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SK실트론, '2나노'용 공정 기술 개발…웨이퍼 업계도 '초미세' 대응

SK실트론이 최근 초미세 파운드리 공정에 해당하는 2나노미터(nm)급 EPI(에피) 기술을 개발했다. 삼성전자, TSMC 등 주요 반도체 기업들이 내년 2나노 공정 상용화를 앞다퉈 추진 중인 상황에 대응하기 위한 준비다. 20일 SK실트론의 반기보고서에 따르면 이 회사는 지난 6월 '300mm(12인치) 로직용 2나노급 EPI'를 개발했다. SK실트론은 주요 반도체 제조 기업의 요청에 의해 해당 기술을 연구개발(R&D) 해온 것으로 알려졌다. 현재 2나노 수준의 초미세 파운드리 공정을 다루는 기업은 전 세계적으로 삼성전자, TSMC, 인텔 등 3곳에 불과하다. EPI는 공정은 연마가 끝난 실리콘 웨이퍼(폴리시드 웨이퍼) 위에 화학기상증착법(CVD)으로 초고순도의 단결정 실리콘 레이어를 성장시키는 기술이다. 이 과정을 거친 웨이퍼를 에피 웨이퍼라 부른다. 에피 웨이퍼는 폴리시드 웨이퍼 대비 표면에 존재하는 미세 결함이 적으며, 특정 용도에 맞춰 유연하게 특성을 변경할 수 있다는 장점이 있다. 때문에 에피 웨이퍼는 주로 CPU, GPU 등 로직 반도체 제조에 활용돼 왔다. SK실트론이 이번에 2나노급 EPI 공정을 개발한 이유는 곧 다가올 초미세 공정 시대에 대응하기 위한 준비로 풀이된다. 웨이퍼 제조기업은 반도체 최후방산업에 속하는 업계 특성 상, 고객사와의 긴밀한 협의를 거쳐 차세대 제품을 선제 개발해야 한다. 대표적으로 삼성전자는 일본 팹리스 PFN(Preferred Networks)로부터 처음으로 2나노 공정 기반의 AI 가속기 칩을 수주한 바 있다. 이에 따라 삼성전자는 내년부터 2나노 공정 양산을 본격화할 계획이다. TSMC 역시 2025년 2나노 공정 양산을 공식화한 상황이다. 한편 SK실트론은 국내 유일의 실리콘 반도체 웨이퍼 전문 제조기업이다. 올 2분기 매출은 5천30억 원, 영업이익은 700억 원을 기록했다. 전분기 대비 각각 5.6%, 66.8% 증가했다. 전년동기 대비로는 매출은 2.2% 증가했으며, 영업이익은 동일한 수준이다.

2024.08.20 10:20장경윤

기계연·나노종기원, 300㎜ 웨이퍼 개발 맞손

한국기계연구원과 나노종합기술원은 1일 기계연 대전 본원에서 반도체 첨단 패키징 인프라 구축 및 기술 개발 상호협력과 교류 강화를 위한 업무협약을 체결했다. 이 협약에 따라 양 기관은 ▲반도체 첨단 패키징 분야 소재·부품·장비 관련 차세대 핵심기술 공동 연구 개발 및 기업 기술 지원 협력 ▲300㎜ 반도체 첨단 패키징 분야 장비구축 및 활용, 공정기술 개발 등 인프라 고도화 등에 적극 협력할 계획이다. 나노종기원은 개방형 첨단 패키징 R&D 라인 구축과 함께 소재·부품기술, 기계연은 장비기술을 분담해 첨단 패키징 R&D 프로그램을 기획, 추진할 계획이다. 기계연 류석현 원장은 “반도체 산업이 첨단 패키징 기술 개발의 새로운 장을 열어갈 수 있기를 바란다”고 밝혔다. 나노종기원 박흥수 원장은 “양 기관이 새로운 분야를 개척하며 서로 상생, 발전하는 출발점이 될 것"으로 기대했다.

2024.08.01 15:42박희범

와이씨, 삼성에 HBM용 검사장비 공급 시작…1017억원 규모

와이씨는 삼성전자와 1천17억원 규모의 반도체 검사장비 공급계약을 체결했다고 29일 공시했다. 와이씨가 이번에 공급한 장비는 HBM(고대역폭메모리)용 웨이퍼 테스터다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리로, 일반 D램보다 기술적 난이도가 높아 테스트 공정에 대한 중요성이 높아지는 추세다. 웨이퍼 테스터는 전공정을 거친 웨이퍼 원판의 성능, 신뢰성 등을 검증하기 위한 후공정 장비다. 와이씨는 해당 장비를 삼성전자에 공급하기 위한 퀄(품질)테스트를 진행해 왔으며, 이번 공급계약으로 실제 상용화에 성공하게 됐다. 공급계약 규모는 와이씨의 지난해 연 매출의 39.85% 수준이다. 계약기간은 이달 28일부터 내년 1분기 말까지다. 삼성전자가 HBM의 생산능력 확장에 적극 나서고 있다는 점을 고려하면, 내년에도 HBM 관련 후공정 장비에 대한 추가 투자가 나올 가능성이 유력하다. 실제로 삼성전자는 오는 3분기 말 주요 협력사들과 내년 3분기까지에 대한 장비공급 논의를 진행할 예정인 것으로 알려졌다.

