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AI 전력난 게임 체인저될까…반도체 '엑시톤 ' 83배 증폭 첫 발견

인공지능(AI) 데이터 센터 난제인 전력 문제를 해결할 실마리가 제시했다. POSTECH(포항공과대학교)은 박경덕 물리학과·반도체공학과·융합대학원·반도체대학원 교수 연구팀이 2차원 반도체 '엑시톤(exciton)' 이동을 나노미터(10억분의 1m) 공간에서 정밀 제어하고, 이를 기존 대비 최대 8,300%까지 증폭시키는 물리 현상을 세계 처음 발견했다고 3일 밝혔다. 반도체는 전자 흐름을 이용해 정보를 전달한다. 하지만 전자가 이동할수록 열이 발생하고, 이는 곧 에너지 손실과 성능 저하로 이어진다. 실제 AI 데이터센터는 도시 하나에 맞먹는 전력을 소비할 정도로 에너지 문제가 심각하다. 이러한 한계를 극복할 대안으로 주목받는 것이 바로 '엑시톤'이다. 엑시톤은 반도체 내부에서 빛과 전자 성질이 결합된 입자다. 전기적으로 중성이기 때문에 이동 과정에서 열 발생이 거의 없다. 이 때문에 차세대 초저전력 정보 전달 매개체로 주목받고 있다. 그러나 엑시톤은 원하는 방식으로 정밀하게 제어하는 것이 매우 어려워 실제 소자 응용에 제약이 많았다. 연구팀은 이를 빛과 전기를 나노미터 수준에서 자유롭게 다룰 수 있는 새로운 방식의 나노 공진 분광 기술을 개발, 해결했다. 이 기술을 이용하면 빛과 전기장이 최첨단 반도체 공정의 최소 선폭 정도의 초미세 공간에 모이면서, 반도체 내부 '에너지 지형'을 나노 공간에서 정밀하게 제어하고 동시에 관측할 수 있다. 연구를 주도한 이형우 박사는 "이 방법으로 특정 영역에 엑시톤을 집중시켰고, 그 과정에서 기존 이론과는 다른 흥미로운 현상을 발견했다"며 "좁은 공간에 모인 엑시톤들이 서로 밀어내며, 오히려 더 빠르고 강하게 바깥으로 퍼져나가는 것을 확이했다"고 설명했다. 연구팀은 이 현상이 단순히 엑시톤 개수가 많아서가 아니라, 엑시톤이 얼마나 가파르게 몰려 있는지를 나타내는 '밀도 기울기'에 의해 결정된다는 사실을 밝혀냈다. 이를 통해 기존 방식 대비 최대 8,300%에 달하는 엑시톤 확산 증폭 효과를 입증했다. 또한 이 현상은 전압만으로 실시간 제어가 가능하다는 것도 확인했다. 스위치를 켜고 끄듯, 전압을 조절하는 것만으로 엑시톤 이동 방향과 세기를 자유롭게 바꿀 수 있어, 향후 반도체 칩 내부에서 정보를 빠르고 효율적으로 전달하는 기술로 이어질 가능성이 클 것으로 연구팀은 내다봤다. 박경덕 교수는 "기존 전자 기반 회로를 넘어, 빛과 입자 특성을 동시에 활용하는 새로운 형태의 '엑시톤 회로' 구현 가능성을 보여준다"고 덧붙였다. 이 기술 활영 분야는 AI 데이터센터 초저전력 인터커넥트, 고효율 광전자 소자, 차세대 태양전지 등이다. 연구결과는 국제학술지 '네이처 머티리얼즈'에 게재됐다.

2026.04.03 17:57박희범 기자

전력반도체 소재기업 아이브이웍스, 60억원 프리 IPO 투자 유치

전력반도체 소재 스타트업 아이브이웍스가 60억 원 규모 프리 기업공개(IPO) 투자 유치를 마무리했다고 2일 밝혔다. 누적 투자 유치 금액은 450억원이다. 이번 투자 라운드에는 아이엠투자파트너스와 인라이트벤처스 등 기존 주주도 참여했다. 아이브이웍스는 "기술 경쟁력과 미래 성장 가치를 다시 한번 입증했다"고 자평했다. 아이브이웍스는 이번 투자금을 글로벌 수요 대응을 위한 제품 양산체계 고도화에 집중 투입한다. 최근 수요가 증가하는 인공지능(AI) 서버 전력 변환 시장과 방산 시장 고객 대응을 위해 양산 인프라를 확충하고, 공급망을 구축해 글로벌 시장 공급량을 확대할 계획이다. 양산능력 확대와 함께 기술 기반 서비스 포트폴리오도 강화하고 있다. 아이브이웍스는 "독보적 에피웨이퍼 기술을 기반으로 세계에서 유일하게 양산 공급하는 'reGaN'은 전력소자 접촉 저항을 10분의 1로 낮춰 열 문제와 효율을 개선한다"고 강조했다. 아이브이웍스는 지난해부터 글로벌 주요 파운드리 업체에 reGaN 제품을 공급했다. 최근 품질 인증을 완료해 양산 공급 중이다. 아이브이웍스는 "투자 유치를 기점으로 코스닥 상장 절차에 본격 착수한다"고 밝혔다. 상장 주관사는 한국투자증권이다. 기술특례상장 방식으로 IPO를 추진한다. 현재 기술성 평가 절차를 준비하고 있다. 평가 완료 후 상장 예비심사 청구 등 후속 절차를 밟을 예정이다. 노영균 아이브이웍스 대표는 "이번 투자 유치는 당사 비전을 잘 아는 기존 주주들의 신뢰와 지지 덕분"이라며 "확보 자금을 바탕으로 양산 인프라 고도화와 철저한 상장 준비로 글로벌 전력반도체 소재 시장에서 독보적 경쟁력을 입증하겠다"고 말했다.

2026.04.02 15:53장경윤 기자

딥엑스, 롯데이노베이트와 국산 AI 반도체 상용화 양산 협력

AI 반도체 기업 딥엑스가 롯데이노베이트와 AI 반도체 기반의 상용화 양산 협력을 본격화한다고 2일 밝혔다. 이번 협력은 양사가 공동 진행한 딥엑스 신경망처리장치(NPU) 솔루션의 현장 성능 검증(PoC)이 완료됨에 따라 결정됐다. 롯데이노베이트 관계자는 "딥엑스의 DX-M1 제품의 연산 성능이 높은 점과 발열 제어 부분에서 타 기술대비 발군의 성능을 보여주었다”고 말했다. 양사의 주요 상용화 협력 분야는 지능형 교통 인프라와 리테일 인프라 구축이다. 먼저 지능형 교통 인프라 확충을 위해 교통 밀집 구간에 딥엑스 NPU를 탑재한 AI 엣지 카메라를 도입한다. 클라우드 서버 연동 없이 현장에서 실시간 차량 인식과 이상 상황 탐지를 자체 수행해 통신 비용을 절감하는 차세대 지능형 교통시스템(ITS)을 실증할 예정이다. 대형 유통 매장에는 지능형 리테일 인프라 강화를 위한 초저전력 온디바이스 AI 기반 영상 분석 시스템을 구축한다. 수천 대 규모의 스마트 CCTV를 운용하는 환경에서 기존 GPU 대비 전력 소모를 낮추면서 고객 동선 분석, 안전 관제, 재고 모니터링을 효율적으로 처리한다는 목표다. 이번 협력을 위해 롯데이노베이트는 산업 데이터와 사업 현장을 실증 환경(Test-bed)으로 제공하며, 자체 개발한 AI 알고리즘을 딥엑스의 SDK인 'DXNN'에 최적화해 탑재하는 표준 개발 프로세스를 구축한다. 딥엑스는 저전력·저발열 하드웨어 최적화 기술과 전담 인력을 지원하며, 자체 공급망 관리(SCM)를 통해 반도체 물량을 우선 공급해 비즈니스 연속성을 담보한다. 양사는 교통 및 유통 분야 양산을 시작으로 향후 제조, 로봇, 스마트 팩토리, 안전 관제 등 롯데의 주요 산업 영역으로 엣지 AI 솔루션 적용을 확대할 계획이다. 김녹원 딥엑스 대표는 "이번 협력으로 딥엑스의 AI 반도체가 실제 도로와 매장이라는 산업 현장의 핵심 인프라로 작동하기 시작했다"고 말했다. 김영갑 롯데이노베이트 AX사업본부장은 "딥엑스의 고성능·저전력 NPU 역량을 결합해 롯데 전반의 산업 현장에 최적화된 온디바이스 AI 인프라를 구축하겠다"고 말했다.

