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'전력반도체'통합검색 결과 입니다. (51건)

로옴 그룹 'SiCrystal', ST와의 SiC 웨이퍼 공급 계약 확대

로옴(ROHM)과 ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 로옴 그룹 내 SiCrystal GmbH(이하 SiCrystal)의 수년 간에 걸친 ST향 150mm SiC 웨이퍼 장기 공급 계약을 확대한다고 22일 밝혔다. 계약 확대 내용은 독일의 뉘른베르크에서 생산되는 SiC 웨이퍼를 향후 수년간에 걸쳐 공급하는 것으로, 확대 기간의 거래액은 2억3천만 달러 이상이 될 것으로 예상하고 있다. 우수한 에너지 효율을 갖춘 SiC 전력반도체는 자동차 및 산업기기를 한층 더 지속 가능한 방법으로 전장화할 수 있다. 또한 AI 어플리케이션용 데이터 센터와 같이 방대한 자원을 사용하는 인프라 설비를 위한 견실한 전원 공급에도 기여한다. ST는 "SiCrystal과의 SiC 웨이퍼 장기 공급 계약 확대를 통해 150mm의 SiC 웨이퍼를 추가로 확보했다"며 "이를 통해 전 세계 자동차기기 및 산업기기 분야의 고객에게 제공하는 제품의 제조 능력 증강을 서포트할 예정"이라고 밝혔다. 로버트 엑스타인 로옴 그룹 SiCrystal 사장 겸 최고경영자(CEO)는 "SiCrystal은 SiC의 리딩 컴퍼니인 로옴의 그룹사로서, 장기간에 걸쳐 SiC 웨이퍼를 제조해 왔다"며 "이번에 오랜 고객사인 ST와의 공급 계약을 확대할 수 있어서 매우 기쁘게 생각하고, 앞으로도 150mm SiC 웨이퍼의 공급량을 계속적으로 증가시켜 신뢰성이 높은 제품을 끊임없이 제공할 것"이라고 말했다. 한편 로옴 그룹 회사인 SiCrystal은 단결정 SiC 웨이퍼의 주요 공급업체다. SiCrystal의 고도 반도체 기판은 전기자동차 및 급속 충전 스테이션, 재생 가능한 에너지, 그리고 산업 용도의 다양한 분야에서, 전력 변환 효율을 높이기 위한 초석이 되고 있다.

2024.04.23 09:06장경윤

'주총' DB하이텍 "팹 가동률 75%로 견조…상반기 흑자 지속"

"현재 DB하이텍의 팹 가동률은 75% 수준으로 경쟁사 대비 높은 수준을 나타내고 있습니다. 올해 상반기 수익성 측면에서도 지난해 수준의 이익을 얻고 있습니다." DB하이텍은 경기 부천 소재 본사에서 제71기 정기주주총회를 열고 회사의 올해 사업 현황 및 전망에 대해 이같이 밝혔다. 이날 조기석 DB하이텍 대표이사 사장은 8인치 파운드리 사업 현황에 대해 "현재 DB하이텍의 팹 가동률은 75% 수준"이라며 "생산능력이 지난해 14만 장에서 올해 15만4천 장까지 증가하는 상황에서도 가동률을 비슷하게 유지하고 있다. 이는 경쟁사들과 15~20%p의 격차"라고 밝혔다. 8인치 파운드리 시장은 코로나19 사태로 아날로그 반도체 수요가 증가하면서 호황을 맞았다. 당시 DB하이텍을 비롯한 공급사들의 가동률은 100%에 육박한 바 있다. 그러나 지난해에는 세계적인 경기 침체로 8인치 파운드리 시장이 큰 타격을 받았다. 이에 DB하이텍의 지난해 연결기준 매출액은 1조1천578억원으로 전년 대비 30.89% 감소했다. 영업이익도 2천663억원으로 전년 대비 65.36% 줄어들었다. 시장의 회복세는 아직 뚜렷하지 않으나, DB하이텍은 올해 상반기 수익성을 강화할 수 있을 것으로 내다봤다. 조 사장은 "지난해 사업계획 수립 시에는 올해 1분기, 2분기 적자를 예상할 정도로 업황이 좋지 않았다"며 "그러나 지금은 지난해 수준의 이익을 얻고 있다"고 설명했다. 신사업 추진 전략에 대해서는 "SiC(탄화규소), GaN(질화갈륨) 등 차세대 전력반도체 사업경쟁력 확보를 위해 역량을 집중하도록 할 것"이라고 밝혔다. SiC, GaN은 기존 실리콘 대비 전력 효율성 및 고온·고압에 대한 내구성이 높은 소재다. 이와 관련, DB하이텍은 지난해 하반기 SiC·GaN 전력반도체 제조를 위한 핵심장비를 반입한 바 있다.