2024.07.29 11:08장경윤

SiC 반도체 시장 '쑥쑥'…韓·中도 핵심장비 시장 진출 노려

국내 테스와 중국 AMEC(중웨이반도체) 등이 SiC(탄화규소) 반도체용 핵심장비 개발에 나섰다. SiC는 전기자동차 등에서 수요가 빠르게 증가하고 있는 차세대 전력반도체로, 그간 독일 등이 공급망을 사실상 독점해 온 분야다. 후발주자인 국내 및 중국 장비업계가 시장에서 어떠한 반향을 불러일으킬 수 있을 지 귀추가 주목된다. 3일 업계에 따르면 한국과 중국 장비업계는 SiC 전력반도체 제조를 위한 핵심장비 상용화에 주력하고 있다. SiC는 기존 실리콘(Si) 대비 고온·고압에 대한 내구성, 전력 효율성 등이 뛰어난 차세대 전력반도체 소재다. 자동차 산업을 중심으로 수요가 빠르게 증가하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전 세계 SiC 반도체 시장 규모는 지난해 22억7천500만 달러에서 2026년 53억2천800만 달러로 성장할 전망이다. 다만 SiC 분야는 기술적 난이도가 높아, 소수의 해외 기업이 핵심 공급망을 독과점하고 있는 형국이다. 고성능 SiC 반도체 제조를 위해서는 SiC 에피(Epi)웨이퍼가 필요하다. 해당 웨이퍼는 잉곳(원기둥) 형태의 SiC 결정에서 잘라낸 웨이퍼 위에, 마이크로미터(μm) 두께의 SiC 물질을 증착(Deposition)해 만들어진다. 이를 위한 증착장비는 현재 독일 엑시트론(Aixtron)이 압도적인 시장 점유율을 보유하고 있다. 또 다른 기업으로는 전 세계 주요 장비업체 ASM이 지난 2022년 인수한 이탈리아 장비기업 LPE가 있다. 이에 한국과 중국 등 동양권 장비기업들도 최근 SiC 웨이퍼 제조를 위한 증착장비 개발에 적극 나서고 있다. 대표적으로 국내 반도체 증착·식각장비 전문업체 테스는 지난 2022년경부터 SiC MOCVD(유기금속화학증착) 장비 개발을 본격화했다. MOCVD는 금속 유기 원료를 사용해 박막을 형성하는 기술이다. 테스는 이전 UV LED용 MOCVD 장비를 자체 개발해 양산한 경험이 있어, 유관 기술력을 어느 정도 확보한 상태다. 아직 구체적인 사업화 단계에 접어들지는 못했으나, 현재 장비 개발을 적극 진행 중인 것으로 알려졌다. 중국에서는 AMEC이 SiC 증착장비 개발에서 가장 뚜렷한 성과를 거두고 있다. AMEC은 지난 2004년 램리서치·어플라이드머티어리얼즈(AMAT) 등 미국 주요 반도체 장비업체 출신들이 모여 설립한 장비업체다. AMEC은 또 다른 차세대 전력반도체 소재인 GaN 증착장비를 이미 상용화한 바 있다. 이를 토대로 AMEC은 SiC MOCVD 장비 상용화를 시도하고 있다. 실제로 테스, AMEC은 지난달 말 부산에서 열린 '2024 SiC 반도체 컨퍼런스'에서 SiC MOCVD 기술과 관련한 발표를 한 것으로 전해진다. 반도체 업계 관계자는 "SiC나 GaN 등이 차세대 전력반도체로 각광받고는 있으나, 핵심장비는 전부 외산에 의존해야 하는 현실"이라며 "이에 테스와 AMEC도 CVD 기술력을 토대로 장비 개발을 꾸준히 진행하고 있다"고 밝혔다.

2024.07.03 11:13장경윤

쎄닉, 화합물 전력반도체 고도화 기술개발 육성사업 참여

국내 SiC(실리콘카바이드) 웨이퍼 전문기업 쎄닉은 지난 20일 서울 양재 엘타워에서 산업통상자원부가 주관하는 '화합물 전력반도체 산업 고도화를 위한 킥오프 미팅에 참가했다고 26일 밝혔다. 이날 행사에는 한국산업기술기획평가원(이하 산기평), 한국반도체 연구조합(이하 조합) 및 전력반도체 업계 관계자 등 80여명이 자리에 참여했다. 관계자들은 산기평·조합·전력반도체 대표기업들 간 화합물 전력반도체 생태계 구축을 위한 업무협력 양해각서(MOU)를 체결하고, 생태계 활성화를 위한 방안 및 사업 추진 계획과 기술개발 현황 등을 논의했다. 협약에 따르면 산기평은 사업 참여 업체들에 대한 연구개발(R&D)을 지원하고, 조합은 화합물 전력반도체 분야별 협의체를 주관하여 웨이퍼 제작부터 설계·제조에 이르는 과정까지 국내에 선순환적 생태계가 마련될 수 있도록 적극 협력한다는 내용이 담겼다. 쎄닉은 '고도화 가공 기술을 이용한 전력반도체용 고평탄 고청정 대구경 기판 제조 기술 개발' 과제(전문기관: 한국산업기술기획평가원) 주관기관으로 선정돼 전력반도체 소재를 개발한다. 이를 통해 SiC 전력반도체 소재의 국산화를 실현할 계획이다. 구갑렬 쎄닉 대표는 “전력반도체 공급망 내재화를 위한 뜻깊은 자리에 참석하게 돼 기쁘다”며 “쎄닉의 웨이퍼 소재 개발 기술을 더욱 견고히 해 전력반도체 공급망 내재화의 시작점 역할을 수행할 수 있도록 하겠다”고 밝혔다. 한편 쎄닉은 이달 24일부터 26일까지 부산 벡스코에서 열리는 '2024 한국전기전자재료학회 하계학술대회'에 케이엔제이와 협업 부스를 마련해 제품 전시를 진행 중이다.

2024.06.26 14:39장경윤

삼성 파운드리 웨이퍼 결함 논란…'사고'로 봐야할까

최근 삼성전자의 최선단 파운드리 공정이 결함 발생이라는 논란에 휩싸였다. 다만 실제 피해 규모는 소문과 달리 적을 가능성이 높아, 업계나 시장에서 주목할 특기할 만한 사고가 아닌 일반적인 '공정 관리'로 봐야한다는 주장이 제기된다. 26일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리 사업부는 지난 주 공정에서 발생한 오류로 일부 웨이퍼 손상이 발생했다. 사안에 정통한 복수의 관계자에 따르면, 이번 사고는 삼성전자의 2세대 3나노 공정(SF3)에서 발생했다. 전산 오류로 공정에 투입된 웨이퍼가 잘못된 장소에 보관되면서, 웨이퍼 상에 도포된 소재가 문제를 일으킨 것으로 알려졌다. 다만 이번 사고의 원인이 근본적인 설계 오류나 소재의 특성 문제는 아닌 보관상의 실수로 파악된다. 손상된 웨이퍼를 처리하면 곧바로 공정 정상화가 가능한 수준이다. 관건은 피해 규모다. 사고 발생 직후 업계 및 증권가에서는 "웨이퍼 5만7천장 수준의 피해가 발생했다", "웨이퍼 20만장을 폐기하는 방안을 검토 중" 등의 확인되지 않은 소문이 돌았다. 다만 이번 사고의 실제 피해 규모는 그리 크지 않을 것이라는 게 업계의 시각이다. 삼성전자의 SF3 공정이 본격적인 상용화 궤도에 오르지 않았다는 점도 이 같은 분석에 무게를 더한다. 삼성전자 역시 이같은 소문에 대해 "사실무근"이라고 반박했다. 결과적으로 이번 사고는 피해 규모에 따라 의미가 극명히 갈릴 전망이다. 통상 반도체 제조 공정은 노광·식각·세정·연마 등 수 많은 공정을 거치며, 이 과정에서 적잖은 결함이 검출된다. 장비 에러나 일시적 정전 등 예기치 못한 변수도 발생한다. 피해 규모가 미미한 수준이라면, 이번 사고 역시 반도체 제조 공정에서 중대 결함이 아닌 일반적으로 발생하는 사례 중 하나로 볼 수 있다. 삼성전자 SF3 공정의 주요 적용처가 될 모바일 AP(어플리케이션 프로세서) '엑시노스 2500' 개발에도 별다른 영향은 없을 전망이다. 엑시노스 2500은 삼성전자가 내년 출시할 플래그십 스마트폰 '갤럭시S25' 시리즈용으로 설계된 칩셋이다. 업계 관계자는 "이번 결함은 일시적인 현상으로 웨이퍼를 추가 투입하기만 하면 개발 과정에 별다른 문제는 생기지 않을 것으로 분석된다"며 "일부 비용적 문제만 발생할 것"이라고 설명했다.

