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마이크로LED, 2028년부터 본격 개화…프리미엄 TV 시장 견인

마이크로LED 시장이 오는 2028년부터 본격적인 성장 궤도에 들어설 전망이다. 프리미엄 TV 및 응용처 확대에 따른 효과로, 이에 대응하는 적극적인 설비투자가 진행될 것으로 기대된다. 13일 유비리서치는 최근 발간한 '2025 마이크로-LED 디스플레이 산업 및 기술 동향 보고서'를 통해 "글로벌 마이크로LED TV 생산능력이 2023년 연간 5만대 수준에서 2030년 약 600만대로 확대될 것"이라고 밝혔다. 전체 시장 규모는 약 13억 달러(한화 약 1조8천억원)에 달할 것으로 전망된다. 마이크로LED는 OLED 대비 높은 밝기, 긴 수명, 뛰어난 내구성을 갖춘 자발광 평판 디스플레이 기술로, 프리미엄 TV와 차세대 웨어러블 기기 시장에서 차세대 후보로 부상했다. 특히 번인(burn-in) 우려가 없고, 색재현력과 시인성이 우수해 대형 디스플레이부터 초소형 AR·VR 기기까지 적용 범위가 넓다. 유비리서치는 생산 효율성 향상과 제조 원가 절감이 맞물리면서 2027년 이후 본격적인 상용화가 시작되고, 2028년부터는 연평균 50% 이상의 고성장이 이어질 것으로 분석했다. 시장 확산을 견인하는 주요 요인으로는 프리미엄 TV 수요 증가, 생산 인프라 확충, 응용 분야 다변화 등이 있다. 양산 안정화와 원가 절감으로 소비자 접근성 확대되는 측면도 있다. 김주한 유비리서치 연구원은 마이크로LED 확산의 관건이 에피웨이퍼의 안정적인 공급이라고 분석했다. 김 연구원은 “2026년 이후 대규모 MOCVD 발주가 이어질 것으로 예상되고, 2030년까지 웨이퍼 생산량은 현재 대비 10배 수준으로 확대될 전망”이라며 “이러한 소재 공급 안정화는 마이크로LED 대량 생산 체제를 뒷받침해 가격 경쟁력 강화와 시장 확대를 가속화할 것”이라고 말했다. 한편 마이크로LED의 보다 구체적인 시장 전망과 산업별 파급효과는 내달 9월 5일 개최되는 '2026년 준비를 위한 디스플레이 전략 세미나'에서 공개될 예정이다.

2025.08.13 11:00장경윤

"TSMC, 6인치 웨이퍼 생산 2년 내 전면 중단"…효율성 강화 포석

세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) TSMC가 향후 2년 내에 6인치 웨이퍼 생산을 단계적으로 중단하고, 8인치 웨이퍼 생산으로 재편한다. 로이터통신 등 외신은 TSMC가 6인치 팹의 기능을 8인치 팹으로 통합할 예정이라고 현지시간 12일 보도했다. 현재 TSMC는 대만 내 6인치 팹 1곳, 8인치 팹 4곳, 그리고 12인치 팹을 운영 중이다. 이는 생산 효율성을 높이는 전략적 결정이다. TSMC 측은 “시장 여건과 장기 전략에 부합하는 조치”라며 “고객과 긴밀히 협력해 원활한 전환을 추진할 것”이라고 설명했다. 그러면서 “해당 조치가 기존 실적 목표에는 영향을 미치지 않는다”고 덧붙였다. 6인치 웨이퍼 수요가 일부 아날로그·전력반도체 분야에 남아있지만, 첨단 공정 확대 흐름 속에서 투자 대비 효율성이 떨어진다는 점이 폐지 결정의 배경으로 분석된다. 한편 회사는 7월 기준 올해 글로벌 매출이 약 30% 성장할 것이라는 전망이라고 밝혔다. 초기 예상치(24~26%)를 웃도는 수치로, AI 수요 증가 및 고성능 컴퓨팅 수요 확대에 따른 것으로 풀이된다.

