• ZDNet USA
  • ZDNet China
  • ZDNet Japan
  • English
  • 지디넷 웨비나
뉴스
  • 최신뉴스
  • 방송/통신
  • 컴퓨팅
  • 홈&모바일
  • 인터넷
  • 반도체/디스플레이
  • 카테크
  • 헬스케어
  • 게임
  • 중기&스타트업
  • 유통
  • 금융
  • 과학
  • 디지털경제
  • 취업/HR/교육
  • 생활/문화
  • 인사•부음
  • 글로벌뉴스
AI페스타
배터리
양자컴퓨팅
IT'sight
칼럼•연재
포토•영상

ZDNet 검색 페이지

'전력반도체'통합검색 결과 입니다. (55건)

  • 태그
    • 제목
    • 제목 + 내용
    • 작성자
    • 태그
  • 기간
    • 3개월
    • 1년
    • 1년 이전

차세대 전력반도체 장비 국산화로 시장 뚫는다

국내 반도체 제조장비 업계가 SiC(탄화규소)·GaN(질화갈륨) 등으로 대표되는 차세대 전력반도체 시장 공략에 적극 나서고 있다. 기존 해외 기업들이 주도하던 제품을 국산화해 최근 국내외 고객사들을 대상으로 적극적인 프로모션과 데모 테스트에 나섰다. 지난 14일부터 19일까지 개최되는 부산 벡스코(BEXCO) 내 '제22회 국제탄화규소 학술대회(ICSCRM 2025)' 행사장에서는 이러한 국내 장비 기업들의 성과와 노력을 직접 확인할 수 있다. 장비업체 테스는 SiC 전력반도체의 핵심 공정인 에피(Epi) 성장을 위한 HTCVD(고온CVD) 장비 'TRION'을 상용화했다. CVD는 화학 반응을 통해 웨이퍼 표면에 얇은 막을 형성하는 공정을 뜻한다. 해당 장비는 기존 독일 엑시트론, ASM 자회사 LPE 등 해외 기업들이 사실상 시장을 독점해 왔다. TRION은 1천650도 고온의 공정온도에서도 8인치 웨이퍼 내의 온도 편차를 5도 이하로 제어할 수 있다. 또한 공정 가스 분사 시 두께, 도핑의 균일도를 미세하게 조절할 수 있는 노즐 기술도 갖췄다. 테스 관계자는 "기존 DUV(심자외선) LED 분야에서 쌓아온 CVD 기술을 토대로 개발된 TRION은 경쟁사 대비 장비의 성능 및 생산효율성, 가격 경쟁력 면에서 모두 우위를 갖추고 있다"며 "현재 데모 설비 구축을 완료하고, 국내외 고객사들과 공급 논의를 진행 중"이라고 설명했다. 나아가 테스는 오는 2027년께 12인치 SiC 전력반도체에 대응하는 신규 CVD 장비도 출시할 계획이다. 현재 SiC 전력반도체 시장이 6인치에서 8인치로 넘어가는 것처럼, 향후 2~3년 뒤 12인치 시장이 개화할 것이라는 전망에서다. 제우스는 급속열처리(RTP) 장비로 관련 시장에서 두각을 드러내고 있다. RTP는 짧은 시간 동안 웨이퍼에 고온 환경을 조성해 소재의 전기적 특성을 개선하는 공정이다. 앞서 제우스는 지난 2023년 전력반도체용 RTP 장비인 'RHP'를 공개한 바 있다. 해당 장비는 평직물 구조의 텅스텐 할로겐 램프를 동심원 형태로 구성해, 열을 균일하게 전달한다. 제우스는 약 2년 전부터 해외 주요 SiC 기업인 온세미와 RTP 장비 평가를 진행해, 현재 테스트를 완료했다. 또한 국내 SiC 소자기업과도 공급계약을 체결했다. 제우스 관계자는 "중국 등 주요 전력반도체 시장 공략도 추진 중"이라고 설명했다. 이오테크닉스는 기존 메모리에 적용했던 레이저 어닐링 장비를 SiC 등 타 분야로도 확장하는 방안을 추진 중이다. 어닐링은 이온 주입 후 손상되는 웨이퍼의 결정 구조를 복원하기 위해 표면을 국소적으로 가열 및 냉각하는 공정이다. 웨이퍼 전체에 열을 가하던 기존 기술과 달리, 레이저는 필요한 부분에만 국소적으로 어닐링을 진행할 수 있어 미세 공정 구현에 용이하다. 이오테크닉스 관계자는 "전력반도체용 레이저 어닐링 장비는 기존 일본 장비기업이 주도하던 분야로, 이오테크닉스도 SiC 분야로 꾸준히 프로모션을 진행 중"이라고 밝혔다. SiC·GaN은 기존 실리콘 대비 고온 및 고전압에 대한 내구성이 뛰어나며, 전력효율성이 높은 차세대 전력반도체 소재다. 특히 SiC는 내구성이 더 뛰어나 전기차 등 자동차 시장에서 수요가 급격히 증가하고 있다. GaN은 스위칭 속도가 빨라 고주파 환경의 무선 통신에 선제적으로 적용됐으며, 점차 적용처가 확대되는 추세다.

2025.09.17 11:20장경윤

삼성전자, SiC 전력반도체 상용화 고삐..."최대한 빨리할 것"

삼성전자가 차세대 전력반도체 소재로 각광받는 SiC(탄화규소, 실리콘카바이드) 시장에 주목하고 있다. 구체적인 상용화 시점은 밝혀지지 않았으나, 현재 8인치 공정을 중심으로 연구개발에 매진하고 있는 것으로 알려졌다. 홍석준 삼성전자 부사장(CSS사업팀장)은 15일 부산 벡스코에서 열린 '제22회 국제탄화규소 학술대회(ICSCRM 2025)'에서 기자와 만나 "자세한 일정을 말할 수는 없으나, SiC 전력반도체를 빨리 상용화하기 위해 노력하고 있다"고 말했다. ICSCRM은 전 세계 주요 반도체 기업들이 모여 SiC 업계 동향 및 신기술을 공유하기 위해 마련된 행사다. 삼성전자가 이 행사에서 기조연설을 진행한 것은 이번이 처음이다. SiC는 차세대 전력반도체로 각광받는 소재다. 기존 실리콘 대비 고온 및 고전압에 대한 내구성이 뛰어나며, 전력효율성이 높아, 전기차·에너지 등 산업 전반에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 특히 방대한 양의 데이터 처리가 필요한 AI 산업에서도 중요성이 대두되고 있다. 삼성전자 CSS 사업팀과 시장조사업체 욜디벨롭먼트의 조사에 따르면, SiC 반도체 시장은 지난해 34억 달러에서 오는 2030년 104억 달러(한화 약 13조8천억원)로 연평균 20.3%의 성장률을 나타낼 전망이다. 산업 별로는 자동차 시장이 71%의 점유율로 가장 높은 비중을 차지할 것으로 보인다. 홍 부사장은 "SiC는 전력 시스템이 직면한 구조적인 문제를 해결할 차세대 솔루션으로 각광받고 있다"며 "SiC의 도입을 가로막던 높은 단가도 소재, 부품, 장비에 이르는 업계 전체의 노력 덕분에 비용이 빠르게 절감되고 있어, 대규모 채택이 현실화될 수 있는 조건이 만들어지고 있다"고 말했다. 이에 삼성전자는 지난 2023년 말 신설된 CSS 사업팀 주도로 8인치 SiC 전력반도체를 개발해 왔다. 8인치는 반도체 웨이퍼의 직경을 뜻한다. 기존 SiC 6인치 웨이퍼가 주류였으나, 근래에는 8인치 웨이퍼가 활발히 도입되고 있다. 다만 삼성전자가 SiC 사업에 본격적으로 진출하는 시점은 아직 예측하기 힘들다는 게 업계의 시각이다. 관련 사업에서 시장성을 확보할 만큼 기술력이 고도화되지 않았고, 삼성전자가 또 다른 전력반도체 소자인 GaN(질화갈륨)의 8인치 파운드리 사업을 먼저 추진하고 있어서다. 당초 GaN 파운드리 상용화 목표 시기는 올해였으나, 본격적인 사업 개시 시점은 빨라야 내년이 될 가능성이 유력하다. 홍 부사장은 "회사의 일정을 자세히 말씀드릴 순 없으나, SiC 사업 진출을 최대한 빨리 하려고 한다"며 "전력반도체 분야는 단순히 제품을 만드는 것이 아닌 고객사와의 협업을 통한 경쟁력 확보가 중요해 소수의 기업만이 살아남게 될 것"이라고 강조했다.

