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'전력반도체'통합검색 결과 입니다. (51건)

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칩스케이, GaN 전력반도체 'HighGaN' 국제상표 등록 완료

질화갈륨(GaN) 전력반도체 설계 전문 기업 칩스케이는 세계지식재산기구(WIPO)를 통해 GaN 전력반도체 기술에 대한 국제상표 등록을 완료했다고 1일 밝혔다. 칩스케이는 제09류(전력반도체, 전력변환 장치 등)에 해당되며 등록 명칭은 'HighGaN'이다. HighGaN은 칩스케이의 GaN 기반 전력반도체 소자가 높은 성능(High performance)과 신뢰성(High reliability)을 가지고 있다는 의미로 상표 등록을 통해 칩스케이는 기술의 브랜드화 및 글로벌 IP 포트폴리오 강화에 나선다는 계획이다. 칩스케이는 국내 최초로 실리콘 기판 위에 갈륨 나이트라이드 층을 성장시킨 웨이퍼(Gan-on-Si) 기반 650V급 전력반도체 양산을 시작으로 고속 충전기·AI 데이터센터·산업용 전원 장치 등 다양한 응용 분야로 제품 공급을 확대 중이다. 연평균 35% 이상 고성장을 기록 중인 GaN 전력반도체 시장에서 칩스케이는 글로벌 고객 및 파트너사에 HighGaN 브랜드를 통해 기술 신뢰성과 제품 차별성을 알리고 신규 객사 마케팅에 집중할 계획이다. 곽철호 칩스케이 대표는 "HighGaN 브랜드 확보는 단순한 명칭 등록을 넘어 기술 정체성과 차세대 시장 주도권 확보를 위한 전략적 조치"라며 "양산 기술력과 더불어 브랜드 가치까지 강화해 나가겠다"고 밝혔다. 칩스케이는 2017년 설립된 GaN에 특화된 전자소자 설계 전문 팹리스로, 고성능 전력반도체 분야에 주력하며 차별화된 기술 경쟁력을 확보하고 있다. GaN은 대표적인 화합물 반도체 소재로 기존 실리콘(Si) 대비 높은 전력 효율성과 고속 스위칭, 고온 안정성, 소형화로 전기차, 에너지 저장장치(ESS), 데이터센터 등 전력 인프라 핵심 소재로 주목받고 있다.

2025.07.01 13:50장경윤

日 르네사스, 전력용 반도체 전략 수정…매출 목표 5년 연기

일본 반도체 기업 르네사스 일렉트로닉스가 전력 반도체 생산 전략을 수정했다. 27일 니혼게이자이신문에 따르면 르네사스는 전기차(EV) 시장 성장 둔화 여파로 전력용 반도체 전략을 5년 연기했다고 발표했다. 지난 2022년 회사는 오는 2030년 매출 목표를 200억달러로 설정한 바 있다. 당시 시가총액도 10조엔(약 700억달러) 이상으로 키운다는 계획을 발표했으나, 최근 EV 및 산업용 반도체 시장의 부진을 감안해 목표 연도를 2035년으로 재설정했다. 이 소식에 르네사스 주가는 26일 기준 전일 대비 12% 급락한 1천735.5엔에 장을 마감했다. 지난 5년간 일일 주가 하락률이 두 자릿수를 기록한 것은 단 여섯 차례에 불과하다. 2024 회계연도 기준 르네사스의 매출은 1조3천480억엔(약 92억8천만달러)에 그쳤으며, AI 데이터센터용 반도체 수요 확대에도 불구하고 자동차 및 산업용 반도체 부진이 실적 부진으로 이어졌다. 한편 르네사스는 미국 반도체업체 울프스피드의 구조조정 부담으로 상반기에 약 2천500억엔 규모의 손실을 볼 것으로 관측된다. 해당 구조조정 과정에서 르네사스는 울프스피드에 예치된 20억6000만달러를 전환사채, 보통주, 워런트 형태로 전환할 예정이다.

2025.06.28 08:09전화평

"차세대 화합물 전력반도체 기술수준 선도국 80% 이하”

차세대 화합물 전력반도체 수요가 급증하고 있지만 국내 기술 수준은 선도국의 80% 이하에 머물러 있다는 지적이 제기됐다. 한국산업기술진흥원(KIAT·원장 민병주)이 17일 서울 반포 JW메리어트 서울에서 개최한 '제11회 산업기술정책포럼'에서 발제를 맡은 홍익대 차호영 교수는 “차세대 화합물 전력반도체 분야에서 국내 기술 수준은 선도국 대비 80% 이하 수준에 불과하다”며 “인력·공급망·자금 등 산업 기반이 전체적으로 취약한 만큼, 중장기 전략을 세워서 산학연 간 협업으로 대응해야 한다”고 강조했다. 전력반도체는 전기를 효율적으로 변환하고 제어하는 역할을 하는 반도체로 전기자동차나 신재생에너지 시스템, 서버·데이터센터, 5G 통신장비 등 고효율 전력 관리가 필수적인 분야에 필요하다. 최근 인공지능(AI) 인프라 구축과 탄소중립 대응이 중요해지면서 전력반도체 수요가 급증하는 추세다. 특히, 지금까지는 실리콘(Si)을 주로 사용했으나 최근 고전압 환경에 강하면서도 전력 손실이 적은 질화갈륨(GaN)·실리콘카바이드(SiC)가 차세대 전력반도체 소재로 떠올랐다. 비메모리 반도체 전문기업인 KEC의 김수성 최고기술경영자(CTO)는 “탄소중립과 전동화 흐름에 따라 전력반도체 산업이 빠르게 성장하는 중”이라며 “고전력·고효율 생산 기반에 집중해 전력반도체 특성을 극대화할 수 있는 국내 연구 환경과 공급망이 만들어지길 바란다”고 말했다. 민병주 KIAT 원장은 “전력반도체는 에너지 효율성과 산업 경쟁력을 좌우하는 핵심 전략 기술”이라며 “국내 기업이 세계적 수준의 경쟁력을 갖출 수 있게 전문 인력 양성, 기반 조성, 공급망 확보 등 다각도로 관련 업계를 지원하겠다”고 말했다. 한편, 산업기술정책포럼은 KIAT가 산업기술 진흥에 필요한 정책을 발굴하기 위해 연구기관·기업 관계자들의 의견을 수렴하는 자리다.