2025.08.13 10:57전화평

[단독] 테슬라, 슈퍼컴 '도조' 공급망 삼성·인텔 낙점

테슬라가 자사 슈퍼컴퓨팅 시스템인 '도조(Dojo)'의 공급망에 삼성전자와 인텔을 낙점하고 대대적인 변화를 시도한다. 테슬라가 기존 TSMC에 공정 전체를 일임하던 구조에서 벗어나, 삼성전자·인텔 양사에 각각 특정 공정을 맡기는 이원화된 방안을 추진 중으로 파악돼 향후 공급망에 큰 변화도 예상된다. 도조용 칩 제조는 삼성전자 파운드리가, 모듈 제작을 위한 특수 패키징 기술은 인텔이 각각 담당하는 구조다. 그동안 삼성전자·인텔은 첨단 파운드리 및 패키징 산업에서 오랜시간 경쟁 구도를 형성해 왔다. 하지만 테슬라를 필두로 AI 반도체 업계에 새로운 협력 구조와 공급망 체제가 결성될 수 있을 지 귀추가 주목된다. 7일 지디넷코리아 취재를 종합하면 테슬라는 3세대 도조 양산에 삼성전자·인텔을 동시 활용하는 방안을 두고 각 사와 논의 중이다. 삼성 파운드리·인텔 OSAT 활용 추진…"전례 없는 협력 구조" 테슬라는 완전자율주행(FSD)과 관련한 데이터를 AI 모델로 학습시키기 위한 슈퍼컴퓨팅 시스템 도조를 자체 개발해 왔다. 도조에는 테슬라의 맞춤형 AI 반도체인 'D 시리즈' 칩이 다수 집적된다. 예를 들어, 1세대 도조는 D1 칩을 25개 패키징한 모듈로 구성돼 있다. 도조 1·2는 모두 대만 주요 파운드리인 TSMC가 양산을 전담한 것으로 알려져 있다. 그러나 도조3부터는 공급망이 전면적으로 바뀔 예정이다. 현재 테슬라는 도조3용 'D3' 칩의 전공정을 삼성전자에, 모듈용 패키징 공정을 인텔에 맡기는 방안을 추진 중인 것으로 파악됐다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "테슬라가 도조3 공급망 논의에서 칩 양산과 모듈용 패키징을 분리하는 계획을 제안하고 있다"며 "이 같은 계획을 토대로 협력사와 구체적인 계약 체결을 논의 중"이라고 설명했다. 계약이 최종 합의되는 경우, 테슬라의 주도로 삼성전자 파운드리 사업과 인텔 OSAT(외주반도체패키징테스트) 사업간의 협업이 업계 최초로 이뤄질 예정이다. 양사 모두 파운드리와 패키징 사업을 운영중이지만, 이 같은 협력 구조가 공식적으로 성사된 사례는 아직까지 확인된 바 없다. 우선 도조3용 칩 양산은 삼성전자의 수주가 사실상 확실시되고 있다. 앞서 삼성전자는 지난달 28일 테슬라와 22조7천600억원 규모의 반도체위탁생산 계약을 체결했다. 당시 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 "삼성전자가 미국 신규 파운드리 팹에서 AI6 칩 양산에 전념하게 될 것"이라고 밝혔다. AI6는 테슬라의 차세대 FSD(Full Self-Driving), 로봇, 데이터센터 등에 활용될 수 있는 반도체로, 2나노 공정을 채택한 것으로 알려졌다. 또한 테슬라는 도조3에 탑재할 칩을 별도로 설계하지 않고, AI6와 도조3용 칩을 단일 아키텍처로 통합하겠다고 밝힌 바 있다. 일론 머스크 CEO는 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "도조3와 AI6 칩을 기본적으로 동일하게 사용하는 방향을 생각하고 있다"며 "예를 들어 자동차나 휴머노이드에는 칩을 2개 사용하고, 서버에는 512개를 사용하는 방식"이라고 말했다. 도조, 초대형 반도체 위한 특수 패키징 필요 테슬라가 도조3용 칩과 패키징 협력사를 이원화하려는 배경에는 기술과 공급망 요소가 모두 작용하고 있다는 분석이다. 테슬라의 도조는 일반적인 시스템반도체와 달리, 패키징 과정에서 매우 큰 사이즈로 제작된다. 때문에 테슬라는 TSMC의 SoW(시스템-온-웨이퍼) 패키징 기술을 채택한 바 있다. SoW는 기존 패키징 공정에서 쓰이던 기판(PCB) 등을 사용하지 않고, 메모리 및 시스템반도체를 웨이퍼 상에서 직접 연결하는 기술이다. 각 칩의 연결은 칩 하단에 형성된 미세한 구리 재배선층(RDL)이 담당한다. 웨이퍼 전체를 사용하기 때문에 초대형 반도체에도 대응 가능하다. D1의 경우 TSMC 7나노미터(nm) 공정 기반의 654제곱밀리미터(mm²) 단일 칩을 활용한다. 이를 웨이퍼에 5x5 배열로 총 25개 배치한 뒤, 각 칩을 전기적으로 연결해 하나의 모듈로 만든다. 웨이퍼 전체를 일종의 기판처럼 사용하는 방식이다. 다만 SoW는 초대형 반도체를 타겟으로 한 특수 패키징으로, 양산되는 칩의 수량이 비교적 적다. 당장의 매출 규모가 크지 않은 만큼 전공정·후공정 모두 TSMC 측의 적극적인 지원을 받기가 힘든 상황이다. 반면 삼성전자·인텔은 대형 고객사 확보가 절실한 상황으로, 각각 테슬라에 우호적인 조건을 제시했을 가능성이 크다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자 역시 초대형 반도체에 대응할 수 있는 첨단 패키징 기술을 고도화하고 있는 것으로 안다"며 "도조3 모듈 패키징은 인텔이 선제 진입할 예정이나, 기술 개발 상황에 따라 향후 삼성전자도 공급망 진입이 가능할 것으로 예상한다"고 밝혔다. 인텔, EMIB 기반으로 테슬라 대응 유력 한편 테슬라는 도조3에서 인텔의 임베디드 멀티-다이 인터커넥트 브릿지(EMIB) 기술을 활용하려는 것으로 알려졌다. EMIB는 인텔의 독자적인 2.5D 패키징 기술이다. 2.5D 패키징은 칩과 기판 사이에 '실리콘 인터포저'라는 얇은 막을 삽입해 각 칩을 연결하는 방식을 뜻한다. EMIB는 기존 2.5D 패키징처럼 칩 아래에 인터포저를 넓게 까는 대신, 기판 내부에 삽입된 소형 실리콘 브릿지로 칩과 칩을 연결한다. 칩 간 연결이 필요한 부분에만 브릿지를 배치하면 되므로, 더 유연하고 효율적으로 칩을 배치할 수 있다. 인터포저 크기에 따라 다이 사이즈 확장에 제약을 받는 2.5D 패키징과 달리, 더 넓은 면적에 걸쳐 다이를 구성하는 데에도 유리하다. 다만 EMIB도 현재 상용화된 기술 수준으로는 웨이퍼 수준의 초대형 칩 제작이 어렵다는 평가를 받는다. 때문에 업계는 인텔이 도조 3를 위한 새로운 EMIB 기술 및 설비투자 등을 검토하고 있을 것으로 보고 있다.

2025.08.07 15:14장경윤

세메스, 반도체 매엽식 세정장비 2500호기 판매 달성

반도체 장비업체인 세메스는 자사의 반도체 매엽식 세정장비 양산 판매 대수가 국내 최초로 2천500호기를 달성했다고 1일 밝혔다. 2006년 7월 첫 양산 개발 이래 지금까지 누적 매출도 7조원을 넘어선 것으로 집계됐다. 매엽식 세정은 반도체 웨이퍼의 회로 선폭이 점점 미세해지면서 웨이퍼 표면에 남아있는 파티클(오염물질)을 제거하기 위해 반도체 웨이퍼를 한장씩 개별적으로 세정하는 방식이다. 세메스 매엽식 세정장비는 아이리스(IRIS), 블루아이스(BLUEICE), 로투스(LOTUS), 퓨어시스(PURESYS) 등이 있으며, 주요 기술에 대해 국가핵심기술 판정을 받았다. 이들 설비는 다양한 소재와 신기술을 적용해 세정 성능을 기존 대비 90% 이상 크게 향상시켰으며, 웨이퍼의 오염 상태에 따라 세정 방식을 조절할 수 있도록 제작됐다고 회사측은 설명했다. 김경현 클린팀장은 “앞으로 다양한 공정기술이 융복합된 신제품 개발 및 친환경 설비경쟁력 확보를 통해 명실상부한 반도체 세정장비 리딩컴퍼니로 도약하겠다”고 말했다. 세메스는 지난 2014년 세계 최초로 반도체 초임계 세정장비를 양산해 업계의 주목을 받았으며, 정부로부터 국가핵심기술 판정을 받았다.