2026.04.02 10:29전화평 기자

삼성전자, SiC 샘플 양산 준비…차세대 전력반도체 공략 '시동'

삼성전자가 진행 중인 탄화규소(SiC) 전력반도체 개발 성과가 올 하반기께 드러날 전망이다. 최근 본격적인 샘플 양산을 위한 소재·부품 발주를 진행한 것으로 파악됐다. SiC는 차세대 전력반도체 소자로, 삼성전자가 미래 먹거리로 점찍어 온 사업 중 하나다. 16일 업계에 따르면 삼성전자는 올 3분기 SiC 전력반도체 샘플을 양산할 계획이다. SiC는 기존 반도체에 쓰이던 실리콘 대비 고온·고전압에 대한 내구성, 전력효율성 등이 높은 차세대 소재다. 덕분에 전기차, 산업용 인버터 등 높은 전력이 필요한 산업을 중심으로 수요가 증가하고 있다. 이에 삼성전자는 지난 2023년 말 CSS(Compound Semiconductor Solutions) 사업팀을 신설해 관련 연구개발(R&D)을 진행해 왔다. SiC 전력반도체 제조를 위한 유기금속화학증착(MOCVD) 장비도 기흥캠퍼스에 선제적으로 소량 도입한 바 있다. MOCVD는 금속 유기 원료를 사용해 웨이퍼에 특정 박막을 형성하는 공정이다. 올해에는 구체적인 성과가 나타날 것으로 기대된다. 삼성전자는 최근 SiC 전력반도체 샘플을 올 3분기부터 양산하기 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 관련 소재·부품도 이달부터 도입될 예정이다. 구체적으로, 삼성전자가 양산할 첫 샘플은 평판(Planar) 구조의 SiC MOSFET인 것으로 알려졌다. MOSFET은 전자 신호를 스위칭하고 증폭하는 트랜지스터다. 평판은 가장 기본적인 트랜지스터 구조다. 전류가 흐르는 통로인 채널이 수평으로 형성돼, 성능은 다소 부족하지만 신뢰성이 높다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 평판 SiC MOSFET 샘플을 먼저 양산한 뒤, 보다 고도화된 구조의 샘플 양산에 도전할 계획을 세우고 있다"며 "공급망에서 관련 발주가 이뤄지고 있다"고 설명했다. 이번 SiC 샘플 양산은 삼성전자 반도체사업부의 미래 성장동력 확보 전략에 적잖은 영향을 미칠 것으로 전망된다. SiC 전력반도체가 지닌 기술적 이점은 다양하나, 전기차 캐즘 등으로 시장 성장성은 당초 기대에 미치지 못하고 있는 상황이다. 또한 삼성전자의 R&D 및 설비투자가 고대역폭메모리(HBM) 등 메모리 분야에 집중되면서, SiC를 비롯한 신사업 진출이 당초 계획 대비 늦춰지고 있다. 일례로 삼성전자는 또 다른 차세대 전력반도체 소재인 질화갈륨(GaN) 파운드리 사업도 추진 중이다. 당초 2025년 서비스 개시가 목표였으나, 현재까지 양산 수준의 설비투자는 진행되지 않았다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 SiC·GaN 전력반도체 시장 진출에 대한 검토를 지속하고 있다"며 "올해가 분수령이 될 것"이라고 말했다.

2026.03.16 13:51장경윤 기자

"서버도 온디바이스도 해답은 LPDDR...전력 장벽 뚫는다"

"이제 저전력은 모바일만의 전유물이 아닙니다. 서버와 온디바이스 인공지능(AI), 어느 영역에서도 전력효율을 확보하지 못하면 생존할 수 없는 시대가 왔습니다. 그 중심에 저전력 D램(LPDDR)이 있습니다." 반도체 설계 자산(IP) 기업 오픈엣지테크놀로지(이하 오픈엣지) 이성현 대표는 최근 지디넷코리아 인터뷰에서 AI 시장 흐름이 '전력 효율'로 수렴한다고 진단했다. 과거 스마트폰 등 모바일 기기에 주로 쓰이던 LPDDR이 이제는 차세대 LPDDR6 표준 등장과 함께 데이터센터 서버와 로봇, 자동차 등 AI가 탑재되는 모든 곳의 핵심 메모리 표준으로 부상했다는 설명이다. 서버의 전력 병목 현상과 온디바이스의 배터리 및 발열 한계를 동시에 해결할 수 있는 유일한 열쇠가 바로 LPDDR이기 때문이다. 전력 병목에 갇힌 AI… 서버·엣지 가리지 않는 LPDDR 확산 최근 반도체 업계에서 눈에 띄는 변화는 LPDDR 메모리의 전방위 확산이다. 과거 스마트폰의 전유물이었던 LPDDR은 이제 데이터센터 서버와 온디바이스 AI 기기의 핵심 규격으로 자리 잡았다. 해법으로 등장한 것이 서버용 LPDDR 솔루션이다. 특히 최근 주목받는 쏘캠(SOCAMM) 같은 규격은 LPDDR의 저전력 특성을 서버 환경에 이식해 전력 소모는 낮추면서도 데이터 처리 대역폭은 극대화한다. 동시에 온디바이스 AI 시장 성장도 LPDDR 수요를 견인하고 있다. 이 대표는 "자율주행차, 로봇, 휴머노이드 등 물리적 제약이 큰 엣지 디바이스에서는 배터리 효율과 발열 관리가 제품 완성도를 결정한다"며 "트랜스포머 기반 대형 AI 모델을 기기 내부에서 구동하기 위해 LPDDR6 같은 고성능·저전력 IP 역할이 그 어느 때보다 중요해졌다"고 분석했다. "면적 50% 절감 혁신"… 9년 준비로 일군 메모리 시스템 통합 IP 오픈엣지는 창업 초기부터 LPDDR 시대 도래를 예견하고 꾸준히 준비해왔다. 메모리 컨트롤러와 물리 계층(PHY)을 아우르는 '메모리 시스템 IP'를 계속 연구한 것이 대표적이다. 현재 전세계에서 두 가지 핵심 IP를 통합 솔루션으로 제공하며 최적화할 수 있는 기업은 시높시스, 케이던스 등 글로벌 IP 거인을 포함해도 손에 꼽는다. 특히 오픈엣지 기술력은 PPA(전력·성능·면적) 측면에서 강점이 있다. 오픈엣지의 PHY IP는 동일 성능 대비 면적을 최대 50%까지 줄였다. 팹리스(반도체 설계전문) 입장에서는 생산 단가를 획기적으로 낮추면서도 고성능을 유지할 수 있는 최적 솔루션인 셈이다. 경쟁력은 글로벌 시장에서 실적으로 증명되고 있다. 전체 매출 70% 이상이 해외에서 나온다. 그 중에는 일본 르네사스, 미국 마이크론 등 글로벌 반도체 거인도 있다. 오픈엣지는 차세대 LPDDR6 표준 개발 단계부터 참여하며 기술 표준을 선도하는 전략을 취하고 있다. "구매 전 가상설계 환경 제공"… 팹리스 리스크 지우는 '칩 스케치' 전략 오픈엣지의 또 다른 성장축은 고객사 설계 문턱을 낮추는 플랫폼 전략이다. IP 산업의 특성상 단 한 번의 설계 오류는 칩 개발 실패와 막대한 손실로 이어진다. 진입장벽이 높은 이유다. 이를 방지하기 위해 구축한 플랫폼이 '오픈엣지스퀘어'다. 오픈엣지스퀘어는 일종의 디지털 영업 플랫폼이다. 일반적으로 팹리스가 새로운 IP를 검토하려면 내부 서버에 복잡한 EDA 환경을 구축하고 인력을 투입해야 한다. 오픈엣지스퀘어는 이를 클라우드로 옮겨왔다. 로그인만 하면 어디서든 오픈엣지의 최신 IP를 칩 설계안에 대입해 볼 수 있다. 이때 핵심 기능이 '칩 스케치'다. 칩 스케치는 사실상 시스템온칩 (SoC) 반도체 설계 및 성능 최적화 툴로, 명칭처럼 칩을 그리기 전에 밑그림을 그려보는 기능이다. EDA와 비슷하다. 팹리스로선 비싼 EDA 라이선스를 쓰기 전에 이 IP가 내 설계에 맞는지 확인해 볼 수 있다. 이 대표는 "고객사가 우리 IP를 도입했을 때 얻을 수 있는 이점을 데이터로 직접 확인하게 함으로써 설계 리스크를 낮춘다"며 "이는 단순한 IP 공급자를 넘어 고객의 제품 성공을 돕는 전략 파트너로서 위치를 공고히 하는 전략"이라고 설명했다. IP 업계, 요행은 없다 2026년은 오픈엣지에 수익성 개선 분수령이 될 전망이다. 지난해 미중 갈등과 업황 부진으로 지연됐던 글로벌 프로젝트가 본격화되고 있고, 국내에서도 'K-온디바이스 AI 반도체' 과제 등으로 새로운 수요가 창출되고 있다. 이 대표는 "지난 2년간 오픈엣지에 우호적이지 않은 시장 환경이었음에도 연구개발(R&D) 투자를 확대해, 기회가 왔을 때 대응할 수 있는 잠재력을 길렀다"고 밝혔다. 그러면서 "IP 업계에 갑작스러운 행운이나 신데렐라는 없다"며 "오직 검증된 트랙 레코드(실적)만 고객 신뢰를 얻는 유일한 길"이라고 강조했다.