2025.09.15 13:57장경윤

DB하이텍, 650V GaN HEMT 공정 확보…10월 MPW 진행

8인치 파운드리 전문기업 DB하이텍은 차세대 전력반도체인 650V E-Mode GaN HEMT(전계모드 갈륨나이트라이드 고전자이동도 트랜지스터) 공정 개발을 마무리 짓고, 고객이 제품을 시험 생산할 수 있는 GaN 전용 MPW(멀티 프로젝트 웨이퍼)를 10월 말 제공한다고 11일 밝혔다. GaN 소재의 반도체는 기존 Si(실리콘) 기반의 반도체에 비해 고전압, 고주파, 고온에 강하며 전력 효율이 높아 SiC(실리콘카바이드) 등과 함께 최근 차세대 전력반도체로 각광받고 있다. 특히 전기차, AI(인공지능) 데이터센터, 고속 충전, 5G, 로봇 등의 신규 고성장 분야에서 수요가 급증하는 추세다. 시장조사기관인 욜디벨롭먼트에 따르면, GaN 시장은 2025년 5억3천만 달러에서 2029년 20억1천300만 달러로 연평균 약 40%로 급속 성장할 전망이다. 이번에 DB하이텍이 개발한 650V E-Mode GaN HEMT는 그 가운데서도 고속 스위칭과 안정성이 특징으로 전기차 충전기, 데이터센터의 전력변환기, 5G 통신 분야 등에서 활용도가 높다. DB하이텍은 시장이 초기 단계이던 2022년부터 GaN, SiC 등 화합물반도체를 차세대 사업으로 정하고 공정 개발을 진행해 왔다. DB하이텍 관계자는 "세계 최초로 0.18um BCDMOS(복합전압소자)를 개발하는 등 Si 기반 전력반도체에서 이미 글로벌 기술경쟁력을 인정받고 있으며, GaN 공정의 추가로 전력반도체 파운드리 기업으로서 회사의 경쟁력이 더욱 강화될 것으로 기대된다"고 밝혔다. DB하이텍은 이번 650V GaN HEMT 공정 개발을 시작으로 IC(집적회로) 형태로 설계할 수 있는 200V GaN 공정과 650V GaN 공정을 2026년 말까지 순차 개발할 예정이다. 이후에는 시장 상황과 고객의 수요 등을 고려해 더 넓은 전압대까지 공정을 확장하며 사업 기반을 견고히 할 계획이다. 이에 발맞춰 DB하이텍은 현재 충북 음성에 있는 상우캠퍼스에 클린룸 확장 또한 추진 중이다. 회사 측에 따르면 신규 클린룸은 8인치 웨이퍼 월 3만 5천 장가량을 증설할 수 있는 규모로, GaN을 비롯해 BCDMOS, SiC 등이 생산될 예정이다. 증설이 완료되면 DB하이텍의 생산능력은 현재 15만 4천 장 대비 23% 증가한 19만 장이 된다. 한편, DB하이텍은 현재 개발 중인 SiC 기술력 홍보와 강화를 위해 다음 주인 9월 15일부터 18일까지 부산 벡스코에서 개최되는 ICSCRM 2025(국제탄화규소학술대회)에 참가한다. DB하이텍은 이 자리에서 SiC를 포함한 GaN, BCDMOS 등 전력반도체 최신 기술 개발 현황을 선보이고, 고객 및 업계 관계자와 만날 예정이다.

2025.09.11 16:26장경윤

테스, SiC 전력반도체용 핵심장비 상용화 성공

반도체 전공정 전문 장비업체 테스는 SiC(탄화규소) 전력반도체 핵심장비 상용화에 성공해 본격적인 출시를 시작한다고 8일 밝혔다. SiC 전력반도체의 핵심 공정인 에피(Epi) 성장을 위한 HTCVD(고온CVD)는 기술 난이도가 높아 그동안 유럽, 일본의 업체가 사실상 공급을 독점해온 장비다. 테스는 2016년부터 판매 중인 DUV(극자외선) LED용 고온 MOCVD의 핵심기술을 활용해, SiC 전력소자 성장 장비인 HTCVD 'TRION'을 3년만에 상용화했다. TRION의 핵심 기술은 1천650도 고온의 공정온도에서도 8인치 웨이퍼 내의 온도 편차를 5도 이하로 가능하게 하는 'TRION 스페셜 RF 히터' 와 공정 가스 분사시 두께, 도핑의 균일도를 미세하게 조절할 수 있는 'TTPN(튜너블 트리플 페어 노즐; Tunable Triple Pair Nozzle)' 기술이다. 테스는 "독자 기술을 통해 에피 성장의 성능을 결정하는 온도 균일도 향상은 물론, 고객사 유지보수의 편의성과 생산성을 획기적으로 개선했다"며 "또한 TTNP 기술로 가스의 양, 속도, 방향을 미세하게 조정함으로써 최상의 8인치 두께 및 도핑 균일도를 확보했다"고 설명했다. 테스는 해당 제품을 오는 14일부터 부산 벡스코에서 개최하는 ICSCRM 2025에서 소개할 예정이다.

