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탄력 받는 메모리 3강 '1c D램' 투자…AI·HBM 시장 겨냥

주요 메모리 기업들이 1c(6세대 10나노급) D램 투자에 속도를 낸다. 삼성전자는 올 상반기부터 이미 양산라인 구축을 시작했으며, SK하이닉스는 최근 전환투자를 위한 구체적인 방안을 논의 중인 것으로 파악됐다. 마이크론 역시 이달 일본 정부로부터 1c D램 신설에 대한 보조금을 지급받았다. 21일 업계에 따르면 주요 메모리 기업들은 1c D램 양산을 위한 신규 및 전환투자에 집중하고 있다. 1c D램은 주요 메모리 기업들이 올 하반기 양산을 목표로 둔 차세대 D램이다. 삼성전자의 경우 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 선제적으로 1c D램을 채용하기로 했다. SK하이닉스·마이크론은 서버 등 범용 D램에서부터 1c D램을 활용할 계획이다. 삼성전자는 1c D램 생산능력 확대에 가장 공격적으로 나서고 있다. 현재 평택 제4캠퍼스(P4)에서 신규 1c D램 양산라인을 구축하고 있으며, 화성 17라인에서도 1c D램에 대한 전환 투자를 추진 중이다. 연말까지 확보할 생산능력은 최대 월 6만장으로 추산된다. SK하이닉스는 지난 7월 2025년 2분기 실적발표에서 "1c D램의 전환투자는 올 하반기부터 시작돼 내년 본격적으로 진행될 것"이라며 "현재 경영 계획을 수립하고 있어 추후 구체적인 계획이 확정되면 공유할 것"이라고 밝힌 바 있다. 업계에 따르면 해당 전환투자는 이천 M14 팹에서 진행될 가능성이 유력하다. M14는 기존 일부 낸드 라인을 D램 양산으로 용도를 변경해 온 팹이다. 현재 SK하이닉스는 이곳의 구형 D램 설비를 들어내고 1c D램 라인을 도입하는 방안을 논의 중인 것으로 알려졌다. 반도체 업계 관계자는 "1c 공정은 서버용 고부가 D램은 물론, HBM4E(7세대 HBM)에도 활용될 수 있어 SK하이닉스가 주목하고 있는 분야"라며 "아직 설비투자가 확정된 것은 아니나 내년 전공정 분야에 활발한 투자가 집행될 것으로 보고 있다"고 설명했다. 마이크론 역시 1c D램 투자에 속도를 낼 것으로 관측된다. 일본 경제산업성(METI)는 이달 중순 마이크론이 히로시마 지역에 신설 중인 D램 공장에 최대 5천360억엔(한화 약 4조7천억원)의 보조금을 지원한다고 발표했다. 해당 공장은 마이크론의 1γ(감마) 공정 양산을 주력으로 양산할 계획이다. 가동 목표 시기는 오는 2027년이다. 1γ는 국내 반도체 업계에서는 1c D램에 대응하는 공정으로, 마이크론 역시 HBM4E에 해당 공정을 채용할 것으로 예상된다.

2025.09.21 09:40장경윤

정부, 규제 혁신 통해 용인 반도체 클러스터 조성 앞당긴다

김민석 국무총리는 11일 오전 용인 반도체 클러스터 건설 현장을 찾아 반도체 기업인들과 현장 간담회를 갖고 공사현장 안전조치사항 등을 점검했다. 이날 현장에는 곽노정 SK하이닉스 대표, 윤종필 에코에너젠 대표, 유원양 티이엠씨 대표, 이재호 테스 대표, 김정회 한국반도체산업협회 부회장, 산업부 1차관, 국토부 1차관, 소방청 차장, 국무조정실 국무총리비서실장 등이 참석했다. 이번 현장 방문은 AI 산업 발전의 필수 요소인 반도체를 생산하는데 있어, 규제로 인해 기업에 부담을 주는 점은 없는지 업계 의견을 경청하고 합리적인 방안을 찾기 위해 마련됐다. 우선 소방관 진입창 설치기준이 합리화된다. 현행으로는 건물 종류와 무관하게 11층까지 진입창을 의무적으로 설치해야 하나, 층고가 높은 반도체 공장의 특성 고려해 사다리차가 닿지 않는 44m(6층) 초과 부분에는 진입창 설치를 면제하도록 했다. 수평거리에 따른 진입창 설치의무 기준도 기존 40m에서 유연하게 적용하기로 했다. 수직 배관통로에 층간 설치해야 했던 방화구획 기준은 배관통로 내부 소화설비 설치 등 효과적인 안전 담보방안을 마련하는 것으로 개선된다. 또한 기존에는 연간 20만MWh 이상 에너지 사용 사업자가 자체적으로 분산에너지 설비를 설치해야 했으나, 앞으로는 동일 산단에 의무설치량 이상의 발전설비 설치(예정 포함) 시 분산에너지 설치 의무 적용을 제외하기로 했다. 산업단지 내 임대사업 제한도 완화된다. 반도체 칩 제조기업이 직접 소부장 실증테스트를 지원하는 미니팹에 대해서는 소부장 기업들의 경쟁력 향상을 위해 공장설립 완료신고 까지 기다리지 않고, 미니팹을 임대할 수 있도록 '소부장특별법'상 특례를 적용하는 방안을 검토하고 있다. 금번 규제개선으로 ▲공장 건설기간 단축(2개월) ▲대규모 발전설비 미설치에 따른 추가 부지 확보 등으로 비용절감이 기대된다. 김 총리는 현장 간담회에서 “반도체는 AI 산업 발전의 쌀로 비유될 만큼 AI가 구현되는 모든 기기의 핵심 요소"라며 "2024년 기준 국내 총수출액의 20.8%를 차지할 만큼 우리 경제에서 중요한 역할을 차지하고 있다”고 밝혔다. 그는 이어 “용인 반도체 클러스터는 2047년까지 총 10기의 생산 팹 구축을 목표로 총 622조원이 투자되는 세계 최고·최대 규모의 반도체 단지"라며 "정부는 산업단지 개발과 기반시설 구축이 차질 없이 진행될 수 있도록, 나아가 우리 반도체 산업이 한 단계 더 도약할 수 있도록 필요한 지원을 계속하고 있다"고 강조했다.

2025.09.11 14:47장경윤

삼성전자, HBM4 '1C D램' 생산 확대...P4 설비·전환투자 속도

삼성전자가 차세대 HBM(고대역폭메모리) 시장 선점을 위한 1c(6세대 10나노급) D램 생산능력 확보에 주력하고 있다. 내년 상반기 평택 제4캠퍼스(P4)에 1c D램용 설비투자를 마무리하는 것은 물론, P3 등 기존 공장에서도 전환투자를 계획 중인 것으로 파악됐다. 11일 업계에 따르면 삼성전자는 내년 초부터 P4 마지막 양산라인에 대한 투자를 집행할 예정이다. P4는 삼성전자의 첨단 반도체 팹으로, 총 4개의 페이즈(ph)로 나뉜다. 낸드와 D램 양산을 병용하는 하이브리드 라인 ph1과 D램 양산 라인인 ph3는 설비투자가 완료됐다. 현재 ph4에도 D램 설비투자가 한창 진행되고 있다. 해당 라인은 모두 1c(6세대 10나노급) D램을 주력으로 양산한다. 1c D램은 삼성전자가 올 하반기 양산을 목표로 한 가장 최신 세대의 D램이다. 특히 삼성전자는 내년 본격적인 상용화를 앞둔 HBM4에 1c D램을 채택할 계획으로, 선제적인 생산능력 확보에 열을 올리고 있다. 남은 ph2는 이르면 올 연말이나 내년 초부터 클린룸 구축이 시작될 예정이다. 클린룸은 제조 라인 내 오염도·습도 등을 조절하는 인프라 시설로, 양산 설비를 도입하기 바로 직전 도입된다. 용도는 아직 확정되지 않았으나, 업계는 ph2 역시 D램 양산라인으로 구축될 것으로 보고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 HBM4 상용화를 대비해 1c D램의 생산능력 확대에 미리 나서고 있다"며 "낸드나 파운드리의 경우 생산능력을 확장할 만큼 확실한 수요가 없어, 투자 계획에서 밀리고 있는 것으로 안다"고 설명했다. 또한 삼성전자는 화성 17라인에도 1c D램에 대한 전환투자를 추진 중이다. 이를 고려한 삼성전자의 올해 1c D램 생산능력은 최대 월 6만장 수준에 도달할 것으로 관측된다. 나아가 내년 상반기에도 1c D램 생산능력은 지속 확대될 전망이다. P4의 마지막 양산라인에 대한 투자가 마무리되는 것은 물론, 기존 평택캠퍼스 내에서 1c D램에 대한 설비투자가 진행될 수 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "현재 삼성전자가 내년 P3 등에서 1c D램에 대한 전환투자를 진행하는 방안을 협력사들과 논의 중인 것으로 안다"며 "1c D램 및 HBM4의 수율 및 성능이 빠르게 안정화될수록 관련 설비투자에도 속도가 붙을 것"이라고 설명했다.

