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ASML, 1분기 실적 견조…"수주 부진·관세 불확실성 우려"

세계 유일의 EUV(극자외선) 노광장비 업체 ASML이 1분기 견조한 실적을 거뒀다. 다만 해당 분기 신규 수주액은 기대에 못 미치는 상황으로, 최근 불거진 관세 정책도 불확실성을 더하고 있다. ASML은 올 1분기 매출액 77억4천만 유로, 영업이익 27억4천만 유로를 기록했다고 16일 밝혔다. 매출은 전년동기 대비 46.4% 증가했으며, 전분기 대비로는 16.4% 감소했다. 영업이익은 전년동기 대비 96.8% 증가했으며 전분기 대비 18.4% 감소했다. 장비별로는 EUV 분야의 성장세가 두드러졌다. EUV 장비 매출액은 32억1천만 유로로, 전년동기 대비 76.2%, 전분기 대비 7.6% 증가했다. 이외에도 EUV의 하위 기술인 이머전 ArF(불화아르곤)은 매출 18억9천만 유로 등을 기록했다. 이번 ASML의 1분기 실적은 증권가 컨센서스에 대체로 부합하는 실적이다. 또한 연간 매출 가이던스는 300억~350억 유로로, 최근 불거진 미국과 중국 간의 관세 정책 속에서도 기존과 동일한 전망을 유지했다. 다만 올 1분기 신규 수주액은 기대치에 미치지 못했다. ASML은 1분기 신규 수주액으로 39억3천600만 유로를 제시했다. 블룸버그의 예상치인 48억2천200만 유로를 크게 밑도는 수치다. 크리스토프 푸케 ASML CEO는 "최근 떠오른 관세 정책이 새로운 불확실성을 만들고 있고, 잠재적인 시장 수요에 간접적인 영향을 미칠 수 있어 동향을 매우 주의 깊게 지켜봐야할 필요가 있다"며 "다만 현 시점에서는 여전히 올해 매출을 300억~350억 유로 사이로 보고 있다"고 말했다.

2025.04.16 17:06장경윤

"원자현미경(AFM)으로 글로벌 계측장비 기업 도약"

"파크시스템스의 AFM 장비는 기존 반도체 전공정에 이어 첨단 패키징으로 영역을 확장하고 있습니다. 대만 T사에 장비를 공급했고, 국내 기업과도 협업이 진행되고 있죠. 광학 기술 강화를 위한 M&A 등도 준비하고 있습니다." 박상일 파크시스템스 대표는 최근 경기 수원에 위치한 본사에서 기자들과 만나 회사의 향후 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. AFM 후공정 시장 진출…"대만 T사 이어 국내 기업과도 협업" 파크시스템스는 국내 유일의 AFM(원자현미경) 제조 기업이다. AFM은 미세한 크기의 탐침을 시료 표면에 원자 단위까지 근접시킨 뒤, 탐침과 표면 간의 상호작용으로 시료의 구조를 측정하는 장비다. 전자현미경(SEM) 대비 더 정밀한 나노미터(nm) 수준의 계측이 가능하고, 시료의 전자기적·기계적 특성 등을 확인할 수 있다는 장점이 있다. 덕분에 AFM은 EUV(극자외선)와 같은 최첨단 반도체 공정에서 수요가 꾸준히 증가해 왔다. 최근에는 반도체 후공정 산업에서도 기회를 잡았다. 현재 글로벌 빅테크들이 설계하는 AI·HPC(고성능컴퓨팅)용 반도체에는 2.5D와 같은 최첨단 패키징 기술이 필수적이다. 2.5D는 칩과 기판 사이에 얇은 인터포저를 삽입하는 기술로, 회로의 집적도가 높아 AFM의 필요성이 높아지고 있다. 실제로 파크시스템스는 대만 T사의 요청에 따라, 최첨단 패키징 공정향으로 복수의 AFM 장비를 공급한 것으로 알려졌다. 박 대표는 "매우 정밀한 수준의 계측이 필요한 첨단 패키징에서 현재 AFM이 유일한 솔루션으로 주목받고 있다. 파크시스템스 입장에서는 새로운 블루오션 시장이 열리는 것"이라며 "국내 기업들과도 협업이 진행되고 있다"고 말했다. 기술 저변 확대 위해 적극 투자…"추가 M&A 준비" 파크시스템스의 또다른 성장동력은 '제품 다변화'다. AFM에 다양한 광학 기술을 결합해, 각 수요에 따라 유연한 대응을 펼치겠다는 전략이다. AFM은 계측 성능이 뛰어나지만 기존 계측 기술들에 비해 생산성(쓰루풋)이 낮다. 이에 파크시스템스는 AFM의 속도를 높이는 한편, AFM에 WLI(백색광 간섭계)를 접목한 'NX-Hybrid WLI' 장비를 개발해냈다. WLI는 넓은 영역을 빠르게 계측할 수 있는 광학 기술로, AFM의 단점을 보완할 수 있다. 적극적인 M&A(인수합병)도 진행 중이다. 파크시스템스는 지난 2022년에는 이미징 분광 타원계측기(ISE) 및 제진대(AVI) 기술을 보유한 독일 '아큐리온'을 인수했으며, 올해 1월에는 디지털 홀로그래픽 현미경(DHM) 선도기업인 스위스 '린시테크'를 인수했다. DHM은 홀로그램으로 활용해 시료를 3D 스캔하지 않고도 다각도에서 스캔할 수 있는 기술이다. 기존 간섭계 광학 프로파일링 대비 이미징 속도가 100배 이상 빠르다. 박 대표는 "지속적으로 연관 기업을 인수할 예정으로, 현재도 활발하게 논의하고 있는 회사가 국내외에서 5개가 넘는다"며 "이외에도 광학 검사의 핵심인 광원 개발 기업에 지분 투자를 진행하고, 리니어 모터 기업과도 투자를 추진하는 등 협업을 강화하고 있다"고 강조했다. "글로벌 계측장비 기업으로 거듭날 것" 파크시스템스의 지난해 매출은 1천751억원, 영업이익은 385억원으로 집계됐다. 전년 대비 각각 20%, 39% 증가했다. 반도체를 비롯한 산업 전반의 설비투자가 위축된 상황에서도 매출액이 꾸준히 상승하고 있다. 나아가 박 대표는 파크시스템스를 글로벌 계측장비 기업으로 성장시키겠다는 포부를 드러냈다. 박 대표는 "계측장비의 수요가 한정돼 있다는 인식 때문에 대기업으로 성장할 수 없다는 인식이 깔려있는 것 같다"며 "그러나 써모피셔 사이언티픽, 칼 자이스, KLA 등 주요 기업들이 조 단위의 매출을 기록하고 있어, 이들과 같은 글로벌 기업으로 성장하는 것이 목표"라고 밝혔다. 회사의 성장을 위한 신사옥도 과천지식정보타운 내에 건설되고 있다. 총 641억원이 투입됐으며, 연먼적 5만4천173㎡ 규모에 지상 15층 및 지하 5층으로 지어진다. 올해 말 완공을 목표로 하고 있다.

2025.04.14 12:00장경윤

세메스, 차세대 반도체 KrF 스피너 '오메가 프라임' 국산화 성공

반도체 장비업체인 세메스는 반도체 포토공정용 트랙장비인 차세대 불화크립톤(KrF) 스피너(설비명 오메가 프라임)를 개발해 품질테스트를 통과했다고 7일 밝혔다. 스피너는 반도체 제조공정에서 웨이퍼에 미세회로(패턴)를 형성하기 위해 감광액(Photo Resist)을 골고루 도포하고 노광기에서 빛을 조사한 후에 다시 현상하는 설비다. 이 장비는 현재 일본의 T사가 시장점유율 90% 이상을 차지하고 사실상 독점하고 있으며, 국내 업체로는 세메스가 유일하다. 반도체에 회로를 새기는 노광 기술은 불화크립톤(KrF), 불화아르곤(ArF), 극자외선(EUV)으로 나뉜다. 세메스는 그동안 KrF 스피너를 비롯해 불화아르곤이머전(ArF-i) 장비를 생산해 왔다. 이번에 개발된 차세대 KrF 스피너 오메가 프라임 설비는 WLPAD(Word Line Pad) 공정에 대응이 가능할 뿐만 아니라, 시간당 웨이퍼 처리능력도 20% 이상 개선해 생산성을 향상시켰다고 회사측은 설명했다. 불화크립톤(KrF) 스피너 장비는 고청정, 고생산성, 고정밀도가 요구되는 3고 설비로서, 자동 보정 및 자동화 시스템을 적용해 공정의 산포를 획기적으로 개선해 수율 및 성능 향상에 기여할 것으로 전망했다. 장세연 세메스 포토팀장은 “오메가 프라임의 개발로 향후 수입대체 효과가 클 것으로 기대한다”며 “앞으로 고부가가치 중심의 차별화된 설비를 선보여 기술리더십을 주도하겠다”고 밝혔다.

