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'전력반도체'통합검색 결과 입니다. (51건)

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쎄닉, 전력반도체용 SiC 가공전문기업 헤일로와 MOU 체결

전력반도체용 실리콘카바이드(SiC) 소재 전문기업 쎄닉은 미국의 SiC 가공전문업체인 헤일로 인더스트리(Halo Industries)와 SiC 웨이퍼 공급과 가공 협력에 대한 MOU를 체결했다고 30일 밝혔다. 헤일로는 미국 스탠퍼드 대학교에서 분사한 회사로 SiC, Si, 사파이어, GaN, 다이아몬드 등 광범위한 재료와 웨이퍼 슬라이싱, 웨이퍼 성형 및 웨이퍼 백그라인딩을 포함한 다양한 애플리케이션에 대한 레이저 기반 가공(레이저 슬라이싱)을 전문으로 하고 있다. 레이저 슬라이싱은 기존 와이어 슬라이싱 대비 재료 폐기물을 크게 줄임과 동시에 웨이퍼 제조 수량을 두 배로 늘릴 수 있는 기술로 많은 기업이 연구하고 있는 분야다. 헤일로는 이미 기술 상용화에 성공해, 여러 고객사를 통해 웨이퍼 공급 및 생산규모를 확장 중에 있다. 양사는 미국 노스캐롤라이나주 롤리에서 열린 '국제 SiC 및 관련 자료 컨퍼런스(ICSCRM2024)'에서 긴밀한 협력관계를 약속하고 향후 양사가 나아가야 할 방향에 대해 심도 있게 논의했다. 쎄닉과 헤일로는 MOU를 통해 자본 효율성 개선, 제품 시장 출시 시간 단축 및 총 소요 비용 절감 등 고객에게 제공하는 가치를 높이려고 노력하기로 했다. 쎄닉 구갑렬 대표이사는 “이번 MOU 체결은 양사의 발전적인 협력관계를 알림과 동시에, 개발 협력의 신호탄이 될 것”이라며 “양사가 긴밀히 협력함으로써 개발완료된 전력반도체용 150mm SiC 웨이퍼 및 개발중인 200mm SiC 웨이퍼 가공품질 개선과 원가절감을 달성할 수 있을 것으로 기대한다”고 밝혔다.

2024.10.30 15:08장경윤

SK, SiC 전력반도체 쉽지 않네...SK파워텍 '애물단지' 전락

SK가 SiC(실리콘 카바이드) 전력반도체 사업 강화를 위해 2년전 인수한 SK파워텍이 실적 부진으로 애물단지로 전락할 위기다. SiC 전력반도체 시장의 주요 수요처인 전기차 시장의 성장 둔화가 지속되면서 어려움을 겪고 있기 때문이다. 글로벌 SiC 전력반도체 기업들도 올해 수요 부진으로 팹 건설 철회를 결정하기도 했다. ■ SiC 전력반도체 성장 둔화...SK파워텍 실적 위기 SiC 전력반도체는 98% 이상의 전력변환 효율과 내구성을 장점으로 기존 실리콘(Si) 전력반도체 시장을 대체하고 있다. 특히 전기차를 중심으로 SiC 전력반도체 수요가 증가해 왔다. SK는 SiC 전력 반도체 성장성을 높게 보고 2021년, 2022년 두차례 지분 투자를 거쳐 SiC 전력 반도체 설계·제조하는 기업 에스파워테크닉스를 인수했고, 2023년 3월 SK파워텍으로 사명을 변경했다. 현재 SK㈜의 지분율은 98.59%다. SK는 SK파워텍 인수를 통해 반도체 밸류체인 구축을 목표로 했다. SK파워텍이 SK실트론으로부터 SiC 웨이퍼를 수급받아 SiC 전력반도체 완제품을 생산하고, SK시그넷 등으로 전기차용 전력반도체를 납품한다는 구상이다. 하지만 최근 전기차 캐즘(일시적 수요 정체)이 장기화되면서 전세계 SiC 전력반도체 시장은 성장 둔화로 어려움을 겪고 있다. SK파워텍의 실적 또한 하락세다. 감사보고서에 따르면 SK파워텍의 영업손실은 2022년 110억원, 2023년 203억원을 기록하면서 적자가 더 커졌다. 같은 기간 매출 또한 35억원에서 19억8천만원으로 43.4% 감소하며 절반이 됐다. SK파워텍의 최대 고객사인 SK시그넷으로부터 창출된 매출도 2022년 6억2천만원에서 2023년 5억3천만원으로 14.3%가 줄었으며, LEAP세미컨덕터와 아이쎄미 매출은 지난해 끊겼다. SK파워텍의 제품 재고자산도 2022년 23억3천만원에서 2023년 31억5천만원으로 늘었다. SK파워텍은 SiC 전력 반도체 본격 진출을 위해 지난해 4월 기존 포항 공장을 부산으로 이전하면서 생산용량을 연간 웨이퍼 생산량 2만9000장을 구축하며 이전 보다 3배 키웠으나, 업계에 따르면 현재 가동률은 저조한 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 "SK는 SK파워텍 재무부담이 커지고, SiC 전력반도체 수요 전망 악화로 어려움을 겪고 있다"라며 "SiC 분야는 지속적인 투자가 필요한 산업인 만큼, 실적 개선을 이루기 쉽지 않을 것"이라고 말했다. ■ 전세계 SiC 전력반도체 시장 부진...울프스피드, 독일 신규 팹 건설 철회 SiC 전력반도체 시장 불황은 SK파워텍에만 국한되지 않는다. 글로벌 SiC 전력반도체 시장 점유율 4위인 미국 울프스피드는 독일 자동차부품업체 ZF와 독일 자를란트에 8인치 SiC 전력반도체 제조시설을 건설한다는 계획을 지난해 1월 발표했으나, 지난해 6월 건설 계획을 2년 연기해 2025년에 시작한다고 밝혔다. 당시 울프스피드는 "유럽과 미국 모두에서 전기차 시장이 약세를 보이면서 시설투자를 줄이게 됐다"고 설명했다. 그러나 지난 23일(현지시간) 로이터통신에 따르면 전기차 시장 부진이 지속되자 결국 울프스피드와 ZF는 독일 SiC 전력반도체 팹 건설을 철회하기로 했다. SiC 전력반도체 점유율 2위인 온세미 또한 실적 부진을 겪고 있다. 온세미는 지난 28일(현지시간) 3분기 실적발표 컨콜에서 "주요 고객사인 중국 리오토, BYD, 샤오펑 등의 전기차 수요 감소로 인해 하반기 중국에서 매출이 예상 수준에 이르지 못했다"라며 "자동차 부분 매출은 9억5천120만 달러로 전년 보다 17.8% 감소했다"고 밝혔다. 업계 관계자는 "SiC 전력반도체 사업을 성공적으로 운영하려면 앞으로 최소 3년, 5년 이상 대규모 투자를 감당할 수 있어야 한다"라며 "이 시장은 온세미, ST, 로옴 등 대규모 투자와 생태계를 구축한 글로벌 기업들만이 살아남을 수 있을 것"이라고 말했다. 이어 "SK파워텍의 현재 투자 규모로는 SiC 전력반도체에서 경쟁력을 유지하기 쉽지 않다"라며 "무엇보다 현재 SK그룹이 자금 여력이 충분치 않다는 점에서 SiC 전력반도체 사업 지속 여부를 고민할 것"이라고 덧붙였다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 SiC 전력반도체 시장에서 ST마이크로일렉트로닉스(32.6%), 온세미(23.6%), 인피니언(16.5%), 울프스피드(11.1%), 로옴(8%) 순으로 차지하며 상위 5개 기업이 전체 매출의 92%를 차지한다.

