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'삼성 파운드리'통합검색 결과 입니다. (184건)

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TSMC, 삼성과 격차 더 벌렸다...점유율 60% 재돌파

작년 4분기 파운드리 시장에서 1위인 TSMC와 2위인 삼성전자의 점유율 격차가 이전보다 더 벌어졌다. 12일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 대만 TSMC의 작년 4분기 매출은 196억6천만달러로 전 분기 대비 14.0% 늘었다. TSMC 점유율은 61.2%로 압도적인 1위다. TSMC는 지난해 1분기 60.1%에서 2분기 56.4%로 하락한 후 3분기에 소폭 상승했다가 3개 분기 만에 60%를 재돌파했다. 2위 삼성전자의 파운드리 작년 4분기 매출은 전분기 보다 1.9% 감소한 36억1천900만달러로 집계됐다. 시장 점유율은 3분기 12.4%에서 4분기 11.3%로 소폭 하락했다. 이에 TSMC와 삼성전자의 점유율 격차는 지난해 3분기 45.5%포인트(P)에서 4분기에 49.9%P로 더 벌어졌다. 양사의 매출은 5배 이상 차이나는 셈이다. 파운드리 상위 10개 기업중 TSMC만 전분기 보다 두자릿수 이상 증가한 점이 주목된다. 트렌드포스는 “TSMC의 웨이퍼 출하량은 스마트폰, 노트북, AI 관련 HPC 등의 수요로 인해 4분기 매출 증가로 이어졌다”라며 “7나노 이하 프로세스의 매출 점유율은 3분기 59%에서 4분기 67%로 증가했고, 3나노 공정에서 생산이 점진적으로 확대되면서 향후 첨단 공정 매출 비중이 70%를 넘어설 전망”이라고 진단했다. 파운드리 6~10위 구간에서는 순위 변동이 컸다. PSMC는 특수 D램 웨이퍼 생산량 회복과 스마트폰 부품 긴급 주문의 혜택을 받아 8위로 올라섰다. 넥스칩은 TDDI 주문과 CIS 신제품의 대량 출하에 힘입어 9위에 오르면서 다시 10위권에 진입했다. 반면 작년 3분기에 처음으로 톱10권에 진입한 인텔파운드리서비스(IFS)는 인텔 CPU 재고 모멘텀 부진으로 10위권 밖으로 밀려났다. 작년 4분기 상위 10개 파운드리 시장 매출은 전년 보다 13.6% 감소한 1115억 4천만 달러를 기록하며 침체기를 겪었다. 트렌드포스는 “올해 상위 10개 파운드리 업체 매출은 AI 기반 수요가 연간 수익을 12% 증가시켜 1252억 4천만 달러를 예상한다”라며 “특히 꾸준한 첨단 공정 수주로 수혜를 입은 TSMC는 업계 평균 성장률을 훨씬 뛰어넘을 전망이다”고 말했다.

2024.03.12 17:16이나리

삼성전자, 美 샌디에고에 신규 메모리·파운드리 거점 설립

삼성전자가 미국 캘리포니아주 샌디에고시에 메모리 및 파운드리 고객사 협업 강화를 위한 거점을 마련했다. 이에 샌디에고 시장도 현지 사무소가 개소한 날을 '삼성의 날(Samsung Day)'로 지정하는 등 축하의 뜻을 전했다. 한진만 삼성전자 미주총괄 부사장은 8일 사회관계망서비스(SNS) 링크드인에 미국 캘리포니아주 샌디에고시의 신규 사무소 설립을 기념하는 글을 작성했다. 해당 사무소는 삼성전자의 메모리 및 파운드리 고객사와 사업을 논의하기 위한 자리다. 지난 6일(현지시간) 공식 오픈했다. 현재 인력 규모는 약 20명 안팎으로 알려졌다. 개소식에는 한진만 부사장을 비롯해 토드 글로리아 샌디에고 시장, 니키아 클라크 샌디에고 지역경제개발공사 수석부사장 등 현지 주요 인사들이 참여했다. 이날 토드 글로리아 시장은 삼성전자의 신규 사무소 개소를 기념해 3월 6일(현지시간)을 '삼성의 날'로 지정했다. 한진만 부사장은 "이번 사무소 개소로 메모리 및 파운드리 고객사의 맞춤형 설계 및 엔지니어링 요구사항을 더 잘 충족시킬 수 있게 돼 기쁘다"며 "삼성 반도체 사업은 AI, 모바일 및 자동차의 미래를 혁신하고 촉진할 준비가 돼 있다"고 밝혔다.

2024.03.08 10:51장경윤

삼성전자, 인텔·TSMC 이어 'Arm 2나노 공정 생태계' 합류

삼성전자가 TSMC, 인텔에 이어 반도체 설계기술(IP) 업체 Arm의 '토탈 디자인 프로그램'에 합류하며 2나노(mn) 공정 기반의 고성능컴퓨팅 칩 양산에 속도를 낸다. 7일 업계에 따르면 삼성전자는 지난달 6~8일 미국 캘리포니아 산타클라라에서 개최된 반도체 학술대회 '칩렛 서밋(CHIPLET SUMMIT)'에서 'Arm 토탈 디자인 프로그램'에 합류한다고 밝혔다. 이로써 2나노 공정 칩 생산을 위한 에코시스템을 확보하게 된 셈이다. 삼성전자는 내년에 2나노 공정 양산을 앞두고 있다. 정기봉 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 "삼성이 Arm 토탈디자인에 합류하게 돼 기쁘다"라며 "Arm의 네오버스 CSS를 핀펫(FinFET) 기반 4나노(SF4X) 공정부터 게이트올어라운드(GAA) 기반의 2나노(SF2) 공정에 이르기까지 삼성의 최신 기술로 확장할 계획이다"고 전했다. Arm이 작년 9월에 첫 출시한 '토탈 디자인 프로그램'은 반도체 에코시스템이다. 이 프로그램은 Arm을 중심으로 파운드리, 디자인솔루션(DSP), IP, 설계자동화(EDA) 업체가 서로 협력해 고성능 반도체를 빠르게 개발하고 양산하자는 취지로 만들어졌다. Arm은 토탈 디자인 프로그램에서 '네오버스 컴퓨트 서브시스템즈(Neoverse Compute Subsystems, CSS)'을 제공한다. 네오버스 CSS는 슈퍼컴퓨팅, AI, 데이터센터, HPC, 엣지 서버 등 고성능 반도체를 만드는데 필요한 IP다. Arm이 작년 9월에 토탈 프로그램을 발표할 당시에는 파운드리 업체 TSMC, 인텔을 비롯해 국내에서는 유일하게 에이디테크놀로지가 포함됐다. 에이디테크놀로지는 삼성전자 DSP 업체다. 이번 2차 발표에서는 삼성전자 등 9개 업체가 추가되면서 총 20개 업체가 에코시스템을 활용할 수 있게 됐다. 삼성전자의 Arm 토탈 프로그램 합류로 Arm·삼성전자·에이디테크놀로지 삼각편대가 만들어지면서 첨단 공정 칩 생산에 시너지를 낼 것으로 기대된다. DSP는 반도체 제작을 원하는 팹리스 등 고객사들과 파운드리를 잇는 가교 역할을 한다. 앞서 Arm 토탈 프로그램에 가입한 TSMC와 인텔도 DSP 업체와 협력 구도를 이뤘다. TSMC는 소시오넥스트와 협력해 2나노 공정에서 서버용 CPU를 개발할 예정이다. 인텔은 패러데이테크놀로지와 협력해 18A(1.8나노급) 공정으로 64코어 SoC(시스템온칩)을 개발한다고 밝혔다. 한편, 앞서 삼성전자는 지난달 21일 Arm과 코어텍스-X IP를 파운드리 GAA 공정에 적용하는 협력을 체결했다고 밝혔다. 삼성전자 파운드리는 Arm과 코어텍스 X와 토탈 프로그램 협력으로 맞춤형 칩 생산을 확대한다는 목표다.

2024.03.07 15:51이나리

[단독] 삼성전자, '2세대 3나노' 공정 명칭 '2나노'로 변경

삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산) '2세대 3나노미터(nm)' 공정 명칭을 '2나노'로 변경하기로 결정했다. 즉, 연내 양산을 목표로 하던 2세대 3나노 공정을 앞으로 2나노로 부른다는 방침이다. 5일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 올해 초부터 고객사 및 협력사에게 2세대 3나노 공정 명칭을 2나노로 변경한다고 공지했다. 즉, SF3P 공정을 2나노인 SF2로 편입시킨다는 얘기다. 작년 말부터 삼성전자 2나노 명칭 변경과 관련돼 업계에 이야기가 돌았지만, 최근 공식적으로 명칭 변경이 확정된 것이다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자로부터 2세대 3나노를 2나노로 변경한다고 안내 받았다"라며 "작년에 삼성전자 파운드리에서 2세대 3나노로 계약한 것도 2나노로 명칭을 바꿔서 최근에 계약서를 다시 작성했다"고 말했다. 삼성전자는 2022년 6월 말께 세계 최초로 게이트올어라운드(GAA) 공정 기반으로 3나노 칩 양산을 시작했다. 삼성전자는 지난해 '파운드리 포럼'에서 올해 2세대 3나노 공정을 양산하고, 2025년 2나노 공정 양산을 계획한다고 밝힌 바 있다. 반도체 업계 관계자는 "이미 삼성전자의 2세대 3나노(2나노) 프로세스 디자인 키트(PDK)가 나왔기 때문에 올해 무리해서 양산한다면 충분히 할 상황이 될 것"이라며 "하지만 파운드리는 고객사 요청에 따라 양산을 시작하는 것이지, 하고 싶다고 할 수 있는 것은 아니다"라고 말했다. 삼성전자의 공정 명칭 변경은 파운드리 마케팅 측면에서 유리할 수 있다는 업계의 해석이 나온다. 또 최근 파운드리 업계의 PR 트렌드이기도 하다. 앞서 2020년 삼성전자가 7나노 공정에서 5나노 공정으로 넘어갈 당시에도 2세대 7나노 공정을 5나노로 명칭을 변경한 바 있다. 삼성전자 7나노는 2019년 세계 최초로 극자외선(EUV) 기술을 사용한 공정이었다. 이를 더 안정성 있게 만든 결과 트랜지스터 사이즈를 줄일 수 있었고, 2세대 7나노를 5나노로 명칭을 변경한 것이다. 업계 관계자는 "삼성전자 3나노는 GAA으로는 초판 공정이었는데, 최적화를 통해 트랜지스터 사이즈를 줄이게 되면서 2나노로 명칭을 바꾼 것으로 보인다"라며 "이것이 마케팅 또는 프로모션일 수 있겠지만, 한편으로는 고도화 작업의 성과 중 하나로 볼 수 있다"고 설명했다. 올해 말 양산을 시작하는 인텔 18A(1.8나노급) 공정 또한 비슷한 방식이다. 인텔은 최근 파운드리 행사에서 올해 20A(2나노급) 공정과 더불어 내년으로 계획했던 18A 공정을 앞당겨 올해 말부터 시작한다고 밝혔다. 업계 관계자는 "업계에서는 인텔 1.8나노, TSMC 2나노 트랜지스터가 이전 공정과 비교해 큰 차이가 있다고 보지 않는다"라며 "첨단 공정에서 후발주자인 인텔은 양산 로드맵에서 2나노에 다음 1.8 공정을 시작한다는 숫자 마케팅을 시작하면서 파운드리 업계의 공정 숫자 경쟁이 확산됐다"고 진단했다.