2025.04.07 14:37장경윤

삼성·SK, 메모리 설비투자 속도…첨단 D램·낸드 수요 대비

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들이 올 상반기부터 설비투자에 속도를 내고 있다. 수요가 점차 확대되고 있는 첨단 D램 및 낸드의 비중을 늘리기 위한 전략이다. 이에 인프라와 전공정 협력사들 역시 장비 도입 등 대응에 분주한 것으로 알려졌다. 18일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스는 올 상반기 최선단 메모리 생산능력 확대를 위한 설비투자를 진행하고 있다. 삼성전자는 현재 국내외 주요 거점에서 전환 및 신규 투자에 나서고 있다. D램의 경우, 올 1분기부터 평택 제4캠퍼스에서 1c(6세대 10나노급) D램의 첫 양산라인을 구축하기 위한 설비 반입을 시작했다. 낸드는 전환 투자의 움직임이 뚜렷하다. 기존 6세대급의 구형 낸드를 8·9세대로 변경하는 작업이 주를 이루고 있다. 실제로 중국 시안 팹은 올 1분기 전환 투자를 위한 설비 발주가 시작된 것으로 파악됐다. 평택 제1캠퍼스(P1)에서도 8·9세대 낸드용 투자를 진행하는 방안을 추진하고 있다. 삼성전자는 지난해에도 P1에 8세대 낸드 투자를 진행했으나, 업황 등을 고려해 월 1만5천장 수준의 생산능력만 확보한 바 있다. 이르면 올 2분기께 당시 중단됐던 전환 투자가 다시 재개될 것으로 예상된다. 반도체 업계 관계자는 "그간 낸드 팹 가동률이 저조했고, 향후 있을 첨단 낸드 수요에 미리 대응하는 차원에서 삼성전자가 전환 투자를 계획 중"이라며 "시안 팹의 경우 전 세계적으로 공급망 불안정성이 높아지는 추세에 맞춰 투자에 더 속도를 내고 있다"고 설명했다. SK하이닉스는 청주 M15X 구축에 집중하고 있다. M15X는 최선단 D램 및 HBM(고대역폭메모리)을 담당할 신규 생산기지로, 총 20조원이 투입된다. 가동 목표 시점은 이르면 올해 4분기다. SK하이닉스가 예상보다 M15X에 대한 투자를 서두르는 분위기도 감지된다. 최근 클린룸을 비롯한 인프라 투자 일정을 당초 2분기 말에서 2분기 초로 앞당긴 것으로 파악됐다. 또 다른 업계 관계자는 "SK하이닉스가 주요 협력사를 대상으로 M15X 투자를 앞당기는 방안을 지속적으로 논의해 왔다"며 "내년 및 내후년으로 산정된 M15X향 설비투자 규모가 예상보다 늘어날 수 있다는 기대감이 나오고 있다"고 전했다.

2025.03.18 14:55장경윤

美, 中 첨단 반도체 전·후공정 옥죈다…"韓, 수출 요건 면밀히 봐야"

미국이 연일 중국에 대한 첨단 반도체 수출규제를 강화하고 있다. 최근엔 반도체 장비에 대한 규제범위를 확대하고, EUV(극자외선)을 대체할 첨단 노광기술 분야에 대한 접근을 차단하는 등 규제를 시행했다. 국내 반도체 장비업계 역시 중국 사업 확대에 제동이 걸릴 수 있다는 우려가 제기된다. 이와 대해 전문가들은 먼저 추가된 규제 요건을 면밀히 파악하고, 상황에 맞는 대비책을 세울 필요가 있다고 제언했다. 16일 서울 스페이스쉐어 삼성역센터에서는 '미국의 대중국 반도체 수출통제 강화 설명회'가 진행됐다. 미국산 IC칩 활용 안돼…FDPR 범위 넓힌다 앞서 미국 상무부 산하 산업안보국(BIS)은 지난 2일 중국에 대한 첨단 반도체 및 반도체 제조장비에 대한 새로운 수출 규제를 발표한 바 있다. 이번 규제로 중국에 대한 HBM(고대역폭메모리) 수출 금지, 중국 제재 기업 확대, 반도체 장비 수출에 대한 규제 등이 추가됐다. 장비 수출규제 범위에는 총 24종의 반도체 제조장비와 3종의 반도체 설계용 소프트웨어 툴이 포함됐다. 반도체 제조장비의 경우 첨단 칩 제조를 위한 식각, 증착, 노광, 이온주입, 어닐링, 계측, 세정 등 주요 공정 전반을 다룬다. 특히 이번 규제에서는 한국을 비롯해 말레이시아, 싱가포르, 이스라엘, 대만 등이 FDPR(해외직접생산품규칙) 면제국에 포함되지 않았다. FDPR은 미국이 아닌 타 국가에서 만든 제품도 미국산 소프트웨어나 장비, 기술 등이 적용되면 특정 국가로의 반입을 금지하는 제재다. FDPR의 조건도 2종이 추가됐다. 기존 FDPR은 미국 기술이나 소프트웨어로 생산된 외국산 제품, 또는 미국 기술이나 소프트웨어가 사용된 해외 시설에서 생산된 외국산 제품을 통제했다. 이번 규제에서는 미국 기술이나 소프트웨어가 사용된 생산품(특히 IC칩)을 포함하는 경우도 통제 대상으로 삼기 때문에 범위가 더 넓다. 예를 들어 반도체 장비기업 A사가 미국산 IC 칩을 단 한개라도 활용해, FDPR 규제에 포함된 반도체 장비를 한국에서 제조하는 경우에도 통제 대상에 오르게 된다. 인텔 등 미국산 IC칩은 사실상 반도체 장비에 필수적으로 활용된다. 이에 설명회에 참석한 반도체 장비업계 관계자들은 중국향 수출에 미칠 여파에 우려를 표했다. 이와 관련해 강은희 무역안보관리원 정책연구팀 팀장은 "먼저 수출품의 목적지 및 거래자, 수출 품목 등이 FDPR 규제 대상에 포함되는지 살펴볼 필요가 있다"며 "미국 기술을 활용하더라도 거래처나 제품군이 규제 대상이 아니면 영향을 받지 않기 때문"이라고 설명했다. EUV 대체 기술도 차단…첨단 노광 기술 접근 '원천봉쇄' 규제 품목에 새롭게 오른 장비들도 눈에 띈다. 미국은 반도체에 회로를 새기는 노광 공정용 장비에 고성능 나노 임프린트 노광(NIL) 장비를 추가했다. NIL은 웨이퍼에 감광액(PR)을 도포하고 그 위로 특정 패턴이 각인된 스탬프를 찍어 회로를 형성하는 기술이다. EUV 등 기존 노광 공정과 달리 렌즈를 쓰지 않기 때문에 비용이 저렴하다. NIL은 기존 통제 품목인 EUV의 대체재로 평가받는다. 7나노미터(nm) 이하의 첨단 공정에서도 향후 활용될 가능성이 있어, 일본 캐논 등이 관련 기술을 적극적으로 개발해 왔다. 결과적으로, 해당 규제는 중국이 대체재를 활용해 첨단 노광기술에 접근하려는 시도까지 막기 위한 전략으로 풀이된다. HBM 등 첨단 패키징에서 활용되는 TSV(실리콘관통전극) 식각장비도 규제 대상에 올랐다. TSV는 층층이 쌓인 각 D램이 데이터를 주고받을 수 있도록 하는 일종의 통로다. 이를 위해선 식각장비로 D램에 균일하고 미세한 구멍을 뚫어야 한다.

