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'웨이퍼'통합검색 결과 입니다. (81건)

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中, 12인치 'SiC 웨이퍼' 최초 공개…기술력·시장 급성장

중국이 메모리, 파운드리에 이어 차세대 전력반도체 핵심 소재인 SiC(실리콘카바이드) 웨이퍼 산업에서도 두각을 나타내고 있다. 지난해 급격한 매출 성장세를 기록한 것은 물론, 최근 기술력 면에서도 의미있는 성과를 거뒀다. SiC 웨이퍼는 SK실트론 등 국내 기업들도 사업 확대를 노리는 분야로, 중국의 공세에 미리 대응해야 한다는 목소리가 제기된다. 22일 업계에 따르면 중국 SiC 웨이퍼 전문기업 SICC는 최근 유럽에서 열린 '세미콘 유럽 2024'에서 업계 최초로 300mm(12인치) SiC 웨이퍼를 발표했다. SiC는 기존 실리콘(Si)을 대체할 차세대 전력반도체 소재다. 실리콘 대비 고온·고압에 대한 내구성이 높고, 전력 효율성이 뛰어나다. 덕분에 전기자동차 산업을 중심으로 수요가 꾸준히 증가하고 있다. 다만 SiC 웨이퍼는 기술적 난이도가 매우 높은 분야로 평가 받는다. 현재 실리콘 웨이퍼가 대부분 8·12인치용으로 제작되는 반면, SiC 웨이퍼는 6인치가 주류를 이루고 있다. 8인치는 울프스피드, 인피니언 등 해외 소수 기업만이 초도 생산을 시작한 상태다. 이러한 상황에서 중국 SICC의 12인치 SiC 웨이퍼의 개발 소식은 업계의 주목을 받고 있다. 반도체 업계 관계자는 "현재 SiC 반도체 시장이 8인치로 전환되는 과정에 있기 때문에, 당장 12인치 웨이퍼가 시장성을 가진 것은 아니다"면서도 "그러나 중국 웨이퍼 제조업체가 기술 리더십을 선점했다는 측면에서는 무시할 수 없는 행보"라고 설명했다. 실제로 중국은 SiC 웨이퍼 시장에서 상당한 입지를 굳히고 있다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면, 지난해 기준 전 세계 SiC 웨이퍼 제조기업의 매출 순위에서 중국 기업은 2위(Tankeblue), 4위(SICC), 6위(semiSiC)에 올랐다. 이들 기업은 2022년만 해도 매출 순위가 그리 높지 않았으나, 1년만에 급격한 매출 성장세를 기록했다. 특히 SICC의 경우 매출이 804%나 증가하면서, 기술력과 시장성 측면에서 모두 유의미한 성과를 얻었다. 중국이 이처럼 SiC 산업에서 두각을 드러낼 수 있었던 주요 배경 중 하나는 정부의 적극적인 지원 정책이다. 중국은 SiC와 GaN(질화갈륨) 등 차세대 전력반도체 소자를 '3세대 반도체'로 규정하고, 관련 산업에 투자하는 기업에 보조금을 지급해 왔다. 2017년 시행된 13차 5개년 규획, 2021년 14차 5개년 규획 등에 이 같은 내용이 모두 포함돼 있다. 또 다른 관계자는 "중국 SiC 웨이퍼 기업들은 탄탄한 내수 전기자동차 시장을 등에 업고 성장할 수 있어, 산업적으로 유리한 위치를 점하고 있다"며 "공급량을 확대하면 SiC 웨이퍼 수익성이 하락하는 등 부수적인 여파까지 미칠 수 있다"고 강조했다. 한편 국내에서는 SK실트론이 미국 듀폰의 SiC 사업부를 인수해 관련 사업을 진행하고 있다. 쎄닉, 아르케 등 스타트업들도 SiC 웨이퍼 양산을 위한 준비에 매진하고 있다.

2024.11.22 13:07장경윤

ACM리서치, 반도체 제조용 '울트라C 타호 세정 장비' 성능 향상

반도체 장비 업체 ACM리서치는 주력 제품인 울트라C 타호(Tahoe) 세정 장비의 성능을 크게 향상시켰다고 21일 발표했다. 울트라 C 타호는 중저온 과산화황 혼합물(sulfuric peroxide mix, SPM) 공정에서 사용되는 독립형 싱글 웨이퍼 세정 장비다. 타호의 특허 받은 하이브리드 아키텍처는 배치 웨이퍼 처리(batch wafer processing)와 싱글 웨이퍼 세정 챔버를 동일한 SPM 툴에 결합한 업계 최초의 제품이다. 이 하이브리드 아키텍처는 향상된 세정 성능, 높은 처리량, 우수한 공정 유연성을 제공하며, 화학약품 사용을 최대 75%까지 줄일 수 있다. 이런 성능 향상 덕분에 반도체 제조 업체는 황산 사용 절감만으로도 연간 최대 50만 달러의 비용을 절감할 수 있을 뿐만 아니라, 황산 사용이 줄어든 만큼 그에 따른 처리 및 폐기물 감소로 인해 환경적, 비용적으로 추가적인 이점을 누릴 수 있다. 타호 플랫폼의 첨단 세정 기능은 26나노에서 평균 입자 수를 6개 이하로 달성해 첨단 노드 제조 환경의 엄격한 요구 사항을 충족한다. 또한 이 장비는 더 미세한 입자에 대한 필터링 시스템이 추가되어 최첨단 로직 및 메모리 애플리케이션을 위한 10나노대 크기의 입자를 제거할 수 있다. 또 벤치 모듈의 슬롯 수가 기존 13개에서 25개로 늘어나고, 싱글 웨이퍼 챔버는 기존 8개에서 9개로 각각 늘어나 시간당 200개 이상의 웨이퍼 처리가 가능해졌다. 이는 12챔버 SPM 시스템의 성능에 견줄 만하다. LDD(lightly-doped drain), SD(source/drain)과 같은 주요 루프를 포함해 30개 이상의 생산 레이어에 대한 인증을 받았다. 이 외에도 추가적 레이어 및 애플리케이션이 현재 개발 중이다. ACM의 사장 겸 CEO인 데이비드 왕(David Wang) 박사는 "AI가 초미의 관심사로 떠오르면서 반도체 칩 제조가 환경에 미치는 영향에 대한 대중의 관심이 높아질 것으로 예상한다"라며 "ACM의 울트라C 타호 장비는 고객이 첨단 AI 칩의 생산을 늘리면서도 환경에 미치는 영향을 줄일 수 있게 도와준다"고 밝혔다. 업그레이드된 울트라 C 타호 장비는 현재 중국 내 여러 고객들의 양산 시설에서 활용되고 있다. 이 외에도 몇몇 로직 및 메모리 고객들이 이 장비를 평가하고 있으며, 올해 말까지 추가적인 장비를 공급하게 될 것으로 ACM은 예상하고 있다.