2024.03.05 15:03이나리

TSMC와 경쟁하는 삼성, HBM 사업에 악영향주나

글로벌 메모리 시장 1위 자리를 공고히 지켜온 삼성전자가 차세대 메모리로 주목되는 고대역폭메모리(HBM) 분야에서는 SK하이닉스에 밀리며 자존심을 구기고 있다. 최근엔 HBM 후발주자인 미국 마이크론과의 경쟁에서도 '미국 우선주의' 정책 구도로 인해 쉽지 않을 것이란 우려의 목소리가 나온다. 메모리와 파운드리 사업을 한집에서 하는 삼성전자를 견제하는 세력이 많아지고 여러 이해충돌로 시장 입지도 예전보다 줄어드는 모양새다. 업계에서는 뚝심 있게 2010년대 초반부터 HBM 사업을 밀어붙인 SK하이닉스와 달리 삼성전자가 HBM의 성장 가능성을 크게 보지 않고, 뒤늦게 개발에 나서면서 HBM 시장에서 '초격차' 기회를 놓쳤다고 지적한다. 또 HBM 사업은 최대 고객사인 엔비디아 칩을 생산하는 대만 파운드리 TSMC와 협업이 중요한데, TSMC가 파운드리 경쟁사인 삼성전자와 협업을 꺼려해 삼성의 메모리 사업에도 영향을 미친다는 분석이 나온다. 반면 SK하이닉스와 마이크론은 TSMC와 패키징 협력을 맺고 있어서 대조된다. ■ 삼성전자, HBM 성장 가능성 예측 못해…SK하이닉스에 초격차 밀려 SK하이닉스는 HBM 시장에서 독보적인 1위로 자리매김했다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 HBM 시장에서 SK하이닉스가 53%, 삼성전자 38%, 마이크론 9%를 차지한다. 올해도 SK하이닉스는 선두 자리를 이어간다는 전망이 우세하다. SK하이닉스는 엔비디아 AI용 그래픽처리장치(GPU) H100에 HBM3을 독점 공급하는 등의 성과로 전체 D램 매출 성장을 이끌었다. 아울러 SK하이닉스는 엔비디아가 올해 2분기 출시하는 B100에도 HBM3E 공급이 확정됐으며, 오는 3월 양산을 앞두고 있다. 엔비디아는 AI용 GPU 시장에서 80% 점유율을 차지하는 대형 고객사다. 후발 주자인 마이크론 또한 지난 26일(현지시간) HBM3E 양산 시작을 알리며, 엔비디아 B100에 공급을 공식적으로 알렸다. 삼성전자도 지난해 말 엔비디아에 HBM3E 샘플 공급을 시작했지만, 아직까지 공식적인 공급 소식은 알려지지 않고 있다. 만년 메모리 2위 주자였던 SK하이닉스가 HBM 시장에서 1위를 할 수 있었던 배경은 2013년 첫 HBM 시제품을 내놓는 시점부터 지금까지 기술 개발을 꾸준히 해온 결과다. SK하이닉스는 △2013년 1세대(HBM) △2019년 3세대(HBM2E) △2021년 4세대(HBM3) △2023년 8월 12단 HBM3 개발을 하기까지 세계 최초를 놓치지 않았다. 반면 삼성전자는 HBM 시장 성장성을 내다보지 못했다. 반도체 업계 관계자에 따르면 김기남 전 부회장 시절 삼성전자는 HBM 개발 예산을 삭감하고, 개발에 소홀히 한 결과 당시 삼성전자에서 HBM을 개발하던 개발자 상당수는 SK하이닉스로 이직했다. 이는 '반도체 초격차' 기술을 강점으로 앞세워 왔던 삼성전자가 HBM 시장에서 SK하이닉스 보다 뒤쳐진 이유로 꼽힌다. 하지만 삼성전자는 지난 28일 세계 최초로 36GB 12단 HBM3E 샘플 공급을 시작했고, 상반기 중으로 양산할 계획을 알리며 다시금 '초격차' 자신감을 내보이고 있는 모습이다. 삼성전자는 다음 세대인 HBM4를 2025년 샘플링하고, 2026년 양산을 목표로 개발 중이라고 밝혔다. ■ 엔비디아 칩 생산하는 TSMC와 '패키징 얼라이언스'가 경쟁력 일각에서는 삼성전자가 파운드리 사업을 병행하고 있기 때문에 HBM 고객사 확보 측면에서 SK하이닉스보다 불리한 측면이 존재한다고 말한다. 엔비디아 GPU 생산을맡고 있는 TSMC가 파운드리 경쟁사인 삼성전자와 패키징 협력을 꺼릴 수 밖에 없다는 분석이다. HBM은 완제품이 생산되더라도 이를 GPU와 결합하는 패키징 단계가 추가로 필요하다. 고객과 메모리 업체 간의 협업뿐만 아니라 후공정 업체와의 긴밀한 협업도 필요하기 때문에 원활한 수요 충족을 위해서는 서플라이 체인 간 병목이 없어야 한다. 일례로 엔비디아가 TSMC에 GPU 생산을 맡기면, TSMC는 GPU를 만든 다음 보드에 메모리 업체로부터 받은 HBM과 GPU를 붙여 패키징을 한다. SK하이닉스는 HBM 개발 초창기부터 TSMC와 패키징 기술 협력을 지속해왔다. 이에 엔비디아가 SK하이닉스의 HBM을 더 선호할 수 있다는 것이 전문가들의 의견이다. 작년부터 마이크론이 자사 HBM 기술 홍보를 진행하면서 TSMC와 3D 패키징 얼라이언스 파트너십을 맺었다고 강조하는 것도 이런 이유다. 더 나아가 마이크론은 TSMC와 패키징 협력 강화를 위해 지난해 6월 대만 타이중에 차세대 D램 팹을 만들고 이곳에서 HBM3E 생산을 시작했다. 김형준 차세대지능형반도체사업단 단장은 "TSMC 입장에서 SK하이닉스는 경쟁자가 아니니까 예전부터 메모리와 관련해 상의를 많이 해오며 관계가 좋았다"라며 "SK하이닉스의 HBM이 각광받는 이유는 품질이 좋은 것도 있지만, TSMC와 밀접한 협력 관계도 영향을 줬을 것"이라고 진단했다. 권석준 성균관대 교수(화학공학과)는 "HBM은 애초에 이종접합과 칩렛 패키징이 동반되어야 하고, 무엇보다도 HBM 모듈과 최적 배치되어야 하는 GPU 코어와의 인터커넥션이 제일 중요하다. 그래서 HBM은 그냥 잘 만들고 잘 쌓는다고 될 일은 아니고, 코어 연결 맞춤형 최적화가 필요하다"고 말한다. 권 교수는 또 "이는 메모리회사로 하여금 메모리를 넘어, 아예 프로세서 아키텍처와 설계부터 같이 참여하고, 그것을 공정의 최적화에 같이 반영하는 이른바 DTCO(design-technology cooptimization)을 완성해야 한다"라며 "이는 메모리회사로 하여금 더 협업 마인드를 갖추는 것을 요구하며, 사실상 코어 회사들을 갑으로, 메모리회사가 을로 작동하는 구조를 받아들여야 한다"고 강조했다. 최근 삼성전자 파운드리가 '설계-파운드리-메모리' 토탈 솔루션을 강조하고 있는 것도 이런 이유 때문이다. 삼성전자는 파운드리에서 AI 반도체를 생산함에 있어 HBM까지 공급해 맞춤형 제품을 제공할 수 있다고 말한다. 권 교수는 "삼성전자가 마이크론이나 SK하이닉스와 차별화될 수 있는 포인트는 여전히 많이 남아 있다"라며 "가장 큰 장점은 파운드리와 메모리를 동시에 할 수 있다는 것이고, 엔드 단에서 모바일이든, 랩탑이든, 가전이든, 전장이든, 애플리케이션 다변화에 대해 다양한 소비자 요구 조건을 테스트할 수 있는 플랫폼 자체가 많다는 것을 내세울 수 있다"고 말했다.

