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'설비투자'통합검색 결과 입니다. (69건)

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SK하이닉스, EUV 장비에 12조원 투자…차세대 D램·HBM 양산 준비

SK하이닉스가 최첨단 반도체 제조를 위한 극자외선(EUV) 설비에 대규모로 투자한다. 차세대 D램과 고대역폭메모리(HBM) 양산을 위한 움직임으로, 현재 구축 중인 신규 팹에 장비가 순차 도입될 전망이다. SK하이닉스는 24일 유형자산취득결정 공시에서 11조 9496억원 규모 극자외선(EUV) 장비를 도입한다고 밝혔다. 투자 규모는 SK하이닉스 자산총액의 9.97%에 해당한다. 취득예정일자는 이달부터 내년 12월 31일까지다. SK하이닉스는 "취득가액은 EUV 스캐너 도입과 운영을 위한 신규 기계장치, 설치, 재고에 소요되는 총 예상금액"이라며 "취득물건은 총 2년에 걸쳐 취득할 예정으로, 개별 장비 취득 시마다 분할해 대금을 집행할 예정"이라고 밝혔다. EUV는 반도체 웨이퍼에 회로를 새기는 노광 공정에 쓰이는 광원이다. 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터), 초미세 공정 구현에 용이하다. 현재 EUV 장비는 네덜란드 반도체 장비기업 ASML이 독점 생산하고 있다. 기술 난도가 매우 높아 장비도 비싸다. 최신 설비 가격은 3000억원 수준인 것으로 알려졌다. 이를 고려하면 SK하이닉스는 내년까지 EUV 설비를 최소 30대 이상 도입할 것으로 예상된다. 현재 SK하이닉스는 청주 M15X 팹을 건설하고, 올해부터 설비를 본격 도입하고 있다. 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹은 내년 2월 클린룸 오픈 후 설비 반입이 목표다. EUV 공정의 핵심 적용처는 1c(6세대 10나노급) D램이다. 앞서 SK하이닉스는 1a(4세대 10나노급) D램의 1개 레이어에 EUV를 처음 적용한 바 있다. 이후 1b D램에서는 이를 4개까지 확대했으며, 1c D램에는 더 많은 EUV 레이어를 적용한다. 1c D램은 SK하이닉스의 차세대 모바일·서버용 D램은 물론, 인공지능(AI) 데이터센터의 핵심 요소인 고대역폭메모리(HBM)에도 적용된다. 내년 양산이 본격화될 HBM4E(7세대 HBM)부터 1c D램을 첫 채택할 계획이다.

2026.03.24 15:09장경윤 기자

엔비디아 올라탄 두산, 올해 CCL 투자 2배 이상 확대

두산이 반도체기판 핵심 소재인 동박적층판(CCL) 관련 투자 규모를 전년 대비 2.7배 이상 확대한다. 전례 없는 AI 반도체 호황으로 고성능 CCL이 각광받는 가운데, 엔비디아 등 핵심 고객사 수요에 선제 대응하기 위한 전략으로 풀이된다. 24일 두산 사업보고서에 따르면 이 회사는 CCL 설비투자에 올해 약 2444억원을 투자할 계획이다. 앞서 두산 전자BG(비즈니스그룹)는 지난해 CCL 설비투자에 총 896억원을 집행한 바 있다. 전년 투자 규모(386억원) 대비 132% 증가한 수준이다. 올해에는 예상 투자 규모를 2444억원으로 대폭 확대했다. 전년 대비 172%가량 늘었다. 내후년 예상 투자 규모도 2870억원에 달한다. 계획이 실현되는 경우, CCL 분야에 2년간 5000억원이 넘는 설비투자가 집행될 예정이다. 배경은 CCL 시장의 호황에 있다. CCL이 포함된 두산 전자BG 매출은 지난해 1조 8751억원으로 전년 대비 87% 증가했다. CCL은 반도체 PCB(인쇄회로기판)의 핵심 소재 중 하나로, 수지·유리섬유·충진재·기타 화학물질로 구성된 절연층에 동박을 적층해 만든다. 최근 CCL은 AI 반도체를 중심으로 수요가 급증하고 있다. 엔비디아·AMD 등 글로벌 팹리스는 물론, 전세계 CSP(클라우드서비스제공자) 기업들이 자체 AI 가속기 개발에 뛰어들면서 시장 규모가 커지고 있기 때문이다. AI 반도체가 고도화될수록 CCL도 더 뛰어난 고주파·고속·저손실을 갖춘 제품이 필요하다. 두산은 엔비디아의 최신형 AI 가속기 '베라 루빈(Vera Rubin)' 공급망에 주요 CCL 벤더로 진입한 것으로 알려졌다. 아마존·구글 등 고객사 외연도 점차 확장되는 추세다. 덕분에 두산의 국내 증평·김천 CCL 생산라인은 현재 가동률이 100%를 넘어가는 '풀가동' 체제를 유지하고 있다. 두산 관계자는 "이번 CCL 설비투자 계획은 국내외 공장 증설, 설비교체, 유지보수, R&D 등 관련 투자가 반영된 것"이라며 "특히 국내외 사업장 전반에서 투자를 계획 중으로, 사업 환경을 보면서 집행할 예정"이라고 설명했다.

2026.03.24 11:10장경윤 기자

SK하이닉스, 2030년 '자율형 팹' 구축 추진…"AI로 제조 혁신"

SK하이닉스가 AI 메모리 수요에 적기 대응하기 위해 자율형 팹 구축을 추진한다. 해당 팹은 고도의 AI 기술을 기반으로 공장이 스스로 학습 및 의사 결정을 수행해 설계부터 양산까지의 전환 속도를 크게 줄이는 것이 목표다. 도승용 SK하이닉스 부사장(DT 부문장)은 17일(현지시간) 오전 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 'GTC 2026'에서 이같이 밝혔다. 이날 '빌딩 더 퓨처 오브 매뉴팩처링(Building the Future of Manufacturing)'을 주제로 패널 토론에 참여한 도 부사장은 "AI 수요 급증에 대응하는 과정에서 생산능력 확대와 제조 혁신이라는 이중 과제에 직면해 있다"고 설명했다. 반도체 수요는 빠르게 증가하지만, 제조는 같은 속도로 확장되기 어려운 구조적 한계 때문이다. 동시에 제조 환경도 빠르게 복잡해지고 있다. 고대역폭메모리(HBM) 등 고부가가치·맞춤형 제품 비중이 확대되며 팹 운영 난이도가 상승했고, 품질·비용·속도 간 균형을 맞추는 의사결정은 더 어려워졌다. SK하이닉스는 이를 해결하기 위해 2030년을 목표로 '자율형 팹'(Autonomous FAB) 구축을 추진 중이다. 공장이 스스로 학습하고 의사결정을 수행해, 설계부터 양산까지의 전환 속도를 획기적으로 단축하는 것이 주 골자다. SK하이닉스의 자율형 팹은 오퍼레이셔널(Operational) AI·피지컬(Physical) AI·디지털 트윈(Digital Twin) 세 축으로 구성된다. 오퍼레이셔널 AI는 공장의 '두뇌'로, 엔지니어의 판단과 노하우를 데이터 기반으로 구현해 의사결정에 활용한다. 이를 통해 설비 유지보수, 결함 분석 등에서 처리 시간을 50% 이상 단축했다는 게 도 부사장의 설명이다. 피지컬 AI는 공장의 '실행 체계'로, 기존 자동화를 고도화하고 사람 의존 영역까지 확대하는 개념이다. 도 부사장은 "반도체 웨이퍼 이송 장치(OHT) 등 이송 시스템을 AI와 연계해 지능화하고, 비전 기반 로봇과 자율주행 물류로봇(AMR)을 활용해 물류 효율과 안전성을 높이며 부품 재고를 약 30% 절감하는 효과를 기대한다"고 밝혔다. 디지털 트윈은 시뮬레이션 환경으로, 엔비디아 옴니버스(NVIDIA Omniverse) 기반으로 실제 팹을 가상 공간에 구현한다. 이를 통해 생산 흐름, 자재 이동, 레이아웃 등을 사전 검증하고, 생산 중단 없이 시뮬레이션·AI 학습·운영 최적화를 수행하고 있다. SK하이닉스는 "세 축을 유기적으로 결합해 보다 빠르고 유연한 차세대 제조 체계를 구축할 계획"이라고 밝혔다.

