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'전력 반도체'통합검색 결과 입니다. (86건)

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용인 반도체 1호 팹 부지 조성 75% 달성

오는 2027년 가동을 목표로 한 용인 반도체 공장(팹) 1호기 부지조성공사가 75% 이상 진행된 것으로 나타났다. 또 전력공급을 위한 전력구 공사는 내년 9월께 완공될 전망이다. 산업통상자원부는 29일 박성택 제1차관을 단장으로 관계부처 및 특화단지 지정 지자체, 관계 기관과 함께 '특화단지 범부처 지원협의체' 회의를 개최하고 특화단지 조성 및 기업투자 현황을 점검하고 공유했다. 현재까지 전국 12개 특화단지에서 기업 투자가 정상적으로 추진되고 있고 특화단지별로는 최대 규모인 용인 반도체 특화단지가 차질 없이 조성 중이다. 용인 일반산단의 반도체 팹 1호기는 내년 초 착공해 20277년 가동을 목표로 부지조성 공사가 75% 이상 진행됐고 전력공급을 위한 전력구 공사는 내년 9월경 완공될 예정이다. 또 관계부처와 경기도·공공기관은 반도체 클러스터 성공의 전제조건인 전력·용수 등 핵심 기반시설 공급계획을 점검하고 현안과 대응방향을 논의했다. 정부는 전력·용수 등 특화단지 기반시설 지원을 위해 지난해와 올해 1천400억 여원의 국비를 지원했고 공공기관을 통해 10조원 이상의 투자계획을 추진 중이다. 또한 지자체와 함께 규제를 완화하고, 금융·세제, 인력양성 등도 지원하고 있다. 지자체들은 지난 8월 새로 지정된 바이오 특화단지 5곳 관련, 추진단 구성을 신속하게 마치고 도로·용수 등 기반시설 구축, 인재 양성 등 특화단지 조기 착근을 위해 지원방안을 마련하고 있다. 정부는 그간 협의체에서 접수된 의견 가운데 청주·울산·새만금·포항 이차전지 특화단지 기반시설 구축을 위한 지원 예산을 편성하고 이차전지기업 위험물 취급 특례(위험물안전관리법 시행규칙 개정)를 신설했다. 또 기업이 비수도권 특화단지에 투자할 경우 인센티브(지방투자촉진보조금 가산)를 확대한 바 있다. 산업부는 앞으로도 협의체가 특화단지의 애로를 해소하는 창구로 적극 활용할 방침이다. 박성택 산업부 제1차관은 “신속한 인허가 처리뿐만 아니라 지역 주민과 진심 어린 소통을 통해 기업이 필요로 하는 기반시설을 차질없이 공급해야 한다”며 “첨단전략산업 특화단지가 성공적으로 운영돼 기업이 치열한 글로벌 경쟁에서 앞서 나갈 수 있도록 관계부처와 지자체가 전방위 지원을 아끼지 않겠다”고 밝혔다.

2024.10.29 15:07주문정

TI, 日 아이주 팹 가동...GaN 전력반도체 제조 역량 4배 확대

종합반도체 기업 텍사스인스트루먼트(TI)가 일본 아이주 제조 시설에서 GaN(질화 갈륨) 기반 전력 반도체 제조를 시작했다고 25일 밝혔다. TI는 미국 텍사스주 댈러스에 위치한 기존 GaN 제조 시설에 이어 아이주 공장이 가동되면서, 자체적으로 제조하는 GaN 기반 전력 반도체의 제조량이 4배 증가됐다. 모하마드 유누스 TI 기술 및 제조 담당 수석 부사장은 “TI가 10년 이상 쌓아온 GaN 칩 설계 및 제조 분야의 전문성을 바탕으로 200mm GaN 기술을 성공적으로 검증하고 이를 통해 아이주에서 대량 생산을 시작하게 됐다"고 말했다. 이어 그는 "이번 성과를 통해 TI는 2030년까지 GaN 칩 내부 제조 비율을 95% 이상으로 확대하게 됐다"라며 "TI의 여러 공장에서 에너지 효율적인 고전력 반도체로 구성된 전체 GaN 포트폴리오를 안정적으로 공급할 수 있을 것"이라고 전했다. 아울러 TI는 올해 초 300mm 웨이퍼에서 GaN 제조 공정 개발을 위한 파일럿을 성공적으로 완료하는 등 투자를 확대하고 있다. 이에 따라 TI는 고객의 요구에 따라 GaN 제조 공정을 300mm 기술로 전환할 수 있는 입지를 확보했다. GaN은 실리콘을 대체하는 반도체 소재로 에너지 효율성, 스위칭 속도, 전력 솔루션 크기와 무게, 전체 시스템 비용, 고온 및 고전압 조건에서 장점을 제공한다. GaN 반도체는 더 높은 전력 밀도나 더 작은 공간에서 전력을 제공해야 하는 노트북 및 휴대폰용 전원 어댑터, 냉난방 시스템, 가전제품을 위한 모터에 활용될 수 있다.

2024.10.25 09:26이나리

SK키파운드리, HVIC 공정 기술 출시…고전압 파운드리 서비스 확대

파운드리 기업 SK키파운드리(대표이사 이동재)는 HVIC(고전압집적회로) 공정 기술 출시를 통해 자사 고전압 파운드리 서비스 포트폴리오를 확대했다고 24일 밝혔다. SK키파운드리 HVIC 공정은 5V급 로직, 25V급 고전압 소자, 650V 이상의 nLDMOS(Lateral Double diffused MOS), 650V 이상의 부트스트랩 다이오드(Bootstrap Diode) 등을 하나의 공정에 구현해 고객이 한 개의 칩에 외장 소자를 줄이고 다양한 고전압 기능을 설계할 수 있다. 여기 포함된 25V 고전압 소자 및 650V nLDMOS 소자의 경우 높은 전류 성능을 확보해 고객 제품 경쟁력 향상에 기여할 것으로 기대된다. 또한 비휘발성 메모리 소자인 MTP(멀티 타임 프로그램) IP와 OTP(원 타임 프로그램) IP를 옵션으로 함께 제공해 고객이 하나의 디자인에서 다양한 제품 스펙 변경이 가능하다. SK키파운드리는 이번 HVIC 공정 개발을 통해 기존 고전압 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정의 200V 이하 제품과 Thick IMD(Inter Metal Dielectric) 옵션을 통한 1천500V 이상 초고전압 제품 라인업에 더해, 650V~1천200V 수준의 게이트 드라이버 제품까지 고전압 라인업을 확대하게 됐다. 특히 이번 공정은 자동차용 품질 규격 AEC-Q100 1급을 만족해 자동차용 모터 드라이버 및 전기 자동차용 OBC에 적합할 뿐 아니라, 태양광용 인버터 등 향후 수요 증가가 예상되는 다양한 응용 분야로의 사업 확장이 기대되고 있다. HVIC 공정을 사용하는 주요 제품에는 MCU(마이크로 컨트롤러 유닛)에서 제어 신호를 받아 고전압 MOSFET 또는 IGBT 등의 게이트를 직접 구동하는 고전압용 게이트 드라이버 IC 등이 있다. 이는 대형 백색 가전용 모터 드라이브, 데이터 서버용 전압 변환기, 자동차용 모터 드라이브 및 OBC(On Board Charger), 산업용 모터 드라이브 등 다양한 전력용 제품에 사용되고 있다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "HVIC 공정 기술 출시로 대형 가전과 차량용 모터 시장에서 SK키파운드리 경쟁력을 강화하게 되어 의미 있게 생각한다"며 "지속적인 HVIC 포트폴리오 확대를 통해, 차세대 전력 반도체 고전압 소자용 게이트 드라이버 IC 등 다양한 응용 분야에 적용 가능토록 기술 우위를 확보해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.10.24 09:01장경윤

