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'생산능력'통합검색 결과 입니다. (7건)

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P4 투자 가닥 잡은 삼성전자…라인명 P4F서 'P4H'로

삼성전자가 제4 평택캠퍼스(P4)의 첫 생산라인에 대한 투자 방향을 확정했다. 최근 생산라인 이름을 변경하고, 최선단 낸드와 D램을 동시에 양산하기 위한 준비에 나선 것으로 파악됐다. 7일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 3분기경 P4 페이즈(Ph)1 라인명을 기존 P4F에서 P4H로 변경했다. F는 낸드플래시(Nand Flash)를 뜻하는 용어다. H는 하이브리드(Hybrid)의 약자다. Ph1을 낸드 전용 라인으로 활용하는 대신, 낸드와 D램을 동시에 생산하겠다는 의미를 담고 있다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자 내부에서 Ph1에서 D램과 낸드를 모두 양산하는 방안을 지속 논의해왔다"며 "최근 라인명을 변경하고, 관련 장비를 설치하기 위해 엔지니어들이 분주히 움직이고 있는 상황"이라고 설명했다. 구체적으로, P4H 라인에서는 낸드에 대한 설비투자를 월 1만장 규모만 확정한 상태다. 올해 중반 월 5천장 수준의 투자가 진행됐고, 연말까지 월 5천장 규모를 더 투자하는 방식이다. 추가 투자에 대한 향방은 내년 중반 정도에야 나올 것으로 업계는 보고 있다. QLC(쿼드레벨셀) V9 낸드 등 업계 최선단 낸드의 양산 준비는 마쳤으나, 불확실한 시황으로 인해 계획이 보류된 상태다. D램은 삼성전자가 생산능력을 집중 확장 중인 1a(5세대 10나노급), 1b(6세대 10나노급) D램을 생산할 계획이다. 현재 삼성전자는 P1·P2·P3 등 평택 캠퍼스에서 기존 레거시 D램을 1a, 1b 등으로 전환하기 위한 투자에 나서고 있다. P4H에서는 이들 D램의 제조공정의 일부를 진행해주는 역할을 맡을 것으로 예상된다. 이에 따라 P4H에 구축되는 최선단 D램의 생산능력은 최소 월 3만~4만장 가량 확보될 전망이다. 또 다른 관계자는 "삼성전자가 내년 경쟁사의 공격적인 D램 비트(bit) 증가율, HBM(고대역폭메모리) 확장 전략 등을 고려해 1a·1b 생산 비중 확대에 적극 나서는 분위기"라며 "전환 투자에 따른 D램의 총 웨이퍼 투입량 감소도 우려돼, P4H에 D램 설비를 서둘러 들이고 있다"고 밝혔다.

2024.11.07 15:09장경윤

DB하이텍, 반도체 클린룸 확장에 2500억원 투자

시스템반도체 파운드리 전문기업 DB하이텍은 2천500억원 규모의 클린룸 확장 투자를 진행한다고 11일 공시를 통해 밝혔다. 이번 클린룸 확장 투자는 충북 음성군에 위치한 Fab2(상우공장)의 유휴공간을 활용해 시스템반도체 생산 인프라를 구축하는 것이며, 반도체 업황 회복에 대비한 선제적 투자로 풀이된다. 향후 본격적인 수요 확대에 따른 생산능력(캐파) 초과 시에도 준비된 클린룸에 즉각 생산장비를 투입해 기회손실을 없앰으로써 매출 극대화를 꾀한다는 전략이다. DB하이텍의 주력 제품인 전력반도체는 타 제품군에 비해 경기 변동에 안정적이며 회복 탄력성이 좋아 경기 반등 시에도 빠르게 반응해 상승하는 경향이 있어, 긴밀한 수요 대응이 매우 중요한 분야다. 또한 전기차, AI 데이터센터, 에너지저장장치(ESS) 시장 성장에 따라 수요가 급증할 것으로 예상되는 SiC 등의 차세대 전력반도체 신사업 분야에 빠르게 진입, 확대할 수 있도록 선제적 준비를 마친다는 것이 DB하이텍 측 설명이다. 이번 클린룸 확장은 다음달부터 기본 설계를 시작해 내장 공사와 전기, 공조 등 각종 유틸리티 공사를 거쳐 내년 말경 완료한다는 계획이다. 2026년부터는 생산장비를 투입해 신규 클린룸에서 양산이 가능할 전망이다. DB하이텍 관계자는 "신규 클린룸이 조성되면 월간 8인치 웨이퍼 3만 5천장 규모의 수요에 적기 대응할 수 있는 인프라를 갖추게 되는 것"이라며 "현재 15만 4천장 대비 23% 증가한 19만장의 생산능력을 확보할 수 있다"고 밝혔다. 관계자는 이어 "이번 투자는 작년 말 발표한 경영혁신 계획 투자전략 실행의 일환"이라며 "앞으로도 경영혁신 계획의 이행과 함께 중장기 지속성장을 위한 노력을 아끼지 않을 것"이라고 강조했다.