2025.09.11 14:18장경윤

SK하이닉스, 하반기 HBM용 TC본더 추가 발주 '잠잠'...왜?

SK하이닉스의 하반기 HBM 설비투자가 좀처럼 속도를 내지 못하고 있다. 최근까지 핵심 후공정 장비인 TC(열압착) 본더에 대한 발주 논의가 매우 소극적으로 진행되고 있는 것으로 파악됐다. 업계에서는 SK하이닉스가 올해 60대 이상의 TC 본더를 설치할 것이라는 기대감도 있었으나, 최대 40여대 수준에 그칠 가능성이 높아졌다. 8일 업계에 따르면 SK하이닉스는 HBM용 TC 본더 투자를 계획 대비 다소 늦출 것으로 전망된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 각 D램 사이에 미세한 범프(Bump)를 집어넣은 뒤, 열과 압착을 가해 연결하는 방식으로 제조되고 있다. 때문에 TC본더는 HBM 양산에 필수 장비로 꼽힌다. 현재 SK하이닉스는 주요 협력사인 한미반도체와 더불어 국내 한화세미텍, 싱가포르 ASMPT를 TC 본더 공급망으로 두고 있다. 지난 5월에는 한미반도체와 한화세미텍에 각각 TC 본더를 대량으로 발주한 바 있다. 이를 기반으로 한 SK하이닉스의 올 상반기 HBM용 TC 본더 총 주문량은 30대 이상으로 추산된다. 당초 업계는 SK하이닉스가 올 하반기에도 상당량의 TC 본더 발주를 진행할 것으로 예상해 왔다. SK하이닉스가 엔비디아용 HBM3E 공급을 본격화한 데 이어, 차세대 제품인 HBM4 상용화 준비에 매진하고 있어서다. 일각에서는 SK하이닉스의 올해 총 TC 본더 주문량이 60대를 넘어설 것이라는 기대감이 나오기도 했다. 다만 SK하이닉스는 올 3분기 말까지 TC 본더 투자 논의에 보수적인 입장을 취하고 있는 것으로 파악됐다. 4분기에 추가 발주가 진행될 수는 있으나, 올해 총 발주량은 40여대에 불과할 것이라는 게 업계 중론이다. 반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 작년 하반기에만 50여대의 장비를 발주했었고, 올해도 최소 비슷한 수준의 발주를 예상해 왔다"며 "그러나 현재 추가 발주를 위한 움직임이 전혀 없는 상황으로, 사실상 하반기에 셋업(Set-up)되는 장비가 매우 적을 것으로 보고 있다"고 설명했다. 주요 배경은 투자 효율성에 있다는 분석이 나온다. 현재 SK하이닉스는 기술력 축적을 통한 수율 상승으로 장비 당 생산 가능한 HBM 수량을 증대시키고 있다. 또한 HBM3E에 활용하던 장비를 일부 개조해, HBM4에 대응하는 방안을 추진 중인 것으로 알려졌다. 이 경우 추가 설비투자 없이도 첨단 HBM 생산능력을 점진적으로 늘려나가는 것이 가능해진다. 내년 출하량을 확정하지 못한 것도 영향을 미쳤을 것으로 풀이된다. 현재 SK하이닉스는 주요 고객사인 엔비디아와 내년 HBM 연간 공급량에 대한 협의를 꾸준히 진행 중이다. 내년 사업에 대한 불확실성이 남아있는 상황에서 섣불리 투자를 진행하기란 어렵다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 당초 계획 대비 TC 본더 발주 시점을 뒤로 미루고 있는 것으로 안다"며 "본격적인 추가 투자가 빨라야 연말에 구체화될 것이기 때문에, 본격적인 TC 본더 셋업은 내년에 진행될 전망"이라고 설명했다.

2025.09.08 14:36장경윤

삼성·SK, 차세대 HBM 상용화 총력…범용 D램 가격 상승 '압박'

삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 기업들이 차세대 HBM(고대역폭메모리) 상용화에 총력을 기울이고 있다. 이에 따라 범용 D램 생산능력 및 웨이퍼 투입량이 줄어들면서 가격 상승 압박을 받고 있다. 4일 업계에 따르면 올해 하반기 및 내년 초 범용 D램 가격은 당초 예상보다 상승할 것으로 전망된다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 메모리 기업들은 올해부터 엔비디아향 HBM4(6세대 HBM) 공급 준비에 집중하고 있다. 올 3분기 엔비디아가 HBM4 샘플을 대량으로 요청함에 따라, 두 회사 모두 HBM4 샘플 제작을 위한 웨이퍼 투입량을 늘리고 있는 것으로 파악됐다. 추산 규모는 월 1만~2만장 수준으로, 샘플인 점을 고려하면 매우 많은 양에 해당한다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리다. 현재 상용화된 HBM3E는 8단과 12단 적층으로 제작된다. 현재 샘플 단계에서 테스트가 진행 중인 HBM4 역시 12단이다. 다만 HBM4는 이전 세대 대비 I/O(입출력단자) 수가 2배 많고, D램 크기가 확대되는 등 기술적 진보가 많아 초기 수율 확보에 불리하다. 수율이 낮을 경우, 고객사 조건을 맞추기 위해선 웨이퍼 투입량을 더 늘릴 수밖에 없다. 반도체 업계 관계자는 "주요 메모리 기업들이 내년 엔비디아향 HBM 사업 확대를 위한 준비에 사활을 걸고 있다"며 "HBM에 투입되는 웨이퍼가 많아질수록 범용 D램 수급은 더 타이트해지고, 올 하반기와 내년 가격 인상을 부추길 수 있다"고 설명했다. 설비투자도 대부분 HBM에 집중되면서, 범용 D램 생산능력이 점차 줄어드는 추세다. 삼성전자는 HBM4에 탑재될 1c(6세대 10나노급) D램 생산능력을 올해 월 6만장까지 늘리기 위한 투자를 집행 중이다. SK하이닉스는 1b(5세대 10나노급) D램 생산능력 확대를 위한 전환투자를 꾸준히 진행해 왔다. 실제로 시장조사업체 옴디아는 최근 서버용 64GB(기가바이트) DDR5의 올 4분기 가격 전망치를 당초 255달러에서 276달러로 상향 조정했다. 모바일 8GB DDR5도 18.7달러에서 19.2달러, PC 16GB DDR5는 44.7달러에서 46.5달러로 높였다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 "설비투자가 사상 최고 수준임에도 웨이퍼 캐파는 HBM이 점점 더 많이 잠식하고 있어 레거시(성숙) D램은 구조적으로 제약을 받는다"며 "범용 D램의 수요가 증가해도 생산을 공격적으로 확대하지 못하는 구조적 불균형이 내년에도 재현될 수 있어, 시장이 급격한 가격 상승에 직면할 수 있다"고 밝혔다.