2025.09.11 13:00장경윤

칩스케이, GaN 전력반도체 'HighGaN' 국제상표 등록 완료

질화갈륨(GaN) 전력반도체 설계 전문 기업 칩스케이는 세계지식재산기구(WIPO)를 통해 GaN 전력반도체 기술에 대한 국제상표 등록을 완료했다고 1일 밝혔다. 칩스케이는 제09류(전력반도체, 전력변환 장치 등)에 해당되며 등록 명칭은 'HighGaN'이다. HighGaN은 칩스케이의 GaN 기반 전력반도체 소자가 높은 성능(High performance)과 신뢰성(High reliability)을 가지고 있다는 의미로 상표 등록을 통해 칩스케이는 기술의 브랜드화 및 글로벌 IP 포트폴리오 강화에 나선다는 계획이다. 칩스케이는 국내 최초로 실리콘 기판 위에 갈륨 나이트라이드 층을 성장시킨 웨이퍼(Gan-on-Si) 기반 650V급 전력반도체 양산을 시작으로 고속 충전기·AI 데이터센터·산업용 전원 장치 등 다양한 응용 분야로 제품 공급을 확대 중이다. 연평균 35% 이상 고성장을 기록 중인 GaN 전력반도체 시장에서 칩스케이는 글로벌 고객 및 파트너사에 HighGaN 브랜드를 통해 기술 신뢰성과 제품 차별성을 알리고 신규 객사 마케팅에 집중할 계획이다. 곽철호 칩스케이 대표는 "HighGaN 브랜드 확보는 단순한 명칭 등록을 넘어 기술 정체성과 차세대 시장 주도권 확보를 위한 전략적 조치"라며 "양산 기술력과 더불어 브랜드 가치까지 강화해 나가겠다"고 밝혔다. 칩스케이는 2017년 설립된 GaN에 특화된 전자소자 설계 전문 팹리스로, 고성능 전력반도체 분야에 주력하며 차별화된 기술 경쟁력을 확보하고 있다. GaN은 대표적인 화합물 반도체 소재로 기존 실리콘(Si) 대비 높은 전력 효율성과 고속 스위칭, 고온 안정성, 소형화로 전기차, 에너지 저장장치(ESS), 데이터센터 등 전력 인프라 핵심 소재로 주목받고 있다.

2025.07.01 13:50장경윤

日 르네사스, 전력용 반도체 전략 수정…매출 목표 5년 연기

일본 반도체 기업 르네사스 일렉트로닉스가 전력 반도체 생산 전략을 수정했다. 27일 니혼게이자이신문에 따르면 르네사스는 전기차(EV) 시장 성장 둔화 여파로 전력용 반도체 전략을 5년 연기했다고 발표했다. 지난 2022년 회사는 오는 2030년 매출 목표를 200억달러로 설정한 바 있다. 당시 시가총액도 10조엔(약 700억달러) 이상으로 키운다는 계획을 발표했으나, 최근 EV 및 산업용 반도체 시장의 부진을 감안해 목표 연도를 2035년으로 재설정했다. 이 소식에 르네사스 주가는 26일 기준 전일 대비 12% 급락한 1천735.5엔에 장을 마감했다. 지난 5년간 일일 주가 하락률이 두 자릿수를 기록한 것은 단 여섯 차례에 불과하다. 2024 회계연도 기준 르네사스의 매출은 1조3천480억엔(약 92억8천만달러)에 그쳤으며, AI 데이터센터용 반도체 수요 확대에도 불구하고 자동차 및 산업용 반도체 부진이 실적 부진으로 이어졌다. 한편 르네사스는 미국 반도체업체 울프스피드의 구조조정 부담으로 상반기에 약 2천500억엔 규모의 손실을 볼 것으로 관측된다. 해당 구조조정 과정에서 르네사스는 울프스피드에 예치된 20억6000만달러를 전환사채, 보통주, 워런트 형태로 전환할 예정이다.

2025.06.28 08:09전화평

"차세대 화합물 전력반도체 기술수준 선도국 80% 이하”

차세대 화합물 전력반도체 수요가 급증하고 있지만 국내 기술 수준은 선도국의 80% 이하에 머물러 있다는 지적이 제기됐다. 한국산업기술진흥원(KIAT·원장 민병주)이 17일 서울 반포 JW메리어트 서울에서 개최한 '제11회 산업기술정책포럼'에서 발제를 맡은 홍익대 차호영 교수는 “차세대 화합물 전력반도체 분야에서 국내 기술 수준은 선도국 대비 80% 이하 수준에 불과하다”며 “인력·공급망·자금 등 산업 기반이 전체적으로 취약한 만큼, 중장기 전략을 세워서 산학연 간 협업으로 대응해야 한다”고 강조했다. 전력반도체는 전기를 효율적으로 변환하고 제어하는 역할을 하는 반도체로 전기자동차나 신재생에너지 시스템, 서버·데이터센터, 5G 통신장비 등 고효율 전력 관리가 필수적인 분야에 필요하다. 최근 인공지능(AI) 인프라 구축과 탄소중립 대응이 중요해지면서 전력반도체 수요가 급증하는 추세다. 특히, 지금까지는 실리콘(Si)을 주로 사용했으나 최근 고전압 환경에 강하면서도 전력 손실이 적은 질화갈륨(GaN)·실리콘카바이드(SiC)가 차세대 전력반도체 소재로 떠올랐다. 비메모리 반도체 전문기업인 KEC의 김수성 최고기술경영자(CTO)는 “탄소중립과 전동화 흐름에 따라 전력반도체 산업이 빠르게 성장하는 중”이라며 “고전력·고효율 생산 기반에 집중해 전력반도체 특성을 극대화할 수 있는 국내 연구 환경과 공급망이 만들어지길 바란다”고 말했다. 민병주 KIAT 원장은 “전력반도체는 에너지 효율성과 산업 경쟁력을 좌우하는 핵심 전략 기술”이라며 “국내 기업이 세계적 수준의 경쟁력을 갖출 수 있게 전문 인력 양성, 기반 조성, 공급망 확보 등 다각도로 관련 업계를 지원하겠다”고 말했다. 한편, 산업기술정책포럼은 KIAT가 산업기술 진흥에 필요한 정책을 발굴하기 위해 연구기관·기업 관계자들의 의견을 수렴하는 자리다.