2024.12.16 18:07장경윤

"AI로 반도체 회로 예측"…韓 스타트업 기술에 SK·ASML도 '주목'

"크로사이트는 반도체의 성능 및 수율을 좌우하는 웨이퍼 회로의 정렬도를 예측할 수 있습니다. 반도체 공정을 위한 '전용 알고리즘' 덕분이죠. 반도체 업계의 오랜 염원을 해결한 것으로 내년 SK하이닉스, ASML 등 주요 기업과 테스트를 진행할 예정입니다." 지태권 크로사이트 대표는 최근 서울 모처에서 기자와 만나 회사의 핵심 솔루션 및 사업 방향에 대해 이같이 말했다. ■ 반도체 업계 '오랜 염원' 풀었다…오버레이 정밀 예측 올해 6월 설립된 크로사이트는 AI를 기반으로 반도체 제조 공정의 신뢰성·수율을 향상시키는 소프트웨어를 개발하는 스타트업이다. 램리서치·ASML 등 주요 반도체 장비기업과, 삼성전자·SK하이닉스·인텔 등 주요 반도체 소자업체에서 14년 이상 반도체 제조공정을 다룬 지태권 대표가 창업했다. 크로사이트의 핵심 경쟁력은 정밀한 '예측' 기술에 있다. 반도체 내부에는 수 많은 회로가 집적돼 있는데, 각 칩이 균일하고 바르게 정렬돼 있어야 안정적인 성능을 구현한다. 이 때 회로 상층부와 하층부가 틀어진 정도(오버레이), 각 회로 폭의 오차 정도(CD; 임계치수)를 봐야 한다. 다만 기존 물리적인 계측은 생산성 및 비용 문제로 전체 물량의 1% 수준만을 샘플 검사하는 수준에 그치고 있다. 또한 웨이퍼 상에 문제가 발견돼야만 수정이 가능하기 때문에, 공정에 대한 피드백 속도가 느릴 수밖에 없다. 이에 크로사이트는 자체 개발한 머신러닝(ML) 알고리즘을 기반으로, 반도체 장비에서 나온 각종 데이터를 분석해 오버레이·CD를 예측하는 솔루션을 독자 개발했다. 이를 활용하면 공정에 투입된 웨이퍼의 오버레이·CD를 0.2나노미터(nm) 수준까지 예측할 수 있다. 테스트 단계이긴 하나 정밀도 역시 98~99% 수준으로 매우 높다. 지 대표는 "범용 알고리즘으로는 오버레이·CD 예측 정확도를 50% 미만으로 밖에 구현할 수 없어, 크로사이트는 반도체 공정 전용 알고리즘을 개발했다"며 "오버레이 예측이 반도체 업계에서 오랜 숙제였기 때문에 매우 유용하게 활용될 수 있을 것"이라고 설명했다. ■ 반도체 수율 향상 가능…SK하이닉스·ASML와 협업 논의 현재 크로사이트는 반도체 제조의 핵심인 노광 공정에 자사 솔루션을 우선 적용할 계획이다. 노광은 빛을 통해 반도체 웨이퍼에 미세 회로를 새기는 기술이다. 이를 위해 크로사이트는 국내외 주요 반도체 소자와 장비업체를 모두 공략한다. 내년 상반기 SK하이닉스의 D램 공정에서 테스트를 진행할 예정이다. 최첨단 노광기술인 EUV(극자외선)을 전 세계에서 유일하게 상용화한 네덜란드 반도체 장비기업 ASML과도 테스트를 준비 중이다. 지 대표는 "노광을 시작으로 식각, 박막, 세정 등 다른 공정으로도 솔루션을 점차 확대해나갈 것"이라며 "공정 전반에서 오버레이 및 CD를 정확하게 예측해 반도체 수율을 지금보다 10% 포인트 높이는 것이 크로사이트의 궁극적 목표"라고 강조했다. 또한 크로사이트는 LLM(거대언어모델)을 기반으로 반도체 공정 상의 문제를 빠르게 해결할 수 있는 솔루션도 개발하고 있다. 반도체 공정에 특화된 알고리즘을 통해 복잡하게 얽힌 반도체 공정 내 인과관계를 자동으로 분류해주는 것이 핵심이다. 해당 솔루션은 세계적인 광학 분야 학술대회인 'SPIE 어드밴스드 리소그래피'의 발표 주제로 선정됐다. 발표 일정은 내년 2월경이다.

2024.12.08 09:00장경윤

韓 반도체 장비업계, 대중국 수출 규제에도 "기회 요소 충분"

미국의 대중(對中) 반도체 수출 규제 수위가 갈수록 높아지고 있다. 이에 따라 우리나라도 내년부터 중국 기업에 대한 반도체 장비 규제 대상에 포함될 예정이다. 다만 국내 반도체 장비기업들은 일부 최첨단 분야를 제외하면 영향은 적을 것으로 관측된다. 또한 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 규제 제외에 따른 단기적 수혜도 예상된다. 3일 업계에 따르면 국내 반도체 장비기업은 미국의 신규 대중(對中) 반도체 수출 규제에 따른 영향을 면밀히 파악하고 있다. 불확실성 높아지지만…"세부사항 따라 영향 無" 앞서 미국 상무부 산하 산업안보국(BIS)은 2일 중국에 대한 첨단 반도체 및 반도체 제조장비에 대한 새로운 수출 규제를 발표했다. 이번 규제로 중국에 대한 HBM(고대역폭메모리) 수출 금지, 중국 제재 기업 확대, 반도체 장비 수출에 대한 규제 등이 추가됐다. 국내 반도체 장비업계도 이번 미국의 결정을 예의주시하고 있다. 미국이 중국에 대한 반도체 장비 규제 대상국가에 한국, 말레이시아, 싱가포르, 이스라엘, 대만을 포함했기 때문이다. 구체적으로 미국은 총 24종의 반도체 제조장비와 3종의 반도체 설계용 소프트웨어 툴을 규제품에 명시했다. 반도체 제조장비의 경우 첨단 칩 제조를 위한 식각, 증착, 노광, 이온주입, 어닐링, 계측, 세정 등 사실상 주요 공정 대부분이 포함됐다. 반도체 업계 고위 관계자는 "이번 미국의 규제는 HBM과 HBM의 근간이 되는 D램용 전공정 분야에 특히 초점이 맞춰져 있다"며 "국내 투자가 위축된 상황에서 중국으로 활로를 찾았던 국내 장비업계로서는 사업에 대한 불확실성이 높아질 수 있다"고 설명했다. 다만 반도체 장비업계는 규제에 따른 여파를 면밀히 살펴봐야 한다는 입장이다. 미국의 규제가 공정 전반을 다루고는 있으나, 대체로 첨단 반도체 제조에만 국한돼 있기 때문이다. 중국 반도체 기업들은 국내 장비 협력사로부터 주로 레거시 반도체 제조용 장비를 수급하고 있다. 일례로 미국은 계측 장비에 대한 규제로 "21나노미터(nm) 이하의 결함을 검사할 수 있는 장비"라는 기준을 제시했다. 넥스틴 등 국내 기업이 상용화한 제품은 30나노급으로 계측이 가능해, 규제 기준에 포함되지 않는다. 21나노 급은 계측장비 업계 1위인 미국 KLA의 제품 중에서도 하이엔드급만 성능을 충족하는 것으로 알려져 있다. CXMT 규제 제외…내년도 수혜 지속 오히려 이번 미국의 대중 반도체 수출 규제에 안도의 한숨을 내쉰 기업들도 있다. 미국이 중국 내 반도체 및 제조장비 140여곳을 '우려거래자(Entity List)'에 포함시켰으나, CXMT는 명단에서 제외했기 때문이다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 레거시 제품의 생산능력을 지난해 월 12만장에서 올해 월 20만장으로 확장하고 있다. 이를 위해 국내 복수의 반도체 전공정, 인프라 장비업체로부터 설비를 발주해 왔다. 나아가 CXMT는 내년에도 중국 상하이 지역에 신규 공장을 건설할 계획이다. 최근 국내 장비업계와 구체적인 장비 도입을 논의한 것으로 파악됐다. 구체적인 설비 공급 시기나 규모는 각 장비업체마다 다르지만, CXMT는 신규 공장을 통해 최대 월 10만장 규모의 생산능력을 확충할 것으로 관측된다. 반도체 장비업계 관계자는 "국내 주요 고객사들이 투자에 소극적으로 나서면서 중국 시장의 비중이 커진 협력사들이 여럿 있다"며 "CXMT가 규제 명단에 올라가지 않으면서 국내 기업들도 장비를 지속 공급할 수 있게 됐다는 기대감이 나오고 있다"고 설명했다. 中 내재화 빨라질수도…장기적으론 '악재' 다만 중국 장비 기업의 기술 자립화가 빨라지고 있다는 점은 국내 반도체 장비업계의 장기적 악재로 지목된다. 현재 중국에는 중웨이반도체(AMEC), 나우라(Naura) 등이 첨단 반도체 제조장비 개발에 열을 올리고 있다. 식각 공정에 강점을 둔 AMEC는 대만 주요 파운드리 TSMC에 5나노 공정용 건식 식각장비를 공급했으며, 나우라 역시 14나노급 식각장비 개발에 성공한 바 있다. 이들 기업은 현지 정부의 지원과 탄탄한 내수 시장을 바탕으로 급격한 성장세를 기록해 왔다. 특히 미국의 규제를 의식해, 기술력 향상에 온 힘을 쏟고있다는 평가다. 반도체 업계 관계자는 "아직 성과가 나오려면 시간이 걸리는 분야도 있지만, 중국 반도체 장비기업들은 반도체 공정 전 분야에 걸쳐 기술 내재화를 적극 추진하고 있다"며 "장비 업계에서도 중장기적으로는 중국향 매출이 점차 줄어들 것으로 예측하는 곳이 많다"고 밝혔다.

