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SEMI "2분기 실리콘 웨이퍼 출하량 반등…전년比 10% 증가"

올해 2분기 세계 실리콘 웨이퍼 출하량이 전년동기 대비 10% 증가한 것으로 드러났다. 5일 국제반도체장비재료협회(SEMI) 보고서에 따르면 올해 2분기 전 세계 실리콘 웨이퍼 출하량이 전년 동기 대비 9.6% 증가한 33억2천700만in²(제곱인치)를 기록했다. 이는 올 1분기 대비 14.9% 증가한 수준으로, 메모리 외 일부 제품군에서 회복 신호가 나타난 것으로 관측된다. 리 청웨이 SEMI 실리콘 제조 그룹(SMG) 의장은 “AI 데이터센터용 칩, 특히 고대역폭 메모리(HBM)에 대한 실리콘 웨이퍼 수요는 여전히 매우 강력하다”며 “AI 부문 외 디바이스의 팹 가동률은 전반적으로 낮은 수준을 유지하고 있으나 재고 수준은 정상화되는 양상을 보이고 있다”고 설명했다. 이어 “실리콘 출하량 반등은 긍정적인 모멘텀을 시사하지만, 지정학적 변수 및 공급망 환경이 미칠 영향은 여전히 불확실한 상황이다”라고 덧붙였다.

2025.09.11 15:05전화평

테스, SiC 전력반도체용 핵심장비 상용화 성공

반도체 전공정 전문 장비업체 테스는 SiC(탄화규소) 전력반도체 핵심장비 상용화에 성공해 본격적인 출시를 시작한다고 8일 밝혔다. SiC 전력반도체의 핵심 공정인 에피(Epi) 성장을 위한 HTCVD(고온CVD)는 기술 난이도가 높아 그동안 유럽, 일본의 업체가 사실상 공급을 독점해온 장비다. 테스는 2016년부터 판매 중인 DUV(극자외선) LED용 고온 MOCVD의 핵심기술을 활용해, SiC 전력소자 성장 장비인 HTCVD 'TRION'을 3년만에 상용화했다. TRION의 핵심 기술은 1천650도 고온의 공정온도에서도 8인치 웨이퍼 내의 온도 편차를 5도 이하로 가능하게 하는 'TRION 스페셜 RF 히터' 와 공정 가스 분사시 두께, 도핑의 균일도를 미세하게 조절할 수 있는 'TTPN(튜너블 트리플 페어 노즐; Tunable Triple Pair Nozzle)' 기술이다. 테스는 "독자 기술을 통해 에피 성장의 성능을 결정하는 온도 균일도 향상은 물론, 고객사 유지보수의 편의성과 생산성을 획기적으로 개선했다"며 "또한 TTNP 기술로 가스의 양, 속도, 방향을 미세하게 조정함으로써 최상의 8인치 두께 및 도핑 균일도를 확보했다"고 설명했다. 테스는 해당 제품을 오는 14일부터 부산 벡스코에서 개최하는 ICSCRM 2025에서 소개할 예정이다.

2025.09.11 13:00장경윤

완제품은 韓, 소재는 日…HBM 경쟁의 이면

지난 1980년대부터 1990년대까지 두 차례에 걸친 메모리 반도체 치킨게임이 진행되면서 메모리 반도체 시장에는 지각변동이 일어났다. 일본이 지배하던 당초 시장 구조가 재편되고, 한국이 메모리 1위 자리로 올라선 것이다. 그러나 실제로 내부 실상을 들여다보면 한국이 진정한 의미에서 1등이라고 말하기는 어렵다. D램, 낸드플래시 등 완제품 메모리 영역에서는 시장 리더지만 소재 분야에서는 여전히 일본 의존도가 높기 때문이다. 사실상 역할이 분담된 셈이다. SK하이닉스 HBM 소재·장비 상당수 日 독점 이 같은 상황은 SK하이닉스의 HBM(고대역폭 메모리) 밸류 체인을 통해서도 확인할 수 있다. HBM은 기존 D램과 달리 초미세 TSV(실리콘 관통 전극) 적층 구조를 채택한다. 이 과정에서 쓰이는 핵심 소재와 장비는 일본 기업들이 사실상 독점 공급하고 있다. 특히 HBM 적층 공정에서 필수적인 언더필(Underfill) 소재는 일본 나믹스(NAMICS)가 사실상 단독으로 공급하고 있다. 언더필은 반도체 칩과 기판 사이의 빈 공간을 채워주는 특수 에폭시다. 마이크로범프로 칩을 붙인 뒤 그 사이 틈새에 액체 형태로 흘려 넣어 경화시킨다. 대체제를 찾기 어려워 국산화 진척도가 더디다. 반도체 웨이퍼도 일본이 상당수 공급하고 있다. SK하이닉스는 신에츠화학으로부터 실리콘 웨이퍼 상당수를 공급받는 걸로 알려졌다. 신에츠화학은 1926년 설립된 회사로, 현재 반도체 실리콘 웨이퍼 글로벌 시장을 약 30% 점유하며 세계 1위를 기록 중이다. 웨이퍼 시장을 양분하는 SUMCO의 점유율까지 합칠 경우 일본 기업의 글로벌 웨이퍼 시장 점유율은 최대 70%에 달할 것으로 관측된다. 아울러 SK하이닉스는 포토레지스트(PR) 대부분을 도쿄오카공업(TOK)로부터 공급받으며, 절연재(EMC)는 JSR, 아사히카세이 등과 협업 중이다. 이들 소재는 HBM을 만드는 핵심 소재로 분류된다. 장비 부문에서도 일본에 대한 의존도가 높다. 웨이퍼를 수십 마이크로미터(㎛) 수준으로 얇게 가공하는 그라인딩·다이싱 장비도 일본 디스코(DISCO)가 세계 점유율 90% 이상을 차지하고 있다. HBM처럼 초박형 웨이퍼를 요구하는 공정에서는 디스코 장비를 사실상 대체할 수 없는 상황이다. 韓 기업 장비서 일부 성과 있어...소재는 여전히 日 리더 다만 장비 부문에서는 일부 국산화 성과가 나타나고 있다. 원익IPS(식각 장비), PSK(세정 장비), 한미반도체(본딩·검사 장비) 등 국내 주요 기업은 SK하이닉스 HBM 생산에 중요한 장비를 공급하며 입지를 확대하는 것이다. 그러나 소재 분야에서는 여전히 일본이 압도적이다. 반도체 소재는 한 번 채택되면 수율과 직결되기 때문에 수년 이상 검증 데이터가 필요한데, 일본 기업들은 이미 20~30년간의 데이터와 신뢰를 확보했다. 한국 기업이 대체재를 개발하더라도 양산 적용까지는 긴 시간이 걸릴 수밖에 없다. 시장 구조에서도 차이가 난다. 일본 기업들은 매출 규모가 작더라도 특정 소재에 수십 년간 집중 투자하는 B2B 특화 문화를 갖고 있다. 나믹스(NAMICS)가 HBM 언더필을 20년 넘게 연구·공급하며 독점적 지위를 확보한 것이 대표적이다. 반면 한국 기업들은 대규모 양산과 빠른 시장 확대에 익숙해, 상대적으로 규모가 작은 틈새 소재 시장에 장기간 투자하기 어려운 구조다. 기술 장벽도 만만치 않다. 반도체 소재는 순도 99.9999% 이상의 초고순도 화학 기술과 정밀 공정을 요구한다. 일본은 신에츠화학, 도쿄오카공업(TOK) 등 글로벌 화학 기업을 기반으로 반도체 소재를 발전시켰다. 한국에도 LG화학·롯데케미칼 등이 있지만, 반도체 소재로의 확장은 비교적 최근이다. 익명을 요구한 반도체 업계 관계자는 “한국은 제조 중심, 일본은 소재 중심이라는 산업 DNA 차이가 지금의 상황을 만들었다”며 “소재 국산화가 속도를 내지 못하면 AI와 HBM 경쟁에서 구조적 리스크가 될 수 있다”고 경고했다.