2024.10.11 18:05장경윤

'HBM 부진' 인정한 삼성전자, 설비투자 눈높이도 낮춘다

삼성전자가 내년 말 HBM(고대역폭메모리)의 최대 생산능력(CAPA) 목표치를 당초 월 20만장에서 월 17만장 수준으로 하향 조정한 것으로 파악됐다. 최선단 HBM의 주요 고객사향 양산 공급이 지연되는 현실에 맞춰 설비투자 계획 또한 보수적으로 접근하려는 것으로 보인다. 10일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 내년도 말까지 확장하기로 한 HBM의 최대 생산능력 목표치를 10% 이상 낮출 계획이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤, TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. HBM의 생산능력을 확대하기 위해서는 이 TSV를 비롯한 첨단 패키징 설비가 필요하다. 지난 2분기까지만 해도 삼성전자는 HBM의 생산능력을 올해 말 월 14만~15만장으로, 내년 말 최대 월 20만장으로 늘리는 계획을 세웠다. SK하이닉스 등 주요 경쟁사가 HBM 생산량을 늘리는 데 따른 대응 전략, 엔비디아 등 주요 고객사향 퀄(품질) 테스트가 곧 마무리될 것이라는 긍정적인 전망 등을 반영한 결과다. 그러나 올 하반기 들어 상황이 변했다. 가장 최신 세대인 HBM3E(5세대 HBM) 8단 및 12단 제품의 엔비디아향 퀄 테스트 통과가 당초 예상보다 지연되면서, 삼성전자는 올 연말 HBM 생산량 계획을 보수적으로 조정했다. HBM용 설비투자도 현재 상황을 반영해 안정적으로 잡았다. 내년 말까지 HBM 생산능력 목표치를 월 20만장에서 월 17만장으로 줄이고, 월 3만장 수준의 축소분은 추후에 투자하는 것으로 방향을 바꾼 것으로 파악됐다. 용량 기준으로는 내년 말까지의 HBM 생산능력이 130억대 후반 Gb(기가비트)에서 120억Gb 수준으로 낮아진 셈이다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자가 HBM 사업 부진에 따라 설비투자 속도를 늦추기로 한 것으로 안다"며 "향후 엔비디아향 양산 공급이 확정돼야 추가 투자에 대한 논의가 진행될 것"이라고 설명했다. 앞서 삼성전자는 지난 2분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "HBM3E 8단을 3분기 중 양산 공급하고, 12단은 여러 고객사의 양산 일정에 맞춰 하반기 공급할 예정"이라고 밝힌 바 있다. HBM 매출에서 HBM3E가 차지하는 비중도 3분기 10%, 4분기 60%로 빠르게 늘어날 것으로 내다봤다. 그러나 이 같은 전망은 엔비디아향 퀄 테스트 지연으로 사실상 달성이 어려워진 상황이다. 최근 평택캠퍼스에서 실사(Audit)를 마무리하는 등 진전을 이루기도 했으나, 여전히 확실한 성과는 나오지 않았다. 이에 삼성전자는 지난 8일 3분기 잠정실적 발표에서 "HBM3E의 경우 예상 대비 주요 고객사향 사업화 지연"을 공식화하기도 했다.