2024.11.21 13:16이나리

OCI, DB하이텍에 반도체 인산 납품

OCI는 이달부터 국내 반도체 파운드리 전문 업체인 DB하이텍의 부천공장에 반도체 인산을 초도 납품한다고 20일 밝혔다. OCI는 지난 8월 국내 제조사 중 최초로 SK하이닉스에 반도체 인산 공급사로 선정된 데 이어 DB하이텍 추가 수주에 성공하며, 다시 한번 반도체 인산의 품질 및 경쟁력을 인정받게 됐다. OCI는 2007년 반도체 인산 사업을 시작한 이후 군산공장에서 연간 2만5천톤 규모의 인산을 생산하며 삼성전자, SK하이닉스, SK키파운드리 등 국내 반도체 칩메이커를 대상으로 제품을 안정적으로 공급하고 있다. OCI가 생산하는 반도체 인산은 반도체 제조 공정 중 웨이퍼 식각 공정에 필수적인 소재로, 웨이퍼의 불필요한 부분을 정밀하게 제거하여 회로를 형성하는데 중요한 역할을 한다. DB하이텍은 8인치 파운드리 전문 기업으로, 부천(FAB1)과 상우(FAB2) 두 곳에 공장을 운영하고 있다. DB하이텍은 올해 상반기 생산능력 향상을 완료하여, 부천공장은 월 9만1천장, 상우공장은 월 6만3천장의 웨이퍼 생산능력을 갖추고 있다. OCI는 2021년 DB하이텍 상우공장에 반도체 인산을 최초로 납품한 이후, 부천공장까지 납품라인 확대를 위해 지속적인 노력을 기울여 왔다. 타사 제품이 사용되던 기존 라인에 진입을 위해서는 일반적으로 신규 공장에 납품하는 것보다 진입장벽이 더 높기 때문에, 이번 납품은 의미가 크다. OCI는 DB하이텍이 요구하는 제품 스펙과 생산라인 특성에 적합한 제품을 공급하기 위하여 전담 인력을 배치하고, 긴밀한 소통을 통해 적극적으로 협력해 왔다. 또한, 제품 품질 향상과 공정 개선을 위해 연구개발에 매진한 한편, 안정적 공급망 관리와 원자재 확보를 위해 꾸준히 노력한 결과, 품질과 안정적 공급 측면에서 우수한 평가를 받아 DB하이텍 부천공장에 추가 공급할 수 있었다. OCI는 지난 8월 국내 제조사 중 최초로 SK하이닉스에 반도체 인산 공급사로 선정된 것에 이어 DB하이텍 부천공장까지 공급 라인이 확대됨으로써, OCI 제품의 품질과 경쟁력이 국내 반도체 제조사들로부터 높은 평가를 받고 있음을 재입증하는 계기가 되었다. OCI는 우수한 제품 경쟁력을 기반으로 고객사의 수요 증가에 탄력적으로 대응하며 반도체 인산 매출을 더욱 확대해 나갈 방침이다. 김유신 OCI 사장은 “DB하이텍 부천공장에 반도체 인산을 성공적으로 납품하게 된 것은 매우 의미 있는 성과”라며 “앞으로도 뛰어난 제품 품질과 안정적인 공급을 통해 경쟁력을 더욱 강화해 나가고, 반도체 분야 핵심 소재 기업으로서 독보적인 지위를 확보해 나가겠다”고 밝혔다.

2024.11.20 09:09장경윤

삼에스코리아, 반도체 패키징 특허 中 등록…현지 시장 공략 준비

반도체 웨이퍼캐리어 제조 전문기업 삼에스코리아(3S)는 자사의 패널 레벨 패키지(PLP) 기술에 대한 중국 특허 등록을 완료했다고 19일 밝혔다. '패널 수납용기의 트레이 결합구조'로 명명된 이 특허는 2023년 2월 국내에서 먼저 등록된 기술을 기반으로 한다. 해당 특허는 450mm 이상 대형 패널이 들어가는 수납용기를 처짐 없이 안정적으로 지지하기 위해 필수적인 보강 부재를 덧대는 기술을 적용한 것이 핵심이다. 3S는 현재 이 기술을 자사의 대형 패널용 캐리어(PLP-FOUP)에 모두 적용해 양산하고 있다. 중국 반도체 시장은 정부 주도로 급격히 성장하고 있으며, 특히 첨단 패키징 기술에 대한 투자가 활발히 이뤄지고 있다. 3S는 2016년부터 PLP-FOUP 개발 및 양산을 선도해온 만큼 지난해부터 중국 기업들로부터 제품 공급 문의가 꾸준히 이어지고 있다. 따라서 이번 중국 특허 등록은 3S가 중국 시장에서 독점적인 기술적 우위를 확보하고, 지식재산권 보호를 강화하는 데 중요한 전환점이 될 것이라는 것이 회사측의 설명이다. 특히 반도체 후공정은 중국 반도체 산업에서 가장 경쟁력 있는 분야다. 대신증권 리서치센터에 따르면 중국은 이 분야에서 글로벌 시장 점유율 28%를 차지하며, 대만(56%)에 이어 2위를 기록하고 있다. 특히 AI 반도체 칩에 대한 미국의 수출 제재가 강화되면서, 중국 내 첨단 패키징 기술의 중요성은 더욱 부각되고 있다. 중국 내에서 클라우드, 전기차, IoT 등 차세대 산업에 필요한 고성능 반도체 기술 자국화를 위한 기술 돌파구로 첨단 패키징이 주목받고 있는 이유다. 3S 관계자는 “CPU, GPU, 고성능 스마트폰 AP 등에 주로 사용되는 팬아웃 패키징 기술은 향후 높은 시장 성장세가 예견된다”며 “상대적으로 중국 첨단 패키징 산업군이 다양하고 많은 업체들이 적극적인 투자를 하고 있는 만큼 당사 역시 PLP-FOUP 관련 사출방식 대형 패널용 캐리어의 유일한 양산업체로서 금번 중국 특허 등록으로 현지에서 그 위치를 더욱 확고히 할 것으로 기대된다”고 말했다.

