이 불러온 전력난을 반도체 제조 기술로 해결할 방법이 제시됐다. KAIST는 전기및전자공학부 전상훈 교수 연구팀이 '센서–연산–저장'을 통합한 새로운 AI 반도체 제조 방식을 공개했다고 31일 밝혔다. 이 연구는 삼성전자, 경북대, 한양대와 협업으로 수행됐다. 이 기술은 지난 8일부터 10일까지 미국 샌프란시스코에서 열린 '국제전자소자학회(IEEE IEDM 2025)'에서 전상훈 교수팀이 이와 관련한 6개의 기술을 공개, 하이라이트 논문과 최우수 학생 논문으로 각각 선정됐다고 31일 밝혔다. 이들 6개 기술의 핵심은 센서–연산–메모리를 통합해 AI 반도체 풀스택을 구현했다는 점이다. AI 반도체 입력(Perception)-전처리·연산(Computation)-저장(Storage) 전 계층을 단일 재료 및 공정 플랫폼으로 통합, AI 활용에서 대두되는 전력 문제를 최소화했다. 전상훈 교수는 "특히, 입력단 뉴로모픽 센서와 니어-픽셀 기반 아날로그 연산, 하프니아 기반 3D NAND·FeNAND 메모리를 모두 한 플랫폼에서 구현, 엣지 AI·모바일·자율주행·로보틱스·헬스케어 등 분야에서 전력 소모를 획기적으로 줄였다"고 말했다. 주요 연구결과는 ▲ M3D 인-센서 스파이킹 비전(하이라이트 논문) ▲고신뢰성 낸드플래시메모리(최우수 학생논문) ▲2T–2 근접-픽셀 아날로그 MAC(곱셈·누산) 기술 ▲촉각 뉴로모픽 소자 ▲3.5 nm NC-낸드 기술 ▲ΔP(분극변화량) /ΔQit(계면트랩 전하 변화량)/ΔQit'(분극 비의존 계면 트랩 저하 변화량) 완전 분리 측정법 확립 등이다. 하이라이트로 선정된 논문을 통해 빛을 감지하는 기능과 신경세포처럼 신호를 스파이크 형태로 변환하는 기능을 단일 칩에 집적한 연구결과를 공개했다. 빛을 감지하는 센서와 뇌처럼 신호를 처리하는 회로를 아주 얇은 층으로 만들어 위아래로 겹쳐 한 칩에 넣어 보고–판단하는 과정이 동시에 이뤄지는 구조를 구현했다. '세계 최초의 인-센서 스파이킹 컨볼루션' 플랫폼을 완성한 것. 사람의 눈과 뇌 기능을 모사해 하나의 칩 안에 쌓아 올린 반도체 연구 결과다. M3D는 센서와 회로층을 수직으로 한 칩에 적층하는 차세대 집적 기술이다. 기존에는 이미지를 찍고(센서), 숫자로 바꾼 뒤(ADC), 메모리에 저장하고(DRAM), 다시 연산하는(CNN) 여러 단계를 거쳐야 했지만, 이 기술은 센서 안에서 바로 연산이 이뤄져 불필요한 데이터 이동이 필요없다. 전상훈 교수는 "이로인해 전력 소모는 크게 줄이고, 반응 속도는 획기적으로 높인 실시간·초저전력 엣지 AI 구현이 가능해졌다"며 "특히, 기존 카메라–연산–메모리 분리형 구조를 대체할 수 있는 장점이 있다"고 말했다. 뉴로모픽 연구 논문 2편도 관심을 끌었다. 이 논문에서는 기존 이미지 센서에 필요한 복잡한 변환 회로(ADC/DAC)를 제거하고, 픽셀 인근에서 아날로그 방식으로 특징을 추출하는 초저전력 연산 기술을 제안했다. 이로 인해 이미지를 찍는 부품과 계산하는 부품을 따로 두지 않고 센서 단계에서 바로 판단이 가능하다. 사진을 찍어 다른 칩으로 보내 계산하던 기존 방식보다 전력 소모는 줄고 반응 속도는 빨라졌다. =============== 나머지 세 편의 연구에서는 차세대 3D 메모리에 필요한 고신뢰성 저장 구조, 열 안정성이 높은 산화물 채널, 전압을 줄여주는 특수 박막 설계 등의 방법을 제시했다. 이를 통해 같은 재료를 활용해 더 낮은 전압으로 동작하면서도 오래 쓰고, 전원이 꺼져도 데이터를 안정적으로 저장할 수 있는 차세대 낸드 플래시를 구현했다. 연구팀은 대규모 데이터 저장 과정의 안정성과 내구성을 크게 향상시켰다는 평가를 받았다. 연구를 이끈 전상훈 교수는 “센서·연산·저장을 각각 따로 설계하던 기존 AI 반도체 구조에서 벗어나, 전 계층을 하나의 재료와 공정 체계로 통합할 수 있음을 실증했다는 점에서 큰 의의가 있다”며, “앞으로 초저전력 엣지 AI부터 대규모 AI 메모리까지 아우르는 차세대 AI 반도체 플랫폼으로 확장해 나갈 것”이라고 밝혔다. 한편, 연구는 과학기술정보통신부, 한국연구재단 등 기초연구 사업과 극한스케일 극한물성 이종집적 한계극복 반도체기술 연구센터(CH³IPS) 지원을 받았다.