로옴-덴소, 반도체 분야 협력 강화 검토

로옴은 덴소와 반도체 분야에서 전략적 파트너십 검토 개시에 합의했다고 15일 밝혔다. 탄소 중립 실현을 위해 전동차 개발 및 보급이 가속화됨에 따라, 자동차의 전동화에 필요한 전자부품이나 반도체의 수요가 급격하게 높아지고 있다. 또한 교통 사고 사망자 제로(zero)화에도 기여할 것으로 기대되는 자동 운전이나 커넥티드 등 자동차의 지능화를 서포트하는 제품으로서도 반도체의 중요성이 높아지는 추세다. 지금까지 덴소와 로옴은 자동차용 반도체의 거래 및 개발을 통해 협력을 추진해 왔다. 앞으로도 양사는 고신뢰성 제품의 안정적 공급을 실현함과 동시에, 지속 가능한 사회에 기여할 수 있는 고품질 및 고효율의 반도체 개발에 관한 다양한 활동을 전개하기 위해 본 파트너십을 검토할 계획이다. 아울러 덴소는 본 파트너십을 한층 더 강화하고자, 로옴의 일부 주식을 취득할 예정이다. 하야시 신노스케 덴소 대표이사는 "로옴은 아날로그, 파워 디바이스, 디스크리트 등 차량용 일렉트로닉스 제품에서 중요시되는 폭넓은 영역의 반도체 라인업과 풍부한 양산 실적을 보유하고 있다"며 "덴소가 지금까지 축적해온 차량용 기술과 지견을 융합함으로써, 안정 공급과 기술 개발을 가속화시킬 수 있을 것으로 생각하고 있다"고 밝혔다. 마츠모토 이사오 로옴 대표이사는 "덴소와의 파트너십 및 덴소에 의한 주식 취득을 통해, 덴소와의 협력 관계가 한층 더 강화될 것으로 생각하고 있다"며 "자동차 및 산업기기 분야에서 고도의 시스템 구축 능력을 보유한 덴소와의 융합을 심화시킴으로써, 지속 가능한 사회의 실현에 기여할 수 있을 것으로 생각한다"고 말했다.

2024.10.15 10:54장경윤

쎄닉, 전력반도체용 6인치 SiC 웨이퍼 개발 성과 'ICSCRM'서 발표

국내 실리콘카바이드(SiC) 소재 전문기업 쎄닉은 미국 랄리(Raleigh)에서 열린 '2024 국제 SiC 및 관련 재료 컨퍼런스(ICSCRM 2024, 9월 29일~10월 4일)학회에서 'Invited 포스터'로 선정됐다고 2일 밝혔다. 이에 따라 쎄닉은 공동연구를 진행한 한국세라믹기술원과 동의대, 충남대, 일본 나고야 대학 등과 ICSCRM 행사에 참석했다. 한국세라믹기술원 반도체소재센터 신윤지 박사는 쎄닉에서 개발한 6인치 SiC 웨이퍼의 품질평가를 위해 지난 2023년도부터 일본 나고야 대학 하라다 교수와 함께 X-ray topography(XRT) 분석법을 이용한 연구를 수행해왔다. XRT 분석법은 단결정 소재 내 원자 단위의 미세한 결함을 X-선을 이용해 비파괴 방식으로 분석하는 방법이다. 연구팀은 일본 나고야 대학에서 규슈 싱크로트론 광연구센터에 구축해둔 XRT 분석 장치를 이용해 SiC 잉곳 성장 시 초기 온도구배의 불균형으로 인해 발생하는 결정학적 결함종류 및 밀도를 평가하고, 구체적인 생성 메커니즘을 규명하는 등 SiC 웨이퍼를 생산 중인 쎄닉에 중요한 조력자 역할을 하고 있다. 쎄닉은 전력반도체용 SiC 기판소재 기술 국산화 및 국내 기술경쟁력 강화에 기여한 공로를 인정받아 제58회 발명의 날 '은탑산업훈장'과 2023년 31주차 'IR52 장영실상'을 수상한 경력을 가지고 있다. 특히 올해 4월에 발표한 산업통산자원부, 한국산업기술기획평가원, 한국반도체연구조합이 함께 지원하는 대형 국책사업인 '화합물전력반도체 고도화기술개발사업'('24~'28, 총 1천385억 원 사업비)중 세부과제인 'SiC 기판 가공 기술'의 주관기관으로 선정되어 동의대, 한국생산기술연구원, 한국세라믹기술원, 피제이피테크와 함께 공동연구를 수행 중이다. 또한 교육부와 한국산업기술진흥원이 지원하는 '2024년 첨단산업 인재 양성 부트캠프' 사업에 선정된 동의대(이원재 교수, 단장)와 2029년 2월까지 기업의 현장 중심형 교육을 위한 프로그램에 참여하여 학생 대상 취업 연계를 진행할 예정이다. 올해 연말까지 200mm SiC 웨이퍼 시제품을 출시하기 위해 막바지 연구개발 집중과 2025년 200mm SiC 웨이퍼 양산투자를 계획 중이며, 내년에 부산 벡스코에서 열릴 SiC 관련 국제학술대회인 ICSCRM 2025에서 발표 및 전시를 통해 국내최초로 200mm SiC 잉곳 및 웨이퍼를 세계시장에 선보일 것을 기대하고 있다.

2024.10.02 16:40장경윤

정부, 내년 반도체 R&D 예산 12% 증액…업계 "성장동력 기대"

정부가 내년 반도체 연구개발(R&D) 예산을 올해보다 12% 늘리며 시스템반도체와 첨단 패키징 등을 집중 지원할 방침이다. 이는 다른 분야와 비교해 높은 예산 증가율로, 반도체 업계는 이번 R&D 예산 증액이 반도체 경쟁력 강화에 성장동력이 될 것이라고 평가했다. 정부는 지난달 28일 2025년 R&D 예산을 올해보다 3조2천억원(11.8%) 늘어난 29조7천억원으로 역대 최대 규모로 책정했다. 올해 R&D 예산(26조5천억원)은 작년(29조3천억원) 보다 큰 폭으로 줄어든 바 있다. 이번 예산 증액은 정부가 반도체를 비롯해 디스플레이, 이차전지, AI, 첨단바이오, 양자 분야 등 초격차 기술을 적극적으로 육성하려는 의지가 반영된 것이다. 지디넷코리아 취재에 따르면 2025년 R&D 예산에서 반도체 부문은 2천억원 중반으로 전년 보다 약 12% 증가했다. 특히 정부는 시스템반도체와 팹리스 기업을 적극 육성한다는 목표로 시스템반도체 기술 개발에 집중 지원하기로 했으며, 반도체 인재 양성에도 지원을 확대하기로 결정했다. 작년과 비교해 R&D 예산 규모가 늘어난 사업은 ▲시스템반도체 수요연계 온라인플랫폼 지원 ▲시스템반도체 IP(설계자산) 뱅크 플랫폼 구축 ▲팹리스 기업 첨단 장비 공동 이용 지원 ▲첨단 반도체 양산연계형 미니팹 기반구축 ▲고신뢰 반도체 상용화 위한 팹리스 검사검증지원 등이 대표적이다. 그 중 시스템반도체 수요 연계 온라인플랫폼 지원 사업인 '콤파스(COMPAS)'는 시스템반도체 분야 수요가 있는 기업과 기술을 가진 반도체 공급 기업을 매칭하고, 상용화를 위한 시제품 개발에 필요한 사업비를 지원해주는 사업이다. 내년 콤파스 R&D 예산이 늘어남에 따라 수요와 공급(팹리스, IP, 디자인하우스, 패키징, 파운드리)의 시스템반도체 생태계 조성에 기여할 것으로 기대된다. 또한 미래 먹거리로 꼽히는 화합물 전력반도체와 첨단 패키징은 시스템반도체 강국을 위해 반드시 필요한 기술로, 정부가 본격적으로 육성하는 신사업이다. 지난 6월 출범한 화합물 전력반도체 고도화 기술개발 사업은 올해부터 2028년까지 총 1384억6천만원(국비 938억8천만원, 민간 445억8천만원)이 투입된다. 반도체 첨단패키징 선도 기술개발 사업은 내년부터 2031년까지 2천744억원을 지원할 예정이다. 안기현 반도체산업협회 전무는 "반도체는 대한민국 산업의 기반이 되는 핵심 사업으로, R&D를 통해서 경쟁력을 확보하는 것이 중요하다"며 "글로벌 경쟁이 치열한 반도체 산업에서 이번 예산 증액은 업계에 매우 긍정적인 소식으로, 새로운 성장동력이 될 것으로 기대된다"고 말했다.