2025.06.17 13:35주문정

韓, '꿈의 반도체 소재' SiC 연구 지속…현대차 움직임 뚜렷

국내 주요 기업이 차세대 전력반도체 소재로 꼽히는 실리콘카바이드(SiC) 개발을 지속하고 있다. 특히 현대자동차의 특허 공개 활동이 뚜렷한 상황으로, 전력 모듈과 회로 분야에서 IP(설계자산) 리더십을 확보한 것으로 분석된다. 4일 프랑스 특허·기술 리서치 기업 노우메이드(KnowMade)에 따르면 국내 반도체 업계는 SiC 반도체와 관련한 특허를 매년 꾸준히 확보하고 있다. SiC는 실리콘(Si) 대비 고온·고압에 대한 내구성, 전력 효율성 등이 뛰어난 차세대 반도체 소재다. 이 같은 장점 덕분에 다양한 산업에서 수요가 확대되고 있으며, 특히 전기차(EV)용 전력반도체 분야에서 적극 채용될 것으로 전망돼 왔다. 다만 최근엔 전기차 시장의 캐즘(일시적 수요 침체) 현상이 심화되고, 중국 기업들의 시장 진입으로 경쟁이 가열되면서 SiC 반도체 기업들도 침체에 접어들고 있다. SiC 시장서 점유율 4위를 기록해 온 미국 울프스피드는 지난달 파산보호 신청 우려에 휩싸였으며, 일본 르네사스도 최근 현지 신공장에서 전기차용 SiC 전력반도체를 생산하려던 계획을 철회한 것으로 알려졌다. 현대자동차·쎄닉 등 SiC 연구개발 활발…LG는 축소 그럼에도 국내 반도체 업계의 SiC 관련 연구개발(R&D)은 비교적 견조하다는 평가가 나온다. 주요 기업·기관으로는 LG, 현대자동차, SK그룹과 한국전기연구원(KERI), 포스코 산하 포항산업과학연구원(RIST), SiC 웨이퍼 제조 스타트업인 쎄닉 등이 있다. 이들 6개 기업은 국내 SiC 관련 특허 공개 수의 3분의 2를 차지하고 있다. 특히 현대자동차가 SiC 관련 특허를 꾸준히 공개하고 있는 것으로 나타났다. 그룹 내 전장·반도체 관련 자회사인 현대모비스 주도로, 지난 2021년부터 매년 10건이 넘는 특허를 공개해 왔다. 주로 SiC 반도체의 후방 산업에 해당하는 소자 및 모듈, 회로 분야에서 강세를 보이고 있다. SiC 웨이퍼 제조업체인 쎄닉의 활동도 두드러진다. 지난 2021년부터 특허 공개가 시작돼, 잉곳 웨이퍼 등 전방 산업 분야에서 기술개발을 적극 진행해 온 것으로 알려졌다. 이 회사는 지난 2021년 SKC에서 분사돼 설립된 스타트업으로, 8인치(200mm) SiC 웨이퍼 양산을 목표로 하고 있다. 반면 LG화학과 LG전자, LG이노텍 등으로 대규모 SiC 특허 포트폴리오를 구축했던 LG그룹은 관련 연구개발이 활발하지 못한 것으로 관측된다. 지난 2021년 LG이노텍이 국내 팹리스인 LX세미콘에 SiC 특허를 이전한 이래로, 특허 공개 수가 크게 줄어들었다.특허 양수 이후 SiC 반도체 개발을 추진했던 LX세미콘도 근 몇년 간 추가적인 특허 확보에 소극적이었던 것으로 나타났다. 韓 SiC 공급망, 전력 모듈 분야가 '약한 고리' 국내 주요 기업들이 SiC 공급망 전반에 대해 연구하는 것처럼 보이지만, 전력 모듈 분야는 가장 약한 고리로 남아있다는 것이 노우메이드의 분석이다. 레미 코민 노우메이드 수석연구원은 "SiC 패키징 및 전력 모듈과 관련된 특허 수는 2022년 이후 큰 진전을 보이지 않고 있다"며 "참여 기업(현대자동차, 아모센스, 제이엠제이코리아)의 수가 제한돼 있고, 2022년 이후 신규 진입한 기업의 수가 SiC 공급망 내 다른 분야에 비해 감소했기 때문"이라고 설명했다. 실제로 SiC 전력 모듈 분야의 주요 특허 출원기업인 현대자동차는 2022년 이후 패키징, 모듈, 회로 등의 분야에서 신규 특허를 10건만 공개한 것으로 집계됐다. 다만 국내 주요 반도체 제조기업 및 스타트업이 SiC 반도체 시장 진출을 계획하고 있다는 점은 긍정적으로 평가된다. 삼성전자와 DB하이텍, SK하이닉스의 자회사 SK키파운드리 등이 관련 연구개발과 설비투자 등을 진행해 왔다. 삼성전자는 지난 2023년 서강대학교와 SiC MOSFET(전류의 흐름을 제어하는 트랜지스터) 관련 특허를 공동 개발했으며, DB하이텍도 지난해 SiC MOSFET와 관련한 특허 3건을 공개한 것으로 나타났다.

2025.06.09 14:28장경윤

칩스케이, 650V GaN 전력반도체 국내 최초 양산 돌입

질화갈륨(GaN) 전력반도체 설계 전문 기업 칩스케이는 국내 최초로 650볼트(V)급 GaN 전력반도체 양산을 시작한다고 9일 밝혔다. 칩스케이는 GaN-on-Si(실리콘 기반 GaN)기술 기반의 650V 전력반도체 소자 4종을 해외 파운드리를 통해 생산해 고속 모바일 충전기, AI 데이터센터, 산업용 전원장치 등 차세대 전력반도체 시장 공략에 나선다. GaN은 기존 실리콘(Si) 대비 높은 전력 효율성과 고속 스위칭, 고온 안정성, 소형화로 전기차, 에너지 저장장치(ESS), 데이터센터 등 전력 인프라 핵심 부품으로 주목받고 있다. 그러나 기술 진입장벽이 높아, 국내 상용 제품이 전무해 수입에 의존해 왔다. 칩스케이는 설계 기술과 특허, 그리고 고온(150℃) 환경에서도 안정적으로 동작이 가능한 소자를 이용해 해외 경쟁사 제품 대비 속도와 효율을 높이고 에너지 손실을 최소화했다. 칩스케이의 GaN 전력반도체 기술은 기존 고속 충전기 분야에서 확장해 전력 수요가 급증하는 AI·클라우드 기반의 데이터센터 분야에 적용이 기대된다고 회사측은 설명했다. 곽철호 칩스케이 대표는 "국산 GaN 전력반도체의 첫 양산 성공은 기술 독립은 물론 향후 수출 경쟁력 확보에 큰 의미가 있다"며 "발열 제어 성능이 뛰어난 고방열기판(QST) 기반의 제품도 연내 신뢰성 테스트를 마친 후 라인업 확대에 나설 것"이라고 밝혔다. 한편 칩스케이는 칩 면적을 줄이고 회로 집적도를 높인 구동회로가 일체화 된 고집적 GaN SoC(시스템온칩) 기술도 개발 중이다.

2025.06.09 11:01장경윤

DB하이텍, 1분기 영업익 525억원…전년比 28% 증가

DB하이텍은 1분기 설적이 연결 기준 매출액 2천974억원, 영업이익 525억원(영업이익률 18%)으로 잠정 집계됐다고 28일 밝혔다. 전년 동기 대비 매출액은 14%, 영업이익은 28% 증가했다. DB하이텍은 미국 관세에 대비한 선주문과 중국 양산 내재화 및 내수 활성화로 전력반도체 수요가 급증하며 개선된 실적을 기록했다. 응용분야 별로는 자동차·의료기기의 매출이 상승했다. 회사 관계자는 “당사 1분기 공장 가동률이 90%대로 상승하였으며, 2분기에도 이와 같은 분위기가 이어질 것으로 기대된다”며 “전력반도체 등 주력 제품을 중심으로 기술 차별화와 고도화를 지속하는 동시에, 신규사업 준비도 차질 없이 진행하며 사업 경쟁력을 지속 강화해 나갈 것”이라고 밝혔다. 한편 DB하이텍은 이달 28일과 29일 양일간 국내 기관 투자자를 대상으로 2025년 1분기 경영실적 발표 기업설명회를 개최할 예정이다.

