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'삼성 파운드리'통합검색 결과 입니다. (195건)

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'삼성 2나노' 고객사 日 PFN, 현지서 대규모 투자 받는다

일본 주요 금융그룹 SBI홀딩스가 현지 AI 반도체 스타트업 PFN(Preferred Networks)에 100억 엔(한화 약 920억원)을 투자하고, AI 반도체를 협력 설계할 계획이라고 닛케이아시아가 27일 보도했다. PFN은 일본 기업 10개사를 중심으로 투자를 유치하고 있다. SBI는 해당 라운드에서 주도적인 역할을 담당할 것으로 예상되며, 이전 PFN에 투자한 도요타와 함께 PFN의 최대 투자자 중 하나가 될 계획이다. 2014년 설립된 PFN은 일본의 주요 AI 딥러닝 전문 개발업체다. 일본의 유니콘 기업 중 하나로, 기업 가치는 약 3천억 엔 수준으로 평가받고 있다. PFN은 자체 개발한 딥러닝 프레임워크인 '체이너(Chainer)'를 기반으로 다양한 산업에 AI 솔루션을 공급하고 있으며, 슈퍼컴퓨터용 AI 칩도 자체적으로 개발해 왔다. 특히 PFN은 올해 초 삼성전자에 2나노미터(nm) 공정 양산을 의뢰했다. 2나노는 삼성전자·TSMC 등 주요 파운드리가 오는 2025년부터 양산화를 목표로 하고 있는 최선단 기술에 해당한다. 이전 PFN은 자사 AI 칩인 'MN-코어' 제조를 TSMC에 의뢰한 바 있으나, 2나노 공정서에는 삼성전자와 삼성전자 DSP(디자인솔루션파트너)인 가온칩스를 채택했다. 제조 공정 변경에 신중할 수 밖에 없는 팹리스가 파운드리 공급망을 변경했다는 점에서 업계의 주목을 받았다. 닛케이아시아는 "SBI가 데이터센터 등의 성장에 대응하고자 PFN과 협력해 차세대 AI 반도체에 대한 연구를 수행할 계획"이라며 "중기적으로 SBI는 패키징, 테스트와 같은 백엔드 공정을 포함해 일본 반도체 공급망을 구축하기 위한 다른 분야에도 투자할 계획"이라고 밝혔다.

2024.08.27 09:59장경윤

삼성, 구글과 협력...'픽셀9·폴드'에 부품 다수 공급

구글이 하반기 출시한 플래그십 스마트폰 '픽셀9' 시리즈와 '픽셀9 프로폴드'는 전작과 마찬가지로 삼성전자의 부품이 다수 탑재됐다. 구글은 첫 스마트폰 출시 시점부터 삼성전자의 부품이 큰 비중을 차지하며 협력을 이어 나가고 있다. 구글은 지난 13일 미국 캘리포니아주 마운틴뷰 본사에서 신제품 공개 행사 '메이드 바이 구글 2024'를 열고 신제품 스마트폰 ▲픽셀9 ▲픽셀9 프로 ▲ 픽셀9 XL ▲ 픽셀9 프로 폴드 4종을 공개했다. 이번 신제품은 자사의 인공지능(AI) 모델 '제미나이'가 탑재된 구글의 첫 AI 스마트폰이란 점에서 큰 주목을 받았다. 구글은 2021년부터 삼성 시스템LSI 협업으로 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) '텐서'를 개발하고, 그 칩을 삼성전자 파운드리에서 생산해 오고 있다. 모바일 AP는 스마트폰의 두뇌 역할을 한다. 이번 픽셀9 시리즈 4종에는 '텐서 G4'가 탑재됐으며, 삼성전자 파운드리 4나노미터(nm) 공정에서 생산됐다. 지난해 출시된 픽셀8 시리즈도 삼성전자 4나노 공정에서 생산된 '텐서G3' AP가 탑재된 바 있다. 앞서 구글이 2022년 출시한 '픽셀7'과 보급형 스마트폰 '픽셀7a'에는 삼성전자 파운드리 5나노 공정에서 생산된 '텐서G2' AP가 탑재됐다. 구글은 디스플레이 부분에서도 삼성디스플레이와 협력을 지속하고 있다. 픽셀9, 픽셀9 프로, 픽셀9 XL, 픽셀9 프로 폴드에는 모두 삼성디스플레이의 OLED 패널이 사용됐다. 이 중 픽셀9 프로와 XL, 프로 폴드 모델은 주로 프리미엄 스마트폰에 탑재되는 LTPO(저온다결정산화물) OLED이 탑재돼 차별화를 뒀다. LTPO OLED는 저전력이 특징이다. 최근 스마트폰에서 AI 기능 사용 증가로 전력 소모가 중요해짐에 따라 최근 AI 기능으로 스마트폰에서 전력 소모가 중요해지면서 스마트폰 시장은 현재 탑재비중이 높은 저온다결정실리콘(LTPS) OLED에서 LTPO OLED로 대체되는 추세다. 삼성전자도 올해 초 갤럭시S24 시리즈 전 모델에 LTPO OLED를 적용했고, 애플은 오는 9월에 출시하는 아이폰16 프로·프로맥스 모델에 LTPO OLED를 탑재할 계획이다. 구글은 지난해 첫 폴더블폰을 출시하면서 삼성디스플레이로부터 폴더블 패널도 추가로 공급받고 있다. 시장조사업체 DSCC에 따르면 올해 2분기 폴더블 스마트폰 디스플레이 시장에서 삼성디스플레이는 53% 점유율로 1위, 중국 BOE는 27%를 차지했다. 구글 픽셀9 시리즈는 삼성전자로부터 CMOS 이미지센서도 공급받는다. 픽셀9, 픽셀9 프로, 픽셀9 XL에는 작년 모델과 동일한 삼성전자 이미지센서 '아이소셀 GNK'가 탑재돼 있으며, 이 센서는 5천만 화소, F/1.7을 지원한다. 지난해 11월 출시된 아이소셀 GNK는 2021년 9월 출시된 '아이소셀 GN5'의 후속 모델로, 출시 2년 2개월만에 신제품이 공개됐다. 삼성전자는 2021년, 2022년 출시된 구글 픽셀6 시리즈와 픽셀7 시리즈에도 '아이소셀 GN1'을 공급한 바 있다. 한편, 업계에 따르면 구글이 내년에 출시하는 스마트폰 픽셀 10시리즈에는 '텐서 G5' AP가 탑재될 예정이며, 이 칩은 삼성전자가 아닌 대만 TSMC 3나노 공정에서 제조될 예정이다. 이에 구글과 삼성전자의 협력이 축소될 가능성에 대한 우려가 제기된다.

2024.08.23 14:42이나리

리벨리온, 차세대 AI칩 '리벨-쿼드' 양산 앞당긴다…"삼성 지원 덕분"

"회사의 최신 NPU 아톰은 중동 아람코 등 주요 잠재 고객사와의 긴밀한 협의로 올해 4분기 매출 성장을 기대하고 있습니다. 이 칩은 경쟁사 대비 성능과 전력 효율성을 모두 높인 것이 장점이죠. 다음 세대 칩인 '리벨-쿼드'도 삼성전자의 많은 지원 덕분에 생산 일정을 올해 말에서 내년 초 정도로 앞당길 수 있을 것으로 보입니다." 오진욱 리벨리온 CTO는 최근 경기 성남시 소재 사무실에서 기자들과 만나 회사의 AI 반도체 개발 및 상용화 로드맵에 대해 이같이 말했다. 리벨리온은 지난 2020년 설립된 국내 AI 반도체 스타트업이다. 올해 상반기에는 회사의 2번째 NPU(신경망처리장치) 칩인 '아톰(ATOM)'의 양산을 시작했다. 아톰은 5나노미터(nm) 공정을 기반으로, 128TOPS(1초 당 128조번의 정수 연산) 및 32TFLOPS(1초 당 32조번의 부동소수점 연산)의 성능을 갖췄다. 특히 전력 소모량이 보편적인 GPU 대비 5분의 1에 불과한 것이 특징이다. ■ 칩 넘어 '랙 솔루션' 준비…아람코에 4분기 공급 목표 리벨리온이 아톰을 통해 거둔 가장 최근의 성과는 지난달 사우디아라비아 국영 석유그룹 아람코로부터 200억원 규모의 투자를 유치한 것이다. 이를 통해 리벨리온은 사우디에 현지 법인을 설립하고, 사우디 정부가 추진하는 소버린(주권) AI 인프라와 서비스 구축을 지원할 예정이다. 오진욱 CTO는 "중동은 공급망 및 보안 이슈로 자체 LLM(거대언어모델) 구축을 원하고 있는데, 데이터센터에 리벨리온의 NPU를 랙(복수의 서버를 저장할 수 있는 특수 프레임) 형태로 도입하는 방안을 논의 중"이라며 "카드 형태는 소량 발주됐으며, 랙 단위로는 올 4분기 매출을 발생시키는 게 목표"라고 설명했다. 이를 위해 리벨리온은 HP, 델, 레노버, 슈퍼마이크로 등 서버 OEM 업체들과도 적극적으로 협력하고 있다. 리벨리온이 자사 NPU를 고객사에 실제 공급하기 위해선 칩에 여러 인터페이스 기능을 추가한 카드나, 이 카드를 여러 개 모은 서버·랙 등의 형태로 제작해야 하기 때문이다. 오진욱 CTO는 "NPU 자체도 중요하지만, 이를 기반으로 한 서버 랙 역시 데이터센터의 발열, 성능 등에 영향을 미치기 때문에 매우 중요하다"며 "아톰 칩은 저전력 설계로 서버 하나에 칩을 240~250개가량 집적할 수 있어, 고성능 서버 구축을 원하는 중동 고객사에게 수요가 있다"고 밝혔다. ■ 소프트웨어 기술력도 강점…'RSD'가 핵심 무기 현재 서버용 AI 가속기 시장에서는 HBM(고대역폭메모리)가 각광받고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 일반 D램 대비 대역폭을 수십 배 끌어올린 메모리다. 대역폭은 데이터가 송수신되는 통로로, 넓으면 넓을수록 데이터를 빠르게 처리할 수 있다. 반면 아톰은 HBM이 아닌 GDDR(그래픽 D램)을 채용했다. 그럼에도 리벨리온이 아람코 등에서 협업을 얻어낼 수 있었던 이유는, GDDR로도 저전력·고효율 데이터 처리 성능을 구현할 수 있는 자체 소프트웨어 기술을 갖추고 있었기 때문이다. 오진욱 CTO는 "GDDR을 여러 개 붙여 HBM과 비슷한 대역폭을 구현하는 동시에, 전력 소모량은 HBM보다 적도록 메모리 컴포넌트 등의 기술력을 확보했다"며 "또한 각 칩을 효율적으로 운용할 수 있도록 만드는 RSD 기술력도 중요하다"고 말했다. RSD는 'Rebellions Scalable Design'로, 리벨리온이 자체 개발한 분산 컴퓨팅용 소프트웨어 스택이다. 방대한 데이터 처리가 필요한 LLM은 140~180GB(기가바이트)에 달하는 메모리 용량이 필요하다. 이는 일반적인 AI 가속기 카드 하나로는 수용하기 어려운 용량인데, 결과적으로 이를 여러 카드에 나눠 데이터를 처리해야 한다. 이 여러 개의 카드가 단일 카드처럼 잘 작동하도록 만드는 기술이 RSD다. 오진욱 CTO는 "여러 개의 카드를 구동하는 데 필요한 컴파일러, 인터페이스 등을 가장 효율적으로 사용하는 방식을 파악해내는 게 RSD의 핵심"이라며 "이를 위해 메모리 제조사나 엔비디아 등 거대 기업을 제외하면 PCIe 5.0(고속 데이터 전송용 표준)을 제일 빨리 도입하기도 했다"고 강조했다. ■ "차세대 '리벨-쿼드' 양산, 삼성 협업으로 일정 앞당길 것" 나아가 리벨리온은 성능을 더 높인 차세대 NPU '리벨'을 이르면 올 연말 출시한다. 리벨은 삼성전자 파운드리 4나노미터(nm) 공정을 기반으로, 삼성전자의 36GB HBM3E 12단(5세대 고대역폭메모리)을 처음으로 탑재한다. 리벨 개발이 완료되는 경우, 리벨리온은 리벨 칩 4개를 칩렛 구조로 집적한 '리벨-쿼드'를 실제 제품으로 상용화할 계획이었다. 리벨-쿼드는 총 4개의 HBM3E을 탑재하기 때문에 메모리 용량이 144GB로 확장되며, 대역폭을 4.8TB/s까지 구현할 수 있을 것으로 예상된다. 칩렛은 기능별로 각 칩을 제작한 뒤 단일 칩에 붙이는 최첨단 패키징 기술이다. 특정 용도에 맞춰 칩을 이종집적하기 때문에 설계 유연성이 높고, 고속 인터커넥트를 활용하면 전체 시스템의 성능을 높일 수 있어 단일 칩 제작보다 성능을 강화할 수도 있다. 당초 리벨-쿼드는 2026년을 전후로 개발이 완료될 것으로 예상됐으나, 최근 일정이 앞당겨졌다. 이르면 올해 말이나 내년 초에 제작이 가능해질 전망이다. 오진욱 CTO는 "삼성전자의 적극적인 지원으로, 리벨 싱글 제품과 같은 일정으로 쿼드 제품을 출시하는 것이 가능해질 것으로 판단한다"며 "설계 유연성이 높은 칩렛 기술을 적용했기 때문에 다양한 서버 고객사의 요구에 부응할 수 있을 것"이라고 말했다. ■ "사피온과의 합병, 시너지 효과 구상 중" 앞서 리벨리온은 이달 18일 국내 또다른 AI 반도체 기업 사피온코리아와의 합병을 위한 본계약을 체결한 바 있다. 합병 후 존속법인은 '사피온코리아'로 하고, 리벨리온 경영진이 합병법인을 이끌기로 하면서 새 회사의 사명은 '리벨리온'으로 결정됐다. 박성현 리벨리온 대표가 합병법인의 경영을 맡게 될 예정이다. 이와 관련해 오진욱 CTO는 "사피온은 당사와 동일한 NPU 개발사이나, 지금까지 주력하는 사업 모델들과 파트너사들이 달랐기 때문에 서로 다른 시각을 가진 부분이 있다"며 "이러한 부분들을 종합하고 각자의 장점을 채택해서 더 좋은 솔루션을 개발할 수 있을 것"이라고 설명했다. 합병 이후 파운드리 이원화 가능성에 대해서는 유보적인 입장을 취했다. 현재 리벨리온은 삼성전자와, 사피온은 대만 주요 파운드리 TSMC에 칩 제작을 의뢰하고 있다. 오진욱 CTO는 "삼성전자와 리벨 칩 개발에 집중하고 있기 때문에 현재로선 이원화는 고려하고 있지 않다고 보는 게 맞다"며 "삼성전자가 메모리부터 파운드리, 패키징에 이르는 다양한 공정을 턴키 서비스로 제공할 수 있기 때문에 많은 이점이 있다고 생각한다"고 밝혔다.