2026.03.12 15:22전화평 기자

SK키파운드리, SiC MOSFET 공정 플랫폼 개발…1200V 고객사 확보

SK키파운드리는 최근 차세대 화합물 전력반도체 시장에서 각광받고 있는 실리콘카바이드(SiC) 플라나(Planar) MOSFET 공정 플랫폼 개발을 완료했다고 11일 밝혔다. SK키파운드리는 신규 고객사로부터 1200V SiC MOSFET 제품 개발을 수주해, SiC 화합물반도체 파운드리 비즈니스에 본격적으로 나서게 됐다. SK키파운드리가 선보인 이번 SiC Planar MOSFET 공정 플랫폼은 450V~2300V의 폭넓은 전압 대역을 지원하며, 특히 고전압 동작 환경에서 높은 신뢰성과 안정성 데이터를 확보해, 탁월한 성능을 입증했다. 또한 공정 전반에 걸친 최적화와 핵심 공정 정밀 제어를 통해 수율을 90% 이상으로 향상시키고, 생산성을 제고했다. 뿐만 아니라, 고객 요구에 맞춰 전기적 특성과 스펙을 세밀하게 조정할 수 있는 차별화된 '고객 맞춤형 공정 대응 서비스'를 제공한다고 밝혔다. SK키파운드리는 이번 공정 플랫폼 개발 완료와 함께 SiC 전문 설계 고객사로부터 1200V급 고전압 제품을 수주해 개발에 착수했다. 해당 공정은 고객사의 산업용 가전에 적용돼 열효율 관리에 핵심적인 역할을 할 예정이며, 시제품 평가와 신뢰성 검증을 거쳐 2027년 상반기 내 본격 양산에 돌입할 계획이다. 이번 SiC Planar MOSFET 공정 플랫폼 개발은 SK키파운드리가 SiC 전문기업 SK파워텍 인수 후, 양사 핵심 역량을 결집해 거둔 첫 결실로, 기술 개발 완료에 이어진 실제 고객 수주를 통해, 기술적 검증 단계를 넘어 즉시 상용화가 가능한 수준의 완성도와 경쟁력을 확보 했음을 보여준 것으로 평가된다. 이동재 SK키파운드리 대표는 “이번 SiC Planar MOSFET 공정 플랫폼 개발은 SK키파운드리가 글로벌 화합물 반도체 시장에서 독자적인 기술 리더십을 확보했음을 보여주는 성과”라며 “차별화된 높은 수율과 신뢰성의 공정을 바탕으로 국내외 고객사 요구에 부응하는 고전압 전력반도체 솔루션을 지속 확대해 나가겠다”고 밝혔다.

2026.03.11 17:28장경윤 기자

SK하이닉스, 1c D램 'LPDDR6' 개발…하반기 공급 시작

SK하이닉스가 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb(기가비트) LPDDR6 D램을 개발하는 데 성공했다고 10일 밝혔다. LPDDR은 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격으로, 전력 소모량을 최소화하기 위해 저전압 동작 특성을 갖고 있다. 규격명에 LP(Low Power)가 붙으며, 최신 규격은 LPDDR6로 1-2-3-4-4X-5-5X-6 순으로 개발돼 왔다. 회사는 지난 1월 CES 전시에서 해당 제품을 공개한 이후 최근 세계 최초로 1c LPDDR6 제품 개발 인증을 완료했다. SK하이닉스는 “상반기 내 양산 준비를 마치고, 하반기부터 제품을 공급해 AI 구현에 최적화된 범용 메모리 제품 라인업을 구축해 나갈 것”이라고 강조했다. 1c LPDDR6는 온디바이스 AI가 탑재된 스마트폰이나 태블릿 같은 모바일 제품에 주로 활용된다. 온디바이스 AI 구현에 최적화하기 위해 기존 제품인 LPDDR5X 대비 데이터 처리 속도와 전력 효율을 개선했다. 이 제품의 데이터 처리 속도는 대역폭 확장을 통해 단위 시간당 전송 데이터량을 늘려 이전 세대 보다 33% 향상했다. 동작속도는 기본 10.7Gbps(초당 10.7기가비트) 이상이며, 이는 기존 제품 최대치를 상회한다. 전력은 서브 채널 구조와 DVFS 기술을 적용해 이전 세대 제품 대비 20% 이상 절감했다. DVFS는 칩의 동작 상황에 따라 전압(Voltage)과 주파수(Frequency)를 조절해 전력 소모와 성능을 최적화하는 전력 관리 기술이다. 서브 채널 구조는 필요한 데이터 경로만 선택적으로 동작하도록 하고, 모바일 환경에 따라 주파수와 전압을 조절하는 것이 DVFS 기술의 특징이다. 게임 구동과 같이 고사양이 요구되는 환경에서는 DVFS를 높여 최고 대역폭 동작을 만들어내고, 평상시에는 주파수와 전압을 낮춰 전력 소비를 줄이도록 설계했다. 이에 회사는 소비자들이 이전보다 길어진 배터리 사용 시간은 물론, 최적의 멀티태스킹을 경험하게 될 것으로 기대하며, 시장 수요에 따라 글로벌 모바일 고객사의 요구에 맞춰 준비할 계획이다. SK하이닉스는 “앞으로도 고객과 함께 AI 메모리 솔루션을 시장에 적시 공급해 온디바이스 AI 사용자들에게 차별화된 가치를 제공할 것“이라고 말했다.