2024.02.29 16:44이나리

인텔 '큰 그림' 따로 있었다..."2027년 말 1나노급 공정 돌입"

인텔이 1나노급 반도체 생산 공정 '인텔 10A' 생산을 오는 2027년 말부터 시작한다는 내부 방침 아래 초미세공정 로드맵을 준비해 왔다는 사실이 뒤늦게 드러났다. 인텔은 지난 21일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 '인텔 파운드리 다이렉트 커넥트 2024' 행사를 통해 최선단 반도체 생산 공정 '인텔 14A'를 공개하고 오는 2027년 경 이를 실현하겠다고 밝힌 바 있다. 그러나 같은 날 오후 인텔이 업계 관계자 등을 대상으로 진행한 일부 세션에서 인텔 14A보다 한 발 더 앞선 1.0나노급 공정 '인텔 10A' 리스크 생산 시기와 시기별 생산량 등이 노출됐다. 인텔은 이에 대해 "인텔 14A 공정 이후 공정은 공개되지 않았다"며 즉답을 피했다. ■ 지난 21일 업계 관계자 대상 세션에서 '인텔 10A' 노출 톰스하드웨어 등 IT 매체에 따르면 인텔은 21일 오후 케이반 에스파르자니(Keyvan Esfarjani) 인텔 파운드리 제조·공급망 수석부사장 주도로 반도체 업계 관계자와 일부 언론 대상 별도 세션을 진행했다. 인텔은 이 세션에서 각 공정별 1천 장 단위 웨이퍼 생산량을 나타내는 K-WSPW 수치를 반영한 각 생산 시설 제조 역량을 그래프로 소개했다. 이 그래프에 따르면 인텔은 최근 공개한 인텔 14A 공정 웨이퍼 생산을 2026년 초부터 시작해 같은 해 하반기부터 크게 늘릴 예정이다. 그러나 해당 그래프 상단에는 인텔이 지금까지 노출하지 않았던 새 공정인 '인텔 10A'가 표기됐다. 인텔 10A 물량 역시 2027년 말부터 시작해 2028년으로 이어지고 있다. 인텔은 인텔 3(3나노급) 공정 이후 미세공정에 '옹스트롬'(Ångström, 1A=0.1nm)급 미세 공정이라는 의미로 숫자 뒤에 'A'를 붙이고 있다. 이 명명법에 따르면 '인텔 10A'는 1나노급 공정으로 해석된다. ■ 로드맵대로 실현시 미세공정 우위 탈환 가능 TSMC와 삼성전자는 2나노급 공정 가동 시점을 2025년으로, 1.4나노급 공정 가동 시점을 2027년으로 잡았다. 반면 인텔은 2나노급 '인텔 20A' 공정 기반 실제 제품을 올 하반기부터, 1.8나노급 '인텔 18A' 공정 기반 제품을 내년 상반기에 대량 생산 예정이다. 이는 두 경쟁사 대비 최소 반 년 이상 앞선 것이다. 인텔이 공개한 계획대로 인텔 14A(1.4나노급)를 2026년부터, 인텔 10A(1.0나노급)를 2027년부터 실현한다면 지난 10여년 간 타사에 내줬던 미세공정 우위를 확실히 되찾게 된다. 단 인텔이 공개한 슬라이드의 생산 시작 시점은 공정 시험과 수율 조정을 위한 '리스크 생산'을 기점으로 잡은 것으로 보인다. 또 인텔이 인텔 14A 이후 중점적으로 활용할 고개구율 극자외선(High-NA EUV) 장비 반입 시점도 변수로 남아 있다. ■ 인텔 "매 2년마다 새로운 공정 계획중" 국내 한 반도체 업계 관계자는 "해당 세션은 인텔 파운드리 고객사, 잠재적인 고객사와 관계사 대상으로 NDA(비밀유지협약) 체결 후 진행된 세션으로 보인다"며 "알 수 없는 이유로 언론에 정식 공개하기 곤란한 부분까지 노출된 것으로 보인다"고 추정했다. 인텔 관계자는 29일 오후 "인텔 파운드리 다이렉트 커넥트 행사에서 공개한 것처럼 매 2년마다 새로운 공정을 계획중이다. 또 인텔 14A 공정과 파운드리 고객사를 위한 향후 로드맵, 첨단 공정 확대 계획 등을 미리 공유했다"고 설명했다. 또 "인텔 14A 이후 공정은 정식으로 발표하지 않았으며 미래 공정 로드맵 관련 현 시점에서 답변할 내용은 없다"고 덧붙였다. 그러나 해당 세션에서 공개된 슬라이드 노출 경위, 해당 슬라이드에 명시된 '인텔 10A' 공정 생산 일정 등에 대한 지디넷코리아 질의에는 답변을 거부했다.

2024.02.29 09:16권봉석

김정회 반도체산업협회 부회장 "美 보조금 받는데 정부 역할 중요해"

"한국 기업들이 미국 반도체법 보조금을 신청하겠지만, 정부의 역할도 필요합니다." 김정회 반도체산업협회 상근 부회장은 26일 오전 대한상의에서 진행된 '민관 반도체 전략 간담회' 이후 취재진을 만나 이 같이 말했다. 김정회 부회장은 산업통상자원부 통상교섭실장, 대통령정책실 경제보좌관실 신남방·신북방비서관 출신으로 지난해 6월 반도체산업협회 부회장으로 부임했다. 2022년 만들어진 반도체 법은 미국 내 반도체 설비 투자를 장려하기 위해 생산 보조금(390억 달러)과 연구개발(R&D) 지원금(132억 달러) 등 5년간 총 527억달러(75조5000억원)를 지원하는 내용이다. 미국 상무부는 지난해 12월부터 순차적으로 F-35 등 미군 전투기용 반도체를 만드는 영국 방산업체 BAE시스템스, 자국 반도체업체인 마이크로칩 테크놀로지, 자국 파운드리 업체 글로벌파운드리 등을 지원금 대상으로 선정했다. 금주에 추가 반도체 지원금을 받는 기업이 발표될 예정이며, 인텔이 유력시 된다. 삼성전자와 SK하이닉스 또한 보조금 선정을 기다리는 상황이다. 김 부회장은 "삼성전자와 SK하이닉스는 국내에서 선단 투자가 계속 이뤄지기 위해서는 정부의 많은 관심이 필요하다"며 "대만도 첨단 공정은 자국에서 투자하고 있듯이, 글로벌 리스크가 커지고 있지만 국내 공급망 확보가 매우 중요하다. 그 부분을 정부가 잘 알고 있기에 추가로 필요한 지원에 대해 전반적으로 이야기 나눴다"고 이번 간담회에서 논의한 내용에 대해 설명했다. 그는 이어 "국내 소부장(소재, 부품, 장비) 기업들이 제일 고민하고 있는 부분은 인재를 어떻게 확보할 것인가"라며 "이에 대해 정부가 기본 대책 말고 다른 방법에 대해서도 고민해 달라고 요청했다"고 말했다. 김 부회장은 "소부장 기술이 계속 올라가게 되면서 특히 하이 NA EUV(극자외선) 장비 투자가 많이 이뤄져야 한다"라며 "이런 측면에서 소부장들이 많이 노력하고 있고 정부의 지원도 필요하다. 또 올해 각국 정치변수가 있는데, 그런것들에 대해서도 정부와 기업이 정보를 공유하고 같이 고민해야 한다"고 강조했다. 네덜란드 반도체 장비 업체 ASML이 공급하는 하이 NA EUV 장비는 2나노급 칩 생산에 필요한 장비다. 인텔은 지난해 12월에 하이 NA 장비를 공급받았으며, 삼성전자 또한 해당 장비를 주문해 내년에 공급받을 것으로 예상된다. 반도체산업협회는 올해 상반기 중으로 '인공지능(AI) 반도체 협업 포럼'을 신설할 예정이다. 산업부 또한 팹리스 경쟁력 제고를 위해 '반도체설계검증센터'를 설치한다는 방침이다. 김 부회장은 "논의했던 포럼이 있으니, 거기에 AI를 더 집중적으로 논의해서 AI 협업 포럼을 운영하고, 올해 상반기 중으로 시작할 예정이다"고 전했다. 김 부회장은 올해 반도체 전망에 대해서는 긍정적으로 내다봤다. 그는 "반도체 수출은 올해가 작년보다 좋아지고, 투자는 전세계적으로 올해랑 유사한 수준이 예상된다"라며 "우리나라 용인 평택 투자가 계속 진행되기 위해서는 정부의 관심이 많이 필요하다"고 말했다.