2024.10.10 10:07장경윤

SEMI "세계 반도체 생산능력, 올해 6%·내년 7% 성장할 것"

SEMI(국제반도체장비재료협회)는 최근 보고서를 통해 전 세계 반도체 업계 생산능력은 올해 6%, 내년 7% 성장해 내년 기준 월 3천370만 장(8인치 웨이퍼 환산)에 도달할 것이라고 24일 밝혔다. 5나노미터(nm) 이하의 첨단 공정에 대한 생산능력은 AI를 위한 칩의 수요를 맞추기 위해 올해 13% 증가할 것으로 예상된다. 특히 인텔, 삼성전자, TSMC를 포함한 주요 공급사들은 특히 반도체의 전력 효율성을 높이기 위해 2nm 공정에서 GAA(게이트-올-어라운드)를 도입하고 있다. 이에 따라 내년에는 첨단 반도체 분야에 대한 생산능력이 17% 증가할 것으로 예상된다. 아짓 마노차 SEMI 최고경영자(CEO)는 “클라우드 컴퓨팅에서 엣지 디바이스에 이르기까지 AI의 확산은 고성능 칩 개발 경쟁을 촉진하고 글로벌 반도체 제조 역량의 확장을 주도하고 있다”며 "이는 결국 AI가 더 많은 반도체 수요를 이끌어내어 반도체 산업에 투자를 장려하고, 다시 이 투자가 더 발전된 AI 칩을 만들 수 있는 선순환 구조를 창출하고 있다”고 말했다. 지역별로는 중국이 올해 15%, 내년 14% 성장해 내년 1천10만 장까지 생산능력을 확보할 것으로 전망된다. 과잉 공급의 잠재적 위험에도 불구하고, 중국 제조사들은 지속적으로 생산능력 확대에 투자하고 있다. 특히 화홍그룹, 넥스칩, 시엔, SMIC, CXMT 등이 이러한 흐름을 주도하고 있다. 대부분의 다른 지역은 내년 5% 이하의 생산 능력 증가세를 보일 것으로 예상된다. 대만은 내년에 4% 성장한 월 580만 장으로 2위를 차지할 것으로 예상되며, 한국은 올해 처음으로 월 5백만 장을 넘긴 후 내년 7% 성장한 월 540만 장으로 3위를 차지할 것으로 보인다. 산업별로는 파운드리 부문의 생산능력이 올해 11%, 내년 10% 성장한 뒤, 2026년에는 월 1천270만 장에 이를 것으로 예상된다. 메모리 부문은 AI 서버의 증가세에 따라 고대역폭 메모리(HBM) 등에서 대규모 투자가 발생하고 있다. 이에 따라 D램은 올해와 내년 모두 9%의 성장세를 보이겠다. 반면 3D낸드의 시장 회복세는 아직 저조해 올해에는 생산능력 증가는 없으며, 내년에는 5% 성장할 것으로 예상된다.

2024.06.24 11:34장경윤

반도체 업황 회복세지만…SEMI "전체 팹 가동률 지속 하락"