2024.10.29 16:27이나리

로옴-덴소, 반도체 분야 협력 강화 검토

로옴은 덴소와 반도체 분야에서 전략적 파트너십 검토 개시에 합의했다고 15일 밝혔다. 탄소 중립 실현을 위해 전동차 개발 및 보급이 가속화됨에 따라, 자동차의 전동화에 필요한 전자부품이나 반도체의 수요가 급격하게 높아지고 있다. 또한 교통 사고 사망자 제로(zero)화에도 기여할 것으로 기대되는 자동 운전이나 커넥티드 등 자동차의 지능화를 서포트하는 제품으로서도 반도체의 중요성이 높아지는 추세다. 지금까지 덴소와 로옴은 자동차용 반도체의 거래 및 개발을 통해 협력을 추진해 왔다. 앞으로도 양사는 고신뢰성 제품의 안정적 공급을 실현함과 동시에, 지속 가능한 사회에 기여할 수 있는 고품질 및 고효율의 반도체 개발에 관한 다양한 활동을 전개하기 위해 본 파트너십을 검토할 계획이다. 아울러 덴소는 본 파트너십을 한층 더 강화하고자, 로옴의 일부 주식을 취득할 예정이다. 하야시 신노스케 덴소 대표이사는 "로옴은 아날로그, 파워 디바이스, 디스크리트 등 차량용 일렉트로닉스 제품에서 중요시되는 폭넓은 영역의 반도체 라인업과 풍부한 양산 실적을 보유하고 있다"며 "덴소가 지금까지 축적해온 차량용 기술과 지견을 융합함으로써, 안정 공급과 기술 개발을 가속화시킬 수 있을 것으로 생각하고 있다"고 밝혔다. 마츠모토 이사오 로옴 대표이사는 "덴소와의 파트너십 및 덴소에 의한 주식 취득을 통해, 덴소와의 협력 관계가 한층 더 강화될 것으로 생각하고 있다"며 "자동차 및 산업기기 분야에서 고도의 시스템 구축 능력을 보유한 덴소와의 융합을 심화시킴으로써, 지속 가능한 사회의 실현에 기여할 수 있을 것으로 생각한다"고 말했다.

2024.10.15 10:54장경윤

쎄닉, 전력반도체용 6인치 SiC 웨이퍼 개발 성과 'ICSCRM'서 발표

국내 실리콘카바이드(SiC) 소재 전문기업 쎄닉은 미국 랄리(Raleigh)에서 열린 '2024 국제 SiC 및 관련 재료 컨퍼런스(ICSCRM 2024, 9월 29일~10월 4일)학회에서 'Invited 포스터'로 선정됐다고 2일 밝혔다. 이에 따라 쎄닉은 공동연구를 진행한 한국세라믹기술원과 동의대, 충남대, 일본 나고야 대학 등과 ICSCRM 행사에 참석했다. 한국세라믹기술원 반도체소재센터 신윤지 박사는 쎄닉에서 개발한 6인치 SiC 웨이퍼의 품질평가를 위해 지난 2023년도부터 일본 나고야 대학 하라다 교수와 함께 X-ray topography(XRT) 분석법을 이용한 연구를 수행해왔다. XRT 분석법은 단결정 소재 내 원자 단위의 미세한 결함을 X-선을 이용해 비파괴 방식으로 분석하는 방법이다. 연구팀은 일본 나고야 대학에서 규슈 싱크로트론 광연구센터에 구축해둔 XRT 분석 장치를 이용해 SiC 잉곳 성장 시 초기 온도구배의 불균형으로 인해 발생하는 결정학적 결함종류 및 밀도를 평가하고, 구체적인 생성 메커니즘을 규명하는 등 SiC 웨이퍼를 생산 중인 쎄닉에 중요한 조력자 역할을 하고 있다. 쎄닉은 전력반도체용 SiC 기판소재 기술 국산화 및 국내 기술경쟁력 강화에 기여한 공로를 인정받아 제58회 발명의 날 '은탑산업훈장'과 2023년 31주차 'IR52 장영실상'을 수상한 경력을 가지고 있다. 특히 올해 4월에 발표한 산업통산자원부, 한국산업기술기획평가원, 한국반도체연구조합이 함께 지원하는 대형 국책사업인 '화합물전력반도체 고도화기술개발사업'('24~'28, 총 1천385억 원 사업비)중 세부과제인 'SiC 기판 가공 기술'의 주관기관으로 선정되어 동의대, 한국생산기술연구원, 한국세라믹기술원, 피제이피테크와 함께 공동연구를 수행 중이다. 또한 교육부와 한국산업기술진흥원이 지원하는 '2024년 첨단산업 인재 양성 부트캠프' 사업에 선정된 동의대(이원재 교수, 단장)와 2029년 2월까지 기업의 현장 중심형 교육을 위한 프로그램에 참여하여 학생 대상 취업 연계를 진행할 예정이다. 올해 연말까지 200mm SiC 웨이퍼 시제품을 출시하기 위해 막바지 연구개발 집중과 2025년 200mm SiC 웨이퍼 양산투자를 계획 중이며, 내년에 부산 벡스코에서 열릴 SiC 관련 국제학술대회인 ICSCRM 2025에서 발표 및 전시를 통해 국내최초로 200mm SiC 잉곳 및 웨이퍼를 세계시장에 선보일 것을 기대하고 있다.

2024.10.02 16:40장경윤

정부, 내년 반도체 R&D 예산 12% 증액…업계 "성장동력 기대"

정부가 내년 반도체 연구개발(R&D) 예산을 올해보다 12% 늘리며 시스템반도체와 첨단 패키징 등을 집중 지원할 방침이다. 이는 다른 분야와 비교해 높은 예산 증가율로, 반도체 업계는 이번 R&D 예산 증액이 반도체 경쟁력 강화에 성장동력이 될 것이라고 평가했다. 정부는 지난달 28일 2025년 R&D 예산을 올해보다 3조2천억원(11.8%) 늘어난 29조7천억원으로 역대 최대 규모로 책정했다. 올해 R&D 예산(26조5천억원)은 작년(29조3천억원) 보다 큰 폭으로 줄어든 바 있다. 이번 예산 증액은 정부가 반도체를 비롯해 디스플레이, 이차전지, AI, 첨단바이오, 양자 분야 등 초격차 기술을 적극적으로 육성하려는 의지가 반영된 것이다. 지디넷코리아 취재에 따르면 2025년 R&D 예산에서 반도체 부문은 2천억원 중반으로 전년 보다 약 12% 증가했다. 특히 정부는 시스템반도체와 팹리스 기업을 적극 육성한다는 목표로 시스템반도체 기술 개발에 집중 지원하기로 했으며, 반도체 인재 양성에도 지원을 확대하기로 결정했다. 작년과 비교해 R&D 예산 규모가 늘어난 사업은 ▲시스템반도체 수요연계 온라인플랫폼 지원 ▲시스템반도체 IP(설계자산) 뱅크 플랫폼 구축 ▲팹리스 기업 첨단 장비 공동 이용 지원 ▲첨단 반도체 양산연계형 미니팹 기반구축 ▲고신뢰 반도체 상용화 위한 팹리스 검사검증지원 등이 대표적이다. 그 중 시스템반도체 수요 연계 온라인플랫폼 지원 사업인 '콤파스(COMPAS)'는 시스템반도체 분야 수요가 있는 기업과 기술을 가진 반도체 공급 기업을 매칭하고, 상용화를 위한 시제품 개발에 필요한 사업비를 지원해주는 사업이다. 내년 콤파스 R&D 예산이 늘어남에 따라 수요와 공급(팹리스, IP, 디자인하우스, 패키징, 파운드리)의 시스템반도체 생태계 조성에 기여할 것으로 기대된다. 또한 미래 먹거리로 꼽히는 화합물 전력반도체와 첨단 패키징은 시스템반도체 강국을 위해 반드시 필요한 기술로, 정부가 본격적으로 육성하는 신사업이다. 지난 6월 출범한 화합물 전력반도체 고도화 기술개발 사업은 올해부터 2028년까지 총 1384억6천만원(국비 938억8천만원, 민간 445억8천만원)이 투입된다. 반도체 첨단패키징 선도 기술개발 사업은 내년부터 2031년까지 2천744억원을 지원할 예정이다. 안기현 반도체산업협회 전무는 "반도체는 대한민국 산업의 기반이 되는 핵심 사업으로, R&D를 통해서 경쟁력을 확보하는 것이 중요하다"며 "글로벌 경쟁이 치열한 반도체 산업에서 이번 예산 증액은 업계에 매우 긍정적인 소식으로, 새로운 성장동력이 될 것으로 기대된다"고 말했다.