2024.09.12 17:48이나리

인피니언, 'GaN' 시장 판도 뒤흔든다…"12인치 기술 개발 성공"

인피니언 테크놀로지스는 업계 최초로 300mm(12인치) 파워 GaN(갈륨나이트라이드) 웨이퍼 기술 개발에 성공했다고 11일 밝혔다. 인피니언은 "이 획기적인 기술은 GaN 기반 전력 반도체 시장을 크게 성장시키는 데 기여할 것"이라며 "300mm 웨이퍼는 200mm(8인치) 웨이퍼에 비해 웨이퍼 당 2.3배 더 많은 칩을 생산할 수 있기 때문에 생산성과 효율성이 크게 향상된다"고 설명했다. GaN은 기존 반도체 주력 소재인 실리콘(Si) 대비 고온·고압에 대한 내구성이 높고, 전력효율성이 뛰어나다. 덕분에 AI 시스템용 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 충전기 및 어댑터, 자동차 등 여러 산업에서 수요가 증가하고 있다. 현재는 200mm 공정에서 양산되고 있다. 300mm GaN 기술의 중요한 이점은 갈륨 나이트라이드와 실리콘이 제조 공정에서 매우 유사하기 때문에 기존 300mm 실리콘 제조 장비를 활용할 수 있다는 것이다. 인피니언의 대규모 실리콘 300mm 생산 라인은 신뢰할 수 있는 GaN 기술을 적용하기에 이상적이며, 이를 통해 구현을 가속화하고 자본을 효율적으로 사용할 수 있다. 요흔 하나벡 인피니언 CEO는 "이 놀라운 성공은 인피니언의 혁신 역량과 글로벌 팀의 헌신적인 노력의 결과로, GaN 및 전력 시스템 분야의 혁신 리더인 인피니언의 입지를 입증하는 것"이라며 "이 기술 혁신은 업계를 변화시키고 GaN을 최대한 활용할 수 있도록 할 것"이라고 말했다. 인피니언은 오스트리아 빌라흐에 위치한 파워 팹의 기존 300mm 실리콘 생산 파일럿 라인에서 300mm GaN 웨이퍼를 제조하는 데 성공했다. 인피니언은 기존 300mm 실리콘과 200mm GaN 생산에서 쌓아온 역량을 활용하고 있으며, 시장 수요에 맞추어 GaN 생산 능력을 확장할 것이다.

2024.09.11 17:30장경윤

SK키파운드리, 4세대 0.18㎛ BCD 공정 출시...모바일·차량용 전력반도체 지원

반도체 파운드리(위탁생산) 기업 SK키파운드리가 4세대 0.18㎛ BCD 공정을 출시한다고 11일 밝혔다. 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 기존 3세대 대비 성능이 약 20% 향상돼 모바일 및 차량용 전력 반도체 성능 향상을 지원한다. SK키파운드리의 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 3.3V, 5V, 18V 등 다양한 전력 소자 게이트 입력단을 포함한 40V급까지의 전력 소자들을 제공한다. 이런 특징으로 서버 및 노트북용 전력 반도체(PMIC), DDR5 메모리용 PMIC, 모바일 충전, 오디오 앰프, 차량용 게이트 드라이버 등 다양한 응용 분야에서 사용될 수 있다. 또한 트리밍용 MTP(Multi-Time Programmable), OTP(One-Time Programmable) 메모리, S램 메모리 등을 옵션으로 제공해 고객의 제품 설계를 용이하게 한다. 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 자동차용 전력 반도체에서도 사용할 수 있다. 125℃ 고온 환경에서 IC 동작을 보장하는 자동차 품질 규격 AEC-Q100 Grade1을 갖췄다. 또 Thick IMD(Inter Metal Dielectric) 옵션 제공을 통해 15000V 이상 고전압을 견디는 자동차용 아이솔레이터 제품 설계 또한 가능하다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "새로운 4세대 0.18㎛ BCD 공정을 고객에게 제공하게 된 것을 기쁘게 생각한다"며 "SK키파운드리는 전력용 반도체 공정 기술 경쟁력을 지속 강화하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 AI 서버용 PMIC, DDR5 PMIC, 자동차용 게이트 드라이버 IC 등 향후 높은 성장이 기대되는 다양한 응용 분야로 사업을 확대해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.09.11 08:47이나리

삼성전자, 차세대 'GaN 전력칩' 초도생산 준비…설비 도입

삼성전자가 질화갈륨(GaN) 파운드리 시장 진출을 위한 설비투자를 지난 2분기 진행했다. 다만 도입한 장비 규모는 매우 적은 수준으로, '초도 생산'을 위한 최소한의 준비를 진행한 것으로 관측된다. 대규모 양산 투자는 향후 고객사 확보 및 시장 성장세에 따라 윤곽이 드러날 전망이다. 2일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 2분기 GaN 전력반도체 양산을 위한 설비를 소량 도입했다. GaN은 실리콘 대비 고온·고압 내구성, 전력 효율성 등이 높은 차세대 전력반도체 소재다. 이 같은 장점 덕분에 IT·통신·자동차 등 산업 전반에서 수요가 증가하고 있다. 삼성전자 역시 GaN 전력반도체 산업의 성장성에 주목해 시장 진출을 추진해왔다. 지난해 6월 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2023'에서는 "컨슈머, 데이터센터, 오토모티브 향으로 2025년 8인치 GaN 전력반도체 파운드리 서비스를 시작하겠다"고 공식 발표한 바 있다. 이에 따라 삼성전자는 지난 2분기 기흥 공장에 독일 엑시트론의 유기금속화학증착(MOCVD) 장비를 도입했다. 기흥은 삼성전자의 8인치 파운드리 양산을 담당하는 곳으로, 현재 GaN 전력반도체 공정은 8인치가 주류를 이루고 있다. 삼성전자가 GaN 연구개발(R&D)을 위해 기투자한 설비도 이곳에 위치해 있다. MOCVD는 금속 유기 원료를 이용해 박막을 성장시키는 기술이다. 실리콘 혹은 탄화규소(SiC) 웨이퍼 위에 GaN 물질을 올리는 GaN 웨이퍼를 만드는 데 핵심적인 역할을 담당한다. 현재 GaN 웨이퍼용 MOCVD 장비는 엑시트론, 미국 비코 두 기업이 사실상 독점하고 있다. 특히 엑시트론의 점유율이 압도적인 상황으로, 삼성전자는 지난해 펠릭스 그라베르트 엑시트론 최고경영자(CEO)와 만나 장비 공급을 논의하기도 했다. 당시 거론된 투자 규모만 30~40대 수준이었던 것으로 알려졌다. 다만 삼성전자가 이번에 진행한 투자는 엑시트론의 최신형 MOCVD 장비를 1~2대 들인 수준에 불과한 것으로 파악됐다. 아직 대형 고객사를 확보하지 못했고, 회사의 설비투자가 HBM(고대역폭메모리) 등 일부 분야에 집중된 만큼 투자 속도를 조절하려는 전략으로 풀이된다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자는 이미 기흥에 GaN 관련 연구개발 설비를 투자했던 상황으로, 올해 중반에도 소량 장비를 도입했다"며 "다만 삼성전자가 당초 예상됐던 대규모 양산 투자에는 다소 신중하게 접근하는 분위기"라고 설명했다. 한편 DB하이텍과 SK키파운드리 등도 GaN 파운드리 사업을 준비 중이다. DB하이텍은 지난해 말 GaN 관련 설비투자를 진행해, 내년 초도 양산을 진행할 계획이다. 본격적인 양산 투자는 2027년에 집행하는 것을 목표로 삼고 있다. SK키파운드리는 기존 설비를 활용한 GaN 초도 양산을 이르면 내년 시작할 것으로 알려졌다.