2026.03.10 09:13장경윤 기자

로옴, TSMC 라이선스로 GaN 전력반도체 공급 능력 강화

로옴은 자사가 보유한 GaN 파워 디바이스의 개발 및 제조 기술과, 파트너십을 체결한 TSMC의 프로세스 기술을 융합해 그룹 내 일관 생산 체제 구축을 결정했다고 26일 밝혔다. TSMC의 GaN 기술 라이선스 공여를 통해, AI 서버 및 전기자동차 등의 분야에서 높아지는 GaN의 수요에 대응하여 자사의 공급력을 강화할 계획이다. GaN 파워 디바이스는 우수한 고전압·고주파 특성을 통해 어플리케이션의 고효율화 및 소형화에 기여해, AC 어댑터와 같은 민생기기 제품에서 사용되고 있다. 또한 AI 서버용 전원 유닛이나 전기자동차(EV)의 온보드 차저 등 고전압 분야에서도 채용이 가속화되어, 수요 확대가 기대되고 있다. 로옴은 GaN 파워 디바이스의 개발에 선제적으로 착수해, 2022년 3월에는 로옴 하마마츠에 150V GaN의 양산 체제를 확립했다. 미들파워 영역에서는 외부 파트너십을 추진하면서 공급 체제를 구축해 왔다. TSMC는 이러한 중요 파트너사 중 하나로서 2023년부터 650V GaN 프로세스를 채용했으며, 2024년 12월에는 차량용 GaN 관련 파트너십※1을 체결하여, 협력을 강화해 왔다. 이번 기술 융합은 해당 파트너십을 진화시킨 것으로, 라이선스 계약을 체결해 TSMC의 프로세스 기술을 로옴 하마마츠 공장에 이관한다. 2027년 내의 생산 체제 구축을 목표로 하여, AI 서버 등에서 확대되는 수요에 대응할 계획이다. 로옴은 "기술 이관이 완료되면 차량용 GaN에 관한 파트너십은 발전적으로 종료되지만, 양사는 지속적으로 전원 시스템의 고효율 및 소형화를 위한 협력을 강화해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2026.02.26 09:18장경윤 기자

테스, 고성능 GaN 증착장비 개발…"저궤도 위성통신 시장 공략"

국내 반도체 제조장비 기업 테스가 탄화규소(SiC)·질화갈륨(GaN) 증착장비로 차세대 전력반도체 시장을 적극 공략한다. 특히 고주파·고전압 특성이 요구되는 저궤도 위성통신용 분야에서 업계 유일의 독자 기술로 차별화를 노린다는 전략이다. 서동식 테스 OED사업본부총괄(전무)은 지난 12일 서울 코엑스에서 열린 '세미콘코리아 2026' 전시관에서 기자와 만나 이같이 밝혔다. SiC·GaN 등 화합물반도체 시장 정조준 최근 테스가 주목하고 있는 회사의 신성장동력은 SiC, GaN 등 차세대 전력반도체 시장이다. 해당 소재는 기존 반도체 소재인 실리콘 대비 고온·고전압에 대한 내구성, 전력효율성 등이 뛰어나다. SiC는 고전압에서 구동이 가능해 전기차 등 오토모티브에서, GaN은 고속 스위칭 특성 덕분에 고주파 무선통신(RF) 산업에서 수요가 높다. 이에 테스는 SiC 및 GaN 소재를 웨이퍼에 성장시키기 위한 유기금속화학증착(MOCVD) 장비 '트리온(TRION)' 시리즈를 개발해 왔다. MOCVD는 금속 유기 원료를 사용해 웨이퍼에 특정 박막을 형성하는 공정이다. SiC·GaN용 MOCVD 기술은 진입장벽이 높지만, 테스는 기존 UVC LED용 MOCVD 장비 상용화로 확보한 기술력을 토대로 시장 진입을 자신하고 있다. 서 전무는 "트리온은 테스의 독자적인 증착 기술이 적용된 장비로, 다양한 차세대 전력반도체 산업을 공략할 예정"이라며 "기존 시장을 독점해 온 해외 기업 대비 기술적으로 뛰어난 성능을 보유하고 있다"고 말했다. 독자 기술로 저궤도 위성통신 RF 시장 진입 기대 특히 가장 최근 출시된 트리온-GaN은 향후 급격한 발전이 예상되는 저궤도 위성통신 분야에 적용될 것으로 기대된다. 저궤도 위성통신은 지구 표면으로부터 수백~1000km대 상공에 위성을 배치하는 통신 기술이다. 스페이스X의 '스타링크'가 대표적인 사례다. 저궤도 위성통신은 고속 데이터 전송을 위해 수십 기가헤르츠(GHz)급의 고주파 대역 통신이 필요하며, 여기에 고출력 RF 파워 앰프가 쓰인다. 그런데 기존 RF용 GaN 전력반도체는 20GHz 이상의 고전력·고전압 RF 동작 조건에서 칩 성능 저하 문제에 직면하고 있다. 내부에서 누설 전류 차단, 고전압 지지 등의 역할을 담당하는 GaN 버퍼(Buffer)의 절연성 및 전압 내구성이 충분치 않아서다. 이에 업계는 GaN 버퍼층을 AIN(질화알루미늄) 소재로 대체하려는 시도가 일어나고 있다. AIN은 GaN 대비 고전압 환경을 더 잘 견디며, 절연 특성도 뛰어나다. 다만 동시에 AIN은 원자 간격 차이로 GaN과의 완벽한 접합이 어렵다. 이 경우 칩 내부에 결함이 생겨 불량을 일으킬 수 있다. 트리온-GaN은 테스의 독자적인 '튜너블 트리플 페어 노즐' 기술이 적용됐다. 해당 기술은 총 3개층에서 좌·우측, 중앙에 위치한 노즐을 개별적으로 제어해, 기존 단일 노즐 방식 대비 AIN 버퍼 층을 정밀하고 빠르게 성장시킬 수 있다. 서 전무는 "AIN 버퍼 층을 안정적으로 성장하려면 가스 전환 속도가 빨라야 하는데, 기존 MOCVD 장비는 노즐 전단에 공정 가스가 혼합되는 영역이 넓어 가스 전환 응답에 한계가 있었다"며 "반면 테스는 공정 가스 혼합 구간을 최소화한 구조 적용으로 신뢰성이 매우 높다"고 강조했다. 트리온-GaN은 유럽 주요 대학 및 연구소를 중심으로 성능 검증이 진행될 예정이다. 서 전무는 "올해 상반기 내에 평가를 받을 것"이라며 "테스트 결과가 확보되면 본격적인 상용화 준비에 나설 수 있을 것"이라고 말했다. 다양한 포트폴리오 확보…산화갈륨 시장도 대비 이외에도 테스는 다양한 분야의 차세대 전력반도체 시장을 공략하고 있다. 지난해 하반기 출시된 SiC 전력반도체용 CVD 장비 '트리온-SiC'는 현재 국내는 물론 중국 고객사를 대상으로 프로모션을 진행하고 있다. 특히 차세대 전력반도체 응용처로 주목받는 고전압용 슈퍼정션 MOSFET 공정에도 적용이 가능할 것으로 기대된다. 해당 장비는 고온 환경에서도 우수한 온도 균일도와 도핑 제어 성능을 확보한 것이 특징이다. 실제로 얇은 두께의 박막을 여러 차례 반복 성장한 결과, 8인치 웨이퍼 기준으로 1% 수준의 두께 균일도 및 도핑 균일도를 유지하는 결과를 얻어냈다. 서 전무는 "올해 한국과 중국 고객사 진입을 목표로 하고 있다"며 "레퍼런스가 확보되면 내년부터 3년 이내에 회사의 전체 매출에서 15~20%까지 기여할 수 있을 것으로 전망하고 있다"고 말했다. 광반도체 분야에서는 마이크로 LED용 MOCVD 장비 개발을 진행 중이다. 테스는 국책과제를 통해 마이크로 LED 에피 공정을 위한 싱글 웨이퍼 기반 6인치 MOCVD 장비를 연내 개발 완료할 계획이다. 이후 내년부터는 12인치 장비 개발에 착수해 차세대 디스플레이 시장을 공략한다는 전략이다. 초고전압 전력반도체용 차세대 소재인 산화갈륨(Ga₂O₃) 분야의 진출도 계획하고 있다. 산화갈륨은 SiC 및 GaN 대비 내구성 및 전력효율성이 더 우수하면서도, 제조 비용이 저렴하다는 강점을 지니고 있다. 서 전무는 "아직은 상용화되지 않았으나, 산화갈륨은 AI 산업을 위한 고전압 분야에 적용될 수 있는 소재"라며 "정부에서 국책 과제가 나오고 있어, 테스도 시장 진입을 위한 준비를 하고 있다"고 밝혔다.