2026.03.18 14:57장경윤 기자

삼성전자, 작년 반도체 설비투자 47.5조원...전년비 1.2조원↑

삼성전자가 반도체를 중심으로 설비투자를 확대하고, 연구개발(R&D) 투자를 늘렸다. 반면 디스플레이 분야 설비투자는 소폭 줄였다. 삼성전자는 10일 공시한 2025년 사업보고서에서 지난해 연구개발비가 37조7548억원이라고 밝혔다. 이는 역대 최대였던 전년(35조215억원)보다 약 2조7000억원 많다. 삼성전자는 "(지난해) 대규모 투자는 인공지능(AI) 시장 확대에 따른 고대역폭메모리(HBM)와 고용량 DDR5 등 차세대 반도체 수요에 선제 대응하기 위한 것"이라고 설명했다. 지난해 매출(333조6000억원) 대비 R&D 비중은 11.3%로 전년(11.6%)보다 소폭 낮아졌다. 매출 회복 속도가 R&D 증가보다 더 빨랐기 때문으로 해석된다. 설비투자(CAPEX)는 사업부별로 달랐다. 삼성전자의 2025년 전체 설비투자는 52조7000억원으로 전년 53조6000억원보다 소폭 감소했다. 그러나 반도체 사업을 담당하는 DS부문 투자는 46조3000억원에서 47조5000억원으로 1조2000억원 증가했다. 삼성디스플레이(SDC)는 설비투자가 2024년 4조8000억원에서 2025년 2조8000억원으로 약 40% 감소했다. 2024년에는 8.6세대 IT 유기발광다이오드(OLED) 부문 투자가 집중됐다. 이에 따라 전체 설비투자에서 반도체가 차지하는 비중은 같은 기간 86%에서 90% 수준으로 확대됐다. 삼성전자는 사업보고서에서 "반도체 분야 투자와 관련해 차세대 메모리 기술 경쟁력 확보와 첨단공정 생산능력 확대 등을 위한 투자를 지속하고 있다"고 설명했다.

2026.03.10 17:43전화평 기자

SK하이닉스, 용인 1기팹에 21.6조원 추가 투자…고객사 수요 선제 대응

SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터에 21조6000억원 규모의 추가 투자를 확정지었다. 빠르게 증가하는 글로벌 고객사 수요에 적기 대응하기 위한 전략으로, 투자금은 팹 전체 클린룸 구축에 활용될 예정이다. SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터 1기 팹 페이즈2~6을 건설한다고 25일 밝혔다. 총 투자규모는 약 21조6000억원이다. 회사의 전체 자기자본 대비 29.23%에 해당한다. 투지기간은 다음달 1일부터 2030년 12월 31일까지다. 앞서 SK하이닉스는 지난 2024년 7월 용인 클러스터 1기 팹 건설에 약 9조4000억원을 투자하겠다고 밝힌 바 있다. 이를 고려한 전체 투자 규모는 31조원에 달한다. 이번 투자는 빠르게 증가하는 글로벌 고객 수요에 선제적으로 대응하고 안정적인 공급 체계를 한층 강화하기 위한 전략적 결정이다. AI, 데이터센터, 고성능 컴퓨팅 등 첨단 산업의 확산으로 고성능·고집적 반도체에 대한 수요는 구조적으로 확대되고 있다. SK하이닉스는 "변화에 발맞춰 생산 역량을 조기에 확충하고, 고객이 필요로 하는 시점에 안정적으로 제품을 공급할 수 있는 기반을 마련하고자 한다"고 설명했다. 구체적으로 이번 투자는 1기 팹의 골조 공사를 마무리하고 페이즈 2부터 페이즈 6에 이르는 전체 클린룸을 구축하는데 활용될 예정이다. 이에 따라 1기 팹은 총 2개의 골조와 6개의 클린룸으로 구성되며, 이를 통해 물리적 생산 기반을 선제적으로 확보해 고객 대응 역량을 강화할 수 있을 것으로 기대된다. 클린룸 오픈 시점도 2027년 5월에서 같은 해 2월로 앞당겨질 것으로 예상된다.

2026.02.25 18:32장경윤 기자

삼성전자, 차세대 반도체 생산기지 P5 클린룸 구축 앞당겨…'쉘 퍼스트' 전략

삼성전자가 선제적으로 클린룸을 확보하는 '쉘 퍼스트(shell First)' 전략을 이어간다. 최근 차세대 반도체 생산기지인 P5의 클린룸 구축 시점을 당초 내년 초에서 올해 중반께로 앞당긴 것으로 파악됐다. 17일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 평택캠퍼스 5공장(P5)의 클린룸 구축 시기를 6개월가량 앞당겼다. 삼성전자는 내년 초부터 클린룸 구축을 본격적으로 진행할 계획이었다. 이를 위한 인서트(구조물 설치 전 지지 역할의 철물을 삽입하는 과정) 등 사전 작업이 오는 4분기 초로 예정돼 있었다. 그러나 최근 삼성전자는 시공 관련 협력사에 해당 일정을 2분기에 조기 진행해달라고 요청한 것으로 파악됐다. 이에 따라 클린룸 구축 일정도 3분기 초부터 이뤄질 예정이다. 클린룸은 반도체 제조 환경의 오염도와 온도·습도·기압 등 제반 요소를 제어하는 인프라 시설이다. 반도체 제조장비를 투입하기 전에 필수적으로 설치해야 한다. 클린룸 설치 뒤 진행되는 배관 설치도 내년에서 올해 연말로 일정이 앞당겨졌다. 업계 관계자는 "현재 P5 공사 현장은 크레인이 다 투입된 상태로 매우 분주한 분위기"라며 "클린룸 및 배관 협력사들도 삼성전자의 갑작스러운 요청에 대응을 준비하는 상황"이라고 설명했다. P5는 오는 2028년 가동을 목표로 하는 삼성전자의 차세대 반도체 생산기지다. 총 3개 층에 6개의 클린룸이 구축돼, 평택캠퍼스 내 다른 공장(2개 층, 4개 클린룸) 대비 규모가 더 큰 것으로 알려져 있다. P5의 주 생산 제품은 AI 산업의 필수 요소인 고대역폭메모리(HBM)가 될 전망이다. 삼성전자는 최근 보도자료를 통해 "P5는 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용될 예정"이라며 "AI·데이터센터 중심의 중·장기 수요 확대 국면에서도 안정적인 공급 대응 역량을 지속적으로 확보해 나갈 예정"이라고 설명한 바 있다. 이번 삼성전자의 결정은 회사가 추진 중인 쉘 퍼스트 전략의 일환으로 풀이된다. 쉘 퍼스트란 클린룸을 선제적으로 건설한 뒤, 실제 생산능력 확대를 위한 설비투자는 시장 수요와 연계해 탄력적으로 운영하는 전략을 뜻한다. 앞서 삼성전자는 지난달 30일 진행한 실적발표 컨퍼런스콜에서 "당사는 이후에도 선제 투자 전략을 유지할 예정"이라며 "신규 팹 공간 투자를 선행해 클린룸을 확보하고, 이후 수요 추이에 따라 증설이 필요한 시점에 설비투자를 빠르게 실행하는 방식으로 투자할 예정"이라고 설명한 바 있다.