2025.08.31 09:23전화평

에이텍솔루션, 코스닥 상장 위한 예비심사청구서 제출

재생웨이퍼 전문기업 에이텍솔루션은 지난 22일 코스닥 상장을 위한 예비심사청구서를 제출했다고 25일 밝혔다. 상장 주관사는 대신증권이다. 2009년 설립된 에이텍솔루션은 반도체 공정에 사용되는 '모니터링 웨이퍼 리클레임(Monitoring Wafer Reclaim)' 사업을 국내 최초로 개발 및 양산하는데 성공했다. 해당 사업을 통해 928억원의 수입대체 효과를 창출했으며, 2018년 삼성전자 'Best Contribution Award'를 수상하면서 삼성전자와의 파트너십 강화 및 기술력을 입증했다. 웨이퍼 리클레임 사업은 반도체 제조 과정에서 사용 후 폐기되던 모니터 웨이퍼를 정밀연마 및 세정 등의 기술을 활용해 재사용할 수 있게 하는 사업이다. 에이텍솔루션은 재생 과정에서 해외 경쟁사 대비 약 10배 가량 재 사용 횟수를 높여 고객 만족도를 향상시키고 있다. 이외에도 MFC(가스 유량 제어기) 판매 사업, 반도체 부품 정밀 세정, 실리콘 부품 공급 등 다양한 반도체 공정 핵심 분야의 사업을 펼치면서, 반도체 산업의 핵심 플레이어로 부상하고 있다. 박병호 에이텍솔루션 대표는 “첨단기술 발전으로 인한 반도체 수요 증가로 웨이퍼 리클레임 사업 또한 수요가 높아질 것으로 전망한다”며 “성장하는 반도체 산업에서 보유 기술의 고도화를 통해 웨이퍼 리클레임 시장의 선두주자가 되겠다”고 말했다.

2025.08.25 10:41장경윤

마이크로LED, 2028년부터 본격 개화…프리미엄 TV 시장 견인

마이크로LED 시장이 오는 2028년부터 본격적인 성장 궤도에 들어설 전망이다. 프리미엄 TV 및 응용처 확대에 따른 효과로, 이에 대응하는 적극적인 설비투자가 진행될 것으로 기대된다. 13일 유비리서치는 최근 발간한 '2025 마이크로-LED 디스플레이 산업 및 기술 동향 보고서'를 통해 "글로벌 마이크로LED TV 생산능력이 2023년 연간 5만대 수준에서 2030년 약 600만대로 확대될 것"이라고 밝혔다. 전체 시장 규모는 약 13억 달러(한화 약 1조8천억원)에 달할 것으로 전망된다. 마이크로LED는 OLED 대비 높은 밝기, 긴 수명, 뛰어난 내구성을 갖춘 자발광 평판 디스플레이 기술로, 프리미엄 TV와 차세대 웨어러블 기기 시장에서 차세대 후보로 부상했다. 특히 번인(burn-in) 우려가 없고, 색재현력과 시인성이 우수해 대형 디스플레이부터 초소형 AR·VR 기기까지 적용 범위가 넓다. 유비리서치는 생산 효율성 향상과 제조 원가 절감이 맞물리면서 2027년 이후 본격적인 상용화가 시작되고, 2028년부터는 연평균 50% 이상의 고성장이 이어질 것으로 분석했다. 시장 확산을 견인하는 주요 요인으로는 프리미엄 TV 수요 증가, 생산 인프라 확충, 응용 분야 다변화 등이 있다. 양산 안정화와 원가 절감으로 소비자 접근성 확대되는 측면도 있다. 김주한 유비리서치 연구원은 마이크로LED 확산의 관건이 에피웨이퍼의 안정적인 공급이라고 분석했다. 김 연구원은 “2026년 이후 대규모 MOCVD 발주가 이어질 것으로 예상되고, 2030년까지 웨이퍼 생산량은 현재 대비 10배 수준으로 확대될 전망”이라며 “이러한 소재 공급 안정화는 마이크로LED 대량 생산 체제를 뒷받침해 가격 경쟁력 강화와 시장 확대를 가속화할 것”이라고 말했다. 한편 마이크로LED의 보다 구체적인 시장 전망과 산업별 파급효과는 내달 9월 5일 개최되는 '2026년 준비를 위한 디스플레이 전략 세미나'에서 공개될 예정이다.

2025.08.13 11:00장경윤

"TSMC, 6인치 웨이퍼 생산 2년 내 전면 중단"…효율성 강화 포석

세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) TSMC가 향후 2년 내에 6인치 웨이퍼 생산을 단계적으로 중단하고, 8인치 웨이퍼 생산으로 재편한다. 로이터통신 등 외신은 TSMC가 6인치 팹의 기능을 8인치 팹으로 통합할 예정이라고 현지시간 12일 보도했다. 현재 TSMC는 대만 내 6인치 팹 1곳, 8인치 팹 4곳, 그리고 12인치 팹을 운영 중이다. 이는 생산 효율성을 높이는 전략적 결정이다. TSMC 측은 “시장 여건과 장기 전략에 부합하는 조치”라며 “고객과 긴밀히 협력해 원활한 전환을 추진할 것”이라고 설명했다. 그러면서 “해당 조치가 기존 실적 목표에는 영향을 미치지 않는다”고 덧붙였다. 6인치 웨이퍼 수요가 일부 아날로그·전력반도체 분야에 남아있지만, 첨단 공정 확대 흐름 속에서 투자 대비 효율성이 떨어진다는 점이 폐지 결정의 배경으로 분석된다. 한편 회사는 7월 기준 올해 글로벌 매출이 약 30% 성장할 것이라는 전망이라고 밝혔다. 초기 예상치(24~26%)를 웃도는 수치로, AI 수요 증가 및 고성능 컴퓨팅 수요 확대에 따른 것으로 풀이된다.