2025.12.31 14:20박희범 기자

차세대지능형반도체사업단, 제주서 통합기술교류회 개최

과학기술정보통신부와 산업통상부는 27~28일 양일간 제주에서 '2025년도 차세대지능형반도체 기술개발사업 통합기술교류회'를 개최한다고 27일 밝혔다. 이번 교류회는 차세대지능형반도체사업단이 주관해 사업에 참여하는 주요 연구자들이 한자리에 모여 그간 연구성과와 최신기술 동향을 공유하고, 연구자 간 협력 네트워크를 강화하기 위해 마련됐다. 과기정통부는 2020년부터 2029년까지 10년간 차세대지능형반도체 기술개발사업을 통해 반도체 소자, 설계, 제조·공정 등 주요 기술개발에 1조96억원을투자할 계획이다. 이번 사업을 통해 올해 2차원 초저전압 스위칭 트랜지스터의 웨이퍼 레벨 구현 기술개발(서울대), 2천 TFLOPS급 서버 인공지능 딥러닝 프로세서 및 모듈 개발(리벨리온), CIS와 AI가 접목된 형광 라이브셀 이미징 플랫폼 기술개발(옵토레인), 1x㎚급 DDI 반도체 테스트 장비 개발(엑시콘) 등의 성과를 창출했다. 더불어 지난 5년간 동 사업을 통해 1천426건의 출원 특허, 1천440건의 SCIE 논문 개제, 설계 IP 1천343건, 1천628명의 신규고용 창출 등 유의미한 성과를 창출했다. 이번 기술교류회에서는 우리나라를 대표하는 리벨리온, 퓨리오사AI, 서울대, 한국전자통신연구원, 테스, 아이씨디, 자람테크놀로지 등의 92개 주관기관(공동연구기관 293개, 중복포함)이 참여해 연구현황 및 성과를 공유한다. 또한 각 전문기관(한국연구재단, 정보통신기획평가원, 한국과학기술기획평가원)과 산·학·연 분야 수행과제 및 전문가 간 간담회를 추진해 성공적인 연구개발 추진을 위한 연구자와 전문기관의 교류를 확대하며, 특히, 한국연구재단은 신규 R&D 사업에 대한 설명회를 함께 추진하여 반도체 분야 연구자를 대상으로 관련정보를 전달할 예정이다. 김형준 차세대지능형반도체사업단 단장은 “10년의 연구기간의 반환점을 통과한 차세대지능형반도체 기술개발사업은 긴 시간동안 정부의 반도체 R&D 생태계 활성화와 반도체 분야 기술 확보에 큰 기여를 해왔다"며 “지난 성과와 더불어 앞으로 더욱 고도화된 성과를 지속적으로 창출하고, 정부의 반도체 정책과의 긴밀한 연계를 통해 국가 반도체 R&D 역량 결집과 이를 통한 반도체 기술의 초격차 확보를 추진 할 수 있도록 노력할 것”이라고 말했다.

