삼성전자, 2030년까지 신규 팹 4곳 구축…용인·평택·호남 전방위 투자
삼성전자가 국내 대규모 반도체 생산기지 투자 계획을 구체화하고 있다. 오는 2030년까지 평택 팹 2기·용인 팹 1기·광주 1기 등 총 4개 신규 팹(공장)을 구축하는 방안을 세우고, 최근 이를 주요 협력사에 공유한 것으로 파악됐다. 21일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 주요 협력사들을 대상으로 중장기 반도체 팹 투자 전략에 대한 실현 가능성에 대해 문의하고 있다. 삼성전자가 협력사에 설명한 투자 계획은 다음과 같다. 삼성전자는 오는 2030년까지 평택 P5와 P6(P5-2), 용인시 남사읍 반도체 클러스터 1기 팹, 광주 신규 1기 팹을 건설할 계획이다. SK하이닉스의 경우 용인시 원삼면 반도체 클러스터 내 Y1 및 Y2 팹과 더불어, 광주 신규 1기 팹을 지을 것으로 예상했다. 이를 고려하면 양사가 올해부터 2030년까지 구축하는 신규 팹의 수는 모두 7개에 달한다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 서남권을 포함한 중장기 설비투자 전략을 짜면서 협력사들을 대상으로 면밀한 사전 조사를 진행 중"이라며 "삼성전자·SK하이닉스의 대규모 투자에 대한 협력사들의 대응 능력이 충분한 상황인지 묻고 있다"고 말했다. 또 다른 관계자는 "삼성전자가 최근 대면, 비대면을 가리지 않고 협력사들과 광주 투자 계획에 대해 논의 중"이라며 "논의 결과에 따라 예상 대비 국내 설비투자 속도가 빨라질 수 있을 것"이라고 설명했다. 앞서 삼성전자, SK하이닉스는 지난달 29일 청와대에서 열린 '대한민국 대도약 3대 메가프로젝트 국민보고회'에서 도합 3200조원(AI 데이터센터 투자비용 제외)의 대규모 반도체 설비투자 로드맵을 발표한 바 있다. 기존 구축 중인 반도체 팹의 설비투자 속도를 높이는 한편, 용인 반도체 클러스터 구축 속도를 크게 앞당기는 것이 주 골자다. 삼성전자는 용인 팹 완성 목표 시점을 당초 2047년에서 2040년, SK하이닉스는 2045년에서 2033년으로 단축했다. 서남권 지역에는 각각 400조원을 투입해, 메모리 전공정 팹 2기씩을 건설하기로 했다. 이처럼 대규모 설비투자에 필요한 인적·물적 자원이 크게 증가하면서, 반도체 업계는 삼성전자·SK하이닉스를 비롯해 관련 협력사들의 대응력이 한계에 직면할 수 있다고 우려해 왔다. 특히 이재명 대통령이 광주 팹 구축에 대해 "원래는 (반도체 클러스터 구축을) 용인 다 끝내고 다음 순서로 할 생각이었던 것 같았다. 지금 수요가 너무 폭증하니까 동시에 추진하자고 말씀을 드렸다"고 요청한 만큼, 삼성전자·SK하이닉스는 광주 팹 투자를 최대한 앞당겨야 하는 부담을 안고 있다. 삼성전자가 최근 협력사들에게 투자 여력 점검을 요청한 것도 이와 무관치 않다는 해석이다. 반도체 장비업계 관계자는 "삼성전자가 최근 2030년까지 광주에 팹을 건설하는 것을 전제로, 현지에 추가 투자를 할 의향이 있는지 협력사에 문의하고 있는 상황"이라며 " 다만 현재 생산능력, 광주 내 인프라를 고려하면 실현 가능성을 확언하기 어렵다"고 말했다.