2024.02.26 11:18이나리

인텔 "파운드리 2위 도약" 선언…삼성의 수성 전략은

“인텔이 파운드리 경쟁에 가세하면서 삼성전자는 굉장히 어려운 상황을 맞게 됐습니다. 미국 정부가 인텔을 적극적으로 지원해 주고 있기 때문입니다. 삼성전자가 살아남으려면 첨단 미세 공정 기술을 앞서 개발해 기술로 승부를 볼 수밖에 없습니다.” 미국 반도체업체 인텔이 2030년까지 파운드리 시장에서 삼성전자를 제치고 2위로 올라선다는 야심찬 로드맵을 제시했다. 인텔은 21일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이컨벤션센터에서 열린 'IFS 다이렉트 커넥트 2024'에서 올해 말 1.8나노미터 공정급인 18A(옹스트롬, 1A는 0.1nm) 공정 양산을 1년 앞당기고, 2027년에는 1.4나노급인 14A 공정 양산을 시작한다는 계획을 밝혔다. 경쟁사인 TSMC나 삼성전자 보다 더 빠르게 첨단 공정을 시작한다는 목표다. 반도체 전문가들은 삼성전자가 1위인 TSMC와 점유율 격차가 더 커진 상황에서 인텔까지 가세하면서 쉽지 않은 경쟁에 들어섰다고 우려했다. 인텔, 올해 말 최초로 1.8나노 양산 시작…MS 고객사로 확보 인텔은 지난해 12월 파운드리 업계 최초로 2나노급 칩 생산에 필요한 ASML의 최첨단 하이 NA 극자외선(EUV) 장비를 확보했다. TSMC와 삼성전자 또한 해당 장비를 주문했지만 빨라야 올해 말, 늦으면 내년에나 반입할 것으로 알려졌다. 경쟁사보다 한 발 앞서 첨단 장비를 확보한 자신감을 바탕으로 로드맵을 앞당긴 것으로 풀이된다. 무엇보다 인텔은 토털 솔루션 '시스템 오프 칩스(systems of Chips)'를 차별화 포인트로 내세웠다. 현재 TSMC가 고대역폭메모리(HBM)을 패키징하는 서비스를 제공하는 것보다 더 나아가, 인텔은 파운드리 서비스에서 CPU, GPU, 메모리까지 모두 보드에 패키징해서 제공한다는 계획이다. 인텔은 미국 정부의 적극적인 지원을 받으며 신규 파운드리 제조공장 건설에 속도를 내고, 자국 내 빅테크 기업을 고객사로 수월하게 끌어들일 것으로 관측된다. 이날 IFS 행사에서 인텔은 18A 공정 고객사로 마이크로소프트(MS)를 확보했다고 공식적으로 밝히며 자신감을 보였다. 또 현재까지 인텔 파운드리는 웨이퍼와 첨단 패키징을 포함해 150억 달러 이상의 총 수주를 확보했다고 전했다. 美 정부 전폭적인 지지…자국 내 빅테크 기업 다수, 고객사 확보에 유리 팻 겔싱어 최고경영자(CEO)는 “우크라이나·이스라엘 사례에서 알 수 있듯이 안정적인 반도체 공급을 위해선 지정학적 위기를 극복해야 한다”며 “현재 동아시아에 80%, 미국과 유럽에 20% 가량 쏠려있는 반도체 공급망을 북미와 유럽이 50% 차지하도록 재배치해야 한다”고 강조했다. 미국 정부도 힘을 실어줬다. 이날 행사에서 화상으로 참석한 지나 러몬도 미국 상무장관도 “미국에서 반도체 생태계가 활성화하고, 더 많은 반도체가 생산될 수 있도록 지원을 아끼지 않을 것”이라고 말했다. 앞서 지난주 업계에서는 미국 정부는 인텔에 100억달러(약 13조3550억원) 이상의 보조금 지급을 두고 협의 중이라는 소식이 전해지기도 했다. 인텔은 삼성전자를 추월하고 1위인 TSMC를 추격하겠다는 현실적인 목표를 세웠다는 점도 주목된다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 3분기 글로벌 파운드리 시장에서 TSMC는 57.9% 점유율로 1위, 삼성전자는 12.4%로 2위를 기록했고, 인텔파운드리서비스(IFS)는 1% 점유율로 처음으로 10위권 내에 포함됐다. 인텔은 6년 뒤에 삼성전자를 꺾고 2위로 올라간다는 목표다. "쉽지 않은 경쟁...삼성, 기술 경쟁력 확보해 승부해야 할 것" 이 같은 소식이 전해지자 국내 반도체 업계에서는 삼성전자의 파운드리 사업이 난항을 겪을 가능성이 있다고 우려했다. 김형준 차세대반도체사업단 단장은 “현재 파운드리 기술 측면에서 TSMC가 1위, 삼성전자가 2위지만 인텔이 공격적인 기술 투자와 미국 정부의 전폭적인 지원과 보조금을 받으며 파운드리 사업에 나선다면 빠르게 시장에서 경쟁력을 확보할 수 있을 것”이라고 전망했다. 이어서 그는 “업계에서는 인텔 10나노 공정이 사실상 삼성과 TSMC 7나노 공정과 성능이 거의 비슷하다고 평가한다”라며 “인텔이 파운드리 사업을 마음먹고 한다면 기술 격차를 줄이는 것도 가능할 것”이라고 말했다. 미국에는 엔비디아, 애플, AMD, 아마존, 퀄컴 등 빅테크 기업이 다수라는 점도 인텔에게 유리하다. 김 단장은 “만약에 미국 정부가 엔비디아, 브로드컴, 퀄컴 등의 기업에 보조금을 지원하며 압력을 가한다면, 이들 기업이 인텔 파운드리를 사용할 수도 있을 것”이라고 우려하며 “삼성전자가 이 경쟁에서 살아남으려면 기술력으로 압도하는 것이 최선의 방법이다”고 조언했다. 이어서 그는 “삼성이 미세 공정 기술을 선도할 수 있어야 하고, 칩을 패키징해서 시스템화하는 경쟁력을 갖춰야 할 것이다. 아니면 지금까지 했던 것처럼 메모리를 더 발전시켜가지고 메모리에서 계속 주도권을 잡아가는 방법 밖에는 없을 것”이라고 말했다. 유재희 반도체공학회 부회장(홍익대 전자전기공학부 교수)은 “인텔의 로드맵에서 수율 높은 파운드리가 완성될지 아직 미지수이고, 이는 바이든 정부의 'Made in USA' 정책에 따라 진행되는 것으로 보인다”라며 “삼성전자는 파운드리 시장에서 기술우위와 가격 경쟁력으로 승부를 걸어야 할 것이다”고 말했다.

2024.02.22 17:17이나리

삼성 설비투자 지연에…핵심 자회사 세메스 2년 연속 '부진'

삼성전자의 반도체·디스플레이 장비 전문 자회사 세메스가 2년 연속 매출 및 영업이익이 하락했다. 근 2년간 삼성전자가 설비투자 지연, 인프라 중심의 투자 기조를 이어간 데 따른 영향으로 풀이된다. 22일 업계에 따르면 세메스는 지난해 연 매출액 2조5천21억 원, 순이익 587억 원을 기록했다. 세메스의 지난 해 매출은 전년 대비 13.4% 감소한 수치다. 순이익은 전년 대비 68.4%가량 줄어들어 하락폭이 더 크다. 세메스는 IT 시장 호황으로 반도체 설비투자가 활발하던 지난 2021년, 매출 3조1천280억 원으로 사상 처음 매출 3조원을 뛰어넘었다. 해당 기간 순이익도 2천643억원에 달했다. 그러나 곧바로 다음 해인 2022년에는 매출 2조8천892억 원, 순이익 1천857억 원으로 실적이 하락했다. 삼성전자의 2022년 DS(반도체)부문 설비투자가 47조9천억 원으로 전년(43조6천억 원) 대비 늘었으나, 실제 생산능력 확대를 위한 설비투자가 지연된 것이 주 원인으로 지목된다. 당시 삼성전자는 반도체 산업의 불확실성이 높아지는 추세에 대비하기 위해 '쉘 퍼스트(shell First)' 전략을 가동했다. 쉘 퍼스트는 반도체 인프라 투자에 먼저 집중하고, 이후 시장 상황을 고려해 생산능력을 늘리는 방식이다. 이에 따라 삼성전자 평택 P3 등 주요 생산기지의 설비투자 시기가 지연됐다. 지난해 상반기는 이연된 P3 투자 효과로 실적이 견조했으나, 하반기는 추가적인 매출 성장 요인이 부족했다. 해당 기간 삼성전자의 투자가 미국 테일러 신규 파운드리 팹, 평택 P4를 위한 인프라 투자에 집중된 데 따른 영향으로 풀이된다. 특히 지난해 3분기에는 순손실 421억 원으로 전분기 대비 적자전환하기도 했다. 다만 올해에는 실적 회복을 기대할 수 있는 요소들이 다수 존재한다. 삼성전자는 올해 HBM(고대역폭메모리) 생산능력을 기존 대비 2.5배 확대하기 위한 패키징 투자에 나선다. 또한 최선단 D램의 비중을 늘리기 위한 공정 전환 투자도 진행할 것으로 알려졌다. 박유악 키움증권 연구원은 "삼성전자가 올 상반기 P3에 월 3만장 수준의 신규 투자를 진행하고, 하반기 P4 완공 후 전공정 장비 투자에 집중할 것으로 예상한다"며 "하반기 업황 회복에 따라 P3 전공정 장비의 추가 투자도 가능할 것"이라고 밝혔다. 세메스는 삼성전자의 자회사로, 반도체 및 디스플레이 장비를 전문으로 개발하고 있다. 반도체 분야에서는 식각·포토·세정 등 전공정 관련 장비 소터, 본더 등 후공정 장비를 두루 개발해 왔다.