2024.08.22 09:00장경윤

SK실트론, '2나노'용 공정 기술 개발…웨이퍼 업계도 '초미세' 대응

SK실트론이 최근 초미세 파운드리 공정에 해당하는 2나노미터(nm)급 EPI(에피) 기술을 개발했다. 삼성전자, TSMC 등 주요 반도체 기업들이 내년 2나노 공정 상용화를 앞다퉈 추진 중인 상황에 대응하기 위한 준비다. 20일 SK실트론의 반기보고서에 따르면 이 회사는 지난 6월 '300mm(12인치) 로직용 2나노급 EPI'를 개발했다. SK실트론은 주요 반도체 제조 기업의 요청에 의해 해당 기술을 연구개발(R&D) 해온 것으로 알려졌다. 현재 2나노 수준의 초미세 파운드리 공정을 다루는 기업은 전 세계적으로 삼성전자, TSMC, 인텔 등 3곳에 불과하다. EPI는 공정은 연마가 끝난 실리콘 웨이퍼(폴리시드 웨이퍼) 위에 화학기상증착법(CVD)으로 초고순도의 단결정 실리콘 레이어를 성장시키는 기술이다. 이 과정을 거친 웨이퍼를 에피 웨이퍼라 부른다. 에피 웨이퍼는 폴리시드 웨이퍼 대비 표면에 존재하는 미세 결함이 적으며, 특정 용도에 맞춰 유연하게 특성을 변경할 수 있다는 장점이 있다. 때문에 에피 웨이퍼는 주로 CPU, GPU 등 로직 반도체 제조에 활용돼 왔다. SK실트론이 이번에 2나노급 EPI 공정을 개발한 이유는 곧 다가올 초미세 공정 시대에 대응하기 위한 준비로 풀이된다. 웨이퍼 제조기업은 반도체 최후방산업에 속하는 업계 특성 상, 고객사와의 긴밀한 협의를 거쳐 차세대 제품을 선제 개발해야 한다. 대표적으로 삼성전자는 일본 팹리스 PFN(Preferred Networks)로부터 처음으로 2나노 공정 기반의 AI 가속기 칩을 수주한 바 있다. 이에 따라 삼성전자는 내년부터 2나노 공정 양산을 본격화할 계획이다. TSMC 역시 2025년 2나노 공정 양산을 공식화한 상황이다. 한편 SK실트론은 국내 유일의 실리콘 반도체 웨이퍼 전문 제조기업이다. 올 2분기 매출은 5천30억 원, 영업이익은 700억 원을 기록했다. 전분기 대비 각각 5.6%, 66.8% 증가했다. 전년동기 대비로는 매출은 2.2% 증가했으며, 영업이익은 동일한 수준이다.

2024.08.20 10:20장경윤

삼성·SK하이닉스, 9.4兆 보조금 받고 美 투자 속도 낸다

삼성전자에 이어 SK하이닉스도 미국 정부로부터 반도체 보조금 지원이 확정되면서 양사의 팹 건설에 속도가 붙을 전망이다. 두 회사가 미국 정부로부터 지원받는 직접 보조금은 모두 합쳐 한화로 약 9조4천억원(68억5천만 달러)에 달한다. 삼성전자는 2022년부터 반도체 공장을 건설 중이며, SK하이닉스는 건설 착공을 앞두고 있다. 양사는 건설 인프라 확보에 더욱 집중할 것으로 보인다. 또한 양사의 반도체 생산시설 확대는 국내 소부장(소재, 부품, 장비) 업체들에게 글로벌 진출 기회가 될 것으로 기대된다. ■ SK하이닉스, HBM 등 AI 메모리 패키징 시설 건설…4.5억 달러 보조금 확보 미국 상무부는 지난 6일 SK하이닉스의 인디애나주 반도체 패키징 시설 투자에 4억5천만 달러(약 6천200억원)의 직접 보조금과 5억 달러의 대출 지원을 결정하면서 예비거래각서(PMT, Preliminary Memorandum of Terms)에 서명했다고 발표했다. 또 미국 재무부는 SK하이닉스가 투자하는 금액의 최대 25%까지 세제혜택을 제공할 예정이다. 앞서 지난 4월 SK하이닉스는 인디애나주 웨스트라피엣에 38억7천만 달러(약 5조2천억원)를 투자해 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키징 생산기지 및 연구개발(R&D) 시설을 건설한다고 발표했다. 이번 투자로 SK하이닉스는 약 1000개의 일자리를 창출하고, 퍼듀(Purdue) 대학 등 현지 연구기관과 반도체 연구·개발에 협력할 계획이다. SK하이닉스는 오는 2028년까지 공장을 완공하고 같은해 하반기부터 차세대 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 메모리를 생산한다는 계획이다. SK하이닉스의 인디애나 팹은 고객사인 엔비디아와 협력사인 대만 TSMC와 함께 삼각편대를 이뤄 시너지를 낼 것으로 보인다. SK하이닉스는 AI 반도체 1위인 엔비디아와 HBM3(4세대) 독점 공급 계약에 이어 HBM3E(5세대)도 최초 공급 계약을 맺는 활약으로 HBM 시장에서 독보적인 1위다. TSMC는 파운드리 시장에서 60% 이상 점유율로 1위이며, 고객사로 엔비디아를 확보하고 있다. ■ 삼성전자, 2·4나노 파운드리 팹, 패키징 시설 투자…64억 달러 보조금 확보 삼성전자는 지난 4월 미국 정부로부터 반도체 보조금으로 64억 달러(약 8조8505억원)의 지원금을 받기로 확정됐다. 이는 미국 인텔(85억 달러), 대만 TSMC(66억 달러)에 이어 세번째로 많은 보조금 규모다. 삼성전자는 반도체 보조금을 받게 되면서 텍사스주에 2022년부터 건설 중인 파운드리 1공장 외에도 추가로 2공장을 건설하고, 첨단 패키징 공장과 R&D 센터도 짓기로 결정했다. 이에 따라 삼성전자의 미국 투자액은 기존 170억 달러(약 23조4천억원)에서 400억 달러(약 55조3천억원)로 대폭 늘어났다. 파운드리 공장은 2026년부터 양산을 시작하며, 첨단 패키징 시설 및 R&D 센터 등은 2027년 가동할 계획이다. 미국에는 애플, 엔비디아, AMD, 브로드컴 등 핵심 팹리스 기업이 다수 위치한다. 이점은 삼성전자와 TSMC가 고객사를 확보하기 위해 미국에 신규 파운드리 팹을 건설하기로 결정한 이유다. 무엇보다 미국 정부가 자국 내 반도체 공급망을 확보하기 위해 글로벌 기업에도 보조금을 지원한다는 점도 크게 적용한 것으로 보인다. ■ 건설 인프라 확보 시급…미국 시장 진출 국내 소부장에게 호재 삼성전자와 SK하이닉스는 반도체 보조금을 확보하게 되면서 투자금 부담을 덜었지만, 앞으로 시설투자 관련 인프라 확보와 인력 확충 등 해결해야 할 과제가 남아 있다. 김양팽 산업연구원 전문연구원은 “당장은 반도체 제조 인력 보다는 반도체 공장 건설에 필요한 인력 확보가 관건”이라며 “최근 TSMC가 미국 시설 투자에서 현지 전문 인력 부족 문제로 건설 일정이 늦어진 것처럼 숙련된 건설 인력을 확보하는 것이 중요하다”고 말했다. 이어 그는 “공장이 가동되는 시점에는 제조 인력 확보에도 힘써야 할 것”이라고 덧붙였다. 실제로 지난해 TSMC는 숙련된 건설 인력 부족으로 애리조나 1공장과 2공장의 가동시기를 각각 1~2년씩 늦춘 바 있다. 미국을 비롯한 전세계 반도체 생산시설 확대는 국내 소부장 업체들에게는 기회가 될 것으로 기대된다. 박재근 한양대학교 융합전자공학부 교수는 “삼성전자와 SK하이닉스의 미국 진출은 국내 소부장 업체들에게 희소식”이라며 “두 회사가 미국에 공장을 건설하면 글로벌 장비 외에도 기존에 사용하던 한국 업체의 장비도 사용할 가능성이 있다”고 말했다. 김양팽 전문연구원은 “국내 반도체 소부장 업체 중에는 자신의 기술로 해외 고객사를 뚫을 만한 역량있는 기업이 몇개 되지 않는다”며 “이들이 삼성과 SK를 따라 해외에 진출하면, 경쟁력을 키워 다른 고객사를 확보할 수 있다”고 설명했다. 한편 삼성전자와 SK하이닉스가 미국 정부로부터 받는 반도체 보조금은 미국 반도체산업지원법(칩스법)의 일환이다. 2022년 제정된 반도체법은 미국 내 반도체 투자를 장려하기 위해 5년간 생산 보조금(390억 달러)과 연구개발(R&D) 지원금(132억 달러) 등 총 527억달러(75조5천억원)를 지원하는 내용이다. 이를 통해 미국은 2030년까지 전 세계 최첨단 반도체 생산량의 20% 차지하는 것을 목표로 한다.