2025.06.17 13:35주문정

韓, '꿈의 반도체 소재' SiC 연구 지속…현대차 움직임 뚜렷

국내 주요 기업이 차세대 전력반도체 소재로 꼽히는 실리콘카바이드(SiC) 개발을 지속하고 있다. 특히 현대자동차의 특허 공개 활동이 뚜렷한 상황으로, 전력 모듈과 회로 분야에서 IP(설계자산) 리더십을 확보한 것으로 분석된다. 4일 프랑스 특허·기술 리서치 기업 노우메이드(KnowMade)에 따르면 국내 반도체 업계는 SiC 반도체와 관련한 특허를 매년 꾸준히 확보하고 있다. SiC는 실리콘(Si) 대비 고온·고압에 대한 내구성, 전력 효율성 등이 뛰어난 차세대 반도체 소재다. 이 같은 장점 덕분에 다양한 산업에서 수요가 확대되고 있으며, 특히 전기차(EV)용 전력반도체 분야에서 적극 채용될 것으로 전망돼 왔다. 다만 최근엔 전기차 시장의 캐즘(일시적 수요 침체) 현상이 심화되고, 중국 기업들의 시장 진입으로 경쟁이 가열되면서 SiC 반도체 기업들도 침체에 접어들고 있다. SiC 시장서 점유율 4위를 기록해 온 미국 울프스피드는 지난달 파산보호 신청 우려에 휩싸였으며, 일본 르네사스도 최근 현지 신공장에서 전기차용 SiC 전력반도체를 생산하려던 계획을 철회한 것으로 알려졌다. 현대자동차·쎄닉 등 SiC 연구개발 활발…LG는 축소 그럼에도 국내 반도체 업계의 SiC 관련 연구개발(R&D)은 비교적 견조하다는 평가가 나온다. 주요 기업·기관으로는 LG, 현대자동차, SK그룹과 한국전기연구원(KERI), 포스코 산하 포항산업과학연구원(RIST), SiC 웨이퍼 제조 스타트업인 쎄닉 등이 있다. 이들 6개 기업은 국내 SiC 관련 특허 공개 수의 3분의 2를 차지하고 있다. 특히 현대자동차가 SiC 관련 특허를 꾸준히 공개하고 있는 것으로 나타났다. 그룹 내 전장·반도체 관련 자회사인 현대모비스 주도로, 지난 2021년부터 매년 10건이 넘는 특허를 공개해 왔다. 주로 SiC 반도체의 후방 산업에 해당하는 소자 및 모듈, 회로 분야에서 강세를 보이고 있다. SiC 웨이퍼 제조업체인 쎄닉의 활동도 두드러진다. 지난 2021년부터 특허 공개가 시작돼, 잉곳 웨이퍼 등 전방 산업 분야에서 기술개발을 적극 진행해 온 것으로 알려졌다. 이 회사는 지난 2021년 SKC에서 분사돼 설립된 스타트업으로, 8인치(200mm) SiC 웨이퍼 양산을 목표로 하고 있다. 반면 LG화학과 LG전자, LG이노텍 등으로 대규모 SiC 특허 포트폴리오를 구축했던 LG그룹은 관련 연구개발이 활발하지 못한 것으로 관측된다. 지난 2021년 LG이노텍이 국내 팹리스인 LX세미콘에 SiC 특허를 이전한 이래로, 특허 공개 수가 크게 줄어들었다.특허 양수 이후 SiC 반도체 개발을 추진했던 LX세미콘도 근 몇년 간 추가적인 특허 확보에 소극적이었던 것으로 나타났다. 韓 SiC 공급망, 전력 모듈 분야가 '약한 고리' 국내 주요 기업들이 SiC 공급망 전반에 대해 연구하는 것처럼 보이지만, 전력 모듈 분야는 가장 약한 고리로 남아있다는 것이 노우메이드의 분석이다. 레미 코민 노우메이드 수석연구원은 "SiC 패키징 및 전력 모듈과 관련된 특허 수는 2022년 이후 큰 진전을 보이지 않고 있다"며 "참여 기업(현대자동차, 아모센스, 제이엠제이코리아)의 수가 제한돼 있고, 2022년 이후 신규 진입한 기업의 수가 SiC 공급망 내 다른 분야에 비해 감소했기 때문"이라고 설명했다. 실제로 SiC 전력 모듈 분야의 주요 특허 출원기업인 현대자동차는 2022년 이후 패키징, 모듈, 회로 등의 분야에서 신규 특허를 10건만 공개한 것으로 집계됐다. 다만 국내 주요 반도체 제조기업 및 스타트업이 SiC 반도체 시장 진출을 계획하고 있다는 점은 긍정적으로 평가된다. 삼성전자와 DB하이텍, SK하이닉스의 자회사 SK키파운드리 등이 관련 연구개발과 설비투자 등을 진행해 왔다. 삼성전자는 지난 2023년 서강대학교와 SiC MOSFET(전류의 흐름을 제어하는 트랜지스터) 관련 특허를 공동 개발했으며, DB하이텍도 지난해 SiC MOSFET와 관련한 특허 3건을 공개한 것으로 나타났다.

2025.06.09 14:28장경윤

칩스케이, 650V GaN 전력반도체 국내 최초 양산 돌입

질화갈륨(GaN) 전력반도체 설계 전문 기업 칩스케이는 국내 최초로 650볼트(V)급 GaN 전력반도체 양산을 시작한다고 9일 밝혔다. 칩스케이는 GaN-on-Si(실리콘 기반 GaN)기술 기반의 650V 전력반도체 소자 4종을 해외 파운드리를 통해 생산해 고속 모바일 충전기, AI 데이터센터, 산업용 전원장치 등 차세대 전력반도체 시장 공략에 나선다. GaN은 기존 실리콘(Si) 대비 높은 전력 효율성과 고속 스위칭, 고온 안정성, 소형화로 전기차, 에너지 저장장치(ESS), 데이터센터 등 전력 인프라 핵심 부품으로 주목받고 있다. 그러나 기술 진입장벽이 높아, 국내 상용 제품이 전무해 수입에 의존해 왔다. 칩스케이는 설계 기술과 특허, 그리고 고온(150℃) 환경에서도 안정적으로 동작이 가능한 소자를 이용해 해외 경쟁사 제품 대비 속도와 효율을 높이고 에너지 손실을 최소화했다. 칩스케이의 GaN 전력반도체 기술은 기존 고속 충전기 분야에서 확장해 전력 수요가 급증하는 AI·클라우드 기반의 데이터센터 분야에 적용이 기대된다고 회사측은 설명했다. 곽철호 칩스케이 대표는 "국산 GaN 전력반도체의 첫 양산 성공은 기술 독립은 물론 향후 수출 경쟁력 확보에 큰 의미가 있다"며 "발열 제어 성능이 뛰어난 고방열기판(QST) 기반의 제품도 연내 신뢰성 테스트를 마친 후 라인업 확대에 나설 것"이라고 밝혔다. 한편 칩스케이는 칩 면적을 줄이고 회로 집적도를 높인 구동회로가 일체화 된 고집적 GaN SoC(시스템온칩) 기술도 개발 중이다.

2025.06.09 11:01장경윤

DB하이텍, 1분기 영업익 525억원…전년比 28% 증가

DB하이텍은 1분기 설적이 연결 기준 매출액 2천974억원, 영업이익 525억원(영업이익률 18%)으로 잠정 집계됐다고 28일 밝혔다. 전년 동기 대비 매출액은 14%, 영업이익은 28% 증가했다. DB하이텍은 미국 관세에 대비한 선주문과 중국 양산 내재화 및 내수 활성화로 전력반도체 수요가 급증하며 개선된 실적을 기록했다. 응용분야 별로는 자동차·의료기기의 매출이 상승했다. 회사 관계자는 “당사 1분기 공장 가동률이 90%대로 상승하였으며, 2분기에도 이와 같은 분위기가 이어질 것으로 기대된다”며 “전력반도체 등 주력 제품을 중심으로 기술 차별화와 고도화를 지속하는 동시에, 신규사업 준비도 차질 없이 진행하며 사업 경쟁력을 지속 강화해 나갈 것”이라고 밝혔다. 한편 DB하이텍은 이달 28일과 29일 양일간 국내 기관 투자자를 대상으로 2025년 1분기 경영실적 발표 기업설명회를 개최할 예정이다.