2025.08.01 10:46장경윤

인피니티시마, SK하이닉스 D램 공정에 첨단 계측장비 공급

인피니티시마(Infinitesima)는 SK하이닉스 양산 라인에 '메트론(Metron) 3D' 300mm 인라인(in-line) 웨이퍼 계측 시스템을 공급했다고 9일 밝혔다. 메트론 3D는 SK하이닉스의 차세대 메모리 디바이스 제조에 필수적인 서브 나노미터 정확도의 3차원(3D) 공정 제어를 제공한다. 이번 SK하이닉스의 양산 라인 적용은 여러 공정 단계에 대한 시스템 특성화 작업을 포함한 광범위한 평가를 거친 후 이루어졌다. 최영현 SK하이닉스 DMI(결함 분석, 계측 및 검사 기술) 담당 선임(Head of DMI)은 “나노미터 수준에서의 3차원 공정 제어는 첨단 D램 공정에서 고수율을 보장하는 데 있어서 점점 더 중요해지고 있다"며 "인피니티시마의 메트론 3D는 대량양산(HVM) 구현에 필요한 비용 효율성을 갖춘 우수한 서브 나노미터 3D 계측 성능을 입증했다”고 말했다. 메트론 3D는 통상적인 원자현미경(AFM) 처리량보다 10배에서 100배의 AFM 계측 능력을 제공하는 인피니티시마 고유의 RPMTM(Rapid Probe MicroscopeTM) 기술을 특징으로 한다. 또한 이 시스템은 완전 자동화된 웨이퍼, 데이터, 프로브 핸들링 기능을 지원해 반도체 디바이스의 인라인 대량 생산에 최적화돼 있다. 이 계측 솔루션에 대한 투자는 SK하이닉스가 컴퓨터 메모리의 개발 및 제조 분야에서 기술 리더십을 유지하기 위해 얼마나 노력하고 있는지를 잘 보여준다. 피터 젠킨스 인피니티시마 회장 겸 CEO는 “SK하이닉스와 협력하게 되어 매우 기쁘다"며 "SK하이닉스의 지원과 지도 덕분에 우리 메트론 3D 시스템이 신속히 품질 평가를 마치고 대량 양산에 채택될 수 있었다”고 밝혔다.

2025.07.09 13:24장경윤

SFA, HBM 제조라인에 스마트 물류시스템 공급

국내 종합장비회사 에스에프에이는 국내 고객사의 HBM 제조라인에 스마트 물류시스템을 공급한다고 7일 밝혔다. 에스에프에이는 그간 국내외 고객사의 반도체 제조라인에 OHT(Overhead Hoist Transport) 시스템과 스탁커(Stocker) 및 리프터(Lifter) 등 스마트 물류시스템 전반을 공급해 왔다. 나아가 이번 수주로 급격하게 설비투자가 확장되고 있는 HBM 분야로도 사업을 확장하게 됐다. 에스에프에이 관계자는 "경쟁사 대비 약 40% 저감된 진동 스펙 달성을 통해 반도체 품질의 안정성을 확보했다"며 "웨이퍼 이송 효율 제고를 위한 최적경로 선정 스마트 기술 및 무중단을 구현하는 예지정비(PdM) 솔루션 등의 적용을 통해 확보한 OHT 시스템의 차별화된 경쟁력을 인정받았기 때문에 가능했다"고 설명했다. 관계자는 이어 "이와 같은 차별화된 기술경쟁력을 기반으로 해외 제조장비업체가 전통적으로 상대적 경쟁우위를 가지고 있던 반도체 물류시스템 제조장비 시장을 본격적으로 공략해 나갈 계획"이라고 덧붙였다. 한편 에스에프에이는 반도체사업의 중장기 성장 기반을 더욱 확고하게 다지기 위해 첨단 패키징 관련 제조장비 개발에 집중하고 있다. 대표적으로 HBM 관련 정밀 패턴 인쇄를 위한 비접촉 3D 배선장비, 유리기판 패키징 관련 TGV·싱귤레이션·진공 라미네이터 등이 있다. 또한 HBM 및 유리기판 PKG 모두에 적용가능한 최첨단 검사·측정 장비군도 개발하고 있다. 인-라인 3D CT장비, FIB-SEM장비, 백색광 간섭계 측정장비 등이 대표적인 사례다. 특히 유리기판 패키징의 경우, 유리기판 제조공정에서의 크랙(crack)이 양산 수율에 지대한 영향을 미침에 따라 유리기판을 다루는 기술이 매우 중요하다. 이와 관련해 회사 관계자는 "이미 오랜 기간에 걸쳐 성숙된 디스플레이용 원판 유리 제조기술은 물론, 충분하게 검증받은 레이저·진공·라미네이션 등 디스플레이용 유리기판 패널 제조 기술을 충분하게 확보하고 있다"며 "유리기판 패키징 양산 제조라인 설비투자가 본격화되는 시점에는 반도체사업의 성장 속도가 더욱 가속화될 것으로 전망하고 있다"고 강조했다.

2025.07.07 10:19장경윤

인피니언, 300mm GaN 반도체 올 4분기 고객사에 첫 샘플 제공

인피니언테크놀로지스는 확장 가능한 300mm 웨이퍼 기반의 갈륨 나이트라이드(GaN) 생산이 순조롭게 진행되고 있다고 3일 밝혔다. 전력 시스템 분야를 선도하는 인피니언은 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), 질화 갈륨(GaN)의 세 가지 주요 반도체 재료를 모두 제공한다. GaN 반도체는 더 높은 전력 밀도, 더 빠른 스위칭 속도, 더 낮은 전력 손실을 통해 스마트폰 충전기, 산업용 및 휴머노이드 로봇, 태양광 인버터와 같은 전자 기기의 소형화를 가능하게 하며, 에너지 소비와 열 발생을 줄인다. 인피니언은 "올 4분기에 고객들에게 첫 샘플을 제공하면서 고객 기반을 확대하고 선도적인 GaN 기업으로서의 입지를 강화할 것"이라고 밝혔다. 인피니언의 제조 전략은 주로 IDM(종합 반도체 업체) 모델에 기반을 두고 있으며, 이는 설계부터 제조, 최종 제품 판매까지 반도체 생산 공정을 자체적으로 소유하는 것이다. 인피니언의 인하우스 생산 전략은 핵심적인 차별화 요소로, 고품질, 빠른 시장 출시 기간, 우수한 설계, 개발 유연성 등 다양한 이점을 제공한다. 인피니언은 GaN 고객 지원을 위해 최선을 다하고 있으며, 안정적인 GaN 전력 솔루션에 대한 고객의 수요를 충족시키기 위해 생산 용량을 확장할 수 있다. 인피니언은 기술 리더십을 바탕으로 기존 양산 인프라 내에서 300mm GaN 전력 웨이퍼 기술을 성공적으로 개발한 최초의 반도체 업체이다. 300mm 웨이퍼를 이용한 칩 생산은 기존 200mm 웨이퍼보다 기술적으로 더욱 발전되었으며, 웨이퍼 직경이 더 커서 웨이퍼 당 2.3배 더 많은 칩을 생산할 수 있기 때문에 훨씬 효율적이다. 시장 조사에 따르면 전력 애플리케이션용 GaN 매출이 2030년까지 연간 36% 성장해 약 25억 달러에 달할 것으로 예상된다. 제조 능력과 강력한 제품 포트폴리오를 갖추고 있는 인피니언은 지난 1년간 40개 이상의 새로운 GaN 제품을 출시하며, 고품질 GaN 솔루션을 찾는 고객들에게 선호되는 파트너로 자리매김하고 있다.