2024.08.07 16:59이나리

"15년 내로 TSMC 뛰어 넘을 수 있어…K-팹리스·파운드리 잘 키워야"

정부 부처와 반도체 산학연 관계자들이 국내 시스템반도체 경쟁력 강화를 위해 한 자리에 모였다. 이날 고동진 국민의힘 국회의원은 국내 팹리스와 파운드리 산업을 잘 육성한다면 15년 내에 TSMC와 같은 기업을 배출할 수 있을 것으로 내다봤다. 29일 오후 여의도 국회의원회관에서는 '국내 팹리스 경쟁력 강화 및 산업 활성화 국회 정책토론회'가 진행됐다. 이번 토론회 좌장을 맡은 고동진 국회의원은 대만 TSMC의 성장 과정에 국가 정책과 정부가 주도적인 역할을 했음을 강조했다. 지난 1987년 설립된 TSMC는 전 세계 1위 파운드리로, 이달 초 기준으로 전 세계 시가총액 8위까지 올랐다. 고동진 의원은 "대만 정부는 TSMC 설립 당시 설비투자에 50%를 지원해줬다"며 "일본 정부도 TSMC의 구마모토 현지 팹 건설에 50%를 지원했는데, 5년 걸릴 투자가 2년 4개월만에 완료됐다. 깜짝 놀랄 일"이라고 말했다. 그는 이어 "우리나라가 팹리스 및 파운드리 산업을 4~5년간 잘 이끌어간다면, 향후 12년~15년 안으로 대만 TSMC 이상의 회사를 갖출 수 있을 것이라고 생각한다"며 "국내 파운드리가 성장하려면 팹리스가 생태계로서 동반성장해야 한다"고 덧붙였다. 다만 국내 시스템반도체의 성장이 구조적으로 매우 어렵다는 지적도 나온다. 이혁재 서울대 시스템반도체 산업진흥센터장은 "국내 팹리스는 주로 28~65나노미터(nm) 공정을 사용하는데, 삼성전자는 초미세 공정에 주력하고 DB하이텍은 130나노미터 이상의 레거시 공정에 집중돼 있다"며 "반도체 우수 인력이 부족하고, 해외에 비해 직접적인 보조금 지원 등이 부족하다"고 밝혔다. 이에 국내 반도체 산학연 관계자들은 국내 팹리스 경쟁력 강화를 위한 다양한 의견을 제시했다. 국내 팹리스 주요 인사로는 김경수 넥스트칩 대표 겸 한국팹리스산업협회장, 박재훙 보스반도체 대표, 김녹원 딥엑스 대표 등이 참석했다. 김경수 회장은 "3~5년 간의 연구개발을 진행해야 하는 팹리스 특성 상, 세제혜택은 당장의 지원을 받을 수 없어 직접적인 지원금을 확대해야 할 것"이라며 "성남시가 추진 중인 시스템반도체 클러스터도 현재 확보된 부지가 1만평 수준인데, DSP나 IP, OSAT 등 생태계 기업들도 함께 참여하려면 3~5만평 수준의 더 큰 부지를 할당해줘야 한다"고 강조했다. 팹리스를 위한 정책 방향에 대해서는 "기존의 탑-다운 방식으로는 시장 상황에 맞는 칩을 적기에 개발하기 어렵다"며 "큰 방향성을 정부에서 정해주면, 차별화된 기술력은 팹리스 기업이 설정하는 바텀-업 방식으로 시행해야 한다"고 밝혔다. 김녹원 딥엑스 대표는 "대만은 시스템반도체 강국으로 국내 팹리스에게도 많은 기회가 있으나, 한국과 수교국이 아니기 때문에 시장 공략을 위한 지원책이 부족하다"며 "온디바이스AI 산업 발전에 미리 대응하기 위해, 생태계 구축과 관련한 정부과제 마련도 필요하다"고 말했다. 이와 관련해 이규봉 산업통상자원부 반도체 과장은 "금년 하반기 중에 시스템반도체 발전 전략을 수립할 것"이라며 "온디바이스AI와 같은 신시장 분야에 대한 대규모 R&D, 레거시 파운드리 공급 문제 등을 점검하고 지원책을 사업화할 계획"이라고 설명했다.

2024.07.29 20:25장경윤

'낸드냐 D램이냐' 삼성電, P4 설비투자 전략 고심...QLC에 달렸다

삼성전자가 최선단 메모리 투자 방향을 두고 고심하고 있다. 데이터센터·스마트폰 등에서 수요가 강한 9세대 'QLC(쿼드 레벨 셀)' 낸드용 설비 투자 계획이 불투명해졌기 때문이다. 이에 삼성전자 내부에서는 낸드가 아닌 D램향 투자를 늘리는 방안까지 거론되고 있다. 26일 업계에 따르면 삼성전자는 평택캠퍼스 반도체 제4공장(P4)의 향후 투자 방향을 두고 여러 전략을 검토하고 있다. P4는 지난 2022년부터 착공에 들어간 삼성전자의 신규 팹이다. 기존 P3와 동일하게 D램·낸드 등 메모리, 파운드리를 동시에 생산하는 복합동으로 설계됐다. 세부 구축 순서에 따라 페이즈(Ph)1은 낸드, 페이즈2는 파운드리, 페이즈3·4는 D램 제조라인에 해당한다. 그러나 올해 상반기에 들어 P4 투자 계획에 변동이 생겼다. 삼성전자가 7나노미터(nm) 이하의 대형 파운드리 고객사 확보에 부침을 겪으면서, 최선단 파운드리 공정 투자를 서둘러 진행할 필요가 없어졌기 때문이다. 이에 삼성전자는 페이즈2 대신 메모리 투자에 우선순위를 두기로 했다. 다만 이 계획마저도 현재로선 변동성이 상당히 큰 상황이다. 당초 삼성전자는 P4 페이즈1을 순수 낸드 제조라인으로 구성하려고 했으나, 최근 여기에서도 D램을 양산하자는 논의가 제기된 것으로 파악됐다. 가장 큰 원인은 P4 페이즈1의 주력 생산제품이 될 'V9' 낸드다. V9는 280단대로 추정되며, 삼성전자의 경우 지난 4월에 TLC(트리플 레벨 셀) 제품의 본격적인 양산에 들어갔다. TLC는 셀 하나에 3비트를 저장하는 구조를 뜻한다. 반면 최선단 낸드 시장은 TLC 대비 고용량 스토리지 구현에 용이한 QLC(셀 하나에 4비트 저장)에 대한 수요가 증가하는 추세다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 QLC가 올해 낸드 출하량에서 차지하는 비중은 20%에 육박할 것으로 관측된다. AI 서버는 물론, 모바일 시장에서도 QLC 제품 채택이 활발히 일어나고 있다. 삼성전자 역시 이 같은 추세에 맞춰 올 하반기 내로 QLC V9 낸드를 양산하겠다고 밝힌 바 있다. 그러나 이달 기준으로 QLC에 대한 PRA(양산승인)은 아직 떨어지지 않았다. 사안에 정통한 업계 관계자는 "삼성전자가 V9 양산 소식을 알리기 위해 TLC를 전면적으로 내세우긴 했으나, 실제 최선단 낸드 수요는 TLC가 아닌 QLC에 집중돼 있다"며 "삼성전자가 PRA가 확정되지 않은 이상 낸드에 당장 투자를 진행하기는 어렵다는 판단을 하고 있다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "구체적인 사유는 밝히지 않았지만, 삼성전자는 이전 세대인 V8에서도 QLC 낸드 출시를 취소한 바 있다"며 "급하게 QLC 낸드를 준비해야 하는 상황인 만큼 개발이 원활히 진행될 것이라고 장담하기 어렵다"고 평가했다. 실제로 삼성전자는 P4 페이즈1의 낸드 설비 투자를 현재까지 월 1만장 규모로만 확정했다. 물론 이를 내년 4만5천장 수준으로 키우기 위한 투자 전략을 내부적으로 수립한 상황이나, QLC V9 낸드가 적기에 양산승인을 받지 못한다면 D램에 자리를 뺏기는 상황을 맞게 될 수도 있다. 한편 이와는 별개로, 삼성전자의 P4 내 D램 생산능력이 당초 예상보다 확대될 가능성은 매우 높은 것으로 관측된다. QLC가 주요 변수로 작용하고 있는 페이즈1과 달리, 당초 파운드리 라인이었던 페이즈2는 D램으로의 전환 가능성이 더 높기 때문이다. 업계 관계자는 "D램은 범용 제품의 공급량 부족, HBM 활황 등으로 D램 증설에 대한 목소리가 높다"며 "현실화되는 경우 1a·1b 등 선단 D램의 생산능력이 확대될 수 있다"고 말했다.

