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칩스케이, GaN 전력반도체 'HighGaN' 국제상표 등록 완료

질화갈륨(GaN) 전력반도체 설계 전문 기업 칩스케이는 세계지식재산기구(WIPO)를 통해 GaN 전력반도체 기술에 대한 국제상표 등록을 완료했다고 1일 밝혔다. 칩스케이는 제09류(전력반도체, 전력변환 장치 등)에 해당되며 등록 명칭은 'HighGaN'이다. HighGaN은 칩스케이의 GaN 기반 전력반도체 소자가 높은 성능(High performance)과 신뢰성(High reliability)을 가지고 있다는 의미로 상표 등록을 통해 칩스케이는 기술의 브랜드화 및 글로벌 IP 포트폴리오 강화에 나선다는 계획이다. 칩스케이는 국내 최초로 실리콘 기판 위에 갈륨 나이트라이드 층을 성장시킨 웨이퍼(Gan-on-Si) 기반 650V급 전력반도체 양산을 시작으로 고속 충전기·AI 데이터센터·산업용 전원 장치 등 다양한 응용 분야로 제품 공급을 확대 중이다. 연평균 35% 이상 고성장을 기록 중인 GaN 전력반도체 시장에서 칩스케이는 글로벌 고객 및 파트너사에 HighGaN 브랜드를 통해 기술 신뢰성과 제품 차별성을 알리고 신규 객사 마케팅에 집중할 계획이다. 곽철호 칩스케이 대표는 "HighGaN 브랜드 확보는 단순한 명칭 등록을 넘어 기술 정체성과 차세대 시장 주도권 확보를 위한 전략적 조치"라며 "양산 기술력과 더불어 브랜드 가치까지 강화해 나가겠다"고 밝혔다. 칩스케이는 2017년 설립된 GaN에 특화된 전자소자 설계 전문 팹리스로, 고성능 전력반도체 분야에 주력하며 차별화된 기술 경쟁력을 확보하고 있다. GaN은 대표적인 화합물 반도체 소재로 기존 실리콘(Si) 대비 높은 전력 효율성과 고속 스위칭, 고온 안정성, 소형화로 전기차, 에너지 저장장치(ESS), 데이터센터 등 전력 인프라 핵심 소재로 주목받고 있다.

2025.07.01 13:50장경윤

日 르네사스, 전력용 반도체 전략 수정…매출 목표 5년 연기

일본 반도체 기업 르네사스 일렉트로닉스가 전력 반도체 생산 전략을 수정했다. 27일 니혼게이자이신문에 따르면 르네사스는 전기차(EV) 시장 성장 둔화 여파로 전력용 반도체 전략을 5년 연기했다고 발표했다. 지난 2022년 회사는 오는 2030년 매출 목표를 200억달러로 설정한 바 있다. 당시 시가총액도 10조엔(약 700억달러) 이상으로 키운다는 계획을 발표했으나, 최근 EV 및 산업용 반도체 시장의 부진을 감안해 목표 연도를 2035년으로 재설정했다. 이 소식에 르네사스 주가는 26일 기준 전일 대비 12% 급락한 1천735.5엔에 장을 마감했다. 지난 5년간 일일 주가 하락률이 두 자릿수를 기록한 것은 단 여섯 차례에 불과하다. 2024 회계연도 기준 르네사스의 매출은 1조3천480억엔(약 92억8천만달러)에 그쳤으며, AI 데이터센터용 반도체 수요 확대에도 불구하고 자동차 및 산업용 반도체 부진이 실적 부진으로 이어졌다. 한편 르네사스는 미국 반도체업체 울프스피드의 구조조정 부담으로 상반기에 약 2천500억엔 규모의 손실을 볼 것으로 관측된다. 해당 구조조정 과정에서 르네사스는 울프스피드에 예치된 20억6000만달러를 전환사채, 보통주, 워런트 형태로 전환할 예정이다.

2025.06.28 08:09전화평

"차세대 화합물 전력반도체 기술수준 선도국 80% 이하”

차세대 화합물 전력반도체 수요가 급증하고 있지만 국내 기술 수준은 선도국의 80% 이하에 머물러 있다는 지적이 제기됐다. 한국산업기술진흥원(KIAT·원장 민병주)이 17일 서울 반포 JW메리어트 서울에서 개최한 '제11회 산업기술정책포럼'에서 발제를 맡은 홍익대 차호영 교수는 “차세대 화합물 전력반도체 분야에서 국내 기술 수준은 선도국 대비 80% 이하 수준에 불과하다”며 “인력·공급망·자금 등 산업 기반이 전체적으로 취약한 만큼, 중장기 전략을 세워서 산학연 간 협업으로 대응해야 한다”고 강조했다. 전력반도체는 전기를 효율적으로 변환하고 제어하는 역할을 하는 반도체로 전기자동차나 신재생에너지 시스템, 서버·데이터센터, 5G 통신장비 등 고효율 전력 관리가 필수적인 분야에 필요하다. 최근 인공지능(AI) 인프라 구축과 탄소중립 대응이 중요해지면서 전력반도체 수요가 급증하는 추세다. 특히, 지금까지는 실리콘(Si)을 주로 사용했으나 최근 고전압 환경에 강하면서도 전력 손실이 적은 질화갈륨(GaN)·실리콘카바이드(SiC)가 차세대 전력반도체 소재로 떠올랐다. 비메모리 반도체 전문기업인 KEC의 김수성 최고기술경영자(CTO)는 “탄소중립과 전동화 흐름에 따라 전력반도체 산업이 빠르게 성장하는 중”이라며 “고전력·고효율 생산 기반에 집중해 전력반도체 특성을 극대화할 수 있는 국내 연구 환경과 공급망이 만들어지길 바란다”고 말했다. 민병주 KIAT 원장은 “전력반도체는 에너지 효율성과 산업 경쟁력을 좌우하는 핵심 전략 기술”이라며 “국내 기업이 세계적 수준의 경쟁력을 갖출 수 있게 전문 인력 양성, 기반 조성, 공급망 확보 등 다각도로 관련 업계를 지원하겠다”고 말했다. 한편, 산업기술정책포럼은 KIAT가 산업기술 진흥에 필요한 정책을 발굴하기 위해 연구기관·기업 관계자들의 의견을 수렴하는 자리다.