2026.02.19 16:43장경윤 기자

인피니언, 토요타 신규 모델 'bZ4X'에 SiC 전력반도체 공급 예정

인피니언 테크놀로지스는 자사의 'CoolSiC MOSFET(실리콘 카바이드 전력 MOSFET)'이 토요타의 신규 bZ4X 모델에 채택됐다고 10일 밝혔다. 인피니언의 CoolSiC MOSFET은 독자적인 트렌치 게이트 구조를 통해 온 저항과 칩 크기를 줄여 전도 손실과 스위칭 손실을 모두 감소시켜 자동차 전력 시스템의 효율을 향상시킨다. 또한 기생 커패시턴스와 게이트 임계 전압을 최적화해 유니폴라 게이트 구동을 가능하게 해, 전기 구동계의 구동 회로를 단순화하고 OBC 및 DC/DC 컨버터의 고집적·고신뢰 설계를 지원한다. 피터 셰퍼 인피니언 오토모티브 영업 총괄 수석 부사장은 “세계 최대 자동차 제조사 중 하나인 토요타가 인피니언의 CoolSiC 기술을 선택한 것을 매우 자랑스럽게 생각한다"며 "인피니언은 지속적인 혁신과 무결점(zero-defect) 품질에 대한 헌신과 노력을 바탕으로 전동화 분야에서 증가하는 전력 반도체 수요에 효과적으로 대응할 수 있는 입지를 갖추고 있다"고 말했다.

2026.02.10 10:00장경윤 기자

DB하이텍, 8인치 파운드리 호황…"올해 가동률 98% 전망"

DB하이텍은 2025년 연결기준 매출액 1조 3972억원, 영업이익이 2773억원으로 잠정 집계됐다고 5일 공시를 통해 밝혔다. 전년 대비 매출액은 24%, 영업이익은 45% 증가했다. 영업이익률은 20%다. AI 확산에 따른 전력반도체 수요 증가와 산업 및 자동차향 매출 증가가 실적에 긍정적인 영향을 미쳤다. DB하이텍 관계자는 “전력반도체에서의 기술 고도화와 차별화를 통해 기술 초격차를 유지하는 한편, 차세대 전력반도체 개발·양산, 해외 사업 확대 등을 통해 지속가능한 성장기반을 구축해 나갈 계획”이라고 밝혔다. 국내 최초 시스템반도체 파운드리 전문기업인 DB하이텍은 전세계 순수 파운드리 수익률 2위를 유지하고 있으며, 미국, 유럽, 중국, 대만, 일본 등에 400여 개 고객사를 둔 국내 대표적인 강소기업이다. 주력 제품인 전력반도체를 중심으로 모바일, 가전, 컴퓨터 등의 응용분야 외에도 AI 데이터센터, 로봇, 자동차 등으로 사업 영역을 지속 확장하고 있다. 올해 전망 역시 긍정적으로 내다봤다. DB하이텍의 지난해 연간 파운드리 가동률은 96% 수준으로, 올해에는 연간 98%의 가동률을 기록할 것으로 분석했다. 평균판매가격(ASP)는 고부가 제품군 확대로 전년 대비 1~2%p 상승이 예상된다. 한편 DB하이텍은 2월 5일부터 6일까지 국내 기관 투자자를 대상으로 2025년 4분기 경영실적 발표 기업설명회를 진행할 예정이다.

2026.02.05 12:57장경윤 기자

SK하이닉스 LPDDR5X, 차량용 메모리 기능 안전 최고 등급 인증

SK하이닉스는 최신 LPDDR5X 차량용 D램 제품으로 자동차 기능 안전 국제표준 ISO 26262의 최고 안전 등급인 ASIL-D(Automotive Safety Integrity Level D) 인증을 획득했다고 19일 밝혔다. ASIL-D는 인명과 직결되는 시스템에 적용되는 가장 높은 수준의 기능 안전 등급으로, 글로벌 기능 안전 인증기관 TÜV SÜD가 개발 프로세스부터 제품 설계 · 검증 · 품질 관리 체계 전반을 종합적으로 평가해 부여한다. ASIL은 ▲심각도(Severity) ▲노출도(Exposure) ▲통제 가능성(Controllability) 등 세 가지 위험 요소를 조합해 A부터 D까지 등급을 부여한다. 일반 계기판이 ASIL-B 수준을 요구하는 것과 달리, 자율주행 제어 시스템은 최고 수준인 ASIL-D를 필수로 요구한다. 이번 인증을 통해 SK하이닉스는 차량용 메모리 시장에서 고성능은 물론, 안전성과 신뢰성까지 동시에 충족하며 기술 경쟁력을 공식적으로 입증했다. ASIL-D 인증을 획득한 LPDDR5X 차량용 D램 제품은 첨단운전자보조시스템(ADAS), 자율주행, 차량용 인포테인먼트 등 차세대 자동차 시스템에서 요구하는 고성능·저전력·고신뢰성을 동시에 충족한다. 특히 소프트웨어정의차량(SDV) 환경에서 대용량 데이터를 안정적으로 처리하고 시스템 오류 가능성을 최소화해 차량의 핵심 역할을 수행하는 메모리로서 경쟁력을 갖췄다. 자동차 내 전자·전기 시스템 비중이 확대되면서, 차량용 D램의 경쟁력을 결정하는 핵심 지표가 단순히 성능을 높이고, 불량률을 낮추는 것을 넘어 기능 안전(Functional Safety)을 확보하는 것으로 변화하고 있다. 이에 따라 고장 발생 가능성을 사전에 예측하고 제어하는 기능 안전 메커니즘을 설계 단계부터 적용하는 역량이 차량용 메모리 시장의 중요한 차별화 요소로 자리 잡고 있다. 즉, '기능 안전 메커니즘(Safety Mechanism)'을 적극 개발·적용하고 설계 경쟁력을 갖추는 것이 향후 차량용 메모리 시장에서의 우위를 점하는 데 가장 큰 영향을 준다는 의미다. 이 가운데 SK하이닉스는 LPDDR5X 기반 차량용 D램에 ▲극한 환경에서도 안정적인 데이터 신뢰성 ▲고장 알림 및 자가 진단·수리 기능 ▲초고대역폭과 저전력 특성을 균형 있게 구현한 설계를 적용하여 ASIL-D 인증을 획득했다. TÜV SÜD는 이번 심사에서 LPDDR5X 제품의 기능 안전 성능뿐만 아니라 ▲안전 아키텍처 및 설계 개념 ▲오류 예방·탐지·진단 메커니즘 ▲개발 및 검증 프로세스 ▲품질 관리 체계 전반 등을 종합적으로 검증했다. 이를 통해 SK하이닉스의 개발·검증·품질 프로세스가 글로벌 자동차 산업 기준에 부합함을 인정했다. SK하이닉스는 이번 ASIL-D 인증을 기반으로 자율주행차와 미래 모빌리티 분야에서 고객이 안심하고 사용할 수 있는 메모리 설루션을 지속해서 제공할 계획이다.