2025.10.27 10:46장경윤 기자

POSTECH "쓸수록 성능 떨어지는 '강유전체 메모리' 문제 해결"

강유전체 메모리는 빠른 속도와 비휘발성을 동시에 갖춘 차세대 기술이다. 그러나 반복적인 작동은 메모리 '피로현상'을 일으키며 기능 저하를 초래한다. 이 때문에 강유전체 메모리가 미래 반도체 대안으로 불리지만, 상용화는 어려웠다. 국내 연구진이 이 같은 '피로현상'의 핵심 열쇠를 찾아, 해결 방안을 제시해 관심이다. POSTECH(포항공과대학교)은 반도체공학과 이장식 교수, 도현서 연구생(학부 3년) 연구팀이 오랜 사용으로 성능이 저하되는 '피로현상'을 겪는 반도체 부품을 다시 원래 상태로 되돌리는 혁신적인 기술을 개발했다고 11일 밝혔다. 이 연구결과는 'IEEE 전자 소자 학회 저널(IEEE Journal of the Electron Devices Society)' 최근호에 게재됐다. 연구팀은 반도체의 핵심 부품인 '강유전체 커패시터(전기를 저장하는 장치)'에서 일어나는 미세한 변화에 주목했다. 이 부품 안에는 원자 수준의 작은 '산소 빈자리'가 있는데, 이것이 반도체 피로현상의 핵심 요인이라는 것을 확인했다. 산소 빈자리는 양(+)전하를 띠고 있어 반도체를 오래 사용하면 이들이 중앙으로 몰리게 된다는 것. 마치 사람이 피곤할 때 특정 부위에 통증이 몰리듯 산소 빈자리가 한곳에 뭉치면 반도체 성능이 점차 떨어졌다. 이장식 교수는 "주목할 점은 이 '피로 상태'에 있는 반도체에 순간적으로 높은 전압을 걸어주면 반도체 내부 구조가 재정렬된다는 것"이라며 "산소 빈자리가 다시 중성 상태로 바뀌고 고르게 분산된다"고 설명했다. 이 과정을 통해 반도체는 마치 새것처럼 성능을 회복하게 되는데, 연구팀은 이러한 현상을 '회복(recovery)' 상태라고 명명했다. 이 교수는 "이 기술을 활용하면 반도체 소자를 더 오래 쓰면서도 안정적인 성능을 유지할 수 있게 된다"며 "특히 빠른 동작 속도와 신뢰성이 생명인 인공지능, 자율주행차, 사물인터넷 기기 등 첨단 기술 분야에서 더욱 중요한 역할을 할 것"으로 기대했다. 이 교수는 또 “이번 성과가 강유전체 소재를 이용한 차세대 반도체 개발에 중요한 이정표가 될 것”이라고 덧붙였다. POSTECH 반도체공학과 3+3 학사·석박사 연계 집중교육과정을 이수 중인 제1저자 도현서 연구생은 “반도체 분야에서 실질적인 변화를 이끄는 연구자로 성장하고 싶다”라는 포부를 밝혔다. 연구는 과학기술정보통신부(한국연구재단) 차세대지능형반도체 기술개발사업과 삼성전자 지원으로 수행됐다.