2024.12.04 16:21장경윤

삼성, 차세대 반도체 인재 전진배치…VCT D램·웨이퍼 본딩 주목

29일 삼성전자가 반도체 초격차 회복을 위한 '인적 쇄신'을 단행했다. 차세대 반도체 기술을 이끌어 갈 핵심 인재를 다수 등용하고, 메모리·시스템반도체 전 분야에서 역량이 검증된 젊은 인재를 발탁해 미래 성장동력을 확보한다는 전략이다. 특히 반도체(DS) 부문에서는 수직 채널 트랜지스터(VCT)·웨이퍼 본딩 등 차세대 반도체 시장의 경쟁력을 선점하기 위한 핵심 인재를 승진시켰다는 점이 주목된다. 임성수 DS부문 CTO 반도체연구소 DRAM TD1팀 부사장(46세)은 D램 제품 공정 집적 전문가로, D램 스케일링의 한계 극복을 위한 세계최초의 VCT의 개발을 주도해 왔다. VCT는 트랜지스터를 수평으로 배치하던 기존 D램과 달리, 트랜지스터를 수직으로 집적해 셀 밀도를 획기적으로 끌어올린 차세대 메모리다. 삼성전자는 내년 VCT D램의 초기 샘플 개발을 목표로 하는 등 관련 제품 상용화를 적극 준비 중인 것으로 알려져 있다. 문광진 DS부문 CTO 반도체연구소 차세대공정개발3팀장 상무(51세)는 본딩·3D 집적 기술 전문가로, 차세대 제품용 웨이퍼 본딩 기술 개발을 주도하며 3차원 구조 제품 경쟁력을 확보했다. 웨이퍼 본딩은 기존 칩 연결에 쓰이던 솔더볼·범프 등을 활용하지 않고 웨이퍼끼리 직접 붙이는 첨단 패키징 기술이다. 반도체 다이(Die)를 서로 연결하는 D2D, 다이와 웨이퍼를 연결하는 D2W 방식에 비해 생산성이 뛰어나다. 또한 삼성전자는 40대 부사장을 다수 발탁해, 미래 경영자 후보군을 확대 및 강화했다. 배승준 DS부문 메모리사업부 DRAM설계3그룹장 부사장(48세)은 D램 I/O 회로 설계 전문가로, DRAM 제품의 고속 I/O 특성 확보에 기여하며 업계 최고속 10.7Gbps LPDDR5x 개발 등 D램 제품 경쟁력 강화를 주도했다는 평가다. 권오겸 DS부문 제조&기술담당 8인치 제조기술팀장 부사장(47세)은 로직 소자와 공정기술 전문가로 개발부터 양산 안정화, 고객 대응까지 프로세스 전반을 이끌며 레거시 제품 성능 및 사업 경쟁력을 강화했다. 한편 삼성전자는 이날 부사장, 상무, 펠로우(Fellow), 마스터(Master)에 대한 2025년 정기 임원 인사를 실시했다. 이번 인사에서는 부사장 35명, 상무 92명, 마스터 10명 등 총 137명이 승진했다. 작년(143명) 보다 소폭 줄어든 규모다.

2024.11.29 11:10장경윤

주성 등 반도체 장비업계 3Q 실적 선방…中서 활로 찾아

국내 반도체 전공정 장비업계가 올 3분기 예상보다 견조한 실적을 기록한 것으로 나타났다. 국내 주요 고객사의 투자 지연 및 축소, HBM(고대역폭메모리)용 후공정 투자 집중 등으로 업황이 부진하지만 중국 등 대체 시장을 적극 공략한 데 따른 효과로 풀이된다. 20일 업계에 따르면 피에스케이, 주성엔지니어링, 테스 등은 중국향 장비 공급 확대로 3분기 매출 및 수익성이 개선됐다. 올해 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 반도체 제조업체들은 IT 시장의 전반적인 부진, 불확실성 확대 등으로 투자에 보수적인 기조를 보이고 있다. 신규 설비 투자보다는 비용 효율성이 높은 전환투자에 집중하고 있으며, 최선단 D램과 HBM 등 특정 분야에 투자 쏠림 현상이 심화되는 추세다. 특히 삼성전자의 경우, 당초 계획했던 미국 테일러 파운드리 신규 팹에 대한 투자 계획이 일시적으로 보류된 상태다. 국내 제4 평택캠퍼스(P4)도 계획이 지속적으로 조정되고 있다. 파운드리 라인에 대한 투자를 보류했으며, 낸드 전용 라인은 D램을 함께 생산하는 '하이브리드' 라인으로 전향했다. 이에 국내 반도체 전공정 장비업계는 중국 등 대체 시장에서 활로를 찾고 있다. 피에스케이는 올 3분기 매출 1천180억원, 영업이익 291억원을 기록했다. 전년동기 대비 각각 25.6%, 14.4% 늘었다. 영업이익은 증권가 컨센서스(254억원)도 크게 상회했다. 남궁현 신한투자증권 연구원은 "피에스케이의 국내 매출 비중은 29%로, 이전 대비 3%p 축소된 것으로 분석된다"며 "대신 중화권 중심의 해외 고객사 수요가 증가하면서 수익성이 개선됐을 것"이라고 밝혔다. 주성엔지니어링은 올 3분기 매출 1천472억원, 영업이익 522억원을 기록했다. 전년동기 대비 매출은 71%, 영업이익은 744% 늘었다. 이민희 BNK투자증권 연구원은 "주성엔지니어링의 반도체 분야 매출은 942억원으로 수익성이 높은 중국 수출 비중이 이번 분기에도 4분의 3가량을 차지했다"며 "이에 수익성이 호조세를 보였다"고 설명했다. 테스는 올 3분기 매출 507억원, 영업이익 40억원을 기록했다. 증권가 컨센서스(매출 467억원, 영업이익 35억원)를 소폭 상회했다. 국내 주요 고객사의 장비 입고 일정 지연으로 전분기 대비 실적이 감소하기는 했으나, 지난해 말 확보한 중국 신규 고객사향 매출 확대가 본격화된 데 따른 영향으로 풀이된다. 실제로 중국 CXMT 등 메모리 기업들은 올해까지 범용 메모리 생산능력 확대를 위한 적극적인 투자를 진행해 왔다. CXMT 총 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해에는 월 20만장으로 크게 성장할 전망이다. 반도체 장비업계 관계자는 "올해 중국 기업들의 적극적인 설비투자로 국내 전공정 장비 기업 중 상당수가 수익성을 확보할 수 있었다"며 "다만 내년에는 국내 기업들의 밀렸던 투자가 재개되고, 중국 메모리 기업들의 투자 속도가 줄어들면서 다시 비중이 조정될 가능성이 높다"고 설명했다.