2026.01.19 09:17장경윤 기자

파워큐브세미, 코스닥 상장 예비심사 청구서 제출

전력반도체 전문기업 파워큐브세미는 코스닥 상장을 위한 예비심사청구서를 제출했다고 16일 밝혔다. 상장 주관사는 하나증권과 BNK투자증권이다. 2013년 설립된 파워큐브세미는 실리콘(Si), 실리콘카바이드(SiC), 산화갈륨(Ga2O3) 등 차세대 화합물 반도체 소자 기술력을 바탕으로 기술성 평가에서 A등급과 BBB등급을 동시에 획득하며 기술력을 인정받았다. 특히 국내 최초로 2300V SiC MOSFET 개발에 성공했으며, 중국의 글로벌 전기차 기업에 직접 설계한 'Si SJ MOSFET'을 공급한 실적도 보유하고 있다. 산화갈륨(Ga2O3)은 기존 실리콘카바이드(SiC) 및 질화갈륨(GaN)보다 넓은 밴드갭을 가지고 있어, 고전력 환경에서도 효율적으로 작동할 수 있는 특성을 지닌 차세대 전력반도체의 핵심 소재로 주목받고 있다. 강태영 파워큐브세미 대표이사는 “이번 예비심사를 계기로 파워큐브세미의 성장이 본격화될 것으로 기대한다”며 “저전력·고효율이 핵심인 반도체 산업에서 핵심 기술 경쟁력을 갖춘 기업으로 거듭나겠다”고 말했다. 향후 파워큐브세미는 반도체 소자 설계를 넘어 제조 공정까지 내재화함으로써 성능과 가격에서 모두 경쟁력을 확보하고, 글로벌 시장에서 에너지 효율 혁신을 이끄는 핵심 기업으로 성장해 나갈 계획이다.

2026.01.19 08:53장경윤 기자

삼성-KAIST, 센서·연산·저장 통합한 AI반도체 첫 공개…"전력난 해소 큰 도움"

인공지능(AI)이 불러온 전력난을 반도체 제조 기술로 해결할 방법이 제시됐다. KAIST는 전기및전자공학부 전상훈 교수 연구팀이 '센서–연산–저장'을 통합한 새로운 AI 반도체 제조 방식을 공개했다고 31일 밝혔다. 이 연구는 삼성전자, 경북대, 한양대와 협업으로 수행됐다. 이 기술은 지난 8일부터 10일까지 미국 샌프란시스코에서 열린 '국제전자소자학회(IEEE IEDM 2025)'에서 전상훈 교수팀이 이와 관련한 6개의 기술을 공개, 하이라이트 논문과 최우수 학생 논문으로 각각 선정됐다고 31일 밝혔다. 이들 6개 기술의 핵심은 센서–연산–메모리를 통합해 AI 반도체 풀스택을 구현했다는 점이다. AI 반도체 입력(Perception)-전처리·연산(Computation)-저장(Storage) 전 계층을 단일 재료 및 공정 플랫폼으로 통합, AI 활용에서 대두되는 전력 문제를 최소화했다. 전상훈 교수는 "특히, 입력단 뉴로모픽 센서와 니어-픽셀 기반 아날로그 연산, 하프니아 기반 3D NAND·FeNAND 메모리를 모두 한 플랫폼에서 구현, 엣지 AI·모바일·자율주행·로보틱스·헬스케어 등 분야에서 전력 소모를 획기적으로 줄였다"고 말했다. 주요 연구결과는 ▲ M3D 인-센서 스파이킹 비전(하이라이트 논문) ▲고신뢰성 낸드플래시메모리(최우수 학생논문) ▲2T–2 근접-픽셀 아날로그 MAC(곱셈·누산) 기술 ▲촉각 뉴로모픽 소자 ▲3.5 nm NC-낸드 기술 ▲ΔP(분극변화량) /ΔQit(계면트랩 전하 변화량)/ΔQit'(분극 비의존 계면 트랩 저하 변화량) 완전 분리 측정법 확립 등이다. 하이라이트로 선정된 논문을 통해 빛을 감지하는 기능과 신경세포처럼 신호를 스파이크 형태로 변환하는 기능을 단일 칩에 집적한 연구결과를 공개했다. 빛을 감지하는 센서와 뇌처럼 신호를 처리하는 회로를 아주 얇은 층으로 만들어 위아래로 겹쳐 한 칩에 넣어 보고–판단하는 과정이 동시에 이뤄지는 구조를 구현했다. '세계 최초의 인-센서 스파이킹 컨볼루션' 플랫폼을 완성한 것. 사람의 눈과 뇌 기능을 모사해 하나의 칩 안에 쌓아 올린 반도체 연구 결과다. M3D는 센서와 회로층을 수직으로 한 칩에 적층하는 차세대 집적 기술이다. 기존에는 이미지를 찍고(센서), 숫자로 바꾼 뒤(ADC), 메모리에 저장하고(DRAM), 다시 연산하는(CNN) 여러 단계를 거쳐야 했지만, 이 기술은 센서 안에서 바로 연산이 이뤄져 불필요한 데이터 이동이 필요없다. 전상훈 교수는 "이로인해 전력 소모는 크게 줄이고, 반응 속도는 획기적으로 높인 실시간·초저전력 엣지 AI 구현이 가능해졌다"며 "특히, 기존 카메라–연산–메모리 분리형 구조를 대체할 수 있는 장점이 있다"고 말했다. 뉴로모픽 연구 논문 2편도 관심을 끌었다. 이 논문에서는 기존 이미지 센서에 필요한 복잡한 변환 회로(ADC/DAC)를 제거하고, 픽셀 인근에서 아날로그 방식으로 특징을 추출하는 초저전력 연산 기술을 제안했다. 이로 인해 이미지를 찍는 부품과 계산하는 부품을 따로 두지 않고 센서 단계에서 바로 판단이 가능하다. 사진을 찍어 다른 칩으로 보내 계산하던 기존 방식보다 전력 소모는 줄고 반응 속도는 빨라졌다. =============== 나머지 세 편의 연구에서는 차세대 3D 메모리에 필요한 고신뢰성 저장 구조, 열 안정성이 높은 산화물 채널, 전압을 줄여주는 특수 박막 설계 등의 방법을 제시했다. 이를 통해 같은 재료를 활용해 더 낮은 전압으로 동작하면서도 오래 쓰고, 전원이 꺼져도 데이터를 안정적으로 저장할 수 있는 차세대 낸드 플래시를 구현했다. 연구팀은 대규모 데이터 저장 과정의 안정성과 내구성을 크게 향상시켰다는 평가를 받았다. 연구를 이끈 전상훈 교수는 “센서·연산·저장을 각각 따로 설계하던 기존 AI 반도체 구조에서 벗어나, 전 계층을 하나의 재료와 공정 체계로 통합할 수 있음을 실증했다는 점에서 큰 의의가 있다”며, “앞으로 초저전력 엣지 AI부터 대규모 AI 메모리까지 아우르는 차세대 AI 반도체 플랫폼으로 확장해 나갈 것”이라고 밝혔다. 한편, 연구는 과학기술정보통신부, 한국연구재단 등 기초연구 사업과 극한스케일 극한물성 이종집적 한계극복 반도체기술 연구센터(CH³IPS) 지원을 받았다.

2025.12.31 14:20박희범 기자

차세대 전력반도체 시장 키운다…"기술 자립률·국내 생산비중 2배 목표"

산업통상부(이하 산업부)는 지난 10일 발표한 'AI 시대, 반도체 산업전략'의 세부과제를 구체화하기 위해 산학연 관계자 100여명과 함께 그랜드머큐어 임피리얼 팰리스 서울 강남에서 '차세대 전력반도체 포럼'을 17일 개최했다. 차세대 전력반도체는 Si(실리콘) 대비 고온·고전압에서 효율이 높은 화합물 소재(SiC(탄화규소), GaN(질화갈륨) 등)를 활용한 반도체로, 첨단산업 핵심부품(AI 데이터센터·전기차·HVDC 등)에 활용될 것으로 전망된다. 추진단은 전력반도체 밸류체인별 앵커기업·참여기업·관련 기관 전문가로 구성되며, 차세대 전력반도체 기술로드맵 수립을 통해 차세대 전력반도체 개발과 제품 양산으로 이어질 수 있는 수요 연계형 R&D를 기획할 예정이다. 또한 추진단에서는 정례적인 포럼 개최를 통해 지역별 핵심거점 중심 전력반도체 인프라 구축 논의와 함께 국민성장펀드 및 반도체 특별법 운용 등 제도적 지원이 필요한 분야에 대해 각계 각층의 의견을 수렴하는 자문 역할을 담당할 계획이다. 산업부 관계자는 “첨단 산업에서는 반도체의 연산 능력도 중요하지만, 이제는 전력 효율과 내구성도 산업의 경쟁력을 좌우하는 핵심 요소가 됐다"며 "2030년까지 화합물 전력반도체 기술자립률과 국내 생산비중을 2배 확대할 수 있도록 산·학·연·관의 정례적인 소통 채널을 강화해 정책 역량을 집중할 계획”이라고 밝혔다.

