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'전력 반도체'통합검색 결과 입니다. (92건)

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아이언디바이스, 전략기획그룹 총괄에 선정현 전 DB하이텍 상무 영입

혼성신호 반도체 팹리스 전문기업 아이언디바이스는 전략기획그룹을 신설하고, 선정현 전 DB하이텍 상무를 부사장으로 선임했다고 2일 밝혔다. 아이언디바이스는 30년 이상 반도체 산업에서 영업, 마케팅, 품질 등 핵심 직무를 수행해 온 선정현 신임 부사장 영입을 통해 중장기 비전 달성을 위한 핵심 전략 수립, 사업 포트폴리오 최적화, 신규 사업 발굴 등을 추진할 계획이다. 선 부사장은 1992년 삼성전자 메모리사업부 상품기획 및 응용기술팀에 입사해 경력을 쌓아왔다. 삼성전자에 근무할 당시 엔비디아 대상 신제품 프로모션과 디자인-윈(Design-win)을 확보하는 등 주요 성과를 달성했다. 이후 DB하이텍에서 약 18년간 재직하며 영업팀과 마케팅팀을 총괄했고, 전력반도체 개발 로드맵과 중장기 사업 전략 수립을 추진했다. 특히 전력반도체(600V/650V/700V)의 초도 양산을 성공적으로 이끌었고, 전기차와 고속 충전기 시장을 겨냥한 GaN(질화갈륨) 및 SiC(탄화규소) 사업 개발을 주도했다. 또한 고수익 파워 제품과 최첨단 전력반도체 파운드리 분야에서 고부가가치 포트폴리오를 구축하는 데 크게 기여했다. 아이언디바이스 관계자는 "반도체 영업·마케팅 분야 최고의 전문가인 선정현 부사장 합류를 통해 전력반도체 사업을 강화하고 글로벌 기업과의 협력을 확대해 나갈 계획"이라며 "전력기획그룹을 중심으로 수익성 높은 포트폴리오를 확보하고 신규 사업을 발굴해 안정적인 성장 기반을 마련해 나갈 것"이라고 말했다. 선정현 부사장은 “혼성신호 SoC 기술력을 인정받은 아이언디바이스에서 중장기 목표 달성을 위한 전략 실행에 집중해, 아이언디바이스가 혼성신호 시스템반도체와 화합물전력반도체 시장을 선도하는 기업으로 도약하는 데 기여하겠다”고 포부를 밝혔다.

2025.10.02 09:44장경윤

차세대 전력반도체 장비 국산화로 시장 뚫는다

국내 반도체 제조장비 업계가 SiC(탄화규소)·GaN(질화갈륨) 등으로 대표되는 차세대 전력반도체 시장 공략에 적극 나서고 있다. 기존 해외 기업들이 주도하던 제품을 국산화해 최근 국내외 고객사들을 대상으로 적극적인 프로모션과 데모 테스트에 나섰다. 지난 14일부터 19일까지 개최되는 부산 벡스코(BEXCO) 내 '제22회 국제탄화규소 학술대회(ICSCRM 2025)' 행사장에서는 이러한 국내 장비 기업들의 성과와 노력을 직접 확인할 수 있다. 장비업체 테스는 SiC 전력반도체의 핵심 공정인 에피(Epi) 성장을 위한 HTCVD(고온CVD) 장비 'TRION'을 상용화했다. CVD는 화학 반응을 통해 웨이퍼 표면에 얇은 막을 형성하는 공정을 뜻한다. 해당 장비는 기존 독일 엑시트론, ASM 자회사 LPE 등 해외 기업들이 사실상 시장을 독점해 왔다. TRION은 1천650도 고온의 공정온도에서도 8인치 웨이퍼 내의 온도 편차를 5도 이하로 제어할 수 있다. 또한 공정 가스 분사 시 두께, 도핑의 균일도를 미세하게 조절할 수 있는 노즐 기술도 갖췄다. 테스 관계자는 "기존 DUV(심자외선) LED 분야에서 쌓아온 CVD 기술을 토대로 개발된 TRION은 경쟁사 대비 장비의 성능 및 생산효율성, 가격 경쟁력 면에서 모두 우위를 갖추고 있다"며 "현재 데모 설비 구축을 완료하고, 국내외 고객사들과 공급 논의를 진행 중"이라고 설명했다. 나아가 테스는 오는 2027년께 12인치 SiC 전력반도체에 대응하는 신규 CVD 장비도 출시할 계획이다. 현재 SiC 전력반도체 시장이 6인치에서 8인치로 넘어가는 것처럼, 향후 2~3년 뒤 12인치 시장이 개화할 것이라는 전망에서다. 제우스는 급속열처리(RTP) 장비로 관련 시장에서 두각을 드러내고 있다. RTP는 짧은 시간 동안 웨이퍼에 고온 환경을 조성해 소재의 전기적 특성을 개선하는 공정이다. 앞서 제우스는 지난 2023년 전력반도체용 RTP 장비인 'RHP'를 공개한 바 있다. 해당 장비는 평직물 구조의 텅스텐 할로겐 램프를 동심원 형태로 구성해, 열을 균일하게 전달한다. 제우스는 약 2년 전부터 해외 주요 SiC 기업인 온세미와 RTP 장비 평가를 진행해, 현재 테스트를 완료했다. 또한 국내 SiC 소자기업과도 공급계약을 체결했다. 제우스 관계자는 "중국 등 주요 전력반도체 시장 공략도 추진 중"이라고 설명했다. 이오테크닉스는 기존 메모리에 적용했던 레이저 어닐링 장비를 SiC 등 타 분야로도 확장하는 방안을 추진 중이다. 어닐링은 이온 주입 후 손상되는 웨이퍼의 결정 구조를 복원하기 위해 표면을 국소적으로 가열 및 냉각하는 공정이다. 웨이퍼 전체에 열을 가하던 기존 기술과 달리, 레이저는 필요한 부분에만 국소적으로 어닐링을 진행할 수 있어 미세 공정 구현에 용이하다. 이오테크닉스 관계자는 "전력반도체용 레이저 어닐링 장비는 기존 일본 장비기업이 주도하던 분야로, 이오테크닉스도 SiC 분야로 꾸준히 프로모션을 진행 중"이라고 밝혔다. SiC·GaN은 기존 실리콘 대비 고온 및 고전압에 대한 내구성이 뛰어나며, 전력효율성이 높은 차세대 전력반도체 소재다. 특히 SiC는 내구성이 더 뛰어나 전기차 등 자동차 시장에서 수요가 급격히 증가하고 있다. GaN은 스위칭 속도가 빨라 고주파 환경의 무선 통신에 선제적으로 적용됐으며, 점차 적용처가 확대되는 추세다.