2025.06.17 13:35주문정

韓, '꿈의 반도체 소재' SiC 연구 지속…현대차 움직임 뚜렷

국내 주요 기업이 차세대 전력반도체 소재로 꼽히는 실리콘카바이드(SiC) 개발을 지속하고 있다. 특히 현대자동차의 특허 공개 활동이 뚜렷한 상황으로, 전력 모듈과 회로 분야에서 IP(설계자산) 리더십을 확보한 것으로 분석된다. 4일 프랑스 특허·기술 리서치 기업 노우메이드(KnowMade)에 따르면 국내 반도체 업계는 SiC 반도체와 관련한 특허를 매년 꾸준히 확보하고 있다. SiC는 실리콘(Si) 대비 고온·고압에 대한 내구성, 전력 효율성 등이 뛰어난 차세대 반도체 소재다. 이 같은 장점 덕분에 다양한 산업에서 수요가 확대되고 있으며, 특히 전기차(EV)용 전력반도체 분야에서 적극 채용될 것으로 전망돼 왔다. 다만 최근엔 전기차 시장의 캐즘(일시적 수요 침체) 현상이 심화되고, 중국 기업들의 시장 진입으로 경쟁이 가열되면서 SiC 반도체 기업들도 침체에 접어들고 있다. SiC 시장서 점유율 4위를 기록해 온 미국 울프스피드는 지난달 파산보호 신청 우려에 휩싸였으며, 일본 르네사스도 최근 현지 신공장에서 전기차용 SiC 전력반도체를 생산하려던 계획을 철회한 것으로 알려졌다. 현대자동차·쎄닉 등 SiC 연구개발 활발…LG는 축소 그럼에도 국내 반도체 업계의 SiC 관련 연구개발(R&D)은 비교적 견조하다는 평가가 나온다. 주요 기업·기관으로는 LG, 현대자동차, SK그룹과 한국전기연구원(KERI), 포스코 산하 포항산업과학연구원(RIST), SiC 웨이퍼 제조 스타트업인 쎄닉 등이 있다. 이들 6개 기업은 국내 SiC 관련 특허 공개 수의 3분의 2를 차지하고 있다. 특히 현대자동차가 SiC 관련 특허를 꾸준히 공개하고 있는 것으로 나타났다. 그룹 내 전장·반도체 관련 자회사인 현대모비스 주도로, 지난 2021년부터 매년 10건이 넘는 특허를 공개해 왔다. 주로 SiC 반도체의 후방 산업에 해당하는 소자 및 모듈, 회로 분야에서 강세를 보이고 있다. SiC 웨이퍼 제조업체인 쎄닉의 활동도 두드러진다. 지난 2021년부터 특허 공개가 시작돼, 잉곳 웨이퍼 등 전방 산업 분야에서 기술개발을 적극 진행해 온 것으로 알려졌다. 이 회사는 지난 2021년 SKC에서 분사돼 설립된 스타트업으로, 8인치(200mm) SiC 웨이퍼 양산을 목표로 하고 있다. 반면 LG화학과 LG전자, LG이노텍 등으로 대규모 SiC 특허 포트폴리오를 구축했던 LG그룹은 관련 연구개발이 활발하지 못한 것으로 관측된다. 지난 2021년 LG이노텍이 국내 팹리스인 LX세미콘에 SiC 특허를 이전한 이래로, 특허 공개 수가 크게 줄어들었다.특허 양수 이후 SiC 반도체 개발을 추진했던 LX세미콘도 근 몇년 간 추가적인 특허 확보에 소극적이었던 것으로 나타났다. 韓 SiC 공급망, 전력 모듈 분야가 '약한 고리' 국내 주요 기업들이 SiC 공급망 전반에 대해 연구하는 것처럼 보이지만, 전력 모듈 분야는 가장 약한 고리로 남아있다는 것이 노우메이드의 분석이다. 레미 코민 노우메이드 수석연구원은 "SiC 패키징 및 전력 모듈과 관련된 특허 수는 2022년 이후 큰 진전을 보이지 않고 있다"며 "참여 기업(현대자동차, 아모센스, 제이엠제이코리아)의 수가 제한돼 있고, 2022년 이후 신규 진입한 기업의 수가 SiC 공급망 내 다른 분야에 비해 감소했기 때문"이라고 설명했다. 실제로 SiC 전력 모듈 분야의 주요 특허 출원기업인 현대자동차는 2022년 이후 패키징, 모듈, 회로 등의 분야에서 신규 특허를 10건만 공개한 것으로 집계됐다. 다만 국내 주요 반도체 제조기업 및 스타트업이 SiC 반도체 시장 진출을 계획하고 있다는 점은 긍정적으로 평가된다. 삼성전자와 DB하이텍, SK하이닉스의 자회사 SK키파운드리 등이 관련 연구개발과 설비투자 등을 진행해 왔다. 삼성전자는 지난 2023년 서강대학교와 SiC MOSFET(전류의 흐름을 제어하는 트랜지스터) 관련 특허를 공동 개발했으며, DB하이텍도 지난해 SiC MOSFET와 관련한 특허 3건을 공개한 것으로 나타났다.

2025.06.09 14:28장경윤

칩스케이, 650V GaN 전력반도체 국내 최초 양산 돌입

질화갈륨(GaN) 전력반도체 설계 전문 기업 칩스케이는 국내 최초로 650볼트(V)급 GaN 전력반도체 양산을 시작한다고 9일 밝혔다. 칩스케이는 GaN-on-Si(실리콘 기반 GaN)기술 기반의 650V 전력반도체 소자 4종을 해외 파운드리를 통해 생산해 고속 모바일 충전기, AI 데이터센터, 산업용 전원장치 등 차세대 전력반도체 시장 공략에 나선다. GaN은 기존 실리콘(Si) 대비 높은 전력 효율성과 고속 스위칭, 고온 안정성, 소형화로 전기차, 에너지 저장장치(ESS), 데이터센터 등 전력 인프라 핵심 부품으로 주목받고 있다. 그러나 기술 진입장벽이 높아, 국내 상용 제품이 전무해 수입에 의존해 왔다. 칩스케이는 설계 기술과 특허, 그리고 고온(150℃) 환경에서도 안정적으로 동작이 가능한 소자를 이용해 해외 경쟁사 제품 대비 속도와 효율을 높이고 에너지 손실을 최소화했다. 칩스케이의 GaN 전력반도체 기술은 기존 고속 충전기 분야에서 확장해 전력 수요가 급증하는 AI·클라우드 기반의 데이터센터 분야에 적용이 기대된다고 회사측은 설명했다. 곽철호 칩스케이 대표는 "국산 GaN 전력반도체의 첫 양산 성공은 기술 독립은 물론 향후 수출 경쟁력 확보에 큰 의미가 있다"며 "발열 제어 성능이 뛰어난 고방열기판(QST) 기반의 제품도 연내 신뢰성 테스트를 마친 후 라인업 확대에 나설 것"이라고 밝혔다. 한편 칩스케이는 칩 면적을 줄이고 회로 집적도를 높인 구동회로가 일체화 된 고집적 GaN SoC(시스템온칩) 기술도 개발 중이다.