2025.04.28 09:08장경윤

DB하이텍, 獨 'PCIM 2025'서 SiC‧GaN 개발 현황 공유

8인치 파운드리 전문기업 DB하이텍은 다음달 6일부터 8일(현지시간)까지 독일 뉘른베르크에서 열리는 유럽 최대의 전력 반도체 전시회 'PCIM(Power Conversion and Intelligent Motion) 2025'에 참가한다고 7일 밝혔다. 이번 전시에서 DB하이텍은 업계 최고 수준의 기술력을 확보하고 있는 BCDMOS(복합전압소자)를 포함해, 특화 이미지센서 공정, 차세대 전력반도체로 주목받고 있는 SiC(실리콘카바이드)·GaN(갈륨나이트라이드) 공정 등의 최신 개발 현황을 공유할 계획이다. 특히 최근 DB하이텍이 미래 성장 동력으로 역량을 집중하고 있는 SiC와 GaN 전력반도체 공정이 이번 전시의 주축이 될 예정이다. DB하이텍은 지난 2월 모든 공정을 자체 소화한 SiC 8인치 웨이퍼의 기본 특성을 확보했다. 회사는 올해 수율 및 신뢰성 향상을 거쳐, 2025년 말부터 고객에게 공정을 제공할 계획이라고 밝혔다. GaN 8인치 공정은 650V HEMT(고전자 이동도 트랜지스터) 특성을 확보하였으며, 올해 안으로 신뢰성 확보를 마칠 계획이다. 또한, DB하이텍은 오는 10월 GaN 전용 MPW를 운영하여 고객들의 제품 평가를 적극 지원할 예정이라고도 발표했다. 반도체‧전자 분야 시장조사전문기관 욜 디벨롭먼트에 따르면, 글로벌 SiC, GaN 전력반도체 시장 규모는 2024년 36억 달러에서 2027년 76억 달러까지 확대될 것으로 기대되며, 연평균 27.6%의 높은 성장률이 예상된다. DB하이텍은 이번 전시에 대해 “팹리스 고객 지원과 협업에서 글로벌 고객사로부터 높은 평가를 받고 있는 당사의 강점을 유럽 고객들에게도 알리는 기회가 될 것”이라고 참가 목적을 밝혔다. DB하이텍은 8인치에 특화된 아날로그 및 전력 반도체 공정 서비스를 통해 글로벌 리더 위치를 유지하고 있지만, 유럽 고객의 비중은 타 지역에 비해 비교적 낮은 편이다. 이에 이번 전시에서 성장하는 유럽 시장에서 신규 고객을 발굴하고, 기존 고객과의 미래 사업 협력을 통해 유럽 파운드리 서비스를 강화한다는 설명이다. 한편 현재 DB하이텍은 400개 기업과 양산을 진행하고 있으며, 아날로그 및 전력 반도체 제품의 8인치 누적 출하량은 600만장에 이른다. 이 외에도 엑스레이, 글로벌셔터, SPAD(단일광자 포토다이오드)와 같은 특화 이미지 센서 공정 기술 경쟁력을 확보해 다양한 업체와 양산을 진행하고 있다. 응용 제품으로는 모바일, 소비가전, 산업용에 더해 최근 차량용 제품의 생산 비중이 지속 증가하고 있다.

2025.04.07 14:33장경윤

DB하이텍, 'GaN 전력반도체' 초기 사업 착수…"고객사 관심 많아"

DB하이텍이 신사업 진출에 대한 적극적인 의지를 드러냈다. 지난해까지 GaN(질화갈륨)·SiC(탄화규소) 등 차세대 전력반도체 초도 양산을 위한 시생산(파일럿)라인을 구축해 올해 GaN을 중심으로 초도 양산에 나설 계획이다. 12인치 파운드리 사업도 현재 정부와 투자 논의를 진행 중이다. 55나노미터(nm) 등 전력반도체 분야가 주요 타겟이 될 전망이다. 20일 조기석 DB하이텍 대표는 경기 부천 본사에서 열린 '제72기 정기주주총회'에서 회사의 향후 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. DB하이텍은 8인치 파운드리 전문기업이다. 반도체 레거시(성숙) 공정을 기반으로 한 PMIC(전력관리반도체), DDI(디스플레이구동칩), CIS(CMOS 이미지센서) 등을 주로 생산한다. 자회사 DB글로벌칩을 통해 팹리스 사업도 영위하고 있다. DB하이텍의 지난해 연 매출은 1조1천310억원, 영업이익이 1천950억원으로 집계됐다. 영업이익률은 17%다. 전년 대비 매출은 2%, 영업이익은 28% 감소했으나, 8인치 파운드리가 지난해 업황이 부진했다는 점을 감안하면 견조한 실적이다. 조 대표는 "국내외 정세의 불확실성이 높은 상황에서도 당사는 오래 쌓아온 기술 경쟁력을 바탕으로 가동률 하락을 최소화하고, 경쟁사 대비 높은 영업이익률을 기록했다"며 "2025년 현재 당사의 가동률은 90%를 상회하고 있어 매출과 영업이익의 회복 또한 기대되고 있다"고 말했다. 미래 성장동력 확보를 위한 12인치 파운드리, GaN(질화갈륨)·SiC(탄화규소) 화합물반도체 등 신사업 진출도 지속 추진할 계획이다. 조 대표는 "현재 정부와 12인치 파운드리 투자와 관련해 심도 깊게 논의하고 있다"며 "당사의 강점이 BCD 전력반도체기 때문에, 55나노 BCD 등을 목표로 개발을 진행할 것"이라고 설명했다. GaN·SiC 화합물반도체 사업을 위한 시생산(파일럿) 라인 구축도 지난해 완료했다. 올해 2·3분기께 초도 양산을 시작할 것으로 관측된다. 조 대표는 "기존 전력반도체 사업을 진행하다보니 관련 고객사들이 GaN·SiC 반도체에도 많은 관심을 보내고 있다"며 "GaN은 올해 초기 비즈니스에 착수할 수 있을 것으로 보이고, 내년도 말이나 내후년에는 SiC 관련 비즈니스도 진행될 수 있을 것으로 판단된다"고 말했다.

2025.03.20 10:48장경윤

매그나칩, DDI 사업 중단…"전력반도체 집중"

매그나칩은 디스플레이구동칩(DDI) 등 디스플레이 사업을 중단하고, 순수 전력 반도체 기업으로 전환하기로 결정했다고 13일 밝혔다. 이에 따라 매그나칩의 디스플레이 사업은 오는 5월에 발표할 1분기 실적에서 중단 사업으로 분류될 예정이다. 또한 매각, 합병, 합작법인 설립, 라이센싱, 사업중단 등을 포함한 전략적 옵션을 검토하고 추진하기로 했다. 김영준 매그나칩 대표이사는 "소중한 고객과 직원 모두를 고려할 때, 이번 결정은 이사회 및 경영진 입장에서 매우 어려운 결정이었다"며 "그러나 회사의 우선순위는 지속가능한 수익성을 확보해 주주 가치를 극대화해야 하기 때문에, 전력 반도체 사업에 집중할 것"이라고 밝혔다. 그는 이어 "2025년 4분기 말까지 손익분기점(EBITDA기준)을 달성하고, 2026년에는 조정 영업이익을 내고, 2027년에는 잉여현금흐름(free cash flow)을 달성하는 것을 목표로 한다"며 "이러한 각 목표는 3년 내에 30% 매출 총이익률, 3억 달러 매출을 달성하는 우리의 3-3-3 전략에 도달하는 데 도움이 될 것"이라고 강조했다. 전력 반도체 사업은 다양한 시장에 제품이 공급되고, 제품 수명 주기가 더 길고, 산업 성장률에 변동성이 상대적으로 적어 시장에 대한 예측이 비교적 수월하다. 매그나칩의 파워 디스크리트 및 파워 IC 사업은 2024년에 1억8천500만 달러의 매출을 달성해, 전년대비 13% 성장을 기록했다. 회사는 2025년에도 매출 성장을 기대하고 있다. 2007년에 전력 반도체 사업에 진출한 매그나칩은 Gen 5, Gen 6 IGBT, Gen 6 SuperJunction MOSFET, Gen 8 중저전압 MOSFET를 포함한 차세대 전력 반도체 제품 라인을 출시한다고 발표했다. 회사는 오늘 별도로 발표된 27개를 포함해 2025년에 40개 이상의 신제품을 출시할 계획이다. 신규 출시된 Gen 6 및 Gen 8 파워 제품들은 기존 제품보다 성능이 30% 향상됐으며, 다이 칩 크기가 줄어들어 웨이퍼당 사용 가능한 다이 수가 30% 이상 증가했다. 이러한 혁신적인 제품군은 자동차, 산업용 시장, AI, 그리고 100KW 이상의 고전류 응용 분야 등 새로운 고부가가치 시장 기회의 잠재력을 열어준다. 이 신제품들은 회사의 구미 제조 시설을 최적화하면서 웨이퍼당 더 높은 매출을 창출할 것으로 예상된다. 전력 반도체 비즈니스에 전념하려는 회사의 전략과 관련해, 매그나칩은 구미 공장을 전력 반도체 비즈니스에 더욱 최적화하고 시설 업그레이드를 하기 위해 향후 3년간 약 6천500만~7천만 달러(약 1천억원)를 투자할 계획이다. 최근 매그나칩은 회사의 기존 자산을 담보로 대출을 제공하는 장비 금융 신용 계약 을 체결해, 2천650만 달러(약 380억 원)를 확보했다. 이 대출의 이자율은 3.97%로 매 분기 조정되며, 10년 만기로 처음 2년은 이자만 납부하고 이후 8년 동안은 분할 상환하는 조건이다.