2024.07.26 10:26장경윤

"건축허가 45일만에"…용인 반도체산단에 韓 소부장도 '깊은 관심'

용인특례시가 주요 반도체 기업들의 투자 유치를 위한 지원책 마련에 분주하다. 최근 대규모 제조시설 건립에 필요한 상수보호구역 해제, 산업단지 심의 통과 등을 진행했으며, 논란이 된 전력·용수 문제도 적극 해결할 계획이다. 특히 해외 주요 반도체 장비기업 램리서치에 건축허가를 45일만에 내주는 등, 소부장 생태계 활성화에도 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 이에 동진쎄미켐 등 국내 소부장 기업들도 투자에 깊은 관심을 기울이고 있다. 이상일 용인특례시장은 19일 용인미디어센터에서 열린 '제6회 소부장미래포럼'에서 용인 반도체 클러스터 구축 현황 및 향후 계획에 대해 발표했다. 현재 용인시는 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 제조기업과 함께 '용인 L자형 반도체 벨트'를 조성하고 있다. 삼성전자는 해당 지역에 총 360조 원을 투자해, 첨단 시스템반도체 클러스터 국가산업단지를 조성하고 있다. 부지 규모는 220만 평이다. 또한 20조 원을 들여 37만 평 규모의 첨단 반도체 R&D(연구개발) 산업단지를 조성하고 있다. SK하이닉스는 총 122조 원을 투자해 용인 반도체 클러스터 일반산업단지를 만들고 있다. 현재 토목공사가 잘 진행된 상태로, 내년 1분기 말 팹 착공에 들어가 오는 2027년 하반기 첫 가동을 시작할 예정이다. 이에 삼성전자, SK하이닉스와 협력 관계를 맺고 있는 주요 협력사들도 용인에 지속적으로 투자하는 추세다. AMAT(어플라이드머티어리얼즈)·램리서치·TEL(도쿄일렉트론)이 국내에 공장 및 R&D 센터를 확장하고 있으며, 국내 최대 반도체 장비기업 세메스도 최근 용인 R&D 센터 건립을 승인받았다. 이 시장은 "램리서치의 경우 판교에서 용인으로 본사 및 R&D센터를 확장 이전하기로 했는데, 45일 만에 건축허가를 내줬다"며 "이는 기록적인 사례로, 훌륭한 기업이 오면 레드카펫을 깔고 환영하겠다는 메시지"라고 말했다. 이를 위해 용인시는 대규모 반도체 제조시설에 필요한 토지·전력·용수 문제 해결에 집중하고 있다. 대표적으로 용인시는 평택시와 논의해 1천950만 평에 달하는 송탄 상수원보호구역을 지난 4월 해제하기로 했다. 삼성전자의 신규 R&D 산업단지에 대한 경기도 심의도 비슷한 시기에 통과 시켰다. 이 시장은 "SK하이닉스 산업단지는 전력 시설이 75% 정도 진행됐고, 용수 분야는 30% 정도 진행됐다"며 "다만 삼성전자 산업단지는 전력 문제 해결이 관건으로, 필요한 전력의 총량이 9.3GW(기가와트)에 달할 것으로 예상돼 송배전망 공사 예타 면제 등으로 대응하고 있다"고 밝혔다. 한편 국내 소부장 기업들도 용인 반도체 클러스터에 관심을 표했다. 김성일 동진쎄미켐 사장은 "경기 화성에 있는 기업으로서 용인 반도체 클러스터에 굉장히 관심이 많다"며 "용인 클러스터 입주 비용 및 시 차원의 지원 규모 등이 궁금한 상황"이라고 말했다. 이에 대해 이 시장은 "50여개 소부장 기업이 입주 가능한 SK하이닉스 산업단지는 거의 분양이 끝났다"며 "150여개사가 입주 가능한 삼성전자 산업단지는 내년 1월 산업단지 승인이 나오면 LH 등과 논의해 비용 등이 정해지게 될 것"이라고 설명했다.

2024.07.19 14:06장경윤

가온칩스-어보브반도체, 28나노 고성능 가전 MCU 개발 협력

어보브반도체와 가온칩스가 고성능 가전용 마이크로컨트롤러(MCU) 개발을 위해 협력한다. 양사는 이번 협력으로 삼성전자 파운드리의 28나노 공정 기술을 활용해 하이엔드 가전 MCU를 개발하기로 했다. 어보브반도체는 가전용 MCU 전문 기업으로, 지금까지 주로 65나노에서 130나노 공정을 이용해 다양한 제품을 개발해 왔다. 회사는 최근 AI기능이 추가되고 보다 저전력이 요구되는 등 고성능화 되고 있는 가전시장에 업계 최초로 28나노 미세 공정을 적용한 MCU를 개발해 고성능 MCU 제품 라인업을 본격적으로 선보일 계획이다. 어보브반도체와 가온칩스는 전통적으로 삼성파운드리에 대한 개발 경험을 쌓아왔다. 삼성파운드리의 디자인솔루션파트너(DSP)인 가온칩스와 협력을 통해 양사는 AI 가전 시장에서의 경쟁력을 강화하고 글로벌 시장을 선도해 나갈 예정이다. 어보브반도체 관계자는 "이번 협력을 통해 우리는 가전 시장에서 새로운 기술적 경쟁력을 구축하고, 고객들에게 더 나은 제품을 제공할 수 있는 기회가 될 것으로 기대된다"며 "가온칩스와의 협력을 통해 MCU시장에서의 입지를 한층 높이겠다"고 말했다. 이번 협력을 통해 양사는 인공지능(AI) 기술을 접목한 하이엔드 가전 MCU 제품의 경쟁력을 강화하고 혁신 제품을 계속해서 선보일 계획이다.

2024.07.18 09:00이나리

코아시아세미, 대만 패러데이와 전략적파트너 협력

코아시아의 시스템반도체설계 자회사인 코아시아세미가 해외 전략적투자자인 패러데이社로부터 405억원의 유상증자 대금 납입이 완료되었다고 15일 공시했다. 코아시아세미는 2019년설립 후 한국, 대만, 베트남에 디자인센터를 구축하고 미국, 독일, 중국에는 현지 마케팅 거점을 구축한 삼성파운드리 디자인솔루션파트너(DSP)다. 회사는 글로벌 설계자산(IP)기업인 Arm社 최고등급 AADP(Arm Approved Design Partners) 자격을 갖췄다. 최근 전세계적으로 AI 반도체 등 시스템(주문형)반도체 수요가 급증하고 첨단미세공정 개발비용이 증가하면서 팹리스 기업들은 리스크를 최소화하기 위해 설계와 공정 노하우를 보유한 디자인솔루션파트너와 협업을 중요시 한다. 이 가운데 코아시아세미는 국내는 물론 해외 다수의 팹리스 기업을 삼성파운드리 고객으로 유치하며 글로벌 기술력과 마케팅 역량을 입증하고 있다. 코아시아는 지난 5년간 코아시아세미에 계획된 투자를 자체자금으로 지속해 왔고 코아시아세미의 사업적 퀀텀 점프를 위해 설립 후 처음으로 해외 투자자로부터 405억원(미화 3000만 달러)의 투자를 유치했다. 코아시아세미가 첫번째 파트너로 선택한 기업은 4000여개의 자체개발 IP와 AI 및 5G 등 다양한 분야에 포트폴리오를 보유한 글로벌 기업인 패러데이社다. 패러데이社는 지분 100%를 보유한 투자전문 자회사 성방인베스트먼트(Sheng Bang Investment)를 통해 전환우선주(CPS, Convertible Preferred Shares) 신주를 인수하는 방식으로 전략적투자자(SI, Strategic Investors)로 참여한다. 패러데이는 삼성파운드리 디자인솔루선파트너라는 공통점이 있다. 코아시아는 "이번 패러데이사와 전략적파트너 협력을 통해 삼성 파운드리 디자인 솔루션 파트너 중 최대이자 최고의 차별화된 기술 경쟁력을 구축하겠다"라며 "고객에게 최상의 턴키서비스를 제공하고 매출과 수익 성장세를 더욱 가속화하는 모멘텀이 될 것"이라고 전했다.

2024.07.16 15:11이나리

베테랑만 모였다...AI 반도체로 자율주행 꿈꾸는 보스반도체

"자동차에 특화된 AI 반도체로 미래 자동차의 자율주행을 실현하겠습니다." 보스(bos)반도체를 이끄는 수장 박재홍 대표는 첫 결과물인 차량용 반도체 NPU 가속기 'N1'의 연내 출시를 앞두고 이 같이 포부를 밝혔다. 차량용 반도체 팹리스 보스반도체는 지난 2022년 5월 설립돼 올해 3년차에 들어선 스타트업이다. 비록 몸집은 작지만 강력한 기술력을 바탕으로 글로벌 자동차 시장에서 주목받고 있다. 보스반도체는 성장 가능성을 높이 평가받아 창업 초기에 현대자동차로부터 투자를 받으며 든든한 지원군을 확보했다. 이를 포함해 올해 6월 기준 누적투자금은 250억원에 달한다. 또 회사는 지난해 10월 '반도체의 전설' 짐 켈러 CEO가 이끄는 캐나다 인공지능(AI) 기업 텐스토렌트와 NPU(신경망 처리장치) IP(설계자산)을 공급받는 협력을 체결하며 기술 개발에 총력을 기울이고 있다. 박재홍 대표는 삼성전자 파운드리 부사장 출신으로 약 23년간 삼성전자에서 파운드리 및 엑시노스 SoC(시스템온칩) 설계 현업에서 잔뼈가 굵은 시스템반도체 전문가다. 현재 총 130명으로 구성된 보스반도체의 설계 인력의 대다수는 20년 이상 경력의 석박사 출신 인재들로 꾸려져 있어 회사는 기술력에 자신감을 보인다. ■ 첫 NPU 'N1' 12월 출시, 2026년 양산…LLM AI 모델 지원 보스반도체는 지난 5월 차량용 반도체 NPU 가속기 N1을 삼성전자 파운드리 5나노 공정으로 테이프아웃 완료하고, 오는 12월 샘플 출시를 앞두고 있다. 테이프아웃(Tpe-Out)은 제품 설계를 마치고 파운드리 업체에 위탁생산을 위한 일련의 준비 과정을 마쳤다는 의미다. 보스반도체의 N1 칩은 자동차 안전등급 ASIL-B인증을 받은 후 2026년 9월 양산될 예정이다. 박재홍 대표는 "올해 말 N1 칩 샘플이 나오면 고객사와 검증하는 PoC(Proof of Concept)를 진행할 예정이다. N1 칩은 자율주행뿐 아니라 LLM(대규모 언어 모델)을 포함한 AI 모델을 지원할 수 있어서 특징이다"라고 말했다. N1 칩은 최대 400TOPS(1초당 1조번 연산)의 AI 연산 처리 속도와 12TOPS/W(와트)의 전력 효율을 자랑한다. 또 PCIe(PCI 익스프레스) 5세대와 CXL(컴퓨트익스프레스링크)인터페이스를 지원하고 LPDDR5/5X 메모리를 사용한다. 그는 "자율주행 3레벨과 동시에 차량내 AI 및 LLM을 지원하는 자동차는 1~2년 내에 시장에 출시될 전망이다. 현재 대다수의 차량이 음성인식 기능을 지원하지만, 정확도가 떨어지고 인터페이스가 단순해서 활용 범위가 제한적이다. 하지만 LLM은 차량과 운전자 간의 인터페이스를 대폭 개선할 수 있어 업계에서 기대가 크다. 반면 자율주행 레벨4 이상의 자동차 개발은 다소 속도가 느려지고 있어 완전 자율주행에 도달하려면 시간이 더 필요할 것"이라고 설명했다. ■ 텐스토렌트와 협력…AI 모델 유연성에서 강점 N1 칩에 텐스토렌트 NPU IP의 적용은 보스반도체가 글로벌 경쟁력 확보에 큰 도움이 될 것으로 기대된다. 박재홍 대표는 "텐스토렌트 NPU IP는 높은 계산 성능과 RISC-V 사용으로 저전력 측면에서 우수하고, 무엇보다 제품 응용과 AI 모델 지원이 매우 유연하다는 점이 가장 큰 장점이다. 특히 현재 시장에 나와 있는 수 많은 AI모델을 구동하는데 있어 필수적인 소프트웨어(SW) 지원은 타 기업들이 다소 어려움을 겪고 있는 분야다. 하지만 텐스토렌트는 자체 AI 컴파일러와 소프트웨어 스택으로 시장에 있는 각종 자율주행을 위한 AI 알고리즘 뿐만 아니라 LLM을 포함해 앞으로 나올 모든 AI모델을 지원하기에 고객사가 쉽게 저희 N1 반도체를 사용해 AI 기능을 구현할 수 있어서 장점이다"고 설명했다. 이어 그는 “또한 텐스토렌트의 SW 지원 뿐만 아니라 보스반도체의 자체 NPU SW팀이 고객의 AI 모델에 추가 SW 솔루션을 지원해 맞춤형 AI NPU 구동이 가능하게 고객을 지원할 계획이다"고 덧붙였다. ■ 연내 독일 지사 설립…내년 4나노 공정 'A1 개발' 착수 보스반도체는 연말 N1 출시에 발맞춰 글로벌 시장에서 본격적인 영업활동을 하기 위해 3분기 중 독일 지사를 설립할 예정이다. 내년에는 주요 국가에 지사를 추가 설립하기로 했다. 또 내년 차세대 제품으로 ADAS 통합형 애플리케이션 프로세서(AP) A1 개발에 착수한다는 계획을 전했다. 박 대표는 "A1은 삼성전자 4나노 공정 기반 칩으로 내년 개발에 들어가 2026년 1분기 샘플을 출시할 예정이다. A1은 N1과 달리 원칩(One-Chip)이다. 칩 안에 CPU 및 카메라 프로세싱 엔진 등이 다 탑재돼 있어서 이 칩 하나만으로 자율주행을 가능하게 한다"고 말했다. 보스반도체는 신규 칩 개발을 위해 현재 130명(한국 90명, 베트남 40명)의 개발 인력을 연말까지 180명으로 확대할 계획이다. 박 대표는 "보스반도체는 삼성전자를 비롯해 글로벌 반도체 기업에서 20년 이상의 경험을 가진 시스템반도체 설계 및 소프트웨어 개발 베테랑들이 모여 있는 곳"이라며 "이런 경쟁력을 바탕으로 개발자들이 자신의 실력을 성장시킬 수 있는 환경을 제공하고 있다. 많은 관심을 부탁 드린다"고 전했다. ■ 박재홍 보스반도체 대표 프로필 ▲1965년생 ▲학력- 텍사스대(UT Austin) 전기전자컴퓨터공학 박사- 서울대 전자공학 석사- 서울대 전자공학 학사 ▲주요경력- 1998~1998년 IBM CPU 디자인- 1999년 삼성전자 시스템LSI사업부 SOC(시스템온칩)개발실 입사- 2019~2022년 삼성전자 파운드리사업부 및 시스템LSI 부사장

