티씨케이, 와이엠씨·와이컴과 SiC링 특허소송 '종결' 상호 합의
반도체 소재·부품기업 티씨케이가 와이엠씨·와이컴을 상대로 제기한 특허침해 및 손해배상 청구의 소를 최근 취하하면서, 지난 2020년 말부터 4년 넘게 이어온 특허 소송이 2025년 7월부로 공식 종결됐다. 14일 업계에 따르면 티씨케이와 와이엠씨·와이컴은 최근 양사 소송 건을 종결하기로 최종 합의했다. 이번 분쟁은 티씨케이가 와이엠씨·와이컴의 실리콘카바이드링(SiC링) 재생 및 판매 행위 등이 티씨케이 보유 특허권을 침해한다는 이유로 특허침해금지와 손해배상청구 소송을 제기하면서 시작됐다. 반도체 식각 공정의 제조비용 및 수율과 밀접한 연관이 있는 핵심 소모품인 SiC링과 관련한 티씨케이와 와이엠씨·와이컴 사이의 특허소송은 반도체 산업 분야에서의 중요 소송으로 주목받아 왔다. 와이엠씨·와이컴 측은 티씨케이 보유 특허 2건에 대해 무효심판을 청구하면서 다퉜는데, 특허법원, 대법원은 모두 티씨케이 보유 특허들의 유효성을 공식 인정했다. 티씨케이 보유 특허들의 유효성이 특허법원, 대법원에서 모두 인정받음에 따라, 이후의 특허침해금지와 손해배상청구 소송에서도 티씨케이가 유리한 입장으로 평가됐다. 특허침해금지와 손해배상청구 소송 1심 판결은 2024년 11월에 선고됐는데, 서울중앙지방법원은 와이엠씨와 와이컴이 티씨케이 보유 특허 2건을 침해했다고 판단했다. 이후 와이엠씨·와이컴 측이 항소를 제기하며 2심 소송이 이어졌지만, 이번 합의가 성사되며 소송은 상호간에 원만하게 종결됐다. 디에스테크노와의 특허침해소송은 진행 중…3자 대응도 예고 티씨케이는 자사 보유 특허들의 유효성과 제3자의 침해 등을 인정받음에 따라 향후 특허 침해 대응에 더욱 속도를 낼 것으로 보인다. 디에스테크노를 상대로 하는 SiC링 제조 관련 특허침해금지 소송은 이미 오래 전에 제기돼 현재 진행이 되고 있다. 최근에 특허심판원이 디에스테크노가 제기한 티씨케이의 '열팽창계수 특허' 무효심판청구를 기각함에 따라, 티씨케이는 SiC 소재 제조의 핵심기술인 'Layer 특허'의 유효성과 더불어 SiC 소재의 물성에 대한 '열팽창계수 특허'의 유효성까지 공식적으로 인정받았다. 이에 따라 티씨케이는 특허침해소송에서도 한층 유리한 입지를 확보한 것으로 평가된다. 또한 티씨케이는 자사 원천기술을 무단 활용했을 가능성이 있는 제3의 기업들에 대해서도 법적 검토를 진행하고, 필요 시 순차적 대응에 나설 방침인 것으로 알려졌다. 티씨케이 관계자는 "시장 내 유사 기술을 사용하는 기업에 대해서도 정밀하게 모니터링하고, 지식재산권 침해 행위에 대해서는 법적 조치를 단행할 것"이라며 "고유 기술의 가치를 정당하게 인정받는 문화와 건전한 기술 생태계 조성을 위해 올바른 선례를 남기겠다"고 강조했다.