2024.11.19 09:48장경윤

SEMI "3분기 세계 웨이퍼 출하량 전분기比 6% 상승"

13일 국제 반도체 관련 협회 SEMI에 따르면 올 3분기 세계 실리콘 웨이퍼 출하량은 전분기 대비 5.9% 증가한 32억1400만 제곱인치를 기록했다. 전년동기 대비로는 6.8% 증가했다. 리 청웨이 SEMI SMG(실리콘 제조 그룹) 회장 겸 글로벌웨이퍼스 부사장은 "올해 2분기부터 시작된 실리콘 웨이퍼 출하량의 상승세는 이번 3분기에도 이어졌다"며 "재고 수준이 전체 공급망에서 감소함에도 아직 높은 수준을 유지하고 있지만, AI에 사용되는 웨이퍼에 대한 수요는 계속 강세를 보이고 있다"고 밝혔다. 그는 이어 "2025년에도 실리콘 웨이퍼 출하량의 상승세는 유지될 것으로 보이지만 2022년 최고치를 기록했던 수준까지는 도달하지 못할 것"이라고 덧붙였다. 실리콘 웨이퍼는 반도체 제조의 핵심 소재이기 때문에 컴퓨터, 통신제품, 소비가전제품 등 사실상 모든 전자제품에 필수적인 요소다. 정밀하게 가공된 실리콘 디스크는 1인치에서 12인치에 이르기까지 다양한 직경으로 생산되며 기판 소재로 사용돼 그 위에 대부분의 반도체 칩을 생산한다. SEMI SMG은 협회 안에서 전문 위원회 그룹(SIG)으로 활동하며, 다결정 실리콘, 단결정 실리콘 및 실리콘 웨이퍼 생산에 관련된 회사들로 구성돼 있다. 이 그룹의 목적은 실리콘 산업과 반도체 시장에 대한 시장 정보와 통계 개발 및 실리콘 산업에 관련된 주요 사안에 대해 공동의 노력을 촉진시키는 데 있다.

2024.11.13 13:42장경윤

P4 투자 가닥 잡은 삼성전자…라인명 P4F서 'P4H'로

삼성전자가 제4 평택캠퍼스(P4)의 첫 생산라인에 대한 투자 방향을 확정했다. 최근 생산라인 이름을 변경하고, 최선단 낸드와 D램을 동시에 양산하기 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 7일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 3분기경 P4 페이즈(Ph)1 라인명을 기존 P4F에서 P4H로 변경했다. F는 낸드플래시(Nand Flash)를 뜻하는 용어다. H는 하이브리드(Hybrid)의 약자다. Ph1을 낸드 전용 라인으로 활용하는 대신, 낸드와 D램을 동시에 생산하겠다는 의미를 담고 있다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자 내부에서 Ph1에서 D램과 낸드를 모두 양산하는 방안을 지속 논의해왔다"며 "최근 라인명을 변경하고, 관련 장비를 설치하기 위해 엔지니어들이 분주히 움직이고 있는 상황"이라고 설명했다. 구체적으로, P4H 라인에서는 낸드에 대한 설비투자를 월 1만장 규모만 확정한 상태다. 올해 중반 월 5천장 수준의 투자가 진행됐고, 연말까지 월 5천장 규모를 더 투자하는 방식이다. 추가 투자에 대한 향방은 내년 중반 정도에야 나올 것으로 업계는 보고 있다. QLC(쿼드레벨셀) V9 낸드 등 업계 최선단 낸드의 양산 준비는 마쳤으나, 불확실한 시황으로 인해 계획이 보류된 상태다. D램은 삼성전자가 생산능력을 집중 확장 중인 1a(5세대 10나노급), 1b(6세대 10나노급) D램을 생산할 계획이다. 현재 삼성전자는 P1·P2·P3 등 평택 캠퍼스에서 기존 레거시 D램을 1a, 1b 등으로 전환하기 위한 투자에 나서고 있다. P4H에서는 이들 D램의 제조공정의 일부를 진행해주는 역할을 맡을 것으로 예상된다. 이에 따라 P4H에 구축되는 최선단 D램의 생산능력은 최소 월 3만~4만장 가량 확보될 전망이다. 또 다른 관계자는 "삼성전자가 내년 경쟁사의 공격적인 D램 비트(bit) 증가율, HBM(고대역폭메모리) 확장 전략 등을 고려해 1a·1b 생산 비중 확대에 적극 나서는 분위기"라며 "전환 투자에 따른 D램의 총 웨이퍼 투입량 감소도 우려돼, P4H에 D램 설비를 서둘러 들이고 있다"고 밝혔다.

2024.11.07 15:09장경윤

바커케미칼, 고집적 반도체용 필수 소재 '실란 전구체' 개발

글로벌 화학기업 바커케미칼은 고집적 메모리 칩 및 마이크로프로세서 제조에 필수적인 특수 소재인 실란(silane) 전구체를 개발했다고 7일 밝혔다. 전구체는 박막증착을 위한 화학물질 재료다. 이 재료를 웨이퍼 아래에 두고 온도를 올리면, 기체로 변하면서 바로 위의 웨이퍼로 올라가 증착이 이뤄진다. 이번 개발로 바커의 특수 반도체 소재 포트폴리오는 한층 강화됐다. 새로 개발된 실란은 반도체 제조 공정의 화학 기상 증착(CVD) 단계에서 사용되며, 웨이퍼 표면과 반응하여 유전 상수가 낮은 초박막 절연층을 형성한다. 이 절연층은 촘촘히 배열된 연결 부품과 회로 간의 전자기 간섭을 차단해 오작동의 우려 없이 안정적인 성능을 가진 고집적 마이크로칩의 제조를 보장한다. 새로운 실란의 개발은 고객 맞춤형 고부가가치 솔루션을 제공하고자 하는 바커 그룹의 지속적인 노력을 보여준다. 오늘날 반도체 칩은 아주 작은 공간에 수십억 개의 트랜지스터가 결집한 형태를 지닌다. 소형화 기술의 진전으로 트랜지스터 수는 늘어나고 반도체 성능은 향상되고 있지만, 그만큼 기술적 문제도 많다. 반도체 미세 공정이 진화함에 따라 다이 내부에 여러 블록들이 더욱 더 가까운 거리에 밀집하게 된다. 따라서 인접 블록 간에 노이즈 문제가 발생한다. 바커의 신규 개발 제품은 이러한 문제에 대한 실용적인 솔루션을 제공한다. 인접 블록 간의 노이즈를 해결하는 간단한 방법은 블록 간 거리를 띄우는 것이다. 하지만 이렇게 하면 성능 저하가 발생한다. 거리를 좁히면서 노이즈를 차단하려면 차단막, 즉 격벽이 필요하다. 바커의 새로운 실란은 반도체 제조 공정에서 박막을 형성하는 중요한 전구체 역할을 한다. 구체적으로는 가열된 초고순도 실리콘 웨이퍼의 표면과 반응해 유전상수가 낮은 절연층을 만드는데, 이는 연결 부품 사이에서 높은 주파수로 움직이는 전류에 대한 전자기 간섭을 막아준다. 토마스 코이니 바커 실리콘 사업 총괄 사장은 "당사 화학 분야 전문가들의 집중적인 연구 덕분에 마이크로칩 성능을 크게 향상하는 실란 개발에 성공했다"며 "고도로 복잡한 고집적 컴퓨터 칩의 개발을 촉진할 제품"이라고 말했다. 이미 수년째 반도체 업계에 필요한 원재료와 첨가제 등을 공급하고 있는 바커 그룹은 유럽의 가장 큰 폴리실리콘 제조사로, 반도체용 폴리실리콘의 기술과 품질을 주도하는 세계적 리더로 평가받고 있다. 다결정 실리콘은 고순도 실리콘 웨이퍼 제조에 필요한 원재료며, 고순도 실리콘 웨이퍼를 여러 단계에 걸쳐 가공하면 최종적으로 마이크로칩이 만들어진다. 마이크로칩 두 개 중 한 개는 바커가 생산한 초고순도 폴리실리콘으로 이뤄져 있다.