2025.08.13 10:57전화평

[단독] 테슬라, 슈퍼컴 '도조' 공급망 삼성·인텔 낙점

테슬라가 자사 슈퍼컴퓨팅 시스템인 '도조(Dojo)'의 공급망에 삼성전자와 인텔을 낙점하고 대대적인 변화를 시도한다. 테슬라가 기존 TSMC에 공정 전체를 일임하던 구조에서 벗어나, 삼성전자·인텔 양사에 각각 특정 공정을 맡기는 이원화된 방안을 추진 중으로 파악돼 향후 공급망에 큰 변화도 예상된다. 도조용 칩 제조는 삼성전자 파운드리가, 모듈 제작을 위한 특수 패키징 기술은 인텔이 각각 담당하는 구조다. 그동안 삼성전자·인텔은 첨단 파운드리 및 패키징 산업에서 오랜시간 경쟁 구도를 형성해 왔다. 하지만 테슬라를 필두로 AI 반도체 업계에 새로운 협력 구조와 공급망 체제가 결성될 수 있을 지 귀추가 주목된다. 7일 지디넷코리아 취재를 종합하면 테슬라는 3세대 도조 양산에 삼성전자·인텔을 동시 활용하는 방안을 두고 각 사와 논의 중이다. 삼성 파운드리·인텔 OSAT 활용 추진…"전례 없는 협력 구조" 테슬라는 완전자율주행(FSD)과 관련한 데이터를 AI 모델로 학습시키기 위한 슈퍼컴퓨팅 시스템 도조를 자체 개발해 왔다. 도조에는 테슬라의 맞춤형 AI 반도체인 'D 시리즈' 칩이 다수 집적된다. 예를 들어, 1세대 도조는 D1 칩을 25개 패키징한 모듈로 구성돼 있다. 도조 1·2는 모두 대만 주요 파운드리인 TSMC가 양산을 전담한 것으로 알려져 있다. 그러나 도조3부터는 공급망이 전면적으로 바뀔 예정이다. 현재 테슬라는 도조3용 'D3' 칩의 전공정을 삼성전자에, 모듈용 패키징 공정을 인텔에 맡기는 방안을 추진 중인 것으로 파악됐다. 사안에 정통한 복수의 관계자는 "테슬라가 도조3 공급망 논의에서 칩 양산과 모듈용 패키징을 분리하는 계획을 제안하고 있다"며 "이 같은 계획을 토대로 협력사와 구체적인 계약 체결을 논의 중"이라고 설명했다. 계약이 최종 합의되는 경우, 테슬라의 주도로 삼성전자 파운드리 사업과 인텔 OSAT(외주반도체패키징테스트) 사업간의 협업이 업계 최초로 이뤄질 예정이다. 양사 모두 파운드리와 패키징 사업을 운영중이지만, 이 같은 협력 구조가 공식적으로 성사된 사례는 아직까지 확인된 바 없다. 우선 도조3용 칩 양산은 삼성전자의 수주가 사실상 확실시되고 있다. 앞서 삼성전자는 지난달 28일 테슬라와 22조7천600억원 규모의 반도체위탁생산 계약을 체결했다. 당시 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 "삼성전자가 미국 신규 파운드리 팹에서 AI6 칩 양산에 전념하게 될 것"이라고 밝혔다. AI6는 테슬라의 차세대 FSD(Full Self-Driving), 로봇, 데이터센터 등에 활용될 수 있는 반도체로, 2나노 공정을 채택한 것으로 알려졌다. 또한 테슬라는 도조3에 탑재할 칩을 별도로 설계하지 않고, AI6와 도조3용 칩을 단일 아키텍처로 통합하겠다고 밝힌 바 있다. 일론 머스크 CEO는 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "도조3와 AI6 칩을 기본적으로 동일하게 사용하는 방향을 생각하고 있다"며 "예를 들어 자동차나 휴머노이드에는 칩을 2개 사용하고, 서버에는 512개를 사용하는 방식"이라고 말했다. 도조, 초대형 반도체 위한 특수 패키징 필요 테슬라가 도조3용 칩과 패키징 협력사를 이원화하려는 배경에는 기술과 공급망 요소가 모두 작용하고 있다는 분석이다. 테슬라의 도조는 일반적인 시스템반도체와 달리, 패키징 과정에서 매우 큰 사이즈로 제작된다. 때문에 테슬라는 TSMC의 SoW(시스템-온-웨이퍼) 패키징 기술을 채택한 바 있다. SoW는 기존 패키징 공정에서 쓰이던 기판(PCB) 등을 사용하지 않고, 메모리 및 시스템반도체를 웨이퍼 상에서 직접 연결하는 기술이다. 각 칩의 연결은 칩 하단에 형성된 미세한 구리 재배선층(RDL)이 담당한다. 웨이퍼 전체를 사용하기 때문에 초대형 반도체에도 대응 가능하다. D1의 경우 TSMC 7나노미터(nm) 공정 기반의 654제곱밀리미터(mm²) 단일 칩을 활용한다. 이를 웨이퍼에 5x5 배열로 총 25개 배치한 뒤, 각 칩을 전기적으로 연결해 하나의 모듈로 만든다. 웨이퍼 전체를 일종의 기판처럼 사용하는 방식이다. 다만 SoW는 초대형 반도체를 타겟으로 한 특수 패키징으로, 양산되는 칩의 수량이 비교적 적다. 당장의 매출 규모가 크지 않은 만큼 전공정·후공정 모두 TSMC 측의 적극적인 지원을 받기가 힘든 상황이다. 반면 삼성전자·인텔은 대형 고객사 확보가 절실한 상황으로, 각각 테슬라에 우호적인 조건을 제시했을 가능성이 크다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자 역시 초대형 반도체에 대응할 수 있는 첨단 패키징 기술을 고도화하고 있는 것으로 안다"며 "도조3 모듈 패키징은 인텔이 선제 진입할 예정이나, 기술 개발 상황에 따라 향후 삼성전자도 공급망 진입이 가능할 것으로 예상한다"고 밝혔다. 인텔, EMIB 기반으로 테슬라 대응 유력 한편 테슬라는 도조3에서 인텔의 임베디드 멀티-다이 인터커넥트 브릿지(EMIB) 기술을 활용하려는 것으로 알려졌다. EMIB는 인텔의 독자적인 2.5D 패키징 기술이다. 2.5D 패키징은 칩과 기판 사이에 '실리콘 인터포저'라는 얇은 막을 삽입해 각 칩을 연결하는 방식을 뜻한다. EMIB는 기존 2.5D 패키징처럼 칩 아래에 인터포저를 넓게 까는 대신, 기판 내부에 삽입된 소형 실리콘 브릿지로 칩과 칩을 연결한다. 칩 간 연결이 필요한 부분에만 브릿지를 배치하면 되므로, 더 유연하고 효율적으로 칩을 배치할 수 있다. 인터포저 크기에 따라 다이 사이즈 확장에 제약을 받는 2.5D 패키징과 달리, 더 넓은 면적에 걸쳐 다이를 구성하는 데에도 유리하다. 다만 EMIB도 현재 상용화된 기술 수준으로는 웨이퍼 수준의 초대형 칩 제작이 어렵다는 평가를 받는다. 때문에 업계는 인텔이 도조 3를 위한 새로운 EMIB 기술 및 설비투자 등을 검토하고 있을 것으로 보고 있다.