2024.09.12 17:48이나리

인피니언, 'GaN' 시장 판도 뒤흔든다…"12인치 기술 개발 성공"

인피니언 테크놀로지스는 업계 최초로 300mm(12인치) 파워 GaN(갈륨나이트라이드) 웨이퍼 기술 개발에 성공했다고 11일 밝혔다. 인피니언은 "이 획기적인 기술은 GaN 기반 전력 반도체 시장을 크게 성장시키는 데 기여할 것"이라며 "300mm 웨이퍼는 200mm(8인치) 웨이퍼에 비해 웨이퍼 당 2.3배 더 많은 칩을 생산할 수 있기 때문에 생산성과 효율성이 크게 향상된다"고 설명했다. GaN은 기존 반도체 주력 소재인 실리콘(Si) 대비 고온·고압에 대한 내구성이 높고, 전력효율성이 뛰어나다. 덕분에 AI 시스템용 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 충전기 및 어댑터, 자동차 등 여러 산업에서 수요가 증가하고 있다. 현재는 200mm 공정에서 양산되고 있다. 300mm GaN 기술의 중요한 이점은 갈륨 나이트라이드와 실리콘이 제조 공정에서 매우 유사하기 때문에 기존 300mm 실리콘 제조 장비를 활용할 수 있다는 것이다. 인피니언의 대규모 실리콘 300mm 생산 라인은 신뢰할 수 있는 GaN 기술을 적용하기에 이상적이며, 이를 통해 구현을 가속화하고 자본을 효율적으로 사용할 수 있다. 요흔 하나벡 인피니언 CEO는 "이 놀라운 성공은 인피니언의 혁신 역량과 글로벌 팀의 헌신적인 노력의 결과로, GaN 및 전력 시스템 분야의 혁신 리더인 인피니언의 입지를 입증하는 것"이라며 "이 기술 혁신은 업계를 변화시키고 GaN을 최대한 활용할 수 있도록 할 것"이라고 말했다. 인피니언은 오스트리아 빌라흐에 위치한 파워 팹의 기존 300mm 실리콘 생산 파일럿 라인에서 300mm GaN 웨이퍼를 제조하는 데 성공했다. 인피니언은 기존 300mm 실리콘과 200mm GaN 생산에서 쌓아온 역량을 활용하고 있으며, 시장 수요에 맞추어 GaN 생산 능력을 확장할 것이다.

2024.09.11 17:30장경윤

SK키파운드리, 4세대 0.18㎛ BCD 공정 출시...모바일·차량용 전력반도체 지원

반도체 파운드리(위탁생산) 기업 SK키파운드리가 4세대 0.18㎛ BCD 공정을 출시한다고 11일 밝혔다. 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 기존 3세대 대비 성능이 약 20% 향상돼 모바일 및 차량용 전력 반도체 성능 향상을 지원한다. SK키파운드리의 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 3.3V, 5V, 18V 등 다양한 전력 소자 게이트 입력단을 포함한 40V급까지의 전력 소자들을 제공한다. 이런 특징으로 서버 및 노트북용 전력 반도체(PMIC), DDR5 메모리용 PMIC, 모바일 충전, 오디오 앰프, 차량용 게이트 드라이버 등 다양한 응용 분야에서 사용될 수 있다. 또한 트리밍용 MTP(Multi-Time Programmable), OTP(One-Time Programmable) 메모리, S램 메모리 등을 옵션으로 제공해 고객의 제품 설계를 용이하게 한다. 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 자동차용 전력 반도체에서도 사용할 수 있다. 125℃ 고온 환경에서 IC 동작을 보장하는 자동차 품질 규격 AEC-Q100 Grade1을 갖췄다. 또 Thick IMD(Inter Metal Dielectric) 옵션 제공을 통해 15000V 이상 고전압을 견디는 자동차용 아이솔레이터 제품 설계 또한 가능하다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "새로운 4세대 0.18㎛ BCD 공정을 고객에게 제공하게 된 것을 기쁘게 생각한다"며 "SK키파운드리는 전력용 반도체 공정 기술 경쟁력을 지속 강화하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 AI 서버용 PMIC, DDR5 PMIC, 자동차용 게이트 드라이버 IC 등 향후 높은 성장이 기대되는 다양한 응용 분야로 사업을 확대해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2024.09.11 08:47이나리

삼성전자, 차세대 'GaN 전력칩' 초도생산 준비…설비 도입

삼성전자가 질화갈륨(GaN) 파운드리 시장 진출을 위한 설비투자를 지난 2분기 진행했다. 다만 도입한 장비 규모는 매우 적은 수준으로, '초도 생산'을 위한 최소한의 준비를 진행한 것으로 관측된다. 대규모 양산 투자는 향후 고객사 확보 및 시장 성장세에 따라 윤곽이 드러날 전망이다. 2일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 2분기 GaN 전력반도체 양산을 위한 설비를 소량 도입했다. GaN은 실리콘 대비 고온·고압 내구성, 전력 효율성 등이 높은 차세대 전력반도체 소재다. 이 같은 장점 덕분에 IT·통신·자동차 등 산업 전반에서 수요가 증가하고 있다. 삼성전자 역시 GaN 전력반도체 산업의 성장성에 주목해 시장 진출을 추진해왔다. 지난해 6월 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2023'에서는 "컨슈머, 데이터센터, 오토모티브 향으로 2025년 8인치 GaN 전력반도체 파운드리 서비스를 시작하겠다"고 공식 발표한 바 있다. 이에 따라 삼성전자는 지난 2분기 기흥 공장에 독일 엑시트론의 유기금속화학증착(MOCVD) 장비를 도입했다. 기흥은 삼성전자의 8인치 파운드리 양산을 담당하는 곳으로, 현재 GaN 전력반도체 공정은 8인치가 주류를 이루고 있다. 삼성전자가 GaN 연구개발(R&D)을 위해 기투자한 설비도 이곳에 위치해 있다. MOCVD는 금속 유기 원료를 이용해 박막을 성장시키는 기술이다. 실리콘 혹은 탄화규소(SiC) 웨이퍼 위에 GaN 물질을 올리는 GaN 웨이퍼를 만드는 데 핵심적인 역할을 담당한다. 현재 GaN 웨이퍼용 MOCVD 장비는 엑시트론, 미국 비코 두 기업이 사실상 독점하고 있다. 특히 엑시트론의 점유율이 압도적인 상황으로, 삼성전자는 지난해 펠릭스 그라베르트 엑시트론 최고경영자(CEO)와 만나 장비 공급을 논의하기도 했다. 당시 거론된 투자 규모만 30~40대 수준이었던 것으로 알려졌다. 다만 삼성전자가 이번에 진행한 투자는 엑시트론의 최신형 MOCVD 장비를 1~2대 들인 수준에 불과한 것으로 파악됐다. 아직 대형 고객사를 확보하지 못했고, 회사의 설비투자가 HBM(고대역폭메모리) 등 일부 분야에 집중된 만큼 투자 속도를 조절하려는 전략으로 풀이된다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자는 이미 기흥에 GaN 관련 연구개발 설비를 투자했던 상황으로, 올해 중반에도 소량 장비를 도입했다"며 "다만 삼성전자가 당초 예상됐던 대규모 양산 투자에는 다소 신중하게 접근하는 분위기"라고 설명했다. 한편 DB하이텍과 SK키파운드리 등도 GaN 파운드리 사업을 준비 중이다. DB하이텍은 지난해 말 GaN 관련 설비투자를 진행해, 내년 초도 양산을 진행할 계획이다. 본격적인 양산 투자는 2027년에 집행하는 것을 목표로 삼고 있다. SK키파운드리는 기존 설비를 활용한 GaN 초도 양산을 이르면 내년 시작할 것으로 알려졌다.