반도체 업황이 올해부터 전반적인 회복세에 접어든 가운데, 성숙(레거시) 공정의 가동률은 여전히 낮은 수준을 기록하고 있다. 주요 산업인 소비자 및 자동차 시장의 수요가 부진한 데 따른 영향으로 풀이된다. 국제반도체장비재료협회(SEMI)는 반도체 전문 조사 기관인 테크인사이츠와 함께 발행한 반도체 제조 모니터링 보고서를 통해 반도체 산업이 AI를 중심으로 회복되고 있다고 23일 밝혔다. 우선 전자제품 판매는 올 1분기 전년 동기 대비 1% 증가했으며, 2분기에는 전년동기 대비 5% 증가할 것으로 예상된다. IC(집적회로) 매출은 2024년 1분기에 전년 동기 대비 22% 성장을 기록했으며, 고성능컴퓨팅(HPC)을 위한 칩 출하량 증가와 메모리 가격 상승으로 인해 2분기에도 전년동기 대비 21%의 성장세가 전망된다. 또한 IC 재고 수준은 2024년 1분기에 안정화되었으며 2분 분기에는 더욱 개선될 것으로 보인다. 웨이퍼 팹의 생산능력은 지속적으로 증가하고 있으며, 1분기에는 전분기 대비 1.2% 증가한 4천만 개(300mm 웨이퍼 환산 기준)를 넘어설 것으로 보인다. 또한 2분기에는 1.4% 증가할 것으로 예상된다. 다만 전체 팹 가동률은 성숙 공정을 중심으로 2024년 상반기까지 지속 감소할 것으로 보인다. 또한 메모리 분야의 경우 제고 조정을 위한 공급 제어로 인해, 2024년 1분기 메모리 팹의 가동률은 예상보다 낮은 것으로 나타났다. 반도체 자본 지출도 여전히 보수적인 모습을 보이고 있다. 지출 규모는 지난해 4분기에는 전년동기 대비 17% 감소했으며, 올 1분기에도 전년동기 대비 11% 감소했다. 다만 2분기에는 전년동기 대비 0.7% 소폭 상승할 전망이다. 특히 메모리 분야에 대한 자본지출은 2분기에 전분기 대비 8% 증가할 것으로 예상된다. 클락 청 SEMI 시니어 디렉터는 "반도체 부문의 수요가 회복되고 있지만 분야별로 회복 속도가 고르지 않다. AI 칩 및 HBM에 대한 수요가 가장 높으며, 이에 따라 이 부분에 대한 설비 투자가 이어질 것으로 보인다"며 "한편 AI 반도체를 공급하는 업체가 소수이기 때문에 AI 반도체가 전체 IC 출하량 증가에 미치는 영향은 다소 제한적"이라고 밝혔다. 보리스 메토디에프 테크인사이트 디렉터는 "생성형 AI의 높은 성장세에 따라 메모리 및 로직 반도체 대한 2024년도 상반기 반도체 수요도 급증하고 있다"며 "그러나 아날로그, 디스크리트, 광전자 소자 분야는 소비자 시장의 느린 회복세와 자동차 분야 등에 대한 수요 감소로 인해 조정 기간을 거칠 것으로 예상된다"고 말했다.

2024.05.23 10:41장경윤

마이크로칩, TSMC와 파트너십 확대...칩 제조 역량 강화

마이크로칩테크놀로지는 대만 파운드리 업체 TSMC와 파트너십을 확대했다고 9일 밝혔다. 이를 통해 일본 구마모토현에 위치한 TSMC의 자회사 JASM의 특화된 40나노미터(nm) 공정에서 제조 역량을 강화한다. JASM 팹은 자동차, 산업, 네트워킹 애플리케이션에 사용되는 반도체를 생산하는 시설이다. 이번 파트너십은 마이크로칩의 공급망을 강화하기 위한 전략의 일환이다. 내부 제조 역량과 용량 강화 및 기술 투자, 웨이퍼 팹, 파운드리, 조립, 테스트, OSAT(반도체 조립-테스트 아웃소싱 업체) 파트너 구축과 같은 협력이 포함된다. 마이클 핀리 마이크로칩 수석 부사장은 "마이크로칩의 책임감 있고 안정적인 공급 관리에 대한 평판은 이번 새로운 TSMC 제조 경로를 통해 한층 더 강화될 것"이라며 "이제 고객은 견고하고 유연한 제조 능력을 바탕으로 마이크로칩의 제품을 더 쉽게 애플리케이션 및 플랫폼 설계에 활용 가능하다"고 말했다. 로즈 카스타나레스 TSMC 북미 사업 관리 수석 부사장은 "마이크로칩과의 이번 이니셔티브는 고객의 장기적인 성장과 혁신을 지원하려는 TSMC의 노력을 보여주는 또 하나의 증거"라며 "마이크로칩과의 협력 확대를 통해 선도적인 기술이 계속 발전함에 따라 이러한 기능을 제조하고 필요할 때 글로벌 고객에게 제공할 수 있는 공동의 역량도 강화될 것"이라고 말했다.