2024.07.15 16:53이나리

삼성전자 MPW 횟수 4년 연속 확대..."팹리스와 상생 강화"

삼성전자 파운드리가 반도체 멀티프로젝트웨이퍼(MPW) 셔틀 지원을 4년 연속 늘리며 팹리스 업체와 상생관계를 강화한다. 삼성전자는 2022년 연간 23회를 제공하던 MPW 수를 매년 확대해 내년에는 35회를 제공할 예정이다. 이를 통해 스타트업의 신제품 칩 양산이 더욱 활발해질 것으로 기대된다. 멀티프로젝트웨이퍼(MPW)는 한 장의 웨이퍼에 다른 종류의 반도체 제품을 함께 생산하는 다품종 소량 생산 방식이다. 팹리스 업체들은 통상적으로 반도체 생산라인에서 웨이퍼 몇 장에서 시제품을 만드는 MPW 과정을 거친 다음 고객사에 첫 공급을 하고, 주문을 받은 후 대량 양산에 들어간다. 파운드리 업체가 MPW 셔틀 횟수를 늘릴수록 팹리스 업체들이 시제품을 생산할 기회가 더 많아지는 셈이다. 삼성전자는 최근 '삼성 파운드리 포럼'에서 내년에 파운드리 MPW 셔틀 횟수를 올해보다 3회 늘린 총 35회를 지원한다고 밝혔다. 삼성전자는 MPW를 2022년 23회, 2023년 29회, 2024년 32회로 매년 횟수를 늘려왔다. 아울러 삼성전자는 AI 반도체 시장 성장에 따라 MPW 첨단 공정 지원도 확대한다. 회사는 2019년 처음으로 첨단 5나노(nm) 공정 MPW를 시작한 이후 지난해 처음으로 4나노 MPW 공정을 개시했고, 올해 고성능 전력반도체를 생산하는 8인치 BCD(Bipolar CMOS DMOS) 90나노 공정 서비스를 시작했다. 내년에는 국내 팹리스와 디자인솔루션파트너(DSP)의 수요가 많은 4나노 공정 MPW 회수를 올해(3회) 보다 1회 늘려 총 4회 운영할 계획이다. 삼성전자는 “첨단 공정 MPW를 늘려서 HPC, AI 분야 국내 첨단 반도체 생태계 확대를 적극 지원하겠다”고 전했다. 삼성전자는 국내 파운드리 업체 중에서 MPW를 적극적으로 지원하고 있다. 올해 기준으로 삼성전자의 32회 MPW 제공은 DB하이텍 28회, SK키파운드리 12회와 비교해 높은 횟수다. 또한 삼성전자는 2022년부터 정부와 함께 매년 '팹리스-파운드리 상생협의회'를 통해 국내 팹리스 업체의 제작을 지원해 왔다. 삼성전자는 선정된 국내 팹리스 업체에게 MPW 셔틀을 제공하고, 중소벤처기업부는 MPW 비용을 지급하는 방식이다. 올해는 삼성전자 외에도 DB하이텍과 SK키파운드리도 동참하며, 정부는 MPW 국비 지원을 전년(24억원) 보다 올해 2배 늘려 50억원을 지원할 예정이다. 아울러 삼성전자는 반도체 인재 육성을 위해 국내 대학에 MPW를 무상으로 제공한다. 2021년부터 한국과학기술원(KAIST) 반도체설계교육센터(IDEC)에 일부 로직 공정 MPW 서비스를 무상으로 제공해 왔다. 반도체 업계 관계자는 “삼성전자의 MPW 확대가 팹리스 기업의 시제품 제작 기회에 있어 도움이 되며, 이는 국내 반도체 업계와 상생 측면에서도 긍정적”이라고 말했다.

2024.07.15 14:35이나리

美 텍사스 주지사 "삼성 입지 더 공고히 하도록 지원"

그레그 애보트 텍사스 주지사는 방한 둘째날인 오늘 경기도 평택에 위치한 반도체 생산시설인 삼성전자 평택 캠퍼스를 방문했다고 10일 밝혔다. 애보트 주지사는 세계 최대 반도체 생산 시설인 평택 캠퍼스 내 시설을 둘러보고 추가로 건설될 공장에 대한 브리핑을 보고 받았다. 애보트 주지사는 평택 캠퍼스 내 P1라인을 둘러봤으며, 캠퍼스 내에 추가로 건설될 두 개의 공장에 대한 브리핑을 보고 받았다. 삼성전자는 텍사스 오스틴에 2곳을 포함해 현재 추가로 테일러시에 팹을 건설하고 있다. 애보트 주지사는 텍사스 주에서 삼성의 입지를 더욱 공고히 하도록 지원할 것을 약속했다. 애보트 주지사는 지난 4월 텍사스 오스틴의 주지사 관저에서 경계현 전 삼성전자 대표이사를 비롯한 주요 경영진과 만나 삼성전자의 텍사스 역대 최대 규모인 400억 달러의 외국인직접투자(FDI) 등 지속적인 사업 확장을 축하한 바 있다. 애보트 주지사는 “한국과 텍사스는 국민에게 경제적 자유와 기회를 제공하며 혁신적인 미래를 함께 도모한다“며 "텍사스에 대한 한국의 교역량은 320억 달러(한화 약 44조 4천억원) 이상이며, 대한민국은 텍사스에게 있어 네 번째로 교역 규모가 큰 국가"라고 강조했다. 그는 이어 “한국은 텍사스 내 외국인직접투자(FDI) 투자액 1위 국가로서 삼성과 같은 한국 기업들이 텍사스 주 전역에 핵심 투자를 감행하고 있다"며 "이러한 협력을 통해 한국·텍사스 간 교류가 활발해지고, 나아가 미래의 상품과 서비스를 함께 발견하고 창조할 수 있을 것“이라고 말했다. 한편 주지사는 세아그룹 경영진들과 만나 텍사스 템플(Temple)시에 철강 제조 공장을 준공할 것을 발표했다. 1억 달러(1천300억원) 규모의 이번 투자를 통해 100여 개의 신규 일자리가 창출될 예정이다. 세아그룹은 국내 철강제조 분야의 선도 기업이다. 애보트 주지사는 한국에서의 일정을 마치는 대로 곧바로 일본으로 건너가 경제사절단과 업무를 소화할 예정이다.