2024.09.02 10:40장경윤

로옴, 中 지리에 제4세대 SiC MOSFET 베어 칩 공급

로옴(ROHM)은 자사의 제4세대 SiC MOSFET 베어 칩을 탑재한 파워 모듈이 자동차 제조사 Zhejiang Geely Holding Group(지리)에 공급한다고 29일 밝혔다. 해당 모듈은 지리의 전기자동차(EV) 전용 브랜드 'ZEEKR'의 3개 차종 'X, '009', '001'의 트랙션 인버터에 채용됐다. 이 파워 모듈은 2023년부터 로옴과 ZHENGHAI 그룹의 합작 회사인 HAIMOSIC(SHANGHAI) Co., Ltd.에서 양산 출하를 시작했다. 지리와 로옴은 2018년부터 기술 교류를 시작해 2021년에는 SiC 파워 디바이스를 중심으로 한 전략적 파트너십을 체결하는 등 지속적으로 협력해 왔다. 이번에 그 성과로서 상기 3개 차종의 트랙션 인버터에 로옴의 SiC MOSFET가 탑재됐다. SiC MOSFET를 중심으로 하는 로옴의 파워 솔루션으로 차량의 주행 거리 연장 및 고성능화에 기여한다. 로옴은 2025년에 제5세대 SiC MOSFET의 시장 투입을 계획함과 동시에 제 6세대 및 제 7세대의 시장 투입 계획도 앞당기는 등, SiC 디바이스의 개발에 주력하고 있다. 로옴은 "베어 칩 및 디스크리트, 모듈 등 다양한 형태로 SiC를 제공할 수 있는 체제를 구축함으로써 SiC의 보급을 추진해 지속 가능한 사회의 실현에 기여하고 있다"고 밝혔다.

2024.08.29 11:36장경윤

"폭염 지나면 전기요금 인상…이른 시일 정상화"

안덕근 산업통상자원부 장관은 26일 “폭염이 지나면 전기요금을 인상할 예정”이라고 밝혔다. 안 장관은 26일 정부세종청사 인근에서 개최한 간담회에서 “전기요금까지 인상하기 어려운 상황이지만 폭염 상황이 지나면 최대한 시점을 조정해서 전기요금을 웬만큼 정상화하도록 노력할 것”이라며 이같이 말했다. 안 장관은 “(전기요금 인상률은) 고민 많이 하고 있어서 찍어서 말씀 드리지 못 하지만 최대한 이른 시일 안에 정상화하려고 하고 있다”면서 “에너지 바우처 등 필요한 취약계층에 지원은 당에서도 확대하기로 했다”고 덧붙였다. 안 장관은 이어 “내년 산업부 예산은 11조5천10억원으로 명목상 218억원 증가했지만 금융위 예산으로 간 반도체·원전 성장 펀드를 감안하면 올해보다 3천418억원(3%) 정도 늘어났다”고 밝혔다. 안 장관은 “내년 예산에 가장 방점을 둔 것은 첨단산업 육성·수출·외국인투자 활성화·경제안보 강화·글로벌 중추 경제통상 ODA 예산 증액”이라며 “예산 자체 전체 규모는 줄어든 것처럼 보이지만 무탄소에너지·지역경제 활성화를 핵심 정책으로 해 예산을 집중 편성했다”고 덧붙였다. 반도체는 17.3% 증액했고 수출 활성화도 4.5% 늘려 잡았다. 연구개발(R&D) 예산은 올해보다 9.8% 늘어난 5조2천790억원으로 편성해 진난해 수준을 회복했다. 안 장관은 “무탄소에너지 부분은 전체적으로 3.7% 감소했지만 신재생 보증사업을 키워서 역점을 뒀고 지역 활성화는 최근 부동산 PF 문제가 된 있는 지식산업센터 같은 부분 펀드를 줄이면서 예산이 전체적으로 줄어든 것처럼 보이지만 기회발전특구 중심으로 수요가 집중된 분야 투자는 적극적으로 확대했다”고 설명했다. 안 장관은 전력수급과 관련해 “역대 전력수급 기준으로 1, 2, 3, 5위가 지난 2주 동안 발생했다”며 “이는 우리나라 전력수급 상황의 구조적 문제가 극명하게 드러난 것”이라고 말했다. 안 장관은 “폭염이 있는 여름철에 장마와 태풍이 오기 때문에 남부지방에 집중된 태양광 시설을 활용하지 못해 특수 상황이 계속 발생하고 있다”며 “(2011년) 9월 15일 순환정전처럼 (더위가) 지났다고 생각했을 때 늦더위에 터지는 것이어서 다시 한번 경각심을 끌어올려 전력수급에 만전을 기할 것”이라고 강조했다.

2024.08.27 16:10주문정

비테스코, 인피니언 'CoolGaN' 통해 최고 전력밀도 DCDC 컨버터 개발

비테스코 테크놀로지스는 'Gen5+ GaN Air' DCDC 컨버터의 전력 효율을 높이기 위해서 인피니언의 '650V CoolGaN'을 선택했다고 19일 밝혔다. 인피니언의 650V CoolGaN 트랜지스터는 전반적인 시스템 성능을 크게 향상시키는 동시에 시스템 비용을 최소화하고 사용 편의성을 높인다. 그 결과 비테스코는 전력망, 전원 공급 장치, OBC 등에 전력밀도(96% 이상의 효율)와 지속가능성에 새로운 기준을 제시하는 차세대 DCDC 컨버터를 개발했다. 고주파 스위칭 애플리케이션에서 GaN 기반 트랜지스터의 장점은 상당하나, 더욱 중요한 것은 100kHz에서 250kHz 이상으로 향상된 높은 스위칭 속도다. 이는 하드 스위칭하는 하프 브리지 구조에서도 스위칭 손실을 매우 낮출 수 있어 열 및 전체 시스템 손실을 최소화한다. 인피니언의 CoolGaN 트랜지스터는 빠른 턴온 및 턴오프 속도와 상단 냉각 TOLT 패키지를 특징으로 한다. 공냉식이므로 액체 냉각이 필요하지 않아 전체 시스템 비용을 줄인다. 650V CoolGaN 트랜지스터는 전력 효율과 밀도를 향상시키고 800V 출력도 가능하게 한다. 그 밖에도 50mΩ의 온-저항(RDS(on)), 850V의 드레인-소스 과도 전압, 30A의 IDS,max, 및 60A의 IDSmax,pulse를 특징으로 한다. GaN 트랜지스터를 사용함으로써 비테스코 테크놀로지스는 시스템의 전체 비용을 절감할 수 있는 수동 냉각 기능을 갖춘 Gen5+ GaN DCDC 컨버터를 설계할 수 있었다. 또한 GaN 디바이스는 컨버터 디자인과 기계적 통합도 간소화할 수 있게 한다. 결과적으로, DCDC 컨버터를 차량에 유연하게 배치할 수 있어 제조업체의 작업량을 줄일 수 있다. 그 뿐만 아니라 GaN을 사용하면 컨버터 전력을 최대 3.6kW로 확장하고 전력 밀도를 4.2kW/I 이상으로 높일 수 있다. Gen5+ GaN Air DCDC 컨버터는 Gen5 수냉식 컨버터에 비해 96% 이상의 효율과 향상된 열 동작을 제공한다. 이 컨버터는 14.5V에서 248A의 연속 전류를 2상 출력으로 제공하고, 최대 출력 전력을 달성하기 위해 위상을 결합할 수도 있다. 또한 부분 부하 조건일 때는 한 상을 끌 수도 있고, 두 위상들 간에 스위칭 주파수를 인터리브할 수도 있다. 추가적으로 두 위상의 입력을 직렬연결로 전환하면 650V CoolGaN 전력 트랜지스터 기반의 컨버터들도 디바이스의 최대 블로킹 전압을 초과하지 않으면서 800V 아키텍처를 구현할 수 있다. 인피니언의 CoolGaN 트랜지스터 650V 제품은 현재 공급을 시작했다.