2025.06.09 11:01장경윤

수자원공사, SK하이닉스에 남강댐 수력 에너지 공급…무역장벽 해소

한국수자원공사(K-water)는 SK하이닉스와 남강댐 수력발전을 활용한 직접전력거래(PPA) 협약을 체결했다고 1일 밝혔다. 한국수자원공사는 협약에 따라 1일부터 남강댐 수력발전으로 생산한 친환경 에너지를 SK하이닉스에 직접전력거래 방식으로 공급한다. 경상남도 진주시에 있는 남강 수력발전소는 18MW 용량의 대규모 수력 발전설비로 연간 6만6천954MWh의 친환경 에너지를 생산한다. 약 2만3천여 가구의 연간 전력 사용량을 충당할 수 있는 수준이다. 최근 기후위기 대응을 위한 국제적인 환경 규제가 엄격해지는 가운데, 국내 수출기업이 무역 시장에서 RE100 이행을 명시적인 납품요건으로 요구받고 있다. 국내 대표 수출 품목인 반도체 역시 산업 경쟁력 확보를 위해서는 재생에너지 사용 규제에 자유로울 수 없다. 이번 협약은 수자원공사가 수력발전으로는 가장 큰 규모로 진행하는 직접전력거래 협약으로, SK하이닉스의 탄소 배출 저감과 RE100 달성을 지원함으로써 무역장벽 해소와 글로벌 반도체 경쟁력 강화에도 기여할 것으로 기대된다. 장병훈 수자원공사 수자원환경부문장은 “이번 협약은 국가 반도체 산업의 큰 축을 담당하는 대표적인 기업의 RE100 달성을 지원하고, 함께 기후변화 대응을 위해 나아가는 계기가 될 것”이라며 “앞으로도 국내기업의 녹색 무역장벽 해소와 국가 탄소중립 정책 실현을 위해 최선을 다하겠다”고 밝혔다.

2025.06.01 06:59주문정

로옴, 새로운 SPICE 모델 'ROHM Level 3 (L3)' 공개

로옴은 안정성과 시뮬레이션 속도를 향상시킨 SPICE 모델 'ROHM Level 3 (L3)'을 개발했다고 29일 밝혔다. 파워 반도체의 손실은 시스템 전체의 효율에 큰 영향을 미치기 때문에 설계 단계의 시뮬레이션 검증에 있어서 모델의 정밀도가 매우 중요하다. 기존에 로옴에서 제공해온 SiC MOSFET용 SPICE 모델 'ROHM Level 1 (L1)'은 각 특성의 재현성을 높임으로써 고정밀도 시뮬레이션의 요구에 대응해왔다. 그러나 시뮬레이션의 안정성 및 연산 시간의 단축이라는 과제에 대한 개선이 요구됐다. 새로운 모델 'ROHM Level 3 (L3)'은 심플한 모델 식을 채용함으로써 연산의 안정성과 스위칭 파형의 정밀도를 유지함과 동시에 기존 모델인 L1 대비 시뮬레이션 시간을 약 50% 단축할 수 있다. 이에 따라 회로 전체의 과도 해석을 단시간에 고정밀도로 실행할 수 있어, 어플리케이션 설계 단계에서의 디바이스 평가 및 손실 확인의 효율화에 기여한다. 'ROHM Level 3 (L3)'의 제4세대 SiC MOSFET 모델 (37기종)은 지난 4월부터 웹사이트 상에서 공개 중으로, 제품 페이지 등에서 다운로드 가능하다. 새로운 모델 L3 제공과 병행하여 기존 모델도 지속적으로 제공하고 있다. 또한 사용 방법을 설명한 화이트페이퍼도 게재하여, 도입이 용이하도록 지원하고 있다. 로옴은 "앞으로도 시뮬레이션 기술의 향상을 통해 한층 더 고성능의 고효율 어플리케이션 설계를 지원해, 전력 변환 기술의 혁신에 기여해나갈 것"이라고 밝혔다.

2025.05.29 11:20장경윤

동서발전, 고양시 인공지능 산업단지에 전력공급

한국동서발전(대표 권명호)는 고양특례시·고양도시관리공사·NH투자증권·한국사우디아라비아 산업통상협회와 고양 경제자유구역 내 '고양 인공지능 인텔리전트타운 조성을 위한 업무협약'을 체결했다고 27일 밝혔다. 동서발전은 협약에 따라 고양 경제자유구역 내 '인공지능(AI) 인텔리전트타운'의 분산형 전원 전력인프라와 기반시설을 조성한다. 입주기업에 필요한 대규모 전력을 안정적으로 공급하고 장기적으로는 국가 인공지능 산업 경쟁력 강화에 기여한다는 계획이다. 동서발전은 정책변화에 발맞춰 분산에너지 특화지역 지정에 따른 신규 사업모델을 개발해 나가고 있다. 기존 전력공급 체계의 한계를 보완하고, 안정적인 전력 생산을 통해 고양 경제자유구역 내 전력자립률 제고와 기업 유치 활성화에 기여할 예정이다. 권명호 동서발전 사장은 “AI 산업의 지속 가능한 성장을 위해서는 선제적인 전력 인프라 구축이 필수”라며 “이번 협약이 고양 AI 인텔리전트타운 성공적인 조성과 더불어 향후 국가 산업 경쟁력 강화에도 긍정적인 역할을 할 수 있길 기대한다”고 밝혔다. 한편, 동서발전은 AI 산업에 기초가 되는 반도체 산업 활성화를 위해 용인 반도체 클러스터 산업단지 전력 인프라를 조성하는 등 주요 산업의 안정적인 전력공급을 통해 국가 산업 경쟁력 강화에 기여할 수 있는 다양한 방안을 지속적으로 모색해 나갈 계획이다.