2025.09.17 11:20장경윤

마이크로칩, 신규 '듀얼팩 3' IGBT7 모듈 출시

마이크로칩테크놀로지는 첨단 IGBT7(절연 게이트 바이폴라 트랜지스터) 기술을 적용한 새로운 'DualPack 3(DP3)' 전력 모듈 제품군 6종을 발표했다고 17일 밝혔다. 이번 신제품은 1200V 및 1700V 사양에서 300~900A의 고전류를 지원하는 6종 모델로 구성되어 있으며, 소형화 및 비용 효율성을 모두 충족하면서도 전력 변환기 솔루션 간소화에 대한 증가하는 수요를 해결하기 위해 설계됐다. 이번 모듈은 최신 IGBT7 기술을 적용해, IGBT4 제품 대비 전력 손실을 최대 15~20%까지 줄일 수 있고 과부하 시에도 최대 175°C의 고온 환경에서도 안정적으로 작동할 수 있도록 설계됐다. 또한 DP3 모듈은 고전압 스위칭 시 보호 및 제어 기능을 강화해 산업용 드라이브, 재생에너지, 트랙션, 에너지 저장 장치(ESS), 농업용 운송수단 등 다양한 분야에서 전력 밀도, 신뢰성 및 사용 편의성을 극대화할 수 있도록 지원한다. DP3 전력 모듈은 페이즈-레그(phase-leg) 구성으로 제공되며, 약 152mm × 62mm × 20mm 크기의 소형 풋프린트를 통해 전력 출력 확대를 위한 프레임 사이즈 확장을 가능하게 한다. 이러한 첨단 전력 패키징 방식은 여러 모듈을 병렬 연결할 필요성을 없애 시스템 복잡성을 줄이고 부품 원가(BOM) 절감에 기여한다. 또한 DP3 모듈은 업계 표준 EconoDUAL 패키지에 대한 세컨드 소스(second-source) 옵션을 제공해 고객에게 더 큰 유연성과 공급망 안정성을 보장한다. 레옹 그로스 마이크로칩 고신뢰성 및 RF 사업부 부사장은 “새로운 DualPack 3 모듈은 IGBT7 기술을 적용해 설계 복잡성을 줄이고 시스템 비용을 낮추면서도 높은 성능을 유지할 수 있다"며 "또한 마이크로칩의 전력 모듈은 설계 과정을 더욱 간소화하기 위해, 마이크로칩의 마이크로컨트롤러, 마이크로프로세서, 보안, 커넥티비티 등 기타 부품과 함께 통합된 포괄적인 시스템 솔루션의 일부로 활용되어 개발 기간을 줄이고 시장 출시 속도를 가속화할 수 있다”고 말했다. DualPack 3 전력 모듈은 범용 모터 드라이브 애플리케이션에 적합하며, dv/dt, 구동 복잡성, 높은 전도 손실 및 과부하 처리 한계 등과 같은 일반적인 문제를 해결하도록 설계됐다.

2025.09.17 10:16장경윤

삼성전자, SiC 전력반도체 상용화 고삐..."최대한 빨리할 것"

삼성전자가 차세대 전력반도체 소재로 각광받는 SiC(탄화규소, 실리콘카바이드) 시장에 주목하고 있다. 구체적인 상용화 시점은 밝혀지지 않았으나, 현재 8인치 공정을 중심으로 연구개발에 매진하고 있는 것으로 알려졌다. 홍석준 삼성전자 부사장(CSS사업팀장)은 15일 부산 벡스코에서 열린 '제22회 국제탄화규소 학술대회(ICSCRM 2025)'에서 기자와 만나 "자세한 일정을 말할 수는 없으나, SiC 전력반도체를 빨리 상용화하기 위해 노력하고 있다"고 말했다. ICSCRM은 전 세계 주요 반도체 기업들이 모여 SiC 업계 동향 및 신기술을 공유하기 위해 마련된 행사다. 삼성전자가 이 행사에서 기조연설을 진행한 것은 이번이 처음이다. SiC는 차세대 전력반도체로 각광받는 소재다. 기존 실리콘 대비 고온 및 고전압에 대한 내구성이 뛰어나며, 전력효율성이 높아, 전기차·에너지 등 산업 전반에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 특히 방대한 양의 데이터 처리가 필요한 AI 산업에서도 중요성이 대두되고 있다. 삼성전자 CSS 사업팀과 시장조사업체 욜디벨롭먼트의 조사에 따르면, SiC 반도체 시장은 지난해 34억 달러에서 오는 2030년 104억 달러(한화 약 13조8천억원)로 연평균 20.3%의 성장률을 나타낼 전망이다. 산업 별로는 자동차 시장이 71%의 점유율로 가장 높은 비중을 차지할 것으로 보인다. 홍 부사장은 "SiC는 전력 시스템이 직면한 구조적인 문제를 해결할 차세대 솔루션으로 각광받고 있다"며 "SiC의 도입을 가로막던 높은 단가도 소재, 부품, 장비에 이르는 업계 전체의 노력 덕분에 비용이 빠르게 절감되고 있어, 대규모 채택이 현실화될 수 있는 조건이 만들어지고 있다"고 말했다. 이에 삼성전자는 지난 2023년 말 신설된 CSS 사업팀 주도로 8인치 SiC 전력반도체를 개발해 왔다. 8인치는 반도체 웨이퍼의 직경을 뜻한다. 기존 SiC 6인치 웨이퍼가 주류였으나, 근래에는 8인치 웨이퍼가 활발히 도입되고 있다. 다만 삼성전자가 SiC 사업에 본격적으로 진출하는 시점은 아직 예측하기 힘들다는 게 업계의 시각이다. 관련 사업에서 시장성을 확보할 만큼 기술력이 고도화되지 않았고, 삼성전자가 또 다른 전력반도체 소자인 GaN(질화갈륨)의 8인치 파운드리 사업을 먼저 추진하고 있어서다. 당초 GaN 파운드리 상용화 목표 시기는 올해였으나, 본격적인 사업 개시 시점은 빨라야 내년이 될 가능성이 유력하다. 홍 부사장은 "회사의 일정을 자세히 말씀드릴 순 없으나, SiC 사업 진출을 최대한 빨리 하려고 한다"며 "전력반도체 분야는 단순히 제품을 만드는 것이 아닌 고객사와의 협업을 통한 경쟁력 확보가 중요해 소수의 기업만이 살아남게 될 것"이라고 강조했다.