2025.07.11 11:29박희범 기자

HBM 대부 김정호 교수, 다음 달 차세대 HBM 로드맵 공개

올해부터 오는 2040년까지 향후 15년간 고대역폭메모리반도체(HBM) 아키텍처와 구조, 성능, 세대별 특성이 어떻게 진화할 것인지를 조망하는 기술 발표회가 열린다. KAIST 전기및전자공학부 김정호 교수 연구실(KAIST테라랩)은 '차세대 HBM 로드맵(2025~2040) 기술 발표회'를 다음 달 11일 오전9시부터 개최한다고 28일 밝혔다. 김정호 교수는 “급변하는 기술 패권 경쟁 속에서 국내 반도체 산업이 나아갈 방향을 제시하고 AI 반도체의 핵심 축으로 떠오른 차세대 HBM 기술 개발을 위한 구체적인 로드맵을 공유하기 위해 마련했다”고 행사 배경에 대해 설명했다. 'HBM의 아버지'로 불리는 김 교수는 지난 20년 넘게 HBM 관련 설계 기술을 주도했다. 2010년부터는 실제 HBM 상용화 설계에도 참여하고 있다. KAIST 테라랩은 HBM 실리콘관통전극(TSV), 인터포저, 신호 무결성 설계(SI), 전력 무결성 설계(PI) 등에서 연구 독창성을 인정받아 왔다. 이달 말 현재 신태인·손기영 등 2명의 박사후연구원(포닥)을 비롯해 박사과정 10명, 석사과정 17명 등 모두 29명의 학생 연구원이 6세대 HBM인 HBM4부터 HBM8까지 향후 15년 동안 쓰일 것으로 예상되는 차세대 HBM 아키텍처와 구조, 성능 등을 연구 중이다. 테라랩은 HBM 설계를 인공지능으로 자동화하는 연구도 함께 진행 중이다. 테라랩은 강화학습과 생성 인공지능을 결합해 HBM의 전기적, 열적 최적화 연구를 세계적 수준으로 끌어 올렸다는 평가다. 이번 기술 발표회에서는 ▲세대별 HBM 구조와 성능, 특성 ▲데이터 대역폭 확장을 위한 TSV와 인터포저 ▲딥 에칭 기술 등과 전기적 신뢰성 확보를 위한 하이브리드 본딩 기술 ▲발열 문제 해결을 위한 냉각용 TSV 기술 등도 함께 소개된다. 김정호 교수는 “차세대 HBM 관련 기술적인 아이디어와 방향을 소개하기 위해 마련한 것”이라며 "발표 내용은 향후 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 업체와 관련 정보를 공유할 예정이고, 기회가 된다면 실리콘밸리 등 해외에서도 발표회를 가질 것"이라고 덧붙였다. 한편 KAIST 측은 행사 당일 발표회 시작과 함께 줌으로 생중계한다. 유튜브 방송은 이후 테라랩 홈페이지를 통해 공지할 예정이다.

2025.05.28 09:30박희범 기자

전세계가 수십년간 연구만 하던 인화갈륨 반도체화합물 드디어 "발광"

차세대 반도체 화합물로 주목받는 인화갈륨(GaP)을 발광 소재로 사용할 수 있는 길이 열렸다. 인화갈륨은 고효율 발광 소재이지만, 효율이 떨어지는 단점으로 활용이 어려웠다. 전세계 과학기술자들이 효수십년간 연구만 하던 분야다. 한국연구재단은 KAIST 정연식 교수, KIST 김동훈 박사, 동국대 최민재 교수로 구성된 공동연구팀(제1저자 신홍주 박사, 홍두선 박사)이 황화아연(ZnS)을 핵으로 사용해 극도로 얇은 인화갈륨을 형성하는데 성공했다고 21일 밝혔다. 정연식 교수는 "인화갈륨은 전자가 간접 경로로 에너지 레벨을 바꾸는 밴드갭 구조로 인해 발광 소재로는 활용도가 낮았다"며 "수십년 간 아무도 못하던 연구결과"라고 설명했다. 정 교수는 "직접전이밴드갭을 구현하기 위해서는 1나노미터 미만의 밴드갭을 만들어야 하는데, 이를 만들지 못해 실험적 증명 조차도 어려웠다"고 부연 설명했다. 연구팀은 일반적인 초미세 반도체 입자(퀀텀닷)와는 다른 접근법인 퀀텀셀(얇은 껍질)로 인화갈륨 직접 전이 밴드갭 전환을 구현하는데 성공했다. 반도체 분야에서 사용되는 원자층증착법과 에피텍셜 성장의 원리를 콜로이달 합성에 접목하는 방법으로 화화아연 나노결정 위에 단일원자층 갭을 성장시켜 퀀텀셸을 만들어냈다. 에피텍셜은 기존 물질 표면에 원하는 물질을 성장시키는 방법이다. 정 교수는 "연구결과 45.4%의 높은 효율로 보라색 빛을 강하게 방출하는 특성을 확인했다"며 "별도의 보호층 없이도 200일 이상 발광 효율 감소 없이 우수한 성능이 유지되는 높은 안정성을 보였다"고 말했다. 정 교수는 또 "차세대 화합물 반도체 분야 및 광전자, 광학 분야에서 많은 응용이 가능할 것"으로 기대했다. 연구결과는 국제학술지 '네이처 커뮤니케이션즈(Nature Communications)'(9월16일)에 게재됐다.