2024.03.28 11:29장경윤

파워큐브세미, 전력반도체 2300V SiC MOSFET 개발 완료

파워큐브세미는 국내 최초로 2300V SiC(실리콘카바이드) MOSFET 반도체 개발에 성공했다고 26일 밝혔다. SiC(탄화규소)는 기존 Si(실리콘) 기반의 반도체 대비 견딜 수 있는 전압이 높아 미래 전력반도체를 주도할 차세대 소자로 불린다. 전기자동차의 보급, AI로 인한 데이터센터의 확대 등 첨단기술의 도입에 반드시 필요한 핵심 부품이다. 팹리스 기업 파워큐브세미는 국내 SiC(탄화규소), Si(실리콘), Ga2O3(산화갈륨) 등 3개 소자의 전력반도체를 개발한다. 최근에는 중국 글로벌 전기자동차 기업에 대용량 SJ MOSFET을 적용 및 판매하며 직접 설계한 반도체의 성능과 기술력도 인정받았다. 이번에 출시한 2300V SiC MOSFET은 국내 최초의 개발 사례라는 점에서 주목된다. 독일의 글로벌 전력반도체 기업인 인피니언도 지난 3월 2000V 제품을 출시하였다고 밝힌 바가 있으나, 2300V 제품 라인업은 구비하지 못한 상황이다. 경신수 파워큐브세미 CTO는 "기존의 1700V SiC MOSFET 개발 및 양산 경험이 2300V까지 이어질 수 있었다"고 밝혔다. 2300V SiC MOSFET은 송배전과 같이 고내압, 저전력이 필요한 애플리케이션에 적용될 예정이다. 해당 제품은 한국전력의 송배전용 인버터에 공급을 협의하고 있다. 강태영 파워큐브세미 대표는 "수 년간의 노력이 결과물로 나오게 되어 기쁘다"라며 "단순한 개발 사례로 끝나지 않고 고내압, 저전력이 필요한 어플리케이션에 적용 및 판매할 수 있도록 만전을 기하겠다"고 밝혔다.

2024.03.26 11:57이나리

인피니언, 차세대 'SiC MOSFET' 트렌치 기술 출시

인피니언 테크놀로지스는 차세대 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 트렌치 기술을 출시한다고 11일 밝혔다. 새로운 인피니언 CoolSiC MOSFET 650V 및 1200V 2세대 제품은 이전 세대 대비 저장 에너지와 전하 같은 MOSFET 주요 성능을 최대 20% 개선하면서 품질과 신뢰성은 그대로 유지한다. 따라서 에너지 효율을 높이고 탈탄소화에 기여한다. CoolSiC MOSFET 2세대(G2) 기술은 실리콘 카바이드의 고유한 성능 이점을 활용해서 에너지 손실을 낮추고 전력 변환 시 더 높은 효율을 달성한다. 덕분에 태양광, 에너지 저장, DC EV 충전, 모터 드라이브, 산업용 전원장치 등 다양한 전력 반도체 애플리케이션에 적합하다. 일례로 전기차 DC 급속 충전기에 CoolSiC G2를 사용하면 이전 세대 대비 전력 손실을 최대 10퍼센트까지 낮출 수 있어, 폼팩터를 키우지 않고 충전 용량을 높일 수 있다. 트랙션 인버터에 CoolSiC G2 디바이스를 채택하면 전기차 주행 거리를 늘릴 수 있다. 신재생 에너지 분야에서 태양광 인버터에 CoolSiC G2를 채택하면 높은 전력 출력을 유지하면서 크기를 줄일 수 있어 와트당 비용을 낮출 수 있다. 고성능 CoolSiC G2 솔루션을 구현한 인피니언의 선도적인 CoolSiC MOSFET 트렌치 기술은 최적화된 디자인을 통해서 기존 SiC MOSFET 기술 대비 더 높은 효율과 신뢰성을 제공한다. CoolSiC G2를 기반의 디자인에 기술상을 수상한 .XT 패키징 기술을 결합해 더 높은 열전도성, 더 우수한 어셈블리 관리, 향상된 성능을 구현할 수 있다. 인피니언은 실리콘, 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드(GaN)를 모두 공급하며, 설계 유연성과 첨단 애플리케이션 노하우로 디자이너들의 기대와 요구를 충족한다. SiC와 GaN 등 와이드 밴드갭(WBG) 소재 기반의 혁신적인 반도체는 에너지를 효율적으로 사용하도록 해 탈탄소화에 기여한다.