2024.07.10 08:57장경윤

케이던스, 삼성 파운드리와 2나노 공정 협력

케이던스디자인시스템즈는 삼성전자 파운드리와 최첨단 2나노 공정 게이트올어라운드(GAA) 노드를 비롯해 AI, 3D-IC 반도체 설계 가속화를 위한 기술 개발을 협력한다고 밝혔다. 케이던스는 삼성전자와 지속적인 협력으로 AI, 자동차, 항공우주, 고성능컴퓨팅(HPC), 모바일 등 업계에서 반도체 발전을 지원하고 있다. 케이던스는 삼성 파운드리와 협력을 통해 케이던스는 셀레브러스 인텔리전트 칩 익스플로러(Cerebrus Intelligent Chip Explorer)와 AI 설계 기술 공동 최적화(DTCO)를 수행했다. 그 결과 2나노 공정(SF2) GAA 플랫폼의 누설 전력을 10% 감소시켰다. 양사는 Cadence.AI툴을 SF2 설계에 사용하는 등 테스트 칩 개발에 적극적으로 참여하고 있다. 또 케이던스는 삼성의 SF2 BSPDN에 대한 구현 플로우 인증을 취득하며 첨단 설계 개발을 가속화했다. 케이던스 RTL부터 GDS까지의 플로우를 강화해 BSPDN에서 라우팅, 나노 TSV 삽입, 배치 및 최적화, 타이밍 및 IR 분석, DRC와 같은 BSPDN에서의 구현 요건들을 지원할 수 있다. 케이던스 BSPDN용 구현 플로우는 삼성 SF2 테스트 칩 검증을 성공적으로 마치며 사용 준비를 마쳤다. 삼성 파운드리의 MDO를 위한 솔루션을 지원한다. 케이던스의 인터그리티(Integrity) 3D-IC 플랫폼은 삼성의 모든 MDI(Multi-Die Integration)를 지원하며, 해당 플랫폼의 초기 분석과 패키지 인식 기능은 삼성의 3DCODE 2.0과 호환된다. 양사는 케이던스 Celsius Studio를 이용한 열과 뒤틀림 분석과 케이던스 Pegasus Verification system을 이용한 시스템 레벨 LVS와 같이 기술 차별화를 지원하며 멀티 다이 협력의 범위를 확장했다. Virtuoso studio의 첨단 플랫폼 내 회로 최적화는 삼성이 14나노에서 8나노로 100MHz 발진기 설계를 이전할 때 총 처리 시간을 10배 개선할 수 있도록 돕는다. 또한 핀펫(FinFET)에서 GAA 아날로그 설계 이전 레퍼런스 플로우는 성공적인 실험결과를 보인다. 케이던스와 삼성은 48GHz 전력 증폭기 설계를 성공적으로 테이프 아웃했다. 이는 빠른 모델링과 레이아웃 자동화와 수동 소자를 제작하기 위해 EMX 디자이너를 활용해 시스템 레퍼런스 플로우가 실리콘 검증에 성공했다는 것을 의미한다. 그 밖에 케이던스 페가수스 베리피케이션 시스템은 삼성 파운드리의 4나노 및 3나노 공정 기술에 대한 인증을 취득했다. 케이던스 IP 포트폴리오는 포괄적인 솔루션을 제공한다. 대표적으로 삼성 SF5A에 구축된 케이던스의 최신 IP는 112G-ULR SerDes, PCIe 6.0/5.0, UCIe, DDR5-8400, DDR5/4-6400 메모리, USB 2.0 PHY 등이다. 톰 베클리(Tom Beckley) 케이던스 Custom IC & PCB 그룹 수석 부사장 겸 총괄은 "AI와 현대의 가속화된 컴퓨팅의 하이퍼 컨버전스는 강력한 실리콘 인프라를 필요로 한다"라며 "이러한 새로운 AI 기반의 인증된 설계 플로우 및 표준화된 솔루션을 통해 양사 고객들은 확신을 가지고 삼성의 첨단 노드에 대한 설계뿐만 아니라 각자의 설계 및 출시 시기 목표도 달성할 수 있을 것"이라고 설명했다. 삼성전자 파운드리사업부 디자인 테크놀로지팀 김형옥 상무는 "양사는 고객들이 삼성의 최신 공정과 기술 혁신을 활용해 최첨단 AI, HPC, 모바일 SoC 설계의 한계를 극복할 수 있도록 지원하고 있다"고 말했다.

2024.07.09 22:38이나리

삼성전자, HBM4 맞춤형 최적화로 승부수...예상 스펙 첫 공개

삼성전자가 내년 출시 예정인 6세대 고대역폭메모리(HBM4)에 맞춤형(커스터마이징) 서비스를 강화한다고 강조했다. 삼성전자는 메모리, 파운드리, 패키징을 모두 수행할 수 있는 종합반도체(IDM) 기업이라는 장점을 앞세우고 있다. 이를 통해 경쟁사와 HBM 기술에서 차별화를 둔다는 목표다. HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. 삼성전자는 9일 삼성동 코엑스에서 '삼성 파운드리 포럼'과 '세이프 포럼(SAFE) 2024'를 개최하고 AI를 주제로 향후 지원 계획을 발표했다. 이날 'AI 솔루션' 세션에서 최장석 메모리사업부 신사업기획팀장 부사장은 "HBM4는 HBM3 대비 성능이 대폭 향상됐다"라며 "48GB(기가바이트) 용량까지 확대해 내년 생산목표로 개발 중이다"고 밝혔다. 삼성전자는 HBM3E까지 MOSFET 공정을 적용했다면, HBM4부터 핀펫(FinFET) 공정을 적용을 긍정적으로 검토 중이다. 이에 따라 HBM4는 MOSFET 적용 대비 속도가 200% 빠르고, 면적은 70% 줄어들며, 성능은 50% 이상 향상된다고 밝혔다. 삼성전자가 HBM4 스펙에 대해 밝힌 것은 이번이 처음이다. 최 부사장은 "HBM 아키텍처에도 큰 변화가 오고 있다. 많은 고객들은 기존의 범용성 보다 맞춤형 최적화를 지향하고 있다"라며 "한가지 예로 HBM D램과 고객맞춤용 로직 칩의 3D 형태 적층은 전력과 면접을 크게 줄일 수 있고, 범용 HBM의 인터포저와 수많은 입출력(I/O)으로 인한 성능 확장에 대한 장벽을 제거할 것"이라고 설명했다. 그는 이어 "HBM은 성능과 용량뿐 아니라 전력과 열효율성도 간과할 수 없다. 이를 위해서 16단 HBM4는 NCF(비전도성접착필름) 조립 기술 외에도 HCB(하이브리드 본딩) 기술 등 여러 최첨단 패키징 기술뿐만 아니라 신규 공정까지 다양한 새로운 기술을 적절히 구현하는 것이 필수적이며 삼성은 계획된 일정에 맞춰서 준비 중이다"고 덧붙였다. 하이브리드 본딩은 반도체(다이) 위아래를 구리로 직접 연결하기 때문에 신호 전송 속도를 비약적으로 높일 수 있으며, HBM 높이도 줄일 수 있다. 최 부사장은 "수십 년간 삼성은 메모리 기술 혁신에 전념하며 끊임없이 진화했고, 지난 30년 동안 크고 작은 수많은 역경 속에서도 굳건히 리더십을 유지할 수 있었다"라며 "현재 큰 변화가 불고 있는 인공지능 시대에 경쟁력 있는 리더십을 지속해서 유지하겠다"고 전했다. 한편, 삼성전자는 HBM4 기술 개발을 강화한다는 방침이다. 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문은 HBM 개발팀 신설을 골자로 하는 조직개편을 단행했다. 전영현 부회장이 DS부문장에 취임한 지 한 달여 만이다. 신임 HBM 개발팀장에는 손영수 부사장이 선임됐다.

2024.07.09 17:18이나리

리벨리온도 'CXL' 주목…"리벨 칩에 기술 도입"

국내 AI 반도체 스타트업 리벨리온이 향후 출시할 고성능 NPU(신경망처리장치) 칩에 차세대 데이터센터 솔루션인 CXL(컴퓨트 익스프레스 링크)을 적용할 계획이다. 오진욱 리벨리온 최고기술책임자(CTO)는 9일 서울 코엑스에서 열린 '삼성 파운드리 포럼'에서 기자들과 만나 향후 제품 개발 방향에 대해 이같이 밝혔다. 현재 리벨리온은 최첨단 AI 반도체인 '리벨'을 올해 4분기 출시하기 위한 준비에 나서고 있다. 리벨은 삼성전자 파운드리 4나노미터(nm) 공정을 기반으로, 삼성전자의 36GB HBM3E 12단(5세대 고대역폭메모리)을 처음으로 탑재한다. 또한 시높시스, 알파웨이브 등의 설계자산(IP)를 활용했다. 나아가 리벨리온은 리벨 칩 4개를 칩렛(기능별로 각 칩을 제작한 뒤 단일 칩에 붙이는 기술) 구조로 집적한 '리벨-쿼드' 제품도 개발 중이다. 이 경우 HBM3E도 4개 탑재되기 때문에 총 용량이 144GB로 확장되며, 대역폭을 4.8TB/s까지 구현할 수 있을 것으로 전망된다. 특히 리벨-쿼드는 차세대 데이터센터 솔루션으로 주목받는 CXL도 지원할 것으로 전망된다. CXL은 고성능 서버에서 CPU(중앙처리장치)와 함께 사용되는 GPU 가속기, D램, 저장장치 등을 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 각각의 인터페이스가 존재해 상호 간 통신이 어려웠던 기존 시스템과 달리, CXL은 PCIe(PCI 익스프레스)를 기반으로 다수의 장치를 하나의 인터페이스로 통합해 메모리의 대역폭 및 용량을 확장할 수 있다. 오진욱 CTO는 "리벨-쿼드와 연결할 수 있는 차세대 I/O(입출력장치) 칩은 CXL이 들어올 것"이라고 설명했다. 쿼드 이후 다양한 프로젝트들도 이미 구상돼 있는 것으로 알려졌다. 오진욱 CTO는 "쿼드 다음으로는 리벨과 CPU 클러스터를 연결하는 등 새로운 칩을 개발할 예정"이라며 "적용처 확장을 위해 더 고성능의 다른 칩들을 붙이는 작업들을 많이 하고 있다"고 밝혔다. 한편 리벨리온은 지난달부터 국내 또 다른 AI반도체 기업 사피온과의 합병을 추진하고 있다. 이와 관련 오진욱 CTO는 "양사 합병은 아직 진행 중이고, 양사 간 시너지를 낼 수 있는 제품에 대해서도 아직 확실한 답변은 없는 상황"이라며 "리벨을 중심으로 삼성전자와 최대한 협력하는 게 지금의 계획"이라고 답변했다.

2024.07.09 16:35장경윤

삼성전자 "2나노 가속기 수주...국내 DSP와 협력 강화"