2025.04.28 09:08장경윤

DB하이텍, 獨 'PCIM 2025'서 SiC‧GaN 개발 현황 공유

8인치 파운드리 전문기업 DB하이텍은 다음달 6일부터 8일(현지시간)까지 독일 뉘른베르크에서 열리는 유럽 최대의 전력 반도체 전시회 'PCIM(Power Conversion and Intelligent Motion) 2025'에 참가한다고 7일 밝혔다. 이번 전시에서 DB하이텍은 업계 최고 수준의 기술력을 확보하고 있는 BCDMOS(복합전압소자)를 포함해, 특화 이미지센서 공정, 차세대 전력반도체로 주목받고 있는 SiC(실리콘카바이드)·GaN(갈륨나이트라이드) 공정 등의 최신 개발 현황을 공유할 계획이다. 특히 최근 DB하이텍이 미래 성장 동력으로 역량을 집중하고 있는 SiC와 GaN 전력반도체 공정이 이번 전시의 주축이 될 예정이다. DB하이텍은 지난 2월 모든 공정을 자체 소화한 SiC 8인치 웨이퍼의 기본 특성을 확보했다. 회사는 올해 수율 및 신뢰성 향상을 거쳐, 2025년 말부터 고객에게 공정을 제공할 계획이라고 밝혔다. GaN 8인치 공정은 650V HEMT(고전자 이동도 트랜지스터) 특성을 확보하였으며, 올해 안으로 신뢰성 확보를 마칠 계획이다. 또한, DB하이텍은 오는 10월 GaN 전용 MPW를 운영하여 고객들의 제품 평가를 적극 지원할 예정이라고도 발표했다. 반도체‧전자 분야 시장조사전문기관 욜 디벨롭먼트에 따르면, 글로벌 SiC, GaN 전력반도체 시장 규모는 2024년 36억 달러에서 2027년 76억 달러까지 확대될 것으로 기대되며, 연평균 27.6%의 높은 성장률이 예상된다. DB하이텍은 이번 전시에 대해 “팹리스 고객 지원과 협업에서 글로벌 고객사로부터 높은 평가를 받고 있는 당사의 강점을 유럽 고객들에게도 알리는 기회가 될 것”이라고 참가 목적을 밝혔다. DB하이텍은 8인치에 특화된 아날로그 및 전력 반도체 공정 서비스를 통해 글로벌 리더 위치를 유지하고 있지만, 유럽 고객의 비중은 타 지역에 비해 비교적 낮은 편이다. 이에 이번 전시에서 성장하는 유럽 시장에서 신규 고객을 발굴하고, 기존 고객과의 미래 사업 협력을 통해 유럽 파운드리 서비스를 강화한다는 설명이다. 한편 현재 DB하이텍은 400개 기업과 양산을 진행하고 있으며, 아날로그 및 전력 반도체 제품의 8인치 누적 출하량은 600만장에 이른다. 이 외에도 엑스레이, 글로벌셔터, SPAD(단일광자 포토다이오드)와 같은 특화 이미지 센서 공정 기술 경쟁력을 확보해 다양한 업체와 양산을 진행하고 있다. 응용 제품으로는 모바일, 소비가전, 산업용에 더해 최근 차량용 제품의 생산 비중이 지속 증가하고 있다.

2025.04.07 14:33장경윤

DB하이텍, 'GaN 전력반도체' 초기 사업 착수…"고객사 관심 많아"

DB하이텍이 신사업 진출에 대한 적극적인 의지를 드러냈다. 지난해까지 GaN(질화갈륨)·SiC(탄화규소) 등 차세대 전력반도체 초도 양산을 위한 시생산(파일럿)라인을 구축해 올해 GaN을 중심으로 초도 양산에 나설 계획이다. 12인치 파운드리 사업도 현재 정부와 투자 논의를 진행 중이다. 55나노미터(nm) 등 전력반도체 분야가 주요 타겟이 될 전망이다. 20일 조기석 DB하이텍 대표는 경기 부천 본사에서 열린 '제72기 정기주주총회'에서 회사의 향후 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. DB하이텍은 8인치 파운드리 전문기업이다. 반도체 레거시(성숙) 공정을 기반으로 한 PMIC(전력관리반도체), DDI(디스플레이구동칩), CIS(CMOS 이미지센서) 등을 주로 생산한다. 자회사 DB글로벌칩을 통해 팹리스 사업도 영위하고 있다. DB하이텍의 지난해 연 매출은 1조1천310억원, 영업이익이 1천950억원으로 집계됐다. 영업이익률은 17%다. 전년 대비 매출은 2%, 영업이익은 28% 감소했으나, 8인치 파운드리가 지난해 업황이 부진했다는 점을 감안하면 견조한 실적이다. 조 대표는 "국내외 정세의 불확실성이 높은 상황에서도 당사는 오래 쌓아온 기술 경쟁력을 바탕으로 가동률 하락을 최소화하고, 경쟁사 대비 높은 영업이익률을 기록했다"며 "2025년 현재 당사의 가동률은 90%를 상회하고 있어 매출과 영업이익의 회복 또한 기대되고 있다"고 말했다. 미래 성장동력 확보를 위한 12인치 파운드리, GaN(질화갈륨)·SiC(탄화규소) 화합물반도체 등 신사업 진출도 지속 추진할 계획이다. 조 대표는 "현재 정부와 12인치 파운드리 투자와 관련해 심도 깊게 논의하고 있다"며 "당사의 강점이 BCD 전력반도체기 때문에, 55나노 BCD 등을 목표로 개발을 진행할 것"이라고 설명했다. GaN·SiC 화합물반도체 사업을 위한 시생산(파일럿) 라인 구축도 지난해 완료했다. 올해 2·3분기께 초도 양산을 시작할 것으로 관측된다. 조 대표는 "기존 전력반도체 사업을 진행하다보니 관련 고객사들이 GaN·SiC 반도체에도 많은 관심을 보내고 있다"며 "GaN은 올해 초기 비즈니스에 착수할 수 있을 것으로 보이고, 내년도 말이나 내후년에는 SiC 관련 비즈니스도 진행될 수 있을 것으로 판단된다"고 말했다.

2025.03.20 10:48장경윤

매그나칩, DDI 사업 중단…"전력반도체 집중"

매그나칩은 디스플레이구동칩(DDI) 등 디스플레이 사업을 중단하고, 순수 전력 반도체 기업으로 전환하기로 결정했다고 13일 밝혔다. 이에 따라 매그나칩의 디스플레이 사업은 오는 5월에 발표할 1분기 실적에서 중단 사업으로 분류될 예정이다. 또한 매각, 합병, 합작법인 설립, 라이센싱, 사업중단 등을 포함한 전략적 옵션을 검토하고 추진하기로 했다. 김영준 매그나칩 대표이사는 "소중한 고객과 직원 모두를 고려할 때, 이번 결정은 이사회 및 경영진 입장에서 매우 어려운 결정이었다"며 "그러나 회사의 우선순위는 지속가능한 수익성을 확보해 주주 가치를 극대화해야 하기 때문에, 전력 반도체 사업에 집중할 것"이라고 밝혔다. 그는 이어 "2025년 4분기 말까지 손익분기점(EBITDA기준)을 달성하고, 2026년에는 조정 영업이익을 내고, 2027년에는 잉여현금흐름(free cash flow)을 달성하는 것을 목표로 한다"며 "이러한 각 목표는 3년 내에 30% 매출 총이익률, 3억 달러 매출을 달성하는 우리의 3-3-3 전략에 도달하는 데 도움이 될 것"이라고 강조했다. 전력 반도체 사업은 다양한 시장에 제품이 공급되고, 제품 수명 주기가 더 길고, 산업 성장률에 변동성이 상대적으로 적어 시장에 대한 예측이 비교적 수월하다. 매그나칩의 파워 디스크리트 및 파워 IC 사업은 2024년에 1억8천500만 달러의 매출을 달성해, 전년대비 13% 성장을 기록했다. 회사는 2025년에도 매출 성장을 기대하고 있다. 2007년에 전력 반도체 사업에 진출한 매그나칩은 Gen 5, Gen 6 IGBT, Gen 6 SuperJunction MOSFET, Gen 8 중저전압 MOSFET를 포함한 차세대 전력 반도체 제품 라인을 출시한다고 발표했다. 회사는 오늘 별도로 발표된 27개를 포함해 2025년에 40개 이상의 신제품을 출시할 계획이다. 신규 출시된 Gen 6 및 Gen 8 파워 제품들은 기존 제품보다 성능이 30% 향상됐으며, 다이 칩 크기가 줄어들어 웨이퍼당 사용 가능한 다이 수가 30% 이상 증가했다. 이러한 혁신적인 제품군은 자동차, 산업용 시장, AI, 그리고 100KW 이상의 고전류 응용 분야 등 새로운 고부가가치 시장 기회의 잠재력을 열어준다. 이 신제품들은 회사의 구미 제조 시설을 최적화하면서 웨이퍼당 더 높은 매출을 창출할 것으로 예상된다. 전력 반도체 비즈니스에 전념하려는 회사의 전략과 관련해, 매그나칩은 구미 공장을 전력 반도체 비즈니스에 더욱 최적화하고 시설 업그레이드를 하기 위해 향후 3년간 약 6천500만~7천만 달러(약 1천억원)를 투자할 계획이다. 최근 매그나칩은 회사의 기존 자산을 담보로 대출을 제공하는 장비 금융 신용 계약 을 체결해, 2천650만 달러(약 380억 원)를 확보했다. 이 대출의 이자율은 3.97%로 매 분기 조정되며, 10년 만기로 처음 2년은 이자만 납부하고 이후 8년 동안은 분할 상환하는 조건이다.