2024.11.20 12:53장경윤

뉴파워프라즈마, 3분기 누적 매출 1092억원…전년比 30% 증가

반도체 디스플레이 장비업체 뉴파워프라즈마는 3분기 별도기준 누적 매출액과 영업이익이 전년동기 대비 각각 30%, 191% 증가한 1천92억원과 237억원을 달성했다고 18일 밝혔다. 3분기 호실적은 ▲반도체 공정 미세화 수요 증가 ▲초정밀 식각(적층 수 증가, 나노 미세화) 확대 ▲수율 증가(불순물 제거)를 위해 세정 장치인 플라즈마의 필요성 확대에 따라 전세계 수요가 높아지고 있기 때문이다. 뉴파워프라즈마 관계자는 “당사의 플라즈마 기술은 기체가 이온화된 상태로 반도체, 디스플레이 공정에서 미세 식각, 증착, 클리닝 등 정밀공정에 필수적으로 사용되는 기술” 이라며 “특히 반도체, 디스플레이 전공정에 최적화된 플라즈마 토탈 솔루션을 모두 확보하고 있어 국내외 고객 수요 대응력이 높아 기존 국내 고객사는 물론 해외 고객사 다변화 및 비중 확대가 호실직으로 직결됐다”고 말했다. 이와 함께 3분기 연결기준 누적 매출액도 3천750억원을 달성해 역대 최고치를 경신했다. 이는 최첨단 복합소재기반 우주방산기업인 스페이스프로의 우주항공분야 신규수주 지속, UTG 글로벌 최고 기업 도우인시스의 폴더블 수요증가에 따른 매출성장 등 우량 자회사별 실적 경신이 뉴파워프라즈마의 폭발적 성장의 한 축으로 자리잡았다. 이에 대해 뉴파워프라즈마 측은 “당사는 물론 자회사 모두 끊임없는 기술개발을 기반으로 공략 시장을 선도하는 제품다변화에 주력해 해외시장 공략에 성공했다”며 “뉴파워프라즈마는 초정밀 반도체 및 디스플레이 글로벌 시장 공략에 주력하고, 우량 자회사별 사업역량 극대화로 글로벌 탑티어로 성장하고 2025년 성공적인 IPO도 추진해 주주와 함께 결실을 나누는 최고 기업으로 성장하겠다”고 밝혔다.

2024.11.18 14:06장경윤

삼성전자 'NRD-K' 라인 문 연다...이재용 '미래 반도체' 선점 시동

삼성전자의 미래 반도체 기술력을 이끌 신규 연구개발(R&D) 단지가 곧 문을 연다. 이달 최첨단 장비를 반입할 예정으로, 특히 1d D램과 V11·V12 낸드 등 차세대 메모리의 개발 가속화가 이뤄질 것으로 기대된다. 이재용 삼성전자 회장 역시 과거 이곳의 건설 현장을 둘러볼 만큼 많은 관심을 기울인 바 있다. 최근 삼성전자가 첨단 반도체 시장에서 경쟁력이 흔들리고 있다는 평가를 받고 있는 만큼, 신규 R&D 단지의 향후 운용 전략에 관심이 쏠린다. 3일 업계에 따르면 삼성전자는 이달 넷째 주 기흥 'NRD-K'를 공식 오픈하고, 장비 반입을 시작할 계획이다. NRD-K 프로젝트는 삼성전자가 기흥 캠퍼스에 건설 중인 차세대 반도체 R&D 단지다. 최첨단 반도체 공정에 대한 연구 및 생산, 유통이 모두 이뤄지는 복합형으로 구축된다. 삼성전자는 해당 단지에 오는 2030년까지 약 20조원을 투입하기로 했다. 이재용 삼성전자 회장도 지난해 10월 이곳 건설현장을 방문하는 등, 상당한 관심을 나타낸 바 있다. 당시 이재용 회장은 "대내외 위기가 지속되는 가운데 다시 한번 반도체 사업이 도약할 수 있는 혁신의 전기를 마련해야 한다"고 당부하며 위기에도 흔들리지 않는 기술 리더십과 선행 투자의 중요성을 강조했다. NRD-K 라인은 지난해까지 골조 공사 등 인프라 투자에 집중돼 왔다. 이어 지난해 말부터는 페이즈1(1단계)용 클린룸 구축을 시작했으며, 최근 장비 반입을 위한 준비를 어느 정도 마무리했다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 NRD-K 라인에 곧 클린룸 내부공사와 더불어 장비반입을 동시에 진행할 예정"이라며 "이르면 올 3분기부터 장비 반입이 진행될 예정이었으나, 일정이 다소 늦어져 삼성전자도 서두르는 분위기"라고 설명했다. 이번 NRD-K 라인 첫 오픈을 기점으로, 삼성전자는 차세대 반도체 기술력 선점을 위한 변혁에 속도를 낼 수 있을 것으로 기대된다. 현재 삼성전자는 CXL(컴퓨트익스프레스링크), PIM(프로세싱-인-메모리), 실리콘 포토닉스, BSPDN(후면전력공급), 3D 적층, 칩렛 등 다양한 첨단 반도체 전공정·후공정 기술을 개발하고 있다. 특히 삼성전자의 미래 먹거리로 다가올 1d D램(7세대 10나노급 D램)과, 500단 이상의 고적층 낸드인 V11, V12 등이 NRD-K 첫 라인의 목표가 될 가능성이 높다. 실제로 해당 라인에는 어플라이드머티어리얼즈(AMAT), 램리서치, TEL(도쿄일렉트론) 등 글로벌 주요 기업들의 최첨단 장비가 입고되는 것으로 알려졌다. 또 다른 관계자는 "당초 평택에서 진행돼 온 차세대 메모리 개발 건도 향후 NRD-K쪽으로 중심을 옮기게 될 것"이라고 밝혔다. 물론 NRD-K가 본격적으로 가동되는 시기는 내년으로 봐야한다. 현재 NRD-K는 건축법 상 절차가 남아있어, 임시사용승인만을 받은 상태다.

2024.11.03 08:49장경윤

삼성·SK, 차세대 D램서 '극저온' 신기술 경쟁 본격화

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 양대 기업이 차세대 식각 기술인 '극저온'에 주목하고 있다. 당초 해당 기술은 고적층 낸드를 타깃으로 개발돼 왔으나, 최근 차세대 D램에도 적용하기 위한 테스트가 진행되고 있는 것으로 파악됐다. 28일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업은 D램에 극저온 식각 기술을 적용하기 위한 준비에 착수했다. 식각은 반도체 제조공정의 핵심 요소로, 웨이퍼 상에 도포된 물질 중 필요없는 부분을 제거하는 공정이다. 메모리 및 시스템반도체 분야에 두루 쓰인다. 특히 최근 반도체 업계에서는 극저온 식각 기술이 주목받고 있다. 극저온 식각이란, 최대 -60~-70°C의 환경에서 식각 공정을 진행하는 기술이다. 기존 식각은 최대 -20~30°C 환경에서 진행됐다. 극저온 환경에서는 화학적 반응성이 낮아져 보호막 없이도 정밀한 식각이 가능해진다. 식각률(1분당 막을 식각해내는 참호(Hole)의 깊이) 또한 향상된다. 이 같은 장점 덕분에 극저온 식각은 'V10'이라 불리는 삼성전자의 차세대 낸드에 적용될 예정이다. V10은 삼성전자가 내년 양산을 목표로 한 차세대 낸드로, 430단대로 추정된다. 나아가 삼성전자, SK하이닉스는 차세대 D램에 극저온 식각 기술을 적용하기 위한 준비에 나섰다. 현재 글로벌 주요 장비기업으로부터 극저온 설비를 도입해, 실제 적용을 위한 테스트를 거치고 있는 것으로 파악됐다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 기존 V10 낸드에만 적용하려던 극저온 식각장비를 D램 라인에 적용해 테스트를 진행 중"이라며 "협력사들에게도 지난 3분기 말께 관련된 계획을 공유한 바 있다"고 밝혔다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 D램 내 커패시터의 구성 요소인 '하부전극'(Storage Node) 제조에 극저온을 도입하는 방안을 추진 중"이라고 설명했다. 커패시터는 전하를 일시적으로 저장하는 소자다. 극저온 식각이 D램 양산 공정에 적용되는 시기는 빨라야 D1d(7세대 10나노급 D램)으로 관측된다. 현재 메모리 업계는 내년부터 바로 전 세대인 D1c의 양산을 앞두고 있다. 또한 D램이 HBM(고대역폭메모리)의 핵심 요소인 만큼, 차세대 HBM 시장에도 영향을 미칠 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. 나아가 HBM 제조의 핵심 공정인 TSV(실리콘관통전극) 등에도 극저온이 적용될 수 있다는 게 업계의 시각이다. 반도체 업계 관계자는 "어떠한 물질을 식각하건, 일반적으로 더 낮은 온도가 식각에 유리하기 때문에 극저온 기술이 향후 적용될 수 있는 분야는 다양한 편"이라며 "여러 기술적 과제들이 있으나, 미래 HBM 양산에 적용될 가능성도 충분하다"고 말했다.