2025.01.21 16:53박희범 기자

KAIST 초세대협업연구실 3곳 추가 개소…7년만에 12개 보유

KAIST가 7일 '초세대 협업연구실' 3곳을 추가 개소했다. '초세대 협업연구실'은 지난 2018년 첫 오픈 이후 현재까지 총 12개가 됐다. '초세대협업연구실'은 KAIST가 원로 교수와 신진교수의 연구역량 연결 및 지원을 위해 만든 자체 시스템이다. 선발은 BFO(최고,최초,유일)추천위원회 추천과 공개 공모 절차를 거쳐야 한다. 선정된 연구실에는 매년 적게는 5천만 원에서 최대 1억 원까지 5년간 지원한다. 이번에 현판식을 가진 협업연구실은 ▲전기및전자공학부 유회준 교수의 '차세대 인공지능 반도체 시스템 연구실' ▲화학과 김상규 교수의 '분자분광학 및 화학동역학 연구실' ▲전산학부 문수복 교수의 '첨단 데이터 컴퓨팅 연구실'이다. 이들은 선발과정에서 2대1의 경쟁을 거쳤다. '차세대 인공지능 반도체 시스템 연구실'에는 김주영 교수가 참여, 초세대협업연구실을 운영한다. 연구목표는 심층 신경망 및 생성형AI 등 뇌 모방 인공지능 알고리즘을 포함한 차세대 인공지능반도체 설계기술을 체계적으로 협업 및 전수를 통해 핵심기술을 집대성하고, 연구개발 산출물의 활용 가능성을 타진할 예정이다. '분자분광학 및 화학동역학 연구실'은 김태규 교수가 참여해 운영한다. 추후엔 분광학 및 동역학 분야 신임 교수도 합류할 계획이다. 이들은 화학반응을 양자역학적 관점에서 들여다보고, 화학반응 원리를 기반으로 신물질 설계를 추진한다. '첨단 데이터 컴퓨팅 연구실'에는 차미영 교수와 문화기술대학원 이원재 교수가 참여하기로 했다. 연구목표는 온라인상에서 발생하는 부정적인 영향에 대한 분석과 이해를 높이고, 감정과 도덕을 활용한 혐오 전조 탐지 모델을 개발할 계획이다. 한편 이날 현판식은 KAIST 이광형 총장과 이상엽 연구부총장 등 주요 보직자들이 참석했다.