2025.03.13 09:03장경윤

인피니언, SiC 웨이퍼 '8인치' 전환 시작…"1분기 첫 출시"

인피니언 테크놀로지스는 올 1분기에 첨단 200mm SiC(실리콘카바이드) 기술 기반의 첫 번째 제품을 고객에게 출시한다고 17일 밝혔다. 오스트리아 빌라흐에서 제조되는 이 제품은 신재생 에너지, 열차, 전기차 등 고전압 애플리케이션을 위한 최상의 SiC 전력 기술을 제공한다. 또한 말레이시아 쿨림 소재의 인피니언 제조 시설은 150밀리미터 웨이퍼에서 더 크고 효율적인 200밀리미터 웨이퍼로 전환하는 작업을 순조롭게 진행하고 있다. SiC 반도체는 전기를 더욱 효율적으로 전환하고, 극한 조건에서 높은 신뢰성과 견고성을 제공하며, 더 작은 설계를 가능하게 함으로써 고전력 애플리케이션에 혁명을 일으켰다. 인피니언의 SiC 제품을 사용해 고객들은 전기 자동차, 고속 충전소, 열차뿐만 아니라 신재생 에너지 시스템 및 AI 데이터 센터를 위한 에너지 효율적인 솔루션을 개발할 수 있다. 인피니언은 그린 에너지로의 전환 및 CO2 감소에 기여하는 포괄적인 고성능 전력 반도체 포트폴리오를 제공하는 데 중점을 두고 있다. 인피니언 관계자는 "매우 혁신적인 와이드 밴드갭(WBG) 기술을 위한 '인피니언 원 버추얼 팹'인 빌라흐와 쿨림에 위치한 인피니언의 생산 공장은 SiC 및 갈륨 나이트라이드(GaN) 제조에서 빠른 램핑업과 원활하고 효율적인 운영을 가능하게 하는 기술과 공정을 공유한다"며 "200mm SiC 제조 활동은 전력 시스템 솔루션을 선도하는 인피니언의 실리콘, SiC 및 GaN을 포함한 전력 반도체 전체 스펙트럼에서의 기술 리더십을 더욱 강화한다"고 밝혔다.

2025.02.17 14:17장경윤

전기연구원 SiC 전력 반도체, 우주시장 진출 "꿈"

한국전기연구원(KERI)은 차세대반도체연구센터 서재화 박사 연구팀이 우주 환경에서 탄화규소(SiC) 전력반도체 소자의 방사선 내성을 평가할 수 있는 기술을 개발했다고 17일 밝혔다. 우주 방사선은 항공기나 탐사선(로버), 위성 등에 탑재되는 전력반도체의 전기적 특성을 심각하게 저하시키는 원인으로 손꼽힌다. 이때문에 미국과 유럽을 중심으로 방사선 영향 연구를 진행하고 있다. 우리나라는 아직 실리콘 전력반도체 단계에서 방사선 내성을 정량적으로 분석하는 수준에 머물고 있다. 서재화 박사는 "국내 최초로 고에너지 우주 환경 모사를 통해 SiC 전력반도체의 방사선 내성을 효과적으로 평가하는 데 성공했다"고 밝혔다. 서 박사는 "우주 방사선은 다양한 에너지 대역의 입자들로 구성돼 있다. 그중 양성자(proton)가 80~90%를 차지하기 때문에 극한 우주 방사선 실험 환경을 구현하는 것이 어렵다"고 설명했다. 연구팀은 한국원자력연구원이 보유한 가속기 시설의 고에너지 양성자(100 MeV)를 활용했다. 정확한 방사선 조사 조건을 구현하기 위해 국립경국대 윤영준 교수팀과도 협업했다. 연구팀은 극한 우주 환경 조건에서 직접 국산화한 SiC 전력반도체의 전압 변화, 피폭으로 인한 누설 전류 증가 및 격자 손상 등 영향성을 체계적으로 분석했다. 실제 우주 부품으로 SiC 전력반도체가 사용될 때의 장기적인 신뢰성을 보장할 수 있는 설계 기준도 마련했다. 연구결과는 핵·방사화학 분야 국제저널(Radiation Physics and Chemistry)에 최근 게재됐다. 향후 연구팀은 초고에너지급(200MeV 이상) 방사선 조건에서의 SiC 전력반도체 신뢰성 평가와 함께 '차세대 내방사(radiation-resistance) 전력반도체' 소자 개발을 추진할 계획이다. 서재화 박사는 "현재 경남도 및 2인치 다이아몬드 웨이퍼를 세계 처음 개발한 일본 기업 오브레이와 컨소시엄을 구성해 우수한 반도체 물성을 갖는 '다이아몬드를 이용한 미래형 전력반도체' 연구도 진행중"이라고 밝혔다. 서 박사는 "우주·항공뿐만 아니라 의료용 방사선 기기, 원자력 발전 및 방사선 폐기물 처리 설비, 군수·국방 전자제품 등 다양한 분야에 기술이 적용될 것”으로 기대했다.

2025.02.17 09:01박희범

김남석 LB세미콘 대표 "세계 OSAT 10위권 진입…매출 1兆 달성 목표"