2024.03.11 11:25장경윤

SK 반도체 계열사, 올해도 '신사업' 진출 사활

SK그룹이 반도체 사업 영역 확장에 속도를 낸다. 최근 반도체 소재를 담당하는 여러 계열사에 원천 기술이나 기존 사업과의 시너지 효과를 낼 수 있는 기술 확보를 주문한 것으로 파악됐다. 11일 업계에 따르면 SK그룹 내 반도체 계열사들은 신규 사업 진출을 위한 M&A 및 협업을 적극 검토하고 있다. SK그룹은 주요 메모리 기업인 SK하이닉스를 비롯해 SKC·SK머티리얼즈·SK실트론 등 반도체 소재 기업을 보유하고 있다. 근래에도 SK하이닉스가 키파운드리(8인치 파운드리)를, SKC가 아이에스시(후공정 부품)를, SK(주)가 에버텍(패키징용 특수접착소재)을 인수하는 등 반도체 사업 영역 확장에 적극적으로 나서 왔다. SK그룹의 이 같은 전략은 올해에도 지속 유지될 것으로 관측된다. 반도체 업계 관계자는 "현재 SK그룹이 6~7개의 신사업 후보를 선정해, 이 중 몇 가지를 신사업으로 추진할 방침을 세운 것으로 안다"며 "해당 방침에 따라 관련 계열사들이 분주히 움직이고 있는 상황"이라고 설명했다. 일례로 SK실트론은 올 1분기 국내 전력반도체 소재 관련 기업과 협업 관계를 수립하기 위한 논의에 들어간 것으로 파악됐다. SK실트론은 기존 주력 사업인 실리콘 웨이퍼 외에도 SiC(탄화규소) 웨이퍼 등 차세대 전력반도체 소재를 개발하고 있다. 이번 논의는 SiC와 마찬가지로 차세대 전력반도체 소재로 각광받는 GaN(질화갈륨) 분야에 초점을 맞춘 것으로 전해진다. SiC와 GaN은 실리콘 기반의 반도체 대비 고온·고전압 내구성, 전력효율성 등이 높다. 특히 SiC는 고온·고전압 내구성이, GaN은 스위칭(전기 신호의 온오프 전환) 특성이 뛰어나 각 용도에 따라 시장 수요가 증가하는 추세다. 지난해 10월 SKC에 인수된 아이에스시도 현재 기존 후공정 부품 사업과 연계할 수 있는 기업의 인수를 검토 중이다. 구체적인 사업 분야 및 후보 기업은 공개되지 않았으나, 이르면 올 하반기에 인수합병이 성사될 것으로 알려졌다. 또 다른 반도체 업계 관계자는 "이 같은 계열사들의 최근 움직임에는 반도체 분야 생태계를 폭넓게 구축하려는 SK그룹의 의지가 반영된 것"이라며 "시너지 효과를 창출할 수 있는 분야나 원천기술 확보에 중점을 두고 있다"고 밝혔다.

2024.03.11 10:57장경윤

로옴, 델타 AC 어댑터에 '650V GaN 제품' 공급

로옴(ROHM)이 자사의 'EcoGaN' 650V GaN(질화갈륨) 제품을 대만 델타일렉트로닉스의 브랜드 이너지(Innergie)의 45W 출력 AC 어댑터 'C4 Duo'에 채용됐다고 27일 밝혔다. 로옴이 이번 델타에 공급한 제품 모델명은 'GNP1150TCA-Z'다. 델타 측은 "로옴과의 협력 체제를 지속적으로 강화함으로써 한층 더 고출력, 고기능의 AC 어댑터를 제공할 수 있을 것으로 믿고 있다"고 밝혔다. 로옴은 GaN을 탑재한 기기를 'EcoGaN'이라는 브랜드로 전개하고 있다. 높은 잠재력을 지녔으나, 취급이 어려운 GaN의 완벽한 활용에 주목해 제품 개발과 솔루션 제공을 추진하고 있다. 디스크리트 제품으로는 2022년에 150V 내압 GaN HEMT의 양산을 개시했으며, 2023년에는 업계 최고 수준의 디바이스 성능을 실현한 650V 내압 GaN HEMT를 양산했다. 이번에 650V 내압 제품인 'GNP1150TCA-Z'에 내장된 ESD 보호 소자를 통해 정전 파괴 내량을 GaN HEMT 일반품 대비 약 75% 향상시켰다는 점에서, 어플리케이션의 고신뢰화로 연결될 수 있을 것으로 평가받고 있다.