2026.02.17 10:11장경윤 기자

삼성·SK, 2분기 최첨단 낸드 전환투자 본격화

삼성전자, SK하이닉스의 최첨단 낸드 투자가 본격화된다. 그간 D램에 우선순위가 밀려 일정이 연기돼왔으나, 최근 구체적인 투자 계획이 잡히고 있는 것으로 파악됐다. AI 산업 주도로 수요가 급증하는 낸드 시장에 대응하기 위한 전략으로 풀이된다. 2일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 올 2분기 최첨단 낸드에 대한 전환투자를 진행할 계획이다. 삼성전자는 지난 2024년 9월 280단대의 V9(9세대) 낸드 양산을 시작한 바 있다. 다만 현재까지 생산능력은 매우 적은 수준으로, 도합 월 1만5천장 내외로 추산된다. 당시 삼성전자가 시장 수요 부족 등으로 평택캠퍼스에 초도양산 라인만을 도입했기 때문이다. 다만 올 2분기부터는 V9 낸드 생산능력 확대를 위한 투자가 진행될 예정이다. 거점은 중국 시안에 위치한 X2 라인이다. 현재 해당 라인에서는 6~7세대급 구형 낸드가 양산되고 있다. 인근 X1 라인의 경우 8세대 낸드로 전환이 대부분 마무리됐다. 논의되고 있는 전환투자 규모는 월 4~5만장 수준이다. 설비투자 시점을 고려하면, V9 낸드는 내년부터 램프업(Ramp-up; 양산 본격화) 단계에 접어들 것으로 예상된다. 반도체 업계 관계자는 "당초 삼성전자가 1분기에 시안 X2 라인에서 V9 낸드 전환을 진행하려고 했으나, 일정이 다소 밀려 2분기에 시작될 예정"이라며 "평택 제1캠퍼스(P1)에서도 V9 낸드 전환투자가 준비되고 있어, 제품 생산 비중이 내년 크게 늘어날 수 있다"고 말했다. SK하이닉스 역시 2분기 321단의 9세대 낸드 전환투자를 계획하고 있다. 올 2분기 청주 M15에서 월 3만장 내외의 V9 생산능력을 확보하는 것이 주 골자다. 현재 해당 낸드 생산능력이 월 2만장 수준임을 감안하면, 적지 않은 투자 규모다. 업계 관계자는 "삼성전자, SK하이닉스 모두 최첨단 낸드 수요 확대 전망에 대응하기 위해 전환투자를 계획 중"이라며 "그간 양사 설비투자 전략이 D램에만 집중돼 왔으나, 낸드 역시 빠르게 품귀현상이 나타나고 있는 상황"이라고 설명했다.

2026.02.02 15:42장경윤 기자

SK하이닉스 "올해 설비투자 규모 상당 수준 증가" 예고

SK하이닉스가 올해 연간 설비투자 규모를 상당한 수준으로 늘릴 계획이다. AI 산업 주도로 고부가 메모리반도체 수요가 지속적으로 강세를 보일 것으로 예상되는 만큼, 이에 적기 대응하기 위한 전략으로 풀이된다. 28일 SK하이닉스는 2025년도 4분기 실적발표 자료를 통해 "올해 투자 규모는 전년 대비 상당 수준 증가가 예상된다"며 "다만 설비투자 원칙(투자 규모가 연 매출액 대비 최대 30% 중반 수준을 넘지 않는 것)을 지속 준수할 것"이라고 밝혔다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 3분기까지 누적 17조8천250억원을 투자한 바 있다. 이를 고려하면 지난해 연간 투자 규모는 20조원 중후반대에 달할 전망이다. 올해는 30조원을 넘어설 가능성이 유력하다. 올해는 연간으로 더 큰 규모의 투자가 예정돼 있다. 청주 신규 팹인 M15X는 생산능력 조기 극대화 및 선단 공정 가속화를 추진하고 있으며, 용인 1기 팹도 건설에 속도를 내고 있다. 패키징 관련해서는 청주 P&T(패키징&테스트)7, 인디애나주 신규 팹 설립 등을 추진 중이다.

2026.01.28 18:01장경윤 기자

TSMC, 올해 설비투자 전년比 25% 이상 확대...AI 붐 장기화 기대감↑

세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 대만 TSMC(대만반도체제조)가 AI 반도체 수요 장기화에 대한 강한 자신감을 드러내며 올해 대규모 설비투자 계획과 고성장 전망을 제시했다. TSMC는 현지시간 15일 지난해 4분기 및 연간 실적 발표에서 올해 자본적지출(CAPEX) 규모를 520억~560억달러(약 76조5천388억원~82조3천536억원)로 제시했다. 이는 지난해 대비 최소 25% 이상 늘어난 수준이다. 시장에서는 당초 TSMC가 480억~500억달러 수준의 투자를 집행할 것으로 예상했다. 이번 가이던스가 공격적인 투자 계획으로 평가되는 이유다. 이 같은 투자 확대는 글로벌 빅테크 기업들의 데이터센터 투자 지속성에 대한 우려를 일부 완화하는 신호로도 해석된다. AI 반도체 수요의 바로미터로 꼽히는 TSMC가 설비투자와 함께 매출 성장 전망까지 동시에 상향 제시했기 때문이다. TSMC는 올해 매출이 약 30% 가까이 성장할 것으로 내다봤다. 이는 애널리스트들의 평균 예상치를 웃도는 수준으로, AI 가속기와 고성능컴퓨팅(HPC)용 칩 수요가 예상보다 빠르게 확대되고 있다는 판단이 반영됐다. C.C. 웨이 TSMC 최고경영자(CEO)는 실적 발표 자리에서 “인공지능은 현실이며, 이제 막 시작되고 있다”며 “우리는 이를 하나의 'AI 메가 트렌드'로 보고 있다”고 강조했다. 실적 역시 이러한 자신감을 뒷받침했다. TSMC는 지난해 4분기 순이익으로 5057억대만달러(약 160억달러)를 기록해 시장 예상치를 웃돌았다. 앞서 발표한 매출을 포함해 TSMC는 2025년 연간 매출 1천억달러(약 147조원)를 처음으로 돌파했다. AI 인프라 투자 확대는 TSMC의 고성장을 이끌고 있다. 글로벌 빅테크를 중심으로 1조달러를 웃도는 AI 데이터센터 투자 계획이 추진되면서, 첨단 공정과 대량 생산 능력을 동시에 갖춘 TSMC의 역할은 더욱 커지고 있다. 회사는 최근 2년간 연평균 30% 이상의 매출 성장률을 기록했다. 이번 설비투자는 AI 반도체 생산에 필요한 첨단 공정 확대와 차세대 미세공정 개발, 글로벌 생산기지 구축에 집중될 전망이다. 특히 AI 데이터센터용 칩 수요 증가에 대응하기 위한 생산능력 확충이 핵심이다. 한편 TSMC는 글로벌 생산망 확대에도 속도를 낸다. 미국에 최대 1650억달러를 투자하는 계획을 포함해 일본과 독일에서도 생산 거점을 구축하고 있다. 회사는 이와 동시에 대만에서는 초미세 공정 기술 개발에 역량을 집중해 기술 경쟁력을 유지한다는 전략이다.