2024.11.07 08:47장경윤

DMS, 차세대 'OLEDoS' 장비 상용화…中 시장에 첫 공급

국내 디스플레이 장비업체 DMS는 중국 업체와 올레도스 장비 공급계약을 체결했다고 4일 밝혔다. DMS는 관련 장비 초도 물량을 오는 12월 초순에 납품하는 한편, 해당 기업으로부터 추가 수주도 예상하고 있다. 반도체 실리콘 웨이퍼 위에 디스플레이 OLED를 증착하는 형태인 올레도스는 주로 증강현실(AR), 가상현실(VR) 디스플레이에 활용된다. 기술적인 난이도로 보면 반도체와 디스플레이 중간 정도로 평가를 받는다. DMS는 1999년 설립된 이래로 액정표시장치(LCD), 유기발광다이오드(OLED) 등 디스플레이 장비 사업에 주력해왔다. 특히 세정장비, 현상장비, 식각장비, 박리장비 등 습식 공정장비에서 2022년 기준 전 세계 시장 점유율 1위 자리를 이어간다. DMS는 LG디스플레이와 BOE, 차이나스타, 티안마 등 국내외 유수 디스플레이 업체들과 습식 공정장비 분야에서 활발히 거래한다. 이번에 중국에 수출하는 올레도스 장비는 기판 위 이물질을 제거하는 세정장비로 알려졌다. DMS 관계자는 “이번 중국 업체와의 추가 계약도 예상되고 있고, 다른 올레도스 업체들과도 납품을 논의 중”이라며 “내년에 올레도스 장비가 실적에 본격적으로 기여하는 한편, 반도체 장비 분야에서도 성과를 낼 계획”이라고 말했다.

2024.11.04 14:22장경윤

쎄닉, 전력반도체용 SiC 가공전문기업 헤일로와 MOU 체결

전력반도체용 실리콘카바이드(SiC) 소재 전문기업 쎄닉은 미국의 SiC 가공전문업체인 헤일로 인더스트리(Halo Industries)와 SiC 웨이퍼 공급과 가공 협력에 대한 MOU를 체결했다고 30일 밝혔다. 헤일로는 미국 스탠퍼드 대학교에서 분사한 회사로 SiC, Si, 사파이어, GaN, 다이아몬드 등 광범위한 재료와 웨이퍼 슬라이싱, 웨이퍼 성형 및 웨이퍼 백그라인딩을 포함한 다양한 애플리케이션에 대한 레이저 기반 가공(레이저 슬라이싱)을 전문으로 하고 있다. 레이저 슬라이싱은 기존 와이어 슬라이싱 대비 재료 폐기물을 크게 줄임과 동시에 웨이퍼 제조 수량을 두 배로 늘릴 수 있는 기술로 많은 기업이 연구하고 있는 분야다. 헤일로는 이미 기술 상용화에 성공해, 여러 고객사를 통해 웨이퍼 공급 및 생산규모를 확장 중에 있다. 양사는 미국 노스캐롤라이나주 롤리에서 열린 '국제 SiC 및 관련 자료 컨퍼런스(ICSCRM2024)'에서 긴밀한 협력관계를 약속하고 향후 양사가 나아가야 할 방향에 대해 심도 있게 논의했다. 쎄닉과 헤일로는 MOU를 통해 자본 효율성 개선, 제품 시장 출시 시간 단축 및 총 소요 비용 절감 등 고객에게 제공하는 가치를 높이려고 노력하기로 했다. 쎄닉 구갑렬 대표이사는 “이번 MOU 체결은 양사의 발전적인 협력관계를 알림과 동시에, 개발 협력의 신호탄이 될 것”이라며 “양사가 긴밀히 협력함으로써 개발완료된 전력반도체용 150mm SiC 웨이퍼 및 개발중인 200mm SiC 웨이퍼 가공품질 개선과 원가절감을 달성할 수 있을 것으로 기대한다”고 밝혔다.

2024.10.30 15:08장경윤

세메스, 국내 최초 반도체 건식 세정장비 '퓨리타스' 개발

삼성전자 자회사 반도체 장비 업체 세메스는 국내 최초로 플라즈마 타입의 반도체 건식 세정장비 '퓨리타스(PURITAS)'를 양산 개발했다고 21일 밝혔다. 반도체 패턴(미세회로)의 미세화, 고집적화 추세에 따라 기존 습식 세정방식으로는 공정의 한계가 따라왔다. 이에 세메스는 건식 세정방식을 채택해 웨이퍼에 다이렉트 플라즈마를 쓰지 않고 리모트 플라즈마를 사용해 설비 장비를 제작했다. 퓨리타스는 다양한 막질의 고선택적 세정 및 식각(에칭)이 가능하며 생산성도 크게 향상된 장비다. 이 장비는 기판에 손상을 가하는 이온을 사용하지 않고 화학반응을 일으키는 라디칼(중성입자)만을 이용해 고선택적 측면 식각이 가능하다. 이런 장점으로 앞으로 차세대 디바이스로 불리는 3D D램, CFET(상보성 FET), GAA(게이트올어라운드) 모듈 제작에 필수적으로 사용될 전망이다. 현재 선행 설비사의 경우는 가스방식의 건식 세정장비를 생산하고 있다. 최길현 세메스 CTO는 "올해 양산 1호기 출하를 시작으로 향후 3D 메모리 및 로직 반도체로 전환시 수요가 늘어날 것으로 예상되는 만큼 드라이 클리닝 시장에서 주도권을 확보해 나가겠다"고 말했다. 한편, 세메스는 반도체 세정장비 시장에서 연간 1조원 이상의 매출을 올리고 있으며, 자체 개발한 식각 기술을 세정장비 기술에 접목해 융복합 시너지 효과를 거두고 있다.