2025.08.07 15:14장경윤

세메스, 반도체 매엽식 세정장비 2500호기 판매 달성

반도체 장비업체인 세메스는 자사의 반도체 매엽식 세정장비 양산 판매 대수가 국내 최초로 2천500호기를 달성했다고 1일 밝혔다. 2006년 7월 첫 양산 개발 이래 지금까지 누적 매출도 7조원을 넘어선 것으로 집계됐다. 매엽식 세정은 반도체 웨이퍼의 회로 선폭이 점점 미세해지면서 웨이퍼 표면에 남아있는 파티클(오염물질)을 제거하기 위해 반도체 웨이퍼를 한장씩 개별적으로 세정하는 방식이다. 세메스 매엽식 세정장비는 아이리스(IRIS), 블루아이스(BLUEICE), 로투스(LOTUS), 퓨어시스(PURESYS) 등이 있으며, 주요 기술에 대해 국가핵심기술 판정을 받았다. 이들 설비는 다양한 소재와 신기술을 적용해 세정 성능을 기존 대비 90% 이상 크게 향상시켰으며, 웨이퍼의 오염 상태에 따라 세정 방식을 조절할 수 있도록 제작됐다고 회사측은 설명했다. 김경현 클린팀장은 “앞으로 다양한 공정기술이 융복합된 신제품 개발 및 친환경 설비경쟁력 확보를 통해 명실상부한 반도체 세정장비 리딩컴퍼니로 도약하겠다”고 말했다. 세메스는 지난 2014년 세계 최초로 반도체 초임계 세정장비를 양산해 업계의 주목을 받았으며, 정부로부터 국가핵심기술 판정을 받았다.

2025.08.01 10:46장경윤

인피니티시마, SK하이닉스 D램 공정에 첨단 계측장비 공급

인피니티시마(Infinitesima)는 SK하이닉스 양산 라인에 '메트론(Metron) 3D' 300mm 인라인(in-line) 웨이퍼 계측 시스템을 공급했다고 9일 밝혔다. 메트론 3D는 SK하이닉스의 차세대 메모리 디바이스 제조에 필수적인 서브 나노미터 정확도의 3차원(3D) 공정 제어를 제공한다. 이번 SK하이닉스의 양산 라인 적용은 여러 공정 단계에 대한 시스템 특성화 작업을 포함한 광범위한 평가를 거친 후 이루어졌다. 최영현 SK하이닉스 DMI(결함 분석, 계측 및 검사 기술) 담당 선임(Head of DMI)은 “나노미터 수준에서의 3차원 공정 제어는 첨단 D램 공정에서 고수율을 보장하는 데 있어서 점점 더 중요해지고 있다"며 "인피니티시마의 메트론 3D는 대량양산(HVM) 구현에 필요한 비용 효율성을 갖춘 우수한 서브 나노미터 3D 계측 성능을 입증했다”고 말했다. 메트론 3D는 통상적인 원자현미경(AFM) 처리량보다 10배에서 100배의 AFM 계측 능력을 제공하는 인피니티시마 고유의 RPMTM(Rapid Probe MicroscopeTM) 기술을 특징으로 한다. 또한 이 시스템은 완전 자동화된 웨이퍼, 데이터, 프로브 핸들링 기능을 지원해 반도체 디바이스의 인라인 대량 생산에 최적화돼 있다. 이 계측 솔루션에 대한 투자는 SK하이닉스가 컴퓨터 메모리의 개발 및 제조 분야에서 기술 리더십을 유지하기 위해 얼마나 노력하고 있는지를 잘 보여준다. 피터 젠킨스 인피니티시마 회장 겸 CEO는 “SK하이닉스와 협력하게 되어 매우 기쁘다"며 "SK하이닉스의 지원과 지도 덕분에 우리 메트론 3D 시스템이 신속히 품질 평가를 마치고 대량 양산에 채택될 수 있었다”고 밝혔다.