2026.01.15 16:43전화평 기자

SK하이닉스, 한미반도체·한화세미텍에 TC본더 발주…추가 수주 기대감

SK하이닉스가 국내 주요 후공정 장비업체에 HBM4 양산을 위한 TC본더를 발주했다. 당장 규모는 크지 않지만, SK하이닉스가 올해 M15X·M8 등 유휴 공간을 넉넉히 확보한 만큼 연간으로 TC본더 투자가 꾸준히 진행될 것이라는 기대감이 나온다. 14일 업계에 따르면 SK하이닉스는 이달 한미반도체·한화세미텍에 HBM 제조용 TC본더를 동시 발주했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)을 뚫어 연결한 차세대 메모리다. 각 D램을 연결하는 데에는 열압착 방식의 TC본더가 쓰인다. 현재 SK하이닉스는 1b(5세대 10나노급) D램 기반의 HBM4(6세대 HBM) 양산을 준비하고 있다. 핵심 고객사인 엔비디아가 차세대 AI 가속기인 '루빈' 칩에 해당 HBM을 탑재할 예정이다. 이에 SK하이닉스는 이달 한미반도체·한화세미텍에 TC본더를 동시 발주했다. 한미반도체와 96억5천만원 규모의 공급계약을 맺었다고 공시했다. 한화세미텍은 별도의 공시를 올리지 않았으나, 비슷한 규모의 수주를 받은 것으로 파악됐다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 하반기 업계 예상을 밑도는 TC본더 투자를 진행한 바 있다. 공격적인 설비투자보다는 기존 HBM3E용 TC본더 개조, 수율 상승 등으로 생산능력을 효율적으로 높이겠다는 전략에서였다. 다만 올해에는 TC본더 투자가 다시 활발히 진행될 것이라는 업계 기대감이 크다. 기존에는 후공정 투자를 진행할 공간이 부족했으나, 최근 여유 공간을 적극 늘린 덕분이다. 우선 SK하이닉스는 지난해부터 청주 유휴 팹인 M8을 패키징 전담의 'P&T6'로 개조해 왔다. 이르면 올 1분기 말부터 장비 반입이 시작될 것으로 관측된다. 또한 SK하이닉스는 청주에 신규 팹인 M15X를 구축해 왔다. 해당 팹은 지난해 4분기부터 장비 반입이 시작된 상태다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 올해 M8, M15X 등 HBM용 TC본더 장비를 도입할 수 있는 공간을 넉넉히 마련했다"며 "이달 수주 규모는 그리 크지 않지만, 이미 추가 주문 논의가 진행되고 있어 연간으로 적잖은 투자가 발생할 수 있다"고 말했다.

2026.01.14 14:46장경윤 기자

LG이노텍, 광주 차량 AP모듈 생산라인 증설…1천억원 규모

LG이노텍은 광주광역시와 공장 증축을 위한 투자협약(MOU)을 체결했다고 13일 밝혔다. 투자규모는 약 1천억원으로, LG이노텍은 이번 투자금을 신사업 확대를 위한 광주사업장 증축에 활용할 계획이다. 신규 공장은 올해 12월 완공 예정으로, 차량 AP(애플리케이션프로세서) 모듈 생산라인이 추가로 들어선다. 완공 후 LG이노텍 광주사업장 전체 연면적은 총 9만7천㎡에 이르게 된다. 차량 AP모듈은 LG이노텍이 지난해 첫 시동을 건 신사업 분야다. 이 제품은 컴퓨터의 CPU처럼 차량의 두뇌 역할을 담당하는 핵심 부품이다. 차량 내부에 장착돼 첨단운전자보조시스템(ADAS), 디지털 콕핏과 같은 자동차 전자 시스템을 통합 제어하는데 쓰인다. 자율주행 등 커넥티드카 발전과 함께 글로벌 차량 AP모듈 시장 규모는 매년 22%씩 성장이 예상되고 있다. 하지만, 성장세에 비해 생산기업은 현재 극소수에 불과하다. LG이노텍은 차별화 기술력과 모빌리티솔루션 사업 역량을 앞세워 시장을 빠르게 선점해 나가고 있다. LG이노텍은 지난해 말부터 이미 글로벌 반도체 기업에 차량 AP모듈을 공급하고 있으며, 추가 고객 확보를 위한 프로모션에도 적극 나서고 있다. 이번 투자를 통해 LG이노텍은 차량 AP모듈 사업 경쟁력을 높여 경쟁 우위를 더욱 확고히 한다는 방침이다. 업계는 이번 투자로 LG이노텍이 신사업 경쟁력 강화는 물론 비수도권∙지방 투자를 통한 지역 균형 발전에도 기여할 수 있을 것으로 보고 있다. 강기정 광주광역시장은 “이번 LG이노텍의 투자는 비수도권∙지방 투자를 통한 지역 균형 발전 측면에서 매우 의미가 있다”며 “이번 투자가 광주시의 '미래차 소부장 산업육성'의 마중물이 될 것으로 기대하고 있으며, 신규 고용 창출 등 광주 지역 경제에 활력을 불어넣을 수 있도록 적극 지원할 것”이라고 말했다. 문혁수 사장은 “광주사업장은 1985년 준공 이후 LG이노텍의 성장동력인 모빌리티솔루션사업의 '마더 팩토리'로서 중추적 역할을 해왔다”며 “핵심사업의 기반이 되는 전략적 요충지인 만큼, 광주 지역사회 및 협력회사들과 동반 성장하며 고객을 위한 탁월한 가치를 창출할 수 있도록 최선의 노력을 다할 것”이라고 밝혔다. 한편 LG이노텍 광주사업장은 1985년 4월에 설립돼, 현재 900여명의 임직원이 근무하고 있다. 모빌리티솔루션사업의 핵심 생산기지로서 차량용 통신∙조명∙카메라모듈 등을 생산하고 있다. 현재 LG이노텍은 광주광역시를 포함해 국내에만 경상북도 구미, 경기도 파주와 안산, 서울 마곡 등 총 5개 지역에 사업장을 운영하고 있으며, 매년 의미 있는 투자를 지속해오고 있다. 지난해 3월에는 경상북도 및 경북 구미시와 6천억원 규모의 투자협약(MOU)을 체결한 바 있다. LG이노텍은 투자금을 활용해 올해 연말까지 구미 사업장에 플립칩 볼그리드 어레이(FC-BGA) 양산라인 확대 및 고부가 카메라 모듈 생산을 위한 신규 설비를 갖출 계획이다.