2025.09.15 13:57장경윤

DB하이텍, 650V GaN HEMT 공정 확보…10월 MPW 진행

8인치 파운드리 전문기업 DB하이텍은 차세대 전력반도체인 650V E-Mode GaN HEMT(전계모드 갈륨나이트라이드 고전자이동도 트랜지스터) 공정 개발을 마무리 짓고, 고객이 제품을 시험 생산할 수 있는 GaN 전용 MPW(멀티 프로젝트 웨이퍼)를 10월 말 제공한다고 11일 밝혔다. GaN 소재의 반도체는 기존 Si(실리콘) 기반의 반도체에 비해 고전압, 고주파, 고온에 강하며 전력 효율이 높아 SiC(실리콘카바이드) 등과 함께 최근 차세대 전력반도체로 각광받고 있다. 특히 전기차, AI(인공지능) 데이터센터, 고속 충전, 5G, 로봇 등의 신규 고성장 분야에서 수요가 급증하는 추세다. 시장조사기관인 욜디벨롭먼트에 따르면, GaN 시장은 2025년 5억3천만 달러에서 2029년 20억1천300만 달러로 연평균 약 40%로 급속 성장할 전망이다. 이번에 DB하이텍이 개발한 650V E-Mode GaN HEMT는 그 가운데서도 고속 스위칭과 안정성이 특징으로 전기차 충전기, 데이터센터의 전력변환기, 5G 통신 분야 등에서 활용도가 높다. DB하이텍은 시장이 초기 단계이던 2022년부터 GaN, SiC 등 화합물반도체를 차세대 사업으로 정하고 공정 개발을 진행해 왔다. DB하이텍 관계자는 "세계 최초로 0.18um BCDMOS(복합전압소자)를 개발하는 등 Si 기반 전력반도체에서 이미 글로벌 기술경쟁력을 인정받고 있으며, GaN 공정의 추가로 전력반도체 파운드리 기업으로서 회사의 경쟁력이 더욱 강화될 것으로 기대된다"고 밝혔다. DB하이텍은 이번 650V GaN HEMT 공정 개발을 시작으로 IC(집적회로) 형태로 설계할 수 있는 200V GaN 공정과 650V GaN 공정을 2026년 말까지 순차 개발할 예정이다. 이후에는 시장 상황과 고객의 수요 등을 고려해 더 넓은 전압대까지 공정을 확장하며 사업 기반을 견고히 할 계획이다. 이에 발맞춰 DB하이텍은 현재 충북 음성에 있는 상우캠퍼스에 클린룸 확장 또한 추진 중이다. 회사 측에 따르면 신규 클린룸은 8인치 웨이퍼 월 3만 5천 장가량을 증설할 수 있는 규모로, GaN을 비롯해 BCDMOS, SiC 등이 생산될 예정이다. 증설이 완료되면 DB하이텍의 생산능력은 현재 15만 4천 장 대비 23% 증가한 19만 장이 된다. 한편, DB하이텍은 현재 개발 중인 SiC 기술력 홍보와 강화를 위해 다음 주인 9월 15일부터 18일까지 부산 벡스코에서 개최되는 ICSCRM 2025(국제탄화규소학술대회)에 참가한다. DB하이텍은 이 자리에서 SiC를 포함한 GaN, BCDMOS 등 전력반도체 최신 기술 개발 현황을 선보이고, 고객 및 업계 관계자와 만날 예정이다.

2025.09.11 16:26장경윤

테스, SiC 전력반도체용 핵심장비 상용화 성공

반도체 전공정 전문 장비업체 테스는 SiC(탄화규소) 전력반도체 핵심장비 상용화에 성공해 본격적인 출시를 시작한다고 8일 밝혔다. SiC 전력반도체의 핵심 공정인 에피(Epi) 성장을 위한 HTCVD(고온CVD)는 기술 난이도가 높아 그동안 유럽, 일본의 업체가 사실상 공급을 독점해온 장비다. 테스는 2016년부터 판매 중인 DUV(극자외선) LED용 고온 MOCVD의 핵심기술을 활용해, SiC 전력소자 성장 장비인 HTCVD 'TRION'을 3년만에 상용화했다. TRION의 핵심 기술은 1천650도 고온의 공정온도에서도 8인치 웨이퍼 내의 온도 편차를 5도 이하로 가능하게 하는 'TRION 스페셜 RF 히터' 와 공정 가스 분사시 두께, 도핑의 균일도를 미세하게 조절할 수 있는 'TTPN(튜너블 트리플 페어 노즐; Tunable Triple Pair Nozzle)' 기술이다. 테스는 "독자 기술을 통해 에피 성장의 성능을 결정하는 온도 균일도 향상은 물론, 고객사 유지보수의 편의성과 생산성을 획기적으로 개선했다"며 "또한 TTNP 기술로 가스의 양, 속도, 방향을 미세하게 조정함으로써 최상의 8인치 두께 및 도핑 균일도를 확보했다"고 설명했다. 테스는 해당 제품을 오는 14일부터 부산 벡스코에서 개최하는 ICSCRM 2025에서 소개할 예정이다.

2025.09.11 13:00장경윤

마우저, 인피니언 최신 제품 포트폴리오 공급

마우저일렉트로닉스는 전력 시스템 및 IoT 분야의 글로벌 반도체 선도 기업인 인피니언테크놀로지스의 광범위한 최신 제품 포트폴리오를 공급하고 있다고 19일 밝혔다. 마우저에서 구매할 수 있는 인피니언의 젠시브 PAS CO2 5V 센서는 고품질 데이터를 안정적으로 제공하며, 거주자의 건강과 웰빙을 최우선으로 고려하는 건축 환경 인증 제도인 웰 건축물 표준의 성능 요건을 충족한다. 14 x 13.8 x 7.5mm³ 크기의 모듈로 제공되는 이 센서는 동급 NDIR 센서보다 무게가 4배 더 작고, 무게는 3분의 1에 불과하다. 이러한 초소형 설계 덕분에 공기청정기 및 온도조절기를 비롯해 다양한 스마트홈 및 사물인터넷(IoT) 기기에 매우 적합하다. 또한, 테이프 앤 릴 형태의 SMD 패키지로 제공되어 고속 대량 생산 시 조립을 간소화한다. 인피니언의 5세대 캡센스 및 멀티센스 기술을 특징으로 하는 PSOC 4100T 플러스 마이크로컨트롤러(MCU)는 시스템 제어는 물론, 직관적이고 상호작용이 가능한 HMI를 구현할 수 있도록 지원한다. 이 MCU는 사용자 터치 또는 근접 감지를 위한 정전용량식 감지와 금속 표면에서도 터치가 가능한 유도식 감지, 머신러닝 기반 액체 레벨 감지, 캡센스 기반 비접촉식 터치 등 다양한 센싱 애플리케이션의 혁신적이고 사용이 편리한 인터페이스를 구현할 수 있는 강력한 솔루션이다. 다양한 포트폴리오로 구성된 CoolSiC G2 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 시리즈는 SiC의 뛰어난 성능을 활용하여 전력 변환 효율을 높이고, 에너지 손실을 줄일 수 있다. 이를 기반으로 태양광, 에너지 저장장치, DC 전기차(EV) 충전, 모터 드라이브, 산업용 전원공급장치 등 다양한 전력 반도체 애플리케이션에서 사용자에게 강력한 이점을 제공한다. 인피니언의 .XT 패키징 기술과 결합된 CooLSiC G2 MOSFET은 더 높은 전력 밀도와 향상된 열 전도율 및 신뢰성을 통해 시스템 수명을 연장할 수 있도록 지원한다. 인피니언의 범용 MOSFET 포트폴리오는 다양한 애플리케이션의 포괄적인 설계, 비용 및 물류 요건을 충족한다. 이 포트폴리오는 250V 이하의 저전압 영역에서부터 500~900V의 고전압 영역까지 폭넓은 전압 범위를 지원하며, 설계 유연성을 높일 수 있도록 다양한 패키지 옵션을 제공한다. 인피니언의 전력 MOSFET 포트폴리오는 시스템 성능과 효율을 개선하는데 기여할 수 있으며, 낮은 RDS(on) 값과 낮은 게이트 및 출력 전하 특성을 갖추고 있어 전력 손실을 줄일 수 있다.