2024.02.27 13:43장경윤

美, SK실트론 생산능력 확대에 7천200억원 지원

미국 에너지부 산하 대출프로그램사무국(LPO)은 현지 전기차용 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 생산능력 확대를 위해 SK실트론CSS에 5억4천400만 달러(한화 약 7천200억원) 대출을 조건부로 승인했다고 22일 밝혔다. SK실트론CSS는 SiC 웨이퍼 전문기업이다. SiC 웨이퍼 제조의 첫 단추인 잉곳 성장(그로잉) 기술을 보유하고 있다. 미국 듀폰의 SiC 웨이퍼 사업부가 전신으로, 지난 2020년 SK실트론에 인수됐다. SK실트론CSS는 이번 대출로 미국 미시간주 베이시티 내 SiC 웨이퍼 생산능력을 확대할 계획이다. 현재 회사는 해당 지역에 2개의 공장을 운용 중이다. SiC는 기존 웨이퍼 소재인 실리콘(Si) 대비 전력 효율성·고온 및 고압 내구성 등이 높다. 덕분에 전기차용 전력반도체 시장에서 수요가 증가해 왔다. 지안웨이 동 SK실트론CSS 최고경영자(CEO)는 "해당 프로젝트는 미국의 탄력적이고 견고한 공급망을 구축하는 데 중요한 단계"라며 "대출금으로 제조 시설을 완공하면 미국의 제조 기술 강화 뿐만이 아니라 일자리 창출이 촉진될 것"이라고 강조했다. LPO는 "이번 프로젝트는 2030년에 판매되는 모든 신차의 절반을 배출가스가 없는 자동차로 만들겠다는 바이든 행정부의 목표를 달성하려는 의지"라며 "증가하는 전기차 시장의 수요를 충족하고 안전한 공급망을 구축하는 데 도움이 될 것"이라고 밝혔다.

2024.02.23 09:55장경윤

DB하이텍, 작년 영업익 2663억…전년比 65% 감소

DB하이텍은 2023년 연결기준 매출액이 1조1천578억 원, 영업이익이 2천663억 원, 영업이익률이 23%로 잠정 집계됐다고 5일 공시를 통해 밝혔다. 이번 실적은 전년 대비 매출은 30.89%, 영업이익은 65.36% 감소한 수치다. DB하이텍은 “세계적인 경기 침체에 따른 전방산업 수요 부진으로 반도체 파운드리 시장 회복이 지연되면서 전년에 비해 실적이 다소 하락했다"며 "다만 전력반도체 기술 격차를 지속 확대하는 동시에 차량용의 비중을 높이고, 차세대 전력반도체로 주목받는 GaN·SiC 등 고부가·고성장 제품을 확대하며 경쟁력을 강화할 계획"이라고 설명했다. 또한 DB하이텍은 "지속가능경영 체제를 확립하기 위해 전방위적으로 노력하고 있다"고 강조했다. DB하이텍은 지난해 12월 말 지배구조 개선과 주주친화정책 강화를 골자로 하는 경영혁신 계획을 발표한 바 있다. 대표이사·이사회 의장 분리를 통해 이사회의 독립성을 높이고, 자사주 매입·소각, 배당 등을 통해 순이익의 30% 이상을 주주들에게 환원하겠다는 것이 주요 내용이다. 한편 DB하이텍은 이달 5일과 6일 양일간 국내 기관 투자자를 대상으로 2023년 4분기 경영실적 발표 기업설명회를 개최할 예정이다.