2024.04.09 15:16장경윤

반도체 수요 회복세↑...새해 신규 공장 가동 수 '껑충'

올해 전 세계 반도체 생산능력이 전년 대비 6.4% 성장할 것이라는 분석이 나왔다. 세계 각국이 추진해 온 반도체 공급망 강화 전략에 따른 효과로, 올해 신규 가동되는 공장의 수도 크게 늘어날 것으로 전망된다. 3일 국제반도체장비재료협회(SEMI)에 따르면 올해 전 세계에서 가동을 시작하는 신규 반도체 공장의 수는 42개를 기록할 전망이다. 전 세계 신규 반도체 공장 가동 수는 2022년 29개, 지난해 11개를 기록한 바 있다. 올해는 전년 대비 4배 가까이 증가한 수치로, 이를 반영한 전 세계 반도체 월간 생산능력은 전년 대비 올해 6.4% 성장한 3150만 장에 달할 것으로 예상된다. SEMI는 "지난해에는 반도체 수요 감소와 재고 조정으로 설비투자가 위축됐으나, 올해는 세계 각국의 인센티브 정책에 힘입어 다시 투자가 급증하고 있다"며 "국가 및 경제 안보에서 반도체 공급망의 중요성이 높아지면서 이러한 추세는 지속될 것"이라고 설명했다. 국가 별로는 중국의 움직임이 가장 활발하다. 중국 반도체 제조기업들은 올해 18개의 신규 라인 가동으로 생산능력이 전년 대비 13% 증가한 월 860만 장을 기록할 전망이다. 대표적으로 현지 최대 파운드리인 SMIC는 올해 상하이, 톈진 신규 공장의 가동을 시작할 예정이다. 두 공장에 투자된 규모만 160억 달러(한화 약 20조 원)에 달하며, 28나노미터(nm) 공정을 주력 양산할 것으로 알려졌다. TSMC, UMC 등 주요 파운드리가 위치한 대만도 올해 5개의 신규 공장 가동에 나선다. 생산능력은 전년 대비 4.2% 증가한 월 570만 장을 기록할 것으로 예상된다. 한국은 신규 공장 1개가 가동되면서 생산능력이 전년 대비 5.4% 증가한 월 510만 장이 될 것으로 관측된다. SEMI가 보고서에 기술한 신규 공장은 SK하이닉스가 2022년 착공에 나선 청추 'M15X'로, 3D 낸드를 양산할 것으로 내다봤다. 다만 SK하이닉스가 관련 투자를 집행한 사례는 아직 포착된 바 없어, 실제 가동 시기 및 생산 제품에 대해서는 상황을 더 지켜봐야 한다는 의견도 제기된다. 미국은 6개의 신규 공장이 가동을 시작하면서 생산능력이 전년 대비 6% 증가한 월 310만장을 기록할 것으로 보인다. 절대적인 생산 규모는 타 국가에 비해 작지만, 미국에는 삼성전자와 TSMC, 인텔 등 주요 기업들의 첨단 공정 투자가 이어지고 있다. 특히 삼성전자는 올 하반기 미국 테일러시의 신규 파운드리 공장에서 4나노 공정 초도 물량 생산을 시작할 예정이다. 지난해 하반기부터 이를 위한 장비를 발주하기 시작했다. 현재까지 확정된 생산능력은 월 5천장 수준인 것으로 알려졌다.

2024.01.03 13:50장경윤