2025.09.04 13:23장경윤

中 8.6세대 IT OLED 투자 가속화…국내 장비업계 '단비'

BOE·비전옥스·CSOT 등 중국 기업들의 IT용 8.6세대 OLED 투자가 본격화되고 있다. 이르면 올 하반기부터 내년 관련 설비투자가 지속될 예정으로, 국내 디스플레이 장비업계도 수혜를 입을 것으로 기대된다. 2일 업계에 따르면 중국 주요 디스플레이 제조기업들은 내년 8.6세대 OLED 설비투자를 활발히 집행할 계획이다. 8.6세대 OLED는 디스플레이 유리원판(원장)의 크기가 2250㎜ X 2600㎜인 패널을 뜻한다. 기존 IT용 OLED 패널인 6세대 대비 유리원판의 크기가 2배 가량 크기 때문에 생산효율성이 높다는 장점이 있다. 때문에 BOE·비전옥스·CSOT 등 중국 주요 디스플레이 기업들이 모두 도입을 추진하고 있다. BOE의 경우 8.6세대 IT OLED에 내년까지 약 11조원을 투자할 계획이다. 생산능력은 월 3만2천장 수준으로, 이 중 절반 규모의 양산라인이 지난해 상반기부터 구축되기 시작했다. 나머지 절반에 대한 설비 발주는 올 하반기, 혹은 내년 초께 진행될 것으로 전망된다. 비전옥스도 2027년까지 8.6세대 IT OLED 양산라인에 11조원 가량을 투입한다. 월 3만2천장 규모의 총 투자 계획 중 4분의 1인 8천장 수준의 양산라인 투자가 이르면 연내 집행될 예정이다. 디스플레이 업계 관계자는 "비전옥스가 협력사 장비 선정은 대부분 마무리 지었으나, 실제 발주는 계속 지연되고 있는 상황"이라며 "구체적인 증착 공정 방식이 정해지는 대로 연내 투자 발주가 나올 전망"이라고 설명했다. CSOT는 업계 최초로 8.6세대 OLED에 첨단 디스플레이 증착 기술인 '잉크젯 프린팅(Inkjet Printing)'를 접목할 계획이다. 잉크젯 프린팅은 미세한 노즐로 유기재료를 용액 형태로 분사해 OLED 픽셀을 만든다. 원하는 픽셀에만 유기재료를 적정량 주입해 제조 효율성이 높고, 원장 기판의 크기가 큰 대면적 패널 제작에 유리하다. CSOT는 총 월 4만5천장 규모의 생산능력을 갖출 것으로 알려졌다. 초기 투자는 월 1만5천장 규모로 추산되며, 이르면 올 3분기 투자 계획이 발표돼 내년 하반기부터 장비 반입이 시작될 전망이다. 디스플레이 업계 관계자는 "중국 주요 디스플레이 기업들의 8.6세대 OLED 투자 발표에 따라 내년 국내 장비업체들도 올해 및 내년 본격적인 대응에 나설 것"이라며 "투자 규모가 적지 않은 만큼 긍정적인 효과를 기대하고 있다"고 말했다.

2025.09.02 13:56장경윤

中 낸드 기업도 D램·HBM 시장 넘본다…기술력 좌시 못해

중국 반도체 업계의 HBM(고대역폭메모리) 개발 의지와 추격이 거세다. 현지 주요 낸드 업체인 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)도 D램에 대한 연구개발은 물론, 현지 주요 D램 제조업체와의 협력을 도모하고 있는 것으로 알려졌다. 1일 업계에 따르면 YMTC는 이르면 올 연말 D램 연구개발용 설비투자를 진행할 계획이다. YMTC는 중국 우한에 본사를 둔 현지 최대 낸드 제조업체다. 아직 D램 제품을 상용화한 사례는 발견되지 않았으나, 관련 기술력을 지속적으로 쌓아온 것으로 알려졌다. 특히 YMTC는 HBM 분야에도 깊은 관심을 두고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리로, AI 데이터센터의 필수 요소 중 하나로 꼽힌다. 반도체 업계 관계자는 "YMTC가 일부 협력사들을 대상으로 HBM을 위한 D램 연구개발(R&D)용 설비를 발주하는 방안을 논의 중"이라며 "이르면 올 연말에 구체화될 것으로 전망된다"고 밝혔다. YMTC의 HBM용 D램 개발은 단순히 개별 기업만의 의지는 아니다. 현재 YMTC는 현지의 또다른 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)와 HBM 개발에 협력 중인 것으로 파악된다. CXMT는 중국 최대 D램 제조업체로, 현재 HBM2(3세대 HBM)까지 양산에 성공했다. 반도체 전문 조사기관 테크인사이츠의 최정동 수석부사장은 지디넷코리아에 "YMTC가 CXMT와 D램 및 HBM 개발을 위해 협력하고 있는 것으로 안다"며 "특히 CXMT가 D램을 제공하고, YMTC가 차세대 HBM에 적용될 가능성이 높은 하이브리드 본딩 기술을 공급하는 방안이 시도되고 있다"고 설명했다. 하이브리드 본딩은 각 칩의 구리 배선을 직접 접합하는 기술이다. 기존 칩 연결에 필요한 범프를 쓰지 않아, HBM의 패키지 두께를 줄이고 성능 및 방열 특성을 개선하는 데 유리하다. YTMC는 약 5년 전 하이브리드 본딩 기술을 낸드 제조에 선제적으로 도입한 바 있다. 셀(데이터를 저장하는 소자)과 페리(셀을 구동하는 회로)을 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤, 이를 하나로 합친 구조다. HBM에서는 D램을 최소 16개 접합해야 하므로 기술적 난이도가 비교적 훨씬 높지만, 하이브리드 본딩 자체에 대한 이해도가 높다는 점에서 기술력을 좌시할 수만은 없다는 평가가 나온다.

2025.09.01 16:00장경윤

삼성·SK, 美 반도체 추가 투자는?…신중 기조 유지

25일(현지시간) 열린 한미 정상회담을 계기로 양국의 반도체 공급망 협력이 어떠한 방향로 전개될 지 귀추가 주목된다. 이날 삼성전자, SK하이닉스 등은 대미 투자 확대에 대한 구체적인 계획을 밝히지 않았으나, 현지 팹 구축에 적극 나서고 있다. HBM(고대역폭메모리) 등 고부가 메모리의 핵심 고객사인 엔비디아와의 협력 강화도 기대되는 대목이다. 이날 정상회담 직후 열린 비즈니스 라운드테이블에서는 이재용 삼성전자 회장, 최태원 SK 회장이 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 만나 이야기를 나누는 여러 장면이 포착됐다. 이날 워싱턴 D.C. 소재 윌러드 호텔에서는 한미 양국 대표 경제인과 정부 인사가 참석한 '한미 비즈니스 라운드테이블: 제조업 르네상스 파트너십'이 개최됐다. 양국 주요 인사들은 AI·반도체·바이오 등 첨단 산업은 물론 제철·자동차·조선·원자력 등 주요 산업에 대해서도 폭넓은 논의를 이어간 것으로 알려졌다. 한국 기업들이 계획한 대미 투자 규모는 약 1천500억 달러(약 208조7000억원)에 이른다. 특히 삼성전자·SK하이닉스의 대미 투자 향방이 주요 관심사로 거론돼 왔다. 현재 미국은 반도체 공급망 강화를 위해, 반도체 및 과학법(칩스법)을 토대로 자국 내 투자 기업들에게 보조금을 지급하고 있다. 또 트럼프 행정부에 들어서는 높은 관세율을 내세워 추가 투자를 종용하고 있다. 최근에는 미국 정부가 현지 반도체 기업 인텔에 89억 달러를 투자해, 9.9%의 지분을 확보하고 1대 주주 자리에 올라서기도 했다. 이에 국내 반도체 기업들도 미국 내 투자 확대에 대한 압박을 받아 왔다. 다만 이번 한미 정상회담과 비즈니스 라운드테이블에서 이들 기업의 구체적인 추가 투자 계획은 발표되지 않았다. 확실한 수요가 담보되지 않은 상황에서 선제적인 투자 발표에 신중할 수밖에 없다는 관측이 제기된다. 현재 삼성전자는 총 370억 달러를 들여 미국 텍사스주에 2나노미터(nm) 등 최첨단 파운드리 팹을 구축하고 있다. 현재 1공장에 대한 투자가 활발히 진행되고 있는 상황으로, 연내 본격적인 설비투자가 시작된다. SK하이닉스도 인디애나주에 38억7천만 달러를 들여 첨단 패키징 생산능력을 확충하기로 했다. 연내 착공이 진행될 예정이다. 물론 양국간 회담이 별다른 문제 없이 마무리됐고, 공급망에 대한 주요 기업들 간의 협업이 갈수록 중요해지고 있다는 점에서 향후 투자 확대의 가능성은 여전히 열려있다는 평가가 나온다. 특히 삼성전자는 미국 내 최첨단 패키징 생산능력을 아직 구비하지 않은 상태다. 지난달 테슬라로부터 수주한 2나노 기반 칩은 최첨단 패키징이 요구되지는 않지만, 향후 협력 확대 및 글로벌 빅테크 추가 확보를 위해서는 최첨단 패키징에 대한 투자가 필요하다.

