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넷기어, 8포트 기가비트 스위칭허브 'GS108X' 출시

넷기어코리아가 1Gbps 이더넷 네트워크로 구성할 수 있는 기가비트 비관리형 스위치 'GS108X'를 국내 출시했다. GS108X는 1Gbps 이더넷 단자 8개와 업링크 연결을 위한 10G SFP+ 광 포트 1개를 내장했다. 최대 100미터 가량 떨어진 메인 스위치와 연결해 유연한 유선 네트워크를 구축할 수 있다. 냉각팬이 없는 무소음 설계로 정숙성이 요구되는 강의실이나 회의실 등에 설치할 수 있다. 내부 열을 쉽게 방출할 수 있도로 금속 재질 케이스를 적용했다. 실온(25도) 환경에서 평균무고장시간(MTBF)은 최대 480만 시간이며 제품 단종 시점까지 품질을 보증한다. 공식 단종일 이후 최대 5년간 동일 모델로 무상 교체 가능하다. 국내 출고가는 21만 5천원(넷기어스토어 기준).

2024.03.22 06:00권봉석

한국공대, 연산 기능 갖춘 지능형 메모리 반도체소자 개발

국내 대학 연구팀이 연산기능과 메모리 기능을 통합한 지능형 반도체소자 개발에 성공했다. 한국공학대학교(총장 황수성)는 안승언 교수(나노반도체공학과) 연구팀이 차세대 지능형 반도체에 활용 가능한 로직 연산과 메모리 기능을 통합한 강유전체 기반 프로세스-인-메모리(PIM) 소자 개발에 성공했다고 12일 밝혔다. 이번 연구 결과는 'Exploring Multi-Bit Logic In-Memory with Memristive HfO2-Based Ferroelectric Tunnel Junctions'라는 제목으로 전자 소자·재료과학 분야 저명 학술지 'Advanced Electronic Materials' 3월 8일자 표지논문으로 선정됐다. 연구에는 박사과정 고원우(제1저자), 황현주(공저자) 학생이 참여했다. 연구팀 관계자는 “최근 빅데이터를 기반으로 하는 인공지능(AI) 기술발전이 가속하면서 메모리와 프로세서가 분리돼 데이터를 처리하는 '폰노이만(Von Neumann)' 컴퓨팅 시스템 구조 데이터처리 속도에 한계가 나타나고 있다”며 “저전력·멀티레벨 스위칭·고속 동작이 가능한 프로세서와 메모리를 통합한 신개념 반도체소자 개발 필요성이 대두되고 있다”고 설명했다. 연구팀은 하프늄-지르코늄 산화물을 기반으로 강유전체 터널 접합(FTJ) 형태 멤리지스터(메모리+레지스터)를 구현해 멀티레벨 스위칭과 신뢰성을 확보하고 중간 레벨(inter-state) 간 스위칭을 구동하는 데 성공했다. 소자의 스위칭 특성을 조합해 NAND, NOR, OR 등 16가지 논리 연산 기능을 카르노 맵을 통해 제시해 PIM 응용 가능성도 검증했다. 안승언 교수는 “최근 새로운 개념의 컴퓨팅 시스템 구현을 위해 다양한 PIM 소자 연구 결과가 발표되고 있지만 비휘발성 멀티레벨 신뢰성과 중간 레벨 간 스위칭 구동 연구가 여전히 초기 단계에 있는 상황에서 이번 연구의 진일보한 결과는 차세대 지능형 반도체 분야의 기술적·학문적 도약에 기여할것으로 기대한다”고 밝혔다. 한편, 이번 연구는 과학기술정보통신부와 한국연구재단이 지원하는 중견연구자지원사업과 산업통상자원부가 지원하는 미래반도체개발사업의 지원으로 수행했다.