LB세미콘이 향후 3~4년 뒤 회사의 매출을 1조원까지 성장시키겠다는 목표를 제시했다. 글로벌 OSAT(외주반도체패키징테스트) 10위권에 진입할 수 있는 규모다. 동시에 해외 시장을 중심으로 고객사를 다변화한다는 전략이다. 이를 위해 LB세미콘은 LB루셈과의 합병을 통해 전력반도체 사업을 크게 확대할 계획이며, 메모리 및 플립칩 패키징 등 신규 사업으로의 진출도 준비하고 있다. 김남석 LB세미콘 대표는 26일 서울 양재 모처에서 기자들과 만나 회사의 향후 성장 전략에 대해 이같이 밝혔다. ■ "DDI 의존 탈피…매출 1조원 및 해외 매출 비중 40% 달성할 것" LB세미콘은 국내 OSAT 기업으로, 삼성전자를 비롯한 국내외 고객사로부터 의뢰를 받아 범핑·테스트·백엔드(Back-End) 등의 공정을 수행한다. 주력 사업 분야로는 DDI(디스플레이구동칩)·모바일 AP(애플리케이션 프로세서)·CIS(CMOS 이미지센서)·PMIC(전력관리반도체) 등이 있다. 특히 DDI는 LB세미콘의 전체 매출에서 60~70%를 담당할 정도로 비중이 높다. 다만 DDI 시장은 스마트폰 및 PC 시장의 부진으로 최근 수요가 감소하는 추세다. 이에 LB세미콘은 중장기적 관점에서 회사의 신(新)성장 동력을 확보하기 위한 준비에 나섰다. ▲ AI·자동차 등 고전력 산업에 필요한 전력반도체 패키징 ▲ D램 등 메모리용 범핑 ▲ 플립칩 패키징 등이 핵심으로 꼽힌다. 김 대표는 "패키징 사업 분야 확대와 신사업 추진 등으로 오는 2027~2028년 매출 1조원과 글로벌 OSAT 기업 순위 10위권에 진입하는 것이 목표"라며 "해외 고객사 영업도 적극적으로 진행하고 있어, 해외 매출 비중이 기존 10%에서 40% 수준으로 끌어올릴 수 있을 것으로 기대한다"고 강조했다. 그는 이어 "구체적인 고객사를 밝힐 수는 없으나, 해외 주요 고객사 몇 곳과 내년도부터 사업을 시작한다"며 "새해에는 소규모지만 내후년부터 사업이 굉장히 커질 것"이라고 덧붙였다. ■ LB루셈과 합병해 전력반도체 시장 공략…日 고객사 공급 유력 먼저 전력반도체 패키징은 자회사 LB루셈과의 합병으로 주요 고객사에 '턴키(Turn-key)' 솔루션을 제공할 계획이다. 앞서 LB세미콘은 지난 10월 사업 간 시너지 효과 도모, 재무 건전성 강화 등을 목적으로 LB루셈을 흡수합병하겠다고 밝힌 바 있다. LB루셈은 전력반도체 공정을 위한 ENIG(무전해 도금) 공정 설치와 타이코(TAIKO) 그라인딩 공정에 투자해 왔다. 타이코 그라인딩은 일본 디스코사가 개발한 기술로, 웨이퍼의 가장자리를 남기고 연삭해 웨이퍼의 강도를 높인다. 이를 기반으로 LB세미콘은 BGBM(Back Grinding Back Metal)·RDL(재배선)·ENIG·타이코 그라인딩·MOSFET 웨이퍼 테스트에 이르는 전력반도체용 턴키 공정을 구축해, 해외 고객사와 테스트를 진행하기로 협의했다. BGBM은 실리콘 웨이퍼를 얇게 연삭한 뒤, 후면에 전기회로 역할을 하는 금속을 증착해주는 공정이다. LB루셈의 BGBM은 웨이퍼를 30마이크로미터(um), 도금을 50마이크로미터 수준으로 매우 얇게 구현할 수 있다. SiC(탄화규소)·GaN(질화갈륨) 등 차세대 전력반도체 시장도 공략한다. 이달 국내 파운드리 기업 DB하이텍과 협력해, 이들 반도체를 위한 패키징 및 테스트 서비스를 제공하기로 했다. 김 대표는 "LB루셈과의 합병으로 전력반도체용 패키징 솔루션을 턴키로 고객사에 제공할 수 있게 됐는데, 현재 상용화와 관련해 굉장히 빠른 진전을 이루고 있다"며 "내후년 일본 주요 고객사로부터 양산이 시작될 것이고, 국내 기업들과도 협력해 공급량을 확대하도록 할 것"이라고 설명했다. ■ 메모리·플립칩 시장 진출 기대…"역량 충분" 향후 메모리 시장으로의 진출도 기대된다. 현재 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들은 AI 산업의 성장에 맞춰 HBM(고대역폭메모리) 생산능력 확대에 주력하고 있다. 이를 위해 기존 범용 D램용 설비를 HBM에 할당하는 추세다. 이 경우 범용 D램의 패키징 공정은 외부에 맡기게 될 가능성이 크다. LB세미콘은 이러한 전망 하에 삼성전자·SK하이닉스로부터 DDR 및 GDDR(그래픽 D램) 모듈용 범프 공정을 수주하기 위한 논의를 진행 중이다. 플립칩 시장 진출은 국내 또 다른 OSAT인 하나마이크론과의 협력을 통해 추진하고 있다. 플립칩은 칩 위에 범프를 형성한 뒤 뒤집어 기판과 연결하는 패키징 기술로, 기존 와이어 본딩 대비 전기적 특성이 우수하다. 김 대표는 "국내 메모리 입장에서는 HBM 인프라를 효율적으로 늘리려면 기존 D램을 외주로 돌릴 수 밖에 없어, 윈-윈 효과를 기대하고 시장을 모니터링 중"이라며 "플립칩 패키징을 위한 범프 인프라를 충분히 갖춘 기업도 현재로선 국내에 LB세미콘 말고는 없다"고 밝혔다. 한편 LB세미콘은 기존 및 신사업 확대에 적기 대응하기 위한 설비투자도 준비하고 있다. 올해 평택 소재 일진디스플레이 공장을 인수해, 현재 라인 구축을 위한 설계를 진행하고 있다.

2024.12.26 16:28장경윤

KIAT, AI 3.1시대 혁신선도 '2025년 KIAT 10대 유망산업' 발표

한국산업기술진흥원(KIAT·원장 민병주)은 16일 인공지능(AI) 3.1 시대에 대한민국 경제 견인과 산업기술 혁신을 선도할 2025 KIAT 10대 유망산업을 발표했다. 10대 유망산업은 ▲전력 반도체 ▲폼팩터 디스플레이 ▲AI 헬스케어 ▲융합형 자율주행차 ▲그린 디지털 ▲순환 소재 ▲디지털 휴먼 ▲멀티모달 AI ▲지능형 자율제조 ▲온디바이스 AI이다. KIAT는 10대 유망산업 발굴을 위해 최근 출원된 국내·외 특허와 논문 키워드 분석을 통해 3대 영역 6대 분야별 기술 융합강도 분석을 거쳐 핵심기술 45개를 선정했다. 선정 과정에서 문헌·특허 빅데이터 분석, 요인 분석과 더불어 대국민 설문조사 결과를 반영하고 산학연 전문가 80여 명이 참여해 산업 선정의 객관성을 높였다. 총괄위원회에서 최종적으로 대국민 설문과 산업기술 육성 정책의 우선순위를 고려해 10대 유망산업을 선정했다. 2021년 이후 다섯 번째 발표하는 KIAT 10대 유망산업은 기술·이슈 중심의 일반적인 전망과 다르게 산업관점의 성장 흐름과 지원 영향 등을 고려해 선정된다. 올해는 AI의 혁신성과 지속가능성에 주목했다. AI가 산업에 적용될 경우 에너지를 효율적으로 활용할 수 있도록 해 생산력을 높이지만, 적용 과정에서 AI 가동을 위한 대규모 전력이 필연적으로 소모된다. 이에 탄소중립과 에너지 순환 분야를 고려해 환경을 보호하면서도 기술 발전 잠재력을 극대화할 수 있는 산업을 선정했다. 민병주 KIAT 원장은 “AI가 제조·의료 등 다양한 분야의 기반 기술로 작용하고 있고, 정부도 인공지능을 활용한 산업혁신을 적극 추진하는 상황에서 주목해야 할 유망산업을 선정했다”며 “최근 들어 미국 등 주요국의 대외 정책이 급변하며 글로벌 산업계가 재편되고 있는 가운데, 우리나라 기업들이 기회를 선점할 수 있도록 지원을 강화하겠다”고 말했다.