2025.12.17 16:48장경윤 기자

삼성전자 "차세대 메모리 LPDDR6-PIM 표준 거의 완성"

삼성전자가 엣지 AI 영역을 위한 차세대 메모리 개발에 박차를 가하고 있다. 연내 'LPDDR6-PIM' 표준을 제정해, 제품 개발의 초석을 마련하는 것을 목표로 하고 있다. 16일 손교민 삼성전자 마스터는 서울대학교 AI 반도체 포럼에서 차세대 PIM(프로세싱-인-메모리) 개발 전략에 대해 이같이 밝혔다. PIM은 메모리 반도체에서 자체적으로 데이터 연산 기능을 처리할 수 있도록 만든 반도체다. 삼성전자의 경우, 범용 D램에서부터 HBM(고대역폭메모리)까지 전반적으로 PIM을 적용하기 위한 연구개발을 지속해 왔다. 특히 저전력 D램인 LPDDR 분야에서 PIM 적용이 활발한 추세다. LPDDR은 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발돼 왔으며, 7세대인 LPDDR5X까지 상용화가 완료됐다. 삼성전자는 LPDDR5X와 PIM을 결합한 LPDDR5X-PIM을 개발 중에 있다. 해당 제품은 기존 LPDDR5X 대비 대역폭이 8배 큰 614GB/s를 구현했으며, FP16/FP8 및 INT/4/8/16 등 다양한 연산을 지원하는 것이 특징이다. 손 마스터는 "LPDDR-PIM은 HBM 활용이 어려운 모바일, 엣지 AI 연산이 필요한 산업에서 적용될 수 있을 것"이라며 "단순히 메모리 기업만의 생각이 아닌 SoC(시스템온칩) 및 시스템 기업들도 PIM 활용을 고려하고 있다"고 말했다. 다음 세대인 LPDDR6-PIM 개발을 위한 준비도 연내 마무리짓는 것이 목표다. 이를 위해 JEDEC(국제반도체표준협의회)에서 표준 제정을 진행 중으로, 현재 마무리 단계에 접어든 것으로 알려졌다. 손 마스터는 "삼성전자의 기본 목표는 올해 말까지 LPDDR6-PIM의 개발을 시작할 수 있을 정도의 표준을 완성하는 것"이라며 "표준화가 거의 다 됐고, 몇 가지 점에 대해 회사 간의 조율을 하고 있는 중"이라고 설명했다.

2025.12.16 15:27장경윤 기자

에스티아이, 전력반도체용 부품 제조장비 수주…中 고객사와 협력

반도체·디스플레이 장비 전문기업 에스티아이는 전력반도체용 방열 부품 제조 장비 개발 및 수주에 성공했다고 9일 밝혔다. 전력반도체는 고전압·고주파 환경에서 동작함에 따라 발열 관리가 성능·수명·안정성의 핵심 요인으로 주목받고 있다. 방열 부품은 소자 내부 열을 외부로 효과적으로 방출해 성능 저하를 방지하고 장비 수명을 연장하는 필수 구성 요소로, 과열로 인한 화재·폭발 위험 감소 등 안전성 확보에도 결정적 역할을 한다. 이에 따라 글로벌 전력반도체 제조사들은 방열 부품의 성능 및 생산 효율 개선을 위한 기술 투자 확대에 나서고 있으며, 에스티아이는 이에 대응해 수년간 독자 공법 기반의 방열 부품 제조 장비를 전략적으로 개발해 왔다. 에스티아이가 개발한 방열 부품 제조 공정은 기존 대비 방열 성능 향상 및 제조 효율 개선을 동시에 달성한 기술로 평가받고 있다. 해당 기술력은 중국의 주요 전력반도체 제조사로부터 기술 경쟁력을 인정받았다. 양사는 방열 부품 생산 자동화 인라인 구축을 위한 업무협약(MOU)을 체결하고 합자 법인을 설립했으며, 약 6천650만 달러 규모의 장비 구매 계약을 체결했다. 해당 프로젝트는 내년부터 본격적으로 진행될 예정이다. 에스티아이는 이번 프로젝트를 통해 2027년 양산을 시작으로 최종 생산 목표인 월 21만개 규모의 전력반도체 방열 부품 생산이 가능한 자동화 인라인을 단계적으로 구축할 계획이다. 회사는 본 생산 거점이 중국 내 전력반도체 방열 부품 공급의 핵심 허브로 자리매김할 것으로 전망한다. 에스티아이 관계자는 “고객사 맞춤형 장비 개발과 공정 기술 고도화를 위한 지속적인 투자를 통해 의미 있는 성과를 확보했다”며 “앞으로도 신소재 기반 방열 기술 개발 및 원가 경쟁력 강화로 글로벌 전력반도체 시장에서 차별화된 기술 우위를 확보해 나가겠다”고 말했다. 한편 에스티아이는 전력반도체 외에도 HBM 및 패키징 시장 변화에 대응해, 세라믹 인터포저 기술을 국가 연구개발 과제를 통해 선행 개발 중이다. 회사는 해당 기술을 신규 사업 포트폴리오로 확장해 전력반도체·메모리반도체 부품을 아우르는 종합 반도체 소재·장비 기업으로 도약한다는 방침이다.