2025.08.26 13:43장경윤

AI가속기 붐에 CCL 몸값 '고공행진'…두산 전자BG, 설비투자 확대

글로벌 빅테크의 자체 AI 가속기 개발이 가속화되면서, 핵심 부품인 CCL(동반적층판)의 수요도 증가할 전망이다. 이에 맞춰 두산도 고부가 CCL 시장 선점을 위한 설비투자에 적극 나서고 있다. 22일 업계에 따르면 두산 전자BG는 올해 CCL용 설비투자에 전년 대비 2배 이상 증가한 864억원을 투입할 예정이다. CCL은 반도체 PCB(인쇄회로기판)의 핵심 소재로, 수지·유리섬유·충진재·기타 화학물질로 구성된 절연층에 동박을 적층해 만들어진다. 현재 반도체 패키징·전자기기·통신 등 다양한 산업에 쓰이고 있다. 특히 CCL은 AI 반도체 산업에서 주목받는 추세다. 엔비디아·AMD 등 거대 팹리스와 구글·AWS·메타 등 CSP(클라우드서비스제공자) 기업들이 AI 반도체 개발 경쟁을 치열하게 벌인 덕분이다. AI 반도체가 방대한 양의 데이터를 처리해야 하는 만큼, CCL도 더 뛰어난 고주파·고속·저손실을 갖춘 제품이 필요하다. 두산 전자BG의 경우 지난 2023년부터 엔비디아에 납품을 시작해, 지난해 'B100' 등 주요 제품의 핵심 공급망으로 자리잡는 등의 성과를 거뒀다. 나아가 엔비디아의 차세대 AI 가속기인 '루빈' 칩에서도 상당한 공급 비중을 차지할 수 있을 것으로 관측된다. 덕분에 두산 전자BG의 CCL 가격은 꾸준히 상승하고 있다. 정기보고서에 따르면 이 회사의 CCL 평균판매가격은 2023년 4만7천308원에서 지난해 5만1천22원으로 7% 이상 상승했다. 올해 상반기는 5만8천794원으로 전년 연간평균 대비 15%가량 상승했다. 부품 업계 관계자는 "엔비디아 루빈 칩의 경우 대만 EMC도 컴퓨팅 트레이(GPU 연결 기판)용 CCL 공급망에 진입할 예정이나, 두산도 점유율 방어를 위해 만전을 기울이는 중"이라며 "나아가 두산은 아마존 등 다른 빅테크 기업들에게도 CCL을 공급하기 위한 준비에 나서고 있다"고 설명했다. 이에 따라 두산 전자BG는 올해 CCL 생산능력 확대에 적극 나설 계획이다. 이 회사가 CCL에 집행한 연간 설비투자 규모는 2023년 418억원, 지난해 386억원 수준이다. 올해에는 이를 864억원으로 대폭 늘릴 예정이다.

2025.08.22 10:17장경윤

삼성·SK, 하반기도 낸드 투자에 보수적…장비 업계 '한숨'

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업들이 올 하반기에도 첨단 낸드에 대한 투자 속도를 늦추고 있다. 수요에 대한 불확실성이 높고, D램 및 패키징 분야에 투자가 집중되는 상황에서 투자에 대한 부담이 높은 것으로 풀이된다. 국내 장비업체들도 국내 업황을 보수적으로 전망하는 추세다. 20일 업계에 따르면 국내 주요 반도체 기업들은 첨단 낸드에 대한 설비투자 계획을 지연 또는 축소하고 있다. 삼성전자는 올해 초부터 평택 P1팹과 시안 낸드 팹의 전환투자를 진행하고 있다. 이들 팹에서 양산되던 6·7세대 낸드를 8·9세대로 전환하는 것이 주 골자다. 전환투자는 설비를 전면 새로 들이는 신규 투자 대비 투자 비용이 적고, 기존 설비를 일정 부분 개조해 활용할 수 있어 효율성이 높다. 다만 최근 들어 최첨단 낸드에 대한 전환 투자 속도가 줄어드는 추세다. P1의 경우 8세대 낸드 전환은 계획대로 진행되고 있으나, 이르면 올 2분기부터 시작될 예정이었던 9세대 낸드에 대한 전환 투자는 지연되고 있는 것으로 알려졌다. 시안 팹도 상황은 비슷하다. 8세대 전환이 이뤄지는 X1 라인은 투자가 마무리 단계에 접어들었으나, 9세대 전환이 이뤄지는 X2 라인은 올 3분기 월 5천장 규모의 투자만 집행할 계획이다. 월 5천장은 메모리 제품 양산을 위한 사실상 최소한의 단위에 해당한다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자는 내년 1분기까지 X2 라인에서 V6 등 구세대 낸드를 지속 양산할 계획으로, 9세대 전환이 본격화되는 시점은 적어도 내년 중반이 될 것"이라며 "첨단 낸드에 대한 수요가 부진하기 때문"이라고 설명했다. 차세대 낸드 및 기술에 대한 투자도 보수적인 기조가 지속되고 있다. 당초 삼성전자는 시안 X2 라인에서 V9 낸드에 하이브리드 본딩을 선제 적용해보는 방안을 검토했으나, 최근 이를 백지화했다. 하이브리드 본딩은 기존 칩 연결에 필요한 범프(Bump) 없이, 칩을 직접 붙여 성능과 방열 특성을 높이는 기술이다. 삼성전자의 경우 400단 이상의 10세대(V10) 낸드부터 양산에 적용할 계획이다. V10 양산 투자 시점은 빨라야 내년 중반으로 관측된다. SK하이닉스 역시 현재 투자의 대부분을 최첨단 D램 및 HBM(고대역폭메모리)에 집중하고 있다. 삼성전자 대비 V10 낸드에 대한 개발 속도도 느리기 때문에, 당장의 신규 투자를 기대하기 힘든 상황이다. 이와 관련 SK하이닉스는 지난달 열린 2025년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "낸드는 전방 수요 상황과 연계해 신중한 투자 기조 및 수익성 중심 운영을 유지할 계획"이라고 밝힌 바 있다.