2025.05.27 18:13주문정

용인 반도체클러스터 전력공급 차질 없게…72.8조 규모 설비계획 수립

용인 반도체클러스터 등 첨단전략산업에 전력을 차질 없이 공급하기 위한 72조8천억원 규모 설비계획이 수립됐다. 한국전력(대표 김동철)은 용인 반도체클러스터 10GW 전력공급을 위한 변전소 신설 등 설비계획을 담은 '제11차 장기송변전설비계획'이 산업통상자원부 제312차 전기위원회에서 확정됐다고 27일 밝혔다. 이는 지난 2월 발표된 '제11차 전력수급기본계획(11차 전기본)'의 전력수요와 발전설비 전망을 바탕으로 2024~2038년 15년간 적용되는 송·변전설비 세부계획이다. 계획에 따르면 호남-수도권 초고압 직류 송전(HVDC)의 효율적 운영을 위해 계통을 재구성하고, 반도체 등 국가 첨단전략산업의 전력수요를 반영한 전력공급 인프라를 확충한다. 호남-수도권 HVDC는 현재의 전압형 HVDC 기술 수준(단위 최대용량 2GW), 변환소 부지확보 및 배후계통 보강여건 등을 고려해 기존 4GW급 2개 루트(2036년 준공)를 2GW급 4개 루트(2031년, 2036년, 2038년 단계별 준공)로 변경했다. 용인 반도체클러스터에 필요한 10GW 이상 대규모 전력을 적기에 공급하기 위해 산단 내 변전소 신설, 기존 전력망과의 연계 등의 설비계획도 포함됐다. 또 기존에 추진 중인 하남시와 당진시의 전력망 구축 사업도 건설지연과 계통여건 변경 사항을 종합적으로 고려해 준공 시기를 조정했다. 한편 이번 계획에서는 플라이휠 동기조상기와 에너지 저장 장치와 무효전력 보상장치 통합설비(ESS-STATCOM) 등 전력계통 안정화를 위한 신기술 설비도 도입하기로 했다. 한전은 이번 설비계획을 추진하기 위해 2038년까지 72조8천억원의 투자가 필요할 것으로 전망했다. 이는 러시아-우크라이나 전쟁으로 인한 자재비 상승과 지중송전선로 증가 등이 원인으로 작용해 10차 계획(56조5천억원) 보다 16조3천억원 증가한 규모다. 한전은 송변전설비가 안정적 전력공급을 위한 필수설비인 만큼 설비투자를 최우선 순위로 두고 차질 없이 확충·보강해 나갈 계획이다. 한전 경영연구원은 이번 설비계획이 국민경제에 미치는 효과는 생산 파급 약 134조원, 고용 유발 약 48만명에 이를 것으로 전망했다. 한전은 지난 2월 제정된 '국가기간 전력망 확충 특별법'을 통해 건설사업 추진 동력을 높이고, 주민친화형 변전소 확대와 중립적 전자파 관리체계 구축으로 전력설비에 대한 주민 수용성을 높여 전력망을 적기에 건설할 계획이다. 또 11차 전기본에 반영된 대형 원전 등 신규 발전소 입지가 확정되면 최적의 계통구성방안을 수립하고, 재생에너지 변동에 대응하기 위한 ESS 중앙계약시장 물량이 전력계통에 효율적으로 활용될 수 있도록 연계방안을 마련할 계획이다. 제11차 장기 송변전설비계획에 대한 상세한 내용은 한국전력 홈페이지에서 확인할 수 있다.

2025.05.27 17:41주문정

ETRI-웨이비스, 첨단 전투기 눈 'AESA' 핵심부품 국산화…"내년 생산"

첨단 전투기의 눈 'AESA(능동형위상배열레이다)'의 핵심 소재와 회로 제작 기술이 국산화됐다. 이르면 내년 께 양산될 것으로 예상됐다. 한국전자통신연구원(ETRI)은 ㈜웨이비스와 공동으로 군수용 레이더(AESA) 및 고해상도 영상레이더(SAR)에 사용되는 핵심 부품인 질화갈륨(GaN) 기반 송수신 반도체 집적회로(MMIC)를 팹 기반 기술로 국내 처음 상용화했다고 27일 밝혔다. 이 MMIC는 고성능 군수용 반도체 핵심 부품이어서 수입도 어렵다. 그동안 국내에서는 KAI 등이 AESA용 MMIC를 해외 파운드리 공정서 제작한 뒤 국내로 가져와 모듈화해 사용했다. 임종원 RF/전력부품연구실 책임연구원은 "국가과학기술연구회(NST) 창의형 융합연구사업의 일환으로 지난 2023년부터 연구해왔다"며 "이번에 ETRI가 보유한 반도체 설계기술과 ㈜웨이비스 생산 공정기술을 접목해 X-대역에서 동작하는 송수신 칩 3종을 세계적인 수준으로 상용화했다"고 설명했다. 이번에 상용화한 주요 부품은 ▲전력증폭기(PA) ▲저잡음증폭기(LNA) ▲스위치(SW) 집적회로 등이다. 임 책임연구원은 "해외 파운드리 선도국인 미국이나 유럽의 상용제품과 동등한 성능 수준"이라며 "국내 유일의질화갈륨 양산 팹 시설을 이용한 최초 결과물"이라고 의미를 부여했다. 실제 전력증폭기와 저잡음증폭기, 스위치 집적회로 기술을 미국이나 유럽 제품과 비교한 결과 대부분 동등한 수준으로 나타났다. 저잡음증폭기 잡음지수나 스위치 삽입손실은 되레 ETRI 제품이 더 우수했다. ㈜웨이비스 최윤호 CTO는 “질화갈륨 반도체 양산이 가능한 국내 인프라를 바탕으로 군수용 핵심 부품을 자립화할 수 있는 기반을 마련했다"며 "향후 안정적인 시스템 개발과 실전 배치에 큰 도움이 될 것"으로 예상했다. 임 책임연구원은 "전력 증폭기 제작이 가장 어려운 기술인데, 이를 국산화했다"며 "내년께면 웨이비스를 통해 양산이 이루어질 것"이라고 덧붙였다.