2025.03.13 09:03장경윤

인피니언, SiC 웨이퍼 '8인치' 전환 시작…"1분기 첫 출시"

인피니언 테크놀로지스는 올 1분기에 첨단 200mm SiC(실리콘카바이드) 기술 기반의 첫 번째 제품을 고객에게 출시한다고 17일 밝혔다. 오스트리아 빌라흐에서 제조되는 이 제품은 신재생 에너지, 열차, 전기차 등 고전압 애플리케이션을 위한 최상의 SiC 전력 기술을 제공한다. 또한 말레이시아 쿨림 소재의 인피니언 제조 시설은 150밀리미터 웨이퍼에서 더 크고 효율적인 200밀리미터 웨이퍼로 전환하는 작업을 순조롭게 진행하고 있다. SiC 반도체는 전기를 더욱 효율적으로 전환하고, 극한 조건에서 높은 신뢰성과 견고성을 제공하며, 더 작은 설계를 가능하게 함으로써 고전력 애플리케이션에 혁명을 일으켰다. 인피니언의 SiC 제품을 사용해 고객들은 전기 자동차, 고속 충전소, 열차뿐만 아니라 신재생 에너지 시스템 및 AI 데이터 센터를 위한 에너지 효율적인 솔루션을 개발할 수 있다. 인피니언은 그린 에너지로의 전환 및 CO2 감소에 기여하는 포괄적인 고성능 전력 반도체 포트폴리오를 제공하는 데 중점을 두고 있다. 인피니언 관계자는 "매우 혁신적인 와이드 밴드갭(WBG) 기술을 위한 '인피니언 원 버추얼 팹'인 빌라흐와 쿨림에 위치한 인피니언의 생산 공장은 SiC 및 갈륨 나이트라이드(GaN) 제조에서 빠른 램핑업과 원활하고 효율적인 운영을 가능하게 하는 기술과 공정을 공유한다"며 "200mm SiC 제조 활동은 전력 시스템 솔루션을 선도하는 인피니언의 실리콘, SiC 및 GaN을 포함한 전력 반도체 전체 스펙트럼에서의 기술 리더십을 더욱 강화한다"고 밝혔다.

2025.02.17 14:17장경윤

전기연구원 SiC 전력 반도체, 우주시장 진출 "꿈"

한국전기연구원(KERI)은 차세대반도체연구센터 서재화 박사 연구팀이 우주 환경에서 탄화규소(SiC) 전력반도체 소자의 방사선 내성을 평가할 수 있는 기술을 개발했다고 17일 밝혔다. 우주 방사선은 항공기나 탐사선(로버), 위성 등에 탑재되는 전력반도체의 전기적 특성을 심각하게 저하시키는 원인으로 손꼽힌다. 이때문에 미국과 유럽을 중심으로 방사선 영향 연구를 진행하고 있다. 우리나라는 아직 실리콘 전력반도체 단계에서 방사선 내성을 정량적으로 분석하는 수준에 머물고 있다. 서재화 박사는 "국내 최초로 고에너지 우주 환경 모사를 통해 SiC 전력반도체의 방사선 내성을 효과적으로 평가하는 데 성공했다"고 밝혔다. 서 박사는 "우주 방사선은 다양한 에너지 대역의 입자들로 구성돼 있다. 그중 양성자(proton)가 80~90%를 차지하기 때문에 극한 우주 방사선 실험 환경을 구현하는 것이 어렵다"고 설명했다. 연구팀은 한국원자력연구원이 보유한 가속기 시설의 고에너지 양성자(100 MeV)를 활용했다. 정확한 방사선 조사 조건을 구현하기 위해 국립경국대 윤영준 교수팀과도 협업했다. 연구팀은 극한 우주 환경 조건에서 직접 국산화한 SiC 전력반도체의 전압 변화, 피폭으로 인한 누설 전류 증가 및 격자 손상 등 영향성을 체계적으로 분석했다. 실제 우주 부품으로 SiC 전력반도체가 사용될 때의 장기적인 신뢰성을 보장할 수 있는 설계 기준도 마련했다. 연구결과는 핵·방사화학 분야 국제저널(Radiation Physics and Chemistry)에 최근 게재됐다. 향후 연구팀은 초고에너지급(200MeV 이상) 방사선 조건에서의 SiC 전력반도체 신뢰성 평가와 함께 '차세대 내방사(radiation-resistance) 전력반도체' 소자 개발을 추진할 계획이다. 서재화 박사는 "현재 경남도 및 2인치 다이아몬드 웨이퍼를 세계 처음 개발한 일본 기업 오브레이와 컨소시엄을 구성해 우수한 반도체 물성을 갖는 '다이아몬드를 이용한 미래형 전력반도체' 연구도 진행중"이라고 밝혔다. 서 박사는 "우주·항공뿐만 아니라 의료용 방사선 기기, 원자력 발전 및 방사선 폐기물 처리 설비, 군수·국방 전자제품 등 다양한 분야에 기술이 적용될 것”으로 기대했다.

2025.02.17 09:01박희범

김남석 LB세미콘 대표 "세계 OSAT 10위권 진입…매출 1兆 달성 목표"

