• ZDNet USA
  • ZDNet China
  • ZDNet Japan
  • English
  • 지디넷 웨비나
뉴스
  • 최신뉴스
  • 방송/통신
  • 컴퓨팅
  • 홈&모바일
  • 인터넷
  • 반도체/디스플레이
  • 카테크
  • 헬스케어
  • 게임
  • 중기&스타트업
  • 유통
  • 금융
  • 과학
  • 디지털경제
  • 취업/HR/교육
  • 인터뷰
  • 인사•부음
  • 글로벌뉴스
창간특집
인공지능
배터리
컨퍼런스
칼럼•연재
포토•영상

ZDNet 검색 페이지

'어댑터'통합검색 결과 입니다. (3건)

  • 태그
    • 제목
    • 제목 + 내용
    • 작성자
    • 태그
  • 기간
    • 3개월
    • 1년
    • 1년 이전

"애플, 라이트닝-3.5mm 헤드폰 잭 어댑터 곧 판매 중단"

애플이 2016년 아이폰7, 아이폰7 플러스와 함께 출시했던 라이트닝-3.5mm 헤드폰 잭 어댑터를 판매 중단할 가능성이 많다고 IT매체 맥루머스가 18일(현지시간) 보도했다. 맥루머스 기고가인 애런 페리스(Aaron Perris)는 해당 제품이 최근 미국 등 대부분 국가의 애플 온라인 스토어에서 '품절'로 표기됐다고 밝혔다. 이 제품은 현재 프랑스, 덴마크, 핀란드, 노르웨이, 스웨덴 등 소수의 국가에서만 판매 중이나, 재고가 소진되면 더 이상 판매되지 않을 가능성이 있다고 덧붙였다. 한국 애플 스토어에서도 품절인 상태다. 애플은 과거 아이폰7, 아이폰8, 아이폰X 시리즈에 해당 제품을 함께 제공했으나, 아이폰XS 출시 때부터 제품 상자에 포함시키지 않았다. 애플은 온라인 스토어를 통해 라이트닝 헤드폰 잭 어댑터를 계속 판매했으나 이제 곧 사라질 것으로 보인다. 이 제품을 사용하면 라이트닝 포트를 통해 3.5mm 플러그가 있는 유선 이어폰을 이어폰 잭이 없는 아이폰 모델에 연결할 수 있다. 현재 애플 제품 중 라이트닝 포트가 탑재돼 판매 중인 아이폰 모델은 아이폰14, 아이폰14 플러스, 아이폰SE 모델이며, 이 제품들은 모두 내년에 단종될 것으로 예상된다. 아이폰15, 아이폰16 모델에는 USB-C 포트가 장착되어 있으며, 애플은 USB-C-3.5mm 헤드폰 잭 어댑터를 계속 판매 중이다.

2024.11.18 11:20이정현

로옴, 델타 AC 어댑터에 '650V GaN 제품' 공급

로옴(ROHM)이 자사의 'EcoGaN' 650V GaN(질화갈륨) 제품을 대만 델타일렉트로닉스의 브랜드 이너지(Innergie)의 45W 출력 AC 어댑터 'C4 Duo'에 채용됐다고 27일 밝혔다. 로옴이 이번 델타에 공급한 제품 모델명은 'GNP1150TCA-Z'다. 델타 측은 "로옴과의 협력 체제를 지속적으로 강화함으로써 한층 더 고출력, 고기능의 AC 어댑터를 제공할 수 있을 것으로 믿고 있다"고 밝혔다. 로옴은 GaN을 탑재한 기기를 'EcoGaN'이라는 브랜드로 전개하고 있다. 높은 잠재력을 지녔으나, 취급이 어려운 GaN의 완벽한 활용에 주목해 제품 개발과 솔루션 제공을 추진하고 있다. 디스크리트 제품으로는 2022년에 150V 내압 GaN HEMT의 양산을 개시했으며, 2023년에는 업계 최고 수준의 디바이스 성능을 실현한 650V 내압 GaN HEMT를 양산했다. 이번에 650V 내압 제품인 'GNP1150TCA-Z'에 내장된 ESD 보호 소자를 통해 정전 파괴 내량을 GaN HEMT 일반품 대비 약 75% 향상시켰다는 점에서, 어플리케이션의 고신뢰화로 연결될 수 있을 것으로 평가받고 있다.