2024.09.02 10:40장경윤

로옴, 中 지리에 제4세대 SiC MOSFET 베어 칩 공급

로옴(ROHM)은 자사의 제4세대 SiC MOSFET 베어 칩을 탑재한 파워 모듈이 자동차 제조사 Zhejiang Geely Holding Group(지리)에 공급한다고 29일 밝혔다. 해당 모듈은 지리의 전기자동차(EV) 전용 브랜드 'ZEEKR'의 3개 차종 'X, '009', '001'의 트랙션 인버터에 채용됐다. 이 파워 모듈은 2023년부터 로옴과 ZHENGHAI 그룹의 합작 회사인 HAIMOSIC(SHANGHAI) Co., Ltd.에서 양산 출하를 시작했다. 지리와 로옴은 2018년부터 기술 교류를 시작해 2021년에는 SiC 파워 디바이스를 중심으로 한 전략적 파트너십을 체결하는 등 지속적으로 협력해 왔다. 이번에 그 성과로서 상기 3개 차종의 트랙션 인버터에 로옴의 SiC MOSFET가 탑재됐다. SiC MOSFET를 중심으로 하는 로옴의 파워 솔루션으로 차량의 주행 거리 연장 및 고성능화에 기여한다. 로옴은 2025년에 제5세대 SiC MOSFET의 시장 투입을 계획함과 동시에 제 6세대 및 제 7세대의 시장 투입 계획도 앞당기는 등, SiC 디바이스의 개발에 주력하고 있다. 로옴은 "베어 칩 및 디스크리트, 모듈 등 다양한 형태로 SiC를 제공할 수 있는 체제를 구축함으로써 SiC의 보급을 추진해 지속 가능한 사회의 실현에 기여하고 있다"고 밝혔다.

2024.08.29 11:36장경윤

시지트로닉스, 차세대 전력용 '산화갈륨 반도체' 개발 성공

화합물반도체 전문회사인 시지트로닉스가 차세대 전력용 반도체로 '산화갈륨(Ga2O3)을 활용한 초고속 스위칭용 쇼트키 다이오드(Schottky Barrier Diode, SBD)'를 개발했다고 22일 밝혔다. 산화갈륨 전력반도체는 미국과 일본 등 세계적으로 활발히 연구되고 있는 차세대 전력변환용 반도체의 핵심 소자로, SiC(실리콘카바이트)와 GaN(질화갈륨)보다 더 넓은 에너지 밴드폭과 높은 절연파괴전계 특성을 가졌다. 기존의 제품의 단점인 낮은 항복전압(VB)과 높은 누설전류(IL)의 난점을 극복해 고전압, 고전류, 고온, 고효율화 응용이 가능하다. 시지트로닉스는 산업통상자원부의 소재부품기술개발사업의 '저결함 특성의 고품위 산화갈륨 에피소재 및 1kV 이상의 항복전압을 가지는 전력소자 기술 개발' 프로젝트를 통해 국내 최초로 1200V급 산화갈륨 반도체를 개발했다. 이번 성과는 울트라 와이드 밴드갭(UWB, Ultra Wide Bandgap) 반도체로 알려진 산화갈륨 반도체를 활용해 반도체 소자의 누설전류와 온저항을 초소화했다. 이런 특징으로 일반 가전 및 IT 기기 인버터 및 컨버터용 뿐만 아니라 향후 전기자동차 충전 모듈에서도 응용이 확대돼 전력소모감소, 소형화, 경량화를 지원할 것으로 기대된다. 시지트로닉스 마케팅 김종원 이사는 "산화갈륨 반도체 개발로 차세대 전력반도체 산업에서 주도권을 확보할 수 있게 됐다"라며 "향후 다양한 산업계의 고객과 협의해 최적화된 제품으로 양산화를 추진하겠다"고 전했다.

2024.07.22 10:35이나리

SiC 반도체 시장 '쑥쑥'…韓·中도 핵심장비 시장 진출 노려

국내 테스와 중국 AMEC(중웨이반도체) 등이 SiC(탄화규소) 반도체용 핵심장비 개발에 나섰다. SiC는 전기자동차 등에서 수요가 빠르게 증가하고 있는 차세대 전력반도체로, 그간 독일 등이 공급망을 사실상 독점해 온 분야다. 후발주자인 국내 및 중국 장비업계가 시장에서 어떠한 반향을 불러일으킬 수 있을 지 귀추가 주목된다. 3일 업계에 따르면 한국과 중국 장비업계는 SiC 전력반도체 제조를 위한 핵심장비 상용화에 주력하고 있다. SiC는 기존 실리콘(Si) 대비 고온·고압에 대한 내구성, 전력 효율성 등이 뛰어난 차세대 전력반도체 소재다. 자동차 산업을 중심으로 수요가 빠르게 증가하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전 세계 SiC 반도체 시장 규모는 지난해 22억7천500만 달러에서 2026년 53억2천800만 달러로 성장할 전망이다. 다만 SiC 분야는 기술적 난이도가 높아, 소수의 해외 기업이 핵심 공급망을 독과점하고 있는 형국이다. 고성능 SiC 반도체 제조를 위해서는 SiC 에피(Epi)웨이퍼가 필요하다. 해당 웨이퍼는 잉곳(원기둥) 형태의 SiC 결정에서 잘라낸 웨이퍼 위에, 마이크로미터(μm) 두께의 SiC 물질을 증착(Deposition)해 만들어진다. 이를 위한 증착장비는 현재 독일 엑시트론(Aixtron)이 압도적인 시장 점유율을 보유하고 있다. 또 다른 기업으로는 전 세계 주요 장비업체 ASM이 지난 2022년 인수한 이탈리아 장비기업 LPE가 있다. 이에 한국과 중국 등 동양권 장비기업들도 최근 SiC 웨이퍼 제조를 위한 증착장비 개발에 적극 나서고 있다. 대표적으로 국내 반도체 증착·식각장비 전문업체 테스는 지난 2022년경부터 SiC MOCVD(유기금속화학증착) 장비 개발을 본격화했다. MOCVD는 금속 유기 원료를 사용해 박막을 형성하는 기술이다. 테스는 이전 UV LED용 MOCVD 장비를 자체 개발해 양산한 경험이 있어, 유관 기술력을 어느 정도 확보한 상태다. 아직 구체적인 사업화 단계에 접어들지는 못했으나, 현재 장비 개발을 적극 진행 중인 것으로 알려졌다. 중국에서는 AMEC이 SiC 증착장비 개발에서 가장 뚜렷한 성과를 거두고 있다. AMEC은 지난 2004년 램리서치·어플라이드머티어리얼즈(AMAT) 등 미국 주요 반도체 장비업체 출신들이 모여 설립한 장비업체다. AMEC은 또 다른 차세대 전력반도체 소재인 GaN 증착장비를 이미 상용화한 바 있다. 이를 토대로 AMEC은 SiC MOCVD 장비 상용화를 시도하고 있다. 실제로 테스, AMEC은 지난달 말 부산에서 열린 '2024 SiC 반도체 컨퍼런스'에서 SiC MOCVD 기술과 관련한 발표를 한 것으로 전해진다. 반도체 업계 관계자는 "SiC나 GaN 등이 차세대 전력반도체로 각광받고는 있으나, 핵심장비는 전부 외산에 의존해야 하는 현실"이라며 "이에 테스와 AMEC도 CVD 기술력을 토대로 장비 개발을 꾸준히 진행하고 있다"고 밝혔다.