2025.05.27 11:13박희범

로옴, 소비전력·발열 저감 AI 서버용 MOSFET 개발

로옴은 48V 계통 전원의 AI 서버용 핫스왑 회로 및 배터리 보호가 요구되는 산업기기 전원 등에 최적인 100V 내압 파워 MOSFET 'RY7P250BM'을 개발했다고 22일 밝혔다. 신제품은 향후 수요가 확대될 것으로 예상되는 8080 사이즈 MOSFET로, 기존품의 대체 사용이 용이하다. 또한 높은 SOA 내량(조건 : VDS=48V, Pw=1ms / 10ms)과 낮은 ON 저항 (RDS(on))을 동시에 실현했다. 이에 따라 핫스왑 (전원 투입) 동작 시의 높은 제품 신뢰성을 확보함과 동시에 전원의 효율을 최적화해, 소비전력과 발열 저감이 가능하다. 서버의 안정 가동과 저전력을 동시에 실현하기 위해서는 핫스왑 회로에 있어서 대전류 부하에 견딜 수 있는 높은 SOA 내량이 반드시 필요하다. 특히 AI 서버의 핫스왑 회로에서는 기존의 서버보다 높은 SOA 내량이 요구되고 있다. 신제품은 펄스폭 10ms에서 16A, 1ms에서 50A라는 업계 TOP의 성능을 실현하여 기존의 MOSFET로는 대응이 어려웠던 고부하 어플리케이션에 대응 가능하다. 또한 업계 TOP의 높은 SOA 내량 MOSFET로서 낮은 ON 저항도 동시에 실현해, 통전 시의 전력 손실 및 발열을 대폭 삭감했다. 8080 사이즈의 일반적인 높은 SOA 내량을 지닌 100V 내압 MOSFET의 ON 저항은 2.28mΩ 정도인 반면, 신제품은 약 18% 저감한 1.86mΩ(조건 : VGS=10V, ID=50A, Tj=25℃)을 실현했다. 이러한 낮은 ON 저항 실현을 통해, 서버 전원의 고효율화, 냉각 부하의 저감, 전력 비용 삭감에 기여한다. 뿐만 아니라 신제품은 세계적인 클라우드 플랫폼 기업의 권장 부품으로도 인정을 받아, 향후 AI 서버에서 채용이 증가할 것으로 예상하고 있다. 신뢰성과 저전력이 중시되는 서버 분야에 있어서 높은 SOA 내량과 낮은 ON 저항의 밸런스가 클라우드 용도에서 높은 평가를 받았다. 신제품은 월 100만개의 생산 체제로 양산을 개시했다. 인터넷 판매도 개시해 온라인 부품 유통 사이트에서 구입 가능하다. 로옴은 "앞으로도 서버 및 산업기기용 48V 전원 대응 제품 라인업을 지속적으로 확충해, 고효율 및 고신뢰성 솔루션을 제공함으로써 지속 가능한 ICT 인프라 구축 및 저전력에 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2025.05.22 14:07장경윤

DB하이텍, 1분기 영업익 525억원…전년比 28% 증가

DB하이텍은 1분기 설적이 연결 기준 매출액 2천974억원, 영업이익 525억원(영업이익률 18%)으로 잠정 집계됐다고 28일 밝혔다. 전년 동기 대비 매출액은 14%, 영업이익은 28% 증가했다. DB하이텍은 미국 관세에 대비한 선주문과 중국 양산 내재화 및 내수 활성화로 전력반도체 수요가 급증하며 개선된 실적을 기록했다. 응용분야 별로는 자동차·의료기기의 매출이 상승했다. 회사 관계자는 “당사 1분기 공장 가동률이 90%대로 상승하였으며, 2분기에도 이와 같은 분위기가 이어질 것으로 기대된다”며 “전력반도체 등 주력 제품을 중심으로 기술 차별화와 고도화를 지속하는 동시에, 신규사업 준비도 차질 없이 진행하며 사업 경쟁력을 지속 강화해 나갈 것”이라고 밝혔다. 한편 DB하이텍은 이달 28일과 29일 양일간 국내 기관 투자자를 대상으로 2025년 1분기 경영실적 발표 기업설명회를 개최할 예정이다.

2025.04.28 09:08장경윤

DB하이텍, 獨 'PCIM 2025'서 SiC‧GaN 개발 현황 공유

8인치 파운드리 전문기업 DB하이텍은 다음달 6일부터 8일(현지시간)까지 독일 뉘른베르크에서 열리는 유럽 최대의 전력 반도체 전시회 'PCIM(Power Conversion and Intelligent Motion) 2025'에 참가한다고 7일 밝혔다. 이번 전시에서 DB하이텍은 업계 최고 수준의 기술력을 확보하고 있는 BCDMOS(복합전압소자)를 포함해, 특화 이미지센서 공정, 차세대 전력반도체로 주목받고 있는 SiC(실리콘카바이드)·GaN(갈륨나이트라이드) 공정 등의 최신 개발 현황을 공유할 계획이다. 특히 최근 DB하이텍이 미래 성장 동력으로 역량을 집중하고 있는 SiC와 GaN 전력반도체 공정이 이번 전시의 주축이 될 예정이다. DB하이텍은 지난 2월 모든 공정을 자체 소화한 SiC 8인치 웨이퍼의 기본 특성을 확보했다. 회사는 올해 수율 및 신뢰성 향상을 거쳐, 2025년 말부터 고객에게 공정을 제공할 계획이라고 밝혔다. GaN 8인치 공정은 650V HEMT(고전자 이동도 트랜지스터) 특성을 확보하였으며, 올해 안으로 신뢰성 확보를 마칠 계획이다. 또한, DB하이텍은 오는 10월 GaN 전용 MPW를 운영하여 고객들의 제품 평가를 적극 지원할 예정이라고도 발표했다. 반도체‧전자 분야 시장조사전문기관 욜 디벨롭먼트에 따르면, 글로벌 SiC, GaN 전력반도체 시장 규모는 2024년 36억 달러에서 2027년 76억 달러까지 확대될 것으로 기대되며, 연평균 27.6%의 높은 성장률이 예상된다. DB하이텍은 이번 전시에 대해 “팹리스 고객 지원과 협업에서 글로벌 고객사로부터 높은 평가를 받고 있는 당사의 강점을 유럽 고객들에게도 알리는 기회가 될 것”이라고 참가 목적을 밝혔다. DB하이텍은 8인치에 특화된 아날로그 및 전력 반도체 공정 서비스를 통해 글로벌 리더 위치를 유지하고 있지만, 유럽 고객의 비중은 타 지역에 비해 비교적 낮은 편이다. 이에 이번 전시에서 성장하는 유럽 시장에서 신규 고객을 발굴하고, 기존 고객과의 미래 사업 협력을 통해 유럽 파운드리 서비스를 강화한다는 설명이다. 한편 현재 DB하이텍은 400개 기업과 양산을 진행하고 있으며, 아날로그 및 전력 반도체 제품의 8인치 누적 출하량은 600만장에 이른다. 이 외에도 엑스레이, 글로벌셔터, SPAD(단일광자 포토다이오드)와 같은 특화 이미지 센서 공정 기술 경쟁력을 확보해 다양한 업체와 양산을 진행하고 있다. 응용 제품으로는 모바일, 소비가전, 산업용에 더해 최근 차량용 제품의 생산 비중이 지속 증가하고 있다.