2025.08.20 14:07장경윤

中 투자 감소·수출 규제 여파…반도체 장비社도 골머리

미국 어플라이드머티어리얼즈(AMAT), 일본 도쿄일렉트론(TEL) 등 주요 반도체 장비기업의 중국향 매출이 감소할 전망이다. 중국 반도체 기업들의 투자 규모 축소, 수출 규제에 따른 여파 등 다양한 요인이 영향을 미치고 있는 것으로 알려졌다. 국내 기업들도 일부 영향을 받을 것으로 관측된다. 18일 업계에 따르면 주요 반도체 장비업계는 중국 내 수요 감소, 수출 규제 영향 등으로 향후 전망에 대한 불확실성이 높아지고 있다. AMAT는 전 세계 반도체 장비기업 중 매출 규모가 가장 크다. 지난 7월 27일로 종료된 회계연도 2025년 3분기 매출은 73억2천만 달러로, 전년동기 대비 8% 증가했다. 다만 4분기 매출 전망치는 평균 67억 달러로, 증권가 예상치인 73억3천만 달러를 크게 밑돌았다. 회사는 중국 시장의 매출 감소를 주 요인으로 꼽았다. 3분기 전체 매출에서 중국이 차지하는 비중은 35%에 달하지만, 4분기에는 이 비중이 29%까지 줄어들 전망이다. 게리 딕커슨 AMAT 최고경영자(CEO)는 "중국이 지난 2년간 매우 많은 장비를 사들였고, 이를 소화하는 시기가 필요하기 때문에 올해 매출은 줄어들 것으로 예상한다"며 "올해 중국 매출은 전년 대비 약 15~20% 감소할 것으로 보고 있고, 향후 몇 분기간 이러한 수준이 유지될 것"이라고 설명했다. 또한 AMAT는 중국향 수출 승인이 대기 중인 건들이 "다수 쌓여 있다"고 표현했다. 현재 미국은 자국 내 반도체 장비 기업들의 첨단 메모리·시스템반도체 양산용 장비가 중국에 수출될 경우 개별 허가를 받도록 규제하고 있다. 이에 AMAT는 매출 전망치를 제시할 때 중국 수출 승인을 대기 중인 물량을 모두 제외한 것으로 알려졌다. 일본 주요 반도체 장비업체 TEL도 회계연도 2026년(2026년 3월 말 종료) 전체 전공정 장비 시장 성장률을 -5%로 예상했다. 주요 원인으로는 일부 선단 시스템반도체 고객사들의 설비투자(Capex) 계획 재조정, 신흥 중국 반도체 제조기업들의 레거시(성숙) 공정 관련 투자 축소, 낸드 부문의 투자 계획 조정 등을 제시했다. 회사는 향후 중국 반도체 기업들의 투자 전망에 대해서도 "현재 새로운 투자 계획은 보이지 않는다"며 "일반적으로 반도체 기업은 수율 개선 및 장비 가동률 상승, 이에 따른 매출 증가 등의 경향이 있으나 지금까지는 그런 징후가 나타나지 않고 있다"고 설명했다. 반도체 장비업계 관계자는 "국내 기업들도 중국 내 반도체 기업들의 공격적인 투자로 최근 1~2년간 매출 비중을 확대한 사례가 꽤 많다"며 "다만 중국 내에서 반도체 장비 공급망 자립화가 적극적으로 이뤄지고 있고, 이전만큼 생산능력을 적극 확장하기도 힘들어 효과는 감소하게 될 것"이라고 말했다.

2025.08.18 14:29장경윤

SK하이닉스 미래 성장성, HBM4 가격협상·수익 방어에 달렸다

SK하이닉스가 올 2분기 역대 최대 실적을 기록한 가운데, 미래 AI 메모리 수요 대응을 위한 제품 개발·설비투자에 적극 나선다. 특히 내년에도 HBM(고대역폭메모리) 시장 우위를 지속하기 위한 준비에 주력한다는 계획이다. 관건은 수익성 방어다. 차세대 제품인 HBM4는 제조비용 상승, 후발주자와의 경쟁 심화 등으로 내년 견조한 공급량 및 가격 확보가 쉽지 않을 것으로 전망된다. 다만 SK하이닉스는 HBM 공급 과잉 및 수익성 악화 등 대내외적인 우려에 대해 "HBM4는 원가 상승을 고려한 가격 정책을 최대한 반영할 수 있도록 하고 있다. 현재의 수익성을 유지하는 선에서 최적의 가격 수준을 형성하고자 한다"며 적극적인 대응을 시사했다. SK하이닉스는 지난 2분기 매출액 22조2천320억원, 영업이익 9조2천129억원(영업이익률 41%), 순이익 6조9천962억원(순이익률 31%)을 기록했다고 24일 밝혔다. 이번 실적은 역대 최대 분기 실적에 해당한다. 매출은 전년동기 대비 35%, 전분기 대비 26% 증가했다. 영업이익은 전년동기 대비 68%, 전분기 대비 24% 증가했다. SK하이닉스의 호실적은 당초 예상을 웃도는 D램·낸드 출하량 덕분이다. 또한 고부가 제품인 HBM3E 12단의 본격적인 판매 확대도 영향을 미쳤다. 하반기 역시 급격한 수요 감소 가능성은 낮을 것으로 내다봤다. 차세대 제품 개발·설비투자 확대로 미래 수요 대응 이에 맞춰 SK하이닉스는 AI 메모리 시장 선점을 위한 차세대 제품 개발에 주력하고 있다. 서버용 LPDDR 기반 최신형 모듈인 'SoCAMM(소캠)'의 공급을 연내 시작하며, AI GPU용 GDDR7은 용량을 24Gb(기가비트)로 확대한 제품을 준비한다. 낸드는 수요에 맞춘 신중한 투자 기조를 유지하나, 향후 시황 개선에 대비한 제품 개발을 지속 추진한다. 특히 QLC 기반 고용량 기업용 SSD(eSSD) 판매 확대와 321단 낸드 기반 제품 포트폴리오 구축을 통해 시장 경쟁력을 강화해 나갈 계획이다. 또한 HBM3E의 제품 성능과 양산 능력을 바탕으로, HBM 매출을 전년 대비 약 2배로 성장시키겠다는 기존 계획을 유지했다. HBM4 역시 고객 요구 시점에 맞춰 적기 공급이 가능하도록 준비해 업계 최고 수준 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획이다. 올해 설비투자 규모는 당초 계획 대비 확대될 전망이다. 특히 올해 말까지 구축 예정인 M15X는 내년부터 SK하이닉스의 HBM 생산에 크게 기여할 것으로 관측된다. SK하이닉스는 “내년 HBM 공급 가시성이 확보되면서 적기 대응을 위한 선제적 투자를 결정했다”며 “올해 투자 규모는 기존 계획 대비 증가하며, 대부분 HBM 장비 투자에 활용할 계획”이라고 밝혔다. 차세대 D램인 1c(6세대 10나노급) D램 전환투자도 올 하반기 시작된다. 본격적인 램프 업은 내년에 진행될 예정으로, 현재 구체적인 계획을 수립하는 중이다. 내년 HBM 사업 불확실성에도…'수익성 고수' 자신 다만 업계는 SK하이닉스의 내년 메모리 사업에 대한 불확실성을 우려해 왔다. 주요 고객사인 엔비디아와 HBM4 등 차세대 제품에 대한 공급 협의가 당초 예상보다 길어지고 있고, 삼성전자·마이크론 등 후발주자 진입에 따른 HBM 경쟁 과열이 예상된다는 시각에서다. 특히 SK하이닉스는 HBM4 사업에서 수익성 하락 압박을 받고 있다. HBM4는 이전 세대 대비 I/O(입출력단자) 수 증가, 코어 다이 면적 증가, 베이스 다이의 TSMC 외주화 등으로 제조 비용이 크게 상승할 전망이다. SK하이닉스가 이를 HBM4 판매 가격에 온전히 반영하지 못할 경우, 견조한 이익을 거두기 힘들다. 이를 위해선 HBM4의 Gb(기가바이트)당 판매 가격이 이전 세대 대비 20~30%가량 증가해야 한다는 것이 업계의 분석이다. SK하이닉스는 이에 대해 "내년 HBM 고객사와의 협의는 계획대로 진행되고 있고, 고객사 프로젝트 다앙성이 증가하며 제품 믹스와 가격 등을 긴밀히 협의하고 있다"며 "HBM4는 원가 상승을 고려한 가격 정책을 최대한 반영할 수 있도록 하고 있다. 현재의 수익성을 유지하는 선에서 최적의 가격 수준을 형성하고자 한다"고 강조했다. 내년 주요 경쟁사와의 경쟁에 대해서도 자신감을 드러냈다. SK하이닉스는 "HBM은 리딩 사업자가 일정한 협상력을 가질 수 있는 시장으로 변모했다고 판단한다"며 "SK하이닉스의 고객 지향적인 마인드와 이를 뒷받침하는 탄탄한 조직 팀워크 등 소프트한 경쟁력 요소들은 남들이 쉽게 카피할 수 없을 것"이라고 밝혔다.