2024.07.03 11:13장경윤

화합물 전력반도체 韓 점유율 2%...삼성·SK도 뛰어든다

새로운 먹거리로 떠오른 화합물 전력반도체 시장에서 글로벌 경쟁이 가열되고 있는 가운데 우리 정부와 기업도 시장 선점을 위해 뛰어들었다. 글로벌 기업에 비해 후발주자에 속하는 국내 기업은 정부와 함께 생태계를 구축해 기술 개발에 총력을 기울인다는 목표다. 업계에서는 한국이 현대·기아차, 삼성전자, LG전자 등 글로벌 자동차 및 가전 기업을 보유하고 있다는 점에서 전력반도체 시장에서 승산이 있을 것으로 전망한다. 전력반도체는 전자제품에 필수적으로 들어가는 칩이다. 최근 전기차, 태양광 인버터 시장이 확대되면서 기존 실리콘(si) 소재로 만든 전력반도체보다 전력 효율이 높고 내구성이 뛰어난 실리콘카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN) 등 화합물 전력반도체에 대한 수요가 커지고 있다. ■ 민관, 화합물 전력반도체 R&D에 1384.6억원 투입 그동안 우리나라는 화합물 전력반도체 수요 대부분을 수입에 의존해 왔다. 국가별 화합물 전력반도체 시장 점유율은 유럽(54%), 미국(28%), 일본(13%) 순으로 차지하며 이들 국가의 합산 점유율은 95%에 달한다. 반면 한국은 1~2% 점유율로 미비하다. 이 분야의 강자는 스위스 ST마이크로일렉트로닉스, 독일 인피니언, 미국 온세미와 울프스피드, 일본 로옴 등이 대표적이다. 정부는 국내 화합물 전력반도체 기술 고도화를 위해 올해부터 2028년까지 4년간 총 1천384억원을 투입하기로 결정했다. 개발비는 민간 445억8천만원과 국비 938억8천만 원으로 구성된다. 이와 관련해 지난 20일 화합물 전력반도체 관련 소재-소자-IC(집적회로)-모듈 등 기업은 국내 화합물 전력반도체 생태계 구축을 위한 업무협력 양해각서(MOU)를 체결하며 본격적으로 기술을 협력하기로 했다. 협력에는 웨이퍼를 생산하는 SK실트론(소재분야), 칩을 생산하는 DB하이텍(파운드리), 어보브반도체(팹리스) 등이 참여한다. 반도체 업계 관계자는 “화합물 젼력반도체 시장에서 한국은 후발주자이지만, 파운드리와 뛰어난 설계 기술을 보유하고 있기 때문에 정부의 지원이 더해지면 경쟁력을 갖출 것으로 기대된다”고 말했다. 글로벌 1위 SiC 반도체 업체인 ST마이크로일렉트로닉스 수장인 프란체스코 무저리 부사장은 “한국 기업이 글로벌 기업과 경쟁이 가능하다”고 진단했다. 그는 “한국은 전세계에 자동차를 수출하는 현대자동차와 삼성전자, LG전자 등 글로벌 가전업체를 보유하고 있는데, 여기에는 고성능 전력 반도체가 반드시 필요하다. 수요 업체와 공급업체가 파트너십을 맺는다면 성공하지 못할 이유는 없다”라며 “IP(설계자산) 특허 부분에서는 어려움이 따를 수 있지만, 한국은 혁신적인 국가이고, 우수한 인재가 많아서 장점이다”고 덧붙였다. ■ "수익성 3배 이상"…SK·삼성·DB하이텍부터 팹리스까지 총력 SK그룹은 전력반도체 개발에 많은 관심을 보이고 있다. SK실트론은 2020년 미국 듀폰의 SiC 웨이퍼 사업부를 4억5천만 달러로 인수해 현지에 SK실트론CSS라는 자회사를 설립했다. SK실트론CSS는 SiC에 수년간 6억 달러 투자를 계획하고 있으며, 1차 투자 격인 미국 베이시티 공장을 2022년에 완공해 6인치(150㎜) SiC 웨이퍼를 연간 12만장을 생산한다. SK실트론CSS는 2022년 11월 미국 RF 반도체 업체 코보와 올해 1월 독일 인피니언과 SiC 웨이퍼 장기 공급 계약을 체결하기도 했다. 파운드리 업체 SK키파운드리는 GaN 전력 반도체 생산에 주력하고 있다. 2022년 정식 GaN 개발팀을 구성하고, 최근 650V GaN HEMT(고전자 이동도 트랜지스터) 소자 특성을 확보해 생산 준비를 마쳤다. SK키파운드리는 올 하반기부터 청주 팹에서 GaN 반도체를 생산하며, 향후 SiC까지 라인업을 넓혀 전력 반도체 전문 파운드리로 변화한다는 목표다. SiC 전력반도체에 주력하는 SK파워텍은 SK가 2022년 예스파워테크닉스 지분 95.8%를 1천200억원에 인수한 업체다. SK는 2023년 사명을 SK파워텍으로 바꾸면서 기존 포항 공장을 부산으로 이전하며 사업을 확장했다. 삼성전자 파운드리도 전력반도체 생산 준비에 한창이다. 삼성전자는 컨슈머, 데이터센터, 오토모티브 향으로 2025년 8인치 GaN 전력반도체 파운드리 서비스를 시작한다고 밝혔다. DB하이텍도 수익성이 높은 화합물 전력반도체 생산업체로 체질개선에 나선다. DB하이텍은 2022년 말부터 8인치 GaN 공정을 개발에 들어가 올해 말에 생산에 들어갈 예정이다. 또 SiC 전력반도체 생산을 위해 충북 음성 상우공장에 핵심 장비를 도입하며 생산을 위한 준비 작업도 진행 중이다. 아울러 회사는 GaN 전문 팹리스 에이프로세미콘과 기술협력을 통해 파운드리 공정 특성을 향상시키고 있다. 파운드리 업체가 전력 반도체로 전환하는 이유는 수익성이 더 높기 때문이다. 업계 관계자는 "SiC 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼보다 5~10배 더 비싸서, 같은 용량을 생산하더라도 더 높은 이익을 낼 수 있다"고 말했다. 그 밖에 어보브반도체, 아이큐랩, 칩스케이, 파워큐브세미, 쎄닉 등도 화합물 전력반도체 공급 기업으로 주목받고 있다. 한편, 시장조사업체 올디벨롭먼트에 따르면 SiC 반도체는 2021년 10억 달러에서 2027년 62억 달러로 연평균 34% 성장할 전망이다. GaN 반도체는 2021년 1억2천만 달러에서 2027년 20억 달러로 연평균 59% 성장할 것으로 예상된다.