2024.08.19 10:26장경윤

아이언디바이스, 산업부 '화합물 전력반도체용 파워IC 사업' 주관기업 선정

혼성신호 SoC 반도체 전문기업 아이언디바이스가 산업통상자원부가 추진하는 화합물전력반도체 고도화기술개발 사업에서 주관기관으로 선정됐다고 23일 밝혔다. 아이언디바이스가 참여하는 과제는 'SiC 시스템용 부동전원 DC·DC컨버터 내장 저전력·절연형 단일칩 센스 앰프 기술'이다. 한국산업기술기획평가원이 전문기관, 아이언디바이스가 주관기관으로 참여한다. 아이언디바이스는 기존의 갈바닉 절연구동 기술과 절연앰프 기술을 고도화하고 산학연 협력을 통해 절연 전원공급 회로까지 개발해 2027년 말까지 상용화 가능한 기술을 완성할 계획이다. 참여 기관인 큐알티와 함께 국내 기반기술이 전무한 갈바닉 절연 평가환경을 구축하고 평가 기준을 확립할 예정이다. 급격한 시장 성장이 기대되는 화합물전력반도체는 ▲전기차 ▲이모빌리티 ▲친환경 에너지 ▲산업용 기기 ▲서버 전원 등 다양한 분야에서 널리 사용될 전망이다. 이에 아이언디바이스는 2010년부터 관련 정부 과제에 참여해 왔고, 2019년부터 진행한 '650V GaN IPM 및 게이트 드라이브 IC개발' 과제에서 GaN IPM용 IC 개발을 완료했다. 2022년부터는 'SiC MOSFET 소자 적용 단상·3상AC·DC 컨버터 스마트 파워IC 개발' 과제를 주관해 SiC전력소자용 구동IC 개발을 성공적으로 진행하고 있다. 아이언디바이스 관계자는 "아이언디바이스가 개발한 시제품이 지난 6~7년간 산업계에서 철저한 기술 검증을 받아왔다"며 "당사는 이러한 제품의 시장 성장 가능성에 큰 기대를 걸고 있으며, 1~2년 내에 화합물전력반도체용 파워IC의 기술 상용화를 본격화하고, 이를 기반으로 중장기 성장사업으로 추진하고자 한다"고 밝혔다.

2024.07.23 11:09이나리

시지트로닉스, 차세대 전력용 '산화갈륨 반도체' 개발 성공

화합물반도체 전문회사인 시지트로닉스가 차세대 전력용 반도체로 '산화갈륨(Ga2O3)을 활용한 초고속 스위칭용 쇼트키 다이오드(Schottky Barrier Diode, SBD)'를 개발했다고 22일 밝혔다. 산화갈륨 전력반도체는 미국과 일본 등 세계적으로 활발히 연구되고 있는 차세대 전력변환용 반도체의 핵심 소자로, SiC(실리콘카바이트)와 GaN(질화갈륨)보다 더 넓은 에너지 밴드폭과 높은 절연파괴전계 특성을 가졌다. 기존의 제품의 단점인 낮은 항복전압(VB)과 높은 누설전류(IL)의 난점을 극복해 고전압, 고전류, 고온, 고효율화 응용이 가능하다. 시지트로닉스는 산업통상자원부의 소재부품기술개발사업의 '저결함 특성의 고품위 산화갈륨 에피소재 및 1kV 이상의 항복전압을 가지는 전력소자 기술 개발' 프로젝트를 통해 국내 최초로 1200V급 산화갈륨 반도체를 개발했다. 이번 성과는 울트라 와이드 밴드갭(UWB, Ultra Wide Bandgap) 반도체로 알려진 산화갈륨 반도체를 활용해 반도체 소자의 누설전류와 온저항을 초소화했다. 이런 특징으로 일반 가전 및 IT 기기 인버터 및 컨버터용 뿐만 아니라 향후 전기자동차 충전 모듈에서도 응용이 확대돼 전력소모감소, 소형화, 경량화를 지원할 것으로 기대된다. 시지트로닉스 마케팅 김종원 이사는 "산화갈륨 반도체 개발로 차세대 전력반도체 산업에서 주도권을 확보할 수 있게 됐다"라며 "향후 다양한 산업계의 고객과 협의해 최적화된 제품으로 양산화를 추진하겠다"고 전했다.

2024.07.22 10:35이나리

한경협 "첨단산업 육성하려면 전력수급 개선 시급"

반도체, 이차전지, 디스플레이 등 첨단산업은 전력의존도가 높아 이들 산업 전략적 육성을 위해서는 전력수급 문제 개선이 시급하다는 주장이 제기됐다. 한국경제인협회는 22일 '국가첨단전략산업 특화단지 전력수급 애로 개선방안' 보고서를 통해 ▲전력망특별법 입법 ▲무탄소에너지 조달수단 에너지원 범위 확대 ▲소형모듈원자로(SMR) ▲전력판매가격 변동성 완화 등 국가첨단전략산업(이하 첨단산업)의 전력수급 애로 개선을 위한 법․제도적 환경 마련이 필요하다고 밝혔다. 거시경제 기여도가 점차 증가하고 있는 첨단산업의 전략적 육성을 위해 정부는 2023년 용인·평택 등 7개 지역을 국가첨단전략산업 특화단지로 지정했다. 한경협은 반도체, 디스플레이 등 첨단산업의 전력의존도가 타 산업에 비해 최대 8배 높아 국가첨단전략산업 특화단지 성공적 운영을 위해서는 안정적인 전력설비 확보가 시급하다고 설명했다. 실제로 7개 특화단지 조성으로 15GW 이상 신규 전력수요가 예상된다. 이는 전국 최대전력 평균 72.5GW(2023년 기준) 20%에 해당하는 규모다. 신규 전력수요 충당을 위해서는 장거리 송전선로 신축 등 송·변전망 구축 사업이 필수적이다. 하지만 지난해 국정감사 자료에 따르면, 송·변전망 구축 사업의 적기 준공률은 17%(7건/42건)에 불과해 사업 추진에 차질을 겪고 있는 것으로 조사됐다. 송·변전망 구축 사업은 당초 계획 대비 평균 3년 5개월, 최대 7년 6개월 지연되는 것으로 나타났다. 주된 준공 지연 사유는 송·변전설비 주변지역에 대한 주민 민원, 개발사 지연 등이었다. 실제로 2023년에 예정됐던 송도 바이오클러스터 송·변전망 준공시점이 2026년으로 지연되면서 관련 기업들이 투자 계획 수립에 어려움을 겪고 있다. 무탄소에너지 조달에 대한 정부 지원도 시급하다. 정부의 계획에 따르면 특화단지 내 무탄소에너지가 공급되는 시점은 2037년 이후로 예상된다. 하지만, 국내 기업은 글로벌 원청기업의 온실가스 감축 요구로 당장 무탄소에너지 조달이 필요한 상황이다. 문제는 무탄소에너지 조달을 위한 비용이다. 기업의 주요 무탄소에너지 조달 수단인 REC주7)의 2023년 평균 가격은 83.1원/kWh으로 조사됐다. 기존 산업용 평균 전기판매단가 107.0원/kWh('13~'22년 평균)에 83.1원/kWh의 비용이 추가돼 에너지 조달비용이 77.7% 증가하는 셈이다. 한경협은 국가첨단전략산업 특화단지의 안정적인 전력수급을 위한 과제로 ▲무탄소에너지에 원자력 포함 ▲국가기간전력망특별법의 조속한 입법 ▲전력판매가 변동성 완화를 제시했다. 한경협은 정부가 주도하는 CFE 이니셔티브에 발맞춰 조달 가능 무탄소에너지의 범위에 원자력 발전을 포함시켜야 한다고 설명했다. 원자력 발전은 태양광, 풍력 등 기존 재생에너지에 비해 발전 비용이 저렴해 무탄소에너지에 대한 초과수요 해소는 물론 에너지 조달비용 상승을 완화하는 효과가 기대된다. 한경협은 전력망 건설과정 및 인허가 절차 등을 간소화해 전력망 건설 지연을 방지해야 한다고 주장했다. 이를 위해 21대 국회에서 폐기된 국가기간전력망특별법의 조속한 입법이 필요하다고 설명했다. 아울러 고준위 방사성폐기물 관리특별법안 입법을 통해 신규 대형원전과 SMR 상용화 계획이 차질 없이 진행될 수 있도록 지원해야 한다고 덧붙였다. 한경협은 전력판매가격 고정을 통해 소형모듈원자로(SMR) 활용도 제고가 필요하다고 설명했다. 소형모듈원자로(SMR)가 활성화되면 장거리 송전선로에 대한 의존도를 낮출주 수 있기 때문이다. 이를 위해 한경협은 전력판매가격 변동성 완화를 통해 SMR 사업의 경제성을 높이는 노력이 선행돼야 한다며, 계약기간 동안 전력판매 가격을 고정시키는 발전차액계약제도(CfD)를 구체적인 실행방안으로 제시했다. EU도 최근 발표한 전력시장 개편안(2024년 5월)에 원자력 투자 촉진안으로 CfD를 포함한 바 있다.