2025.08.19 11:05장경윤

뉴파워프라즈마, 2분기 매출 436억원…"분기 최대 실적 달성"

반도체 디스플레이 장비기업 뉴파워프라즈마는 올해 2분기 별도기준 매출액 436억원, 영업이익 87억원을 기록했다고 18일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 19% 증가했으며, 영업이익은 6% 증가했다. 또한 상반기 기준 매출 827억원으로 집계돼, 분기 및 반기 모두 창사이래 최고실적을 거뒀다. 금번 실적증가의 배경은 ▲국내외 거래처 다변화 ▲전 제품 수요 확대 ▲해외 영업 호조로 요약된다. 실제로 글로벌 반도체 생태계내 공정 미세화 트렌드가 강화되면서 뉴파워프라즈마의 핵심 제품인 반도체·디스플레이 세정장치RPS(Remote Plasma Source)와 플라즈마 고주파 전력장치RFS(Radio Frequency system)는 물론 신제품인 공정부산물 처리 시스템 PPS(Plasma Pretreatment system)까지 고른 성장 곡선을 그리고 있다. 뉴파워프라즈마 관계자는 “반도체 생태계내 공정 기술의 고도화로 플라즈마 기반 장비 수요가 높아지는 가운데 신규 고객 수요와 교체주기에 접어든 기존 고객의 수요가 동시에 창출되고 있어 매출 증대가 지속되고 있다”며 “다양한 제품 라인업 기반 영업강화로 글로벌 시장내 비중을 대폭 늘려갈 것”이라고 밝혔다. 한편 뉴파워프라즈마는 UTG 글로벌 최대 양산기업 도우인시스와 우주방산용 최첨단 복합소재 선도기업 스페이스프로를 핵심 계열사로 두고, 중장기적으로 주주와 함께 동반 성장하며, 지속성장을 견인할 수 있도록 반도체 외 타 산업으로의 진출도 모색 중이다.

2025.08.18 11:09장경윤

파워큐브세미, 기술특례상장 위한 기술성평가 통과

전력반도체 전문기업 파워큐브세미는 지난 31일 코스닥 기술특례상장을 위한 기술성평가를 성공적으로 통과했다고 1일 밝혔다. 기술성 평가는 코스닥 기술특례상장을 위한 첫 관문으로, 기술기업의 핵심 기술과 시장성 및 사업성을 평가한다. 이를 통과하기 위해서는 한국거래소가 지정한 전문평가기관 2곳으로부터 최소 A등급 및 BBB등급 이상을 확보해야 한다. 이번 기술평가 통과로 파워큐브세미는 기술특례 상장을 위한 핵심 요건을 충족하게 됐으며, 올해 하반기부터 코스닥 상장 절차에 본격적으로 착수할 예정이다. 파워큐브세미는 2013년 2월 설립된 업력 13년차의 전력반도체 전문 기업으로 글로벌 유일의 Si(실리콘), SiC(실리콘카바이드), Ga2O3(산화갈륨) 3개 소재에 대한 반도체 자체설계 기술을 보유하고 있다. 특히 '3세대 반도체 소자'라고 불리는 산화갈륨 분야에서 독보적인 기술력과 사업화 로드맵을 갖추고 있으며, 오는 8월에는 세계 최초로 산화갈륨 전용 양산 팹(Fab)을 가동할 계획이다. Ga2O3(산화갈륨) 소자는 산업의 라이프사이클에서 개화기 및 성장 초기에 해당하는 물질로 까다로운 물질 특성과 낮은 수율로 인해 글로벌 주요 반도체 기업들도 상용화에는 어려움을 겪고있다. 전 세계적으로 FLOSFIA(일본), Wolfspeed(미국) 등의 기업들이 산화갈륨 전력반도체를 연구개발 중이지만, 현재까지 제품 수준의 사업화에는 성공하지 못한 것으로 알려져 있다. 반면 파워큐브세미는 비교적 초기 기술 단계에서 상용화가 가능한 '센서'제품을 우선 개발해 산화갈륨 소자의 양산과 제품화를 세계 최초로 실현하는데 성공했다. 파워큐브세미의 산화갈륨 센서는 고온 및 고전압 환경에서도 안정적인 감지가 가능하며 산업 현장, 전기차, 국방 및 항공 우주 등 고 신뢰성이 요구되는 분야에서 활용도가 높다. 특히 5V 저전력 기반으로 에너지 소비를 최소화했으며, 포토다이오드 구조를 적용해 제조 비용 절감 효과도 뛰어나서 기존에 사용중인 진공관 및 SiC, GaN기반의 센서 시장을 대체할 수 있을 것으로 전망된다. 강태영 파워큐브세미 대표이사는 “기술성평가를 통과하며 회사가 보유한 기술력뿐만 아니라 시장성, 사업성까지 모두 입증받게 됐다"며 "올해 하반기동안 코스닥 상장 과정을 성실히 준비해 차세대 전력반도체 산업을 이끌어갈 선두주자로 도약하겠다"고 밝혔다.