2025.07.03 15:25장경윤

[IPO] '8인치 DSP' 싸이닉솔루션, 첨단 센서 사업 박차

“온디바이스 AI, 밀리터리, 로보틱스, 환경·바이오 등 미래 유망 분야 중심으로 사업화를 지속해 나갈 계획입니다.” 20일 서울 여의도 콘래드 호텔에서 개최된 싸이닉솔루션 IPO(기업공개) 기자간담회에서 이현 대표는 “2027년에 첨단 센서 부문에서만 (매출)300억원 정도를 사업 계획으로 잡아놨다”며 이 같이 말했다. 지난 2005년 설립된 싸이닉솔루션은 SK하이닉스시스템IC의 국내 유일한 디자인하우스(DSP)다. 8인치 웨이퍼 기반 PMIC(전력관리 반도체), CIS(이미지 센서), DDI(디스플레이 구동 반도체) 등 제조에 특화됐다. 현재 BYD, ESWIN(BOE 관계사), Fitipower(폭스콘 계열), GMT 등 220여개 팹리스(반도체 설계전문)와 협업하고 있다. 지난해 회사는 연결 기준 매출로 1천674억원, 영업이익 53억원, 순이익 55억원을 기록했다. 이는 국내 디자인하우스 중 가장 높은 매출과 영업이익이다. 영업이익률 제고·8인치 업황 과제 다만 영업이익률이 높지 않다. 지난 2023년 연간 영업이익률은 3.5%, 지난해는 3.2%로 떨어졌다. 상장 준비로 예산을 상당히 많이 사용한 올해 1분기의 경우 약 1.9%를 기록했다. 그는 “디자인하우스의 낮은 수익률은 싸이닉솔루션뿐만 아니라 다른 동반자(디자인하우스)들도 갖고 있는 문제”라고 설명했다. 이어 “2027년으로 잡아놓은 센서 매출에서는 10% 이상의 영업이익을 기록할 것으로 보인다”고 전했다. 현재 8인치 업황도 과제다. 싸이닉솔루션의 주요 매출처인 SK하이닉스시스템IC는 지난 1분기 적자만 약 620억원에 달한다. 파운드리 업황이 디자인하우스에 직결된다는 점을 고려하면, 회사에게 악재인 셈이다. 이 대표는 이와 관련해 “지난해 하반기 모든 파운드리가 드라마틱하게 실적이 떨어졌다. 로딩률(가동률)이 30~50% 수준밖에 안됐다”면서도 “최근에는 로딩률도 오르고 고객도 늘어나면서 반등하기 시작했다”고 말했다. 센서 반도체 역량 강화..."글로벌 시장서 입지 강화해 나갈 것" 싸이닉솔루션은 온디바이스 AI 구현을 위한 센서 반도체 수요 증가에 발맞춰 센서 파운드리 사업으로 밸류체인 내 수평적 확장도 본격화한다는 전략이다. MEMS 마이크로폰 센서 및 MEMS 초음파 센서, 근적외선(SWIR) 센서를 고객사와 함께 개발 중이다. 해당 제품들은 올해 하반기부터 양산할 계획이다. 특히, 납(Pb)을 제거한 MEMS 초음파 센서는 바이오, 헬스케어 분야를 중심으로 제품화를 진행 중이며, 향후 온도·습도 등 환경센서로의 확장도 계획하고 있다. SWIR 센서는 가전, 오토모티브, 국방 및 로보틱스 산업을 타겟으로 하며, 국내 주요 가전 및 방산업체와의 협력을 통해 제품화를 추진 중이다. 또한 SK키파운드리, 대만의 PSMC 등 글로벌 주요 파운드리와의 협력을 통해 8~12인치 멀티 파운드리 기반 수직적 디자인하우스 역량 강화를 추진하고 있다. 이 대표는 “반도체 설계 및 파운드리 전반에 걸친 수직·수평적 확장을 통해 글로벌 시장에서 입지를 더욱 강화해 나갈 것”이라고 포부를 밝혔다. 한편 싸이닉솔루션은 이번 상장을 통해 총 350만주를 공모할 예정이며, 공모희망가 밴드는 4천원에서 4천700원, 총 공모 예정 금액은 141억원에서 165억원이다. 수요 예측은 16일부터 20일까지 진행되며, 25일과 26일 양일간 일반투자자 청약을 진행한다. 상장 주관 업무는 대신증권이 맡았다.

2025.06.20 15:44전화평

"HBM4 80개 高집적"…TSMC, 차세대 패키징 고도화

대만 파운드리 TSMC가 차세대 AI 반도체 시장을 목표로 첨담 패키징 기술을 고도화하고 있어 주목된다. AI 반도체가 점차 고성능·대면적화되는 추세에 맞춰, HBM4(6세대 고대역폭메모리)를 80개까지 탑재한 제품을 고안해낸 것으로 파악됐다. 12일 업계에 따르면 TSMC는 지난달 말 미국 텍사스주에서 열린 'ECTC 2025(전자부품기술학회)'에서 초대형 AI 반도체를 위한 '시스템온웨이퍼(SoW-X)'의 구체적인 구조를 발표했다. 16개 컴퓨팅 칩에 80개 HBM 연결…기존 대비 전성비 1.7배 향상 SoW-X는 TSMC가 오는 2027년 양산을 목표로 하고 있는 차세대 패키징 기술이다. GPU·CPU 등 고성능 시스템반도체와 HBM을 집적한 AI 반도체 분야에 적용될 예정이다. SoW-X는 기존 패키징 공정에서 쓰이던 기판(PCB)나 실리콘 인터포저(칩과 기판 사이에 삽입되는 얇은 막)를 사용하지 않고, 메모리 및 시스템반도체를 웨이퍼 상에서 직접 연결하는 것이 핵심이다. 각 칩의 연결은 칩 하단에 형성된 미세한 구리 재배선층(RDL)이 담당한다. 이 때 RDL은 칩 외부로 확장되는데, TSMC에서는 이를 InFO(Integrated Fan-Out)라고 부른다. SoW-X는 웨이퍼 전체를 활용하기 때문에 초대형 AI 반도체 제작이 가능하다. TSMC가 발표한 자료에 따르면, SoW-X는 최대 16개의 고성능 컴퓨팅 칩, 80개의 HBM4 모듈을 집적했다. 이로 인해 총 메모리 용량은 3.75TB(테라바이트), 대역폭은 160TB/s에 이른다. 또한 SoW-X는 동일한 수의 컴퓨팅 칩을 사용하는 기존 AI 반도체 클러스터에 비해 전력 소비량은 17% 줄어들었으며, 46% 향상된 성능을 제공할 수 있다. TSMC는 "SoW-X는 각 칩 간의 뛰어난 연결성과 낮은 소비 전력으로 기존 AI 반도체 클러스터 대비 와트(W)당 전체 성능이 1.7배 가량 개선됐다"며 "훨씬 더 많은 시스템반도체와 HBM을 통합해 시스템 전력 효율성이 향상되며, 기존 기판 연결의 어려움도 제거할 수 있다"고 설명했다. HPC·AI 시장 목표…"수요 당장 많지 않다" 지적도 TSMC는 SoW-X를 업계 표준을 능가하는 혁신적인 기술 플랫폼으로 평가하며, 차세대 고성능 컴퓨팅 및 AI 산업을 공략하겠다고 밝혔다. 다만 SoW-X 기술이 AI 메모리 시장에 미칠 여파가 당장은 크지 않다는 지적도 제기된다. HBM 탑재량이 80개로 매우 많지만, 지금 당장은 초대형 AI 반도체에 대한 수요가 제한적이라는 이유에서다. 실제로 SoW-X의 이전 세대로 지난 2020년 도입된 SoW는 테슬라·세레브라스 등 소수의 고객사만이 양산에 채택한 바 있다. 반도체 업계 관계자는 "테슬라의 슈퍼컴퓨팅 '도조(Dojo)' 전용 칩인 'D1'처럼, SoW-X는 완전한 커스터마이즈 칩을 위한 기술로서 니치 마켓에 부합한다"며 "워낙 많은 칩이 탑재되고 기술적인 난이도도 높아, 대중적인 AI 반도체 패키징 기술을 당장 대체하기는 어려울 것"이라고 말했다.