2025.07.24 12:13장경윤

SK하이닉스, 올 하반기 차세대 '1c D램' 전환투자 개시

SK하이닉스가 차세대 D램에 대한 전환투자를 올 하반기부터 시작해 내년 본격화할 계획이다. SK하이닉스는 24일 2025년 2분기 실적발표를 통해 1c(6세대 10나노급) D램의 전환투자를 올 하반기부터 진행한다고 밝혔다. 1c D램은 현재 상용화된 가장 최신 세대의 D램인 1b D램의 차세대 제품이다. 앞서 SK하이닉스는 지난해 세계 최초로 1c 공정 기반의 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 밝힌 바 있다. 당시 SK하이닉스는 "이미 입증된 1b D램 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술 한계를 돌파해 냈다”며 “2024년 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것”이라고 강조했다. 다만 SK하이닉스의 이 같은 계획은 당초 예상 대비 지연돼 왔다. SK하이닉스가 올해 출시를 목표로 한 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에서도 이전 세대와 같은 1b D램 채용을 유지하는 등 1c D램에 대한 수요가 크지 않았기 때문이다. 그러나 올 하반기부터는 1c D램의 양산 준비가 구체화될 것으로 전망된다. SK하이닉스는 "1c D램의 전환투자는 올 하반기부터 시작돼 내년 본격적으로 진행될 것"이라며 "현재 경영 계획을 수립하고 있어 추후 구체적인 계획이 확정되면 공유할 것"이라고 밝혔다.

2025.07.24 10:04장경윤

산업부, 올해 반도체 등 첨단전략산업 투자지원금 1300억원 집행

정부가 반도체 등 국가첨단전략산업 분야 공급망 안정품목이나 전략물자를 생산하는 중소·중견기업을 대상으로 올해 1천300억원(국비 700억원)의 지원예산을 배정, 국내 투자분의 30~50%를 지원한다. 산업통상자원부는 23일 이같은 내용을 담은 '국가첨단전략산업 소부장 중소·중견기업 투자지원' 사업을 공고한다. 산업부는 올해 국가첨단전략산업 투자지원사업을 올해 신설, 경제안보와 직결되는 반도체 등 첨단산업의 기술고도화와 안정적 공급망 구축을 추진한다는 방침이다. 국비 지원 한도는 한 건당 150억원, 기업당 200억원이다. 산업부는 기업의 올해 투자 규모를 감안하면 약 30개 기업에 지원이 가능할 것으로 예상했다. 산업부 관계자는 “이번 지원으로 에피텍셜 증착장비, 네온 등 희귀가스, 실리콘웨이퍼 등 경제 안보 품목의 해외의존도가 낮아지면서 첨단산업 경쟁력이 강화되고 공급망도 안정화될 것”으로 기대했다. 투자지원금은 다른 보조사업과 달리 건축물 신·증설 없이 설비투자만 시행하는 경우에도 지원 가능하다. 또 기업 설비투자가 '입지 확보 → 건축물 건설 → 장비 등 시설구축'으로 구분되는 점을 고려해 현재 진행 중인 투자의 경우 단계별로 분할해 지원금을 신청할 수 있도록 했다. 투자지원금 지원을 원하는 기업은 e나라도움 누리집에서 9월 12일 16시까지 투자 계획을 접수하면 된다. 사업 전담기관인 한국산업기술진흥원(KIAT)은 해당 투자 계획이 투자지원금 지원 대상에 해당하는지 여부를 검토한 후 현장 실사 등을 통해 투자 계획 이행 여부를 확인할 계획이다. 최종 지원 대상은 국가첨단전략산업위원회에서 결정한다. 산업부는 국내 기업의 첨단산업 분야 경쟁력 강화와 공급망 리스크를 관리하기 위해 투자지원금 지속 지원과 추가지원방안 등을 재정당국과 협의해 나갈 계획이다.

2025.07.22 11:16주문정

日, 반도체 패키징 경쟁력 확보 시동…30여개 기업 손 잡았다

일본 OSAT(반도체외주패키징테스트) 기업들이 시장 경쟁력 강화를 위해 뜻을 모았다. 데이터 공유, 보조금 확보 등을 공동으로 추진해 반도체 패키징 시장의 경쟁력을 빠르게 끌어 올리겠다는 전략이다. 11일 닛케이아시아는 일본 후공정 업계 최초로 결성된 'J-OSAT' 연합회에 약 30여개의 기업이 참여하고 있다고 보도했다. OSAT는 반도체 후공정을 담당하는 기업이다. 종합반도체기업(IDM), 파운드리 등이 전공정 처리를 끝낸 반도체를 수주받아 패키징, 테스트 등을 대신 수행해주는 업무를 맡고 있다. 후공정은 반도체 업계에서 점차 중요성이 높아지는 추세다. 기존 업계는 전공정 영역에서 회로의 선폭을 줄여 반도체 성능을 끌여 올렸으나, 선폭이 10나노미터(nm) 이하까지 좁아지면서 기술적 진보에 많은 어려움을 겪어 왔다. 후공정은 이를 대신해 칩 성능을 높일 기술로 각광받고 있다. 2.5D나 3D 패키징, 칩렛 등 최첨단 패키징이 대표적인 사례다. 다만 OSAT 업계는 미국 앰코(Amkor), 중국 JCET, 대만 ASE 3개 기업이 사실상 시장을 주도하고 있다. 일본 기업은 상위 10대 기업 중 한 곳도 없다. 이에 일본 산업계는 지난 4월 J-OSAT 협회를 결성하고, 약 30여개 회원사와 본격적인 협업을 추진하기 시작했다. 닛케아시아는 "J-OSAT 설립 이전에는 정보 공유의 장이 없어, 관련 기업의 80%가 중소기업인 일본 후공정 업계에 대한 기본적인 정보가 알려지지 않았다"며 "이제 일본 후공정 생산능력이 월 11억 대를 넘는다는 것이 명확해졌고, 공급량의 40%는 자동차, 40%는 기계산업, 20%는 소비재 부문이 차지하고 있다"고 설명했다. J-OSAT는 자동화, 생산 데이터 공유, 인력 개발 등 총 5개 분야에 초점을 맞춰 활동을 펼칠 계획이다. 또한 고성능 장비 교체를 위해 일본 정부에 보조금을 요청하는 방안도 고려하고 있다. J-OSAT의 초대 회장인 마코토 스미타는 "반도체 전공정에는 약 1조엔(한화 약 9조3천억원)의 투자가 필요하지만, 후공정에는 100억엔 혹은 200억엔으로도 많은 것을 할 수 있다"며 "일본 기업들이 최첨단 장비를 도입하면 생산비용을 20%까지 절감할 수 있다"고 말했다.

