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KRISS, 양자 비팅 원인 세계 첫 규명…"신호해석 진일보"

서로 다른 두 전자 진동이 겹쳐서 신호가 주기적으로 강해졌다 약해지는 비팅(Beating, 맥놀이) 현상을 국내 연구진이 과학적으로 규명했다. 양자 소자 설계가 더 정교해질 전망이다. 한국표준과학연구원(KRISS)은 위상절연체 나노선에서 수년간 양자신호 해석의 걸림돌이었던 '비팅' 발생 원인을 세계 최초로 규명했다고 19일 밝혔다. 연구는 배명호 KRISS 양자소자그룹 책임연구원과 광주과학기술원(GIST) 최상준 교수 연구팀이 주도하고, 충남대학교와 국립공주대학교 연구팀이 참여했다. 배명호 책임연구원은 전화통화에서 "표면의 위상 전자 상태와 그 아래 일반 전자 상태가 만든, 서로 다른 양자적 진동이 겹치면서 맥놀이가 발생한 것으로 확인됐다"며 "위상 양자소자의 신호 해석과 원하는 전자 상태 구현에 필요한 기준을 제시한 것"이라고 평가했다. 위상절연체는 물질 내부에서는 전기가 잘 흐르지 않지만 표면에는 전자가 이동할 수 있는, 특수한 상태가 존재하는 양자물질을 말한다. 이번 연구에서는 안티몬(Sb)을 첨가한 비스무트 셀레나이드(Bi₂Se₃) 나노선을 사용했다. 배 책임은 "이를 가느다란 나노선으로 만들면 표면 전자가 둘레를 따라 이동하고, 자기장을 가했을 때 서로 다른 경로를 지난 전자의 파동이 간섭해 전도도가 규칙적으로 변하는 '아하로노프-봄(AB) 진동'이 나타난다"며 "그런데 실제 위상절연체에서는 도핑 등의 영향으로 표면 바로 아래에도 전자가 흐르는 얇은 층이 생길 수 있다. 이 층 역시 전자의 이동 경로가 될 수 있지만, 위상 표면 상태와 함께 AB 진동에 참여하는지는 그동안 불분명했다"고 설명했다. 이를 풀 단서는 열전 실험에서 나왔다. 연구팀은 안티몬(Sb)을 첨가한 비스무트 셀레나이드(Bi₂Se₃) 나노선에서 AB 진동이 열전 현상에서도 나타나는지 확인하던 중 '비팅'을 발견했다. '비팅'은 주기가 조금 다른 진동들이 겹쳐 두 소리굽쇠가 '웅-웅-' 소리를 내듯 신호 세기가 변하는 현상이다. 예상하지 못한 다른 진동 성분의 존재를 포착한 결정적 단서를 찾은 것. 연구팀은 이를 바탕으로 기존 전기전도 데이터를 다시 분석한 결과, 동일한 비팅 현상이 존재하고 있었음을 재확인했다. 배 책임은 "수년에 걸친 추적과 분석 끝에 비팅이 '위상 표면 상태(TSS)'와 표면 아래 일반 전자층인 '2차원 전자기체(2DEG)'에서 비롯된 진동 성분들이 겹치며 나타난다는 결론을 내렸다"며 "두 전도 상태를 지나는 전자 경로가 나노선을 감싸는 면적이 미세하게 달라 서로 다른 주기의 진동이 생기고, 이들이 중첩돼 비팅을 일으킨다는 사실을 밝혔다"고 설명했다. 송태근 국립공주대학교 교수 연구팀은 머신러닝을 이용해 기존 분석에서 뭉쳐 보이던 진동 성분을 분리하고, 게이트 전압에 따라 맥놀이 무늬가 변해도 각 진동수는 고유하게 유지됨을 확인했다. 이론 계산도 관측된 특성을 재현했다. 별도 나노선 소자에서도 같은 현상이 검증됐다. 최상준 GIST 교수는 “각 기관 연구진의 실험·이론·데이터 분석 역량이 맞물려 수년간 풀리지 않았던 비팅 원인을 하나의 물리적 그림으로 설명한 성과”라며, “서로 다른 전자 상태의 간섭을 이해하고 제어하는 원리는 향후 위상 양자소자 설계에도 활용될 수 있을 것”이라고 설명했다. 연구 성과는 나노과학분야 국제학술지 '나노 레터스' 제26권 29호 표지논문으로 게재됐다.