LB세미콘이 향후 3~4년 뒤 회사의 매출을 1조원까지 성장시키겠다는 목표를 제시했다. 글로벌 OSAT(외주반도체패키징테스트) 10위권에 진입할 수 있는 규모다. 동시에 해외 시장을 중심으로 고객사를 다변화한다는 전략이다. 이를 위해 LB세미콘은 LB루셈과의 합병을 통해 전력반도체 사업을 크게 확대할 계획이며, 메모리 및 플립칩 패키징 등 신규 사업으로의 진출도 준비하고 있다. 김남석 LB세미콘 대표는 26일 서울 양재 모처에서 기자들과 만나 회사의 향후 성장 전략에 대해 이같이 밝혔다. ■ "DDI 의존 탈피…매출 1조원 및 해외 매출 비중 40% 달성할 것" LB세미콘은 국내 OSAT 기업으로, 삼성전자를 비롯한 국내외 고객사로부터 의뢰를 받아 범핑·테스트·백엔드(Back-End) 등의 공정을 수행한다. 주력 사업 분야로는 DDI(디스플레이구동칩)·모바일 AP(애플리케이션 프로세서)·CIS(CMOS 이미지센서)·PMIC(전력관리반도체) 등이 있다. 특히 DDI는 LB세미콘의 전체 매출에서 60~70%를 담당할 정도로 비중이 높다. 다만 DDI 시장은 스마트폰 및 PC 시장의 부진으로 최근 수요가 감소하는 추세다. 이에 LB세미콘은 중장기적 관점에서 회사의 신(新)성장 동력을 확보하기 위한 준비에 나섰다. ▲ AI·자동차 등 고전력 산업에 필요한 전력반도체 패키징 ▲ D램 등 메모리용 범핑 ▲ 플립칩 패키징 등이 핵심으로 꼽힌다. 김 대표는 "패키징 사업 분야 확대와 신사업 추진 등으로 오는 2027~2028년 매출 1조원과 글로벌 OSAT 기업 순위 10위권에 진입하는 것이 목표"라며 "해외 고객사 영업도 적극적으로 진행하고 있어, 해외 매출 비중이 기존 10%에서 40% 수준으로 끌어올릴 수 있을 것으로 기대한다"고 강조했다. 그는 이어 "구체적인 고객사를 밝힐 수는 없으나, 해외 주요 고객사 몇 곳과 내년도부터 사업을 시작한다"며 "새해에는 소규모지만 내후년부터 사업이 굉장히 커질 것"이라고 덧붙였다. ■ LB루셈과 합병해 전력반도체 시장 공략…日 고객사 공급 유력 먼저 전력반도체 패키징은 자회사 LB루셈과의 합병으로 주요 고객사에 '턴키(Turn-key)' 솔루션을 제공할 계획이다. 앞서 LB세미콘은 지난 10월 사업 간 시너지 효과 도모, 재무 건전성 강화 등을 목적으로 LB루셈을 흡수합병하겠다고 밝힌 바 있다. LB루셈은 전력반도체 공정을 위한 ENIG(무전해 도금) 공정 설치와 타이코(TAIKO) 그라인딩 공정에 투자해 왔다. 타이코 그라인딩은 일본 디스코사가 개발한 기술로, 웨이퍼의 가장자리를 남기고 연삭해 웨이퍼의 강도를 높인다. 이를 기반으로 LB세미콘은 BGBM(Back Grinding Back Metal)·RDL(재배선)·ENIG·타이코 그라인딩·MOSFET 웨이퍼 테스트에 이르는 전력반도체용 턴키 공정을 구축해, 해외 고객사와 테스트를 진행하기로 협의했다. BGBM은 실리콘 웨이퍼를 얇게 연삭한 뒤, 후면에 전기회로 역할을 하는 금속을 증착해주는 공정이다. LB루셈의 BGBM은 웨이퍼를 30마이크로미터(um), 도금을 50마이크로미터 수준으로 매우 얇게 구현할 수 있다. SiC(탄화규소)·GaN(질화갈륨) 등 차세대 전력반도체 시장도 공략한다. 이달 국내 파운드리 기업 DB하이텍과 협력해, 이들 반도체를 위한 패키징 및 테스트 서비스를 제공하기로 했다. 김 대표는 "LB루셈과의 합병으로 전력반도체용 패키징 솔루션을 턴키로 고객사에 제공할 수 있게 됐는데, 현재 상용화와 관련해 굉장히 빠른 진전을 이루고 있다"며 "내후년 일본 주요 고객사로부터 양산이 시작될 것이고, 국내 기업들과도 협력해 공급량을 확대하도록 할 것"이라고 설명했다. ■ 메모리·플립칩 시장 진출 기대…"역량 충분" 향후 메모리 시장으로의 진출도 기대된다. 현재 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들은 AI 산업의 성장에 맞춰 HBM(고대역폭메모리) 생산능력 확대에 주력하고 있다. 이를 위해 기존 범용 D램용 설비를 HBM에 할당하는 추세다. 이 경우 범용 D램의 패키징 공정은 외부에 맡기게 될 가능성이 크다. LB세미콘은 이러한 전망 하에 삼성전자·SK하이닉스로부터 DDR 및 GDDR(그래픽 D램) 모듈용 범프 공정을 수주하기 위한 논의를 진행 중이다. 플립칩 시장 진출은 국내 또 다른 OSAT인 하나마이크론과의 협력을 통해 추진하고 있다. 플립칩은 칩 위에 범프를 형성한 뒤 뒤집어 기판과 연결하는 패키징 기술로, 기존 와이어 본딩 대비 전기적 특성이 우수하다. 김 대표는 "국내 메모리 입장에서는 HBM 인프라를 효율적으로 늘리려면 기존 D램을 외주로 돌릴 수 밖에 없어, 윈-윈 효과를 기대하고 시장을 모니터링 중"이라며 "플립칩 패키징을 위한 범프 인프라를 충분히 갖춘 기업도 현재로선 국내에 LB세미콘 말고는 없다"고 밝혔다. 한편 LB세미콘은 기존 및 신사업 확대에 적기 대응하기 위한 설비투자도 준비하고 있다. 올해 평택 소재 일진디스플레이 공장을 인수해, 현재 라인 구축을 위한 설계를 진행하고 있다.

2024.12.26 16:28장경윤

KIAT, AI 3.1시대 혁신선도 '2025년 KIAT 10대 유망산업' 발표

한국산업기술진흥원(KIAT·원장 민병주)은 16일 인공지능(AI) 3.1 시대에 대한민국 경제 견인과 산업기술 혁신을 선도할 2025 KIAT 10대 유망산업을 발표했다. 10대 유망산업은 ▲전력 반도체 ▲폼팩터 디스플레이 ▲AI 헬스케어 ▲융합형 자율주행차 ▲그린 디지털 ▲순환 소재 ▲디지털 휴먼 ▲멀티모달 AI ▲지능형 자율제조 ▲온디바이스 AI이다. KIAT는 10대 유망산업 발굴을 위해 최근 출원된 국내·외 특허와 논문 키워드 분석을 통해 3대 영역 6대 분야별 기술 융합강도 분석을 거쳐 핵심기술 45개를 선정했다. 선정 과정에서 문헌·특허 빅데이터 분석, 요인 분석과 더불어 대국민 설문조사 결과를 반영하고 산학연 전문가 80여 명이 참여해 산업 선정의 객관성을 높였다. 총괄위원회에서 최종적으로 대국민 설문과 산업기술 육성 정책의 우선순위를 고려해 10대 유망산업을 선정했다. 2021년 이후 다섯 번째 발표하는 KIAT 10대 유망산업은 기술·이슈 중심의 일반적인 전망과 다르게 산업관점의 성장 흐름과 지원 영향 등을 고려해 선정된다. 올해는 AI의 혁신성과 지속가능성에 주목했다. AI가 산업에 적용될 경우 에너지를 효율적으로 활용할 수 있도록 해 생산력을 높이지만, 적용 과정에서 AI 가동을 위한 대규모 전력이 필연적으로 소모된다. 이에 탄소중립과 에너지 순환 분야를 고려해 환경을 보호하면서도 기술 발전 잠재력을 극대화할 수 있는 산업을 선정했다. 민병주 KIAT 원장은 “AI가 제조·의료 등 다양한 분야의 기반 기술로 작용하고 있고, 정부도 인공지능을 활용한 산업혁신을 적극 추진하는 상황에서 주목해야 할 유망산업을 선정했다”며 “최근 들어 미국 등 주요국의 대외 정책이 급변하며 글로벌 산업계가 재편되고 있는 가운데, 우리나라 기업들이 기회를 선점할 수 있도록 지원을 강화하겠다”고 말했다.