2025.04.07 14:33장경윤

북당진-신탕정 송전선로(345kV) 21년 만에 준공

2003년에 착수한 '345kV 북당진-신탕정 송전선로 사업'이 21년 만에 준공돼 충청·수도권에 전력을 안정적으로 공급할 수 있게 됐다. 최남호 산업통상자원부 제2차관은 2일 345kV 북당진-신탕정 송전선로 사업 준공식에서 “국가 미래 경쟁력을 좌우할 대규모 국가 기간 전력망 적기 확충에 총력을 경주할 것”이라면서 “오는 9월 시행을 앞둔 '전력망특별법'을 통해 범정부·지자체가 참여하는 새로운 전력망 거너번스와 지역주민 보상·지원을 대폭 확대하는 등 전력망 수용성을 확보하는 새로운 패러다임을 실현할 것”이라고 말했다. 345kV 북당진-신탕정 송전선로는 2003년 사업에 착수해 2024년 11월 운전개시까지 21년이 소요된 국내 최장기 지연사업이다. 송전망 확충이 지연됨에 따라 충남 서해안 지역은 발전력 보다 송전망이 부족해 발전량에 제약이 걸려 있었다. 산업부는 이번 송전망 확충을 계기로 서해안 지역 발전제약이 일부 해소되면서 연 약 3천500억원의 전력 추가 구입비를 절감할 수 있을 것으로 기대했다. 또 충청과 수도권 전력인프라가 보강되면서 국가첨단전략산업 특화단지로 지정된 천안·아산 지역의 차세대 디스플레이 투자도 탄력을 받을 전망이다. 최 차관은 345kV 북당진-신탕정 송전선로 준공 축하와 함께 21년 공사기간 단 한 건의 중대 재해가 없었던 점을 높게 평가하면서 앞으로도 안전관리를 철저히 할 것을 당부했다. 최 차관은 이어 “전력당국은 앞으로도 현장에 기반한 제도개선을 꾸준히 추진해 나갈 계획”이라며 “일선 현장에서도 지역주민·지자체와 적극적인 소통을 통해 전력망 적기 구축을 추진할 것”이라고 밝혔다. 한편, 최 차관은 지자체장 등 주요 참석자를 대상으로 “충남지역 반도체·디스플레이 등 전력다소비 산업 육성 계획에 전력설비 확충이 필수적”이라며 “해당 지역의 전력망 확충 사업에 인허가 등을 적극 지원해 줄 것”을 요청했다.

2025.04.02 18:17주문정

DB하이텍, 'GaN 전력반도체' 초기 사업 착수…"고객사 관심 많아"

DB하이텍이 신사업 진출에 대한 적극적인 의지를 드러냈다. 지난해까지 GaN(질화갈륨)·SiC(탄화규소) 등 차세대 전력반도체 초도 양산을 위한 시생산(파일럿)라인을 구축해 올해 GaN을 중심으로 초도 양산에 나설 계획이다. 12인치 파운드리 사업도 현재 정부와 투자 논의를 진행 중이다. 55나노미터(nm) 등 전력반도체 분야가 주요 타겟이 될 전망이다. 20일 조기석 DB하이텍 대표는 경기 부천 본사에서 열린 '제72기 정기주주총회'에서 회사의 향후 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. DB하이텍은 8인치 파운드리 전문기업이다. 반도체 레거시(성숙) 공정을 기반으로 한 PMIC(전력관리반도체), DDI(디스플레이구동칩), CIS(CMOS 이미지센서) 등을 주로 생산한다. 자회사 DB글로벌칩을 통해 팹리스 사업도 영위하고 있다. DB하이텍의 지난해 연 매출은 1조1천310억원, 영업이익이 1천950억원으로 집계됐다. 영업이익률은 17%다. 전년 대비 매출은 2%, 영업이익은 28% 감소했으나, 8인치 파운드리가 지난해 업황이 부진했다는 점을 감안하면 견조한 실적이다. 조 대표는 "국내외 정세의 불확실성이 높은 상황에서도 당사는 오래 쌓아온 기술 경쟁력을 바탕으로 가동률 하락을 최소화하고, 경쟁사 대비 높은 영업이익률을 기록했다"며 "2025년 현재 당사의 가동률은 90%를 상회하고 있어 매출과 영업이익의 회복 또한 기대되고 있다"고 말했다. 미래 성장동력 확보를 위한 12인치 파운드리, GaN(질화갈륨)·SiC(탄화규소) 화합물반도체 등 신사업 진출도 지속 추진할 계획이다. 조 대표는 "현재 정부와 12인치 파운드리 투자와 관련해 심도 깊게 논의하고 있다"며 "당사의 강점이 BCD 전력반도체기 때문에, 55나노 BCD 등을 목표로 개발을 진행할 것"이라고 설명했다. GaN·SiC 화합물반도체 사업을 위한 시생산(파일럿) 라인 구축도 지난해 완료했다. 올해 2·3분기께 초도 양산을 시작할 것으로 관측된다. 조 대표는 "기존 전력반도체 사업을 진행하다보니 관련 고객사들이 GaN·SiC 반도체에도 많은 관심을 보내고 있다"며 "GaN은 올해 초기 비즈니스에 착수할 수 있을 것으로 보이고, 내년도 말이나 내후년에는 SiC 관련 비즈니스도 진행될 수 있을 것으로 판단된다"고 말했다.

2025.03.20 10:48장경윤

매그나칩, DDI 사업 중단…"전력반도체 집중"