2026.08.19 10:43박희범 기자

ETRI "1~2년내 4K온도서 양자컴퓨터 큐비트 구현"

차세대 초전도 큐비트 구현을 위한 요소 기술이 확보됐다. 1~2년 내 양자컴퓨터 초저온 장벽이 제대로 깨질 지 귀추가 주목됐다. 한국전자통신연구원(ETRI)은 창의원천연구본부 위상절연체창의연구실이 기존보다 수백~수 천배 높은 온도인 1~4K 환경에서도 양자 특성을 유지할 수 있는 색심 소재와 소자 기술을 개발했다고 28일 밝혔다. 이는 기존보다 훨씬 높은 온도에서 동작할 수 있는 차세대 초전도 큐비트 구현 가능성을 제시한 셈이다. 이우정 ETRI 위상절연체창의연구실장은 지디넷코리아와의 전화통화에서 "큐비트 자체를 구현한 단계는 아니다. 1~4K에서 동작하는 큐비트를 만든다는 것이 결코 쉬운 일이 아니다"며 "현재 이 같은 큐비트 구현을 위한 소재와 이종접합 계면 제어 기술을 확보했다고 보면 된다"고 말했다. 이 실장은 "올해 상반기 큐비트 설계도가 나온다. 1~2년 내 큐비트를 제작할 하드웨어 단위 공정 기술을 확보할 것으로 예상한다"고 덧붙였다. 현재 초전도 기반 양자컴퓨터는 수십 mK(밀리켈빈, 0.001K 수준)처럼 극도로 낮은 온도에서만 작동하기 때문에 희석냉동기와 같은 대형 장비가 필수다. 이는 양자컴퓨터 상용화와 대중화를 가로막는 큰 제약 가운데 하나로 지적돼 왔다. 연구팀은 위상절연체 '비스무스 셀레나이드' 박막을 웨이퍼 위에 균일하게 성장시키는 기술과 초전도체와 위상절연체가 만나는 경계(이종접합 계면)를 정밀하게 제어하는 기술을 개발했다. 이 소재는 기존보다 약 수백~수천 배 높은 온도인 1~4K(켈빈) 환경에서도 양자 특성을 유지한다. 또 이 소재를 4인치 웨이퍼 규모로 확장하는데도 성공했다. 이종접합 계면에서 발생하는 원자 확산을 제어, 초전도 특성이 유지될 수 있는 조건을 확보한 것. 1~4K 온도는 -272~-269도의 매우 낮은 온도지만, 우주 공간 평균 온도(약 2.7K)와 비슷한 수준이다. 이는 기존 초전도 양자컴퓨터가 요구하는 온도보다 훨씬 높은 온도다. 연구팀은 향후 이 기술이 실제 양자소자로 구현될 경우, 수십억원대 희석냉동기 대신 상대적으로 저렴한 범용 극저온 냉동기(크라이오쿨러) 사용이 가능해 냉각 시스템 구축 비용을 10분의 1 가량 절감할 수 있을 것으로 예측했다. 현재 초전도 양자컴퓨터 크기는 냉각 설비가 대부분을 차지한다. 연구팀은 이 기술이 모두 개발되면, 냉각 설비 단순화로 장비 크기가 기존 컨테이너 수준에서 서버 랙 수준으로 소형화할 것으로 전망했다. 한편 이번 연구를 통해 ETRI는 차세대 초전도 큐비트 구현에 필요한 4대 핵심 원천기술을 확보했다. 4대 원천기술은 ▲셀레늄 활성화 공정 확보 ▲고온초전도체와 위상절연체 간 원자 확산 메커니즘 규명 ▲셀레늄 버퍼층 삽입하는 계면공학기술 개발 ▲위상절쳔체 기초물리 데이터 확보 등이다. 연구팀은 향후 확보된 소재 기술과 초전도 공진기 기술을 결합해 1~4K에서 동작하는 경제적이고 실용적인 양자컴퓨팅 플랫폼 구현을 추진할 계획이다. 유원필 ETRI 인공지능창의연구소장은 “양자컴퓨팅 냉각 기술 한계를 극복할 수 있는 중요한 요소기술을 확보한 것"이라며 "양자컴퓨팅 기술 경쟁력 확보에 크게 기여할 것"이라고 기대했다.

2026.04.28 13:27박희범 기자

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