2024.02.05 10:02장경윤

국내 최초 '다이아몬드 웨이퍼' 개발한 RFHIC…올 하반기 제품화 윤곽

국내 RF(무선통신) 부품기업 RFHIC가 최근 GaN(질화갈륨) 기반의 4인치 다이아몬드 웨이퍼 개발에 성공했다. 국내 기업으로선 최초 성과로, 자체 개발한 특허 기술을 적용했다는 점에서도 의미가 깊다. 다이아몬드 웨이퍼는 기존 웨이퍼 대비 방열 특성이 뛰어난 것이 특징이다. 향후 위성·방산 등 산업 전반에서 반도체 성능을 향상시킬 것으로 기대된다. RFHIC는 올 하반기 내로 해당 웨이퍼를 자사 제품에 적용해 회사의 경쟁력을 끌어 올리고, 향후 시장 영역을 확대할 계획이다. RFHIC는 통신용 GaN(질화갈륨) 트랜지스터 및 전력증폭기를 전문으로 개발 및 생산하는 기업이다. GaN은 기존 반도체 소재인 실리콘 대비 전력 효율성, 고온·고압에 대한 내구성이 뛰어나다. 또한 스위칭(전기 신호를 켜고 끄는 것) 속도가 빨라 위성, 방산 등의 산업에서 수요가 특히 강하다. 최근 RFHIC는 GaN 소자의 차세대 방열 소재인 다이아몬드 웨이퍼 분야에서 괄목할 만한 성과를 거뒀다. 이 회사는 지난해 말 국내 최초로 4인치 Diamond(다이아몬드) 웨이퍼를 개발해냈다. 관련 기술을 확보한 기업은 미국, 중국 등 전 세계에서 4~5곳에 불과하다. 현재 GaN 웨이퍼는 주로 실리콘, 혹은 실리콘카바이드(SiC) 위에 GaN 물질을 성장시켜 만든다. 다이아몬드는 이들 소재 대비 내구성이 높고, 열전도율이 뛰어나 방열에 유리하다는 장점이 있다. 지난 9일 경기 안양 소재의 RFHIC 본사에서 다이아몬드 웨이퍼 개발의 주역인 곽준식 RFHIC AGS본부장을 만났다. 이곳에서 곽 본부장은 RFHIC의 다이아몬드 웨이퍼가 지닌 경쟁력, 향후 사업 계획 등을 소개했다. 곽 본부장은 "방열성이 높으면 소자의 온도를 낮춰주기 때문에, 동일한 조건에서도 더 높은 성능을 낼 수 있게 된다"며 "기존 구리(Cu) 방열소재 적용 소자 대비 RF 출력을 최대 200%까지 높일 수 있다"고 설명했다. RFHIC는 올 하반기 내로 다이아몬드 웨이퍼 기반의 소자를 양산하는 것을 목표로 하고 있다. 먼저 자사 제품에 적용해 경쟁력을 높이고, 노하우가 충분히 쌓이면 대외 판매로 영역을 확장한다는 전략이다. 가장 유망하게 보고 있는 시장은 방산, 위성 분야다. 나아가 향후에는 양자 컴퓨팅으로의 진출을 위한 단결정(싱글-크리스탈) 다이아몬드 웨이퍼를 개발할 계획이다. 단결정은 현재 개발된 다결정(폴리-크리스탈) 대비 열전도율이 더 높다. 이를 위한 웨이퍼 제조 기술 연구개발(R&D)에도 많은 공을 기울이고 있다. 이번에 개발된 RFHIC의 다이아몬드 웨이퍼는 GaN 웨이퍼와 다이아몬드 웨이퍼를 각각 제조한 뒤, 다이(Die) 단에서 직접 본딩(붙이는)하는 공정을 거친다. 이보다 기술적 난이도가 높은 W2W(웨이퍼 투 웨이퍼) 본딩에 대한 연구개발도 추진 중이다. 곽 본부장은 "GaN 웨이퍼에 다이아몬드를 직접 증착하는 기술 역시 지속 개발하고 있으나, 실제 양산에 필요한 조건들이 매우 까다로운 상황"이라며 "본딩의 경우 다이아몬드 층을 더 두껍게 할 수 있어 방열 특성을 향상시킬 수 있다"고 밝혔다. 또한 RFHIC는 다이아몬드를 성장하는 과정에서 자체 개발한 특허 기술을 적용했다. 현재 주요 경쟁사가 고온·고압(HPHT) 공정을 채택한 것과 달리, RFHIC는 자체 개발한 마이크로웨이브(주파수가 0.3㎓ ~ 300㎓ 영역에 해당하는 전자파) CVD(화학기상증착) 장비로 다이아몬드를 성장시킨다. 곽 본부장은 "현재 국내외 위성, 가전 기업들이 RFHIC의 다이아몬드 웨이퍼에 관심을 표하고 있는 상황"이라며 "높은 특성을 요구하는 하이엔드 시장에 대응하기 위해 관련 기술을 지속 고도화해나갈 것"이라고 말했다.