삼성전자가 팹리스 업체들이 HPCㆍAI 분야에서 영향력을 빠르게 확대해 나갈 수 있도록 디자인 솔루션 파트너(DSP)들과 협력해 적극적으로 지원한다. 삼성전자는 9일 코엑스에서 '삼성 파운드리 포럼'과 '세이프 포럼(SAFE) 2024'를 개최하고 AI를 주제로 국내 시스템반도체 생태계 강화 성과와 향후 지원 계획을 공개했다. 최시영 삼성전자 파운드리 사업부 사장은 이날 기조연설에서 "삼성전자는 국내 팹리스 고객들과 협력을 위해 선단공정 외에도 다양한 스페셜티 공정기술을 지원하고 있다"며 "삼성은 AI 전력효율을 높이는 BCD, 엣지 디바이스의 정확도를 높여주는 고감도 센서 기술 등 스페셜티 솔루션을 융합해 나가며 고객에게 가장 필요한 AI 솔루션을 제공해 나갈 것"이라고 말했다. 스페셜티 공정 기술은 임베디드 메모리, 이미지센서, RF 등 특정한 기능을 구현하기 위한 공정이다. BCD 공정은 주로 전력반도체 생산에 활용된다. ■ 'AI 솔루션 턴키' 서비스가 차별점...日 PFN 2나노 AI 가속기 수주 삼성전자는 이번 포럼에서 파운드리와 메모리, 패키지 역량을 모두 보유한 종합 반도체 기업의 강점을 바탕으로 고객 요구에 맞춘 통합 AI 솔루션 턴키(Turn Key, 일괄 생산) 서비스 등의 차별화 전략을 제시했다. 이에 일환으로 삼성전자는 국내 DSP 업체인 가온칩스와 협력으로 일본 프리퍼드네트웍스(PFN)의 2나노(SF2) 기반 AI 가속기 반도체를 2.5차원(I-Cube S) 첨단 패키지를 통해 양산할 계획을 밝혔다. 앞서 삼성전자가 2나노 칩 수주에 대해 컨콜에서 언급한적은 있지만, 공식적으로 파트너사 및 고객사명을 언급한 것은 이번이 처음이다. 프리퍼드네트웍스는 일본 인공지능 기업으로 딥러닝 분야에 특화해 칩부터 슈퍼컴퓨터, 생성형AI 기반 모델까지AI 밸류체인을 수직적으로 통합해 첨단 소프트웨어 및 하드웨어 기술을 개발한다. 삼성전자는 2022년 세계 최초로 3나노 GAA(게이트 올 어라운드) 구조 기반 파운드리 양산을 성공한데 이어, 안정된 성능과 수율을 기반으로 3나노 2세대 공정 역시 계획대로 순항중이다. 삼성은 국내 고객들이 최신 공정기술을 활용할 수 있도록 기술지원을 제공하고 있으며 시제품 생산을 위한 MPW(Multi Project Wafer) 서비스 횟수를 점차 늘린다고 밝혔다. MPW 서비스를 활용하는 고객은 단일 웨이퍼에 여러 종류의 설계를 배치하여 테스트하는 등 제조 비용을 절감하고 더욱 완성도 높은 반도체를 개발할 수 있다. 삼성전자의 올해 MPW 서비스 총 횟수는 4나노 공정부터 고성능 전력반도체를 생산하는 BCD 130나노 공정까지32회로 작년 대비 약 10% 증가했으며, 2025년에는 35회까지 확대한다. 국내 팹리스와 DSP의 수요가 많은 4나노의 경우, 내년 MPW 서비스를 올해보다 1회 더 추가 운영해 HPC, AI 분야 국내 첨단 반도체 생태계 확대를 적극 지원할 계획이다. ■ 텔레칩스·어보브·리벨리온 주요 팹리스와 협력 성과 발표 삼성전자는 파트너사 간 네트워킹 기회를 제공하고 혁신을 위한 협력 강화 방안을 논의했다. 특히, 텔레칩스, 어보브, 리벨리온 3사는 삼성 파운드리 포럼 세션 발표를 통해 삼성 파운드리와의 성공적인 협력 성과와 비전 그리고 팹리스 업계 트렌드 등을 공유했다. 이장규 텔레칩스 대표는 "350나노부터 5나노 공정에 이르기까지 삼성 파운드리와 함께 만들어온 칩이 43개에 이른다"라며 "삼성은 차량용 인포테인먼트(IVI) 시장에서 텔레칩스의 성장을 지원해준 오랜 파트너다"라고 전했다. 박호진 어보브반도체 부사장은 "비휘발성 메모리(NVM)는 MCU의 핵심 부품 중 하나로 NVM을 지원하는 삼성의 65나노 공정으로 제품을 생산한다"라며 "올해는 28나노까지 협력을 확대해, MCU 시장 경쟁력을 더욱 강화할 계획이다"고 말했다. 오진욱 리벨리온 CTO는 "삼성 파운드리 5나노에 이어 4나노 공정으로 차세대 AI 가속기 '리벨'을 개발 중"이라며 "대한민국 시스템 반도체가 세계적인 경쟁력을 갖췄다는 것을 보여주겠다"고 밝혔다. 또한, 세이프 포럼에서 삼성전자와 국내외 파트너들은 2.5D/3D 칩렛 설계 기술, IP 포트폴리오, 설계를 검증하고 최적화하는 방법론 등 AI 반도체 설계 인프라를 집중 소개했다. 삼성전자는 지난달 실리콘밸리 미국 파운드리 포럼 행사에서 개최한 최첨단 패키지 협의체(Multi-Die Integration Alliance) 첫 워크숍 결과를 파트너사들과 공유하며, 첨단 공정기술과 설계 인프라, 패키지 기술을 활용한 차세대 고성능ㆍ고대역폭 반도체의 높은 구현 가능성을 강조했다. 이날 포럼에서는 디자인솔루션(DSP), 설계자산(IP), 설계자동화툴(EDA), 테스트∙패키징 (OSAT) 분야 총 35개 파트너사가 부스를 마련해 삼성의 파운드리 고객들을 지원하는 솔루션을 선보였다. 삼성전자는 지난 6월 12일(현지시간) "Empowering the AI Revolution"을 주제로 미국 실리콘 밸리에서 파운드리 포럼과 세이프 포럼을 개최한 바 있으며, 올해 하반기에는 일본과 유럽 지역에서도 행사를 개최할 계획이다.

2024.07.09 14:00이나리

[단독] 현대차, 車반도체 개발 3나노까지 검토...삼성·TSMC 저울질

현대자동차가 차량용 반도체 자체 개발에 착수하면서 반도체 설계 및 파운드리 업체 선정에 본격 나섰다. 최첨단 차량용 반도체 개발을 계획하고 있는 현대차는 5나노미터(nm) 공정 또는 3나노 공정까지 검토하고 있는 것으로 파악된다. 8일 업계에 따르면 현대차는 지난달 말 반도체 설계를 맡기기 위해 디자인솔루션파트너(DSP) 업체를 대상으로 입찰(비딩)을 진행했다. 비딩은 DSP 업체들이 해당 프로젝트를 수주하기 위해 자사의 설계 기술 등을 발표하는 자리다. 업체별로 시간을 달리해서 하루동안 발표한 것으로 알려졌다. 이번 비딩에는 에이디테크놀로지, 가온칩스, 세미파이브, 코아시아 등 삼성전자 파운드리 DSP 파트너와 에이직랜드, 알파웨이브 등 TSMC 밸류체인얼라이언스(VCA) DSP 업체들이 대거 참여했다. 업계 관계자는 “현대차는 반도체 개발에 5나노 공정부터 3나노 공정까지 가능성을 열어두고 여러 칩 개발을 검토 중이다”고 말했다. DSP 업체는 팹리스(반도체 설계기업)가 설계한 반도체를 파운드리(위탁생산) 공정에 맞게 디자인해주는 역할로 팹리스-파운드리 간의 가교역할을 한다. 삼성전자의 DSP 파트너 업체는 삼성전자 파운드리 공정 설계만 담당하고, TSMC의 DSP 업체는 TSMC의 설계만 담당하는 방식이다. 현대차가 설계를 맡기는 DSP 및 파운드리 업체는 빠르면 3개월 내에 결과가 나올 것으로 관측된다. 반도체 업계는 통상적으로 후보 DSP 업체를 두세 곳으로 압축한 뒤 마지막 비딩을 통해 최종 결정한다. 차량용 반도체 공정은 일반 공정과 로드맵이 다르다. 삼성전자는 지난 6월 파운드리 포럼에서 지난해 차량용 반도체용으로 5나노(SF5A) 공정을 개시했고, 내년에 4나노(SF4A) 공정, 2027년 2나노(SF2A) 공정을 시작한다고 밝혔다. TSMC 또한 현재 5나노(N5A) 공정을 제공하고 있으며, 올해 3나노(N3AE)를 시범으로 시작한 다음 2026년 본격적으로 3나노(N3A)로 차량용 칩을 생산한다는 목표다. 현대차는 SDV(소프트웨어중심자동차)을 지원하는 차량용 반도체를 개발한다는 방침이다. SDV는 하드웨어 중심의 내연기관 차량과 달리 소프트웨어(SW)로 차량을 제어하는 미래 혁신 분야로 자동차의 주행 성능, 편의 기능, 안전 기능까지 포함된다. 현대차는 내년까지 SDV 기술 개발을 마치고 2026년부터는 그룹 전 차종에 이를 적용할 계획이다. 현대차의 차량용 반도체 개발 총괄은 송창현 AVP(첨단차 플랫폼) 본부장 겸 포티투닷 사장이 맡고 있다. 현대자동차그룹은 올해 1월 현대 기아차의 모빌리티 연구개발(R&D) 역량과 소프트웨어(SW) 기술 개발을 통합하기 위해 AVP 본부를 신설했다. 포티투닷은 현대차그룹 SDV 전환의 핵심 역할을 맡은 글로벌 소프트웨어센터다. 앞서 지난해 6월 현대차는 반도체 개발실을 신설하면서 삼성전자 시스템LSI 사업부에서 차량용 시스템온칩(SOC) 엑시노스 오토를 연구해 온 김종선 상무를 영입한 바 있다. 현대차는 지난 5월 판교 테크윈타워에 SDV 연구거점을 만들고 반도체 및 소프트웨어 개발인력 모았다. 이 곳에서는 판교에 근무하던 반도체개발실 인력과 화성에서 근무하던 자율주행사업부, 현대차그룹의 글로벌 소프트웨어센터인 포티투닷 인력, 현대모비스 반도체 개발 인력 등이 근무한다. 업계에 따르면 현대차 AVP 본부 내 시스템반도체 설계 개발자는 현재 약 60~70명 정도로, 현대차는 반도체 개발자 인력을 추가로 충원 중이다. 업계 관계자는 “NPU 칩 개발에만 설계 인력이 최소 100명 이상이 필요하듯이, 현대차가 첨단 공정으로 반도체를 개발하려면 200여명 이상의 인력이 필요할 것”이라고 말했다. 이와 관련 현대차는 "반도체 개발 관련 다양한 방안을 검토 중에 있으며, 구체적 개발 방향이나 업체 선정 관련 아직 정해진 바 없다"고 밝혔다.