2025.08.01 10:19장경윤

차세대 'LPDDR6' 표준 나왔다…삼성·SK, AI 메모리 새 격전지 추가

차세대 저전력 D램인 'LPDDR6' 표준이 최근 제정됐다. LPDDR6는 이전 대비 대역폭이 최대 1.5배 높은 것이 특징으로, 엣지 AI·온디바이스 AI 등 고성능 컴퓨팅 분야에서 수요가 창출될 것으로 기대된다. 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 기업들도 중장기적 관점에서 새로운 성장동력을 확보하게 됐다. 국제반도체표준화기구(JEDEC)는 LPDDR6 표준인 'JESD209-6'을 제정했다고 9일 밝혔다. LPDDR은 저전력 D램으로 스마트폰, 엣지 서버 등 전력 효율성이 중요한 기기에서 주로 활용된다. 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발돼 왔으며, 현재 7세대인 LPDDR5X까지 상용화가 이뤄졌다. LPDDR6의 핵심 요소는 대역폭의 증가다. 대역폭은 데이터를 한 번에 얼마나 많이 전송할 수 있는지를 나타내는 척도다. 기존 LPDDR5X의 경우 대역폭이 통상 8.5Gbps, 최대 9.6Gbps까지 구현 가능하다. LPDDR6는 통상 10.6Gbps에서 14.4Gbps까지 구현한다. 약 1.5배의 성능 향상이 이뤄지는 셈이다. 세부적으로 LPDDR6는 다이 당 2개의 서브채널 및 각 12개의 하위 채널을 갖춰, 데이터를 작은 단위(32바이트)까지 나눠 빠르게 처리할 수 있다. 또한 작업에 따라 유연하게 데이터 접근 방식을 바꿀 수 있는 제어 기술, 신호 품질을 유지할 수 있는 기술 등을 탑재했다. 전력효율성 측면에서는 이전 세대인 LPDDR5 대비 더 낮은 전압과 저전력 소비가 가능한 'VDD2' 전원을 두 개로 나눠 활용한다. 클럭 신호를 교차로 활용하기 때문에 전력 효율성과 성능을 동시에 높일 수 있다. LPDDR6 표준이 제정됨에 따라 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 주요 D램 제조업체는 물론, EDA(설계자동화) 및 IP 기업, 팹리스 등 관련 생태계 참여자들의 차세대 엣지 AI 서버 개발이 가속화될 것으로 기대된다. 최장석 삼성전자 메모리 상품기획팀장(상무)은 "삼성전자는 이번 JEDEC 표준 제정이 차세대 LPDDR 제품 개발에 중추적인 역할을 할 것이라고 확신한다"며 "기술 선도 기업으로서 온디바이스 AI를 포함한 모바일 시장 변화 요구에 부응하는 최적화된 솔루션을 제공하기 위해 최선을 다할 것"이라고 말했다. 이상권 SK하이닉스 D램 PP&E 담당은 "LPDDR6는 대역폭 및 전력 효율을 크게 향상하는 동시에 차세대 모바일, 자동차, AI 기반 애플리케이션의 증가하는 수요를 충족하기 위해 신뢰성 기능을 강화한다"며 "SK하이닉스는 업계 파트너들과 긴밀히 협력해 메모리 혁신을 발전시켜 나가기 위해 최선을 다하고 있다"고 밝혔다. 반도체 업계 관계자는 "주요 메모리 기업들과 관련 협력사들이 LPDDR6에 필요한 컨트롤러, 인터페이스 개발에 열을 올리고 있다"며 "실제 LPDDR6를 활용하기 위해선 아직 시간이 필요하나, 대역폭이 높은 LPDDR을 원하는 AI 서버 기업들은 이미 LPDDR6 도입을 논의 중"이라고 설명했다.

2025.07.10 10:23장경윤

칩스케이, GaN 전력반도체 'HighGaN' 국제상표 등록 완료

질화갈륨(GaN) 전력반도체 설계 전문 기업 칩스케이는 세계지식재산기구(WIPO)를 통해 GaN 전력반도체 기술에 대한 국제상표 등록을 완료했다고 1일 밝혔다. 칩스케이는 제09류(전력반도체, 전력변환 장치 등)에 해당되며 등록 명칭은 'HighGaN'이다. HighGaN은 칩스케이의 GaN 기반 전력반도체 소자가 높은 성능(High performance)과 신뢰성(High reliability)을 가지고 있다는 의미로 상표 등록을 통해 칩스케이는 기술의 브랜드화 및 글로벌 IP 포트폴리오 강화에 나선다는 계획이다. 칩스케이는 국내 최초로 실리콘 기판 위에 갈륨 나이트라이드 층을 성장시킨 웨이퍼(Gan-on-Si) 기반 650V급 전력반도체 양산을 시작으로 고속 충전기·AI 데이터센터·산업용 전원 장치 등 다양한 응용 분야로 제품 공급을 확대 중이다. 연평균 35% 이상 고성장을 기록 중인 GaN 전력반도체 시장에서 칩스케이는 글로벌 고객 및 파트너사에 HighGaN 브랜드를 통해 기술 신뢰성과 제품 차별성을 알리고 신규 객사 마케팅에 집중할 계획이다. 곽철호 칩스케이 대표는 "HighGaN 브랜드 확보는 단순한 명칭 등록을 넘어 기술 정체성과 차세대 시장 주도권 확보를 위한 전략적 조치"라며 "양산 기술력과 더불어 브랜드 가치까지 강화해 나가겠다"고 밝혔다. 칩스케이는 2017년 설립된 GaN에 특화된 전자소자 설계 전문 팹리스로, 고성능 전력반도체 분야에 주력하며 차별화된 기술 경쟁력을 확보하고 있다. GaN은 대표적인 화합물 반도체 소재로 기존 실리콘(Si) 대비 높은 전력 효율성과 고속 스위칭, 고온 안정성, 소형화로 전기차, 에너지 저장장치(ESS), 데이터센터 등 전력 인프라 핵심 소재로 주목받고 있다.

2025.07.01 13:50장경윤

日 르네사스, 전력용 반도체 전략 수정…매출 목표 5년 연기

일본 반도체 기업 르네사스 일렉트로닉스가 전력 반도체 생산 전략을 수정했다. 27일 니혼게이자이신문에 따르면 르네사스는 전기차(EV) 시장 성장 둔화 여파로 전력용 반도체 전략을 5년 연기했다고 발표했다. 지난 2022년 회사는 오는 2030년 매출 목표를 200억달러로 설정한 바 있다. 당시 시가총액도 10조엔(약 700억달러) 이상으로 키운다는 계획을 발표했으나, 최근 EV 및 산업용 반도체 시장의 부진을 감안해 목표 연도를 2035년으로 재설정했다. 이 소식에 르네사스 주가는 26일 기준 전일 대비 12% 급락한 1천735.5엔에 장을 마감했다. 지난 5년간 일일 주가 하락률이 두 자릿수를 기록한 것은 단 여섯 차례에 불과하다. 2024 회계연도 기준 르네사스의 매출은 1조3천480억엔(약 92억8천만달러)에 그쳤으며, AI 데이터센터용 반도체 수요 확대에도 불구하고 자동차 및 산업용 반도체 부진이 실적 부진으로 이어졌다. 한편 르네사스는 미국 반도체업체 울프스피드의 구조조정 부담으로 상반기에 약 2천500억엔 규모의 손실을 볼 것으로 관측된다. 해당 구조조정 과정에서 르네사스는 울프스피드에 예치된 20억6000만달러를 전환사채, 보통주, 워런트 형태로 전환할 예정이다.