2024.10.28 14:23장경윤

원제형 TEL코리아 대표, 반·디학회서 초빙강연 나서

반도체 제조장비 기업 도쿄일렉트론(TEL)코리아는 지난 20일 서울 관악구에 위치한 서울대학교 공과대학에서 원제형 대표이사의 초빙강연을 진행했다고 26일 밝혔다. 이번 강연은 한국반도체디스플레이기술학회(반디학회) 산하 공정진단제어기술연구회에서 주관하는 행사로, 산·학·연에서 개발된 10개의 공정진단제어 관련 기술을 소개하는 자리다. 공정진단제어기술연구회는 공정진단제어 기술 발굴과 기술 협업, 인력 양성 방안을 찾고 있는 모임이다. 이날 강연에서 원제형 대표이사는 '반도체 장치용 플라즈마 강화 공정 기술'을 주제로 강연하며 반도체 시장 동향에 이어 미세화 공정에 기여할 극저온 식각(Cryogenic Etch) 기술, HBM(High Bandwidth Memory)의 중요성에 대해 소개하고 향후 발전 전망과 비전 등을 제시했다. 강연이 끝난 뒤에는 질의응답 시간을 갖고 학회원들의 질문에 답했다. 원제형 대표이사는 “공정진단연구회는 초창기 18년 전 창립 때부터 참가했고 그 때 연구회에서 발표를 했는데, 18년이 지나 다시 만나 뵙게 되어 특히 감회가 새롭다”며 "지속적인 참여를 통해 반도체 분야 산·학·연 협력을 위한 노력을 계속 이어갈 것”이라고 말했다. 원제형 대표이사는 일본 오사카대학 전기공학과에서 반도체 물성연구로 박사학위를 받은 뒤 반도체 업계의 여러 직위를 거쳐 2017년 7월부터 도쿄일렉트론코리아 대표이사로 재직하고 있다. 또한 도쿄일렉트론코리아는 지난해 부산대에 전공서적 200권을 기부한 데 이어 반도체 현장 실습 지원, 세미나 개최 등 긴밀하게 산학협력을 적극 추진하고 있다. 제주대와도 지난 2022년 10월 업무협약을 체결한 뒤 모의 면접, 장학생 선발 등 꾸준히 협력을 이어오고 있다. 명지대와도 지난 3월 반도체 전문 인재 양성 등을 위한 업무협약을 체결하는 등 산학협력 행보를 넓혀가고 있다. 또 지난 4월 가천대에서도 학생 3백여명을 대상으로 특별 강연을 가졌다. 이 같은 산학협력은 교과 과정과 기업 현장 실습의 연계를 통해 반도체 장비 개발 인력을 육성하는 의미도 갖고 있다.

2024.08.26 11:27장경윤

AMAT, 회계연도 3분기 매출 67.8억 달러…전년比 5% 증가

미국 반도체 장비기업 어플라이드머티어리얼즈(AMAT)는 7월 28일 마감한 2024 회계연도 3분기 매출이 지난 해보다 5% 증가한 것으로 나타났다. 어플라이드는 16일 회계연도 3분기 글로벌 매출은 미국 회계기준으로 67억8천만 달러로, 매출총이익률 47.3%를 기록했다고 발표했다. 영업이익과 영업이익률은 각각 19억4000만 달러와 28.7%였다. 주당순이익(EPS)은 2.05달러를 기록했다. 비일반회계기준(Non-GAAP)으로는 ▲매출총이익률 47.4% ▲영업이익 19억5천만 달러 ▲영업이익률 28.8% ▲주당순이익 2.12달러를 기록했다. 어플라이드 머티어리얼즈는 영업활동을 통해 23억9천만 달러 현금을 확보했으며, 8억6천100만 달러의 자사주 매입과 3억3천100만 달러의 배당금을 포함해 총 11억9천만 달러를 주주에게 환원했다. 게리 디커슨(Gary Dickerson) 어플라이드 머티어리얼즈 회장 겸 CEO는 "어플라이드는 해당 분기 예상을 상회하는 기록적인 매출을 달성했다”며 “AI 리더십 경쟁으로 인해 독보적이면서도 연결성이 뛰어난 어플라이드 제품과 서비스 포트폴리오에 대한 수요가 증가하고 있다"고 밝혔다. 어플라이드 실적 관련 자세한 내용은 어플라이드 머티어리얼즈 웹사이트에서 확인할 수 있다.

2024.08.16 15:47장경윤

삼성전자, CMP 공정에도 '플라즈마' 적용 추진

삼성전자가 초미세 공정 구현에 유리한 플라즈마 기술을 반도체 공정에 확대 적용한다. 기존 화학 소재만을 활용하던 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정에 플라즈마를 활용하는 방안을 평가 중인 것으로 알려졌다. 배근희 삼성전자 마스터는 12일 수원 컨벤션센터에서 열린 '차세대 리소그래피 + 패터닝' 학술대회에서 이 같이 말했다. 플라즈마는 기체 상태의 물질에 높은 에너지를 추가적으로 인가하면 형성되는 제 4의 물질이다. 분자 간 격렬한 충돌로 다수의 양이온과 전자가 발생(이온화)하기 때문에 에너지 밀도가 높다. 이 같은 장점 덕분에 플라즈마는 반도체 공정에 다양하게 활용되고 있다. 가장 주요 적용처는 식각 공정으로, 식각은 웨이퍼 상에 도포된 물질 중 필요없는 부분을 제거하는 기술이다. 이후 플라즈마는 증착, 확산, 메탈, 포토 공정 등에도 적용돼 왔다. 나아가 플라즈마는 향후 CMP 공정에서도 적용될 가능성이 높다. CMP는 굴곡이나 요철이 발생한 웨이퍼 포면을 화학·기계적 방식으로 연마해 평탄화시키는 공정이다. 배근희 마스터는 "반도체 8대 공정 중 유일하게 플라즈마를 쓰지 않던 CMP에서도 플라즈마를 활용하는 방안이 평가되고 있다"며 "조만간 반도체 전체 공정에서 플라즈마가 활용될 것으로 예상된다"고 밝혔다. 삼성전자의 연구개발 현황에 대해 묻는 질문에는 "삼성전자를 포함한 주요 기업들이 관련 설비사들과 개발하고 있는 상황"이라며 "다만 구체적인 적용 예상 시점은 언급하기 어렵다"고 답변했다. 한편 삼성전자는 플라즈마 식각의 선택비를 높이기 위한 차세대 기술 개발도 지속하고 있다. 선택비란, 식각 공정에서 목표로 한 물질을 얼마나 정확하게 제거하는 지 나타내는 척도다. 대표적으로 삼성전자는 ALE(원자층 식각)에 주목하고 있다. ALE는 원자 수준인 1옹스트롬(0.1나노미터)의 단위로 식각하는 기술이다. 배근희 마스터는 "ALE도 파티클에 취약하다는 문제점이 있으나, 여러 조건을 최적화하면서 기술을 개선해나가고 있다"며 "정확한 공정은 공개할 수 없으나 삼성전자 식각에 이미 활용되고는 있다"고 설명했다.