2024.03.12 21:34주문정

ST, 신규 200W·500W 'MasterGaN' 제품 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 차세대 통합 GaN(질화갈륨) 브리지 디바이스인 'MasterGaN1L' 및 'MasterGaN4L'을 출시한다고 15일 밝혔다. ST의 'MasterGaN' 제품군은 650V GaN HEMT(High Electron-Mobility Transistor)와 최적화된 게이트 드라이버, 시스템 보호 기능을 비롯해 시동 시 디바이스에 전원 공급을 지원하는 통합 부트스트랩 다이오드를 모두 내장하고 있다. 이러한 기능 통합으로 설계자는 GaN 트랜지스터의 복잡한 게이트 드라이브 요건을 손쉽게 해결한다. 또한 소형의 전력 패키지에 하우징된 이 디바이스로 신뢰성 향상 및 부품원가(BOM) 절감은 물론, 회로 레이아웃을 간소화할 수 있다. 최신 디바이스는 하프 브리지 구성으로 연결된 두 개의 GaN HEMT가 포함돼 있다. 이러한 배열은 능동 클램프 플라이백, 능동 클램프 포워드, 공진 컨버터 토폴로지 기반의 스위치 모드 전원공급장치, 어댑터 및 충전기를 구현하는 데 적합하다. MasterGaN1L 및 MasterGaN4L은 각각 MasterGaN1 및 MasterGaN4 디바이스와 핀 호환된다. 이전 디바이스에 비해 새롭게 최적화된 턴온 지연을 갖춰 특히 공진 토폴로지의 경우 낮은 부하에서도 더 높은 주파수와 효율성으로 동작이 가능하다. 또한 히스테리시스 및 풀 다운을 통해 3.3V~15V에 이르는 입력 신호 전압을 지원하므로 마이크로컨트롤러, DSP, 홀 효과 센서와 같은 제어 디바이스와 손쉽게 직접 연결한다. 설계자는 전용 셧다운 핀으로 시스템 전력소모를 줄이고, 인터로킹(Interlocking) 회로와 타이밍을 정확하게 매칭하는 두 개의 GaN HEMT를 통해 교차 전도 상황을 방지할 수 있다. MasterGaN1L HEMT는 150mΩ RDS(on) 및 10A의 정격 전류를 제공하며, 최대 500W의 애플리케이션에 이용할 수 있다. 무부하 전력에서 불과 20mW만 소모하고 높은 변환 효율을 지원하기 때문에 설계자는 산업 분야에 필요한 대기 전력 및 평균 효율의 엄격한 요건을 충족할 수 있다. MasterGaN4L HEMT는 225mΩ RDS(on) 및 6.5A의 정격 전류로 최대 200W의 애플리케이션을 지원한다. 각 디바이스의 기능을 평가하게 해주는 EVLMG1LPBRDR1 및 EVLMG4LPWRBR1 데모 보드도 제공된다. 이 보드에는 LLC 애플리케이션에서 동작하도록 정교하게 조정된 GaN 기반 하프 브리지 전력 모듈이 있다. 완벽하게 PCB를 설계하지 않아도 MasterGaN1L 및 MasterGaN4L 디바이스를 활용하면 새로운 토폴로지를 신속하게 구현한다.

2024.01.15 12:58장경윤

로옴, 패키지 소형화한 600V 내압 슈퍼 정션 모스펫 출시

로옴(ROHM) 주식회사는 조명의 소형 전원, 펌프, 모터 등에 최적인 소형 'SOT-223-3' 패키지의 600V 내압 슈퍼 정션 모스펫(MOSFET) 5개 기종을 개발했다고 30일 밝혔다. 이번 5개 기종의 모델명은 R6004END4, R6003KND4, R6006KND4, R6002JND4, R6003JND4 등이다. 신제품은 기존의 TO-252 패키지(6.60mm×10.00mm×2.30mm) 대비 면적 약 31%, 두께 약 27%를 삭감할 수 있어 어플리케이션의 소형화 및 박형화에 기여한다. 또한 TO-252 패키지의 기판 상의 배선 패턴(랜드 패턴)을 사용할 수 있어, 기존의 회로 기판을 그대로 사용할 수 있다. 신제품은 소형 전원용과 모터용으로 구비했다. 소형 전원용은 3개 기종으로, 저소음이 특징인 R6004END4는 노이즈 대책이 필요한 용도에 적합하다. 고속 스위칭이 특징인 R6003KND4 및 R6006KND4는 저손실 및 고효율 동작이 필요한 어플리케이션에 적합하다. R6002JND4 및 R6003JND4는 독자적인 기술을 통해 역회복 시간을 고속화해 스위칭 손실의 대폭적인 저감을 실현한 프레스토모스(PrestoMOS)로, 모터용에 최적이다. 신제품 모두 로옴 공식 웹사이트에서 회로 설계에 필요한 어플리케이션 노트 및 각종 기술 자료, 시뮬레이션용 SPICE 모델 등을 무상으로 제공해 신속한 시장 도입을 지원한다.

2023.11.30 14:01장경윤