2024.10.21 09:49이나리

美 정부, SiC 반도체 '울프스피드'에 1조원 보조금 지급

미국 상무부는 15일(현지시간) 반도체지원법에 따라 자국 반도체 기업 울프스피드에 7억5천만달러(약 1조235억원)의 보조금을 지급하는 예비양해각서(PMT)를 체결했다. 1987년 노스캐롤라이나에서 설립된 울프스피드는 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼와 반도체를 제조하는 업체다. SiC는 기존 실리콘(Si) 소재로 만든 전력반도체보다 전력 효율이 높고 내구성이 뛰어나 전기차, 태양광 인버터 시장에서 각광받는 반도체다. 울프스피드는 반도체 보조금을 노스캐롤라이나 실러시티에 위치한 200mm SiC 웨이퍼 제조 공장에 사용할 예정이며, 이를 통해 5천개 일자리가 창출될 것으로 기대된다. 이날 지나 러몬도 상무부 장관은 "인공기능, 전기차, 청정에너지는 21세기를 정의하는 기술"이라며 "울프스피드의 투자 계획 덕분에 바이든·해리스 정부는 반도체의 미국 생산을 재점화하는 데 있어서 의미 있는 한 발을 내디디고 있다"고 밝혔다. 그렉 로위울프스피드 최고경영자(CEO)는 성명을 통해 "오늘의 발표는 울프스피드가 미국 경제 및 국가 안보 이익에 중요한 기업이라는 것을 증명한다"고 전했다. 미국 정부가 2022년에 만든 반도체법은 미국 내 반도체 투자를 장려하기 위해 생산 보조금(390억 달러)과 연구개발(R&D) 지원금(132억 달러) 등 5년간 총 527억달러(75조5000억원)를 지원하는 내용이다. 이를 통해 미국은 2030년까지 전 세계 최첨단 반도체 생산량의 20% 차지를 목표로 한다. 앞서 미국 정부는 지난 4월 한국 삼성전자 미국 텍사스주 공장에 반도체 설립 보조금으로 64억 달러(약 8조8505억원)를 지원한다고 발표했다. 지난 7월 SK하이닉스는 인디애나주 반도체 패키징 시설 투자에 4억5천만 달러(약 6천200억원)의 직접 보조금과 5억 달러의 대출 지원을 받는다고 밝혔다. 그 밖에 마이크로칩 테크놀로지가 1억6200만 달러, 미국 파운드리 업체 글로벌파운드리가 15억 달러, 인텔이 85억 달러와 최대 110억 달러의 대출 지원, 대만 TSMC가 66억 달러의 보조금과 50억 달러 최대 대출 50억 달러 등을 각각 받게 됐다.

2024.10.16 09:35이나리

쎄닉, 전력반도체용 6인치 SiC 웨이퍼 개발 성과 'ICSCRM'서 발표

국내 실리콘카바이드(SiC) 소재 전문기업 쎄닉은 미국 랄리(Raleigh)에서 열린 '2024 국제 SiC 및 관련 재료 컨퍼런스(ICSCRM 2024, 9월 29일~10월 4일)학회에서 'Invited 포스터'로 선정됐다고 2일 밝혔다. 이에 따라 쎄닉은 공동연구를 진행한 한국세라믹기술원과 동의대, 충남대, 일본 나고야 대학 등과 ICSCRM 행사에 참석했다. 한국세라믹기술원 반도체소재센터 신윤지 박사는 쎄닉에서 개발한 6인치 SiC 웨이퍼의 품질평가를 위해 지난 2023년도부터 일본 나고야 대학 하라다 교수와 함께 X-ray topography(XRT) 분석법을 이용한 연구를 수행해왔다. XRT 분석법은 단결정 소재 내 원자 단위의 미세한 결함을 X-선을 이용해 비파괴 방식으로 분석하는 방법이다. 연구팀은 일본 나고야 대학에서 규슈 싱크로트론 광연구센터에 구축해둔 XRT 분석 장치를 이용해 SiC 잉곳 성장 시 초기 온도구배의 불균형으로 인해 발생하는 결정학적 결함종류 및 밀도를 평가하고, 구체적인 생성 메커니즘을 규명하는 등 SiC 웨이퍼를 생산 중인 쎄닉에 중요한 조력자 역할을 하고 있다. 쎄닉은 전력반도체용 SiC 기판소재 기술 국산화 및 국내 기술경쟁력 강화에 기여한 공로를 인정받아 제58회 발명의 날 '은탑산업훈장'과 2023년 31주차 'IR52 장영실상'을 수상한 경력을 가지고 있다. 특히 올해 4월에 발표한 산업통산자원부, 한국산업기술기획평가원, 한국반도체연구조합이 함께 지원하는 대형 국책사업인 '화합물전력반도체 고도화기술개발사업'('24~'28, 총 1천385억 원 사업비)중 세부과제인 'SiC 기판 가공 기술'의 주관기관으로 선정되어 동의대, 한국생산기술연구원, 한국세라믹기술원, 피제이피테크와 함께 공동연구를 수행 중이다. 또한 교육부와 한국산업기술진흥원이 지원하는 '2024년 첨단산업 인재 양성 부트캠프' 사업에 선정된 동의대(이원재 교수, 단장)와 2029년 2월까지 기업의 현장 중심형 교육을 위한 프로그램에 참여하여 학생 대상 취업 연계를 진행할 예정이다. 올해 연말까지 200mm SiC 웨이퍼 시제품을 출시하기 위해 막바지 연구개발 집중과 2025년 200mm SiC 웨이퍼 양산투자를 계획 중이며, 내년에 부산 벡스코에서 열릴 SiC 관련 국제학술대회인 ICSCRM 2025에서 발표 및 전시를 통해 국내최초로 200mm SiC 잉곳 및 웨이퍼를 세계시장에 선보일 것을 기대하고 있다.

2024.10.02 16:40장경윤

인피니언, 'GaN' 시장 판도 뒤흔든다…"12인치 기술 개발 성공"

인피니언 테크놀로지스는 업계 최초로 300mm(12인치) 파워 GaN(갈륨나이트라이드) 웨이퍼 기술 개발에 성공했다고 11일 밝혔다. 인피니언은 "이 획기적인 기술은 GaN 기반 전력 반도체 시장을 크게 성장시키는 데 기여할 것"이라며 "300mm 웨이퍼는 200mm(8인치) 웨이퍼에 비해 웨이퍼 당 2.3배 더 많은 칩을 생산할 수 있기 때문에 생산성과 효율성이 크게 향상된다"고 설명했다. GaN은 기존 반도체 주력 소재인 실리콘(Si) 대비 고온·고압에 대한 내구성이 높고, 전력효율성이 뛰어나다. 덕분에 AI 시스템용 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 충전기 및 어댑터, 자동차 등 여러 산업에서 수요가 증가하고 있다. 현재는 200mm 공정에서 양산되고 있다. 300mm GaN 기술의 중요한 이점은 갈륨 나이트라이드와 실리콘이 제조 공정에서 매우 유사하기 때문에 기존 300mm 실리콘 제조 장비를 활용할 수 있다는 것이다. 인피니언의 대규모 실리콘 300mm 생산 라인은 신뢰할 수 있는 GaN 기술을 적용하기에 이상적이며, 이를 통해 구현을 가속화하고 자본을 효율적으로 사용할 수 있다. 요흔 하나벡 인피니언 CEO는 "이 놀라운 성공은 인피니언의 혁신 역량과 글로벌 팀의 헌신적인 노력의 결과로, GaN 및 전력 시스템 분야의 혁신 리더인 인피니언의 입지를 입증하는 것"이라며 "이 기술 혁신은 업계를 변화시키고 GaN을 최대한 활용할 수 있도록 할 것"이라고 말했다. 인피니언은 오스트리아 빌라흐에 위치한 파워 팹의 기존 300mm 실리콘 생산 파일럿 라인에서 300mm GaN 웨이퍼를 제조하는 데 성공했다. 인피니언은 기존 300mm 실리콘과 200mm GaN 생산에서 쌓아온 역량을 활용하고 있으며, 시장 수요에 맞추어 GaN 생산 능력을 확장할 것이다.