2024.07.22 09:16류은주

삼성전자, 차세대 'LLW D램' 애플 공급망 진입 시도

삼성전자가 애플의 차세대 XR기기에 LLW D램을 공급하기 위한 기술개발을 진행 중인 것으로 파악됐다. 16일 업계에 따르면 삼성전자는 애플향으로 LLW D램을 공급하기 위한 제품 개발을 진행하고 있다. LLW D램은 입출력(I/O) 단자를 늘려 데이터를 송수신하는 통로인 대역폭을 높인 차세대 D램이다. 이를 통해 128GB/s의 고성능, 저지연 특성을 갖췄다. 덕분에 기존 LPDDR을 대체해 온디바이스 AI 산업에 적용될 것으로 기대되고 있다. 애플도 LLW D램에 많은 관심을 두고 있는 것으로 전해진다. 실제로 애플은 지난해 6월 최첨단 XR기기인 '비전프로'를 공개하면서, SK하이닉스의 LLW D램을 도입한 바 있다. 삼성전자 역시 애플에 LLW D램을 공급하기 위한 기술개발을 지속해 온 것으로 파악됐다. 사안에 정통한 관계자는 "지난 2022년 애플로부터 LLW D램 공급에 대한 제안을 받은 것으로 안다"며 "현재 제품을 소량 제작하는 등 사업화가 진행되고 있는 단계"라고 설명했다. 또 다른 관계자는 "삼성전자가 애플 LLW D램 공급망에서 SK하이닉스를 추격하기 위해 노력 중"이라며 "특수 메모리로서 차세대 비전 프로 등에서 쓰일 수 있을 것"이라고 밝혔다.

2024.07.16 16:36장경윤

삼성전자, 미디어텍 최신 모바일 AP에 'LPDDR5X' 검증 완료

삼성전자는 대만 반도체 설계 기업인 미디어텍과 업계 최고 속도인 10.7Gbps LPDDR5X D램 동작 검증을 완료했다고 16일 밝혔다. 삼성전자는 올해 하반기 출시 예정인 미디어텍 최신 플래그십 모바일AP '디멘시티(Dimensity) 9400'에 LPDDR5X 기반 16GB 패키지 제품 검증을 완료하고 고성능 모바일 D램 상용화를 추진한다. LPDDR은 저전력(Low Power)에 특화 설계된 D램을 뜻한다. 스마트폰·태블릿 등 전력효율성이 중요한 IT기기에 주로 탑재되고 있다. LPDDR의 규격은 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 제정하고 있다. LPDDR5X는 현재 공개된 가장 최신 규격에 해당한다. 삼성전자가 지난 4월 개발한 10.7Gbps LPDDR5X는 이전 세대 대비 동작 속도와 소비 전력을 25% 이상 개선해 저전력∙고성능 특성이 요구되는 '온디바이스 AI(On-device AI)' 시대에 최적화됐다. 이번 제품을 통해 사용자는 모바일 기기에서 배터리를 더 오래 사용할 수 있으며, 서버나 클라우드에 연결하지 않은 상태에서도 뛰어난 성능의 온디바이스 AI 기능을 활용할 수 있다. JC 수 미디어텍 수석 부사장은 “삼성전자와의 긴밀한 협업을 통해 미디어텍의 차세대 고성능 프로세서인 디멘시티에 삼성전자의 고성능 10.7Gbps LPDDR5X를 탑재해 업계 최초로 동작 검증에 성공했다”며 “앞으로 사용자는 최신 칩셋을 탑재한 기기를 통해 배터리 성능을 최대화하고, 더 많은 AI 기능을 활용할 수 있게 될 것”이라고 밝혔다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실 부사장은 “미디어텍과의 전략적 협업을 통해 업계 최고 속도 LPDDR5X D램의 동작을 검증하고, AI시대에 맞춤형 솔루션임을 입증했다”며 “고객과 유기적인 협력으로 향후 온디바이스 AI 시대에 걸맞은 솔루션을 제공해 AI 스마트폰 시장을 선도해 나갈 것”이라 말했다. 삼성전자는 고객과의 적극적인 협력을 바탕으로 향후 모바일 분야뿐만 아니라 ▲AI 가속기 ▲서버 ▲HPC ▲오토모티브 등 LPDDR D램 응용처를 적극 확장해 나갈 방침이다.