2025.06.12 15:54장경윤

SK하이닉스, 10나노급 이하 D램 미래 기술 로드맵 공개

SK하이닉스가 일본 교토에서 8일부터 12일까지 진행되는 'IEEE VLSI 심포지엄 2025'을 열고 향후 회사의 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵을 공식 발표했다고 10일 밝혔다. IEEE VLSI 심포지엄은 반도체 회로 및 공정 기술 분야에서 세계 최고 권위를 인정받는 학술대회다. 매년 미국과 일본에서 번갈아 개최되며 차세대 반도체, AI 칩, 메모리, 패키징 등 최첨단 연구 성과가 발표된다. 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(CTO)은 10일 행사 3일차 기조연설에서 '지속가능한 미래를 위한 D램 기술의 혁신 주도(Driving Innovation in DRAM Technology: Towards a Sustainable Future)'를 주제로 발표를 진행했다. 차 CTO는 "현재 테크 플랫폼을 적용한 미세 공정은 점차 성능과 용량을 개선하기 어려운 국면에 접어들고 있다"며 "이를 극복하기 위해 10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 4F 스퀘어 VG(수직 게이트) 플랫폼과 3D D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다"고 밝혔다. 4F 스퀘어 VG 플랫폼은 D램의 셀 면적을 최소화하고, 수직 게이트(Gate) 구조를 통해 고집적·고속·저전력 D램 구현을 가능하게 하는 차세대 메모리 기술이다. 기존 D램은 단일 셀의 면적이 6F(2F x 3F)였으나, 4F(2F x 2F)는 이보다 작은 면적으로 집적도 향상에 유리하다. VG는 D램에서 트랜지스터의 스위치 역할을 하는 게이트(Gate)를 수직으로 세우고 그 주위를 채널이 감싸고 있는 구조다. 기존에는 게이트가 채널 위에 수평으로 눕혀져 있는 평면구조였다. 차 CTO는 4F 스퀘어 VG와 함께 3D D램도 차세대 D램 기술의 핵심 축으로 제시했다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 기술이다. 업계에서는 이 기술의 제조 비용이 적층 수에 비례해 증가할 수 있다는 관측이 있지만, SK하이닉스는 기술 혁신을 통해 이를 극복하고 경쟁력을 확보하겠다는 방침이다. 또한 회사는 핵심 소재와 D램 구성 요소 전반에 대한 기술 고도화를 추진해 새로운 성장 동력을 확보하고, 이를 통해 향후 30년간 D램 기술 진화를 지속할 수 있는 기반을 구축하겠다는 계획도 공개했다. 차 CTO는 “2010년 전후만 하더라도 D램 기술은 20나노가 한계라는 전망이 많았으나 지속적인 기술 혁신을 통해 현재에 이르게 됐다"며 “앞으로 D램 기술 개발에 참여할 젊은 엔지니어들의 이정표가 될 중장기 기술 혁신 비전을 제시하고, 업계와 함께 협력해 D램의 미래를 현실로 만들어 가겠다”고 밝혔다. 한편 행사 마지막 날인 12일에는 박주동 SK하이닉스 부사장(차세대D램 TF 담당)이 발표자로 나선다. 이 자리에서 VG와 웨이퍼 본딩 기술을 적용해 D램의 전기적 특성을 확인한 최신 연구 결과도 공개할 예정이다.

2025.06.10 10:02장경윤

SEMI "1분기 실리콘 웨이퍼 출하량 전년比 2% 증가"

올해 1분기 글로벌 실리콘 웨이퍼 출하량이 지난해 동기와 비교해 약 2% 상승한 것으로 나타났다. 2일 국제반도체장비재료협회(SEMI) 보고서에 따르면 올 1분기 전 세계 실리콘 웨이퍼 출하량은 전년 동기 대비 2.2% 증가한 28억9천600만 제곱인치를 기록한 것으로 나타났다. 실리콘 웨이퍼는 반도체 제조의 핵심 소재이기 때문에 컴퓨터, 통신제품, 소비가전제품 등 사실상 모든 전자제품에 필수적인 요소이다. 정밀하게 가공된 실리콘 디스크는 1인치에서 12인치에 이르기까지 다양한 직경으로 생산되며 기판 소재로 사용돼 그 위에 대부분의 반도체 칩을 생산한다. 리 청웨이 SEMI 실리콘 제조 그룹(SMG) 의장 겸 글로벌웨이퍼스 부사장은 “1분기 기준 300mm 웨이퍼 출하량은 전년 대비 6% 증가했으나, 200mm 이하는 오히려 감소세를 보였다”며 “첨단 공정용 웨이퍼 출하량이 소폭 증가한 한편 레거시 디바이스 수요는 여전히 약세를 보이고 있으며, 재고 조정 또한 출하량 둔화에 영향을 미친 것으로 풀이된다”고 설명했다.