2024.02.22 14:38장경윤

인텔, 1.4나노급 초미세공정 '인텔 14A' 로드맵 공개

인텔이 21일(미국 현지시간, 한국시간 22일 1시) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 진행된 파운드리 생태계 행사 'IFS 다이렉트 커넥트 2024'를 통해 최선단 반도체 생산 공정 '인텔 14A'를 공개하고 오는 2027년 경 이를 실현하겠다고 밝혔다. 인텔은 팻 겔싱어 CEO 취임 직후인 2021년 7월 말 "향후 4년 동안 5개 공정을 실현할 것"이라고 밝힌 바 있다. 현재까지 대만 TSMC와 삼성전자의 7-3나노급 공정에 해당하는 인텔 7·4·3 공정이 이미 양산에 들어갔거나 올 상반기 양산 예정이다. 당시 공개된 공정 로드맵 중 가장 마지막 단계에 있는 1.8나노급 공정 '인텔 18A'도 내년 상반기 가동 예정이다. 여기에 1.4나노급 '인텔 14A'로 2010년대 후반부터 10여 년 가까이 내 줬던 공정 우위를 되찾겠다는 것이 인텔 목표다. ■ EUV 대신 DUV 선택한 인텔, 초미세공정서 열세 인텔은 2010년 초반만 해도 "2015년 10나노급 공정 양산에 들어갈 것"이라고 밝혔다. 그러나 반도체 회로를 그리는 노광 기술에서 EUV(극자외선) 대신 DUV(심자외선)를 선택한 댓가로 TSMC·삼성전자 등 경쟁사 대비 초미세공정에 열세에 있다. 팻 겔싱어 인텔 CEO는 2021년 3월 "과거 인텔이 10·7나노급 공정 로드맵을 설계할 때만 해도 EUV 공정은 미성숙했다. 이에 DUV 기술을 활용했지만 복잡성이 늘어났고 10나노급 공정도 지연됐다"고 설명한 바 있다. 인텔이 처음 생산한 10나노급 제품은 2018년 소량 출시된 노트북용 '캐논레이크' 프로세서다. 양산품인 노트북용 10세대 코어 프로세서(아이스레이크)는 2019년에 나왔다. 데스크톱용 프로세서에 10나노급 공정이 적용된 것은 2021년 12세대 코어 프로세서(엘더레이크)부터다. ■ 인텔, 올 하반기 2나노급 공정으로 미세 공정 역전 인텔이 EUV 기반 4나노급 공정 '인텔 4'를 적용한 첫 제품인 코어 울트라 프로세서(메테오레이크)는 작년 하반기부터 양산에 들어갔다. 이를 통해 TSMC·삼성전자(2021년) 대비 격차를 2년 가까이 줄였다. 인텔 4 공정을 개량한 인텔 3 공정은 올 상반기 서버용 프로세서인 '시에라 포레스트'(E코어 기반), '그래나이트래피즈'(P코어 기반) 생산에 활용된다. 그러나 TSMC·삼성전자(2022년) 대비 2년 가까이 격차가 남아 있다. 반면 2나노급 공정부터는 인텔의 역전 가능성이 열려 있다. TSMC와 삼성전자는 2나노급 공정 가동 시점을 2025년으로 잡았다. 반면 인텔은 2나노급 '인텔 20A' 공정 기반 실제 제품을 경쟁사 대비 반 년 가량 앞선 올 하반기부터 투입 예정이다. 인텔은 지난 해 9월 '인텔 이노베이션' 행사에서 인텔 20A 기반 모바일(노트북)용 프로세서 '루나레이크' 시제품으로 생성 AI 구동 시연을 진행했다. 또 지난 1월 CES 2024에서는 시제품 실물도 공개됐다. ■ 고개구율 EUV 기반 '인텔 14A', 유럽에도 적용되나 인텔이 이날 공개한 '인텔 14A' 공정은 보다 세밀한 회로를 새길 수 있는 고개구율(High-NA) EUV를 활용한다. 이와 함께 새로운 트랜지스터 '리본펫'(RibbonFET), 후면 전력 전달 기술 '파워비아'(PowerVIA) 등도 함께 적용 예정이다. 인텔은 2022년 네덜란드 ASML과 고개구율 EUV 노광장비 공급 계약을 맺었다. 지난 1월 초 실제 장비인 '트윈스캔 EXE:5000'이 미국 오레곤 주 힐스보로 소재 인텔 시설에 전달됐다. 인텔 14A 공정은 2027년을 전후해 양산에 들어갈 예정이다. 인텔 관계자는 사전 브리핑에서 "인텔 14A 공정은 오레곤 소재 생산 시설에서 개발되며 전체 공정이 완성되면 세계 각지 생산 시설에 적용될 것"이라고 설명했다. 미국 오레곤 이외에 유럽도 생산 거점으로 예상된다. 팻 겔싱어 인텔 CEO는 1월 중순 진행된 다보스포럼에서 "독일 마그데부르크에 세울 반도체 생산 시설은 인텔 18A 공정 이후 1.5나노급 이하 선단공정을 다룰 것"이라고 밝힌 바 있다.

2024.02.22 03:40권봉석

SEMI "1분기 글로벌 메모리 설비투자 규모 10% 증가 전망"

지난해 부진했던 반도체 설비투자 및 가동률이 올 1분기부터 회복세에 접어들 전망이다. 특히 메모리 설비투자 규모가 1분기 전분기 및 전년동기 대비 각각 9%, 10% 증가할 것으로 관측된다. 21일 SEMI(국제반도체장비재료협회)는 반도체 전문 조사기관인 테크인사이츠와 함께 발행하는 반도체 제조 모니터링 보고서의 최신 자료를 통해 올해 전 세계 반도체 제조산업의 회복세를 예상했다. 전자 제품 판매는 지난해 4분기 전년동기 대비 1% 상승해, 2022년 하반기 이후 처음으로 증가세를 기록한 바 있다. 올해 1분기에도 전년 동기 대비 3%의 증가가 예상된다. 또한 반도체 수요 개선과 재고 정상화가 시작되면서, 지난해 3분기 집적회로(IC) 매출액은 작년 동기 대비 10% 상승했다. 이는 올해 1분기 18% 증가해 더 큰 성장세를 보일 것으로 예상된다. 설비투자액과 팹 가동률은 2023년 하반기에 큰 하락세를 겪은 뒤 올해 1분기부터 점차 회복되기 시작할 것으로 내다봤다. 올해 1분기 메모리 부문 설비투자액은 전분기 대비 9%, 전년동기 대비 10% 증가할 것으로 예상된다. 비메모리 부문은 설비투자액은 전분기 대비 16% 증가할 것으로 전망되나, 전년 동기보다는 낮을 것으로 보인다. 팹 가동률은 지난해 4분기 66%에서, 올 1분기 70%에 달해 소폭 개선될 것으로 전망된다. 한편 팹 생산능력은 지난해 4분기 1.3% 늘었으며, 올 1분기에도 이와 비슷하게 확장될 것으로 기대된다. 지난해 장비 투자액은 예상치를 상회했으나, 장비 구매가 보통 하반기께 진행되면서 올해 상반기의 장비 투자액은 대폭 감소할 것으로 예상된다. 클락 청 SEMI 시니어 디렉터는 "전자 제품과 집적회로(IC)시장은 지난해 부진으로부터 회복되고 있다"며 "지금은 공장 가동률이 낮더라도 올해 점차 개선될 것으로 보인다"고 밝혔다.

2024.02.21 15:43장경윤

삼성전자·Arm, 최첨단 파운드리 동맹 강화…'GAA' 경쟁력 높인다

성전자 파운드리 사업부가 글로벌 반도체 설계 자산(IP) 회사 Arm의 차세대 SoC(시스템온칩) 설계 자산을 자사의 최첨단 GAA(게이트-올-어라운드) 공정에 최적화한다고 21일 밝혔다. 삼성전자는 Arm과의 협력을 통해 팹리스 기업의 최첨단 GAA 공정에 대한 접근성을 높이고, 차세대 제품 개발에 소요되는 시간과 비용을 최소화할 계획이다. 계종욱 삼성전자 파운드리 사업부 Design Platform개발실 부사장은 "Arm과의 협력 확대를 통해 양사 고객들에게 생성형 AI 시대에 걸맞은 혁신을 지원하게 됐다"며 "삼성전자와 Arm은 다년간 쌓아온 견고한 파트너십을 통해 최첨단 기술과 노하우를 축적해왔으며, 이번 설계 기술 최적화를 통해 팹리스 고객들에게 최선단 GAA 공정 기반 초고성능, 초저전력 Cortex-CPU를 선보이겠다"고 말했다. 이번 협업은 다년간 Arm CPU IP를 삼성 파운드리의 다양한 공정에 최적화해 양산한 협력의 연장선이다. 양사간 협업으로 팹리스 고객들은 생성형 AI 시대에 걸맞는 SoC 제품 개발 과정에서 ARM의 최신형 CPU 접근이 용이해진다. 삼성전자의 최선단 GAA 공정을 기반으로 설계된 Arm의 차세대 Cortex-X CPU는 우수한 성능과 전력효율로 최고의 소비자 경험을 제공할 것으로 기대된다. 삼성전자와 Arm의 협력은 팹리스 기업에게 적기에 제품을 제공하면서도 우수한 PPA(소비전력, 성능, 면적)를 구현하는 것에 초점을 맞춘다. 양사는 이를 위해 협력 초기부터 설계와 제조 최적화를 동시에 처리하는 DTCO(Design-Technology Co-Optimization)를 채택해 Arm의 최신 설계와 삼성전자의 GAA 공정의 PPA 개선 효과를 극대화했다. 생성형 AI는 새로운 소비자 경험을 제공하는 제품의 핵심 요소로 꼽히고 있다. 양사는 이번 파트너십으로 삼성전자의 GAA 공정을 기반으로 Arm의 차세대 Cortex-X CPU의 접근성을 극대화하고, 고객의 제품 혁신을 지원할 방침이다. 크리스 버기 Arm 클라이언트 사업부 수석 부사장 겸 총괄 매니저는 "삼성전자와의 오랜 협력관계를 통해 다년간 혁신을 지속할 수 있었다"며 "삼성 파운드리의 GAA 공정으로 Cortex-X와 Cortex-A 프로세서 최적화를 구현해 양사는 모바일 컴퓨팅의 미래를 재정립하고, AI 시대에 요구되는 성능과 효율을 제공하기 위해 혁신을 거듭할 것"이라고 말했다. 양사는 이번 협업을 계기로 다양한 영역에서 협력 확대를 위한 초석을 마련했다. 양사는 차세대 데이터센터 및 인프라 맞춤형 반도체를 위한 2나노 GAA와 미래 생성형 AI 모바일 컴퓨팅 시장을 겨냥한 획기적인 AI 칩렛 솔루션을 순차적으로 선보일 계획이다.