2024.06.26 10:51장경윤

미래 먹거리 '화합물 전력반도체'에 민관 1385억원 투자

정부와 기업이 화학물 전력반도체 기술 고도화를 위해 1384억원을 투입해 본격적인 협력 빛 개발에 나선다. 화학물 전력 반도체 개발에는 SK실트론,어보브반도체, DB하이텍 등이 참여한다. 산업통상자원부(산업부)는 20일 서울 양재동 엘타워에서 한국산업기술기획평가원(이하 산기평), 한국반도체연구조합(이하 조합) 및 전력반도체 업계 관계자 등 80여 명과 함께 화합물 전력반도체 산업 고도화를 위한 킥오프(Kick-off) 미팅을 개최했다. 또 산기평-조합-전력반도체 앵커 기업들 간 국내 화합물 전력반도체 생태계를 구축을 위한 업무협력 양해각서(MOU) 체결식을 진행했다. 산기평은 사업 참여 기관들에 대한 연구개발(R&D) 전주기를 밀착 지원하고, 조합은 화합물 전력반도체 분야별 협의체를 주관한다. 이번 협의체는 화합물 전력반도체 웨이퍼를 생산하는 'SK실트론(소재분야)'과 전력반도체 분야 대표 팹리스인 '어보브반도체(IC분야)', 8인치 레거시 공정 파운드리 기업인 'DB하이텍(소자·모듈분야)' 등이 참여한다. 이들 기업은 웨이퍼 제작부터 설계-제조에 이르는 과정까지 국내에 선순환적 생태계가 마련될 수 있도록 적극 협력하기로 했다. 올해는 화합물 전력반도체 분야 대형 국책사업이 추진되는 첫해다. 화합물 전력반도체 고도화 기술개발 사업은 올해부터 2028년까지 총 1384억6천만 원(국비 938억8천만 원, 민간 445억8천만 원)이 투입된다. 화합물 전력반도체는 기존 실리콘 대신 SiC(탄화규소), GaN(질화갈륨)을 활용하며 실리콘 대비 전력효율과 내구성 등이 높아 각광 받는다. 이런 특징으로 전기차, 에너지, 모바일 등 첨단산업의 핵심부품으로 활용이 늘어나고 있다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 전력반도체 시장은 2021년 537억 달러에서 2027년 820억 달러로 커지고 그 중 화합물 전력반도체 핵심 소자가 성장을 이끌고 있다. SiC 반도체는 연평균 34% 성장해 2027년 62억 달러를 기록하고, GaN 반도체는 연평균 59% 성장해 2027년 20억 달러를 기록할 전망이다. 산업부 관계자는 "이번 국책사업은 단순 기술개발에서 나아가 밸류체인별 유기적인 기술 연계를 통한 생태계 형성이 목적"이라며 "이번 대형 양해각서(R&D)가 한국이 시스템반도체 강국으로 도약하는데 밑거름이 될 것으로 기대된다"고 밝혔다.

2024.06.20 14:46이나리

세메스, NCF용 '차세대 HBM TC본더 장비' 양산

삼성전자 자회사 국내 반도체 및 디스플레이 제조 장비업체 세메스는 HBM(고대역폭메모리)용 차세대 본딩장비를 개발해 양산하고 있다고 3일 밝혔다. 세메스 HBM 열압착(Thermal Compression) 본더는 AI 반도체 생산에 필수적인 HBM을 만들기 위해 첨단 실리콘관통전극(TSV) 공법으로 제작된 반도체 칩을 웨이퍼에 수직으로 적층하는 장비다. 이 장비는 최근 HBM의 트렌드인 인아웃 피치의 미세화에 따른 마이크로 범프의 증가에 최적으로 대응할 수 있는 기능과 성능을 갖췄다. 특히 본딩과정에서 위치정렬과 열, 압력조정 등을 통해 고하중에서도 높은 적층 정밀도를 구현했다. NCF(비전도성절연필름) 공법으로 제작되는 HBM에 최적화된 본딩공법을 적용해 높은 생산성을 확보했다는 것이 회사측의 설명이다. 또한 세메스는 현재 HBM4 이후에 초미세 공정을 대비해 별도의 연결 단자없이 칩을 적층으로 연결할 수 있는 고정밀, 고생산성의 하이브리드 본더 장비도 개발해 평가 중에 있다. 세메스 TC본더는 지난해 1천억 원의 매출에 이어 올해 2천500억원 이상의 매출을 목표로 하고 있다. 정태경 세메스 대표는 "다양한 반도체 공정기술이 융합된 하이브리드 본더의 개발로 이 분야 최고의 경쟁력을 갖추게 됐다"며 "설비품질과 신뢰성을 인정받아 매출성장을 이루겠다"고 말했다.