2024.06.26 17:24이나리

쎄닉, 화합물 전력반도체 고도화 기술개발 육성사업 참여

국내 SiC(실리콘카바이드) 웨이퍼 전문기업 쎄닉은 지난 20일 서울 양재 엘타워에서 산업통상자원부가 주관하는 '화합물 전력반도체 산업 고도화를 위한 킥오프 미팅에 참가했다고 26일 밝혔다. 이날 행사에는 한국산업기술기획평가원(이하 산기평), 한국반도체 연구조합(이하 조합) 및 전력반도체 업계 관계자 등 80여명이 자리에 참여했다. 관계자들은 산기평·조합·전력반도체 대표기업들 간 화합물 전력반도체 생태계 구축을 위한 업무협력 양해각서(MOU)를 체결하고, 생태계 활성화를 위한 방안 및 사업 추진 계획과 기술개발 현황 등을 논의했다. 협약에 따르면 산기평은 사업 참여 업체들에 대한 연구개발(R&D)을 지원하고, 조합은 화합물 전력반도체 분야별 협의체를 주관하여 웨이퍼 제작부터 설계·제조에 이르는 과정까지 국내에 선순환적 생태계가 마련될 수 있도록 적극 협력한다는 내용이 담겼다. 쎄닉은 '고도화 가공 기술을 이용한 전력반도체용 고평탄 고청정 대구경 기판 제조 기술 개발' 과제(전문기관: 한국산업기술기획평가원) 주관기관으로 선정돼 전력반도체 소재를 개발한다. 이를 통해 SiC 전력반도체 소재의 국산화를 실현할 계획이다. 구갑렬 쎄닉 대표는 “전력반도체 공급망 내재화를 위한 뜻깊은 자리에 참석하게 돼 기쁘다”며 “쎄닉의 웨이퍼 소재 개발 기술을 더욱 견고히 해 전력반도체 공급망 내재화의 시작점 역할을 수행할 수 있도록 하겠다”고 밝혔다. 한편 쎄닉은 이달 24일부터 26일까지 부산 벡스코에서 열리는 '2024 한국전기전자재료학회 하계학술대회'에 케이엔제이와 협업 부스를 마련해 제품 전시를 진행 중이다.

2024.06.26 14:39장경윤

美 온세미, 체코에 2.7조 'SiC 전력반도체 팹' 만든다

미국 반도체 기업 온세미가 20억 달러(약 2조7700억 원)를 투자해 체코에 최첨단 실리콘 카바이드(SiC) 전력 반도체 제조시설을 건설한다고 밝혔다. 온세미의 체코 SiC 전력 반도체 공장은 2027년 가동을 시작해 10억 개 이상의 전력 반도체와 연간 300만 개 이상의 웨이퍼를 생산할 예정이다. 온세미의 브라운필드 프로젝트는 체코 역사상 최대 규모의 민간 부문 투자이자, 글로벌 반도체 기업의 첫 투자다. SiC는 고전력, 고온 애플리케이션에서 필수적인 소재다. 표준 실리콘 칩 보다 가격이 비싸지만 에너지 효율성이 높고 가벼곡 튼튼해서 자동차 제조업체에서 선호한다. 온세미는 설계부터 첨단 패키징 솔루션에 이르기까지 SiC 기반 반도체를 제조할 수 있는 전 세계 몇 안 되는 회사 중 하나다. 온세미 측은 "체코 공장에서 전기 자동차, 재생 에너지, AI 데이터 센터 애플리케이션의 에너지 효율성을 향상시키는 데 필수적인 지능형 전력 반도체를 생산할 것"이라며 "이번 신규 투자를 통해 반도체 공급망을 강화하고, 전력반도체 시장 점유율을 확대하겠다"라고 설명했다. 하산 엘 코우리 온세미 CEO는 “우리의 브라운필드 투자는 중부 유럽 공급망을 구축해 급증하는 전력반도체 수요에 대응하기 위해서"라며 "체코 정부와의 긴밀한 협력을 통해 탄소 배출량과 환경 영향을 크게 줄이려는 유럽연합의 목표에 필수적인 지능형 전력 반도체 생산을 강화하겠다"라고 말했다. 온세미는 체코 정부와 인센티브 금액을 협상 중이다. 같은날 로이터통신에 따르면 체코 산업통상부는 국가 지원이 전체 투자의 최대 27.5%에 달할 수 있다고 밝혔다. 인센티브는 내년 1분기 유럽연합 집행위원회에 통보된 이후 승인될 예정이다.

2024.06.20 16:04이나리

미래 먹거리 '화합물 전력반도체'에 민관 1385억원 투자

정부와 기업이 화학물 전력반도체 기술 고도화를 위해 1384억원을 투입해 본격적인 협력 빛 개발에 나선다. 화학물 전력 반도체 개발에는 SK실트론,어보브반도체, DB하이텍 등이 참여한다. 산업통상자원부(산업부)는 20일 서울 양재동 엘타워에서 한국산업기술기획평가원(이하 산기평), 한국반도체연구조합(이하 조합) 및 전력반도체 업계 관계자 등 80여 명과 함께 화합물 전력반도체 산업 고도화를 위한 킥오프(Kick-off) 미팅을 개최했다. 또 산기평-조합-전력반도체 앵커 기업들 간 국내 화합물 전력반도체 생태계를 구축을 위한 업무협력 양해각서(MOU) 체결식을 진행했다. 산기평은 사업 참여 기관들에 대한 연구개발(R&D) 전주기를 밀착 지원하고, 조합은 화합물 전력반도체 분야별 협의체를 주관한다. 이번 협의체는 화합물 전력반도체 웨이퍼를 생산하는 'SK실트론(소재분야)'과 전력반도체 분야 대표 팹리스인 '어보브반도체(IC분야)', 8인치 레거시 공정 파운드리 기업인 'DB하이텍(소자·모듈분야)' 등이 참여한다. 이들 기업은 웨이퍼 제작부터 설계-제조에 이르는 과정까지 국내에 선순환적 생태계가 마련될 수 있도록 적극 협력하기로 했다. 올해는 화합물 전력반도체 분야 대형 국책사업이 추진되는 첫해다. 화합물 전력반도체 고도화 기술개발 사업은 올해부터 2028년까지 총 1384억6천만 원(국비 938억8천만 원, 민간 445억8천만 원)이 투입된다. 화합물 전력반도체는 기존 실리콘 대신 SiC(탄화규소), GaN(질화갈륨)을 활용하며 실리콘 대비 전력효율과 내구성 등이 높아 각광 받는다. 이런 특징으로 전기차, 에너지, 모바일 등 첨단산업의 핵심부품으로 활용이 늘어나고 있다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 전력반도체 시장은 2021년 537억 달러에서 2027년 820억 달러로 커지고 그 중 화합물 전력반도체 핵심 소자가 성장을 이끌고 있다. SiC 반도체는 연평균 34% 성장해 2027년 62억 달러를 기록하고, GaN 반도체는 연평균 59% 성장해 2027년 20억 달러를 기록할 전망이다. 산업부 관계자는 "이번 국책사업은 단순 기술개발에서 나아가 밸류체인별 유기적인 기술 연계를 통한 생태계 형성이 목적"이라며 "이번 대형 양해각서(R&D)가 한국이 시스템반도체 강국으로 도약하는데 밑거름이 될 것으로 기대된다"고 밝혔다.

