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SK하이닉스, HBM4용 테스트 장비 공급망 '윤곽'…연내 발주 시작

SK하이닉스가 내년 HBM4 본격 양산을 위해 테스트 장비 투자를 준비하고 있다. 연말까지 공급망을 구축할 예정으로, 내년 1분기부터 설비 도입이 시작될 것으로 전망된다. 일부 협력사의 경우 양산 퀄(품질) 테스트를 마무리한 것으로도 알려졌다. 24일 업계에 따르면 SK하이닉스는 내년 1분기부터 HBM4(6세대 고대역폭메모리)용 번-인 테스터를 도입할 계획이다. HBM4는 내년 엔비디아가 출시하는 AI 반도체 '루빈'에 탑재되는 차세대 HBM이다. 이전 세대 대비 정보를 주고받는 입출력단자(I/O) 수를 2배 늘려 대역폭을 크게 확장한 것이 특징이다. SK하이닉스의 경우 1b(5세대 10나노급) D램을 적용했으며, 지난달 양산 체계 구축을 완료했다. SK하이닉스는 HBM4 본격적인 양산 확대를 위해, 내년 초부터 신규 번-인 테스트 설비를 들일 예정이다. 투자처는 청주에 신규로 구축 중인 M15X 팹이다. 이르면 10~11월 관련 설비에 대한 초도 발주가 나올 전망이다. 번-인 테스터는 반도체에 극한의 고온·고전압 환경을 가하고, 이후 제품 불량 여부를 판별하는 장비다. 그간 SK하이닉스는 HBM3E 등 이전 세대에 적용된 번-인 테스터로 HBM4 샘플을 제조해 왔다. 그러나 해당 설비로는 HBM4의 원활한 양산 대응에 한계가 있어, 주요 협력사에 신규 번-인 테스터 개발을 의뢰한 바 있다. 이에 따라 국내 주요 후공정 장비기업들이 SK하이닉스 HBM4용 번-인 테스터 공급망 진입을 위해 퀄(품질) 테스트를 진행해 왔다. 디아이, 와이씨, 유니테스트 3곳이 대표적이다. 특히 디아이는 최근 SK하이닉스와의 퀄 테스트를 마무리해, 협력사 중 가장 먼저 초도 주문에 대응할 것으로 알려졌다. 유니테스트, 와이씨는 이르면 연말께 공급을 확정지을 것으로 예상된다. 업계는 SK하이닉스의 내년 HBM4용 번-인 테스터 총 발주량이 150~200여대 수준으로 비교적 큰 규모가 될 것으로 기대하고 있다. HBM4에서 메모리 업체 간 수익성 확보 경쟁이 더 치열해질 것으로 전망되는 만큼, SK하이닉스가 HBM4 수율 및 생산성 향상에 주력하고 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 HBM용 번-인 테스터에 대한 공급망 이원화 전략을 꾸준히 추진하고 있어, 연말까지 추가적인 움직임이 감지될 것"이라며 "M15X 팹 증설과 맞물려 내년에 전체적으로 투자가 활발히 진행될 예정"이라고 설명했다.

2025.10.24 09:45장경윤

와이씨, 삼성에 HBM용 검사장비 공급 시작…1017억원 규모

와이씨는 삼성전자와 1천17억원 규모의 반도체 검사장비 공급계약을 체결했다고 29일 공시했다. 와이씨가 이번에 공급한 장비는 HBM(고대역폭메모리)용 웨이퍼 테스터다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리로, 일반 D램보다 기술적 난이도가 높아 테스트 공정에 대한 중요성이 높아지는 추세다. 웨이퍼 테스터는 전공정을 거친 웨이퍼 원판의 성능, 신뢰성 등을 검증하기 위한 후공정 장비다. 와이씨는 해당 장비를 삼성전자에 공급하기 위한 퀄(품질)테스트를 진행해 왔으며, 이번 공급계약으로 실제 상용화에 성공하게 됐다. 공급계약 규모는 와이씨의 지난해 연 매출의 39.85% 수준이다. 계약기간은 이달 28일부터 내년 1분기 말까지다. 삼성전자가 HBM의 생산능력 확장에 적극 나서고 있다는 점을 고려하면, 내년에도 HBM 관련 후공정 장비에 대한 추가 투자가 나올 가능성이 유력하다. 실제로 삼성전자는 오는 3분기 말 주요 협력사들과 내년 3분기까지에 대한 장비공급 논의를 진행할 예정인 것으로 알려졌다.

2024.07.29 11:08장경윤

삼성·SK, 후공정 업계와 장비공급 논의…D램·HBM 수혜 본격화

삼성전자·SK하이닉스가 이달 국내 메모리 후공정 장비업체들과 장비 공급 위원회를 열고 관련 논의를 마친 것으로 파악됐다. 이번 위원회는 내년 중반까지의 D램·HBM(고대역폭메모리)용 투자를 구체화하기 위한 자리로, 올 3분기부터 실제 장비 발주가 시작될 전망이다. 24일 업계에 따르면 삼성전자·SK하이닉스는 최근 국내 후공정 장비업체와 D램·HBM용 투자와 관련한 공급 논의를 마무리했다. 통상 삼성전자·SK하이닉스는 국내 장비 협력사들과 분기, 혹은 반기별로 향후 있을 장비 공급에 대한 논의를 나누고 있다. 이번 장비 공급 위원회는 내년 2분기말까지 투자 규모를 정하기 위한 자리다. 상반기 장비 공급 위원회가 업계에서 특히 화두가 되고 있는 이유는 HBM에 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 메모리다. AI 산업의 급격한 확장에 맞춰 수요가 증가하는 추세로, 국내 메모리 제조업체들도 올해 설비투자의 대부분을 HBM에 할당하기로 했다. 이에 HBM, 1a(4세대 10나노급)·1b(5세대 10나노급) 등 최선단 D램의 생산량 확대에 대응하기 위한 후공정 장비들이 필요한 상황이다. HBM 및 D램 후공정에 대응하는 국내 주요 협력사로는 디아이·와이씨·테크윙 등이 있다. 협력사들은 이달 중순 각 밸류체인에 따라 삼성전자·SK하이닉스와 장비 공급 위원회를 가졌다. 이 자리에서 삼성전자·SK하이닉스는 그간 논의됐던 HBM 및 D램 후공정 투자 규모를 구체화했으며, 그 물량이 당초 업계 예상 대비 큰 수준인 것으로 알려졌다. 장비업계 한 관계자는 "HBM용 신규 후공정 장비가 올해 말부터 본격적으로 매출이 발생하기 시작할 것"이라며 "다음 위원회에서 변동사항이 생길 수 있으나, 삼성전자가 HBM 생산능력 확대에 적극 나서고 있어 공급량 확대를 기대하고 있다"고 밝혔다. 또 다른 장비업계 관계자는 "SK하이닉스가 최선단 메모리용 후공정 장비를 당초 예상 대비 10% 더 많이 도입하겠다는 뜻을 전달했다"며 "내년 HBM 생산능력 확대를 위해서 올해 하반기 분주한 움직임이 일어날 것"이라고 설명했다. 이번 장비 공급 논의에 따른 실제 장비 발주는 올 3분기부터 진행될 것으로 관측된다. 이에 따라 삼성전자·SK하이닉스의 향후 1년간 메모리 관련 후공정 투자 속도가 드러날 전망이다.

2024.06.24 11:15장경윤

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