2025.07.09 13:24장경윤

SFA, HBM 제조라인에 스마트 물류시스템 공급

국내 종합장비회사 에스에프에이는 국내 고객사의 HBM 제조라인에 스마트 물류시스템을 공급한다고 7일 밝혔다. 에스에프에이는 그간 국내외 고객사의 반도체 제조라인에 OHT(Overhead Hoist Transport) 시스템과 스탁커(Stocker) 및 리프터(Lifter) 등 스마트 물류시스템 전반을 공급해 왔다. 나아가 이번 수주로 급격하게 설비투자가 확장되고 있는 HBM 분야로도 사업을 확장하게 됐다. 에스에프에이 관계자는 "경쟁사 대비 약 40% 저감된 진동 스펙 달성을 통해 반도체 품질의 안정성을 확보했다"며 "웨이퍼 이송 효율 제고를 위한 최적경로 선정 스마트 기술 및 무중단을 구현하는 예지정비(PdM) 솔루션 등의 적용을 통해 확보한 OHT 시스템의 차별화된 경쟁력을 인정받았기 때문에 가능했다"고 설명했다. 관계자는 이어 "이와 같은 차별화된 기술경쟁력을 기반으로 해외 제조장비업체가 전통적으로 상대적 경쟁우위를 가지고 있던 반도체 물류시스템 제조장비 시장을 본격적으로 공략해 나갈 계획"이라고 덧붙였다. 한편 에스에프에이는 반도체사업의 중장기 성장 기반을 더욱 확고하게 다지기 위해 첨단 패키징 관련 제조장비 개발에 집중하고 있다. 대표적으로 HBM 관련 정밀 패턴 인쇄를 위한 비접촉 3D 배선장비, 유리기판 패키징 관련 TGV·싱귤레이션·진공 라미네이터 등이 있다. 또한 HBM 및 유리기판 PKG 모두에 적용가능한 최첨단 검사·측정 장비군도 개발하고 있다. 인-라인 3D CT장비, FIB-SEM장비, 백색광 간섭계 측정장비 등이 대표적인 사례다. 특히 유리기판 패키징의 경우, 유리기판 제조공정에서의 크랙(crack)이 양산 수율에 지대한 영향을 미침에 따라 유리기판을 다루는 기술이 매우 중요하다. 이와 관련해 회사 관계자는 "이미 오랜 기간에 걸쳐 성숙된 디스플레이용 원판 유리 제조기술은 물론, 충분하게 검증받은 레이저·진공·라미네이션 등 디스플레이용 유리기판 패널 제조 기술을 충분하게 확보하고 있다"며 "유리기판 패키징 양산 제조라인 설비투자가 본격화되는 시점에는 반도체사업의 성장 속도가 더욱 가속화될 것으로 전망하고 있다"고 강조했다.

2025.07.07 10:19장경윤

인피니언, 300mm GaN 반도체 올 4분기 고객사에 첫 샘플 제공

인피니언테크놀로지스는 확장 가능한 300mm 웨이퍼 기반의 갈륨 나이트라이드(GaN) 생산이 순조롭게 진행되고 있다고 3일 밝혔다. 전력 시스템 분야를 선도하는 인피니언은 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), 질화 갈륨(GaN)의 세 가지 주요 반도체 재료를 모두 제공한다. GaN 반도체는 더 높은 전력 밀도, 더 빠른 스위칭 속도, 더 낮은 전력 손실을 통해 스마트폰 충전기, 산업용 및 휴머노이드 로봇, 태양광 인버터와 같은 전자 기기의 소형화를 가능하게 하며, 에너지 소비와 열 발생을 줄인다. 인피니언은 "올 4분기에 고객들에게 첫 샘플을 제공하면서 고객 기반을 확대하고 선도적인 GaN 기업으로서의 입지를 강화할 것"이라고 밝혔다. 인피니언의 제조 전략은 주로 IDM(종합 반도체 업체) 모델에 기반을 두고 있으며, 이는 설계부터 제조, 최종 제품 판매까지 반도체 생산 공정을 자체적으로 소유하는 것이다. 인피니언의 인하우스 생산 전략은 핵심적인 차별화 요소로, 고품질, 빠른 시장 출시 기간, 우수한 설계, 개발 유연성 등 다양한 이점을 제공한다. 인피니언은 GaN 고객 지원을 위해 최선을 다하고 있으며, 안정적인 GaN 전력 솔루션에 대한 고객의 수요를 충족시키기 위해 생산 용량을 확장할 수 있다. 인피니언은 기술 리더십을 바탕으로 기존 양산 인프라 내에서 300mm GaN 전력 웨이퍼 기술을 성공적으로 개발한 최초의 반도체 업체이다. 300mm 웨이퍼를 이용한 칩 생산은 기존 200mm 웨이퍼보다 기술적으로 더욱 발전되었으며, 웨이퍼 직경이 더 커서 웨이퍼 당 2.3배 더 많은 칩을 생산할 수 있기 때문에 훨씬 효율적이다. 시장 조사에 따르면 전력 애플리케이션용 GaN 매출이 2030년까지 연간 36% 성장해 약 25억 달러에 달할 것으로 예상된다. 제조 능력과 강력한 제품 포트폴리오를 갖추고 있는 인피니언은 지난 1년간 40개 이상의 새로운 GaN 제품을 출시하며, 고품질 GaN 솔루션을 찾는 고객들에게 선호되는 파트너로 자리매김하고 있다.

2025.07.03 15:25장경윤

[IPO] '8인치 DSP' 싸이닉솔루션, 첨단 센서 사업 박차

“온디바이스 AI, 밀리터리, 로보틱스, 환경·바이오 등 미래 유망 분야 중심으로 사업화를 지속해 나갈 계획입니다.” 20일 서울 여의도 콘래드 호텔에서 개최된 싸이닉솔루션 IPO(기업공개) 기자간담회에서 이현 대표는 “2027년에 첨단 센서 부문에서만 (매출)300억원 정도를 사업 계획으로 잡아놨다”며 이 같이 말했다. 지난 2005년 설립된 싸이닉솔루션은 SK하이닉스시스템IC의 국내 유일한 디자인하우스(DSP)다. 8인치 웨이퍼 기반 PMIC(전력관리 반도체), CIS(이미지 센서), DDI(디스플레이 구동 반도체) 등 제조에 특화됐다. 현재 BYD, ESWIN(BOE 관계사), Fitipower(폭스콘 계열), GMT 등 220여개 팹리스(반도체 설계전문)와 협업하고 있다. 지난해 회사는 연결 기준 매출로 1천674억원, 영업이익 53억원, 순이익 55억원을 기록했다. 이는 국내 디자인하우스 중 가장 높은 매출과 영업이익이다. 영업이익률 제고·8인치 업황 과제 다만 영업이익률이 높지 않다. 지난 2023년 연간 영업이익률은 3.5%, 지난해는 3.2%로 떨어졌다. 상장 준비로 예산을 상당히 많이 사용한 올해 1분기의 경우 약 1.9%를 기록했다. 그는 “디자인하우스의 낮은 수익률은 싸이닉솔루션뿐만 아니라 다른 동반자(디자인하우스)들도 갖고 있는 문제”라고 설명했다. 이어 “2027년으로 잡아놓은 센서 매출에서는 10% 이상의 영업이익을 기록할 것으로 보인다”고 전했다. 현재 8인치 업황도 과제다. 싸이닉솔루션의 주요 매출처인 SK하이닉스시스템IC는 지난 1분기 적자만 약 620억원에 달한다. 파운드리 업황이 디자인하우스에 직결된다는 점을 고려하면, 회사에게 악재인 셈이다. 이 대표는 이와 관련해 “지난해 하반기 모든 파운드리가 드라마틱하게 실적이 떨어졌다. 로딩률(가동률)이 30~50% 수준밖에 안됐다”면서도 “최근에는 로딩률도 오르고 고객도 늘어나면서 반등하기 시작했다”고 말했다. 센서 반도체 역량 강화..."글로벌 시장서 입지 강화해 나갈 것" 싸이닉솔루션은 온디바이스 AI 구현을 위한 센서 반도체 수요 증가에 발맞춰 센서 파운드리 사업으로 밸류체인 내 수평적 확장도 본격화한다는 전략이다. MEMS 마이크로폰 센서 및 MEMS 초음파 센서, 근적외선(SWIR) 센서를 고객사와 함께 개발 중이다. 해당 제품들은 올해 하반기부터 양산할 계획이다. 특히, 납(Pb)을 제거한 MEMS 초음파 센서는 바이오, 헬스케어 분야를 중심으로 제품화를 진행 중이며, 향후 온도·습도 등 환경센서로의 확장도 계획하고 있다. SWIR 센서는 가전, 오토모티브, 국방 및 로보틱스 산업을 타겟으로 하며, 국내 주요 가전 및 방산업체와의 협력을 통해 제품화를 추진 중이다. 또한 SK키파운드리, 대만의 PSMC 등 글로벌 주요 파운드리와의 협력을 통해 8~12인치 멀티 파운드리 기반 수직적 디자인하우스 역량 강화를 추진하고 있다. 이 대표는 “반도체 설계 및 파운드리 전반에 걸친 수직·수평적 확장을 통해 글로벌 시장에서 입지를 더욱 강화해 나갈 것”이라고 포부를 밝혔다. 한편 싸이닉솔루션은 이번 상장을 통해 총 350만주를 공모할 예정이며, 공모희망가 밴드는 4천원에서 4천700원, 총 공모 예정 금액은 141억원에서 165억원이다. 수요 예측은 16일부터 20일까지 진행되며, 25일과 26일 양일간 일반투자자 청약을 진행한다. 상장 주관 업무는 대신증권이 맡았다.