매그나칩은 디스플레이구동칩(DDI) 등 디스플레이 사업을 중단하고, 순수 전력 반도체 기업으로 전환하기로 결정했다고 13일 밝혔다. 이에 따라 매그나칩의 디스플레이 사업은 오는 5월에 발표할 1분기 실적에서 중단 사업으로 분류될 예정이다. 또한 매각, 합병, 합작법인 설립, 라이센싱, 사업중단 등을 포함한 전략적 옵션을 검토하고 추진하기로 했다. 김영준 매그나칩 대표이사는 "소중한 고객과 직원 모두를 고려할 때, 이번 결정은 이사회 및 경영진 입장에서 매우 어려운 결정이었다"며 "그러나 회사의 우선순위는 지속가능한 수익성을 확보해 주주 가치를 극대화해야 하기 때문에, 전력 반도체 사업에 집중할 것"이라고 밝혔다. 그는 이어 "2025년 4분기 말까지 손익분기점(EBITDA기준)을 달성하고, 2026년에는 조정 영업이익을 내고, 2027년에는 잉여현금흐름(free cash flow)을 달성하는 것을 목표로 한다"며 "이러한 각 목표는 3년 내에 30% 매출 총이익률, 3억 달러 매출을 달성하는 우리의 3-3-3 전략에 도달하는 데 도움이 될 것"이라고 강조했다. 전력 반도체 사업은 다양한 시장에 제품이 공급되고, 제품 수명 주기가 더 길고, 산업 성장률에 변동성이 상대적으로 적어 시장에 대한 예측이 비교적 수월하다. 매그나칩의 파워 디스크리트 및 파워 IC 사업은 2024년에 1억8천500만 달러의 매출을 달성해, 전년대비 13% 성장을 기록했다. 회사는 2025년에도 매출 성장을 기대하고 있다. 2007년에 전력 반도체 사업에 진출한 매그나칩은 Gen 5, Gen 6 IGBT, Gen 6 SuperJunction MOSFET, Gen 8 중저전압 MOSFET를 포함한 차세대 전력 반도체 제품 라인을 출시한다고 발표했다. 회사는 오늘 별도로 발표된 27개를 포함해 2025년에 40개 이상의 신제품을 출시할 계획이다. 신규 출시된 Gen 6 및 Gen 8 파워 제품들은 기존 제품보다 성능이 30% 향상됐으며, 다이 칩 크기가 줄어들어 웨이퍼당 사용 가능한 다이 수가 30% 이상 증가했다. 이러한 혁신적인 제품군은 자동차, 산업용 시장, AI, 그리고 100KW 이상의 고전류 응용 분야 등 새로운 고부가가치 시장 기회의 잠재력을 열어준다. 이 신제품들은 회사의 구미 제조 시설을 최적화하면서 웨이퍼당 더 높은 매출을 창출할 것으로 예상된다. 전력 반도체 비즈니스에 전념하려는 회사의 전략과 관련해, 매그나칩은 구미 공장을 전력 반도체 비즈니스에 더욱 최적화하고 시설 업그레이드를 하기 위해 향후 3년간 약 6천500만~7천만 달러(약 1천억원)를 투자할 계획이다. 최근 매그나칩은 회사의 기존 자산을 담보로 대출을 제공하는 장비 금융 신용 계약 을 체결해, 2천650만 달러(약 380억 원)를 확보했다. 이 대출의 이자율은 3.97%로 매 분기 조정되며, 10년 만기로 처음 2년은 이자만 납부하고 이후 8년 동안은 분할 상환하는 조건이다.

2025.03.13 09:03장경윤

TI, 업계 최초 우주 등급 '200V GaN 게이트 드라이버' 출시

텍사스 인스트루먼트(TI)는 방사능 내성 경화 기능을 갖춘 하프 브리지 질화 갈륨 (GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET) 게이트 드라이버 신제품군을 출시했다고 25일 밝혔다. 이 제품군에는 업계 최초로 최대 200V 작동을 지원하는 우주 등급 GaN FET 게이트 드라이버가 포함돼 있다. 해당 제품군은 핀 투 핀(pin-to-pin) 호환이 가능한 세라믹 및 플라스틱 패키징 옵션으로 제공되며 세 가지 전압 레벨을 지원한다. TI가 이와 같이 우주 등급 전력 제품의 기술 개선을 이루면서, 엔지니어들은 TI의 제품군만으로도 모든 유형의 우주 항공 미션에 적합한 위성 전력 시스템을 설계할 수 있게 됐다. 위성 시스템은 궤도 내 데이터 처리 및 전송량 증가, 고해상도 이미징, 보다 정밀한 센싱에 대한 요구사항을 충족시키기 위해 점점 더 복잡해지고 있다. 엔지니어들은 위성 시스템의 임무 수행 능력을 향상시키기 위해 전력 시스템의 효율성을 극대화하는 데 주력하고 있다. TI의 새로운 게이트 드라이버는 상승 및 하강 시간이 짧고 GaN FET를 정확하게 구동하도록 설계되어 전원 공급 장치의 크기와 밀도를 개선해 준다. 이를 통해, 위성은 태양광 패널에서 생성된 전력을 보다 효과적으로 사용하여 임무를 수행할 수 있다. 하비에르 바예 TI 우주 항공 전력 제품 사업부 제품 라인 매니저는 "위성은 글로벌 인터넷 서비스 제공부터 기후 및 운송 활동 모니터링에 이르기까지 여러 가지 중요한 임무를 수행하며 인류가 세상을 더 잘 이해하고 탐색하도록 돕는다"며 "TI의 새 제품군은 저궤도, 중간 궤도, 정지궤도 상의 위성들이 우주의 극한 환경에서 높은 수준의 전력 효율을 유지하면서도 장기간 작동할 수 있도록 지원한다"고 말했다.

2025.02.25 09:48장경윤

인피니언, SiC 웨이퍼 '8인치' 전환 시작…"1분기 첫 출시"

인피니언 테크놀로지스는 올 1분기에 첨단 200mm SiC(실리콘카바이드) 기술 기반의 첫 번째 제품을 고객에게 출시한다고 17일 밝혔다. 오스트리아 빌라흐에서 제조되는 이 제품은 신재생 에너지, 열차, 전기차 등 고전압 애플리케이션을 위한 최상의 SiC 전력 기술을 제공한다. 또한 말레이시아 쿨림 소재의 인피니언 제조 시설은 150밀리미터 웨이퍼에서 더 크고 효율적인 200밀리미터 웨이퍼로 전환하는 작업을 순조롭게 진행하고 있다. SiC 반도체는 전기를 더욱 효율적으로 전환하고, 극한 조건에서 높은 신뢰성과 견고성을 제공하며, 더 작은 설계를 가능하게 함으로써 고전력 애플리케이션에 혁명을 일으켰다. 인피니언의 SiC 제품을 사용해 고객들은 전기 자동차, 고속 충전소, 열차뿐만 아니라 신재생 에너지 시스템 및 AI 데이터 센터를 위한 에너지 효율적인 솔루션을 개발할 수 있다. 인피니언은 그린 에너지로의 전환 및 CO2 감소에 기여하는 포괄적인 고성능 전력 반도체 포트폴리오를 제공하는 데 중점을 두고 있다. 인피니언 관계자는 "매우 혁신적인 와이드 밴드갭(WBG) 기술을 위한 '인피니언 원 버추얼 팹'인 빌라흐와 쿨림에 위치한 인피니언의 생산 공장은 SiC 및 갈륨 나이트라이드(GaN) 제조에서 빠른 램핑업과 원활하고 효율적인 운영을 가능하게 하는 기술과 공정을 공유한다"며 "200mm SiC 제조 활동은 전력 시스템 솔루션을 선도하는 인피니언의 실리콘, SiC 및 GaN을 포함한 전력 반도체 전체 스펙트럼에서의 기술 리더십을 더욱 강화한다"고 밝혔다.