2024.06.20 14:46이나리

韓 최초 GaN 전력반도체 양산 앞둔 칩스케이…"2026년 IPO 추진"

"칩스케이는 650V급 8A 및 15A GaN(질화갈륨) 전력반도체를 개발해냈습니다. GaN 전력반도체는 그간 전량 수입에 의존해 온 제품이죠. 올 하반기 본격적인 양산에 돌입하게 되면, 차세대 전력반도체를 국산화하는 첫 사례가 됩니다" 곽철호 칩스케이 대표는 최근 경기 안양시 소재의 본사에서 기자들과 만나 올해 회사의 핵심 사업 전략에 대해 이같이 설명했다. GaN은 기존 반도체 소재인 실리콘 대비 밴드갭(전기전도도)이 넓은 'WBG(와이드밴드갭)' 소재다. 밴드갭이 넓어질수록 전자의 움직임이 자유로워져, 고전압 및 고온, 고주파수 환경에서의 동작이 유리하다. 전기의 흐름을 제어하는 스위칭 속도도 빠르다. 다만 GaN은 설계 및 제조공정 면에서 기술적 진입장벽이 높다. 때문에 GaN 전력반도체는 인피니언 등 해외 기업들로부터 전량 수입에 의존할 수밖에 없었다. 곽철호 대표와 차호영 최고기술책임자(CTO)는 GaN 전력반도체 국산화를 목표로 지난 2017년 칩스케이를 공동 설립했다. 곽철호 대표는 20년 이상 아날로그 회로 및 화합물 반도체 설계를 맡아 왔다. 홍익대학교 전자전기공학부 교수로도 재임 중인 차호영 CTO는 GaN 소자 관련 최고의 권위자로 꼽힌다. 곽 대표는 "GaN 전력반도체는 초기 시장 형성 단계이기 때문에 빠른 시장 선점이 필요한데, 중국 등에 비해 국내 업계의 투자가 많이 부족한 상황"이라며 "칩스케이는 자체 GaN 소자 설계 기술을 바탕으로 국내는 물론, 해외 시장에 진출할 예정"이라고 밝혔다. 칩스케이는 이를 위해 GaN 소자 제품군을 확장 개발하고 있다. 회사 설립 후 5G·6G 등 무선통신을 위한 RF(무선주파수) 트랜지스터 개발을 완료했으며, 지난 달에는 650V급 8A 및 15A GaN 전력반도체 개발에 성공했다. 해당 GaN 전력반도체는 고속충전기용으로 올해 하반기 상용화를 앞두고 있다. 국내 팹리스 이미지스와 지난해 공급계약을 체결하는 등 여러 업체들과의 공급 논의도 이미 활발히 진행되고 있다. 나아가 칩스케이는 데이터센터용 기술 개발을 위한 100V급 제품과 전기차 온보드충전기를 위한 650V 이상의 고전압 제품을 개발하고 있다. 상용화 목표 시기는 각각 2025년, 2027년이다. 이외에도 구동회로가 패키지에 일체화된 SiP(시스템인패키지), GaN 기반의 SoC(시스템온칩) 등을 출시할 예정이다. 차 CTO는 "칩스케이는 GaN과 관련한 차별화된 IP(설계자산)와 특허를 다수 보유하고 있다"며 "전력소자의 핵심인 발열에 대한 전문성 있는 설계, 경쟁사 대비 칩을 소형으로 구현할 수 있다는 점도 칩스케이의 경쟁력"이라고 설명했다. 칩스케이는 이 같은 기술력과 사업 전략을 기반으로 회사의 매출 성장세를 자신했다. 칩스케이의 지난해 매출은 77억원으로, 대부분 RF 트랜지스터 분야에서 발생했다. 올해에는 GaN 전력반도체 초도 물량 공급으로 매출이 128억원으로 성장할 것으로 관측된다. 2026년에는 매출을 380억원까지 끌어올리는 것이 목표다. IPO(기업공개)에 대한 밑그림도 그리고 있다. 2026년 말에 기술특례상장으로 코스닥 시장에 입성하는 방안이 가장 유력하다. 곽 대표는 "칩스케이는 지속적인 기술개발에 대한 성과를 인정받아 지금까지 105억 원의 투자를 유치했고, 앞으로도 GaN 전력반도체를 중심으로 성장세를 이룰 것"이라며 "또한 국내 GaN 공급망 강화를 위해 향후 삼성전자, DB하이텍, SK키파운드리 등 국내 파운드리를 활용하는 방안도 추진할 것"이라고 강조했다.

2024.06.19 13:55장경윤

SK키파운드리, 차세대 전력반도체 GaN 소자 특성 확보...연내 개발 완료

8인치 파운드리 기업 SK키파운드리는 차세대 전력반도체 GaN(질화갈륨)의 주요 소자 특성을 확보하고, 연내 개발을 완료할 계획이라고 19일 밝혔다. 앞서 SK키파운드리는 GaN 전력 반도체의 시장성과 잠재력에 주목해 지난 2022년 정식 팀을 구성한 바 있다. GaN은 고속 스위칭 및 낮은 ON저항 특성을 가지고 있어, 기존 실리콘 기반의 반도체보다 저손실, 고효율, 소형화가 가능한 차세대 전력반도체로 불린다. SK키파운드리는 최근 650V GaN HEMT(고전자 이동도 트랜지스터) 소자 특성을 확보했다. 650V GaN HEMT는 전력 효율이 높아, 실리콘 기반 제품 대비 방열 기구의 비용을 감소시킨다. 이 같은 장점 덕분에 고속 충전 어댑터, LED 조명, 데이터센터와 ESS, 태양광 마이크로 인버터 등 다양한 제품 개발에 활용될 것으로 기대된다. SK키파운드리는 신규 고객 발굴과 함께 650V GaN HEMT에 깊은 관심을 보이는 다수의 고객에게 프로모션을 적극 진행한다는 방침이다. 또한 회사는 650V GaN HEMT를 기반으로, 다양한 전압의 GaN HEMT와 GaN IC까지 제공할 수 있는 GaN 포트폴리오를 구축해 나갈 계획이다. 이동재 SK키파운드리 대표는 "SK키파운드리의 강점인 고전압 BCD와 더불어 차세대 전력반도체를 준비 중"이라며 "GaN 뿐만 아니라 향후 SiC까지 전력 반도체 라인업을 넓혀 전력 반도체 전문 파운드리로 자리매김하겠다"고 밝혔다. 한편 시장조사기관 옴디아에 따르면 GaN 전력 반도체 시장은 2023년 5억 달러에서 2032년 64억 달러까지 연평균 33% 성장할 것으로 전망된다.