2024.02.21 08:46장경윤

삼성전자, 2세대 3나노 양산 임박...새로운 MBCFET 기술 공개

삼성전자가 올해 상반기 2세대 3나노미터(mn) 공정 칩 양산을 앞두고 2세대 MBCFET(Multi Bridge Channel FET) 기술을 내달 4일 세계 반도체 학회인 '전기전자공학자협회(IEEE EDTM) 2024'에서 발표한다. IEEE EDTM은 국제고체회로학회(ISSCC), VLSI와 함께 세계 3대 반도체 학술대회로 꼽힌다. IEEE EDTM은 2017년 일본 도야마에서 처음 시작해 1년에 한 번씩 세계 각지를 돌면서 반도체 최신 기술 동향을 발표하는 행사다. 올해 8회를 맞는 학회는 3월 3일부터 6일까지 인도 방갈루루 힐튼 호텔에서 개최된다. 지난해는 한국에서 개최된 바 있다. 삼성전자는 올해 학회에서 국내 기업으로는 유일하게 참가한다. 이상현 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 이번 학회에서 2세대 MBCFET 기술을 발표한다. 삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 1세대 3나노 양산을 시작하면서 업계에서 처음으로 게이트올어라운드(GAA) 공정과 삼성 독자 기술인 MBCFET 구조를 적용했다. MBCFET은 4면을 채널로 하는 구조 변화를 통해 성능과 전력 효율을 핀펫(FinFET) 구조 보다 높일 수 있는 기술이다. 2세대 MBCFET은 1세대 보다 전력과 성능이 향상됐다. 앞서 삼성전자는 지난해 5월 반도체 학회 'VLSI 심포지엄'에 참가해 2세대 3나노 공정 스펙을 처음으로 공개한 바 있다. 당시 삼성전자는 2세대 3나노(SF3)는 1세대(SF3E) 보다 향상된 GAA 공정을 적용해 삼성전자의 이전 4나노 핀펫 공정 대비 성능이 22% 빨라지고, 전력 효율은 34% 향상됐으며, 로직 면적은 21% 더 작은 크기를 제공한다고 발표했다. 다만 1세대 3나노 공정 스펙과는 비교는 알려지지 않았다. 삼성전자는 올해 상반기 중으로 2세대 3나노 공정 양산을 개시할 계획이다. 앞서 지난 1월 말 4분기 컨퍼런스콜에서 삼성전자는 "우리는 수율 개선과 2세대 3나노 GAA 공정 최적화에 집중하고 있다"고 밝혔다. 한편, 경쟁사인 TSMC도 올해 상반기에 2세대 3나노(N3E) 공정을, 하반기에 고급 공정인 3나노(N3P)에서 칩 양산을 시작할 계획이다. 삼성전자가 3나노부터 GAA 공정을 적용했다면, TSMC는 3나노에서 핀펫(FinFET) 공정을 유지한다. TSMC는 2나노 공정부터 GAA 공정을 도입할 방침이다.

2024.02.18 10:20이나리

국내 파운드리 3사, MPW 대폭 확대...팹리스 키운다

삼성전자, SK키파운드리, DB하이텍 등 국내 파운드리 업체가 올해 멀티프로젝트웨이퍼(MPW) 서비스 수를 작년보다 늘린다. 3사는 지난해 총 62회를 제공했다면 올해 총 72회를 제공한다는 방침이다. 아울러 정부도 시제품 지원비를 2배 늘리고 10나노미터(mn) 공정 이하에도 지원한다. 이를 통해 팹리스 업체들의 시제품 제작 기회가 확대될 것으로 기대된다. 15일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 MPW 서비스를 총 32회(12인치 18회, 8인치 14회) 제공하며 전년(29회) 보다 3회 늘렸다. 지난해 MPW 서비스를 2022년 보다 6회 늘린 데 이어 올해 더 확대한 것이다. SK키파운드리는 올해 MPW 서비스를 총 12회 제공하며 작년(7회) 보다 5회 늘린다. DB하이텍 또한 2022년, 2023년 각각 26회를 제공하다가 올해 횟수를 2회 늘려 총 28회 제공한다는 방침이다. MPW 서비스는 한 장의 웨이퍼에 다양한 종류의 반도체를 찍어 만드는 것을 말한다. 팹리스 업체는 반도체를 출시하기에 앞서 파운드리(생산라인)에서 시제품을 만드는 MPW 과정을 거친다. 그 다음 고객사에 시제품을 공급하고, 주문받은 후 대량 양산에 들어간다. 파운드리 업체의 MPW 서비스 할당이 많을수록 팹리스 기업들이 시제품을 생산할 기회가 많아지는 셈이다. 파운드리 업체 또한 잠재 고객을 확보하기 위해서 MPW 서비스 지원은 반드시 필요하다. 올해 국내 파운드리 업체들이 MPW 횟수를 늘린 것은 국내 팹리스 업체에 시제품 제작 지원을 확대하기 위한 취지다. 업계 관계자는 “MPW 운영이 큰 수익을 내는 것이 아님에도 횟수를 늘린다는 것은 팹리스 업체에 다양한 칩 생산 기회를 제공하기 위한 목적이 크다”고 말했다. 아울러 지난해부터 반도체 수요 감소에 따라 팹 가동률이 낮아진 점도 MPW 할당을 늘릴 수 있는 배경이다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 4분기 기준 전 세계 8인치 파운드리 업계의 가동률은 70%대로 집계됐다. 기업별로는 삼성전자 65%, DB하이텍 73%, 키파운드리 60% 등이다. 100% 가동률을 기록하던 2021년과 대비된다. 2022년 파운드리 업계는 반도체 공급부족(숏티지) 현상이 심화되면서 MPW 횟수를 대폭 줄인 바 있다. 당시 삼성전자는 연 23회를 제공하며 전년 보다 14회나 줄였고, SK키파운드리는 MPW 서비스를 아예 중단했다. MPW 축소는 대형 고객사의 대량 주문을 우선순위로 웨이퍼를 할당할 수밖에 없었기 때문에 전세계 파운드리 업계의 공통된 상황이었다. 정부 또한 팹리스 업체의 시제품 제작을 위해 올해 MPW 국비 지원을 전년(24억원) 보다 2배 늘려 50억원을 지원한다는 계획이다. 또 팹리스의 첨단 칩 개발 지원을 위해 10나노 이하 초미세 공정에 대한 국비 지원도 올해 신설했다. 산업통상자원부는 팹리스가 개발한 칩의 성능·검증을 위한 '검증지원센터' 구축도 확정지었다. 산업부 관계자는 "국내 파운드리 강점을 기반으로 팹리스 육성을 통한 반도체 밸류체인을 완성하는 것이 목표"라며 "네트워킹, 자금, 시제품 제작기회 해결에 주력하겠다"고 말했다.

2024.02.15 16:21이나리

삼성, TSMC 제치고 日서 2나노 AI 반도체 수주

삼성전자가 지난달 컨퍼런스콜에서 수주를 공식화한 2나노미터(mn) 파운드리 고객사는 일본 주요 인공지능(AI) 기업인 것으로 파악됐다. 이는 경쟁사인 TSMC를 제치고 거둔 성과다. 삼성전자는 HBM(고대역폭메모리)과 첨단 패키징 기술을 턴키 솔루션으로 제공할 수 있다는 점을 적극 내세운 것으로 알려졌다. 15일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 일본 PFN(Preferred Networks)의 2나노 공정 기반 AI 가속기 칩을 수주했다. 지난 2014년 설립된 PFN은 일본의 주요 AI 딥러닝 전문 개발업체다. 자체 개발한 딥러닝 프레임워크인 '체이너(Chainer)'를 기반으로 다양한 산업에 AI 솔루션을 공급하고 있다. 자동차 제조업체 도요타, 통신업체 NTT, 로봇 업체 화낙(Fanuc) 등 현지 여러 대기업으로부터 투자를 유치할 만큼 기술력이 뛰어나다는 평가를 받는다. 또한 PFN은 슈퍼컴퓨터용 AI 칩을 자체 개발해 왔다. PFN이 삼성전자에 생산을 맡긴 공정은 2나노로, 삼성전자·TSMC 등 주요 파운드리가 오는 2025년부터 양산화를 목표로 하고 있는 최선단 기술에 해당한다. 업계는 이번 삼성전자의 2나노 수주가 의미있다는 평가를 내리고 있다. 최선단 파운드리 분야의 고객사를 확보했다는 점도 긍정적이지만, 주요 경쟁사인 TSMC와의 경합에서 승기를 잡았기 때문이다. 그간 PFN은 자사의 AI칩인 'MN-코어' 시리즈 제조에 TSMC를 활용하다 2나노에서 삼성전자와 삼성전자의 DSP(디자인솔루션파트너)에 파운드리와 설계를 맡기기로 했다. PFN이 삼성전자를 채택한 주요 배경은 HBM 및 첨단 패키징 기술의 턴키(일괄)에 대한 장점 때문으로 알려진다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 이번 수주전에서 2나노 공정과 HBM3, 2.5D 패키징 등을 연계해 시너지 효과를 낼 수 있다는 점을 강조한 것으로 안다"며 "공격적인 마케팅으로 이뤄낸 성과"라고 밝혔다. 삼성전자는 메모리 및 파운드리 사업을 동시에 영위하는 기업이다. 덕분에 AI 칩 제작과 HBM 공급, 그리고 이들 칩을 하나로 집적하기 위한 2.5D 패키징 등을 모두 다룰 수 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. AI 산업의 필수 요소로 자리잡고 있으나, 고난이도의 첨단 패키징 기술을 요구하기 때문에 수요 과잉이 지속되고 있다. 2.5D 패키징은 넓은 기판 모양의 실리콘 인터포저로 반도체 다이(Die)를 연결하는 기술이다. HBM 및 고성능 AI 칩은 데이터를 주고받는 I/O(입출력 단자) 수가 너무 많기 때문에, 기존 2D 패키징이 아닌 2.5D 패키징을 활용해야 한다. 삼성전자의 경우 자체 개발 중인 2.5D 패키징에 '아이큐브'라는 브랜드를 붙이고 있다. 다만 삼성전자의 PFN 수주가 2나노 파운드리 공정 자체의 경쟁력 강화를 의미하지는 않는다는 지적도 제기된다. 파운드리 업계 관계자는 "PFN을 비롯한 팹리스 입장에서 아직 상용화도 되지 않은 삼성전자, TSMC의 각 2나노 공정 성능을 평가하기엔 변수가 너무 많다"며 "공정 상 이점보다는 HBM의 원활한 수급과 TSMC에 대한 의존도 탈피 등 공급망 측면에 방점을 뒀을 가능성이 높다"고 설명했다.