2025.06.02 15:41전화평

SEMI "지난해 글로벌 반도체 장비 투자액 전년 比 10% 증가"

지난해 전 세계 반도체 제조 장비 투자액이 전년 대비 10% 증가한 것으로 집계됐다. 27일 국제반도체장비재료협회(SEMI)에 따르면 2024년 한 해동안 글로벌 반도체 제조 장비 투자 금액은 1천171억달러에 달한다. 세부적으로는 전공정 부문에서 웨이퍼 가공 장비가 9%, 기타 장비가 5%의 증가세를 보였다. SEMI는 “첨단 및 성숙 로직 공정, 어드밴스드 패키징, 고대역폭메모리(HBM)에 대한 생산 설비 투자 확대와 더불어 중국의 대규모 투자가 성장을 견인한 영향”이라고 분석했다. 후공정 장비의 경우 지난 2년간 하락세를 끝내고 반등했다. 패키징 장비 투자는 전년 대비 25% 증가했으며, 테스트 장비 부문 또한 20% 상승했다. AI 및 HBM 수요와 기술 복잡성이 커진 영향으로 풀이된다. 아짓 마노차(Ajit Manocha) SEMI 최고경영자는 “작년 반도체 장비 시장은 전년 대비 10% 성장한 1천171억 달러에 이르며 사상 최대치를 기록했다”며 “반도체 장비 투자 데이터는 지역별 투자 트렌드의 변화와 로직·메모리 기술의 고도화, AI 기반 애플리케이션 수요 증가 등 역동적인 시장 환경을 보여준다”고 설명했다.

2025.05.27 10:33전화평

아이에스티이, 1분기 영업익 3억원 흑자전환

아이에스티이는 연결 기준 지난 1분기 매출액 103억3천만원, 영업이익 3억원을 기록했다고 14일 공시했다. 매출액은 전년동기 대비 113.9% 증가했다. 영업이익은 흑자전환에 성공했다. 아이에스티이는 "IT용 OLED 장비 판매 증가와 고부가가치 제품인 FOUP(풉) 클리너 판매로 매출이 증가했다"고 설명했다. 지난 2013년에 설립된 아이에스티이는 삼성전자와 SK하이닉스 등 주요 고객사에 풉 클리너를 공급하고 있다. 특히 SK하이닉스에는 단독 공급 체제를 이루고 있다. 풉은 반도체 핵심 소재인 웨이퍼를 담는 용기다. 풉 내에 오염물질이 존재하는 경우 반도체 수율에 악영향을 미칠 수 있어, 청결도를 유지해야 한다.

2025.05.14 10:12장경윤

"팹리스, 삼성·SK·DB 파운드리서 MPW 공정 쓰세요"

중소벤처기업부는 10일 '2025년 팹리스 챌린지'를 공고했다. 반도체 설계 전문(팹리스) 스타트업에 시제품 제작(MPW·Multi-Project Wafer)과 소요 비용, 신제품 제작 기회 등을 준다. MPW는 실리콘 원판(웨이퍼) 한 장에 여러 칩 설계물을 올려 시제품이나 연구를 목적으로 하는 제품 개발 방식이다. 삼성전자와 DB하이텍, SK키파운드리 등 국내 모든 파운드리가 참여하고 있다. 이들 파운드리 3개사의 MPW 공정을 쓰려는 창업 10년 이내 팹리스 중 5개사를 뽑는다. 12인치 2개사에 기업당 2억원, 8인치 3개사에는 1억원씩 지원한다.

2025.04.11 10:37유혜진

EVG, MEMS 제조사에 차세대 'GEMINI' 웨이퍼 본딩 시스템 공급

EV그룹(EVG)은 300mm 웨이퍼용 차세대 GEMINI 자동화 생산 웨이퍼 본딩 시스템을 공개했다고 19일 밝혔다. HVM(대량양산) 웨이퍼 본딩의 글로벌 산업 표준을 기반으로 한 이번 신형 GEMINI 장비 플랫폼은 새롭게 설계된 고압 본딩 챔버를 적용해, 대형 웨이퍼에서 제조되는 MEMS 디바이스의 본딩 품질과 수율을 극대화한다. EVG는 이미 여러 주요 MEMS 제조업체에 새로운 장비 플랫폼을 적용한 GEMINI 시스템을 공급했다. 시장조사업체 욜그룹에 따르면 MEMS 시장은 2023년 146억 달러에서 2029년 200억 달러로 성장할 전망이다. 이 같은 성장은 스마트워치, TWS(True Wireless Stereo) 이어폰 및 기타 소비자용 웨어러블 기기에서 점점 더 많이 사용되는 관성 센서, 마이크로폰 및 차세대 MEMS(마이크로 스피커 포함)가 주도하고 있다. 많은 MEMS 디바이스는 외부 환경으로부터 보호받거나, 제어된 환경 또는 진공 상태에서만 작동할 수 있어야 한다. 금속 기반 웨이퍼 본딩은 이러한 MEMS 디바이스의 제조에서 밀폐 봉합 및 압력·진공 캡슐화를 가능하게 하는 핵심 기술로 자리 잡고 있다. MEMS 제조업체들은 MEMS 디바이스의 시장 수요 증가에 대응하고, CMOS-MEMS 통합과 같은 새로운 디바이스 통합 방식 및 초음파 MEMS, 마이크로미러와 같은 대형 MEMS 디바이스 생산을 지원하기 위해 200mm에서 300mm 생산 라인으로 전환하기 시작했다. 하지만 300mm 웨이퍼로의 전환에는 기존 200mm 웨이퍼와 동일한 본딩 압력을 보장하기 위해 훨씬 더 큰 본딩력이 필요하다. EVG의 차세대 300mm용 GEMINI 시스템은 300mm MEMS 제조에 요구되는 사양을 뛰어넘어, 현재 및 미래 세대의 MEMS 디바이스 제조 요구를 충족한다. 정렬된 웨이퍼 본딩을 위한 통합 모듈형 HVM 시스템인 GEMINI 플랫폼은 최대 4개의 본딩 챔버를 지원하며, 조정 가능한 본딩 힘(최대 350kN), 고진공(최대 5 x 10⁻⁶ mbar), 고압(2000mbar abs.)을 제공한다. 또한, 이전 세대 플랫폼의 강점인 완전 자동 광학 정렬, 맞춤형 모듈 구성의 유연성 및 다양한 본딩 공정 지원 기능을 그대로 유지하고 있다.