2024.06.03 14:02이나리

반도체 업황 회복세지만…SEMI "전체 팹 가동률 지속 하락"

반도체 업황이 올해부터 전반적인 회복세에 접어든 가운데, 성숙(레거시) 공정의 가동률은 여전히 낮은 수준을 기록하고 있다. 주요 산업인 소비자 및 자동차 시장의 수요가 부진한 데 따른 영향으로 풀이된다. 국제반도체장비재료협회(SEMI)는 반도체 전문 조사 기관인 테크인사이츠와 함께 발행한 반도체 제조 모니터링 보고서를 통해 반도체 산업이 AI를 중심으로 회복되고 있다고 23일 밝혔다. 우선 전자제품 판매는 올 1분기 전년 동기 대비 1% 증가했으며, 2분기에는 전년동기 대비 5% 증가할 것으로 예상된다. IC(집적회로) 매출은 2024년 1분기에 전년 동기 대비 22% 성장을 기록했으며, 고성능컴퓨팅(HPC)을 위한 칩 출하량 증가와 메모리 가격 상승으로 인해 2분기에도 전년동기 대비 21%의 성장세가 전망된다. 또한 IC 재고 수준은 2024년 1분기에 안정화되었으며 2분 분기에는 더욱 개선될 것으로 보인다. 웨이퍼 팹의 생산능력은 지속적으로 증가하고 있으며, 1분기에는 전분기 대비 1.2% 증가한 4천만 개(300mm 웨이퍼 환산 기준)를 넘어설 것으로 보인다. 또한 2분기에는 1.4% 증가할 것으로 예상된다. 다만 전체 팹 가동률은 성숙 공정을 중심으로 2024년 상반기까지 지속 감소할 것으로 보인다. 또한 메모리 분야의 경우 제고 조정을 위한 공급 제어로 인해, 2024년 1분기 메모리 팹의 가동률은 예상보다 낮은 것으로 나타났다. 반도체 자본 지출도 여전히 보수적인 모습을 보이고 있다. 지출 규모는 지난해 4분기에는 전년동기 대비 17% 감소했으며, 올 1분기에도 전년동기 대비 11% 감소했다. 다만 2분기에는 전년동기 대비 0.7% 소폭 상승할 전망이다. 특히 메모리 분야에 대한 자본지출은 2분기에 전분기 대비 8% 증가할 것으로 예상된다. 클락 청 SEMI 시니어 디렉터는 "반도체 부문의 수요가 회복되고 있지만 분야별로 회복 속도가 고르지 않다. AI 칩 및 HBM에 대한 수요가 가장 높으며, 이에 따라 이 부분에 대한 설비 투자가 이어질 것으로 보인다"며 "한편 AI 반도체를 공급하는 업체가 소수이기 때문에 AI 반도체가 전체 IC 출하량 증가에 미치는 영향은 다소 제한적"이라고 밝혔다. 보리스 메토디에프 테크인사이트 디렉터는 "생성형 AI의 높은 성장세에 따라 메모리 및 로직 반도체 대한 2024년도 상반기 반도체 수요도 급증하고 있다"며 "그러나 아날로그, 디스크리트, 광전자 소자 분야는 소비자 시장의 느린 회복세와 자동차 분야 등에 대한 수요 감소로 인해 조정 기간을 거칠 것으로 예상된다"고 말했다.

2024.05.23 10:41장경윤

스맥, 반도체 웨이퍼 폴리싱·클리닝 자동화 장치 특허 취득

공작기계, 산업용 로봇 제조 및 정보통신장비 전문기업 스맥은 반도체 웨이퍼 시편 자동 폴리싱 및 클리닝 장치 관련 특허를 취득했다고 22일 밝혔다. 이번에 특허 취득한 스맥의 웨이퍼 칩 폴리싱 및 클리닝 장치는 화학적 연마제 없이 반도체 웨이퍼의 시편을 폴리싱해 친환경적이며, 폴리싱 및 클리닝 장치가 듀얼 타입으로 장착돼 생산량을 증대시킨다. 기존 장치는 싱글로 화학적 연마제를 사용해 폴리싱 및 클리닝이 개별적으로 이루어졌으며 환경 오염 문제를 발생시키는 문제가 있었다. 하나의 장비 내에서 폴리싱 및 클리닝, 건조 작업을 통합적이고 연속적으로 작업도 가능하다. 웨이퍼 칩을 안정적으로 플레이트에 고정 및 회전시켜 웨이퍼 칩 시편의 검사 부위를 균일하고 정밀하게 처리가 가능해졌다. 스맥은 다년간의 R&D 투자에 대한 결실로 반도체 시장에 특화된 공작기계 라인업을 이미 확대했다. 공작기계에서 더 나아가 반도체 폴리싱 장비 특허 취득으로 급격하게 성장하고 있는 국내를 비롯한 해외 반도체 장비 시장에 여러 전용장비 공급을 강화해 실적 성장세를 가속화할 계획이다. 스맥 관계자는 “스맥의 반도체 웨이퍼 장비는 여러 개의 시편 공정 작업을 동시에 할 수 있어 고객 맞춤형 폴리싱 및 클리닝 작업이 가능해 시장에서 각광받고 있다”며 “일련의 작업 자동화로 반도체 생산 증가에 유연하게 대응이 가능해 품질 분석 장비 투자 확대에 따른 매출 향상에 큰 기여를 할 것”이라고 말했다. 한편 스맥은 공작기계, ICT사업부, 로봇 등 총 62건의 특허를 확보 했으며 반도체 장비 분야에도 지속적으로 투자하여 독자기술 영역을 더욱 강화하고 있다.

2024.05.22 13:45장경윤

HBM 시장 '쑥쑥'..."올해 웨이퍼 투입량서 35% 차지"