2024.12.16 11:01주문정

프랑스 메르센, 매출 17억 유로 목표 2년 연기…"전기차 수요↓"

프랑스 소재 업체 메르센이 매출 목표를 이룰 시점을 2년 미뤘다. 전기자동차 수요 부족 때문이라는 입장이다. 영국 로이터통신은 6일(현지시간) 메르센이 2027년 매출 17억 유로(약 2조5천억원)를 달성한다는 목표를 2029년으로 2년 연기했다고 보도했다. 메르센은 전기자동차에 들어가는 탄화규소(SiC·실리콘카바이드) 전력 반도체 소재를 만드는 회사다. SiC 전력 반도체는 실리콘(Si) 반도체보다 전기차 주행거리를 5~10% 늘린다고 알려졌다. 배터리도 보다 빠르게 충전할 수 있다. 루크 테멀린 메르센 최고경영자(CEO)는 “내년 전기차와 SiC 전력 반도체 시장이 침체될 것”이라며 “2026년 하반기 회복될 것 같다”고 말했다. 로이터는 전기차 수요가 약해 메르센이 매출 목표를 낮췄다고 평가했다. 주요국 경기가 둔화된 데다 전기차 보조금이 줄어든 게 전기차 수요가 감소한 이유로 꼽힌다.

2024.12.07 10:30유혜진

LB세미콘-DB하이텍, 전력반도체 개발 협업키로…내년 1분기 양산 목표

LB세미콘은 DB하이텍과 협력해 고전력소자 제품용 RDL(재배선층) 개선 제품을 개발 중이라고 4일 밝혔다. 양사는 2025년 1분기 양산을 목표로 RDL 기술 개발을 진행 중이다. 현재 제품 신뢰성을 높이는데 중점을 두고 있으며, 이를 위해 제품 구조 개선과 소재를 변경했다. LB세미콘은 특히 저비용을 목표로 하는 전력 반도체 RDL 개선 제품 개발에 집중하고 있다. DB하이텍과의 협업에는 LB루셈도 참여한다. LB세미콘은 프런트 사이드(Front Side) 공정을 맡고, LB루셈은 백 사이드(Back Side) 공정을 담당해 각사의 기술적 강점을 최대한 활용한다는 계획이다. 또한 LB세미콘은 DB하이텍의 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN) 제품 개발에도 참여한다. DB하이텍은 현재 8인치 SiC·GaN 반도체 신사업을 추진 중이다. SiC와 GaN은 차세대 전력 반도체 소재다. 기존 실리콘 기반 반도체보다 물성이 좋아 전기차, 에너지저장장치(ESS), 인공지능(AI) 응용처 등에 쓰인다. LB세미콘과 LB루셈은 이번 협업을 통해 안정적인 파운드리 파트너를 확보하게 됐다. 또 빠른 성장이 예상되는 전력 반도체 사업에 진출할 수 있는 기반을 마련하게 됐다는 점에서도 의미가 크다. 회사는 이번 협력을 바탕으로 전력 반도체의 신뢰성과 기술력을 더욱 높이겠다는 방침이다. 시장조사기관 야노경제연구소에 따르면 2022년 전 세계 전력반도체 시장은 239억 달러(한화 약 32조2천230억원)에서 2030년 370억 달러(약 48조원)로 성장할 전망이다. LB세미콘 관계자는 "DB하이텍과의 기술 협력을 통해 미래 성장 동력을 확보하고, 급성장하는 차세대 고부가 전력 반도체 시장을 주도할 수 있는 기반을 마련하게 됐다"고 말했다.

2024.12.04 09:44장경윤

로옴·발레오, 차세대 파워 일렉트로닉스 분야서 공동 개발

발레오(Valeo) 그룹과 주요 반도체 및 전자부품 메이커인 로옴은 파워 일렉트로닉스 매니지먼트에 관련된 노하우를 집약해 트랙션 인버터용 차세대 파워 모듈을 개발하기 위해 파워 일렉트로닉스 분야의 전문 지식을 융합해 공동 개발을 추진한다고 26일 밝혔다. 그 첫번째 성과로서, 로옴은 SiC(실리콘 카바이드) 몰드 타입 모듈 'TRCDRIVE pack'을 발레오의 차세대 파워 트레인 솔루션에 제공한다. 발레오는 e-바이크 등의 소형 차량 및, 주류로 사용되는 승용차, 나아가 대형 e-트럭에 이르기까지 다양한 차량 타입과 시장에서의 효율적인 전동 모빌리티로 대응 영역을 확대하고 있다. 발레오가 보유한 메카트로닉스 및 열 제어, 소프트웨어 개발의 전문 지식을 로옴의 파워 모듈과 조합함으로써, 파워 일렉트로닉스 솔루션을 추진하여, 전 세계 자동차 시스템의 성능, 효율, 탈탄소화에 기여해 나갈 것이다. 발레오와 로옴은 2022년부터 협력을 개시하여 전동차(EV) 및 플러그인 하이브리드 자동차(PHEV)의 추진 시스템에서 중요한 부품인 트랙션 인버터의 성능과 효율 향상을 위한 기술 교류를 실시해 왔다. 양사는 파워 일렉트로닉스의 개량을 통한 냉각의 최적화 및 메카트로닉스 통합으로 방열성을 개선해 고효율을 실현함으로써 코스트 퍼포먼스의 적정화를 도모한다. 또한 SiC 패키지의 채용을 통해, 시스템 전체의 신뢰성도 향상시킨다. 이러한 기술의 진화는 주행 거리 연장, 고속 충전 기능, 그리고 BEV 및 PHEV용 고성능 및 합리적인 가격의 인버터를 요구하는 수요에 대응하기 위해 꼭 필요하다. 발레오는 2026년초에 프로젝트로서 첫번째 시리즈를 공급할 예정이다. 발레오와 로옴은 차세대 xEV 인버터의 효율성 향상과 소형화에 기여한다.

2024.11.26 17:32장경윤

中, 12인치 'SiC 웨이퍼' 최초 공개…기술력·시장 급성장

중국이 메모리, 파운드리에 이어 차세대 전력반도체 핵심 소재인 SiC(실리콘카바이드) 웨이퍼 산업에서도 두각을 나타내고 있다. 지난해 급격한 매출 성장세를 기록한 것은 물론, 최근 기술력 면에서도 의미있는 성과를 거뒀다. SiC 웨이퍼는 SK실트론 등 국내 기업들도 사업 확대를 노리는 분야로, 중국의 공세에 미리 대응해야 한다는 목소리가 제기된다. 22일 업계에 따르면 중국 SiC 웨이퍼 전문기업 SICC는 최근 유럽에서 열린 '세미콘 유럽 2024'에서 업계 최초로 300mm(12인치) SiC 웨이퍼를 발표했다. SiC는 기존 실리콘(Si)을 대체할 차세대 전력반도체 소재다. 실리콘 대비 고온·고압에 대한 내구성이 높고, 전력 효율성이 뛰어나다. 덕분에 전기자동차 산업을 중심으로 수요가 꾸준히 증가하고 있다. 다만 SiC 웨이퍼는 기술적 난이도가 매우 높은 분야로 평가 받는다. 현재 실리콘 웨이퍼가 대부분 8·12인치용으로 제작되는 반면, SiC 웨이퍼는 6인치가 주류를 이루고 있다. 8인치는 울프스피드, 인피니언 등 해외 소수 기업만이 초도 생산을 시작한 상태다. 이러한 상황에서 중국 SICC의 12인치 SiC 웨이퍼의 개발 소식은 업계의 주목을 받고 있다. 반도체 업계 관계자는 "현재 SiC 반도체 시장이 8인치로 전환되는 과정에 있기 때문에, 당장 12인치 웨이퍼가 시장성을 가진 것은 아니다"면서도 "그러나 중국 웨이퍼 제조업체가 기술 리더십을 선점했다는 측면에서는 무시할 수 없는 행보"라고 설명했다. 실제로 중국은 SiC 웨이퍼 시장에서 상당한 입지를 굳히고 있다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면, 지난해 기준 전 세계 SiC 웨이퍼 제조기업의 매출 순위에서 중국 기업은 2위(Tankeblue), 4위(SICC), 6위(semiSiC)에 올랐다. 이들 기업은 2022년만 해도 매출 순위가 그리 높지 않았으나, 1년만에 급격한 매출 성장세를 기록했다. 특히 SICC의 경우 매출이 804%나 증가하면서, 기술력과 시장성 측면에서 모두 유의미한 성과를 얻었다. 중국이 이처럼 SiC 산업에서 두각을 드러낼 수 있었던 주요 배경 중 하나는 정부의 적극적인 지원 정책이다. 중국은 SiC와 GaN(질화갈륨) 등 차세대 전력반도체 소자를 '3세대 반도체'로 규정하고, 관련 산업에 투자하는 기업에 보조금을 지급해 왔다. 2017년 시행된 13차 5개년 규획, 2021년 14차 5개년 규획 등에 이 같은 내용이 모두 포함돼 있다. 또 다른 관계자는 "중국 SiC 웨이퍼 기업들은 탄탄한 내수 전기자동차 시장을 등에 업고 성장할 수 있어, 산업적으로 유리한 위치를 점하고 있다"며 "공급량을 확대하면 SiC 웨이퍼 수익성이 하락하는 등 부수적인 여파까지 미칠 수 있다"고 강조했다. 한편 국내에서는 SK실트론이 미국 듀폰의 SiC 사업부를 인수해 관련 사업을 진행하고 있다. 쎄닉, 아르케 등 스타트업들도 SiC 웨이퍼 양산을 위한 준비에 매진하고 있다.