2024.08.12 14:04장경윤

'낸드냐 D램이냐' 삼성電, P4 설비투자 전략 고심...QLC에 달렸다

삼성전자가 최선단 메모리 투자 방향을 두고 고심하고 있다. 데이터센터·스마트폰 등에서 수요가 강한 9세대 'QLC(쿼드 레벨 셀)' 낸드용 설비 투자 계획이 불투명해졌기 때문이다. 이에 삼성전자 내부에서는 낸드가 아닌 D램향 투자를 늘리는 방안까지 거론되고 있다. 26일 업계에 따르면 삼성전자는 평택캠퍼스 반도체 제4공장(P4)의 향후 투자 방향을 두고 여러 전략을 검토하고 있다. P4는 지난 2022년부터 착공에 들어간 삼성전자의 신규 팹이다. 기존 P3와 동일하게 D램·낸드 등 메모리, 파운드리를 동시에 생산하는 복합동으로 설계됐다. 세부 구축 순서에 따라 페이즈(Ph)1은 낸드, 페이즈2는 파운드리, 페이즈3·4는 D램 제조라인에 해당한다. 그러나 올해 상반기에 들어 P4 투자 계획에 변동이 생겼다. 삼성전자가 7나노미터(nm) 이하의 대형 파운드리 고객사 확보에 부침을 겪으면서, 최선단 파운드리 공정 투자를 서둘러 진행할 필요가 없어졌기 때문이다. 이에 삼성전자는 페이즈2 대신 메모리 투자에 우선순위를 두기로 했다. 다만 이 계획마저도 현재로선 변동성이 상당히 큰 상황이다. 당초 삼성전자는 P4 페이즈1을 순수 낸드 제조라인으로 구성하려고 했으나, 최근 여기에서도 D램을 양산하자는 논의가 제기된 것으로 파악됐다. 가장 큰 원인은 P4 페이즈1의 주력 생산제품이 될 'V9' 낸드다. V9는 280단대로 추정되며, 삼성전자의 경우 지난 4월에 TLC(트리플 레벨 셀) 제품의 본격적인 양산에 들어갔다. TLC는 셀 하나에 3비트를 저장하는 구조를 뜻한다. 반면 최선단 낸드 시장은 TLC 대비 고용량 스토리지 구현에 용이한 QLC(셀 하나에 4비트 저장)에 대한 수요가 증가하는 추세다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 QLC가 올해 낸드 출하량에서 차지하는 비중은 20%에 육박할 것으로 관측된다. AI 서버는 물론, 모바일 시장에서도 QLC 제품 채택이 활발히 일어나고 있다. 삼성전자 역시 이 같은 추세에 맞춰 올 하반기 내로 QLC V9 낸드를 양산하겠다고 밝힌 바 있다. 그러나 이달 기준으로 QLC에 대한 PRA(양산승인)은 아직 떨어지지 않았다. 사안에 정통한 업계 관계자는 "삼성전자가 V9 양산 소식을 알리기 위해 TLC를 전면적으로 내세우긴 했으나, 실제 최선단 낸드 수요는 TLC가 아닌 QLC에 집중돼 있다"며 "삼성전자가 PRA가 확정되지 않은 이상 낸드에 당장 투자를 진행하기는 어렵다는 판단을 하고 있다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "구체적인 사유는 밝히지 않았지만, 삼성전자는 이전 세대인 V8에서도 QLC 낸드 출시를 취소한 바 있다"며 "급하게 QLC 낸드를 준비해야 하는 상황인 만큼 개발이 원활히 진행될 것이라고 장담하기 어렵다"고 평가했다. 실제로 삼성전자는 P4 페이즈1의 낸드 설비 투자를 현재까지 월 1만장 규모로만 확정했다. 물론 이를 내년 4만5천장 수준으로 키우기 위한 투자 전략을 내부적으로 수립한 상황이나, QLC V9 낸드가 적기에 양산승인을 받지 못한다면 D램에 자리를 뺏기는 상황을 맞게 될 수도 있다. 한편 이와는 별개로, 삼성전자의 P4 내 D램 생산능력이 당초 예상보다 확대될 가능성은 매우 높은 것으로 관측된다. QLC가 주요 변수로 작용하고 있는 페이즈1과 달리, 당초 파운드리 라인이었던 페이즈2는 D램으로의 전환 가능성이 더 높기 때문이다. 업계 관계자는 "D램은 범용 제품의 공급량 부족, HBM 활황 등으로 D램 증설에 대한 목소리가 높다"며 "현실화되는 경우 1a·1b 등 선단 D램의 생산능력이 확대될 수 있다"고 말했다.

2024.07.26 10:26장경윤

SEMI "내년 반도체 장비 시장 17% 성장…전·후공정 모두 견조"

국제반도체장비재료협회(SEMI)는 최신 업데이트된 반도체 장비 시장 전망 보고서를 통해 올해 전 세계 반도체 장비 매출액이 1천90억 달러에 달할 것이라고 17일 밝혔다. 특히 이같은 성장세는 내년에도 전공정 및 후공정 분야에서 모두 유지되면서, 시장 규모가 1천280억 달러에 이를 전망이다. 아짓 마노차 SEMI 최고경영자(CEO)는 "올해 반도체 장비 시장의 성장세는 내년에도 이어져 2025년에는 17%로 높은 성장률을 보일 것으로 예상된다”며 “특히 인공지능을 통해 새로운 애플리케이션이 등장하면서 반도체 장비 시장 전체에 강력한 펀더멘털과 큰 성장 잠재력을 제공하고 있다”고 밝혔다. 분야별로는 웨이퍼 가공, 팹 설비, 마스크·레티클 장비 등을 포함하는 웨이퍼 팹 장비 부문이 지난해 960억 달러의 매출을 기록했다. 올해는 2.8% 증가한 980억 달러를, 내년에는 14.7% 증가한 1천130억 달러를 기록할 것으로 전망된다. 특히 중국 지역의 강력한 투자와 AI로 인한 D램 및 고대역폭메모리(HBM)에 대한 수요 증가가 주요 성장 요인으로 손꼽혔다. 반도체 테스트 장비의 매출은 올해 7.4% 증가한 67억 달러를, 조립 및 패키징 장비 매출은 10.0% 증가한 44억 달러에 이를 전망이다. 이들 후공정 장비 부문의 성장은 내년에도 가속화될 것으로 예상되며, 테스트 장비 매출은 30.3%, 조립 및 패키징 매출은 34.9%로 크게 증가할 것으로 보인다. 고성능 컴퓨팅을 위한 첨단 반도체의 수요증가와 자동차, 소비자 전자기기의 수요 회복이 주요 성장 요인이다. 지역별로는 중국, 대만, 한국이 내년까지 장비 투자 상위 3개 국가의 위치를 지속할 것으로 보인다. 특히 중국의 장비 투자는 올해 기록적인 350억 달러를 넘어서며 다른 지역 대비 선두를 확고히 할 것으로 예상된다. 일부 지역의 장비 투자는 올해 감소한 후 내년 반등할 것으로 예상되는 반면, 중국은 지난 3년간 활발한 투자를 지속한 한 뒤 내년에는 다소 위축될 것으로 보인다.

2024.07.17 11:26장경윤

마이크론, 'HBM3E' 매출 발생 시작…삼성·SK와 경쟁 본격화

마이크론이 인공지능(AI) 특수에 힘입어 '어닝 서프라이즈'를 달성했다. D램과 낸드 모두 ASP(평균거래가격)이 20% 가량 증가한 것으로 나타났다. 특히 HBM(고대역폭메모리) 부문이 역시 올해 및 내년 제품이 모두 매진되는 등 호조세를 보여 기대를 모았다. HBM3E(5세대 HBM) 8단 제품은 최근 1억 달러의 매출을 올렸으며, HBM3E 12단 제품은 내년부터 대량 양산될 예정이다. 27일 마이크론은 회계연도 2024년 3분기(2024년 3~5월) 68억1천만 달러의 매출을 기록했다고 밝혔다. 이번 매출은 전분기 대비 16.9%, 전년동기 대비 81.5% 증가한 수치다. 증권가 컨센서스인 66억7천만 달러도 넘어섰다. 같은 기간 영업이익은 9억4천만 달러다. 전분기 대비 361% 증가했으며, 전년동기 대비 흑자전환했다. 또한 증권가 컨센서스(8억6천만 달러)를 상회했다. 마이크론의 이번 호실적은 각각 20%에 달하는 D램·낸드의 ASP 상승이 영향을 미쳤다. D램 매출은 47억 달러로 전분기 대비 13%, 전년동기 대비 75.9% 증가했다. 낸드는 21억 달러로 각각 32%, 107% 증가했다. 마이크론은 "데이터센터에서 AI 수요가 빠르게 증가하면서 매출이 연속적으로 크게 성장할 수 있었다"며 "HBM, 고용량 DIMM(듀얼 인라인 메모리 모듈), 데이터센터 SSD 등 고부가 AI 메모리 제품의 비중이 확대됐다"고 설명했다. 특히 HBM의 경우 해당 분기부터 출하량이 본격적으로 증가하기 시작했다. 마이크론이 가장 최근 발표한 HBM3E(5세대 HBM)도 이번 분기 1억 달러 이상의 매출을 발생시켰다. 앞서 마이크론은 HBM3를 건너뛰고 지난 2월 24GB(기가바이트) 8단 HBM3E 양산을 시작한 바 있다. 해당 제품은 엔비디아의 최신 GPU인 'H200'용으로 공급됐다. 현재 마이크론은 HBM3E 12단까지 샘플을 진행한 상태로, 내년에 해당 제품의 대량 생산을 계획하고 있다. 마이크론은 "회계연도 2024년에는 HBM에서 수억 달러, 2025년에는 수십억 달러의 매출을 일으킬 것"이라며 "당사의 HBM은 2024년 및 2025년까지 이미 매진됐으며, 2025년에는 전체 D램 시장 점유율에 상승하는 HBM 시장 점유율을 달성할 것으로 기대한다"고 밝혔다. 회계연도 2024년 4분기(2024년 6월~8월) 매출 전망치로는 중간값 76억 달러를 제시했다. GPM(매출총이익률)은 34.5%다. 증권가 컨센서스인 매출 75억9천만 달러, GPM 34.5%에 부합하는 수준이다. 마이크론은 "2024년 산업의 D램과 낸드 공급은 모두 수요를 따라가지 못할 것"이라며 "특히 DDR5 대비 웨이퍼를 3배나 소비하는 HBM의 생산량 증가가 D램 증가를 제한하고, 향후 있을 HBM4의 거래 비중도 HBM3E보다 높을 것"이라고 예상했다. 한편 마이크론의 회계연도 2024년 설비투자(Capex) 규모는 최대 80억 달러에 이를 것으로 전망된다. 이 중 전공정(WFE) 분야 투자는 전년 대비 줄이기로 했다. 회계연도 2025년 설비투자는 전년 대비 크게 증가할 것으로 예상되며, 해당 기간 매출의 30% 중반 내에서 자본 지출이 이뤄질 예정이다. 자본은 대부분 미국 아이다호 및 뉴욕 팹 건설, HBM용 설비투자에 집중된다.