HBM(고대역폭메모리)가 주요 메모리 기업들의 생산능력 및 수요 증가로 전체 메모리에서 차지하는 비중이 확대되고 있다. 이에 따라 일반 D램 제품 공급이 부족해질 것이라는 전망도 제기된다. 21일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 HBM이 올해 말까지 전체 선단 메모리 공정용 웨이퍼 투입량에서 차지하는 비중은 35%에 이를 전망이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 고성능 메모리다. 고용량·고효율 데이터 처리가 필요한 AI 산업에서 수요가 증가하면서, 주요 메모리 기업들은 HBM 생산능력 확대에 적극적으로 나서고 있다. 동시에 HBM은 높은 기술적 난이도로 인해 현재 50~60%대의 수율에 머물러 있다. 또한 칩 면적이 커 더 많은 웨이퍼 투입이 필요하다. 이에 따라 각 메모리 기업의 TSV 생산능력 기준 올해 말까지 HBM은 선단 공정용 웨이퍼 투입량의 35%를 차지할 전망이다. 나머지 웨이퍼 용량은 DDR5와 LPDDR5(저전력 D램)급 제품에 할당될 것으로 예상된다. 또한 1a나노미터 이상의 D램 공정에 대한 웨이퍼 투입량도 연말까지 전체 D램 웨이퍼 투입량의 40%를 차지할 것으로 관측된다. 1a는 10나노급 4세대 D램으로, 현재 다음 세대인 1b D램까지 상용화에 이르렀다. HBM은 5세대 제품인 HBM3E의 출하량이 올해 하반기 집중적으로 증가할 전망이다. 현재 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 기업들이 제품 양산을 시작했거나 양산을 추진 중이다. 트렌드포스는 "HBM3E에 1b D램을 활용한 SK하이닉스와 마이크론은 엔비디아에 제품을 공급하기로 했다"며 "1a D램을 활용하는 삼성전자는 올 2분기에 검증을 완료하고 올해 중반에 납품을 시작할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 한편 HBM의 웨이퍼 투입 비중 확대로 일반 D램은 출하량 증가에 어려움을 겪고 있다. 주요 메모리 기업들의 설비투자 속도에 따라 공급부족 현상이 발생할 가능성도 제기된다. 트렌드포스는 "삼성전자는 P4 공장을 내년 완공하며, 화성 15라인의 1y D램 설비는 1b D램 공정 전환을 거치게 된다"며 "SK하이닉스는 M16 공장을 내년 증설할 것으로 예상되고, M15X도 내년 완공해 다음해 말 양산을 시작할 예정"이라고 설명했다. 마이크론의 경우 대만 공장은 내년 풀가동 상태로 회복되며, 향후 생산능력 확장은 미국을 중심으로 이뤄질 전망이다.

2024.05.21 09:50장경윤

SEMI "작년 반도체 소재 시장 규모 91조원…전년比 8.2% 감소"

국제반도체장비재료협회(SEMI)는 지난해 세계 반도체 재료시장 매출이 667억 달러(한화 약 91조4천억원)를 기록했다고 13일 밝혔다. 이는 사상 최고치였던 2022년 727억 달러에서 8.2% 줄어든 수치다. 지난해 웨이퍼 재료 관련 매출은 전년 대비 7.0% 감소한 415억달러를, 패키징 재료 관련 매출은 10.1% 감소한 252억 달러로 집계됐다. 실리콘, 포토레지스트(감광액), CMP 등의 부문은 웨이퍼 재료시장에서 가장 큰 낙폭을 보였다. 유기 기판 부문은 패키징 재료시장 위축의 주된 부분을 차지했다. 지난해 과잉 재고를 줄이기 시작하면서 팹 가동률 하락과 재료 소비의 위축을 발생시켰다. 192억 달러의 매출을 기록한 대만은 14년 연속 세계에서 가장 많은 반도체 재료를 소비한 국가다. 중국은 131억 달러의 매출로 2023년 2위에 올랐다. 한편 한국은 106억달러의 매출로 세계에서 글로벌 3위의 구매력을 드러냈다. 중국을 제외한 모든 지역에서 반도체 재료 구매에 대한 감소를 보였다. 한편 SEMI의 최신 반도체 재료시장 보고서는 반도체 재료 시장 매출액의 7년간 과거 데이터와 향후 2년에 대한 전망을 제공하며, 7개 지역(대만, 한국, 중국, 일본, 북미, 유럽, 기타지역)의 부문별 분기 매출액을 포함한다. 또한 이 보고서는 실리콘 출하량, 포토레지스트, 포토레지스트 보조제, 반도체용 가스 및 리드프레임에 대한 자료를 제공한다.

2024.05.13 11:17장경윤

나노종기원 창립 20년…"180㎚-300㎜ 서비스 플랫폼으로 전환"

나노종합기술원(원장 박흥수)이 창립 20주년을 맞아 변신을 시도한다. 산학연 연구자 중심의 개방형 융복합 플랫폼 기관으로 거듭나기 위해서다. 나노종기원은 나노팹이 지향해야할 방향으로 산업체에 대응해 ▲12인치 소부장 성능평가, 패턴 웨이퍼 등 테스트베드 서비스 확대 ▲8인치 일괄공정 라인 기반 디스플레이, 바이오, 전고체 전지 등 융합기술 개발 ▲스케일-업 상용화 지원을 강화한다. 또 대학과 연구계에 대응해서는 ▲8인치 기반 신소자 검증과 집적공정 플랫폼 등 융복합 특화공정 개발 ▲인재양성 등 개방·활용성 고도화에 적극 나선다. 나노반도체 R&D 서비스 플랫폼 구축 기본 방향도 전환한다. 180㎚ CMOS를 기반으로 300㎜ 테스트베트, 차세대 패키징, 차세대 지능형반도체, 나노반도체 융복합 플랫폼 등으로 서비스를 확장한다. 소부장 테스트베드 양산평가 시스템 고도화도 추진한다. 단계적으로 대기업 유휴장비를 이전 받고, 정부 출연금과 자체 재원을 확보해 모듈1~5까지 단계별 제품 프로토타입 제작 등 풀 프로세스 서비스에도 나선다. 이와함께 ▲300㎜ 첨단 패키징 인프라 고도화 ▲130~180㎚ 기반 차세대 지능형 반도체(FeRAM,ReRAM,PCRAM 등) 소자 개발 및 실증평가 지원 강화 ▲양자 MEMS 및 광집적화 플랫폼 서비스 ▲6k PPI급 OLED 초고해상도 디스플레이 구현을 위한 CMOS 플랫폼 서비스 ▲디지털 인터페이싱 플랫폼 서비스 ▲3D 마이크로 박막 배터리 소자 및 소재 개발 제조공정 및 분석 플랫폼 서비스를 추진한다. 나노종기원은 또 국제협력 강화를 위해 올해만 반도체 글로벌 첨단팹과 연계한 국제협력에 25억 2천만원을 투입한다. 오는 2028년까지 국제협력 분야에 485억 원을 투입한다. 한편 지난 10일 대전컨벤션센터에서 개최한 나노종합기술원 설립 20주년 기념식 및 나노반도체 국제포럼에는 이창윤 과기정통부 1차관을 비롯한 국내외 관계자 300여 명이 참석했다. 이날 시상 코너에서는 ▲과기정통부 장관 표창에 삼성전자(DS부문) 김재순 부장, 나노종합기술원 임성규 본부장 ▲대전광역시장 표창에 이상익 디엔에프 전무와 배우호 나노종기원 책임기술원 ▲나노종기원장 표창은 서용석 KAIST 책임기술원과 장병주 UST 처장, 이석재 나노종기원 본부장이 각각 받았다. 또한 김정호 KAIST 교수, 하정환 에스케이머티리얼즈퍼포먼스(SKMP) 대표, 에바올슨 샬머스대 교수(노벨상 물리학위원장), 그레그 뉴욕 알바니대 교수 등이 주제 발표자로 나서 반도체 미래에 대해 조망했다. 나노종합기술원은 우리나라 나노기술의 시작과 함께 구축되어 반도체 분야의 공정‧분석 서비스까지 제공하는 종합 팹 시설로 자리매김하였으며, 앞으로 12인치(300mm) 웨이퍼 크기의 반도체 소부장 테스트베드를 고도화하고 첨단 패키징 R&D 플랫폼과 지능형 반도체 집적공정 플랫폼을 구축함으로써 국내를 대표하고 세계적인 수준의 첨단 팹과도 협력할 계획이다. 박흥수 원장은 "나노종기원은 우리나라 나노기술의 시작과 함께 구축돼 현재 반도체 분야 공정‧분석 서비스까지 제공하는 종합 팹 시설로 자리매김했다"며 "앞으로 12인치 웨이퍼 크기의 반도체 소부장 테스트베드를 고도화하는 등 우리나라를 대표하는 서비스 기관으로 거듭날 것"이라고 말했다.