2025.03.19 16:48장경윤

SEMI "지난해 웨이퍼 출하량 전년比 2.7% 감소…올해는 반등"

글로벌 전자 산업 공급망을 대표하는 산업 협회인 SEMI는 지난해 전 세계 실리콘 웨이퍼 출하량이 전년 대비 2.7% 감소한 122억6천600만 제곱인치를 기록했다고 26일 밝혔다. 매출액은 6.5% 줄어든 115억 달러로 집계됐다. 지난해에는 더딘 재고 조정으로 인해 웨이퍼 출하량과 매출액 모두가 다소 하락했다. 하지만 올해부터 웨이퍼 출하량의 회복세가 시작될 것으로 보이며, 특히 하반기부터는 강한 반등이 예상된다. 리 청웨이 SEMI SMG(실리콘 제조업체 그룹) 회장 겸 글로벌웨이퍼스 부사장은 “생성형 AI 및 신규 데이터센터가 첨단 파운드리와 고대역폭 메모리(HBM)와 같은 메모리 반도체 수요를 견인하고 있지만, 대부분의 다른 최종 소비자 시장은 여전히 과잉 재고로부터 회복 중”이라고 밝혔다. 그는 이어 “많은 고객사의 실적 발표에서도 언급된 바와 같이, 산업용 반도체 시장은 여전히 강한 재고 조정 국면에 있으며, 이는 전 세계 실리콘 웨이퍼 출하량에 영향을 미치고 있다”고 설명했다. 실리콘 웨이퍼는 반도체 제조의 핵심 소재이기 때문에 컴퓨터, 통신제품, 소비가전제품 등 사실상 모든 전자제품에 필수적인 요소다. 정밀하게 가공된 실리콘 디스크는 1인치에서 12인치에 이르기까지 다양한 직경으로 생산되며 기판 소재로 사용돼 그 위에 대부분의 반도체 칩을 생산한다. SEMI 실리콘 제조 그룹(SMG)은 SEMI 안에서 전문 위원회 그룹(SIG)으로 활동하며, 다결정 실리콘, 단결정 실리콘 및 실리콘 웨이퍼 생산에 관련된 회사들로 구성돼 있다. 이 그룹의 목적은 실리콘 산업과 반도체 시장에 대한 시장 정보와 통계 개발 및 실리콘 산업에 관련된 주요 사안에 대해 공동의 노력을 촉진시키는 데 있다.

2025.02.26 14:42장경윤

인피니언, SiC 웨이퍼 '8인치' 전환 시작…"1분기 첫 출시"

인피니언 테크놀로지스는 올 1분기에 첨단 200mm SiC(실리콘카바이드) 기술 기반의 첫 번째 제품을 고객에게 출시한다고 17일 밝혔다. 오스트리아 빌라흐에서 제조되는 이 제품은 신재생 에너지, 열차, 전기차 등 고전압 애플리케이션을 위한 최상의 SiC 전력 기술을 제공한다. 또한 말레이시아 쿨림 소재의 인피니언 제조 시설은 150밀리미터 웨이퍼에서 더 크고 효율적인 200밀리미터 웨이퍼로 전환하는 작업을 순조롭게 진행하고 있다. SiC 반도체는 전기를 더욱 효율적으로 전환하고, 극한 조건에서 높은 신뢰성과 견고성을 제공하며, 더 작은 설계를 가능하게 함으로써 고전력 애플리케이션에 혁명을 일으켰다. 인피니언의 SiC 제품을 사용해 고객들은 전기 자동차, 고속 충전소, 열차뿐만 아니라 신재생 에너지 시스템 및 AI 데이터 센터를 위한 에너지 효율적인 솔루션을 개발할 수 있다. 인피니언은 그린 에너지로의 전환 및 CO2 감소에 기여하는 포괄적인 고성능 전력 반도체 포트폴리오를 제공하는 데 중점을 두고 있다. 인피니언 관계자는 "매우 혁신적인 와이드 밴드갭(WBG) 기술을 위한 '인피니언 원 버추얼 팹'인 빌라흐와 쿨림에 위치한 인피니언의 생산 공장은 SiC 및 갈륨 나이트라이드(GaN) 제조에서 빠른 램핑업과 원활하고 효율적인 운영을 가능하게 하는 기술과 공정을 공유한다"며 "200mm SiC 제조 활동은 전력 시스템 솔루션을 선도하는 인피니언의 실리콘, SiC 및 GaN을 포함한 전력 반도체 전체 스펙트럼에서의 기술 리더십을 더욱 강화한다"고 밝혔다.

2025.02.17 14:17장경윤

"습도 제어로 반도체 수율 향상"…저스템, 고객사·제품군 확대 박차

저스템이 반도체 수율 향상에 기여하는 습도 제어 시스템으로 회사 성장을 가속화한다. 현재 미국 고객사와 1세대 제품 공급을 위한 평가를 진행 중이며, 최근 출시한 2세대 제품도 국내 고객사의 첨단 메모리 전환 추세에 맞춰 공급량을 본격 확대할 계획이다. 임영진 저스템 대표는 최근 서울 강남 모처에서 기자들과 만나 회사의 올해 핵심 사업 전략에 대해 이같이 밝혔다. 습도 제어로 반도체 수율 향상…미국 고객사 확보 목전 저스템은 지난 2016년 설립된 반도체·디스플레이 장비업체다. 삼성전자, 주성엔지니어링 등에서 기술력을 쌓은 임 대표가 설립했다. 질소(N2)를 통한 공정 내 습도제어가 회사의 핵심 기술로 꼽힌다. 반도체의 주 소재인 웨이퍼는 공정 내에서 용기(풉; POUP)에 담겨 진공·대기 환경을 오간다. 그런데 대기 환경에서 습도가 너무 높을 경우, 웨이퍼에 잔존한 가스 물질이 습도와 반응해 부식 반응을 일으킬 수 있다. 이는 반도체 수율 저하로 직결된다. 때문에 선폭 20나노미터(nm) 이하의 미세 공정에서는 습도 제어의 필요성이 높아진다. 저스템은 질소를 기반으로 습도를 45%에서 5% 이하로 감소시키는 기술을 국내 최초로 개발해, 모듈 형식으로 반도체 소자업체에 공급해 왔다. 1세대 제품은 국내를 비롯해 대만, 일본, 싱가포르 등 해외 시장에도 상용화됐다. 임 대표는 "저스템의 습도 제어 시스템을 도입하면 생산성이 약 2% 정도 향상되고, 이를 금액적으로 환산하면 1기 팹에서 연간 1천억원 정도의 이득이 있다"며 "이에 주요 IDM(종합반도체기업) 3개사가 저스템 시스템을 채용 중으로, 시장 점유율은 85~90% 수준"이라고 설명했다. 미국 주요 메모리 기업과의 협업도 기대된다. 현재 해당 기업에 모듈을 공급해 퀄(품질) 테스트를 진행 중으로, 올해 상반기 양산 공급을 확정짓는 것이 목표다. 2·3세대 모듈로 성장 본격화…하이브리드 본딩 시대도 준비 나아가 저스템은 지난해 양산을 시작한 2세대 제품 'JFS'의 시장 확대를 추진 중이다. JFS는 습도를 최대 1%까지 낮출 수 있어 10나노급 반도체에 대응할 수 있다. 특히 국내 주요 고객사가 1b(5세대 10나노급) 등 최선단 D램 전환을 가속화하고 있어, 수요가 크게 늘어날 것이라는 게 저스템의 시각이다. 임 대표는 "JFS는 지난해에만 600개를 출하했고, 국내 주요 고객사 중 한 곳에도 실장됐다. 1세대가 6천개가량 도입된 걸 감안하면 2세대도 최소 그 이상의 성장 잠재력이 있다"며 "다른 한 곳도 실장 협의가 끝나 올해 상반기 중으로 본격적인 도입이 가능할 전망"이라고 밝혔다. 오는 19일부터 개최되는 '세미콘 코리아 2025'에서는 3세대 제품도 공개한다. 3세대는 이전 세대 대비 습도 제어 범위를 넓혀, 풉의 뚜껑을 열어도 웨이퍼 주변의 습도를 1%로 유지할 수 있도록 하는 것이 특징이다. 임 대표는 "3세대 제품은 내부 개발이 끝나, 일부 고객사 평가를 준비하고 있다"며 "이르면 내년 하반기나 내후년부터 본격적으로 시장에 공급될 것"이라고 강조했다. 한편 저스템은 차세대 HBM(고대역폭메모리)에 적용될 하이브리드 본딩 관련 장비도 준비하고 있다. 하이브리드 본딩은 칩과 칩을 직접 연결하는 첨단 패키징 기술이다. 저스템은 칩 간의 연결성을 높일 수 있도록, 플라즈마로 웨이퍼 표면에 미세한 굴곡을 만드는 장비를 개발하고 있다.