2025.01.07 15:54박희범 기자

반도체 한계 돌파할 신물질 개발…업계 촉각

국내 연구진이 기존에 알려진 금속과는 완전히 반대인 비정질 준금속 나노 극초박막 물질이 세계 처음 개발됐다. 차세대 반도체 원천기술로 활용 가능해 관련 업계 이목이 쏠렸다. 아주대학교는 오일권 지능형반도체공학과·전자공학과 교수를 중심으로 하는 국제 공동 연구팀이 반도체 배선에 사용되는 극초박막에서 비저항이 작아지는 차세대 금속 물질을 개발했다고 3일 밝혔다. 이 연구에는 미국 스탠포드대학 전자공학과의 에릭 팝(Eric Pop) 교수와 아시르 인티자르 칸(Asir Intisar Khan) 박사가 참여했다. 아주대 연구팀은 물질 합성과 메커니즘 및 물성 연구, 스탠포드대 연구팀은 물질 합성과 전기적 특성 연구를 맡았다. 이 연구 결과는 국제 학술지 '사이언스' 1월호에 개재됐다. 이 준금속 물질은 박막 두께가 줄어듦에 따라 비저항이 증가하는 기존 금속들과는 달리 박막 두께가 줄어듦에 따라 비저항이 급격히 줄어드는 특성을 나타냈다. 반도체의 주요 공정 중 하나인 금속 배선(Metallization)은 반도체 칩 안에 있는 단위 트랜지스터 소재를 연결하는 공정이다. 마치 옹기종기 모여있는 마을과 마을, 집과 집 곳곳을 연결하는 도로와 같다. 수 ㎝ 수준의 반도체 칩 한 개에 100㎞에 달하는 금속 배선 물질이 사용된다. 이 금속을 통해 전자가 흘러 정보를 저장하거나 연산해 하나의 칩으로 구동된다. 모든 금속은 비저항 값을 가지며, 이는 물질 고유의 특성을 규정하는 것으로 알려져 있다. 그러나 수 나노미터 단위(1㎚는 10억 분의 1m)의 극초박막에서는 다른 현상이 나타난다. 반도체 소자의 크기가 줄어듦에 따라, 금속 배선의 선폭도 지속적으로 작아지는데, 이에 현재 개발된 수준의 반도체 소자는 전자가 충돌까지 걸리는 거리인 자유행정거리(EMFP) 보다도 선폭이 작아진 상황에 놓였다. 이 때문에 미세화된 배선에서는 전자가 부딪칠 확률이 높아지고, 결국 비저항 값이 비약적으로 상승하게 된다. 이에 반도체 소자의 미세화에 발맞춰 더 낮은 비저항을 갖는 금속 물질을 찾는 것이 산업계와 학계의 화두가 됐다. 반도체의 금속 배선 물질로 주로 사용되어온 구리(Cu)뿐 아니라 최근 구리를 대체하는 물질로 주목받는 몰디브데넘(Mo) 또는 루테늄(Ru) 등의 물질 역시 한계를 보이고 있다. 이 물질들 역시 특정 두께 이하에서는 비저항이 급격히 증가하는 특성을 가졌다. 당장은 구리를 대체할 수 있다고 해도, 결국에는 또 다른 신물질이 필요한 상황이다. 또한 특정 물질을 새로이 반도체 공정에 도입하기 위해서는 수 백억원에서 수 조원 단위의 투자금이 소요된다. 아주대 연구팀이 세계 최초로 개발한 위상 준금속 물질은 기존 금속들과는 정반대로 극초박막에서 비저항이 오히려 작아지는 특성을 보인다. 또한 현재 반도체 공정에 적용할 수 있을 정도로 호환성이 우수하다. 성장 온도가 400℃ 미만의 저온이며, 일반적 금속이 가지는 결정질의 단결정이나 다결정 형태의 박막이 아닌, 비정질 형태의 박막임에도 비저항 역행 현상이 나타난다. 대부분 금속의 경우 비정질이 아닌 결정질 형태가 전자를 수송하기에 용이하고 비저항도 훨씬 낮다고 알려져 있다. 이에 반도체 배선 공정에서도 다결정 형태의 금속 박막을 이용하고 있다. 비정질을 결정질 형태로 만들기 위해서는 금속 박막을 증착한 후, 고온에서의 열처리 후속 공정이 필요하다. 그러나 아주대 연구팀이 새로 개발한 물질은 비정질 물질로 별도의 고온 공정이 필요하지 않다. 즉 새로운 준금속 물질은 적은 비용으로 쉽게 구현할 수 있는 비정질 형태이며 저온 공정이 가능하다. 연구팀은 "반도체 배선 물질에 실제 활용하기 위해 가장 큰 문제가 되는 두 산을 넘었다는 의미를 가진다"고 설명했다. 아주대 연구팀은 이에 대한 후속 연구로 원자층 증착 공정 기반의 위상 준금속 공정을 개발하는 중이다. 원자층 증착법은 물리 기상 증착법에 비해 원자 단위로 박막의 두께를 조절할 수 있어 미세화에 더 적합하다. 이에 상용화에 더 가까운 기술로 평가받고 있다. 오일권 아주대 교수는 “과학자로서 '왜?'라는 호기심을 놓치지 않고 꾸준히 새로운 분야에 대한 연구를 이어왔다”며 “그동안 시도된 적 없는 연구를 통해, 완전히 새로운 물질에 대해 처음으로 실험적으로 입증해 냈다는 점에서 의미 있는 성과”라고 전했다. 오 교수는 이어 “이번 연구를 통해 확보한 신개념 금속 물질은 한계에 직면한 미래 반도체 기술의 돌파구가 될 수 있다”라며 “미래 반도체 산업의 주도권을 선점할 원천기술로 활용될 수 있을 뿐 아니라, 응용 가능성이 무한하다”라고 덧붙였다. 이번 연구는 한국연구재단 우수신진연구와 아주대학교 신임 교원 정착연구비 지원을 받아 수행됐다.

2025.01.03 04:00박희범 기자

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