2024.05.12 19:54박희범

SEMI "1분기 실리콘 웨이퍼 출하량 5% 감소"

올 1분기 세계 실리콘 웨이퍼 출하량이 전분기 및 전년동기 대비 모두 감소한 것으로 나타났다. 반도체 제조공장의 가동률 하락과 재고 조정이 지속된 데 따른 영향으로 풀이된다. 10일 SEMI(국제반도체장비재료협회)의 최신 보고서에 따르면 2024년 1분기 전 세계 실리콘 웨이퍼 출하량은 전분기 대비 5.4% 감소한 28억3천400만 제곱인치를 기록한 것으로 나타났다. 전년동기(32억6천500만 제곱인치) 대비로는 13.2% 줄었다. 리 청웨이 SEMI SMG 회장 겸 글로벌웨이퍼스 부사장은 "올 1분기 IC(전자회로) 팹 가동률의 지속적 하락 및 재고 조정으로 인해 모든 웨이퍼 직경 전반에 걸쳐 출하량의 역성장이 발생했다"며 "전년동기 대비로 보았을 때 폴리시드 웨이퍼 출하량이 에피웨이퍼보다 조금 더 감소했다"고 설명했다. 그는 이어 "다만 늘어나는 인공지능의 도입이 데이터센터를 위한 첨단 노드의 로직 제품과 메모리의 수요 상승을 가속화함에 따라 2023년 4분기에는 일부 팹의 가동률이 하락세를 벗어났다"고 덧붙였다. 번 데이터는 버진 테스트 및 에피택셜 실리콘 웨이퍼와 같은 폴리시드 실리콘 웨이퍼와 논 폴리시드 실리콘 웨이퍼가 포함된다. 출하량은 반도체 산업만을 포함한다. 실리콘 웨이퍼는 반도체 제조의 핵심 소재다. 컴퓨터, 통신제품, 소비가전제품 등 모든 전자제품 제조에 필수적으로 활용된다. 정밀하게 가공된 실리콘 디스크는 1인치에서 12인치에 이르기까지 다양한 직경으로 생산되며, 기판 소재로 사용돼 그 위에 대부분의 반도체 칩을 생산한다.

2024.05.10 09:47장경윤

세메스, 반도체 고온 매엽인산 세정장비 개발

삼성전자 자회사 반도체 장비업체 세메스가 반도체 제조용 고온 매엽인산 세정장비 '블루아이스 프라임'을 신규 개발했다고 7일 밝혔다. 매엽식 인산 공정은 웨이퍼 상부에 170℃ 이상의 고온 인산(H3PO4)을 토출해 패턴면을 처리하는데 있어 식각 균일도 및 불순물 제거 기술확보가 어려워 많은 기업들이 개발에 어려움을 겪은 장비다. 반면, 세메스는 자체 개발한 척(Chuck)을 장착해 웨이퍼를 고온으로 히팅해 웨이퍼 중앙과 가장자리의 온도 균일도를 높이는 데 성공했다. 또 기존 배치타입 습식 세정방식의 한계로 지적됐던 불순물 제거율을 90% 이상 향상시켜 매엽식 인산 공정의 기술적 차별화를 이뤘다. 세메스는 "작업과정에서 발생하는 오폐수를 최소화하기 위해 케미컬 리사이클링 기술 개발로 90% 이상의 케미컬 재사용이 가능하다"며 "최근 수요업체에서 요구하는 친환경 그린팹 설비로 제작됐다"고 밝혔다. 정태경 세메스 대표는 "현재 고온 매엽인산 기술은 산자부 국가 첨단기술 및 제품으로 등록됐다"라며 "앞으로 다양한 반도체 공정기술이 융복합화된 신제품 개발을 통해 매출확대 뿐만 아니라, 친환경 설비경쟁력을 확보해 나갈 방침이다"고 전했다. 한편, 세메스는 2014년 세계 최초로 반도체 초임계 세정장비를 개발해 국가 핵심기술로 지정된 바 있다.