2024.06.19 09:07장경윤

알엔투테크놀로지, 'PCIM 유럽'서 전기차용 방열기판 공개

알엔투테크놀로지는 지난 11일부터 13일까지 3일간 열린 'PCIM Europe 2024'(Power Conversion Intelligent Motion)에 참여해 성황리에 마쳤다고 14일 밝혔다. PCIM은 세계 최대 반도체 전시회로, 독일 Mesago Messe Frankfurt GmbH 기관에서 주최한다. 올해 행사에는 각국의 전기전자, 반도체, 전력, 에너지 등의 산업분야의 글로벌 기업들이 참여해 최신 기술을 공개했다. 이 전시회는 기업의 ▲전력 전자 ▲스마트 드라이브 ▲재생 에너지 및 에너지 관리 등 다양한 품목을 공개하는 자리다. 이번 전시회에서 알엔투테크놀로지는 자사의 신성장 핵심사업인 '전기자동차용 세라믹 방열기판' 총 7가지 제품군을 소개했다. 해당 제품은 스페이서 일체형으로, 전력모듈 설계 시 특정 형태와 두께에 구애받지 않고 다양하게 구현시킬 수 있어 설계 자유도가 높다. 기존 방열기판 대비 열저항과 열충격 성능을 개선시켰으며, 획기적으로 열응력을 낮추는데 성공했다. 전기차 시장이 급성장하면서 전기차용 전력반도체의 중요성이 부각되고 있다. 전력반도체의 가장 큰 문제는 높은 온도 발생으로, 방열기판은 이를 해결하는 핵심 부품이다. 알엔투테크놀로지의 방열기판은 빠르게 열을 외부로 방출시켜 전력 반도체의 안정성을 크게 향상시킨다. 알엔투테크놀로지 관계자는 “이번 전시회에서 공개한 자사의 제품과 솔루션을 보고 글로벌 전력반도체 파워모듈 업체, 자동차 제조사, 연구기관 및 대학 등을 포함한 국내외 150명 이상의 고객으로부터 많은 관심과 제품 문의를 받게 됐다”며 “방문객들이 구체적인 어플리케이션을 언급하면서 적극적인 샘플 테스트 의사를 표명했다”고 말했다. 그는 이어 “이번 전시회를 통해 알엔투테크놀로지의 신성장 사업인 전기자동차용 세라믹 방열기판 제품의 우수정을 확인했으며, 글로벌 시장에 홍보할 수 있어 기쁘다”며 “앞으로 전기차 시장과 전력 반도체의 파워모듈 시장에 더욱 적극적으로 진출할 계획이다”고 덧붙였다.

2024.06.14 09:59장경윤

아이큐랩, 국내 최초 8인치 전력반도체 전용팹 건립

부산 전력반도체 소부장 특화단지에 우리나라 최초의 8인치 전력반도체 전용팹이 건립된다. 이는 지난 4월 3일 정부의 '제2기 소부장 특화단지 맞춤형 지원방안' 발표 이후 이루어진 첫 투자다. 강경성 산업통상자원부 1차관은 5일 부산 전력반도체 소부장 특화단지에서 개최된 아이큐랩 착공식에 참석했다. 아이큐랩은 총 1000억 원(입지 50억원, 설비 950억원)을 투자해 전기차용 8인치 전력반도체 공장을 신설하고, 수도권에 있는 본사도 부산으로 이전할 계획이다. 공장 가동은 내년 하반기를 목표로 한다. 아이큐랩의 8인치 전력반도체는 기존 6인치 대비 생산성이 약 1.8배로 글로벌 기업과 동일한 수준이다. 아이큐랩은 SiC 파워반도체 설계 및 기술 개발 전문기업으로, 최근 3년간 매출이 20배 이상 성장했다. 그러나 회사는 자체 공장 미보유로 성장에 한계가 있었다. 아이큐랩은 이번에 전력반도체 공장 건설로 소자 설계기업에서 전력반도체 종합기업으로 발돋움할 것으로 기대된다. 전기차에 활용되는 SiC 전력반도체는 미국, 독일이 글로벌시장을 점유하고 있으며 국내는 90%이상 수입에 의존하고 있다. 온세미, 울프스피드, 인피니언 등 상위 5개사가 전체 시장의 78%를 점유하고 있으며, 국내는 초기 단계로 SK파워텍, DB하이텍, 파워큐브세미 등이 시장에 진입했다. 주요국은 8인치 공정에 대한 선제적 투자를 통해 생산성 확보를 하고 있으나, 국내 기업은 6인치 기반 공공팹을 활용해 양산해 왔다. 8인치 공장이 신설되는 부산 특화단지는 지난해 7월 지정 당시 총 8000억원 규모의 전력반도체 분야 신규투자가 예상됐으나, 지정 이후 기업들의 추가 투자 발표로 총 투자 규모가 1조2000억 원까지 늘었다. 현재도 다수 기업의 투자 문의가 이어지고 있어 특화단지 조성이 본격화되면 실제 투자 규모는 더욱 늘어날 것으로 전망된다. 한편 산업부는 당일 부산에서 제2기 특화단지 추진단이 모두 참석하는 전체 회의도 개최했다. 5개 지역 41개 기관 120여명이 참석해 특화단지별 올해 성과 목표를 점검하고 추진계획을 발표했다. 부산(전력반도체), 대구(모터), 광주(자율주행), 안성(반도체장비), 오송(바이오 소부장) 등 각 지역에서는 맞춤형 지원방안 이행, 정주 여건 개선, 투자유치, 인력양성 등 소부장 생태계 강화를 위한 아이디어를 공유하고 지역 간 협력 방안 등도 논의했다. 강경성 1차관은 “민간투자가 적기에 신속히 이루어지는 것이 우리의 목표이자 성적표”라고 언급하며, “정부는 소부장 특화단지의 적기 조성을 위해 기술개발, 인프라 구축, 규제 혁신 등을 전폭적으로 지원하겠다”고 밝혔다.

2024.06.05 06:00이나리

도시바, 전력 반도체용 12인치 팹 완공..."반도체로 재도약"

일본 전자기업 도시바가 전력반도체를 생산하는 12인치(300mm) 웨이퍼 공장(팹) 건설을 완공하고 본격 생산에 나선다. 최근 사업에 어려움을 겪고 있는 도시바는 전력반도체를 앞세워 재도약을 목표로 한다. 27일 도시바는 일본 이사가와현에 건설한 전력반도체용 공장 및 사무실 완공식을 갖고 생산에 들어갔다고 밝혔다. 이 곳에서는 전기차에 탑재되는 MOSFET과 IGBT(절연 게이트 양극성 트랜지스터) 반도체를 생산한다. 도시바의 전력 반도체 생산 능력은 2021년 대비 2.5배 증가될 계획이다. 신규 팹은 제품 품질과 효율성을 높이기 위해 AI 기반 자동화 시설로 구축됐다.또 건물 옥상의 태양광 패널(현장 PPA 모델)을 사용해 100% 재생 에너지로 가동된다. 앞서 지난해 12월 도시바는 전력 반도체 생산량을 늘리기 위해 신규 팹에 1천250억 엔(약 1조1413억원)을 투자한다고 밝힌 바 있다. 도시바는 일본 경제산업성으로부터 제조장비 일부 투자에 대한 보조금을 받을 예정이다. 도시바는 발전설비, 교통시스템, 엘리베이터, 하드디스크(HDD), 반도체 메모리 등 사업을 하는 기업으로 소니, 파나소닉과 함께 일본을 대표해 왔다. 하지만 2015년 대규모 분식회계 사태 이후 경영난에 빠졌고, 2016년 원자력 발전 자회사였던 미국 웨스팅하우스의 파산 등으로 심각한 경영난을 겪어오다 2021년부터 매각 논의가 나왔다. 도시바는 지난해 12월 20일 도쿄증권거래소에서 상장 폐지돼 비공개로 전환되면서 일본 산업에 큰 충격을 줬다. 이는 1949년 도쿄 증시에 상장한 지 74년 만이다. 이후 사모펀드 일본산업파트너스(JIP) 컨소시엄은 도시바를 140억 달러에 인수하면서 향후 인력과 사업 구조조정, 자산 매각 등을 실시해 기업 가치를 올려 5년 뒤 재상장할 목표를 세웠다. 이에 일환으로 도시바는 이달 초 자국 내 직원을 대상으로 최대 4000명 규모의 인력을 감축했다. 도시바는 "가능한 한 빨리 전력반도체의 생산 능력을 확장해 10% 이상의 매출 수익률을 빠르게 달성하는 것을 목표로 한다"고 밝혔다.

2024.05.27 11:10이나리

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