2025.06.28 08:09전화평

"차세대 화합물 전력반도체 기술수준 선도국 80% 이하”

차세대 화합물 전력반도체 수요가 급증하고 있지만 국내 기술 수준은 선도국의 80% 이하에 머물러 있다는 지적이 제기됐다. 한국산업기술진흥원(KIAT·원장 민병주)이 17일 서울 반포 JW메리어트 서울에서 개최한 '제11회 산업기술정책포럼'에서 발제를 맡은 홍익대 차호영 교수는 “차세대 화합물 전력반도체 분야에서 국내 기술 수준은 선도국 대비 80% 이하 수준에 불과하다”며 “인력·공급망·자금 등 산업 기반이 전체적으로 취약한 만큼, 중장기 전략을 세워서 산학연 간 협업으로 대응해야 한다”고 강조했다. 전력반도체는 전기를 효율적으로 변환하고 제어하는 역할을 하는 반도체로 전기자동차나 신재생에너지 시스템, 서버·데이터센터, 5G 통신장비 등 고효율 전력 관리가 필수적인 분야에 필요하다. 최근 인공지능(AI) 인프라 구축과 탄소중립 대응이 중요해지면서 전력반도체 수요가 급증하는 추세다. 특히, 지금까지는 실리콘(Si)을 주로 사용했으나 최근 고전압 환경에 강하면서도 전력 손실이 적은 질화갈륨(GaN)·실리콘카바이드(SiC)가 차세대 전력반도체 소재로 떠올랐다. 비메모리 반도체 전문기업인 KEC의 김수성 최고기술경영자(CTO)는 “탄소중립과 전동화 흐름에 따라 전력반도체 산업이 빠르게 성장하는 중”이라며 “고전력·고효율 생산 기반에 집중해 전력반도체 특성을 극대화할 수 있는 국내 연구 환경과 공급망이 만들어지길 바란다”고 말했다. 민병주 KIAT 원장은 “전력반도체는 에너지 효율성과 산업 경쟁력을 좌우하는 핵심 전략 기술”이라며 “국내 기업이 세계적 수준의 경쟁력을 갖출 수 있게 전문 인력 양성, 기반 조성, 공급망 확보 등 다각도로 관련 업계를 지원하겠다”고 말했다. 한편, 산업기술정책포럼은 KIAT가 산업기술 진흥에 필요한 정책을 발굴하기 위해 연구기관·기업 관계자들의 의견을 수렴하는 자리다.

2025.06.17 13:35주문정

韓, '꿈의 반도체 소재' SiC 연구 지속…현대차 움직임 뚜렷

국내 주요 기업이 차세대 전력반도체 소재로 꼽히는 실리콘카바이드(SiC) 개발을 지속하고 있다. 특히 현대자동차의 특허 공개 활동이 뚜렷한 상황으로, 전력 모듈과 회로 분야에서 IP(설계자산) 리더십을 확보한 것으로 분석된다. 4일 프랑스 특허·기술 리서치 기업 노우메이드(KnowMade)에 따르면 국내 반도체 업계는 SiC 반도체와 관련한 특허를 매년 꾸준히 확보하고 있다. SiC는 실리콘(Si) 대비 고온·고압에 대한 내구성, 전력 효율성 등이 뛰어난 차세대 반도체 소재다. 이 같은 장점 덕분에 다양한 산업에서 수요가 확대되고 있으며, 특히 전기차(EV)용 전력반도체 분야에서 적극 채용될 것으로 전망돼 왔다. 다만 최근엔 전기차 시장의 캐즘(일시적 수요 침체) 현상이 심화되고, 중국 기업들의 시장 진입으로 경쟁이 가열되면서 SiC 반도체 기업들도 침체에 접어들고 있다. SiC 시장서 점유율 4위를 기록해 온 미국 울프스피드는 지난달 파산보호 신청 우려에 휩싸였으며, 일본 르네사스도 최근 현지 신공장에서 전기차용 SiC 전력반도체를 생산하려던 계획을 철회한 것으로 알려졌다. 현대자동차·쎄닉 등 SiC 연구개발 활발…LG는 축소 그럼에도 국내 반도체 업계의 SiC 관련 연구개발(R&D)은 비교적 견조하다는 평가가 나온다. 주요 기업·기관으로는 LG, 현대자동차, SK그룹과 한국전기연구원(KERI), 포스코 산하 포항산업과학연구원(RIST), SiC 웨이퍼 제조 스타트업인 쎄닉 등이 있다. 이들 6개 기업은 국내 SiC 관련 특허 공개 수의 3분의 2를 차지하고 있다. 특히 현대자동차가 SiC 관련 특허를 꾸준히 공개하고 있는 것으로 나타났다. 그룹 내 전장·반도체 관련 자회사인 현대모비스 주도로, 지난 2021년부터 매년 10건이 넘는 특허를 공개해 왔다. 주로 SiC 반도체의 후방 산업에 해당하는 소자 및 모듈, 회로 분야에서 강세를 보이고 있다. SiC 웨이퍼 제조업체인 쎄닉의 활동도 두드러진다. 지난 2021년부터 특허 공개가 시작돼, 잉곳 웨이퍼 등 전방 산업 분야에서 기술개발을 적극 진행해 온 것으로 알려졌다. 이 회사는 지난 2021년 SKC에서 분사돼 설립된 스타트업으로, 8인치(200mm) SiC 웨이퍼 양산을 목표로 하고 있다. 반면 LG화학과 LG전자, LG이노텍 등으로 대규모 SiC 특허 포트폴리오를 구축했던 LG그룹은 관련 연구개발이 활발하지 못한 것으로 관측된다. 지난 2021년 LG이노텍이 국내 팹리스인 LX세미콘에 SiC 특허를 이전한 이래로, 특허 공개 수가 크게 줄어들었다.특허 양수 이후 SiC 반도체 개발을 추진했던 LX세미콘도 근 몇년 간 추가적인 특허 확보에 소극적이었던 것으로 나타났다. 韓 SiC 공급망, 전력 모듈 분야가 '약한 고리' 국내 주요 기업들이 SiC 공급망 전반에 대해 연구하는 것처럼 보이지만, 전력 모듈 분야는 가장 약한 고리로 남아있다는 것이 노우메이드의 분석이다. 레미 코민 노우메이드 수석연구원은 "SiC 패키징 및 전력 모듈과 관련된 특허 수는 2022년 이후 큰 진전을 보이지 않고 있다"며 "참여 기업(현대자동차, 아모센스, 제이엠제이코리아)의 수가 제한돼 있고, 2022년 이후 신규 진입한 기업의 수가 SiC 공급망 내 다른 분야에 비해 감소했기 때문"이라고 설명했다. 실제로 SiC 전력 모듈 분야의 주요 특허 출원기업인 현대자동차는 2022년 이후 패키징, 모듈, 회로 등의 분야에서 신규 특허를 10건만 공개한 것으로 집계됐다. 다만 국내 주요 반도체 제조기업 및 스타트업이 SiC 반도체 시장 진출을 계획하고 있다는 점은 긍정적으로 평가된다. 삼성전자와 DB하이텍, SK하이닉스의 자회사 SK키파운드리 등이 관련 연구개발과 설비투자 등을 진행해 왔다. 삼성전자는 지난 2023년 서강대학교와 SiC MOSFET(전류의 흐름을 제어하는 트랜지스터) 관련 특허를 공동 개발했으며, DB하이텍도 지난해 SiC MOSFET와 관련한 특허 3건을 공개한 것으로 나타났다.