2024.05.07 15:38이나리

SK실트론, 구미시 12개 고교에 '반도체스쿨' 개설

SK실트론은 구미지역 반도체 인재 육성을 위해 구미시, 구미상공회의소와 'SK실트론과 함께 하는 반도체스쿨'(이하 반도체스쿨) 업무협약을 체결했다고 7일 밝혔다. 7일 구미상공회의소에서 진행된 업무협약식에는 유경숙 구미시 경제산업국장, 장동기 구미상공회의소 사무국장, 조경철 SK실트론 대외협력담당이 참석했다. SK실트론, 구미시, 구미상의는 반도체스쿨을 통해 구미시 12개 고등학교 2천700여명의 학생들을 교육해 미래 반도체 산업을 이끌어갈 지역 인재를 육성하겠다는 계획이다. 구미시는 지난해 7월 안정적인 반도체 공급망 및 경제안보 확보를 위해 비수도권에서는 유일하게 반도체 특화단지로 지정됐다. 반도체스쿨에서는 반도체 핵심소재인 웨이퍼, 기판 등을 공급하는 구미 반도체 특화단지의 위상을 소개하고 반도체 산업의 현황과 전망, 반도체 공정 및 기술에 대한 정보를 제공할 예정이다. 또한 지역 내 반도체 산업 관련 진학과 취업 정보를 전달해 향후 진로 선택에 실질적인 도움을 줄 계획이다. 반도체스쿨은 SK실트론이 2019년부터 반도체 인재 양성 지원을 위해 초·중학생을 대상으로 진행해 온 '웨이퍼스쿨'의 심화 과정이다. 지난 4월부터 구미교육지원청의 협조를 통해 참여 고등학교를 모집 중이며 SK실트론 임직원, 구미지역의 반도체 관련 전공 대학생 등을 진로 강사로 양성해 7월부터 9월까지 100회 이상의 학교 방문교육을 진행하게 된다. 유경숙 구미시 경제산업국장은 “구미가 반도체 특화단지로 지정된만큼 반도체 산업이 지역대표 산업으로 더욱 성장할 수 있도록 지역 내 반도체 인재 양성을 위해 지속 노력하겠다”고 말했다. 장동기 구미상공회의소 사무국장은 “반도체스쿨은 지역 반도체 기업인 SK실트론과 함께 추진하는 사업이라 더욱 의미가 크다”며 “구미 지역 반도체 기업들의 발전을 위해 더욱 적극적으로 지원해나가겠다”고 밝혔다. 한편 SK실트론은 반도체 인재 육성을 위해 2019년부터 9천300여명의 초·중학생에게 '웨이퍼스쿨' 프로그램을 진행해왔다. 웨이퍼스쿨에서는 반도체와 웨이퍼에 대한 기초 지식을 전달하고 반도체 분야 진로 탐색을 지원한다. 올해는 구미 소재 17개 중학교 2천900여명의 학생들을 대상으로 4월부터 교육을 진행하고 있다.

2024.05.07 14:06장경윤

로옴 그룹 'SiCrystal', ST와의 SiC 웨이퍼 공급 계약 확대

로옴(ROHM)과 ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 로옴 그룹 내 SiCrystal GmbH(이하 SiCrystal)의 수년 간에 걸친 ST향 150mm SiC 웨이퍼 장기 공급 계약을 확대한다고 22일 밝혔다. 계약 확대 내용은 독일의 뉘른베르크에서 생산되는 SiC 웨이퍼를 향후 수년간에 걸쳐 공급하는 것으로, 확대 기간의 거래액은 2억3천만 달러 이상이 될 것으로 예상하고 있다. 우수한 에너지 효율을 갖춘 SiC 전력반도체는 자동차 및 산업기기를 한층 더 지속 가능한 방법으로 전장화할 수 있다. 또한 AI 어플리케이션용 데이터 센터와 같이 방대한 자원을 사용하는 인프라 설비를 위한 견실한 전원 공급에도 기여한다. ST는 "SiCrystal과의 SiC 웨이퍼 장기 공급 계약 확대를 통해 150mm의 SiC 웨이퍼를 추가로 확보했다"며 "이를 통해 전 세계 자동차기기 및 산업기기 분야의 고객에게 제공하는 제품의 제조 능력 증강을 서포트할 예정"이라고 밝혔다. 로버트 엑스타인 로옴 그룹 SiCrystal 사장 겸 최고경영자(CEO)는 "SiCrystal은 SiC의 리딩 컴퍼니인 로옴의 그룹사로서, 장기간에 걸쳐 SiC 웨이퍼를 제조해 왔다"며 "이번에 오랜 고객사인 ST와의 공급 계약을 확대할 수 있어서 매우 기쁘게 생각하고, 앞으로도 150mm SiC 웨이퍼의 공급량을 계속적으로 증가시켜 신뢰성이 높은 제품을 끊임없이 제공할 것"이라고 말했다. 한편 로옴 그룹 회사인 SiCrystal은 단결정 SiC 웨이퍼의 주요 공급업체다. SiCrystal의 고도 반도체 기판은 전기자동차 및 급속 충전 스테이션, 재생 가능한 에너지, 그리고 산업 용도의 다양한 분야에서, 전력 변환 효율을 높이기 위한 초석이 되고 있다.

2024.04.23 09:06장경윤

SK실트론, 2년 연속 연매출 2兆 돌파...'SiC 웨이퍼' 사업 자신감

SK실트론이 반도체 불황 속에서도 지난해까지 2년 연속 연매출 2조원 대를 유지했다. 지난해 하반기 실리콘웨이퍼 및 SiC(탄화규소) 웨이퍼 판매량이 증가한 덕분이다. 특히 회사는 올해에도 SiC 웨이퍼 매출이 전년 대비 2배 이상 성장할 것이라고 자신했다. 25일 업계에 따르면 SK실트론은 지난해 연 매출 2조260억원, 영업이익 2천810억원을 기록했다. 전년 대비 매출은 14%, 영업이익은 50% 가량 감소한 수치다. 지난해 반도체 불황에 따른 여파가 웨이퍼 업계에 본격적인 영향을 미치면서, 실적이 다소 꺾인 것으로 풀이된다. 다만 SK실트론이 2년 연속 연 매출 2조원 대를 기록했다는 점은 고무적이다. 앞서 SK실트론은 지난 2022년 2조3천550억원의 매출로 사상 첫 연 매출 2조원을 돌파한 바 있다. SK 측은 최근 발간한 실적발표 자료를 통해 "SK실트론은 지난해 4분기 주요 고객사의 감산 전략 속에서도 300mm(12인치) 폴리실리콘 웨이퍼의 판매량이 증가했다"며 "SiC(탄화규소) 웨이퍼 또한 판매량이 늘었다"고 설명했다. 올해에는 SK실트론의 실적 개선세가 뚜렷해질 것으로 전망된다. 국제반도체장비재료협회(SEMI)에 따르면, 올해 세계 웨이퍼 실리콘 웨이퍼 출하량은 전년 대비 8.5% 증가한 135억7천800만 제곱인치로 예상된다. 웨이퍼가 반도체 후방산업에 속한다는 점을 고려하면, 출하량은 올 상반기보다 하반기에 증가할 가능성이 유력하다. 또한 SK실트론은 SiC 웨이퍼의 성장세가 가파를 것으로 내다봤다. SiC는 기존 실리콘 대비 고온·고압 내구성, 전력효율성 등이 높은 차세대 전력반도체 소재다. 전기차 시장에서 특히 수요가 크게 증가하고 있다. SK실트론은 지난 2020년 미국 미시간주에 위치한 듀폰의 SiC 웨이퍼 사업부(현 SK실트론 CSS)를 인수하고, SiC 웨이퍼 사업을 진행해 왔다. SK실트론 CSS는 현재 150mm(6인치) SiC 웨이퍼 제조에 주력하고 있다. SK 측은 "SK실트론 CSS의 올해 매출은 전년(한화 약 791억원) 대비 2배 이상 증가할 것으로 전망된다"며 "최근 미국 에너지부(DOE)로부터 약 7천200억원의 대출 승인으로 투자재원도 확보했다"고 설명했다.