2024.02.27 13:43장경윤

ST, 신규 200W·500W 'MasterGaN' 제품 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 차세대 통합 GaN(질화갈륨) 브리지 디바이스인 'MasterGaN1L' 및 'MasterGaN4L'을 출시한다고 15일 밝혔다. ST의 'MasterGaN' 제품군은 650V GaN HEMT(High Electron-Mobility Transistor)와 최적화된 게이트 드라이버, 시스템 보호 기능을 비롯해 시동 시 디바이스에 전원 공급을 지원하는 통합 부트스트랩 다이오드를 모두 내장하고 있다. 이러한 기능 통합으로 설계자는 GaN 트랜지스터의 복잡한 게이트 드라이브 요건을 손쉽게 해결한다. 또한 소형의 전력 패키지에 하우징된 이 디바이스로 신뢰성 향상 및 부품원가(BOM) 절감은 물론, 회로 레이아웃을 간소화할 수 있다. 최신 디바이스는 하프 브리지 구성으로 연결된 두 개의 GaN HEMT가 포함돼 있다. 이러한 배열은 능동 클램프 플라이백, 능동 클램프 포워드, 공진 컨버터 토폴로지 기반의 스위치 모드 전원공급장치, 어댑터 및 충전기를 구현하는 데 적합하다. MasterGaN1L 및 MasterGaN4L은 각각 MasterGaN1 및 MasterGaN4 디바이스와 핀 호환된다. 이전 디바이스에 비해 새롭게 최적화된 턴온 지연을 갖춰 특히 공진 토폴로지의 경우 낮은 부하에서도 더 높은 주파수와 효율성으로 동작이 가능하다. 또한 히스테리시스 및 풀 다운을 통해 3.3V~15V에 이르는 입력 신호 전압을 지원하므로 마이크로컨트롤러, DSP, 홀 효과 센서와 같은 제어 디바이스와 손쉽게 직접 연결한다. 설계자는 전용 셧다운 핀으로 시스템 전력소모를 줄이고, 인터로킹(Interlocking) 회로와 타이밍을 정확하게 매칭하는 두 개의 GaN HEMT를 통해 교차 전도 상황을 방지할 수 있다. MasterGaN1L HEMT는 150mΩ RDS(on) 및 10A의 정격 전류를 제공하며, 최대 500W의 애플리케이션에 이용할 수 있다. 무부하 전력에서 불과 20mW만 소모하고 높은 변환 효율을 지원하기 때문에 설계자는 산업 분야에 필요한 대기 전력 및 평균 효율의 엄격한 요건을 충족할 수 있다. MasterGaN4L HEMT는 225mΩ RDS(on) 및 6.5A의 정격 전류로 최대 200W의 애플리케이션을 지원한다. 각 디바이스의 기능을 평가하게 해주는 EVLMG1LPBRDR1 및 EVLMG4LPWRBR1 데모 보드도 제공된다. 이 보드에는 LLC 애플리케이션에서 동작하도록 정교하게 조정된 GaN 기반 하프 브리지 전력 모듈이 있다. 완벽하게 PCB를 설계하지 않아도 MasterGaN1L 및 MasterGaN4L 디바이스를 활용하면 새로운 토폴로지를 신속하게 구현한다.

2024.01.15 12:58장경윤

  Prev 1 Next  

지금 뜨는 기사

이시각 헤드라인

폴더블 아이폰, 펀치홀 카메라 탑재 유력

배민·요기요, 먹통 뒤 정상화..."금요일 밤 비 내린 탓"

과학자들, 납으로 금 만들었다…'연금술사의 꿈' 실현되나

"북한 해커, 위장취업해 北 송금"…메일 1천개 적발

ZDNet Power Center

Connect with us

ZDNET Korea is operated by Money Today Group under license from Ziff Davis. Global family site >>    CNET.com | ZDNet.com
  • 회사소개
  • 광고문의
  • DB마케팅문의
  • 제휴문의
  • 개인정보취급방침
  • 이용약관
  • 청소년 보호정책
  • 회사명 : (주)메가뉴스
  • 제호 : 지디넷코리아
  • 등록번호 : 서울아00665
  • 등록연월일 : 2008년 9월 23일
  • 사업자 등록번호 : 220-8-44355
  • 주호 : 서울시 마포구 양화로111 지은빌딩 3층
  • 대표전화 : (02)330-0100
  • 발행인 : 김경묵
  • 편집인 : 김태진
  • 개인정보관리 책임자·청소년보호책입자 : 김익현