2024.02.15 14:46장경윤

美테일러 팹 7월 가동 소식에…삼성 "예정대로 연말 가동" 입장

삼성전자가 미국 텍사스주 테일러시에 짓고 있는 반도체 제조공장(팹)이 오는 7월부터 가동을 시작한다는 소식이 현지에 전해졌다. 하지만 삼성전자 측은 "예정대로 올해 말에 가동을 시작할 예정"이라고 입장을 밝혔다. 텍사스주 윌리엄슨카운티의 빌 그래벨(Bill Gravell) 카운티장은 6일(현지시간) 열린 정기 회의에서 "최근 한국에서 열린 반도체 회의에 참석해 삼성전자 최고재무책임자(CFO)를 만나 테일러 팹 운영 및 제조 일정에 대한 세부 사항을 확인했다"며 "테일러 팹이 늦어도 7월 1일까지 직원을 받기 시작하고 그 기간에 제조를 시작할 것"이라고 말했다. 그는 또 "테일러 단지에서 2공장을 짓기 위한 기초공사를 시작한 것을 파악했다"라며 "완공되면 이 건물이 미국에서 가장 큰 단일 건물이 될 것"이라고 덧붙였다. 빌 그래벨 카운티장은 이달 초 삼성동 코엑스에서 개최된 반도체 전시회 '세미콘 코리아 2024' 미주 포럼 참석과 경기 용인시와 우호 교류 의향서 교환 등의 일정을 위해 한국에 방문한 바 있다. 이에 대해 지디넷코리아의 문의에 삼성전자는 "테일러 팹은 예정대로 연말에 가동을 시작할 예정이다"고 말했다. 삼성전자는 2021년 11월 170억 달러(약 21조원) 규모의 테일러 파운드리 공장 설립을 발표하고, 2022년 상반기 착공에 돌입했다. 테일러 공장 부지는 약 500만㎡(150만평) 규모이며, 삼성 텍사스 공장 보다 약 4배 크다. 테일러 팹은 최첨단 4나노미터(nm) 공정을 활용해 5세대(5G) 이동통신, 고성능컴퓨팅(HPC), 인공지능(AI) 등 반도체를 생산할 계획이다. 삼성전자는 이곳에서 미국 AI 반도체 스타트업인 그로크의 차세대 칩, 캐나다 텐스토렌트의 AI 칩을 4나노(SF4X) 칩렛 공정으로 생산할 계획을 공식적으로 밝힌 바 있다. 최시영 삼성전자 DS(반도체)부문 파운드리사업부 사장은 지난해 말 미국에서 열린 국제반도체소자학회(IEDM) 2023 기조연설에서 텍사스 테일러 공장의 첫 웨이퍼 생산을 내년 하반기, 대량 양산 시기를 2025년으로 밝혔다. 한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄 부사장은 지난달 초 'CES 2024'에서 열린 한국 기자 대상 간담회에서 "테일러 팹 건설이 예정대로 잘 진행되고 있다"면서 "고객 니즈를 파악하며 미국 정부와 협상을 진행 중이다. 조만간 구체적 일정을 밝힐 수 있을 것"이라고 말했다.

2024.02.08 10:39이나리

8인치 파운드리 업계, '가격 하락' 압박 지속 전망

지난해 극심한 부진을 겪은 8인치(200mm) 파운드리 업계가 올 초에도 회복의 기미를 보이지 못하고 있다. 현재 국내외 일부 기업이 공격적인 단가 인하 기조를 이어가고 있는 상황으로 수익성이 더 악화될 것이라는 우려의 목소리가 나온다. 6일 업계에 따르면 세계 8인치 파운드리 시장은 올해 상반기까지 가격 하락 압박이 지속될 전망이다. 8인치 파운드리는 웨이퍼 직경이 8인치인 공정이다. 주로 성숙(레거시) 반도체 제조에 활용된다. DDI(디스플레이구동칩)이나 PMIC(전력관리반도체), CIS(CMOS 이미지센서) 등이 대표적인 제품이다. 현재 국내 삼성전자, DB하이텍, SK하이닉스시스템IC, 키파운드리 등이 8인치 파운드리 사업을 영위하고 있다. 이들 기업은 지난 2021년경 레거시 반도체의 호황으로 100%에 가까운 가동률을 기록했으나, 2022년 하반기부터 가동률이 하락하기 시작했다. 트렌드포스 등 시장조사기관에 따르면 지난해 4분기 기준 8인치 파운드리 업계의 가동률은 70%대로 나타났다. 기업별로는 삼성전자 65%, DB하이텍 73%, SK하이닉스시스템IC 50%, 키파운드리 60% 등이다. 공정 가격 역시 지난해 하반기 전분기 대비 10%가량 하락한 것으로 알려졌다. 나아가 8인치 파운드리 가격의 하락 압박은 올해 상반기에도 지속될 가능성이 높다. 반도체 업계 관계자는 "일부 국내외 8인치 파운드리 기업들이 가동률 향상을 위해 공격적인 가격 인하를 시행하고 있어, 올해 상반기에도 어려운 흐름이 지속될 것"이라며 "수요 회복이 더딘 시점에서 한국과 대만·중국 기업 간의 신경전도 영향을 미치고 있다"고 설명했다. 실제로 DB하이텍은 최근 발표한 자료에서 올해 연 매출이 10% 감소하고, 영업이익률이 10% 초반으로 역성장을 기록할 것으로 내다봤다. 특히 영업이익률의 경우 지난해 기록인 23%의 절반 수준으로 큰 폭의 감소가 예상된다. 다만 올 상반기 8인치 공정의 가격 인하 폭은 이전만큼 크지 않을 것이라는 게 업계의 관측이다. 공정 가격이 이미 바닥에 다다랐고, 추가 가격 하락에 따른 가동률 상승 효과에도 한계가 있기 때문이다. 또 다른 관계자는 "지금도 적자를 기록하는 기업들이 있어 가격 하락폭이 두 자릿 수로 가지는 않을 것"이라며 "하반기부터 다시 업황과 가동률이 개선될 것으로 기대하고 있다"고 밝혔다.

2024.02.06 13:30장경윤

'하이 NA EUV 장비' 2027년 국내 온다...삼성 1.4나노 생산

삼성전자와 네덜란드 장비업체 ASML이 공동으로 투자하는 반도체 첨단공정 연구개발(R&D) 센터에 2027년부터 하이(High) NA EUV(극자외선) 장비가 반입될 예정이다. 이를 통해 삼성전자 파운드리는 1.4나노 공정부터 하이 NA EUV 장비를 적용할 것으로 보인다. 삼성전자는 2025년 2나노 공정, 2027년에는 1.4나노 공정으로 칩을 양산한다는 계획을 공식적으로 밝힌 바 있다. 이우경 ASML 코리아 사장은 31일 서울 인터콘티넨탈 파르나스 호텔에서 열린 '세미콘코리아 인터스트리 리더십 디너'에서 기자들을 만나 "EUV R&D 센터에 장비 반입이 2027년에 될 것 같다"며 "장비를 빨리 들여오는 것이 목표다. 인허가 받는 과정이 있기 때문에 빠르면 올해 12월에 (R&D 센터를) 착공하거나 내년에 시작할 것으로 보인다"고 말했다. 그는 이어 "EUV R&D센터 건립을 위해 AMSL 화성 뉴캠퍼스 바로 앞에 부지를 구입했다. 신규 센터를 지을 때 전력 등 인허가가 나기까지 보통 3개월 소요되는데, 이번 건은 빠르게 진행되면서 다음주 또는 구정 후에 결과를 받을 것 같다. R&D 센터 건물만 4천500억원, 장비만 해도 1조원 규모"라며 "이런 인프라가 한국에 있다는 것만 해도 큰 가치(밸류)일 것"이라고 덧붙였다. EUV R&D 센터는 지난해 12월 한국과 네덜란드의 반도체 동맹을 계기로 삼성전자와 ASML이 공동으로 1조원을 투자해 국내에 짓는 센터다. 이 곳에서는 ASML의 EVU 장비를 삼성전자의 공정에 최적화하는 기술을 연구할 계획이다. 양사의 공동 R&D 센터 건립 체결 당시 이재용 삼성전자 회장과 경계현 삼성전자 DS부문 사장이 직접 참석해 주목받기도 했다. 파운드리 업계에서 초미세 공정 기술 경쟁이 갈수록 심화되는 가운데 삼성전자는 ASML과 협력을 통해 경쟁력을 미리 확보할 것으로 기대된다. ASML은 반도체 미세공정을 위한 EUV를 전 세계에서 유일하게 생산하는 장비 업체로 '슈퍼 을(乙)'로 불린다. 삼성전자와 ASML의 공동 R&D 센터에 반입되는 하이 NA EUV 장비(트윈스EXE:5000)는 2나노 이하의 공정에서 반드시 필요하다. 하이 NA EUV 장비는 이전 장비(NXE 시스템) 보다 1.7배 더 작은 트랜지스터를 인쇄할 수 있다. ASML은 지난해 12월 인텔에 처음으로 하이 NA EUV 장비를 공급했으며, 대량 양산은 2025~2026년을 목표로 하고 있다. 인텔 또한 하이-NA EUV 장비로 18A(1.8나노급) 반도체를 양산할 계획이다. 삼성전자를 비롯해 TSMC 또한 하이 NA EUV 장비를 발주했다. 삼성전자는 ASML과 반도체 공동연구소를 통해 EUV 기술 선점에 경쟁 우위를 갖을 것으로 기대한다. 지난해 12월 경계현 사장은 ASML과 협력체결 후 공항에 입국하면서 기자들에게 "앞으로 하이 NA EUV 장비에 대한 기술적 우선권을 삼성이 갖게 될 것 같다. 장비를 빨리 들여온다는 관점보다는 ASML와 삼성의 엔지니어가 같이 공동연구를 하는 것"이라며 "삼성이 하이 NA EUV를 더 잘 쓸 수 있는 협력관계를 맺어가는 것이 중요하다"고 말했다.