2024.07.16 08:34장경윤

SiC 반도체 시장 '쑥쑥'…韓·中도 핵심장비 시장 진출 노려

국내 테스와 중국 AMEC(중웨이반도체) 등이 SiC(탄화규소) 반도체용 핵심장비 개발에 나섰다. SiC는 전기자동차 등에서 수요가 빠르게 증가하고 있는 차세대 전력반도체로, 그간 독일 등이 공급망을 사실상 독점해 온 분야다. 후발주자인 국내 및 중국 장비업계가 시장에서 어떠한 반향을 불러일으킬 수 있을 지 귀추가 주목된다. 3일 업계에 따르면 한국과 중국 장비업계는 SiC 전력반도체 제조를 위한 핵심장비 상용화에 주력하고 있다. SiC는 기존 실리콘(Si) 대비 고온·고압에 대한 내구성, 전력 효율성 등이 뛰어난 차세대 전력반도체 소재다. 자동차 산업을 중심으로 수요가 빠르게 증가하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전 세계 SiC 반도체 시장 규모는 지난해 22억7천500만 달러에서 2026년 53억2천800만 달러로 성장할 전망이다. 다만 SiC 분야는 기술적 난이도가 높아, 소수의 해외 기업이 핵심 공급망을 독과점하고 있는 형국이다. 고성능 SiC 반도체 제조를 위해서는 SiC 에피(Epi)웨이퍼가 필요하다. 해당 웨이퍼는 잉곳(원기둥) 형태의 SiC 결정에서 잘라낸 웨이퍼 위에, 마이크로미터(μm) 두께의 SiC 물질을 증착(Deposition)해 만들어진다. 이를 위한 증착장비는 현재 독일 엑시트론(Aixtron)이 압도적인 시장 점유율을 보유하고 있다. 또 다른 기업으로는 전 세계 주요 장비업체 ASM이 지난 2022년 인수한 이탈리아 장비기업 LPE가 있다. 이에 한국과 중국 등 동양권 장비기업들도 최근 SiC 웨이퍼 제조를 위한 증착장비 개발에 적극 나서고 있다. 대표적으로 국내 반도체 증착·식각장비 전문업체 테스는 지난 2022년경부터 SiC MOCVD(유기금속화학증착) 장비 개발을 본격화했다. MOCVD는 금속 유기 원료를 사용해 박막을 형성하는 기술이다. 테스는 이전 UV LED용 MOCVD 장비를 자체 개발해 양산한 경험이 있어, 유관 기술력을 어느 정도 확보한 상태다. 아직 구체적인 사업화 단계에 접어들지는 못했으나, 현재 장비 개발을 적극 진행 중인 것으로 알려졌다. 중국에서는 AMEC이 SiC 증착장비 개발에서 가장 뚜렷한 성과를 거두고 있다. AMEC은 지난 2004년 램리서치·어플라이드머티어리얼즈(AMAT) 등 미국 주요 반도체 장비업체 출신들이 모여 설립한 장비업체다. AMEC은 또 다른 차세대 전력반도체 소재인 GaN 증착장비를 이미 상용화한 바 있다. 이를 토대로 AMEC은 SiC MOCVD 장비 상용화를 시도하고 있다. 실제로 테스, AMEC은 지난달 말 부산에서 열린 '2024 SiC 반도체 컨퍼런스'에서 SiC MOCVD 기술과 관련한 발표를 한 것으로 전해진다. 반도체 업계 관계자는 "SiC나 GaN 등이 차세대 전력반도체로 각광받고는 있으나, 핵심장비는 전부 외산에 의존해야 하는 현실"이라며 "이에 테스와 AMEC도 CVD 기술력을 토대로 장비 개발을 꾸준히 진행하고 있다"고 밝혔다.

2024.07.03 11:13장경윤

ST "전기차 SiC 전력반도체 수요 여전히 강세...1위 자신감"

“전세계 전기차 수요는 줄어들지 않았습니다. 최근 전기차 성장세가 다소 둔화된 것을 맞으나 시장은 여전히 성장 중이며, 이로 인해 실리콘카바이드(SiC) 전력 반도체의 수요 또한 꾸준히 증가하고 있죠.” ST마이크로일렉트로닉스(ST)는 전세계 SiC 전력 반도체 공급 부족을 해결하기 위해 공격적인 투자를 단행하며 공급량을 늘릴 계획이다. 아울러 2027년 전세계 반도체 분야에서 최초로 탄소중립을 달성하는 기업이 될 것이라는 목표도 밝혔다. 프란체스코 무저리 ST마이크로일렉트로닉스 중국 전력 디스크리트 및 아날로그 제품 부문 부사장은 25일 서울 강남 노보텔엠베서더 호텔에서 한국 기자들을 만나 SiC 전력반도체 시장 트렌드와 사업 목표를 이 같이 전했다. 그는 아시아 지역에서 산업용 반도체 부분을 총괄하는 임원이다. 실리콘카바이드(SiC)는 기존 실리콘(si) 소재로 만든 전력반도체보다 전력 효율이 높고 내구성이 뛰어나 전기차, 태양광 인버터 시장에서 각광받는 반도체다. 같은 용량의 배터리더라도 SiC 반도체가 탑재되면 주행거리가 18~20% 늘어나고, 충전 속도는 2배 개선되며, 전체 차량 무게를 150~200kg 경량화 할 수 있다. ST는 전세계 SiC 전력 반도체 점유율 1위로 시장을 이끌고 있다. 시장조사업체 옴디아의 가장 최근 데이터에 따르면 2022년 상위 7개 산업용 반도체 공급 업체 중에서 ST는 35% 성장률로 가장 빠르게 성장했으며, 시장 점유율은 2022년 대비 5.6%포인트(P) 올랐다. 지난해 ST는 SiC 전력 반도체 매출이 전년 보다 60% 증가한 11억4천만 달러를 기록했다. ■ 전기차 900만대에 SiC 전력반도체 공급...전기차 충전소에서 수요 상승 최근 전기차 시장 성장세가 둔화돼서 SiC 전력반도체 공급량에 영향이 있을 것이란 우려가 나온다. 이에 대한 질문에 무저리 부사장은 “결코 아니다”라고 강조하며 “전기차 시장 자체가 감소한 것은 아니며, 예상만큼 성장세가 계속 유지하지 못하면서 일부 국가에서 다소 주춤한 상황이 뿐, 중국은 여전히 전기차로의 전환이 매우 빠르게 진행되면서 SiC 전력 반도체 수요가 꾸준히 늘고 있다”고 말했다. 이어서 그는 “전동화된 자동차의 트랙션 인버터가 내연기관차의 엔진을 대체하면서 ST가 중점 영역으로 생각하는 SiC와 광대역갭(WBG) 반도체는 수요가 급격히 증가하고 있다”며 “현재 자동차의 15%에 불과한 SiC 채택률이 향후 30%에서 최대 60%까지 확대될 것으로 예상된다. 자동차의 부품이 모두 SiC로 전환될 경우, 주행거리가 18~20%가량 증가할 수 있다”고 설명했다. 무저리 부사장은 “이미 전세계 900만 대의 차가 ST의 SiC 전력 반도체를 탑재하고 도로를 누비고 있다”라며 “경쟁사의 경우는 약 100만 대 정도의 차량에 탑재된 점과 대비된다. 그만큼 ST가 축적해 온 노하우와 정보에 기반하면서 제품을 개선하는 ST의 능력은 독보적이다”고 강조했다. 전기차뿐 아니라 전기차 충전소, 전기를 만들기 위한 태양열 인버터에서도 SiC 전력 반도체가 필요하다. 과거에는 석유 기반 에너지에 의존했지만, 이제는 전기 기반으로 전환되면서 충전소는 에너지를 공급과 에너지 절감이 동시에 요구되고 있다. 15분 만에 전기차를 충전하려면 최소 40kW의 전력이 필요한데, 해당 용량의 전기차 충전소에는 하나의 MCU와 12개의 스위치, 12개의 드라이버 등 약 120달러 상당의 반도체가 탑재된다. 만약 40kW의 충전 설비가 10개 필요할 경우 10배의 반도체가 필요하며, 이는 총 1200달러 비용이 든다. 즉, 전기차 충전소가 늘어날수록 반도체 수요가 지속적으로 증가하는 셈이다. ■ SiC 신규 팹 투자, 내년 본격 가동…2027년 탄소중립 달성 목표 ST는 전세계 SiC 펩 투자를 통해 공급 물량을 늘려 시장 우위를 유지한다는 목표다. 칩 공급량이 늘어나면서 가격 경쟁력도 확보할 수 있을 것으로 기대된다. ST는 현재 이탈리아 카타니아 지역에 50억 유로를 투자해 내년 3분기 가동을 목표로 8인치(200mm) 웨이퍼 SiC 반도체 팹을 건설하고 있다. EU는 반도체법으로 20억 유로 지원을 약속했다. 또 ST는 중국 전기차 시장을 공략하기 위해 현지에서 사난옵토일렉트로닉스와 합작 법인을 설립하고 신규 8인치 SiC 팹을 건설 중이다. 또 ST는 기존 싱가포르 팹을 확장해 SiC 생산량을 늘리며 단계적으로 6인치에서 8인치로 전환하고 있다. 중국 및 싱가포르 팹 모두 내년 중순부터 가동을 시작한다. ST의 궁극적인 목표는 2027년까지 탄소중립 달성이다. 또 고객사의 제품에 탄소중립을 지원할 수 있는 기술을 제공하겠다는 자신감을 보였다. 무저리 부사장은 “일례로 애플이 2030년까지 탄소중립 달성을 선언하면서 애플 제품에 탑재되는 부품 및 소재도 탄소중립을 실현해야 한다”라며 “ST는 전기차, 태양광, 에너지 등 다양한 협력사에게 탄소중립을 실현할 수 있도록 효율적인 전력 반도체를 공급하겠다”라고 밝혔다. ST의 중국 신규 팹이 2027년 탄소중립 실현 로드맵을 실현할 수 있을 것이란 질문에 무저리 부사장은 “중국도 충분히 가능하다”고 답했다. 그는 “중국이 환경에 관심이 없거나 탄소중립에 민감도가 떨어질 것이란 선입견이 따를 수 있다. 하지만 우려와 달리 중국 또한 탄소중립에 많은 관심을 보이고 있다. 중국 공장을 건립에 주요한 파트너인 선그로우는 지속가능성 부분을 전담하고 있고, 오히려 신규 공장에서 탄소중립 달성하는 것이 기존 공장 보다 더 쉽다”며 자신감을 내비쳤다.