2026.01.13 14:30장경윤 기자

SK하이닉스, 청주 패키징 팹에 19조원 투자…HBM 등 수요 대응

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 등 최첨단 패키징을 담당할 신규 팹을 건설한다. 총 19조원 규모이며 완공 목표는 2027년 말이다. SK하이닉스는 13일 공식 뉴스룸을 통해 청주 첨단 패키징 팹인 'P&T7'의 착공을 오는 4월 진행한다고 밝혔다. P&T는 전공전 팹에서 생산된 반도체 칩을 제품 형태로 패키징하고 테스트하는 후공정 시설이다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 하반기 과거 매입했던 청주 LG 2공장 부지의 건물을 철거해 P&T7을 건설하겠다고 밝힌 바 있다. SK하이닉스는 "이번 투자는 정부가 추진해 온 지역 균형 성장 정책 취지에 공감하면서, 동시에 공급망 효율성과 미래 경쟁력을 종합적으로 고려한 전략적 결정"이라며 "P&T7 투자를 통해 청주는 SK하이닉스의 새로운 AI 메모리 핵심 거점으로 자리매김하게 될 것"이라고 설명했다. P&T7은 HBM 등 AI 메모리 제조에 필수적인 어드밴스드 패키징 팹으로서, 청주 테크노폴리스 산업단지 내 7만 평 부지에 총 19조원 규모로 조성될 예정이다. 오는 4월 착수 후 2027년 말 완공을 목표로 하고 있다. P&T7은 SK하이닉스 인근에 건설 중인 M15X와 물리적으로 거리가 가까워, 유기적 연계가 용이할 것으로 분석된다. 또한 SK하이닉스는 이번 P&T7 구축이 지역 균형 성장 차원에서 중요한 의미를 지닌 것으로 보고 있다. SK하이닉스는 "청주 P&T7 투자를 통해 단기적인 효율이나 유불리를 넘어, 중장기적으로 국가 산업 기반을 강화하고 수도권과 지방이 함께 성장하는 구조를 만들어 가는 데 기여하고자 한다"고 밝혔다.

2026.01.13 10:12장경윤 기자

삼성전자, 용인 반도체 국가산단 조성 속도…LH와 부지매입 계약

삼성전자가 경기 용인시에 추진 중인 첨단시스템반도체 국가산업단지 조성 사업에 속도를 내고 있다. 현재 산단 조성을 위한 부지 매입 계약을 진행한 상태로, 내년 하반기부터 공사가 진행될 것으로 예상된다. 29일 업계에 따르면 삼성전자와 한국토지주택공사(LH)는 지난 19일 산단 조성을 위한 부지 매입 계약을 체결했다. 앞서 삼성전자는 용인 첨단시스템반도체 국가산업단지에 총 360조원을 투자하겠다고 밝힌 바 있다. 해당 산업단지는 용인 이동·남사읍 일대에 777만3천656㎡ 부지로 조성되며, 삼성전자는 이곳에 총 6개의 팹(fab)을 구축할 계획이다. 이에 LH는 지난 22일부터 산단 예정지 내 토지 소유자들과 토지 및 지장물(건물, 공작물, 수목 등)에 대한 보상 협의에 착수했다. 지난 26일 기준으로는 보상 절차 진행률이 14.4% 기록 중인 것으로 알려졌다. LH는 현재 진행 중인 1차 토지 보상을 시작으로, 향후 지장물(건물, 영업권 등) 조사가 완료되는 대로 관련 보상을 순차적으로 진행할 계획이다. 또한 조만간 산단 조성 공사를 발주하고, 내년 하반기 공사를 시작할 예정이다. 용인 국가산단은 기존 국내 반도체 생산거점인 경기도 기흥·화성·평택과의 접근성이 뛰어나다는 장점이 있다. 해당 지역에 자리잡은 소부장 기업들과의 협력도 용이할 것으로 관측된다. 수도권 인근에 위치해 우수 인력 확보에도 유리하다. 용인시 또한 국가산단 조성을 가속화하기 위한 노력에 앞장서고 있다. 이상일 용인이시장은 지난 28일 구윤철 경제부총리 겸 기획재정부 장관을 만나 관련 내용을 건의했다. 이 시장이 구 부총리에게 검토를 요청한 내용은 ▲첨단시스템반도체 국가산단에 대한 전력·용수 등 기반시설 적기 구축 ▲첨단시스템반도체 국가산단 이주민·이주기업을 위한 저금리 정책자금 지원 ▲국가첨단전략산업 소재·부품·장비 투자지원금 사업에 대한 지방비 부담 경감 ▲제6차 국도·국지도 건설계획 노선 예비타당성 통과 건의 ▲분당선 연장(기흥역~동탄~오산대역) 예비타당성 조사 면제 또는 조속 추진 등 5건이다. 이 시장은 "SK하이닉스가 처인구 원삼면 용인반도체클러스터에 600조원, 삼성전자가 처인구 이동·남사읍 첨단시스템반도체 국가산업단지에 360조원, 기흥캠퍼스 미래연구단지에 20조원 등 1천조원에 육박하는 투자가 진행되는 용인특례시는 앞으로 단일 도시로는 세계 최대 규모의 반도체 생태계가 조성될 곳"이라고 말했다.