2025.06.20 15:44전화평

"HBM4 80개 高집적"…TSMC, 차세대 패키징 고도화

대만 파운드리 TSMC가 차세대 AI 반도체 시장을 목표로 첨담 패키징 기술을 고도화하고 있어 주목된다. AI 반도체가 점차 고성능·대면적화되는 추세에 맞춰, HBM4(6세대 고대역폭메모리)를 80개까지 탑재한 제품을 고안해낸 것으로 파악됐다. 12일 업계에 따르면 TSMC는 지난달 말 미국 텍사스주에서 열린 'ECTC 2025(전자부품기술학회)'에서 초대형 AI 반도체를 위한 '시스템온웨이퍼(SoW-X)'의 구체적인 구조를 발표했다. 16개 컴퓨팅 칩에 80개 HBM 연결…기존 대비 전성비 1.7배 향상 SoW-X는 TSMC가 오는 2027년 양산을 목표로 하고 있는 차세대 패키징 기술이다. GPU·CPU 등 고성능 시스템반도체와 HBM을 집적한 AI 반도체 분야에 적용될 예정이다. SoW-X는 기존 패키징 공정에서 쓰이던 기판(PCB)나 실리콘 인터포저(칩과 기판 사이에 삽입되는 얇은 막)를 사용하지 않고, 메모리 및 시스템반도체를 웨이퍼 상에서 직접 연결하는 것이 핵심이다. 각 칩의 연결은 칩 하단에 형성된 미세한 구리 재배선층(RDL)이 담당한다. 이 때 RDL은 칩 외부로 확장되는데, TSMC에서는 이를 InFO(Integrated Fan-Out)라고 부른다. SoW-X는 웨이퍼 전체를 활용하기 때문에 초대형 AI 반도체 제작이 가능하다. TSMC가 발표한 자료에 따르면, SoW-X는 최대 16개의 고성능 컴퓨팅 칩, 80개의 HBM4 모듈을 집적했다. 이로 인해 총 메모리 용량은 3.75TB(테라바이트), 대역폭은 160TB/s에 이른다. 또한 SoW-X는 동일한 수의 컴퓨팅 칩을 사용하는 기존 AI 반도체 클러스터에 비해 전력 소비량은 17% 줄어들었으며, 46% 향상된 성능을 제공할 수 있다. TSMC는 "SoW-X는 각 칩 간의 뛰어난 연결성과 낮은 소비 전력으로 기존 AI 반도체 클러스터 대비 와트(W)당 전체 성능이 1.7배 가량 개선됐다"며 "훨씬 더 많은 시스템반도체와 HBM을 통합해 시스템 전력 효율성이 향상되며, 기존 기판 연결의 어려움도 제거할 수 있다"고 설명했다. HPC·AI 시장 목표…"수요 당장 많지 않다" 지적도 TSMC는 SoW-X를 업계 표준을 능가하는 혁신적인 기술 플랫폼으로 평가하며, 차세대 고성능 컴퓨팅 및 AI 산업을 공략하겠다고 밝혔다. 다만 SoW-X 기술이 AI 메모리 시장에 미칠 여파가 당장은 크지 않다는 지적도 제기된다. HBM 탑재량이 80개로 매우 많지만, 지금 당장은 초대형 AI 반도체에 대한 수요가 제한적이라는 이유에서다. 실제로 SoW-X의 이전 세대로 지난 2020년 도입된 SoW는 테슬라·세레브라스 등 소수의 고객사만이 양산에 채택한 바 있다. 반도체 업계 관계자는 "테슬라의 슈퍼컴퓨팅 '도조(Dojo)' 전용 칩인 'D1'처럼, SoW-X는 완전한 커스터마이즈 칩을 위한 기술로서 니치 마켓에 부합한다"며 "워낙 많은 칩이 탑재되고 기술적인 난이도도 높아, 대중적인 AI 반도체 패키징 기술을 당장 대체하기는 어려울 것"이라고 말했다.

