로옴, 고방열 표면실장 패키지 적용 600V 내압 MOSFET 개발

로옴(ROHM)이 전원 소형화와 고효율화 요구에 부응해 방열 성능을 높인 신형 파워 반도체를 선보인다. 로옴은 600V 내압 수퍼정크션 MOSFET의 새로운 라인업으로 'R60xxXNx 시리즈'와 'R60xxWNx 시리즈'를 개발했다고 11일 밝혔다. 이번 신제품은 기존 패키지 외에 고방열 표면실장 패키지인 'DFN8080-5L'과 'TOLL'을 새롭게 채택한 것이 특징이다. 최근 데이터센터와 산업기기 분야는 처리 부하가 늘면서 전력 수요가 급증하고 있다. 이에 한정된 공간에서 고출력을 구현하기 위해 전원 회로의 전력밀도화와 소비전력 및 발열 저감이 과제로 부상했다. 로옴은 소형·박형 구조에 우수한 방열성을 갖춘 패키지를 도입해 인공지능(AI) 서버 및 데이터센터용 전원 등 높은 전력밀도가 요구되는 애플리케이션을 공략할 방침이다. 신제품은 일반 구동조건인 3~5V의 게이트 임계치 전압을 설정해 폭넓은 회로 환경에 대응한다. 또한 기존 시리즈보다 어드미턴스 특성을 개선해 게이트 제어 응답성을 높였다. 이를 통해 저손실을 실현했다. 일반 제품과 호환성이 높은 랜드 패턴을 지원하므로 기존 전원 회로에서 대체 사용하거나 부품 조달 리스크를 낮추기 위한 세컨드 소스로 선정하기 용이하다. 제품 라인업은 고속 스위칭 타입인 'R60xxXNx 시리즈' 21기종과 내장 다이오드 역회복 시간을 줄인 PrestoMOS(프레스토모스) 타입 'R60xxWNx 시리즈' 11기종으로 구성됐다. 고객사는 설계 목적에 따라 호환성 중심 또는 저손실 중심 제품을 선택할 수 있다.