2025.12.29 17:45장경윤 기자

SK하이닉스, 美에 첫 2.5D 패키징 '양산 라인' 구축 추진

SK하이닉스가 HBM을 넘어 최첨단 패키징 기술력 전반을 확보하기 위한 투자를 계획 중이다. 미국 신규 패키징 공장에 첫 2.5D 패키징 양산 라인을 마련하기 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 2.5D 패키징은 HBM과 고성능 시스템반도체를 집적하기 위한 핵심 공정이다. SK하이닉스가 2.5D 패키징 기술력 및 양산 능력을 확보하는 경우, AI반도체 공급망에 상당한 변화를 일으킬 수 있을 것으로 예상된다. 29일 지디넷코리아 취재에 따르면 SK하이닉스는 미국 인디애나주 라스트웨피엣 소재의 신규 패키징 공장에 2.5D 제조라인을 구축하는 방안을 논의 중이다. 2.5D 패키징 양산라인 첫 구축 추진 라스트웨피엣 패키징 공장은 SK하이닉스의 첫 미국 내 공장으로서, AI 메모리용 최첨단 패키징 생산기지로 조성될 예정이다. 목표 가동 시기는 오는 2028년 하반기다. 이를 위해 SK하이닉스는 현지에 38억7천만 달러(한화 약 5조4천억원)를 투자하겠다고 밝힌 바 있다. SK하이닉스가 미국 웨스트라피엣에 신규 패키징 라인을 구축하는 주 요인은 HBM(고대역폭메모리)에 있다. HBM은 AI반도체의 핵심 요소 중 하나로, 현재 미국 정부는 자국 내 최첨단 반도체 공급망 강화를 위해 SK하이닉스를 비롯한 주요 반도체 기업의 현지 투자를 적극 유치해 왔다. 나아가 SK하이닉스는 해당 공장에 2.5D 패키징 양산 라인을 구축하는 방안을 추진하고 있다. 2.5D 패키징은 반도체와 기판 사이에 실리콘 인터포저라는 얇은 막을 삽입해, 칩 성능 및 전력효율성을 높이는 기술이다. 글로벌 빅테크인 엔비디아의 고성능 AI가속기도 HBM과 고성능 GPU·CPU 등을 2.5D 패키징으로 집적해 만들어진다. SK하이닉스는 2.5D 양산 라인 구축으로 HBM을 비롯한 AI 반도체 패키징 능력 전반을 강화하려는 것으로 풀이된다. HBM은 최종 고객사인 엔비디아의 사용 승인을 받기 위해 HBM 자체만이 아닌, 2.5D 패키징에서도 퀄(품질) 테스트를 거친다. HBM에서 신뢰성을 확보하더라도 2.5D 패키징 테스트에서 불량이 발생하면 일정에 차질이 생길 수 밖에 없는 구조다. 2.5D 패키징 내에서 책임 소재를 정확히 찾아내는 작업 또한 어렵다. 어떤 의미?...HBM 넘어 최첨단 패키징 전반 기술력 강화 전략 때문에 SK하이닉스는 그동안 자체적으로 2.5D 패키징에 대한 연구개발을 진행해 왔다. 다만 국내에서는 모든 2.5D 패키징 과정을 양산 수준으로 진행할 만큼의 설비가 갖춰지지 않았다는 평가다. 사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스의 경우 2.5D 패키징에 대한 기본적인 기술력 및 설비는 갖추고 있으나, HBM이 집적된 AI가속기에 대응할 만큼 대형 SiP(시스템인패키지) 설비에는 대응하기에 무리가 있다"며 "이에 미국 웨스트라피엣에 최초로 정식 2.5D 패키징 양산라인을 구축하는 방안을 패키징 협력사들과 진지하게 논의 중"이라고 설명했다. 이 같은 관점에서 SK하이닉스가 2.5D 패키징 양산 라인을 구축하는 경우 차세대 HBM 공급에서 안정성을 확보할 수 있을 것으로 관측된다. 또한 기술력을 한층 고도화해 고객사에 HBM과 패키징을 동시에 제공하는 턴키(Turn-Key) 사업도 구상할 수 있게 된다. 현재 AI가속기용 2.5D 패키징은 대만 주요 파운드리인 TSMC가 사실상 독점하고 있다. 반도체 업계 관계자는 "현재 SK하이닉스는 자사 HBM을 직접 2.5D 패키징까지 진행할 수 있는 설비를 갖추는 것을 매우 중요한 과제로 인식하고 있다"며 "기술이 안정화 및 고도화되는 경우에는 단순한 연구개발을 넘어 사업 진출도 추진할 수 있을 것"이라고 말했다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스 내부에서 2.5D 패키징 샘플 제조 및 테스트를 적극 진행하는 등 관련 사업 확장에 대한 의지는 명확하다"며 "다만 미국 웨스트라피엣 공장 완공 시점이 아직 시간적으로 많이 남아 있는 만큼, 계획이 수정될 가능성은 있다"고 밝혔다. 이와 관련해 SK하이닉스는 "인디애나 팹 활용 방안과 관련해 다양한 방안을 검토 중이나, 구체적으로 확정된 바는 없다"고 답변했다.

2025.12.29 11:01장경윤 기자

삼성전기, 내년 초 필리핀 팹 증설 추진…'MLCC' 호황 대응

삼성전기가 내년 초부터 AI 서버용 적층세라믹캐패시터(MLCC) 생산능력 확대를 추진한다. 최근 필리핀 법인의 증설을 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 급증하는 AI 인프라 투자에 선제적으로 대응하려는 전략으로 풀이된다. 1일 업계에 따르면 삼성전기는 내년 1분기부터 필리핀 소재의 MLCC 양산라인을 증설할 계획이다. MLCC는 회로에 전류가 일정하게 흐르도록 조절하고, 부품 간 전자파 간섭현상을 막아주는 전자부품이다. 스마트폰, PC 등 IT제품과 서버, 자동차 등 산업 전반에서 필수적으로 활용되고 있다. 현재 삼성전기의 MLCC는 주로 중국 톈진과 필리핀 라구나주 칼람바시 소재의 공장 2곳에서 양산되고 있다. 국내 수원 및 부산사업장은 R&D 및 원재료 제조에 집중하고 있다. 삼성전기는 이 중 필리핀 MLCC 공장의 증설을 지속 고려해 왔다. 올 4분기 설비투자를 위한 협력망을 구성하는 등 구체적인 준비에 나선 것으로 파악됐다. 이르면 올 1분기부터 실제 투자에 나설 전망이다. 구체적인 투자 규모는 밝혀지지 않았으나, 삼성전기의 연간 투자 규모를 고려하면 수천억원의 투자가 집행될 것으로 관측된다. 또한 이달 초에는 장덕현 삼성전기 사장이 부산사업장에서 페르디난드 마크로스 필리핀 대통령을 만나, 필리핀 경제특구청(PEZA) 및 MLCC 투자를 위한 협약을 체결한 바 있다. 전자부품 업계 관계자는 "삼성전기는 중국 톈진에서 전장용 MLCC를, 필리핀에서는 AI 서버용 MLCC를 주력으로 양산해 왔다"며 "필리핀 MLCC 공장 건설 계획이 조만간 구체화될 것으로 안다"고 설명했다. AI 서버용 MLCC는 최근 글로벌 빅테크 기업들의 공격적인 AI 인프라 투자 확대에 따라 수요가 빠르게 증가하는 추세다. AI 서버에는 일반 서버 대비 약 10배 이상의 MLCC가 탑재되며, 소형·고용량을 요구하기 때문에 부가가치가 높다. 이에 삼성전기도 MLCC 사업에서 호황을 맞고 있다. MLCC가 포함된 삼성전기의 컴포넌트 공장 가동률은 지난해 연 81% 수준에서 올해 3분기 기준 99%로 사실상 '풀가동' 체제에 접어들었다.