2025.12.09 10:06장경윤 기자

"AI의 심장은 데이터센터"…지능형 인프라가 여는 차세대 AI 시대

“오늘날 데이터센터는 단순한 인프라가 아니라 지능의 심장부로 진화하고 있습니다.” 이중연 KTNF 대표는 12일 서울 강남구 그랜드인터컨티넨탈 파르나스에서 열린 인공지능반도체조찬포럼에서 이같이 밝혔다. 그는 “AI가 폭발적으로 발전하면서 이제 데이터센터는 단순히 데이터를 저장하고 처리하는 공간이 아니라, 지능형 컴퓨팅의 중심으로 재정의되고 있다”고 강조했다. KTNF는 2002년에 설립된 서버 전문 개발 및 제조 기업이다. 자체 기술력으로 국산 서버를 직접 설계·제조한 뒤 공급한다. 이 대표는 AI 시대의 데이터센터가 직면한 가장 큰 도전으로 전력, 냉각, 자원 활용 효율을 꼽았다. GPT-4 학습에 수만 개의 CPU가 투입될 정도로 연산 수요가 급증하지만, 기존 인프라는 이를 감당하지 못한다는 것이다. 그는 “AI가 요구하는 연산 밀도와 속도를 지원하려면 기존 설계의 한계를 뛰어넘는 새로운 구조가 필요하다”고 말했다. 이 대표가 제시한 해법은 'AI 특화형 데이터센터 모델'이다. 이 모델은 CPU, GPU, MPU 등 다양한 가속기를 CXL(컴퓨트 익스프레스 링크) 기반으로 연결해 자원을 실시간 공유하고 자동으로 최적화할 수 있는 구조다. 이를 통해 대규모 모델 학습과 추론을 효율적으로 처리하면서도 전력 낭비를 최소화할 수 있다. 그는 “에너지 효율적이면서도 지능적으로 확산되는 차세대 AI 데이터센터를 통해 AI가 더 빠르고 더 안전하며 더 지속 가능하게 성장하는 세상을 만들어야 한다”고 전했다. 냉각 기술의 혁신도 AI 데이터센터 구성의 중요 요소로 꼽았다. 특히 DLC(직접 액체 냉각) 기술의 필요성을 강조했다. DLC는 서버나 GPU 같은 발열 부품 표면에 냉각수를 직접 순환시켜 냉각하는 방식이다. 공냉식 대비 열 제거 효율이 최대 10배 이상 높다. 이 대표는 “고밀도 AI 서버는 전력뿐 아니라 열이 성능의 한계를 결정짓는 요소가 됐다”며 “냉각 효율이 곧 연산 효율로 이어지는 시대에 전력과 냉각은 AI 인프라의 생명선”이라고 강조했다. 보안이 AI 데이터센터 구현의 문턱이 될 것으로 내다봤다. 그가 제시한 해법은 물리적 보안 체계다. 현재 시장에서는 반도체 미세 불균일성을 이용한 PUF(물리적 복제 방지 기능)기술과 QRNG(양자 난수 생성기), PQC(양자내성암호)를 AI 데이터센터를 위한 차세대 보안 요소로 보고 있다. 이 기술은 칩 자체가 고유한 '전기적 지문'을 갖도록 만들어 복제나 위·변조를 원천 차단한다. 이 대표는 “AI가 스스로 학습하고 판단하는 만큼, 그 기반이 되는 하드웨어의 신뢰성이 중요하다”고 말했다. 이 대표는 또 AI 인프라를 위해 시스템을 구축해야 한다고 전했다. 그는 “AI 인프라의 핵심은 이제 연산 속도나 저장 용량이 아니라, 얼마나 지능적으로 자원을 관리하고 얼마나 신뢰할 수 있는 시스템을 갖추느냐에 달려 있다”고 강조했다. 이어 “국산 AI 반도체와 지능형 인프라 기술을 융합해 한국형 데이터센터 모델을 발전시켜 나가겠다”며 “AI가 AI를 위한 인프라를 설계하는 시대를 준비하겠다”고 덧붙였다.

2025.11.12 13:40전화평 기자

"전력가격 상승세, 반도체·디플 등 첨단산업 가장 큰 부담”

최근 인공지능(AI) 확산과 산업·생활 전기화로 전력수요가 빠르게 증가하면서, 전력비 비중이 높은 첨단산업을 중심으로 기업 부담이 크게 높아질 수 있다는 분석이 나왔다. 대한상공회의소 SGI는 12일 '전력수요 증가와 전력산업 생산성 향상 효과 분석' 보고서를 통해 “최근 5년간 전기요금 급등으로 인해 산업계 전력비 부담이 크게 늘어나면서 첨단산업을 중심으로 수익성과 수출경쟁력에 악영향이 확대되고 있다”며 “공급 인프라 및 제도적 유연성이 뒷받침되지 않으면 전력비용 상승 등 기업 부담이 커질 수 있어 전반적인 전력시장 제도 개선과 기술혁신이 시급하다”고 밝혔다. 보보고서는 국내 전력소비가 2010년 이후 연평균 약 1.7% 증가했으며, 정부의 '제11차 전력수급기본계획'에 따르면 2030년대까지 매년 약 2% 증가세가 이어질 것으로 전망했다. 공급능력이 충분히 확대되지 못하면 전력수요가 2% 늘어날 때 전력가격은 일반 물가 대비 약 0.8%p 추가 상승하고, GDP는 0.01% 감소하는 것으로 분석했다. 전력가격 상승은 반도체·디스플레이 등 전력집약적 첨단산업의 생산 감소로 이어질 수 있다고 덧붙였다. 대한상의 SGI 박경원 연구위원은 “업종별 투입구조가 달라 전력가격 상승의 영향도 차이가 있다”며 “제조원가에서 전력비 비중이 높고 다른 에너지원으로 대체가 어려운 반도체·디스플레이 산업은 생산비 부담이 급격히 커져 생산 위축으로 이어질 가능성이 있다”고 설명했다. SGI는 전력산업의 총요소생산성(TFP)을 높이면 전력가격 상승 압력을 완화하고 경제 전반의 산출을 늘릴 수 있다고 제시했다. 동일한 인력·설비·연료로 더 많은 전력을 생산해 단위생산비용을 낮출 수 있기 때문이다. 공급이 변하지 않은 상태에서 수요만 늘 경우 전력가격은 오르고 GDP는 줄었지만, 전력산업 생산성이 1% 개선되면 전력가격은 일반 물가 대비 0.6%p 하락하고 GDP는 0.03% 증가하는 것으로 나타났다. 업종별로는 전력가격 상승으로 타격을 받았던 반도체와 디스플레이 감소폭이 축소됐다. SGI는 정책 과제로 ▲수요자 중심 전력거래 방식 확립 ▲전력산업 전주기 기술혁신 ▲에너지·디지털 융합형 전문 인력 양성을 제시했다. 실시간 수급 변동성에 대응할 유연한 시장구조와 다양한 요금제, 고효율 발전설비 도입과 전력망 고도화, AI·ESS 기반 계통운영 최적화, 수요부문 피크 관리 등이 필요하다고 강조했다. 아울러 AI 기반 전력계통 운영, 스마트그리드, 재생에너지 통합관리 등 신기술 확산에 맞춘 체계적 인재양성도 주문했다 대한상의 SGI 박양수 원장은 “APEC 등을 계기로 AI 기반 경제 재도약을 위한 기회를 잡은 것으로 보인다”며, “AI 기반 성장에 필수적인 에너지공급 시스템이 효율적으로 작동하여 기업들의 전력비용 부담이 완화되도록 정책적 노력을 기울여야 할 것”이라고 강조했다.

2025.11.11 12:00류은주 기자

RFHIC, 군위성통신용 고출력증폭기 국산화 개발 국책과제 선정

화합물 반도체 전문기업 RFHIC는 방위사업청이 추진하는 핵심 부품국산화개발 지원사업의 연구개발기관으로 선정됐다고 11일 밝혔다. 이번 사업은 정부지원금 57억원 포함, 총 76억원 규모의 연구개발비가 투입되는 프로젝트로, 차량에 탑재돼 위성과 직접 연결해 작전 지역 어디서나 지휘부와 안정적인 통신망을 유지할 수 있는 차량 위성단말기용 고출력증폭장치 국산화 개발을 목표로 한다. 기존 차량용 단말기에는 진행파관 전력증폭기(TWTA)가 사용돼 왔으나, 수명 단축, 출력 한계, 고가의 해외 제품 의존 등 구조적인 한계가 존재했다. RFHIC는 이를 질화갈륨(GaN) 기반 반도체 전력증폭기(SSPA)로 1:1 대체해 본격적인 국산화를 추진한다. RFHIC가 개발하는 GaN 기반 SSPA는 일부 고장 발생 시에도 안정적인 운용이 가능하며, 핵심 부품인 질화갈륨 고주파 집적회로(GaN MMIC)까지 국산화함으로써 국내 방위산업의 기술 자립도를 한층 강화할 계획이다. 회사 측은 이번 개발이 성공적으로 마무리될 경우 향후 5년간 약 1천300억원 규모의 양산 매출이 기대되며, 국내 방산 경쟁력 강화와 더불어 상당한 경제적 파급효과도 창출할 것으로 전망했다. RFHIC 관계자는 “이번 과제는 군통신장비의 신뢰성을 획기적으로 개선하고 국내 방위산업 핵심 기술의 국산화를 실현하는 중요한 전환점”이라며 “그동안 축적된 기술력을 인정받아 군위성통신체계까지 진출하게 된 만큼 향후 대규모 양산 수요와 함께 국내외 시장에서 의미 있는 성과가 기대된다”고 말했다. 관계자는 이어 “군용을 넘어 민간 위성통신, 6G 인프라, 우주산업 전반으로 기술 영역을 확장해 나갈 것”이라고 덧붙였다.

2025.11.11 09:49장경윤 기자

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