2025.07.12 14:52장경윤

"韓 반도체, 공급 역량 확충에 사활 걸어야"

국내 반도체 산업이 기회와 위기를 동시에 맞고 있다. AI·데이터센터 투자로 첨단 메모리 및 파운드리 수요가 급증할 것으로 보이지만, 미국·중국의 적극적인 투자 속 경쟁력을 잃을 수 있다는 우려도 제기된다. 실제로 국내 기업의 투자비용 대비 정부 지원 비율은 5.25%로, 미국(27.5%) 대비 5분의 1 수준에 불과한 것으로 집계됐다. 또한 중국 주요 파운드리의 경우 매출 대비 시설투자액 비율이 98%로, 20~40% 수준인 삼성전자·SK하이닉스를 크게 앞선 것으로 나타났다. 9일 산업연구원(KIET)은 '반도체 글로벌 지형 변화 전망과 정책 시사점' 보고서를 통해 "반도체 패권 경쟁 승리를 위해 향후 5년간 우리 민관의 역량을 적지 집중 투입해야 한다"고 밝혔다. 中 메모리·파운드리 추격…SMIC, 매출 대비 시설투자액 98% 달해 반도체 시장은 향후 5년간 AI·데이터센터 산업 발전에 따라 급격한 성장세를 나타낼 전망이다. 맥킨지에 따르면, 데이터센터향 반도체 시장 규모는 올해 최소 718조원에서 2030년 3천892억원까지 증가할 것으로 예상된다. 이에 따라 첨단 파운드리 공정도 초과 수요에 직면할 가능성이 높다. 경희권 연구위원은 "삼성바이오로직스가 장기간 빅파마 발주 가뭄 상황을 버티다 COVID-19 사태 당시 백신 품귀로 일약 동북아의 핵심 공급 파트너로 부상한 것처럼, 오랜 시간 수주의 구조적 불리함 속에 고군분투해 왔던 우리 파운드리에 짧지만 강력한 기회의 창(Windows)이 열린 상황일 수 있다"고 평가했다. 다만 중국의 레거시 메모리 및 파운드리 산업 추격은 국내 반도체 산업에 대한 실존적인 위협으로 다가오고 있다. 일례로 지난 2021년 낸드 시장 점유율이 2.7%에 불과했던 양쯔메모리(YMTC)의 2024년 점유율은 9%에 육박했다. 전년비 매출액 증가율은 160%다. 이준 선임연구위원은 "2022~2024년 기간 중국 집성전로기금 등 정부 지원에 힘입어 국적 파운드리 기업 SMIC의 매출 대비 시설투자액 비율은 98%(삼성전자·SK하이닉스 20~40% 선)를 기록했다"며 “과거 미국·일본·대만과 우리 경험을 바탕으로 중국 메모리·파운드리 기업들의 추격 속도를 상정하는 것은 매우 위험한 일”이라 강조했다. 美 기업도 비용 구조 개선 전망…"韓도 적기 공급 역량 확보에 사활 걸어야" 미국이 추진하고 있는 자국 내 반도체 공급망 강화 정책도 주요 변수 중 하나다. 미국은 지난 4일 '하나의 크고 아름다운 법', 이른바 트럼프 감세법을 발효했다. 덕분에 인텔 등 한 해 연구개발비를 20조 원 이상 지출하는 기업들은 국내·적격 연구개발(R&D) 지출 즉시 비용 처리가 영구화된다. 뿐만 아니라 시설투자(장비·기계·SW 등) 비용 100% 당해 과세연도 즉시 비용 처리 역시 영구화된다. 5년 기간 한정은 있지만, 신규 제조 시설 건물·공장 투자액까지 100% 비용 처리된다. 경희권 연구위원은 이번 법안으로 인텔·마이크론의 비용 구조가 급진적으로 개선될 가능성이 있다고 내다봤다. 그는 "인텔의 2022~2024년 기간 연구개발 지출 총액은 거의 700억 달러(96조 원)로, 칩스법의 투자세액공제와 직접보조금 외에 거액의 별도 세액공제 수혜 가능성이 있다”고 설명했다. 실제로 지난해 12월 제출된 반도체특별위원회 보고서에 따르면, 투자비용 대비 정부 지원 비율은 우리나라가 5.25%로 미국(27.5%), 일본(54.0%), EU(30.0%)에 비해 현저히 낮은 것으로 나타났다. 국내 반도체 산업 발전을 위한 과감한 지원 정책이 필요함을 보여주는 대목이다. 경희권 연구위원은 "초과 수요로 인한 기회의 창은 길지 않다"며 "적기 공급 역량 확충을 위한 반도체특별법 합의안 도출과 통과, 그리고 토지·전력·용수 등 인프라 적시 공급 체계 확립이 매우 시급하다"고 말했다. 이준 선임연구위원은 "국가기간전력망확충특별법을 적극 활용하고, 새 정부의 AI 정책자금 역시 우리 인공지능 반도체와 양산 주력 기업에 조달 정책 형태로 투입하는 방안도 고려할 수 있다"며 "민관의 총력전이 진행 중인 21세기의 오늘, 우리 정부와 기업, 수많은 이해관계자들의 중지(衆志)를 모아 다시금 도약의 시대를 열어야 한다"고 강조했다.

2025.07.09 11:30장경윤

SFA, HBM 제조라인에 스마트 물류시스템 공급

국내 종합장비회사 에스에프에이는 국내 고객사의 HBM 제조라인에 스마트 물류시스템을 공급한다고 7일 밝혔다. 에스에프에이는 그간 국내외 고객사의 반도체 제조라인에 OHT(Overhead Hoist Transport) 시스템과 스탁커(Stocker) 및 리프터(Lifter) 등 스마트 물류시스템 전반을 공급해 왔다. 나아가 이번 수주로 급격하게 설비투자가 확장되고 있는 HBM 분야로도 사업을 확장하게 됐다. 에스에프에이 관계자는 "경쟁사 대비 약 40% 저감된 진동 스펙 달성을 통해 반도체 품질의 안정성을 확보했다"며 "웨이퍼 이송 효율 제고를 위한 최적경로 선정 스마트 기술 및 무중단을 구현하는 예지정비(PdM) 솔루션 등의 적용을 통해 확보한 OHT 시스템의 차별화된 경쟁력을 인정받았기 때문에 가능했다"고 설명했다. 관계자는 이어 "이와 같은 차별화된 기술경쟁력을 기반으로 해외 제조장비업체가 전통적으로 상대적 경쟁우위를 가지고 있던 반도체 물류시스템 제조장비 시장을 본격적으로 공략해 나갈 계획"이라고 덧붙였다. 한편 에스에프에이는 반도체사업의 중장기 성장 기반을 더욱 확고하게 다지기 위해 첨단 패키징 관련 제조장비 개발에 집중하고 있다. 대표적으로 HBM 관련 정밀 패턴 인쇄를 위한 비접촉 3D 배선장비, 유리기판 패키징 관련 TGV·싱귤레이션·진공 라미네이터 등이 있다. 또한 HBM 및 유리기판 PKG 모두에 적용가능한 최첨단 검사·측정 장비군도 개발하고 있다. 인-라인 3D CT장비, FIB-SEM장비, 백색광 간섭계 측정장비 등이 대표적인 사례다. 특히 유리기판 패키징의 경우, 유리기판 제조공정에서의 크랙(crack)이 양산 수율에 지대한 영향을 미침에 따라 유리기판을 다루는 기술이 매우 중요하다. 이와 관련해 회사 관계자는 "이미 오랜 기간에 걸쳐 성숙된 디스플레이용 원판 유리 제조기술은 물론, 충분하게 검증받은 레이저·진공·라미네이션 등 디스플레이용 유리기판 패널 제조 기술을 충분하게 확보하고 있다"며 "유리기판 패키징 양산 제조라인 설비투자가 본격화되는 시점에는 반도체사업의 성장 속도가 더욱 가속화될 것으로 전망하고 있다"고 강조했다.