2024.12.16 11:01주문정

프랑스 메르센, 매출 17억 유로 목표 2년 연기…"전기차 수요↓"

프랑스 소재 업체 메르센이 매출 목표를 이룰 시점을 2년 미뤘다. 전기자동차 수요 부족 때문이라는 입장이다. 영국 로이터통신은 6일(현지시간) 메르센이 2027년 매출 17억 유로(약 2조5천억원)를 달성한다는 목표를 2029년으로 2년 연기했다고 보도했다. 메르센은 전기자동차에 들어가는 탄화규소(SiC·실리콘카바이드) 전력 반도체 소재를 만드는 회사다. SiC 전력 반도체는 실리콘(Si) 반도체보다 전기차 주행거리를 5~10% 늘린다고 알려졌다. 배터리도 보다 빠르게 충전할 수 있다. 루크 테멀린 메르센 최고경영자(CEO)는 “내년 전기차와 SiC 전력 반도체 시장이 침체될 것”이라며 “2026년 하반기 회복될 것 같다”고 말했다. 로이터는 전기차 수요가 약해 메르센이 매출 목표를 낮췄다고 평가했다. 주요국 경기가 둔화된 데다 전기차 보조금이 줄어든 게 전기차 수요가 감소한 이유로 꼽힌다.

2024.12.07 10:30유혜진

LB세미콘-DB하이텍, 전력반도체 개발 협업키로…내년 1분기 양산 목표

LB세미콘은 DB하이텍과 협력해 고전력소자 제품용 RDL(재배선층) 개선 제품을 개발 중이라고 4일 밝혔다. 양사는 2025년 1분기 양산을 목표로 RDL 기술 개발을 진행 중이다. 현재 제품 신뢰성을 높이는데 중점을 두고 있으며, 이를 위해 제품 구조 개선과 소재를 변경했다. LB세미콘은 특히 저비용을 목표로 하는 전력 반도체 RDL 개선 제품 개발에 집중하고 있다. DB하이텍과의 협업에는 LB루셈도 참여한다. LB세미콘은 프런트 사이드(Front Side) 공정을 맡고, LB루셈은 백 사이드(Back Side) 공정을 담당해 각사의 기술적 강점을 최대한 활용한다는 계획이다. 또한 LB세미콘은 DB하이텍의 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN) 제품 개발에도 참여한다. DB하이텍은 현재 8인치 SiC·GaN 반도체 신사업을 추진 중이다. SiC와 GaN은 차세대 전력 반도체 소재다. 기존 실리콘 기반 반도체보다 물성이 좋아 전기차, 에너지저장장치(ESS), 인공지능(AI) 응용처 등에 쓰인다. LB세미콘과 LB루셈은 이번 협업을 통해 안정적인 파운드리 파트너를 확보하게 됐다. 또 빠른 성장이 예상되는 전력 반도체 사업에 진출할 수 있는 기반을 마련하게 됐다는 점에서도 의미가 크다. 회사는 이번 협력을 바탕으로 전력 반도체의 신뢰성과 기술력을 더욱 높이겠다는 방침이다. 시장조사기관 야노경제연구소에 따르면 2022년 전 세계 전력반도체 시장은 239억 달러(한화 약 32조2천230억원)에서 2030년 370억 달러(약 48조원)로 성장할 전망이다. LB세미콘 관계자는 "DB하이텍과의 기술 협력을 통해 미래 성장 동력을 확보하고, 급성장하는 차세대 고부가 전력 반도체 시장을 주도할 수 있는 기반을 마련하게 됐다"고 말했다.

2024.12.04 09:44장경윤

로옴·발레오, 차세대 파워 일렉트로닉스 분야서 공동 개발

발레오(Valeo) 그룹과 주요 반도체 및 전자부품 메이커인 로옴은 파워 일렉트로닉스 매니지먼트에 관련된 노하우를 집약해 트랙션 인버터용 차세대 파워 모듈을 개발하기 위해 파워 일렉트로닉스 분야의 전문 지식을 융합해 공동 개발을 추진한다고 26일 밝혔다. 그 첫번째 성과로서, 로옴은 SiC(실리콘 카바이드) 몰드 타입 모듈 'TRCDRIVE pack'을 발레오의 차세대 파워 트레인 솔루션에 제공한다. 발레오는 e-바이크 등의 소형 차량 및, 주류로 사용되는 승용차, 나아가 대형 e-트럭에 이르기까지 다양한 차량 타입과 시장에서의 효율적인 전동 모빌리티로 대응 영역을 확대하고 있다. 발레오가 보유한 메카트로닉스 및 열 제어, 소프트웨어 개발의 전문 지식을 로옴의 파워 모듈과 조합함으로써, 파워 일렉트로닉스 솔루션을 추진하여, 전 세계 자동차 시스템의 성능, 효율, 탈탄소화에 기여해 나갈 것이다. 발레오와 로옴은 2022년부터 협력을 개시하여 전동차(EV) 및 플러그인 하이브리드 자동차(PHEV)의 추진 시스템에서 중요한 부품인 트랙션 인버터의 성능과 효율 향상을 위한 기술 교류를 실시해 왔다. 양사는 파워 일렉트로닉스의 개량을 통한 냉각의 최적화 및 메카트로닉스 통합으로 방열성을 개선해 고효율을 실현함으로써 코스트 퍼포먼스의 적정화를 도모한다. 또한 SiC 패키지의 채용을 통해, 시스템 전체의 신뢰성도 향상시킨다. 이러한 기술의 진화는 주행 거리 연장, 고속 충전 기능, 그리고 BEV 및 PHEV용 고성능 및 합리적인 가격의 인버터를 요구하는 수요에 대응하기 위해 꼭 필요하다. 발레오는 2026년초에 프로젝트로서 첫번째 시리즈를 공급할 예정이다. 발레오와 로옴은 차세대 xEV 인버터의 효율성 향상과 소형화에 기여한다.

2024.11.26 17:32장경윤

  Prev 1 2 3 Next  

지금 뜨는 기사

이시각 헤드라인

韓 최대 AI 행사 'AI 페스타' 개막…배경훈 장관 "AI, 국가 성장 핵심 축으로 삼을 것"

AI페스타, 공공·금융·제조 전방위 AI 혁신 제품 한자리에

최우혁 과기정통부 국장 "AI기술 확산, 보안 패러다임 전환 가속화"

오픈AI "韓 소버린 AI는 경쟁 아닌 파트너십…AI G3 도약 함께할 것"

ZDNet Power Center

Connect with us

ZDNET Korea is operated by Money Today Group under license from Ziff Davis. Global family site >>    CNET.com | ZDNet.com
  • 회사소개
  • 광고문의
  • DB마케팅문의
  • 제휴문의
  • 개인정보취급방침
  • 이용약관
  • 청소년 보호정책
  • 회사명 : (주)메가뉴스
  • 제호 : 지디넷코리아
  • 등록번호 : 서울아00665
  • 등록연월일 : 2008년 9월 23일
  • 사업자 등록번호 : 220-8-44355
  • 주호 : 서울시 마포구 양화로111 지은빌딩 3층
  • 대표전화 : (02)330-0100
  • 발행인 : 김경묵
  • 편집인 : 김태진
  • 개인정보관리 책임자·청소년보호책입자 : 김익현
  • COPYRIGHT © ZDNETKOREA ALL RIGHTS RESERVED.