2025.02.17 13:51장경윤

전기연구원 SiC 전력 반도체, 우주시장 진출 "꿈"

한국전기연구원(KERI)은 차세대반도체연구센터 서재화 박사 연구팀이 우주 환경에서 탄화규소(SiC) 전력반도체 소자의 방사선 내성을 평가할 수 있는 기술을 개발했다고 17일 밝혔다. 우주 방사선은 항공기나 탐사선(로버), 위성 등에 탑재되는 전력반도체의 전기적 특성을 심각하게 저하시키는 원인으로 손꼽힌다. 이때문에 미국과 유럽을 중심으로 방사선 영향 연구를 진행하고 있다. 우리나라는 아직 실리콘 전력반도체 단계에서 방사선 내성을 정량적으로 분석하는 수준에 머물고 있다. 서재화 박사는 "국내 최초로 고에너지 우주 환경 모사를 통해 SiC 전력반도체의 방사선 내성을 효과적으로 평가하는 데 성공했다"고 밝혔다. 서 박사는 "우주 방사선은 다양한 에너지 대역의 입자들로 구성돼 있다. 그중 양성자(proton)가 80~90%를 차지하기 때문에 극한 우주 방사선 실험 환경을 구현하는 것이 어렵다"고 설명했다. 연구팀은 한국원자력연구원이 보유한 가속기 시설의 고에너지 양성자(100 MeV)를 활용했다. 정확한 방사선 조사 조건을 구현하기 위해 국립경국대 윤영준 교수팀과도 협업했다. 연구팀은 극한 우주 환경 조건에서 직접 국산화한 SiC 전력반도체의 전압 변화, 피폭으로 인한 누설 전류 증가 및 격자 손상 등 영향성을 체계적으로 분석했다. 실제 우주 부품으로 SiC 전력반도체가 사용될 때의 장기적인 신뢰성을 보장할 수 있는 설계 기준도 마련했다. 연구결과는 핵·방사화학 분야 국제저널(Radiation Physics and Chemistry)에 최근 게재됐다. 향후 연구팀은 초고에너지급(200MeV 이상) 방사선 조건에서의 SiC 전력반도체 신뢰성 평가와 함께 '차세대 내방사(radiation-resistance) 전력반도체' 소자 개발을 추진할 계획이다. 서재화 박사는 "현재 경남도 및 2인치 다이아몬드 웨이퍼를 세계 처음 개발한 일본 기업 오브레이와 컨소시엄을 구성해 우수한 반도체 물성을 갖는 '다이아몬드를 이용한 미래형 전력반도체' 연구도 진행중"이라고 밝혔다. 서 박사는 "우주·항공뿐만 아니라 의료용 방사선 기기, 원자력 발전 및 방사선 폐기물 처리 설비, 군수·국방 전자제품 등 다양한 분야에 기술이 적용될 것”으로 기대했다.

2025.02.17 09:01박희범

아이에스티이, 지난해 4분기 및 연간 영업익 '흑자전환'

국내 반도체 장비기업 아이에스티이(ISTE)는 지난해 4분기와 연간기준으로 흑자 전환했다고 17일 밝혔다. 아이에스티이의 지난해 4분기 매출액은 132억원, 영업이익 1억5천만원으로 집계됐다. 전년동기 대비 매출은 233% 증가했으며, 영업이익은 흑자전환했다. 또한 지난해 연 매출은 410억원으로 전년 대비 51% 증가했고, 영업이익은 7억5천만원으로 흑자전환했다. 아이에스티이 관계자는 “작년 반도체 투자 업황 개선 및 IT용 OLED 투자로 주력 반도체 장비인 풉 클리너 매출이 전년대비 32% 성장했고, OLED를 포함한 기타 매출이 425% 성장하며 실적이 개선됐다”고 설명했다. 아이에스티이는 지난 12일에 코스닥 시장에 상장한 바 있다. 최근 공모시장의 분위기가 좋지 않았음에도 불구하고, 공모가 대비 97% 상승한 2만2천500원으로 상장 당일 종가를 마무리했다. 특히 거래대금이 9천억원으로 코스닥 시장 거래금액의 11.5%를 차지하면서, 거래대금 기준 전체 상장기업 중 유가증권시장 상장기업인 3개사(삼성전자, 한화시스템, 한화오션)에 이어 4위에 오르며 성공적으로 코스닥 시장에 상장했다. 상장주관사인 KB증권 관계자는 "분리 세정 및 분리 건조가 가능한 풉 클리너를 개발하고 글로벌 고객사 확보에 주력하는 등 기술력 및 사업 확장성을 보유한 점과 PECVD 상업화에 속도를 내고 있는 점에서 투자자들이 아이에스티이의 미래 성장성에 공감한 것으로 판단한다"고 설명했다. 조창현 아이에스티이 대표이사는 “이번 주 국내 최대 반도체 전시회에 참여해 영업 활동을 강화해 나갈 계획”이라며 “국내외 고객 확대를 통해 상장시 예상한 올해 매출액 706억원의 약속을 지킬 것”이라고 밝혔다. 아이에스티이는 증권신고서를 통해 중립적 실적 시나리오로 올해(2025년)의 예상 매출액을 706억원으로 제시했으며, 영업이익의 경우 105억원을 전망했다. 특히, 주력 제품인 풉 클리너의 올해 예상 매출액을 348억원으로 전년대비 168% 성장을 전망했다. 이 중 약 30% 이상은 주요 고객인 SK하이닉스에 판매될 것으로 예상했다.

2025.02.17 08:43장경윤

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