2025.06.09 14:28장경윤

칩스케이, 650V GaN 전력반도체 국내 최초 양산 돌입

질화갈륨(GaN) 전력반도체 설계 전문 기업 칩스케이는 국내 최초로 650볼트(V)급 GaN 전력반도체 양산을 시작한다고 9일 밝혔다. 칩스케이는 GaN-on-Si(실리콘 기반 GaN)기술 기반의 650V 전력반도체 소자 4종을 해외 파운드리를 통해 생산해 고속 모바일 충전기, AI 데이터센터, 산업용 전원장치 등 차세대 전력반도체 시장 공략에 나선다. GaN은 기존 실리콘(Si) 대비 높은 전력 효율성과 고속 스위칭, 고온 안정성, 소형화로 전기차, 에너지 저장장치(ESS), 데이터센터 등 전력 인프라 핵심 부품으로 주목받고 있다. 그러나 기술 진입장벽이 높아, 국내 상용 제품이 전무해 수입에 의존해 왔다. 칩스케이는 설계 기술과 특허, 그리고 고온(150℃) 환경에서도 안정적으로 동작이 가능한 소자를 이용해 해외 경쟁사 제품 대비 속도와 효율을 높이고 에너지 손실을 최소화했다. 칩스케이의 GaN 전력반도체 기술은 기존 고속 충전기 분야에서 확장해 전력 수요가 급증하는 AI·클라우드 기반의 데이터센터 분야에 적용이 기대된다고 회사측은 설명했다. 곽철호 칩스케이 대표는 "국산 GaN 전력반도체의 첫 양산 성공은 기술 독립은 물론 향후 수출 경쟁력 확보에 큰 의미가 있다"며 "발열 제어 성능이 뛰어난 고방열기판(QST) 기반의 제품도 연내 신뢰성 테스트를 마친 후 라인업 확대에 나설 것"이라고 밝혔다. 한편 칩스케이는 칩 면적을 줄이고 회로 집적도를 높인 구동회로가 일체화 된 고집적 GaN SoC(시스템온칩) 기술도 개발 중이다.

2025.06.09 11:01장경윤

수자원공사, SK하이닉스에 남강댐 수력 에너지 공급…무역장벽 해소

한국수자원공사(K-water)는 SK하이닉스와 남강댐 수력발전을 활용한 직접전력거래(PPA) 협약을 체결했다고 1일 밝혔다. 한국수자원공사는 협약에 따라 1일부터 남강댐 수력발전으로 생산한 친환경 에너지를 SK하이닉스에 직접전력거래 방식으로 공급한다. 경상남도 진주시에 있는 남강 수력발전소는 18MW 용량의 대규모 수력 발전설비로 연간 6만6천954MWh의 친환경 에너지를 생산한다. 약 2만3천여 가구의 연간 전력 사용량을 충당할 수 있는 수준이다. 최근 기후위기 대응을 위한 국제적인 환경 규제가 엄격해지는 가운데, 국내 수출기업이 무역 시장에서 RE100 이행을 명시적인 납품요건으로 요구받고 있다. 국내 대표 수출 품목인 반도체 역시 산업 경쟁력 확보를 위해서는 재생에너지 사용 규제에 자유로울 수 없다. 이번 협약은 수자원공사가 수력발전으로는 가장 큰 규모로 진행하는 직접전력거래 협약으로, SK하이닉스의 탄소 배출 저감과 RE100 달성을 지원함으로써 무역장벽 해소와 글로벌 반도체 경쟁력 강화에도 기여할 것으로 기대된다. 장병훈 수자원공사 수자원환경부문장은 “이번 협약은 국가 반도체 산업의 큰 축을 담당하는 대표적인 기업의 RE100 달성을 지원하고, 함께 기후변화 대응을 위해 나아가는 계기가 될 것”이라며 “앞으로도 국내기업의 녹색 무역장벽 해소와 국가 탄소중립 정책 실현을 위해 최선을 다하겠다”고 밝혔다.

2025.06.01 06:59주문정

로옴, 새로운 SPICE 모델 'ROHM Level 3 (L3)' 공개

로옴은 안정성과 시뮬레이션 속도를 향상시킨 SPICE 모델 'ROHM Level 3 (L3)'을 개발했다고 29일 밝혔다. 파워 반도체의 손실은 시스템 전체의 효율에 큰 영향을 미치기 때문에 설계 단계의 시뮬레이션 검증에 있어서 모델의 정밀도가 매우 중요하다. 기존에 로옴에서 제공해온 SiC MOSFET용 SPICE 모델 'ROHM Level 1 (L1)'은 각 특성의 재현성을 높임으로써 고정밀도 시뮬레이션의 요구에 대응해왔다. 그러나 시뮬레이션의 안정성 및 연산 시간의 단축이라는 과제에 대한 개선이 요구됐다. 새로운 모델 'ROHM Level 3 (L3)'은 심플한 모델 식을 채용함으로써 연산의 안정성과 스위칭 파형의 정밀도를 유지함과 동시에 기존 모델인 L1 대비 시뮬레이션 시간을 약 50% 단축할 수 있다. 이에 따라 회로 전체의 과도 해석을 단시간에 고정밀도로 실행할 수 있어, 어플리케이션 설계 단계에서의 디바이스 평가 및 손실 확인의 효율화에 기여한다. 'ROHM Level 3 (L3)'의 제4세대 SiC MOSFET 모델 (37기종)은 지난 4월부터 웹사이트 상에서 공개 중으로, 제품 페이지 등에서 다운로드 가능하다. 새로운 모델 L3 제공과 병행하여 기존 모델도 지속적으로 제공하고 있다. 또한 사용 방법을 설명한 화이트페이퍼도 게재하여, 도입이 용이하도록 지원하고 있다. 로옴은 "앞으로도 시뮬레이션 기술의 향상을 통해 한층 더 고성능의 고효율 어플리케이션 설계를 지원해, 전력 변환 기술의 혁신에 기여해나갈 것"이라고 밝혔다.

2025.05.29 11:20장경윤

동서발전, 고양시 인공지능 산업단지에 전력공급

한국동서발전(대표 권명호)는 고양특례시·고양도시관리공사·NH투자증권·한국사우디아라비아 산업통상협회와 고양 경제자유구역 내 '고양 인공지능 인텔리전트타운 조성을 위한 업무협약'을 체결했다고 27일 밝혔다. 동서발전은 협약에 따라 고양 경제자유구역 내 '인공지능(AI) 인텔리전트타운'의 분산형 전원 전력인프라와 기반시설을 조성한다. 입주기업에 필요한 대규모 전력을 안정적으로 공급하고 장기적으로는 국가 인공지능 산업 경쟁력 강화에 기여한다는 계획이다. 동서발전은 정책변화에 발맞춰 분산에너지 특화지역 지정에 따른 신규 사업모델을 개발해 나가고 있다. 기존 전력공급 체계의 한계를 보완하고, 안정적인 전력 생산을 통해 고양 경제자유구역 내 전력자립률 제고와 기업 유치 활성화에 기여할 예정이다. 권명호 동서발전 사장은 “AI 산업의 지속 가능한 성장을 위해서는 선제적인 전력 인프라 구축이 필수”라며 “이번 협약이 고양 AI 인텔리전트타운 성공적인 조성과 더불어 향후 국가 산업 경쟁력 강화에도 긍정적인 역할을 할 수 있길 기대한다”고 밝혔다. 한편, 동서발전은 AI 산업에 기초가 되는 반도체 산업 활성화를 위해 용인 반도체 클러스터 산업단지 전력 인프라를 조성하는 등 주요 산업의 안정적인 전력공급을 통해 국가 산업 경쟁력 강화에 기여할 수 있는 다양한 방안을 지속적으로 모색해 나갈 계획이다.