2024.02.01 14:00이나리

"삼성, 올해도 TSMC 제치고 설비투자 규모 1위 전망"

"삼성전자는 올해 333억 달러의 설비투자로 모든 종합반도체기업 및 파운드리 중에서 1위를 기록할 것으로 전망된다. 지난 2010년부터 1위를 유지하고 있는 것으로, 매우 고무적인 일이다." 31일 안드레아 라티 테크인사이츠 디렉터는 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2024' 기자간담회에서 전 세계 반도체 설비투자 현황에 대해 이같이 밝혔다. 테크인사이츠는 캐나다 소재의 반도체 전문 시장조사기관이다. 테크인사이츠는 올해 반도체 시장 규모가 6천370억 달러로 전년 대비 15% 성장할 것으로 내다봤다. 분야 별로는 D램, 낸드 등 메모리반도체의 성장이 가장 두드러질 전망이다. D램은 올해 770억 달러로 전년 대비 50%, 낸드는 520억 달러로 전년 대비 32%의 성장세가 예상된다. 로직, 차량용 반도체 등이 10%대로 성장하는 것에 비해 가파르다. 올해 전 세계 반도체 기업들의 설비투자 규모는 전년 대비 2% 증가한 1천587억 달러를 기록할 것으로 추산된다. 지난해 투자 규모는 반도체 시장 및 거시경제 악화로 전년 대비 9% 감소한 바 있다. 기업별로는 삼성전자가 지난해에 이어 올해에도 가장 큰 규모의 투자를 진행할 것으로 분석된다. 삼성전자의 투자 규모는 지난해 347억 달러, 올해 333억 달러로 추산된다. 2위 TSMC는 올해 305억 달러, 내년 300억 달러를 투자할 전망이다. 안드레아 라티 디렉터는 "삼성전자는 지난 10년간 가장 많은 반도체 설비투자를 집행해 왔다는 점에서 고무적"이라며 "상위 5개 기업(삼성전자, TSMC, 인텔, SMIC, SK하이닉스)가 전체 투자의 3분의 2를 차지하고 있다"고 밝혔다. 클락 청 SEMI 시니어 디렉터도 주요 기업들의 활발한 설비투자로 반도체 장비 시장이 견조한 성장세를 보일 것으로 예상했다. 클락 청 디렉터는 "세계 반도체 장비 매출액은 지난해 1천9억 달러에서 올해 1천53억 달러로, 내년에는 1천241억 달러로 성장할 것"이라며 "세계 각국의 공급망 강화 전략 및 인센티브 정책 등으로 중장기적인 성장세가 예견된다"고 설명했다. 한편 국제반도체장비재료협회(SEMI)가 주관하는 이번 행사는 글로벌 반도체 산업 관계자들이 한 자리에 모여 첨단 반도체 기술 및 시장 현황에 대해 짚고자 마련됐다. 올해 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 반도체 제조기업과 소부장 기업들이 500여곳이 참여했다.

2024.01.31 16:43장경윤

삼성전자, 1분기 메모리 흑자전환 예상…HBM 중심으로 성장세

삼성전자가 지난해 적자를 지속하던 반도체 사업에서 4분기에 D램 흑자전환에 성공한데 이어 올해 1분기에는 전체 메모리 사업이 흑자전환을 예상했다. 특히 생성형 AI와 관련해 HBM(고대역폭메모리), 서버용 SSD에 적극 대응하면서 수익성 개선에 집중할 계획이다. 삼성전자는 지난해 연결기준 영업이익이 6조5670억 원으로 전년 대비 84.86% 감소했다. 연간 매출은 258조9355억원으로 14.33% 줄었다. 반도체를 담당하는 DS부문의 연간 영업손실은 14조8800억원을 기록했다. 지난해 4분기 영업이익은 2조8200억원으로 전년 동기 대비 34.4% 감소했고, 전 분기 대비 16.7% 증가했다. 4분기 매출은 67조7800억원으로 전년 대비 3.8% 감소, 전 분기 대비 0.56% 증가했다. 1분기 메모리 재고 정상화 전망...감산은 지속 삼성전자의 연간 영업이익이 10조원 아래를 기록한 것은 글로벌 금융위기가 닥쳤던 2008년 이후 15년 만이다. 실적 하락 원인은 글로벌 소비 시장 침체와 더불어 반도체 업황 악화 영향이 가장 크다. 지난해 삼성전자에서 반도체를 담당하는 DS부문은 4개분기 연속 적자를 기록해 연간 영업손실로 14조8800억원을 기록했다. DS부문 실적은 지난해 1분기(-4조5800억원) 2분기(-4조3600억원), 3분기(-3조7500억원) 영업손실을 기록한 바 있다. 다만, 4분기에는 영업손실 2조1800억원으로 적자 폭을 줄이고, D램 사업에서 흑자 전환을 달성했다는 점에서 긍정적이다. 메모리는 고객사 재고가 정상화되는 가운데 PC 및 모바일 제품의 메모리 탑재량이 증가하고 생성형 AI 서버 수요가 증가하면서 전반적인 수요 회복세를 보였다. 삼성전자는 고부가가치 제품 판매를 확대하는 기조 아래 ▲HBM(고대역폭메모리) ▲DDR5 ▲LPDDR5X ▲UFS4.0 등 첨단공정 제품 판매를 대폭 확대했다. 그 결과 시장을 상회하는 비트 그로스(Bit Growth, 비트 단위로 환산한 생산량 증가율)를 기록했으며, D램은 재고 수준이 큰 폭으로 개선됐다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 “D램과 낸드 비트그로스는 30% 중반을 달성했고, 평균판매단가(ASP)는 D램이 두 자릿수 초반, 낸드가 높은 한 자릿수 각각 상승했다”라며 “특히 서버향 D램은 전분기 대비 60% 이상의 비트그로스를 기록했고, 4분기 DDR5는 1a 나노 전환 가속화에 힘입어 전체 서버 D램 내 비중이 과반을 초과하며 전체 D램 성장을 견인했다”고 말했다. 이어서 “낸드 또한 업황이 회복되는 가운데 데이터센터, 스토리지 등 서버형 SSD 제품 중심으로 수요가 지속 상승하고, 이에 서버형 SSD 출하량 증가 폭이 전분기 대비 50%에 육박하는 등 큰 폭의 판매 증가가 있었다”고 덧붙였다. 메모리 재고가 정상화되는 시점은 D램은 1분기, 낸드는 상반기 중이 전망된다. 다만, 삼성전자는 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정이라고 밝혔다. 김 부사장은 “재고 정상화 목표와 이를 위한 생산량 조정 기조에는 변함이 없다”라며 “D램, 낸드 모두 세부 제품별 재고 수준에는 차이가 있기에 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 여전히 선별적인 생산 조정을 이어나갈 예정이다”고 말했다. 1분기에 메모리 사업 흑자전환 전망...HBM에 주력 이처럼 업황 개선으로 삼성전자는 1분기에 전체 메모리 사업이 흑자전환을 기록할 전망이다. 김 부사장은 “1분기 당사 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다”라며 “PC와 모바일은 지난 분기 수요 회복이 이미 확인된 상태로, 전분기에 이어서 1분기에도 수요 회복세가 지속될 것으로 전망된다. 다만 서버 및 스토리지의 경우에는 한동안 상대적으로 부진했던 수요가 회복세를 나타내고는 있으나 본격적인 수요 회복 여부는 1~2분기 정도 더 지켜봐야 한다”고 전했다. 특히 PC와 모바일에 온디바이스AI 채택의 영향으로 메모리 탑재량 성장이 예상된다. 또 팬데믹 초기 판매됐던 제품 중 일부 교체 주기 도래와 맞물려서 세트 출하량 추이에 긍정적인 효과도 있을 것으로 보인다. 삼성전자는 수익성이 높은 HBM에 보다 주력할 계획이다. 특히 파운드리, 시스템LSI 사업부, 어드벤스트 패키징을 통한 커스텀(맞춤형) HBM 공급을 차별화로 내세워 시장을 공략한다는 목표다. 김 부사장은 “HBM 비트 판매량은 매 분기 기록을 경신 중이며, 지난 4분기에는 전분기 대비 40% 이상, 전년 동기 대비로는 약 3.5배 규모로 성장했다”고 밝혔다. 이어서 “HBM3는 3분기에 첫 양산을 개시했고, 4분기에는 주요 GPU 업체들을 고객 풀에 추가하며 판매를 확대했다. HBM3과 HBM3E를 포함한 선단 제품의 비중이 지속 증가해 올해 상반기 중 판매 수량의 절반 이상을 차지하고, 하반기에는 그 비중이 90% 수준에 도달할 것으로 예상된다”며 “다음 세대인 HBM4는 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중이다”고 말했다. 파운드리, 지난해 연간 최대 수주잔고 달성…2세대 3나노 GAA 공정 최적화 집중 파운드리는 3나노 GAA 공정을 안정적으로 양산하고 2나노 공정 개발 등 첨단공정 개발을 지속하면서 AI 가속기 등 빠르게 성장하는 응용처 수주를 확대할 방침이다. 정기봉 파운드리사업부 부사장은 “최근 HPC 응용처에서 판매 비중 증가, 신규 수주가 증가했다”라며 “2023년 연간 최대의 수주 잔고를 달성해 성장 기반을 강화할 수 있었고, 1분기에는 AI 기능을 탑재한 스마트폰이나 PC 신제품 출시와 함께 수요가 개선될 것으로 보인다”고 말했다. 이어서 정 부사장은 “고객의 재고를 줄이는 추세가 여전히 지속되기 때문에 우리의 실적은 크게 회복되지 않을 수도 있다”라며 “그럼에도 불구하고 수율 개선과 2세대 3나노 GAA의 공정 최적화에 집중하고, HBM, 첨단 패키징을 포함한 2나노 AI 가속기를 확보해 미래를 준비하겠다”고 말했다. 그밖에 시스템LSI 사업부는 시스템온칩(SoC), 이미지센서, LSI 등 각 사업별 시장 대응력을 높이고 경쟁력을 강화할 계획이다. 한편, 삼성전자는 지난해 부진한 실적에도 불구하고 R&D(연구개발) 및 시설 투자 규모는 모두 사상 최대치를 기록했다. 4분기 R&D 투자에는 7조5500억원을 투자해 역대 분기 최대를 기록했고, 연간으로도 28조3400억원에 달해 기존 최대치인 2022년 24조9200억원을 뛰어넘었다. 지난해 시설 투자에도 연간 53조1000억원이 투입됐다.

2024.01.31 13:48이나리

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