2025.12.01 10:34장경윤 기자

2029년부터 6G 통신 투자비중 50% 넘는다

무선접속망(RAN) 시장 성장이 정체된 가운데 6G 관련 설비투자(CAPEX)가 2030년부터 본격적으로 증가할 것이란 전망이 나왔다. 시장조사업체 델오로가 최근 6G와 관련해 발간한 연구 보고서에 따르면, 6G 관련 RAN 설비투자는 2029년부터 2034년 사이 전체 RAN 투자액의 55~60%를 차지할 것으로 예상된다. 직접적인 6G 구축 투자 외에 관련 인프라 구축을 포함한 측정치다. 6G CAPEX 증가에도 전체 RAN 관련 지출의 성장에 대해 델오로는 부정적으로 내다봤다. 보고서는 2000년 이후 명목 기준 RAN 투자 매출이 연평균 1% 성장하는 데 그쳤고, 인플레이션을 반영하면 오히려 감소한 것으로 보인다고 분석했다. 아울러 6G 투자가 이뤄지는 2035년까지도 전체 투자 지출은 전반적인 정체를 전망했다. 현재 투자는 주로 중저대역 주파수에서 대규모 다중입출력(Massive MIMO) 시스템 중심으로 이뤄질 것으로 봤다. 여전히 트래픽 용량에 문제가 없고, 새로운 기술의 등장에도 시장의 수요가 따라오지 못하고 있다는 이유에서다.

2025.11.09 09:28박수형 기자

11.3조원 쏜 SK하이닉스, 내년도 HBM·D램·낸드 모두 '훈풍'

올 3분기 사상 최대 분기 실적을 거둔 SK하이닉스가 내년에도 성장세를 자신했다. 메모리 산업이 AI 주도로 구조적인 '슈퍼사이클'을 맞이했고, 핵심 사업인 HBM(고대역폭메모리)도 주요 고객사와 내년 공급 협의를 성공적으로 마쳤기 때문이다. 이에 SK하이닉스는 내년 설비투자 규모를 올해 대비 확대하고, HBM과 범용 D램, 낸드 모두 차세대 제품의 생산능력 비중 확대를 추진하는 등 수요 확대에 대응하기 위한 준비에 나섰다. 29일 SK하이닉스는 3분기 실적발표를 통해 매출액 24조4천489억원, 영업이익 11조3천834억원(영업이익률 47%), 순이익 12조5천975억원(순이익률 52%)을 기록했다고 밝혔다. 창사 이래 최대 실적…'메모리 슈퍼사이클' 이어진다 매출액은 전년동기 대비 39%, 전분기 대비 10% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 62%, 전분기 대비 24% 증가했다. 또한 분기 기준 역대 최대 실적으로, 영업이익이 창사 이래 최초로 10조원을 넘어섰다. 호실적의 주요 배경에는 AI 중심의 메모리 슈퍼사이클 효과가 있다. AI 인프라 투자에 따른 데이터센터 및 일반 서버 수요가 확대되면서, D램과 낸드 모두 수요가 빠르게 증가하는 추세다. 특히 주요 메모리 공급사들이 HBM(고대역폭메모리) 양산에 생산능력을 상당 부분 할당하면서, 범용 D램의 수급이 타이트해졌다는 분석이다. SK하이닉스는 "HBM뿐 아니라 일반 D램·낸드 생산능력도 사실상 완판 상태”라며 “일부 고객은 2026년 물량까지 선구매(PO) 발행해 공급 부족에 대응하고 있다”고 밝혔다. 메모리 사업에도 근본적인 변화가 감지된다. AI가 단순히 새로운 응용처의 창출을 넘어, 기존 제품군에도 AI 기능 추가로 수요 구조 전체를 바꾸고 있다는 설명이다. SK하이닉스는 "이번 사이클은 과거처럼 가격 급등에 따른 단기 호황이 아니라, AI 패러다임 전환을 기반으로 한 구조적 성장기”라며 “AI 컴퓨팅이 학습에서 추론으로 확장되면서 일반 서버 수요까지 급격히 늘고 있다”고 말했다. 이에 따라 SK하이닉스는 내년 서버 세트 출하량을 전년 대비 10% 후반 증가로 예상하고 있다. 전체 D램 빗그로스(출하량 증가율)은 내년 20% 이상, 낸드 빗그로스는 10% 후반으로 매우 높은 수준을 제시했다. HBM, 내후년까지 공급 부족 전망 SK하이닉스는 이번 실적발표 컨퍼런스콜을 통해 주요 고객들과 내년 HBM 공급 협의를 모두 완료했다고 밝혔다. 내년 엔비디아향 HBM 공급 계획도 순조롭게 진행될 것으로 전망된다. SK하이닉스는 "내년도 HBM 공급 계약을 최종 확정지었고, 가격 역시 현재 수익성을 유지 가능한 수준으로 형성돼 있다"며 "HBM은 2027년에도 수요 대비 공급이 타이트할 것으로 전망된다"고 밝혔다. HBM4(6세대 HBM)는 올 4분기부터 출하를 시작해, 내년 본격적인 판매 확대에 나설 계획이다. HBM4는 엔비디아가 내년 출시할 차세대 AI 가속기 '루빈'에 탑재될 예정으로, 이전 세대 대비 I/O(입출력단자) 수가 2배로 확장되는 등 성능이 대폭 향상됐다. 또한 엔비디아의 요구로 최대 동작 속도도 이전 대비 빨라진 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 "당사는 HBM 1위 기술력으로 고객사 요구 스펙에 충족하며 대응 중"이라며 "업계에서 가장 빠르게 고객 요구에 맞춘 샘플을 제공했고, 대량 공급도 시작할 준비가 돼 있다"고 강조했다. 설비투자·차세대 메모리로 미래 수요 적극 대응 SK하이닉스는 메모리 슈퍼사이클에 대응하기 위해 내년 설비투자 규모를 올해 대비 확대할 계획이다. 최근 장비 반입을 시작한 청주 신규 팹 'M15X'의 경우, 내년부터 HBM 생산량 확대에 기여할 수 있도록 투자를 준비 중이다. 또한 올해부터 건설이 본격화된 용인 1기팹, 미국 인디애나주에 계획 중인 첨단 패키징 팹 등으로 최첨단 인프라 구축에 대한 투자가 지속될 것으로 예상된다. 범용 D램과 낸드는 신규 팹 투자 대신 선단 공정으로의 전환 투자에 집중한다. 1c(6세대 10나노급) D램은 지난해 개발 완료 후 올해 양산을 시작할 예정으로, 내년 본격적인 램프업이 진행된다. SK하이닉스는 "내년 말에는 국내 범용 D램 양산의 절반 이상을 1c D램으로 계획하고 있다"며 "최고의 성능과 원가 경쟁력을 확보한 1c 기반 LPDDR(저전력 D램), GDDR(그래픽 D램) 라인업을 구축하고 적시에 공급해 수익성을 확보할 것"이라고 밝혔다. 낸드도 기존 176단 제품에서 238단, 321단 등으로 선단 공정의 비중을 꾸준히 확대하고 있다. 특히 내년에는 321단 제품에 대해 기존 TLC(트리플레벨셀)를 넘어 QLC(쿼드러플레벨셀)로 라인업을 확장할 계획이다. 내년 말에는 회사 낸드 출하량의 절반 이상을 321단에 할당하는 것이 목표다.