2024.09.11 17:30장경윤

'200단 식각' 벽 뚫었다…램리서치 "400단 낸드에 도입 적극 검토"

반도체 장비 업체인 램리서치가 최근 출시한 반도체 식각 기술 'Cryo 3.0'의 시장 확대를 자신했다. 해당 기술은 낸드 셀을 200단 이상 한 번에 식각할 수 있어, 고적층 낸드의 개발을 가속화할 수 있을 것으로 기대된다. 주요 메모리 고객사 역시 400단 이상 낸드에 Cryo 3.0을 도입을 적극 검토하고 있는 것으로 알려졌다. 23일 램리서치는 서울 종로구 포시즌스호텔에서 'Cryo 3.0 인포 세션'을 열고 회사의 최신 식각 기술 및 사업 로드맵을 소개했다. 램리서치는 전 세계 5대 주요 반도체 장비업체 중 한 곳으로, 한국법인은 지난 1989년 설립됐다. 현재 반도체 제조공정의 핵심인 식각·증착·세정용 장비를 주력으로 개발하고 있다. ■ 한 번에 '200단' 식각도 가능…"고객사 반응 긍정적" 최근에는 극저온 유전체 식각 기술인 Lam Cryo 3.0을 출시했다. 식각은 반도체 회로가 새겨진 웨이퍼 상에서 특정 물질을 제거하는 공정이다. 특히 셀을 수백층 쌓아야 하는 3D 낸드 산업의 경우, 전자가 이동하기 위한 채널 홀(구멍)을 매우 깊게 뚫어야 하기 때문에 식각 기술의 중요도가 높다. Lam Cryo 3.0는 채널 홀을 최대 10마이크로미터(um) 수준으로 구현하며, 비(非) 극저온 식각 기술 대비 속도가 2.5배 빠르다. 식각의 정밀성도 높다. Cryo 3.0의 프로파일 편차는 0.1% 수준으로, 기존 대비 2배가량 개선됐다. 프로파일이란 채널 홀이 위부터 아래까지 얼마나 균일하게 형성됐는지를 나타내는 척도다. 김태원 램리서치 유전체 식각사업 부문장 겸 CVP는 "현재 양산되고 있는 낸드 기준, Cryo 3.0은 200단 이상까지 한 번에 홀을 뚫을 수 있을 것"이라며 "현재 몇몇 고객사들이 400단 이상 낸드에 Cryo 3.0을 적용하는 방안을 적극적으로 검토하고 있다"고 설명했다. 현재 상용화된 3D 낸드는 한 번에 뚫을 수 있는 채널 홀이 150~170단 수준이다. 채널 홀이 형성된 셀 층을 2개(더블 스택), 3개(트리플 스택) 등으로 쌓으면 200단 이상의 낸드를 만들 수 있다. 다만 스택이 늘어날 수록 제조 공정이 길어지고 안정성이 떨어지기 때문에, 메모리 제조사 입장에서는 한 번에 최대한 많은 채널 홀을 뚫는 것이 좋다. 이를 고려하면 Cryo 3.0 기술 도입 시 고적층 낸드를 더 효율적으로 개발할 수 있을 것으로 분석된다. 이 같은 식각 기술을 구현하기 위한 핵심 요소는 극저온이다. 식각 환경의 온도가 낮으면 화학적 반응성이 낮아지기 때문에, 더 정밀한 식각이 가능해진다. 또한 기존 식각 시 필요한 탄소 기반의 보호막을 형성하지 않아도 돼, 탄소 배출량을 크게 저감한다. ■ "1000단 낸드 시대, 식각과 본딩 기술 모두 중요" Cryo 3.0 등 극저온 식각이 양산 공정에서 구현하는 온도는 -63°C 수준이다. 온도를 더 낮출수록 식각 성능이 올라가긴 하지만, 주변의 다른 화학 반응 및 생산 효율성을 감안하면 현재 -63°C가 양산에 가장 적합하다는 게 램리서치의 설명이다. 램리서치는 향후에도 Cryo 기술을 고도화해 1000단 낸드용 식각 시장을 선점하겠다는 계획이다. 김태원 부문장은 "Cryo와 같은 새로운 식각 기술 등이 나오게 되면, 본딩에만 의거하지 않고 1000단 낸드를 개발할 수 있는 방향이 나오지 않을까 조심스럽게 예상해 본다"며 "다만 셀과 페리를 나눠서 붙이거나, 셀과 셀을 붙이는 등의 본딩 기술도 필요할 것이라고 본다"고 밝혔다. 현재 낸드는 셀과 셀 구동을 위한 주변 회로인 페리가 한 장의 웨이퍼 위에서 만들어진다. 보통 페리가 셀 아래에 위치해 있어 '페리 언더 셀(PUC)', 셀 온 페리(COP)' 등으로 부른다. 다만 셀 적층 수가 올라갈 수록 현재 방식으로는 페리에 가해지는 부담이 커진다. 이에 업계는 셀과 페리를 각각 다른 웨이퍼에서 제조하고, 각 웨이퍼를 연결하는 하이브리드 본딩 기술이 주목받고 있다. 메모리 제조사가 이 기술을 도입하는 시기는 400단 낸드부터로 관측된다.