2025.02.17 14:17장경윤

전기연구원 SiC 전력 반도체, 우주시장 진출 "꿈"

한국전기연구원(KERI)은 차세대반도체연구센터 서재화 박사 연구팀이 우주 환경에서 탄화규소(SiC) 전력반도체 소자의 방사선 내성을 평가할 수 있는 기술을 개발했다고 17일 밝혔다. 우주 방사선은 항공기나 탐사선(로버), 위성 등에 탑재되는 전력반도체의 전기적 특성을 심각하게 저하시키는 원인으로 손꼽힌다. 이때문에 미국과 유럽을 중심으로 방사선 영향 연구를 진행하고 있다. 우리나라는 아직 실리콘 전력반도체 단계에서 방사선 내성을 정량적으로 분석하는 수준에 머물고 있다. 서재화 박사는 "국내 최초로 고에너지 우주 환경 모사를 통해 SiC 전력반도체의 방사선 내성을 효과적으로 평가하는 데 성공했다"고 밝혔다. 서 박사는 "우주 방사선은 다양한 에너지 대역의 입자들로 구성돼 있다. 그중 양성자(proton)가 80~90%를 차지하기 때문에 극한 우주 방사선 실험 환경을 구현하는 것이 어렵다"고 설명했다. 연구팀은 한국원자력연구원이 보유한 가속기 시설의 고에너지 양성자(100 MeV)를 활용했다. 정확한 방사선 조사 조건을 구현하기 위해 국립경국대 윤영준 교수팀과도 협업했다. 연구팀은 극한 우주 환경 조건에서 직접 국산화한 SiC 전력반도체의 전압 변화, 피폭으로 인한 누설 전류 증가 및 격자 손상 등 영향성을 체계적으로 분석했다. 실제 우주 부품으로 SiC 전력반도체가 사용될 때의 장기적인 신뢰성을 보장할 수 있는 설계 기준도 마련했다. 연구결과는 핵·방사화학 분야 국제저널(Radiation Physics and Chemistry)에 최근 게재됐다. 향후 연구팀은 초고에너지급(200MeV 이상) 방사선 조건에서의 SiC 전력반도체 신뢰성 평가와 함께 '차세대 내방사(radiation-resistance) 전력반도체' 소자 개발을 추진할 계획이다. 서재화 박사는 "현재 경남도 및 2인치 다이아몬드 웨이퍼를 세계 처음 개발한 일본 기업 오브레이와 컨소시엄을 구성해 우수한 반도체 물성을 갖는 '다이아몬드를 이용한 미래형 전력반도체' 연구도 진행중"이라고 밝혔다. 서 박사는 "우주·항공뿐만 아니라 의료용 방사선 기기, 원자력 발전 및 방사선 폐기물 처리 설비, 군수·국방 전자제품 등 다양한 분야에 기술이 적용될 것”으로 기대했다.

2025.02.17 09:01박희범

마우저, 이튼과 글로벌 유통 계약 확대

마우저일렉트로닉스는 이튼(Eaton)과 글로벌 유통 계약을 확대하고, 전력 분배 및 제어 제품군을 추가했다고 22일 밝혔다. 이튼은 전력 분배 및 회로 보호, 전력 품질, 백업 전원 및 에너지 저장, 제어 및 자동화, 생명 안전 및 보안, 구조적 솔루션(structural solution)을 비롯해 혹독하고 위험한 환경을 위한 솔루션에 이르기까지 다양한 분야에 걸쳐 지역별 애플리케이션을 최적화할 수 있는 전문성을 보유하고 있는 지능형 전력 관리 기업이다. 마우저는 항공우주, 자동차, 데이터센터, 운송 및 산업 애플리케이션에 사용할 수 있는 약 12만5천개에 이르는 광범위한 이튼 사업부의 솔루션 포트폴리오를 제공하고 있으며, 이중 1만5천개 이상은 재고로 보유하고 있다. 이튼 전기사업부의 FAZ 시리즈 UL 489 회로 차단기와 UL 1077 보조 보호기는 소형의 DIN 장착 디바이스로서, 인력과 설비 및 플랜트에 최적화된 효율적인 보호 기능을 제공한다. UL 489 회로 차단기는 최대 63A의 정격 전류를 제공하며, 무정전 전원공급장치(UPS), 모터 제어 회로, PLC I/O 포인트, HVAC 시스템 등과 같은 분기회로 서비스 애플리케이션에 이용할 수 있도록 설계되었다. UL 1077 보조 보호기는 제어 회로와 조명, 비즈니스 장비와 같은 제어 패널 애플리케이션에 적용할 수 있도록 설계됐다. 이튼 전자사업부의 XLHV 슈퍼커패시터는 높은 신뢰성을 갖춘 고출력, 초고용량의 에너지 저장 디바이스다. 이 디바이스는 전기 이중층 커패시터(EDLC) 구조를 갖추고 있어 백업 전원과 펄스 전원 및 하이브리드 전원 시스템에 대한 향상된 애플리케이션 유연성을 제공한다. 이튼 자회사인 수리오(SOURIAU)의 UTSX 원형 커넥터는 자외선(UV) 및 부식에 대한 내성과 충격 방지 기능을 갖추고 있어 혹독한 환경에 매우 적합하다. 이 커넥터는 교체가 가능한 수리오 고유의 접점 설계를 기반으로 공급망을 간소화하고, 모든 제품군에 걸쳐 동일한 배선 프로세스를 유지할 수 있도록 지원한다. 주요 애플리케이션 분야로는 오프로드 장비, 계측기, 실외 태양광 및 관개 시스템, 풍력 및 수자원 관리 등이 포함된다. 이튼 자회사인 선뱅크(SUNBANK)의 AS85049/88/89/90 EMI/RFI 복합 백쉘(backshell)은 우수한 내진동성 및 뛰어난 신뢰성과 함께 자체 잠금 기능을 갖추고 있다. 이 백쉘은 쉴드 부착을 용이하게 하여 신호 무결성을 보장한다. 주요 애플리케이션 분야에는 항공, 지상군, 군용 해상장비, 군용 항공기 및 지상 운송 등이 포함된다. 마우저는 2023년에 이튼으로부터 미주 지역 전자 부문 유통 파트너십 상을 수상한 바 있으며, 2019년에는 유통기업 참여상을 받았다.

2025.01.22 13:24장경윤

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