2025.06.12 15:54장경윤

SK하이닉스, 10나노급 이하 D램 미래 기술 로드맵 공개

SK하이닉스가 일본 교토에서 8일부터 12일까지 진행되는 'IEEE VLSI 심포지엄 2025'을 열고 향후 회사의 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵을 공식 발표했다고 10일 밝혔다. IEEE VLSI 심포지엄은 반도체 회로 및 공정 기술 분야에서 세계 최고 권위를 인정받는 학술대회다. 매년 미국과 일본에서 번갈아 개최되며 차세대 반도체, AI 칩, 메모리, 패키징 등 최첨단 연구 성과가 발표된다. 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(CTO)은 10일 행사 3일차 기조연설에서 '지속가능한 미래를 위한 D램 기술의 혁신 주도(Driving Innovation in DRAM Technology: Towards a Sustainable Future)'를 주제로 발표를 진행했다. 차 CTO는 "현재 테크 플랫폼을 적용한 미세 공정은 점차 성능과 용량을 개선하기 어려운 국면에 접어들고 있다"며 "이를 극복하기 위해 10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 4F 스퀘어 VG(수직 게이트) 플랫폼과 3D D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다"고 밝혔다. 4F 스퀘어 VG 플랫폼은 D램의 셀 면적을 최소화하고, 수직 게이트(Gate) 구조를 통해 고집적·고속·저전력 D램 구현을 가능하게 하는 차세대 메모리 기술이다. 기존 D램은 단일 셀의 면적이 6F(2F x 3F)였으나, 4F(2F x 2F)는 이보다 작은 면적으로 집적도 향상에 유리하다. VG는 D램에서 트랜지스터의 스위치 역할을 하는 게이트(Gate)를 수직으로 세우고 그 주위를 채널이 감싸고 있는 구조다. 기존에는 게이트가 채널 위에 수평으로 눕혀져 있는 평면구조였다. 차 CTO는 4F 스퀘어 VG와 함께 3D D램도 차세대 D램 기술의 핵심 축으로 제시했다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 기술이다. 업계에서는 이 기술의 제조 비용이 적층 수에 비례해 증가할 수 있다는 관측이 있지만, SK하이닉스는 기술 혁신을 통해 이를 극복하고 경쟁력을 확보하겠다는 방침이다. 또한 회사는 핵심 소재와 D램 구성 요소 전반에 대한 기술 고도화를 추진해 새로운 성장 동력을 확보하고, 이를 통해 향후 30년간 D램 기술 진화를 지속할 수 있는 기반을 구축하겠다는 계획도 공개했다. 차 CTO는 “2010년 전후만 하더라도 D램 기술은 20나노가 한계라는 전망이 많았으나 지속적인 기술 혁신을 통해 현재에 이르게 됐다"며 “앞으로 D램 기술 개발에 참여할 젊은 엔지니어들의 이정표가 될 중장기 기술 혁신 비전을 제시하고, 업계와 함께 협력해 D램의 미래를 현실로 만들어 가겠다”고 밝혔다. 한편 행사 마지막 날인 12일에는 박주동 SK하이닉스 부사장(차세대D램 TF 담당)이 발표자로 나선다. 이 자리에서 VG와 웨이퍼 본딩 기술을 적용해 D램의 전기적 특성을 확인한 최신 연구 결과도 공개할 예정이다.

2025.06.10 10:02장경윤

SEMI "1분기 실리콘 웨이퍼 출하량 전년比 2% 증가"

올해 1분기 글로벌 실리콘 웨이퍼 출하량이 지난해 동기와 비교해 약 2% 상승한 것으로 나타났다. 2일 국제반도체장비재료협회(SEMI) 보고서에 따르면 올 1분기 전 세계 실리콘 웨이퍼 출하량은 전년 동기 대비 2.2% 증가한 28억9천600만 제곱인치를 기록한 것으로 나타났다. 실리콘 웨이퍼는 반도체 제조의 핵심 소재이기 때문에 컴퓨터, 통신제품, 소비가전제품 등 사실상 모든 전자제품에 필수적인 요소이다. 정밀하게 가공된 실리콘 디스크는 1인치에서 12인치에 이르기까지 다양한 직경으로 생산되며 기판 소재로 사용돼 그 위에 대부분의 반도체 칩을 생산한다. 리 청웨이 SEMI 실리콘 제조 그룹(SMG) 의장 겸 글로벌웨이퍼스 부사장은 “1분기 기준 300mm 웨이퍼 출하량은 전년 대비 6% 증가했으나, 200mm 이하는 오히려 감소세를 보였다”며 “첨단 공정용 웨이퍼 출하량이 소폭 증가한 한편 레거시 디바이스 수요는 여전히 약세를 보이고 있으며, 재고 조정 또한 출하량 둔화에 영향을 미친 것으로 풀이된다”고 설명했다.

2025.06.02 15:41전화평

SEMI "지난해 글로벌 반도체 장비 투자액 전년 比 10% 증가"

지난해 전 세계 반도체 제조 장비 투자액이 전년 대비 10% 증가한 것으로 집계됐다. 27일 국제반도체장비재료협회(SEMI)에 따르면 2024년 한 해동안 글로벌 반도체 제조 장비 투자 금액은 1천171억달러에 달한다. 세부적으로는 전공정 부문에서 웨이퍼 가공 장비가 9%, 기타 장비가 5%의 증가세를 보였다. SEMI는 “첨단 및 성숙 로직 공정, 어드밴스드 패키징, 고대역폭메모리(HBM)에 대한 생산 설비 투자 확대와 더불어 중국의 대규모 투자가 성장을 견인한 영향”이라고 분석했다. 후공정 장비의 경우 지난 2년간 하락세를 끝내고 반등했다. 패키징 장비 투자는 전년 대비 25% 증가했으며, 테스트 장비 부문 또한 20% 상승했다. AI 및 HBM 수요와 기술 복잡성이 커진 영향으로 풀이된다. 아짓 마노차(Ajit Manocha) SEMI 최고경영자는 “작년 반도체 장비 시장은 전년 대비 10% 성장한 1천171억 달러에 이르며 사상 최대치를 기록했다”며 “반도체 장비 투자 데이터는 지역별 투자 트렌드의 변화와 로직·메모리 기술의 고도화, AI 기반 애플리케이션 수요 증가 등 역동적인 시장 환경을 보여준다”고 설명했다.

2025.05.27 10:33전화평

아이에스티이, 1분기 영업익 3억원 흑자전환

아이에스티이는 연결 기준 지난 1분기 매출액 103억3천만원, 영업이익 3억원을 기록했다고 14일 공시했다. 매출액은 전년동기 대비 113.9% 증가했다. 영업이익은 흑자전환에 성공했다. 아이에스티이는 "IT용 OLED 장비 판매 증가와 고부가가치 제품인 FOUP(풉) 클리너 판매로 매출이 증가했다"고 설명했다. 지난 2013년에 설립된 아이에스티이는 삼성전자와 SK하이닉스 등 주요 고객사에 풉 클리너를 공급하고 있다. 특히 SK하이닉스에는 단독 공급 체제를 이루고 있다. 풉은 반도체 핵심 소재인 웨이퍼를 담는 용기다. 풉 내에 오염물질이 존재하는 경우 반도체 수율에 악영향을 미칠 수 있어, 청결도를 유지해야 한다.