2025.10.29 11:41장경윤 기자

SK하이닉스, 엔비디아 등과 내년 HBM 공급 협의 '완료'

SK하이닉스가 엔비디아 등 주요 고객사와의 내년 HBM(고대역폭메모리) 공급 협의를 마무리했다. 이에 따라 차세대 HBM의 양산 및 설비투자에 속도를 낼 수 있을 것으로 관측된다. SK하이닉스는 주요 고객들과 내년 HBM 공급 협의를 모두 완료했다고 29일 밝혔다. 이 중 지난 9월 개발을 완료하고 양산 체제를 구축한 HBM4는 고객 요구 성능을 모두 충족하고 업계 최고 속도 지원이 가능하도록 준비했다. SK하이닉스는 이를 4분기부터 출하하기 시작해 내년에는 본격적인 판매 확대에 나설 계획이다. 아울러 SK하이닉스는 급증하는 AI 메모리 수요로 D램과 낸드 전 제품에 대해 내년까지 고객 수요를 모두 확보했다고 밝혔다. SK하이닉스는 예상을 뛰어넘는 고객 수요에 대응하고자, 최근 클린룸을 조기 오픈하고 장비 반입을 시작한 M15X를 통해 신규 생산능력(Capa)을 빠르게 확보하고 선단공정 전환을 가속화한다는 방침이다. 이에 따라 내년 투자 규모는 올해보다 증가할 계획으로, SK하이닉스는 "시황에 맞는 최적화된 투자 전략을 유지할 것"이라고 밝혔다.

2025.10.29 08:39장경윤 기자

SK하이닉스, HBM4용 테스트 장비 공급망 '윤곽'…연내 발주 시작

SK하이닉스가 내년 HBM4 본격 양산을 위해 테스트 장비 투자를 준비하고 있다. 연말까지 공급망을 구축할 예정으로, 내년 1분기부터 설비 도입이 시작될 것으로 전망된다. 일부 협력사의 경우 양산 퀄(품질) 테스트를 마무리한 것으로도 알려졌다. 24일 업계에 따르면 SK하이닉스는 내년 1분기부터 HBM4(6세대 고대역폭메모리)용 번-인 테스터를 도입할 계획이다. HBM4는 내년 엔비디아가 출시하는 AI 반도체 '루빈'에 탑재되는 차세대 HBM이다. 이전 세대 대비 정보를 주고받는 입출력단자(I/O) 수를 2배 늘려 대역폭을 크게 확장한 것이 특징이다. SK하이닉스의 경우 1b(5세대 10나노급) D램을 적용했으며, 지난달 양산 체계 구축을 완료했다. SK하이닉스는 HBM4 본격적인 양산 확대를 위해, 내년 초부터 신규 번-인 테스트 설비를 들일 예정이다. 투자처는 청주에 신규로 구축 중인 M15X 팹이다. 이르면 10~11월 관련 설비에 대한 초도 발주가 나올 전망이다. 번-인 테스터는 반도체에 극한의 고온·고전압 환경을 가하고, 이후 제품 불량 여부를 판별하는 장비다. 그간 SK하이닉스는 HBM3E 등 이전 세대에 적용된 번-인 테스터로 HBM4 샘플을 제조해 왔다. 그러나 해당 설비로는 HBM4의 원활한 양산 대응에 한계가 있어, 주요 협력사에 신규 번-인 테스터 개발을 의뢰한 바 있다. 이에 따라 국내 주요 후공정 장비기업들이 SK하이닉스 HBM4용 번-인 테스터 공급망 진입을 위해 퀄(품질) 테스트를 진행해 왔다. 디아이, 와이씨, 유니테스트 3곳이 대표적이다. 특히 디아이는 최근 SK하이닉스와의 퀄 테스트를 마무리해, 협력사 중 가장 먼저 초도 주문에 대응할 것으로 알려졌다. 유니테스트, 와이씨는 이르면 연말께 공급을 확정지을 것으로 예상된다. 업계는 SK하이닉스의 내년 HBM4용 번-인 테스터 총 발주량이 150~200여대 수준으로 비교적 큰 규모가 될 것으로 기대하고 있다. HBM4에서 메모리 업체 간 수익성 확보 경쟁이 더 치열해질 것으로 전망되는 만큼, SK하이닉스가 HBM4 수율 및 생산성 향상에 주력하고 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 HBM용 번-인 테스터에 대한 공급망 이원화 전략을 꾸준히 추진하고 있어, 연말까지 추가적인 움직임이 감지될 것"이라며 "M15X 팹 증설과 맞물려 내년에 전체적으로 투자가 활발히 진행될 예정"이라고 설명했다.

2025.10.24 09:45장경윤 기자

AP시스템, 600억원 설비투자 단행…OLED 장비 생산능력 2배 확대

디스플레이 및 반도체 제조장비 전문기업 AP시스템은 600억원을 투자해 1만5천m² 규모의 클린룸 생산시설과 토지를 인수했다고 16일 밝혔다. 이번 투자를 통해 AP시스템은 총 3만㎡ 규모의 생산능력(CAPA)을 확보하며, 급증하는 글로벌 OLED 장비 수요에 대한 대응 기반을 마련했다. 신규 인수한 생산시설은 OLED 전·후공정 장비뿐 아니라 반도체 장비 생산이 가능한 청정도(Class)를 갖추고 있어, 즉시 장비 생산이 가능한 수준이다. 회사는 이번 투자를 통해 생산 효율성과 공급 안정성을 강화하고, 향후 수요 확대에 기민하게 대응할 수 있는 체제를 구축하게 됐다. 글로벌 OLED 시장은 현재 중국발 8세대(8G) IT용 OLED 투자 빅사이클에 진입하며 급성장하고 있다. BOE는 2026년까지 약 11조원 규모의 8.6세대 IT OLED 투자를 진행 중이며, 비전옥스는 2027년까지 유사한 규모의 투자를 추진하고 있다. CSOT 또한 약 5.8조원 규모의 8.6세대 잉크젯 프린팅 OLED 생산라인 구축 계획을 발표하는 등 대규모 설비투자 경쟁이 가속화되고 있다. 또한 노트북·태블릿·모니터 등 IT 기기에서 OLED 패널 채택이 빠르게 확대되면서, 관련 장비 수요가 사상 최대 수준으로 증가하고 있다. AP시스템은 이번 투자로 글로벌 고객사들의 증설에 맞춰 즉각 대응할 수 있는 생산 여력을 확보했다. AP시스템 관계자는 “이번 투자는 사업 안정성과 미래 성장 기반을 동시에 강화하기 위한 전략적 결정”이라며 “건실한 재무구조를 기반으로 고객사들의 투자 확대에 대응하고, OLED 및 반도체 장비 시장에서의 리더십을 더욱 공고히 하겠다”고 말했다. 1994년 설립된 AP시스템은 레이저 응용기술과 열처리 기술을 기반으로 디스플레이 및 반도체 장비 시장을 선도해왔다. 최근에는 HBM(고대역폭 메모리) 패키징 공정용 디본딩·다이싱 레이저 장비 개발을 통해 반도체 장비 사업 비중 확대에도 속도를 내고 있다.

2025.10.16 16:28장경윤 기자

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