2024.03.25 16:05장경윤

SK실트론, CDP 기후변화대응·수자원관리 모두 '리더십 A' 획득

SK실트론이 탄소정보공개프로젝트(CDP)로부터 기후변화대응 부문과 수자원관리 부문에서 각각 최상위 등급인 '리더십 A'를 획득했다고 13일 밝혔다. CDP는 2000년 영국에서 설립된 글로벌 비영리기관으로 전 세계 2만3천여개 기업의 환경 관련 정보를 분석∙평가하고 있다. 평가 등급은 리더십 A, 리더십 A-, 매니지먼트 B, 매니지먼트 B- 등 총 8개 등급으로 나눠져 있다. SK실트론은 지난 13일 CDP 한국위원회가 개최한 '2023년 CDP 코리아 어워드'에서 기후변화대응 부문 탄소경영 섹터 아너스상과 수자원관리 부문 대상을 받았다. 양 부문 모두 최상위 등급인 '리더십 A'를 받은 것으로, 기후변화대응 부문에서는 2년 연속 최상위 등급을, 수자원관리 부문에서는 지난해 '리더십 A-' 대비 더욱 높은 등급을 획득했다. 기후변화대응 부문에서 '리더십 A'를 획득한 기업은 2023년에 정보를 공개한 전 세계 2만3천여개 기업 중 상위 1.5%에 해당하는 347개 기업이고, 수자원관리 부문에서는 4,8천여개 중 상위 2.1%에 해당하는 100개 기업뿐이다. 특히 국내 기업 중 2023년에 두 부문 모두 '리더십 A'를 획득한 기업은 SK실트론이 유일하며, 글로벌 웨이퍼 업계 중에서도 유일하다. SK실트론은 지난 2021년에 2040년까지 탄소 순 배출량 '0'을 목표로 하는 '넷제로(Net Zero) 2040'를 선언한 이래 '로이스트-카본 웨이퍼 서플라이어(가장 적은 탄소를 배출하는 웨이퍼 제조기업)를 지향하며 탄소 감축 계획을 수립해 성실히 이행하고 있다. SK실트론은 ESG경영위원회를 중심으로 ESG 전략을 수립해 체계적으로 실행하고 있다. 모든 제조 사업장에서 온실가스 배출량을 감축, 재생에너지 전환을 추진해 기후변화에 대응함과 동시에, 용수와 폐기물 재활용률을 높여 자원순환을 확대하고 있다. 또한 ESG 성과를 기반으로 국내외 고객사들과 직접 소통하며 '탄소 협력 프로젝트'를 추진함으로써 포장재 재활용, 저탄소 해상운송 전환 등의 ESG 협력과제를 발굴, 시행해 밸류체인상의 온실가스 배출량도 함께 줄여나가고 있다. 지속가능한 공급망 관리를 위해 협력사의 ESG 경영도 지원하고 있다. SK실트론 관계자는 “ESG 경영에 대한 고객사의 요구 수준이 높아지는 가운데, 본연의 제조∙기술∙품질 경쟁력에 ESG 경쟁력을 더해 사업 성과를 높여나갈 것”이라고 말했다.

2024.03.13 10:39장경윤

RFHIC, 스위겐에 지분 투자…"GaN 반도체 사업 확대"

화합물 반도체 전문기업 RFHIC는 질화갈륨 반도체 사업 확대를 위해 스웨덴의 질화갈륨 반도체 에피웨이퍼 개발업체인 스위겐(SweGaN)에 전략적 지분 투자를 결정했다고 5일 밝혔다. 최근 질화갈륨(GaN) 및 실리콘카바이드(SiC) 등 화합물 반도체에 대한 시장의 관심이 확대되고 있다. 이에 따라 RFHIC는 스위겐에 전략적 지분투자를 단행함으로써 해당 분야에서 경쟁력을 확보해 나가겠다는 계획이다. 스위겐은 RF 및 전력반도체에서 최고의 성능을 갖는 6인치 질화갈륨 반도체(GaN on SiC) 에피웨이퍼를 개발하고 제조하는 기업이다. 특히 스위겐의 에피웨이퍼가 적용된 질화갈륨 반도체는 4GHz 이상의 초고주파 대역에서 전력 효율성이 높은 특성을 가지고 있다. 이러한 에피웨이퍼 개발 및 제조 기술은 질화갈륨 반도체 성능의 약 50% 이상 영향을 주는 핵심 요소다. 그만큼 시장에서 요구하는 초고주파 대역에서의 고출력, 고효율의 제품 수요를 스위겐 제품을 통해 적극 대응할 수 있을 것이라고 회사 측은 전망하고 있다. RFHIC 관계자는 “이번 전략적 지분투자를 통해 지속적으로 증가하고 있는 GaN 반도체 수요에 적극 대응하고, 4GHz 이상 주파수로 확대될 것이라 예상되는 5G, 6G 및 저궤도 위성통신 분야에서도 독보적인 제품을 출시할 수 있도록 연구개발에 주력할 계획”이라고 전했다. 관계자는 이어 “양사의 기술 등을 접목시켜 기존 RFHIC의 무선통신 및 방위산업 제품들의 경쟁력도 한 단계 업그레이드시키는 등 상호 전략적 협력관계를 통해 상생할 수 있는 다양한 방안을 모색할 예정이다”고 덧붙였다.

2024.03.05 09:00장경윤

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