2025.05.14 10:12장경윤

"팹리스, 삼성·SK·DB 파운드리서 MPW 공정 쓰세요"

중소벤처기업부는 10일 '2025년 팹리스 챌린지'를 공고했다. 반도체 설계 전문(팹리스) 스타트업에 시제품 제작(MPW·Multi-Project Wafer)과 소요 비용, 신제품 제작 기회 등을 준다. MPW는 실리콘 원판(웨이퍼) 한 장에 여러 칩 설계물을 올려 시제품이나 연구를 목적으로 하는 제품 개발 방식이다. 삼성전자와 DB하이텍, SK키파운드리 등 국내 모든 파운드리가 참여하고 있다. 이들 파운드리 3개사의 MPW 공정을 쓰려는 창업 10년 이내 팹리스 중 5개사를 뽑는다. 12인치 2개사에 기업당 2억원, 8인치 3개사에는 1억원씩 지원한다.

2025.04.11 10:37유혜진

EVG, MEMS 제조사에 차세대 'GEMINI' 웨이퍼 본딩 시스템 공급

EV그룹(EVG)은 300mm 웨이퍼용 차세대 GEMINI 자동화 생산 웨이퍼 본딩 시스템을 공개했다고 19일 밝혔다. HVM(대량양산) 웨이퍼 본딩의 글로벌 산업 표준을 기반으로 한 이번 신형 GEMINI 장비 플랫폼은 새롭게 설계된 고압 본딩 챔버를 적용해, 대형 웨이퍼에서 제조되는 MEMS 디바이스의 본딩 품질과 수율을 극대화한다. EVG는 이미 여러 주요 MEMS 제조업체에 새로운 장비 플랫폼을 적용한 GEMINI 시스템을 공급했다. 시장조사업체 욜그룹에 따르면 MEMS 시장은 2023년 146억 달러에서 2029년 200억 달러로 성장할 전망이다. 이 같은 성장은 스마트워치, TWS(True Wireless Stereo) 이어폰 및 기타 소비자용 웨어러블 기기에서 점점 더 많이 사용되는 관성 센서, 마이크로폰 및 차세대 MEMS(마이크로 스피커 포함)가 주도하고 있다. 많은 MEMS 디바이스는 외부 환경으로부터 보호받거나, 제어된 환경 또는 진공 상태에서만 작동할 수 있어야 한다. 금속 기반 웨이퍼 본딩은 이러한 MEMS 디바이스의 제조에서 밀폐 봉합 및 압력·진공 캡슐화를 가능하게 하는 핵심 기술로 자리 잡고 있다. MEMS 제조업체들은 MEMS 디바이스의 시장 수요 증가에 대응하고, CMOS-MEMS 통합과 같은 새로운 디바이스 통합 방식 및 초음파 MEMS, 마이크로미러와 같은 대형 MEMS 디바이스 생산을 지원하기 위해 200mm에서 300mm 생산 라인으로 전환하기 시작했다. 하지만 300mm 웨이퍼로의 전환에는 기존 200mm 웨이퍼와 동일한 본딩 압력을 보장하기 위해 훨씬 더 큰 본딩력이 필요하다. EVG의 차세대 300mm용 GEMINI 시스템은 300mm MEMS 제조에 요구되는 사양을 뛰어넘어, 현재 및 미래 세대의 MEMS 디바이스 제조 요구를 충족한다. 정렬된 웨이퍼 본딩을 위한 통합 모듈형 HVM 시스템인 GEMINI 플랫폼은 최대 4개의 본딩 챔버를 지원하며, 조정 가능한 본딩 힘(최대 350kN), 고진공(최대 5 x 10⁻⁶ mbar), 고압(2000mbar abs.)을 제공한다. 또한, 이전 세대 플랫폼의 강점인 완전 자동 광학 정렬, 맞춤형 모듈 구성의 유연성 및 다양한 본딩 공정 지원 기능을 그대로 유지하고 있다.

2025.03.19 16:48장경윤

SEMI "지난해 웨이퍼 출하량 전년比 2.7% 감소…올해는 반등"

글로벌 전자 산업 공급망을 대표하는 산업 협회인 SEMI는 지난해 전 세계 실리콘 웨이퍼 출하량이 전년 대비 2.7% 감소한 122억6천600만 제곱인치를 기록했다고 26일 밝혔다. 매출액은 6.5% 줄어든 115억 달러로 집계됐다. 지난해에는 더딘 재고 조정으로 인해 웨이퍼 출하량과 매출액 모두가 다소 하락했다. 하지만 올해부터 웨이퍼 출하량의 회복세가 시작될 것으로 보이며, 특히 하반기부터는 강한 반등이 예상된다. 리 청웨이 SEMI SMG(실리콘 제조업체 그룹) 회장 겸 글로벌웨이퍼스 부사장은 “생성형 AI 및 신규 데이터센터가 첨단 파운드리와 고대역폭 메모리(HBM)와 같은 메모리 반도체 수요를 견인하고 있지만, 대부분의 다른 최종 소비자 시장은 여전히 과잉 재고로부터 회복 중”이라고 밝혔다. 그는 이어 “많은 고객사의 실적 발표에서도 언급된 바와 같이, 산업용 반도체 시장은 여전히 강한 재고 조정 국면에 있으며, 이는 전 세계 실리콘 웨이퍼 출하량에 영향을 미치고 있다”고 설명했다. 실리콘 웨이퍼는 반도체 제조의 핵심 소재이기 때문에 컴퓨터, 통신제품, 소비가전제품 등 사실상 모든 전자제품에 필수적인 요소다. 정밀하게 가공된 실리콘 디스크는 1인치에서 12인치에 이르기까지 다양한 직경으로 생산되며 기판 소재로 사용돼 그 위에 대부분의 반도체 칩을 생산한다. SEMI 실리콘 제조 그룹(SMG)은 SEMI 안에서 전문 위원회 그룹(SIG)으로 활동하며, 다결정 실리콘, 단결정 실리콘 및 실리콘 웨이퍼 생산에 관련된 회사들로 구성돼 있다. 이 그룹의 목적은 실리콘 산업과 반도체 시장에 대한 시장 정보와 통계 개발 및 실리콘 산업에 관련된 주요 사안에 대해 공동의 노력을 촉진시키는 데 있다.

2025.02.26 14:42장경윤

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