2025.07.07 10:19장경윤

하나마이크론 "이종 사업 리스크 해소하고 사업 전문성 강화"

하나마이크론은 지난 3일 한국거래소에서 열린 '코스닥 커넥트 2025'에 참가해 중장기 기업가치 제고 방안을 발표했다고 4일 밝혔다. '코스닥 커넥트 2025'는 한국IR협의회와 코스닥협회가 공동 주관하는 통합 IR 행사로 지난 1일부터 3일까지 서울 여의도 한국거래소에서 진행됐다. 이번 행사에는 ▲코스닥 글로벌 ▲라이징스타 ▲밸류업 공시기업 등 100여 개 코스닥 상장사와 기관투자자, 벤처캐피털 등 증권업계 관계자가 참석했다. 하나마이크론은 지난 5월 공시한 중장기 기업가치 제고 계획에 따라 밸류업 전략의 구체적 실행 방안을 소개했다. 하나마이크론은 인적 분할 및 지주회사 체제 전환으로 경영 투명성과 책임 경영을 실현하고 이종 사업의 리스크를 해소해 각 사업의 전문 역량을 강화할 예정이다. 분할 후 설립되는 존속법인은 하나머티리얼즈 및 브라질 법인을 중심으로 반도체 소재 사업 및 브랜드 사업과 제품 포트폴리오를 확대해 글로벌 메모리 시장을 공략하며 존속 법인의 기업 가치를 제고할 방침이다. 또한 자회사 하나머티리얼즈는 선제적 CAPA 확대와 신제품 개발을 통해 반도체 소부장 경쟁력을 지속 강화할 계획이다. 신설법인은 주력 사업인 OSAT(위탁 반도체 후공정) 부문에 집중해 첨단 패키징 역량을 고도화하고 SK하이닉스 및 신규 글로벌 고객사 물량을 확보해 글로벌 탑 5 OSAT 기업 도약을 목표하고 있다. 하나마이크론은 주주 친화 정책의 일환으로 배당 성향을 상향 조정하는 한편, 책임있는 지배구조 확립을 위해 향후 3년간 최대주주를 배당 대상에서 제외하는 차등 배당 정책을 시행할 예정이다. 뿐만 아니라 하나머티리얼즈가 보유 중인 하나마이크론 상호주와 관련해, 하나머티리얼즈의 분할, 합병 절차가 완료된 이후 존속법인이 보유하게 될 자사주에 관한 소각 계획도 발표했다. 회사는 시장과 적극적 소통을 통해 주주와의 신뢰를 구축하고 중장기적으로 동반 성장을 실현해 나갈 방침이다. 하나마이크론 관계자는 “이번 '코스닥 커넥트 2025'에서 투자자와 직접 소통하며 기업 비전과 중장기 전략을 공유하게 돼 기쁘다”며 “앞으로도 주주 의견을 적극 수렴해 책임 경영을 실천하고 주주와 함께 성장해 나가겠다”이라고 전했다.

2025.07.04 10:49장경윤

SK하이닉스, 청주에 7번째 후공정 라인 신설 추진

SK하이닉스가 반도체 패키징 생산능력 확장을 위한 신규 투자에 나선다. 24일 업계에 따르면 SK하이닉스는 최근 사내 게시판에 'P&T(Package & Test) 7' 팹을 짓기 위해 과거 매입한 청주 LG 2공장 부지 내 건물을 철거할 계획이라고 공지했다. 철거는 오는 9월 마무리될 예정이다. SK하이닉스는 이천과 청주 지역에 후공정 팹을 운영해 왔다. 기존 SK하이닉스시스템IC의 공장으로 활용돼 온 M8 공장을 개조한 P&T 6까지 보유하고 있으며, 이번이 7번째 팹에 해당한다. P&T 7의 구체적인 착공 시점 및 용도는 아직 확정되지 않았다. 다만 반도체 제조 공정에서 후공정의 중요성이 점차 높아지고 있어, SK하이닉스가 적극적인 투자 의지를 보일 것이라는 기대감이 나온다. SK하이닉스 관계자는 "반도체 후공정의 중요성이 높아지는 만큼, 시설을 확충해 후공정 경쟁력을 강화하기 위한 취지"라고 밝혔다.

2025.06.24 10:22장경윤

삼성전자 美 테일러 팹 내년 초 양산라인 투자

삼성전자가 미국 내 최첨단 파운드리 양산 준비를 가속화한다. 그간 지속적으로 늦춰졌던 인프라 시설 공사를 최근 재개한 데 이어, 내년 초 양산 설비를 처음 반입하기 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 23일 업계에 따르면 삼성전자는 미국 테일러 파운드리 팹에 빠르면 내년 1~2월부터 2나노미터(nm) 공정용 양산설비를 도입하는 방안을 논의 중이다. 내년 초 양산라인 구축 준비…투자 계획 구체화 삼성전자 테일러 파운드리 팹은 지난 2021년 투자가 결정된 신규 공장이다. 당초 4나노 공정 양산을 목표로 했으나, 시장 상황 등을 고려해 2나노를 주력 공정으로 삼았다. 다만 삼성전자는 테일러 파운드리 팹의 본격적인 완공과 양산라인 구축 시기를 여러 차례 미뤄왔다. 2나노 공정 수요가 담보되지 않은 상황에서 선제적으로 투자를 진행할 경우 막대한 비용 손실이 우려되기 때문이다. 그러나 삼성전자는 올 2분기 테일러 팹의 클린룸 마감 공사를 재개했다. 클린룸은 제조 라인 내 오염도·습도 등을 조절하는 인프라 시설로, 클린룸이 구축된 뒤에야 각종 부대 설비 및 제조설비를 도입할 수 있다. 클린룸 구축 마감 시점은 올 연말이다. 삼성전자는 곧바로 내년 1~2월부터 양산라인을 구축하기 위해 유틸리티 등 설비를 도입하는 방안을 구상하고 있다. 현재 내부적으로 테일러 파운드리 팹용 장비 선정을 마무리하고, 조만간 협력사에 세부적인 투자 및 발주 계획을 구체화할 것으로 알려졌다. 일부 협력사의 경우 이미 내년 초 미국 내 장비 반입을 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 초도 양산라인 구축인 만큼 당장의 투자 규모는 크지 않은 것으로 추산된다. 다만 삼성전자의 차세대 파운드리 양산 준비가 본격화된다는 점에서, 업계의 기대감이 커지고 있다. 2나노 고객사 적기 확보가 중요…"현지 생산, 美 빅테크에 매력적" 향후 공장 가동의 관건은 대형 고객사 확보다. 삼성전자 2나노 공정(SF2)은 이르면 올 하반기 양산이 시작되는 초미세 파운드리 공정이다. 현존 가장 고도화된 3나노(SF3) 공정 대비 성능은 12%, 전력효율성은 25% 뛰어나면서도 면적은 5% 줄일 수 있다는 게 회사 측 설명이다. 그동안 삼성전자는 국내·일본 AI 반도체 팹리스를 2나노 공정 고객사로 확보했다. 그러나 주요 경쟁사인 TSMC와 달리 글로벌 빅테크를 고객사로 유치하지는 못했다. 이에 삼성전자는 최근 잠재 고객사들과 2나노 공정 양산에 대한 협의를 적극 진행하고 있다. 반도체 업계 관계자는 "테일러 파운드리 팹은 미국 내 첨단 반도체 생산을 원하는 고객사들에게 매력적인 선택지가 될 것"이라며 "공사 재개가 진행됐고, 그간 불확실했던 양산 라인 구축에 대한 논의도 구체화되면서 모처럼 활기가 도는 분위기"라고 말했다. 또 다른 관계자는 "삼성전자와 협력사들이 미국 내 부품·장비 반입을 위한 인증 절차를 밟기 시작한 것으로 안다"며 "다만 실제 고객사 확보 성과에 따라 투자 계획에 변동성이 생길 수는 있다"고 설명했다.

2025.06.23 14:13장경윤

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