인텔 '큰 그림' 따로 있었다..."2027년 말 1나노급 공정 돌입"
인텔이 1나노급 반도체 생산 공정 '인텔 10A' 생산을 오는 2027년 말부터 시작한다는 내부 방침 아래 초미세공정 로드맵을 준비해 왔다는 사실이 뒤늦게 드러났다. 인텔은 지난 21일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 '인텔 파운드리 다이렉트 커넥트 2024' 행사를 통해 최선단 반도체 생산 공정 '인텔 14A'를 공개하고 오는 2027년 경 이를 실현하겠다고 밝힌 바 있다. 그러나 같은 날 오후 인텔이 업계 관계자 등을 대상으로 진행한 일부 세션에서 인텔 14A보다 한 발 더 앞선 1.0나노급 공정 '인텔 10A' 리스크 생산 시기와 시기별 생산량 등이 노출됐다. 인텔은 이에 대해 "인텔 14A 공정 이후 공정은 공개되지 않았다"며 즉답을 피했다. ■ 지난 21일 업계 관계자 대상 세션에서 '인텔 10A' 노출 톰스하드웨어 등 IT 매체에 따르면 인텔은 21일 오후 케이반 에스파르자니(Keyvan Esfarjani) 인텔 파운드리 제조·공급망 수석부사장 주도로 반도체 업계 관계자와 일부 언론 대상 별도 세션을 진행했다. 인텔은 이 세션에서 각 공정별 1천 장 단위 웨이퍼 생산량을 나타내는 K-WSPW 수치를 반영한 각 생산 시설 제조 역량을 그래프로 소개했다. 이 그래프에 따르면 인텔은 최근 공개한 인텔 14A 공정 웨이퍼 생산을 2026년 초부터 시작해 같은 해 하반기부터 크게 늘릴 예정이다. 그러나 해당 그래프 상단에는 인텔이 지금까지 노출하지 않았던 새 공정인 '인텔 10A'가 표기됐다. 인텔 10A 물량 역시 2027년 말부터 시작해 2028년으로 이어지고 있다. 인텔은 인텔 3(3나노급) 공정 이후 미세공정에 '옹스트롬'(Ångström, 1A=0.1nm)급 미세 공정이라는 의미로 숫자 뒤에 'A'를 붙이고 있다. 이 명명법에 따르면 '인텔 10A'는 1나노급 공정으로 해석된다. ■ 로드맵대로 실현시 미세공정 우위 탈환 가능 TSMC와 삼성전자는 2나노급 공정 가동 시점을 2025년으로, 1.4나노급 공정 가동 시점을 2027년으로 잡았다. 반면 인텔은 2나노급 '인텔 20A' 공정 기반 실제 제품을 올 하반기부터, 1.8나노급 '인텔 18A' 공정 기반 제품을 내년 상반기에 대량 생산 예정이다. 이는 두 경쟁사 대비 최소 반 년 이상 앞선 것이다. 인텔이 공개한 계획대로 인텔 14A(1.4나노급)를 2026년부터, 인텔 10A(1.0나노급)를 2027년부터 실현한다면 지난 10여년 간 타사에 내줬던 미세공정 우위를 확실히 되찾게 된다. 단 인텔이 공개한 슬라이드의 생산 시작 시점은 공정 시험과 수율 조정을 위한 '리스크 생산'을 기점으로 잡은 것으로 보인다. 또 인텔이 인텔 14A 이후 중점적으로 활용할 고개구율 극자외선(High-NA EUV) 장비 반입 시점도 변수로 남아 있다. ■ 인텔 "매 2년마다 새로운 공정 계획중" 국내 한 반도체 업계 관계자는 "해당 세션은 인텔 파운드리 고객사, 잠재적인 고객사와 관계사 대상으로 NDA(비밀유지협약) 체결 후 진행된 세션으로 보인다"며 "알 수 없는 이유로 언론에 정식 공개하기 곤란한 부분까지 노출된 것으로 보인다"고 추정했다. 인텔 관계자는 29일 오후 "인텔 파운드리 다이렉트 커넥트 행사에서 공개한 것처럼 매 2년마다 새로운 공정을 계획중이다. 또 인텔 14A 공정과 파운드리 고객사를 위한 향후 로드맵, 첨단 공정 확대 계획 등을 미리 공유했다"고 설명했다. 또 "인텔 14A 이후 공정은 정식으로 발표하지 않았으며 미래 공정 로드맵 관련 현 시점에서 답변할 내용은 없다"고 덧붙였다. 그러나 해당 세션에서 공개된 슬라이드 노출 경위, 해당 슬라이드에 명시된 '인텔 10A' 공정 생산 일정 등에 대한 지디넷코리아 질의에는 답변을 거부했다.