2024.08.23 15:30장경윤

자이스, 차세대 반도체 패키징 산업전서 '3D X-ray 웨이퍼 검사 기술' 공개

글로벌 광학기업 자이스 코리아가 오는 28일부터 30일까지 수원컨벤션센터에서 열리는 제18회 차세대 반도체 패키징 장비재료 산업전(ASPS 2024)에 참가해 '3D X-ray 웨이퍼 검사 기술'을 선보인다. 자이스 그룹은 설립자인 칼 자이스의 현미경으로부터 시작되어 175년 이상의 역사를 가진 독일 대표 광학기업이다. 자이스 코리아는 이번 전시에서 X-레이 현미경인 ZEISS 엑스라디아(Xradia) 630 베르사(Versa), ZEISS 엑스라디아 810 울트라, ZEISS 크로스빔(Crossbeam) 550 f/s 레이저를 중심으로 반도체 패키징 첨단 기술을 공개할 예정이다. 특히, 엑스라디아 630 베르사와 엑스라디아 810 울트라는 고해상도 이미징과 깊이 있는 분석을 통해 반도체 패키징 과정에서 발생할 수 있는 다양한 불량 문제를 효과적으로 발견하고 해결할 수 있도록 지원한다. 자이스의 X-ray 현미경(XRM) 솔루션은 3D 비파괴 분석을 통해 웨이퍼 내부 결함과 구조를 정밀하게 검사할 수 있으며, 반도체 생산의 효율성을 대폭 향상시킬 수 있다. 자이스의 솔루션은 다양한 검사 환경에서 유연하게 활용될 수 있도록 설계되어 있어 반도체 공정 내 워크플로우 개선에도 기여할 수 있다. 자이스는 ASPS 2024에서 패키징 관련 기술 세미나도 함께 진행한다. 세미나에는 자이스 그룹 본사 반도체 사업부의 패키징 솔루션 전문가인 모세 프라일(Moshe Preil) 시니어 기술 매니저가 참석해 '어드밴스드 패키징에서 3D X-ray를 이용한 신속한 웨이퍼 내부 검사 기법'이란 주제로 자이스가 현재 연구·개발 중인 패키징 솔루션에 대해 설명할 예정이다. 본 내용은 한국에서 최초로 발표되는 내용으로 28일 오후 3시부터 4시까지 전시장 내 세미나장에서 진행된다. 자이스 코리아 현미경 사업부를 총괄하는 최욱 상무는 "이번 ASPS 2024 전시회는 현재 업계 화두인 반도체 패키징 분야에 자이스 솔루션이 어떠한 가치를 더할 수 있는지 확인할 수 있는 자리가 될 것"이라며 "자이스의 기술 노하우와 전문성을 통해 한국 반도체 패키징 분야에서 자이스가 연구개발과 기술 발전을 위한 기술 파트너로 인식될 수 있기를 바란다"고 전했다.

2024.08.21 13:50이나리

SK실트론, '2나노'용 공정 기술 개발…웨이퍼 업계도 '초미세' 대응

SK실트론이 최근 초미세 파운드리 공정에 해당하는 2나노미터(nm)급 EPI(에피) 기술을 개발했다. 삼성전자, TSMC 등 주요 반도체 기업들이 내년 2나노 공정 상용화를 앞다퉈 추진 중인 상황에 대응하기 위한 준비다. 20일 SK실트론의 반기보고서에 따르면 이 회사는 지난 6월 '300mm(12인치) 로직용 2나노급 EPI'를 개발했다. SK실트론은 주요 반도체 제조 기업의 요청에 의해 해당 기술을 연구개발(R&D) 해온 것으로 알려졌다. 현재 2나노 수준의 초미세 파운드리 공정을 다루는 기업은 전 세계적으로 삼성전자, TSMC, 인텔 등 3곳에 불과하다. EPI는 공정은 연마가 끝난 실리콘 웨이퍼(폴리시드 웨이퍼) 위에 화학기상증착법(CVD)으로 초고순도의 단결정 실리콘 레이어를 성장시키는 기술이다. 이 과정을 거친 웨이퍼를 에피 웨이퍼라 부른다. 에피 웨이퍼는 폴리시드 웨이퍼 대비 표면에 존재하는 미세 결함이 적으며, 특정 용도에 맞춰 유연하게 특성을 변경할 수 있다는 장점이 있다. 때문에 에피 웨이퍼는 주로 CPU, GPU 등 로직 반도체 제조에 활용돼 왔다. SK실트론이 이번에 2나노급 EPI 공정을 개발한 이유는 곧 다가올 초미세 공정 시대에 대응하기 위한 준비로 풀이된다. 웨이퍼 제조기업은 반도체 최후방산업에 속하는 업계 특성 상, 고객사와의 긴밀한 협의를 거쳐 차세대 제품을 선제 개발해야 한다. 대표적으로 삼성전자는 일본 팹리스 PFN(Preferred Networks)로부터 처음으로 2나노 공정 기반의 AI 가속기 칩을 수주한 바 있다. 이에 따라 삼성전자는 내년부터 2나노 공정 양산을 본격화할 계획이다. TSMC 역시 2025년 2나노 공정 양산을 공식화한 상황이다. 한편 SK실트론은 국내 유일의 실리콘 반도체 웨이퍼 전문 제조기업이다. 올 2분기 매출은 5천30억 원, 영업이익은 700억 원을 기록했다. 전분기 대비 각각 5.6%, 66.8% 증가했다. 전년동기 대비로는 매출은 2.2% 증가했으며, 영업이익은 동일한 수준이다.

2024.08.20 10:20장경윤

기계연·나노종기원, 300㎜ 웨이퍼 개발 맞손

한국기계연구원과 나노종합기술원은 1일 기계연 대전 본원에서 반도체 첨단 패키징 인프라 구축 및 기술 개발 상호협력과 교류 강화를 위한 업무협약을 체결했다. 이 협약에 따라 양 기관은 ▲반도체 첨단 패키징 분야 소재·부품·장비 관련 차세대 핵심기술 공동 연구 개발 및 기업 기술 지원 협력 ▲300㎜ 반도체 첨단 패키징 분야 장비구축 및 활용, 공정기술 개발 등 인프라 고도화 등에 적극 협력할 계획이다. 나노종기원은 개방형 첨단 패키징 R&D 라인 구축과 함께 소재·부품기술, 기계연은 장비기술을 분담해 첨단 패키징 R&D 프로그램을 기획, 추진할 계획이다. 기계연 류석현 원장은 “반도체 산업이 첨단 패키징 기술 개발의 새로운 장을 열어갈 수 있기를 바란다”고 밝혔다. 나노종기원 박흥수 원장은 “양 기관이 새로운 분야를 개척하며 서로 상생, 발전하는 출발점이 될 것"으로 기대했다.

