SK하이닉스, 美 인디애나 패키징팹 첫 삽..."2029년 HBM4E 양산"

SK하이닉스가 미국 첨단 반도체 패키징 공장 첫 삽을 떴다. 해당 팹은 2029년 3분기부터 7세대 고대역폭메모리(HBM4E)를 양산할 계획이다. 연간 수십만 장 생산 능력을 갖출 것으로 기대된다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 27일(현지시간) 미국 인디애나주 퍼듀대학교에서 열린 인공지능(AI) 메모리용 최첨단 패키징 생산기지 기공식에서 이같이 밝혔다. 앞서 SK하이닉스는 약 40억 달러(약 5조 5200억원)를 투자해 미국 인디애나주 웨스트라피엣 지역에 최첨단 패키징 공장을 짓겠다고 밝혔다. 단순 생산시설을 넘어, 최첨단 패키징 기술 연구개발(R&D) 센터도 함께 들어선다. 인디애나 팹은 SK하이닉스의 미국 내 첫 번째 반도체 공장이다. 이 곳은 현재 부지 기초 공사 중이다. 오는 10월 주요 시설 건설에 착수할 예정이다. 2028년 10월 클린룸 준공이 목표다. 곽 사장은 "2029년 3분기부터 해당 팹에서 HBM4E 양산을 시작할 계획"이라며 "연간 수십만장 웨이퍼 생산능력을 갖출 것으로 기대한다"고 밝혔다. 이어 "2030년까지 인디애나는 미국의 핵심 HBM 생산거점이 될 것"이라며 "미국 AI 메모리 반도체 수요 확대에 대응하겠다"고 말했다. SK하이닉스는 한국에서 생산한 첨단 HBM 웨이퍼를 인디애나주 패키징 팹에 들여와, 후공정을 진행한 뒤 미국 고객사에 제품을 인도할 계획이다. 곽 사장은 "완전히 통합된 한·미 생산 시스템이 가동될 것"이라며 "SK하이닉스는 미국 반도체 공급망을 강화하고 국가·경제 안보에 기여하는 동시에, 고객사에 미국산 HBM의 새로운 공급원을 제공할 것"이라고 강조했다.