2024.01.15 16:36장경윤

SK실트론, SiC 웨이퍼 사업 순항…獨 인피니언과 장기 공급 계약

인피니언테크놀로지는 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 공급업체인 SK실트론 CSS(SK실트론 미국법인)와 장기 공급 계약을 공식화했다고 11일 밝혔다. 이번 계약으로 SK실트론 CSS는 인피니언에 150mm(6인치) 웨이퍼를 공급할 예정이다. 다만 구체적인 공급량 및 시기 등은 아직 정해지지 않았다. 나아가 양사는 장기적으로 200mm(8인치) 웨이퍼로의 전환에도 협력할 계획이다. 앞서 SK실트론은 지난 2020년 미국 미시간주에 오번 위치한 듀폰의 SiC 웨이퍼 사업부를 인수하고 자회사 실트론 CSS를 설립한 바 있다. 이를 통해 현재 연 10만장 이상의 6인치(150mm) SiC 웨이퍼를 양산하고 있다. SiC는 기존 반도체 소재인 실리콘 대비 고온·고전압에 대한 내구성, 전력효율성 등이 뛰어나다. 덕분에 자동차를 비롯한 산업 전반에서 수요가 증가하는 추세다. 현재 SiC 웨이퍼는 4인치 및 6인치가 시장의 주류를 이루고 있다. 인피니언은 "SK실트론 CSS와의 협력으로 고객사가 요구하는 고효율, 고성능 제품을 공급할 수 있게 돼 기쁘게 생각한다"고 밝혔다. 지안웨이 동 SK실트론 CSS 최고경영자(CEO)는 "우리는 SiC 소재 및 제조 분야에서 쌓아올린 경험을 바탕으로 화합물 반도체 솔루션에서 비교할 수 없는 노하우를 제공한다'며 "이러한 경험이 인피니언과의 협력의 초석이 됐다"고 말했다.

2024.01.11 16:46장경윤

키파운드리, 'SK키파운드리'로 사명 변경

8인치 파운드리 기업 키파운드리는 사명을 'SK키파운드리'로 변경했다고 3일 밝혔다. 변경된 사명은 최근 주주총회에서 승인을 받았으며, 2024년 1월 1일부터 사용한다. SK키파운드리는 지난 해 말 국내 및 해외 상표권 출원을 마쳤다. SK키파운드리는 2020년 9월 매그나칩 반도체의 파운드리 사업부가 분사해 설립한 8인치 파운드리 기업으로, 2022년 8월 SK하이닉스의 자회사로 편입됐다. 이후 인수 후 통합(PMI) 과정을 진행하면서 사명 변경을 추진해 왔으며, 기존 고객과의 비즈니스 연속성을 고려하여 SK키파운드리로 최종 결정했다. SK키파운드리는 사명 변경을 계기로 대외 신인도를 향상시켜 비즈니스를 확대하는 데에 탄력을 받을 것으로 기대하고 있다. SK키파운드리는 청주에 위치한 월 10만장 규모의 팹에서 다품종 소량 생산에 적합한 8인치 웨이퍼 기반의 전력 반도체와 디스플레이구동칩(DDI), 마이크로컨트롤유닛(MCU) 등 비메모리 반도체를 주로 위탁 생산 중이다. 특히 최근 전력 반도체 시장에서 고속 전력 전달과 높은 전력 효율을 위해 100V 이상의 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정 수요가 증가 중인데, SK키파운드리는 이러한 고전압 BCD 공정의 리딩 파운드리로서 차량용 산업용 전력 반도체 시장을 적극 공략하고 있다. 또한 SK키파운드리는 전력 반도체 공급의 연속성을 위해 차세대 전력 반도체로 언급되는 질화갈륨(GaN) 공정 개발을 이미 시작했으며, 실리콘카바이드(SiC) 개발도 적극 검토 중이다. 한편 SK키파운드리는 2024년을 성장과 변화의 본격적 추진을 위한 딥체인지의 해로 정하고 최근 조직 개편을 단행했다. 국내뿐만 아니라 미국과 중국 등 현지 영업력을 높여 고객을 확대하고, 차별화된 파운드리 공정 개발, 품질 강화 활동을 통해 고객 만족도를 높이는 것이 목표다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "사명 변경을 통해 SK 멤버사로 구성원들의 소속감을 고취하면서 더욱 강하고 빠른 회사로 거듭나겠다"며 "자동차용 전력 반도체 시장을 공략해 8인치 파운드리 시장에서의 점유율을 높여나가겠다"고 포부를 밝혔다.

2024.01.03 09:29장경윤

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