2024.11.22 13:07장경윤

韓, 반도체 자율공장 표준 리더십 활동..."美·日 대비 부족해"

"반도체 기업이 표준을 활용해 새로운 기술을 검토하면 개발 속도나 효율성을 높일 수 있다는 장점이 있습니다. 현재 한국에서도 자율공장과 관련한 표준 제정 위원회 2개 분야에 속해 있다. 다만 일본, 미국 등에 비하면 참가 수가 적은 것이 현실입니다." 최진혁 삼성전자 수석은 18일 서울 양재 엘타워에서 열린 '2024 반도체 표준화 포럼'에서 국내 반도체 업계의 자율공장 관련 표준화 노력 현황에 대해 이같이 밝혔다. 해당 포럼은 글로벌 반도체 표준을 개발하는 국제전기기술위원회(IEC), 국제반도체표준협의회(JEDEC) 및 국제 반도체 관련 협회 SEMI의 전문가들이 모인 자리다. 또한 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업들도 참석했다. 이날 '한국 자율공장 워킹그룹'에 대해 발표를 진행한 최 수석은 한국을 비롯한 여러 국가의 표준화 활동에 대해 소개했다. 현재 SEMI에서 표준을 제정할 수 있는 기술 위원회(Global Technical Committee)는 총 21개로 구성돼 있다. 이 중 자율공장과 관련한 위원회는 ▲시설(Facilities) ▲가스(Gases) ▲액체 소재(Liquid Chemicals) ▲정보 및 제어(Information & Control) ▲자동화 기술(Automation Technology) ▲이력관리(Traceability) 등 9개다. 이 중 한국은 시설과 정보 및 제어 2개 분야의 위원회에 속해 있다. 일본은 9개 분야 모두에 속해 있으며, 미국은 8개, 유럽은 6개, 대만은 3개 분야다. 전 세계 반도체 시장에서 한국이 차지하는 위상을 고려하면, 표준 제정에 대한 리더십이 다소 약하다는 평가가 나온다. 이와 관련 최 수석은 "타 국가에 비해 한국이 참여하는 위원회 수가 적은 것은 사실"이라며 "이에 가입을 추진할 수 있는 기술 분야를 몇 가지 고려하고 있고, 특히 이력관리 분야를 주목하고 있다"고 설명했다. 또한 국표원은 포럼에서 지난 5월 발표한 '첨단산업 국가표준화 전략'의 한 분야인 '차세대 반도체 표준화 전략'과 IEC에 제안한 인공지능용 반도체 '뉴로모픽 소자 특성평가' 표준의 개발 성과를 발표했다. 반도체 표준화 전략은 2027년까지 첨단 패키징, 전력반도체 등 차세대 분야 신규 국제표준 15종, 2031년까지 총 39종을 개발하고, 한·미 양국 및 JEDEC, SEMI와의 협력 등 글로벌 표준화 우호국 확보를 위한 계획을 담고 있다. 오광해 국표원 표준정책국장은 “이번 포럼은 글로벌 반도체 표준을 주도하는 IEC, JEDEC, SEMI 세 기구의 전문가들이 함께 모여 상호 협력 방안을 모색하는 뜻깊은 자리"라며 “우리나라의 반도체 초격차 기술 확보를 지원하고, 국제기구에서 표준 리더십 강화를 위해 산·학·연 전문가의 국제 표준화 활동을 다방면으로 지원해 나가겠다”고 밝혔다.

2024.11.18 16:27장경윤

시지트로닉스 "센서·GaN 반도체 사업 본격화…신규 팹 건설"