2024.06.27 08:36장경윤

램리서치·TEL '극저온' 식각 주목…韓 장비업계 수혜 기대감

램리서치·TEL(도쿄일렉트론) 등 주요 반도체 장비업체가 차세대 식각장비 개발의 초점을 '극저온'에 맞추고 있다. 이에 따라 국내 칠러장비 업계도 고부가 제품 공급을 확대할 수 있을 것이라는 기대감이 나온다. 10일 업계에 따르면 램리서치는 최근 주요 메모리 고객사와 차세대 낸드용 극저온 식각장비 개발을 위한 논의를 진행했다. 식각장비는 반도체 회로가 새겨진 웨이퍼 상에서 특정 물질을 제거하는 공정에 쓰인다. 옥사이드, 폴리실리콘, 메탈 등 제거하고자 하는 물질에 따라 장비의 종류가 나뉜다. 최근 업계에서 화두가 된 식각장비는 TEL의 극저온 식각장비 'Cryo(크라이오)'다. 기존 식각공정은 영상 20°C 내외에서 진행되며, 채널 홀(구멍)을 깊게 뚫는 과정에서는 온도를 영하 -30°C 내외까지 낮추기도 한다. TEL의 신규 극저온 식각장비는 이보다 낮은 -60°C~-70°C에서 작동한다. 이 같은 극저온 환경에서는 화학적 반응성이 낮아져 보호막 없이도 정밀한 식각이 가능해진다. 식각률(1분당 막을 식각해내는 참호(Hole)의 깊이) 또한 향상된다. 때문에 삼성전자는 TEL의 극저온 식각장비를 제3 평택캠퍼스(P3) 낸드 라인에 도입해, V10·V11 낸드에 양산 적용하기 위한 테스트를 적극 진행하고 있다. V10·V11은 현재 개발 중인 차세대 낸드로, 각각 430단과 570단대로 추정된다. 이전 세대인 V9은 올해 4월부터 양산되기 시작했다. 삼성전자의 이 같은 기조는 TEL의 주요 경쟁사인 램리서치에게는 위기 요소로 작용한다. 기존 삼성전자는 낸드용 식각장비의 대부분을 램리서치에게서 조달받아 왔다. 때문에 삼성전자의 공급망 전환에 따른 점유율 감소가 유력한 상황이다. 이에 램리서치도 향후 다가올 V12~V14 시장에서 경쟁력을 되찾기 위한 대책 마련에 나섰다. 최근 삼성전자 등 주요 메모리 고객사에 극저온 식각장비를 개발하겠다고 제안한 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "저온으로 갈수록 식각 성능과 효율이 올라가는 장점이 있어, 램리서치도 적극적으로 차세대 장비를 개발 중"이라며 "TEL과 비슷한 극저온 환경에서 식각을 안정적으로 구현할 수 있는지 살펴보고 있는 것으로 안다"고 설명했다. 한편 램리서치·TEL의 극저온 식각장비 개발은 에프에스티, 유니셈 등 국내 칠러 장비 업계에 수혜로 작용할 전망이다. 칠러는 제조 환경의 온도를 낮추는 장비다. 현재 이들 국내 기업은 냉매(쿨런트)를 활용하는 칠러를 주력으로 공급하고 있다. 냉매식은 전기식에 비해 온도를 낮추는 데 유리하다. 식각장비가 극저온으로 나아감에 따라, 칠러 장비 역시 더 낮은 온도를 구현해야 한다. 이 경우 칠러 장비의 가격도 기존 제품 대비 4배가량 비싸질 것으로 업계는 관측하고 있다.

2024.06.10 11:19장경윤

삼성·SK, 차세대 HBM4 경쟁력 승부처 '1c D램' 주목

이르면 내년부터 양산이 시작되는 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 대한 기술 경쟁이 뜨겁다. 삼성전자가 최근 HBM4에 탑재될 D램을 한 세대 진화된 제품으로 변경하는 방안을 검토 중인 가운데, SK하이닉스도 시황에 따라 유동적인 전략을 펼칠 것으로 관측된다. 17일 업계에 따르면 삼성전자는 HBM4에 1c D램을 적용하는 방안을 검토하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 메모리다. 때문에 D램 완제품의 성능이 HBM의 성능에 직접적인 영향을 끼친다. 당초 삼성전자는 내년부터 양산화되는 HBM4에 10나노급 5세대 D램인 1b D램을 적용하려고 했었다. 1b D램은 선폭이 12나노 수준으로, 삼성전자가 지난해 5월 첫 양산에 나선 제품이다. 삼성전자가 올해 양산에 나서는 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)의 경우 1a D램이 적용됐다. 그러나 삼성전자는 최근 내부적으로 HBM4에 탑재될 D램을 1c D램으로 변경하는 방안을 수립했다. SK하이닉스, 마이크론 등 주요 경쟁사가 HBM3E에 1b D램을 적용했던 만큼, HBM4는 전공정 영역에서부터 앞서 나가겠다는 전략으로 풀이된다. 사안에 정통한 관계자는 "현재 HBM4는 12단, 16단 적층에 관계없이 1c D램으로 가는 방향"이라며 "한 세대 뒤쳐진 D램으로 전력사용량 문제가 발생한다는 우려가 많아 개발에 속도를 더하고 싶은 것으로 안다"고 밝혔다. 다만 삼성전자가 실제로 해당 방안을 실현할 지에 대해서는 아직 지켜봐야 한다는 관측도 나온다. 삼성전자가 1c D램의 초도 양산라인을 구축하는 시점은 올해 연말로, 생산능력은 월 3천장 수준으로 추산된다. 목표로 한 HBM4 양산 시점과 차이가 크지 않다. 통상 메모리 업계는 최선단 D램을 컴퓨팅·모바일용으로 순차적으로 개발하고, 이후 안정성을 확보한 뒤에 HBM에 적용하는 과정을 거쳐 왔다. 이를 고려하면 HBM4 양산 시점에 1c D램에 대한 수율을 담보하기 어려울 수 있다. 또 다른 관계자는 "삼성전자 임원진 및 실무단에서 HBM4에 1c D램을 적용하고, 양산 목표 시점 역시 내년 말에서 내년 중후반으로 앞당기는 등의 논의가 오가고 있다"며 "다만 수율이 받쳐줘야 하기 때문에 확정된 사안이 아닌, 계획 단계로 봐야한다"고 밝혔다. 한편 SK하이닉스는 삼성전자의 초기 전략과 마찬가지로 HBM4에는 1b D램을, HBM4E부터는 1c D램을 적용하는 계획을 세운 바 있다. 다만 SK하이닉스도 시황에 따라 적용 기술을 유동적으로 변경할 여지를 여전히 남겨두고 있는 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 "삼성전자 HBM4에 적용되는 D램을 앞당기는 경우, 현재 업계 선두인 SK하이닉스 입장에서도 위기의식을 느낄 수 밖에 없다"며 "SK하이닉스도 로드맵은 세워 둔 상황이나 내부적으로 변경에 대한 여지를 계속 남겨두고 있는 것으로 안다"고 밝혔다.

2024.05.17 14:56장경윤

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