2024.07.08 16:16이나리

삼성전자, 2분기 영업익 8조원대 예상…메모리 수요 상승 덕분

삼성전자가 AI 반도체 수요 중심의 메모리 업황 개선에 힘입어 2분기 매출이 1분기에 이어 70조원대를 유지하고 영업이익은 8조원대로 회복한다는 전망이 우세하다. 지난해 반도체를 담당하는 DS부문에서 15조원대의 적자를 기록한 삼성전자는 올해 1분기 흑자전환에 성공한데 이어 2분기에도 실적 개선을 이루면서 하반기에 상승세를 이어갈 전망이다. 삼성전자는 오는 5일 잠정실적 발표를 앞두고 있다. 2일 증권사 실적 전망(컨센서스)에 따르면 삼성전자는 2분기 매출 73조6천598억원, 영업이익 8조2천613억원을 기록하며 전년 보다 각각 22.7% 증가, 1135.7% 증가할 전망이다. 이는 삼성전자의 분기 영업이익이 10조원 밑으로 떨어진 2022년 4분기 이후 처음으로 8조원대 회복이라는 점에서 주목된다. 증권가에서는 삼성전자의 2분기 영업이익을 지난 4월 6조원대, 5월 7조원대로 예상했지만, 최근 8조원대로 상향했다. ■ 메모리 업황 회복세...수요 늘고, 가격 상승 삼성전자의 이 같은 실적 호조는 반도체 업황의 회복에 따른 영향이 크다. 메모리 수요가 증가하면서 가격이 상승으로 이어졌고, 특히 서버향 메모리에 대한 수요가 예상치를 넘어선 것으로 집계된다. 그 결과 삼성전자 DS 부문 2분기 실적은 매출이 27조3천억원, 영업이익이 4조5천억 원~5조원을 기록할 전망이다. 대신증권에 따르면 메모리에서 D램 영업이익은 3조9천억원, 낸드 1조원, 비메모리(시스템LSI, 파운드리)는 4천800억원이 예상된다. 증권가에 따르면 2분기 D램은 비트그로스가 4%, 평균판매가격(ASP)이 16% 상승했다. 낸드의 경우 비트그로스가 1% 상승, ASP가 18% 상승하며 수익성이 개선됐다. KB증권 연구원은 "D램과 낸드의 평균판매가격(ASP) 상승으로 2분기 영업이익은 전분기대비 2.3배 증가가 전망된다"고 말했다. 최근 시장조사업체인 트렌드포스는 2분기 D램 평균판매가격이 13~18% 증가했고, 3분기에는 5~-10% 상승한다고 전망했다. 그 중 고대역폭메모리(HBM)은 3분기 8~13% 오를 전망이다. 또 낸드는 2분기 평균판매가격이 15~20%, 3분기에는 5~10% 인상된다고 예상했다. 디스플레이 실적 개선도 눈에 띈다. 2분기 삼성디스플레이 영업이익은 6천210억원으로 전분기(3천400억원) 보다 82% 증가가 예상된다. 삼성디스플레이는 고객사인 삼성전자가 7월 출시하는 폴더블폰 갤럭시Z6 시리즈에 패널 공급했고, 아이폰15 판매 호조에 따라 가동률이 증가한 것으로 전해진다. 그 밖에 모바일과 네트워크를 담당하는 MX사업부의 2분기 영업이익은 2조1천억원으로 전분기 (3조5천100억원) 보다 감소할 전망이다. 정통적인 비수기인 2분기에 스마트폰 판매량이 줄어든 탓이다. 가전과 TV를 담당하는 VD가전사업부의 2분기 영업이익은 4천억원으로 전분기 보다 20% 감소할 전망이다. 에어컨 성수기 효과에도 불구하고 TV 판매량이 당초 예상치를 하회하면서 실적 부진을 보였다. ■ 연간 영업이익 40조원 전망...HBM3E 공급 가능성에 주목 삼성전자의 영업이익은 상반기 38%(14조7천억원) 하반기 62% (24조5천억원) 비중으로 연간 39조2천억원을 기록할 전망이다. 일부 증권사는 연간 영업이익을 40조원 이상으로 전망하기도 한다. 연간 매출 전망치는 309조6천474억원이다. 삼성전자는 고객사 엔비디아로부터 올 하반기 5세대 고대역폭메모리(HBM) HBM3E 제품 승인을 이루면서 실적 상승을 기대하고 있다. 박유학 키움증권 연구원은 "엔비디향 HBM3E에 대한 제품 승인이 가시화되면서 그 동안 상대적으로 눌려왔던 주가의 상승 탄력이 강해질 수 있을 것"이라며 "올 하반기 삼성전자는 9세대 V낸드를 양산하며 QLC 기반의 eSSD 판매를 본격화하고, 1b나노 D램을 양산하며 128GB 서버 DIMM의 판매를 확대할 전망이다"라고 말했다. 박강호 대신증권 연구원은 "하반기 메모리 가격 상승은 상반기 대비 축소될 것으로 예상하나 여전히 강한 수준이다"라며 "삼성전자는 AI 시대에서 HBM3E 공급 타임라인이 지연되며 소외되는 모습이나, 12단 HBM3E 공급에 대한 모멘텀은 여전히 존재한다"고 밝혔다. 노근창 현대차증권 리서치센터장은 "삼성전자가 엔비디아에 HBM3을 공급하지 않고도 (2분기) 이 정도의 영업이익을 창출할 수 있는 경쟁력에 대한 재평가가 필요해 보인다"며 "엔비디아에 HBM3을 납품하지 못한 것이 주가에 노이즈였다면 이제부터는 현재 실적에 추가될 수 있는 '+α'로 접근하는 전략이 유효할 것"이라고 했다. 그 밖에 MX사업부는 이달 10일 프랑스 파리에서 열리는 갤럭시 언팩에서 차세대 폴더블폰 갤럭시Z6 시리즈를 비롯해 갤럭시워치7, 갤럭시버즈, 새로운 폼팩터 갤럭시링 등을 출시함에 따라 하반기 실적 개선을 이룰 전망이다. 삼성디스플레이는 하반기 삼성전자 뿐 아니라 아이폰16 시리즈에 패널 공급을 앞두고 있다.

2024.07.02 15:47이나리

화합물 전력반도체 韓 점유율 2%...삼성·SK도 뛰어든다

새로운 먹거리로 떠오른 화합물 전력반도체 시장에서 글로벌 경쟁이 가열되고 있는 가운데 우리 정부와 기업도 시장 선점을 위해 뛰어들었다. 글로벌 기업에 비해 후발주자에 속하는 국내 기업은 정부와 함께 생태계를 구축해 기술 개발에 총력을 기울인다는 목표다. 업계에서는 한국이 현대·기아차, 삼성전자, LG전자 등 글로벌 자동차 및 가전 기업을 보유하고 있다는 점에서 전력반도체 시장에서 승산이 있을 것으로 전망한다. 전력반도체는 전자제품에 필수적으로 들어가는 칩이다. 최근 전기차, 태양광 인버터 시장이 확대되면서 기존 실리콘(si) 소재로 만든 전력반도체보다 전력 효율이 높고 내구성이 뛰어난 실리콘카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN) 등 화합물 전력반도체에 대한 수요가 커지고 있다. ■ 민관, 화합물 전력반도체 R&D에 1384.6억원 투입 그동안 우리나라는 화합물 전력반도체 수요 대부분을 수입에 의존해 왔다. 국가별 화합물 전력반도체 시장 점유율은 유럽(54%), 미국(28%), 일본(13%) 순으로 차지하며 이들 국가의 합산 점유율은 95%에 달한다. 반면 한국은 1~2% 점유율로 미비하다. 이 분야의 강자는 스위스 ST마이크로일렉트로닉스, 독일 인피니언, 미국 온세미와 울프스피드, 일본 로옴 등이 대표적이다. 정부는 국내 화합물 전력반도체 기술 고도화를 위해 올해부터 2028년까지 4년간 총 1천384억원을 투입하기로 결정했다. 개발비는 민간 445억8천만원과 국비 938억8천만 원으로 구성된다. 이와 관련해 지난 20일 화합물 전력반도체 관련 소재-소자-IC(집적회로)-모듈 등 기업은 국내 화합물 전력반도체 생태계 구축을 위한 업무협력 양해각서(MOU)를 체결하며 본격적으로 기술을 협력하기로 했다. 협력에는 웨이퍼를 생산하는 SK실트론(소재분야), 칩을 생산하는 DB하이텍(파운드리), 어보브반도체(팹리스) 등이 참여한다. 반도체 업계 관계자는 “화합물 젼력반도체 시장에서 한국은 후발주자이지만, 파운드리와 뛰어난 설계 기술을 보유하고 있기 때문에 정부의 지원이 더해지면 경쟁력을 갖출 것으로 기대된다”고 말했다. 글로벌 1위 SiC 반도체 업체인 ST마이크로일렉트로닉스 수장인 프란체스코 무저리 부사장은 “한국 기업이 글로벌 기업과 경쟁이 가능하다”고 진단했다. 그는 “한국은 전세계에 자동차를 수출하는 현대자동차와 삼성전자, LG전자 등 글로벌 가전업체를 보유하고 있는데, 여기에는 고성능 전력 반도체가 반드시 필요하다. 수요 업체와 공급업체가 파트너십을 맺는다면 성공하지 못할 이유는 없다”라며 “IP(설계자산) 특허 부분에서는 어려움이 따를 수 있지만, 한국은 혁신적인 국가이고, 우수한 인재가 많아서 장점이다”고 덧붙였다. ■ "수익성 3배 이상"…SK·삼성·DB하이텍부터 팹리스까지 총력 SK그룹은 전력반도체 개발에 많은 관심을 보이고 있다. SK실트론은 2020년 미국 듀폰의 SiC 웨이퍼 사업부를 4억5천만 달러로 인수해 현지에 SK실트론CSS라는 자회사를 설립했다. SK실트론CSS는 SiC에 수년간 6억 달러 투자를 계획하고 있으며, 1차 투자 격인 미국 베이시티 공장을 2022년에 완공해 6인치(150㎜) SiC 웨이퍼를 연간 12만장을 생산한다. SK실트론CSS는 2022년 11월 미국 RF 반도체 업체 코보와 올해 1월 독일 인피니언과 SiC 웨이퍼 장기 공급 계약을 체결하기도 했다. 파운드리 업체 SK키파운드리는 GaN 전력 반도체 생산에 주력하고 있다. 2022년 정식 GaN 개발팀을 구성하고, 최근 650V GaN HEMT(고전자 이동도 트랜지스터) 소자 특성을 확보해 생산 준비를 마쳤다. SK키파운드리는 올 하반기부터 청주 팹에서 GaN 반도체를 생산하며, 향후 SiC까지 라인업을 넓혀 전력 반도체 전문 파운드리로 변화한다는 목표다. SiC 전력반도체에 주력하는 SK파워텍은 SK가 2022년 예스파워테크닉스 지분 95.8%를 1천200억원에 인수한 업체다. SK는 2023년 사명을 SK파워텍으로 바꾸면서 기존 포항 공장을 부산으로 이전하며 사업을 확장했다. 삼성전자 파운드리도 전력반도체 생산 준비에 한창이다. 삼성전자는 컨슈머, 데이터센터, 오토모티브 향으로 2025년 8인치 GaN 전력반도체 파운드리 서비스를 시작한다고 밝혔다. DB하이텍도 수익성이 높은 화합물 전력반도체 생산업체로 체질개선에 나선다. DB하이텍은 2022년 말부터 8인치 GaN 공정을 개발에 들어가 올해 말에 생산에 들어갈 예정이다. 또 SiC 전력반도체 생산을 위해 충북 음성 상우공장에 핵심 장비를 도입하며 생산을 위한 준비 작업도 진행 중이다. 아울러 회사는 GaN 전문 팹리스 에이프로세미콘과 기술협력을 통해 파운드리 공정 특성을 향상시키고 있다. 파운드리 업체가 전력 반도체로 전환하는 이유는 수익성이 더 높기 때문이다. 업계 관계자는 "SiC 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼보다 5~10배 더 비싸서, 같은 용량을 생산하더라도 더 높은 이익을 낼 수 있다"고 말했다. 그 밖에 어보브반도체, 아이큐랩, 칩스케이, 파워큐브세미, 쎄닉 등도 화합물 전력반도체 공급 기업으로 주목받고 있다. 한편, 시장조사업체 올디벨롭먼트에 따르면 SiC 반도체는 2021년 10억 달러에서 2027년 62억 달러로 연평균 34% 성장할 전망이다. GaN 반도체는 2021년 1억2천만 달러에서 2027년 20억 달러로 연평균 59% 성장할 것으로 예상된다.

2024.06.26 17:24이나리

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