2024.08.01 15:42박희범

와이씨, 삼성에 HBM용 검사장비 공급 시작…1017억원 규모

와이씨는 삼성전자와 1천17억원 규모의 반도체 검사장비 공급계약을 체결했다고 29일 공시했다. 와이씨가 이번에 공급한 장비는 HBM(고대역폭메모리)용 웨이퍼 테스터다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리로, 일반 D램보다 기술적 난이도가 높아 테스트 공정에 대한 중요성이 높아지는 추세다. 웨이퍼 테스터는 전공정을 거친 웨이퍼 원판의 성능, 신뢰성 등을 검증하기 위한 후공정 장비다. 와이씨는 해당 장비를 삼성전자에 공급하기 위한 퀄(품질)테스트를 진행해 왔으며, 이번 공급계약으로 실제 상용화에 성공하게 됐다. 공급계약 규모는 와이씨의 지난해 연 매출의 39.85% 수준이다. 계약기간은 이달 28일부터 내년 1분기 말까지다. 삼성전자가 HBM의 생산능력 확장에 적극 나서고 있다는 점을 고려하면, 내년에도 HBM 관련 후공정 장비에 대한 추가 투자가 나올 가능성이 유력하다. 실제로 삼성전자는 오는 3분기 말 주요 협력사들과 내년 3분기까지에 대한 장비공급 논의를 진행할 예정인 것으로 알려졌다.

2024.07.29 11:08장경윤

SiC 반도체 시장 '쑥쑥'…韓·中도 핵심장비 시장 진출 노려

국내 테스와 중국 AMEC(중웨이반도체) 등이 SiC(탄화규소) 반도체용 핵심장비 개발에 나섰다. SiC는 전기자동차 등에서 수요가 빠르게 증가하고 있는 차세대 전력반도체로, 그간 독일 등이 공급망을 사실상 독점해 온 분야다. 후발주자인 국내 및 중국 장비업계가 시장에서 어떠한 반향을 불러일으킬 수 있을 지 귀추가 주목된다. 3일 업계에 따르면 한국과 중국 장비업계는 SiC 전력반도체 제조를 위한 핵심장비 상용화에 주력하고 있다. SiC는 기존 실리콘(Si) 대비 고온·고압에 대한 내구성, 전력 효율성 등이 뛰어난 차세대 전력반도체 소재다. 자동차 산업을 중심으로 수요가 빠르게 증가하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전 세계 SiC 반도체 시장 규모는 지난해 22억7천500만 달러에서 2026년 53억2천800만 달러로 성장할 전망이다. 다만 SiC 분야는 기술적 난이도가 높아, 소수의 해외 기업이 핵심 공급망을 독과점하고 있는 형국이다. 고성능 SiC 반도체 제조를 위해서는 SiC 에피(Epi)웨이퍼가 필요하다. 해당 웨이퍼는 잉곳(원기둥) 형태의 SiC 결정에서 잘라낸 웨이퍼 위에, 마이크로미터(μm) 두께의 SiC 물질을 증착(Deposition)해 만들어진다. 이를 위한 증착장비는 현재 독일 엑시트론(Aixtron)이 압도적인 시장 점유율을 보유하고 있다. 또 다른 기업으로는 전 세계 주요 장비업체 ASM이 지난 2022년 인수한 이탈리아 장비기업 LPE가 있다. 이에 한국과 중국 등 동양권 장비기업들도 최근 SiC 웨이퍼 제조를 위한 증착장비 개발에 적극 나서고 있다. 대표적으로 국내 반도체 증착·식각장비 전문업체 테스는 지난 2022년경부터 SiC MOCVD(유기금속화학증착) 장비 개발을 본격화했다. MOCVD는 금속 유기 원료를 사용해 박막을 형성하는 기술이다. 테스는 이전 UV LED용 MOCVD 장비를 자체 개발해 양산한 경험이 있어, 유관 기술력을 어느 정도 확보한 상태다. 아직 구체적인 사업화 단계에 접어들지는 못했으나, 현재 장비 개발을 적극 진행 중인 것으로 알려졌다. 중국에서는 AMEC이 SiC 증착장비 개발에서 가장 뚜렷한 성과를 거두고 있다. AMEC은 지난 2004년 램리서치·어플라이드머티어리얼즈(AMAT) 등 미국 주요 반도체 장비업체 출신들이 모여 설립한 장비업체다. AMEC은 또 다른 차세대 전력반도체 소재인 GaN 증착장비를 이미 상용화한 바 있다. 이를 토대로 AMEC은 SiC MOCVD 장비 상용화를 시도하고 있다. 실제로 테스, AMEC은 지난달 말 부산에서 열린 '2024 SiC 반도체 컨퍼런스'에서 SiC MOCVD 기술과 관련한 발표를 한 것으로 전해진다. 반도체 업계 관계자는 "SiC나 GaN 등이 차세대 전력반도체로 각광받고는 있으나, 핵심장비는 전부 외산에 의존해야 하는 현실"이라며 "이에 테스와 AMEC도 CVD 기술력을 토대로 장비 개발을 꾸준히 진행하고 있다"고 밝혔다.

2024.07.03 11:13장경윤

쎄닉, 화합물 전력반도체 고도화 기술개발 육성사업 참여

국내 SiC(실리콘카바이드) 웨이퍼 전문기업 쎄닉은 지난 20일 서울 양재 엘타워에서 산업통상자원부가 주관하는 '화합물 전력반도체 산업 고도화를 위한 킥오프 미팅에 참가했다고 26일 밝혔다. 이날 행사에는 한국산업기술기획평가원(이하 산기평), 한국반도체 연구조합(이하 조합) 및 전력반도체 업계 관계자 등 80여명이 자리에 참여했다. 관계자들은 산기평·조합·전력반도체 대표기업들 간 화합물 전력반도체 생태계 구축을 위한 업무협력 양해각서(MOU)를 체결하고, 생태계 활성화를 위한 방안 및 사업 추진 계획과 기술개발 현황 등을 논의했다. 협약에 따르면 산기평은 사업 참여 업체들에 대한 연구개발(R&D)을 지원하고, 조합은 화합물 전력반도체 분야별 협의체를 주관하여 웨이퍼 제작부터 설계·제조에 이르는 과정까지 국내에 선순환적 생태계가 마련될 수 있도록 적극 협력한다는 내용이 담겼다. 쎄닉은 '고도화 가공 기술을 이용한 전력반도체용 고평탄 고청정 대구경 기판 제조 기술 개발' 과제(전문기관: 한국산업기술기획평가원) 주관기관으로 선정돼 전력반도체 소재를 개발한다. 이를 통해 SiC 전력반도체 소재의 국산화를 실현할 계획이다. 구갑렬 쎄닉 대표는 “전력반도체 공급망 내재화를 위한 뜻깊은 자리에 참석하게 돼 기쁘다”며 “쎄닉의 웨이퍼 소재 개발 기술을 더욱 견고히 해 전력반도체 공급망 내재화의 시작점 역할을 수행할 수 있도록 하겠다”고 밝혔다. 한편 쎄닉은 이달 24일부터 26일까지 부산 벡스코에서 열리는 '2024 한국전기전자재료학회 하계학술대회'에 케이엔제이와 협업 부스를 마련해 제품 전시를 진행 중이다.

2024.06.26 14:39장경윤

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