지디넷코리아가 한국경제의 든든한 버팀목인 소·부·장(소재·부품·장비), 반도체·디스플레이, 배터리 등 핵심 기반 산업을 이끄는 [소부장반디배] 기업 탐방 시리즈를 새롭게 시작합니다. 유망 기업들의 정확하고 깊이 있는 정보를 전달해 드리겠습니다. [편집자주] “고성능 센서로 스마트워치, 스마트링, 메디컬 시장 공략을 가속화할 계획입니다. 신규 사업인 질화갈륨(GaN) 전력 반도체 사업도 통신과 국방 분야로 확대하며 새로운 성장동력을 마련하고 있습니다.” 2008년 설립된 시지트로닉스는 정전기 방전용 ESD(Electro Static Discharge) 소자, 센서, 첨단 화합물 전력 반도체 기술을 보유하고 직접 생산까지 하며 특화반도체를 전문으로 하는 종합반도체(IDM) 기업이다. 지난해 8월 코스닥 시장에 상장됐다. 시지트로닉스의 주력 사업은 ESD로 지난해 기준 전체 매출의 64%를 차지한다. ESD는 전자제품에 정전기와 같이 갑작스러운 과도전압(Surge)에 노출되는 경우, 이를 억제해 전자기기 내부의 회로를 보호하는데 사용되는 소자다. 최근 회사는 매출 구조를 다각화하기 위해 고성능 센서 소자와 화합물 반도체 비중을 확대하고 있다. 특히 시지트로닉스가 기술 난이도가 높은 화합물 전력반도체에서 도전할 수 있는 배경에는 GaN 에피(Epi) 및 소자분야 박사인 심규환 대표의 역할이 크다. 심규환 대표는 38년간 화합물 전력반도체 분야에 몸담은 베테랑이다. 1986년 한국전자통신연구원(ETRI)에서 화합물 전력반도체 개발에 18년간 전념했다. 그는 1992년 미국 일리노이대에서 GaN 박사학위를 취득하며 세계적 수준의 기술력을 쌓아왔고, 2004년부터 2022년까지 전북대학교 반도체과학기술학과 교수로 재직했다. 또한 시지트로닉스는 15년 이상 반도체 설계 경력을 가진 전문 인력들로 구성돼 있어, 특화반도체 기술력에서 자신감을 보인다. 지디넷코리아는 이달 초 수원 나노기술원에 위치한 시지트로닉스 '수도권 사무소'에서 심규환 대표를 만나 미래 사업 계획에 대해 이야기를 나눴다. 이 곳은 시지트로닉스가 지난 2월 R&D와 세일즈를 강화하기 위해 마련한 거점이다. 센서 사업 확장…스마트워치·스마트링에 공급 확대 시지트로닉스는 고성능 센서 부문에서 신사업으로 BB-PD(Broad Band Photo Diode) 센서를 플립칩 방식으로 개발해 스마트워치와 스마트링 등 웨어러블 시장을 공략 중이다. 회사는 지난해 세계 1위 스마트폰 제조사의 스마트워치에 심박수와 산소포화 등을 측정하는 센서를 공급하는 성과를 냈고, 올해는 해당 기업의 스마트링에도 센서를 공급하며 입지를 다졌다. 그 결과 시지트로닉스의 센서 매출 비중은 지난해 8.6%에서 올해 상반기 13.3%로 눈에 띄게 상승했다. 심 대표는 “현재 고객사의 차세대 스마트워치에 이원화 방식으로 센서를 공급하기 위해 퀄테스트를 진행 중이며, 내년 후속 모델을 위한 센서도 개발하고 있다”라며 “센서 공급 물량을 지속해서 늘리는 것을 목표로 한다”고 말했다. 그는 이어 “최근에는 IR 이미터(Emitter) 센서를 개발해 고객사에 샘플을 제공했고, 내년부터 본격적으로 양산 판매를 시작할 예정이다”고 덧붙였다. IR 이미터 센서는 적외선 발광소자(LED)의 일종으로, 빛이 물체에 반사되거나 물체를 통과하는 것을 감지하는 센서다. 로봇, 스마트폰 등에서 장애물 감지, 제스처 인식, 거리 측정 등에 활용될 수 있다. 더 나아가 시지트로닉스는 센서 사업을 의료용 웨어러블 시장으로 확장할 계획이다. 심 대표는 “아직까지 의료 분야에서 스마트워치와 스마트링의 사용률은 낮지만, 향후 환자 추적 관찰용으로 병원에서 웨어러블 디바이스를 의무적으로 사용할 가능성이 높다”며 “의료용 웨어러블 시장 공략을 위해 다양한 센서 개발을 추진하고 있다. 아울러 로봇도 센서 수요가 빠르게 늘고 있는 신시장으로 주목된다”고 설명했다. 전력반도체 사업 본격화…신규 팹 내년 건설 시지트로닉스는 반도체 생산 핵심기술 중 하나인 에피(Epi) 기술과 전라북도 완주에 자체 6인치 웨이퍼 팹을 보유하고 있다는 것이 강점이다. 에피 공정은 실리콘(Si), SiC(실리콘 카바이드), GaN(갈륨 나이트라이드) 소재로 만들어진 웨이퍼 위에 추가적으로 다른 결정 구조를 갖는 박막을 성장하는 공정을 의미한다. 회사는 자체 파운드리 라인인 M-FAB(멀티 프로젝트 팹)에서 ESD, 센서, 국방용 전력반도체, 화합물 반도체 등을 모두 생산하고 있다. 최근 시지트로닉스는 화합물 반도체 사업 확장에 나서면서 전북 익산에 부지를 추가로 확보하고 신규 팹을 증설하기로 결정했다. 신규 팹은 내년 건설을 시작해 2026년부터 화합물반도체를 주력으로 양산할 계획이다. 심 대표는 “화합물 반도체 사업을 확대하기 위해 전공정 및 후공정 장비를 지속적으로 추가하며 생산라인을 구축하고 있다”며 “현재 일부 물량은 근처 협력사를 통해 생산 중이며, 내후년 공장이 완공되면 생산량을 크게 늘릴 수 있을 것”이라고 말했다. 시지트로닉스는 국내에서 유일하게 갈륨아세나이드(GaAs), GaN(갈륨 나이트라이드), 갈륨옥사이드(Ga2O3), 실리콘카바이드(SiC) 등 화합물 반도체 기술을 보유한 기업이다. 그 중에서 GaN을 미래 먹거리로 낙점했다. 심 대표는 “GaN을 기반으로 전력반도체와 RF(Radio Frequency) 소자에 주력할 계획”이라며 “GaN 전력반도체는 수요가 높은 데이터센터 전력 시스템, 재생에너지 시장을 적극 공략하고, GaN RF 소자는 무선 및 위성 통신기기, 레이다와 같은 국방 분야 등을 타겟하고 있다”고 말했다. GaN 전력 반도체는 데이터센터 전력 시스템에서 전력 소모를 줄여줄 뿐만 아니라, 서버의 발열을 낮춰 냉각 비용 절감 효과도 있어 빠르게 성장 중이다. 시장조사업체 욜디벨롬먼트에 따르면 GaN 소자는 2021년 1억2천600만 달러에서 2027년 20억 달러로 연평균 59%의 고성장이 예상된다. 내년 매출 최대 2배 증가 전망...해외 영업 강화 시지트로닉스는 올해 매출이 전년 보다 늘어나고, 내년에는 올해 보다 큰 폭의 증가세가 예상된다고 밝혔다. 심 대표는 “내년 흑자전환을 위해서 최선을 다할 것”이라고 강조하며 “ESD 매출이 지속적으로 증가하고 있고, 센서 부문에서도 본격적인 매출이 발생하기 시작했다. 또 신제품 센서 출시가 예정돼 있어 내년 매출이 올해보다 최대 2배에 이를 가능성도 있다”고 전망했다. 또한, 최근 K-국방산업이 급격히 성장하는데 역외수출금지의 통제가 심화됨에 따라 다양한 군용 특화반도체의 국산 자립화용 M-FAB을 유일하게 보유한 회사로서 장기적 성장도 기대된다. 시지트로닉스는 신규 고객사 확보를 위해 해외 영업을 강화할 방침이다. 심 대표는 “지금까지 해외 현지 에이전시를 통해 영업 활동을 해왔지만, 더 적극적인 고객사 확보를 위해 중국 등지에 해외 영업사무소 개소를 검토하고 있다”고 전했다.

2024.11.13 14:00이나리

DB하이텍 3분기 영업익 492억원...전년比 2% 감소

DB하이텍이 3분기 연결기준 영업이익 492억원으로 전년 보다 2% 감소했다고 5일 공시를 통해 밝혔다. 3분기 매출액은 2천894억원으로 전년 동기 대비 8% 증가했으며, 영입이익률은 17%다. DB하이텍은 "주력제품인 전력반도체의 매출 증가 영향이 있었고 응용분야 별로는 자동차·산업·의료기기의 매출이 상승했다"며 "다만 투자에 따른 감가상각비, 전력비 상승 등의 영향으로 영업이익이 소폭 감소했다"고 설명했다. DB하이텍은 2020년에서 2024년까지 생산능력 증대, 신규 공정 등에 총 1조원에 이르는 투자를 진행했다고 밝힌 바 있다. DB하이텍은 지난 10월에도 8인치 웨이퍼 3만5천장 증설이 가능한 2천500억원 규모의 클린룸 확장 투자를 발표했다. 반도체 시장 회복기에 대비한 선제적인 준비로, 수요 회복에 즉각 대응하고, SiC 등의 차세대 전력반도체 신사업 분야에도 빠르게 진입할 수 있도록 준비한다는 전략이다. DB하이텍 관계자는 "향후 고전력반도체, 특화이미지센서 등 고성장·고부가 신사업을 확대하고, 클린룸 확장 등을 통해 수요에 긴밀하게 대응하며 지속 성장할 계획"이라고 밝혔다. 한편, DB하이텍은 이달 5일부터 6일까지 국내 기관 투자자를 대상으로 3분기 기업설명회를 개최할 예정이다.

2024.11.05 10:54이나리

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