2025.05.27 18:13주문정

용인 반도체클러스터 전력공급 차질 없게…72.8조 규모 설비계획 수립

용인 반도체클러스터 등 첨단전략산업에 전력을 차질 없이 공급하기 위한 72조8천억원 규모 설비계획이 수립됐다. 한국전력(대표 김동철)은 용인 반도체클러스터 10GW 전력공급을 위한 변전소 신설 등 설비계획을 담은 '제11차 장기송변전설비계획'이 산업통상자원부 제312차 전기위원회에서 확정됐다고 27일 밝혔다. 이는 지난 2월 발표된 '제11차 전력수급기본계획(11차 전기본)'의 전력수요와 발전설비 전망을 바탕으로 2024~2038년 15년간 적용되는 송·변전설비 세부계획이다. 계획에 따르면 호남-수도권 초고압 직류 송전(HVDC)의 효율적 운영을 위해 계통을 재구성하고, 반도체 등 국가 첨단전략산업의 전력수요를 반영한 전력공급 인프라를 확충한다. 호남-수도권 HVDC는 현재의 전압형 HVDC 기술 수준(단위 최대용량 2GW), 변환소 부지확보 및 배후계통 보강여건 등을 고려해 기존 4GW급 2개 루트(2036년 준공)를 2GW급 4개 루트(2031년, 2036년, 2038년 단계별 준공)로 변경했다. 용인 반도체클러스터에 필요한 10GW 이상 대규모 전력을 적기에 공급하기 위해 산단 내 변전소 신설, 기존 전력망과의 연계 등의 설비계획도 포함됐다. 또 기존에 추진 중인 하남시와 당진시의 전력망 구축 사업도 건설지연과 계통여건 변경 사항을 종합적으로 고려해 준공 시기를 조정했다. 한편 이번 계획에서는 플라이휠 동기조상기와 에너지 저장 장치와 무효전력 보상장치 통합설비(ESS-STATCOM) 등 전력계통 안정화를 위한 신기술 설비도 도입하기로 했다. 한전은 이번 설비계획을 추진하기 위해 2038년까지 72조8천억원의 투자가 필요할 것으로 전망했다. 이는 러시아-우크라이나 전쟁으로 인한 자재비 상승과 지중송전선로 증가 등이 원인으로 작용해 10차 계획(56조5천억원) 보다 16조3천억원 증가한 규모다. 한전은 송변전설비가 안정적 전력공급을 위한 필수설비인 만큼 설비투자를 최우선 순위로 두고 차질 없이 확충·보강해 나갈 계획이다. 한전 경영연구원은 이번 설비계획이 국민경제에 미치는 효과는 생산 파급 약 134조원, 고용 유발 약 48만명에 이를 것으로 전망했다. 한전은 지난 2월 제정된 '국가기간 전력망 확충 특별법'을 통해 건설사업 추진 동력을 높이고, 주민친화형 변전소 확대와 중립적 전자파 관리체계 구축으로 전력설비에 대한 주민 수용성을 높여 전력망을 적기에 건설할 계획이다. 또 11차 전기본에 반영된 대형 원전 등 신규 발전소 입지가 확정되면 최적의 계통구성방안을 수립하고, 재생에너지 변동에 대응하기 위한 ESS 중앙계약시장 물량이 전력계통에 효율적으로 활용될 수 있도록 연계방안을 마련할 계획이다. 제11차 장기 송변전설비계획에 대한 상세한 내용은 한국전력 홈페이지에서 확인할 수 있다.

2025.05.27 17:41주문정

ETRI-웨이비스, 첨단 전투기 눈 'AESA' 핵심부품 국산화…"내년 생산"

첨단 전투기의 눈 'AESA(능동형위상배열레이다)'의 핵심 소재와 회로 제작 기술이 국산화됐다. 이르면 내년 께 양산될 것으로 예상됐다. 한국전자통신연구원(ETRI)은 ㈜웨이비스와 공동으로 군수용 레이더(AESA) 및 고해상도 영상레이더(SAR)에 사용되는 핵심 부품인 질화갈륨(GaN) 기반 송수신 반도체 집적회로(MMIC)를 팹 기반 기술로 국내 처음 상용화했다고 27일 밝혔다. 이 MMIC는 고성능 군수용 반도체 핵심 부품이어서 수입도 어렵다. 그동안 국내에서는 KAI 등이 AESA용 MMIC를 해외 파운드리 공정서 제작한 뒤 국내로 가져와 모듈화해 사용했다. 임종원 RF/전력부품연구실 책임연구원은 "국가과학기술연구회(NST) 창의형 융합연구사업의 일환으로 지난 2023년부터 연구해왔다"며 "이번에 ETRI가 보유한 반도체 설계기술과 ㈜웨이비스 생산 공정기술을 접목해 X-대역에서 동작하는 송수신 칩 3종을 세계적인 수준으로 상용화했다"고 설명했다. 이번에 상용화한 주요 부품은 ▲전력증폭기(PA) ▲저잡음증폭기(LNA) ▲스위치(SW) 집적회로 등이다. 임 책임연구원은 "해외 파운드리 선도국인 미국이나 유럽의 상용제품과 동등한 성능 수준"이라며 "국내 유일의질화갈륨 양산 팹 시설을 이용한 최초 결과물"이라고 의미를 부여했다. 실제 전력증폭기와 저잡음증폭기, 스위치 집적회로 기술을 미국이나 유럽 제품과 비교한 결과 대부분 동등한 수준으로 나타났다. 저잡음증폭기 잡음지수나 스위치 삽입손실은 되레 ETRI 제품이 더 우수했다. ㈜웨이비스 최윤호 CTO는 “질화갈륨 반도체 양산이 가능한 국내 인프라를 바탕으로 군수용 핵심 부품을 자립화할 수 있는 기반을 마련했다"며 "향후 안정적인 시스템 개발과 실전 배치에 큰 도움이 될 것"으로 예상했다. 임 책임연구원은 "전력 증폭기 제작이 가장 어려운 기술인데, 이를 국산화했다"며 "내년께면 웨이비스를 통해 양산이 이루어질 것"이라고 덧붙였다.

2025.05.27 11:13박희범

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