2024.06.27 16:19이나리

화합물 전력반도체 韓 점유율 2%...삼성·SK도 뛰어든다

새로운 먹거리로 떠오른 화합물 전력반도체 시장에서 글로벌 경쟁이 가열되고 있는 가운데 우리 정부와 기업도 시장 선점을 위해 뛰어들었다. 글로벌 기업에 비해 후발주자에 속하는 국내 기업은 정부와 함께 생태계를 구축해 기술 개발에 총력을 기울인다는 목표다. 업계에서는 한국이 현대·기아차, 삼성전자, LG전자 등 글로벌 자동차 및 가전 기업을 보유하고 있다는 점에서 전력반도체 시장에서 승산이 있을 것으로 전망한다. 전력반도체는 전자제품에 필수적으로 들어가는 칩이다. 최근 전기차, 태양광 인버터 시장이 확대되면서 기존 실리콘(si) 소재로 만든 전력반도체보다 전력 효율이 높고 내구성이 뛰어난 실리콘카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN) 등 화합물 전력반도체에 대한 수요가 커지고 있다. ■ 민관, 화합물 전력반도체 R&D에 1384.6억원 투입 그동안 우리나라는 화합물 전력반도체 수요 대부분을 수입에 의존해 왔다. 국가별 화합물 전력반도체 시장 점유율은 유럽(54%), 미국(28%), 일본(13%) 순으로 차지하며 이들 국가의 합산 점유율은 95%에 달한다. 반면 한국은 1~2% 점유율로 미비하다. 이 분야의 강자는 스위스 ST마이크로일렉트로닉스, 독일 인피니언, 미국 온세미와 울프스피드, 일본 로옴 등이 대표적이다. 정부는 국내 화합물 전력반도체 기술 고도화를 위해 올해부터 2028년까지 4년간 총 1천384억원을 투입하기로 결정했다. 개발비는 민간 445억8천만원과 국비 938억8천만 원으로 구성된다. 이와 관련해 지난 20일 화합물 전력반도체 관련 소재-소자-IC(집적회로)-모듈 등 기업은 국내 화합물 전력반도체 생태계 구축을 위한 업무협력 양해각서(MOU)를 체결하며 본격적으로 기술을 협력하기로 했다. 협력에는 웨이퍼를 생산하는 SK실트론(소재분야), 칩을 생산하는 DB하이텍(파운드리), 어보브반도체(팹리스) 등이 참여한다. 반도체 업계 관계자는 “화합물 젼력반도체 시장에서 한국은 후발주자이지만, 파운드리와 뛰어난 설계 기술을 보유하고 있기 때문에 정부의 지원이 더해지면 경쟁력을 갖출 것으로 기대된다”고 말했다. 글로벌 1위 SiC 반도체 업체인 ST마이크로일렉트로닉스 수장인 프란체스코 무저리 부사장은 “한국 기업이 글로벌 기업과 경쟁이 가능하다”고 진단했다. 그는 “한국은 전세계에 자동차를 수출하는 현대자동차와 삼성전자, LG전자 등 글로벌 가전업체를 보유하고 있는데, 여기에는 고성능 전력 반도체가 반드시 필요하다. 수요 업체와 공급업체가 파트너십을 맺는다면 성공하지 못할 이유는 없다”라며 “IP(설계자산) 특허 부분에서는 어려움이 따를 수 있지만, 한국은 혁신적인 국가이고, 우수한 인재가 많아서 장점이다”고 덧붙였다. ■ "수익성 3배 이상"…SK·삼성·DB하이텍부터 팹리스까지 총력 SK그룹은 전력반도체 개발에 많은 관심을 보이고 있다. SK실트론은 2020년 미국 듀폰의 SiC 웨이퍼 사업부를 4억5천만 달러로 인수해 현지에 SK실트론CSS라는 자회사를 설립했다. SK실트론CSS는 SiC에 수년간 6억 달러 투자를 계획하고 있으며, 1차 투자 격인 미국 베이시티 공장을 2022년에 완공해 6인치(150㎜) SiC 웨이퍼를 연간 12만장을 생산한다. SK실트론CSS는 2022년 11월 미국 RF 반도체 업체 코보와 올해 1월 독일 인피니언과 SiC 웨이퍼 장기 공급 계약을 체결하기도 했다. 파운드리 업체 SK키파운드리는 GaN 전력 반도체 생산에 주력하고 있다. 2022년 정식 GaN 개발팀을 구성하고, 최근 650V GaN HEMT(고전자 이동도 트랜지스터) 소자 특성을 확보해 생산 준비를 마쳤다. SK키파운드리는 올 하반기부터 청주 팹에서 GaN 반도체를 생산하며, 향후 SiC까지 라인업을 넓혀 전력 반도체 전문 파운드리로 변화한다는 목표다. SiC 전력반도체에 주력하는 SK파워텍은 SK가 2022년 예스파워테크닉스 지분 95.8%를 1천200억원에 인수한 업체다. SK는 2023년 사명을 SK파워텍으로 바꾸면서 기존 포항 공장을 부산으로 이전하며 사업을 확장했다. 삼성전자 파운드리도 전력반도체 생산 준비에 한창이다. 삼성전자는 컨슈머, 데이터센터, 오토모티브 향으로 2025년 8인치 GaN 전력반도체 파운드리 서비스를 시작한다고 밝혔다. DB하이텍도 수익성이 높은 화합물 전력반도체 생산업체로 체질개선에 나선다. DB하이텍은 2022년 말부터 8인치 GaN 공정을 개발에 들어가 올해 말에 생산에 들어갈 예정이다. 또 SiC 전력반도체 생산을 위해 충북 음성 상우공장에 핵심 장비를 도입하며 생산을 위한 준비 작업도 진행 중이다. 아울러 회사는 GaN 전문 팹리스 에이프로세미콘과 기술협력을 통해 파운드리 공정 특성을 향상시키고 있다. 파운드리 업체가 전력 반도체로 전환하는 이유는 수익성이 더 높기 때문이다. 업계 관계자는 "SiC 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼보다 5~10배 더 비싸서, 같은 용량을 생산하더라도 더 높은 이익을 낼 수 있다"고 말했다. 그 밖에 어보브반도체, 아이큐랩, 칩스케이, 파워큐브세미, 쎄닉 등도 화합물 전력반도체 공급 기업으로 주목받고 있다. 한편, 시장조사업체 올디벨롭먼트에 따르면 SiC 반도체는 2021년 10억 달러에서 2027년 62억 달러로 연평균 34% 성장할 전망이다. GaN 반도체는 2021년 1억2천만 달러에서 2027년 20억 달러로 연평균 59% 성장할 것으로 예상된다.

2024.06.26 17:24이나리

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